DE102005048680A1 - Trimethylgallium, Verfahren zur Herstellung desselben und aus dem Trimethylgallium gezüchteter Galliumnitriddünnfilm - Google Patents

Trimethylgallium, Verfahren zur Herstellung desselben und aus dem Trimethylgallium gezüchteter Galliumnitriddünnfilm Download PDF

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Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008024617A (ja) 2006-07-19 2008-02-07 Ube Ind Ltd 高純度トリアルキルアルミニウム及びその製法
JP4462251B2 (ja) * 2006-08-17 2010-05-12 日立電線株式会社 Iii−v族窒化物系半導体基板及びiii−v族窒化物系発光素子
JP2008050268A (ja) * 2006-08-22 2008-03-06 Ube Ind Ltd 高純度トリアルキルガリウム及びその製法
JP2008081451A (ja) * 2006-09-28 2008-04-10 Ube Ind Ltd 高純度トリアルキルガリウム及びその製法
JP2008263023A (ja) * 2007-04-11 2008-10-30 Sumitomo Electric Ind Ltd Iii−v族化合物半導体の製造方法、ショットキーバリアダイオード、発光ダイオード、レーザダイオード、およびそれらの製造方法
JP2008266196A (ja) * 2007-04-19 2008-11-06 Nippon Shokubai Co Ltd ボラジン化合物の製造方法
JP2009126835A (ja) * 2007-11-27 2009-06-11 Ube Ind Ltd 高純度トリアルキルガリウム及びその製法
KR100965270B1 (ko) * 2008-07-04 2010-06-22 주식회사 한솔케미칼 새로운 전자 주개 리간드를 가지는 갈륨 착화합물 및 이의제조방법
JP5423039B2 (ja) * 2009-02-23 2014-02-19 宇部興産株式会社 高純度トリアルキルガリウム及びその製造方法
JP5348186B2 (ja) * 2011-06-16 2013-11-20 宇部興産株式会社 高純度トリアルキルガリウム及びその製法
TWI632151B (zh) 2011-11-28 2018-08-11 烏明克股份有限兩合公司 第iiia族金屬的三烷基化合物之製法
DE102012013941A1 (de) 2012-07-16 2014-01-16 Umicore Ag & Co. Kg Verfahren zur Herstellung von Galliumtrialkylverbindungen
KR101326554B1 (ko) * 2012-06-22 2013-11-07 한국기초과학지원연구원 트리메틸갈륨(TMGa)의 재활용 방법
KR101436590B1 (ko) * 2013-05-28 2014-09-02 한국기초과학지원연구원 회수 TMIn 재이용방법
JP5761401B2 (ja) * 2014-02-27 2015-08-12 宇部興産株式会社 高純度トリアルキルガリウム及びその製法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62132888A (ja) * 1985-12-03 1987-06-16 Sumitomo Chem Co Ltd 有機金属化合物の精製方法
US4847399A (en) * 1987-01-23 1989-07-11 Morton Thiokol, Inc. Process for preparing or purifying Group III-A organometallic compounds
US5043462A (en) * 1989-04-28 1991-08-27 Messer Greisheim Process for the production of gallium-alkyl compounds
TW217415B (enExample) * 1991-11-19 1993-12-11 Shell Internat Res Schappej B V
US5455364A (en) * 1993-12-14 1995-10-03 Sumitomo Chemical Company, Ltd. Process for removing an impurity in organometallic compound
JP3230029B2 (ja) * 1994-05-30 2001-11-19 富士通株式会社 Iii−v族化合物半導体結晶成長方法
JP2927685B2 (ja) * 1994-08-19 1999-07-28 信越化学工業株式会社 有機金属化合物の精製方法
MY112170A (en) * 1994-09-02 2001-04-30 Sec Dep For Defence Acting Through His Defence Evaluation And Research Agency United Kingdom Metalorganic compounds
GB2344822A (en) * 1998-12-19 2000-06-21 Epichem Ltd Organometallic compound production using distillation
DE60005565T2 (de) * 1999-05-21 2004-06-24 Akzo Nobel N.V. Reinigung einer metallorganischen verbindung durch umkristallisieren
TW574762B (en) * 2002-10-16 2004-02-01 Univ Nat Cheng Kung Method for growing monocrystal GaN on silicon substrate
JP4488186B2 (ja) * 2004-06-18 2010-06-23 信越化学工業株式会社 トリメチルアルミニウムの精製方法
JP2006001896A (ja) * 2004-06-18 2006-01-05 Shin Etsu Chem Co Ltd 高純度トリメチルアルミニウム及びトリメチルアルミニウムの精製方法

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