CN1763049B - 三甲基镓的制造方法以及氮化镓薄膜的制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种三甲基镓以及一种制造该三甲基镓的方法。该三甲基镓具有小于0.1ppm的总有机硅化合物含量；且该方法包括：水解作为原材料的三甲基铝；以一溶剂萃取所含有的有机硅化合物；藉由气相色谱-质谱法对甲基三乙基硅烷进行定量；选择具有小于0.5ppm甲基三乙基硅烷含量的三甲基铝作为原材料；藉由蒸馏进行提纯；接着与氯化镓反应；并且随后蒸馏反应物溶液以获得三甲基镓。

Description

三甲基镓的制造方法以及氮化镓薄膜的制造方法

技术领域

本发明涉及一种三甲基镓、一种制造该三甲基镓的方法以及一种从该三甲基镓形成的氮化镓薄膜。 

背景技术

已知具有氮化镓化合物半导体层的氮化物半导体为，例如，具有n-型和/或p-型层的半导体，举例而言，其可藉由式In_xGa_yAl_zN(x、y和z各自为从0到1，其中x+y+z＝1)来表示，作为在蓝宝石基板上生长的氮化镓化合物层。将具有n-型和p-型层两者的半导体用作用于发光设备(诸如发射蓝色或绿色紫外光的发光二极管，或发射蓝色或绿色紫外光的激光二极管)的材料。 

藉由例如分子束磊晶法(下文缩写成MBE)、有机金属汽相磊晶(下文缩写成MOVPE)、氢化物汽相磊晶法(下文缩写成HVPE)等方法，以包括氮化镓薄层的多层结构制造这种氮化物半导体。 

在制造具有高亮度的发光二极管或激光二极管时，必须将n-型和p-型层中的载体浓度调整为高浓度，且在这些层中浓度必须是均匀的。尽管掺杂入杂质可以调整载体浓度，但是层中载体浓度不必均匀地分散。 

众所周知，用作原材料的有机金属化合物中所含有的杂质(例如，无机硅)可劣化薄膜半导体的品质。因此，要求具有较高纯度的有机金属化合物。 

用于提纯有机金属化合物的已知方法包括，例如，藉由在溶剂中与金属钠、金属钾等接触来提纯有机金属化合物的方法。在此方法中，藉由原子吸收分光光度计(atomic absorption spectrophotometer)分析来测定经提纯后的有机金属化合物中的硅含量，其中使提纯后的有机金属化合物经历水解，接着溶解于稀盐酸中。因而，获得含有0.1ppm无机硅的三甲基镓(参考USP4797500的实例)。 

另一种已知方法包括藉由冷却到凝结并且随后沉淀来提纯液态有机金属化合物的方法。在此方法中，藉由以烃稀释经提纯后的有机金属化合物、接着水解、随后以感耦等离子体-原子发射频谱法分析(Inductively CoupledPlasma-Atomic Emission Spectrometry)在烃溶剂中萃取的有机硅化合物，从而测定经提纯后的有机金属化合物中的硅含量。因而获得含有0.8ppm有机硅化合物(就硅原子而言)的三甲基铝(参考JP08-012678A的实例)。 

半导体性能的增强要求这些有机镓化合物，其具有高于常规的纯度并 

且当从这些有机镓化合物制造氮化镓薄膜时在薄膜中提供经调整且稳定的载体浓度。 

发明内容

本发明的目的之一是提供一种纯度远高于常规的三甲基镓，尤其是提供一种三甲基镓，其几乎不含有机硅化合物且在形成氮化镓薄膜(下文称为″GaN″)时，三甲基镓为稳定地可调整的载体浓度。 

本发明的另一目的是提供一种制造该三甲基镓的方法以及一种从该三甲基镓形成的氮化镓薄膜。 

本发明的发明人已对如何稳定载体浓度进行了坚持不懈的研究，发现杂质中的有机硅化合物可影响载体浓度稳定性这一事实，对具有总含量小于0.1ppm硅化合物的三甲基镓的应用可使未掺杂GaN的载体浓度被稳定地控制在等于或小于1×10¹⁶cm^-3(原子/cm^-3)，因此，藉由以杂质掺杂而获得的n-型和p-型层的载体浓度均可稳定调整在高水平；并且藉由以气相色谱-质谱法对作为原材料的三甲基铝中的甲基三乙基硅烷进行定量、选择具有小于0.5ppm甲基三乙基硅烷含量的三甲基铝作为原材料、以蒸馏提纯所选的三甲基铝、接着与氯化镓反应以获得反应物并且随后蒸馏反应物溶液以获得三甲基镓，并且实现本发明。 

在本发明中，以总有机硅化合物的硅原子与待测量的有机金属化合物的金属原子的重量比来表示总有机硅化合物含量。在本发明中，三甲基镓中的总有机硅化合物含量小于0.1ppm意味着总有机硅化合物的硅原子与三甲基镓的镓原子的重量比小于0.1ppm。通常以ICP-AES(即，感耦等离子体-原子发射频谱法)来测量此含量。 

以个别有机硅化合物的硅原子与待测量的有机金属化合物的重量比来表示个别有机硅化合物的含量，例如甲基三乙基硅烷等。在本发明中，三甲基铝中的甲基三乙基硅烷的含量小于0.5ppm意味着甲基三乙基硅烷的硅原子与三甲基铝的重量比小于0.5ppm。通常以GC-MS(即，气相色谱-质谱法，Gas Chromatography-Mass Spectrometry)来测量此含量。 

在本发明中，三甲基镓具有小于0.1ppm的总有机硅化合物含量。 

使三甲基镓中的总有机硅化合物含量小于0.1ppm可实现将未掺杂GaN的载体浓度稳定控制在等于或小于小于1×10¹⁶cm^-3；因此，可将藉由杂质掺杂而获得的n-型和p-型层两者中的载体浓度稳定地调整在高水平。 

一种制造具有小于0.1ppm总有机硅化合物含量的三甲基镓的方法包括：水解作为原材料的三甲基铝；以一溶剂萃取水解产物中所含有的有机硅化合物；以气相色谱-质谱法对甲基三乙基硅烷进行定量；选择具有小于0.5ppm甲基三乙基硅烷含量的三甲基铝作为原材料；藉由蒸馏提纯所选的 三甲基铝；接着与氯化镓反应以获得反应物；并且随后蒸馏反应物溶液以获得三甲基镓。 

即使除甲基三乙基硅烷之外的有机硅化合物以等于或大于1ppm的含量存在，也有可能获得具有小于0.1ppm总有机硅化合物含量的三甲基镓；但是，如果未应用具有小于0.5ppm甲基三乙基硅烷含量的三甲基铝，则也许不能获得具有小于0.1ppm总有机硅化合物含量的三甲基镓。 

另一种方法包括：在对原材料三甲基铝中所含有的甲基三乙基硅烷进行定量之前，藉由蒸馏提纯作为原材料的三甲基铝。 

藉由前述方法，可获得具有小于0.1ppm总有机硅化合物含量的三甲基镓。 

从前述三甲基镓或从藉由前述制造方法获得的三甲基镓形成氮化镓薄膜。 

此氮化镓薄膜的载体浓度是稳定的。 

附图说明

图1说明载体浓度与基于有机金属容器填充量的消耗率之间的相关性。 

具体实施方式

本发明的三甲基镓(下文缩写成″TMG″)的特征在于：总有机硅化合物含量小于0.1ppm；当总有机硅化合物含量等于或大于0.1ppm时，也许不能将未掺杂GaN的载体浓度稳定控制在等于或小于1×10¹⁶cm^-3；因此，难以将藉由杂质掺杂而获得的n-型和p-型层两者的载体浓度稳定地调整在高水平。总有机硅化合物含量较佳为零。 

下文将解释制造本发明的TMG的方法。 

通常藉由下列步骤来制造TMG：通过蒸馏提纯三甲基铝(下文缩写成″TMA″)；接着与氯化镓反应以获得反应物；并且随后蒸馏反应物。 

由于制造方法或应用于其的源物质，在作为原材料的TMA中含有各种杂质。在作为原材料的TMA中的杂质中，通常含有从几ppm到几十ppm的有机硅化合物。有机硅化合物包括四甲基硅烷(下文缩写成″TMS″)、乙基三甲基硅烷(下文缩写成″ETMS″)、甲基三乙基硅烷(下文缩写成″MTES″)、四乙基硅烷(下文缩写成″TES″)等等，其含量依据TMA等的制造方法而变化。 

即使除MTES之外的有机硅化合物在粗TMA(raw TMA)中是以从几ppm到几十ppm的含量存在，也可以由前述方法获得具有小于0.1ppm总有机硅化合物含量的三甲基镓；但是，如果原材料中所含有的MTEs的含量不是小于0.5ppm，则不可能获得具有小于0.1ppm总有机硅化合物含量的三甲基镓。 

原因是除MTES之外还包含ETMS的有机硅化合物可藉由蒸馏原材料TMA来消除；但是，MTES不能藉由蒸馏来消除，因为MTES的沸点几乎与TMA的 沸点相同(127℃)；且染污被提纯的TMA的MTES在TMG生成反应中转化成ETMS；因为ETMS(沸点：62℃)的沸点接近TMG(沸点：56℃)的沸点，因此，在藉由蒸馏提纯TMG时，此转化成的ETMS几乎不能被消除。 

在本发明中，根据藉由分析测定的粗TMA的MTES含量，选择应用具有小于0.5ppm MTES含量、较佳小于0.3ppm或更佳为0.1ppm MTES含量的TMA。对低含量的选择限制了粗TMA的可能来源，但是，此使得在反应之前和之后易于进行蒸馏。 

如前述，通常在经历预处理之后，藉由感耦等离子体-原子发射频谱法(下文有时称为″ICP-AES″)分析TMA中的总有机硅化合物含量，此分析方法可测定总有机硅化合物中的总硅原子含量，但是，不能测定例如MTES等个别有机硅化合物的含量。 

在本发明中，在经历预处理之后，藉由气相色谱-质谱法(下文有时称为″GC-MS″)进行对例如MTES等个别有机硅化合物含量的测定。 

藉由以酸水解TMA、接着以一溶剂萃取有机硅化合物，进行预处理。所应用的酸包括诸如盐酸、硫酸等无机酸(mineral acid)，其通常作为约5到50重量％的溶液而被应用。所应用的溶剂包括诸如甲苯、二甲苯、己烷、庚烷等的芳族和脂族烃(aromatic and aliphatic hydrocarbons)。通常对以一溶剂稀释的TMA进行水解，并且随后将所含有的有机硅化合物萃取入该溶剂。使萃取入该溶剂的有机硅化合物经历ICP-AES和GC-MS分析。 

预处理具体进行如下：准备一个装载粗TMA的容器、一个稀释TMA的容器、一个计量溶剂的容器以及一个用于搅拌的装置；将一个用于水解的充满酸溶液的容器连接到一个用于吸收生成气体的充满溶剂的容器；以例如氩等惰性气体置换该系统；将水解容器和生成气体吸收容器冷却到-20℃；并且随后将预定量的TMA从粗TMA装载容器压入TMA稀释容器。从溶剂计量容器中将预定量的溶剂倾入填充TMA的稀释容器，接着充分混合。此后，将经溶剂稀释的TMA从稀释容器滴入填充酸溶液的水解容器以使TMA水解。在此过程中，藉由冷却连同调整TMA的滴入量将水解溶液的温度保持在约-5到-20℃。将水解生成的气体吸收在填充与稀释溶剂相同的溶剂的吸收容器中。在结束TMA滴入之后，将溶液搅拌一段时间(约10分钟)以使水解结束。 

在水解完成后，将水解溶液与吸收溶液混合，并且随后藉由分液漏斗分离其有机相，以便对分离出的有机相进行分析。 

根据此领域普通技术人员所知的方法，以GC-MS分析有机相，从而对每种有机硅化合物进行量化。 

为了增强分析灵敏度，最好浓缩有机相。当分析有机硅化合物中所含有的诸如MTES、TES等高沸点组分时，应用己烷作为溶剂并且蒸馏出有机 相中约10到90％的己烷以便分析残留有机相。因为，如果残留物高度浓缩或过度被蒸馏出，则有机硅化合物伴随蒸馏出的部分，因此还对馏出部分进行分析。 

当分析诸如TMS、ETMS等低沸点组分时，应用二甲苯作为溶剂并且蒸馏出有机相中约10到90％的二甲苯以便分析馏出部分。因为，如果蒸馏不充分，则有机硅化合物留在蒸馏釜(distilllation still)中残留部分中，因此对蒸馏釜中的残留部分进行分析。当分析诸如TMS、ETMS等低沸点组分时，可以藉由应用所谓的顶部空间(headspace)GC-MS来增强分析灵敏度，其即为一种将溶剂净化成气相、接着对该气相进行GC-MS分析的方法。 

在确认有机硅化合物的总含量小于0.5ppm或较佳小于0.1ppm之后，可将该TMA用作粗TMA，其中有机硅化合物的总含量是藉由ICP-AES对预处理操作萃取入溶剂的有机硅化合物进行测定的。即，在此TMA中，除了MTES之外的有机硅化合物的含量也小于0.5ppm、或较佳小于0.1ppm。 

根据藉由前述过程所分析的粗TMA中MTES含量的结果，选择具有小于0.5ppm MTES含量的TMA。 

此后，藉由蒸馏提纯具有小于0.5ppm MTES含量的TMA，以便消除低沸点组分和高沸点组分。没有对蒸馏方法进行特殊限制，在经历惰性气体置换之后，应用常规减压蒸馏法(conventional reduced pressuredistillation)或环境压力蒸馏法(ambient prssure distillation)。取决于诸如压力等操作条件，基于所提供的TMA，分别以约10到15重量％和约15到20重量％来消除每种低沸点组分和高沸点组分。如果有必要，则藉由另一种提纯方法来提纯这些低沸点组分和高沸点组分以便重新使用。 

当希望MTES含量小于0.5ppm或其它杂质含量较高时，可在对MTES进行定量之前进行此蒸馏。但是，在早于定量而进行的此蒸馏中，如果发现所得MTES含量根据后量化(post-quantification)等于或大于0.5ppm，则此提前蒸馏可能是浪费的；因此，通常较佳的步骤是定量、选择具有小于0.5ppm MTES含量的TMA并且随后藉由蒸馏来提纯。 

此后，使藉由蒸馏而提纯到MTES含量小于0.5ppm的TMA经历与氯化镓反应。通常将氯化镓放入反应器并且以惰性气体置换该反应系统，接着将氯化镓(熔点：78℃)加热到熔化，并且随后滴入TMA以与熔化的氯化镓在搅拌下反应。待添加的TMA的量通常总是达到氯化镓的量。调整TMA的滴入速率以使其不会过度增加反应温度，从而使反应温度保持在约80到110℃。 

在添加结束之后，将温度保持在约80至90℃并经历约4到8小时以完成反应。 

此后，蒸馏反应物溶液以获得TMG。未对蒸馏方法进行特殊限制，采用 与应用于TMA蒸馏的方法类似的方法。基于TMG的理论制造量，分别以约2到5重量％与约15到30重量％的量消除低沸点组分与高沸点组分，从而获得约65到80重量％的TMG产物。 

如此获得的TMG中所含有的有机硅化合物的总含量小于0.1ppm。 

藉由类似于用于分析TMA中所含有的总有机硅化合物的方法来进行对TMG中所含有的总有机硅化合物的分析。其通常藉由ICP-AES来进行。 

根据此领域中普通技术人员所知的方法来进行GaN薄膜的制造；举例而言，包括有机金属汽相磊晶(epitaxy)(下文缩写成″MOVPE″)、分子束磊晶法(下文缩写成″MBE″)、氢化物汽相磊晶法(下文缩写成″HVPE″)等等。作为MOVPE法的特定实例，用作生长期间环境气体(atmosphere gas)以及TMG载运气体的气体可为氮气、氢气、氩气、氦气等单独气体或其混合物。氢气或氦气更佳，因为在其环境下可抑制原材料的预分解。晶体生长温度等于或大于700℃且等于或小于1100℃，从而获得具有高结晶度的GaN薄膜，其较佳等于或大于800℃、更佳等于或大于900℃、或更佳等于或大于1000℃。 

作为MBE法的特定实例，包括气体源分子束磊晶(下文有时缩写成″GSMBE″)，其供应诸如氮气、氨以及其它气态氮化合物的氮源。在此方法中，氮原子通常难以进入晶体，因为氮源在化学上无活性。在这种情况下，藉由供应以微波等激发的活化态氮源，可改善氮吸入效率。 

当藉由采用MOVPE法生长GaN薄膜晶体时，以单独的氨、肼(hydrazine)、甲基肼、1，1-二甲基肼、1，2-二甲基肼、叔丁基胺(t-butylamine)、乙二胺或其混合物来应用TMG。在这些物质中，由于氨和肼在其分子中不含碳原子，因此其适用于薄膜以避免碳玷污。 

作为生长薄膜的基板，适合应用蓝宝石、SiC、Si、ZrB₂、CrB₂等。 

藉由前述方法生长的GaN薄膜，如果无杂质掺杂生长，则表示n-型且载体浓度等于或小于1×10¹⁶cm^-3。如果被掺杂，为了控制传导型且载体浓度等于或大于5×10¹⁷cm^-3、较佳等于或大于1×10¹⁸cm^-3或更佳等于或大于2×10¹⁸cm^-3。本发明的方法可使未以杂质掺杂(下文称为″未掺杂″)的GaN薄膜的载体浓度为n-型且等于或小于1×10¹⁶cm^-3；若以n-型或p-型杂质掺杂，此允许任何气体控制传导型和具有理想再现性的载体浓度。 

实例 

藉由参照下列实例和比较性实例来解释本发明，但是本发明不应局限于这些实例和比较性实例。 

(对粗TMA的分析) 

关于有机硅化合物，分析不同供货商和等级的粗TMA(1)、TMA(2)和TMA(3)。 

以143.6g二甲苯稀释11.3g TMA(1)，并混合入装满80ml酸溶液的水解容器中，该酸溶液为稀释成一半的36重量％的盐酸，滴入该经二甲苯稀释的TMA溶液以使TMA水解，其中藉由冷却和调整TMA的滴入量将水解溶液的温度保持在约-5到-20℃。以充满30ml二甲苯的吸收容器吸收水解生成的气体。在TMA滴入完成之后，搅拌溶液约10分钟以完成水解。 

在完成水解之后，将水解溶液与吸收溶液混合，接着以分液漏斗分离二甲苯溶液，且随后蒸馏二甲苯溶液以获得19.6g二甲苯溶液。 

以顶部空间GC-MS(装置商品名：HP7694，MS5973，AgilentTechnologies制造)分析此溶液以对TMS和ETMS进行定量。结果展示于表1中。 

以类似方式进行水解，不同之处在于：应用己烷来替代二甲苯，接着分离己烷溶液；蒸馏己烷溶液以消除34.9g己烷从而获得109.5g浓缩溶液。 

以GC-MS(装置商品名：MS Station JMS-700，JEOL有限公司制造)分析此浓缩溶液以便对MTES和TES进行定量。结果展示于表1中。 

关于有机硅化合物，根据应用于TMA(1)的类似方法对TMA(2)和TMA(3)进行分析。结果展示于表1中。 

表1 

	TMA(1)	TMA(2)	TMA(3)
				有机硅化合物	含量(ppm)	含量(ppm)	含量(ppm)
TMS	5	1.5	-
				ETMS	1	0.1	-
MTES	16	＜0.1	0.3
				TES	1	＜0.1	＜0.1
合计	23	2	-

(TMG的制造) 

在以氮气置换108mmf(内部直径)×2150mm(高度)蒸馏塔的大气之后，放入73kg TMA(1)以便藉由环境压力和130℃的釜温度(stilltemperature)下的分批蒸馏法(batch distillation method)来提纯TMA；所得馏分为14重量％的初滴、68重量％的主滴以及18重量％的釜内残渣。 

此后，向配备有搅拌器的29L反应器中放入10kg氯化镓；在以氮气置换反应器大气之后，将氯化镓加热到熔化，并且随后滴入以上获得的12.6kg TMA主滴以与熔化的氯化镓在搅拌下反应。调整滴入速率以保持反应温 度为约90到105℃。 

在添加TMA完成后，将反应物保持在约80℃下约6小时以使反应结束。此后，对22.6kg反应物进行简单蒸馏以获得62重量％的馏分和38重量％的釜内残留物。 

向大气经氮气置换的70mmf(内部直径)×1985mm(高度)的蒸馏塔中加入14kg藉由此简单蒸馏获得的馏分，接着在56℃的塔顶温度下在环境压力下分批蒸馏以获得TMG(1)。在此蒸馏中，所得部分为8重量％的初馏分、64重量％的主馏分以及28重量％的釜内残渣。 

根据类似于应用于TMA(1)的方法，使TMA(2)和TMA(3)也经历TMG(2)和TMG(3)的制造过程。 

根据应用于TMA(1)的类似方式，对TMG(1)、TMG(2)和TMG(3)的有机硅化合物进行分析。结果展示于表2中。 

ICP-AES的分析结果也展示于表2。如同对GC-MS的预处理，以二甲苯稀释TMG；接着水解；随后藉由ICP-AES设备SPS5000(Seiko Instruments公司制造)对二甲苯溶液的有机硅化合物进行分析。 

表2 

	TMG(1)	TMG(2)	TMG(3)
				有机硅化合物	含量(ppm)	含量(ppm)	含量(ppm)
TMS	0.05	＜0.01	＜0.01
				ETMS	0.10	＜0.01	＜0.01
MTES	＜0.1	＜0.1	＜0.1
				TES	0.2	＜0.1	＜0.1
GC-MS合计	0.3	＜0.1	＜0.1
				ICP-AES合计	0.3	＜0.1	＜0.1

(氮化镓薄膜的制造) 

应用总有机硅化合物含量小于0.1ppm的TMG(2)，藉由MOVPE法在蓝宝石基板上生长一个GaN层，如下： 

以有机溶剂冲洗将用作基板的具有镜面抛光c-面(C-face)的蓝宝石。为了晶体生长，采用在低温下生长的两步骤生长过程，其将GaN用作缓冲层。在1个大气压下在485℃的基座温度(susceptor temprature)将氢气用作载运气体，供应载运气体、TMG和铵以便生长厚度约 

的GaN缓冲层。此 后，将基座温度升高到1040℃，接着供应载运气体、TMG和铵以便生长厚度约3μm的未掺杂GaN层。 

这些未掺杂GaN层的载体浓度为可测量的下限(1.0×10¹⁶cm^-3)，是从其耗尽层的电容-电压特性(下文有时缩写成“C-V测量”)测定的。藉由应用TMG而不依赖于基于有机金属容器填充量的消耗率所生长的GaN层的载体浓度能够稳定地保持在低于可测量下限(1.0×10¹⁶cm^-3)的较低值。 

应用总有机硅化合物含量为0.3ppm、而TMG含量为0.4ppm和0.5ppm的TMG(1)，根据类似于应用于TMG(2)的过程生长未掺杂GaN层。藉由应用其中存在MTES的TMA(1)来重复TMG的制造，获得总有机硅化合物含量分别为0.4ppm和0.5ppm的TMG；且藉由ICP-AES分析总有机硅化合物含量。 

对于这些未掺杂GaN层，从C-V测量测定的载体浓度与基于有机金属容器填充量的消耗之间的相关性展示于图1中。 

根据前述C-V测量的结果，当藉由应用具有等于或大于0.1ppm总有机硅化合物含量的TMG来生长未掺杂GaN层时，基于有机金属容器填充量的低消耗率的范围展示载体浓度等于或大于1.0×10¹⁷cm^-3。随着TMG消耗率(伴随有机金属容器中剩余量的减少)的增加，载体浓度降低。 

氮化镓薄膜的厚度较佳是在1μm到30μm之间，更佳是在2μm到10μm之间。 

当氮化镓薄膜的厚度小于1μm，结晶度(crystallinity)可能会不充分，而当氮化镓薄膜的厚度大于30μm，有可能因为氮化镓薄膜和基板之间的热膨胀系数(thermal expansion coefficient)发生翘曲(warp)。这种翘曲可能会导致基板的破裂或是在光刻(photolithography)的后续步骤有聚焦的分割(division of focus)。 

根据本发明，提供：一种纯度远高于常规的三甲基镓，尤其是几乎不含有机硅化合物且在形成GaN薄膜时稳定地可调整载体浓度的三甲基镓；一种制造该三甲基镓的方法；以及从该三甲基镓形成的氮化镓薄膜。 

以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内，当可利用上述揭示的结构及技术内容作出些许的更动或修饰为等同变化的等效实施例，但是凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。 

Claims (4)

1.一种三甲基镓的制造方法，其特征在于其包括以下步骤：

水解作为原材料的三甲基铝；

以一溶剂萃取水解产物中所含有的有机硅化合物；

藉由气相色谱-质谱法对甲基三乙基硅烷进行定量；

选择具有小于0.5ppm甲基三乙基硅烷含量的三甲基铝作为原材料；

藉由蒸馏提纯所选的三甲基铝；

将所提纯的三甲基铝与氯化镓反应以获得反应物；以及

蒸馏所述反应物溶液以获得三甲基镓。

2.根据权利要求1所述的三甲基镓的制造方法，其特征在于其中所述的方法包括：选择具有小于0.1ppm甲基三乙基硅烷含量的三甲基铝作为原材料。

3.根据权利要求1或2所述的三甲基镓的制造方法，其特征在于其中所述的方法包括：在对原材料三甲基铝中所含有的甲基三乙基硅烷进行定量之前，藉由蒸馏提纯作为原材料的三甲基铝。

4.一种氮化镓薄膜的制造方法，其特征在于包括：

藉由根据权利要求1至4中任一项权利要求所述的制造方法制备三甲基镓的步骤；以及

从获得的三甲基镓成长氮化镓薄膜的步骤。