JPH03239938A - 容量型圧力センサ - Google Patents
容量型圧力センサInfo
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- JPH03239938A JPH03239938A JP3681290A JP3681290A JPH03239938A JP H03239938 A JPH03239938 A JP H03239938A JP 3681290 A JP3681290 A JP 3681290A JP 3681290 A JP3681290 A JP 3681290A JP H03239938 A JPH03239938 A JP H03239938A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 14
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 9
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 4
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N Acetaminophen Chemical compound CC(=O)NC1=CC=C(O)C=C1 RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
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- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
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- Measuring Fluid Pressure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は、電極が形成された基板同士を接合して形成し
た容量型圧力センサに関し、特に、ゲージ圧測定用の容
量型圧力センサに関する。
た容量型圧力センサに関し、特に、ゲージ圧測定用の容
量型圧力センサに関する。
従来、一般に、容量型圧力センサは歪ゲージ等を用いて
抵抗の変化を測定する圧力センサに比べて感度が良い。 ここで、特に、微圧を測定する場合においては、容量型
圧力センサの基準圧室の被測定圧力を受ける感圧ダイヤ
フラム部側と反対側から大気圧又は基準圧を導入したゲ
ージ圧型の容量型圧力センサが用いられている。 上記ゲージ圧型の容量型圧力センサは、第３図にその平
面図、第４図に第３図のｒＶ−ＩＶ線に沿った縦断面図
が示されている。 その構成は、先ず、単結晶シリコンから成る一方の半導
体基板３１に微細加工を施して例えば、角形の感圧ダイ
ヤフラム部３２を形成する。 そして、その半導体基板３１に電極３３及び電極間の容
量から圧力値を求めるための回路部３４等が半導体製造
技術を用いて形成され集積化されている。 次に、他方の例えば、パイレックスガラスから成るガラ
ス基板４１に大気圧又は基準圧を導入する穴部４５を設
けた後、スパッタリング法により電極４３及びその接続
端子部４４等を形成する。 そして、半導体基板３１とガラス基板４１とを接合する
ことにより、対向する電極３３．４３を有する基準圧室
３５が形成されたゲージ圧型の容量型圧力センサ３０と
なる。 尚、４８は外部に信号を取り出す信号線であり、その信
号線４８は半導体基板３１に形成された回路部３４と導
電性接着剤４９等を介して接続されている。 ここで、一般に、容量Ｃは、 Ｃ−ε
（１）（ε：誘電率、Ａ：電極面積、ｄ：
ｉｉ電極間隔で求められる。 上記ゲージ圧型の容量型圧力センサ３０においては、半
導体基板３１に形成された感圧ダイヤフラム部３２が被
測定圧力Ｐによりたわむことにより、対向した電極３３
．４３間の電極間隔ｄが変化し、容量Ｃに変化が生じる
ことによりその圧力が測定される。
抵抗の変化を測定する圧力センサに比べて感度が良い。 ここで、特に、微圧を測定する場合においては、容量型
圧力センサの基準圧室の被測定圧力を受ける感圧ダイヤ
フラム部側と反対側から大気圧又は基準圧を導入したゲ
ージ圧型の容量型圧力センサが用いられている。 上記ゲージ圧型の容量型圧力センサは、第３図にその平
面図、第４図に第３図のｒＶ−ＩＶ線に沿った縦断面図
が示されている。 その構成は、先ず、単結晶シリコンから成る一方の半導
体基板３１に微細加工を施して例えば、角形の感圧ダイ
ヤフラム部３２を形成する。 そして、その半導体基板３１に電極３３及び電極間の容
量から圧力値を求めるための回路部３４等が半導体製造
技術を用いて形成され集積化されている。 次に、他方の例えば、パイレックスガラスから成るガラ
ス基板４１に大気圧又は基準圧を導入する穴部４５を設
けた後、スパッタリング法により電極４３及びその接続
端子部４４等を形成する。 そして、半導体基板３１とガラス基板４１とを接合する
ことにより、対向する電極３３．４３を有する基準圧室
３５が形成されたゲージ圧型の容量型圧力センサ３０と
なる。 尚、４８は外部に信号を取り出す信号線であり、その信
号線４８は半導体基板３１に形成された回路部３４と導
電性接着剤４９等を介して接続されている。 ここで、一般に、容量Ｃは、 Ｃ−ε
（１）（ε：誘電率、Ａ：電極面積、ｄ：
ｉｉ電極間隔で求められる。 上記ゲージ圧型の容量型圧力センサ３０においては、半
導体基板３１に形成された感圧ダイヤフラム部３２が被
測定圧力Ｐによりたわむことにより、対向した電極３３
．４３間の電極間隔ｄが変化し、容量Ｃに変化が生じる
ことによりその圧力が測定される。
ところが、このゲージ圧型の容量型圧力センサ３０は上
述のようにその基準圧室３５が穴部４５を介して大気等
開放であるためその環境雰囲気中のガス組成や温度・湿
度に左右されて容量Ｃに誤差を生じ易い。 つまり、基準圧室３５内に存在するガス等の組成により
誘電率εが異なり、その誘電率εは温度・湿度によって
も変動するので、（１）式における容量Ｃが変化し、ゲ
ージ圧型の容量型圧力センサ３０の零点及び感度が変化
してしまうという間頴があった。 本発明は、上記の課題を解決するために成されたもので
あり、その目的とするところは、基準圧室内のガス等の
誘電率の変化を検出し、感度等の補正を行うことにより
高精度なゲージ圧型の容量型圧力センサを提供すること
である。
述のようにその基準圧室３５が穴部４５を介して大気等
開放であるためその環境雰囲気中のガス組成や温度・湿
度に左右されて容量Ｃに誤差を生じ易い。 つまり、基準圧室３５内に存在するガス等の組成により
誘電率εが異なり、その誘電率εは温度・湿度によって
も変動するので、（１）式における容量Ｃが変化し、ゲ
ージ圧型の容量型圧力センサ３０の零点及び感度が変化
してしまうという間頴があった。 本発明は、上記の課題を解決するために成されたもので
あり、その目的とするところは、基準圧室内のガス等の
誘電率の変化を検出し、感度等の補正を行うことにより
高精度なゲージ圧型の容量型圧力センサを提供すること
である。
上記課題を解決するための発明の構成は、少なくとも一
方の基板は半導体で構成され、相互に接合された２つの
基板と、前記両基板の接合部に形成され、微小ギャップ
の測定圧の基準値を与える基準王室と、その基準圧室の
対向する両面に形成された電極と、一方の電極に平行に
一方の基板に形成され被測定圧力を受ける感圧ダイヤフ
ラム部と、前記基準圧室の前記感圧ダイヤフラム部側と
反対側から大気等を導入する穴部とを有し、前記電極間
の容量の変化により圧力を測定する容量型圧力センサに
おいて、前記電極の平面方向で該電極の周囲に前記基準
圧室を前記微小ギャップと同じに拡張し、前記被測定圧
力を受ける前記感圧ダイヤフラノ、部の影響を受けない
ように形成された補正室と、前記補正室の微小ギャップ
の対向する両面で前記電極の周囲に形成された補正電極
とを備えたことを特徴とする。
方の基板は半導体で構成され、相互に接合された２つの
基板と、前記両基板の接合部に形成され、微小ギャップ
の測定圧の基準値を与える基準王室と、その基準圧室の
対向する両面に形成された電極と、一方の電極に平行に
一方の基板に形成され被測定圧力を受ける感圧ダイヤフ
ラム部と、前記基準圧室の前記感圧ダイヤフラム部側と
反対側から大気等を導入する穴部とを有し、前記電極間
の容量の変化により圧力を測定する容量型圧力センサに
おいて、前記電極の平面方向で該電極の周囲に前記基準
圧室を前記微小ギャップと同じに拡張し、前記被測定圧
力を受ける前記感圧ダイヤフラノ、部の影響を受けない
ように形成された補正室と、前記補正室の微小ギャップ
の対向する両面で前記電極の周囲に形成された補正電極
とを備えたことを特徴とする。
補正室は電極の平面方向でその電極の周囲に基準圧室を
その微小ギャップと同じに拡張され形成されており、そ
の補正室は被測定圧力を受ける感圧ダイヤフラム部の影
響を受けない剛体部となる。 そして、補正電極は上記補正室の微小ギャップの対向す
る両面で上記電極の周囲に形成される。 このように構成されるこ々により、基準圧室と補正室と
は同一雰囲気中に存在することになる。 そして、補正室に形成された補正電極によって測定され
る容量は被測定圧力の影響を受けることはなく、単に基
準圧室に導入されるガス等の誘電率による影響のみを受
ける。この補正電極によって求められた容量から誘電率
εを求めて、基準誘電率ε。に対する比「−ε／ε。が
求められる。 そして、その比ｒによって、圧力測定用の電極で測定さ
れた容量Ｃ８をＣ＝Ｃ，／ｒで補正すれば基準誘電率ε
。に換算した容量Ｃを求めることができる。そして、そ
の補正された容量Ｃから圧力換算すれば、正確な圧力が
測定される。
その微小ギャップと同じに拡張され形成されており、そ
の補正室は被測定圧力を受ける感圧ダイヤフラム部の影
響を受けない剛体部となる。 そして、補正電極は上記補正室の微小ギャップの対向す
る両面で上記電極の周囲に形成される。 このように構成されるこ々により、基準圧室と補正室と
は同一雰囲気中に存在することになる。 そして、補正室に形成された補正電極によって測定され
る容量は被測定圧力の影響を受けることはなく、単に基
準圧室に導入されるガス等の誘電率による影響のみを受
ける。この補正電極によって求められた容量から誘電率
εを求めて、基準誘電率ε。に対する比「−ε／ε。が
求められる。 そして、その比ｒによって、圧力測定用の電極で測定さ
れた容量Ｃ８をＣ＝Ｃ，／ｒで補正すれば基準誘電率ε
。に換算した容量Ｃを求めることができる。そして、そ
の補正された容量Ｃから圧力換算すれば、正確な圧力が
測定される。
以下、本発明を具体的な実施例に基づいて説明する。
第１図は本発明に係る容量型圧力センサを示した平面図
である。そして、第２図は第１図のＨ−■線に沿った縦
断面図である。 第１図及び第２図を参照して本発明の容量型圧力センサ
１０を説明する。 １１は被測定圧力Ｐを受ける感圧ダイヤフラム部１２を
形成した上に電極１３を形成した単結晶シリコンから成
る半導体基板である。その半導体基板１１上には電極１
３の形成と同様に半導体製造技術を用いて一体的に回路
部１４が形成されている。そして、電極１３は図略の接
続端子部を介して回路部１４と接続されている。 又、２１は上記電極１３に対向した電極２３を形成した
他方の例えばパイレックスガラス等がら成るガラス基板
である。そして、そのガラス基板２１の電極２３のほぼ
中央に穴部２５が設けられている。 そして、第２図に示されたように、半導体基板１１とガ
ラス基板２１が接合されることにより、容量型圧力セン
サ１０の基準圧室１５が形成される。 更に、本発明の容量型圧力センサ１０においては、上記
電極１３．２３の平面方向でその電極１３．２３の周囲
に上記基準圧室１５が拡張された補正室１６が形成され
る。 そして、その補正室１６の微小ギャップの対向する両面
で電極１３．２３の周囲には補正電極１７．２７が形成
されている。 又、電極１３．２３及び補助電極１７．２７は、接合さ
れた後においては、接続端子部２４等を介してそれぞれ
回路部１４と接続される。 そして、２８は倍号を取り出すための信号線であり、信
号線２８は導電性接着剤２９等を介して回路部１４と接
続されている。 このように構成された容量型圧力センサ１ｏにおいては
、被測定圧力Ｐを感圧ダイヤフラム部１２に受けるとそ
の感圧ダイヤフラム部１２がたわむことにより、基準圧
室１５で対向している電極１３と電極２３との間隔が変
化し、その容量が変化する。 ところが、上記電極１３．２３が対向した微小ギャップ
から成る基準圧室Ｉ５の周りに形成された補正室１６で
対向している補正電極１７と補正電極２７との間隔は、
補正室１６自身が剛体であるので、感圧ダイヤフラム部
１２が被測定圧力Ｐを受けてもたわむことがなく変化し
ない。 そして、穴部２５を介して基準圧室１５と補正室１６と
は同じ環境雰囲気中に存在する。 従って、基準圧室１５の対向した電極１３．２３の容量
から求めた圧力値に対して、補正室１６の対向した電極
１７．２７の容量から求めた圧力値により、環境雰囲気
中に存在するガス等の組成による誘電率εの違い、又、
温度・湿度による誘電率εの変動を補正でき、高精度な
ゲージ圧型の容量型圧力センサが提供できる。
である。そして、第２図は第１図のＨ−■線に沿った縦
断面図である。 第１図及び第２図を参照して本発明の容量型圧力センサ
１０を説明する。 １１は被測定圧力Ｐを受ける感圧ダイヤフラム部１２を
形成した上に電極１３を形成した単結晶シリコンから成
る半導体基板である。その半導体基板１１上には電極１
３の形成と同様に半導体製造技術を用いて一体的に回路
部１４が形成されている。そして、電極１３は図略の接
続端子部を介して回路部１４と接続されている。 又、２１は上記電極１３に対向した電極２３を形成した
他方の例えばパイレックスガラス等がら成るガラス基板
である。そして、そのガラス基板２１の電極２３のほぼ
中央に穴部２５が設けられている。 そして、第２図に示されたように、半導体基板１１とガ
ラス基板２１が接合されることにより、容量型圧力セン
サ１０の基準圧室１５が形成される。 更に、本発明の容量型圧力センサ１０においては、上記
電極１３．２３の平面方向でその電極１３．２３の周囲
に上記基準圧室１５が拡張された補正室１６が形成され
る。 そして、その補正室１６の微小ギャップの対向する両面
で電極１３．２３の周囲には補正電極１７．２７が形成
されている。 又、電極１３．２３及び補助電極１７．２７は、接合さ
れた後においては、接続端子部２４等を介してそれぞれ
回路部１４と接続される。 そして、２８は倍号を取り出すための信号線であり、信
号線２８は導電性接着剤２９等を介して回路部１４と接
続されている。 このように構成された容量型圧力センサ１ｏにおいては
、被測定圧力Ｐを感圧ダイヤフラム部１２に受けるとそ
の感圧ダイヤフラム部１２がたわむことにより、基準圧
室１５で対向している電極１３と電極２３との間隔が変
化し、その容量が変化する。 ところが、上記電極１３．２３が対向した微小ギャップ
から成る基準圧室Ｉ５の周りに形成された補正室１６で
対向している補正電極１７と補正電極２７との間隔は、
補正室１６自身が剛体であるので、感圧ダイヤフラム部
１２が被測定圧力Ｐを受けてもたわむことがなく変化し
ない。 そして、穴部２５を介して基準圧室１５と補正室１６と
は同じ環境雰囲気中に存在する。 従って、基準圧室１５の対向した電極１３．２３の容量
から求めた圧力値に対して、補正室１６の対向した電極
１７．２７の容量から求めた圧力値により、環境雰囲気
中に存在するガス等の組成による誘電率εの違い、又、
温度・湿度による誘電率εの変動を補正でき、高精度な
ゲージ圧型の容量型圧力センサが提供できる。
本発明は、電極の平面方向でその電極の周囲に基準圧室
をその微小ギャップと同じに拡張し、被測定圧力を受け
る感圧ダイヤフラム部の影響を受けないように形成され
た補正室と、その補正室の微小ギャップの対向する両面
で上記電極の周囲に形成された補正電極とを備えている
ので、従来と同様の製造工程にて作成でき、上記基準圧
室の電極と上記補正室の補正電極とは穴部を介して同じ
環境雰囲気中に存在し、補正室の補正電極により正確な
誘電率の変化を検出することができるため、極めて高精
度の容量型圧力センサとなる。
をその微小ギャップと同じに拡張し、被測定圧力を受け
る感圧ダイヤフラム部の影響を受けないように形成され
た補正室と、その補正室の微小ギャップの対向する両面
で上記電極の周囲に形成された補正電極とを備えている
ので、従来と同様の製造工程にて作成でき、上記基準圧
室の電極と上記補正室の補正電極とは穴部を介して同じ
環境雰囲気中に存在し、補正室の補正電極により正確な
誘電率の変化を検出することができるため、極めて高精
度の容量型圧力センサとなる。
第１図は本発明の具体的な一実施例に係る容量型圧力セ
ンサを示した平面図。第２図は第１図の■−■線に沿っ
た縦断面図。第３図は従来の容量型圧力センサを示した
平面図。第４図は第３図のＩＶ−ＩＶ線に沿った縦断面
図である。 ０ １２ ５ １７゜ ５ 容量型圧カセンサ １１ 半導体基板 感圧ダイヤフラム部 １３．２３ 電極基準圧室 １
６ 補正室 ２７ 補正電極 ２１ ガラス基板 穴部
ンサを示した平面図。第２図は第１図の■−■線に沿っ
た縦断面図。第３図は従来の容量型圧力センサを示した
平面図。第４図は第３図のＩＶ−ＩＶ線に沿った縦断面
図である。 ０ １２ ５ １７゜ ５ 容量型圧カセンサ １１ 半導体基板 感圧ダイヤフラム部 １３．２３ 電極基準圧室 １
６ 補正室 ２７ 補正電極 ２１ ガラス基板 穴部
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 少なくとも一方の基板は半導体で構成され、相互に接合
された２つの基板と、前記両基板の接合部に形成され、
微小ギャップの測定圧の基準値を与える基準圧室と、そ
の基準圧室の対向する両面に形成された電極と、一方の
電極に平行に一方の基板に形成され被測定圧力を受ける
感圧ダイヤフラム部と、前記基準圧室の前記感圧ダイヤ
フラム部側と反対側から大気等を導入する穴部とを有し
、前記電極間の容量の変化により圧力を測定する容量型
圧力センサにおいて、 前記電極の平面方向で該電極の周囲に前記基準圧室を前
記微小ギャップと同じに拡張し、前記被測定圧力を受け
る前記感圧ダイヤフラム部の影響を受けないように形成
された補正室と、 前記補正室の微小ギャップの対向する両面で前記電極の
周囲に形成された補正電極と を備えたことを特徴とする容量型圧力センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2036812A JP2813721B2 (ja) | 1990-02-16 | 1990-02-16 | 容量型圧力センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2036812A JP2813721B2 (ja) | 1990-02-16 | 1990-02-16 | 容量型圧力センサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03239938A true JPH03239938A (ja) | 1991-10-25 |
| JP2813721B2 JP2813721B2 (ja) | 1998-10-22 |
Family
ID=12480188
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2036812A Expired - Fee Related JP2813721B2 (ja) | 1990-02-16 | 1990-02-16 | 容量型圧力センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2813721B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0520352A2 (en) * | 1991-06-22 | 1992-12-30 | Toyoda Koki Kabushiki Kaisha | Capacitive sensing device |
| WO1999047902A1 (fr) * | 1998-03-16 | 1999-09-23 | Hitachi, Ltd. | Sonde manometrique a effet capacitif |
| JP2001255225A (ja) * | 2000-03-10 | 2001-09-21 | Anelva Corp | 静電容量型真空センサ |
| JP2012088192A (ja) * | 2010-10-20 | 2012-05-10 | Denso Corp | センサ装置およびその製造方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FI125447B (en) * | 2013-06-04 | 2015-10-15 | Murata Manufacturing Co | Improved pressure sensor |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63308529A (ja) * | 1987-05-08 | 1988-12-15 | バイサラ・オーワイ | 容量性圧力変換器 |
-
1990
- 1990-02-16 JP JP2036812A patent/JP2813721B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63308529A (ja) * | 1987-05-08 | 1988-12-15 | バイサラ・オーワイ | 容量性圧力変換器 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0520352A2 (en) * | 1991-06-22 | 1992-12-30 | Toyoda Koki Kabushiki Kaisha | Capacitive sensing device |
| EP0520352A3 (ja) * | 1991-06-22 | 1994-04-13 | Toyoda Machine Works Ltd | |
| WO1999047902A1 (fr) * | 1998-03-16 | 1999-09-23 | Hitachi, Ltd. | Sonde manometrique a effet capacitif |
| JP2001255225A (ja) * | 2000-03-10 | 2001-09-21 | Anelva Corp | 静電容量型真空センサ |
| JP2012088192A (ja) * | 2010-10-20 | 2012-05-10 | Denso Corp | センサ装置およびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2813721B2 (ja) | 1998-10-22 |
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