DE10100321B4 - Kapazitive Druckmessung mit beweglichem Dielektrikum - Google Patents
Kapazitive Druckmessung mit beweglichem Dielektrikum Download PDFInfo
- Publication number
- DE10100321B4 DE10100321B4 DE10100321.8A DE10100321A DE10100321B4 DE 10100321 B4 DE10100321 B4 DE 10100321B4 DE 10100321 A DE10100321 A DE 10100321A DE 10100321 B4 DE10100321 B4 DE 10100321B4
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- pressure sensor
- capacitor plates
- sensor according
- membrane
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
- G01L19/0092—Pressure sensor associated with other sensors, e.g. for measuring acceleration or temperature
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
- G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
- G01L9/0072—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in capacitance
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
Drucksensor, der aufweist: eine erste Schicht (102) mit einer Auflagefläche (140); eine zweite Schicht (104) mit einer Membran (114) mit einer druckaufnehmenden Außenfläche (116) und einer Innenfläche (118); einen Rahmen (106), der mit der ersten Schicht (102) und der zweiten Schicht (104) verbunden ist und innerhalb dessen ein Hohlraum (108) definiert ist; einen dielektrischen Abschnitt (120, 252, 258, 290, 300), der an der Membran (114) angeordnet ist; Kondensatorplatten (122, 124; 254, 256; 262, 264; 266, 268; 284, 286; 292, 294; 302, 304), die an der ersten Schicht (102) angeordnet sind, wobei die Kondensatorplatten eine Kapazität aufweisen, die sich mit der relativen Bewegung zwischen dem dielektrischen Abschnitt (120, 252, 258, 290, 300) und den Kondensatorplatten ändert; und eine Mesainsel (136), die zwischen der Innenfläche (118) und der Auflagefläche (140) angeordnet ist.
Description
- Kapazitive Drucksensoren werden bei anspruchsvollen Anwendungen eingesetzt, wie z. B. industriellen Meßwandlern bzw. Transmittern und Raumsonden. Sensorkörper werden aus gestapelten Schichten aus dielektrischem Material mit geringer Hysterese geformt, wie z. B. Saphir, Silizium oder Keramik. Mindestens eine Schicht in dem Stapel weist einen dunner ausgeführten Membranbereich auf, der durch den Druck durchgebogen wird. Auf den Membranbereich werden eine Metallkondensatorplatte und eine gegenüberliegende Trägerplatte aufgebracht, um einen Kondensator zu bilden. Die Metallkondensatorplatte auf der Membran kann Probleme verursachen, da das Metall bei der Durchbiegung der Membran kriecht, was zu Hysteresefehlern beim gemessenen Druck fuhrt. Das Aufbringen der Kondensatorplatte auf die Membran und das Anbringen einer Zuleitung an der Kondensatorplatte sind Fertigungsverfahren, deren Ausfuhrung und Steuerung in der Massenproduktion kostenaufwendig sein kann.
- Das Problem mit Hysteresefehlern wegen der Gegenwart von Metall auf dem sich durchbiegenden, hysteresearmen Membranmaterial erlangt eine zunehmende Bedeutung, wenn andere Fehlerquellen von Drucksensoren durch Verwendung von verbesserten Membranmaterialien, verbessertes Bonden, wie z. B. Direktbonden, und verbesserte Spannungsisolierung bei der Montage von Sensoren und elektrischen Zuleitungen korrigiert werden. Es wird eine Technologie benotigt, welche die Probleme beim Aufbringen von Metall auf Membranen und das Kriechen oder die Hysterese in Metallen auf sich durchbiegenden Membranen in Drucksensoren bei anspruchsvollen Anwendungen vermeidet.
- Diese Aufgabe soll mit der Erfindung gelöst werden und wird mit den Merkmalen der Ansprüche gelöst. Die vorliegende Erfindung ist durch die Merkmale des Anspruchs 1 definiert, die abhängigen Ansprüche definieren Ausführungsformen der Erfindung.
- Ein Drucksensor weist eine Membran bzw. ein Diaphragma mit einem dielektrischen Abschnitt auf, der sich in einem Hohlraum in der Nähe von Kondensatorplatten bewegt, die in Bezug auf einen Montagerahmen fixiert werden können.
- Die Membran liegt auf dem Rahmen auf, und der Rahmen umgibt den Hohlraum. Die Membran weist eine Außenfläche, die Druck aufnimmt, und eine dem Hohlraum zugewandte Innenflache auf. Die Innenflache trägt einen dielektrischen Abschnitt, der durch den Druck gegenuber dem Rahmen beweglich ist.
- Die Kondensatorplatten befinden sich nicht auf der sich durchbiegenden Membran, sondern sind beide fixiert. Die Kondensatorplatten erfassen eine Bewegung des nahegelegenen dielektrischen Abschnitts der sich durchbiegenden Membran und erzeugen ein elektrisches Ausgangssignal, das den Druck darstellt.
- Die Erfindung wird nachstehend anhand der Zeichnung näher erläutert. Es zeigen:
-
1 eine Umgebung für einen Druckmeßwandler bzw. - Transmitter;
-
2 eine Ausfuhrungsform eines Druckmeßwandlers bzw. - Transmitters;
-
3 –7 verschiedene Ansichten einer Ausfuhrungsform eines kapazitiven Drucksensors mit beweglichem Dielektrikum; -
8 ein Verfahren zur Herstellung eines kapazitiven Drucksensors mit beweglichem Dielektrikum; -
9 einen Teilschnitt eines Druckmeßwandlers mit kapazitiven Sensoren mit beweglichem Dielektrikum; -
10 einen kapazitiven Drucksensor mit beweglichem Dielektrikum, der in einer Isolatoreinheit angeordnet ist; -
11 –13 Anordnungen von Kondensatorplatten und beweglichen Dielektrika in einem kapazitiven Drucksensor; -
14 einen kapazitiven Drucksensor mit beweglichem Dielektrikum und einer Abschirmungsanordnung; -
15 –16 eine ineinandergreifende Elektrodenanordnung bzw. Fingerelektrodenanordnung fur einen kapazitiven Drucksensor mit beweglichem Dielektrikum; -
17 –18 eine Abschirmungsanordnung für ineinandergreifende Elektroden; und -
20 eine Umgebung fur eine Raumsonde. - In
1 ist eine typische Umgebung20 für einen industriellen Drucksensor dargestellt. Prozeßgroßenmeßwandler, wie z. B. ein Stromungsmesser22 in einer Prozeßfluidleitung23 , Druckgeber24 ,26 ,36 in der Nahe des Behalters28 und ein integrierter Blendenströmungsmesser30 in der Prozeßleitung31 sind in elektrischer Verbindung mit einem Steuerungssystem32 dargestellt. Das Steuerungssystem32 steuert den Strom zum Druckmeßwandler38 , der das Steuerventil40 steuert. - Prozeßgroßenmeßwandler bzw. Transmitter können so konfiguriert werden, daß sie eine oder mehrere Prozeßgroßen uberwachen, die mit Prozeßanlagenfluiden verbunden sind, wie z. B. Aufschlammungen, Flussigkeiten, Dampfen und Gasen in Verarbeitungsanlagen für Chemikalien, Zellstoff, Erdöl, Gas, Pharmazeutika, Nahrungsmittel und andere Fluide. Die überwachten Prozeßgrößen können Druck, Temperatur, Durchflußmenge, Füllstand, pH-Wert, Leitfahigkeit, Trübung, Dichte, Konzentration, chemische Zusammensetzung oder andere Eigenschaften von Fluiden sein. Ein Prozeßgrößenmeßwandler weist einen oder mehrere Sensoren auf, die entweder innerhalb oder außerhalb des Meßwandlers angeordnet sein können, in Abhangigkeit von Installationserfordernissen der Verarbeitungsanlage.
- Prozeßgrößenmeßwandler erzeugen ein oder mehrere Meßwandlerausgangssignale, welche die gemessene Prozeßgroße darstellen. Meßwandlerausgangssignale sind fur eine Ubertragung uber weite Entfernungen uber Kommunikationsbusse
34 zu einer Steuereinrichtung32 oder einer Anzeige konfiguriert. In typischen Fluidverarbeitungsanlagen kann ein Kommunikationsbus34 eine auf 4–20 mA ausgelegte Stromschleife, die den Meßwandler speist, oder eine Feldbusverbindung, eine HART-Protokoll-Verbindung oder eine Lichtwellenleiterverbindung zu einer Steuereinrichtung, einem Steuerungssystem oder einer Sichtanzeige sein. Bei Meßwandlern, die durch eine Zweidrahtschleife gespeist werden, wird die Leistung niedrig gehalten, um für Eigensicherheit in explosiven Atmospharen zu sorgen. -
2 zeigt eine auseinandergezogene Darstellung eines Beispiels eines Druckmeßwandlers50 . Der Meßwandler50 weist eine Flansch52 zur Aufnahme eines Differenzdrucks sowie einen Sensormodul54 mit zwei Absolutdrucksensoren (nicht dargestellt) auf. Der Sensormodul54 ist mit einem Gehause55 gekoppelt, das elektronische Meßwandlerschaltungen56 aufweist. Der Meßwandler50 ist an einen Flanschadapter58 angeschraubt. Der Flanschadapter58 ist mit Impulsleitungen verbunden, die mit Flanschadapterstutzen60 oder anderen Verbindungsstücken verbunden sind. Jeder Absolutdrucksensor in dem Sensormodul54 kann einen beweglichen dielektrischen Abschnitt aufweisen, wie weiter unten erläutert. - In den
3 ,4 und5 sind eine perspektivische Ansicht und eine Schnittansicht eines Drucksensors100 dargestellt. Der Drucksensor100 weist einen Körper auf, der aus zwei Schichten102 ,104 aus Material mit geringer mechanischer Hysterese besteht. Die Schichten102 ,104 bestehen vorzugsweise aus Saphir, aber für weniger anspruchsvolle Anwendungen können auch Silizium, Keramik oder Glas verwendet werden. Die Schicht102 ist an einem äußeren Rand oder Rahmen106 , der einen Hohlraum108 umgibt, mit der Schicht104 verbunden. Der Rahmen106 weist einen ersten Rahmenabschnitt110 auf der Schicht102 und einen zweiten Rahmenabschnitt112 auf der Schicht104 auf. Alternativ kann der Rahmen106 aus nur einer der Schichten geformt werden, oder der Sensor100 kann aus drei Schichten bestehen, wobei die mittlere Schicht den Rahmen bildet. - Die Schicht
104 weist einen verdünnten Bereich oder eine Membran114 auf, die an ihrer Umfangskante auf dem Rahmen106 aufliegt. Die Membran114 weist eine Außenfläche116 , die den Druck aufnimmt, und eine dem Hohlraum108 zugewandte Innenfläche118 auf. - Die Innenfläche
118 trägt einen dielektrischen Abschnitt120 . Der dielektrische Abschnitt120 bewegt sich zusammen mit der Membran114 gegenüber dem Rahmen106 , wenn der Druck die Membran114 auslenkt bzw. durchbiegt. - Die Kondensatorplatten
122 ,124 sind auf einer Oberfläche der Schicht102 im Hohlraum108 in der Nähe des beweglichen dielektrischen Abschnitts120 relativ zum Rahmen106 fixiert. Die Kondensatorplatten122 ,124 erfassen die Bewegung des nahegelegenen dielektrischen Abschnitts120 und erzeugen ein elektrisches Ausgangssignal, das den Druck darstellt. Das elektrische Ausgangssignal ist eine Kapazität, die in Abhängigkeit vom Druck variiert. Die erste Kondensatorplatte122 ist durch einen Zwischenraum126 im Hohlraum108 von der zweiten Kondensatorplatte124 getrennt. Der bewegliche dielektrische Abschnitt120 bewegt sich durch den Zwischenraum126 und variiert das elektrische Ausgangssignal. - In der in den
3 –5 dargestellten Anordnung uberschneidet sich der Zwischenraum126 in dem Hohlraum108 nicht mit einer Geraden128 zwischen der ersten und der zweiten Kondensatorplatte122 ,124 . Es zeigt sich, daß ein ausreichendes elektrisches Feld vorhanden ist, das in Randnähe der Kondensatorplatten streut und die Bewegung von dielektrischem Material in der Nähe der Elektroden erfaßt, auch wenn das Dielektrikum nicht durch eine gerade Linie zwischen den Kondensatorplatten bewegt wird. Als Alternative kann sich der Zwischenraum im Hohlraum108 mit einer Geraden zwischen den ersten und zweiten Kondensatorplatten schneiden, wenn sich die Kondensatorplatten über die Montagefläche erheben und der dielektrische Abschnitt sich direkt zwischen den Platten bewegt, wie weiter unten in Verbindung mit12 erlautert wird. - In den
3 –5 sind der bewegliche dielektrische Abschnitt120 und die Membran114 frei von metallischen Leiterbelägen bzw. Metallisierungen. Es gibt daher kein Problem mit der Hysterese oder dem Kriechen von Metall, wenn die Membran unter veränderlichem Druck durchfedert oder sich durchbiegt. Vorzugsweise ist der bewegliche dielektrische Abschnitt120 ein integrierter Bestandteil der Membran114 , wodurch das Kriechen vermieden wird, das sonst auftreten könnte, wenn Bindemittel bzw. Bondingmaterial zwischen dem dielektrischen Abschnitt120 und der Membran114 vorhanden waren. Die Kondensatorplatten122 ,124 sind auf einer dickeren Trägerflache fixiert, die sich nicht wesentlich durchbiegt. - Der Drucksensor
100 wird vorzugsweise direkt gebondet, evakuiert und abgedichtet, so daß in dem Hohlraum108 ein Hochvakuum besteht. Über einem Durchfuhrungsschlitz128 für die Zuleitungen wird eine Dichtung127 angebracht, und die Dichtung127 halt das Hochvakuum. Die Dichtung127 besteht vorzugsweise aus einer Glasfritte, z. B. einem Gemisch aus feinverteiltem Glasstaub und Ethylcellulose. Nach dem Aufbringen der Glasfritte uber dem Durchfuhrungsschlitz wird die Glasfritte erhitzt, um die Ethylcellulose auszutreiben und den Glasstaub zur Ausbildung einer Glasdichtung zu schmelzen. Alternativ kann jede Zuleitung durch einen separaten Durchfuhrungsschlitz herausgefuhrt werden, und jeder Durchführungsschlitz kann mit einem elektrisch leitenden Lot oder einer hartgeloteten Dichtung abgedichtet werden. - Der Rahmen
106 ist langgestreckt und weist ein erstes Ende130 mit der druckbeaufschlagten Membran und ein zweites Ende132 auf, das dem ersten Ende gegenüberliegt und elektrische Anschlüsse134 für die Kondensatorplatten122 ,124 aufweist. - Eine Mesainsel
136 bietet eine vergrößerte Auflage in einem Montagebereich zwischen dem ersten und dem zweiten Ende130 ,132 . Der Montagebereich des Sensors100 bildet eine Stelle für eine abgedichtete Barriere zwischen dem Prozeßfluid und den elektrischen Anschlussen, wie in den9 –10 dargestellt. - Der in den
3 –5 dargestellte Drucksensor100 ist als Trager oder langgestreckter Rahmen erkennbar, der um den Mittelkanal oder Hohlraum108 herum ausgebildet ist. Der Drucksensor weist eine Auflageflache140 im Mittelkanal auf. Der Trager schließt eine Membran114 mit einer außeren Membranfläche116 und einer aus Dielektrikum bestehenden inneren Membranfläche118 ,120 ein. Die innere Membranflache120 ist von der Auflageflache140 im Mittelkanal beabstandet. Das Dielektrikum120 ist relativ zur Auflageflache140 durch Druck beweglich. Die Kondensatorplatten122 ,124 sind auf der Auflagefläche118 in der Nahe des beweglichen Dielektrikums120 fixiert und liefern an den Zuleitungen134 ein elektrisches Ausgangssignal, das den Druck darstellt. - Die
6 –7 zeigen vergroßerte Ansichten der Schichten102 ,104 , wobei die gleichen Bezugszeichen wie in den3 –5 verwendet werden. Wie in6 dargestellt, kann der Sensor100 auch ein Temperatursensorelement135 aufweisen, das mit einer Meßwandlerschaltung verbunden werden kann, um für einen besseren Temperaturausgleich zu sorgen. Das Temperaturmeßelement135 kann, wie dargestellt, ein Platin-Dunnschichtwiderstandsthermometer (PRT) sein, oder es kann ein anderer bekannter Temperatursensortyp verwendet werden. Wie in7 dargestellt, weist die Schicht104 eine Membran114 auf, die frei von Metallbelagen ist. Bei einer Durchbiegung der Membran114 tritt kein Fehler infolge des Kriechens von Metallbelagen bzw. Metallisierungen der Membran auf. - Der Sensor
100 wird nach einem bevorzugten Verfahren hergestellt, das in8 durch schematische Schnittansichten dargestellt ist. Zunächst werden die Schichten102 ,104 geformt, um die Komponenten eines Trägers auszubilden, wie bei150 dargestellt. Die Formgebung erfolgt typischerweise unter Anwendung des selektiven chemischen Ätzens von ebenen Schichten mit Hilfe von Maskierungsverfahren, die bei Fertigungsprozessen fur Mikrostrukturen gebräuchlich sind. Paßflachen152 ,154 werden so fertigbearbeitet, daß sie für das Direktbonden optisch eben sind. Als nachstes werden Meßschichten122 ,124 auf die Schicht102 aufgebracht, wie bei156 dargestellt. Dann werden die geformten Schichten in direktem Kontakt miteinander ubereinandergestapelt, um den Träger138 zu bilden, der die Kondensatorplatten122 ,124 auf einer Auflageflache140 mit einem Zwischenraum126 zwischen ihnen und einem dielektrischen Abschnitt120 aufweist, der sich in dem Zwischenraum126 in der Nahe der Kondensatorplatten durchbiegen kann, wie bei158 dargestellt. Der Trager138 wird dann erhitzt, wahrend die Schichten sich an den optisch ebenen, außerst sauberen Flachen in direktem Kontakt miteinander befinden. Beim Direktbonden werden keine Bindemittel verwendet, und in bestimmten Fällen ist die Verbindung ohne Erhitzen ausreichend. - Der Kanal wird durch Ausbildung einer Glasfrittendichtung
127 in dem Spalt um die Zuleitungen herum abgedichtet, wie bei160 dargestellt. Der Kanal wird vorzugsweise mit einem Vakuum darin abgedichtet, um den Sensor zu einem Absolutdrucksensor zu machen. - In
9 ist der Drucksensormodul180 dargestellt, der dem in2 dargestellten Modul54 entspricht. Die Einheit180 weist zwei Sensoren182 ,184 auf, wie in den3 –7 dargestellt. In9 weist ein Isolierbecher198 eine Offnung199 auf, die an einer Außenfläche des Tragers zwischen dem geschlossenen Ende und dem gegenuberliegenden, isolierten Ende abgedichtet ist. Die Sensoren182 ,184 sind mit einer Leiterplatte200 verdrahtet, die ihrerseits uber eine abgedichtete Durchfuhrung201 mit einer zweiten Leiterplatte202 verdrahtet ist. - In
10 ist ein Sensormodul210 dargestellt, der eine Isolier- bzw. Trennmembran212 aufweist, deren Rand214 an einem Isolierbecher216 abgedichtet ist. Die Trennmembran212 trennt ein Prozeßfluid218 von einem Isolier- bzw. Trennfluid220 , das in dem durch den Isolierbecher216 und die Trennmembran212 umschlossenen Raum eingeschlossen ist. Der Sensor222 ist so aufgebaut, wie in den3 –7 dargestellt, und wird an einer Öffnung224 in dem Isolierbecher216 abgedichtet. Die Trennmembran212 und das Trennfluid220 koppeln Druck an den Sensor222 an, wahrend sie den Sensor von dem Prozeßfluid218 trennen. Am Isolierbecher216 wird der Sensor222 durch die abgedichtete Offnung224 durchgefuhrt, und der Becher trennt die elektrischen Anschlüsse226 am Sensor222 sowohl von dem unter Druck stehenden Prozeßfluid218 als auch von dem unter Druck stehenden Trennfluid220 . Der Isolierbecher kann eine Rückwand228 mit einem Warmeausdehnungskoeffizienten aufweisen, der genau an den Warmeausdehnungskoeffizienten des Sensors222 angepaßt ist. Ein Materialblock230 kann in den Isolierbecher216 eingepreßt werden, wobei das Material230 einen Wärmeausdehnungskoeffizienten aufweist, der den Wärmeausdehnungskoeffizienten des Trennfluids220 teilweise kompensiert, um eine unerwünschte Bewegung der Trennmembran212 aufgrund von Temperaturänderungen zu begrenzen. Zwischen dem Block230 und dem Sensor222 ist ein kleiner, mit Trennfluid220 gefullter Spalt vorgesehen. - In den
11 –13 sind alternative Ausfuhrungsformen der fixierten Kondensatorplatten und des beweglichen Dielektrikums dargestellt. In11 bewegt sich ein flacher dielektrischer Abschnitt252 , der eine Membran ist, in einem Raum252 , der nicht direkt zwischen den Kondensatorplatten254 ,256 liegt, sondern etwas oberhalb der Kondensatorplatten in einem Bereich mit elektrischem Streufeld von den Kondensatorplatten. - In
12 bewegt sich ein dielektrischer Abschnitt258 in einem Raum260 , der auf einer direkten Linie zwischen den Kondensatorplatten262 ,264 liegt. - In
13 bewegt sich ein dielektrischer Abschnitt in einem Raum282 , der nicht auf einer direkten Linie zwischen den Kondensatorplatten284 ,286 liegt - In
14 sind die Kondensatorplatten266 ,268 gegen Streukopplung über eine Tragerplatte270 durch Abschirmungs- oder Schirmelektroden272 ,274 abgeschirmt. Die Schirmelektroden272 ,274 werden durch Puffer bzw. Trennstufen bei276 ,278 mit dem Verstärkungsfaktor 1 angesteuert. - In den
15 –16 ist eine Ausführungsform mit beweglichem Dielektrikum290 und ineinandergreifenden bzw. fingerförmigen oder „interdigitierten” Kondensatorplatten292 ,294 auf einer Auflageflache296 dargestellt. Die ineinandergreifende Anordnung fur die Kondensatorplatten ergibt eine höhere Kapazität in einem kompakteren Raum in der Nähe einer Membran. Der Begriff ”ineinandergreifend” bzw. „interdigitiert”, wie er in dieser Patentanmeldung gebraucht wird, bedeutet, daß die Kondensatorplatten nicht einfache rechteckige oder runde Platten sind, sondern eine komplexe Geometrie aufweisen, die bei einer kleinen wirksamen Oberflache einen sehr langen Spalt zwischen den Platten bildet. Ineinandergreifende oder interdigitierte Kondensatorplatten konnen Anordnungen wie die dargestellten aufweisen, wo abwechselnde Mehrfachfinger an jeder Platte vorhanden sind, und auch serpentinenformige bzw. sich schlangelnde Platten einschließen, die nebeneinander zickzackformig gestaltet sind, um für einen sehr langen Spalt in einem kleinen Raum zu sorgen. Kombinationen von Fingern und serpentinenformigen Wegen werden gleichfalls erwogen. - In den
17 –18 ist eine Ausfuhrungsform mit beweglichem Dielektrikum300 , ineinandergreifenden fixierten Kondensatorplatten302 ,304 auf einer Tragerplatte306 und elektrischen Abschirmungsleitern308 ,310 dargestellt, die durch Puffer bzw. Trennstufen312 ,314 mit dem Verstärkungsfaktor 1 angesteuert werden. Diese Anordnung liefert eine hohe Kapazitat in einem kompakten Raum fur einen Drucksensor mit verbessertem Empfindlichkeitsfaktor (ΔC/C0) aufgrund der reduzierten effektiven Streukapazitat. Das Verhaltnis von ΔC, der Kapazitatsänderung zwischen minimalem und maximalem Druck, zu C0, der Ruhekapazität, ist höher, weil C0 wegen der durch die Puffer312 ,314 aktiv angesteuerten elektrischen Abschirmungsleiter308 ,310 kleiner ist. Die Abschirmungsleiter308 ,310 werden durch die Puffer dynamisch auf im wesentlichen dem gleichen Potential gehalten wie eine benachbarte Kondensatorplatte. - Abschirmungen oder Abschirmelektroden, die geerdet sind, konnen in zu den Kondensatorplatten peripheren Bereichen gleichfalls vorgesehen werden, um die Rauschankopplung zu den Kondensatorplatten zu vermindern.
-
19 zeigt eine maßgerechte Anordnung von Kondensatorplatten und einem dazwischen eingefugten Dielektrikum. Die Kapazitat von beabstandeten Elektroden als Funktion der Verschiebung (t) der dielektrischen Membran und unter Vernachlässigung von parasitären bzw. Störeffekten ist durch die folgende Gleichung gegeben.C(t) = ε0W[ (T – t) / (s + d) – (tK) / (s + Kd)] Gl. 1 - ε0
- = Dielektrizitätskonstante des Vakuums;
- W
- = Lange der einander zugewandten Flächen der Elektroden
22A und22B ; - T
- = Hohe der Elektroden
22A und22B ; - t
- = Anteil der Höhe des Vorsprungs
38 , der entlang geraden Höhenlinien zwischen den Elektroden22A und22B verlauft; - K
- = relative Dielektrizitätskonstante des Materials, das den dielektrischen Vorsprung
38 bildet; - S
- = Breite des Vorsprungs
38 zwischen den Elektroden22A und22B ; - d
- = Breite, die durch Subtrahieren der Breite S von der durch den Pfeil
51 angezeigten Breite zwischen einander zugewandten Flachen der Elektroden22A und22B berechnet wird. - Der Kapazitatsbereich zwischen den Elektroden, die auch als Kondensatorplatten bezeichnet werden, ist:
ΔC = C(t) – C(0) Gl. 2 - Durch Kombination von Gl. 1 und Gl. 2 erhalt man:
ΔC = ε0Wt[ K / (s + Kd) – 1 / (s + d)] G1. 3 - Die Anordnung hat viele Vorteile gegenüber herkömmlichen kapazitiven Sensoren mit beweglichen Platten. Die Anordnung mit beweglichem Dielektrikum kann im Vergleich zur herkömmlichen Anordnung Verstärkungsfaktoren von 5 oder mehr aufweisen. Für eine vergleichbare Kapazitätsanderung wird eine geringere Durchbiegung benötigt. Außerdem kann ein Material mit hoherer Dielektrizitatskonstante fur den beweglichen dielektrischen Abschnitt verwendet werden, und als Trager der Kondensatorplatten kann ein Material mit niedrigerer Dielektrizitatskonstante benutzt werden, um die Streukapazität zu verringern. Die Beziehung zwischen Druck und Kapazitatsanderung ist bei dem beweglichen Dielektrikum starker linear, wodurch die Anforderungen an eine elektronische Kompensation oder Linearisierung vermindert werden. Die Anordnung liefert einen inharenten Uberdruckschutz, und es besteht keine Gefahr einer Überbrückung der Kondensatorplatten durch Kurzschluß im Überdruckzustand oder des Ubergangs zu einem extrem hohen Kapazitatswert im Uberdruckzustand. Die Herstellung ist einfach, da die Metallisierung der Kondensatorplatten nur auf einer Schicht zu erfolgen braucht und die Membran von Metallbelagen frei bleibt.
-
20 zeigt eine Drucksensoranordnung62 fur eine Turbinentriebwerksanordnung64 . Das Turbinentriebwerk weist Turbinenschaufeln auf, wie z. B. die Schaufel66 , die in einem Turbinengehause68 rotiert. In dem Turbinengehäuse68 ist eine Bohrung70 zur Messung des Drucks in dem Turbinentriebwerk angebracht. Die Drucksensoranordnung62 ist durch einen Sockel72 von dem Turbinengehause68 beabstandet. Der Sockel72 hält die Drucksensoranordnung62 auf Abstand vom Turbinengehause, um die Drucksensoranordnung62 in eine Umgebung mit niedrigerer Temperatur zu bringen. Ein Kanal74 durch den Sockel72 koppelt die unter Druck stehenden Gase innerhalb des Turbinengehauses mit der Drucksensoranordnung62 . In der Drucksensoranordnung62 ist ein Drucksensor74 enthalten. Der Drucksensor74 weist ein bewegliches Dielektrikum auf. Der Drucksensor74 weist außerdem isolierte Sensorzuleitungen78 auf, die durch einen abgedichteten Spalt80 im Träger hindurchgehen und durch Zuleitungen82 mit elektronischen Umwandlungsschaltungen (nicht dargestellt) verbunden sind. - Die vorliegende Erfindung ist zwar anhand bevorzugter Ausfuhrungsbeispiele beschrieben worden, aber der Fachmann wird erkennen, daß Anderungen in Form und Detail vorgenommen werden können, ohne vom Grundgedanken und vom Schutzumfang der Erfindung abzuweichen.
Claims (11)
- Drucksensor, der aufweist: eine erste Schicht (
102 ) mit einer Auflagefläche (140 ); eine zweite Schicht (104 ) mit einer Membran (114 ) mit einer druckaufnehmenden Außenfläche (116 ) und einer Innenfläche (118 ); einen Rahmen (106 ), der mit der ersten Schicht (102 ) und der zweiten Schicht (104 ) verbunden ist und innerhalb dessen ein Hohlraum (108 ) definiert ist; einen dielektrischen Abschnitt (120 ,252 ,258 ,290 ,300 ), der an der Membran (114 ) angeordnet ist; Kondensatorplatten (122 ,124 ;254 ,256 ;262 ,264 ;266 ,268 ;284 ,286 ;292 ,294 ;302 ,304 ), die an der ersten Schicht (102 ) angeordnet sind, wobei die Kondensatorplatten eine Kapazität aufweisen, die sich mit der relativen Bewegung zwischen dem dielektrischen Abschnitt (120 ,252 ,258 ,290 ,300 ) und den Kondensatorplatten ändert; und eine Mesainsel (136 ), die zwischen der Innenfläche (118 ) und der Auflagefläche (140 ) angeordnet ist. - Drucksensor nach Anspruch 1, wobei die Kondensatorplatten eine erste Kondensatorplatte (
122 ,254 ,262 ,266 ,284 ,292 ,302 ) aufweisen, die in dem Hohlraum (108 ) durch einen Zwischenraum von einer zweiten Kondensatorplatte (124 ,256 ,264 ,268 ,286 ,294 ,304 ) getrennt ist, wobei der bewegliche dielektrische Abschnitt (120 ,252 ,258 ,290 ,300 ) durch den Zwischenraum beweglich ist, um das elektrische Ausgangssignal zu verändern. - Drucksensor nach Anspruch 2, wobei sich der Zwischenraum in dem Hohlraum (
108 ) mit einer Geraden zwischen der ersten und der zweiten Kondensatorplatte schneidet. - Drucksensor nach Anspruch 2, wobei sich der Zwischenraum in dem Hohlraum (
108 ) nicht mit einer Geraden zwischen der ersten und der zweiten Kondensatorplatte schneidet. - Drucksensor nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei das bewegliche Dielektrikum (
120 ,252 ,258 ,290 ,300 ) frei von elektrischen Leitern ist. - Drucksensor nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei der Hohlraum (
108 ) evakuiert und abgedichtet ist. - Drucksensor nach einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei der Rahmen (
106 ) langgestreckt ist und ein erstes Ende (130 ), nahe der Membran (114 ), sowie ein dem ersten Ende (130 ) gegenüberliegendes zweites Ende (132 ) aufweist, das von dem Überdruckzustand getrennt bzw. isoliert ist und elektrische Anschlüsse für die Kondensatorplatten aufweist. - Drucksensor nach einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei die Kondensatorplatten ineinandergreifen.
- Drucksensor nach Anspruch 8, der ferner eine Trägerplatte (
270 ,306 ) aufweist, auf der die Kondensatorplatten angeordnet sind, und der auf der Trägerplatte angeordnete Abschirmelektroden aufweist. - Drucksensor nach Anspruch 9, der ferner Puffer (
276 ,278 ) mit dem Verstärkungsfaktor 1 aufweist, die mit den Abschirmelektroden gekoppelt sind. - Drucksensor nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei der Rahmen (
106 ) und zumindest die erste oder die zweite Schicht einstückig ausgebildet ist.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US478434 | 2000-01-06 | ||
US09/478,434 US6505516B1 (en) | 2000-01-06 | 2000-01-06 | Capacitive pressure sensing with moving dielectric |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE10100321A1 DE10100321A1 (de) | 2001-07-12 |
DE10100321B4 true DE10100321B4 (de) | 2017-02-02 |
Family
ID=23899919
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE10100321.8A Expired - Fee Related DE10100321B4 (de) | 2000-01-06 | 2001-01-05 | Kapazitive Druckmessung mit beweglichem Dielektrikum |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6505516B1 (de) |
JP (1) | JP4851011B2 (de) |
DE (1) | DE10100321B4 (de) |
GB (1) | GB2362716B (de) |
Families Citing this family (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10347861A1 (de) * | 2003-10-10 | 2005-04-28 | Endress & Hauser Gmbh & Co Kg | Meßaufnehmer |
US7204162B2 (en) * | 2004-11-23 | 2007-04-17 | Delphi Technologies, Inc. | Capacitive strain gauge |
JP4639979B2 (ja) * | 2005-06-15 | 2011-02-23 | 株式会社デンソー | 静電容量型力学量センサおよびその製造方法 |
US8104358B1 (en) * | 2006-01-23 | 2012-01-31 | University Of Puerto Rico | High sensitivity passive wireless strain sensor |
JP5307008B2 (ja) * | 2006-08-29 | 2013-10-02 | カリフォルニア インスティテュート オブ テクノロジー | 生物医学的応用に用いられる微細加工された移植可能な無線圧力センサーおよび圧力測定ならびにセンサー移植方法 |
US7677107B2 (en) * | 2007-07-03 | 2010-03-16 | Endotronix, Inc. | Wireless pressure sensor and method for fabricating wireless pressure sensor for integration with an implantable device |
DE102009035973B4 (de) | 2009-08-04 | 2011-07-07 | Baumer Innotec Ag | Anordnung und Verfahren zur kapazitiven Druckmessung |
US9408555B2 (en) | 2010-06-30 | 2016-08-09 | Indiana University Research And Technology Corporation | Supersensitive linear pressure transducer |
US9010191B2 (en) | 2011-12-22 | 2015-04-21 | Rosemount Inc. | Pressure sensor module for sub-sea applications |
CA2866380C (en) | 2012-03-06 | 2017-01-17 | Rosemount, Inc. | Remote seal pressure measurement system for subsea use |
JP5965165B2 (ja) * | 2012-03-14 | 2016-08-03 | アズビル株式会社 | 差圧発信器 |
US8984952B2 (en) | 2012-09-07 | 2015-03-24 | Dynisco Instruments Llc | Capacitive pressure sensor |
US8943895B2 (en) | 2012-09-07 | 2015-02-03 | Dynisco Instruments Llc | Capacitive pressure sensor |
US9103738B2 (en) | 2012-09-07 | 2015-08-11 | Dynisco Instruments Llc | Capacitive pressure sensor with intrinsic temperature compensation |
JP6044386B2 (ja) * | 2013-02-26 | 2016-12-14 | 株式会社豊田中央研究所 | 混相流状態計測装置及びセンサ |
US9442031B2 (en) | 2013-06-28 | 2016-09-13 | Rosemount Inc. | High integrity process fluid pressure probe |
WO2015006977A1 (en) * | 2013-07-19 | 2015-01-22 | Rosemount Inc. | Pressure transmitter having an isolation assembly with a two-piece isolator plug |
US9234776B2 (en) | 2013-09-26 | 2016-01-12 | Rosemount Inc. | Multivariable process fluid transmitter for high pressure applications |
US9459170B2 (en) * | 2013-09-26 | 2016-10-04 | Rosemount Inc. | Process fluid pressure sensing assembly for pressure transmitters subjected to high working pressure |
US10260980B2 (en) | 2013-09-27 | 2019-04-16 | Rosemount Inc. | Pressure sensor with mineral insulated cable |
US9222815B2 (en) | 2013-12-30 | 2015-12-29 | Rosemount Inc. | Wafer style insertable magnetic flowmeter with collapsible petals |
US10107700B2 (en) | 2014-03-24 | 2018-10-23 | Rosemount Inc. | Process variable transmitter with process variable sensor carried by process gasket |
US9638600B2 (en) | 2014-09-30 | 2017-05-02 | Rosemount Inc. | Electrical interconnect for pressure sensor in a process variable transmitter |
DE102014115802A1 (de) | 2014-10-30 | 2016-05-04 | Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg | Kapazitiver Drucksensor und Verfahren zu dessen Herstellung |
CA3053497A1 (en) | 2017-02-24 | 2018-08-30 | Endotronix, Inc. | Wireless sensor reader assembly |
US11615257B2 (en) | 2017-02-24 | 2023-03-28 | Endotronix, Inc. | Method for communicating with implant devices |
US10598559B2 (en) | 2017-06-29 | 2020-03-24 | Rosemount Inc. | Pressure sensor assembly |
WO2019222598A1 (en) | 2018-05-17 | 2019-11-21 | Rosemount Inc. | Measuring element and measuring device comprising the same |
EP3795218B1 (de) | 2019-09-20 | 2024-02-28 | Marioff Corporation OY | Brandbekämpfungssystem |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0178768A2 (de) * | 1984-09-14 | 1986-04-23 | EMI Limited | Messfühleranordnung |
US5349492A (en) * | 1991-12-26 | 1994-09-20 | Yamatake-Honeywell Co., Ltd. | Capacitive pressure sensor |
EP0928959A2 (de) * | 1998-01-13 | 1999-07-14 | STMicroelectronics, Inc. | Variabler Halbleiterkondensator und Herstellungsverfahren |
Family Cites Families (218)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1648764U (de) | 1952-10-06 | 1952-12-31 | Agnes Speer | Schnelleinfaedler fuer naehmaschinen-, naeh- und stopfnadeln. |
US3239827A (en) | 1960-01-12 | 1966-03-08 | Rosemount Eng Co Ltd | High precision pressure standard |
US3079576A (en) | 1961-02-01 | 1963-02-26 | Rosemount Eng Co Ltd | Integral strain transducer |
US3147085A (en) | 1961-09-14 | 1964-09-01 | Gen Electric | Apparatus for growing whiskers |
BE635328A (de) | 1962-07-25 | |||
GB1069435A (en) | 1963-05-21 | 1967-05-17 | G V Planer Ltd | Electromechanical transducer device |
NL6411121A (de) | 1964-09-24 | 1966-03-25 | ||
US3356963A (en) | 1966-06-23 | 1967-12-05 | Willard E Buck | Fused quartz motion sensitive transducer |
US3405559A (en) | 1966-11-07 | 1968-10-15 | United Aircraft Corp | Pressure transducer |
US3440873A (en) | 1967-05-23 | 1969-04-29 | Corning Glass Works | Miniature pressure transducer |
US3750476A (en) | 1967-09-25 | 1973-08-07 | Bissett Berman Corp | Pressure transducer |
US3589965A (en) | 1968-11-27 | 1971-06-29 | Mallory & Co Inc P R | Bonding an insulator to an insulator |
USRE28798E (en) | 1969-12-31 | 1976-05-04 | Western Electric Co., Inc. | Methods of and apparatus for aligning and bonding workpieces |
US3696985A (en) | 1969-12-31 | 1972-10-10 | Western Electric Co | Methods of and apparatus for aligning and bonding workpieces |
US3743552A (en) | 1970-01-30 | 1973-07-03 | North American Rockwell | Process for coplanar semiconductor structure |
US3645137A (en) | 1970-04-16 | 1972-02-29 | Bendix Corp | Quartz pressure sensor |
DE2021479A1 (de) | 1970-05-02 | 1971-11-11 | Kleinwaechter Hans | Druckmessgeraet zur Messung von Drucken in Gasen und Fluessigkeiten |
IL38468A (en) | 1971-02-02 | 1974-11-29 | Hughes Aircraft Co | Electrical resistance device and its production |
CS153132B1 (de) | 1971-02-12 | 1974-02-25 | ||
US3715638A (en) | 1971-05-10 | 1973-02-06 | Bendix Corp | Temperature compensator for capacitive pressure transducers |
US3962921A (en) | 1972-02-04 | 1976-06-15 | The Garrett Corporation | Compensated pressure transducer |
US3854892A (en) | 1972-04-20 | 1974-12-17 | Gen Electric | Direct bonding of metals with a metal-gas eutectic |
US3766634A (en) | 1972-04-20 | 1973-10-23 | Gen Electric | Method of direct bonding metals to non-metallic substrates |
US3744120A (en) | 1972-04-20 | 1973-07-10 | Gen Electric | Direct bonding of metals with a metal-gas eutectic |
US3899878A (en) | 1972-07-19 | 1975-08-19 | Int Harvester Co | Apparatus for indicating gas temperatures |
US3834604A (en) | 1972-10-03 | 1974-09-10 | Western Electric Co | Apparatus for solid-phase bonding mating members through an interposed pre-shaped compliant medium |
US3939559A (en) | 1972-10-03 | 1976-02-24 | Western Electric Company, Inc. | Methods of solid-phase bonding mating members through an interposed pre-shaped compliant medium |
SU463643A1 (ru) | 1973-01-03 | 1975-03-15 | Ордена Ленина Предприятие П/Я А-1705 | Способ изготовлени изделий |
FR2246506A1 (en) | 1973-10-09 | 1975-05-02 | Podvigalkina Galina | Joining of silicate glass lenses - by formation of silicate film on lens surface(s) then sintering together by IR radiation |
US3858097A (en) | 1973-12-26 | 1974-12-31 | Bendix Corp | Pressure-sensing capacitor |
US3994430A (en) | 1975-07-30 | 1976-11-30 | General Electric Company | Direct bonding of metals to ceramics and metals |
US4177496A (en) | 1976-03-12 | 1979-12-04 | Kavlico Corporation | Capacitive pressure transducer |
US4426673A (en) | 1976-03-12 | 1984-01-17 | Kavlico Corporation | Capacitive pressure transducer and method of making same |
US4084438A (en) | 1976-03-29 | 1978-04-18 | Setra Systems, Inc. | Capacitive pressure sensing device |
US4018374A (en) | 1976-06-01 | 1977-04-19 | Ford Aerospace & Communications Corporation | Method for forming a bond between sapphire and glass |
US4064549A (en) | 1976-08-31 | 1977-12-20 | Metrolology General Corporation | Cylindrical capacitive quartz transducer |
US4158217A (en) | 1976-12-02 | 1979-06-12 | Kaylico Corporation | Capacitive pressure transducer with improved electrode |
US4128006A (en) | 1976-12-13 | 1978-12-05 | Bunker Ramo Corporation | Packaging of pressure sensor cells |
US4127840A (en) | 1977-02-22 | 1978-11-28 | Conrac Corporation | Solid state force transducer |
US4078711A (en) | 1977-04-14 | 1978-03-14 | Rockwell International Corporation | Metallurgical method for die attaching silicon on sapphire devices to obtain heat resistant bond |
US4202217A (en) | 1977-12-12 | 1980-05-13 | Kulite Semiconductor Products, Inc. | Semiconductor transducers employing flat bondable surfaces with buried contact areas |
US4208782A (en) | 1977-12-12 | 1980-06-24 | Kulite Semiconductor Products, Inc. | Methods of fabricating transducers employing flat bondable surfaces with buried contact areas |
SU736216A1 (ru) | 1978-02-22 | 1980-05-25 | Предприятие П/Я А-3695 | Способ изготовлени газоразр дной лампы |
JPS5516228A (en) | 1978-07-21 | 1980-02-04 | Hitachi Ltd | Capacity type sensor |
US4196632A (en) | 1978-08-14 | 1980-04-08 | The Boeing Company | Dual capacitance type bonded pressure transducer |
GB2034478B (en) | 1978-11-07 | 1983-03-02 | Vaisala Oy | Pressure gauge having an aneroid capsule |
US4278195A (en) | 1978-12-01 | 1981-07-14 | Honeywell Inc. | Method for low temperature bonding of silicon and silicon on sapphire and spinel to nickel and nickel steel and apparatus using such _a bonding technique |
US4274125A (en) | 1979-01-23 | 1981-06-16 | The Bendix Corporation | Temperature compensated capacitance pressure transducer |
JPS5937716Y2 (ja) | 1979-01-31 | 1984-10-19 | 日産自動車株式会社 | 半導体差圧センサ |
JPS5817421B2 (ja) | 1979-02-02 | 1983-04-07 | 日産自動車株式会社 | 半導体圧力センサ |
US4236137A (en) | 1979-03-19 | 1980-11-25 | Kulite Semiconductor Products, Inc. | Semiconductor transducers employing flexure frames |
US4216404A (en) | 1979-04-12 | 1980-08-05 | Kulite Semiconductor Products Inc. | Housing and lead arrangements for electromechanical transducers |
FR2455733A1 (fr) | 1979-04-19 | 1980-11-28 | Motorola Inc | Capteur de pression a effet capacitif et procede de fabrication |
US4222277A (en) | 1979-08-13 | 1980-09-16 | Kulite Semiconductor Products, Inc. | Media compatible pressure transducer |
CA1154502A (en) | 1979-09-04 | 1983-09-27 | Joseph W. Crow | Semiconductor variable capacitance pressure transducer |
US4301492A (en) | 1980-01-28 | 1981-11-17 | Paquin Maurice J | Pressure-sensing transducer |
US4382247A (en) | 1980-03-06 | 1983-05-03 | Robert Bosch Gmbh | Pressure sensor |
JPS56129831A (en) | 1980-03-17 | 1981-10-12 | Yokogawa Hokushin Electric Corp | Pressure converter |
DE3015356A1 (de) | 1980-04-22 | 1981-10-29 | Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart | Freitragende schichten sowie verfahren zur herstellung freitragender schichten, insbesondere fuer sensoren fuer brennkraftmaschinen |
DE3030765C2 (de) | 1980-08-14 | 1985-09-26 | Friedrich Grohe Armaturenfabrik Gmbh & Co, 5870 Hemer | Elektronisch geregeltes Mischventil |
US4419142A (en) | 1980-10-24 | 1983-12-06 | Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha | Method of forming dielectric isolation of device regions |
SE436936B (sv) | 1981-01-29 | 1985-01-28 | Asea Ab | Integrerad kapacitiv givare |
US4422335A (en) | 1981-03-25 | 1983-12-27 | The Bendix Corporation | Pressure transducer |
US4443293A (en) | 1981-04-20 | 1984-04-17 | Kulite Semiconductor Products, Inc. | Method of fabricating transducer structure employing vertically walled diaphragms with quasi rectangular active areas |
US4359498A (en) | 1981-04-20 | 1982-11-16 | Kulite Semiconductor Products, Inc. | Transducer structure employing vertically walled diaphragms with quasi rectangular active areas |
US4598996A (en) | 1981-05-07 | 1986-07-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Temperature detector |
US4389895A (en) | 1981-07-27 | 1983-06-28 | Rosemount Inc. | Capacitance pressure sensor |
US4456901A (en) | 1981-08-31 | 1984-06-26 | Kulite Semiconductor Products, Inc. | Dielectrically isolated transducer employing single crystal strain gages |
US4412203A (en) | 1981-09-10 | 1983-10-25 | Kulite Semiconductor Products, Inc. | Housing and interconnection assembly for a pressure transducer |
JPS5855732A (ja) | 1981-09-30 | 1983-04-02 | Hitachi Ltd | 静電容量型圧力センサ |
US4454765A (en) | 1981-11-03 | 1984-06-19 | Lodge Arthur S | Extended range pressure transducers |
GB2109099B (en) | 1981-11-05 | 1985-07-24 | Glaverbel | Composite refractory articles and method of manufacturing them |
US4416156A (en) | 1981-12-23 | 1983-11-22 | Honeywell Inc. | High pressure electrical feedthru |
JPS58129221A (ja) * | 1982-01-28 | 1983-08-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 計量装置 |
NL8201222A (nl) | 1982-03-24 | 1983-10-17 | Philips Nv | Verstembare fabry-perot interferometer en roentgenbeeldweergeefinrichting voorzien van een dergelijke interferometer. |
US4422125A (en) | 1982-05-21 | 1983-12-20 | The Bendix Corporation | Pressure transducer with an invariable reference capacitor |
US4424713A (en) | 1982-06-11 | 1984-01-10 | General Signal Corporation | Silicon diaphragm capacitive pressure transducer |
US4535219A (en) | 1982-10-12 | 1985-08-13 | Xerox Corporation | Interfacial blister bonding for microinterconnections |
DE3404262A1 (de) | 1983-03-09 | 1984-09-13 | Fuji Electric Co., Ltd., Kawasaki | Kapazitiver messfuehler |
US5007841A (en) | 1983-05-31 | 1991-04-16 | Trw Inc. | Integrated-circuit chip interconnection system |
US4479070A (en) | 1983-06-10 | 1984-10-23 | Sperry Corporation | Vibrating quartz diaphragm pressure sensor |
JPS6013235A (ja) * | 1983-07-01 | 1985-01-23 | Kinseki Kk | 圧力センサ− |
DE3324661A1 (de) | 1983-07-08 | 1985-01-17 | Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim | Verfahren zum direkten verbinden von metall mit keramik |
US4517622A (en) | 1983-08-29 | 1985-05-14 | United Technologies Corporation | Capacitive pressure transducer signal conditioning circuit |
US4507973A (en) | 1983-08-31 | 1985-04-02 | Borg-Warner Corporation | Housing for capacitive pressure sensor |
JPS6051700A (ja) | 1983-08-31 | 1985-03-23 | Toshiba Corp | シリコン結晶体の接合方法 |
US4539061A (en) | 1983-09-07 | 1985-09-03 | Yeda Research And Development Co., Ltd. | Process for the production of built-up films by the stepwise adsorption of individual monolayers |
NL8303109A (nl) | 1983-09-08 | 1985-04-01 | Philips Nv | Werkwijze voor het aan elkaar bevestigen van twee delen. |
US4572000A (en) | 1983-12-09 | 1986-02-25 | Rosemount Inc. | Pressure sensor with a substantially flat overpressure stop for the measuring diaphragm |
GB8401848D0 (en) | 1984-01-24 | 1984-02-29 | Carter R E | Pressure transducer |
US4525766A (en) | 1984-01-25 | 1985-06-25 | Transensory Devices, Inc. | Method and apparatus for forming hermetically sealed electrical feedthrough conductors |
FI74350C (fi) | 1984-02-21 | 1988-01-11 | Vaisala Oy | Kapacitiv absoluttryckgivare. |
US4542436A (en) | 1984-04-10 | 1985-09-17 | Johnson Service Company | Linearized capacitive pressure transducer |
DE3583183D1 (de) | 1984-05-09 | 1991-07-18 | Toshiba Kawasaki Kk | Verfahren zur herstellung eines halbleitersubstrates. |
US4649627A (en) | 1984-06-28 | 1987-03-17 | International Business Machines Corporation | Method of fabricating silicon-on-insulator transistors with a shared element |
JPS6173345A (ja) | 1984-09-19 | 1986-04-15 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
FI75426C (fi) | 1984-10-11 | 1988-06-09 | Vaisala Oy | Absoluttryckgivare. |
US4625561A (en) | 1984-12-06 | 1986-12-02 | Ford Motor Company | Silicon capacitive pressure sensor and method of making |
JPS61142759A (ja) | 1984-12-14 | 1986-06-30 | Ngk Spark Plug Co Ltd | Icパツケ−ジ用基板 |
JPH0770474B2 (ja) | 1985-02-08 | 1995-07-31 | 株式会社東芝 | 化合物半導体装置の製造方法 |
EP0256150B1 (de) | 1986-08-13 | 1990-04-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Apparat zum Zusammenfügen von Halbleiterscheiben |
US4780572A (en) | 1985-03-04 | 1988-10-25 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Device for mounting semiconductors |
US4586109A (en) | 1985-04-01 | 1986-04-29 | Bourns Instruments, Inc. | Batch-process silicon capacitive pressure sensor |
US4764747A (en) | 1985-06-19 | 1988-08-16 | Kulite Semiconductor Products, Inc. | Glass header structure for a semiconductor pressure transducer |
NL8501773A (nl) | 1985-06-20 | 1987-01-16 | Philips Nv | Werkwijze voor het vervaardigen van halfgeleiderinrichtingen. |
JPH0783050B2 (ja) | 1985-06-21 | 1995-09-06 | 株式会社東芝 | 半導体素子の製造方法 |
US4601779A (en) | 1985-06-24 | 1986-07-22 | International Business Machines Corporation | Method of producing a thin silicon-on-insulator layer |
US4689999A (en) | 1985-07-26 | 1987-09-01 | The Garrett Corporation | Temperature compensated pressure transducer |
SU1398825A1 (ru) | 1985-09-25 | 1988-05-30 | Северо-Западный Заочный Политехнический Институт | Датчик дл измерени давлени прикуса зубов |
NL8600216A (nl) | 1986-01-30 | 1987-08-17 | Philips Nv | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting. |
US4716492A (en) | 1986-05-05 | 1987-12-29 | Texas Instruments Incorporated | Pressure sensor with improved capacitive pressure transducer |
DE3616308C2 (de) | 1986-05-14 | 1995-09-21 | Bosch Gmbh Robert | Sensor |
US4703658A (en) | 1986-06-18 | 1987-11-03 | Motorola, Inc. | Pressure sensor assembly |
US4800758A (en) | 1986-06-23 | 1989-01-31 | Rosemount Inc. | Pressure transducer with stress isolation for hard mounting |
US4769882A (en) | 1986-10-22 | 1988-09-13 | The Singer Company | Method for making piezoelectric sensing elements with gold-germanium bonding layers |
US4773972A (en) | 1986-10-30 | 1988-09-27 | Ford Motor Company | Method of making silicon capacitive pressure sensor with glass layer between silicon wafers |
NL8700033A (nl) | 1987-01-09 | 1988-08-01 | Philips Nv | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting van het type halfgeleider op isolator. |
US5113868A (en) | 1987-06-01 | 1992-05-19 | The Regents Of The University Of Michigan | Ultraminiature pressure sensor with addressable read-out circuit |
US4754365A (en) | 1987-06-15 | 1988-06-28 | Fischer & Porter Company | Differential pressure transducer |
SU1597627A1 (ru) | 1987-06-26 | 1990-10-07 | Институт физики Земли им.О.Ю.Шмидта | Датчик давлени |
GB8718637D0 (en) | 1987-08-06 | 1987-09-09 | Spectrol Reliance Ltd | Sealing electrical feedthrough |
GB8718639D0 (en) | 1987-08-06 | 1987-09-09 | Spectrol Reliance Ltd | Capacitive pressure sensors |
US4774196A (en) | 1987-08-25 | 1988-09-27 | Siliconix Incorporated | Method of bonding semiconductor wafers |
US4852408A (en) | 1987-09-03 | 1989-08-01 | Scott Fetzer Company | Stop for integrated circuit diaphragm |
US4875368A (en) | 1987-09-08 | 1989-10-24 | Panex Corporation | Pressure sensor system |
US4929893A (en) | 1987-10-06 | 1990-05-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Wafer prober |
JPH01117714A (ja) * | 1987-10-30 | 1989-05-10 | Iseki & Co Ltd | コンバインの負荷制御方式 |
US4857130A (en) | 1987-12-03 | 1989-08-15 | Hughes Aircraft Company | Temperature stable optical bonding method and apparatus obtained thereby |
US4806783A (en) | 1988-02-25 | 1989-02-21 | Transducer Technologies Inc. | Transducer circuit |
DE3811047A1 (de) | 1988-03-31 | 1989-10-12 | Draegerwerk Ag | Fuehler zur kapazitiven messung des druckes in gasen |
DE3811311C1 (de) | 1988-04-02 | 1989-03-09 | Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart, De | |
US5174926A (en) | 1988-04-07 | 1992-12-29 | Sahagen Armen N | Compositions for piezoresistive and superconductive application |
US4994781A (en) | 1988-04-07 | 1991-02-19 | Sahagen Armen N | Pressure sensing transducer employing piezoresistive elements on sapphire |
NL8800953A (nl) | 1988-04-13 | 1989-11-01 | Philips Nv | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderlichaam. |
US5197892A (en) | 1988-05-31 | 1993-03-30 | Canon Kabushiki Kaisha | Electric circuit device having an electric connecting member and electric circuit components |
JPH02124800A (ja) | 1988-07-04 | 1990-05-14 | Hiroaki Aoshima | 一体同化した合成コランダムの単結晶構造体の製造方法 |
EP0355340A1 (de) | 1988-07-04 | 1990-02-28 | Hiroaki Aoshima | Verfahren zur Herstellung von Gefügen durch Zusammenfügen synthetischer Einkristalle aus Korund |
DE3822966C2 (de) | 1988-07-07 | 1993-09-30 | Degussa | Verwendung einer Silberlegierung als Lot zum direkten Verbinden von Keramikteilen |
DE3901492A1 (de) | 1988-07-22 | 1990-01-25 | Endress Hauser Gmbh Co | Drucksensor und verfahren zu seiner herstellung |
US4879903A (en) | 1988-09-02 | 1989-11-14 | Nova Sensor | Three part low cost sensor housing |
KR0158868B1 (ko) | 1988-09-20 | 1998-12-01 | 미다 가쓰시게 | 반도체장치 |
FR2638524B1 (fr) | 1988-10-27 | 1994-10-28 | Schlumberger Prospection | Capteur de pression utilisable dans les puits de petrole |
US4883215A (en) | 1988-12-19 | 1989-11-28 | Duke University | Method for bubble-free bonding of silicon wafers |
US4954925A (en) | 1988-12-30 | 1990-09-04 | United Technologies Corporation | Capacitive sensor with minimized dielectric drift |
SU1629763A1 (ru) | 1989-02-12 | 1991-02-23 | Предприятие П/Я А-1891 | Способ изготовлени емкостного датчика давлени |
NL8900388A (nl) | 1989-02-17 | 1990-09-17 | Philips Nv | Werkwijze voor het verbinden van twee voorwerpen. |
DE3909185A1 (de) | 1989-03-21 | 1990-09-27 | Endress Hauser Gmbh Co | Kapazitiver drucksensor und verfahren zu seiner herstellung |
US5087124A (en) | 1989-05-09 | 1992-02-11 | Smith Rosemary L | Interferometric pressure sensor capable of high temperature operation and method of fabrication |
JPH0355822A (ja) | 1989-07-25 | 1991-03-11 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体素子形成用基板の製造方法 |
US5201977A (en) | 1989-08-09 | 1993-04-13 | Hiroaki Aoshima | Process for producing structures from synthetic single-crystal pieces |
JPH0636414B2 (ja) | 1989-08-17 | 1994-05-11 | 信越半導体株式会社 | 半導体素子形成用基板の製造方法 |
US5044202A (en) | 1989-09-18 | 1991-09-03 | Texas Instruments Incorporated | Pressure transducer apparatus |
US4972717A (en) | 1989-09-18 | 1990-11-27 | Texas Instruments Incorporated | Pressure transducer apparatus and method for making same |
JPH03170826A (ja) | 1989-11-29 | 1991-07-24 | Toshiba Corp | 容量型圧力センサ |
US5001934A (en) | 1990-01-02 | 1991-03-26 | Walbro Corporation | Solid state pressure sensor |
US5050034A (en) | 1990-01-22 | 1991-09-17 | Endress U. Hauser Gmbh U. Co. | Pressure sensor and method of manufacturing same |
EP0444943B1 (de) | 1990-02-28 | 1997-05-21 | Shin-Etsu Handotai Company Limited | Verfahren zur Herstellung von verbundenen Halbleiterplättchen |
JPH0719737B2 (ja) | 1990-02-28 | 1995-03-06 | 信越半導体株式会社 | S01基板の製造方法 |
JPH0636413B2 (ja) | 1990-03-29 | 1994-05-11 | 信越半導体株式会社 | 半導体素子形成用基板の製造方法 |
DE4011901A1 (de) | 1990-04-12 | 1991-10-17 | Vdo Schindling | Kapazitiver drucksensor |
DE69112900T2 (de) | 1990-04-27 | 1996-05-23 | Hiroaki Aoshima | Verfahren zum Verbinden synthetischer Einkristalle. |
CN1018844B (zh) | 1990-06-02 | 1992-10-28 | 中国科学院兰州化学物理研究所 | 防锈干膜润滑剂 |
NL9001301A (nl) | 1990-06-08 | 1992-01-02 | Philips Nv | Werkwijze voor het vervaardigen van een supergeleiderinrichting. |
US5084123A (en) | 1990-07-02 | 1992-01-28 | Hughes Aircraft Company | Temperature stable optical bonding method and apparatus |
US5326726A (en) | 1990-08-17 | 1994-07-05 | Analog Devices, Inc. | Method for fabricating monolithic chip containing integrated circuitry and suspended microstructure |
US5189916A (en) | 1990-08-24 | 1993-03-02 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Pressure sensor |
JP2718563B2 (ja) | 1990-08-28 | 1998-02-25 | 日本特殊陶業株式会社 | 圧力検出器 |
JP2724419B2 (ja) | 1990-08-28 | 1998-03-09 | 日本特殊陶業株式会社 | 圧力センサ |
JPH0719739B2 (ja) | 1990-09-10 | 1995-03-06 | 信越半導体株式会社 | 接合ウェーハの製造方法 |
DE4031791A1 (de) | 1990-10-08 | 1992-04-09 | Leybold Ag | Sensor fuer ein kapazitaetsmanometer |
US5123849A (en) | 1990-11-15 | 1992-06-23 | Amp Incorporated | Conductive gel area array connector |
US5094109A (en) | 1990-12-06 | 1992-03-10 | Rosemount Inc. | Pressure transmitter with stress isolation depression |
US5261999A (en) | 1991-05-08 | 1993-11-16 | North American Philips Corporation | Process for making strain-compensated bonded silicon-on-insulator material free of dislocations |
US5155061A (en) | 1991-06-03 | 1992-10-13 | Allied-Signal Inc. | Method for fabricating a silicon pressure sensor incorporating silicon-on-insulator structures |
US5133215A (en) | 1991-06-19 | 1992-07-28 | Honeywell Inc. | Pressure transmitter assembly having sensor isolation mounting |
US5178015A (en) | 1991-07-22 | 1993-01-12 | Monolithic Sensors Inc. | Silicon-on-silicon differential input sensors |
FR2679651B1 (fr) | 1991-07-26 | 1993-11-12 | Schlumberger Services Petroliers | Couche mince extensometrique en cermet a base de tantale et de nitrate de tantale, son procede de preparation et son utilisation dans un capteur de pression. |
US5319324A (en) | 1991-10-02 | 1994-06-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of direct bonding of crystals and crystal devices |
US5231301A (en) | 1991-10-02 | 1993-07-27 | Lucas Novasensor | Semiconductor sensor with piezoresistors and improved electrostatic structures |
US5227068A (en) | 1991-10-25 | 1993-07-13 | Eco-Soil Systems, Inc. | Closed apparatus system for improving irrigation and method for its use |
JPH05196526A (ja) * | 1991-11-22 | 1993-08-06 | Nippondenso Co Ltd | 圧力検出装置 |
EP0547684A3 (en) | 1991-12-18 | 1996-11-06 | Koninkl Philips Electronics Nv | Method of manufacturing a semiconductor body comprising a carrier wafer and a monocrystalline semiconducting top layer |
US5271277A (en) | 1991-12-23 | 1993-12-21 | The Boc Group, Inc. | Capacitance pressure transducer |
US5214563A (en) | 1991-12-31 | 1993-05-25 | Compaq Computer Corporation | Thermally reactive lead assembly and method for making same |
US6140143A (en) | 1992-02-10 | 2000-10-31 | Lucas Novasensor Inc. | Method of producing a buried boss diaphragm structure in silicon |
FR2687777B1 (fr) | 1992-02-20 | 1994-05-20 | Sextant Avionique | Micro-capteur capacitif a faible capacite parasite et procede de fabrication. |
US5287746A (en) | 1992-04-14 | 1994-02-22 | Rosemount Inc. | Modular transmitter with flame arresting header |
JP2601128B2 (ja) | 1992-05-06 | 1997-04-16 | 松下電器産業株式会社 | 回路形成用基板の製造方法および回路形成用基板 |
US5236118A (en) | 1992-05-12 | 1993-08-17 | The Regents Of The University Of California | Aligned wafer bonding |
US5242864A (en) | 1992-06-05 | 1993-09-07 | Intel Corporation | Polyimide process for protecting integrated circuits |
US5189591A (en) | 1992-06-12 | 1993-02-23 | Allied-Signal Inc. | Aluminosilicate glass pressure transducer |
EP0579298B1 (de) | 1992-06-15 | 1997-09-03 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Verfahren zum Herstellen einer Platte mit einer ebenen Hauptoberfläche, Verfahren zum Herstellen einer Platte mit parallelen Hauptoberflächen sowie Vorrichtung zum Durchführen der Verfahren |
US5294760A (en) | 1992-06-23 | 1994-03-15 | The Regents Of The University Of California | Digital pressure switch and method of fabrication |
CA2142189A1 (en) * | 1992-08-10 | 1994-02-17 | Hilger A. Walter | Adaptor for mounting a pressure sensor to a gas turbine housing |
US5228862A (en) | 1992-08-31 | 1993-07-20 | International Business Machines Corporation | Fluid pressure actuated connector |
JP3057924B2 (ja) | 1992-09-22 | 2000-07-04 | 松下電器産業株式会社 | 両面プリント基板およびその製造方法 |
US5332469A (en) | 1992-11-12 | 1994-07-26 | Ford Motor Company | Capacitive surface micromachined differential pressure sensor |
US5314107A (en) | 1992-12-31 | 1994-05-24 | Motorola, Inc. | Automated method for joining wafers |
JP2852593B2 (ja) | 1993-03-11 | 1999-02-03 | 株式会社山武 | 静電容量式圧力センサ |
US5369544A (en) | 1993-04-05 | 1994-11-29 | Ford Motor Company | Silicon-on-insulator capacitive surface micromachined absolute pressure sensor |
JP3087152B2 (ja) | 1993-09-08 | 2000-09-11 | 富士通株式会社 | 樹脂フィルム多層回路基板の製造方法 |
US5483834A (en) | 1993-09-20 | 1996-01-16 | Rosemount Inc. | Suspended diaphragm pressure sensor |
US5424650A (en) | 1993-09-24 | 1995-06-13 | Rosemont Inc. | Capacitive pressure sensor having circuitry for eliminating stray capacitance |
JP3111816B2 (ja) | 1993-10-08 | 2000-11-27 | 株式会社日立製作所 | プロセス状態検出装置 |
DE4342890A1 (de) | 1993-12-16 | 1995-06-22 | Mannesmann Kienzle Gmbh | Verfahren zum Abdichten herstellprozeßbedingter Öffnungen an mikromechanischen Beschleunigungssensoren |
US5466630A (en) | 1994-03-21 | 1995-11-14 | United Microelectronics Corp. | Silicon-on-insulator technique with buried gap |
US5437189A (en) | 1994-05-03 | 1995-08-01 | Motorola, Inc. | Dual absolute pressure sensor and method thereof |
US5471884A (en) | 1994-07-05 | 1995-12-05 | Motorola, Inc. | Gain-adjusting circuitry for combining two sensors to form a media isolated differential pressure sensor |
EP1658808A1 (de) | 1994-09-02 | 2006-05-24 | Volcano Corporation | Ultraminiatur-druckfühler und leitdraht hierfür |
US5479827A (en) * | 1994-10-07 | 1996-01-02 | Yamatake-Honeywell Co., Ltd. | Capacitive pressure sensor isolating electrodes from external environment |
US5528452A (en) | 1994-11-22 | 1996-06-18 | Case Western Reserve University | Capacitive absolute pressure sensor |
US5637802A (en) * | 1995-02-28 | 1997-06-10 | Rosemount Inc. | Capacitive pressure sensor for a pressure transmitted where electric field emanates substantially from back sides of plates |
US5731522A (en) | 1997-03-14 | 1998-03-24 | Rosemount Inc. | Transmitter with isolation assembly for pressure sensor |
JPH116780A (ja) * | 1997-06-16 | 1999-01-12 | Tokin Corp | 静電容量型圧力センサ |
JP3239940B2 (ja) | 1997-09-10 | 2001-12-17 | 日本電気株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
US6126889A (en) | 1998-02-11 | 2000-10-03 | General Electric Company | Process of preparing monolithic seal for sapphire CMH lamp |
JP2000111434A (ja) | 1998-10-06 | 2000-04-21 | Hokuriku Electric Ind Co Ltd | 静電容量式圧力センサユニット |
US6131462A (en) | 1998-12-18 | 2000-10-17 | Delaware Capital Formation, Inc. | Pressure/temperature transducer with improved thermal coupling and enhanced transient response |
-
2000
- 2000-01-06 US US09/478,434 patent/US6505516B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2001
- 2001-01-02 GB GB0100038A patent/GB2362716B/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-01-05 DE DE10100321.8A patent/DE10100321B4/de not_active Expired - Fee Related
- 2001-01-09 JP JP2001001908A patent/JP4851011B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0178768A2 (de) * | 1984-09-14 | 1986-04-23 | EMI Limited | Messfühleranordnung |
US5349492A (en) * | 1991-12-26 | 1994-09-20 | Yamatake-Honeywell Co., Ltd. | Capacitive pressure sensor |
EP0928959A2 (de) * | 1998-01-13 | 1999-07-14 | STMicroelectronics, Inc. | Variabler Halbleiterkondensator und Herstellungsverfahren |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6505516B1 (en) | 2003-01-14 |
GB0100038D0 (en) | 2001-02-14 |
JP2001242027A (ja) | 2001-09-07 |
DE10100321A1 (de) | 2001-07-12 |
JP4851011B2 (ja) | 2012-01-11 |
GB2362716B (en) | 2004-01-14 |
GB2362716A (en) | 2001-11-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE10100321B4 (de) | Kapazitive Druckmessung mit beweglichem Dielektrikum | |
DE60108217T2 (de) | Kornwachstumsverfahren zur herstellung einer elektrischen verbindung für mikroelektromechanische systeme (mems) | |
DE60023688T2 (de) | Prozessdruckmessung mit verbesserter fehlerkompensation | |
DE60018611T2 (de) | Verfahren und vorrichtung für einen direkt gebondeten isolierten drucksensor | |
DE69529477T2 (de) | Verfahren zur herstellung eines kapazitiven absolutdrucksensors | |
EP1236038B1 (de) | Kapazitiver sensor | |
DE60024490T2 (de) | Saphir drucksensor stab mit gold germanium isolationshartlotverbindung | |
DE69313716T2 (de) | Gegen Überdruck geschützter kapazitiver Differenzdruckwandler aus Polysilizium und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE3535904C2 (de) | Kapazitiver Absolutdruck-Sensor | |
DE3785037T2 (de) | Kapazitiver druckfuehler. | |
DE69426451T2 (de) | Dielektrisch isolierter Mikroresonanzwandler | |
EP0623824B1 (de) | Mikromechanische Beschleunigungsmessvorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung | |
DE3741941C2 (de) | ||
EP0138893B1 (de) | Kapazitiver drucksensor | |
DE10392622T5 (de) | Barometrischer Drucksensor | |
DE3838333A1 (de) | Kapazitaetsmanometer mit kraftentlastung der festelektrode | |
DE112004000430T5 (de) | Durchflußinstrument mit Mehrfachsensoren | |
EP0195985B1 (de) | Kapazitiver Drucksensor | |
WO2019020529A1 (de) | Drucksensoranordnung, messvorrichtung und verfahren zu deren herstellung | |
DE10392824B4 (de) | Preiswerter kapazitiver in sich geschlossener Druckgeber | |
WO2004111594A1 (de) | Drucksensor mit feuchteschutz | |
DE2922566A1 (de) | Druckwandler, insbesondere wirkdruckgeber | |
EP1583957B1 (de) | Ionensensitiver feldeffekttransistor und verfahren zum herstellen eines ionensensitiven feldeffekttransistors | |
DE4136995A1 (de) | Kapazitiver drucksensor | |
DE9102748U1 (de) | Drucksensor für niedere Drücke |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
8125 | Change of the main classification |
Ipc: G01L 912 |
|
R016 | Response to examination communication | ||
R016 | Response to examination communication | ||
R018 | Grant decision by examination section/examining division | ||
R020 | Patent grant now final | ||
R119 | Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee |