DE10046891A1 - Photoresistzusammensetzung, die einen Photobase-Bildner und einen Photosäure-Bildner enthält - Google Patents

Photoresistzusammensetzung, die einen Photobase-Bildner und einen Photosäure-Bildner enthält

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Abstract

Die Erfindung betrifft eine Photoresistzusammensetzung, die einen Photobase-Bildner (PBG) enthält, insbesondere eine Photoresistzusammensetzung, die (a) ein Photoresistharz, (b) einen Photosäure-Bildner, (c) ein organisches Lösungsmittel und (d) einen Photobase-Bildner umfasst. Der Photobase-Bildner wird vorzugsweise aus einer Benzyloxycarbonyl-Verbindung der chemischen Formel 1 oder einer O-Acyloxim-Verbindung der chemischen Formel 2 ausgewählt, welche die Bildung eines geneigten Musters und das Auftreten einer starken I/D-Abweichung verhindern. DOLLAR A (Chemische Formel 1) DOLLAR F1 (Chemische Formel 2) DOLLAR F2 wobei R', R¶1¶ bis R¶6¶ gemäß der Beschreibung definiert sind.

Description

HINTERGRUND DER ERFINDUNG 1. Gebiet der Erfindung
Die vorliegende Erfindung betrifft eine Photoresistzu­ sammensetzung, die einen Photobase-Bildner (abgekürzt als "PBG") enthält. Insbesondere betrifft die Erfindung eine Pho­ toresistzusammensetzung, umfassend (a) ein Photoresistharz, (b) einen Photosäure-Bildner, (c) ein organisches Lösungsmit­ tel und (d) einen Photobase-Bildner. Der Photobase-Bildner reduziert oder verhindert die Neigung des Musters sowie die I/D-Abweichung aufgrund einer höheren Säurekonzentration im oberen Abschnitt des Photoresists verglichen mit der Säure­ konzentration im unteren Abschnitt des Photoresists.
2. Beschreibung des Standes der Technik
Seit kurzem untersucht man die Verwendung von Photore­ sisten des chemischen Verstärkungs-Typs (d. h. Photoresistzu­ sammensetzungen) in Photolithographieverfahren, die Licht­ quellen wie KrF, ArF, VUV und EUV einsetzen, um eine hohe Empfindlichkeit bei sehr genauen Bildherstellungsverfahren auf Halbleitervorrichtungen zu erzielen. Diese Photoresistzu­ sammensetzungen werden gewöhnlich durch Mischen eines Photo­ säure-Bildners und eines Matrixharzpolymers (d. h. Photore­ sistpolymers oder Photoresistharzes) mit einer säurelabilen Gruppe hergestellt.
Bei einem Photolithographieverfahren hängt die Auflösung eines Bildes von der Wellenlänge des verwendeten Lichts ab. So ist die Auflösung um so höher, je kürzer die Wellenlänge ist, d. h. eine kürzere Wellenlänge ermöglicht die Bildung eines kleineren Musters.
Damit sie sich für ein Photolithographieverfahren eig­ net, muss eine Photoresistzusammensetzung ausgezeichnete Ätz­ beständigkeit, Wärmebeständigkeit und ausgezeichnetes Haft­ vermögen aufweisen. Zur Verringerung der Kosten bei der Her­ stellung von Halbleitervorrichtungen sollte zudem eine Photo­ resistzusammensetzung leicht in einer herkömmlichen Entwick­ lungslösung, wie 2,38 Gew.-%iger wässriger Tetramethylammoni­ umhydroxid- (TMAH-) Lösung zu entwickeln sein. Diese Qualitä­ ten sind bei Photolithographieverfahren, die eine Tiefultra­ violettquelle (d. h. eine kurzwellige Lichtquelle) ein­ schließlich KrF (248 nm), ArF (193 nm), VUV (157 nm) und EUV (13 nm) verwenden, besonders wichtig.
Es ist jedoch sehr schwierig, eine Photoresistzusammen­ setzung zu synthetisieren, die alle diese Voraussetzungen er­ füllt. Beispielsweise ist ein Photoresistpolymer mit Polyac­ rylat-Grundgerüst leicht erhältlich, besitzt aber geringe Ätzbeständigkeit und lässt sich schwer entwickeln.
Die Ätzbeständigkeit lässt sich durch Anfügen alicycli­ scher Einheiten an das Photoresistpolymer verbessern; das Vorliegen alicyclischer Einheiten im Photoresistpolymer ver­ ursacht jedoch Probleme beim Herstellungsverfahren von Halb­ leiterelementen. Beispielsweise entsteht ein geneigtes Mus­ ter, wenn das die alicyclischen Einheiten enthaltende Photo­ resistharz verwendet wird. Ohne sich an eine Theorie binden zu wollen, wird angenommen, dass das geneigte Muster ent­ steht, weil die oberen Abschnitte der PR-Zusammensetzung ver­ glichen mit dem unteren Abschnitt der PR-Zusammensetzung stärker belichtet werden (s. Fig. 1). Man nimmt an, dass die stärkere Belichtung der oberen Abschnitte durch ein Luftbild der PR-Zusammensetzung (oder durch Lichtabsorption durch das Harz) zustande kommt. Zu weiteren Problemen gehören ein star­ ker CD-Unterschied zwischen isolierten Linien und dichten Li­ nien (d. h. eine F/D-Abweichung) (s. Fig. 2 und 3).
Den Erkenntnissen der Erfinder zufolge trat bei Belich­ tung einer PR-Zusammensetzung mit der gleichen Menge an Lichtenergie um die isolierten Linie der Fig. 2 mehr Energie auf als um die dichten Linien der Fig. 3. Ferner wurde ge­ funden, dass die Säurekonzentration um die isolierten Linien in der Regel signifikant höher war als in Bereichen nahe den dichten Linien. Dieser Säurekonzentrationsgradient bewirkt, dass die Säure relativ leicht diffundiert, was zu schmaleren isolierten Linien verglichen mit den dichten Linien führt, wenn die PR-Zusammensetzung mit der gleichen Menge an Licht­ energie belichtet wird.
Daher besteht ein Bedarf an einer Photoresistzusammen­ setzung, welche die oben genannten Nachteile überwindet.
ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
Eine Aufgabe der Erfindung ist die Bereitstellung von Photoresistzusammensetzungen, welche die Bildung eines ge­ neigten Musters (und somit das Auftreten einer starken I/D- Abweichung) aufgrund einer höheren Säurekonzentration in den oberen Abschnitten der Photoresistzusammensetzung verglichen mit den unteren Abschnitten der Photoresistzusammensetzung signifikant reduzieren oder verhindern.
Eine weitere Aufgabe der Erfindung ist die Bereitstel­ lung eines Halbleiterelementes, das unter Verwendung der Pho­ toresistzusammensetzung hergestellt wird.
KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
Fig. 1 ist eine Querschnittsansicht der Musterbildung, wenn eine Photoresistzusammensetzung (d. h. PR) mit einem Photosäure-Bildner (PAG) ohne Photobase-Bildner (PBG) verwen­ det wird.
Fig. 2 ist eine Querschnittsansicht der Bildung eines Musters von isolierten Linien, wenn eine PR mit PAG ohne PBG verwendet wird.
Fig. 3 ist eine Querschnittsansicht der Bildung eines Musters von dichten Linien, wenn eine PR mit PAG ohne PBG verwendet wird.
Fig. 4 ist eine Querschnittsansicht, welche zeigt, dass viel Base im oberen Abschnitt der PR gebildet wird, wenn eine PR mit PBG verwendet wird.
Fig. 5 ist eine Querschnittsansicht, welche zeigt, dass sowohl viel Säure als auch viel Base im oberen Abschnitt der PR gebildet werden, wenn eine PR mit PBG und PAG verwendet wird.
Fig. 6 zeigt ein Muster, das erhalten wird, wenn eine PR mit PAG und ohne PBG verwendet wird.
Fig. 7 ist das Bild eines Musters, das erhalten wird, wenn eine PR mit PAG und mit PBG verwendet wird.
EINGEHENDE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMEN
Die vorliegende Erfindung stellt eine Photoresistzusam­ mensetzung bereit, umfassend (a) ein Photoresistharz, (b) ei­ nen Photosäure-Bildner, (c) einen Photobase-Bildner und (d) ein organisches Lösungsmittel.
Der erfindungsgemäße Photobase-Bildner wird vorzugsweise aus einer Gruppe ausgewählt, bestehend aus die Verbindungen der chemischen Formel 1 und Verbindungen der chemischen For­ mel 2. Es können aber auch andere Arten von Photosäure- Bildnern verwendet werden, beispielsweise die in Prog. Polym. Sci. Bd. 21, 1-45, 1996, Elsevier Science Ltd., das hier vollinhaltlich durch Bezugnahme aufgenommen ist, beschriebe­ nen.
wobei
R' ein Aryl-, vorzugsweise ein Phenylrest ist, der, vor­ zugsweise an den ortho-Stellungen, mit einer oder zwei Nitro­ gruppen substituiert ist;
R1 und R2 unabhängig Wasserstoff oder ein gegebenenfalls substituierter linearer oder verzweigter (C1-C10)-Alkylrest sind;
R3 ein gegebenenfalls substituierter linearer oder ver­ zweigter (C1-C20)-Alkyl-, gegebenenfalls substituierter (C3- C20)-Cycloalkyl- oder gegebenenfalls substituierter (C6-C20)- Arylrest ist;
R4 und R5 unabhängig Wasserstoff, ein gegebenenfalls substituierter linearer oder verzweigter (C1-C20)-Alkyl- oder ein gegebenenfalls substituierter (C6-C20)-Arylrest sind; und
R6 Wasserstoff, ein gegebenenfalls substituierter linea­ rer oder verzweigter (C1-C20)-Alkyl- oder ein gegebenenfalls substituierter (C6-C20)-Aralkylrest ist.
"Alkyl" bedeutet einen linearen oder verzweigten gesät­ tigten einwertigen Kohlenwasserstoffrest, z. B. Methyl, E­ thyl, Propyl, 2-Propyl, n-Butyl, iso-Butyl, tert.-Butyl, Pen­ tyl und dgl.
"Aryl" bedeutet einen einwertigen monocyclischen oder bicyclischen aromatischen Kohlenwasserstoffrest.
"Cycloalkyl" betrifft einen gesättigten einwertigen cyc­ lischen Kohlenwasserstoffrest, z. B. Cyclopropyl, Cyclobutyl, Cyclohexyl, 4-Methylcyclohexyl und dgl.
"Alkylen" bedeutet einen linearen gesättigten zweiwerti­ gen Kohlenwasserstoffrest oder einen verzweigten gesättigten zweiwertigen Kohlenwasserstoffrest, z. B. Methylen, Ethylen, 2,2-Dimethylethylen, Propylen, 2-Methylpropylen, Butylen, Pentylen und dgl.
"Aralkyl" bedeutet einen Rest -RaRb, wobei Ra ein Alky­ lenrest und Rb ein Arylrest, wie hier definiert, ist, z. B. Phenylmethyl (d. h. Benzyl) und dgl.
Die Verbindung der chemischen Formel 1 wird vorzugsweise aus einer Gruppe ausgewählt, die aus den Verbindungen der chemischen Formeln 1a bis 1f besteht:
Chemische Formel 1a
Chemische Formel 1b
Chemische Formel 1c
Chemische Formel 1d
Chemische Formel 1e
Chemische Formel 1f
Die Verbindung der chemischen Formel 2 wird vorzugsweise aus einer Gruppe ausgewählt, die aus den Verbindungen der chemischen Formeln 2a bis 2c besteht:
Chemische Formel 2a
Chemische Formel 2b
Chemische Formel 2c
Die Verbindung der chemischen Formel 1 kann durch Umset­ zen der Verbindung der chemischen Formel 3 und der Verbindung der chemischen Formel 4 hergestellt werden
Chemische Formel 3
Chemische Formel 4
R3
-N=C=O,
wobei R', R1, R2 und R3 die oben definierte Bedeutung ha­ ben.
Beispielsweise kann die vorstehende Verbindung der che­ mischen Formel 1a durch Umsetzen der Verbindung der chemi­ schen Formel 3a und der Verbindung der chemischen Formel 4a hergestellt werden. Und die Verbindung der chemischen Formel 1b kann durch Umsetzen der Verbindung der chemischen Formel 3a und der Verbindung der chemischen Formel 4b hergestellt werden.
Chemische Formel 3a
Chemische Formel 4a<
Chemische Formel 4b
Bevorzugte Photosäure-Bildner umfassen Verbindungen des Sulfid- oder Oniumtyps. In einer bestimmten erfindungsgemäßen Ausführungsform wird der Photosäure-Bildner aus der Gruppe ausgewählt, bestehend aus Diphenyliodidhexafluorphosphat, Diphenyliodidhexafluorarsenat, Diphenyliodidhexafluorantimo­ nat, Diphenyl-p-methoxyphenyltriflat, Diphenyl-p-toluenyl­ triflat, Diphenyl-p-isobutylphenyltriflat, Diphenyl-p-tert.- butylphenyltriflat, Triphenylsulfoniumhexafluorphosphat, Triphenylsulfoniumhexafluorarsenat, Triphenylsulfoniumhe­ xafluorantimonat, Triphenylsulfoniumtriflat und Dibutyl­ naphthylsulfoniumtriflat. Gewöhnlich liegt die verwendete Menge an Photosäure-Bildner im Bereich von etwa 0,05 bis etwa 10 Gew.-%, bezogen auf das Gewicht des Polymers in der Zusam­ mensetzung.
Die Menge des in der Photoresistzusammensetzung vorlie­ genden Photobase-Bildners liegt vorzugsweise im Bereich von etwa 30 bis etwa 150 Gew.-%, bezogen auf das Gewicht des Pho­ tosäure-Bildners.
Für die erfindungsgemäße Photoresistzusammensetzung eig­ nen sich eine Vielzahl organischer Lösungsmittel, vorzugswei­ se aus der Gruppe, bestehend aus Methyl-3-methoxypropionat, Ethyl-3-ethoxypropionat, Propylenglycolmethyletheracetat (PGMEA), Cyclohexanon und 2-Heptanon. Die Menge an in der Photoresistzusammensetzung verwendetem organischen Lösungs­ mittel reicht vorzugsweise von etwa 200 bis etwa 800 Gew.-%, bezogen auf das Gewicht des Photoresistharzes.
Das Photoresistharz kann jedes zur Zeit bekannte che­ misch verstärkte Photoresistharz sein, einschließlich eines Harzes der chemischen Formel 5:
Chemische Formel 5
Eine weitere erfindungsgemäße Ausführungsform stellt ein Verfahren zur Herstellung eines Photoresistmusters bereit, umfassend die Schritte:
  • a) Aufbringen einer oben beschriebenen Photoresistzu­ sammensetzung auf ein Substrat, so dass ein Photoresistfilm gebildet wird;
  • b) Belichten des Photoresistfilms unter Verwendung ei­ ner Belichtungsvorrichtung; und
  • c) Entwickeln des belichteten Photoresistfilms.
Das Verfahren zur Herstellung des Photoresistmusters kann zudem Erhitzen (z. B. (einen) Backschritt(e)) vor und/oder nach dem Belichten des Photoresistfilms umfassen. Gewöhnlich wird der Backschritt bei einer Temperatur von etwa 70 bis etwa 200°C durchgeführt.
Wie hier verwendet, betrifft der Begriff "Licht" eine e­ lektromagnetische Welle, die, wenn nicht anders angegeben, von einer Belichtungsvorrichtung und nicht von einer Lichtquelle in der Umgebung erzeugt wird. Vorzugsweise ist die Belichtungsvor­ richtung eine Quelle für kurzwelliges Licht, wie ArF, KrF, VUV, EUV, E-Strahl, Röntgen-, Ionenstrahl oder Kombinationen davon. Die Belichtungsenergie liegt vorzugsweise im Bereich von etwa 1 mJ/cm2 bis etwa 100 mJ/cm2.
Eine weitere erfindungsgemäße Ausführungsform stellt ein Halbleiterelement bereit, das unter Verwendung der vorstehend beschriebenen Photoresistzusammensetzungen hergestellt wird.
Wird ein Muster unter Verwendung der erfindungsgemäßen Pho­ toresistzusammensetzungen, die den Photobase-Bildner enthalten, gebildet, neutralisiert die Base, die im oberen Abschnitt der Photoresistschicht stark gebildet wird, einen Teil der Säuren, die ebenfalls im oberen Abschnitt der Photoresistschicht stark gebildet werden. Diese Neutralisierung verhindert oder reduziert die Bildung geneigter Muster (s. Fig. 4 und 5) und senkt die F/D-Abweichung.
Die vorliegende Erfindung wird nachstehend anhand der fol­ genden Beispiele, die nicht beschränkend sein sollen, eingehen­ der erläutert.
Beispiel 1 Herstellung des Photobase-Bildners der chemischen Formel 1a
Zu 200 ml Tetrahydrofuran (THF) wurden 0,2 mol (30,6 g) der Verbindung der chemischen Formel 3a und 0,1 mol (17,4 g) der Diisocyanat-Verbindung der chemischen Formel 4a gegeben. Das Reaktionsgemisch wurde 10 Stunden gerührt. Danach wurde der Niederschlag abfiltriert und getrocknet, so dass der Pho­ tobase-Bildner der chemischen Formel 1a erhalten wurde.
Beispiel 2 Herstellung des Photobase-Bildners der chemischen Formel 1b
Zu 200 ml Tetrahydrofuran (THF) wurden 0,2 mol (30,6 g) der Verbindung der chemischen Formel 3a und 0,1 mol (17,4 g) der Diisocyanat-Verbindung der chemischen Formel 4b gegeben.
Das Reaktionsgemisch wurde 3 Tage gerührt. Danach wurde ein Teil des Lösungsmittels mit einem Verdampfer entfernt. Wasser wurde hinzugegeben, und der erhaltene Niederschlag wurde ab­ filtriert und getrocknet, so dass der Photobase-Bildner der chemischen Formel 1b erhalten wurde.
Vergleichsbeispiel
Zu 110 g 2-Heptanon wurden 20 g des Polymers der chemi­ schen Formel 5 und 0,24 g Triphenylsulfoniumtriflat gegeben. Das erhaltene Gemisch wurde durch ein Mikrofilter filtriert.
Die so hergestellte Photoresistzusammensetzung wurde auf einen Siliziumwafer spingeschichtet und in einem Ofen oder auf einer Heizplatte 90 Sekunden bei 140°C weichgebacken. Nach dem Backen wurde das Photoresist unter Verwendung eines ArF-Laserbelichters belichtet und dann 90 Sekunden bei 140°C nachgebacken. Nach Beendigung des Nachbackens wurde es in ei­ ner 2,38 Gew.-%igen wässrigen TMAH- (Tetramethylammoniumhydro­ xid-) Lösung entwickelt, so dass ein geneigtes Muster erhal­ ten wurde (s. Fig. 6).
Der CD-Unterschied zwischen einer isolierten Linie und einer dichten Linie ist in der folgenden Tabelle 1 darge­ stellt.
Beispiel 3 Herstellung der Photoresistzusammensetzung und Bildung des Musters
Zu 110 g 2-Heptanon wurden 20 g des Polymers der chemi­ schen Formel 5, 0,24 g Triphenylsulfoniumtriflat und 0,096 g der Verbindung der chemischen Formel 1a gegeben. Das erhalte­ ne Gemisch wurde durch ein Mikrofilter filtriert.
Die so hergestellte Photoresistzusammensetzung wurde auf einen Siliziumwafer spingeschichtet und in einem Ofen oder auf einer Heizplatte 90 Sekunden bei 140°C weichgebacken. Nach dem Backen wurde das Photoresist unter Verwendung eines ArF-Laserbelichters belichtet und dann 90 Sekunden bei 140°C nachgebacken. Nach Beendigung des Nachbackens wurde es in ei­ ner 2,38 Gew.-%igen wässrigen TMAH- (Tetramethylammoniumhydro­ xid-) Lösung entwickelt, so dass ein 0,13 µm-L/S-Muster er­ halten wurde (s. Fig. 7).
Der CD-Unterschied zwischen einer isolierten Linie und einer dichten Linie ist in der folgenden Tabelle 1 darge­ stellt.
Tabelle 1
Beispiel 4 Herstellung der Photoresistzusammensetzung und Bildung des Musters
Das Verfahren des Beispiels 3 wurde wiederholt, ausge­ nommen, dass der Photobase-Bildner der chemischen Formel 1b anstelle des Photobase-Bildners der chemischen Formel 1a ver­ wendet wurde, wodurch die Photoresistzusammensetzung herge­ stellt und das Muster erhalten wurde.
Wie oben dargestellt, verbessern Photoresistzusammenset­ zungen, die einen Photobase-Bildner enthalten, verglichen mit Photoresistzusammensetzungen ohne Photobase-Bildner die Nei­ gung des Musters (Fig. 6), indem sie ein im Wesentlichen senkrechtes Muster hervorbringen (Fig. 7). Außerdem führen die Photoresisttzusammensetzungen mit Photosäure-Bildner zu einer kleineren I/D-Abweichung verglichen mit Photoresistzu­ sammensetzungen ohne Photobase-Bildner. Somit eignen sich die Photoresistzusammensetzungen mit Photobase-Bildner zur Gewin­ nung ultrafeiner Muster, insbesondere für die Photolithogra­ phie unter Einsatz einer kurzwelligen Lichtquelle, wie ArF (193 nm).
Die vorstehende Erläuterung der Erfindung wurde zum Zweck der Veranschaulichung und Beschreibung gegeben. Das Vorstehende soll die Erfindung nicht auf die hier offenbarte Form oder Formen beschränken. Die Beschreibung der Erfindung umfasst zwar die Beschreibung einer oder mehrerer Ausfüh­ rungsformen und bestimmter Varianten und Modifikationen, aber es liegen auch andere Varianten und Modifikationen im Umfang der Erfindung, die z. B. innerhalb der Fähigkeiten und des Wissens des Fachmanns liegen, nachdem er die Offenbarung ver­ standen hat. Es sollen Rechte erhalten werden, die alternati­ ve Ausführungsformen im erlaubten Umfang umfassen, ein­ schließlich Strukturen, Funktionen, Bereiche oder Schritte, die zu den beanspruchten alternativ, äquivalent und/oder ge­ gen diese austauschbar sind, gleich, ob diese alternativen, austauschbaren und/oder äquivalenten Strukturen, Funktionen, Bereiche oder Schritte hier offenbart sind oder nicht, und ohne einen patentfähigen Gegenstand öffentlich zugänglich ma­ chen zu wollen.

Claims (19)

1. Photoresistzusammensetzung, umfassend (a) ein Photore­ sistharz, (b) einen Photosäure-Bildner, (c) einen Photo­ base-Bildner und (d) ein organisches Lösungsmittel.
2. Photoresistzusammensetzung nach Anspruch 1, wobei der Photobase-Bildner aus der Gruppe ausgewählt ist, beste­ hend aus Verbindungen der chemischen Formel 1 und Ver­ bindungen der chemischen Formel 2.
wobei
R' ein Arylrest ist, der mit einer oder zwei Nitrogrup­ pen substituiert ist;
R1 und R2 unabhängig Wasserstoff oder ein gegebenenfalls substituierter linearer oder verzweigter (C1-C10)- Alkylrest sind;
R3 ein gegebenenfalls substituierter linearer oder ver­ zweigter (C1-C20)-Alkyl-, gegebenenfalls substituierter (C3-C20)-Cycloalkyl- oder gegebenenfalls substituierter (C6-C20)-Arylrest ist;
R4 und R5 unabhängig Wasserstoff, ein gegebenenfalls substituierter linearer oder verzweigter (C1-C20)-Alkyl- oder ein gegebenenfalls substituierter (C6-C20)-Arylrest sind; und
R6 Wasserstoff, ein gegebenenfalls substituierter linea­ rer oder verzweigter (C1-C20)-Alkyl- oder ein gegebenen­ falls substituierter (C6-C20)-Aralkylrest ist.
3. Photoresistzusammensetzung nach Anspruch 2, wobei R' ein Arylrest ist, der mit einer oder zwei Nitrogruppen in ortho-Stellungen substituiert ist.
4. Photoresistzusammensetzung nach Anspruch 2, wobei die Verbindung der chemischen Formel 1 aus der Gruppe ausge­ wählt ist, die aus den Verbindungen der chemischen For­ meln 1a bis 1f besteht:
<Chemische Formel 1a<
<Chemische Formel 1b< <Chemische Formel 1c< <Chemische Formel 1d< <Chemische Formel 1e< <Chemische Formel 1f<
5. Photoresistzusammensetzung nach Anspruch 2, wobei die Verbindung der chemischen Formel 2 aus der Gruppe ausge­ wählt ist, die aus den Verbindungen der chemischen For­ meln 2a bis 2c besteht:
<Chemische Formel 2a<
<Chemische Formel 2b< <Chemische Formel 2c<
6. Photoresistzusammensetzung nach Anspruch 1, wobei der Photosäure-Bildner eine Verbindung des Sulfid- oder Oni­ umtyps ist.
7. Photoresistzusammensetzung nach Anspruch 1, wobei der Photosäure-Bildner eine Verbindung umfasst, die aus der Gruppe ausgewählt ist, bestehend aus Diphenyliodidhe­ xafluorphosphat, Diphenyliodidhexafluorarsenat, Dipheny­ liodidhexafluorantimonat, Diphenyl-p-methoxyphenyl­ triflat, Diphenyl-p-tert.-butylphenyltriflat, Diphenyl­ p-isobutylphenyltriflat, Diphenyl-p-tert.-butylphenyl­ triflat, Triphenylsulfoniumhexafluorphosphat, Triphenyl­ sulfoniumhexafluorarsenat, Triphenylsulfoniumhexafluo­ rantimonat, Triphenylsulfoniumtriflat, Dibutylnaphthyl­ sulfoniumtriflat und Gemischen davon.
8. Photoresistzusammensetzung nach Anspruch 1, wobei die Menge des Photosäure-Bildners im Bereich von 0,05 bis 10 Gew.-%, bezogen auf das Gewicht des Photoresistharzes, liegt.
9. Photoresistzusammensetzung nach Anspruch 1, wobei die Menge des Photobase-Bildners im Bereich von 30 bis 150 Gew.-%, bezogen auf das Gewicht des Photosäure-Bildners, liegt.
10. Photoresistzusammensetzung nach Anspruch 1, wobei das organische Lösungsmittel aus einer Gruppe ausgewählt ist, bestehend aus Propylenglycolmethyletheracetat, Me­ thyl-3-methoxypropionat, Ethyl-3-ethoxypropionat, Cyclo­ hexanon, 2-Heptanon und Gemischen davon.
11. Photoresistzusammensetzung nach Anspruch 1, wobei das organische Lösungsmittel etwa 200 bis 800 Gew.-%, bezogen auf das Gewicht des Photoresistharzes, umfasst.
12. Photoresistzusammensetzung nach Anspruch 1, wobei das Photoresistharz ein chemisch verstärktes Photoresistpo­ lymer ist.
13. Photoresistzusammensetzung nach Anspruch 11, wobei das Photoresistpolymer ein Polymer der chemischen Formel 5 umfasst:
<Chemische Formel 5<
14. Verfahren zur Herstellung eines Photoresistmusters, um­ fassend die Schritte:
  • a) Aufbringen einer Photoresistzusammensetzung nach An­ spruch 1 auf ein Substrat, so dass ein Photoresistfilm gebildet wird;
  • b) Belichten des Photoresistfilms unter Verwendung ei­ ner Belichtungsvorrichtung; und
  • c) Entwickeln des belichteten Photoresistfilms.
15. Verfahren nach Anspruch 14, das zudem einen Backschritt vor und/oder nach dem Belichtungsschritt (b) umfasst.
16. Verfahren nach Anspruch 15, wobei der Backschritt bei 70 bis 200°C durchgeführt wird.
17. Verfahren nach Anspruch 14, wobei die Belichtungsvorrich­ tung aus der Gruppe ausgewählt ist, bestehend aus ArF, KrF, VUV, EUV, E-Strahl, Röntgen- und Ionenstrahl.
18. Verfahren nach Anspruch 14, wobei der Schritt des Belich­ tens des Photoresistfilms das Bestrahlen des Photore­ sistfilms unter Verwendung einer Belichtungsvorrichtung mit einem Belichtungsenergieniveau von 1 bis 100 mJ/cm2 um­ fasst.
19. Halbleiterelement, das durch das Verfahren nach Anspruch 14 hergestellt wird.
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