JPH06265428A - 静電容量式圧力センサ - Google Patents

静電容量式圧力センサ

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JPH06265428A
JPH06265428A JP7646493A JP7646493A JPH06265428A JP H06265428 A JPH06265428 A JP H06265428A JP 7646493 A JP7646493 A JP 7646493A JP 7646493 A JP7646493 A JP 7646493A JP H06265428 A JPH06265428 A JP H06265428A
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 基板間接合部の残留応力などに左右されるこ
となく、高精度で信頼性の高い圧力計測を可能にした。 【構成】 サファイア基板11はその表面側中央部に全
体形状がほぼ正方形で断面が凹状となる深さの浅い凹部
12が形成されており、この凹部12内の底部には導電
性膜からなる可動電極13が形成され、また、サファイ
ア基板14はその表面側中央部に全体形状がほぼ正方形
の導電性膜からなる固定電極15が形成され、そして可
動電極13が形成されたサファイア基板11と固定電極
15が形成されたサファイア基板14とをそれぞれ両電
極形成面を対向させて接合部を張り合わせ、接合材を用
いることなく、直接接合により密着させて固定する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、被測定媒体の圧力の変
化を計測する静電容量式圧力センサに係わり、特にその
静電容量式圧力センサを構成するチップ構造に関するも
のである。
【0002】
【従来の技術】一般に静電容量式センサにおいては、セ
ンシング容量部を形成する一対の電極間に発生する寄生
容量を最小に抑えるため、少なくとも一方の基板に絶縁
材料を用いることが必要とされている。
【0003】従来、この種の静電容量式圧力センサとし
ては、図5に断面で示すように固定電極1を有するパイ
レックスからなるカバーガラス2と、表裏面に凹部を形
成し表面側の凹部内に可動電極3を設けたシリコンウエ
ハ4とをその両電極面をギャップGを介して対向配置さ
せ、その周辺部分を陽極接合による接合部5により接合
して構成されたダイアフラム構造の静電容量式圧力セン
サが提案されている(特開平1−253627号)。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
た従来の静電容量式圧力センサは、カバーガラス2とシ
リコンウエハ4とが異種材料で構成されており、パイレ
ックスとシリコンとは熱膨張率は近いが、同じではな
く、また、熱膨張率の温度特性も同じでないため、接合
時に残留応力が生じ、この残留応力がダイアフラムの変
位量に影響を与えるという問題があった。また、この残
留応力の値は、使用時に経時変化するために精度劣化を
招くという問題があった。
【0005】また、前述した従来の静電容量式圧力セン
サは、カバーガラス2とシリコンウエハ4とが異種材料
で構成されることから、使用時に温度変化があると、熱
膨張率の差により接合部5に熱応力が生じ、この熱応力
がダイアフラムの変位量に影響を与え、大きな温度特性
が生じてしまうという問題があった。
【0006】さらに前述した従来の静電容量式圧力セン
サを構成するシリコンウエハ4は、弱アルカリなどで容
易に腐食されるため、液体の圧力を直接計測する場合に
液体の種類にかなり制限されるという問題があった。
【0007】したがって従来構造の静電容量式圧力セン
サは、そのパッケージを構成する基板材料およびその基
板間接合部の残留応力に左右され、高精度でしかも信頼
性の高い圧力計測に悪影響をおよぼすという問題があっ
た。
【0008】したがって本発明は、前述した従来の課題
を解決するためになされたものであり、その目的は、基
板材料および基板間接合部の残留応力などに左右される
ことなく、高精度で量産性に優れかつ信頼性の高い圧力
計測を可能にした静電容量式圧力センサを提供すること
にある。
【0009】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために本発明は、空洞が少なくとも一方に窪みが設け
られた第1のサファイア基板と第2のサファイア基板と
が対向して密着接合されることにより形成するものであ
る。
【0010】
【作用】本発明においては、第1のサファイア基板と、
第2のサファイア基板とがシール材を不要としてサファ
イア同志の物理化学的な結合力により直接的に密着して
接合される。
【0011】
【実施例】以下、図面を用いて本発明に実施例を詳細に
説明する。図1は本発明による静電容量式圧力センサの
一実施例による構成を示す図であり、図1(a)は平面
図,図1(b)はその断面図である。同図において、サ
ファイア基板11は、その表面側中央部に全体形状がほ
ぼ正方形で断面が凹状となる深さの浅い凹部12が形成
されており、この凹部12内の底部には導電性膜からな
る第1の電極としての可動電極13が形成されて可動ダ
イアフラム構造が構成されている。
【0012】また、この第2のサファイア基板14は、
この第1のサファイア基板11と同一材料からなり、そ
の表面側中央部に全体形状がほぼ正方形の導電性膜から
なる第2の電極としての固定電極15が形成されてい
る。そして可動電極13が形成されたサファイア基板1
1と、固定電極15が形成されたサファイア基板14と
が凹部12を介してそれぞれ両電極形成面を対向させて
配置し、その周辺部分が接合材を用いることなく、サフ
ァイア同志の直接接合により密着されて固定され、圧力
センサチップ構造が構成されている。
【0013】この場合、サファイア基板11とサファイ
ア基板14との接合部となる基板表面は、表面荒さRa
が約10Å程度以下の平坦な鏡面を有して形成されてお
り、サファイア基板11と、サファイア基板14とを室
温において対向配置させて張り合わせ、200〜110
0℃程度まで加熱することにより、サファイア同志が物
理化学的な結合力によって密着され、強固に接合される
ことになる。
【0014】このような構成において、可動電極13が
形成されたサファイア基板11が圧力に応じて変位す
る。したがって圧力の変化に対応して変化するサファイ
ア基板11の可動電極13と、サファイア基板14の固
定電極15との間の静電容量を測定することにより圧力
の計測が行われる。
【0015】このような構成によると、サファイア基板
11と、サファイア基板14とが同種の材料であり、か
つ接合材を用いずに物理化学的な結合力によって密着し
て接合されているため、サファイア基板11と、サファ
イア基板14との接合が使用温度以上で行われた後、使
用温度に冷却されても、残留応力の発生が殆どなくな
る。
【0016】また、使用温度の変化があってもサファイ
ア基板11と、サファイア基板14とが同種の材料であ
るため、接合に起因する圧力センサの温度特性に悪影響
をおよぼさなくなる。したがって高精度でしかも信頼性
の高い圧力センサを製作することができる。
【0017】また、サファイアは、シリコンやパイレッ
クスと比較して優れた耐食性を持つため、シリコンやパ
イレックスでは使用できない液体、例えば弱アルカリ液
などの圧力も直接測定が可能となる。
【0018】また、静電容量式圧力センサの基板部とし
てサファイア基板を用いたことにより、前述した効果に
加えて基板接合時の位置合わせを、基板上方から肉眼ま
たは光学顕微鏡を用いて容易に行うことができ、生産性
を大幅に向上させることができる。
【0019】また、サファイア基板11およびサファイ
ア基板14は、接合材を用いずに接合可能な表面荒さの
殆どないウエハの入手が比較的容易であり、容易に高精
度な圧力センサを構成することが可能である。
【0020】図2は、本発明による静電容量式圧力セン
サの他の実施例による構成を示す図で図2(a)は平面
図,図2(b)はその断面図であり、前述の図と同一部
分には同一符号を付してある。同図において、サファイ
ア基板11に形成される可動電極13は、センシング容
量部13aとその周辺部にレファレンス容量部13bと
を有して構成されている。
【0021】このような構成においても前述と同様な効
果が得られるとともに、センシング容量部13aとその
周辺部にレファレンス容量部13bとの差により、圧力
以外の外乱および雑音などが相殺され、高精度な圧力測
定が可能となる。
【0022】次に図1で説明した静電容量式圧力センサ
の製造方法について説明する。図3は、静電容量式圧力
センサの製造方法の一実施例を説明する工程の断面図で
ある。同図において、まず、図3(a)に示すように少
なくとも対向配置されて接合される周辺部分の表面が鏡
面研磨されたサファイア基板11を準備する。
【0023】次に図3(b)に示すようにこのサファイ
ア基板11の中央部分にドライエッチング法により、凹
部12を形成する。
【0024】次に図3(c)に示すようにサファイア基
板11の凹部12内にCVD法,スパッタリング法また
は真空蒸着法などにより導電性薄膜を被着形成して可動
電極13を成膜する。
【0025】次に図3(d)に示すように少なくとも対
向配置されて接合される周辺部分の表面が鏡面研磨され
たサファイア基板14を準備する。
【0026】次に図3(e)に示すようにこのサファイ
ア基板14の中央部分にCVD法,スパッタリング法ま
たは真空蒸着法などにより導電性薄膜を被着形成して固
定電極15を成膜する。
【0027】次に図3(f)に示すように可動電極13
が形成されたサファイア基板13と固定電極15が形成
されたサファイア基板14とを接合材を用いずにクリー
ンな雰囲気中において室温付近で電極形成面を対向させ
て張り合わせ、200〜1100℃程度の高温雰囲気中
で熱処理を行って接合を強固にする。
【0028】次に図3(g)に示すようにサファイア基
板13の接合されていない表面側を研磨し、このサファ
イア基板13を圧力レンジに応じた所定の厚さに研削加
工して完成する。
【0029】なお、前述した実施例においては、サファ
イア基板11およびサファイア基板14の形状を、正方
形とした場合について説明したが、本発明はこれに限定
されるものではなく、長方形,多角形,円形あるいは楕
円形などの各種の形状に形成しても良い。
【0030】また、前述した実施例においては、凹部1
2および可動電極13,固定電極15の形状を、正方形
とした場合について説明したが、本発明はこれに限定さ
れるものではなく、長方形,多角形,円形あるいは楕円
形などの各種の形状に形成して良いことは言うまでもな
い。
【0031】また、前述した実施例において、サファイ
ア基板11とサファイア基板14との間に設けた凹部1
2内には、例えば真空,空気あるいはその他の封入物を
収納して用いても良い。
【0032】図4は、本発明による静電容量式圧力セン
サのさらに他の実施例による構成を示す図である。同図
において、21は第1のサファイア基板であり、この第
1のサファイア基板21の下面側には、断面が凹状とな
る深さの浅い凹部22が形成されており、この凹部22
内の底面には導電性膜からなる固定電極23が形成され
ている。
【0033】また、この第1のサファイア基板21の溝
22の底面には固定電極23の電極取り出し孔21aが
外部に貫通して形成され、この電極取り出し孔21aの
内面には固定電極23のリード部23aが一体形成され
るとともに第1のサファイア基板21の上面に引き出さ
れて固定電極取り出し端子23bが形成されている。さ
らにこの第1のサファイア基板21には、図4(b)に
下斜め方向から見た斜視図で示すように上記凹部22が
大気圧に連通する大気圧導入孔21bが設けられてい
る。
【0034】また、この第1のサファイア基板21の凹
部22が形成された下面側には、この凹部22を塞ぐよ
うに第2のサファイア基板24が配置され、この第2の
サファイア基板14の固定電極23と対向する上面側に
は可動電極25およびこの可動電極25の取り出し端子
25aが形成されている。この場合、この第2のサファ
イア基板24は、第1のサファイア基板21よりも板厚
を薄くして形成され、可動ダイアフラム構造が構成され
る。
【0035】また、この第2のサファイア基板24の下
面側には、図4(c)に斜め上方からみた斜視図で示す
ように断面が凹状となる深さの浅い測定圧力印加凹部2
6が形成されるとともにこの凹部26の外気と連通する
測定圧力導入孔27aおよび圧力印加凹部27bが設け
られた第3のサファイア基板27が配置されている。ま
た、この第3のサファイア基板27の下面側には、測定
圧力導入孔27aに連通する開口28aを設けた台座2
8が配置されている。
【0036】そして第1のサファイア基板21と、第2
のサファイア基板24と、第3のサファイア基板27と
の各周辺接合部がサファイア同志の直接接合により密着
されて固定され、容量式圧力センサチップのパッケージ
構造が構成されている。
【0037】このような構成において、可動電極25が
形成された第2のサファイア基板24からなる可動ダイ
アフラム構造が測定導入孔27aから導入された圧力に
応じて変位する。したがって圧力の変化に対応して変化
する第2のサファイア基板24の可動電極25と、第1
のサファイア基板21の固定電極23との間に形成され
たギャップGの静電容量を測定することにより圧力の計
測が行われる。
【0038】このような構成によれば、測定導入孔27
aから導入される測定媒体は、第2のサファイア基板2
4および第3のサファイア基板27のみに接触構造とな
るので、各固定電極23および可動電極25などの腐食
され易い電極材料とは接触しないため、各種の気体,液
体および水蒸気などの測定媒体の圧力計測が可能とな
る。
【0039】また、このような構成によれば、可動ダイ
アフラム構造と、センサチップが取り付けられる例えば
ステンレス製金属管などの本体との接合個所が離れてい
るため、可動ダイアフラム構造が受けるセンサチップ
と、本体との接合個所に発生する残留応力の影響が小さ
くなるので、残留応力に起因する誤差の影響が極めて少
なくなる。
【0040】
【発明の効果】以上、説明したように本発明によれば、
第1のサファイア基板および第2のサファイア基板の同
一材料で圧力センサチップ構造を構成したことにより、
製作時に接合部に生じる残留応力および使用時に生じる
熱応力に起因する誤差が発生し難くなる。また、第1の
サファイア基板と第2のサファイア基板とを接着材を介
さずにサファイア基板同志を接合したことにより、サブ
ミクロンのギャップのコントロールが可能となるので、
容量式圧力センサに適用した場合に第1のサファイア基
板と第2のサファイア基板と対向間に制御性の極めて良
い計測コンデンサギャップ間隔が得られる。したがって
高精度で信頼性の高い圧力計測が可能となるなどの極め
て優れた効果が得られる。また、静電容量式圧力センサ
チップのパッケージ構造を第1のサファイア基板および
第2のサファイア基板の同一材料で構成したことによ
り、これらのサファイア基板は極めて高い耐食性を有し
ていることから、各種の気体,液体および水蒸気などの
測定媒体に直接的に接触することが可能となるので、従
来、センサチップの表面をシリコンオイルで覆っていた
封入液を使用せずに全ての測定媒体の圧力を計測できる
圧力センサが得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による静電容量式圧力センサの一実施例
による構成を示す図である。
【図2】本発明による静電容量式圧力センサの他の実施
例による構成を示す図である。
【図3】図1に示す静電容量式圧力センサの製造方法の
一例を説明する工程の断面図である。
【図4】本発明による静電容量式圧力センサのさらに他
の実施例による構成を示す図である。
【図5】従来の静電容量式圧力センサの構成を示す断面
図である。
【符号の説明】
11 サファイア基板 12 凹部 13 可動電極 13a センシング容量部 13b レファレンス容量部 14 サファイア基板 15 固定電極 21 第1のサファイア基板 21a 電極取り出し孔 21b 大気圧導入孔 22 凹部 23 固定電極 23a リード部 23b 固定電極取り出し端子 24 第2のサファイア基板 25 可動電極 25a 可動電極取り出し孔 26 測定圧力印加凹部 27 第3のサファイア基板 27a 測定圧力導入孔 27b 圧力印加凹部 28 台座 28a 開口 31 第1のサファイア基板 32 凹部 33 第2のサファイア基板 33a 大気圧導入孔 33b 電極取り出し端子 34 歪ゲージ 35 台座

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 2枚の平行平板電極が空洞内に対向配置
    されて形成された静電容量式圧力センサにおいて、 前記空洞が少なくとも一方に窪みが設けられた第1のサ
    ファイア基板と第2のサファイア基板とが対向して密着
    接合されることにより形成されたことを特徴とする静電
    容量式圧力センサ。
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