JP2003534529A - 金ゲルマニューム隔離ろう付け結合を有するサファイヤ圧力センサ用梁 - Google Patents
金ゲルマニューム隔離ろう付け結合を有するサファイヤ圧力センサ用梁Info
- Publication number
- JP2003534529A JP2003534529A JP2001550005A JP2001550005A JP2003534529A JP 2003534529 A JP2003534529 A JP 2003534529A JP 2001550005 A JP2001550005 A JP 2001550005A JP 2001550005 A JP2001550005 A JP 2001550005A JP 2003534529 A JP2003534529 A JP 2003534529A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- isolation
- pressure
- central channel
- electrical contact
- width
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
- G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
- G01L9/0072—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in capacitance
- G01L9/0075—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in capacitance using a ceramic diaphragm, e.g. alumina, fused quartz, glass
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
- G01L19/0007—Fluidic connecting means
- G01L19/0046—Fluidic connecting means using isolation membranes
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
- G01L19/06—Means for preventing overload or deleterious influence of the measured medium on the measuring device or vice versa
- G01L19/0681—Protection against excessive heat
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
Abstract
Description
マウンティングストレスからの圧力感知膜の隔離は、いずれも長期間の信頼性お
よび正確さのために必要である。
感知膜は、圧力センサ本体の内側に配置されるのが好ましく、リードもまた本体
の内側に配線されるのが好ましい。このようにすれば、腐食性のプロセス流体が
感知膜、電気リードおよび電気接触パッドに接触しないように隔離される。腐食
性流体は、航空宇宙(aerospace)または定置タービンエンジンにおけるガス、
酸、腐食剤、油、石油化学製品、食料品などである。
離することも難問であり、マウンティングおよび電気リードから圧力感知ダイヤ
フラムへのストレスの伝搬を低減するセンサの幾何学的構造が要求される。これ
らのストレスは、しばしば温度によって変化する。
ク層が高温で互いに焼結される場合、残留応力がセンサ本体内に残ることがあり
、これは、温度感受性であり、感知ダイヤフラム内にストレスを生じさせ、さら
なる誤差を引き起こす。
接合タイプ、電気リード接続部、マウンティングおよびセンサの幾何学的構造の
組み合わせを見つけることは困難である。腐食からの優れた隔離、高い単調性つ
まり直線性、安定性、正確さ、および温度変化やマウンティングストレスの変化
のような環境的要因による誤差からの隔離は、すべてが要求されるが、工業およ
び航空宇宙への適用における幅広い要求を単一のセンサで実現することは困難で
ある。
えた圧力センサカプセルが開示される。
された圧力感知本体を含む。梁は、中央チャネルを取り囲む梁壁を形成する。梁
は、流体圧力に適合されるダイヤフラムを有する第1端部と反対側第2端部とを
備える。梁壁は、前記端部間に外側梁取付面を有する。中央チャネルは、第1端
部近くの第1幅および第1幅よりも狭い、前記取付面近くの第2幅を有する。
る取付孔および取付孔を貫通する梁台を有する。外側梁取付面を取付孔に封着接
合するろう付け結合は第2端部を圧力流体から密封隔離する。
部分と、圧力感知部分から電気接触パッドに延びるセンサリード部とを含む。梁
は、第2端部に切欠(notch)を有する。この切欠は、電気接触パッドがアクセス
可能な、中央チャネル上の隔離リード面を形成する。
表的な工業環境を示す図である。 図2は、圧力センサカプセルを有するループ付勢された工業用差圧送信機の実
施例を示す図である。 図3は、代表的なタービンエンジン装置における圧力センサカプセルの実施例
を示す図である。 図4は、両方の層にチャネルを有する圧力センサの層の組立図および分解図で
ある。 図5は、図4の圧力センサの第1層を示す図である。 図6は、図4の圧力センサの第2層を示す図である。 図7は、圧力センサカプセルにおけるろう付け結合を示す正面断面図である。 図8は、圧力センサカプセルにおけるろう付け結合を示す平面断面図である。 図9は、送信機本体内に取り付けられた圧力センサカプセルの正面断面図であ
る。 図10は、一方の層にだけチャネルを有する圧力センサの層の組立図および分
解図である。 図11は、メサによって狭められたチャネルを有する圧力センサの組立図およ
び分解図である。
、制御システム32に電気的に接続されたプロセス流体ライン23内の流量計2
2、タンク28上のレベル送信機24、26、およびプロセスライン31内の一
体オリフィス流量計30等のプロセス変数送信機が示されている。プロセス変数
送信機は、プロセスプラント、例えば化学工業におけるスラリー、液体、蒸気お
よび気体、パルプ、石油、ガス、薬品、食品その他の流体プロセスプラントの流
体に関する1ないしそれ以上のプロセス変数を監視するように形成される。監視
されるプロセス変数は、流体の圧力、温度、流量、レベル、pH、導電性、混濁
、濃度、密度、化学成分、その他の特性である。プロセス変数送信機は、1ない
しそれ以上のセンサを含み、該センサは、プロセスプラントの設置要求に従って
送信機の内側または外側のいずれかにある。
機出力を発生する。送信機出力は、通信バス34を経由して制御装置または表示
器に至る遠距離に亘る送信用に形成される。代表的な流体プロセスプラントにお
いては、通信バス34は、送信機を付勢する4-20mA電流ループ、または制御装置
、制御システム、もしくは読取装置に至るフィールドバス接続、ファイバ光学接
続である。2線ループによって付勢される送信機では、爆発環境において本質的
安全性を提供するために電力は低く維持されなれけばならない。
送信機36を含む。レベル送信機24,26もまた圧力送信機を含む。制御シス
テム32は、オペレータにプロセス状態を表示するようプログラムされるととも
に、プロセス状態を感知し、例えば電流/圧力変換器38および制御弁40等の
出力デバイスを介してプロセスを制御するようにプログラムされる。
腐食性プロセス流体にさらされる圧力センサを有する。圧力送信機24,26お
よび36の内側の圧力センサは、タンタル相互接続部を含むように構成される。
フランジ52と、二つの絶対圧力センサカプセル54(図示せず)と、電子回路
56とを含む。送信機50は、フランジアダプタ58にボルト止めされる。フラ
ンジアダプタ58は、フランジアダプタ接合管60または他の接続ハードウェア
に接続されるインパルスパイプに接続される。各絶対圧センサカプセル54は、
センサならびに関連する流体隔離およびストレス隔離の特徴を備える。
ビンエンジンは、タービンエンジンハウジング68内で回転するブレード66の
ようなタービンエンジンブレードを含む。タービンエンジン内の力を感知するた
め、タービンエンジンハウジング68内に取付孔70が設けられる。圧力センサ
カプセル62は、柱脚72によってタービンハウジング68から間隔をあけられ
ている。柱脚72は、タービンハウジングから圧力センサカプセル62を遠ざけ
、圧力センサカプセル62の低温環境を提供する。柱脚72を貫通する通路74
は、タービンハウジング内側の加圧されたガスを圧力センサカプセル62に結合
する。圧力センサ74は、圧力センサカプセル62に含まれる。圧力センサ74
は、圧力ガスにさらされる一体閉鎖端部76を有する一体梁を含む。圧力センサ
74はさらに、梁内の封止されたギャップ80を貫通し、リード82によって電
子変換回路(図示しない)に接続される隔離センサリード78を含む。
プローブは、タービンエンジンハウジングへの取り付けのための第1端部、第1
端部から離れた第2端部および圧力センサを受け入れるように形成された取付孔
を有する取付柱脚からなる。
示す。圧力センサ94は、梁の形に構成されていて、いずれも単結晶サファイヤ
である第1層96および第2層98からなる圧力センサ本体を有する。第1層9
6および第2層98は、直接接合プロセスによって互いに接合される。直接接合
では、サファイヤの鏡面研磨面が互いに接触されて、いかなる中間接合材料も用
いず、焼結することもなく接合される。直接接合法は、ペチジャン(Petitjean)
他の米国特許第5,024,098号、キムラ(Kimura)他の米国特許第5,349,492号、ア
オシマの米国特許第5,13,380号、アオシマ(Aoshima)の米国特許第5,201,977号
、スイス特許(公開)632,891G号、およびポドゥビガルキナ(Podvigalkina)の
フランス特許第2,246,506号に記載されている。単結晶サファイヤの使用は、ヒ
ステリシスのない圧力センサ本体を提供する。また、単結晶サファイヤの使用は
、直接接合の使用を可能にする。直接接合では、腐食の対象となるか、温度感受
性のある残留応力を含む可能性がある中間接合材料が存在しない。
形成し、梁94は、流体の圧力が適合される1ないしそれ以上のダイヤフラム1
05を備えた第1端部104および反対側第2端部106を有する。梁壁100
は、両方の端部間に外側取付面108を有する。中央チャネルは、第1端部10
4近傍に第1幅110を有し、取付面108近傍に第1幅110より狭い第2幅
112を有する。第1幅110は、可撓性感知ダイヤフラム105のための面を
提供し、狭い第2幅112は、梁の中央部を強化してマウンティングストレスや
リードストレスが感知ダイヤフラムに不所望に伝達されるのを低減させる。
22は、それを貫通する取付孔124を有し、梁94は、この取付孔124を通
して取り付けられる。ろう付け結合126は外側梁取付面108を取付孔124
に密封的に接合する。このマウンティングは、端部104において流体圧力から
第2端部106を密封的に隔離する。この構成は2種類の隔離を提供する。ろう
付けマウンティングは、流体障壁を提供して圧力流体が第2端部の電気接触パッ
ドに届かないようにし、圧力流体による接触パッドの腐食を防ぐ。電気接触パッ
ドとダイヤフラムは、梁形状センサ本体の反対側端部にあり、それらの間に、要
求される機械的隔離が提供されるため、電気リードによって及ぼされる力は、感
知ダイヤフラムに届く前に大きく減衰される。
細に示す。ろう付け結合は、センサ本体を完全に取り囲み、封着を提供する。セ
ンサそれ自体は、直接接合単結晶サファイヤ層で形成されているので、直接接合
の使用により、単一の一体化されたシームレス本体となり、ろう付け結合を通る
流体漏れの通路はない。
膜部分130,132は、圧力によって撓み得るダイヤフラム105上の第1端
部104の近傍に堆積される。圧力感知膜部分130,132はセンサ端部10
4の加圧によって撓む圧力感知容量を形成する。センサリード部分134,13
6は、圧力感知部分130,132から電気接触パッド138,140に延びる
。導電部分134は成長電気接点142,144によって一つの層を他方の層へ
接続する。成長電気接点はタンタルのような成長可能材料の堆積を含む。センサ
が組み立てられた後、センサは加熱される。タンタルは成長して層間のギャップ
を埋め、相互接続部を形成する。導電部分139は感知回路の電気的遮蔽を提供
する。
ッド138,140がアクセス可能な中央チャネル上の隔離リード表面152を
形成する。前記切欠は、接触パッドを有する中央チャネルの表面を露出させる。
この構成は、チャネルから梁の外側端部に延びるリードを堆積させるという困難
な作業を不要にする。梁の外側端部上の接触パッドは、取り扱い中の損傷に対し
て非常に敏感であるとしても、切欠内に電気接触パッドを配置することは、膜の
引っ掻きに対していくらかの保護を与える。これにより電気的開路は回避される
。
、優れた機械的性質および耐腐食性を有する。また、単結晶サファイヤは直接接
合できる。単結晶サファイヤの直接接合が使用される場合、直接接合が完成され
るためために、接合面は、極めて平坦、清浄で互いが十分に接触しなければなら
ない。直接接合は、接合材の使用を回避する。また、直接接合は、セラミック焼
結のような高温処理で生じる高レベルの残留応力を回避する。
るように、基本的に金とゲルマニュームで形成されるのが好ましい。よりよい接
合が得られるように、必要に応じてサファイヤ上に金属化付着を施すこともでき
る。隔離プレートは、基本的に、金とゲルマニュームで形成されたろう付け結合
に適合する合金46からなるのが好ましい。
の高品質真空を封じ込めて絶対圧センサカプセルを形成するのが好ましい。ろう
付け結合は、封着部の溶融温度よりも低い溶融温度を有しており、この封着部は
、好ましくはガラスフリットである。電気接触パッド138,140の隔離は、
圧力サイクルにおいてヒステリシスを低減させる傾向がある。
い。温度センサは、センサの温度を感知するのに使用され、センサに取り付けら
れる回路の温度補償を可能にする。電気接触パッドを感知ダイヤフラムから隔離
させることは、温度サイクルにおいてヒステリシスを低減させる傾向がある。
梁は、単結晶サファイヤの直接接合層から形成される。梁は、中央チャネルを取
り囲む梁壁を有する。梁の第1端部は閉じられ、つまり閉鎖されており、流体圧
力に適合される。切欠きは、反対側第2端部に設けられ、中央チャネル上に隔離
リード面を形成する。梁壁は、両端部間に外側梁取付面を有し、この面は、ろう
付けを改善するために必要に応じて金属化される。中央チャネルは、第1端部近
傍の第1幅と、第1幅より狭い、取付面の近傍の第2幅とを有するように形成さ
れる。取付孔は、隔離プレートを貫通して形成される。梁は、この取付孔を通し
て取り付けられる。
付け結合は、中央チャネル上の隔離リードを流体圧力から密封的に隔離する。
接するダイヤフラム上の圧力感知膜部分と、圧力感知部分から中央チャネル上の
隔離リード面上の電気接触パッドに延びるセンサリード部分とを含む。
る梁を有する隔離カップとして形成され、該カップは、梁の第1端部の周りに延
びる側壁を有して取り扱いによる損傷から梁を保護する。
い。
送信機出力を供給する。
1圧力センサカプセルと、第2圧力を感知する第2感知構造とを含み、該第2感
知構造は、単結晶サファイヤの直接接合層から成る第2梁、第2隔離カップ、第
2導電膜、第2ろう付け結合および第2電気接触パッドを含み、該第2電気接触
パッドはまた電子回路56に結合される。差圧送信機は、差圧を感知して差圧を
表す出力を発生する。
の断面を示す。圧力センサカプセル160は、上述のように梁形状圧力センサ1
64と、圧力センサ164にろう付けされた隔離カップ166を含む。接合フラ
ンジ168は、Oリング170によって圧力センサカプセル160に封着される
。圧力カプセル160は、センサに対する保護および隔離の付加層を提供するた
めに、隔離ダイヤフラム172を備え、隔離流体174で満たされるのが好まし
い。プロセス流体圧力Pは、ねじ付き管継手176を介して与えられる。
4ではチャネルが両方の層に形成されており、図10では一方の層だけにチャネ
ルが形成されている。図10で使用される参照番号は、類似のまたは同一特徴を
有するものとして図4でも使用されている。図10において、層98は中央溝を
有しておらず、本質的に平坦である。
に示した実施例の代替である。図11においては、梁壁の厚さを増大させてチャ
ネルの幅を狭くつまり減少させる代わりに、支持メサ230,232を付加する
ことによって中央チャネルの幅を狭くつまり減少させている。他の面では、セン
サ200は、図4に示したセンサ90と同様に構成される。層214および21
6は、直接接合できるアルミナ等の材料で形成される。図11には、層214お
よび216は、組み立ておよび直接接合前の状態で示されている。直接接合後、
層214および216は、単一の構成部品、つまり一体形成された梁となる。第
1の層214は、外側リム220で囲まれ、エッチングされた第1空洞222有
し、第2層216は、外側リムを通って延び、エッチングされた第2空洞224
を有する。第2空洞224と外側リム220との間にはギャップが形成される。
第1一体メサ230は、閉鎖端部と隔離端部との間で層214の空洞222内に
設けられる。第2メサ232は、閉鎖端部と隔離端部106との間で層216の
空洞224内に設けられる。第1メサ230は、組立時に第2メサ232に整合
され、メサ230,232は、一体的に接合されてチャネルを狭くする一体支持
部を形成する。後にセンサ200が隔離カップに接合されたとき、一体支持部は
、隔離カップの接合面と整列して追加支持部を提供する。
み立てたときにメサ234と236は互いに接触しない。メサ234および23
6は、それぞれの対向面にタンタルのような導電性結晶粒成長材料の平坦層を有
する。メサ234,236は、結晶粒成長が延び得る距離よりも深い空洞を与え
る。層214と216との直接接合が完了した後、センサ200は、加熱されて
メサ234および236上の導電結晶粒成長材料が成長し、二つのメサ234お
よび236間の電気的接続が完成する。この電気的接続は、直接接合後に完成す
るので、層214および216間の近接接触による干渉はない。
てセンサを組み立てることを容易にする。チャネルから出るリードのためのギャ
ップが残されているので、リードは正確な整合を妨害しない。直接接合が完了し
た後、図4においてセンサに適用されたように、封止が施される。封止および金
属結晶粒成長相互接続部234,236は、閉鎖端部での圧力感知領域から十分
に遠ざけられているので、導電結晶粒成長材料と層214,216に関連した封
止の温度膨張係数の違いは、温度変化時の閉鎖端部での感知に悪影響を及ぼさな
い。
路に接続される封止された貫通リードつまり封止を通る導体を形成するために、
選択的に使用される。
いて本発明の範囲から逸脱しないで変形できることを認識できるであろう。
業環境を示す図である。
中央チャネル、104……第1端部、105……ダイヤフラム、106……反対
側第2端部、107……封着部、108……外側取付面、110……第1幅、1
12……第2幅、150……切欠、152……隔離リード表面
Claims (17)
- 【請求項1】 単結晶サファイヤの直接接合層からなる梁として形成され、該
梁は、中央チャネルを取り囲む梁壁を形成し、流体圧力に適合されるダイヤフラ
ムを有する第1端部と反対側第2端部を有し、前記梁壁は、前記両端部間に外側
梁取付面を有し、前記中央チャネルは、第1端部近傍の第1幅および該第1幅よ
り狭い、前記取付面近傍の第2幅を有する圧力感知本体と、 取付孔が貫通され、前記梁が該取付孔を通して取り付けられる隔離プレートと
、 前記外側梁取付面を前記取付孔に密封的に接合し、前記第2端部を流体圧力か
ら密封的に隔離するろう付け結合と、 前記中央チャネル内に設けられた導電膜であって、前記ダイヤフラム上の圧力
感知膜部分、および該圧力感知部分から電気接触パッドへ延びるセンサリード部
分を含み、前記梁は第2端部に切欠を有し、該切欠は、前記電気接触パッドがア
クセス可能な、前記中央チャネル上の隔離リード面を形成する導電膜とを備えた
、改良隔離を有する圧力センサカプセル。 - 【請求項2】 前記ろう付け結合は、本質的に金およびゲルマニュームで形成
された請求項1記載の圧力センサカプセル。 - 【請求項3】 前記隔離プレートは、本質的に合金46からなり、前記ろう付
け結合は、本質的に金およびゲルマニュームで形成された請求項1記載の圧力セ
ンサカプセル。 - 【請求項4】 前記切欠内に設けられた封止部をさらに備え、前記ろう付け結
合が前記封止部の溶融温度より低い溶融温度を有する請求項1記載の圧力センサ
カプセル。 - 【請求項5】 前記電気接触パッドの隔離部は、圧力サイクルにおけるヒステ
リシスを低減する請求項1記載の圧力センサカプセル。 - 【請求項6】 前記チャネルの狭い幅内に設けられた温度センサをさらに備え
た請求項1記載の圧力センサカプセル。 - 【請求項7】 前記電気接触パッドの隔離部は、温度サイクルにおけるヒステ
リシスを低減する請求項6記載の圧力センサカプセル。 - 【請求項8】 単結晶サファイヤの直接接合層からなる梁であって、前記梁は
、中央チャネルを取り囲む梁壁を有し、前記梁の第1端部を流体圧力に適合させ
、反対側第2端部に切欠を施し、前記切欠は、前記中央チャネル上の隔離リード
面を形成し、梁壁が前記両端部間に外側梁取付面を有する梁を形成し、 第2端部近傍の第1幅、および該第1幅より狭い、前記取付面近傍の第2幅を
有する前記中央チャネルを形成し、 隔離プレートを貫通する取付孔を形成し、該取付孔を通して前記梁を取り付け
、 前記外側梁取付面を前記取付孔に接合するろう付け結合であって、前記中央チ
ャネル上の隔離リード面を流体圧力から密封的に隔離するろう付け結合をろう付
けし、 前記中央チャネル内に設けられる導電膜であって、前記第1端部近傍の圧力感
知膜、および圧力感知部分から前記中央チャネル上の隔離リード面上の電気接触
パッドへ延びるセンサリード部分を含む導電膜を付着する、改良隔離を有する圧
力センサカプセルの製造方法。 - 【請求項9】 単結晶サファイヤの直接接合層からなる梁であって、該梁は、
中央チャネルを取り囲む梁壁を形成し、流体圧力に適合されるダイヤフラムを含
む第1端部と反対側第2端部を有し、前記梁壁は、前記両端部間に外側梁取付面
を有し、前記中央チャネルは、前記第1端部近傍の第1幅および該第1幅より狭
い、前記取付面近傍の第2幅を有する梁と、 取付孔が貫通され、前記梁は、該取付孔を通して取り付けられる隔離カップと
、 前記取付孔に外側梁取付面を密封的に接合し、前記中央チャネル上の隔離リー
ド面を流体圧力から密封的に隔離するろう付け結合と、 前記中央チャネル内に設けられ、前記第1端部近傍の圧力感知膜部分および該
圧力感知部分から電気接触パッドへ延びるセンサリード部分を含み、前記梁は、
前記第2端部に切欠を有し、該切欠は、前記電気接触パッドにアクセス可能な、
前記中央チャネル上の隔離リード面を形成する導電膜とを備えた改良隔離を有す
る圧力センサカプセル。 - 【請求項10】 前記梁は、バッチ製造される請求項9記載の圧力センサカプ
セル。 - 【請求項11】 前記隔離カップを満たす隔離流体と、 前記隔離カップに密封されたリムを有する隔離ダイヤフラムとをさらに備え、 前記隔離ダイヤフラムが圧力隔離流体からプロセス流体を隔離するように適合
された請求項9記載の圧力センサカプセル。 - 【請求項12】 単結晶サファイヤの直接接合層からなる梁であって、該梁は
、中央チャネルを取り囲む梁壁を形成し、該梁は、流体圧力に適合されるダイヤ
フラムを含む第1端部と反対側第2端部を有し、前記梁壁は、前記両端部間に外
側梁取付面を有し、前記中央チャネルは、前記第1端部近傍の第1幅および該第
1幅より狭い、前記取付面近傍の第2幅を有する梁と、 取付孔が貫通され、前記梁は、該取付孔を通して取り付けられる隔離カップと
、 前記外側梁取付孔へ前記外側梁取付面を密封的に接合し、前記中央チャネル上
の隔離リード面を流体圧力から密封的に隔離するろう付け結合と、 前記中央チャネル内に設けられ、前記第1端部に隣接する圧力感知膜部分、お
よび該圧力感知部分から電気接触パッドへ延びるセンサリード部分を含み、前記
梁は、前記第2端部に切欠を有し、該切欠は、前記電気接触パッドにアクセス可
能な、前記中央チャネル上の隔離リード面を形成する導電膜と、 前記電気接触パッドに結合され、感知圧力を表す送信機出力を供給する電子回
路とを備えた改良隔離を有する圧力送信機。 - 【請求項13】 前記梁は、バッチ製造される請求項12記載の圧力送信機。
- 【請求項14】 前記隔離カップ内に設けられた隔離流体と、 前記隔離流体を前記隔離カップ内に密封する隔離ダイヤフラムとをさらに備え
た請求項12記載の圧力送信機。 - 【請求項15】 第2圧力を感知する第2感知構造をさらに備え、該第2感知
構造は、単結晶サファイヤの直接接合層からなる第2梁、第2隔離カップ、第2
導電膜および第2ろう付け結合、および第2電気接触パッドからなり、該第2電
気接触パッドは、前記電子回路に接続され、該送信機が差圧を感知して差圧を表
す出力を発生する請求項12記載の送信機。 - 【請求項16】 タービンエンジンハウジングへの取り付けのために適合され
た第1端部および該第1端部から離された第2端部と、圧力センサを受け入れる
ように形成された取付孔とを有する取付柱脚と、 単結晶サファイヤの直接接合層からなる梁であって、該梁は、中央チャネルを
取り囲む梁壁を形成し、該梁は、流体圧力に適合されるダイヤフラムを含む第1
端部と反対側第2端部を有し、前記梁壁は、前記取付孔内に取り付けられた両端
間の外側梁取付面を有し、前記中央チャネルは、前記第1端部近傍の第1幅およ
び該第1幅より狭い、前記取付面近傍の第2幅を有する梁と、 前記外側梁取付面を前記取付孔に密封的に接合し、前記中央チャネル上の隔離
リード面を流体圧力から密封的に隔離するろう付け結合と、 前記第1端部に隣接する圧力感知膜部分、および該圧力感知部分から電気接触
パッドへのびるセンサリード部分を含み、前記梁は、第2端部に切欠を有し、該
切欠は、前記電気接触パッドにアクセス可能な、前記中央チャネル上の隔離リー
ド面を形成する、前記中央チャネル内に設けられた導電膜とを備えた改良隔離を
有する圧力プローブを備えたタービンエンジン。 - 【請求項17】 単結晶サファイヤの直接接合層からなる梁であって、前記梁
は、中央チャネルを取り囲む梁壁を形成し、該梁は、流体圧力に適合されるダイ
ヤフラムを有する第1端部および反対側第2端部を有し、前記梁壁は、前記両端
部間に外側梁取付面を有し、前記中央チャネルは、前記第1端部近傍の第1幅お
よび該第1幅より狭い、前記取付面近傍の第2幅を有する梁である圧力感知本体
を形成する手段と、 取付孔が貫通され、該取付孔を通して前記梁が取り付けられる隔離プレートを
形成する手段と、 前記第2端部を流体圧力から密封的に隔離するろう付け結合を含み、前記外側
梁取付面を前記取付孔に密封的に接合する手段と、 前記ダイヤフラム上の圧力感知膜部分、および該圧力感知膜部分から電気接触
パッドへ延びるセンサリード部分とを含み、前記梁は、前記第2端部に切欠を有
し、該切欠は、前記電気接触パッドにアクセス可能な、前記中央チャネル上の隔
離リード面を形成する、前記中央チャネル内に設けられた導電膜を提供する手段
とを備えた改良隔離を有する圧力センサカプセル。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US09/477,689 | 2000-01-06 | ||
US09/477,689 US6508129B1 (en) | 2000-01-06 | 2000-01-06 | Pressure sensor capsule with improved isolation |
PCT/US2000/034647 WO2001050105A1 (en) | 2000-01-06 | 2000-12-20 | Sapphire pressure sensor beam with gold germanium isolation braze joint |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003534529A true JP2003534529A (ja) | 2003-11-18 |
Family
ID=23896934
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001550005A Pending JP2003534529A (ja) | 2000-01-06 | 2000-12-20 | 金ゲルマニューム隔離ろう付け結合を有するサファイヤ圧力センサ用梁 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6508129B1 (ja) |
EP (1) | EP1244898B1 (ja) |
JP (1) | JP2003534529A (ja) |
CN (1) | CN1216279C (ja) |
AU (1) | AU2443101A (ja) |
DE (1) | DE60024490T2 (ja) |
WO (1) | WO2001050105A1 (ja) |
Families Citing this family (31)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6561038B2 (en) | 2000-01-06 | 2003-05-13 | Rosemount Inc. | Sensor with fluid isolation barrier |
US6848316B2 (en) * | 2002-05-08 | 2005-02-01 | Rosemount Inc. | Pressure sensor assembly |
US6722927B1 (en) | 2003-05-28 | 2004-04-20 | Rosemount Inc. | Electrical connector for a pressure sensor stem |
US6923068B2 (en) * | 2003-06-19 | 2005-08-02 | Dynisco, Inc. | Pressure transducer |
US7017416B1 (en) | 2004-10-22 | 2006-03-28 | Honeywell International, Inc. | Disposable pressure diaphragm and wireless sensor systems and methods |
US7185545B2 (en) * | 2004-12-29 | 2007-03-06 | General Electric Company | Instrumentation and method for monitoring change in electric potential to detect crack growth |
US7295131B2 (en) * | 2005-01-07 | 2007-11-13 | Rosemount Inc. | Diagnostic system for detecting rupture or thinning of diaphragms |
US7162926B1 (en) * | 2005-08-04 | 2007-01-16 | Kavlico Corporation | Lead embedded pressure sensor |
EP1790964B1 (en) * | 2005-11-29 | 2017-08-23 | Sensata Technologies, Inc. | A sensor arrangement for measuring a pressure and a temperature in a fluid |
KR100634328B1 (ko) * | 2006-06-12 | 2006-10-16 | 두온 시스템 (주) | 압력전송기 |
US7550351B2 (en) * | 2006-10-05 | 2009-06-23 | International Business Machines Corporation | Structure and method for creation of a transistor |
US7647835B2 (en) * | 2007-09-19 | 2010-01-19 | Honeywell International Inc. | Pressure sensor stress isolation pedestal |
US8276458B2 (en) | 2010-07-12 | 2012-10-02 | Rosemount Inc. | Transmitter output with scalable rangeability |
US8578783B2 (en) | 2011-09-26 | 2013-11-12 | Rosemount Inc. | Process fluid pressure transmitter with separated sensor and sensor electronics |
US9010191B2 (en) | 2011-12-22 | 2015-04-21 | Rosemount Inc. | Pressure sensor module for sub-sea applications |
US9389106B2 (en) | 2012-03-06 | 2016-07-12 | Rosemount Inc. | Remote seal pressure measurement system for subsea use |
US9568387B2 (en) | 2012-08-08 | 2017-02-14 | Rosemount Inc. | Thermal diagnostic for single-crystal process fluid pressure sensor |
US9103738B2 (en) | 2012-09-07 | 2015-08-11 | Dynisco Instruments Llc | Capacitive pressure sensor with intrinsic temperature compensation |
US8984952B2 (en) * | 2012-09-07 | 2015-03-24 | Dynisco Instruments Llc | Capacitive pressure sensor |
US9442031B2 (en) | 2013-06-28 | 2016-09-13 | Rosemount Inc. | High integrity process fluid pressure probe |
EP3598097B8 (en) * | 2013-07-19 | 2023-10-11 | Rosemount, Inc. | Pressure transmitter having an isolation assembly with a two-piece isolator plug |
US9234776B2 (en) | 2013-09-26 | 2016-01-12 | Rosemount Inc. | Multivariable process fluid transmitter for high pressure applications |
US9459170B2 (en) | 2013-09-26 | 2016-10-04 | Rosemount Inc. | Process fluid pressure sensing assembly for pressure transmitters subjected to high working pressure |
US10260980B2 (en) | 2013-09-27 | 2019-04-16 | Rosemount Inc. | Pressure sensor with mineral insulated cable |
US9222815B2 (en) | 2013-12-30 | 2015-12-29 | Rosemount Inc. | Wafer style insertable magnetic flowmeter with collapsible petals |
US10107700B2 (en) | 2014-03-24 | 2018-10-23 | Rosemount Inc. | Process variable transmitter with process variable sensor carried by process gasket |
DE102014212259A1 (de) * | 2014-06-26 | 2016-01-14 | Robert Bosch Gmbh | Drucksensor zur Erfassung eines Drucks eines fluiden Mediums in einem Messraum |
US10635064B2 (en) | 2014-06-30 | 2020-04-28 | Rosemount Inc. | Hysteretic process variable sensor compensation |
US9638600B2 (en) | 2014-09-30 | 2017-05-02 | Rosemount Inc. | Electrical interconnect for pressure sensor in a process variable transmitter |
JP6384405B2 (ja) * | 2015-06-03 | 2018-09-05 | 株式会社デンソー | センサ装置 |
US10598559B2 (en) | 2017-06-29 | 2020-03-24 | Rosemount Inc. | Pressure sensor assembly |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04106442A (ja) * | 1990-08-28 | 1992-04-08 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 圧力センサ |
JPH04328437A (ja) * | 1991-04-26 | 1992-11-17 | Eagle Ind Co Ltd | 圧力センサ及びその製造方法 |
JPH0574977A (ja) * | 1990-06-22 | 1993-03-26 | Watkins Johnson Co | アルミナ基体の亀裂を無くす方法 |
JPH06265428A (ja) * | 1993-03-11 | 1994-09-22 | Yamatake Honeywell Co Ltd | 静電容量式圧力センサ |
JPH0755616A (ja) * | 1993-08-14 | 1995-03-03 | Pacific Ind Co Ltd | 静電容量式圧力検出器の製造方法 |
JPH08507854A (ja) * | 1992-08-10 | 1996-08-20 | ダウ、ドイチュラント、インコーポレーテッド. | ガスタービンハウジングに圧力センサを搭載するためのアダプタ |
JPH11501123A (ja) * | 1995-02-28 | 1999-01-26 | ローズマウント インコーポレイテッド | 圧力センサおよび圧力トランスミッタ |
Family Cites Families (211)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1648764U (de) | 1952-10-06 | 1952-12-31 | Agnes Speer | Schnelleinfaedler fuer naehmaschinen-, naeh- und stopfnadeln. |
US3239827A (en) | 1960-01-12 | 1966-03-08 | Rosemount Eng Co Ltd | High precision pressure standard |
US3079576A (en) | 1961-02-01 | 1963-02-26 | Rosemount Eng Co Ltd | Integral strain transducer |
US3147085A (en) | 1961-09-14 | 1964-09-01 | Gen Electric | Apparatus for growing whiskers |
BE635328A (ja) | 1962-07-25 | |||
GB1069435A (en) | 1963-05-21 | 1967-05-17 | G V Planer Ltd | Electromechanical transducer device |
NL6411121A (ja) | 1964-09-24 | 1966-03-25 | ||
US3356963A (en) | 1966-06-23 | 1967-12-05 | Willard E Buck | Fused quartz motion sensitive transducer |
US3405559A (en) | 1966-11-07 | 1968-10-15 | United Aircraft Corp | Pressure transducer |
US3440873A (en) | 1967-05-23 | 1969-04-29 | Corning Glass Works | Miniature pressure transducer |
US3750476A (en) | 1967-09-25 | 1973-08-07 | Bissett Berman Corp | Pressure transducer |
US3589965A (en) | 1968-11-27 | 1971-06-29 | Mallory & Co Inc P R | Bonding an insulator to an insulator |
USRE28798E (en) | 1969-12-31 | 1976-05-04 | Western Electric Co., Inc. | Methods of and apparatus for aligning and bonding workpieces |
US3696985A (en) | 1969-12-31 | 1972-10-10 | Western Electric Co | Methods of and apparatus for aligning and bonding workpieces |
US3743552A (en) | 1970-01-30 | 1973-07-03 | North American Rockwell | Process for coplanar semiconductor structure |
US3645137A (en) | 1970-04-16 | 1972-02-29 | Bendix Corp | Quartz pressure sensor |
DE2021479A1 (de) | 1970-05-02 | 1971-11-11 | Kleinwaechter Hans | Druckmessgeraet zur Messung von Drucken in Gasen und Fluessigkeiten |
IL38468A (en) | 1971-02-02 | 1974-11-29 | Hughes Aircraft Co | Electrical resistance device and its production |
US3715638A (en) | 1971-05-10 | 1973-02-06 | Bendix Corp | Temperature compensator for capacitive pressure transducers |
US3962921A (en) | 1972-02-04 | 1976-06-15 | The Garrett Corporation | Compensated pressure transducer |
US3766634A (en) | 1972-04-20 | 1973-10-23 | Gen Electric | Method of direct bonding metals to non-metallic substrates |
US3744120A (en) | 1972-04-20 | 1973-07-10 | Gen Electric | Direct bonding of metals with a metal-gas eutectic |
US3854892A (en) | 1972-04-20 | 1974-12-17 | Gen Electric | Direct bonding of metals with a metal-gas eutectic |
US3899878A (en) | 1972-07-19 | 1975-08-19 | Int Harvester Co | Apparatus for indicating gas temperatures |
US3834604A (en) | 1972-10-03 | 1974-09-10 | Western Electric Co | Apparatus for solid-phase bonding mating members through an interposed pre-shaped compliant medium |
US3939559A (en) | 1972-10-03 | 1976-02-24 | Western Electric Company, Inc. | Methods of solid-phase bonding mating members through an interposed pre-shaped compliant medium |
FR2246506A1 (en) | 1973-10-09 | 1975-05-02 | Podvigalkina Galina | Joining of silicate glass lenses - by formation of silicate film on lens surface(s) then sintering together by IR radiation |
US3858097A (en) | 1973-12-26 | 1974-12-31 | Bendix Corp | Pressure-sensing capacitor |
US3994430A (en) | 1975-07-30 | 1976-11-30 | General Electric Company | Direct bonding of metals to ceramics and metals |
US4177496A (en) | 1976-03-12 | 1979-12-04 | Kavlico Corporation | Capacitive pressure transducer |
US4426673A (en) * | 1976-03-12 | 1984-01-17 | Kavlico Corporation | Capacitive pressure transducer and method of making same |
US4084438A (en) | 1976-03-29 | 1978-04-18 | Setra Systems, Inc. | Capacitive pressure sensing device |
US4018374A (en) | 1976-06-01 | 1977-04-19 | Ford Aerospace & Communications Corporation | Method for forming a bond between sapphire and glass |
US4064549A (en) | 1976-08-31 | 1977-12-20 | Metrolology General Corporation | Cylindrical capacitive quartz transducer |
US4158217A (en) | 1976-12-02 | 1979-06-12 | Kaylico Corporation | Capacitive pressure transducer with improved electrode |
US4128006A (en) | 1976-12-13 | 1978-12-05 | Bunker Ramo Corporation | Packaging of pressure sensor cells |
US4127840A (en) | 1977-02-22 | 1978-11-28 | Conrac Corporation | Solid state force transducer |
US4078711A (en) | 1977-04-14 | 1978-03-14 | Rockwell International Corporation | Metallurgical method for die attaching silicon on sapphire devices to obtain heat resistant bond |
US4202217A (en) | 1977-12-12 | 1980-05-13 | Kulite Semiconductor Products, Inc. | Semiconductor transducers employing flat bondable surfaces with buried contact areas |
US4208782A (en) | 1977-12-12 | 1980-06-24 | Kulite Semiconductor Products, Inc. | Methods of fabricating transducers employing flat bondable surfaces with buried contact areas |
JPS5516228A (en) | 1978-07-21 | 1980-02-04 | Hitachi Ltd | Capacity type sensor |
US4196632A (en) | 1978-08-14 | 1980-04-08 | The Boeing Company | Dual capacitance type bonded pressure transducer |
GB2034478B (en) | 1978-11-07 | 1983-03-02 | Vaisala Oy | Pressure gauge having an aneroid capsule |
US4278195A (en) | 1978-12-01 | 1981-07-14 | Honeywell Inc. | Method for low temperature bonding of silicon and silicon on sapphire and spinel to nickel and nickel steel and apparatus using such _a bonding technique |
US4274125A (en) | 1979-01-23 | 1981-06-16 | The Bendix Corporation | Temperature compensated capacitance pressure transducer |
JPS5937716Y2 (ja) | 1979-01-31 | 1984-10-19 | 日産自動車株式会社 | 半導体差圧センサ |
JPS5817421B2 (ja) | 1979-02-02 | 1983-04-07 | 日産自動車株式会社 | 半導体圧力センサ |
US4236137A (en) | 1979-03-19 | 1980-11-25 | Kulite Semiconductor Products, Inc. | Semiconductor transducers employing flexure frames |
US4216404A (en) | 1979-04-12 | 1980-08-05 | Kulite Semiconductor Products Inc. | Housing and lead arrangements for electromechanical transducers |
FR2455733A1 (fr) | 1979-04-19 | 1980-11-28 | Motorola Inc | Capteur de pression a effet capacitif et procede de fabrication |
US4222277A (en) | 1979-08-13 | 1980-09-16 | Kulite Semiconductor Products, Inc. | Media compatible pressure transducer |
CA1154502A (en) | 1979-09-04 | 1983-09-27 | Joseph W. Crow | Semiconductor variable capacitance pressure transducer |
US4301492A (en) | 1980-01-28 | 1981-11-17 | Paquin Maurice J | Pressure-sensing transducer |
US4382247A (en) | 1980-03-06 | 1983-05-03 | Robert Bosch Gmbh | Pressure sensor |
JPS56129831A (en) | 1980-03-17 | 1981-10-12 | Yokogawa Hokushin Electric Corp | Pressure converter |
DE3015356A1 (de) | 1980-04-22 | 1981-10-29 | Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart | Freitragende schichten sowie verfahren zur herstellung freitragender schichten, insbesondere fuer sensoren fuer brennkraftmaschinen |
DE3030765C2 (de) | 1980-08-14 | 1985-09-26 | Friedrich Grohe Armaturenfabrik Gmbh & Co, 5870 Hemer | Elektronisch geregeltes Mischventil |
US4419142A (en) | 1980-10-24 | 1983-12-06 | Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha | Method of forming dielectric isolation of device regions |
SE436936B (sv) | 1981-01-29 | 1985-01-28 | Asea Ab | Integrerad kapacitiv givare |
US4422335A (en) | 1981-03-25 | 1983-12-27 | The Bendix Corporation | Pressure transducer |
US4359498A (en) | 1981-04-20 | 1982-11-16 | Kulite Semiconductor Products, Inc. | Transducer structure employing vertically walled diaphragms with quasi rectangular active areas |
US4443293A (en) | 1981-04-20 | 1984-04-17 | Kulite Semiconductor Products, Inc. | Method of fabricating transducer structure employing vertically walled diaphragms with quasi rectangular active areas |
WO1982003914A1 (en) | 1981-05-07 | 1982-11-11 | Taniuchi Tetsuo | A temperature detector |
US4389895A (en) | 1981-07-27 | 1983-06-28 | Rosemount Inc. | Capacitance pressure sensor |
US4456901A (en) | 1981-08-31 | 1984-06-26 | Kulite Semiconductor Products, Inc. | Dielectrically isolated transducer employing single crystal strain gages |
US4412203A (en) | 1981-09-10 | 1983-10-25 | Kulite Semiconductor Products, Inc. | Housing and interconnection assembly for a pressure transducer |
JPS5855732A (ja) | 1981-09-30 | 1983-04-02 | Hitachi Ltd | 静電容量型圧力センサ |
US4454765A (en) | 1981-11-03 | 1984-06-19 | Lodge Arthur S | Extended range pressure transducers |
GB2109099B (en) | 1981-11-05 | 1985-07-24 | Glaverbel | Composite refractory articles and method of manufacturing them |
US4416156A (en) | 1981-12-23 | 1983-11-22 | Honeywell Inc. | High pressure electrical feedthru |
NL8201222A (nl) | 1982-03-24 | 1983-10-17 | Philips Nv | Verstembare fabry-perot interferometer en roentgenbeeldweergeefinrichting voorzien van een dergelijke interferometer. |
US4422125A (en) | 1982-05-21 | 1983-12-20 | The Bendix Corporation | Pressure transducer with an invariable reference capacitor |
US4424713A (en) | 1982-06-11 | 1984-01-10 | General Signal Corporation | Silicon diaphragm capacitive pressure transducer |
US4535219A (en) | 1982-10-12 | 1985-08-13 | Xerox Corporation | Interfacial blister bonding for microinterconnections |
DE3404262A1 (de) | 1983-03-09 | 1984-09-13 | Fuji Electric Co., Ltd., Kawasaki | Kapazitiver messfuehler |
US5007841A (en) | 1983-05-31 | 1991-04-16 | Trw Inc. | Integrated-circuit chip interconnection system |
US4479070A (en) | 1983-06-10 | 1984-10-23 | Sperry Corporation | Vibrating quartz diaphragm pressure sensor |
DE3324661A1 (de) | 1983-07-08 | 1985-01-17 | Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim | Verfahren zum direkten verbinden von metall mit keramik |
US4517622A (en) | 1983-08-29 | 1985-05-14 | United Technologies Corporation | Capacitive pressure transducer signal conditioning circuit |
JPS6051700A (ja) | 1983-08-31 | 1985-03-23 | Toshiba Corp | シリコン結晶体の接合方法 |
US4507973A (en) | 1983-08-31 | 1985-04-02 | Borg-Warner Corporation | Housing for capacitive pressure sensor |
US4539061A (en) | 1983-09-07 | 1985-09-03 | Yeda Research And Development Co., Ltd. | Process for the production of built-up films by the stepwise adsorption of individual monolayers |
NL8303109A (nl) | 1983-09-08 | 1985-04-01 | Philips Nv | Werkwijze voor het aan elkaar bevestigen van twee delen. |
US4572000A (en) | 1983-12-09 | 1986-02-25 | Rosemount Inc. | Pressure sensor with a substantially flat overpressure stop for the measuring diaphragm |
GB8401848D0 (en) | 1984-01-24 | 1984-02-29 | Carter R E | Pressure transducer |
US4525766A (en) | 1984-01-25 | 1985-06-25 | Transensory Devices, Inc. | Method and apparatus for forming hermetically sealed electrical feedthrough conductors |
FI74350C (fi) | 1984-02-21 | 1988-01-11 | Vaisala Oy | Kapacitiv absoluttryckgivare. |
JPS60195546A (ja) * | 1984-03-19 | 1985-10-04 | Hitachi Ltd | マスク用基板 |
US4542436A (en) | 1984-04-10 | 1985-09-17 | Johnson Service Company | Linearized capacitive pressure transducer |
EP0161740B1 (en) | 1984-05-09 | 1991-06-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing semiconductor substrate |
US4649627A (en) | 1984-06-28 | 1987-03-17 | International Business Machines Corporation | Method of fabricating silicon-on-insulator transistors with a shared element |
JPS6173345A (ja) | 1984-09-19 | 1986-04-15 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
FI75426C (fi) | 1984-10-11 | 1988-06-09 | Vaisala Oy | Absoluttryckgivare. |
US4625561A (en) | 1984-12-06 | 1986-12-02 | Ford Motor Company | Silicon capacitive pressure sensor and method of making |
JPS61142759A (ja) | 1984-12-14 | 1986-06-30 | Ngk Spark Plug Co Ltd | Icパツケ−ジ用基板 |
JPH0770474B2 (ja) | 1985-02-08 | 1995-07-31 | 株式会社東芝 | 化合物半導体装置の製造方法 |
EP0256150B1 (en) | 1986-08-13 | 1990-04-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Apparatus for bonding semiconductor wafers |
US4780572A (en) | 1985-03-04 | 1988-10-25 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Device for mounting semiconductors |
US4586109A (en) | 1985-04-01 | 1986-04-29 | Bourns Instruments, Inc. | Batch-process silicon capacitive pressure sensor |
US4764747A (en) | 1985-06-19 | 1988-08-16 | Kulite Semiconductor Products, Inc. | Glass header structure for a semiconductor pressure transducer |
NL8501773A (nl) | 1985-06-20 | 1987-01-16 | Philips Nv | Werkwijze voor het vervaardigen van halfgeleiderinrichtingen. |
JPH0783050B2 (ja) | 1985-06-21 | 1995-09-06 | 株式会社東芝 | 半導体素子の製造方法 |
US4601779A (en) | 1985-06-24 | 1986-07-22 | International Business Machines Corporation | Method of producing a thin silicon-on-insulator layer |
US4689999A (en) | 1985-07-26 | 1987-09-01 | The Garrett Corporation | Temperature compensated pressure transducer |
NL8600216A (nl) | 1986-01-30 | 1987-08-17 | Philips Nv | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting. |
US4716492A (en) | 1986-05-05 | 1987-12-29 | Texas Instruments Incorporated | Pressure sensor with improved capacitive pressure transducer |
DE3616308C2 (de) | 1986-05-14 | 1995-09-21 | Bosch Gmbh Robert | Sensor |
US4703658A (en) | 1986-06-18 | 1987-11-03 | Motorola, Inc. | Pressure sensor assembly |
US4800758A (en) | 1986-06-23 | 1989-01-31 | Rosemount Inc. | Pressure transducer with stress isolation for hard mounting |
US4769882A (en) | 1986-10-22 | 1988-09-13 | The Singer Company | Method for making piezoelectric sensing elements with gold-germanium bonding layers |
US4773972A (en) | 1986-10-30 | 1988-09-27 | Ford Motor Company | Method of making silicon capacitive pressure sensor with glass layer between silicon wafers |
NL8700033A (nl) | 1987-01-09 | 1988-08-01 | Philips Nv | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting van het type halfgeleider op isolator. |
JPS63285195A (ja) * | 1987-05-19 | 1988-11-22 | Yokogawa Electric Corp | 単結晶水晶体の接合方法 |
US5113868A (en) | 1987-06-01 | 1992-05-19 | The Regents Of The University Of Michigan | Ultraminiature pressure sensor with addressable read-out circuit |
US4754365A (en) | 1987-06-15 | 1988-06-28 | Fischer & Porter Company | Differential pressure transducer |
GB8718637D0 (en) | 1987-08-06 | 1987-09-09 | Spectrol Reliance Ltd | Sealing electrical feedthrough |
GB8718639D0 (en) | 1987-08-06 | 1987-09-09 | Spectrol Reliance Ltd | Capacitive pressure sensors |
US4774196A (en) | 1987-08-25 | 1988-09-27 | Siliconix Incorporated | Method of bonding semiconductor wafers |
US4852408A (en) | 1987-09-03 | 1989-08-01 | Scott Fetzer Company | Stop for integrated circuit diaphragm |
US4875368A (en) | 1987-09-08 | 1989-10-24 | Panex Corporation | Pressure sensor system |
US4929893A (en) | 1987-10-06 | 1990-05-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Wafer prober |
US4857130A (en) | 1987-12-03 | 1989-08-15 | Hughes Aircraft Company | Temperature stable optical bonding method and apparatus obtained thereby |
US4806783A (en) | 1988-02-25 | 1989-02-21 | Transducer Technologies Inc. | Transducer circuit |
DE3811047A1 (de) | 1988-03-31 | 1989-10-12 | Draegerwerk Ag | Fuehler zur kapazitiven messung des druckes in gasen |
DE3811311C1 (ja) | 1988-04-02 | 1989-03-09 | Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart, De | |
US4994781A (en) | 1988-04-07 | 1991-02-19 | Sahagen Armen N | Pressure sensing transducer employing piezoresistive elements on sapphire |
US5174926A (en) | 1988-04-07 | 1992-12-29 | Sahagen Armen N | Compositions for piezoresistive and superconductive application |
NL8800953A (nl) | 1988-04-13 | 1989-11-01 | Philips Nv | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderlichaam. |
US5197892A (en) | 1988-05-31 | 1993-03-30 | Canon Kabushiki Kaisha | Electric circuit device having an electric connecting member and electric circuit components |
JPH02124800A (ja) | 1988-07-04 | 1990-05-14 | Hiroaki Aoshima | 一体同化した合成コランダムの単結晶構造体の製造方法 |
EP0355340A1 (en) | 1988-07-04 | 1990-02-28 | Hiroaki Aoshima | Process for producing structures by bonding together synthetic corundum single crystals |
DE3822966C2 (de) | 1988-07-07 | 1993-09-30 | Degussa | Verwendung einer Silberlegierung als Lot zum direkten Verbinden von Keramikteilen |
DE3901492A1 (de) | 1988-07-22 | 1990-01-25 | Endress Hauser Gmbh Co | Drucksensor und verfahren zu seiner herstellung |
US4879903A (en) | 1988-09-02 | 1989-11-14 | Nova Sensor | Three part low cost sensor housing |
KR0158868B1 (ko) | 1988-09-20 | 1998-12-01 | 미다 가쓰시게 | 반도체장치 |
FR2638524B1 (fr) | 1988-10-27 | 1994-10-28 | Schlumberger Prospection | Capteur de pression utilisable dans les puits de petrole |
US4883215A (en) | 1988-12-19 | 1989-11-28 | Duke University | Method for bubble-free bonding of silicon wafers |
US4954925A (en) | 1988-12-30 | 1990-09-04 | United Technologies Corporation | Capacitive sensor with minimized dielectric drift |
NL8900388A (nl) | 1989-02-17 | 1990-09-17 | Philips Nv | Werkwijze voor het verbinden van twee voorwerpen. |
DE3909185A1 (de) | 1989-03-21 | 1990-09-27 | Endress Hauser Gmbh Co | Kapazitiver drucksensor und verfahren zu seiner herstellung |
US5087124A (en) | 1989-05-09 | 1992-02-11 | Smith Rosemary L | Interferometric pressure sensor capable of high temperature operation and method of fabrication |
JPH0355822A (ja) | 1989-07-25 | 1991-03-11 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体素子形成用基板の製造方法 |
US5201977A (en) | 1989-08-09 | 1993-04-13 | Hiroaki Aoshima | Process for producing structures from synthetic single-crystal pieces |
JPH0636414B2 (ja) | 1989-08-17 | 1994-05-11 | 信越半導体株式会社 | 半導体素子形成用基板の製造方法 |
US5044202A (en) | 1989-09-18 | 1991-09-03 | Texas Instruments Incorporated | Pressure transducer apparatus |
US4972717A (en) | 1989-09-18 | 1990-11-27 | Texas Instruments Incorporated | Pressure transducer apparatus and method for making same |
JPH03170826A (ja) | 1989-11-29 | 1991-07-24 | Toshiba Corp | 容量型圧力センサ |
US5001934A (en) | 1990-01-02 | 1991-03-26 | Walbro Corporation | Solid state pressure sensor |
US5050034A (en) | 1990-01-22 | 1991-09-17 | Endress U. Hauser Gmbh U. Co. | Pressure sensor and method of manufacturing same |
JPH0719737B2 (ja) | 1990-02-28 | 1995-03-06 | 信越半導体株式会社 | S01基板の製造方法 |
EP0444943B1 (en) | 1990-02-28 | 1997-05-21 | Shin-Etsu Handotai Company Limited | A method of manufacturing a bonded wafer |
JPH0636413B2 (ja) | 1990-03-29 | 1994-05-11 | 信越半導体株式会社 | 半導体素子形成用基板の製造方法 |
DE4011901A1 (de) | 1990-04-12 | 1991-10-17 | Vdo Schindling | Kapazitiver drucksensor |
EP0456060B1 (en) | 1990-04-27 | 1995-09-13 | Hiroaki Aoshima | Process for bonding synthetic singel crystals |
US5088329A (en) | 1990-05-07 | 1992-02-18 | Sahagen Armen N | Piezoresistive pressure transducer |
CN1018844B (zh) | 1990-06-02 | 1992-10-28 | 中国科学院兰州化学物理研究所 | 防锈干膜润滑剂 |
NL9001301A (nl) | 1990-06-08 | 1992-01-02 | Philips Nv | Werkwijze voor het vervaardigen van een supergeleiderinrichting. |
US5084123A (en) | 1990-07-02 | 1992-01-28 | Hughes Aircraft Company | Temperature stable optical bonding method and apparatus |
US5326726A (en) | 1990-08-17 | 1994-07-05 | Analog Devices, Inc. | Method for fabricating monolithic chip containing integrated circuitry and suspended microstructure |
US5189916A (en) | 1990-08-24 | 1993-03-02 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Pressure sensor |
JP2718563B2 (ja) | 1990-08-28 | 1998-02-25 | 日本特殊陶業株式会社 | 圧力検出器 |
JPH0719739B2 (ja) | 1990-09-10 | 1995-03-06 | 信越半導体株式会社 | 接合ウェーハの製造方法 |
DE4031791A1 (de) | 1990-10-08 | 1992-04-09 | Leybold Ag | Sensor fuer ein kapazitaetsmanometer |
US5123849A (en) | 1990-11-15 | 1992-06-23 | Amp Incorporated | Conductive gel area array connector |
US5094109A (en) | 1990-12-06 | 1992-03-10 | Rosemount Inc. | Pressure transmitter with stress isolation depression |
US5157972A (en) | 1991-03-29 | 1992-10-27 | Rosemount Inc. | Pressure sensor with high modules support |
US5261999A (en) | 1991-05-08 | 1993-11-16 | North American Philips Corporation | Process for making strain-compensated bonded silicon-on-insulator material free of dislocations |
US5155061A (en) | 1991-06-03 | 1992-10-13 | Allied-Signal Inc. | Method for fabricating a silicon pressure sensor incorporating silicon-on-insulator structures |
US5133215A (en) | 1991-06-19 | 1992-07-28 | Honeywell Inc. | Pressure transmitter assembly having sensor isolation mounting |
US5178015A (en) | 1991-07-22 | 1993-01-12 | Monolithic Sensors Inc. | Silicon-on-silicon differential input sensors |
FR2679651B1 (fr) | 1991-07-26 | 1993-11-12 | Schlumberger Services Petroliers | Couche mince extensometrique en cermet a base de tantale et de nitrate de tantale, son procede de preparation et son utilisation dans un capteur de pression. |
US5231301A (en) | 1991-10-02 | 1993-07-27 | Lucas Novasensor | Semiconductor sensor with piezoresistors and improved electrostatic structures |
US5319324A (en) | 1991-10-02 | 1994-06-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of direct bonding of crystals and crystal devices |
US5227068A (en) | 1991-10-25 | 1993-07-13 | Eco-Soil Systems, Inc. | Closed apparatus system for improving irrigation and method for its use |
EP0547684A3 (en) | 1991-12-18 | 1996-11-06 | Koninkl Philips Electronics Nv | Method of manufacturing a semiconductor body comprising a carrier wafer and a monocrystalline semiconducting top layer |
US5271277A (en) | 1991-12-23 | 1993-12-21 | The Boc Group, Inc. | Capacitance pressure transducer |
JP2896725B2 (ja) * | 1991-12-26 | 1999-05-31 | 株式会社山武 | 静電容量式圧力センサ |
US5214563A (en) | 1991-12-31 | 1993-05-25 | Compaq Computer Corporation | Thermally reactive lead assembly and method for making same |
US6140143A (en) | 1992-02-10 | 2000-10-31 | Lucas Novasensor Inc. | Method of producing a buried boss diaphragm structure in silicon |
FR2687777B1 (fr) | 1992-02-20 | 1994-05-20 | Sextant Avionique | Micro-capteur capacitif a faible capacite parasite et procede de fabrication. |
JPH05231975A (ja) * | 1992-02-21 | 1993-09-07 | Yamatake Honeywell Co Ltd | 静電容量式圧力センサ |
US5287746A (en) | 1992-04-14 | 1994-02-22 | Rosemount Inc. | Modular transmitter with flame arresting header |
JP2601128B2 (ja) | 1992-05-06 | 1997-04-16 | 松下電器産業株式会社 | 回路形成用基板の製造方法および回路形成用基板 |
US5236118A (en) | 1992-05-12 | 1993-08-17 | The Regents Of The University Of California | Aligned wafer bonding |
US5242864A (en) | 1992-06-05 | 1993-09-07 | Intel Corporation | Polyimide process for protecting integrated circuits |
US5189591A (en) | 1992-06-12 | 1993-02-23 | Allied-Signal Inc. | Aluminosilicate glass pressure transducer |
EP0579298B1 (en) | 1992-06-15 | 1997-09-03 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method of manufacturing a plate having a plane main surface, method of manufacturing a plate having parallel main surfaces, and device suitable for implementing said methods |
US5294760A (en) | 1992-06-23 | 1994-03-15 | The Regents Of The University Of California | Digital pressure switch and method of fabrication |
US5228862A (en) | 1992-08-31 | 1993-07-20 | International Business Machines Corporation | Fluid pressure actuated connector |
JP3057924B2 (ja) | 1992-09-22 | 2000-07-04 | 松下電器産業株式会社 | 両面プリント基板およびその製造方法 |
US5332469A (en) | 1992-11-12 | 1994-07-26 | Ford Motor Company | Capacitive surface micromachined differential pressure sensor |
US5314107A (en) | 1992-12-31 | 1994-05-24 | Motorola, Inc. | Automated method for joining wafers |
US5369544A (en) | 1993-04-05 | 1994-11-29 | Ford Motor Company | Silicon-on-insulator capacitive surface micromachined absolute pressure sensor |
JP3087152B2 (ja) | 1993-09-08 | 2000-09-11 | 富士通株式会社 | 樹脂フィルム多層回路基板の製造方法 |
US5483834A (en) | 1993-09-20 | 1996-01-16 | Rosemount Inc. | Suspended diaphragm pressure sensor |
US5424650A (en) | 1993-09-24 | 1995-06-13 | Rosemont Inc. | Capacitive pressure sensor having circuitry for eliminating stray capacitance |
JP3111816B2 (ja) | 1993-10-08 | 2000-11-27 | 株式会社日立製作所 | プロセス状態検出装置 |
DE4342890A1 (de) | 1993-12-16 | 1995-06-22 | Mannesmann Kienzle Gmbh | Verfahren zum Abdichten herstellprozeßbedingter Öffnungen an mikromechanischen Beschleunigungssensoren |
US5466630A (en) | 1994-03-21 | 1995-11-14 | United Microelectronics Corp. | Silicon-on-insulator technique with buried gap |
US5437189A (en) | 1994-05-03 | 1995-08-01 | Motorola, Inc. | Dual absolute pressure sensor and method thereof |
US5471884A (en) | 1994-07-05 | 1995-12-05 | Motorola, Inc. | Gain-adjusting circuitry for combining two sensors to form a media isolated differential pressure sensor |
WO1996007351A1 (en) | 1994-09-02 | 1996-03-14 | Cardiometrics, Inc. | Ultra miniature pressure sensor and guidewire using the same and method |
US5479827A (en) | 1994-10-07 | 1996-01-02 | Yamatake-Honeywell Co., Ltd. | Capacitive pressure sensor isolating electrodes from external environment |
US5528452A (en) | 1994-11-22 | 1996-06-18 | Case Western Reserve University | Capacitive absolute pressure sensor |
US5731522A (en) | 1997-03-14 | 1998-03-24 | Rosemount Inc. | Transmitter with isolation assembly for pressure sensor |
JP3239940B2 (ja) | 1997-09-10 | 2001-12-17 | 日本電気株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
US5982608A (en) | 1998-01-13 | 1999-11-09 | Stmicroelectronics, Inc. | Semiconductor variable capacitor |
US6126889A (en) | 1998-02-11 | 2000-10-03 | General Electric Company | Process of preparing monolithic seal for sapphire CMH lamp |
JP3339565B2 (ja) | 1998-09-29 | 2002-10-28 | 株式会社山武 | 圧力センサ |
JP2000111434A (ja) | 1998-10-06 | 2000-04-21 | Hokuriku Electric Ind Co Ltd | 静電容量式圧力センサユニット |
US6131462A (en) * | 1998-12-18 | 2000-10-17 | Delaware Capital Formation, Inc. | Pressure/temperature transducer with improved thermal coupling and enhanced transient response |
-
2000
- 2000-01-06 US US09/477,689 patent/US6508129B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-12-20 DE DE60024490T patent/DE60024490T2/de not_active Expired - Lifetime
- 2000-12-20 JP JP2001550005A patent/JP2003534529A/ja active Pending
- 2000-12-20 WO PCT/US2000/034647 patent/WO2001050105A1/en active IP Right Grant
- 2000-12-20 AU AU24431/01A patent/AU2443101A/en not_active Abandoned
- 2000-12-20 EP EP00988199A patent/EP1244898B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-12-20 CN CN008182051A patent/CN1216279C/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0574977A (ja) * | 1990-06-22 | 1993-03-26 | Watkins Johnson Co | アルミナ基体の亀裂を無くす方法 |
JPH04106442A (ja) * | 1990-08-28 | 1992-04-08 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 圧力センサ |
JPH04328437A (ja) * | 1991-04-26 | 1992-11-17 | Eagle Ind Co Ltd | 圧力センサ及びその製造方法 |
JPH08507854A (ja) * | 1992-08-10 | 1996-08-20 | ダウ、ドイチュラント、インコーポレーテッド. | ガスタービンハウジングに圧力センサを搭載するためのアダプタ |
JPH06265428A (ja) * | 1993-03-11 | 1994-09-22 | Yamatake Honeywell Co Ltd | 静電容量式圧力センサ |
JPH0755616A (ja) * | 1993-08-14 | 1995-03-03 | Pacific Ind Co Ltd | 静電容量式圧力検出器の製造方法 |
JPH11501123A (ja) * | 1995-02-28 | 1999-01-26 | ローズマウント インコーポレイテッド | 圧力センサおよび圧力トランスミッタ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE60024490T2 (de) | 2006-08-03 |
US6508129B1 (en) | 2003-01-21 |
DE60024490D1 (de) | 2006-01-05 |
EP1244898A1 (en) | 2002-10-02 |
EP1244898B1 (en) | 2005-11-30 |
WO2001050105A1 (en) | 2001-07-12 |
CN1216279C (zh) | 2005-08-24 |
CN1479861A (zh) | 2004-03-03 |
AU2443101A (en) | 2001-07-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2003534529A (ja) | 金ゲルマニューム隔離ろう付け結合を有するサファイヤ圧力センサ用梁 | |
EP1244899B1 (en) | Method and apparatus for a direct bonded isolated pressure sensor | |
JP3620795B2 (ja) | 超小型電気機械システム用電気的相互接続部の結晶粒成長 | |
US5808205A (en) | Eccentric capacitive pressure sensor | |
US6425290B2 (en) | Oil-less differential pressure sensor | |
EP2483653B1 (en) | Pressure transmitter with pressure sensor mount | |
US6938490B2 (en) | Isolation technique for pressure sensing structure | |
US7275444B1 (en) | Pressure transducer apparatus adapted to measure engine pressure parameters | |
JP4726481B2 (ja) | 気圧センサ | |
EP0911623A2 (en) | High pressure sensor and method of forming | |
EP3111184B1 (en) | Differential pressure sensing die | |
WO2004104541A1 (en) | Pressure sensor capsule | |
EP0164413A1 (en) | PRESSURE CONVERTER. | |
US11656138B2 (en) | Pressure sensor assembly | |
US11015994B2 (en) | Differential MEMS pressure sensors with a ceramic header body and methods of making differential MEMS pressure sensors | |
Frick et al. | Pressure sensor cavity etched with hot POCL 3 gas |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040929 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20041013 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050107 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050223 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050623 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20050708 |
|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20050729 |