DE102005051632A1 - Verfahren zum Beizen von nicht leitenden Substratoberflächen - Google Patents

Verfahren zum Beizen von nicht leitenden Substratoberflächen Download PDF

Info

Publication number
DE102005051632A1
DE102005051632A1 DE102005051632A DE102005051632A DE102005051632A1 DE 102005051632 A1 DE102005051632 A1 DE 102005051632A1 DE 102005051632 A DE102005051632 A DE 102005051632A DE 102005051632 A DE102005051632 A DE 102005051632A DE 102005051632 A1 DE102005051632 A1 DE 102005051632A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
mol
pickling solution
pickling
solution
concentration
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE102005051632A
Other languages
English (en)
Other versions
DE102005051632B4 (de
Inventor
Mark Peter Schildmann
Ulrich Dr. Prinz
Andreas Dr. Königshofen
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
MacDermid Enthone Inc
Original Assignee
Enthone Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Enthone Inc filed Critical Enthone Inc
Priority to DE102005051632A priority Critical patent/DE102005051632B4/de
Priority to EP06017605A priority patent/EP1785507B1/de
Priority to DE602006009746T priority patent/DE602006009746D1/de
Priority to ES06017605T priority patent/ES2332104T3/es
Priority to CN2006101424887A priority patent/CN1958844B/zh
Priority to JP2006290925A priority patent/JP2007119919A/ja
Priority to KR1020060105106A priority patent/KR100868138B1/ko
Priority to US11/554,100 priority patent/US7578947B2/en
Publication of DE102005051632A1 publication Critical patent/DE102005051632A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE102005051632B4 publication Critical patent/DE102005051632B4/de
Withdrawn - After Issue legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3063—Electrolytic etching
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
    • C23C18/20—Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins
    • C23C18/22—Roughening, e.g. by etching
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
    • C09K13/04—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid
    • C09K13/08—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid containing a fluorine compound
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
    • C23C18/20—Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins
    • C23C18/2006—Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins by other methods than those of C23C18/22 - C23C18/30
    • C23C18/2046—Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins by other methods than those of C23C18/22 - C23C18/30 by chemical pretreatment
    • C23C18/2073—Multistep pretreatment
    • C23C18/2086—Multistep pretreatment with use of organic or inorganic compounds other than metals, first
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
    • C23C18/20—Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins
    • C23C18/22—Roughening, e.g. by etching
    • C23C18/24—Roughening, e.g. by etching using acid aqueous solutions
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
    • C23C18/20—Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins
    • C23C18/28—Sensitising or activating
    • C23C18/30—Activating or accelerating or sensitising with palladium or other noble metal

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemically Coating (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Treatments Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
  • Electroplating Methods And Accessories (AREA)

Abstract

Die vorliegende Patentanmeldung betrifft ein Verfahren sowie eine Beizlösung zum Beizen einer nicht leitenden Substratoberfläche vor der Metallisierung, insbesondere zum Beizen von Polyamid- oder ABS-Kunststoffoberflächen. Erfindungsgemäß werden die zu beizenden Oberflächen mit einer ein Halogenid und/oder Nitrat aufweisenden Beizlösung behandelt.

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum vorbereitenden, haftvermittelnden Beizen einer nicht leitenden Substratoberfläche vor einer Metallisierung sowie eine entsprechende Beizlösung.
  • Die Beschichtung von nicht leitenden Substratoberflächen wie z. B. Kunststoffoberflächen mit Metallüberzügen ist eine in unterschiedlichsten Ausführungsformen eingesetzte Praxis zur Gestaltung der Oberflächeneigenschaften von Substraten.
  • Durch die Metallisierung der Oberfläche wird diese beispielsweise elektrisch leitend, was im Bereich der Herstellung von integrierten Schaltkreisen, Leiterplatinen oder anderen elektrischen oder elektronischen Bauteilen weitverbreitete Anwendung findet. Daneben werden Oberflächen aus dekorativen Gründen mit entsprechende optische oder haptische Eigenschaften aufweisenden Metallschichten überzogen.
  • Prinzipiell besteht die Möglichkeit, Metallschichten galvanisch oder autokatalytisch auf Substratoberflächen abzuscheiden. Vor einer galvanischen Abscheidung muß die zu metallisierende Kunststoffoberfläche durch geeignete Vorbehandlungen elektrisch leitfähig gemacht werden. Eine solche leitfähigkeitsvermittelnde Behandlung erübrigt sich bei der autokatalytischen Abscheidung von Metallschichten.
  • Unabhängig von der galvanischen oder autokatalytischen Metallisierung der Oberfläche muß diese in der Regel zur Haftverbesserung der Metallschicht auf der Substratoberfläche aufgerauht werden. Dies kann durch eine mechanische Behandlung oder durch eine geeignete chemische Behandlung, beispielsweise mit Quell- oder Beizmitteln geschehen.
  • Aus dem Stand der Technik sind hierzu unterschiedlichste Verfahren bekannt. So offenbart beispielsweise die deutsche Patentschrift DE 101 24 631 für ein Verfahren zum direkten elektrolytischen Metallisieren von elektrisch nicht leitenden Substratoberflächen die Behandlung einer zu beschichtenden Kunststoffoberfläche mit einer sauren Permanganatlösung.
  • Das deutsche Patent DE 197 40 431 C1 offenbart für ein Verfahren zum Metallisieren eines elektrischen nicht leitenden Oberflächenbereich ein Beizverfahren, bei welchem die zu beschichtende Oberfläche mittels einer Wasserstoffperoxid haltigen sauren Beize vorbereitet wird. Neben Wasserstoffperoxid kann die hier offenbarte Beize eine Säure wie Phosphorsäure oder auch organische Verbindungen wie Propan-2-ol oder p-Phenolsulfonsäure aufweisen.
  • Druckschrift DE 195 10 855 offenbart für ein Verfahren zum selektiven oder partiellen elektrolytischen Metallisieren von Substraten auf nicht leitenden Materialien eine Vorbehandlung der zu beschichtenden Substratoberflächen mit einer chromsäurehaltigen Schwefelsäurebeize. Alternativ wird eine alkalische Permanganatlösung als Beizmittel offenbart.
  • Die internationale Patentanmeldung WO 99/13696 offenbart für ein Verfahren zur Metallisierung eines elektrisch nicht Leitende Oberflächenbereiche aufweisenden Substrats eine Vorbehandlung der zu metallisierenden Oberflächen mit einer Beiz- oder Ätzlösung auf Wasserstoffperoxidbasis. Die offenbarten Beizlösungen können darüber hinaus Phosphorsäure, Methansulfonsäure oder Essigsäure enthalten, wobei die resultierende Wasserstoffionenkonzentration mit maximal 0,5 Mol/kg Lösung angegeben wird.
  • Die deutsche Patentanmeldung DE 100 54 544 offenbart ebenfalls für ein Verfahren zum chemischen Metallisieren von Oberflächen, insbesondere von Oberflächen von Acrylnitril/Butadien/Styrol-Copolymeren (ABS-Copolymere) und von Mischung dieser Copolymere ein vorbehandelndes Beizen der Substratoberflächen mit einer Chrom(VI)-Ionen enthaltenden Lösung. Die Lösungen setzen sich im wesentlichen aus Chromtrioxid und konzentrierter Schwefelsäure zusammen.
  • Wesentlich bei allen Beizprozessen ist das Aufschließen der Substratoberfläche, um den erforderlichen Haftgrund für die abzuscheidende Metallschicht zu bilden.
  • Zu beschichtende Substrate können beispielsweise Kunststoffe wie Polyester, Polyether, Polyimide, Polyurethane, Polyamide, Expoxidharze, Polysulfone, Polyethersulfone, Polyetherimide etc. sein.
  • Insbesondere bei Substraten auf Polyamidbasis weisen jedoch die aus dem Stand der Technik bekannten Verfahren zur vorbereitenden Oberflächenbehandlung, wie das Beizen mit Chromschwefelsäure, Laugen oder Säuren Probleme auf, da diese Vorbehandlungsmethoden zu irreversiblen Schädigungen der Polyamidoberfläche führen.
  • Ein Ansatz zur Überwindung dieser Probleme ist die in der Zeitschrift metalloberfläche Jahrgang 59 (2005) Nr. 4 auf Seite 55 ff. offenbarte Methode der Oberflächenbeizung mit deutlich verringertem Chromtrioxidanteil. Wurden bisher im Stand der Technik ca. 400 g/l Chromtrioxid eingesetzt, wird hier ein Verfahren offenbart, welches mit etwa 80 g/l Chromtrioxid arbeitet.
  • Die Verwendung von Chromtrioxid ist jedoch aufgrund der mit Chromaten verbundenen Umweltproblematik schwierig.
    •
  • Dies berücksichtigend ist es die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren zum vorbereitenden, haftvermittelnden Beizen einer nicht leitenden Substratoberfläche, insbesondere einer Polyamidoberfläche zur Verfügung zu stellen, welches die aus dem Stand der Technik bekannten Nachteile zu überwinden vermag und insbesondere ohne den Einsatz von Chromaten eine hinreichende Oberflächenrauhigkeit erzeugt. Darüber hinaus ist es die Aufgabe der vorliegenden Erfindung eine entsprechende Beizlösung zur Verfügung zu stellen.
  • Gelöst wird diese Aufgabe durch ein Verfahren zum Beizen einer Kunststoffoberfläche vor einer Metallisierung, welches dadurch gekennzeichnet ist, daß die zu beizende Oberfläche mit einer ein Halogenid und/oder Nitrat der Gruppe bestehend aus Na, Mg, Al, Si, Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Ca und Zn enthaltenden Beizlösung in Kontakt gebracht wird.
  • Vorteilhafterweise wird als Halogenid Chlorid eingesetzt. Als besonders geeignet haben sich FeCl3, FeCl2, TiCl3, CuCl2, CrCl3, ZnCl2, MgCl2, CaCl2, MnCl2 und CuCl2 sowie Cr(NO3)3 erwiesen.
  • Darüber hinaus kann die Beizlösung vorteilhafter Weise ein lösliches Fluorid enthalten. Als besonders geeignet haben sich hierbei koordinative Fluoridverbindungen der allgemeinen Formel M1(HF2) erwiesen. Hierbei kann M beispielsweise eine NH4-Gruppe sein. Jedoch sind auch alle anderen löslichen Fluoride geeignet.
  • Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren wird eine Beizlösung eingesetzt, die das Halogenid und/oder Nitrat der Gruppe bestehend aus Na, Mg, Al, Si, Sc, Ti, V, Cr, Ca, Mn, Fe, Co, Ni, Cu und Zn in einer Konzentration von wenigstens 0,1 Mol/l bis zur Löslichkeitsgrenze enthält. Bevorzugt wird bei dem erfindungsgemäßen Verfahren eine Beizlösung eingesetzt, welche das Metallsalz in einer Konzentration zwischen ungefähr 0,5 Mol/l und ungefähr 10 Mol/l, bevorzugt dazwischen ungefähr 2 Mol/l und ungefähr 4 Mol/l enthält.
  • Die im erfindungsgemäßen Verfahren verwendete Beizlösung kann das lösliche Fluorid in einer Konzentration zwischen ungefähr 0,05 Mol/l und ungefähr 10 Mol/l, bevorzugt zwischen ungefähr 0,25 Mol/l und ungefähr 3,6 Mol/l, und noch bevorzugter zwischen 0,3 Mol/l und ungefähr 1,8 Mol/l enthalten.
  • Darüber hinaus kann die im erfindungsgemäßen Verfahren verwendete Beizlösung eine Säure enthalten. Hierbei können sowohl organische als aus anorganische Säuren mit einem pKs-Wert ≤5 eingesetzt werden.
  • In der im erfindungsgemäßen Verfahren verwendeten Beizlösung kann die Säure in einer Konzentration zwischen ungefähr 0,01 Mol/l und ungefähr 10 Mol/l, bevorzugst zwischen ungefähr 0,1 Mol/l und ungefähr 5 Mol/l und noch bevorzugter zwischen ungefähr 0,5 Mol/l und ungefähr 3,0 Mol/l enthalten sein.
  • Zur Verbesserung der Benetzung der zu behandelnden Substratoberfläche kann die im erfindungsgemäßen Verfahren eingesetzte Beizlösung ein Netzmittel enthalten. Hierbei haben sich insbesondere im sauren Medium stabile Netzmittel als vorteilhaft erwiesen. Die Netzmittel können in der im erfindungsgemäßen Verfahren verwendeten Beizlösung in einer Konzentration zwischen ungefähr 0,0001 Mol/l und ungefähr 1,0 Mol/l, bevorzugt zwischen ungefähr 0,001 Mol/l und ungefähr 0,5 Mol/l, und noch bevorzugter zwischen ungefähr 0,01 Mol/l und ungefähr 0,1 Mol/l enthalten sein.
  • Der bei dem erfindungsgemäßen Verfahren eingesetzten Beizlösung können geringe Mengen von Edelmetallen oder Edelmetallverbindungen zugesetzt werden. Beispielsweise ist es möglich, der Beizlösung zur verbesserten Absorption von Palladium-Kolloiden 75 ppm Pd2+ zuzusetzen.
  • Die zu beizende Kunststoffoberfläche wird gemäß dem erfindungsgemäßen Verfahren mit der Beizlösung für einen Zeitraum zwischen ungefähr 0,1 Min und ungefähr 20 Min, bevorzugt zwischen ungefähr 1,0 Min und ungefähr 10 Min in Kontakt gebracht. Hierbei kann die Temperatur in einem Bereich zwischen ungefähr 15°C und ungefähr 65°C, bevorzugt zwischen ungefähr 25°C und ungefähr 35°C liegen.
  • Mit der erfindungsgemäßen Beizlösung und dem Beizverfahren wird ein Verfahren zur Metallisierung von Substratoberflächen zur Verfügung gestellt, welches durch die Verfahrensschritte
    Beizen der Oberfläche mit einer halogenid- und/oder nitrathaltigen Beize
    Kontaktieren der gebeizten Oberfläche mit einer Edelmetallkolloidhaltigen Aktivatorlösung oder ionogenen Edelmetall-Aktivatorlösung
    Kontaktieren der aktivierten Oberfläche mit einer Beschleunigerlösung und
    Metallisieren der behandelten Oberfläche in einem autokatalytischen Metallisierungsbad oder einem Direktmetallisierungsbad
    gekennzeichnet ist.
  • Die so auf den Substraten abgeschiedenen Metallschichten sind haftfest mit der Oberfläche verbunden. Dies ist insbesondere auf die vorteilhafte Beizbehandlung gemäß dem erfindungsgemäßen Beizverfahren mit der erfindungsgemäßen Beizlösung zurückzuführen.
    •
  • Die nachfolgenden Ausführungsbeispiele zeigen exemplarisch ein erfindungsgemäßes Beizverfahren sowie eine erfindungsgemäße Beizlösung, ohne daß sich jedoch die Erfindung auf die Ausführungsbeispiele beschränken läßt.
  • Beispiel 1
  • Beizlösung
    • 500 g/l FeCl3
    • 50 ml/l HCl Konz
    • 10 g/l NH4HF2
    • 5 ml/l Netzmittel
  • Beispiel 2
  • Beizverfahren
  • Ein PA-Spritzgußteil aus Polyamid (6) wurde bei 50°C 4 Minuten mit der in Beispiel 1 beschriebenen Beizlösung kontaktiert. Vor einer anschließenden autokatalytischen Metallisierung wurde das zu metallisierende Spritzgußteil gespült.
  • Beispiel 3
  • Komplettes Metallisierungsverfahren
  • Ein wie in Beispiel 2 verwendetes PA-Spritzgußteil wurde wie folgt behandelt:
    • – 4 Minuten FeCl3-Beize bei 50°C
    • – Spülen
    • – 2 Minuten bei 26°C behandeln mit einer Aktivatorlösung, z. B. Udique879W der Firma Enthone
    • – Spülen
    • – Kontaktieren des Substrats für 2 Minuten mit einer Beschleunigerlösung, z.B. Enplate Accelerator 860 der Firma Enthone bei Raumtemperatur
    • – Spülen
    • – Vernickeln der behandelten Kunststoffoberfläche beispielsweise durch kontaktieren für 10 Minuten bei 30°C mit UdiqueNI891 bei einem pH-Wert von 9,0
    • – Spülen
    • – weiterer Schichtaufbau.
  • Das erfindungsgemäße Beizverfahren ist vorteilhafterweise kompatibel mit vielen existierenden Linien zur Metallisierung von ABS-Kunststoffen. Es führt zu einer gleichmäßigeren Aufrauhung und Bekeimung der Kunststoffoberfläche und damit zu einer schnelleren und Fehlstellen freieren Metallisierung, z. B. bei der autokatalytischen Vernickelung. Die erhaltenden Ergebnisse sind sehr gut reproduzierbar und eine Einarbeitung des Metallisierungsprozesses im Labormaßstab entfällt. Es besteht darüber hinaus keine Notwendigkeit, den Stabilisatorgehalt in der dem Beizschritt folgenden Metallisierung anzupassen.

Claims (36)

  1. Verfahren zum Beizen einer nicht leitenden Substratoberfläche vor einer Metallisierung, dadurch gekennzeichnet, daß die zu beizende Oberfläche mit einer ein Halogenid und/oder Nitrat der Gruppe bestehend aus Na, Mg, Al, Si, Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Ca und Zn enthaltenden Beizlösung in Kontakt gebracht wird.
  2. Verfahren gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die verwendete Beizlösung als Halogenid und/oder Nitrat ein Metallsalz der Gruppe bestehend aus FeCl3, FeCl2, TiCl3, CaCl2, CuCl2, CrCl3, ZnCl2, MgCl2, MnCl2 oder Cr(NO3)3 enthält.
  3. Verfahren gemäß Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die verwendete Beizlösung Eisen(III)chlorid enthält.
  4. Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die verwendete Beizlösung ein lösliches Fluorid enthält.
  5. Verfahren gemäß Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Beizlösung eine Koordinationsverbindung der allgemeinen Formel M1(HF2) enthält.
  6. Verfahren gemäß Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß M eine NH4-Gruppe ist.
  7. Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die verwendete Beizlösung das Halogenid und/oder Nitrat der Gruppe bestehend aus Na, Mg, Al, Si, Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Ca, Cu und Zn in einer Konzentration von wenigstens 0,1 Mol/l bis zur Löslichkeitsgrenze, bevorzugt zwischen ungefähr 0,5 Mol/l und ungefähr 10 Mol/l, noch bevorzugter zwischen ungefähr 2 Mol/l und ungefähr 4 Mol/l enthält.
  8. Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die verwendete Beizlösung das lösliche Fluorid in einer Konzentration zwischen ungefähr 0,05 Mol/l und ungefähr 10 Mol/l, bevorzugt zwischen ungefähr 0,15 Mol/l und ungefähr 3,6 Mol/l, noch bevorzugter zwischen ungefähr 0,3 Mol/l und ungefähr 1,8 Mol/l enthält.
  9. Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die verwendete Beizlösung eine Säure enthält.
  10. Verfahren gemäß Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die verwendete Beizlösung als Säure eine organische oder anorganische Säure mit einem pKs-Wert ≤5 enthält
  11. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 9 oder 10, dadurch gekennzeichnet, daß die verwendete Beizlösung die Säure in einer Konzentration zwischen ungefähr 0,01 Mol/l und ungefähr 10 Mol/l, bevorzugt zwischen ungefähr 0,1 Mol/l und ungefähr 5,0 Mol/l, noch bevorzugter zwischen ungefähr 0,5 Mol/l und ungefähr 3,0 Mol/l enthält.
  12. Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die verwendete Beizlösung ein Netzmittel enthält.
  13. Verfahren gemäß Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß die verwendete Beizlösung ein gegenüber Säuren hydrolysestabiles Netzmittel enthält.
  14. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 12 oder 13, dadurch gekennzeichnet, daß die verwendete Beizlösung das Netzmittel in einer Konzentration zwischen ungefähr 0,0001 Mol/l und ungefähr 1,0 Mol/l, bevorzugt zwischen ungefähr 0,001 Mol/l und ungefähr 0,5 Mol/l, noch bevorzugter zwischen ungefähr 0,01 Mol/l und ungefähr 0,1 Mol/l enthält.
  15. Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die zu beizende Substratoberfläche mit der verwendeten Beizlösung für ein Zeitraum zwischen ungefähr 0,1 Min und ungefähr 20 Min, bevorzugt zwischen ungefähr 1,0 Min und ungefähr 10 Min in Kontakt gebracht wird.
  16. Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die zu beizende Substratoberfläche mit der verwendeten Beizlösung bei einer Temperatur zwischen ungefähr 15°C und ungefähr 65°C, bevorzugt zwischen ungefähr 25°C und ungefähr 35°C in Kontakt gebracht wird.
  17. Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat ein Kunststoff der Gruppe bestehend aus Polyester, Polyether, Polyimid, Polyurethan, Epoxidharz, Polysulfon, Polyethersulfon, Polyetherimid oder Polyamid ist.
  18. Verfahren zur Metallisierung von Kunststoffoberflächen, gekennzeichnet durch die Verfahrensschritte: – Beizen der Oberfläche mit einer halogenid- und/oder nitrathaltigen Beize – Kontaktieren der gebeizten Oberfläche mit einer Edelmetallkolloidhaltigen Aktivatorlösung oder ionogenen Edelmetall-Aktivatorlösung – Kontaktieren der aktivierten Oberfläche mit einer Beschleunigerlösung – Metallisieren der behandelten Oberfläche in einem autokatalytischen Metallisierungsbad oder einem Direktmetallisierungsbad.
  19. Verfahren gemäß Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, daß die zu metallisierende Kunststoffoberfläche bei einer Temperatur zwischen ungefähr 25°C und ungefähr 35°C gebeizt wird.
  20. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 18 oder 19, dadurch gekennzeichnet, daß die Kunststoffoberfläche für einen Zeitraum zwischen ungefähr 1,0 Min und ungefähr 10 Min gebeizt wird.
  21. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 18 bis 20, dadurch gekennzeichnet, daß die Kunststoffoberfläche eine Polyamidoberfläche oder eine ABS-Oberfläche ist.
  22. Beizlösung zur vorbereitenden Behandlung von zu metallisierenden Kunststoffoberflächen, dadurch gekennzeichnet, daß die Beizlösung eine Halogenid und/oder Nitrat der Gruppe bestehend aus Na, Mg, Al, Si, Sc, Ti, Ca, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu und Zn aufweist.
  23. Beizlösung gemäß Anspruch 22, dadurch gekennzeichnet, daß die Beizlösung das Halogenid in einer Konzentration von wenigstens 0,1 Mol/l bis zur Löslichkeitsgrenze, bevorzugt zwischen ungefähr 0,5 Mol/l und ungefähr 10 Mol/l, noch bevorzugter zwischen ungefähr 2 Mol/l und ungefähr 4 Mol/l enthält.
  24. Beizlösung gemäß einem der Ansprüche 22 oder 23, dadurch gekennzeichnet, daß die Lösung ein lösliches Fluorid enthält.
  25. Beizlösung gemäß einem der Ansprüche 22 bis 24, dadurch gekennzeichnet, daß die Beizlösung das lösliche Fluorid in einer Konzentration von wenigstens 0,05 Mol/l bis ungefähr 10 Mol/l, bevorzugt zwischen ungefähr 0,15 Mol/l und ungefähr 3,6 Mol/l, noch bevorzugter zwischen ungefähr 0,3 Mol/l und ungefähr 1,8 Mol/l enthält.
  26. Beizlösung gemäß einem der Ansprüche 22 bis 22, dadurch gekennzeichnet, daß die Beizlösung als Halogenid ein Eisenchlorid enthält.
  27. Beizlösung gemäß Anspruch 26, dadurch gekennzeichnet, daß die Beizlösung Eisen(III)chlorid enthält.
  28. Beizlösung gemäß einem der Ansprüche 22 bis 27, dadurch gekennzeichnet, daß die Beizlösung als lösliches Fluorid eine Koordinationsverbindung der allgemeinen Formel M1(HF2) eine Verbindung enthält, bei der M ein Element der Gruppe bestehend aus NH4, ist.
  29. Beizlösung gemäß Anspruch 28, dadurch gekennzeichnet, daß die Beizlösung Ammoniumhydrogendifluorid enthält.
  30. Beizlösung gemäß einem der Ansprüche 22 bis 29, dadurch gekennzeichnet, daß die Beizlösung eine Säure enthält.
  31. Beizlösung gemäß Anspruch 30, dadurch gekennzeichnet, daß die Beizlösung eine organische oder anorganische Säure mit einem pKs-Wert ≤5 enthält.
  32. Beizlösung gemäß Anspruch 30 oder 31, dadurch gekennzeichnet, daß die Beizlösung die Säure in einer Konzentration von ungefähr 0,01 Mol/l bis ungefähr 10 Mol/l, bevorzugt zwischen ungefähr 0,1 Mol/l und ungefähr 5,0 Mol/l, noch bevorzugter zwischen ungefähr 0,5 Mol/l und ungefähr 3,0 Mol/l enthält.
  33. Beizlösung gemäß einem der Ansprüche 22 bis 32, dadurch gekennzeichnet, daß die Beizlösung ein Netzmittel enthält.
  34. Beizlösung gemäß Anspruch 31, dadurch gekennzeichnet, daß die Beizlösung das Netzmittel in einer Konzentration von ungefähr 0,0001 Mol/l bis ungefähr 1,0 Mol/l, bevorzugt zwischen ungefähr 0,001 Mol/l und ungefähr 0,5 Mol/l, noch bevorzugter zwischen ungefähr 0,01 Mol/l und ungefähr 0,1 Mol/l enthält.
  35. Beizlösung gemäß einem der Ansprüche 33 oder 34, dadurch gekennzeichnet, daß die Beizlösung ein gegen saure Hydrolyse beständiges Netzmittel enthält.
  36. Beizlösung gemäß einem der Ansprüche 22 bis 35, dadurch gekennzeichnet, daß die Beizlösung Edelmetalle oder Edelmetallverbindungen enthält.
DE102005051632A 2005-10-28 2005-10-28 Verfahren zum Beizen von nicht leitenden Substratoberflächen und zur Metallisierung von Kunststoffoberflächen Withdrawn - After Issue DE102005051632B4 (de)

Priority Applications (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102005051632A DE102005051632B4 (de) 2005-10-28 2005-10-28 Verfahren zum Beizen von nicht leitenden Substratoberflächen und zur Metallisierung von Kunststoffoberflächen
DE602006009746T DE602006009746D1 (de) 2005-10-28 2006-08-24 Verfahren zum Ätzen von nichtleitenden Substratoberflächen
ES06017605T ES2332104T3 (es) 2005-10-28 2006-08-24 Procedimiento para decapar superficies de un sustrato no conductor.
EP06017605A EP1785507B1 (de) 2005-10-28 2006-08-24 Verfahren zum Ätzen von nichtleitenden Substratoberflächen
CN2006101424887A CN1958844B (zh) 2005-10-28 2006-10-26 蚀刻非传导基材表面的方法
JP2006290925A JP2007119919A (ja) 2005-10-28 2006-10-26 非導電性基板表面のエッチング方法
KR1020060105106A KR100868138B1 (ko) 2005-10-28 2006-10-27 비-전도성 기판 표면을 에칭하는 방법
US11/554,100 US7578947B2 (en) 2005-10-28 2006-10-30 Method for etching non-conductive substrate surfaces

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102005051632A DE102005051632B4 (de) 2005-10-28 2005-10-28 Verfahren zum Beizen von nicht leitenden Substratoberflächen und zur Metallisierung von Kunststoffoberflächen

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE102005051632A1 true DE102005051632A1 (de) 2007-05-10
DE102005051632B4 DE102005051632B4 (de) 2009-02-19

Family

ID=37866041

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102005051632A Withdrawn - After Issue DE102005051632B4 (de) 2005-10-28 2005-10-28 Verfahren zum Beizen von nicht leitenden Substratoberflächen und zur Metallisierung von Kunststoffoberflächen
DE602006009746T Active DE602006009746D1 (de) 2005-10-28 2006-08-24 Verfahren zum Ätzen von nichtleitenden Substratoberflächen

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE602006009746T Active DE602006009746D1 (de) 2005-10-28 2006-08-24 Verfahren zum Ätzen von nichtleitenden Substratoberflächen

Country Status (7)

Country Link
US (1) US7578947B2 (de)
EP (1) EP1785507B1 (de)
JP (1) JP2007119919A (de)
KR (1) KR100868138B1 (de)
CN (1) CN1958844B (de)
DE (2) DE102005051632B4 (de)
ES (1) ES2332104T3 (de)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
ATE445667T1 (de) * 2007-08-10 2009-10-15 Enthone Chromfreie beize für kunststoffoberflächen
US20090136771A1 (en) * 2007-11-28 2009-05-28 Evans Ronald J Composition for preparing a surface for coating and methods of making and using same
US20110266158A1 (en) 2008-06-19 2011-11-03 Fundacion Cidetec Method for electrochemically covering an insulating substrate
FR2942221B1 (fr) * 2009-02-18 2012-01-27 Seppic Sa Compositions de depolissage du verre contenant du sel de fer
DE102011000138A1 (de) 2011-01-14 2012-07-19 Lpkf Laser & Electronics Ag Verfahren zur selektiven Metallisierung eines Substrats sowie ein nach diesem Verfahren hergestellter Schaltungsträger
US20130084395A1 (en) * 2011-09-29 2013-04-04 Roshan V. Chapaneri Treatment of Plastic Surfaces After Etching in Nitric Acid Containing Media
US10260000B2 (en) * 2012-01-23 2019-04-16 Macdermid Acumen, Inc. Etching of plastic using acidic solutions containing trivalent manganese
ES2556981T3 (es) 2012-04-24 2016-01-21 Enthone Inc. Composición de pre-ataque químico y proceso de ataque químico para sustratos de plástico
US8603352B1 (en) * 2012-10-25 2013-12-10 Rohm and Haas Electroncis Materials LLC Chrome-free methods of etching organic polymers
DE102012112550A1 (de) 2012-12-18 2014-06-18 Lpkf Laser & Electronics Ag Verfahren zur Metallisierung eines Werkstücks sowie ein Schichtaufbau aus einem Werkstück und einer Metallschicht
US9267077B2 (en) * 2013-04-16 2016-02-23 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Chrome-free methods of etching organic polymers with mixed acid solutions
MY164331A (en) * 2013-10-22 2017-12-15 Okuno Chem Ind Co Composition for etching treatment of resin material
ES2646237B2 (es) * 2017-09-28 2018-07-27 Avanzare Innovacion Tecnologica S.L. Formulación para el mordentado de materiales poliméricos previo al recubrimiento de los mismos
KR102241457B1 (ko) * 2019-06-19 2021-04-19 대영엔지니어링 주식회사 비 전도성 플라스틱의 습식 표면처리 방법
KR102232079B1 (ko) * 2019-06-19 2021-03-25 대영엔지니어링 주식회사 비 전도성 플라스틱의 표면특성 개선을 위한 도금방법

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3435898A1 (de) * 1984-09-29 1986-04-10 Röhm GmbH, 6100 Darmstadt Kunststoffsubstrat zur verankerung von metallueberzuegen
EP0146724B1 (de) * 1983-11-04 1987-05-13 Bayer Ag Verfahren zur Vorbehandlung von Polyamidsubstraten für die stromlose Metallisierung
EP0146723B1 (de) * 1983-11-04 1987-10-14 Bayer Ag Verfahren zur Haftaktivierung von Polyamidsubstraten für die stromlose Metallisierung
DE3719604A1 (de) * 1987-06-12 1988-12-22 Markus Maria Dipl In Bringmann Beizen von halbzeugen
DE19510855C2 (de) * 1995-03-17 1998-04-30 Atotech Deutschland Gmbh Verfahren zum selektiven oder partiellen elektrolytischen Metallisieren von Substraten aus nichtleitenden Materialien
DE19740431C1 (de) * 1997-09-11 1998-11-12 Atotech Deutschland Gmbh Verfahren zum Metallisieren eines elektrisch nichtleitende Oberflächenbereiche aufweisenden Substrats
DE10054544A1 (de) * 2000-11-01 2002-05-08 Atotech Deutschland Gmbh Verfahren zum chemischen Metallisieren von Oberflächen
DE10124631C1 (de) * 2001-05-18 2002-11-21 Atotech Deutschland Gmbh Verfahren zum direkten elektrolytischen Metallisieren von elektrisch nichtleiteitenden Substratoberflächen

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3125474A (en) * 1964-03-17 Pickling zirconium and zirconium base alloys
DE2022109C3 (de) 1970-05-06 1974-03-21 Celfa Ag, Seewen (Schweiz) Verfahren zur Herstellung von metallisierbaren Kunststofformkörpern
GB1372694A (en) * 1970-10-22 1974-11-06 Iws Nominee Co Ltd Textile finishing
DE2652152A1 (de) 1975-11-18 1977-09-15 Diamond Shamrock Techn Elektrode fuer elektrolytische reaktionen und verfahren zu deren herstellung
JPS5798529A (en) 1980-12-09 1982-06-18 Mitsubishi Rayon Co Ltd Metal plating on polyamide resin
US4325991A (en) * 1981-01-05 1982-04-20 Crown City Plating Co. Electroless plating of polyesters
JPS58225130A (ja) 1982-06-24 1983-12-27 Kizai Kk ポリアミド樹脂成形品のエツチング方法
FR2555185A1 (fr) * 1983-11-17 1985-05-24 Roehm Gmbh Substrat de matiere synthetique pour l'ancrage de revetements metalliques
WO1985005755A1 (en) 1984-05-29 1985-12-19 Enthone, Incorporated Composition and process for conditioning the surface of plastic substrates prior to metal plating
DE3437084A1 (de) * 1984-10-05 1986-04-10 Schering AG, Berlin und Bergkamen, 1000 Berlin Verfahren zum an- und abaetzen von kunststoffschichten in bohrungen von basismaterial fuer leiterplatten
JPS61257480A (ja) 1985-05-09 1986-11-14 Seiko Epson Corp ポリアミド成形品のエツチング方法
JPS6263674A (ja) * 1985-09-17 1987-03-20 Toray Ind Inc 樹脂成形品の表面金属化方法
JPS6314880A (ja) * 1986-07-04 1988-01-22 Dainippon Ink & Chem Inc 金属メツキ処理方法
JPH01150000A (ja) 1987-12-07 1989-06-13 Nippon Steel Corp 電気メッキ用不溶性陽極
JPH01152294A (ja) 1987-12-09 1989-06-14 Nippon Mining Co Ltd 不溶性アノード用材料の製造方法
JPH086198B2 (ja) 1990-08-15 1996-01-24 株式会社アルメックス 水平搬送型メッキ装置
JPH05320981A (ja) * 1992-05-19 1993-12-07 Kawasaki Steel Corp めっき密着性に優れた電気めっき鋼板の製造方法
DE19834353C2 (de) * 1998-07-30 2000-08-17 Hillebrand Walter Gmbh & Co Kg Alkalisches Zink-Nickelbad
BR9915280A (pt) 1998-11-13 2001-08-07 Enthone Omi Inc Processo para metalizar uma superfìcie plástica
US6712948B1 (en) * 1998-11-13 2004-03-30 Enthone Inc. Process for metallizing a plastic surface
CN1210356C (zh) * 2000-05-11 2005-07-13 日本巴卡莱近估股份有限公司 金属表面处理剂、金属表面处理方法及表面处理金属材料
US6902766B1 (en) * 2000-07-27 2005-06-07 Lord Corporation Two-part aqueous metal protection treatment
US6559242B1 (en) 2002-05-02 2003-05-06 Ford Global Technologies, Inc. Surface activation and coating processes of a thermoplastic olefin using an aqueous immersion bath and products produced thereby
JP4304459B2 (ja) 2002-11-19 2009-07-29 宇部興産株式会社 金属薄膜付きポリイミドフィルム
DE10259187B4 (de) * 2002-12-18 2008-06-19 Enthone Inc., West Haven Metallisierung von Kunststoffsubstraten und Lösung zum Beizen und Aktivieren
DE10261493A1 (de) 2002-12-23 2004-07-08 METAKEM Gesellschaft für Schichtchemie der Metalle mbH Anode zur Galvanisierung
AU2003239929A1 (en) 2003-06-03 2005-01-04 Coventya Sas Zinc and zinc-alloy electroplating
KR100845534B1 (ko) * 2004-12-31 2008-07-10 엘지전자 주식회사 전도성 금속 도금 폴리이미드 기판 및 그 제조 방법

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0146724B1 (de) * 1983-11-04 1987-05-13 Bayer Ag Verfahren zur Vorbehandlung von Polyamidsubstraten für die stromlose Metallisierung
EP0146723B1 (de) * 1983-11-04 1987-10-14 Bayer Ag Verfahren zur Haftaktivierung von Polyamidsubstraten für die stromlose Metallisierung
DE3435898A1 (de) * 1984-09-29 1986-04-10 Röhm GmbH, 6100 Darmstadt Kunststoffsubstrat zur verankerung von metallueberzuegen
DE3719604A1 (de) * 1987-06-12 1988-12-22 Markus Maria Dipl In Bringmann Beizen von halbzeugen
DE19510855C2 (de) * 1995-03-17 1998-04-30 Atotech Deutschland Gmbh Verfahren zum selektiven oder partiellen elektrolytischen Metallisieren von Substraten aus nichtleitenden Materialien
DE19740431C1 (de) * 1997-09-11 1998-11-12 Atotech Deutschland Gmbh Verfahren zum Metallisieren eines elektrisch nichtleitende Oberflächenbereiche aufweisenden Substrats
WO1999013696A1 (de) * 1997-09-11 1999-03-18 Atotech Deutschland Gmbh Verfahren zum metallisieren eines elektrisch nichtleitende oberflächenbereiche aufweisenden substrats
DE10054544A1 (de) * 2000-11-01 2002-05-08 Atotech Deutschland Gmbh Verfahren zum chemischen Metallisieren von Oberflächen
DE10124631C1 (de) * 2001-05-18 2002-11-21 Atotech Deutschland Gmbh Verfahren zum direkten elektrolytischen Metallisieren von elektrisch nichtleiteitenden Substratoberflächen

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Dettner/Elze: Handbuch der Galvanotechnik, Band 1/2, 1964, Seiten 769, 1054 *

Also Published As

Publication number Publication date
DE602006009746D1 (de) 2009-11-26
EP1785507B1 (de) 2009-10-14
DE102005051632B4 (de) 2009-02-19
CN1958844B (zh) 2010-06-16
ES2332104T3 (es) 2010-01-26
JP2007119919A (ja) 2007-05-17
US7578947B2 (en) 2009-08-25
KR20070045998A (ko) 2007-05-02
CN1958844A (zh) 2007-05-09
US20070099425A1 (en) 2007-05-03
EP1785507A3 (de) 2008-07-09
KR100868138B1 (ko) 2008-11-10
EP1785507A2 (de) 2007-05-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102005051632A1 (de) Verfahren zum Beizen von nicht leitenden Substratoberflächen
DE60109486T2 (de) Verfahren zur chemischen vernickelung
DE102004026489B3 (de) Verfahren zur Metallisierung von Kunststoffoberflächen
EP0259754A2 (de) Flexible Schaltungen
EP0815292B1 (de) Verfahren zum selektiven oder partiellen elektrolytischen metallisieren von oberflächen von substraten aus nichtleitenden materialien
EP1441045B1 (de) Verfahren zur Aktivierung von Substraten für die Kunststoffgalvanisierung
EP0142691B1 (de) Verfahren zur Aktivierung von Substraten für die stromlose Metallisierung
EP0997061A1 (de) Verfahren zum metallisieren eines elektrisch nichtleitende oberflächenbereiche aufweisenden substrats
WO1999018253A2 (de) Verfahren und lösung zur herstellung von goldschichten
AT405842B (de) Verfahren zum aufbringen einer metallischen schicht auf eine polymeroberfläche eines werkstückes
EP0324189A2 (de) Verfahren zur Herstellung von elektrischen Leiterplatten
EP0146723B1 (de) Verfahren zur Haftaktivierung von Polyamidsubstraten für die stromlose Metallisierung
EP0195332B1 (de) Elektrische Leiterplatten
DE3121015A1 (de) Verfahren zur aktivierung von gebeizten oberflaechen und loesung zur durchfuehrung desselben
EP1763594B1 (de) Verfahren zur verbesserung der lötbarkeit von nickelüberzügen
DE3437084A1 (de) Verfahren zum an- und abaetzen von kunststoffschichten in bohrungen von basismaterial fuer leiterplatten
EP0650537B1 (de) Metallisierung von kunststoffen
DE3938710C2 (de)
DE102005061799B4 (de) Verfahren zur Metallisierung von Silberoberflächen und seine Verwendung
DE202023107029U1 (de) Gegenstand mit einer gebeizten Oberfläche aus einem nichtleitenden Kunststoff
EP1630252A1 (de) Verfahren zur beschichtung von Substraten enthaltend Antimonverbindungen mit Zinn und Zinnlegierungen
DE2259544A1 (de) Verfahren zum stromlosen plattieren eines kunststoffsubstrats mit einem metall
DE19615201A1 (de) Verfahren zur Metallisierung von chemisch nicht oder schwer plattierbaren Metalloberflächen
DE102006005684A1 (de) Verbessertes Verfahren zur Direktmetallisierung von nicht-leitenden Substraten
DE2055635A1 (en) Reducing metal salt solns - esp stannous or titanous chloride for post-activating sensitised surfaces in metal coating

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8363 Opposition against the patent
8330 Complete disclaimer