DE60024490T2 - Saphir drucksensor stab mit gold germanium isolationshartlotverbindung - Google Patents

Saphir drucksensor stab mit gold germanium isolationshartlotverbindung Download PDF

Info

Publication number
DE60024490T2
DE60024490T2 DE60024490T DE60024490T DE60024490T2 DE 60024490 T2 DE60024490 T2 DE 60024490T2 DE 60024490 T DE60024490 T DE 60024490T DE 60024490 T DE60024490 T DE 60024490T DE 60024490 T2 DE60024490 T2 DE 60024490T2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
pressure sensor
pressure
rod
central channel
sensor capsule
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
DE60024490T
Other languages
English (en)
Other versions
DE60024490D1 (de
Inventor
C. Fred SITTLER
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Rosemount Inc
Original Assignee
Rosemount Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Rosemount Inc filed Critical Rosemount Inc
Application granted granted Critical
Publication of DE60024490D1 publication Critical patent/DE60024490D1/de
Publication of DE60024490T2 publication Critical patent/DE60024490T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L9/00Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
    • G01L9/0041Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
    • G01L9/0072Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in capacitance
    • G01L9/0075Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in capacitance using a ceramic diaphragm, e.g. alumina, fused quartz, glass
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L19/00Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
    • G01L19/0007Fluidic connecting means
    • G01L19/0046Fluidic connecting means using isolation membranes
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L19/00Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
    • G01L19/06Means for preventing overload or deleterious influence of the measured medium on the measuring device or vice versa
    • G01L19/0681Protection against excessive heat

Description

  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • Bei Fluiddrucksensoren im Flugwesen oder der Industrie sind die Isolierung elektrischer Leitungen gegen Korrosion und die Isolierung Drucksensorfilms gegen Montagespannungen im Sinne einer Langzeitbeständigkeit und Genauigkeit erforderlich.
  • Fluids (unter Druck stehende Substanzen) können zu Korrosion von Sensorfilmen und Leitungen aus Metall führen. Sensorfilme aus Metall werden daher vorzugsweise im Inneren eines Drucksensorkörpers platziert, und auch Leitungen werden vorzugsweise im Inneren des Körpers geführt und derart isoliert, dass korrosive Prozessfluids nicht in Kontakt mit den Sensorfilmen, elektrischen Leitungen und elektrischen Kontaktfeldern kommen. Korrosive Prozessfluids können Gase in einem Luftfahrt- oder stationären Turbinenmotor, Säuren, Ätzmittel, Öle, Petrochemikalien, Nahrungsmittel und Ähnliches sein.
  • Die mechanische Isolierung des Sensors gegen Montagebelastungen und Leitungswechselbelastungen ist ebenfalls problematisch, und es ist erforderlich, die Sensorgeometrie so anzuordnen, dass die Übertragung der Spannungen durch Anbringung und elektrische Leitungen auf die Drucksensormembran verringert wird. Diese Spannungen variieren häufig abhängig von der Temperatur.
  • Wenn die Schichten der Sensorkörper unter Verwendung von Haftmaterialien miteinander verbunden werden, oder wenn Keramikschichten bei hohen Temperaturen zusammen gesintert werden, können Restspannungen in den Sensorkörpern verbleiben, welche temperaturempfindlich sind und Spannung in Sensormembranen erzeugen, was zu weiteren Fehlern führt.
  • Es ist schwierig, eine Kombination von Materialien, einen Verbindungstyp, elektrische Leitungsverbindungen, Montage- und Sensorstrukturen zu finden, welche die anspruchsvollen Erfordernisse für Industrie- und Luftfahrt-Drucksensoranwendungen erfüllen. Eine hervorragende Korrosionsisolierung, hohe Monotonität oder Linearität, Stabilität, Genauigkeit und Isolation gegen Fehler aufgrund von Umgebungsfaktoren, wie beispielsweise Temperaturveränderungen und Montagespannungsveränderungen, sind jeweils erwünscht, aber nur schwer in einem einzigen Sensor zu erreichen, welcher die Erfordernisse einer breiten Palette anspruchsvoller industrieller Anwendungen und Luftfahrtanwendungen erfüllt.
  • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Die vorliegende Erfindung sieht eine Drucksensorkapsel mit einer verbesserten Isolierung nach Anspruch 1 vor.
  • Die vorliegende Erfindung sieht auch ein Verfahren zum Herstellen einer Drucksensorkapsel mit einer verbesserten Isolierung nach Anspruch 8 vor.
  • Die vorliegende Erfindung sieht auch einen Drucktransmitter mit einer verbesserten Isolierung nach Anspruch 12 vor.
  • Die vorliegende Erfindung sieht auch einen Turbinenmotor-Druckfühler mit einer verbesserten Isolierung nach Anspruch 16 vor.
  • Eine Drucksensorkapsel mit verbesserter Isolierung für eine breite Palette anspruchsvoller industrieller Anwendungen oder Luftfahrtanwendungen ist offenbart. Die Drucksensorkapsel umfasst einen als Stab gebildeten Drucksensorkörper, welcher aus direkt verbundenen Schichten eines Monokristall-Saphirs gebildet ist. Der Stab bildet eine Stabwand um einen zentralen Kanal herum. Der Stab umfasst ein erstes Ende mit einer für die Fluid-Druckregelung ausgelegten Membran und ein gegenüberliegendes zweites Ende. Die Stabwand umfasst eine äußere Stabmontagefläche zwischen den Enden. Der zentrale Kanal weist eine erste Breite in der Nähe des ersten Endes und eine zweite Breite in der Nähe der Montagefläche auf, welche enger ist als die erste Breite.
  • Die Drucksensorkapsel umfasst eine Isolierungsplatte. Die Isolierungsplatte umfasst ein hindurch verlaufendes Montageloch, und der Stab ist durch das Montageloch hindurch angebracht. Eine Hartlötverbindung verbindet die äußere Stabmontagefläche abdichtend mit dem Montageloch und isoliert das zweite Ende abdichtend gegen unter Druck stehendes Fluid.
  • Ein leitender Film ist in dem zentralen Kanal angeordnet. Der leitende Film umfasst einen Drucksensorabschnitt an der Membran und einen Sensorleitungsabschnitt, welcher von dem Drucksensorabschnitt zu den elektrischen Kontaktfeldern verläuft. Der Stab weist am zweiten Ende eine Kerbe auf. Die Kerbe bildet eine isolierte Leitungsfläche an dem zentralen Kanal, wo die elektrischen Kontaktfelder zugänglich sind.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • 1 zeigt eine typische industrielle Umgebung eines schleifengetriebenen, industriellen Drucktransmitters mit einer Drucksensorkapsel;
  • 2 zeigt eine Ausführungsform eines schleifengetriebenen, industriellen Differentialdrucktransmitters mit einer Drucksensorkapsel;
  • 3 zeigt eine Ausführungsform einer Drucksensorkapsel in einer typischen Turbinenmotoranlage;
  • 4 zeigt eine zusammengesetzte Ansicht und eine Explosionsansicht der Schichten eines Drucksensors mit einem Kanal in beiden Schichten;
  • 5 zeigt eine erste Schicht des Drucksensors aus 4;
  • 6 zeigt eine zweite Schicht des Drucksensors aus 4;
  • 7 zeigt eine Schnittansicht von vorne einer hartgelöteten Verbindung in einer Drucksensorkapsel;
  • 8 zeigt eine Schnittansicht von oben einer hartgelöteten Verbindung in einer Drucksensorkapsel;
  • 9 zeigt eine Schnittansicht von vorne einer an einem Transmitterkörper angebrachten Drucksensorkapsel;
  • 10 zeigt eine zusammengesetzte Ansicht und eine Explosionsansicht der Schichten eines Drucksensors mit einem Kanal in nur einer Schicht; und
  • 11 zeigt eine zusammengesetzte Ansicht und eine Explosionsansicht eines Drucksensors mit einem durch eine Mesa verengten Kanal.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMEN
  • In 1 ist eine typische Umgebung für einen industriellen Drucksensor bei 20 dargestellt. In 1 sind Prozessvariablen-Transmitter, wie beispielsweise ein Durchflussmesser 22 in der Prozessfluid-Leitung 23, Füllstandsmesser 24, 26 am Tank 28 und integrierte Öffnungsdurchflussmesser 30 in der Prozessleitung 31, elektrisch verbunden mit dem Steuerungssystem 32, gezeigt. Prozessvariablen-Transmitter können konfiguriert sein, um eine oder mehrere Prozessvariablen im Zusammenhang mit Fluids in einer verfahrenstechnischen Anlage, wie beispielsweise Aufschlämmungen, Flüssigkeiten, Dämpfe und Gase in den Bereichen, Chemikalien, Zellstoff, Petroleum, Gas, Medikamente, Nahrungsmittel und anderen Fluid-verarbeitenden Anlagen zu überwachen. Die überwachten Prozessvariablen können Druck, Temperatur, Fluss, Niveau, pH, Leitfähigkeit, Trübung, Dichte, Konzentration, chemische Zusammensetzung oder andere Eigenschaften der Fluids sein. Ein Prozessvariablen-Transmitter umfasst einen oder mehrere Sensoren, welche abhängig von den Bedürfnissen der verfahrenstechnischen Anlage intern oder extern des Transmitters vorliegen können.
  • Prozessvariablen-Transmitter erzeugen eine oder mehrere Transmitterausgaben, welche die erfasste Prozessvariable repräsentieren. Transmitterausgaben sind für die Übermittlung über weite Entfernungen zu einer Steuerung oder Anzeigevorrichtung über Kommunikationsbusse 34 konfiguriert. Bei typischen Fluidverarbeitenden Anlagen kann ein Kommunikationsbus 34 eine 4–20 mA Stromschleife sein, welche den Transmitter mit Energie versorgt, oder eine Feldbusverbindung, eine HART-Protokoll-Kommunikation oder eine optische Faserverbindung zu einer Steuerung, ein Steuerungssystem oder eine Anzeige. Bei Transmittern, welche durch eine 2-Draht-Schleife mit Energie versorgt werden, muss die Energie niedrig gehalten werden, um für Eigensicherheit in explosiven Atmosphären zu sorgen.
  • In 1 umfasst der Durchflussmesser mit integrierter Öffnung 30 den Drucktransmitter 36, welcher an einen mit ihm verbundenen Kommunikationsbus 34 gekoppelt ist. Füllstandsmesser 24, 26 umfassen ebenfalls Drucktransmitter. Das Steuerungssystem 32 kann dafür programmiert sein, Verfahrensbedingungen für einen menschlichen Bediener anzuzeigen und kann dafür programmiert sein, Verfahrensbedingungen zu erfassen und das Verfahren über Ausgabevorrichtungen, wie beispielsweise einen Strom-Druck-Wandler 38 oder ein Steuerungsventil 40 zu steuern.
  • In 1 umfassen die Drucktransmitter bei 24, 26 und 36 Drucksensoren, welche potentiell korrosiven Prozessfluids in verschiedenen Leitungen und Tanks ausgesetzt sind. Drucksensoren in den Drucktransmittern bei 24, 26 und 36 sind angeordnet, um Tantal-Verbindungsstücke zu umfassen.
  • In 2 ist eine Explosionsansicht eines Drucktransmitters 50 allgemein gezeigt. Der Transmitter 50 umfasst einen Flansch 52 zum Aufnehmen eines Differentialdrucks, zwei Sensorkapseln für absoluten Druck 54 (nicht gezeigt) und Elektronik 56. Der Transmitter 50 ist mit dem Flanschadapter 58 verriegelt. Der Flanschadapter 58 ist mit Impulsleitungen verbunden, welche mit den Flanschadaptereinheiten 60 oder einer anderen Verbindungshardware verbunden sind. Jede Sensorkapsel für absoluten Druck 54 umfasst einen Sensor und eine damit verbundene Fluidisolierung und Belastungsisolierungsmerkmale.
  • 3 zeigt eine Drucksensorkapsel 62 für eine Turbinenmotoranordnung 64. Der Turbinenmotor umfasst Turbinenmotorschaufeln, wie beispielsweise die Schaufel 66, welche sich in einem Turbinenmotorgehäuse 68 drehen. Ein Montageloch 70 ist an dem Turbinenmotorgehäuse 68 zum Erfassen von Druck im Turbinenmotor vorgesehen. Die Drucksensorkapsel 62 ist von dem Turbinenmotorgehäuse 68 durch einen Sockel 72 beabstandet. Der Sockel 72 schafft einen Abstand zwischen der Drucksensorkapsel 62 und dem Turbinenmotorgehäuse, um für die Drucksensorkapsel 62 eine niedrigere Umgebungstemperatur vorzusehen. Ein Durchlass 74 durch den Sockel 72 koppelt die unter Druck stehenden Gase in dem Turbinenmotorgehäuse an die Drucksensorkapsel 62. Ein Drucksensor 74 ist in der Drucksensorkapsel 62 enthalten. Der Drucksensor 74 umfasst einen integralen Stab mit einem integralen blinden Ende 76, welches den unter Druck stehenden Gasen exponiert ist. Der Drucksensor 74 umfasst auch isolierte Sensorleitungen 78, welche durch einen abgedichteten Spalt 80 in dem Stab verlaufen und mit den elektronischen Konvertierungsschaltkreisen (nicht gezeigt) durch Leitungen 82 verbunden sind.
  • In 3 weist eine Turbinenmotor-Drucksonde eine verbesserte Isolierung auf. Die Sonde umfasst einen Montagesockel mit einem ersten Ende, welches dafür ausgelegt ist, an einem Turbinenmotorgehäuse angebracht zu werden, und mit einem zweiten Ende, welches zu dem ersten Ende beabstandet ist und ein Montageloch umfasst, welches geformt ist, um einen Drucksensor aufzunehmen.
  • In 4 ist ein Drucksensor in einer zusammengesetzten Ansicht bei 90 gezeigt und ist bei 92 in einer Explosionsansicht gezeigt. Der Drucksensor 94 umfasst einen Drucksensorkörper welcher in der Form eines Stabs angeordnet ist und aus einer ersten Schicht 96 und einer zweiten Schicht 98 gefertigt ist, beide aus Monokristall-Saphir. Die erste Schicht 96 und die zweite Schicht 98 sind miteinander durch ein direktes Verbindungsverfahren verbunden. Durch die direkte Verbindung werden spiegelpolierte Saphirflächen in Berührung miteinander gebracht und ohne intermediäre Verbindungsmaterialien oder Sintern miteinander verbunden. Verfahren des Direktbondings sind in dem US-Patent 5,024,098 Petitjean et al., dem US-Patent 5,349,492 Kimura et al., dem US-Patent 5,013,380 Aoshima, dem US-Patent 5,201,977 Aoshima, dem Schweizer Patent (Auslegeschrift) 632,891 G und dem französischen Patent 2,246,506 Podvigalkina beschrieben. Die Verwendung von Monokristall-Saphiren sorgt für einen Drucksensorkörper, welcher frei von Hysterese ist. Die Verwendung von Monokristall-Saphiren macht auch die Anwendung des Direktbondings möglich. Beim Direktbonding gibt es keine intermediären Verbindungsmaterialien, welche korrodieren könnten oder welche Restspannungen beinhalten könnten, welche temperaturempfindlich wären.
  • In 4 bildet der Stab 94 eine Stabwand 100 um einen zentralen Kanal 102, wobei der Stab 94 ein erstes Ende 104 mit einer oder mehreren für die Fluiddruckregelung ausgelegten Membranen 105 und ein gegenüberliegendes zweites Ende 106 aufweist. Die Stabwand 100 umfasst eine äußere Stabmontagefläche 108 zwischen den Enden. Der zentrale Kanal 102 weist eine erste Breite 110 in der Nähe des ersten Endes 104 und eine zweite Breite 112 in der Nähe der Montagefläche 108 auf, welche geringer ist als die erste Breite 110. Die erste Breite 110 sieht eine Fläche für eine biegbare Sensormembran 105 vor und die geringere zweite Breite 112 dient dazu, den zentralen Abschnitt des Stabs zu stärken, wodurch die unerwünschte Übertragung der Montagespannung oder Leitungsspannung auf die Sensormembran verringert wird.
  • In 5 ist eine partielle Schnittansicht von vorne einer Drucksensorkapsel 120 gezeigt. Eine Isolierungsplatte 122 weist ein hindurch verlaufendes Montageloch 124 auf, und der Stab 94 ist durch das Montageloch 124 montiert.
  • Eine Hartlötverbindung 126 verbindet die äußere Stabmontagefläche 108 mit dem Montageloch 124 abdichtend. Die Anbringung isoliert das zweite Ende 106 abdichtend von der Fluiddruckregelung am Ende 104. Diese Anordnung sieht zwei Arten der Isolierung vor. Die hartgelötete Anbringung sieht eine Fluidbarriere vor, so dass unter Druck stehendes Fluid die elektrischen Kontaktfelder am zweiten Ende nicht erreicht, wodurch eine Korrosion der Kontaktfelder durch das unter Druck stehende Fluid vermieden wird. Die elektrischen Kontaktfelder und die Membran sind an gegenüberliegenden Enden des stabförmigen Sensorkörpers angeordnet, wodurch eine gewünschte mechanische Isolierung dazwischen vorgesehen ist, so dass eine durch die elektrischen Leitungen ausgeübte Kraft stark abgeschwächt wird, bevor sie die Sensormembran erreichen kann.
  • In 6 zeigt eine partielle Querschnittsansicht entlang der Linie 6-6 in 5 die Hartlötverbindung 126 genauer. Die Hartlötverbindung reicht vollständig um den Sensorkörper herum und sieht eine Abdichtung vor. Der Sensor selbst, welcher aus direkt verbundenen Monokristall-Saphirschichten gebildet ist, wird durch die Anwendung des Direktbondings ein einzelner, integraler, nahtloser Körper und bietet keinen Weg für ein Lecken des Fluids durch die Hartlötverbindung.
  • In den 78 sind Anbringungen des leitenden Films in dem zentralen Kanal 102 gezeigt. Drucksensor-Filmabschnitte 130, 132 sind neben dem ersten Ende 104 an der Membran 105 angebracht, welche durch Druck biegbar ist. Die Drucksensor-Filmabschnitte 130, 132 bilden eine Drucksensorkapazität, die durch Druckregelung des Endes 104 des Sensors gebogen wird. Die Sensorleitungsabschnitte 134, 136 erstrecken sich von den Drucksensorabschnitten 130, 132 zu den elektrischen Kontaktfeldern 138, 140. Der Leitungsabschnitt 134 verbindet durch einen vergrößerten elektrischen Kontakt bei 142, 144 eine Schicht mit der anderen. Der gewachsene elektrische Kontakt umfasst eine Anbringung eines wachstumsfähigen Materials, wie beispielsweise Tantal. Nachdem der Sensor angebracht ist, wird der Sensor erhitzt und das Tantal wächst, um den Spalt zwischen den Schichten zu überbrücken und eine Verbindung zu bilden. Ein Leitungsabschnitt 139 kann für das elektrische Abschirmen des Sensorkreislaufs vorgesehen sein.
  • Der Stab 94 weist eine Kerbe 150 am zweiten Ende 106 auf. Die Kerbe 150 bildet eine isolierte Leitungsfläche 152 an dem zentralen Kanal, wo die elektrischen Kontaktfelder 138, 140 zugänglich sind. Die Kerbe exponiert eine Fläche des zentralen Kanals mit den Kontaktfeldern. Diese Anordnung vermeidet die Notwendigkeit, die schwierige Aufgabe des Anbringens von Leitungen, welche sich aus dem Kanal heraus zu dem äußeren Ende des Stabs erstrecken, durchzuführen. Kontaktfelder am äußeren Ende des Stabs wären während der Handhabung sehr anfällig für Beschädigungen, wohingegen die Platzierung der elektrischen Kontaktfelder in der Kerbe einen gewissen Schutz vor dem Zerkratzen der Filme bietet. Elektrische offene Kreisläufe werden so vermieden.
  • Monokristall-Saphir ist ein bevorzugtes Material für Sensorkörper. Monokristall-Saphir hat exzellente mechanische Eigenschaften und einen exzellenten Korrosionswiderstand. Auch ist bei Monokristall-Saphir ein Direktbonding möglich. Wird ein Direktbonding von Monokristall-Saphir durchgeführt, müssen passende Flächen extrem flach, sauber und vollständig in Berührung miteinander sein, damit ein Direktbonding erzielt werden kann. Das Direktbonding vermeidet die Verwendung von Verbindungsmaterialien. Das Direktbonding vermeidet auch große Mengen an Restspannungen in Zusammenhang mit Hochtemperaturverfahren, wie beispielsweise das Sintern von Keramik.
  • Die Hartlötverbindung 126 ist vorzugsweise im Wesentlichen aus Gold und Germanium gebildet, um eine gute Kompatibilität mit dem Hartlöten an Monokristall-Saphir zu ermöglichen. Eine Metallbeschichtung kann auf dem Saphir angebracht werden, um, falls erforderlich, eine bessere Verbindung zu schaffen. Die Isolierungsplatte besteht vorzugsweise im Wesentlichen aus Alloy 46, welches mit der aus Gold und Germanium gebildeten hartgelöteten Verbindung kompatibel ist.
  • Die Drucksensorkapsel umfasst vorzugsweise eine in der Kerbe angeordnete Abdichtung 107, welche in dem Kanal ein hochqualitatives Vakuum abdichtet, um eine Absolutdrucksensorkapsel zu bilden. Die Hartlötverbindung hat eine Schmelztemperatur, welche geringer ist als die Schmelztemperatur der Dichtung, und die Dichtung ist vorzugsweise eine Glasfritte. Die Isolierung der elektrischen Kontaktfelder 138, 140 kann die Hysterese während des Druckzyklus verringern.
  • Ein Temperatursensor 137 ist vorzugsweise in der geringeren Breite des Kanals angeordnet. Der Temperatursensor wird verwendet, um die Temperatur des Sensors zu erfassen, was einem an dem Sensor befestigten Schaltkreis ermöglicht, einen Temperaturausgleich vorzusehen. Die Isolierung der elektrischen Kontaktfelder weg von der Sensormembran verringert tendenziell die Hysterese während des Temperaturzyklus.
  • Die Sensorkapsel kann unter Verwendung einer Reihe von Verfahrensschritten hergestellt werden. Ein Stab wird aus direkt verbundenen Schichten aus Monokristall-Saphir gebildet. Der Stab weist eine Stabwand um einen zentralen Kanal herum auf. Ein erstes Ende des Stabs ist geschlossen oder blind und ist für die Fluiddruckregelung ausgelegt. Eine Kerbe ist an einem gegenüberliegenden zweiten Ende vorgesehen, wobei die Kerbe eine isolierte Leitungsfläche an dem zentralen Kanal bildet. Die Stabwand umfasst eine äußere Stabmontagefläche zwischen den Enden, welche falls erforderlich zum Verbessern des Hartlötens metallisiert werden kann. Der zentrale Kanal ist mit einer ersten Breite in der Nähe des ersten Endes und mit einer zweiten Breite, welche geringer ist als die erste Breite, in der Nähe der Montagefläche gebildet. Ein Montageloch ist durch eine Isolierungsplatte hindurch gebildet. Der Stab ist durch das Montageloch hindurch angebracht.
  • Eine Hartlötverbindung ist hartgelötet und verbindet die äußere Stabmontagefläche mit dem Montageloch. Die Hartlötverbindung isoliert die isolierte Leitungsfläche an dem zentralen Kanal abdichtend von der Fluid-Druckregelung.
  • Ein leitender Film ist in dem zentralen Kanal angebracht, umfassend einen Drucksensorfilmabschnitt an einer biegbaren Membran oder an Membranen angrenzend an das erste Ende und einen Sensorleitungsabschnitt, welcher sich von dem Drucksensorabschnitt zu elektrischen Kontaktfeldern an der isolierten Leitungsfläche an dem zentralen Kanal erstreckt.
  • Die Isolierungsplatte kann als eine Isolierungsschale mit einem hindurch führenden Montageloch und dem durch das Montageloch angebrachten Stab gebildet sein, wobei die Tasse Seitenwände umfasst, welche sich um das erste Ende des Stabs herum erstrecken, was den Stab vor Beschädigungen durch die Handhabung schützt.
  • Der Monokristall-Saphirstab ist vorzugsweise in Losen auf einer Scheibe mit zahlreichen Stäben hergestellt.
  • Ein elektronischer Schaltkreis 56 in einem Transmitter kann an die elektrischen Kontaktfelder gekoppelt sein und eine Transmitterausgabe vorsehen, welche für den erfassten Druck repräsentativ ist.
  • Der Transmitter ist vorzugsweise ein Differentialtransmitter, wie in 2 gezeigt, und umfasst sowohl eine erste Drucksensorkapsel, wie oben beschrieben, als auch eine zweite Sensoranordnung, welche einen zweiten Druck erfasst, wobei die zweite Sensoranordnung einen zweiten Stab umfasst, welcher aus direkt verbundenen Schichten von Monokristall-Saphiren besteht, eine zweite Isolatorschale, einen zweiten Leitfilm und eine zweite Hartlötverbindung und zweite elektrische Kontaktfelder, wobei die zweiten elektrischen Kontaktfelder ebenfalls an den elektronischen Schaltkreis 56 gekoppelt sind. Der Differentialdrucktransmitter erfasst eine Druckdifferenz und erzeugt eine Ausgabe, welche für den Differentialdruck repräsentativ ist.
  • In 9 ist eine Drucksensorkapsel 160 im Querschnitt gezeigt, angebracht an einem Drucktransmitterkörper 162. Die Drucksensorkapsel 160 umfasst einen stabförmigen Drucksensor 164, wie oben beschrieben, und eine an den Drucksensor 164 hartgelötete Isolierungsschale 166. Ein passender Flansch 168 ist mit einem O-Ring 170 an der Drucksensorkapsel 160 abgedichtet. Die Druckkapsel 160 ist vorzugsweise mit einer Isolierungsmembran 172 versehen und ist mit Isolierungsfluid 174 gefüllt, um eine zusätzliche Schutzschicht und Isolierung für den Sensor vorzusehen. Der Prozessfluiddruck P wird über ein gewundenes Anschlussstück 176 ausgeübt.
  • In 10 ist eine alternative Ausführungsform eines Drucksensors gezeigt, welcher der in 4 gezeigten Ausführungsform ähnlich ist. In 4 ist der Kanal in beiden Schichten gebildet, und in 10 ist der Kanal nur in einer der Schichten gebildet. Die in 10 verwendeten Bezugszeichen werden auch in 4 verwendet, um gleiche oder ähnliche Merkmale zu identifizieren. In 10 weist die Schicht 98 keine in ihrer Mitte gebildete Nut auf und ist im Wesentlichen flach.
  • In 11 ist eine Explosionsansicht eines Drucksensors 200 gezeigt. Die in 11 gezeigte Ausführungsform ist eine Alternative zu der in 4 gezeigten Ausführungsform. In 11 ist der zentrale Kanal durch Hinzufügen einer bei 230, 232 gezeigten Stützmesa verengt oder in der Breite verringert, anstatt dass die Dicke der Stabwand vergrößert wird, um die Breite des Kanals zu verengen oder zu verringern. In anderer Hinsicht ist der Sensor 200 ähnlich angeordnet, wie der in 4 gezeigte Sensor 90. Die Schichten 214 und 216 sind aus einem Material, wie beispielsweise Aluminiumoxid, gebildet, das direkt verbunden werden kann. In 11 sind die Schichten 214 und 216 so gezeigt, wie sie vor dem Zusammensetzen und dem Direktbonding erscheinen. Nach dem Direktbonding werden die Schichten 214 und 216 eine einzige Komponente, ein integral geformter Stab. Die erste Schicht 214 umfasst einen ersten, darin geätzten Hohlraum 222, welcher von einer äußeren Kante 220 umgeben ist, und eine zweite Schicht 216 umfasst einen zweiten, darin geätzten Hohlraum 224, der sich über die äußere Kante 220 hinaus erstreckt und den Spalt 208 zwischen dem zweiten Hohlraum 224 und der äußeren Kante 120 bildet. Eine erste integrale Mesa 230 ist in dem Hohlraum 222 der Schicht 214 zwischen dem blinden Ende und dem isolierten Ende angeordnet. Eine zweite Mesa 232 ist in dem Hohlraum 224 der Schicht 216 zwischen dem blinden Ende und dem isolierten Ende 106 angeordnet. Die erste Mesa 230 ist mit der zweiten Mesa 232 bei der Montage ausgerichtet, und die Mesas 230, 232 sind integral miteinander verbunden, um eine integrale Stütze zu bilden, welche den Kanal verengt. Wird der Sensor 200 später mit einer Isolierschale verbunden, so wird die integrale Stütze mit den verbundenen Flächen der Isolierschale ausgerichtet, um eine zusätzliche Stütze zu bilden.
  • Dritte und vierte Mesas 234 und 236 sind näher an dem isolierten Ende angeordnet. Bei der Montage berühren sich die Mesas 234, 236 nicht. Die Mesas 234 und 236 umfassen auf den einander zugewandten Flächen flache Schichten eines elektrisch leitenden Kornwachstumsmaterials, wie beispielsweise Tantal. Die Mesas 234, 236 ermöglichen Hohlräume, welche tiefer sind als die Entfernung, über die sich das Kornwachstum erstrecken kann. Nachdem das Direktbonding der Schichten 214 und 216 abgeschlossen ist, wird der Sensor 200 erhitzt, um zu bewirken, dass das elektrisch leitende Kornwachstumsmaterial auf den Mesas 234 und 236 wächst und eine elektrische Verbindung zwischen den zwei Mesas 234 und 236 vollendet. Diese elektrische Verbindung wird nach dem Direktbonding vollendet, so dass es keinen Einfluss auf den engen Kontakt zwischen den Schichten 214 und 216 hat.
  • Das Vorhandensein eines Kanals in jeder der Schichten 214, 216 vereinfacht die Montage des Sensors mit präziser Ausrichtung zwischen den passenden Flächen. Es bleibt ein Spalt erhalten, damit die Leitungen den Kanal verlassen können, so dass die Leitungen die präzise Ausrichtung nicht stören. Nachdem das Direktbonding abgeschlossen ist, wird eine Abdichtung angebracht, wie sie auch an dem Sensor in 4 angebracht ist. Die Abdichtung und die Metall-Kornwachstumsverbindung bei 234, 236 sind in deutlichem Abstand zu dem Drucksensorbereich am blinden Ende angebracht, so dass die verschiedenen Temperaturexpansionskoeffizienten des elektrisch leitenden Kornwachstumsmaterials und die Abdichtung bezüglich der Schichten 214, 216 keinen ungünstigen Einfluss auf die Erfassung am blinden Ende haben, wenn es zu Temperaturveränderungen kommt.
  • Die Metallfilme in dem Sensor 200 bilden Kondensatorplatten, und die Filme sind selektiv angebracht, um abgedichtete Durchgangsleitungen oder Bahnen durch die Dichtung zu bilden, welche eine Verbindung zu einem externen elektronischen Schaltkreis herstellen.

Claims (16)

  1. Drucksensorkapsel (62) mit verbesserter Isolierung, umfassend: einen Drucksensorkörper, welcher als ein Stab gebildet ist, der aus direkt verbundenen Schichten (96, 98) aus Monokristall-Saphir gefertigt ist, wobei der Stab eine Stabwand (100) um einen zentralen Kanal (102) bildet, wobei der Stab ein erstes Ende (104) mit einer für den Fluid-Druckaufbau ausgelegten Membran (105) aufweist, und ein gegenüberliegendes zweites Ende (106) aufweist, wobei die Stabwand (100) eine äußere Stabanbringungsfläche (108) zwischen den Enden (104, 106) umfasst; wobei der zentrale Kanal (102) eine erste Breite (110) in der Nähe des ersten Endes (104) aufweist und eine zweite Breite (112), welche geringer ist als die erste Breite (110), in der Nähe der Montagefläche (108) aufweist; eine Isolierungsplatte mit einem Montageloch (124) dort hindurch und die Stabanbringung durch das Montageloch (124); eine Hartlötverbindung, welche die äußere Stabanbringungsfläche abdichtend mit dem Montageloch verbindet, wobei das zweite Ende (106) abdichtend gegen die Fluid-Druckregulierung isoliert ist; und einen in dem zentralen Kanal (102) angeordneten leitenden Film, welcher einen Drucksensorfilmabschnitt (130, 132) an der Membran (105) umfasst und einen Sensorleitabschnitt (134, 136), welcher sich von dem Drucksensorabschnitt (130, 132) zu elektrischen Kontaktfeldern (138, 140) erstreckt, wobei der Stab eine Kerbe (150) am zweiten Ende (106) aufweist, wobei die Kerbe (150) eine isolierte Leitfläche (152) an dem zentralen Kanal (102) bildet, wo die elektrischen Kontaktfelder (138, 140) zugänglich sind.
  2. Drucksensorkapsel (62) nach Anspruch 1, wobei die Hartlötverbindung (126) im Wesentlichen aus Gold und Germanium gebildet ist.
  3. Drucksensorkapsel (62) nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, wobei die Isolierungsplatte (122) im Wesentlichen aus Alloy 46 gebildet ist.
  4. Drucksensorkapsel (62) nach einem der Ansprüche 1 bis 3, welche ferner eine in der Kerbe (150) angeordnete Abdichtung (107) umfasst, und wobei die Hartlötverbindung (126) eine Schmelztemperatur aufweist, welche geringer ist als die Schmelztemperatur der Abdichtung (107).
  5. Drucksensorkapsel (62) nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei die Isolierung der elektrischen Kontaktfelder (138, 140) die Hysterese während des Druckzyklus verringert.
  6. Drucksensorkapsel (62) nach einem der Ansprüche 1 bis 5, welche ferner einen Temperatursensor (137) umfasst, der in der engeren Breite (112) des Kanals (102) angeordnet ist.
  7. Drucksensorkapsel (62) nach Anspruch 6, wobei die Isolierung der elektrischen Kontaktfelder (138, 140) die Hysterese während des Temperaturzyklus verringert.
  8. Verfahren zum Herstellen einer Drucksensorkapsel (62) mit verbesserter Isolierung, umfassend: Bilden eines Stabs aus direkt verbundenen Schichten (96, 98) aus Monokristall-Saphir, wobei der Stab eine Stabwand (100) um einen zentralen Kanal (102) aufweist, Anpassen eines ersten Endes (104) des Stabs für den Fluiddruckaufbau, Vorsehen einer Kerbe (150) an einem gegenüberliegenden zweiten Ende (106), wobei die Kerbe (150) eine isolierte Leitfläche (152) an dem zentralen Kanal (102) bildet, wobei die Stabwand (100) eine äußere Stabanbringungsfläche (108) zwischen den Enden (104, 106) aufweist; Bilden des zentralen Kanals (102) mit einer ersten Breite (110) in der Nähe des ersten Endes (104) und mit einer zweiten Breite (112) in der Nähe der Montagefläche (108), welche kleiner ist als die erste Breite (110); Bilden eines Montagelochs (124) durch eine Isolierungsplatte (122) hindurch und Anbringen des Stabs durch das Montageloch (124) hindurch; Löten einer Hartlötverbindung (126), welche die äußere Stabanbringungsfläche (108) mit dem Montageloch (124) verbindet, wobei die Hartlötverbindung (126) die isolierte Leitungsfläche (152) an dem zentralen Kanal (102) von dem Fluiddruckaufbau abdichtend isoliert; und Anbringen eines in dem zentralen Kanal (102) angeordneten Leitfilms, mit einem Drucksensorfilmabschnitt (130, 132) neben dem ersten Ende (104) und einem Sensorleitungsabschnitt, welcher sich von dem Drucksensorabschnitt (130, 132) zu elektrischen Kontaktfeldern (138, 140) an der isolierten Leitungsfläche (152) an dem zentralen Kanal (102) erstreckt.
  9. Drucksensorkapsel (62) mit verbesserter Isolierung nach Anspruch 1, wobei: die Isolierungsplatte (122) als eine Isolierungsschale (166) mit dem dort hindurch verlaufenden Montageloch (124) gebildet ist.
  10. Drucksensorkapsel (62) nach Anspruch 9, wobei der Stab in Losen gefertigt ist.
  11. Drucksensorkapsel (62) nach Anspruch 9 oder Anspruch 10, ferner umfassend: Isolierungsfluid (174), welches die Isolierungsschale füllt; und eine Isolatormembran (172) mit einem an der Isolatorschale (166) abgedichteten Rand, wobei die Isolatormembran (172) für das Trennen eines Prozessfluids von dem unter Druck stehenden Isolierungsfluid (174) ausgelegt ist.
  12. Drucktransmitter (36) mit verbesserter Isolierung, umfassend: eine Drucksensorkapsel (62) nach Anspruch 1; und eine elektronische Schaltung (56), welche an die elektrischen Kontaktfelder gekoppelt ist und eine für den erfassten Druck repräsentative Transmitterausgabe vorsieht.
  13. Drucktransmitter (36) nach Anspruch 12, wobei der Stab in Losen gefertigt ist.
  14. Drucktransmitter (36) nach Anspruch 12 oder Anspruch 13, welcher ferner umfasst: in der Isolatorschale (166) angeordnetes Isolatorfluid (174); und eine Isolatormembran (172), welche das Isolatorfluid (174) in der Isolatorschale (166) abdichtet.
  15. Drucktransmitter (36) nach einem der Ansprüche 12 bis 14, welcher ferner umfasst: eine zweite Erfassungsanordnung, welche einen zweiten Druck erfasst, wobei die zweite Erfassungsanordnung einen zweiten, aus direkt verbundenen Schichten aus Monokristall-Saphir gefertigten Stab, eine zweite Isolatorschale, einen zweiten Leitfilm und eine zweite Hartlötverbindung und zweite elektrische Kontaktfelder umfasst, wobei die zweiten elektrischen Kontaktfelder an die elektronische Schaltung gekoppelt sind, wobei der Transmitter einen Druckunterschied erfasst und eine für den Differentialdruck repräsentative Ausgabe erzeugt.
  16. Ein Turbinenmotor-Druckfühler mit verbesserter Isolierung, umfassend: eine Drucksensorkapsel nach Anspruch 1; und einen Montagesockel (72), mit einem ersten Ende, welches dafür ausgelegt ist, an einem Turbinenmotorgehäuse angebracht zu werden, und mit einem von dem ersten Ende beabstandeten zweiten Ende, an welchem das Montageloch (124) der Drucksensorkapsel (62) vorgesehen ist, wobei der Montagesockel (72) die Isolierungsplatte (122) derart vorsieht, dass die Drucksensorkapsel (62) in dem Montageloch (124) des Montagesockels (72) aufgenommen ist.
DE60024490T 2000-01-06 2000-12-20 Saphir drucksensor stab mit gold germanium isolationshartlotverbindung Expired - Lifetime DE60024490T2 (de)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US477689 1995-06-07
US09/477,689 US6508129B1 (en) 2000-01-06 2000-01-06 Pressure sensor capsule with improved isolation
PCT/US2000/034647 WO2001050105A1 (en) 2000-01-06 2000-12-20 Sapphire pressure sensor beam with gold germanium isolation braze joint

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE60024490D1 DE60024490D1 (de) 2006-01-05
DE60024490T2 true DE60024490T2 (de) 2006-08-03

Family

ID=23896934

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE60024490T Expired - Lifetime DE60024490T2 (de) 2000-01-06 2000-12-20 Saphir drucksensor stab mit gold germanium isolationshartlotverbindung

Country Status (7)

Country Link
US (1) US6508129B1 (de)
EP (1) EP1244898B1 (de)
JP (1) JP2003534529A (de)
CN (1) CN1216279C (de)
AU (1) AU2443101A (de)
DE (1) DE60024490T2 (de)
WO (1) WO2001050105A1 (de)

Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6561038B2 (en) 2000-01-06 2003-05-13 Rosemount Inc. Sensor with fluid isolation barrier
US6848316B2 (en) * 2002-05-08 2005-02-01 Rosemount Inc. Pressure sensor assembly
US6722927B1 (en) 2003-05-28 2004-04-20 Rosemount Inc. Electrical connector for a pressure sensor stem
US6923068B2 (en) * 2003-06-19 2005-08-02 Dynisco, Inc. Pressure transducer
US7017416B1 (en) 2004-10-22 2006-03-28 Honeywell International, Inc. Disposable pressure diaphragm and wireless sensor systems and methods
US7185545B2 (en) * 2004-12-29 2007-03-06 General Electric Company Instrumentation and method for monitoring change in electric potential to detect crack growth
US7295131B2 (en) * 2005-01-07 2007-11-13 Rosemount Inc. Diagnostic system for detecting rupture or thinning of diaphragms
US7162926B1 (en) * 2005-08-04 2007-01-16 Kavlico Corporation Lead embedded pressure sensor
EP1790964B1 (de) * 2005-11-29 2017-08-23 Sensata Technologies, Inc. Sensoranordnung zur Messung von Druck und Temperatur in Flüssigkeiten
KR100634328B1 (ko) * 2006-06-12 2006-10-16 두온 시스템 (주) 압력전송기
US7550351B2 (en) * 2006-10-05 2009-06-23 International Business Machines Corporation Structure and method for creation of a transistor
US7647835B2 (en) * 2007-09-19 2010-01-19 Honeywell International Inc. Pressure sensor stress isolation pedestal
US8276458B2 (en) 2010-07-12 2012-10-02 Rosemount Inc. Transmitter output with scalable rangeability
US8578783B2 (en) 2011-09-26 2013-11-12 Rosemount Inc. Process fluid pressure transmitter with separated sensor and sensor electronics
US9010191B2 (en) 2011-12-22 2015-04-21 Rosemount Inc. Pressure sensor module for sub-sea applications
US9389106B2 (en) 2012-03-06 2016-07-12 Rosemount Inc. Remote seal pressure measurement system for subsea use
US9568387B2 (en) 2012-08-08 2017-02-14 Rosemount Inc. Thermal diagnostic for single-crystal process fluid pressure sensor
US9103738B2 (en) 2012-09-07 2015-08-11 Dynisco Instruments Llc Capacitive pressure sensor with intrinsic temperature compensation
US8984952B2 (en) * 2012-09-07 2015-03-24 Dynisco Instruments Llc Capacitive pressure sensor
US9442031B2 (en) 2013-06-28 2016-09-13 Rosemount Inc. High integrity process fluid pressure probe
CN104583742B (zh) * 2013-07-19 2016-12-28 罗斯蒙特公司 包括具有两件式隔离插塞的隔离组件的压力变送器
US9459170B2 (en) 2013-09-26 2016-10-04 Rosemount Inc. Process fluid pressure sensing assembly for pressure transmitters subjected to high working pressure
US9234776B2 (en) 2013-09-26 2016-01-12 Rosemount Inc. Multivariable process fluid transmitter for high pressure applications
US10260980B2 (en) 2013-09-27 2019-04-16 Rosemount Inc. Pressure sensor with mineral insulated cable
US9222815B2 (en) 2013-12-30 2015-12-29 Rosemount Inc. Wafer style insertable magnetic flowmeter with collapsible petals
US10107700B2 (en) 2014-03-24 2018-10-23 Rosemount Inc. Process variable transmitter with process variable sensor carried by process gasket
DE102014212259A1 (de) * 2014-06-26 2016-01-14 Robert Bosch Gmbh Drucksensor zur Erfassung eines Drucks eines fluiden Mediums in einem Messraum
US10635064B2 (en) 2014-06-30 2020-04-28 Rosemount Inc. Hysteretic process variable sensor compensation
US9638600B2 (en) 2014-09-30 2017-05-02 Rosemount Inc. Electrical interconnect for pressure sensor in a process variable transmitter
JP6384405B2 (ja) * 2015-06-03 2018-09-05 株式会社デンソー センサ装置
US10598559B2 (en) 2017-06-29 2020-03-24 Rosemount Inc. Pressure sensor assembly

Family Cites Families (218)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1648764U (de) 1952-10-06 1952-12-31 Agnes Speer Schnelleinfaedler fuer naehmaschinen-, naeh- und stopfnadeln.
US3239827A (en) 1960-01-12 1966-03-08 Rosemount Eng Co Ltd High precision pressure standard
US3079576A (en) 1961-02-01 1963-02-26 Rosemount Eng Co Ltd Integral strain transducer
US3147085A (en) 1961-09-14 1964-09-01 Gen Electric Apparatus for growing whiskers
NL281412A (de) 1962-07-25
GB1069435A (en) 1963-05-21 1967-05-17 G V Planer Ltd Electromechanical transducer device
NL6411121A (de) 1964-09-24 1966-03-25
US3356963A (en) 1966-06-23 1967-12-05 Willard E Buck Fused quartz motion sensitive transducer
US3405559A (en) 1966-11-07 1968-10-15 United Aircraft Corp Pressure transducer
US3440873A (en) 1967-05-23 1969-04-29 Corning Glass Works Miniature pressure transducer
US3750476A (en) 1967-09-25 1973-08-07 Bissett Berman Corp Pressure transducer
US3589965A (en) 1968-11-27 1971-06-29 Mallory & Co Inc P R Bonding an insulator to an insulator
USRE28798E (en) 1969-12-31 1976-05-04 Western Electric Co., Inc. Methods of and apparatus for aligning and bonding workpieces
US3696985A (en) 1969-12-31 1972-10-10 Western Electric Co Methods of and apparatus for aligning and bonding workpieces
US3743552A (en) 1970-01-30 1973-07-03 North American Rockwell Process for coplanar semiconductor structure
US3645137A (en) 1970-04-16 1972-02-29 Bendix Corp Quartz pressure sensor
DE2021479A1 (de) 1970-05-02 1971-11-11 Kleinwaechter Hans Druckmessgeraet zur Messung von Drucken in Gasen und Fluessigkeiten
IL38468A (en) 1971-02-02 1974-11-29 Hughes Aircraft Co Electrical resistance device and its production
US3715638A (en) 1971-05-10 1973-02-06 Bendix Corp Temperature compensator for capacitive pressure transducers
US3962921A (en) 1972-02-04 1976-06-15 The Garrett Corporation Compensated pressure transducer
US3854892A (en) 1972-04-20 1974-12-17 Gen Electric Direct bonding of metals with a metal-gas eutectic
US3766634A (en) 1972-04-20 1973-10-23 Gen Electric Method of direct bonding metals to non-metallic substrates
US3744120A (en) 1972-04-20 1973-07-10 Gen Electric Direct bonding of metals with a metal-gas eutectic
US3899878A (en) 1972-07-19 1975-08-19 Int Harvester Co Apparatus for indicating gas temperatures
US3939559A (en) 1972-10-03 1976-02-24 Western Electric Company, Inc. Methods of solid-phase bonding mating members through an interposed pre-shaped compliant medium
US3834604A (en) 1972-10-03 1974-09-10 Western Electric Co Apparatus for solid-phase bonding mating members through an interposed pre-shaped compliant medium
FR2246506A1 (en) 1973-10-09 1975-05-02 Podvigalkina Galina Joining of silicate glass lenses - by formation of silicate film on lens surface(s) then sintering together by IR radiation
US3858097A (en) 1973-12-26 1974-12-31 Bendix Corp Pressure-sensing capacitor
US3994430A (en) 1975-07-30 1976-11-30 General Electric Company Direct bonding of metals to ceramics and metals
US4426673A (en) * 1976-03-12 1984-01-17 Kavlico Corporation Capacitive pressure transducer and method of making same
US4177496A (en) 1976-03-12 1979-12-04 Kavlico Corporation Capacitive pressure transducer
US4084438A (en) 1976-03-29 1978-04-18 Setra Systems, Inc. Capacitive pressure sensing device
US4018374A (en) 1976-06-01 1977-04-19 Ford Aerospace & Communications Corporation Method for forming a bond between sapphire and glass
US4064549A (en) 1976-08-31 1977-12-20 Metrolology General Corporation Cylindrical capacitive quartz transducer
US4158217A (en) 1976-12-02 1979-06-12 Kaylico Corporation Capacitive pressure transducer with improved electrode
US4128006A (en) 1976-12-13 1978-12-05 Bunker Ramo Corporation Packaging of pressure sensor cells
US4127840A (en) 1977-02-22 1978-11-28 Conrac Corporation Solid state force transducer
US4078711A (en) 1977-04-14 1978-03-14 Rockwell International Corporation Metallurgical method for die attaching silicon on sapphire devices to obtain heat resistant bond
US4208782A (en) 1977-12-12 1980-06-24 Kulite Semiconductor Products, Inc. Methods of fabricating transducers employing flat bondable surfaces with buried contact areas
US4202217A (en) 1977-12-12 1980-05-13 Kulite Semiconductor Products, Inc. Semiconductor transducers employing flat bondable surfaces with buried contact areas
JPS5516228A (en) 1978-07-21 1980-02-04 Hitachi Ltd Capacity type sensor
US4196632A (en) 1978-08-14 1980-04-08 The Boeing Company Dual capacitance type bonded pressure transducer
GB2034478B (en) 1978-11-07 1983-03-02 Vaisala Oy Pressure gauge having an aneroid capsule
US4278195A (en) 1978-12-01 1981-07-14 Honeywell Inc. Method for low temperature bonding of silicon and silicon on sapphire and spinel to nickel and nickel steel and apparatus using such _a bonding technique
US4274125A (en) 1979-01-23 1981-06-16 The Bendix Corporation Temperature compensated capacitance pressure transducer
JPS5937716Y2 (ja) 1979-01-31 1984-10-19 日産自動車株式会社 半導体差圧センサ
JPS5817421B2 (ja) 1979-02-02 1983-04-07 日産自動車株式会社 半導体圧力センサ
US4236137A (en) 1979-03-19 1980-11-25 Kulite Semiconductor Products, Inc. Semiconductor transducers employing flexure frames
US4216404A (en) 1979-04-12 1980-08-05 Kulite Semiconductor Products Inc. Housing and lead arrangements for electromechanical transducers
FR2455733A1 (fr) 1979-04-19 1980-11-28 Motorola Inc Capteur de pression a effet capacitif et procede de fabrication
US4222277A (en) 1979-08-13 1980-09-16 Kulite Semiconductor Products, Inc. Media compatible pressure transducer
CA1154502A (en) 1979-09-04 1983-09-27 Joseph W. Crow Semiconductor variable capacitance pressure transducer
US4301492A (en) 1980-01-28 1981-11-17 Paquin Maurice J Pressure-sensing transducer
US4382247A (en) 1980-03-06 1983-05-03 Robert Bosch Gmbh Pressure sensor
JPS56129831A (en) 1980-03-17 1981-10-12 Yokogawa Hokushin Electric Corp Pressure converter
DE3015356A1 (de) 1980-04-22 1981-10-29 Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart Freitragende schichten sowie verfahren zur herstellung freitragender schichten, insbesondere fuer sensoren fuer brennkraftmaschinen
DE3030765C2 (de) 1980-08-14 1985-09-26 Friedrich Grohe Armaturenfabrik Gmbh & Co, 5870 Hemer Elektronisch geregeltes Mischventil
US4419142A (en) 1980-10-24 1983-12-06 Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha Method of forming dielectric isolation of device regions
SE436936B (sv) 1981-01-29 1985-01-28 Asea Ab Integrerad kapacitiv givare
US4422335A (en) 1981-03-25 1983-12-27 The Bendix Corporation Pressure transducer
US4443293A (en) 1981-04-20 1984-04-17 Kulite Semiconductor Products, Inc. Method of fabricating transducer structure employing vertically walled diaphragms with quasi rectangular active areas
US4359498A (en) 1981-04-20 1982-11-16 Kulite Semiconductor Products, Inc. Transducer structure employing vertically walled diaphragms with quasi rectangular active areas
US4598996A (en) 1981-05-07 1986-07-08 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Temperature detector
US4389895A (en) 1981-07-27 1983-06-28 Rosemount Inc. Capacitance pressure sensor
US4456901A (en) 1981-08-31 1984-06-26 Kulite Semiconductor Products, Inc. Dielectrically isolated transducer employing single crystal strain gages
US4412203A (en) 1981-09-10 1983-10-25 Kulite Semiconductor Products, Inc. Housing and interconnection assembly for a pressure transducer
JPS5855732A (ja) 1981-09-30 1983-04-02 Hitachi Ltd 静電容量型圧力センサ
US4454765A (en) 1981-11-03 1984-06-19 Lodge Arthur S Extended range pressure transducers
GB2109099B (en) 1981-11-05 1985-07-24 Glaverbel Composite refractory articles and method of manufacturing them
US4416156A (en) 1981-12-23 1983-11-22 Honeywell Inc. High pressure electrical feedthru
NL8201222A (nl) 1982-03-24 1983-10-17 Philips Nv Verstembare fabry-perot interferometer en roentgenbeeldweergeefinrichting voorzien van een dergelijke interferometer.
US4422125A (en) 1982-05-21 1983-12-20 The Bendix Corporation Pressure transducer with an invariable reference capacitor
US4424713A (en) 1982-06-11 1984-01-10 General Signal Corporation Silicon diaphragm capacitive pressure transducer
US4535219A (en) 1982-10-12 1985-08-13 Xerox Corporation Interfacial blister bonding for microinterconnections
DE3404262A1 (de) 1983-03-09 1984-09-13 Fuji Electric Co., Ltd., Kawasaki Kapazitiver messfuehler
US5007841A (en) 1983-05-31 1991-04-16 Trw Inc. Integrated-circuit chip interconnection system
US4479070A (en) 1983-06-10 1984-10-23 Sperry Corporation Vibrating quartz diaphragm pressure sensor
DE3324661A1 (de) 1983-07-08 1985-01-17 Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim Verfahren zum direkten verbinden von metall mit keramik
US4517622A (en) 1983-08-29 1985-05-14 United Technologies Corporation Capacitive pressure transducer signal conditioning circuit
US4507973A (en) 1983-08-31 1985-04-02 Borg-Warner Corporation Housing for capacitive pressure sensor
JPS6051700A (ja) 1983-08-31 1985-03-23 Toshiba Corp シリコン結晶体の接合方法
US4539061A (en) 1983-09-07 1985-09-03 Yeda Research And Development Co., Ltd. Process for the production of built-up films by the stepwise adsorption of individual monolayers
NL8303109A (nl) 1983-09-08 1985-04-01 Philips Nv Werkwijze voor het aan elkaar bevestigen van twee delen.
US4572000A (en) 1983-12-09 1986-02-25 Rosemount Inc. Pressure sensor with a substantially flat overpressure stop for the measuring diaphragm
GB8401848D0 (en) 1984-01-24 1984-02-29 Carter R E Pressure transducer
US4525766A (en) 1984-01-25 1985-06-25 Transensory Devices, Inc. Method and apparatus for forming hermetically sealed electrical feedthrough conductors
FI74350C (fi) 1984-02-21 1988-01-11 Vaisala Oy Kapacitiv absoluttryckgivare.
JPS60195546A (ja) * 1984-03-19 1985-10-04 Hitachi Ltd マスク用基板
US4542436A (en) 1984-04-10 1985-09-17 Johnson Service Company Linearized capacitive pressure transducer
DE3583183D1 (de) 1984-05-09 1991-07-18 Toshiba Kawasaki Kk Verfahren zur herstellung eines halbleitersubstrates.
US4649627A (en) 1984-06-28 1987-03-17 International Business Machines Corporation Method of fabricating silicon-on-insulator transistors with a shared element
JPS6173345A (ja) 1984-09-19 1986-04-15 Toshiba Corp 半導体装置
FI75426C (fi) 1984-10-11 1988-06-09 Vaisala Oy Absoluttryckgivare.
US4625561A (en) 1984-12-06 1986-12-02 Ford Motor Company Silicon capacitive pressure sensor and method of making
JPS61142759A (ja) 1984-12-14 1986-06-30 Ngk Spark Plug Co Ltd Icパツケ−ジ用基板
JPH0770474B2 (ja) 1985-02-08 1995-07-31 株式会社東芝 化合物半導体装置の製造方法
EP0256150B1 (de) 1986-08-13 1990-04-04 Kabushiki Kaisha Toshiba Apparat zum Zusammenfügen von Halbleiterscheiben
US4780572A (en) 1985-03-04 1988-10-25 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Device for mounting semiconductors
US4586109A (en) 1985-04-01 1986-04-29 Bourns Instruments, Inc. Batch-process silicon capacitive pressure sensor
US4764747A (en) 1985-06-19 1988-08-16 Kulite Semiconductor Products, Inc. Glass header structure for a semiconductor pressure transducer
NL8501773A (nl) 1985-06-20 1987-01-16 Philips Nv Werkwijze voor het vervaardigen van halfgeleiderinrichtingen.
JPH0783050B2 (ja) 1985-06-21 1995-09-06 株式会社東芝 半導体素子の製造方法
US4601779A (en) 1985-06-24 1986-07-22 International Business Machines Corporation Method of producing a thin silicon-on-insulator layer
US4689999A (en) 1985-07-26 1987-09-01 The Garrett Corporation Temperature compensated pressure transducer
NL8600216A (nl) 1986-01-30 1987-08-17 Philips Nv Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting.
US4716492A (en) 1986-05-05 1987-12-29 Texas Instruments Incorporated Pressure sensor with improved capacitive pressure transducer
DE3616308C2 (de) 1986-05-14 1995-09-21 Bosch Gmbh Robert Sensor
US4703658A (en) 1986-06-18 1987-11-03 Motorola, Inc. Pressure sensor assembly
US4800758A (en) 1986-06-23 1989-01-31 Rosemount Inc. Pressure transducer with stress isolation for hard mounting
US4769882A (en) 1986-10-22 1988-09-13 The Singer Company Method for making piezoelectric sensing elements with gold-germanium bonding layers
US4773972A (en) 1986-10-30 1988-09-27 Ford Motor Company Method of making silicon capacitive pressure sensor with glass layer between silicon wafers
NL8700033A (nl) 1987-01-09 1988-08-01 Philips Nv Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting van het type halfgeleider op isolator.
JPS63285195A (ja) * 1987-05-19 1988-11-22 Yokogawa Electric Corp 単結晶水晶体の接合方法
US5113868A (en) 1987-06-01 1992-05-19 The Regents Of The University Of Michigan Ultraminiature pressure sensor with addressable read-out circuit
US4754365A (en) 1987-06-15 1988-06-28 Fischer & Porter Company Differential pressure transducer
GB8718639D0 (en) 1987-08-06 1987-09-09 Spectrol Reliance Ltd Capacitive pressure sensors
GB8718637D0 (en) 1987-08-06 1987-09-09 Spectrol Reliance Ltd Sealing electrical feedthrough
US4774196A (en) 1987-08-25 1988-09-27 Siliconix Incorporated Method of bonding semiconductor wafers
US4852408A (en) 1987-09-03 1989-08-01 Scott Fetzer Company Stop for integrated circuit diaphragm
US4875368A (en) 1987-09-08 1989-10-24 Panex Corporation Pressure sensor system
US4929893A (en) 1987-10-06 1990-05-29 Canon Kabushiki Kaisha Wafer prober
US4857130A (en) 1987-12-03 1989-08-15 Hughes Aircraft Company Temperature stable optical bonding method and apparatus obtained thereby
US4806783A (en) 1988-02-25 1989-02-21 Transducer Technologies Inc. Transducer circuit
DE3811047A1 (de) 1988-03-31 1989-10-12 Draegerwerk Ag Fuehler zur kapazitiven messung des druckes in gasen
DE3811311C1 (de) 1988-04-02 1989-03-09 Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart, De
US4994781A (en) 1988-04-07 1991-02-19 Sahagen Armen N Pressure sensing transducer employing piezoresistive elements on sapphire
US5174926A (en) 1988-04-07 1992-12-29 Sahagen Armen N Compositions for piezoresistive and superconductive application
NL8800953A (nl) 1988-04-13 1989-11-01 Philips Nv Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderlichaam.
US5197892A (en) 1988-05-31 1993-03-30 Canon Kabushiki Kaisha Electric circuit device having an electric connecting member and electric circuit components
JPH02124800A (ja) 1988-07-04 1990-05-14 Hiroaki Aoshima 一体同化した合成コランダムの単結晶構造体の製造方法
EP0355340A1 (de) 1988-07-04 1990-02-28 Hiroaki Aoshima Verfahren zur Herstellung von Gefügen durch Zusammenfügen synthetischer Einkristalle aus Korund
DE3822966C2 (de) 1988-07-07 1993-09-30 Degussa Verwendung einer Silberlegierung als Lot zum direkten Verbinden von Keramikteilen
DE3901492A1 (de) 1988-07-22 1990-01-25 Endress Hauser Gmbh Co Drucksensor und verfahren zu seiner herstellung
US4879903A (en) 1988-09-02 1989-11-14 Nova Sensor Three part low cost sensor housing
KR0158868B1 (ko) 1988-09-20 1998-12-01 미다 가쓰시게 반도체장치
FR2638524B1 (fr) 1988-10-27 1994-10-28 Schlumberger Prospection Capteur de pression utilisable dans les puits de petrole
US4883215A (en) 1988-12-19 1989-11-28 Duke University Method for bubble-free bonding of silicon wafers
US4954925A (en) 1988-12-30 1990-09-04 United Technologies Corporation Capacitive sensor with minimized dielectric drift
NL8900388A (nl) 1989-02-17 1990-09-17 Philips Nv Werkwijze voor het verbinden van twee voorwerpen.
DE3909185A1 (de) 1989-03-21 1990-09-27 Endress Hauser Gmbh Co Kapazitiver drucksensor und verfahren zu seiner herstellung
US5087124A (en) 1989-05-09 1992-02-11 Smith Rosemary L Interferometric pressure sensor capable of high temperature operation and method of fabrication
JPH0355822A (ja) 1989-07-25 1991-03-11 Shin Etsu Handotai Co Ltd 半導体素子形成用基板の製造方法
US5201977A (en) 1989-08-09 1993-04-13 Hiroaki Aoshima Process for producing structures from synthetic single-crystal pieces
JPH0636414B2 (ja) 1989-08-17 1994-05-11 信越半導体株式会社 半導体素子形成用基板の製造方法
US5044202A (en) 1989-09-18 1991-09-03 Texas Instruments Incorporated Pressure transducer apparatus
US4972717A (en) 1989-09-18 1990-11-27 Texas Instruments Incorporated Pressure transducer apparatus and method for making same
JPH03170826A (ja) 1989-11-29 1991-07-24 Toshiba Corp 容量型圧力センサ
US5001934A (en) 1990-01-02 1991-03-26 Walbro Corporation Solid state pressure sensor
US5050034A (en) 1990-01-22 1991-09-17 Endress U. Hauser Gmbh U. Co. Pressure sensor and method of manufacturing same
JPH0719737B2 (ja) 1990-02-28 1995-03-06 信越半導体株式会社 S01基板の製造方法
DE69126153T2 (de) 1990-02-28 1998-01-08 Shinetsu Handotai Kk Verfahren zur Herstellung von verbundenen Halbleiterplättchen
JPH0636413B2 (ja) 1990-03-29 1994-05-11 信越半導体株式会社 半導体素子形成用基板の製造方法
DE4011901A1 (de) 1990-04-12 1991-10-17 Vdo Schindling Kapazitiver drucksensor
EP0456060B1 (de) 1990-04-27 1995-09-13 Hiroaki Aoshima Verfahren zum Verbinden synthetischer Einkristalle
US5088329A (en) 1990-05-07 1992-02-18 Sahagen Armen N Piezoresistive pressure transducer
CN1018844B (zh) 1990-06-02 1992-10-28 中国科学院兰州化学物理研究所 防锈干膜润滑剂
NL9001301A (nl) 1990-06-08 1992-01-02 Philips Nv Werkwijze voor het vervaardigen van een supergeleiderinrichting.
US5102029A (en) * 1990-06-22 1992-04-07 Watkins-Johnson Company Microwave integrated circuit package to eliminate alumina substrate cracking and method
US5084123A (en) 1990-07-02 1992-01-28 Hughes Aircraft Company Temperature stable optical bonding method and apparatus
US5326726A (en) 1990-08-17 1994-07-05 Analog Devices, Inc. Method for fabricating monolithic chip containing integrated circuitry and suspended microstructure
US5189916A (en) 1990-08-24 1993-03-02 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Pressure sensor
JP2718563B2 (ja) 1990-08-28 1998-02-25 日本特殊陶業株式会社 圧力検出器
JP2724419B2 (ja) * 1990-08-28 1998-03-09 日本特殊陶業株式会社 圧力センサ
JPH0719739B2 (ja) 1990-09-10 1995-03-06 信越半導体株式会社 接合ウェーハの製造方法
DE4031791A1 (de) 1990-10-08 1992-04-09 Leybold Ag Sensor fuer ein kapazitaetsmanometer
US5123849A (en) 1990-11-15 1992-06-23 Amp Incorporated Conductive gel area array connector
US5094109A (en) 1990-12-06 1992-03-10 Rosemount Inc. Pressure transmitter with stress isolation depression
US5157972A (en) 1991-03-29 1992-10-27 Rosemount Inc. Pressure sensor with high modules support
JP3027226B2 (ja) * 1991-04-26 2000-03-27 イーグル工業株式会社 圧力センサ及びその製造方法
US5261999A (en) 1991-05-08 1993-11-16 North American Philips Corporation Process for making strain-compensated bonded silicon-on-insulator material free of dislocations
US5155061A (en) 1991-06-03 1992-10-13 Allied-Signal Inc. Method for fabricating a silicon pressure sensor incorporating silicon-on-insulator structures
US5133215A (en) 1991-06-19 1992-07-28 Honeywell Inc. Pressure transmitter assembly having sensor isolation mounting
US5178015A (en) 1991-07-22 1993-01-12 Monolithic Sensors Inc. Silicon-on-silicon differential input sensors
FR2679651B1 (fr) 1991-07-26 1993-11-12 Schlumberger Services Petroliers Couche mince extensometrique en cermet a base de tantale et de nitrate de tantale, son procede de preparation et son utilisation dans un capteur de pression.
US5319324A (en) 1991-10-02 1994-06-07 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method of direct bonding of crystals and crystal devices
US5231301A (en) 1991-10-02 1993-07-27 Lucas Novasensor Semiconductor sensor with piezoresistors and improved electrostatic structures
US5227068A (en) 1991-10-25 1993-07-13 Eco-Soil Systems, Inc. Closed apparatus system for improving irrigation and method for its use
EP0547684A3 (en) 1991-12-18 1996-11-06 Koninkl Philips Electronics Nv Method of manufacturing a semiconductor body comprising a carrier wafer and a monocrystalline semiconducting top layer
US5271277A (en) 1991-12-23 1993-12-21 The Boc Group, Inc. Capacitance pressure transducer
JP2896725B2 (ja) * 1991-12-26 1999-05-31 株式会社山武 静電容量式圧力センサ
US5214563A (en) 1991-12-31 1993-05-25 Compaq Computer Corporation Thermally reactive lead assembly and method for making same
US6140143A (en) 1992-02-10 2000-10-31 Lucas Novasensor Inc. Method of producing a buried boss diaphragm structure in silicon
FR2687777B1 (fr) 1992-02-20 1994-05-20 Sextant Avionique Micro-capteur capacitif a faible capacite parasite et procede de fabrication.
JPH05231975A (ja) * 1992-02-21 1993-09-07 Yamatake Honeywell Co Ltd 静電容量式圧力センサ
US5287746A (en) 1992-04-14 1994-02-22 Rosemount Inc. Modular transmitter with flame arresting header
JP2601128B2 (ja) 1992-05-06 1997-04-16 松下電器産業株式会社 回路形成用基板の製造方法および回路形成用基板
US5236118A (en) 1992-05-12 1993-08-17 The Regents Of The University Of California Aligned wafer bonding
US5242864A (en) 1992-06-05 1993-09-07 Intel Corporation Polyimide process for protecting integrated circuits
US5189591A (en) 1992-06-12 1993-02-23 Allied-Signal Inc. Aluminosilicate glass pressure transducer
EP0579298B1 (de) 1992-06-15 1997-09-03 Koninklijke Philips Electronics N.V. Verfahren zum Herstellen einer Platte mit einer ebenen Hauptoberfläche, Verfahren zum Herstellen einer Platte mit parallelen Hauptoberflächen sowie Vorrichtung zum Durchführen der Verfahren
US5294760A (en) 1992-06-23 1994-03-15 The Regents Of The University Of California Digital pressure switch and method of fabrication
EP0654141B1 (de) * 1992-08-10 1999-07-07 Dow Deutschland Inc. Adapter zum anbringen eines druckwandlers an das gehäuse einer gasturbine
US5228862A (en) 1992-08-31 1993-07-20 International Business Machines Corporation Fluid pressure actuated connector
JP3057924B2 (ja) 1992-09-22 2000-07-04 松下電器産業株式会社 両面プリント基板およびその製造方法
US5332469A (en) 1992-11-12 1994-07-26 Ford Motor Company Capacitive surface micromachined differential pressure sensor
US5314107A (en) 1992-12-31 1994-05-24 Motorola, Inc. Automated method for joining wafers
JP2852593B2 (ja) * 1993-03-11 1999-02-03 株式会社山武 静電容量式圧力センサ
US5369544A (en) 1993-04-05 1994-11-29 Ford Motor Company Silicon-on-insulator capacitive surface micromachined absolute pressure sensor
JPH0755616A (ja) * 1993-08-14 1995-03-03 Pacific Ind Co Ltd 静電容量式圧力検出器の製造方法
JP3087152B2 (ja) 1993-09-08 2000-09-11 富士通株式会社 樹脂フィルム多層回路基板の製造方法
US5483834A (en) 1993-09-20 1996-01-16 Rosemount Inc. Suspended diaphragm pressure sensor
US5424650A (en) 1993-09-24 1995-06-13 Rosemont Inc. Capacitive pressure sensor having circuitry for eliminating stray capacitance
JP3111816B2 (ja) 1993-10-08 2000-11-27 株式会社日立製作所 プロセス状態検出装置
DE4342890A1 (de) 1993-12-16 1995-06-22 Mannesmann Kienzle Gmbh Verfahren zum Abdichten herstellprozeßbedingter Öffnungen an mikromechanischen Beschleunigungssensoren
US5466630A (en) 1994-03-21 1995-11-14 United Microelectronics Corp. Silicon-on-insulator technique with buried gap
US5437189A (en) 1994-05-03 1995-08-01 Motorola, Inc. Dual absolute pressure sensor and method thereof
US5471884A (en) 1994-07-05 1995-12-05 Motorola, Inc. Gain-adjusting circuitry for combining two sensors to form a media isolated differential pressure sensor
EP0778746B1 (de) 1994-09-02 2006-01-11 Volcano Therapeutics, Inc. Ultraminiatur-druckfühler und leitdraht hierfür
US5479827A (en) 1994-10-07 1996-01-02 Yamatake-Honeywell Co., Ltd. Capacitive pressure sensor isolating electrodes from external environment
US5528452A (en) 1994-11-22 1996-06-18 Case Western Reserve University Capacitive absolute pressure sensor
US5731522A (en) 1997-03-14 1998-03-24 Rosemount Inc. Transmitter with isolation assembly for pressure sensor
US5637802A (en) * 1995-02-28 1997-06-10 Rosemount Inc. Capacitive pressure sensor for a pressure transmitted where electric field emanates substantially from back sides of plates
JP3239940B2 (ja) 1997-09-10 2001-12-17 日本電気株式会社 半導体装置及びその製造方法
US5982608A (en) 1998-01-13 1999-11-09 Stmicroelectronics, Inc. Semiconductor variable capacitor
US6126889A (en) 1998-02-11 2000-10-03 General Electric Company Process of preparing monolithic seal for sapphire CMH lamp
JP3339565B2 (ja) 1998-09-29 2002-10-28 株式会社山武 圧力センサ
JP2000111434A (ja) 1998-10-06 2000-04-21 Hokuriku Electric Ind Co Ltd 静電容量式圧力センサユニット
US6131462A (en) * 1998-12-18 2000-10-17 Delaware Capital Formation, Inc. Pressure/temperature transducer with improved thermal coupling and enhanced transient response

Also Published As

Publication number Publication date
WO2001050105A1 (en) 2001-07-12
EP1244898A1 (de) 2002-10-02
US6508129B1 (en) 2003-01-21
EP1244898B1 (de) 2005-11-30
JP2003534529A (ja) 2003-11-18
CN1479861A (zh) 2004-03-03
DE60024490D1 (de) 2006-01-05
CN1216279C (zh) 2005-08-24
AU2443101A (en) 2001-07-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE60024490T2 (de) Saphir drucksensor stab mit gold germanium isolationshartlotverbindung
DE60108217T2 (de) Kornwachstumsverfahren zur herstellung einer elektrischen verbindung für mikroelektromechanische systeme (mems)
DE60018611T2 (de) Verfahren und vorrichtung für einen direkt gebondeten isolierten drucksensor
EP1618362B1 (de) Druckaufnehmer mit temperaturkompensation
DE10311977B4 (de) Druckgeber mit Prozeßkopplung
DE10100321B4 (de) Kapazitive Druckmessung mit beweglichem Dielektrikum
DE60023688T2 (de) Prozessdruckmessung mit verbesserter fehlerkompensation
DE60018962T2 (de) Vorinstallation eines drucksensormoduls
DE102007029356B4 (de) Differenzialdrucksensor mit symmetrisch vorgesehenen Sensorchips und Druckeinleitungskanälen
DE60130471T2 (de) Sensor für ultrareine und stark korrosive umgebungen
DE2237535C2 (de) Druckwandler
DE112004000430T5 (de) Durchflußinstrument mit Mehrfachsensoren
EP1167938B1 (de) Druckmessvorrichtung
DE10392622T5 (de) Barometrischer Drucksensor
DE102004041388A1 (de) Drucksensorzelle und diese verwendende Drucksensorvorrichtung
JPH11501123A (ja) 圧力センサおよび圧力トランスミッタ
EP2841899B1 (de) Druckmessaufnehmer
EP3500832B1 (de) Füllkörper zur reduktion eines volumens einer druckmesskammer
EP0759547A1 (de) Drucksensor
DE10135568A1 (de) Drucksensor
DE10392824B4 (de) Preiswerter kapazitiver in sich geschlossener Druckgeber
WO2004111594A1 (de) Drucksensor mit feuchteschutz
DE102012102020A1 (de) Mikromechanisches Messelement
WO2019020529A1 (de) Drucksensoranordnung, messvorrichtung und verfahren zu deren herstellung
EP3236222B1 (de) Druck- und temperatursensor

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition