JP2008024617A - 高純度トリアルキルアルミニウム及びその製法 - Google Patents

高純度トリアルキルアルミニウム及びその製法 Download PDF

Info

Publication number
JP2008024617A
JP2008024617A JP2006197326A JP2006197326A JP2008024617A JP 2008024617 A JP2008024617 A JP 2008024617A JP 2006197326 A JP2006197326 A JP 2006197326A JP 2006197326 A JP2006197326 A JP 2006197326A JP 2008024617 A JP2008024617 A JP 2008024617A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
trialkylaluminum
purity
aluminum
trimethylaluminum
amine complex
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2006197326A
Other languages
English (en)
Inventor
Hidetaka Noguchi
英貴 野口
Koji Ishichi
浩二 石地
Hiroyuki Monobe
浩之 物部
Toru Hiratsuka
徹 平塚
Kenji Matsushige
健二 松重
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ube Corp
Original Assignee
Ube Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ube Industries Ltd filed Critical Ube Industries Ltd
Priority to JP2006197326A priority Critical patent/JP2008024617A/ja
Publication of JP2008024617A publication Critical patent/JP2008024617A/ja
Priority to JP2011133921A priority patent/JP5440555B2/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

【課題】簡便な方法によって、ケイ素原子の含有量が少ない高純度トリアルキルアルミニウムおよびこれを製造する方法を提供すること。
【解決手段】トリアルキルアルミニウムをトリアルキルアミンと反応させて、アルミニウム-アミン錯体を形成させる。この反応混合物を蒸留して取得した錯体を解離させ、ケイ素原子の含有量が0.7質量ppm以下である高純度トリアルキルアルミニウムを得ることが出来る。該化合物は、例えばエピタキシャル成長法による高機能の化合物半導体の製造原料利用することが出来る。
【選択図】なし

Description

本発明は、高純度トリアルキルアルミニウム及びその製法に関するものである。高純度トリアルキルアルミニウムは、例えば、エピタキシャル成長法による高機能の化合物半導体の製造原料として、又、各種半導体製造等における有機金属化合物(例えば、トリアルキルガリウムやトリアルキルインジウム等)の製造原料として有用な化合物である。
従来、高純度トリアルキルアルミニウムの製法としては、例えば、金属ナトリウムをトリメチルアルミニウムに溶解させた後に蒸留精製する方法が知られているが、この方法では、取り扱いが難しい金属ナトリウムを用いなければならず、工業的な高純度トリアルキルアルミニウムの製法としては不適であった(例えば、特許文献1参照)。
特開2006-1896号公報
本発明の課題は、上記問題点を解決し、簡便な方法によって、高純度トリアルキルアルミニウム及びその方法を提供することにある。
本発明の課題は、ケイ素原子の含有量が0.7質量ppm以下であることを特徴とする、高純度トリアルキルアルミニウムによって解決される。
本発明の課題は、又、一般式(1)
Figure 2008024617
(式中、Rは、同一又は異なっていても良く、炭素原子数1〜6のアルキル基を示す。)
で示されるトリアルキルアルミニウムと一般式(2)
Figure 2008024617
(式中、Rは、炭素原子数7〜12のアルキル基を示す。)
で示されるトリアルキルアミンとを反応させてアルミニウム−アミン錯体を形成させ、次いで、反応混合物を蒸留して該アルミニウム−アミン錯体を取得した後、該アルミニウム−アミン錯体からトリアルキルアミンを解離させて、遊離のトリアルキルアルミニウムを得ることを特徴とする、高純度トリアルキルアルミニウムの製法によっても解決される。
本発明により、エピタキシャル成長法による高機能の化合物半導体の製造原料として、又、各種半導体製造等における有機金属化合物(例えば、トリアルキルガリウムやトリアルキルインジウム等)の製造原料として有用な高純度トリアルキルアルミニウム及びその製法を提供することができる。
本発明に反応において使用するトリアルキルアルミニウムは、前記の一般式(1)で示される。その一般式(1)において、Rは、炭素数1〜6のアルキル基を示し、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基が挙げられるが、好ましくはメチル基、エチル基である(即ち、トリアルキルアルミニウムが、トリメチルアルミニウム、トリエチルアルミニウム)。なお、これらの基は、各種異性体も含む。
本発明に反応において使用するトリアルキルアミンは、前記の一般式(2)で示される。その一般式(2)において、Rは、炭素数7〜12のアルキル基であり、例えば、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基が挙げられるが、好ましくはn-オクチル基である(即ち、トリアルキルアミンが、トリ-n-オクチルアミン)。なお、これらの基は、各種異性体も含む。
前記トリアルキルアミンの使用量は、トリアルキルアルミニウム1モルに対して、好ましくは0.6〜1.5モル、更に好ましくは0.8〜1.2モルである。なお、これらのトリアルキルアミンは、単独又は二種以上を混合して使用しても良い。
本発明のアルミニウム−アミン錯体の形成は、例えば、トリアルキルアルミニウムトリアルキルアミンとを混合し、攪拌させながら反応させる等の方法によって行われる。その際の温度は、好ましくは30〜150℃、更に好ましくは50〜110℃であり、圧力は特に制限されない。
本発明では、先に得られた混合物を蒸留して当該アルミニウム−アミン錯体を取得した後、当該アルミニウム−アミン錯体からトリアルキルアミンを解離させて、遊離の高純度トリアルキルアルミニウムを得ることができる。
前記反応混合物を蒸留して当該アルミニウム−アミン錯体を取得する際の温度は、好ましくは150〜220℃、更に好ましくは180〜200℃であり、圧力は、好ましくは0.5〜10kPa、更に好ましくは1〜5kPaである。
前記アルミニウム−アミン錯体からトリアルキルアミンを解離させて、遊離の高純度トリアルキルアルミニウムを得る方法としては、例えば、当該アルミニウム−アミン錯体を加熱して蒸留し、その流出物として得る等の方法によって行われる。その際の温度は、好ましくは180〜240℃、更に好ましくは200〜230℃であり、圧力は、好ましくは0.5〜5kPa、更に好ましくは1〜3kPaである。
なお、前記アルミニウム−アミン錯体の形成、蒸留によるアルミニウム−アミン錯体の取得及びアルミニウム−アミン錯体からトリアルキルアミンを解離させて、高純度トリアルキルアルミニウムを得る操作は、複数回行うことによって、より高純度のトリアルキルアルミニウムを得ることができる。
次に、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明の範囲はこれらに限定されるものではない。なお、トリアルキルアルミニウムの金属原子の分析は、誘導プラズマ発光分析法(ICP-OES法)にて行った。
実施例1(高純度トリメチルアルミニウムの合成)
攪拌装置、ヴィグリュー型蒸留塔(2つの受器を付属)及び滴下漏斗を備えた内容積500mlの反応容器に、窒素雰囲気にて、トリn-オクチルアミン144g(407mmol)を加え、トリメチルアルミニウム(ケイ素原子を47質量ppm含む)30g(416mmol)をゆるやかに加え、攪拌しながら100℃で1時間攪拌させて、アルミニウム−アミン錯体を形成させた。次いで、得られた反応混合物を減圧下で蒸留(180℃、1.4kPa)し、低沸点成分(不純物)をドライアイスで冷却した受器に捕集し、アルミニウム−アミン錯体を反応容器内に取得した。その後、アルミニウム−アミン錯体を195〜230℃に加熱して減圧蒸留(2.7kPa)し、流出物として、トリメチルアルミニウム15gを受器に得た(回収率;50%)。なお、得られたトリメチルアルミニウムは、ケイ素原子が0.5質量ppm以下、ケイ素原子以外の金属原子の合計含有量が0.30質量ppm以下(カルシウム原子;0.02質量ppm以下、カドミウム原子;0.03質量ppm以下、クロム原子;0.08質量ppm以下、銅原子;0.04質量ppm以下、鉄原子;0.02質量ppm以下、マグネシウム原子;0.02質量ppm以下、マンガン原子;0.02質量ppm以下、ナトリウム原子;0.1質量ppm未満、亜鉛原子;0.04質量ppm以下)しか混入していない高純度品であった。
比較例1(トリメチルアルミニウムの合成)
実施例1において、トリn-オクチルアミンの代わりに、N,N-ジブチルアニリン85g(414mmol)を使用した以外は、実施例1と同様にトリメチルアルミニウムの合成を行った。その結果、得られたトリメチルアルミニウムは、ケイ素原子が1.59質量ppm、ケイ素原子以外の金属原子の合計含有量が0.84質量ppm(カルシウム原子;0.02質量ppm以下、カドミウム原子;0.03質量ppm以下、クロム原子;0.08質量ppm以下、銅原子;0.11質量ppm、鉄原子;0.02質量ppm以下、マグネシウム原子;0.02質量ppm以下、マンガン原子;0.01質量ppm、ナトリウム原子;0.7質量ppm、亜鉛原子;0.02質量ppm)混入している低純度品であった。
比較例2(トリメチルアルミニウムの合成)
実施例1において、トリn-オクチルアミンの代わりに、トリエチルアミン42g(413mmol)を使用した以外は、実施例1と同様にトリメチルアルミニウムの合成を行った。その結果、アルミニウム−アミン錯体は形成したものの、トリエチルアミンは解離せずに、遊離のトリメチルアルミニウムを得ることはできなかった。
比較例3(トリメチルアルミニウムの合成)
実施例1において、トリn-オクチルアミンの代わりに、トリn-ブチルアミン77g(413mmol)を使用した以外は、実施例1と同様にトリメチルアルミニウムの合成を行った。その結果、アルミニウム−アミン錯体は形成したものの、トリn-ブチルアミンは解離せずに、遊離のトリメチルアルミニウムを得ることはできなかった。
比較例4(トリメチルアルミニウムの合成)
実施例1において、トリn-オクチルアミンの代わりに、トリn-ヘキシルアミン111g(413mmol)を使用した以外は、実施例1と同様にトリメチルアルミニウムの合成を行った。その結果、アルミニウム−アミン錯体は形成したものの、トリn-ヘキシルアミンは解離せずに、遊離のトリメチルアルミニウムを得ることはできなかった。
比較例5(トリメチルアルミニウムの合成)
実施例1において、トリn-オクチルアミンの代わりに、N,N-ジメチルアニリン48g(396mmol)を使用した以外は、実施例1と同様にトリメチルアルミニウムの合成を行った。その結果、アルミニウム−アミン錯体は形成したものの、N,N-ジメチルアニリンは解離せずに、遊離のトリメチルアルミニウムを得ることはできなかった。
比較例6(トリメチルアルミニウムの合成)
攪拌装置、ヴィグリュー型蒸留塔(2つの受器を付属)及び滴下漏斗を備えた内容積500mlの反応容器に、窒素雰囲気にて、ジフェニルメチルアミン72g(393mmol)を加え、トリメチルアルミニウム(ケイ素原子を12質量ppm含む)30g(416mmol)をゆるやかに加え、攪拌しながら100℃で1時間攪拌させて、アルミニウム−アミン錯体を形成させた。次いで、得られた反応混合物を減圧下で蒸留(180℃、1.4kPa)し、低沸点成分(不純物)をドライアイスで冷却した受器に捕集し、アルミニウム−アミン錯体を反応容器内に取得した。その後、アルミニウム−アミン錯体を105〜145℃に加熱して減圧蒸留(2.7kPa)し、流出物として、トリメチルアルミニウム18gを受器に得た(回収率;60%)。なお、得られたトリメチルアルミニウムは、ケイ素原子が11質量ppm混入している低純度品であった。
比較例7(トリメチルアルミニウムの合成)
攪拌装置、ヴィグリュー型蒸留塔(2つの受器を付属)及び滴下漏斗を備えた内容積500mlの反応容器に、窒素雰囲気にて、N,N-ジエチルアニリン61g(411mmol)を加え、トリメチルアルミニウム(ケイ素原子を47質量ppm含む)30g(411mmol)をゆるやかに加え、攪拌しながら100℃で1時間攪拌させて、アルミニウム−アミン錯体を形成させた。次いで、得られた反応混合物を減圧下で蒸留(180℃、1.4kPa)し、低沸点成分(不純物)をドライアイスで冷却した受器に捕集し、アルミニウム−アミン錯体を反応容器内に取得した。その後、アルミニウム−アミン錯体を80〜120℃に加熱して減圧蒸留(6.0kPa)し、流出物として、トリメチルアルミニウム18gを受器に得た(回収率;70%)。なお、得られたトリメチルアルミニウムは、ケイ素原子が2.8質量ppm混入している低純度品であった。
実施例2(高純度トリエチルアルミニウムの合成)
実施例1において、トリメチルアルミニウムの代わりにトリエチルアルミニウムを用いたこと以外、実施例1と同様に反応を行うと、ケイ素原子が0.7質量ppm以下の高純度トリエチルアルミニウムが得られる。
本発明は、高純度トリアルキルアルミニウム及びその製法に関するものである。高純度トリアルキルアルミニウムは、例えば、エピタキシャル成長法による高機能の化合物半導体の製造原料として、又、各種半導体製造等における有機金属化合物(例えば、トリアルキルガリウムやトリアルキルインジウム等)の製造原料として有用な化合物である。

Claims (4)

  1. ケイ素原子の含有量が0.7質量ppm以下であることを特徴とする、高純度トリアルキルアルミニウム。
  2. 一般式(1)
    Figure 2008024617
    (式中、Rは、炭素原子数1〜6のアルキル基を示す。)
    で示されるトリアルキルアルミニウムと一般式(2)
    Figure 2008024617
    (式中、Rは、炭素原子数7〜12のアルキル基を示す。)
    で示されるトリアルキルアミンとを反応させてアルミニウム−アミン錯体を形成させ、次いで、反応混合物を蒸留して該アルミニウム−アミン錯体を取得した後、該アルミニウム−アミン錯体からトリアルキルアミンを解離させて、遊離のトリアルキルアルミニウムを得ることを特徴とする、高純度トリアルキルアルミニウムの製法。
  3. トリアルキルアルミニウムが、トリメチルアルミニウム又はトリエチルアルミニウムである請求項1記載の高純度トリアルキルアルミニウムの製法。
  4. トリアルキルアミンが、トリn-オクチルアミンである請求項1記載の高純度トリアルキルアルミニウムの製法。
JP2006197326A 2006-07-19 2006-07-19 高純度トリアルキルアルミニウム及びその製法 Pending JP2008024617A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006197326A JP2008024617A (ja) 2006-07-19 2006-07-19 高純度トリアルキルアルミニウム及びその製法
JP2011133921A JP5440555B2 (ja) 2006-07-19 2011-06-16 高純度トリアルキルアルミニウム及びその製法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006197326A JP2008024617A (ja) 2006-07-19 2006-07-19 高純度トリアルキルアルミニウム及びその製法

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011133921A Division JP5440555B2 (ja) 2006-07-19 2011-06-16 高純度トリアルキルアルミニウム及びその製法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2008024617A true JP2008024617A (ja) 2008-02-07

Family

ID=39115627

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006197326A Pending JP2008024617A (ja) 2006-07-19 2006-07-19 高純度トリアルキルアルミニウム及びその製法
JP2011133921A Expired - Fee Related JP5440555B2 (ja) 2006-07-19 2011-06-16 高純度トリアルキルアルミニウム及びその製法

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011133921A Expired - Fee Related JP5440555B2 (ja) 2006-07-19 2011-06-16 高純度トリアルキルアルミニウム及びその製法

Country Status (1)

Country Link
JP (2) JP2008024617A (ja)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009227864A (ja) * 2008-03-24 2009-10-08 Jsr Corp アルミニウム膜形成用組成物及びアルミニウム膜の形成方法
EP2429240A1 (en) 2007-09-07 2012-03-14 NTT DoCoMo, Inc. Mobile communication method, mobile exchange station, radio base station and mobile station
CN104774218A (zh) * 2015-04-23 2015-07-15 苏州普耀光电材料有限公司 高纯三甲基铝的制备方法
CN104774216A (zh) * 2015-04-23 2015-07-15 苏州普耀光电材料有限公司 高纯三乙基镓的制备方法
CN104774219A (zh) * 2015-04-28 2015-07-15 河南承明光电新材料股份有限公司 一种三甲基铝制备方法
CN104817579A (zh) * 2015-05-12 2015-08-05 苏州普耀光电材料有限公司 三乙基镓的高效纯化方法
CN104817580A (zh) * 2015-05-12 2015-08-05 苏州普耀光电材料有限公司 三甲基铟的高效纯化方法
EP3587430A1 (de) 2018-06-26 2020-01-01 LANXESS Organometallics GmbH Herstellung von trialkylpnictogen

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2201418B (en) * 1987-02-27 1990-10-24 Plessey Co Plc Preparation of metal alkyls
JP2003095648A (ja) * 2001-09-26 2003-04-03 Showa Denko Kk 高純度フッ化カルシウムおよびその中間体の製造方法
JP2003518007A (ja) * 1999-05-21 2003-06-03 アクゾ ノーベル ナムローゼ フェンノートシャップ 有機金属化合物の精製
JP2003176492A (ja) * 2001-12-12 2003-06-24 Nisseki Technologies Co Ltd 廃油再生処理剤及び廃油再生処理方法
JP2005008552A (ja) * 2003-06-19 2005-01-13 Shin Etsu Chem Co Ltd 金属炭化水素類の精製方法
JP2005041819A (ja) * 2003-07-23 2005-02-17 Asahi Denka Kogyo Kk アシル基と水酸基とを有する脂肪族化合物及びそのアルキレンオキシド付加物及びこれらの製造方法
JP2005289692A (ja) * 2004-03-31 2005-10-20 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd タンタルまたはニオブの酸化物の粉末
JP2006001896A (ja) * 2004-06-18 2006-01-05 Shin Etsu Chem Co Ltd 高純度トリメチルアルミニウム及びトリメチルアルミニウムの精製方法
JP2006111546A (ja) 2004-10-13 2006-04-27 Sumitomo Chemical Co Ltd トリメチルガリウム、その製造方法およびそのトリメチルガリウムから得られた窒化ガリウム薄膜

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62185090A (ja) * 1986-02-10 1987-08-13 Sumitomo Chem Co Ltd アルキルガリウムの精製方法

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2201418B (en) * 1987-02-27 1990-10-24 Plessey Co Plc Preparation of metal alkyls
JP2003518007A (ja) * 1999-05-21 2003-06-03 アクゾ ノーベル ナムローゼ フェンノートシャップ 有機金属化合物の精製
JP2003095648A (ja) * 2001-09-26 2003-04-03 Showa Denko Kk 高純度フッ化カルシウムおよびその中間体の製造方法
JP2003176492A (ja) * 2001-12-12 2003-06-24 Nisseki Technologies Co Ltd 廃油再生処理剤及び廃油再生処理方法
JP2005008552A (ja) * 2003-06-19 2005-01-13 Shin Etsu Chem Co Ltd 金属炭化水素類の精製方法
JP2005041819A (ja) * 2003-07-23 2005-02-17 Asahi Denka Kogyo Kk アシル基と水酸基とを有する脂肪族化合物及びそのアルキレンオキシド付加物及びこれらの製造方法
JP2005289692A (ja) * 2004-03-31 2005-10-20 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd タンタルまたはニオブの酸化物の粉末
JP2006001896A (ja) * 2004-06-18 2006-01-05 Shin Etsu Chem Co Ltd 高純度トリメチルアルミニウム及びトリメチルアルミニウムの精製方法
JP2006111546A (ja) 2004-10-13 2006-04-27 Sumitomo Chemical Co Ltd トリメチルガリウム、その製造方法およびそのトリメチルガリウムから得られた窒化ガリウム薄膜

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2429240A1 (en) 2007-09-07 2012-03-14 NTT DoCoMo, Inc. Mobile communication method, mobile exchange station, radio base station and mobile station
JP2009227864A (ja) * 2008-03-24 2009-10-08 Jsr Corp アルミニウム膜形成用組成物及びアルミニウム膜の形成方法
CN104774218A (zh) * 2015-04-23 2015-07-15 苏州普耀光电材料有限公司 高纯三甲基铝的制备方法
CN104774216A (zh) * 2015-04-23 2015-07-15 苏州普耀光电材料有限公司 高纯三乙基镓的制备方法
CN104774219A (zh) * 2015-04-28 2015-07-15 河南承明光电新材料股份有限公司 一种三甲基铝制备方法
CN104817579A (zh) * 2015-05-12 2015-08-05 苏州普耀光电材料有限公司 三乙基镓的高效纯化方法
CN104817580A (zh) * 2015-05-12 2015-08-05 苏州普耀光电材料有限公司 三甲基铟的高效纯化方法
EP3587430A1 (de) 2018-06-26 2020-01-01 LANXESS Organometallics GmbH Herstellung von trialkylpnictogen

Also Published As

Publication number Publication date
JP2011201919A (ja) 2011-10-13
JP5440555B2 (ja) 2014-03-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5440555B2 (ja) 高純度トリアルキルアルミニウム及びその製法
JP5440556B2 (ja) 高純度トリアルキルガリウム及びその製法
CA2637118A1 (en) Method of preparing organometallic compounds
EP3275886B1 (en) Method for producing dialkylaminosilane
TW200412348A (en) Process for the production and purification of Bis (tertiary-butylamino) silane
WO2015184214A1 (en) Process of synthesizing diisopropylaminw-disilanes
JP3880025B2 (ja) 高純度トリメチルインジウムおよびその合成方法
JP5423039B2 (ja) 高純度トリアルキルガリウム及びその製造方法
JP5397641B2 (ja) 高純度トリアルキルインジウム及びその製法
JP2007254408A (ja) 高純度ビス(シクロペンタジエニル)マグネシウム及びその製法
JP5168919B2 (ja) 高純度トリアルキルインジウム及びその製法
JP2008050268A (ja) 高純度トリアルキルガリウム及びその製法
JP6086163B2 (ja) 2’−トリフルオロメチル基置換芳香族ケトンの製造方法
JP2009126835A (ja) 高純度トリアルキルガリウム及びその製法
JP5348186B2 (ja) 高純度トリアルキルガリウム及びその製法
US7030260B2 (en) Preparation of mixed-halogen halo-silanes
JP5348202B2 (ja) 高純度ビス(シクロペンタジエニル)マグネシウム及びその製法
JP3865577B2 (ja) 無水トリフルオロメタンスルホン酸の製造方法
JPH01100178A (ja) トリアルキルインジウムの精製方法
JP2005263771A (ja) 高純度テトラキス(ジアルキルアミノ)ハフニウムの製造法
JP2014037424A (ja) 高純度トリアルキルガリウム及びその製造方法
JPS6232188B2 (ja)
JP5761401B2 (ja) 高純度トリアルキルガリウム及びその製法
JP2864985B2 (ja) トリ(第2級アルキル)シラン化合物の製造方法
JP2019104702A (ja) 3’−トリフルオロメチル基置換芳香族ケトンの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20090529

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100510

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20110412

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110419

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110620

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20111108

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120203

A911 Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20120322

A912 Removal of reconsideration by examiner before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912

Effective date: 20120427