JP4851011B2 - 可動誘電体を有する容量型圧力感知装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
容量型圧力センサは、工業用トランスミッタおよび航空宇宙用プローブのような要求の厳しい用途で使用される。
【0002】
【従来の技術】
センサ本体はサファイヤ、シリコンまたはセラミックのような低ヒステリシス誘電材料の積層体から形成される。積層体の少なくとも1つの層は、圧力によって偏向される薄いダイヤフラム領域を含む。金属製のコンデンサ(キャパシタ)電極が静電容量を形成するようにダイヤフラム領域および対向する支持プレート上に付着(沈積)される。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
ダイヤフラム上の金属製コンデンサ電極は、ダイヤフラムが撓む場合に金属がクリープ(creep)、すなわち変形を起こすために、測定圧力にヒステリシス誤差をもたらすという問題を生じる可能性がある。ダイヤフラム上へのコンデンサ電極の付着およびコンデンサ電極へのリード線の付着は、大量生産で実施し、管理する製造工程をコスト高にする可能性がある。
【0004】
圧力センサ誤差の他の発生源が、改良されたダイヤフラム材料、ならびにセンサおよび電気リード線を取り付ける際の直接ボンディングのような改良されたボンディングや改良された応力隔離手法の使用によって補償されるのにつれて、撓んでいる低ヒステリシスダイヤフラム材料上の金属の存在によるヒステリシス誤差の問題が、益々重要になっている。ダイヤフラム上への金属の付着および要求の厳しい用途における圧力センサの撓んでいるダイヤフラム上の金属のクリープまたはヒステリシスに関する問題を回避する技術が必要とされている。
【0005】
【課題を解決するための手段】
圧力センサは、取り付けフレームに対して固定されたコンデンサ電極の近くの空洞の中で移動する誘電体部を有するダイヤフラムを含む。このダイヤフラムはフレーム上に支持され、このフレームは前記空洞を囲んでいる。ダイヤフラムは、圧力を受ける外部表面および空洞に面する内部表面を有する。内部表面は、圧力によってフレームに対して移動可能である誘電体部を支持する。
【0006】
コンデンサ電極は、偏向するダイヤフラム上に設けられるのではなく、両方共固定されている。コンデンサ電極は、偏向するダイヤフラムの近くの誘電体部の動きを感知し、圧力を示す電気的出力を発生する。
【0007】
【発明の実施の形態】
図1では、工業用圧力センサのための代表的な環境が符号20で示されている。プロセス流体ライン23内の流量計22、タンク28の近くの圧力トランスミッタ24、26、36およびプロセスライン31内の一体オリフィス流量計30のような種々のプロセス変数トランスミッタが、制御システム32に電気的に接続されるように示されている。制御システム32は、制御弁40を制御する圧力トランスデューサ38に供給される電流を制御する。
【0008】
プロセス変数トランスミッタは、化学処理プラント、パルプ処理プラント、石油処理プラント、ガス処理プラント、製薬プラント、食料処理プラントおよびその他の流体処理プラントのスラリー、液体、蒸気およびガス(気体)のようなプロセスプラント流体と関連した、1つまたはそれ以上のプロセス変数を監視するように構成することができる。監視されるプロセス変数は流体の圧力、温度、流量、レベル、pH、伝導度、混濁度、密度、濃度、化学的組成または他の液体の特性であってもよい。プロセス変数トランスミッタは、プロセスプラントの設置要求に応じて、トランスミッタの内部または外部のいずれにあってもよいような、1または複数のセンサを含んでいる。
【0009】
プロセス変数トランスミッタは、感知されたプロセス変数を示す1つまたはそれ以上のトランスミッタ出力を発生する。トランスミッタ出力は、通信バス34を介して、コントローラ32またはインジケータまで長距離にわたって伝送できるように構成される。典型的な流体処理プラントでは、通信バス34は、トランスミッタに電力を供給する4〜20mA電流ループ、またはフィールドバス接続やHARTプロトコル通信接続、あるいはコントローラ、制御システムまたは読取装置への光ファイバ接続であってもよい。2線ループによって電力が供給されるトランスミッタでは、電力は、爆発性雰囲気内においても本性的な安全性を与えるために低く保持される。
【0010】
図2は、圧力トランスミッタ50の1例の分解図を示している。トランスミッタ50は、差圧を受けるフランジ52と、2つの絶対圧センサ(図示せず)を有するセンサモジュール54とを含んでいる。センサモジュール54は、電子的トランスミッタ回路56を有するハウジング55に結合する。トランスミッタ50は、フランジアダプタ58にボルト止めされる。フランジアダプタ58は、フランジアダプタユニオン60または他の連結ハードウェアに結合されたインパルスパイプに接続する。センサモジュール54内の各絶対圧センサは、以下に説明されるように、可動誘電体部を含むことができる。
【0011】
図3、図4および図5には、圧力センサ100の透視図、分解図および断面図が示される。圧力センサ100は、機械的ヒステリシスの低い材料からなる2つの層102、104で作られている本体を有する。層102、104は好ましくはサファイヤである。ただしシリコン、セラミックまたはガラスも、あまり要求が厳しくない用途のためには使用されてもよい。層102は、空洞108を囲む外部リムまたはフレーム106で層102に結合される。フレーム106は、層102上の第1フレーム部110と、層104上の第2のフレーム部112とを含んでいる。その代りに、フレーム106は、2つの層の中の1つの上だけに形成されてもよいし、またはフレームを構成する中間層を有する3つの層でセンサ100が作られてもよい。
【0012】
層104は、その周辺縁の周りをフレーム106上に支持された、薄くされた領域すなわちダイヤフラム114を含む。このダイヤフラム114は、圧力を受ける外部表面116と、空洞108に面する内部表面118とを有する。誘電体部120は内部表面118上に支持される。圧力がダイヤフラム114を偏向させる場合、誘電体部120は、フレーム106に対して相対的に、ダイヤフラム114と共に移動する。
【0013】
コンデンサ電極122、124は、可動誘電体部120の近くの空洞108内の層104の表面上で、フレーム106に対して固定される。コンデンサ電極122、124は、その近くの誘電体部120の動きを感知し、圧力を示す電気的出力を発生する。電気的出力は、圧力の関数として変化する静電容量である。第1のコンデンサ電極122は、空洞108内の空間(間隙)126によって第2のコンデンサ電極124から隔離される。可動誘電体部120が空間126を通して移動すると、前記電気的出力が変化する。
【0014】
図3〜図5に示された装置では、空洞108内の空間126は、第1および第2のコンデンサ電極122、124間の直線128とは交差しない。たとえ誘電体がコンデンサ電極間の直線路を通って移動されないとしても、コンデンサ電極のエッジの近くで外側に延び出た、十分な電界があるので、電極の近くの誘電体材料の動きを感知できることが分かった。その代りに、図12に関して後述するように、コンデンサ電極が取り付け面から上向きに立上り、誘電体部がプレート間で直接移動する場合は、空洞108内の空間が第1のコンデンサ電極と第2のコンデンサ電極との間の直線と交差することができる。
【0015】
図3〜図5では、可動誘電体部120およびダイヤフラム114にはメタライズされた導体部がない。したがって、ダイヤフラムが圧力の変動で偏向するか、または曲がる場合でも、金属のヒステリシスまたはクリープ(creeping)に関する問題が生じない。好ましくは、可動誘電体部120はダイヤフラム114と一体構成であり、これにより、誘電体部120とダイヤフラム114との間に接合材料がある場合に、そうでなければ生じ得るようなクリープを避けることができる。コンデンサ電極122、124は、著しく撓むことはない、より厚い支持面上に固定される。
【0016】
圧力センサ100は、好ましくは、直接接合され、真空排気されて密封されるので、空洞108内は高品質の真空である。シール127がリード線のフィードスルーノッチ128の上に塗布され、このシール127は高真空を保持する。シール127は、好ましくは、ガラスフリット、例えば、細かに分割されたガラスダストおよびエチルセルロースの混合物から構成される。ガラスフリットがフィードスルーノッチの上に配置された後、ガラスフリットは、エチルセルロースを放出するように加熱され、ガラスシールを形成するようにガラスダストが融かされる。その代りに、各リード線は、別個のフィードスルーノッチを通して取り出すことができ、各ノッチは導電性はんだ、またはろう付けシールで密封できる。
【0017】
フレーム106は細長く形成され、加圧されるダイヤフラムを含む第1の端部130と、第1の端部とは反対側の、加圧から隔離され、さらにコンデンサ電極122、124のための電気的接続部134を含む第2の端部132とを有している。
【0018】
メサ136は、第1および第2の端部130、132間の取り付け領域の増加支持(increae support)を提供する。センサ100の取り付け領域は、図9〜図10に示されるようにプロセス流体と電気的接続部との間の密封バリアのための場所を与える。
【0019】
図3〜図5に示される圧力センサ100は、中央にある溝(チャンネル)または空洞108の周りに形成されたビーム138または細長いフレームと見ることができる。圧力センサは中央の溝内にある支持面140を有する。ビームは、圧力を受ける外部ダイヤフラム面116および内部ダイヤフラム面118を有し、誘電体で構成されたダイヤフラム114を含む。内部ダイヤフラム面118は、中央溝内の支持面140から離れて間隔をあけられている。誘電体120は、圧力に応じて支持面140に対して移動可能である。コンデンサ電極122、124は、可動誘電体120の近くの支持面140上に固定される。コンデンサ電極122、124は、その近くの誘電体120の動きを感知し、圧力を示す電気的出力をリード線134上に供給する。
【0020】
図6〜図7は層102、104の拡大図を示し、図3〜図5に示されるのと同じ参照番号を使用する。図6に示されるように、センサ100はまた、トランスミッタ回路に接続されて改良された温度補償を行うことのできる温度センサ素子135をも含むことができる。温度センサ素子135は、図示されるように薄膜白金抵抗温度計であってもよいし、容量または他の公知の型式の温度センサが使用されてもよい。図7に示されるように、層104は、メタライズ加工(電極形成)されていないダイヤフラム114を含む。したがって、ダイヤフラム114が偏向する場合でも、ダイヤフラム上のメタライズ部のクリープによる誤差が生じない。
【0021】
センサ100は、図8の概略断面図によって示された好ましい方法によって製造される。まず第一に、層102、104が、150で示されるようなビームの構成要素を形成するように成形加工される。成形加工は、代表的には、微細構造製造工程において普通のマスク技術を使用する、平坦な層の選択的化学エッチングによって行われる。衝合面152、154は、直接接合のためのオプティカルフラット(光学的平面)になるように仕上げされる。次に、感知フィルム122、124が156で示されるように層102上に沈積される。
【0022】
その後、成形された層102、104が互いに直接接触するように積み重ねられ、それらの間に空間126を有するコンデンサ電極122、124を支持面140上に具備し、かつ158で示されるようなコンデンサ電極の近くの空間126内で偏向可能な誘電体部120を具備するビーム138が形成される。次にビーム138が加熱されている間、これらの層は非常に清浄なオプティカルフラットな面で互いに直接接触される。直接接合のための接合材料は必要とされない。ある場合には、加熱をしない接合が適切である。
【0023】
160で示されるように、リード線の周りのギャップにガラスフリットシール127を形成することによって、溝が密封される。この溝は、好ましくは、このセンサを絶対圧センサにするために、内部を真空にして密封される。
【0024】
図9には、図2に示されたモジュール54に対応する圧力感知モジュール180が示されている。組立体180は、図3〜図7に示されるような2つのセンサ182、184を含んでいる。図9では、隔離カップ198は、ブラインド端部と対向する隔離端部との間で、ビームの外部表面まで密封された開口200を有する。センサ182、184は、回路板200に結線され、この回路板200はさらに、密封されたフィードスルー201を通して第2の回路板202に結線される。
【0025】
図10では、感知モジュール210は、隔離カップ216にシールされたリム214を有する隔離ダイヤフラム212を含むように示されている。隔離ダイヤフラム212は、プロセス流体を、隔離カップ216および隔離ダイヤフラム212によって囲まれた空間に密封される隔離流体220から隔離する。センサ222は、図3〜図7に示されるように構成され、隔離カップ216の開口224に密封される。隔離ダイヤフラム212および隔離流体220は、プロセス流体218からセンサを隔離しながら、一方では、その圧力をセンサ222に結合する。
【0026】
隔離カップ216は、密封された開口224を貫通するセンサ222を有し、加圧プロセス流体218および加圧隔離流体220の両方からセンサ222上の電気的接続部226を絶縁する。隔離カップは、センサ222の熱膨張係数に厳密に整合する熱膨張係数を有するバックプレート228を含んでもよい。材料230のブロックは隔離カップ216内に圧入することができ、材料230は、温度変化による隔離ダイヤフラム212の望ましくない動きを制限するように、隔離流体220の熱膨張係数を部分的に補償するような熱膨張係数を有する。ブロック230とセンサ222との間には、隔離流体220で充満された小さいギャップが設けられている。
【0027】
図11〜図13には、固定コンデンサ電極および可動誘電体の他の実施形態が示される。図11では、ダイヤフラムである平坦な誘電体部250は、直接的にはコンデンサ電極254、256の間に位置しないが、コンデンサ電極からのフリンジ(fringing)電界の領域である、コンデンサ電極のわずか上にある空間252内で移動する。
図12では、誘電体部258は、コンデンサ電極262、264間の直線上にある空間260内で移動する。
図13では、誘電体部280は、コンデンサ電極284、286間の直線上にはない空間282内で移動する。
【0028】
図14では、コンデンサ電極266、268は、シールド電極またはスクリーン電極272、274によって支持プレート270を介する浮遊結合から遮蔽される。スクリーン電極272、274は単位利得バッファ276、278によって駆動される。
【0029】
図15〜図16には、可動誘電体290および、支持面296上で交互に配置された(interdigitated)固定コンデンサ電極292、294が示されている。コンデンサ電極の交互配置は、ダイヤフラムの近くの、よりコンパクトな空間内でより大きい静電容量を与える。この明細書で使用されている用語「交互配置」は、コンデンサ電極が単純な矩形または丸形ではなく、小さい表面積内にある電極間に長いギャップを与えるような、複雑な幾何学形状を有することを意味する。
【0030】
交互配置されたコンデンサ電極は、各電極上に互い違いの複数のフィンガー(fingers)を有する、図示されたコンデンサ電極のような配置を含んでもよく、また小さい空間内で長いギャップを与えるように互いに隣接してジグザグ状にされた、曲がりくねった電極をも含むことができる。フィンガーおよび曲がりくねった経路の組み合わせも、本発明の範囲内に含むように意図されている。
【0031】
図17〜図18には、可動誘電体300、支持プレート306上の交互配置された固定コンデンサ電極302、304、および単位利得バッファ312、314で駆動される電気的シールド導体308、310を有する実施形態が示されている。この配置は、実効浮遊容量を減少したことによって改良されたゲージ率(ΔC/C0)を有する圧力センサのための大きな静電容量を、コンパクトな空間に生じさせる。バッファ312、314によって能動的に駆動されている電気シールド導体308、310によって、C0(静止時の容量)がより一層小さくなるために、C0で割ったΔC(最小圧力から最大目盛圧力までの容量の変化)の比はより高くなる。シールド導体308、310は、バッファによって、隣接するコンデンサ電極とほぼ同電位に動的に保持される。
【0032】
コンデンサ電極へのノイズの結合を減らすために、コンデンサ電極の周辺の領域に、アースされたシールド電極またはスクリーン電極を備えることもできる。
【0033】
図19は、コンデンサ電極およびそれらの間に介在された誘電体の寸法配置を示している。寄生効果を無視すれば、離隔配置された電極の静電容量は誘電体ダイヤフラムの変位(t)関数としての下記の式によって表わされる。
C(t)=,0W[((T−t)/(s+d)+(tK)/(s+Kd)]…式1
【0034】
ここで、
,0=自由空間の誘電率;
W=電極22Aおよび22Bの対向面の長さ;
T=電極22Aおよび22Bの高さ;
t=電極22Aおよび22B間での、高さ方向の直線に沿った、突出部38の高さの部分;
K=誘電体突出部38を形成する材料の比誘電率;
S=電極22Aおよび22B間に延在する突出部38の幅;
d=電極22Aおよび22Bの対向面間の、矢印51によって示された幅から前記幅Sを減算して得られた幅。
【0035】
コンデンサ電極とも呼ばれる電極間の静電容量のスパンは、下記のとおりである。
ΔC=C(t)−C(0)…式2
式1および式2を結合すると、式3が得られる。
ΔC=,0Wt[(K/(s+Kd)−1/(s+d)]…式3
【0036】
この配置は、従来の可動電極式容量型センサに較べて多くの長所を有する。可動誘電体装置は、従来の装置に比べて5倍またはそれ以上の利得係数を有することができる。容量のほぼ同等の変化に対して必要とされる偏向が少なくて済む。さらに、可動誘電体部のために、より高い誘電率を有する材料を使用でき、またコンデンサ電極を支持するためにより低い誘電率を有する材料を使用して浮遊容量を減らすことができる。
【0037】
圧力と容量変化との関係は、可動誘電体に対してより直線的であり、電子的補償または線形化に対する要求を減らすことができる。この装置は、本来的に過圧力保護を提供し、過圧力状態の下で短絡したり、または過圧力状態の下で非常に大きい容量値になったりしてコンデンサ電極を危険に陥し入れることがない。コンデンサ電極のめっきが一方の層上で行われる必要があるだけで、ダイヤフラムは電極形成(メタライズ)をしないままでよいために、製造が簡単である。
【0038】
図20は、タービンエンジン装置64のための圧力センサ装置62を示している。タービンエンジンは、タービンエンジンハウジング68内で回転するブレード66のようなタービンエンジンブレードを含む。タービンエンジン内の圧力を感知するために、タービンエンジンハウジング68には孔70が設けられている。圧力センサ装置62は、受け台(ペデスタル)72によってタービンハウジング68から離隔されている。
【0039】
受け台72は、圧力センサ装置62のための、より低い温度環境を与えるように、タービンハウジングから圧力センサ装置62を隔離する。受け台72を貫通する通路74は、タービンハウジング内の加圧ガスを圧力感知装置62に結合する。圧力センサ74が圧力感知装置62の中に含まれる。圧力センサ74は可動誘電体を含む。圧力センサ74はまた、ビーム内の封止ギャップ80を通過し、リード線82によって電子変換回路(図示せず)に接続する絶縁センサリード線78をも含む。
【0040】
本発明は、好ましい実施形態を参照して説明されているけれども、当業者は、本発明の精神および範囲から逸脱しないで、形式および詳細な点で変更が行われてもよいことを理解するであろう。
【図面の簡単な説明】
【図1】圧力トランスミッタのための環境を示している。
【図2】トランスミッタの実施形態を示している。
【図3】可動誘電体を有する容量型圧力センサの実施形態の様々な図を示している。
【図4】可動誘電体を有する容量型圧力センサの実施形態の様々な図を示している。
【図5】可動誘電体を有する容量型圧力センサの実施形態の様々な図を示している。
【図6】可動誘電体を有する容量型圧力センサの実施形態の様々な図を示している。
【図7】可動誘電体を有する容量型圧力センサの実施形態の様々な図を示している。
【図8】可動誘電体を有する容量型圧力センサを製造する方法を示している。
【図9】可動誘電体を持っている容量型センサを有する圧力トランスミッタの部分断面図を示している。
【図10】隔離組立体内に配置された可動誘電体を有する容量型圧力センサを示している。
【図11】容量型圧力センサのコンデンサ電極および可動誘電体の配置を示している。
【図12】容量型圧力センサのコンデンサ電極および可動誘電体の配置を示している。
【図13】容量型圧力センサのコンデンサ電極および可動誘電体の配置を示している。
【図14】可動誘電体および遮蔽配置を有する容量型圧力センサを示している。
【図15】可動誘電体を有する容量型センサのための互いに噛合わされた電極配置を示している。
【図16】可動誘電体を有する容量型センサのための互いに噛合わされた電極配置を示している。
【図17】互いに噛合わされた電極のための遮蔽配置を示している。
【図18】互いに噛合わされた電極のための遮蔽配置を示している。
【図19】コンデンサ電極の幾何学的配置を示している。
【図20】航空宇宙用プローブのための環境を示している。
【符号の説明】
102、104……層、116……外部ダイヤフラム面、122、124……感知フィルム(コンデンサ電極)、126……空間、127……ガラスフリットシール、134……リード線(電気的接続部)
Claims (22)
- 空洞を囲むフレームと、
前記フレーム上に支持され、かつ圧力を受ける外表面、および前記空洞に面する内表面を有するダイヤフラムと、
前記内表面上に支持されており、前記圧力によって前記フレームに対して移動可能である誘電体部と、
前記誘電体部の近くの前記空洞内で、前記フレームに対して固定されており、その近くの前記誘電体部の動きを感知して前記圧力を示す電気的出力を発生するコンデンサ電極とを備え、
前記誘電体部と前記ダイヤフラムとが一体形成されていることを特徴とする圧力センサ。 - 前記コンデンサ電極が、前記空洞内の空間によって第2のコンデンサ電極から隔離された第1のコンデンサ電極を含み、前記誘電体部が、前記電気的出力を変化させるように前記空間を通して移動可能であることを特徴とする請求項1の圧力センサ。
- 前記空洞内の空間が、前記第1および第2のコンデンサ電極間の直線と交差することを特徴とする請求項2の圧力センサ。
- 前記空洞内の空間が、前記第1および第2のコンデンサ電極間の直線と交差しないことを特徴とする請求項2の圧力センサ。
- 前記誘電体部には導体が配置されていないことを特徴とする請求項1の圧力センサ。
- 前記空洞が真空排気され、かつ密封されたことを特徴とする請求項1の圧力センサ。
- 前記フレームは細長く、かつ前記ダイヤフラムを含む第1の端部と、前記第1の端部の反対側にあって、加圧から隔離され、かつ前記コンデンサ電極のための電気的接続部を含む第2の端部とを有することを特徴とする請求項1の圧力センサ。
- 前記コンデンサ電極が交互配置された請求項1の圧力センサ。
- その上に前記コンデンサ電極が配置された支持プレートと、前記支持プレート上に配置されたスクリーン電極とをさらに具備したことを特徴とする請求項8の圧力センサ。
- 前記スクリーン電極に接続された単位利得バッファをさらに具備したことを特徴とする請求項9の圧力センサ。
- 中央溝の周りに形成され、かつ前記中央溝内に支持面を有する一体形成されたビームであって、圧力を受ける外部ダイヤフラム面と前記中央溝の前記支持面から隔離された内部ダイヤフラム面を有するダイヤフラム、および誘電体部で形成され、前記誘電体部が前記圧力によって前記支持面に対して移動可能であるビームと、
前記誘電体部の近くの前記支持面上に固定されており、近くの前記誘電体部の移動を感知して前記圧力を示す電気的出力を供給するコンデンサ電極とを具備したことを特徴とする圧力センサ。 - 前記コンデンサ電極が、前記中央溝内の空間によって第2のコンデンサ電極から隔離された第1のコンデンサ電極を含み、前記誘電体部が、前記電気的出力を変化させるように前記空間を通して移動可能であることを特徴とする請求項11の圧力センサ。
- 前記中央溝内の空間が、前記第1および第2のコンデンサ電極間の直線と交差することを特徴とする請求項11の圧力センサ。
- 前記中央溝内の空間が、前記第1および第2のコンデンサ電極間の直線と交差しないことを特徴とする請求項11の圧力センサ。
- 前記誘電体部には導体がないことを特徴とする請求項11の圧力センサ。
- 前記中央溝が真空排気され、かつ密封されることを特徴とする請求項11の圧力センサ。
- 前記ビームが細長く、かつ前記ダイヤフラムを含む第1の端部と、加圧から隔離され、かつ前記コンデンサ電極のための電気的接続部を含む、前記第1の端部の反対側の第2の端部とを有することを特徴とする請求項11の圧力センサ。
- 前記コンデンサ電極が交互配置された請求項11の圧力センサ。
- 前記支持面上に配置されたスクリーン電極をさらに具備したことを特徴とする請求項18の圧力センサ。
- 前記スクリーン電極に接続された単位利得バッファをさらに具備したことを特徴とする請求項19の圧力センサ。
- 空洞を囲むフレームと、
前記フレーム上に支持されており、圧力を受ける外部表面、および前記空洞に面する内部表面を有するダイヤフラムと、
前記内部表面上に支持されており、前記圧力によって前記フレームに対して移動可能である誘電体部と、
前記誘電体部の近くの前記空洞内で、前記フレームに対して固定されており、前記圧力を示す電気的出力を発生するコンデンサ電極を含む、前記誘電体部の動きを感知する手段とを具備し、
前記誘電体部と前記ダイヤフラムとが一体形成されていることを特徴とする圧力センサ。 - 中央溝の周りに形成され、かつ前記中央溝内に支持面を有する一体形成されたビームであって、圧力を受ける外部ダイヤフラム面と前記中央溝の前記支持面から隔離された内部ダイヤフラム面を有するダイヤフラム、および誘電体部で形成され、かつ、前記誘電体部が前記圧力によって前記支持面に対して移動可能であるビームと、
前記誘電体部の近くの前記支持面上に固定されており、前記圧力を示す電気的出力を供給するコンデンサ電極を含む、前記誘電体部の動きを感知する手段とを具備したことを特徴とする圧力センサ。
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---|---|---|---|
US09/478,434 US6505516B1 (en) | 2000-01-06 | 2000-01-06 | Capacitive pressure sensing with moving dielectric |
US09/478434 | 2000-01-06 |
Publications (2)
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---|---|
JP2001242027A JP2001242027A (ja) | 2001-09-07 |
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Family Applications (1)
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---|---|---|---|
JP2001001908A Expired - Fee Related JP4851011B2 (ja) | 2000-01-06 | 2001-01-09 | 可動誘電体を有する容量型圧力感知装置 |
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---|---|
US (1) | US6505516B1 (ja) |
JP (1) | JP4851011B2 (ja) |
DE (1) | DE10100321B4 (ja) |
GB (1) | GB2362716B (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016532878A (ja) * | 2013-09-26 | 2016-10-20 | ローズマウント インコーポレイテッド | 高圧作業用圧力トランスミッタのプロセス流体圧力検知アッセンブリ |
Families Citing this family (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10347861A1 (de) * | 2003-10-10 | 2005-04-28 | Endress & Hauser Gmbh & Co Kg | Meßaufnehmer |
US7204162B2 (en) * | 2004-11-23 | 2007-04-17 | Delphi Technologies, Inc. | Capacitive strain gauge |
JP4639979B2 (ja) * | 2005-06-15 | 2011-02-23 | 株式会社デンソー | 静電容量型力学量センサおよびその製造方法 |
US8104358B1 (en) * | 2006-01-23 | 2012-01-31 | University Of Puerto Rico | High sensitivity passive wireless strain sensor |
EP2056708B1 (en) * | 2006-08-29 | 2014-07-16 | California Institute of Technology | Microfabricated implantable wireless pressure sensor for use in biomedical applications and pressure measurement and sensor implantation methods |
US7677107B2 (en) * | 2007-07-03 | 2010-03-16 | Endotronix, Inc. | Wireless pressure sensor and method for fabricating wireless pressure sensor for integration with an implantable device |
DE102009035973B4 (de) | 2009-08-04 | 2011-07-07 | Baumer Innotec Ag | Anordnung und Verfahren zur kapazitiven Druckmessung |
WO2012003403A2 (en) | 2010-06-30 | 2012-01-05 | Indiana University Research And Technology Corporation | Supersensitive linear pressure transducer |
US9010191B2 (en) | 2011-12-22 | 2015-04-21 | Rosemount Inc. | Pressure sensor module for sub-sea applications |
US9389106B2 (en) | 2012-03-06 | 2016-07-12 | Rosemount Inc. | Remote seal pressure measurement system for subsea use |
JP5965165B2 (ja) * | 2012-03-14 | 2016-08-03 | アズビル株式会社 | 差圧発信器 |
US8984952B2 (en) | 2012-09-07 | 2015-03-24 | Dynisco Instruments Llc | Capacitive pressure sensor |
US9103738B2 (en) | 2012-09-07 | 2015-08-11 | Dynisco Instruments Llc | Capacitive pressure sensor with intrinsic temperature compensation |
US8943895B2 (en) | 2012-09-07 | 2015-02-03 | Dynisco Instruments Llc | Capacitive pressure sensor |
JP6044386B2 (ja) * | 2013-02-26 | 2016-12-14 | 株式会社豊田中央研究所 | 混相流状態計測装置及びセンサ |
US9442031B2 (en) | 2013-06-28 | 2016-09-13 | Rosemount Inc. | High integrity process fluid pressure probe |
EP3598097B8 (en) * | 2013-07-19 | 2023-10-11 | Rosemount, Inc. | Pressure transmitter having an isolation assembly with a two-piece isolator plug |
US9234776B2 (en) | 2013-09-26 | 2016-01-12 | Rosemount Inc. | Multivariable process fluid transmitter for high pressure applications |
US10260980B2 (en) | 2013-09-27 | 2019-04-16 | Rosemount Inc. | Pressure sensor with mineral insulated cable |
US9222815B2 (en) | 2013-12-30 | 2015-12-29 | Rosemount Inc. | Wafer style insertable magnetic flowmeter with collapsible petals |
US10107700B2 (en) | 2014-03-24 | 2018-10-23 | Rosemount Inc. | Process variable transmitter with process variable sensor carried by process gasket |
US9638600B2 (en) | 2014-09-30 | 2017-05-02 | Rosemount Inc. | Electrical interconnect for pressure sensor in a process variable transmitter |
DE102014115802A1 (de) * | 2014-10-30 | 2016-05-04 | Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg | Kapazitiver Drucksensor und Verfahren zu dessen Herstellung |
AU2018224198B2 (en) | 2017-02-24 | 2023-06-29 | Endotronix, Inc. | Wireless sensor reader assembly |
US11615257B2 (en) | 2017-02-24 | 2023-03-28 | Endotronix, Inc. | Method for communicating with implant devices |
US10598559B2 (en) | 2017-06-29 | 2020-03-24 | Rosemount Inc. | Pressure sensor assembly |
US11371899B2 (en) | 2018-05-17 | 2022-06-28 | Rosemount Inc. | Measuring element with an extended permeation resistant layer |
EP3795218B1 (en) | 2019-09-20 | 2024-02-28 | Marioff Corporation OY | Fire suppression system |
Family Cites Families (221)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1648764U (de) | 1952-10-06 | 1952-12-31 | Agnes Speer | Schnelleinfaedler fuer naehmaschinen-, naeh- und stopfnadeln. |
US3239827A (en) | 1960-01-12 | 1966-03-08 | Rosemount Eng Co Ltd | High precision pressure standard |
US3079576A (en) | 1961-02-01 | 1963-02-26 | Rosemount Eng Co Ltd | Integral strain transducer |
US3147085A (en) | 1961-09-14 | 1964-09-01 | Gen Electric | Apparatus for growing whiskers |
BE635328A (ja) | 1962-07-25 | |||
GB1069435A (en) | 1963-05-21 | 1967-05-17 | G V Planer Ltd | Electromechanical transducer device |
NL6411121A (ja) | 1964-09-24 | 1966-03-25 | ||
US3356963A (en) | 1966-06-23 | 1967-12-05 | Willard E Buck | Fused quartz motion sensitive transducer |
US3405559A (en) | 1966-11-07 | 1968-10-15 | United Aircraft Corp | Pressure transducer |
US3440873A (en) | 1967-05-23 | 1969-04-29 | Corning Glass Works | Miniature pressure transducer |
US3750476A (en) | 1967-09-25 | 1973-08-07 | Bissett Berman Corp | Pressure transducer |
US3589965A (en) | 1968-11-27 | 1971-06-29 | Mallory & Co Inc P R | Bonding an insulator to an insulator |
US3696985A (en) | 1969-12-31 | 1972-10-10 | Western Electric Co | Methods of and apparatus for aligning and bonding workpieces |
USRE28798E (en) | 1969-12-31 | 1976-05-04 | Western Electric Co., Inc. | Methods of and apparatus for aligning and bonding workpieces |
US3743552A (en) | 1970-01-30 | 1973-07-03 | North American Rockwell | Process for coplanar semiconductor structure |
US3645137A (en) | 1970-04-16 | 1972-02-29 | Bendix Corp | Quartz pressure sensor |
DE2021479A1 (de) | 1970-05-02 | 1971-11-11 | Kleinwaechter Hans | Druckmessgeraet zur Messung von Drucken in Gasen und Fluessigkeiten |
IL38468A (en) | 1971-02-02 | 1974-11-29 | Hughes Aircraft Co | Electrical resistance device and its production |
CS153132B1 (ja) | 1971-02-12 | 1974-02-25 | ||
US3715638A (en) | 1971-05-10 | 1973-02-06 | Bendix Corp | Temperature compensator for capacitive pressure transducers |
US3962921A (en) | 1972-02-04 | 1976-06-15 | The Garrett Corporation | Compensated pressure transducer |
US3854892A (en) | 1972-04-20 | 1974-12-17 | Gen Electric | Direct bonding of metals with a metal-gas eutectic |
US3744120A (en) | 1972-04-20 | 1973-07-10 | Gen Electric | Direct bonding of metals with a metal-gas eutectic |
US3766634A (en) | 1972-04-20 | 1973-10-23 | Gen Electric | Method of direct bonding metals to non-metallic substrates |
US3899878A (en) | 1972-07-19 | 1975-08-19 | Int Harvester Co | Apparatus for indicating gas temperatures |
US3834604A (en) | 1972-10-03 | 1974-09-10 | Western Electric Co | Apparatus for solid-phase bonding mating members through an interposed pre-shaped compliant medium |
US3939559A (en) | 1972-10-03 | 1976-02-24 | Western Electric Company, Inc. | Methods of solid-phase bonding mating members through an interposed pre-shaped compliant medium |
SU463643A1 (ru) | 1973-01-03 | 1975-03-15 | Ордена Ленина Предприятие П/Я А-1705 | Способ изготовлени изделий |
FR2246506A1 (en) | 1973-10-09 | 1975-05-02 | Podvigalkina Galina | Joining of silicate glass lenses - by formation of silicate film on lens surface(s) then sintering together by IR radiation |
US3858097A (en) | 1973-12-26 | 1974-12-31 | Bendix Corp | Pressure-sensing capacitor |
US3994430A (en) | 1975-07-30 | 1976-11-30 | General Electric Company | Direct bonding of metals to ceramics and metals |
US4426673A (en) | 1976-03-12 | 1984-01-17 | Kavlico Corporation | Capacitive pressure transducer and method of making same |
US4177496A (en) | 1976-03-12 | 1979-12-04 | Kavlico Corporation | Capacitive pressure transducer |
US4084438A (en) | 1976-03-29 | 1978-04-18 | Setra Systems, Inc. | Capacitive pressure sensing device |
US4018374A (en) | 1976-06-01 | 1977-04-19 | Ford Aerospace & Communications Corporation | Method for forming a bond between sapphire and glass |
US4064549A (en) | 1976-08-31 | 1977-12-20 | Metrolology General Corporation | Cylindrical capacitive quartz transducer |
US4158217A (en) | 1976-12-02 | 1979-06-12 | Kaylico Corporation | Capacitive pressure transducer with improved electrode |
US4128006A (en) | 1976-12-13 | 1978-12-05 | Bunker Ramo Corporation | Packaging of pressure sensor cells |
US4127840A (en) | 1977-02-22 | 1978-11-28 | Conrac Corporation | Solid state force transducer |
US4078711A (en) | 1977-04-14 | 1978-03-14 | Rockwell International Corporation | Metallurgical method for die attaching silicon on sapphire devices to obtain heat resistant bond |
US4208782A (en) | 1977-12-12 | 1980-06-24 | Kulite Semiconductor Products, Inc. | Methods of fabricating transducers employing flat bondable surfaces with buried contact areas |
US4202217A (en) | 1977-12-12 | 1980-05-13 | Kulite Semiconductor Products, Inc. | Semiconductor transducers employing flat bondable surfaces with buried contact areas |
SU736216A1 (ru) | 1978-02-22 | 1980-05-25 | Предприятие П/Я А-3695 | Способ изготовлени газоразр дной лампы |
JPS5516228A (en) | 1978-07-21 | 1980-02-04 | Hitachi Ltd | Capacity type sensor |
US4196632A (en) | 1978-08-14 | 1980-04-08 | The Boeing Company | Dual capacitance type bonded pressure transducer |
GB2034478B (en) | 1978-11-07 | 1983-03-02 | Vaisala Oy | Pressure gauge having an aneroid capsule |
US4278195A (en) | 1978-12-01 | 1981-07-14 | Honeywell Inc. | Method for low temperature bonding of silicon and silicon on sapphire and spinel to nickel and nickel steel and apparatus using such _a bonding technique |
US4274125A (en) | 1979-01-23 | 1981-06-16 | The Bendix Corporation | Temperature compensated capacitance pressure transducer |
JPS5937716Y2 (ja) | 1979-01-31 | 1984-10-19 | 日産自動車株式会社 | 半導体差圧センサ |
JPS5817421B2 (ja) | 1979-02-02 | 1983-04-07 | 日産自動車株式会社 | 半導体圧力センサ |
US4236137A (en) | 1979-03-19 | 1980-11-25 | Kulite Semiconductor Products, Inc. | Semiconductor transducers employing flexure frames |
US4216404A (en) | 1979-04-12 | 1980-08-05 | Kulite Semiconductor Products Inc. | Housing and lead arrangements for electromechanical transducers |
FR2455733A1 (fr) | 1979-04-19 | 1980-11-28 | Motorola Inc | Capteur de pression a effet capacitif et procede de fabrication |
US4222277A (en) | 1979-08-13 | 1980-09-16 | Kulite Semiconductor Products, Inc. | Media compatible pressure transducer |
CA1154502A (en) | 1979-09-04 | 1983-09-27 | Joseph W. Crow | Semiconductor variable capacitance pressure transducer |
US4301492A (en) | 1980-01-28 | 1981-11-17 | Paquin Maurice J | Pressure-sensing transducer |
US4382247A (en) | 1980-03-06 | 1983-05-03 | Robert Bosch Gmbh | Pressure sensor |
JPS56129831A (en) | 1980-03-17 | 1981-10-12 | Yokogawa Hokushin Electric Corp | Pressure converter |
DE3015356A1 (de) | 1980-04-22 | 1981-10-29 | Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart | Freitragende schichten sowie verfahren zur herstellung freitragender schichten, insbesondere fuer sensoren fuer brennkraftmaschinen |
DE3030765C2 (de) | 1980-08-14 | 1985-09-26 | Friedrich Grohe Armaturenfabrik Gmbh & Co, 5870 Hemer | Elektronisch geregeltes Mischventil |
US4419142A (en) | 1980-10-24 | 1983-12-06 | Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha | Method of forming dielectric isolation of device regions |
SE436936B (sv) | 1981-01-29 | 1985-01-28 | Asea Ab | Integrerad kapacitiv givare |
US4422335A (en) | 1981-03-25 | 1983-12-27 | The Bendix Corporation | Pressure transducer |
US4443293A (en) | 1981-04-20 | 1984-04-17 | Kulite Semiconductor Products, Inc. | Method of fabricating transducer structure employing vertically walled diaphragms with quasi rectangular active areas |
US4359498A (en) | 1981-04-20 | 1982-11-16 | Kulite Semiconductor Products, Inc. | Transducer structure employing vertically walled diaphragms with quasi rectangular active areas |
WO1982003914A1 (en) | 1981-05-07 | 1982-11-11 | Taniuchi Tetsuo | A temperature detector |
US4389895A (en) | 1981-07-27 | 1983-06-28 | Rosemount Inc. | Capacitance pressure sensor |
US4456901A (en) | 1981-08-31 | 1984-06-26 | Kulite Semiconductor Products, Inc. | Dielectrically isolated transducer employing single crystal strain gages |
US4412203A (en) | 1981-09-10 | 1983-10-25 | Kulite Semiconductor Products, Inc. | Housing and interconnection assembly for a pressure transducer |
JPS5855732A (ja) | 1981-09-30 | 1983-04-02 | Hitachi Ltd | 静電容量型圧力センサ |
US4454765A (en) | 1981-11-03 | 1984-06-19 | Lodge Arthur S | Extended range pressure transducers |
GB2109099B (en) | 1981-11-05 | 1985-07-24 | Glaverbel | Composite refractory articles and method of manufacturing them |
US4416156A (en) | 1981-12-23 | 1983-11-22 | Honeywell Inc. | High pressure electrical feedthru |
JPS58129221A (ja) * | 1982-01-28 | 1983-08-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 計量装置 |
NL8201222A (nl) | 1982-03-24 | 1983-10-17 | Philips Nv | Verstembare fabry-perot interferometer en roentgenbeeldweergeefinrichting voorzien van een dergelijke interferometer. |
US4422125A (en) | 1982-05-21 | 1983-12-20 | The Bendix Corporation | Pressure transducer with an invariable reference capacitor |
US4424713A (en) | 1982-06-11 | 1984-01-10 | General Signal Corporation | Silicon diaphragm capacitive pressure transducer |
US4535219A (en) | 1982-10-12 | 1985-08-13 | Xerox Corporation | Interfacial blister bonding for microinterconnections |
DE3404262A1 (de) | 1983-03-09 | 1984-09-13 | Fuji Electric Co., Ltd., Kawasaki | Kapazitiver messfuehler |
US5007841A (en) | 1983-05-31 | 1991-04-16 | Trw Inc. | Integrated-circuit chip interconnection system |
US4479070A (en) | 1983-06-10 | 1984-10-23 | Sperry Corporation | Vibrating quartz diaphragm pressure sensor |
JPS6013235A (ja) * | 1983-07-01 | 1985-01-23 | Kinseki Kk | 圧力センサ− |
DE3324661A1 (de) | 1983-07-08 | 1985-01-17 | Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim | Verfahren zum direkten verbinden von metall mit keramik |
US4517622A (en) | 1983-08-29 | 1985-05-14 | United Technologies Corporation | Capacitive pressure transducer signal conditioning circuit |
US4507973A (en) | 1983-08-31 | 1985-04-02 | Borg-Warner Corporation | Housing for capacitive pressure sensor |
JPS6051700A (ja) | 1983-08-31 | 1985-03-23 | Toshiba Corp | シリコン結晶体の接合方法 |
US4539061A (en) | 1983-09-07 | 1985-09-03 | Yeda Research And Development Co., Ltd. | Process for the production of built-up films by the stepwise adsorption of individual monolayers |
NL8303109A (nl) | 1983-09-08 | 1985-04-01 | Philips Nv | Werkwijze voor het aan elkaar bevestigen van twee delen. |
US4572000A (en) | 1983-12-09 | 1986-02-25 | Rosemount Inc. | Pressure sensor with a substantially flat overpressure stop for the measuring diaphragm |
GB8401848D0 (en) | 1984-01-24 | 1984-02-29 | Carter R E | Pressure transducer |
US4525766A (en) | 1984-01-25 | 1985-06-25 | Transensory Devices, Inc. | Method and apparatus for forming hermetically sealed electrical feedthrough conductors |
FI74350C (fi) | 1984-02-21 | 1988-01-11 | Vaisala Oy | Kapacitiv absoluttryckgivare. |
US4542436A (en) | 1984-04-10 | 1985-09-17 | Johnson Service Company | Linearized capacitive pressure transducer |
DE3583183D1 (de) | 1984-05-09 | 1991-07-18 | Toshiba Kawasaki Kk | Verfahren zur herstellung eines halbleitersubstrates. |
US4649627A (en) | 1984-06-28 | 1987-03-17 | International Business Machines Corporation | Method of fabricating silicon-on-insulator transistors with a shared element |
EP0178768A2 (en) * | 1984-09-14 | 1986-04-23 | EMI Limited | Sensor array |
JPS6173345A (ja) | 1984-09-19 | 1986-04-15 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
FI75426C (fi) | 1984-10-11 | 1988-06-09 | Vaisala Oy | Absoluttryckgivare. |
US4625561A (en) | 1984-12-06 | 1986-12-02 | Ford Motor Company | Silicon capacitive pressure sensor and method of making |
JPS61142759A (ja) | 1984-12-14 | 1986-06-30 | Ngk Spark Plug Co Ltd | Icパツケ−ジ用基板 |
JPH0770474B2 (ja) | 1985-02-08 | 1995-07-31 | 株式会社東芝 | 化合物半導体装置の製造方法 |
EP0256150B1 (en) | 1986-08-13 | 1990-04-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Apparatus for bonding semiconductor wafers |
US4780572A (en) | 1985-03-04 | 1988-10-25 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Device for mounting semiconductors |
US4586109A (en) | 1985-04-01 | 1986-04-29 | Bourns Instruments, Inc. | Batch-process silicon capacitive pressure sensor |
US4764747A (en) | 1985-06-19 | 1988-08-16 | Kulite Semiconductor Products, Inc. | Glass header structure for a semiconductor pressure transducer |
NL8501773A (nl) | 1985-06-20 | 1987-01-16 | Philips Nv | Werkwijze voor het vervaardigen van halfgeleiderinrichtingen. |
JPH0783050B2 (ja) | 1985-06-21 | 1995-09-06 | 株式会社東芝 | 半導体素子の製造方法 |
US4601779A (en) | 1985-06-24 | 1986-07-22 | International Business Machines Corporation | Method of producing a thin silicon-on-insulator layer |
US4689999A (en) | 1985-07-26 | 1987-09-01 | The Garrett Corporation | Temperature compensated pressure transducer |
SU1398825A1 (ru) | 1985-09-25 | 1988-05-30 | Северо-Западный Заочный Политехнический Институт | Датчик дл измерени давлени прикуса зубов |
NL8600216A (nl) | 1986-01-30 | 1987-08-17 | Philips Nv | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting. |
US4716492A (en) | 1986-05-05 | 1987-12-29 | Texas Instruments Incorporated | Pressure sensor with improved capacitive pressure transducer |
DE3616308C2 (de) | 1986-05-14 | 1995-09-21 | Bosch Gmbh Robert | Sensor |
US4703658A (en) | 1986-06-18 | 1987-11-03 | Motorola, Inc. | Pressure sensor assembly |
US4800758A (en) | 1986-06-23 | 1989-01-31 | Rosemount Inc. | Pressure transducer with stress isolation for hard mounting |
US4769882A (en) | 1986-10-22 | 1988-09-13 | The Singer Company | Method for making piezoelectric sensing elements with gold-germanium bonding layers |
US4773972A (en) | 1986-10-30 | 1988-09-27 | Ford Motor Company | Method of making silicon capacitive pressure sensor with glass layer between silicon wafers |
NL8700033A (nl) | 1987-01-09 | 1988-08-01 | Philips Nv | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting van het type halfgeleider op isolator. |
US5113868A (en) | 1987-06-01 | 1992-05-19 | The Regents Of The University Of Michigan | Ultraminiature pressure sensor with addressable read-out circuit |
US4754365A (en) | 1987-06-15 | 1988-06-28 | Fischer & Porter Company | Differential pressure transducer |
SU1597627A1 (ru) | 1987-06-26 | 1990-10-07 | Институт физики Земли им.О.Ю.Шмидта | Датчик давлени |
GB8718639D0 (en) | 1987-08-06 | 1987-09-09 | Spectrol Reliance Ltd | Capacitive pressure sensors |
GB8718637D0 (en) | 1987-08-06 | 1987-09-09 | Spectrol Reliance Ltd | Sealing electrical feedthrough |
US4774196A (en) | 1987-08-25 | 1988-09-27 | Siliconix Incorporated | Method of bonding semiconductor wafers |
US4852408A (en) | 1987-09-03 | 1989-08-01 | Scott Fetzer Company | Stop for integrated circuit diaphragm |
US4875368A (en) | 1987-09-08 | 1989-10-24 | Panex Corporation | Pressure sensor system |
US4929893A (en) | 1987-10-06 | 1990-05-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Wafer prober |
JPH01117714A (ja) * | 1987-10-30 | 1989-05-10 | Iseki & Co Ltd | コンバインの負荷制御方式 |
US4857130A (en) | 1987-12-03 | 1989-08-15 | Hughes Aircraft Company | Temperature stable optical bonding method and apparatus obtained thereby |
US4806783A (en) | 1988-02-25 | 1989-02-21 | Transducer Technologies Inc. | Transducer circuit |
DE3811047A1 (de) | 1988-03-31 | 1989-10-12 | Draegerwerk Ag | Fuehler zur kapazitiven messung des druckes in gasen |
DE3811311C1 (ja) | 1988-04-02 | 1989-03-09 | Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart, De | |
US4994781A (en) | 1988-04-07 | 1991-02-19 | Sahagen Armen N | Pressure sensing transducer employing piezoresistive elements on sapphire |
US5174926A (en) | 1988-04-07 | 1992-12-29 | Sahagen Armen N | Compositions for piezoresistive and superconductive application |
NL8800953A (nl) | 1988-04-13 | 1989-11-01 | Philips Nv | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderlichaam. |
US5197892A (en) | 1988-05-31 | 1993-03-30 | Canon Kabushiki Kaisha | Electric circuit device having an electric connecting member and electric circuit components |
EP0355340A1 (en) | 1988-07-04 | 1990-02-28 | Hiroaki Aoshima | Process for producing structures by bonding together synthetic corundum single crystals |
JPH02124800A (ja) | 1988-07-04 | 1990-05-14 | Hiroaki Aoshima | 一体同化した合成コランダムの単結晶構造体の製造方法 |
DE3822966C2 (de) | 1988-07-07 | 1993-09-30 | Degussa | Verwendung einer Silberlegierung als Lot zum direkten Verbinden von Keramikteilen |
DE3901492A1 (de) | 1988-07-22 | 1990-01-25 | Endress Hauser Gmbh Co | Drucksensor und verfahren zu seiner herstellung |
US4879903A (en) | 1988-09-02 | 1989-11-14 | Nova Sensor | Three part low cost sensor housing |
KR0158868B1 (ko) | 1988-09-20 | 1998-12-01 | 미다 가쓰시게 | 반도체장치 |
FR2638524B1 (fr) | 1988-10-27 | 1994-10-28 | Schlumberger Prospection | Capteur de pression utilisable dans les puits de petrole |
US4883215A (en) | 1988-12-19 | 1989-11-28 | Duke University | Method for bubble-free bonding of silicon wafers |
US4954925A (en) | 1988-12-30 | 1990-09-04 | United Technologies Corporation | Capacitive sensor with minimized dielectric drift |
SU1629763A1 (ru) | 1989-02-12 | 1991-02-23 | Предприятие П/Я А-1891 | Способ изготовлени емкостного датчика давлени |
NL8900388A (nl) | 1989-02-17 | 1990-09-17 | Philips Nv | Werkwijze voor het verbinden van twee voorwerpen. |
DE3909185A1 (de) | 1989-03-21 | 1990-09-27 | Endress Hauser Gmbh Co | Kapazitiver drucksensor und verfahren zu seiner herstellung |
US5087124A (en) | 1989-05-09 | 1992-02-11 | Smith Rosemary L | Interferometric pressure sensor capable of high temperature operation and method of fabrication |
JPH0355822A (ja) | 1989-07-25 | 1991-03-11 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体素子形成用基板の製造方法 |
US5201977A (en) | 1989-08-09 | 1993-04-13 | Hiroaki Aoshima | Process for producing structures from synthetic single-crystal pieces |
JPH0636414B2 (ja) | 1989-08-17 | 1994-05-11 | 信越半導体株式会社 | 半導体素子形成用基板の製造方法 |
US5044202A (en) | 1989-09-18 | 1991-09-03 | Texas Instruments Incorporated | Pressure transducer apparatus |
US4972717A (en) | 1989-09-18 | 1990-11-27 | Texas Instruments Incorporated | Pressure transducer apparatus and method for making same |
JPH03170826A (ja) | 1989-11-29 | 1991-07-24 | Toshiba Corp | 容量型圧力センサ |
US5001934A (en) | 1990-01-02 | 1991-03-26 | Walbro Corporation | Solid state pressure sensor |
US5050034A (en) | 1990-01-22 | 1991-09-17 | Endress U. Hauser Gmbh U. Co. | Pressure sensor and method of manufacturing same |
EP0444943B1 (en) | 1990-02-28 | 1997-05-21 | Shin-Etsu Handotai Company Limited | A method of manufacturing a bonded wafer |
JPH0719737B2 (ja) | 1990-02-28 | 1995-03-06 | 信越半導体株式会社 | S01基板の製造方法 |
JPH0636413B2 (ja) | 1990-03-29 | 1994-05-11 | 信越半導体株式会社 | 半導体素子形成用基板の製造方法 |
DE4011901A1 (de) | 1990-04-12 | 1991-10-17 | Vdo Schindling | Kapazitiver drucksensor |
EP0456060B1 (en) | 1990-04-27 | 1995-09-13 | Hiroaki Aoshima | Process for bonding synthetic singel crystals |
CN1018844B (zh) | 1990-06-02 | 1992-10-28 | 中国科学院兰州化学物理研究所 | 防锈干膜润滑剂 |
NL9001301A (nl) | 1990-06-08 | 1992-01-02 | Philips Nv | Werkwijze voor het vervaardigen van een supergeleiderinrichting. |
US5084123A (en) | 1990-07-02 | 1992-01-28 | Hughes Aircraft Company | Temperature stable optical bonding method and apparatus |
US5326726A (en) | 1990-08-17 | 1994-07-05 | Analog Devices, Inc. | Method for fabricating monolithic chip containing integrated circuitry and suspended microstructure |
US5189916A (en) | 1990-08-24 | 1993-03-02 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Pressure sensor |
JP2718563B2 (ja) | 1990-08-28 | 1998-02-25 | 日本特殊陶業株式会社 | 圧力検出器 |
JP2724419B2 (ja) | 1990-08-28 | 1998-03-09 | 日本特殊陶業株式会社 | 圧力センサ |
JPH0719739B2 (ja) | 1990-09-10 | 1995-03-06 | 信越半導体株式会社 | 接合ウェーハの製造方法 |
DE4031791A1 (de) | 1990-10-08 | 1992-04-09 | Leybold Ag | Sensor fuer ein kapazitaetsmanometer |
US5123849A (en) | 1990-11-15 | 1992-06-23 | Amp Incorporated | Conductive gel area array connector |
US5094109A (en) | 1990-12-06 | 1992-03-10 | Rosemount Inc. | Pressure transmitter with stress isolation depression |
US5261999A (en) | 1991-05-08 | 1993-11-16 | North American Philips Corporation | Process for making strain-compensated bonded silicon-on-insulator material free of dislocations |
US5155061A (en) | 1991-06-03 | 1992-10-13 | Allied-Signal Inc. | Method for fabricating a silicon pressure sensor incorporating silicon-on-insulator structures |
US5133215A (en) | 1991-06-19 | 1992-07-28 | Honeywell Inc. | Pressure transmitter assembly having sensor isolation mounting |
US5178015A (en) | 1991-07-22 | 1993-01-12 | Monolithic Sensors Inc. | Silicon-on-silicon differential input sensors |
FR2679651B1 (fr) | 1991-07-26 | 1993-11-12 | Schlumberger Services Petroliers | Couche mince extensometrique en cermet a base de tantale et de nitrate de tantale, son procede de preparation et son utilisation dans un capteur de pression. |
US5319324A (en) | 1991-10-02 | 1994-06-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of direct bonding of crystals and crystal devices |
US5231301A (en) | 1991-10-02 | 1993-07-27 | Lucas Novasensor | Semiconductor sensor with piezoresistors and improved electrostatic structures |
US5227068A (en) | 1991-10-25 | 1993-07-13 | Eco-Soil Systems, Inc. | Closed apparatus system for improving irrigation and method for its use |
JPH05196526A (ja) * | 1991-11-22 | 1993-08-06 | Nippondenso Co Ltd | 圧力検出装置 |
EP0547684A3 (en) | 1991-12-18 | 1996-11-06 | Koninkl Philips Electronics Nv | Method of manufacturing a semiconductor body comprising a carrier wafer and a monocrystalline semiconducting top layer |
US5271277A (en) | 1991-12-23 | 1993-12-21 | The Boc Group, Inc. | Capacitance pressure transducer |
JP2896725B2 (ja) | 1991-12-26 | 1999-05-31 | 株式会社山武 | 静電容量式圧力センサ |
US5214563A (en) | 1991-12-31 | 1993-05-25 | Compaq Computer Corporation | Thermally reactive lead assembly and method for making same |
US6140143A (en) | 1992-02-10 | 2000-10-31 | Lucas Novasensor Inc. | Method of producing a buried boss diaphragm structure in silicon |
FR2687777B1 (fr) | 1992-02-20 | 1994-05-20 | Sextant Avionique | Micro-capteur capacitif a faible capacite parasite et procede de fabrication. |
US5287746A (en) | 1992-04-14 | 1994-02-22 | Rosemount Inc. | Modular transmitter with flame arresting header |
JP2601128B2 (ja) | 1992-05-06 | 1997-04-16 | 松下電器産業株式会社 | 回路形成用基板の製造方法および回路形成用基板 |
US5236118A (en) | 1992-05-12 | 1993-08-17 | The Regents Of The University Of California | Aligned wafer bonding |
US5242864A (en) | 1992-06-05 | 1993-09-07 | Intel Corporation | Polyimide process for protecting integrated circuits |
US5189591A (en) | 1992-06-12 | 1993-02-23 | Allied-Signal Inc. | Aluminosilicate glass pressure transducer |
EP0579298B1 (en) | 1992-06-15 | 1997-09-03 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method of manufacturing a plate having a plane main surface, method of manufacturing a plate having parallel main surfaces, and device suitable for implementing said methods |
US5294760A (en) | 1992-06-23 | 1994-03-15 | The Regents Of The University Of California | Digital pressure switch and method of fabrication |
CA2142189A1 (en) * | 1992-08-10 | 1994-02-17 | Hilger A. Walter | Adaptor for mounting a pressure sensor to a gas turbine housing |
US5228862A (en) | 1992-08-31 | 1993-07-20 | International Business Machines Corporation | Fluid pressure actuated connector |
JP3057924B2 (ja) | 1992-09-22 | 2000-07-04 | 松下電器産業株式会社 | 両面プリント基板およびその製造方法 |
US5332469A (en) | 1992-11-12 | 1994-07-26 | Ford Motor Company | Capacitive surface micromachined differential pressure sensor |
US5314107A (en) | 1992-12-31 | 1994-05-24 | Motorola, Inc. | Automated method for joining wafers |
JP2852593B2 (ja) | 1993-03-11 | 1999-02-03 | 株式会社山武 | 静電容量式圧力センサ |
US5369544A (en) | 1993-04-05 | 1994-11-29 | Ford Motor Company | Silicon-on-insulator capacitive surface micromachined absolute pressure sensor |
JP3087152B2 (ja) | 1993-09-08 | 2000-09-11 | 富士通株式会社 | 樹脂フィルム多層回路基板の製造方法 |
US5483834A (en) | 1993-09-20 | 1996-01-16 | Rosemount Inc. | Suspended diaphragm pressure sensor |
US5424650A (en) | 1993-09-24 | 1995-06-13 | Rosemont Inc. | Capacitive pressure sensor having circuitry for eliminating stray capacitance |
JP3111816B2 (ja) | 1993-10-08 | 2000-11-27 | 株式会社日立製作所 | プロセス状態検出装置 |
DE4342890A1 (de) | 1993-12-16 | 1995-06-22 | Mannesmann Kienzle Gmbh | Verfahren zum Abdichten herstellprozeßbedingter Öffnungen an mikromechanischen Beschleunigungssensoren |
US5466630A (en) | 1994-03-21 | 1995-11-14 | United Microelectronics Corp. | Silicon-on-insulator technique with buried gap |
US5437189A (en) | 1994-05-03 | 1995-08-01 | Motorola, Inc. | Dual absolute pressure sensor and method thereof |
US5471884A (en) | 1994-07-05 | 1995-12-05 | Motorola, Inc. | Gain-adjusting circuitry for combining two sensors to form a media isolated differential pressure sensor |
EP0778746B1 (en) | 1994-09-02 | 2006-01-11 | Volcano Therapeutics, Inc. | Ultra miniature pressure sensor and guidewire using the same |
US5479827A (en) * | 1994-10-07 | 1996-01-02 | Yamatake-Honeywell Co., Ltd. | Capacitive pressure sensor isolating electrodes from external environment |
US5528452A (en) * | 1994-11-22 | 1996-06-18 | Case Western Reserve University | Capacitive absolute pressure sensor |
US5731522A (en) | 1997-03-14 | 1998-03-24 | Rosemount Inc. | Transmitter with isolation assembly for pressure sensor |
US5637802A (en) * | 1995-02-28 | 1997-06-10 | Rosemount Inc. | Capacitive pressure sensor for a pressure transmitted where electric field emanates substantially from back sides of plates |
JPH116780A (ja) * | 1997-06-16 | 1999-01-12 | Tokin Corp | 静電容量型圧力センサ |
JP3239940B2 (ja) | 1997-09-10 | 2001-12-17 | 日本電気株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
US5982608A (en) | 1998-01-13 | 1999-11-09 | Stmicroelectronics, Inc. | Semiconductor variable capacitor |
US6126889A (en) | 1998-02-11 | 2000-10-03 | General Electric Company | Process of preparing monolithic seal for sapphire CMH lamp |
JP2000111434A (ja) | 1998-10-06 | 2000-04-21 | Hokuriku Electric Ind Co Ltd | 静電容量式圧力センサユニット |
US6131462A (en) | 1998-12-18 | 2000-10-17 | Delaware Capital Formation, Inc. | Pressure/temperature transducer with improved thermal coupling and enhanced transient response |
-
2000
- 2000-01-06 US US09/478,434 patent/US6505516B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2001
- 2001-01-02 GB GB0100038A patent/GB2362716B/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-01-05 DE DE10100321.8A patent/DE10100321B4/de not_active Expired - Fee Related
- 2001-01-09 JP JP2001001908A patent/JP4851011B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016532878A (ja) * | 2013-09-26 | 2016-10-20 | ローズマウント インコーポレイテッド | 高圧作業用圧力トランスミッタのプロセス流体圧力検知アッセンブリ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB0100038D0 (en) | 2001-02-14 |
JP2001242027A (ja) | 2001-09-07 |
US6505516B1 (en) | 2003-01-14 |
GB2362716B (en) | 2004-01-14 |
GB2362716A (en) | 2001-11-28 |
DE10100321A1 (de) | 2001-07-12 |
DE10100321B4 (de) | 2017-02-02 |
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