JP2001242027A - 可動誘電体を有する容量型圧力感知装置 - Google Patents

可動誘電体を有する容量型圧力感知装置

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Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】可撓性ダイヤフラム上のメタライズ（金属化）
層のクリープを避ける。 【解決手段】取り付けフレームに対して固定されたコン
デンサ電極の近くの空洞内で移動する誘電体部を有する
ダイヤフラムを備えた圧力センサ。このダイヤフラム
は、フレーム上に支持され、このフレームは空洞を取囲
んでいる。ダイヤフラムは、圧力を受ける外部表面およ
び、空洞に面する内部表面を有する。固定された前記コ
ンデンサ電極は、その近くの誘電体部の動きを感知し、
圧力を示す電気的出力を発生する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】容量型圧力センサは、工業用
トランスミッタおよび航空宇宙用プローブのような要求
の厳しい用途で使用される。
【０００２】
【従来の技術】センサ本体はサファイヤ、シリコンまた
はセラミックのような低ヒステリシス誘電材料の積層体
から形成される。積層体の少なくとも１つの層は、圧力
によって偏向される薄いダイヤフラム領域を含む。金属
製のコンデンサ（キャパシタ）電極が静電容量を形成す
るようにダイヤフラム領域および対向する支持プレート
上に付着（沈積）される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ダイヤフラム上の金属
製コンデンサ電極は、ダイヤフラムが撓む場合に金属が
クリープ（creep）を起こすために、測定圧力にヒステ
リシス誤差をもたらすという問題を生じる可能性があ
る。ダイヤフラム上へのコンデンサ電極の付着およびコ
ンデンサ電極へのリード線の付着は、大量生産で実施
し、管理する製造工程をコスト高にする可能性がある。
【０００４】圧力センサ誤差の他の発生源が、改良され
たダイヤフラム材料、ならびにセンサおよび電気リード
線を取り付ける際の直接ボンディングのような改良され
たボンディングや改良された応力隔離手法の使用によっ
て補償されるのにつれて、撓んでいる低ヒステリシスダ
イヤフラム材料上の金属の存在によるヒステリシス誤差
の問題が、益々重要になっている。ダイヤフラム上への
金属の付着および要求の厳しい用途における圧力センサ
の撓んでいるダイヤフラム上の金属のクリープまたはヒ
ステリシスに関する問題を回避する技術が必要とされて
いる。
【０００５】
【課題を解決するための手段】圧力センサは、取り付け
フレームに対して固定されたコンデンサ電極の近くの空
洞の中で移動する誘電体部を有するダイヤフラムを含
む。このダイヤフラムはフレーム上に支持され、このフ
レームは前記空洞を囲んでいる。ダイヤフラムは、圧力
を受ける外部表面および空洞に面する内部表面を有す
る。内部表面は、圧力によってフレームに対して移動可
能である誘電体部を支持する。
【０００６】コンデンサ電極は、偏向するダイヤフラム
上に設けられるのではなく、両方共固定されている。コ
ンデンサ電極は、偏向するダイヤフラムの近くの誘電体
部の動きを感知し、圧力を示す電気的出力を発生する。
【０００７】
【発明の実施の形態】図１では、工業用圧力センサのた
めの代表的な環境が符号２０で示されている。プロセス
流体ライン２３内の流量計２２、タンク２８の近くの圧
力トランスミッタ２４、２６、３６およびプロセスライ
ン３１内の一体オリフィス流量計３０のような種々のプ
ロセス変数トランスミッタが、制御システム３２に電気
的に接続されるように示されている。制御システム３２
は、制御弁４０を制御する圧力トランスデューサ３８に
供給される電流を制御する。
【０００８】プロセス変数トランスミッタは、化学処理
プラント、パルプ処理プラント、石油処理プラント、ガ
ス処理プラント、製薬プラント、食料処理プラントおよ
びその他の流体処理プラントのスラリー、液体、蒸気お
よびガス（気体）のようなプロセスプラント流体と関連
した、１つまたはそれ以上のプロセス変数を監視するよ
うに構成することができる。監視されるプロセス変数は
流体の圧力、温度、流量、レベル、ｐＨ、伝導度、混濁
度、密度、濃度、化学的組成または他の液体の特性であ
ってもよい。プロセス変数トランスミッタは、プロセス
プラントの設置要求に応じて、トランスミッタの内部ま
たは外部のいずれにあってもよいような、１または複数
のセンサを含んでいる。
【０００９】プロセス変数トランスミッタは、感知され
たプロセス変数を示す１つまたはそれ以上のトランスミ
ッタ出力を発生する。トランスミッタ出力は、通信バス
３４を介して、コントローラ３２またはインジケータま
で長距離にわたって伝送できるように構成される。典型
的な流体処理プラントでは、通信バス３４は、トランス
ミッタに電力を供給する４〜２０ｍＡ電流ループ、また
はフィールドバス接続やＨＡＲＴプロトコル通信接続、
あるいはコントローラ、制御システムまたは読取装置へ
の光ファイバ接続であってもよい。２線ループによって
電力が供給されるトランスミッタでは、電力は、爆発性
雰囲気内においても本性的な安全性を与えるために低く
保持される。
【００１０】図２は、圧力トランスミッタ５０の１例の
分解図を示している。トランスミッタ５０は、差圧を受
けるフランジ５２と、２つの絶対圧センサ（図示せず）
を有するセンサモジュール５４とを含んでいる。センサ
モジュール５４は、電子的トランスミッタ回路５６を有
するハウジング５５に結合する。トランスミッタ５０
は、フランジアダプタ５８にボルト止めされる。フラン
ジアダプタ５８は、フランジアダプタユニオン６０また
は他の連結ハードウェアに結合されたインパルスパイプ
に接続する。センサモジュール５４内の各絶対圧センサ
は、以下に説明されるように、可動誘電体部を含むこと
ができる。
【００１１】図３、図４および図５には、圧力センサ１
００の透視図、分解図および断面図が示される。圧力セ
ンサ１００は、機械的ヒステリシスの低い材料からなる
２つの層１０２、１０４で作られている本体を有する。
層１０２、１０４は好ましくはサファイヤである。ただ
しシリコン、セラミックまたはガラスも、あまり要求が
厳しくない用途のためには使用されてもよい。層１０２
は、空洞１０８を囲む外部リムまたはフレーム１０６で
層１０２に結合される。フレーム１０６は、層１０２上
の第１フレーム部１１０と、層１０４上の第２のフレー
ム部１１２とを含んでいる。その代りに、フレーム１０
６は、２つの層の中の１つの上だけに形成されてもよい
し、またはフレームを構成する中間層を有する３つの層
でセンサ１００が作られてもよい。
【００１２】層１０４は、その周辺縁の周りをフレーム
１０６上に支持された、薄くされた領域すなわちダイヤ
フラム１１４を含む。このダイヤフラム１１４は、圧力
を受ける外部表面１１６と、空洞１０８に面する内部表
面１１８とを有する。誘電体部１２０は内部表面１１８
上に支持される。圧力がダイヤフラム１１４を偏向させ
る場合、誘電体部１２０は、フレーム１０６に対して相
対的に、ダイヤフラム１１４と共に移動する。
【００１３】コンデンサ電極１２２、１２４は、可動誘
電体部１２０の近くの空洞１０８内の層１０４の表面上
で、フレーム１０６に対して固定される。コンデンサ電
極１２２、１２４は、その近くの誘電体部１２０の動き
を感知し、圧力を示す電気的出力を発生する。電気的出
力は、圧力の関数として変化する静電容量である。第１
のコンデンサ電極１２２は、空洞１０８内の空間（間
隙）１２６によって第２のコンデンサ電極１２４から隔
離される。可動誘電体部１２０が空間１２６を通して移
動すると、前記電気的出力が変化する。
【００１４】図３〜図５に示された装置では、空洞１０
８内の空間１２６は、第１および第２のコンデンサ電極
１２２、１２４間の直線１２８とは交差しない。たとえ
誘電体がコンデンサ電極間の直線路を通って移動されな
いとしても、コンデンサ電極のエッジの近くで外側に延
び出た、十分な電界があるので、電極の近くの誘電体材
料の動きを感知できることが分かった。その代りに、図
１２に関して後述するように、コンデンサ電極が取り付
け面から上向きに立上り、誘電体部がプレート間で直接
移動する場合は、空洞１０８内の空間が第１のコンデン
サ電極と第２のコンデンサ電極との間の直線と交差する
ことができる。
【００１５】図３〜図５では、可動誘電体部１２０およ
びダイヤフラム１１４にはメタライズされた導体部がな
い。したがって、ダイヤフラムが圧力の変動で偏向する
か、または曲がる場合でも、金属のヒステリシスまたは
クリープ（creeping）に関する問題が生じない。好まし
くは、可動誘電体部１２０はダイヤフラム１１４と一体
構成であり、これにより、誘電体部１２０とダイヤフラ
ム１１４との間に接合材料がある場合に、そうでなけれ
ば生じ得るようなクリープを避けることができる。コン
デンサ電極１２２、１２４は、著しく撓むことはない、
より厚い支持面上に固定される。
【００１６】圧力センサ１００は、好ましくは、直接接
合され、真空排気されて密封されるので、空洞１０８内
は高品質の真空である。シール１２７がリード線のフィ
ードスルーノッチ１２８の上に塗布され、このシール１
２７は高真空を保持する。シール１２７は、好ましく
は、ガラスフリット、例えば、細かに分割されたガラス
ダストおよびエチルセルロースの混合物から構成され
る。ガラスフリットがフィードスルーノッチの上に配置
された後、ガラスフリットは、エチルセルロースを放出
するように加熱され、ガラスシールを形成するようにガ
ラスダストが融かされる。その代りに、各リード線は、
別個のフィードスルーノッチを通して取り出すことがで
き、各ノッチは導電性はんだ、またはろう付けシールで
密封できる。
【００１７】フレーム１０６は細長く形成され、加圧さ
れるダイヤフラムを含む第１の端部１３０と、第１の端
部とは反対側の、加圧から隔離され、さらにコンデンサ
電極１２２、１２４のための電気的接続部１３４を含む
第２の端部１３２とを有している。
【００１８】メサ１３６は、第１および第２の端部１３
０、１３２間の取り付け領域の増加支持（increae supp
ort）を提供する。センサ１００の取り付け領域は、図
９〜図１０に示されるようにプロセス流体と電気的接続
部との間の密封バリアのための場所を与える。
【００１９】図３〜図５に示される圧力センサ１００
は、中央にある溝（チャンネル）または空洞１０８の周
りに形成されたビーム１３８または細長いフレームと見
ることができる。圧力センサは中央の溝内にある支持面
１４０を有する。ビームは、圧力を受ける外部ダイヤフ
ラム面１１６および内部ダイヤフラム面１１８を有し、
誘電体で構成されたダイヤフラム１１４を含む。内部ダ
イヤフラム面１１８は、中央溝内の支持面１４０から離
れて間隔をあけられている。誘電体１２０は、圧力に応
じて支持面１４０に対して移動可能である。コンデンサ
電極１２２、１２４は、可動誘電体１２０の近くの支持
面１４０上に固定される。コンデンサ電極１２２、１２
４は、その近くの誘電体１２０の動きを感知し、圧力を
示す電気的出力をリード線１３４上に供給する。
【００２０】図６〜図７は層１０２、１０４の拡大図を
示し、図３〜図５に示されるのと同じ参照番号を使用す
る。図６に示されるように、センサ１００はまた、トラ
ンスミッタ回路に接続されて改良された温度補償を行う
ことのできる温度センサ素子１３５をも含むことができ
る。温度センサ素子１３５は、図示されるように薄膜白
金抵抗温度計であってもよいし、容量または他の公知の
型式の温度センサが使用されてもよい。図７に示される
ように、層１０４は、メタライズ加工（電極形成）され
ていないダイヤフラム１１４を含む。したがって、ダイ
ヤフラム１１４が偏向する場合でも、ダイヤフラム上の
メタライズ部のクリープによる誤差が生じない。
【００２１】センサ１００は、図８の概略断面図によっ
て示された好ましい方法によって製造される。まず第一
に、層１０２、１０４が、１５０で示されるようなビー
ムの構成要素を形成するように成形加工される。成形加
工は、代表的には、微細構造製造工程において普通のマ
スク技術を使用する、平坦な層の選択的化学エッチング
によって行われる。衝合面１５２、１５４は、直接接合
のためのオプティカルフラット（光学的平面）になるよ
うに仕上げされる。次に、感知フィルム１２２、１２４
が１５６で示されるように層１０２上に沈積される。
【００２２】その後、成形された層１０２、１０４が互
いに直接接触するように積み重ねられ、それらの間に空
間１２６を有するコンデンサ電極１２２、１２４を支持
面１４０上に具備し、かつ１５８で示されるようなコン
デンサ電極の近くの空間１２６内で偏向可能な誘電体部
１２０を具備するビーム１３８が形成される。次にビー
ム１３８が加熱されている間、これらの層は非常に清浄
なオプティカルフラットな面で互いに直接接触される。
直接接合のための接合材料は必要とされない。ある場合
には、加熱をしない接合が適切である。
【００２３】１６０で示されるように、リード線の周り
のギャップにガラスフリットシール１２７を形成するこ
とによって、溝が密封される。この溝は、好ましくは、
このセンサを絶対圧センサにするために、内部を真空に
して密封される。
【００２４】図９には、図２に示されたモジュール５４
に対応する圧力感知モジュール１８０が示されている。
組立体１８０は、図３〜図７に示されるような２つのセ
ンサ１８２、１８４を含んでいる。図９では、隔離カッ
プ１９８は、ブラインド端部と対向する隔離端部との間
で、ビームの外部表面まで密封された開口２００を有す
る。センサ１８２、１８４は、回路板２００に結線さ
れ、この回路板２００はさらに、密封されたフィードス
ルー２０１を通して第２の回路板２０２に結線される。
【００２５】図１０では、感知モジュール２１０は、隔
離カップ２１６にシールされたリム２１４を有する隔離
ダイヤフラム２１２を含むように示されている。隔離ダ
イヤフラム２１２は、プロセス流体を、隔離カップ２１
６および隔離ダイヤフラム２１２によって囲まれた空間
に密封される隔離流体２２０から隔離する。センサ２２
２は、図３〜図７に示されるように構成され、隔離カッ
プ２１６の開口２２４に密封される。隔離ダイヤフラム
２１２および隔離流体２２０は、プロセス流体２１８か
らセンサを隔離しながら、一方では、その圧力をセンサ
２２２に結合する。
【００２６】隔離カップ２１６は、密封された開口２２
４を貫通するセンサ２２２を有し、加圧プロセス流体２
１８および加圧隔離流体２２０の両方からセンサ２２２
上の電気的接続部２２６を絶縁する。隔離カップは、セ
ンサ２２２の熱膨張係数に厳密に整合する熱膨張係数を
有するバックプレート２２８を含んでもよい。材料２３
０のブロックは隔離カップ２１６内に圧入することがで
き、材料２３０は、温度変化による隔離ダイヤフラム２
１２の望ましくない動きを制限するように、隔離流体２
２０の熱膨張係数を部分的に補償するような熱膨張係数
を有する。ブロック２３０とセンサ２２２との間には、
隔離流体２２０で充満された小さいギャップが設けられ
ている。
【００２７】図１１〜図１３には、固定コンデンサ電極
および可動誘電体の他の実施形態が示される。図１１で
は、ダイヤフラムである平坦な誘電体部２５０は、直接
的にはコンデンサ電極２５４、２５６の間に位置しない
が、コンデンサ電極からのフリンジ（fringing）電界の
領域である、コンデンサ電極のわずか上にある空間２５
２内で移動する。図１２では、誘電体部２５８は、コン
デンサ電極２６２、２６４間の直線上にある空間２６０
内で移動する。図１３では、誘電体部２８０は、コンデ
ンサ電極２８４、２８６間の直線上にはない空間２８２
内で移動する。
【００２８】図１４では、コンデンサ電極２６６、２６
８は、シールド電極またはスクリーン電極２７２、２７
４によって支持プレート２７０を介する浮遊結合から遮
蔽される。スクリーン電極２７２、２７４は単位利得バ
ッファ２７６、２７８によって駆動される。
【００２９】図１５〜図１６には、可動誘電体２９０お
よび、支持面２９６上で交互に配置された（interdigit
ated）固定コンデンサ電極２９２、２９４が示されてい
る。コンデンサ電極の交互配置は、ダイヤフラムの近く
の、よりコンパクトな空間内でより大きい静電容量を与
える。この明細書で使用されている用語「交互配置」
は、コンデンサ電極が単純な矩形または丸形ではなく、
小さい表面積内にある電極間に長いギャップを与えるよ
うな、複雑な幾何学形状を有することを意味する。
【００３０】交互配置されたコンデンサ電極は、各電極
上に互い違いの複数のフィンガー(fingers)を有する、
図示されたコンデンサ電極のような配置を含んでもよ
く、また小さい空間内で長いギャップを与えるように互
いに隣接してジグザグ状にされた、曲がりくねった電極
をも含むことができる。フィンガーおよび曲がりくねっ
た経路の組み合わせも、本発明の範囲内に含むように意
図されている。
【００３１】図１７〜図１８には、可動誘電体３００、
支持プレート３０６上の交互配置された固定コンデンサ
電極３０２、３０４、および単位利得バッファ３１２、
３１４で駆動される電気的シールド導体３０８、３１０
を有する実施形態が示されている。この配置は、実効浮
遊容量を減少したことによって改良されたゲージ率（Δ
Ｃ／Ｃ0）を有する圧力センサのための大きな静電容量
を、コンパクトな空間に生じさせる。バッファ３１２、
３１４によって能動的に駆動されている電気シールド導
体３０８、３１０によって、Ｃ0（静止時の容量）がよ
り一層小さくなるために、Ｃ0で割ったΔＣ（最小圧力
から最大目盛圧力までの容量の変化）の比はより高くな
る。シールド導体３０８、３１０は、バッファによっ
て、隣接するコンデンサ電極とほぼ同電位に動的に保持
される。
【００３２】コンデンサ電極へのノイズの結合を減らす
ために、コンデンサ電極の周辺の領域に、アースされた
シールド電極またはスクリーン電極を備えることもでき
る。
【００３３】図１９は、コンデンサ電極およびそれらの
間に介在された誘電体の寸法配置を示している。寄生効
果を無視すれば、離隔配置された電極の静電容量は誘電
体ダイヤフラムの変位（ｔ）関数としての下記の式によ
って表わされる。 Ｃ（ｔ）＝,0Ｗ［（（Ｔ−ｔ）／（ｓ＋ｄ）＋（ｔＫ）／（ｓ＋Ｋｄ）］… 式１
【００３４】ここで、,0＝自由空間の誘電率； Ｗ＝電極２２Ａおよび２２Ｂの対向面の長さ； Ｔ＝電極２２Ａおよび２２Ｂの高さ； ｔ＝電極２２Ａおよび２２Ｂ間での、高さ方向の直線に
沿った、突出部３８の高さの部分； Ｋ＝誘電体突出部３８を形成する材料の比誘電率； Ｓ＝電極２２Ａおよび２２Ｂ間に延在する突出部３８の
幅； ｄ＝電極２２Ａおよび２２Ｂの対向面間の、矢印５１に
よって示された幅から前記幅Ｓを減算して得られた幅。
【００３５】コンデンサ電極とも呼ばれる電極間の静電
容量のスパンは、下記のとおりである。 ΔＣ＝Ｃ（ｔ）−Ｃ（０）…式２ 式１および式２を結合すると、式３が得られる。 ΔＣ＝,0Ｗｔ［（Ｋ／（ｓ＋Ｋｄ）−１／（ｓ＋ｄ）］…式３
【００３６】この配置は、従来の可動電極式容量型セン
サに較べて多くの長所を有する。可動誘電体装置は、従
来の装置に比べて５倍またはそれ以上の利得係数を有す
ることができる。容量のほぼ同等の変化に対して必要と
される偏向が少なくて済む。さらに、可動誘電体部のた
めに、より高い誘電率を有する材料を使用でき、またコ
ンデンサ電極を支持するためにより低い誘電率を有する
材料を使用して浮遊容量を減らすことができる。
【００３７】圧力と容量変化との関係は、可動誘電体に
対してより直線的であり、電子的補償または線形化に対
する要求を減らすことができる。この装置は、本来的に
過圧力保護を提供し、過圧力状態の下で短絡したり、ま
たは過圧力状態の下で非常に大きい容量値になったりし
てコンデンサ電極を危険に陥し入れることがない。コン
デンサ電極のめっきが一方の層上で行われる必要がある
だけで、ダイヤフラムは電極形成（メタライズ）をしな
いままでよいために、製造が簡単である。
【００３８】図２０は、タービンエンジン装置６４のた
めの圧力センサ装置６２を示している。タービンエンジ
ンは、タービンエンジンハウジング６８内で回転するブ
レード６６のようなタービンエンジンブレードを含む。
タービンエンジン内の圧力を感知するために、タービン
エンジンハウジング６８には孔７０が設けられている。
圧力センサ装置６２は、受け台（ペデスタル）７２によ
ってタービンハウジング６８から離隔されている。
【００３９】受け台７２は、圧力センサ装置６２のため
の、より低い温度環境を与えるように、タービンハウジ
ングから圧力センサ装置６２を隔離する。受け台７２を
貫通する通路７４は、タービンハウジング内の加圧ガス
を圧力感知装置６２に結合する。圧力センサ７４が圧力
感知装置６２の中に含まれる。圧力センサ７４は可動誘
電体を含む。圧力センサ７４はまた、ビーム内の封止ギ
ャップ８０を通過し、リード線８２によって電子変換回
路（図示せず）に接続する絶縁センサリード線７８をも
含む。
【００４０】本発明は、好ましい実施形態を参照して説
明されているけれども、当業者は、本発明の精神および
範囲から逸脱しないで、形式および詳細な点で変更が行
われてもよいことを理解するであろう。
【図面の簡単な説明】
【図１】圧力トランスミッタのための環境を示してい
る。
【図２】トランスミッタの実施形態を示している。
【図３】可動誘電体を有する容量型圧力センサの実施形
態の様々な図を示している。
【図４】可動誘電体を有する容量型圧力センサの実施形
態の様々な図を示している。
【図５】可動誘電体を有する容量型圧力センサの実施形
態の様々な図を示している。
【図６】可動誘電体を有する容量型圧力センサの実施形
態の様々な図を示している。
【図７】可動誘電体を有する容量型圧力センサの実施形
態の様々な図を示している。
【図８】可動誘電体を有する容量型圧力センサを製造す
る方法を示している。
【図９】可動誘電体を持っている容量型センサを有する
圧力トランスミッタの部分断面図を示している。
【図１０】隔離組立体内に配置された可動誘電体を有す
る容量型圧力センサを示している。
【図１１】容量型圧力センサのコンデンサ電極および可
動誘電体の配置を示している。
【図１２】容量型圧力センサのコンデンサ電極および可
動誘電体の配置を示している。
【図１３】容量型圧力センサのコンデンサ電極および可
動誘電体の配置を示している。
【図１４】可動誘電体および遮蔽配置を有する容量型圧
力センサを示している。
【図１５】可動誘電体を有する容量型センサのための互
いに噛合わされた電極配置を示している。
【図１６】可動誘電体を有する容量型センサのための互
いに噛合わされた電極配置を示している。
【図１７】互いに噛合わされた電極のための遮蔽配置を
示している。
【図１８】互いに噛合わされた電極のための遮蔽配置を
示している。
【図１９】コンデンサ電極の幾何学的配置を示してい
る。
【図２０】航空宇宙用プローブのための環境を示してい
る。
【符号の説明】
１０２、１０４……層、１１６……外部ダイヤフラム
面、１２２、１２４……感知フィルム（コンデンサ電
極）、１２６……空間、１２７……ガラスフリットシー
ル、１３４……リード線（電気的接続部）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 チャールス アール．ウィルコックス アメリカ合衆国 55346 ミネソタ州、エ デン プレイリー、サウス メイノール ロード 16427

Claims (22)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 空洞を囲むフレームと、 前記フレーム上に支持され、かつ圧力を受ける外表面、
    および前記空洞に面する内表面を有するダイヤフラム
    と、 前記内表面上に支持されており、前記圧力によって前記
    フレームに対して移動可能である誘電体部と、 前記移動可能な誘電体部の近くの前記空洞内で、前記フ
    レームに対して固定されており、その近くの誘電体部の
    動きを感知して前記圧力を示す電気的出力を発生するコ
    ンデンサ電極とを備えたことを特徴とする圧力センサ。
  2. 【請求項２】 前記コンデンサ電極が、前記空洞内の空
    間によって第２のコンデンサ電極から隔離された第１の
    コンデンサ電極を含み、前記誘電体部が、前記電気的出
    力を変化させるように前記空間を通して移動可能である
    ことを特徴とする請求項１の圧力センサ。
  3. 【請求項３】 前記空洞内の空間が、前記第１および第
    ２のコンデンサ電極間の直線と交差することを特徴とす
    る請求項２の圧力センサ。
  4. 【請求項４】 前記空洞の空間が、前記第１および第２
    のコンデンサ電極間の直線と交差しないことを特徴とす
    る請求項２の圧力センサ。
  5. 【請求項５】 前記移動可能誘電体には導体が配置され
    ていないことを特徴とする請求項１の圧力センサ。
  6. 【請求項６】 前記空洞が真空排気され、かつ密封され
    たことを特徴とする請求項１の圧力センサ。
  7. 【請求項７】 前記フレームは細長く、かつ前記ダイヤ
    フラムを含む第１の端部と、前記第１の端部の反対側に
    あって、加圧から隔離され、かつ前記コンデンサ電極の
    ための電気的接続部を含む第２の端部とを有することを
    特徴とする請求項１の圧力センサ。
  8. 【請求項８】 前記コンデンサ電極が交互配置された請
    求項１の圧力センサ。
  9. 【請求項９】 その上に前記コンデンサ電極が配置され
    た支持プレートと、前記支持プレート上に配置されたス
    クリーン電極とをさらに具備したことを特徴とする請求
    項８の圧力センサ。
  10. 【請求項１０】 前記スクリーン電極に接続された単位
    利得バッファをさらに具備したことを特徴とする請求項
    ９の圧力センサ。
  11. 【請求項１１】 中央溝の周りに形成され、かつ前記中
    央溝内に支持面を有するビームであって、圧力を受ける
    外部ダイヤフラム面、および誘電体で形成され、かつ前
    記中央溝の前記支持面から隔離された内部ダイヤフラム
    面を有し、前記誘電体が前記圧力によって前記支持面に
    対して移動可能であるビームと、 前記移動可能誘電体の近くの前記支持面上に固定されて
    おり、近くの誘電体の移動を感知して前記圧力を示す電
    気的出力を供給するコンデンサ電極とを具備したことを
    特徴とする圧力センサ。
  12. 【請求項１２】 前記コンデンサ電極が、前記中央溝内
    の空間によって第２のコンデンサ電極から隔離された第
    １のコンデンサ電極を含み、前記移動可能誘電体部が、
    前記電気的出力を変化させるように前記空間を通して移
    動可能であることを特徴とする請求項１１の圧力セン
    サ。
  13. 【請求項１３】 前記中央溝内の空間が、前記第１およ
    び第２のコンデンサ電極間の直線と交差することを特徴
    とする請求項１１の圧力センサ。
  14. 【請求項１４】 前記中央溝内の空間が、前記第１およ
    び第２のコンデンサ電極間の直線と交差しないことを特
    徴とする請求項１１の圧力センサ。
  15. 【請求項１５】 前記移動可能誘電体には導体がないこ
    とを特徴とする請求項１１の圧力センサ。
  16. 【請求項１６】 前記中央溝が真空排気され、かつ密封
    されることを特徴とする請求項１１の圧力センサ。
  17. 【請求項１７】 前記フレームが細長く、かつ前記ダイ
    ヤフラムを含む第１の端部と、加圧から隔離され、かつ
    前記コンデンサ電極のための電気的接続部を含む、前記
    第１の端部の反対側の第２の端部とを有することを特徴
    とする請求項１１の圧力センサ。
  18. 【請求項１８】 前記コンデンサ電極が交互配置された
    請求項１１の圧力センサ。
  19. 【請求項１９】 前記支持プレート上に配置されたスク
    リーン電極をさらに具備したことを特徴とする請求項１
    ８の圧力センサ。
  20. 【請求項２０】 前記スクリーン電極に接続された単位
    利得バッファをさらに具備したことを特徴とする請求項
    １９の圧力センサ。
  21. 【請求項２１】 空洞を囲むフレームと、 前記フレーム上に支持されており、圧力を受ける外部表
    面、および前記空洞に面する内部表面を有するダイヤフ
    ラムと、 前記内部表面上に支持されており、前記圧力によって前
    記フレームに対して移動可能である誘電体部と、 前記移動可能誘電体部の近くの前記空洞内の前記フレー
    ムに対して固定されており、圧力を示す電気的出力を発
    生するコンデンサ電極を含む、前記誘電体部の動きを感
    知する手段とを具備したことを特徴とする圧力センサ。
  22. 【請求項２２】 中央溝の周りに形成され、かつ前記中
    央溝内に支持面を有するビームであって、圧力を受ける
    外部ダイヤフラム面、および誘電体で形成され、かつ前
    記中央溝の前記支持面から隔離された内部ダイヤフラム
    面を有し、前記誘電体が前記圧力によって前記支持面に
    対して移動可能であるビームと、 前記移動可能誘電体の近くの前記支持面上に固定されて
    おり、圧力を示す電気的出力を供給するコンデンサ電極
    を含む、前記誘電体の動きを感知する手段とを具備した
    ことを特徴とする圧力センサ。
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DE (1) DE10100321B4 (ja)
GB (1) GB2362716B (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006349478A (ja) * 2005-06-15 2006-12-28 Denso Corp 静電容量型力学量センサおよびその製造方法
JP2013190325A (ja) * 2012-03-14 2013-09-26 Azbil Corp 差圧発信器
JP2014163837A (ja) * 2013-02-26 2014-09-08 Toyota Central R&D Labs Inc 混相流状態計測装置及びセンサ
JP2016532878A (ja) * 2013-09-26 2016-10-20 ローズマウント インコーポレイテッド 高圧作業用圧力トランスミッタのプロセス流体圧力検知アッセンブリ

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10347861A1 (de) * 2003-10-10 2005-04-28 Endress & Hauser Gmbh & Co Kg Meßaufnehmer
US7204162B2 (en) * 2004-11-23 2007-04-17 Delphi Technologies, Inc. Capacitive strain gauge
US8104358B1 (en) * 2006-01-23 2012-01-31 University Of Puerto Rico High sensitivity passive wireless strain sensor
EP2056708B1 (en) * 2006-08-29 2014-07-16 California Institute of Technology Microfabricated implantable wireless pressure sensor for use in biomedical applications and pressure measurement and sensor implantation methods
US7677107B2 (en) * 2007-07-03 2010-03-16 Endotronix, Inc. Wireless pressure sensor and method for fabricating wireless pressure sensor for integration with an implantable device
DE102009035973B4 (de) 2009-08-04 2011-07-07 Baumer Innotec Ag Anordnung und Verfahren zur kapazitiven Druckmessung
WO2012003403A2 (en) 2010-06-30 2012-01-05 Indiana University Research And Technology Corporation Supersensitive linear pressure transducer
US9010191B2 (en) 2011-12-22 2015-04-21 Rosemount Inc. Pressure sensor module for sub-sea applications
US9389106B2 (en) 2012-03-06 2016-07-12 Rosemount Inc. Remote seal pressure measurement system for subsea use
US8984952B2 (en) 2012-09-07 2015-03-24 Dynisco Instruments Llc Capacitive pressure sensor
US9103738B2 (en) 2012-09-07 2015-08-11 Dynisco Instruments Llc Capacitive pressure sensor with intrinsic temperature compensation
US8943895B2 (en) 2012-09-07 2015-02-03 Dynisco Instruments Llc Capacitive pressure sensor
US9442031B2 (en) 2013-06-28 2016-09-13 Rosemount Inc. High integrity process fluid pressure probe
EP3598097B8 (en) * 2013-07-19 2023-10-11 Rosemount, Inc. Pressure transmitter having an isolation assembly with a two-piece isolator plug
US9234776B2 (en) 2013-09-26 2016-01-12 Rosemount Inc. Multivariable process fluid transmitter for high pressure applications
US10260980B2 (en) 2013-09-27 2019-04-16 Rosemount Inc. Pressure sensor with mineral insulated cable
US9222815B2 (en) 2013-12-30 2015-12-29 Rosemount Inc. Wafer style insertable magnetic flowmeter with collapsible petals
US10107700B2 (en) 2014-03-24 2018-10-23 Rosemount Inc. Process variable transmitter with process variable sensor carried by process gasket
US9638600B2 (en) 2014-09-30 2017-05-02 Rosemount Inc. Electrical interconnect for pressure sensor in a process variable transmitter
DE102014115802A1 (de) * 2014-10-30 2016-05-04 Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg Kapazitiver Drucksensor und Verfahren zu dessen Herstellung
AU2018224198B2 (en) 2017-02-24 2023-06-29 Endotronix, Inc. Wireless sensor reader assembly
US11615257B2 (en) 2017-02-24 2023-03-28 Endotronix, Inc. Method for communicating with implant devices
US10598559B2 (en) 2017-06-29 2020-03-24 Rosemount Inc. Pressure sensor assembly
US11371899B2 (en) 2018-05-17 2022-06-28 Rosemount Inc. Measuring element with an extended permeation resistant layer
EP3795218B1 (en) 2019-09-20 2024-02-28 Marioff Corporation OY Fire suppression system

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58129221A (ja) * 1982-01-28 1983-08-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd 計量装置
JPS6013235A (ja) * 1983-07-01 1985-01-23 Kinseki Kk 圧力センサ−
JPH01117714A (ja) * 1987-10-30 1989-05-10 Iseki & Co Ltd コンバインの負荷制御方式
JPH05196526A (ja) * 1991-11-22 1993-08-06 Nippondenso Co Ltd 圧力検出装置

Family Cites Families (217)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1648764U (de) 1952-10-06 1952-12-31 Agnes Speer Schnelleinfaedler fuer naehmaschinen-, naeh- und stopfnadeln.
US3239827A (en) 1960-01-12 1966-03-08 Rosemount Eng Co Ltd High precision pressure standard
US3079576A (en) 1961-02-01 1963-02-26 Rosemount Eng Co Ltd Integral strain transducer
US3147085A (en) 1961-09-14 1964-09-01 Gen Electric Apparatus for growing whiskers
BE635328A (ja) 1962-07-25
GB1069435A (en) 1963-05-21 1967-05-17 G V Planer Ltd Electromechanical transducer device
NL6411121A (ja) 1964-09-24 1966-03-25
US3356963A (en) 1966-06-23 1967-12-05 Willard E Buck Fused quartz motion sensitive transducer
US3405559A (en) 1966-11-07 1968-10-15 United Aircraft Corp Pressure transducer
US3440873A (en) 1967-05-23 1969-04-29 Corning Glass Works Miniature pressure transducer
US3750476A (en) 1967-09-25 1973-08-07 Bissett Berman Corp Pressure transducer
US3589965A (en) 1968-11-27 1971-06-29 Mallory & Co Inc P R Bonding an insulator to an insulator
US3696985A (en) 1969-12-31 1972-10-10 Western Electric Co Methods of and apparatus for aligning and bonding workpieces
USRE28798E (en) 1969-12-31 1976-05-04 Western Electric Co., Inc. Methods of and apparatus for aligning and bonding workpieces
US3743552A (en) 1970-01-30 1973-07-03 North American Rockwell Process for coplanar semiconductor structure
US3645137A (en) 1970-04-16 1972-02-29 Bendix Corp Quartz pressure sensor
DE2021479A1 (de) 1970-05-02 1971-11-11 Kleinwaechter Hans Druckmessgeraet zur Messung von Drucken in Gasen und Fluessigkeiten
IL38468A (en) 1971-02-02 1974-11-29 Hughes Aircraft Co Electrical resistance device and its production
CS153132B1 (ja) 1971-02-12 1974-02-25
US3715638A (en) 1971-05-10 1973-02-06 Bendix Corp Temperature compensator for capacitive pressure transducers
US3962921A (en) 1972-02-04 1976-06-15 The Garrett Corporation Compensated pressure transducer
US3854892A (en) 1972-04-20 1974-12-17 Gen Electric Direct bonding of metals with a metal-gas eutectic
US3744120A (en) 1972-04-20 1973-07-10 Gen Electric Direct bonding of metals with a metal-gas eutectic
US3766634A (en) 1972-04-20 1973-10-23 Gen Electric Method of direct bonding metals to non-metallic substrates
US3899878A (en) 1972-07-19 1975-08-19 Int Harvester Co Apparatus for indicating gas temperatures
US3834604A (en) 1972-10-03 1974-09-10 Western Electric Co Apparatus for solid-phase bonding mating members through an interposed pre-shaped compliant medium
US3939559A (en) 1972-10-03 1976-02-24 Western Electric Company, Inc. Methods of solid-phase bonding mating members through an interposed pre-shaped compliant medium
SU463643A1 (ru) 1973-01-03 1975-03-15 Ордена Ленина Предприятие П/Я А-1705 Способ изготовлени изделий
FR2246506A1 (en) 1973-10-09 1975-05-02 Podvigalkina Galina Joining of silicate glass lenses - by formation of silicate film on lens surface(s) then sintering together by IR radiation
US3858097A (en) 1973-12-26 1974-12-31 Bendix Corp Pressure-sensing capacitor
US3994430A (en) 1975-07-30 1976-11-30 General Electric Company Direct bonding of metals to ceramics and metals
US4426673A (en) 1976-03-12 1984-01-17 Kavlico Corporation Capacitive pressure transducer and method of making same
US4177496A (en) 1976-03-12 1979-12-04 Kavlico Corporation Capacitive pressure transducer
US4084438A (en) 1976-03-29 1978-04-18 Setra Systems, Inc. Capacitive pressure sensing device
US4018374A (en) 1976-06-01 1977-04-19 Ford Aerospace & Communications Corporation Method for forming a bond between sapphire and glass
US4064549A (en) 1976-08-31 1977-12-20 Metrolology General Corporation Cylindrical capacitive quartz transducer
US4158217A (en) 1976-12-02 1979-06-12 Kaylico Corporation Capacitive pressure transducer with improved electrode
US4128006A (en) 1976-12-13 1978-12-05 Bunker Ramo Corporation Packaging of pressure sensor cells
US4127840A (en) 1977-02-22 1978-11-28 Conrac Corporation Solid state force transducer
US4078711A (en) 1977-04-14 1978-03-14 Rockwell International Corporation Metallurgical method for die attaching silicon on sapphire devices to obtain heat resistant bond
US4208782A (en) 1977-12-12 1980-06-24 Kulite Semiconductor Products, Inc. Methods of fabricating transducers employing flat bondable surfaces with buried contact areas
US4202217A (en) 1977-12-12 1980-05-13 Kulite Semiconductor Products, Inc. Semiconductor transducers employing flat bondable surfaces with buried contact areas
SU736216A1 (ru) 1978-02-22 1980-05-25 Предприятие П/Я А-3695 Способ изготовлени газоразр дной лампы
JPS5516228A (en) 1978-07-21 1980-02-04 Hitachi Ltd Capacity type sensor
US4196632A (en) 1978-08-14 1980-04-08 The Boeing Company Dual capacitance type bonded pressure transducer
GB2034478B (en) 1978-11-07 1983-03-02 Vaisala Oy Pressure gauge having an aneroid capsule
US4278195A (en) 1978-12-01 1981-07-14 Honeywell Inc. Method for low temperature bonding of silicon and silicon on sapphire and spinel to nickel and nickel steel and apparatus using such _a bonding technique
US4274125A (en) 1979-01-23 1981-06-16 The Bendix Corporation Temperature compensated capacitance pressure transducer
JPS5937716Y2 (ja) 1979-01-31 1984-10-19 日産自動車株式会社 半導体差圧センサ
JPS5817421B2 (ja) 1979-02-02 1983-04-07 日産自動車株式会社 半導体圧力センサ
US4236137A (en) 1979-03-19 1980-11-25 Kulite Semiconductor Products, Inc. Semiconductor transducers employing flexure frames
US4216404A (en) 1979-04-12 1980-08-05 Kulite Semiconductor Products Inc. Housing and lead arrangements for electromechanical transducers
FR2455733A1 (fr) 1979-04-19 1980-11-28 Motorola Inc Capteur de pression a effet capacitif et procede de fabrication
US4222277A (en) 1979-08-13 1980-09-16 Kulite Semiconductor Products, Inc. Media compatible pressure transducer
CA1154502A (en) 1979-09-04 1983-09-27 Joseph W. Crow Semiconductor variable capacitance pressure transducer
US4301492A (en) 1980-01-28 1981-11-17 Paquin Maurice J Pressure-sensing transducer
US4382247A (en) 1980-03-06 1983-05-03 Robert Bosch Gmbh Pressure sensor
JPS56129831A (en) 1980-03-17 1981-10-12 Yokogawa Hokushin Electric Corp Pressure converter
DE3015356A1 (de) 1980-04-22 1981-10-29 Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart Freitragende schichten sowie verfahren zur herstellung freitragender schichten, insbesondere fuer sensoren fuer brennkraftmaschinen
DE3030765C2 (de) 1980-08-14 1985-09-26 Friedrich Grohe Armaturenfabrik Gmbh & Co, 5870 Hemer Elektronisch geregeltes Mischventil
US4419142A (en) 1980-10-24 1983-12-06 Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha Method of forming dielectric isolation of device regions
SE436936B (sv) 1981-01-29 1985-01-28 Asea Ab Integrerad kapacitiv givare
US4422335A (en) 1981-03-25 1983-12-27 The Bendix Corporation Pressure transducer
US4443293A (en) 1981-04-20 1984-04-17 Kulite Semiconductor Products, Inc. Method of fabricating transducer structure employing vertically walled diaphragms with quasi rectangular active areas
US4359498A (en) 1981-04-20 1982-11-16 Kulite Semiconductor Products, Inc. Transducer structure employing vertically walled diaphragms with quasi rectangular active areas
WO1982003914A1 (en) 1981-05-07 1982-11-11 Taniuchi Tetsuo A temperature detector
US4389895A (en) 1981-07-27 1983-06-28 Rosemount Inc. Capacitance pressure sensor
US4456901A (en) 1981-08-31 1984-06-26 Kulite Semiconductor Products, Inc. Dielectrically isolated transducer employing single crystal strain gages
US4412203A (en) 1981-09-10 1983-10-25 Kulite Semiconductor Products, Inc. Housing and interconnection assembly for a pressure transducer
JPS5855732A (ja) 1981-09-30 1983-04-02 Hitachi Ltd 静電容量型圧力センサ
US4454765A (en) 1981-11-03 1984-06-19 Lodge Arthur S Extended range pressure transducers
GB2109099B (en) 1981-11-05 1985-07-24 Glaverbel Composite refractory articles and method of manufacturing them
US4416156A (en) 1981-12-23 1983-11-22 Honeywell Inc. High pressure electrical feedthru
NL8201222A (nl) 1982-03-24 1983-10-17 Philips Nv Verstembare fabry-perot interferometer en roentgenbeeldweergeefinrichting voorzien van een dergelijke interferometer.
US4422125A (en) 1982-05-21 1983-12-20 The Bendix Corporation Pressure transducer with an invariable reference capacitor
US4424713A (en) 1982-06-11 1984-01-10 General Signal Corporation Silicon diaphragm capacitive pressure transducer
US4535219A (en) 1982-10-12 1985-08-13 Xerox Corporation Interfacial blister bonding for microinterconnections
DE3404262A1 (de) 1983-03-09 1984-09-13 Fuji Electric Co., Ltd., Kawasaki Kapazitiver messfuehler
US5007841A (en) 1983-05-31 1991-04-16 Trw Inc. Integrated-circuit chip interconnection system
US4479070A (en) 1983-06-10 1984-10-23 Sperry Corporation Vibrating quartz diaphragm pressure sensor
DE3324661A1 (de) 1983-07-08 1985-01-17 Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim Verfahren zum direkten verbinden von metall mit keramik
US4517622A (en) 1983-08-29 1985-05-14 United Technologies Corporation Capacitive pressure transducer signal conditioning circuit
US4507973A (en) 1983-08-31 1985-04-02 Borg-Warner Corporation Housing for capacitive pressure sensor
JPS6051700A (ja) 1983-08-31 1985-03-23 Toshiba Corp シリコン結晶体の接合方法
US4539061A (en) 1983-09-07 1985-09-03 Yeda Research And Development Co., Ltd. Process for the production of built-up films by the stepwise adsorption of individual monolayers
NL8303109A (nl) 1983-09-08 1985-04-01 Philips Nv Werkwijze voor het aan elkaar bevestigen van twee delen.
US4572000A (en) 1983-12-09 1986-02-25 Rosemount Inc. Pressure sensor with a substantially flat overpressure stop for the measuring diaphragm
GB8401848D0 (en) 1984-01-24 1984-02-29 Carter R E Pressure transducer
US4525766A (en) 1984-01-25 1985-06-25 Transensory Devices, Inc. Method and apparatus for forming hermetically sealed electrical feedthrough conductors
FI74350C (fi) 1984-02-21 1988-01-11 Vaisala Oy Kapacitiv absoluttryckgivare.
US4542436A (en) 1984-04-10 1985-09-17 Johnson Service Company Linearized capacitive pressure transducer
DE3583183D1 (de) 1984-05-09 1991-07-18 Toshiba Kawasaki Kk Verfahren zur herstellung eines halbleitersubstrates.
US4649627A (en) 1984-06-28 1987-03-17 International Business Machines Corporation Method of fabricating silicon-on-insulator transistors with a shared element
EP0178768A2 (en) * 1984-09-14 1986-04-23 EMI Limited Sensor array
JPS6173345A (ja) 1984-09-19 1986-04-15 Toshiba Corp 半導体装置
FI75426C (fi) 1984-10-11 1988-06-09 Vaisala Oy Absoluttryckgivare.
US4625561A (en) 1984-12-06 1986-12-02 Ford Motor Company Silicon capacitive pressure sensor and method of making
JPS61142759A (ja) 1984-12-14 1986-06-30 Ngk Spark Plug Co Ltd Ｉｃパツケ−ジ用基板
JPH0770474B2 (ja) 1985-02-08 1995-07-31 株式会社東芝 化合物半導体装置の製造方法
EP0256150B1 (en) 1986-08-13 1990-04-04 Kabushiki Kaisha Toshiba Apparatus for bonding semiconductor wafers
US4780572A (en) 1985-03-04 1988-10-25 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Device for mounting semiconductors
US4586109A (en) 1985-04-01 1986-04-29 Bourns Instruments, Inc. Batch-process silicon capacitive pressure sensor
US4764747A (en) 1985-06-19 1988-08-16 Kulite Semiconductor Products, Inc. Glass header structure for a semiconductor pressure transducer
NL8501773A (nl) 1985-06-20 1987-01-16 Philips Nv Werkwijze voor het vervaardigen van halfgeleiderinrichtingen.
JPH0783050B2 (ja) 1985-06-21 1995-09-06 株式会社東芝 半導体素子の製造方法
US4601779A (en) 1985-06-24 1986-07-22 International Business Machines Corporation Method of producing a thin silicon-on-insulator layer
US4689999A (en) 1985-07-26 1987-09-01 The Garrett Corporation Temperature compensated pressure transducer
SU1398825A1 (ru) 1985-09-25 1988-05-30 Северо-Западный Заочный Политехнический Институт Датчик дл измерени давлени прикуса зубов
NL8600216A (nl) 1986-01-30 1987-08-17 Philips Nv Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting.
US4716492A (en) 1986-05-05 1987-12-29 Texas Instruments Incorporated Pressure sensor with improved capacitive pressure transducer
DE3616308C2 (de) 1986-05-14 1995-09-21 Bosch Gmbh Robert Sensor
US4703658A (en) 1986-06-18 1987-11-03 Motorola, Inc. Pressure sensor assembly
US4800758A (en) 1986-06-23 1989-01-31 Rosemount Inc. Pressure transducer with stress isolation for hard mounting
US4769882A (en) 1986-10-22 1988-09-13 The Singer Company Method for making piezoelectric sensing elements with gold-germanium bonding layers
US4773972A (en) 1986-10-30 1988-09-27 Ford Motor Company Method of making silicon capacitive pressure sensor with glass layer between silicon wafers
NL8700033A (nl) 1987-01-09 1988-08-01 Philips Nv Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting van het type halfgeleider op isolator.
US5113868A (en) 1987-06-01 1992-05-19 The Regents Of The University Of Michigan Ultraminiature pressure sensor with addressable read-out circuit
US4754365A (en) 1987-06-15 1988-06-28 Fischer & Porter Company Differential pressure transducer
SU1597627A1 (ru) 1987-06-26 1990-10-07 Институт физики Земли им.О.Ю.Шмидта Датчик давлени
GB8718639D0 (en) 1987-08-06 1987-09-09 Spectrol Reliance Ltd Capacitive pressure sensors
GB8718637D0 (en) 1987-08-06 1987-09-09 Spectrol Reliance Ltd Sealing electrical feedthrough
US4774196A (en) 1987-08-25 1988-09-27 Siliconix Incorporated Method of bonding semiconductor wafers
US4852408A (en) 1987-09-03 1989-08-01 Scott Fetzer Company Stop for integrated circuit diaphragm
US4875368A (en) 1987-09-08 1989-10-24 Panex Corporation Pressure sensor system
US4929893A (en) 1987-10-06 1990-05-29 Canon Kabushiki Kaisha Wafer prober
US4857130A (en) 1987-12-03 1989-08-15 Hughes Aircraft Company Temperature stable optical bonding method and apparatus obtained thereby
US4806783A (en) 1988-02-25 1989-02-21 Transducer Technologies Inc. Transducer circuit
DE3811047A1 (de) 1988-03-31 1989-10-12 Draegerwerk Ag Fuehler zur kapazitiven messung des druckes in gasen
DE3811311C1 (ja) 1988-04-02 1989-03-09 Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart, De
US4994781A (en) 1988-04-07 1991-02-19 Sahagen Armen N Pressure sensing transducer employing piezoresistive elements on sapphire
US5174926A (en) 1988-04-07 1992-12-29 Sahagen Armen N Compositions for piezoresistive and superconductive application
NL8800953A (nl) 1988-04-13 1989-11-01 Philips Nv Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderlichaam.
US5197892A (en) 1988-05-31 1993-03-30 Canon Kabushiki Kaisha Electric circuit device having an electric connecting member and electric circuit components
EP0355340A1 (en) 1988-07-04 1990-02-28 Hiroaki Aoshima Process for producing structures by bonding together synthetic corundum single crystals
JPH02124800A (ja) 1988-07-04 1990-05-14 Hiroaki Aoshima 一体同化した合成コランダムの単結晶構造体の製造方法
DE3822966C2 (de) 1988-07-07 1993-09-30 Degussa Verwendung einer Silberlegierung als Lot zum direkten Verbinden von Keramikteilen
DE3901492A1 (de) 1988-07-22 1990-01-25 Endress Hauser Gmbh Co Drucksensor und verfahren zu seiner herstellung
US4879903A (en) 1988-09-02 1989-11-14 Nova Sensor Three part low cost sensor housing
KR0158868B1 (ko) 1988-09-20 1998-12-01 미다 가쓰시게 반도체장치
FR2638524B1 (fr) 1988-10-27 1994-10-28 Schlumberger Prospection Capteur de pression utilisable dans les puits de petrole
US4883215A (en) 1988-12-19 1989-11-28 Duke University Method for bubble-free bonding of silicon wafers
US4954925A (en) 1988-12-30 1990-09-04 United Technologies Corporation Capacitive sensor with minimized dielectric drift
SU1629763A1 (ru) 1989-02-12 1991-02-23 Предприятие П/Я А-1891 Способ изготовлени емкостного датчика давлени
NL8900388A (nl) 1989-02-17 1990-09-17 Philips Nv Werkwijze voor het verbinden van twee voorwerpen.
DE3909185A1 (de) 1989-03-21 1990-09-27 Endress Hauser Gmbh Co Kapazitiver drucksensor und verfahren zu seiner herstellung
US5087124A (en) 1989-05-09 1992-02-11 Smith Rosemary L Interferometric pressure sensor capable of high temperature operation and method of fabrication
JPH0355822A (ja) 1989-07-25 1991-03-11 Shin Etsu Handotai Co Ltd 半導体素子形成用基板の製造方法
US5201977A (en) 1989-08-09 1993-04-13 Hiroaki Aoshima Process for producing structures from synthetic single-crystal pieces
JPH0636414B2 (ja) 1989-08-17 1994-05-11 信越半導体株式会社 半導体素子形成用基板の製造方法
US5044202A (en) 1989-09-18 1991-09-03 Texas Instruments Incorporated Pressure transducer apparatus
US4972717A (en) 1989-09-18 1990-11-27 Texas Instruments Incorporated Pressure transducer apparatus and method for making same
JPH03170826A (ja) 1989-11-29 1991-07-24 Toshiba Corp 容量型圧力センサ
US5001934A (en) 1990-01-02 1991-03-26 Walbro Corporation Solid state pressure sensor
US5050034A (en) 1990-01-22 1991-09-17 Endress U. Hauser Gmbh U. Co. Pressure sensor and method of manufacturing same
EP0444943B1 (en) 1990-02-28 1997-05-21 Shin-Etsu Handotai Company Limited A method of manufacturing a bonded wafer
JPH0719737B2 (ja) 1990-02-28 1995-03-06 信越半導体株式会社 Ｓ０１基板の製造方法
JPH0636413B2 (ja) 1990-03-29 1994-05-11 信越半導体株式会社 半導体素子形成用基板の製造方法
DE4011901A1 (de) 1990-04-12 1991-10-17 Vdo Schindling Kapazitiver drucksensor
EP0456060B1 (en) 1990-04-27 1995-09-13 Hiroaki Aoshima Process for bonding synthetic singel crystals
CN1018844B (zh) 1990-06-02 1992-10-28 中国科学院兰州化学物理研究所 防锈干膜润滑剂
NL9001301A (nl) 1990-06-08 1992-01-02 Philips Nv Werkwijze voor het vervaardigen van een supergeleiderinrichting.
US5084123A (en) 1990-07-02 1992-01-28 Hughes Aircraft Company Temperature stable optical bonding method and apparatus
US5326726A (en) 1990-08-17 1994-07-05 Analog Devices, Inc. Method for fabricating monolithic chip containing integrated circuitry and suspended microstructure
US5189916A (en) 1990-08-24 1993-03-02 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Pressure sensor
JP2718563B2 (ja) 1990-08-28 1998-02-25 日本特殊陶業株式会社 圧力検出器
JP2724419B2 (ja) 1990-08-28 1998-03-09 日本特殊陶業株式会社 圧力センサ
JPH0719739B2 (ja) 1990-09-10 1995-03-06 信越半導体株式会社 接合ウェーハの製造方法
DE4031791A1 (de) 1990-10-08 1992-04-09 Leybold Ag Sensor fuer ein kapazitaetsmanometer
US5123849A (en) 1990-11-15 1992-06-23 Amp Incorporated Conductive gel area array connector
US5094109A (en) 1990-12-06 1992-03-10 Rosemount Inc. Pressure transmitter with stress isolation depression
US5261999A (en) 1991-05-08 1993-11-16 North American Philips Corporation Process for making strain-compensated bonded silicon-on-insulator material free of dislocations
US5155061A (en) 1991-06-03 1992-10-13 Allied-Signal Inc. Method for fabricating a silicon pressure sensor incorporating silicon-on-insulator structures
US5133215A (en) 1991-06-19 1992-07-28 Honeywell Inc. Pressure transmitter assembly having sensor isolation mounting
US5178015A (en) 1991-07-22 1993-01-12 Monolithic Sensors Inc. Silicon-on-silicon differential input sensors
FR2679651B1 (fr) 1991-07-26 1993-11-12 Schlumberger Services Petroliers Couche mince extensometrique en cermet a base de tantale et de nitrate de tantale, son procede de preparation et son utilisation dans un capteur de pression.
US5319324A (en) 1991-10-02 1994-06-07 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method of direct bonding of crystals and crystal devices
US5231301A (en) 1991-10-02 1993-07-27 Lucas Novasensor Semiconductor sensor with piezoresistors and improved electrostatic structures
US5227068A (en) 1991-10-25 1993-07-13 Eco-Soil Systems, Inc. Closed apparatus system for improving irrigation and method for its use
EP0547684A3 (en) 1991-12-18 1996-11-06 Koninkl Philips Electronics Nv Method of manufacturing a semiconductor body comprising a carrier wafer and a monocrystalline semiconducting top layer
US5271277A (en) 1991-12-23 1993-12-21 The Boc Group, Inc. Capacitance pressure transducer
JP2896725B2 (ja) 1991-12-26 1999-05-31 株式会社山武 静電容量式圧力センサ
US5214563A (en) 1991-12-31 1993-05-25 Compaq Computer Corporation Thermally reactive lead assembly and method for making same
US6140143A (en) 1992-02-10 2000-10-31 Lucas Novasensor Inc. Method of producing a buried boss diaphragm structure in silicon
FR2687777B1 (fr) 1992-02-20 1994-05-20 Sextant Avionique Micro-capteur capacitif a faible capacite parasite et procede de fabrication.
US5287746A (en) 1992-04-14 1994-02-22 Rosemount Inc. Modular transmitter with flame arresting header
JP2601128B2 (ja) 1992-05-06 1997-04-16 松下電器産業株式会社 回路形成用基板の製造方法および回路形成用基板
US5236118A (en) 1992-05-12 1993-08-17 The Regents Of The University Of California Aligned wafer bonding
US5242864A (en) 1992-06-05 1993-09-07 Intel Corporation Polyimide process for protecting integrated circuits
US5189591A (en) 1992-06-12 1993-02-23 Allied-Signal Inc. Aluminosilicate glass pressure transducer
EP0579298B1 (en) 1992-06-15 1997-09-03 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method of manufacturing a plate having a plane main surface, method of manufacturing a plate having parallel main surfaces, and device suitable for implementing said methods
US5294760A (en) 1992-06-23 1994-03-15 The Regents Of The University Of California Digital pressure switch and method of fabrication
CA2142189A1 (en) * 1992-08-10 1994-02-17 Hilger A. Walter Adaptor for mounting a pressure sensor to a gas turbine housing
US5228862A (en) 1992-08-31 1993-07-20 International Business Machines Corporation Fluid pressure actuated connector
JP3057924B2 (ja) 1992-09-22 2000-07-04 松下電器産業株式会社 両面プリント基板およびその製造方法
US5332469A (en) 1992-11-12 1994-07-26 Ford Motor Company Capacitive surface micromachined differential pressure sensor
US5314107A (en) 1992-12-31 1994-05-24 Motorola, Inc. Automated method for joining wafers
JP2852593B2 (ja) 1993-03-11 1999-02-03 株式会社山武 静電容量式圧力センサ
US5369544A (en) 1993-04-05 1994-11-29 Ford Motor Company Silicon-on-insulator capacitive surface micromachined absolute pressure sensor
JP3087152B2 (ja) 1993-09-08 2000-09-11 富士通株式会社 樹脂フィルム多層回路基板の製造方法
US5483834A (en) 1993-09-20 1996-01-16 Rosemount Inc. Suspended diaphragm pressure sensor
US5424650A (en) 1993-09-24 1995-06-13 Rosemont Inc. Capacitive pressure sensor having circuitry for eliminating stray capacitance
JP3111816B2 (ja) 1993-10-08 2000-11-27 株式会社日立製作所 プロセス状態検出装置
DE4342890A1 (de) 1993-12-16 1995-06-22 Mannesmann Kienzle Gmbh Verfahren zum Abdichten herstellprozeßbedingter Öffnungen an mikromechanischen Beschleunigungssensoren
US5466630A (en) 1994-03-21 1995-11-14 United Microelectronics Corp. Silicon-on-insulator technique with buried gap
US5437189A (en) 1994-05-03 1995-08-01 Motorola, Inc. Dual absolute pressure sensor and method thereof
US5471884A (en) 1994-07-05 1995-12-05 Motorola, Inc. Gain-adjusting circuitry for combining two sensors to form a media isolated differential pressure sensor
EP0778746B1 (en) 1994-09-02 2006-01-11 Volcano Therapeutics, Inc. Ultra miniature pressure sensor and guidewire using the same
US5479827A (en) * 1994-10-07 1996-01-02 Yamatake-Honeywell Co., Ltd. Capacitive pressure sensor isolating electrodes from external environment
US5528452A (en) * 1994-11-22 1996-06-18 Case Western Reserve University Capacitive absolute pressure sensor
US5731522A (en) 1997-03-14 1998-03-24 Rosemount Inc. Transmitter with isolation assembly for pressure sensor
US5637802A (en) * 1995-02-28 1997-06-10 Rosemount Inc. Capacitive pressure sensor for a pressure transmitted where electric field emanates substantially from back sides of plates
JPH116780A (ja) * 1997-06-16 1999-01-12 Tokin Corp 静電容量型圧力センサ
JP3239940B2 (ja) 1997-09-10 2001-12-17 日本電気株式会社 半導体装置及びその製造方法
US5982608A (en) 1998-01-13 1999-11-09 Stmicroelectronics, Inc. Semiconductor variable capacitor
US6126889A (en) 1998-02-11 2000-10-03 General Electric Company Process of preparing monolithic seal for sapphire CMH lamp
JP2000111434A (ja) 1998-10-06 2000-04-21 Hokuriku Electric Ind Co Ltd 静電容量式圧力センサユニット
US6131462A (en) 1998-12-18 2000-10-17 Delaware Capital Formation, Inc. Pressure/temperature transducer with improved thermal coupling and enhanced transient response

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58129221A (ja) * 1982-01-28 1983-08-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd 計量装置
JPS6013235A (ja) * 1983-07-01 1985-01-23 Kinseki Kk 圧力センサ−
JPH01117714A (ja) * 1987-10-30 1989-05-10 Iseki & Co Ltd コンバインの負荷制御方式
JPH05196526A (ja) * 1991-11-22 1993-08-06 Nippondenso Co Ltd 圧力検出装置

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006349478A (ja) * 2005-06-15 2006-12-28 Denso Corp 静電容量型力学量センサおよびその製造方法
JP4639979B2 (ja) * 2005-06-15 2011-02-23 株式会社デンソー 静電容量型力学量センサおよびその製造方法
JP2013190325A (ja) * 2012-03-14 2013-09-26 Azbil Corp 差圧発信器
JP2014163837A (ja) * 2013-02-26 2014-09-08 Toyota Central R&D Labs Inc 混相流状態計測装置及びセンサ
JP2016532878A (ja) * 2013-09-26 2016-10-20 ローズマウント インコーポレイテッド 高圧作業用圧力トランスミッタのプロセス流体圧力検知アッセンブリ

Also Published As

Publication number Publication date
JP4851011B2 (ja) 2012-01-11
GB0100038D0 (en) 2001-02-14
US6505516B1 (en) 2003-01-14
GB2362716B (en) 2004-01-14
GB2362716A (en) 2001-11-28
DE10100321A1 (de) 2001-07-12
DE10100321B4 (de) 2017-02-02

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