JPH0552867A - 容量型加速度センサ - Google Patents
容量型加速度センサInfo
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- JPH0552867A JPH0552867A JP21342491A JP21342491A JPH0552867A JP H0552867 A JPH0552867 A JP H0552867A JP 21342491 A JP21342491 A JP 21342491A JP 21342491 A JP21342491 A JP 21342491A JP H0552867 A JPH0552867 A JP H0552867A
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- Japan
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- vibrating mass
- wiring
- outer peripheral
- silicon substrate
- hole
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】梁２２の形成を容易にするとともに密閉性を損
なうことなく、寄生容量を極力少なくして精度の向上を
はかる。 【構成】シリコン基板１１を振動マス部１２と中継部１
３と配線取出し部１４ａ，１４ｂおよび外周部１５にて
構成し、この振動マス部１２と中継部１３および外周部
１５を梁２２にて結合するとともに、中継部１３と外周
部１５および配線取出し部１４ａ，１４ｂを支持部３０
にて結合し、この梁２２と支持部３０を気相成長させた
絶縁層にて形成し、前記配線取出し部１４ａ，１４ｂを
電気的に絶縁して第１の穴部３２と第３の穴部３４から
配線を取出す。
なうことなく、寄生容量を極力少なくして精度の向上を
はかる。 【構成】シリコン基板１１を振動マス部１２と中継部１
３と配線取出し部１４ａ，１４ｂおよび外周部１５にて
構成し、この振動マス部１２と中継部１３および外周部
１５を梁２２にて結合するとともに、中継部１３と外周
部１５および配線取出し部１４ａ，１４ｂを支持部３０
にて結合し、この梁２２と支持部３０を気相成長させた
絶縁層にて形成し、前記配線取出し部１４ａ，１４ｂを
電気的に絶縁して第１の穴部３２と第３の穴部３４から
配線を取出す。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は加速度による慣性力によ
って移動し周囲から弾性を有した梁にて支持された振動
マスが形成されたシリコン基板と、絶縁材に形成された
絶縁基板上に前記振動マスと微小ギャップを有して対向
する固定電極を形成し、この振動マスと固定電極間の静
電容量の変化により、加速度を測定するようにした容量
型加速度センサに関する。
って移動し周囲から弾性を有した梁にて支持された振動
マスが形成されたシリコン基板と、絶縁材に形成された
絶縁基板上に前記振動マスと微小ギャップを有して対向
する固定電極を形成し、この振動マスと固定電極間の静
電容量の変化により、加速度を測定するようにした容量
型加速度センサに関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に容量型加速度センサは、図５に示
すようにシリコン基板５０の表面からエッチングを施
し、振動マス５１および梁５２を残してシリコン基板５
０の内部に空洞を形成し、この振動マス５１および梁５
２を形成したシリコン基板５０の両面から振動マス５１
と対向する部分に凹部５３を形成したガラス基板５４，
５５が陽極接合され、さらに台座６３が接着されてい
る。
すようにシリコン基板５０の表面からエッチングを施
し、振動マス５１および梁５２を残してシリコン基板５
０の内部に空洞を形成し、この振動マス５１および梁５
２を形成したシリコン基板５０の両面から振動マス５１
と対向する部分に凹部５３を形成したガラス基板５４，
５５が陽極接合され、さらに台座６３が接着されてい
る。
【０００３】そしてガラス基板５４，５５に形成された
凹部５３にはアルミニウム等をスパッタリングもしくは
蒸着して電極５６，５７が形成され、この電極５６，５
７にはリード線５８，５９が同様にスパッタリングもし
くは蒸着されている。また、振動マス５１の表面には不
純物を拡散して拡散層６０が形成され、この拡散層６０
からそれぞれ拡散リード６１が拡散層６０と同様に不純
物を拡散して形成されている。そしてこの拡散リード６
１およびリード線５８の端部では金線にてウエッジボン
ディングされて外部に信号が取り出されている。
凹部５３にはアルミニウム等をスパッタリングもしくは
蒸着して電極５６，５７が形成され、この電極５６，５
７にはリード線５８，５９が同様にスパッタリングもし
くは蒸着されている。また、振動マス５１の表面には不
純物を拡散して拡散層６０が形成され、この拡散層６０
からそれぞれ拡散リード６１が拡散層６０と同様に不純
物を拡散して形成されている。そしてこの拡散リード６
１およびリード線５８の端部では金線にてウエッジボン
ディングされて外部に信号が取り出されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ここで、梁は振動マス
の移動量を決定するのに非常に重要な役目を有してお
り、この梁の厚みは高精度を要求されるものである。と
ころが、エッチングで高精度に梁を形成するにはエッチ
ング速度の管理が困難なうえ、エッチングで梁を形成し
た場合には残留応力が発生するため、梁の強度に問題が
あった。
の移動量を決定するのに非常に重要な役目を有してお
り、この梁の厚みは高精度を要求されるものである。と
ころが、エッチングで高精度に梁を形成するにはエッチ
ング速度の管理が困難なうえ、エッチングで梁を形成し
た場合には残留応力が発生するため、梁の強度に問題が
あった。
【０００５】また、シリコン基板上に拡散リードを用い
ているので、ＰＮ接合による寄生容量が発生する。この
寄生容量はセンサが測定する感度とほぼ同等の容量を有
するため、容量型加速度センサの感度が低下あるいは感
度特性が非直線的を呈する等の性能の劣化を生じる問題
があった。また、この寄生容量の発生を防止するために
スパッタリングもしくは蒸着にて形成した金属リードを
用いて信号の取り出しを行おうとした場合には、シリコ
ン基板の表面に金属リードが乗るかたちになり、ガラス
基板とシリコン基板の接合面に隙間が形成されることと
なり、振動マスが位置する凹部内の密封が不完全にな
る。このため、大気等の粘性ダンピングを極力おさえる
ために凹部内の雰囲気を真空にすることができなくな
り、精度の良い加速度の測定が困難になる問題があっ
た。
ているので、ＰＮ接合による寄生容量が発生する。この
寄生容量はセンサが測定する感度とほぼ同等の容量を有
するため、容量型加速度センサの感度が低下あるいは感
度特性が非直線的を呈する等の性能の劣化を生じる問題
があった。また、この寄生容量の発生を防止するために
スパッタリングもしくは蒸着にて形成した金属リードを
用いて信号の取り出しを行おうとした場合には、シリコ
ン基板の表面に金属リードが乗るかたちになり、ガラス
基板とシリコン基板の接合面に隙間が形成されることと
なり、振動マスが位置する凹部内の密封が不完全にな
る。このため、大気等の粘性ダンピングを極力おさえる
ために凹部内の雰囲気を真空にすることができなくな
り、精度の良い加速度の測定が困難になる問題があっ
た。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は上述した問題を
解決するためになされたものであり、第１の特徴は、シ
リコン基板は表面に拡散層が形成された振動マスと該振
動マスを包囲する外周部とで構成され、この振動マスと
外周部を気相成長させた絶縁層の結合する梁と、この梁
の外周に前記振動マスと外周部を電気的に結合する第１
配線部を形成したものである。
解決するためになされたものであり、第１の特徴は、シ
リコン基板は表面に拡散層が形成された振動マスと該振
動マスを包囲する外周部とで構成され、この振動マスと
外周部を気相成長させた絶縁層の結合する梁と、この梁
の外周に前記振動マスと外周部を電気的に結合する第１
配線部を形成したものである。
【０００７】また、第２の特徴は第１の特徴に加えてシ
リコン基板は表面に拡散層が形成された振動マスと該振
動マスを包囲する外周部と配線取出し部とで構成され、
前記外周部と配線取出し部を気相成長させた絶縁層にて
結合する支持部と、固定電極と前記配線取出し部とを電
気的に接続する第２配線部と、前記絶縁基板の前記配線
取出し部と対向する位置にて絶縁基板を貫通して形成さ
れた第１穴部と、この第１穴部内周に形成された金属薄
膜からなり前記配線取出し部と接続された第１リード部
と、前記絶縁基板の前記外周部と対向する位置にて絶縁
基板を貫通して形成された第２穴部と、この第２穴部内
周に形成された金属薄膜からなり前記外周部と接続され
た第２リード部とを備えたことである。
リコン基板は表面に拡散層が形成された振動マスと該振
動マスを包囲する外周部と配線取出し部とで構成され、
前記外周部と配線取出し部を気相成長させた絶縁層にて
結合する支持部と、固定電極と前記配線取出し部とを電
気的に接続する第２配線部と、前記絶縁基板の前記配線
取出し部と対向する位置にて絶縁基板を貫通して形成さ
れた第１穴部と、この第１穴部内周に形成された金属薄
膜からなり前記配線取出し部と接続された第１リード部
と、前記絶縁基板の前記外周部と対向する位置にて絶縁
基板を貫通して形成された第２穴部と、この第２穴部内
周に形成された金属薄膜からなり前記外周部と接続され
た第２リード部とを備えたことである。
【０００８】
【作用】第１の特徴の作用としては、振動マスと外周部
を気相成長させた絶縁層で形成した梁にて結合したこと
によって残留応力を生じさせずに梁を形成することがで
きる。また、第２の特徴の作用としては固定電極から周
囲と電気的に絶縁された配線取出し部を介して第１穴部
の内面に形成された金属薄膜から成る第１リード部と電
気的に接続されて外部に信号が取り出される。振動マス
から第１配線部を介して外周部に接続され、さらに外周
部から第２穴部の内面に形成された金属薄膜から成る第
２リード部と電気的に接続され、信号が取り出されてい
る。このため、拡散リードを用いてもセンサを密封する
ことができる。
を気相成長させた絶縁層で形成した梁にて結合したこと
によって残留応力を生じさせずに梁を形成することがで
きる。また、第２の特徴の作用としては固定電極から周
囲と電気的に絶縁された配線取出し部を介して第１穴部
の内面に形成された金属薄膜から成る第１リード部と電
気的に接続されて外部に信号が取り出される。振動マス
から第１配線部を介して外周部に接続され、さらに外周
部から第２穴部の内面に形成された金属薄膜から成る第
２リード部と電気的に接続され、信号が取り出されてい
る。このため、拡散リードを用いてもセンサを密封する
ことができる。
【０００９】
【実施例】以下、本願発明を具体的な実施例に基づいて
説明する。図１は本発明に係わる差動容量型加速度セン
サの加速度検出部１０を示した平面図であり、図２は図
１のＡ−Ａ線に沿った断面図である。１１は慣性力を受
ける振動マス部１２と、中継部１３と、配線取出し部１
４ａ，１４ｂおよび外周部１５とで構成されるシリコン
基板である。１６，１７はシリコン基板１１の両面から
陽極接合にて配線取出し部１４ａ，１４ｂおよび外周部
１５に接合された上部ガラス基板および下部ガラス基板
であり、この上部ガラス基板１６と下部ガラス基板１７
には振動マス部１２に対して微小ギャップを有して対向
する上部固定電極２０と下部固定電極２１がそれぞれ形
成されている。この上部固定電極２０および下部固定電
極２１は蒸着もしくはスパッタリングによってチタンと
白金の金属薄膜にて形成されている。
説明する。図１は本発明に係わる差動容量型加速度セン
サの加速度検出部１０を示した平面図であり、図２は図
１のＡ−Ａ線に沿った断面図である。１１は慣性力を受
ける振動マス部１２と、中継部１３と、配線取出し部１
４ａ，１４ｂおよび外周部１５とで構成されるシリコン
基板である。１６，１７はシリコン基板１１の両面から
陽極接合にて配線取出し部１４ａ，１４ｂおよび外周部
１５に接合された上部ガラス基板および下部ガラス基板
であり、この上部ガラス基板１６と下部ガラス基板１７
には振動マス部１２に対して微小ギャップを有して対向
する上部固定電極２０と下部固定電極２１がそれぞれ形
成されている。この上部固定電極２０および下部固定電
極２１は蒸着もしくはスパッタリングによってチタンと
白金の金属薄膜にて形成されている。
【００１０】前記シリコン基板１１の両面はｎ型の拡散
層が形成されており、このシリコン基板１１の前記振動
マス部１２と中継部１３はそれぞれ複数の梁２２にて弾
性的に結合されている。この梁２２は科学堆積法（Ｃhe
mical Ｖapor Ｄeposision以下ＣＶＤ法と略す）にて
気相成長されたオキシナイトライド（ＳｉＯＮ）の絶縁
層２３の上にＣＶＤ法にてシリカ（ＳｉＯ2 ）の絶縁膜
２５が気相成長された二層構造にされている。また、振
動マス部１２と中継部１３を結合する梁２２の数本には
絶縁層２３と絶縁膜２５の間にアルミニウムを蒸着して
金属配線２４を施した上部配線梁２６と下部配線梁２７
が形成されており、この上部配線梁２６および下部配線
梁２７は振動マス部１２と外周部１５を電気的に同電位
にしている。
層が形成されており、このシリコン基板１１の前記振動
マス部１２と中継部１３はそれぞれ複数の梁２２にて弾
性的に結合されている。この梁２２は科学堆積法（Ｃhe
mical Ｖapor Ｄeposision以下ＣＶＤ法と略す）にて
気相成長されたオキシナイトライド（ＳｉＯＮ）の絶縁
層２３の上にＣＶＤ法にてシリカ（ＳｉＯ2 ）の絶縁膜
２５が気相成長された二層構造にされている。また、振
動マス部１２と中継部１３を結合する梁２２の数本には
絶縁層２３と絶縁膜２５の間にアルミニウムを蒸着して
金属配線２４を施した上部配線梁２６と下部配線梁２７
が形成されており、この上部配線梁２６および下部配線
梁２７は振動マス部１２と外周部１５を電気的に同電位
にしている。
【００１１】また、外周部１５と中継部１３および配線
取出し部１４ａ，１４ｂは梁２２と同様にＣＶＤ法にて
気相成長されたシリカの絶縁層にて形成された支持部３
０にて電気的に絶縁されて接続されている。前記振動マ
ス１２の前記上部固定電極２０および下部固定電極２１
を囲む位置には、シリカにてストッパ３１が形成され、
固定電極２０，２１と振動マス１２が接触して導通する
ことを防止している。
取出し部１４ａ，１４ｂは梁２２と同様にＣＶＤ法にて
気相成長されたシリカの絶縁層にて形成された支持部３
０にて電気的に絶縁されて接続されている。前記振動マ
ス１２の前記上部固定電極２０および下部固定電極２１
を囲む位置には、シリカにてストッパ３１が形成され、
固定電極２０，２１と振動マス１２が接触して導通する
ことを防止している。
【００１２】一方、上部ガラス基板１６には配線取出し
部１４ａ，１４ｂ上および、この配線取出し部１４ａ，
１４ｂの間の外周部１５上に第１の穴部３２、第２の穴
部３３および第３の穴部３４がその上部ガラス基板１６
を貫通して穴加工されており、この第１穴部３２の近傍
まで前記上部固定電極２０と接続された上部配線２８が
配線されている。この上部配線２８は固定電極と同様に
蒸着もしくはスパッタリングによってチタン白金の金属
薄膜にて形成され、シリコン基板１１の配線取出し部１
４ａに接触接続されている。そして、同様に下部ガラス
基板１７の下部固定電極２１と下部配線２９が接続さ
れ、この下部配線２９は固定電極と同様に蒸着もしくは
スパッタリングによってチタン白金の金属薄膜にて形成
され、シリコン基板１１の配線取出し部１４ｂに接触接
続されている。
部１４ａ，１４ｂ上および、この配線取出し部１４ａ，
１４ｂの間の外周部１５上に第１の穴部３２、第２の穴
部３３および第３の穴部３４がその上部ガラス基板１６
を貫通して穴加工されており、この第１穴部３２の近傍
まで前記上部固定電極２０と接続された上部配線２８が
配線されている。この上部配線２８は固定電極と同様に
蒸着もしくはスパッタリングによってチタン白金の金属
薄膜にて形成され、シリコン基板１１の配線取出し部１
４ａに接触接続されている。そして、同様に下部ガラス
基板１７の下部固定電極２１と下部配線２９が接続さ
れ、この下部配線２９は固定電極と同様に蒸着もしくは
スパッタリングによってチタン白金の金属薄膜にて形成
され、シリコン基板１１の配線取出し部１４ｂに接触接
続されている。
【００１３】また、第１穴部３２と第２穴部３３および
第３穴部３４の内周にはクロム銅金（Ｃｒ−Ｃｕ−Ａ
ｕ）が蒸着されており、さらに導電エポキシでリード線
３５がボンディングされている。ここで、図１および図
２におけるシリコン基板１１の製作プロセスを示した図
３ (a)〜(e) および上部ガラス基板１６の製作プロセス
を示した図４ (a)〜(d)を参照し、これらの製作プロセ
スを説明する。
第３穴部３４の内周にはクロム銅金（Ｃｒ−Ｃｕ−Ａ
ｕ）が蒸着されており、さらに導電エポキシでリード線
３５がボンディングされている。ここで、図１および図
２におけるシリコン基板１１の製作プロセスを示した図
３ (a)〜(e) および上部ガラス基板１６の製作プロセス
を示した図４ (a)〜(d)を参照し、これらの製作プロセ
スを説明する。
【００１４】シリコン基板１１は厚さ３００μｍの両面
をポリッシュしたものに、リン拡散処理を施し、この後
厚さ２μｍのオキシナイトライドの絶縁層２３をシリコ
ン基板１１の表面に選択的にＣＶＤ法にて気相成長させ
て梁２２および支持部３０を形成する（図３（a)）。次
に一部の梁２２にアルミニウムを蒸着して上部配線梁２
６と下部配線梁２７を形成する（図３（b)）。
をポリッシュしたものに、リン拡散処理を施し、この後
厚さ２μｍのオキシナイトライドの絶縁層２３をシリコ
ン基板１１の表面に選択的にＣＶＤ法にて気相成長させ
て梁２２および支持部３０を形成する（図３（a)）。次
に一部の梁２２にアルミニウムを蒸着して上部配線梁２
６と下部配線梁２７を形成する（図３（b)）。
【００１５】次にこの梁２２および支持部３０にＣＶＤ
法にてシリカの絶縁膜２５を気相成長させるとともに、
振動マス部１２上にストッパ３１をシリカの絶縁膜２５
（１μｍ）で形成する（図３（c)）。次にシリコン基板
１１にＣＶＤ法にて窒化けい素（ＳｉＮ）の皮膜を形成
して（図３（d)）ヒドラジンにてシリコン基板１１のエ
ッチングを行うことによって振動マス部１２と、中継部
１３と、配線取出し部１４ａ，１４ｂおよび外周部１５
にそれぞれ分割される（図３（e)）。
法にてシリカの絶縁膜２５を気相成長させるとともに、
振動マス部１２上にストッパ３１をシリカの絶縁膜２５
（１μｍ）で形成する（図３（c)）。次にシリコン基板
１１にＣＶＤ法にて窒化けい素（ＳｉＮ）の皮膜を形成
して（図３（d)）ヒドラジンにてシリコン基板１１のエ
ッチングを行うことによって振動マス部１２と、中継部
１３と、配線取出し部１４ａ，１４ｂおよび外周部１５
にそれぞれ分割される（図３（e)）。
【００１６】次にフッ酸（ＨＦ）にて窒化けい素の皮膜
を除去することで、シリコン基板１１の製作が完了す
る。一方、上部ガラス基板１６は厚さ３００μｍでシリ
コンと熱膨張係数がほぼ等しく、陽極接合後の内部応力
を小さくできるパイレックスガラスが用いられている。
そして始めに上部ガラス基板１６には配線取出し部１４
ａ，１４ｂに対向する部分と、この配線取出し部１４
ａ，１４ｂの間に電気配線を取出す部分を形成するた
め、第１穴部３２と第２穴部３３および第３穴部３４と
が加工精度の良い電界放電加工法を用いて穴加工される
（図４ (ａ））。
を除去することで、シリコン基板１１の製作が完了す
る。一方、上部ガラス基板１６は厚さ３００μｍでシリ
コンと熱膨張係数がほぼ等しく、陽極接合後の内部応力
を小さくできるパイレックスガラスが用いられている。
そして始めに上部ガラス基板１６には配線取出し部１４
ａ，１４ｂに対向する部分と、この配線取出し部１４
ａ，１４ｂの間に電気配線を取出す部分を形成するた
め、第１穴部３２と第２穴部３３および第３穴部３４と
が加工精度の良い電界放電加工法を用いて穴加工される
（図４ (ａ））。
【００１７】次に上部ガラス基板１６にクロムとレジス
トでマスクし、選択的にフッ酸にてエッチングを施して
梁２２と支持部３０が収納される部分（２０μｍ）を形
成する（図４ ( b））。次に上部固定電極２０と下部固
定電極２１を形成するために、レジストにて外周部１５
に対向する部分をマスクしたのち、選択的にフッ酸にて
３．３μｍの厚さとなるまでエンチングを施す（図４
( c))。
トでマスクし、選択的にフッ酸にてエッチングを施して
梁２２と支持部３０が収納される部分（２０μｍ）を形
成する（図４ ( b））。次に上部固定電極２０と下部固
定電極２１を形成するために、レジストにて外周部１５
に対向する部分をマスクしたのち、選択的にフッ酸にて
３．３μｍの厚さとなるまでエンチングを施す（図４
( c))。
【００１８】この後、蒸着もしくはスパッタリングによ
ってチタン白金の金属薄膜にて上部ガラス基板１６では
上部固定電極２０および第１穴部３２付近まで延びる上
部配線２８が形成される。（図４ (d )) なお、下部ガラス基板１７の製作については上部ガラス
基板１６の第１穴部３２と第２穴部３３および第３穴部
３４の形成されないのみで製作プロセスは同じであるた
め、説明を省略する。次に、上述の製作プロセスにて製
作されたシリコン基板１１と上部ガラス基板１６および
下部ガラス基板１７との組付けプロセスを説明する。
ってチタン白金の金属薄膜にて上部ガラス基板１６では
上部固定電極２０および第１穴部３２付近まで延びる上
部配線２８が形成される。（図４ (d )) なお、下部ガラス基板１７の製作については上部ガラス
基板１６の第１穴部３２と第２穴部３３および第３穴部
３４の形成されないのみで製作プロセスは同じであるた
め、説明を省略する。次に、上述の製作プロセスにて製
作されたシリコン基板１１と上部ガラス基板１６および
下部ガラス基板１７との組付けプロセスを説明する。
【００１９】上部ガラス基板１６および下部ガラス基板
１７とシリコン基板１１とをそれぞれ真空にて陽極接合
する。このとき、上部配線２８は配線取出し部１４ａと
接触し、同様に下部配線２９は配線取出し部１４ｂと接
触することで、上部固定電極２０と配線取出し部１４ａ
とが電気的に接続され、また下部固定電極２１と配線取
出し部１４ｂとが電気的に接続される。
１７とシリコン基板１１とをそれぞれ真空にて陽極接合
する。このとき、上部配線２８は配線取出し部１４ａと
接触し、同様に下部配線２９は配線取出し部１４ｂと接
触することで、上部固定電極２０と配線取出し部１４ａ
とが電気的に接続され、また下部固定電極２１と配線取
出し部１４ｂとが電気的に接続される。
【００２０】そして、次工程のダイシングをする前に、
上述したように上部ガラス基板１６の第１穴部３２と第
２穴部３３および第３穴部３４の内部にクロム銅金（Ｃ
ｒ−Ｃｕ−Ａｕ）を蒸着する。この後、ダイシングを行
って第１穴部３２と第２穴部３３および第３穴部３４か
ら配線をボンディングすることで、差動型圧力センサの
加速度検出部１０が完成される。
上述したように上部ガラス基板１６の第１穴部３２と第
２穴部３３および第３穴部３４の内部にクロム銅金（Ｃ
ｒ−Ｃｕ−Ａｕ）を蒸着する。この後、ダイシングを行
って第１穴部３２と第２穴部３３および第３穴部３４か
ら配線をボンディングすることで、差動型圧力センサの
加速度検出部１０が完成される。
【００２１】これによって上部固定電極２０とシリコン
基板１１の上面の静電容量と上部固定電極２１とシリコ
ン基板１１の静電容量の差が取られて加速度の測定が行
われることになる。
基板１１の上面の静電容量と上部固定電極２１とシリコ
ン基板１１の静電容量の差が取られて加速度の測定が行
われることになる。
【００２２】
【発明の効果】以上のように本発明は、振動マスと外周
部とを接続する梁を気相成長させた絶縁層にて形成した
ので、残留応力のない梁が形成でき、振動マスの感度を
向上できる。また、外周部から電気的に絶縁されたシリ
コンの島で形成された信号取出し部を介して固定電極と
の配線を行い、この信号取出し部から第１穴部の第１リ
ードにて電気的に接続されて信号が取り出される。これ
によって寄生容量の影響を防止できるとともにセンサを
完全に密閉することができる効果がある。
部とを接続する梁を気相成長させた絶縁層にて形成した
ので、残留応力のない梁が形成でき、振動マスの感度を
向上できる。また、外周部から電気的に絶縁されたシリ
コンの島で形成された信号取出し部を介して固定電極と
の配線を行い、この信号取出し部から第１穴部の第１リ
ードにて電気的に接続されて信号が取り出される。これ
によって寄生容量の影響を防止できるとともにセンサを
完全に密閉することができる効果がある。
【図１】本発明の実施例に関わる容量型加速度センサの
平面図。
平面図。
【図２】本発明の実施例に関わる容量型加速度センサの
図１のＡ−Ａ線に沿った縦断面図。
図１のＡ−Ａ線に沿った縦断面図。
【図３】本発明の実施例に関わる容量型加速度センサの
シリコン基板の製作プロセスを示す図。
シリコン基板の製作プロセスを示す図。
【図４】本発明の実施例に関わる容量型加速度センサの
ガラス基板の製作プロセスを示す図。
ガラス基板の製作プロセスを示す図。
【図５】従来の容量型加速度センサを示す図
１０ 加速度検出部 １１ シリコン基板 １２ 振動マス部 １３ 中継部 １４ａ 配線取出し部 １４ｂ 配線取出し部 １５ 外周部 １６ 上部ガラス基板 １７ 下部ガラス基板 ２２ 梁 ３０ 支持部 ３２ 第１の穴部 ３３ 第２の穴部 ３４ 第３の穴部
Claims (2)
- 【請求項１】 加速度による慣性力によって移動し周囲
から弾性を有した梁にて支持された振動マスが形成され
たシリコン基板と、このシリコン基板に接合された絶縁
基板上に前記振動マスと微小ギャップを有して対向する
固定電極を形成し、この振動マスと固定電極間の静電容
量の変化により、加速度を測定するようにした容量型加
速度センサにおいて、前記シリコン基板は表面に拡散層
が形成された振動マスと該振動マスを包囲する外周部と
で構成され、この振動マスと外周部を気相成長させた絶
縁層にて結合する梁と、この梁の外周に前記振動マスと
外周部を電気的に結合する第１配線部を形成したことを
特徴とする容量型加速度センサ。 - 【請求項２】 加速度による慣性力によって移動し周囲
から弾性を有した梁にて支持された振動マスが形成され
たシリコン基板と、このシリコン基板に接合され、絶縁
材基板上に前記振動マスと微小ギャップを有して対向す
る固定電極を形成し、この振動マスと固定電極間の静電
容量の変化により、加速度を測定するようにした容量型
加速度センサにおいて、前記シリコン基板は表面に拡散
層が形成された振動マスと該振動マスを包囲する外周部
と配線取出し部とで構成され、前記振動マスと外周部を
気相成長させた絶縁層にて結合する梁と、前記外周部と
配線取出し部を気相成長させた絶縁層にて結合する支持
部と、前記梁上で前記振動マスと外周部とを電気的に接
続する第１配線部と、前記固定電極と前記配線取出し部
とを電気的に接続する第２配線部と、前記絶縁基板の前
記配線取出し部と対向する位置にて絶縁基板を貫通して
形成された第１穴部と、この第１穴部内周に形成された
金属薄膜からなり前記配線取出し部と接続された第１リ
ード部と、前記絶縁基板の前記外周部と対向する位置に
て絶縁基板を貫通して形成された第２穴部と、この第２
穴部内周に形成された金属薄膜からなり前記外周部と接
続された第２リード部とを備えたことを特徴とする容量
型加速度センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21342491A JPH0552867A (ja) | 1991-08-26 | 1991-08-26 | 容量型加速度センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21342491A JPH0552867A (ja) | 1991-08-26 | 1991-08-26 | 容量型加速度センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0552867A true JPH0552867A (ja) | 1993-03-02 |
Family
ID=16638999
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21342491A Pending JPH0552867A (ja) | 1991-08-26 | 1991-08-26 | 容量型加速度センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0552867A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6300676B1 (en) | 1998-12-21 | 2001-10-09 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Small size electronic part and a method for manufacturing the same, and a method for forming a via hole for use in the same |
| JP2009145321A (ja) * | 2007-11-19 | 2009-07-02 | Hitachi Ltd | 慣性センサ |
-
1991
- 1991-08-26 JP JP21342491A patent/JPH0552867A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6300676B1 (en) | 1998-12-21 | 2001-10-09 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Small size electronic part and a method for manufacturing the same, and a method for forming a via hole for use in the same |
| JP2009145321A (ja) * | 2007-11-19 | 2009-07-02 | Hitachi Ltd | 慣性センサ |
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