JPH06213925A - 静電容量型加速度センサ及び圧力センサ - Google Patents
静電容量型加速度センサ及び圧力センサInfo
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- JPH06213925A JPH06213925A JP2367593A JP2367593A JPH06213925A JP H06213925 A JPH06213925 A JP H06213925A JP 2367593 A JP2367593 A JP 2367593A JP 2367593 A JP2367593 A JP 2367593A JP H06213925 A JPH06213925 A JP H06213925A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 静電容量型センサの加速度及び圧力の検出精
度を向上させること。 【構成】 基板１０とカバー２０との当接によって可動
電極４１と固定電極４２との間隔の精度が良くなる。ま
たカバー２０の端部及び基板１０が台座３０に固定され
ているので、カバー２０の端部と基板１０が台座３０を
介して連結される。このとき基板１０とカバー２０と
が、単に当接しているのみであるので、基板１０とカバ
ー２０との熱膨張係数の差があっても、温度が変化した
場合に、前記当接部分の両者の位置関係がずれるため、
前記当接部分に応力が生じない。またカバー２０の外側
から可動電極側４１へ第１通気路が形成され、台座の外
側から可動電極側４１へ第２通気路が形成され、可動電
極４１の両面に圧力差が生じるので、この圧力差によっ
て可動電極４１が変位する。
度を向上させること。 【構成】 基板１０とカバー２０との当接によって可動
電極４１と固定電極４２との間隔の精度が良くなる。ま
たカバー２０の端部及び基板１０が台座３０に固定され
ているので、カバー２０の端部と基板１０が台座３０を
介して連結される。このとき基板１０とカバー２０と
が、単に当接しているのみであるので、基板１０とカバ
ー２０との熱膨張係数の差があっても、温度が変化した
場合に、前記当接部分の両者の位置関係がずれるため、
前記当接部分に応力が生じない。またカバー２０の外側
から可動電極側４１へ第１通気路が形成され、台座の外
側から可動電極側４１へ第２通気路が形成され、可動電
極４１の両面に圧力差が生じるので、この圧力差によっ
て可動電極４１が変位する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、静電容量型加速度セン
サ及び圧力センサに関するものであり、特に測定精度を
向上させた静電容量型加速度センサ及び圧力センサに関
するものである。
サ及び圧力センサに関するものであり、特に測定精度を
向上させた静電容量型加速度センサ及び圧力センサに関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の静電容量型加速度センサ及び圧力
センサにおいて、加速度や圧力を静電容量の変化量とし
て測定している。図４は静電容量型加速度センサの従来
例の断面構造を示す。図４においてシリコン基板５０
は、溝５２で区画された島状錘部５５を有し、図示下面
側両端部５３，５４がガラス台座５６の図示上面に固定
されている。またこの錘部５５の図示上面に可動電極５
１が形成されている。ガラス基板６０は、その図示下面
に固定電極６１が固定され、更に図示下面側両端部６
２，６３が前記シリコン基板５０の図示上面の両端に固
定されている。このため加速度が前記錘部５５に加わる
と、前記錘部５５が変位するので、可動電極５１が前記
錘部５５とともに変位する。一方固定電極６１は、ガラ
ス基板６０に固定されているので、変位しない。このた
め可動電極５１と固定電極６１との間隔が変化するの
で、両電極５１，６１間の静電容量が前記間隔に反比例
するように変化する。
センサにおいて、加速度や圧力を静電容量の変化量とし
て測定している。図４は静電容量型加速度センサの従来
例の断面構造を示す。図４においてシリコン基板５０
は、溝５２で区画された島状錘部５５を有し、図示下面
側両端部５３，５４がガラス台座５６の図示上面に固定
されている。またこの錘部５５の図示上面に可動電極５
１が形成されている。ガラス基板６０は、その図示下面
に固定電極６１が固定され、更に図示下面側両端部６
２，６３が前記シリコン基板５０の図示上面の両端に固
定されている。このため加速度が前記錘部５５に加わる
と、前記錘部５５が変位するので、可動電極５１が前記
錘部５５とともに変位する。一方固定電極６１は、ガラ
ス基板６０に固定されているので、変位しない。このた
め可動電極５１と固定電極６１との間隔が変化するの
で、両電極５１，６１間の静電容量が前記間隔に反比例
するように変化する。
【０００３】また実開昭６０−３１６４５号公報には、
静電容量型圧力センサの従来例が開示されている。図５
はこの静電容量型圧力センサの断面構造を示す。図５に
おいて、シリコン基板７０は、図示上面に可動電極７１
が形成され、図示下面の中央に凹部７２が形成され、図
示下面が台座７４に固定されている。なお台座７４には
貫通孔７５が形成されている。またガラスカバー８０
は、その図示下面に固定電極８１が固定され、図示下面
の溝８２で区画された端部８４，８５が前記シリコン基
板７０の図示上面に固定されている。なお８６は、溝８
２で区画された島状部分である。更に前記ガラスカバー
８０及び固定電極８１にも貫通孔８３が形成されてい
る。このため台座７４の貫通孔７５側の測定圧Ｐｍとガ
ラスカバー８０の貫通孔８３側の基準圧Ｐｏとの差が変
動すると、両電極７１，８１の間隔が変化するので、こ
の間隔に反比例して両電極７１，８１による静電容量が
変化する。なお前記溝８２の形状が、温度変化による前
記シリコン基板７０とガラスカバー８０との熱膨張差に
よる圧縮又は引張によって変化するので、温度変化によ
って前記静電容量の値が受ける影響を緩和することがで
きる。
静電容量型圧力センサの従来例が開示されている。図５
はこの静電容量型圧力センサの断面構造を示す。図５に
おいて、シリコン基板７０は、図示上面に可動電極７１
が形成され、図示下面の中央に凹部７２が形成され、図
示下面が台座７４に固定されている。なお台座７４には
貫通孔７５が形成されている。またガラスカバー８０
は、その図示下面に固定電極８１が固定され、図示下面
の溝８２で区画された端部８４，８５が前記シリコン基
板７０の図示上面に固定されている。なお８６は、溝８
２で区画された島状部分である。更に前記ガラスカバー
８０及び固定電極８１にも貫通孔８３が形成されてい
る。このため台座７４の貫通孔７５側の測定圧Ｐｍとガ
ラスカバー８０の貫通孔８３側の基準圧Ｐｏとの差が変
動すると、両電極７１，８１の間隔が変化するので、こ
の間隔に反比例して両電極７１，８１による静電容量が
変化する。なお前記溝８２の形状が、温度変化による前
記シリコン基板７０とガラスカバー８０との熱膨張差に
よる圧縮又は引張によって変化するので、温度変化によ
って前記静電容量の値が受ける影響を緩和することがで
きる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ような静電容量型加速度センサにおいては、シリコン基
板５０とガラス基板６０とで熱膨張係数が異なるため
に、温度変化によって応力が発生する。また高温（３０
０℃〜４００℃）にてガラス基板６０をシリコン基板５
０に固定してから室温に戻すときに、残留応力が生じ
る。これらの応力によって両電極５１，６１の間隔が変
化するので、加速度を正確に測定できない。また上述の
静電容量型圧力センサの構造のように、固定電極の周囲
の溝によって応力を緩和するものでは、ガラスカバー８
０の島状部分８６が錘部として働き、固定電極８１が加
速度によって変位してしまうため、加速度センサにこの
構造を適用することは適当でない。また圧力センサにお
いても、センサ自体が移動する場合には、上述のように
固定電極８１が変位するため、やはり好ましくない。し
たがって、本発明の課題は、上述の従来例の欠点をなく
し、加速度と圧力とを正確に測定できる静電容量型加速
度センサ及び圧力センサを提供することである。
ような静電容量型加速度センサにおいては、シリコン基
板５０とガラス基板６０とで熱膨張係数が異なるため
に、温度変化によって応力が発生する。また高温（３０
０℃〜４００℃）にてガラス基板６０をシリコン基板５
０に固定してから室温に戻すときに、残留応力が生じ
る。これらの応力によって両電極５１，６１の間隔が変
化するので、加速度を正確に測定できない。また上述の
静電容量型圧力センサの構造のように、固定電極の周囲
の溝によって応力を緩和するものでは、ガラスカバー８
０の島状部分８６が錘部として働き、固定電極８１が加
速度によって変位してしまうため、加速度センサにこの
構造を適用することは適当でない。また圧力センサにお
いても、センサ自体が移動する場合には、上述のように
固定電極８１が変位するため、やはり好ましくない。し
たがって、本発明の課題は、上述の従来例の欠点をなく
し、加速度と圧力とを正確に測定できる静電容量型加速
度センサ及び圧力センサを提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明の構成の第１のものは、基板の一方の面に設
けられた可動電極と、この可動電極を覆う様に設けられ
たカバーと、このカバーの一面に前記可動電極に対向し
て設けられた固定電極とを備えた静電容量型センサにお
いて、前記基板とカバーとが当接し、前記カバーの端部
及び前記基板が台座に固定されている静電容量型加速度
センサである。また本発明の構成の第２のものは、基板
の一方の面に設けられた可動電極と、この可動電極を覆
う様に設けられたカバーと、このカバーの一面に前記可
動電極に対向して設けられた固定電極とを備えた静電容
量型センサにおいて、前記基板とカバーとが当接し、前
記カバーの端部及び前記基板が台座に固定され、前記カ
バーの外側から前記可動電極側へ第１通気路が形成さ
れ、前記台座の外側から前記可動電極側へ第２通気路が
形成されている静電容量型圧力センサである。
め、本発明の構成の第１のものは、基板の一方の面に設
けられた可動電極と、この可動電極を覆う様に設けられ
たカバーと、このカバーの一面に前記可動電極に対向し
て設けられた固定電極とを備えた静電容量型センサにお
いて、前記基板とカバーとが当接し、前記カバーの端部
及び前記基板が台座に固定されている静電容量型加速度
センサである。また本発明の構成の第２のものは、基板
の一方の面に設けられた可動電極と、この可動電極を覆
う様に設けられたカバーと、このカバーの一面に前記可
動電極に対向して設けられた固定電極とを備えた静電容
量型センサにおいて、前記基板とカバーとが当接し、前
記カバーの端部及び前記基板が台座に固定され、前記カ
バーの外側から前記可動電極側へ第１通気路が形成さ
れ、前記台座の外側から前記可動電極側へ第２通気路が
形成されている静電容量型圧力センサである。
【０００６】
【作用】上記構成の静電容量型加速度センサ及び圧力セ
ンサにおいて、可動電極が設けられた基板とカバーとの
当接によって可動電極と固定電極との間隔の精度を向上
させることができる。また前記カバーの端部及び基板が
台座に固定されているので、前記カバーの端部と基板が
前記台座を介して連結される。このとき前記基板とカバ
ーとが固定されていなくて、単に当接しているのみであ
るので、前記基板とカバーとの熱膨張係数の差があって
も、温度が変化した場合に、前記当接部分の両者の位置
関係がずれるため、前記当接部分に応力が生じない。こ
の結果前記可動電極と固定電極との間隔が応力により変
化することがないので、正確に加速度を測定できること
になる。また上記構成の静電容量型圧力センサにおいて
は、前記カバーの外側から前記可動電極側へ第１通気路
が形成され、前記台座の外側から前記可動電極側へ第２
通気路が形成されているため、前記可動電極の両側に圧
力差が生じる。この圧力差によって前記可動電極が変位
する。このため圧力を精度よく検出できる。
ンサにおいて、可動電極が設けられた基板とカバーとの
当接によって可動電極と固定電極との間隔の精度を向上
させることができる。また前記カバーの端部及び基板が
台座に固定されているので、前記カバーの端部と基板が
前記台座を介して連結される。このとき前記基板とカバ
ーとが固定されていなくて、単に当接しているのみであ
るので、前記基板とカバーとの熱膨張係数の差があって
も、温度が変化した場合に、前記当接部分の両者の位置
関係がずれるため、前記当接部分に応力が生じない。こ
の結果前記可動電極と固定電極との間隔が応力により変
化することがないので、正確に加速度を測定できること
になる。また上記構成の静電容量型圧力センサにおいて
は、前記カバーの外側から前記可動電極側へ第１通気路
が形成され、前記台座の外側から前記可動電極側へ第２
通気路が形成されているため、前記可動電極の両側に圧
力差が生じる。この圧力差によって前記可動電極が変位
する。このため圧力を精度よく検出できる。
【０００７】
【実施例】次に、本発明の実施例を図面を参照しながら
説明する。図１は、本発明に係わる静電容量型加速度セ
ンサの第１実施例の断面構造を示す。図１において、本
例の静電容量型加速度センサの主要部は、基板１０、カ
バー２０、台座３０及び電極４０からなる。なお後述す
るように電極４０は可動電極４１及び固定電極４２から
なる。基板１０は平板状シリコンチップであり、その一
方の面（図示下面）１１に環状溝部１３が形成されてい
る。この溝部１３によって薄くなっている部分が環状梁
部１４であり、島状錘部１５はこの梁部１４の内側部分
である。なお錘部１５の図示横断面は一辺が約３mmの正
方形である。また、環状支持部１６は溝部１３の外側部
分であり、梁部１４を介して錘部１５を支えている。支
持部１６の前記一方の面１１側端部１６１は、後述する
台座３０の一方の面（図示上面）３１に接合によって固
定されている。基板１０の他方の面（図示上面）１２の
うち前記錘部１５部分に後述する可動電極４１が形成さ
れている。なお基板１０は、薄いガラス状パッシベーシ
ョンで覆われている。カバー２０は、後述する側壁部２
４を有する平板状ガラス基板である。カバー２０と後述
する台座３０は、基板１０の保護用カバーを兼ねてい
て、特に加速度による錘部１５の過大な変位を防いでい
る。カバー２０の内面（図示下面）２１は階段状に形成
され、内面２１の中央部２２に後述する固定電極４２が
固定されている。また内面２１の周縁部２３は前記支持
部１６の他方の面１２側端部１６２に当接している。側
壁部２４は、カバー２０の周縁部分に形成され、その先
端（図示下端）２５は後述する台座３０の一方の面（図
示上面）３１に接合によって固定されている。側壁部２
４の図示上下方向の長さは約１mmである。また台座３０
は、平板状シリコン基板であり、厚さ（図示上下方向の
長さ）が約５００μm 、図示左右方向の長さが約１０mm
である。電極４０の可動電極４１は平板状Ｐ型（又はＮ
型）高不純物濃度シリコン層であり、前記錘部１５の加
速度による変位によって変位する。また固定電極４２は
平板状白金（又は金）蒸着層であり、可動電極４１に対
向している。両電極４１，４２の間隔は約数μm であ
る。
説明する。図１は、本発明に係わる静電容量型加速度セ
ンサの第１実施例の断面構造を示す。図１において、本
例の静電容量型加速度センサの主要部は、基板１０、カ
バー２０、台座３０及び電極４０からなる。なお後述す
るように電極４０は可動電極４１及び固定電極４２から
なる。基板１０は平板状シリコンチップであり、その一
方の面（図示下面）１１に環状溝部１３が形成されてい
る。この溝部１３によって薄くなっている部分が環状梁
部１４であり、島状錘部１５はこの梁部１４の内側部分
である。なお錘部１５の図示横断面は一辺が約３mmの正
方形である。また、環状支持部１６は溝部１３の外側部
分であり、梁部１４を介して錘部１５を支えている。支
持部１６の前記一方の面１１側端部１６１は、後述する
台座３０の一方の面（図示上面）３１に接合によって固
定されている。基板１０の他方の面（図示上面）１２の
うち前記錘部１５部分に後述する可動電極４１が形成さ
れている。なお基板１０は、薄いガラス状パッシベーシ
ョンで覆われている。カバー２０は、後述する側壁部２
４を有する平板状ガラス基板である。カバー２０と後述
する台座３０は、基板１０の保護用カバーを兼ねてい
て、特に加速度による錘部１５の過大な変位を防いでい
る。カバー２０の内面（図示下面）２１は階段状に形成
され、内面２１の中央部２２に後述する固定電極４２が
固定されている。また内面２１の周縁部２３は前記支持
部１６の他方の面１２側端部１６２に当接している。側
壁部２４は、カバー２０の周縁部分に形成され、その先
端（図示下端）２５は後述する台座３０の一方の面（図
示上面）３１に接合によって固定されている。側壁部２
４の図示上下方向の長さは約１mmである。また台座３０
は、平板状シリコン基板であり、厚さ（図示上下方向の
長さ）が約５００μm 、図示左右方向の長さが約１０mm
である。電極４０の可動電極４１は平板状Ｐ型（又はＮ
型）高不純物濃度シリコン層であり、前記錘部１５の加
速度による変位によって変位する。また固定電極４２は
平板状白金（又は金）蒸着層であり、可動電極４１に対
向している。両電極４１，４２の間隔は約数μm であ
る。
【０００８】以上の構成により、カバー２０の内面２１
の周縁部２３と基板１０の支持部１６の他方の面側端部
１６２とが当接しているので、この周縁部２３と側壁部
２４の先端２５との間隔及び支持部１６の一方の面１１
側端部１６１と他方の面１２側端部１６２との間隔の精
度が悪くても、カバー２０の中央部２２と周縁部２３と
の間隔によって可動電極４１と固定電極４２との間隔が
決まるので、可動電極４１と固定電極４２との間隔の精
度を向上させることができる。また支持部１６とカバー
２０の内面２１とが、接合ではなく単に当接しているの
みであるので、温度が変化した場合に支持部１６とカバ
ー２０との熱膨張係数の差によって、支持部１６とカバ
ー２０との位置関係がずれることがきるために、この当
接部分に応力が生じない。このため可動電極４１と固定
電極４２との間隔が応力によって変化することがないの
で、精度良く加速度を検出することができる。加速度を
検出する場合、上述のように加速度によって可動電極４
１が変位すると、両電極４１、４２の間隔が変化するの
で、両電極４１、４２間の静電容量が、両電極４１，４
２の間隔に反比例して変化する。このため加速度の大き
さを前記静電容量の変化量として検出することができ
る。更に、基板１０とカバー２０とが当接しているのみ
で、固定されていないので、基板１０の当接部分の前記
パッシベーションを取り除く必要がないため、基板１０
の当接部分のシリコンが露出しない。
の周縁部２３と基板１０の支持部１６の他方の面側端部
１６２とが当接しているので、この周縁部２３と側壁部
２４の先端２５との間隔及び支持部１６の一方の面１１
側端部１６１と他方の面１２側端部１６２との間隔の精
度が悪くても、カバー２０の中央部２２と周縁部２３と
の間隔によって可動電極４１と固定電極４２との間隔が
決まるので、可動電極４１と固定電極４２との間隔の精
度を向上させることができる。また支持部１６とカバー
２０の内面２１とが、接合ではなく単に当接しているの
みであるので、温度が変化した場合に支持部１６とカバ
ー２０との熱膨張係数の差によって、支持部１６とカバ
ー２０との位置関係がずれることがきるために、この当
接部分に応力が生じない。このため可動電極４１と固定
電極４２との間隔が応力によって変化することがないの
で、精度良く加速度を検出することができる。加速度を
検出する場合、上述のように加速度によって可動電極４
１が変位すると、両電極４１、４２の間隔が変化するの
で、両電極４１、４２間の静電容量が、両電極４１，４
２の間隔に反比例して変化する。このため加速度の大き
さを前記静電容量の変化量として検出することができ
る。更に、基板１０とカバー２０とが当接しているのみ
で、固定されていないので、基板１０の当接部分の前記
パッシベーションを取り除く必要がないため、基板１０
の当接部分のシリコンが露出しない。
【０００９】図２は本発明に係わる静電容量型圧力セン
サの第１実施例の断面構造を示す。図２において、基板
１０ａは、前記図１の基板１０と同様のものであるが、
基板１０の溝部１３、梁部１４及び錘部１５がなく、ま
た環状支持部１６の代わりに支持部１６ａが形成されて
いる。なお基板１０ａの一方の面（図示下面）１１の中
央部分に圧力測定室１７が形成されている。また圧力測
定のために、第１通気路用貫通孔２６がカバー２０の外
面２７から内面２１まで及び固定電極４２を貫通するよ
うに形成されている。台座３０において、その一方の面
（図示上面）３１から他方の面（図示下面）３２に貫通
し、前記圧力測定室１７に連通している第２通気路用貫
通孔３３が形成されている。更に、前記基板１０ａによ
り、前記第１通気路（カバー２０の貫通孔２６側部分）
と前記第２通気路（台座３０の貫通孔３３側部分）とが
気密に仕切られている。図２のその他の部分は、前記図
１に示すものと同じである。以上の構成によって、圧力
（例えば気圧）を検出する場合は、カバー２０の貫通孔
２６によってカバー２０の外面２７側の圧力が可動電極
４１の図示上面に加わり、一方台座３０の前記他方の面
３２側の圧力が可動電極４１の図示下面側（圧力測定室
１７）に加わる。このため両圧力の差が可動電極４１に
加わるので、可動電極４１が変位する。この変位によっ
て可動電極４１と固定電極４２による静電容量が上述の
ように変化するので、前記両圧力の差が前記静電容量の
変化量として検出される。
サの第１実施例の断面構造を示す。図２において、基板
１０ａは、前記図１の基板１０と同様のものであるが、
基板１０の溝部１３、梁部１４及び錘部１５がなく、ま
た環状支持部１６の代わりに支持部１６ａが形成されて
いる。なお基板１０ａの一方の面（図示下面）１１の中
央部分に圧力測定室１７が形成されている。また圧力測
定のために、第１通気路用貫通孔２６がカバー２０の外
面２７から内面２１まで及び固定電極４２を貫通するよ
うに形成されている。台座３０において、その一方の面
（図示上面）３１から他方の面（図示下面）３２に貫通
し、前記圧力測定室１７に連通している第２通気路用貫
通孔３３が形成されている。更に、前記基板１０ａによ
り、前記第１通気路（カバー２０の貫通孔２６側部分）
と前記第２通気路（台座３０の貫通孔３３側部分）とが
気密に仕切られている。図２のその他の部分は、前記図
１に示すものと同じである。以上の構成によって、圧力
（例えば気圧）を検出する場合は、カバー２０の貫通孔
２６によってカバー２０の外面２７側の圧力が可動電極
４１の図示上面に加わり、一方台座３０の前記他方の面
３２側の圧力が可動電極４１の図示下面側（圧力測定室
１７）に加わる。このため両圧力の差が可動電極４１に
加わるので、可動電極４１が変位する。この変位によっ
て可動電極４１と固定電極４２による静電容量が上述の
ように変化するので、前記両圧力の差が前記静電容量の
変化量として検出される。
【００１０】図３は、本発明に係わる静電容量型加速度
センサの第２実施例の断面構造を示す。この第２実施例
は、前記第１実施例と比較して、基板１０ｂの他方の面
１２ｂの形状及びカバー２０ａの内面２１ａの形状が異
なるのみで、他の部分は前記第１実施例のものと同じで
ある。前記基板１０ｂの図示上面１２ｂに凹部１２ｃが
エッチングにより形成されている。可動電極４１はこの
凹部１２ｃの底面１２ｄに形成されている。また前記内
面２１ａは平坦であり、この内面２１ａに前記基板１０
ｂの支持部１６ｂの図示上面側端部１６２ｂが当接して
いる。この場合、カバー２０ａの構造が簡単になってい
る。また加速度の検出は前記第１実施例の場合と同じで
ある。更にこの場合においても、上述の図２と同様にカ
バー２０ａ及び台座３０に貫通孔を形成することによっ
て、静電容量型圧力センサを形成することがきる。
センサの第２実施例の断面構造を示す。この第２実施例
は、前記第１実施例と比較して、基板１０ｂの他方の面
１２ｂの形状及びカバー２０ａの内面２１ａの形状が異
なるのみで、他の部分は前記第１実施例のものと同じで
ある。前記基板１０ｂの図示上面１２ｂに凹部１２ｃが
エッチングにより形成されている。可動電極４１はこの
凹部１２ｃの底面１２ｄに形成されている。また前記内
面２１ａは平坦であり、この内面２１ａに前記基板１０
ｂの支持部１６ｂの図示上面側端部１６２ｂが当接して
いる。この場合、カバー２０ａの構造が簡単になってい
る。また加速度の検出は前記第１実施例の場合と同じで
ある。更にこの場合においても、上述の図２と同様にカ
バー２０ａ及び台座３０に貫通孔を形成することによっ
て、静電容量型圧力センサを形成することがきる。
【００１１】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明の静
電容量型加速度センサ及び圧力センサによれば、温度が
変化しても加速度及び圧力を正確に検出することができ
る。また静電容量型加速度センサ及び圧力センサの耐湿
性も向上する。
電容量型加速度センサ及び圧力センサによれば、温度が
変化しても加速度及び圧力を正確に検出することができ
る。また静電容量型加速度センサ及び圧力センサの耐湿
性も向上する。
【図１】本発明に係わる静電容量型加速度センサの第１
実施例を示す断面図である。
実施例を示す断面図である。
【図２】本発明に係わる静電容量型圧力センサの第１実
施例を示す断面図である。
施例を示す断面図である。
【図３】本発明に係わる静電容量型加速度センサの第２
実施例を示す断面図である。
実施例を示す断面図である。
【図４】従来例を示す断面図である。
【図５】他の従来例を示す断面図である。
１０，１０ａ、１０ｂ 基板 ２０、２０ａ カバー ２１、２１ａ カバーの内面 ２５ カバーの側壁部の先端 ２６ 貫通孔 ３０ 台座 ３３ 貫通孔 ４０ 電極 ４１ 可動電極 ４２ 固定電極
Claims (2)
- 【請求項１】 基板の一方の面に設けられた可動電極
と、この可動電極を覆う様に設けられたカバーと、この
カバーの一面に前記可動電極に対向して設けられた固定
電極とを備えた静電容量型センサにおいて、 前記基板とカバーとが当接し、 前記カバーの端部及び前記基板が台座に固定されている
ことを特徴とする静電容量型加速度センサ。 - 【請求項２】 基板の一方の面に設けられた可動電極
と、この可動電極を覆う様に設けられたカバーと、この
カバーの一面に前記可動電極に対向して設けられた固定
電極とを備えた静電容量型センサにおいて、 前記基板とカバーとが当接し、 前記カバーの端部及び前記基板が台座に固定され、 前記カバーの外側から前記可動電極側へ第１通気路が形
成され、 前記台座の外側から前記可動電極側へ第２通気路が形成
されていることを特徴とする静電容量型圧力センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2367593A JPH06213925A (ja) | 1993-01-18 | 1993-01-18 | 静電容量型加速度センサ及び圧力センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2367593A JPH06213925A (ja) | 1993-01-18 | 1993-01-18 | 静電容量型加速度センサ及び圧力センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06213925A true JPH06213925A (ja) | 1994-08-05 |
Family
ID=12117065
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2367593A Pending JPH06213925A (ja) | 1993-01-18 | 1993-01-18 | 静電容量型加速度センサ及び圧力センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06213925A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5623099A (en) * | 1994-11-03 | 1997-04-22 | Temic Telefunken Microelectronic Gmbh | Two-element semiconductor capacitive acceleration sensor |
| US5677475A (en) * | 1995-07-26 | 1997-10-14 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Acceleration sensor impact test method and apparatus |
-
1993
- 1993-01-18 JP JP2367593A patent/JPH06213925A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5623099A (en) * | 1994-11-03 | 1997-04-22 | Temic Telefunken Microelectronic Gmbh | Two-element semiconductor capacitive acceleration sensor |
| US5677475A (en) * | 1995-07-26 | 1997-10-14 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Acceleration sensor impact test method and apparatus |
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