DE10031678C2 - Leistungsmodul - Google Patents
LeistungsmodulInfo
- Publication number
- DE10031678C2 DE10031678C2 DE10031678A DE10031678A DE10031678C2 DE 10031678 C2 DE10031678 C2 DE 10031678C2 DE 10031678 A DE10031678 A DE 10031678A DE 10031678 A DE10031678 A DE 10031678A DE 10031678 C2 DE10031678 C2 DE 10031678C2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- substrate
- power module
- connection
- electrically connected
- interconnection
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/16—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations, e.g. centering rings
- H01L23/18—Fillings characterised by the material, its physical or chemical properties, or its arrangement within the complete device
- H01L23/24—Fillings characterised by the material, its physical or chemical properties, or its arrangement within the complete device solid or gel at the normal operating temperature of the device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
- H01L25/162—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits the devices being mounted on two or more different substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
- H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/191—Disposition
- H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
- H01L2924/19107—Disposition of discrete passive components off-chip wires
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Coupling Device And Connection With Printed Circuit (AREA)
- Combinations Of Printed Boards (AREA)
- Inverter Devices (AREA)
Description
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Struk
tur eines Leistungsmoduls und insbesondere auf eine Struk
tur eines Leistungsmoduls, welches ein isolierendes
Substrat, auf welchem Leistungshalbleiterbauelemente
(hiernach als "Leistungsbauelemente" bezeichnet) angebracht
sind, und ein Steuerschaltungssubstrat enthält, auf welchem
IC-Chips zur Steuerung der Leistungsbauelemente angebracht
sind.
Fig. 14 zeigt eine Querschnittsansicht einer Struktur
eines Leistungsmoduls nach dem Stand der Technik. Wie in
Fig. 14 dargestellt enthält das Leistungsmodul nach dem
Stand der Technik ein isolierendes Substrat 104, ein Steu
erschaltungssubstrat 112, Zwischenverbindungsanschlüsse,
Leiter oder Anschlussteile (hiernach wird der Ausdruck
"Anschlüsse" verwendet) 110 und ein Gehäuse 109. Das iso
lierende Substrat 104 enthält eine Keramikplatte 101 und
Metallplatten 102, 103. In der Mehrzahl vorkommende Lei
stungsbauelemente 106 sind auf der Metallplatte 102 mit ei
nem Lötmittel 105 angebracht. Die in der Mehrzahl vorkom
menden Leistungsbauelemente 106 sind durch Aluminiumdrähte
111 miteinander elektrisch verbunden. Die Metallplatte 103
befindet sich in Kontakt mit einer Sockel- bzw. Basisplatte
108 mit einem dazwischen befindlichen Lötmittel 107.
In einer Mehrzahl vorkommende Halbleiterbauelemente 113
zur Steuerung der Leistungsbauelemente 106 sind auf dem
Steuerschaltungssubstrat 112 angebracht. Ein externer Ver
bindungsanschluss 137, welcher elektrisch mit den Halblei
terbauelementen 113 verbunden ist, ist an das Steuerschal
tungssubstrat 112 gelötet.
Jeder der Zwischenverbindungsanschlüsse 110 besitzt ein
erstes Ende, welches mit der Metallplatte 102 oder den Lei
stungsbauelementen 106 über die Aluminiumdrähte 111 verbun
den ist, und ein zweites Ende, welches mit dem Steuerschal
tungssubstrat 112 verbunden ist.
Das isolierende Substrat 104, das Steuerschaltungs
substrat 112 und die Zwischenverbindungsanschlüsse 110 sind
in dem Gehäuse 109 angeordnet. Ein unterer innerer Raum des
Gehäuses 109 unter dem Steuerschaltungssubstrat 112 ist mit
Silikongel 114 gefüllt. Eine Abdeckung 115 ist auf der
Spitze des Gehäuses 109 angebracht. Hauptelektroden 135
sind auf einer oberen Oberfläche des Gehäuses 109 vorgese
hen und über Anschlüsse 136 und Aluminiumdrähte mit den
Leistungsbauelementen 106 elektrisch verbunden.
Fig. 15 zeigt eine vergrößerte Querschnittsansicht ei
ner Verbindung zwischen dem zweiten Ende von einem der Zwi
schenverbindungsanschlüsse 110 und dem Steuerschaltungs
substrat 112. Das Steuerschaltungssubstrat 112 besitzt ein
Durchgangsloch 118, um welches herum ein Anschluss 116 vor
gesehen ist, der elektrisch mit den Halbleiterbauelementen
113 verbunden ist. Das zweite Ende des Zwischenverbindungs
anschlusses 110 ist in das Durchgangsloch 118 eingesetzt
und darin durch ein Lötmittel 117 angebracht, welches um
das Durchgangsloch 118 aufgebracht worden ist. Dadurch wer
den physikalische und elektrische Verbindungen zwischen dem
zweiten Ende des Zwischenverbindungsanschlusses 110 und dem
Steuerschaltungssubstrat 112 bereitgestellt.
Jedoch erfordert ein derartiges Leistungsmodul nach dem
Stand der Technik, bei welchem das zweite Ende des Zwi
schenverbindungsanschlusses 110 und das Steuerschaltungs
substrat 112 durch das Lötmittel 117 verbunden sind, eine
große Anzahl von Zusammenbauschritten, was zu erhöhten Ko
sten führt. Darüber hinaus ist das Leistungsmodul nach dem
Stand der Technik unökonomisch, da, falls ein Fehler lediglich
in dem Steuerschaltungssubstrat 112 oder dem isolie
renden Substrat 104 auftritt, beide Substrate 112 und 104
aufgegeben werden müssen.
Ein Leistungsmodul gemäß dem Oberbegriff von Anspruch
1 ist aus der deutschen Offenlegungsschrift
Nr. DE 199 55 100 A1 bekannt. Bei einem solchen Lei
stungsmodul ist das zweite Ende des Zwischenverbindungs
anschlusses mit dem Verbindungsstück entfernbar verbun
den. Dadurch ist das zweite Substrat leicht anzubringen
und zu entfernen. Die genannte Druckschrift offenbart
auch ein Leistungsmodul gemäß dem Oberbegriff von An
spruch 5. Insbesondere ist die Leiterstruktur auf der
Hauptoberfläche des Substrats, welche dem ersten Substrat
gegenüberliegt, ausgebildet, wodurch bei dem Leistungsmo
dul im Vergleich mit einem Leistungsmodul, welches ein
Verbindungsstück enthält, die Dicke verringert ist.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein
Leistungsmodul der vorgenannten Art zu schaffen, bei wel
chem das zweite Substrat leicht anzubringen und zu ent
fernen ist, und bei dem, obwohl
kein Lötmittel verwendet
wird, um einen Zwischenverbindungsanschluß und ein Steu
erschaltungssubstrat miteinander zu befestigen, die Stär
ke der Verbindung zwischen dem zweiten Substrat und dem
Zwischenverbindungsanschluß erhöht ist.
Die Lösung der Aufgabe erfolgt durch die Merkmale der
nebengeordneten unabhängigen Ansprüche.
Entsprechend einem ersten Gesichtspunkt der vorliegen
den Erfindung wird ein Leistungsmodul bereitgestellt mit:
einem ersten Substrat, welches ein Leistungsbauelement ent
hält; einem zweiten Substrat, welches gegenüber dem ersten
Substrat liegt und ein Halbleiterbauelement zur Steuerung
des Leistungselements enthält; einem Zwischenverbindungsan
schluss, welcher ein mit dem ersten Substrat elektrisch
verbundenes erstes Ende und ein mit dem zweiten Substrat
elektrisch verbundenes zweites Ende aufweist; und einem Ge
häuse, in welchem das erste Substrat, das zweite Substrat
und der Zwischenverbindungsanschluss angeordnet sind, wobei
das zweite Substrat des weiteren ein Verbindungsstück ent
hält, welches mit dem Halbleiterbauelement elektrisch ver
bunden ist, und wobei das zweite Ende des Zwischenverbin
dungsanschlusses mit dem Verbindungsstück lösbar verbunden
ist. Wenigstens eine Verbindung zwischen dem zweiten Substrat und dem
Zwischenverbindungsanschluß ist mit Harz versiegelt bzw. verschlossen.
Entsprechend einem zweiten Gesichtspunkt der vorliegen
den Erfindung ist vorzugsweise bei dem Leistungsmodul des
ersten Gesichtspunkts ist das Verbindungsstück nahe einem
äußeren Rand des zweiten Substrats angeordnet.
Entsprechend einem dritten Gesichtspunkt der vorliegen
den Erfindung ist vorzugsweise bei dem Leistungsmodul des
ersten oder zweiten Gesichtspunkts das Verbindungsstück auf
einer Hauptoberfläche des zweiten Substrats gebildet und
liegt auf derselben Seite wie das Halbleiterbauelement.
Entsprechend einem vierten Gesichtspunkt der vorliegen
den Erfindung ist vorzugsweise bei dem Leistungsmodul des
ersten, zweiten oder dritten Gesichtspunkts das Verbin
dungsstück auf einer Hauptoberfläche des zweiten Substrats
gebildet, welche dem ersten Substrat gegenüber liegt.
Entsprechend einem fünften Gesichtspunkt der vorliegen
den Erfindung wird ein Leistungmodul bereitgestellt mit:
einem ersten Substrat, welches ein Leistungsbauelement ent
hält; einem zweiten Substrat, welches gegenüber dem ersten
Substrat liegt und ein Halbleiterbauelement zur Steuerung
des Leistungsbauelements enthält; einem Zwischenverbin
dungsanschluss, welcher ein mit dem ersten Substrat elek
trisch verbundenes erstes Ende und ein mit dem zweiten
Substrat elektrisch verbundenes zweites Ende aufweist; und
einem Gehäuse mit einem inneren Raum, in welchem das erste
Substrat, das zweite Substrat und der Zwischenverbindungs
anschluss angeordnet sind, wobei das zweite Ende des Zwi
schenverbindungsanschlusses eine Elastizität aufweist, und
wobei das zweite Substrat des weiteren eine Leiterstruktur
enthält, die auf einer Hauptoberfläche des zweiten
Substrats gebildet ist, welche dem ersten Substrat gegen
überliegt, wobei die Leiterstruktur mit dem Halbleiterbaue
lement elektrisch verbunden ist und sich in Kontakt mit dem
zweiten Ende des Zwischenverbindungsanschlusses befindet.
Das Leistungsmodul enthält des weiteren eine Befestigungs
einrichtung zum lösbaren Befestigen des Gehäuses und des
zweiten Substrats miteinander, wobei das zweite Ende des
Zwischenverbindungsanschlusses auf einen Druck durch die
Leiterstruktur versetzt wird.
Das Gehäuse enthält eine Aufnahmeoberfläche zum Pla
zieren des zweiten Substrats darauf, und die Befestigungs
einrichtung enthält: ein erstes mit Gewinde versehenes
Loch, welches in der Aufnahmeoberfläche gebildet ist; ein
zweites mit einem Gewinde versehenes Loch, welches in dem
zweiten Substrat an einer Position entsprechend dem ersten
mit Gewinde versehenen Loch gebildet ist; und eine Schraube
(23), welche derart gebildet ist, dass sie in die ersten
und zweiten mit Gewinde versehenen Löcher geschraubt wird.
Entsprechend einem sechsten Gesichtspunkt der vorliegen
den Erfindung wird ein Leistungmodul bereitgestellt mit:
einem ersten Substrat, welches ein Leistungsbauelement ent
hält; einem zweiten Substrat, welches gegenüber dem ersten
Substrat liegt und ein Halbleiterbauelement zur Steuerung
des Leistungsbauelements enthält; einem Zwischenverbin
dungsanschluss, welcher ein mit dem ersten Substrat elek
trisch verbundenes erstes Ende und ein mit dem zweiten
Substrat elektrisch verbundenes zweites Ende aufweist; und
einem Gehäuse mit einem inneren Raum, in welchem das erste
Substrat, das zweite Substrat und der Zwischenverbindungs
anschluss angeordnet sind, wobei das zweite Ende des Zwi
schenverbindungsanschlusses eine Elastizität aufweist, und
wobei das zweite Substrat des weiteren eine Leiterstruktur
enthält, die auf einer Hauptoberfläche des zweiten
Substrats gebildet ist, welche dem ersten Substrat gegen
überliegt, wobei die Leiterstruktur mit dem Halbleiterbaue
lement elektrisch verbunden ist und sich in Kontakt mit dem
zweiten Ende des Zwischenverbindungsanschlusses befindet.
Das Leistungsmodul enthält des weiteren eine Befestigungs
einrichtung zum lösbaren Befestigen des Gehäuses und des
zweiten Substrats miteinander, wobei das zweite Ende des
Zwischenverbindungsanschlusses auf einen Druck durch die
Leiterstruktur versetzt wird. Wenigstens eine Verbindung zwischen
dem zweiten Substrat und dem Zwischenverbindungsanschluß ist mit Harz
versiegelt bzw. verschlossen.
Entsprechend einem siebenten Gesichtspunkt der vorlie
genden Erfindung wird ein Leistungsmodul bereitgestellt
mit: einem ersten Substrat, welches ein Leistungbauelement
enthält; einem zweiten Substrat, welches gegenüber dem er
sten Substrat liegt und ein Halbleiterbauelement zur Steue
rung des Leistungsbauelements enthält; einem Zwischenver
bindungsanschluss, welcher ein mit dem ersten Substrat
elektrisch verbundenes erstes Ende und ein mit dem zweiten
Substrat elektrisch verbundenes zweites Ende aufweist; und
einem Gehäuse mit einem inneren Raum, in welchem das erste
Substrat, das zweite Substrat und der Zwischenverbindungs
anschluss angeordnet sind, wobei das zweite Substrat des
weiteren ein Durchgangsloch enthält, welches mit dem Halb
leiterbauelement elektrisch verbunden ist, und wobei das
zweite Ende des Zwischenverbindungsanschlusses in Richtung
der Breite davon Elastizität besitzt und lösbar in das
Durchgangsloch eingepasst ist.
Entsprechend einem achten Gesichtspunkt der vorliegen
den Erfindung enthält bei einem der Leistungsmodule nach
dem ersten bis siebenten Gesichtspunkt das Gehäuse eine Po
sitionierungsstruktur, welche eine Anbringungsposition des
zweiten Substrats in dem Gehäuse definiert.
Entsprechend einem neunten Gesichtspunkt der vorliegen
den Erfindung ist bei einem Leistungsmodul nach dem siebenten
bis achten Gesichtspunkt wenigstens eine Verbindung zwi
schen dem zweiten Substrat und dem Zwischenverbindungsan
schluss mit Harz versiegelt bzw. verschlossen.
Entsprechend dem ersten Gesichtspunkt der vorliegenden
Erfindung
ist das zweite Substrat leicht anzubringen und zu entfer
nen, da das zweite Ende des Zwischenverbindungsan
schlusses mit dem Verbindungsstück entfernbar verbunden
ist. Die Harzversiegelung bzw. der Harzverschluß erhöht die Stärke der Verbindung
zwischen dem zweiten Substrat und dem Zwischenverbindungsanschluß.
Entsprechend dem zweiten Gesichtspunkt der vorliegenden
Erfindung wird das zweite Substrat leicht auf dem zweiten
Ende des Zwischenverbindungsanschlusses angebracht. Darüber
hinaus ist der Betrag der Biegung des zweiten Substrats
verringert, wobei das zweite Substrat an dem zweiten Ende
des Zwischenverbindungsanschlusses angebracht ist. Folglich
kann ein kostengünstiges Material verwendet werden, um das
zweite Substrat zu bilden, wodurch eine Verringerung der
Herstellungskosten erreicht wird.
Entsprechend dem dritten Gesichtspunkt der vorliegenden
Erfindung ist bei dem Leistungsmodul im Vergleich mit einem
Leistungsmodul die Dicke verringert, welches ein Verbin
dungsstück und ein zweites Substrat enthält, die auf unter
schiedlichen Hauptoberflächen gebildet sind.
Entsprechend dem vierten Gesichtspunkt der vorliegenden
Erfindung werden Drücke, welche zur Trennung des Verbin
dungsstücks und des zweiten Substrats voneinander wirken,
nicht auf das zweite Ende des mit dem Verbindungsstück ver
bundenen Zwischenverbindungsanschlusses ausgeübt. Daher
wird verhindert, dass das Verbindungsstück von dem zweiten
Substrat entfernt wird.
Entsprechend dem fünften Gesichtspunkt der vorliegenden
Erfindung ist die Leiterstruktur auf der Hauptoberfläche
des Substrats gebildet, welche dem ersten Substrat gegen
über liegt. Daher ist bei dem Leistungsmodul im Vergleich
mit einem Leistungsmodul, welches ein Verbindungsstück ent
hält, die Dicke verringert. Weiter ist das zweite Substrat leicht anzubringen und zu ent
fernen, da das Gehäuse und das zweite Substrat durch
die Schraube miteinander verbunden sind, welche in die er
sten und zweiten Gewindelöcher geschraubt wird.
Entsprechend dem sechsten Gesichtspunkt der vorliegenden
Erfindung ist die Leiterstruktur auf der Hauptoberfläche
des Substrats gebildet, welche dem ersten Substrat gegen
über liegt. Daher ist bei dem Leistungsmodul im Vergleich
mit einem Leistungsmodul, welches ein Verbindungsstück ent
hält, die Dicke verringert. Die Harzversiegelung bzw. der Harzverschluß
erhöht die Stärke der Verbindung zwischen dem zweiten Substrat und dem Zwischenver
bindungsanschluß.
Entsprechend dem siebenten Gesichtspunkt der vorliegen
den Erfindung wird das Leistungsmodul, welches leicht anzu
bringen und zu entfernen ist, bereitgestellt, bei welchem
der Zwischenverbindungsanschluss und das zweite Substrat
miteinander befestigt sind, ohne dass ein Lötmittel verwen
det wird.
Entsprechend dem achten Gesichtspunkt der vorliegenden
Erfindung ist die Genauigkeit einer Anbringungsposition des
zweiten Substrats in dem Gehäuse erhöht.
Entsprechend dem neunten Gesichtspunkt der vorliegenden
Erfindung erhöht die Harzversiegelung bzw. der Harzver
schluss die Stärke der Verbindung zwischen dem zweiten
Substrat und dem Zwischenverbindungsanschluss.
Die vorliegende Erfindung wird in der nachfolgenden Be
schreibung unter Bezugnahme auf die Zeichnung erläutert.
Fig. 1 zeigt eine Querschnittsansicht einer Struktur
eines Leistungsmoduls einer ersten bevorzugten Ausführungs
form der vorliegenden Erfindung;
Fig. 2 zeigt eine vergrößerte Querschnittsansicht eines
Teils eines Steuerschaltungssubstrats, welches mit einem
Zwischenverbindungsanschluss zu verbinden ist;
Fig. 3 zeigt eine vergrößerte Querschnittsansicht einer
Verbindung zwischen dem Steuerschaltungssubstrat und dem
Zwischenverbindungsanschluss;
Fig. 4 zeigt eine partielle Querschnittsansicht in ei
nem vergrößerten Maßstab einer Struktur des Leistungsmoduls
einer ersten Modifizierung der ersten bevorzugten Ausfüh
rungsform;
Fig. 5 zeigt eine Querschnittsansicht einer Struktur
des Leistungsmoduls einer zweiten Modifizierung der ersten
bevorzugten Ausführungsform;
Fig. 6 zeigt eine Querschnittsansicht einer Struktur
des Steuerschaltungssubstrats in dem Leistungsmodul einer
zweiten bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfin
dung;
Fig. 7 zeigt eine Querschnittsansicht einer Struktur
eines Gehäuses in dem Leistungsmodul der zweiten bevorzug
ten Ausführungsform;
Fig. 8 zeigt eine Querschnittsansicht des Steuerschal
tungssubstrats, welches auf einer Aufnahmeoberfläche des
Gehäuses plaziert und befestigt ist;
Fig. 9 zeigt eine Querschnittsansicht einer Struktur
des Zwischenverbindungsanschlusses in dem Leistungsmodul
einer dritten bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden
Erfindung;
Fig. 10 zeigt eine vergrößerte Querschnittsansicht ei
nes Teils des Steuerschaltungssubstrats, welches an dem
Zwischenverbindungsanschluss in dem Leistungsmodul der
dritten bevorzugten Ausführungsform zu befestigen ist;
Fig. 11 zeigt eine Querschnittsansicht des Zwischenver
bindungsanschlusses von Fig. 9 und das Steuerschaltungs
substrat von Fig. 10, welche miteinander befestigt sind;
Fig. 12 zeigt eine Querschnittsansicht einer Struktur
des Leistungsmoduls einer vierten bevorzugten Ausführungs
form der vorliegenden Erfindung;
Fig. 13 zeigt eine Querschnittsansicht einer anderen
Struktur des Leistungsmoduls der vierten bevorzugten Aus
führungsform;
Fig. 14 zeigt eine Querschnittsansicht einer Struktur
eines Leistungsmoduls entsprechend dem Stand der Technik;
und
Fig. 15 zeigt eine vergrößerte Querschnittsansicht ei
ner Verbindung zwischen einem Zwischenverbindungsanschluss
und einem Steuerschaltungssubstrat in dem Leistungsmodul
entsprechend dem Stand der Technik.
Fig. 1 zeigt eine Querschnittsansicht einer Struktur
eines Leistungsmoduls einer ersten bevorzugten Ausführungs
form der vorliegenden Erfindung. Wie in Fig. 1 dargestellt
enthält das Leistungsmodul der ersten bevorzugten Ausfüh
rungsform ein isolierendes Substrat 4, ein Steuerschal
tungssubstrat 12, Zwischenverbindungsanschlüsse 10 und ein
Gehäuse 9. Das isolierende Substrat 4 enthält eine Keramik
platte 1, eine auf einer ersten Hauptoberfläche der Kera
mikplatte 1 gebildete Metallplatte 2 und eine auf einer
zweiten Hauptoberfläche der Keramikplatte 1 gebildete Me
tallplatte 3. In einer Mehrzahl vorkommende Leistungsbauelemente
6 sind auf der Metallplatte 2 mit einem Lötmittel
5 angebracht. Die in der Mehrzahl vorkommenden Leistungs
bauelemente 6 sind durch Aluminiumdrähte 11 elektrisch mit
einander verbunden. Die Metallplatte 3 befindet sich über
ein dazwischen befindliches Lötmittel 7 in Kontakt mit ei
ner aus Cu oder dergleichen gebildeten Basis- bzw. Sockel
platte 8 und besitzt ein gutes Wärmeabstrahlungsvermögen.
In einer Mehrzahl vorkommende Halbleiterbauelemente 13
zur Steuerung der Leistungsbauelemente 6 sind auf dem Steu
erschaltungssubstrat 12 angebracht. Ein externer Verbin
dungsanschluss 37, welcher mit den Halbleiterbauelementen
13 elektrisch verbunden ist, ist an das Steuerschaltungs
substrat 12 gelötet. Der externe Verbindunganschluss 37 ist
ein Anschluss, welcher ein externes Signal den Halbleiter
bauelementen 13 bereitstellt.
Jeder der Zwischenverbindungsanschlüsse 10 besitzt ein
erstes Ende, welches über Aluminiumdrähte 11 an die Metall
platte 2 oder die Leistungsbauelemente 6 angeschlossen ist,
und ein zweites Ende, welches an das Steuerschaltungs
substrat 12 angeschlossen ist. Die Zwischenverbindungsan
schlüsse 10 sind Anschlüsse, welche ein Steuersignal von
den Halbleiterbauelementen 13 den Leistungsbauelementen 6
bereitstellen.
Das isolierende Substrat 4, das Steuerschaltungs
substrat 12 und die Zwischenverbindungsanschlüsse 6 sind in
dem Gehäuse 9 angeordnet. Ein unterer innerer Raum des Ge
häuses 9 unter dem Steuerschaltungssubstrat 12 ist zur Si
cherstellung einer Isolierung mit Silikongel 14 gefüllt.
Eine Abdeckung 15 ist auf der Spitze des Gehäuses 9 ange
bracht. Hauptelektroden 35, welche einen Hauptstrom der
Leistungsbauelemente 6 nach außen ziehen, sind auf einer
oberen Oberfläche des Gehäuses 9 bereitgestellt und über
Anschlüsse 36 und Aluminiumdrähte elektrisch mit den Lei
stungsbauelementen 6 verbunden.
Fig. 2 zeigt eine vergrößerte Querschnittsansicht eines
Teils des Steuerschaltungssubstrats 12, welches an einen
der Zwischenverbindungsanschlüsse 10 anzuschließen ist. Das
Steuerschaltungssubstrat 12 besitzt ein Durchkontakt- bzw.
Durchgangsloch (through hole) 30. Ein aus Harz gebildetes
Verbindungsstück 16 ist auf einer ersten Hauptoberfläche
des Steuerschaltungssubstrats 12 vorgesehen, um das Durch
kontaktlach 30 zu umgeben. Das Verbindungsstück 16 ist auf
die erste Hauptoberfläche des Steuerschaltungssubstrats 12
nahe dem äußeren Rand davon gebondet. Das Verbindungsstück
16 enthält einen Anschluss 17, welcher ein erstes Ende auf
weist, das auf die zweite Hauptoberfläche des Schaltungs
substrats 12 gelötet und elektrisch mit den Halbleiterbau
elementen 13 verbunden ist, und ein zweites Ende, welches
von einer inneren Randseitenoberfläche des Verbindungs
stücks 16 vorspringt. Das zweite Ende des Anschlusses 17
besitzt eine vorbestimmte Elastizität und ist auf einen
Druck in Richtungen nach links und rechts entsprechend Fig.
2 versetzbar.
Fig. 3 zeigt eine vergrößerte Querschnittsansicht eines
in Fig. 1 dargestellten Gebiets X, d. h. eine Verbindung
zwischen dem Steuerschaltungssubstrat 12 und dem Zwischen
verbindungsanschluss 10. Der Zwischenverbindungsanschluss
10 wird in das Durchkontaktloch 30 und das Verbindungsstück
16 von der Seite der zweiten Hauptoberfläche des Steuer
schaltungssubstrats 12 eingesetzt. Danach drückt der Zwi
schenverbindungsanschluss 10 auf das zweite Ende des An
schlusses 17, um das zweite Ende des Anschlusses 17 in die
linke Richtung entsprechend Fig. 3 zu versetzen. Somit wer
den elektrische und physikalische Verbindungen zwischen dem
Steuerschaltungssubstrat 12 und dem Zwischenverbindungsan
schluss 10 derart bereitgestellt, dass der Zwischenverbin
dungsanschluss 10 zwischen dem zweiten Ende des Anschlusses
17 und der inneren Randseitenoberfläche des Verbindungs
stücks gehalten wird.
Bei dem oben beschriebenen Leistungsmodul der ersten
bevorzugten Ausführungsform bildet das auf dem Steuerschal
tungssubstrat 12 angeordnete Verbindungsstück elektrische
und physikalische Verbindungen zwischen dem Zwischenverbin
dungsanschluss 10 und dem Steuerschaltungssubstrat 12. Da
durch wird die Notwendigkeit aufgehoben ein Lötmittel zur
Verbindung des zweiten Endes des Zwischenverbindungsan
schlusses 10 und des Steuerschaltungssubstrats 12 miteinan
der zu verwenden, wodurch das Leistungsmodul bereitgestellt
wird, bei welchem das Anbringen und Entfernen des Steuer
schaltungssubstrats erleichtert ist.
Darüber hinaus erleichtert das Positionieren des Ver
bindungsstücks 16 nahe dem äußeren Rand des Steuerschal
tungssubstrats 12 das Anbringen des Steuerschaltungs
substrats 12 an dem zweiten Ende des Zwischenverbindungsan
schlusses 10. Des weiteren verringert diese Anordnung den
Biegungs- bzw. Krümmungsbetrag des Steuerschaltungs
substrats 12, wenn eine Last auf dem Verbindungsstück 16
von oben zur Anbringung des Steuerschaltungssubstrats 12
auf dem Zwischenverbindungsanschluss 10 plaziert wird, im
Vergleich mit der Anordnung des Verbindungsstücks 16 nahe
der Mitte des Steuerschaltungssubstrats 12. Folglich kann
ein kostengünstiges Material zur Herstellung des Steuer
schaltungssubstrats 12 verwendet werden, um eine Verringe
rung der Herstellungskosten zu erreichen.
Fig. 4 zeigt eine partielle Querschnittsansicht im ver
größerten Massstab einer Struktur des Leistungsmoduls einer
ersten Modifizierung der ersten bevorzugten Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung. Obwohl das in Fig. 2 und 3
dargestellte Verbindungsstück 16 auf der ersten Hauptober
fläche des Steuerschaltungssubstrats 12 angeordnet ist,
kann das Verbindungsstück 16 auf der zweiten Hauptoberflä
che des Steuerschaltungssubstrats 12 wie in Fig. 4 darge
stellt angeordnet werden. Mit dem zweiten Ende des Zwischenverbindungsanschlusses
10, welches mit dem Verbin
dungsstück 16 verbunden ist, werden Drücke, welche zur
Trennung des Verbindungsstücks 16 und des Steuerschaltungs
substrats 12 an ihrer Verbindung voneinander wirken, nicht
ausgeübt. Daher wird verhindert, dass das Verbindungsstück
16 von dem Steuerschaltungssubstrat 12 entfernt wird. Da
das Steuerschaltungssubstrat 12 gegen die Spitze des Zwi
schenverbindungsanschlusses 10 anstößt, kann des weiteren
eine Position, an welcher das Steuerschaltungssubstrat 12
in dem Gehäuse 9 anzuordnen ist, leichter auf die Höhe des
zweiten Endes des Zwischenverbindungsanschlusses 10 einge
stellt werden. Demgegenüber verringert die Position des
Verbindungsstücks 16 auf der ersten Hauptoberfläche des
Steuerschaltungssubstrats 12 wie in Fig. 2 und 3 darge
stellt die Dicke des Leistungsmoduls, da sowohl das Verbin
dungsstück 16 als auch die Halbleiterbauelemente 13 auf der
ersten Hauptoberfläche des Steuerschaltungssubstrats 12 ge
bildet werden. Sowohl das Verbindungsstück 16 als auch die
Halbleiterbauelemente 13 können auf der zweiten Hauptober
fläche des Steuerschaltungssubstrats 12 angeordnet werden,
wodurch die Dicke des Leistungsmoduls verringert werden
kann, während das Entfernen des Verbindungsstücks 16 von
dem Steuerschaltungssubstrat 12 verhindert wird.
Fig. 5 zeigt eine Querschnittsansicht einer Struktur
des Leistungsmoduls einer zweiten Modifizierung der ersten
bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Das
Gehäuse 9 besitzt einen Positionierungsabschnitt 31, wel
cher eine Aufnahmeoberfläche 32 zur Plazierung des Steuer
schaltungssubstrats 12 darauf definiert. Dadurch wird eine
einfache Struktur bereitgestellt, welche keine anderen
Teile verwendet, um die Genauigkeit einer Anbringungsposi
tion des Steuerschaltungssubstrats 12 zu erhöhen. Des wei
teren kann das Steuerschaltungssubstrat 12 mit der Aufnah
meoberfläche 32 verschraubt werden. Diese zweite Modifizie
rung der ersten bevorzugten Ausführungsform ist anwendbar
auf ein später beschriebenes Leistungsmodul einer dritten
bevorzugten Ausführungsform.
Fig. 6 zeigt eine Querschnittsansicht einer Struktur
des Leistungsmoduls einer zweiten bevorzugten Ausführungs
form der vorliegenden Erfindung. Der externe Verbindungsan
schluss 37 ist in Fig. 6 nicht dargestellt. Die in der
Mehrzahl vorkommenden Halbleiterbauelemente 13 sind auf der
ersten Hauptoberfläche des Steuerschaltungssubstrats 12 an
gebracht. In einer Mehrzahl vorkommende Kontaktflächen 19
(Leiterstrukturen), welche elektrisch mit den Halbleiter
bauelementen 13 verbunden sind, sind auf der zweiten Haupt
oberfläche des Steuerschaltungssubstrats 12 vorgesehen. Das
Steuerschaltungssubstrat 12 besitzt eine Mehrzahl von mit
Gewinde versehenen Löchern 18, welche sich durch das Steu
erschaltungssubstrat 12 zwischen den ersten und zweiten
Hauptoberflächen davon erstrecken und an vorbestimmten
Stellen angeordnet sind.
Fig. 7 zeigt eine Querschnittsansicht einer Struktur
eines Gehäuses 20 in dem Leistungsmodul der zweiten bevor
zugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Die
Hauptelektroden 38 und die Anschlüsse 37 sind in Fig. 7
nicht dargestellt. Das Gehäuse 20 besitzt eine Aufnahme
oberfläche 40 zum Plazieren des in Fig. 6 dargestellten
Steuerschaltungssubstrats 12 darauf. Die Aufnahmeoberfläche
40 besitzt mit Gewinde versehene Löcher 21, welche entspre
chend den mit Gewinde versehenen Löcher 18 jeweils lokali
siert sind, wobei das Steuerschaltungssubstrat 12 auf der
Aufnahmeoberfläche 40 plaziert ist. Zwischenverbindungsan
schlüsse 22, welche jeweils ein erstes Ende für eine elek
trische Verbindung durch die (nicht dargestellten) Alumini
umdrähte 11 mit den (nicht dargestellten) Leistungsbauele
menten 6 oder der (nicht dargestellten) Metallplatte 2 auf
weisen, sind in dem Gehäuse 20 vergraben, und sie besitzen
ein zweites Ende, welche von dem Gehäuse 20 herausragen.
Das zweite Ende von jedem der Zwischenverbindungsanschlüsse
22 besitzt eine vorbestimmte Elastizität und ist in Rich
tungen nach oben und nach unten entsprechend Fig. 7 auf ei
nen Druck versetzbar. Mit dem Steuerschaltungssubstrat 12,
welches nicht auf die Aufnahmeoberfläche 40 plaziert ist,
ist das zweite Ende jedes Zwischenverbindungsanschlusses 22
über der Aufnahmeoberfläche 40 lokalisiert.
Fig. 8 zeigt eine Querschnittsansicht des auf der Auf
nahmeoberfläche 40 des Gehäuses 20 plazierten und befestig
ten Steuerschaltungssubstrats 12. Das Steuerschaltungs
substrat 12 ist auf der Aufnahmeoberfläche 40 plaziert, wo
bei die mit Gewinde versehenen Löchern 18 und die mit Ge
winde versehenen Löcher 21 sich zueinander in Ausrichtung
befinden, und es sind Schrauben 23 in die mit Gewinde ver
sehenen Löcher 18 und 21 von der Seite der ersten Haupt
oberfläche des Steuerschaltungssubstrats 12 geschraubt, um
das Steuerschaltungssubstrat 12 und das Gehäuse 20 mitein
ander zu verbinden. Danach drücken Kontaktflecken 19 auf
das zweite Ende der Zwischenverbindungsanschlüsse 22, um
das zweite Ende der Zwischenverbindungsanschlüsse 22 in die
Richtung nach unten entsprechend Fig. 8 zu versetzen. Somit
stellt die Spannkraft des zweiten Endes der Zwischenverbin
dungsanschlüsse 22, welche in die Richtung nach oben ent
sprechend Fig. 8 wirkt, den elektrischen Kontakt zwischen
dem Kontaktflecken 19 und dem zweiten Ende der Zwischenver
bindungsanschlüsse 22 sicher.
Bei dem Leistungsmodul der zweiten bevorzugten Ausfüh
rungsform wie oben beschrieben sind das Gehäuse 20 und das
Steuerschaltungssubstrat 12 durch Schrauben 23 miteinander
verbunden. Das zweite Ende der Zwischenverbindungsan
schlüsse 22 und die Kontaktflecken 19 sind durch die Spann
kraft des zweiten Endes der Zwischenverbindungsanschlüsse
22 miteinander befestigt, welche durch den Druck versetzt
werden, der durch die Kontaktflecken 19 aufgebracht wird.
Dadurch wird die Notwendigkeit aufgehoben ein Lötmittel zu
verwenden, um das zweite Ende der Zwischenverbindungsan
schlüsse 22 und das Steuerschaltungssubstrat 12 miteinander
zu befestigen, wodurch das Leistungsmodul bereitgestellt
wird, bei welchem die Anbringung und das Entfernen des
zweiten Steuerschaltungssubstrats 12 erleichtert ist.
Das Leistungsmodul der zweiten bevorzugten Ausführungs
form, welches die auf der zweiten Hauptoberfläche des Steu
erschaltungssubstrats 12 gebildeten dünnen Kontaktflecken
19 enthält, ist im Vergleich mit dem Leistungsmodul der er
sten bevorzugten Ausführungsform, welches das Verbindungs
stück 16 enthält, in der Dicke reduziert.
Fig. 9 zeigt eine Querschnittsansicht einer Struktur
eines Zwischenverbindungsanschlusses 24 in dem Leistungsmo
dul einer dritten bevorzugten Ausführungsform der vorlie
genden Erfindung. Der Zwischenverbindungsanschluss 24 be
sitzt ein erstes Ende, welches mit den Leistungsbauelemen
ten 6 oder dergleichen auf die oben beschriebene Weise ver
bunden ist, und ein zweites Ende, welches lediglich in Fig.
9 dargestellt ist. Das zweite Ende des Zwischenverbindungs
anschlusses 24, welches eine Breite W2 besitzt, enthält ein
partiell breiteres Teil 50, welches eine Breite W1 (W1 <
W2) besitzt. Das breitere Teil 50 besitzt ein inneres Loch
25 und ist dementsprechend hohl. Das breitere Teil 50 be
sitzt eine vorbestimmte Elastizität in Richtungen der Brei
te des Zwischenverbindungsanschlusses 24 (oder entsprechend
Fig. 9 in linke und rechte Richtungen) und ist auf einen
Druck in die nach innen gerichtete Richtung des Zwischen
verbindungsanschlusses 24 versetzbar.
Fig. 10 zeigt eine vergrößerte Querschnittsansicht ei
nes Teils des Steuerschaltungssubstrats 12, welches an dem
Zwischenverbindungsanschluss 24 in dem Leistungsmodul der
dritten bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfin
dung zu befestigen ist. Das Steuerschaltungssubstrat 12 be
sitzt ein Durchgangs- bzw. Durchkontaktloch (through hole
26) mit einer Seitenwand, welche mit einem Leiter 27 be
deckt ist, der mit den nicht dargestellten Halbleiterbaue
lementen 13 elektrisch verbunden ist. Das Durchgangsloch 26
besitzt eine Breite W3 (W1 < W3 < W2), wenn der Leiter 27
als Teil des Durchgangslochs 26 angesiedelt wird.
Fig. 11 zeigt eine Querschnittsansicht des Zwischenver
bindungsanschlusses 24 von Fig. 9 und des Steuerschaltungs
substrats 12 von Fig. 10, welche aneinander befestigt sind.
Der Zwischenverbindungsanschluss 24 ist in das Durchgangs
loch 26 von der Seite der zweiten Hauptoberfläche des Steu
erschaltungssubstrats 12 her eingesetzt. Da die Breite W1
des breiteren Teils 50 größer als die Breite W3 des Durch
gangslochs 26 ist, drückt der Leiter 27 das breitere Teil
50 von außen nach innen, um das Loch 25 zu deformieren. So
mit ist das zweite Ende des Zwischenverbindungsanschlusses
24 in den Leiter 27 eingepasst. Die äußere Spannkraft des
breiteren Teils 50 gegen den Druck des Leiters 27 sichert
den elektrischen Kontakt zwischen dem breiteren Teil 50 und
dem Leiter 27.
Bei dem Leistungsmodul der dritten bevorzugten Ausfüh
rungsform wie oben beschrieben sind das zweite Ende des
Zwischenverbindungsanschlusses 25 und das Steuerschaltungs
substrat 12 aneinander durch Einpassen des breiteren Teils
50 des Zwischenverbindungsanschlusses 24 in den Leiter 27,
welcher die Seitenwand des Durchgangslochs 26 bedeckt, an
einander befestigt. Dadurch wird die Notwendigkeit aufgeho
ben ein Lötmittel zu verwenden, um das zweite Ende der Zwi
schenverbindungsanschlüsse 24 und das Steuerschaltungs
substrat 12 aneinander zu befestigen, wodurch das Lei
stungsmodul bereitgestellt wird, bei welchem das Anbringen
und Entfernen des Steuerschaltungssubstrats 12 erleichtert
ist.
Fig. 12 zeigt eine Querschnittsansicht einer Struktur
des Leistungsmoduls einer vierten bevorzugten Ausführungs
form der vorliegenden Erfindung. Das in Fig. 12 darge
stellte Leistungsmodul der vierten bevorzugten Ausführungs
form ist auf der Grundlage des Leistungsmoduls der ersten
bevorzugten Ausführungsform hergestellt, unterscheidet sich
jedoch davon dahingehend, dass ein innerer Raum des Gehäu
ses 9 über dem Silikongel 14 mit Harz 60 wie Epoxidharz ge
füllt ist.
Fig. 13 zeigt eine Querschnittsansicht einer anderen
Struktur des Leistungsmoduls der vierten bevorzugten Aus
führungsform der vorliegenden Erfindung. Das in Fig. 13
dargestellte Leistungsmodul der vierten bevorzugten Ausfüh
rungsform ist auf der Grundlage des Leistungsmoduls der er
sten bevorzugten Ausführungsform hergestellt, unterscheidet
sich davon jedoch dahingehend, dass Verbindungen zwischen
den Zwischenverbindungsanschlüssen 10 und dem Steuerschal
tungssubstrat 12 durch Vergießen oder dergleichen mit Harz
61 versiegelt bzw. verschlossen sind.
Obwohl oben Anwendungen der vorliegenden Erfindung der
vierten bevorzugten Ausführungsform des Leistungsmoduls der
ersten bevorzugten Ausführungsform beschrieben wurden, kann
die vorliegende Erfindung der vierten bevorzugten Ausfüh
rungsform auf Leistungsmodule der zweiten und dritten be
vorzugten Ausführungsform angewandt werden.
Somit versiegelt bzw. verschließt bei den in Fig. 12
und 13 dargestellten Leistungsmodulen der vierten bevorzug
ten Ausführungsform das Harz 60 und 61 wenigstens die Ver
bindungen zwischen den Zwischenverbindungsanschlüssen 10
und dem Steuerschaltungssubstrat 12, um die Stärke der Ver
bindungen zu erhöhen. Dadurch wird ein Bruch in dem Steuerschaltungssubstrat
12 an den Verbindungen und das Entfernen
einer auf dem Steuerschaltungssubstrat 12 gebildeten Schal
tungsstruktur infolge von externen Vibrationen bzw. Schwin
gungen oder externen Stößen verhindert. Folglich besitzt
das Leistungsmodul einen breiteren Bereich von Produktan
wendungen gegenüber externen Vibrationen und dergleichen.
Vorstehend wurde ein Leistungsmodul offenbart. Bei dem
Leistungsmodul wird ein Zwischenverbindungsanschluss (10)
in ein Durchgangsloch (30) und ein Verbindungsstück (16)
eines Steuerschaltungssubstrats (12) von der Seite einer
unteren Hauptoberfläche des Steuerschaltungssubstrats (12)
her eingesetzt. Danach drückt der Zwischenverbindungsan
schluss auf einen Anschluss (17), um den Anschluss (17) zu
versetzen. Somit werden elektrische und physikalische Ver
bindungen zwischen dem Steuerschaltungssubstrat (12) und
dem Zwischenverbindungsanschluss (10) auf eine Weise be
reitgestellt, bei welcher der Zwischenverbindungsanschluss
(10) zwischen dem Anschluss (17) und einer inneren Randsei
tenoberfläche des Verbindungsstücks (16) gehalten wird. Der
Zwischenverbindungsanschluss und das Steuerschaltungs
substrat sind ohne Verwendung eines Lötmittels aneinander
befestigt, wodurch das Leistungsmodul bereitgestellt wird,
welches leicht anzubringen und zu entfernen ist.
Claims (9)
1. Leistungsmodul mit:
einem ersten Substrat (4), welches ein Lei stungsbauelement (6) enthält;
einem zweiten Substrat, welches gegenüber dem ersten Substrat liegt und ein Halbleiterbauelement (13) zur Steuerung des Leistungselements enthält;
einem Zwischenverbindungsanschluss (10), wel cher ein mit dem ersten Substrat elektrisch verbun denes erstes Ende und ein mit dem zweiten Substrat elektrisch verbundenes zweites Ende aufweist; und
einem Gehäuse (9), in welchem das erste Substrat, das zweite Substrat und der Zwischenver bindungsanschluss angeordnet sind,
wobei das zweite Substrat des weiteren ein Ver bindungsstück (16) enthält, welches mit dem Halblei terbauelement elektrisch verbunden ist, und
wobei das zweite Ende des Zwischenverbindungs anschlusses mit dem Verbindungsstück lösbar verbun den ist;
dadurch gekennzeichnet, dass wenigstens eine Verbindung zwischen dem zweiten Substrat und dem Zwischenverbindungsanschluss mit Harz (60, 61) ver siegelt ist.
einem ersten Substrat (4), welches ein Lei stungsbauelement (6) enthält;
einem zweiten Substrat, welches gegenüber dem ersten Substrat liegt und ein Halbleiterbauelement (13) zur Steuerung des Leistungselements enthält;
einem Zwischenverbindungsanschluss (10), wel cher ein mit dem ersten Substrat elektrisch verbun denes erstes Ende und ein mit dem zweiten Substrat elektrisch verbundenes zweites Ende aufweist; und
einem Gehäuse (9), in welchem das erste Substrat, das zweite Substrat und der Zwischenver bindungsanschluss angeordnet sind,
wobei das zweite Substrat des weiteren ein Ver bindungsstück (16) enthält, welches mit dem Halblei terbauelement elektrisch verbunden ist, und
wobei das zweite Ende des Zwischenverbindungs anschlusses mit dem Verbindungsstück lösbar verbun den ist;
dadurch gekennzeichnet, dass wenigstens eine Verbindung zwischen dem zweiten Substrat und dem Zwischenverbindungsanschluss mit Harz (60, 61) ver siegelt ist.
2. Leistungsmodul nach Anspruch 1, dadurch gekennzeich
net, dass das Verbindungsstück nahe einem äußeren
Rand des zweiten Substrats angeordnet ist.
3. Leistungsmodul nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, dass das Verbindungs
stück auf einer Hauptoberfläche des zweiten
Substrats auf derselben Seite wie das Halbleiterbau
element gebildet ist.
4. Leistungselement nach Anspruch 1, dadurch gekenn
zeichnet, dass das Verbindungsstück auf einer Haupt
oberfläche dem ersten Substrat gegenüberliegend ge
bildet ist.
5. Leistungsmodul mit:
einem ersten Substrat, welches ein Leistungs bauelement enthält;
einem zweiten Substrat, welches gegenüber dem ersten Substrat liegt und ein Halbleiterbauelement zur Steuerung des Leistungsbauelements enthält;
einem Zwischenverbindungsanschluss (22), wel cher ein mit dem ersten Substrat elektrisch verbun denes erstes Ende und ein mit dem zweiten Substrat elektrisch verbundenes zweites Ende aufweist; und
einem Gehäuse (20), in welchem das erste Substrat, das zweite Substrat und der Zwischenver bindungsanschluss angeordnet sind,
wobei das zweite Ende des Zwischenverbindungs anschlusses eine Elastizität aufweist, und
wobei das zweite Substrat des weiteren eine Leiterstruktur (19) enthält, die auf einer Haupt oberfläche des zweiten Substrats gebildet ist, wel che dem ersten Substrat gegenüberliegt, wobei die Leiterstruktur mit dem Halbleiterbauelement elektrisch verbunden ist und sich in Kontakt mit dem zweiten Ende des Zwischenverbindungsanschlusses be findet,
wobei das Leistungsmodul des weiteren eine
Befestigungseinrichtung (18, 21, 23) zum lösba ren Befestigen des Gehäuses und des zweiten Substrats miteinander aufweist, wobei das zweite En de des Zwischenverbindungsanschlusses auf einen Druck durch die Leiterstruktur versetzt wird;
dadurch gekennzeichnet, dass
das Gehäuse eine Aufnahmeoberfläche (40) zum Plazieren des zweiten Substrats darauf enthält, und
die Befestigungseinrichtung:
ein erstes mit Gewinde versehenes Loch (21), welches in der Aufnahmeoberfläche gebildet ist;
ein zweites mit einem Gewinde versehenes Loch (18), welches in dem zweiten Substrat an einer Posi tion entsprechend dem ersten mit Gewinde versehenen Loch gebildet ist; und
eine Schraube (23) enthält, welche derart ge bildet ist, dass sie in die ersten und zweiten mit Gewinde versehenen Löcher geschraubt wird.
einem ersten Substrat, welches ein Leistungs bauelement enthält;
einem zweiten Substrat, welches gegenüber dem ersten Substrat liegt und ein Halbleiterbauelement zur Steuerung des Leistungsbauelements enthält;
einem Zwischenverbindungsanschluss (22), wel cher ein mit dem ersten Substrat elektrisch verbun denes erstes Ende und ein mit dem zweiten Substrat elektrisch verbundenes zweites Ende aufweist; und
einem Gehäuse (20), in welchem das erste Substrat, das zweite Substrat und der Zwischenver bindungsanschluss angeordnet sind,
wobei das zweite Ende des Zwischenverbindungs anschlusses eine Elastizität aufweist, und
wobei das zweite Substrat des weiteren eine Leiterstruktur (19) enthält, die auf einer Haupt oberfläche des zweiten Substrats gebildet ist, wel che dem ersten Substrat gegenüberliegt, wobei die Leiterstruktur mit dem Halbleiterbauelement elektrisch verbunden ist und sich in Kontakt mit dem zweiten Ende des Zwischenverbindungsanschlusses be findet,
wobei das Leistungsmodul des weiteren eine
Befestigungseinrichtung (18, 21, 23) zum lösba ren Befestigen des Gehäuses und des zweiten Substrats miteinander aufweist, wobei das zweite En de des Zwischenverbindungsanschlusses auf einen Druck durch die Leiterstruktur versetzt wird;
dadurch gekennzeichnet, dass
das Gehäuse eine Aufnahmeoberfläche (40) zum Plazieren des zweiten Substrats darauf enthält, und
die Befestigungseinrichtung:
ein erstes mit Gewinde versehenes Loch (21), welches in der Aufnahmeoberfläche gebildet ist;
ein zweites mit einem Gewinde versehenes Loch (18), welches in dem zweiten Substrat an einer Posi tion entsprechend dem ersten mit Gewinde versehenen Loch gebildet ist; und
eine Schraube (23) enthält, welche derart ge bildet ist, dass sie in die ersten und zweiten mit Gewinde versehenen Löcher geschraubt wird.
6. Leistungsmodul mit:
einem ersten Substrat, welches ein Leistungs bauelement enthält;
einem zweiten Substrat, welches gegenüber dem ersten Substrat liegt und ein Halbleiterbauelement zur Steuerung des Leistungsbauelements enthält;
einem Zwischenverbindungsanschluss (22), wel cher ein mit dem ersten Substrat elektrisch verbun denes erstes Ende und ein mit dem zweiten Substrat elektrisch verbundenes zweites Ende aufweist; und
einem Gehäuse (20), in welchem das erste Substrat, das zweite Substrat und der Zwischenver bindungsanschluss angeordnet sind,
wobei das zweite Ende des Zwischenverbindungs anschlusses eine Elastizität aufweist, und
wobei das zweite Substrat des weiteren eine Leiterstruktur (19) enthält, die auf einer Haupt oberfläche des zweiten Substrats gebildet ist, wel che dem ersten Substrat gegenüberliegt, wobei die Leiterstruktur mit dem Halbleiterbauelement elek trisch verbunden ist und sich in Kontakt mit dem zweiten Ende des Zwischenverbindungsanschlusses be findet,
wobei das Leistungsmodul des weiteren eine
Befestigungseinrichtung (18, 21, 23) zum lösba ren Befestigen des Gehäuses und des zweiten Substrats miteinander aufweist, wobei das zweite En de des Zwischenverbindungsanschlusses auf einen Druck durch die Leiterstruktur versetzt wird;
dadurch gekennzeichnet, dass wenigstens eine Verbindung zwischen dem zweiten Substrat und dem Zwischenverbindungsanschluss mit Harz (60, 61) ver siegelt ist.
einem ersten Substrat, welches ein Leistungs bauelement enthält;
einem zweiten Substrat, welches gegenüber dem ersten Substrat liegt und ein Halbleiterbauelement zur Steuerung des Leistungsbauelements enthält;
einem Zwischenverbindungsanschluss (22), wel cher ein mit dem ersten Substrat elektrisch verbun denes erstes Ende und ein mit dem zweiten Substrat elektrisch verbundenes zweites Ende aufweist; und
einem Gehäuse (20), in welchem das erste Substrat, das zweite Substrat und der Zwischenver bindungsanschluss angeordnet sind,
wobei das zweite Ende des Zwischenverbindungs anschlusses eine Elastizität aufweist, und
wobei das zweite Substrat des weiteren eine Leiterstruktur (19) enthält, die auf einer Haupt oberfläche des zweiten Substrats gebildet ist, wel che dem ersten Substrat gegenüberliegt, wobei die Leiterstruktur mit dem Halbleiterbauelement elek trisch verbunden ist und sich in Kontakt mit dem zweiten Ende des Zwischenverbindungsanschlusses be findet,
wobei das Leistungsmodul des weiteren eine
Befestigungseinrichtung (18, 21, 23) zum lösba ren Befestigen des Gehäuses und des zweiten Substrats miteinander aufweist, wobei das zweite En de des Zwischenverbindungsanschlusses auf einen Druck durch die Leiterstruktur versetzt wird;
dadurch gekennzeichnet, dass wenigstens eine Verbindung zwischen dem zweiten Substrat und dem Zwischenverbindungsanschluss mit Harz (60, 61) ver siegelt ist.
7. Leistungsmodul mit:
einem ersten Substrat, welches ein Leistungbau element enthält;
einem zweiten Substrat, welches gegenüber dem ersten Substrat liegt und ein Halbleiterbauelement zur Steuerung des Leistungsbauelements enthält;
einem Zwischenverbindungsanschluss (24), wel cher ein mit dem ersten Substrat elektrisch verbun denes erstes Ende und ein mit dem zweiten Substrat elektrisch verbundenes zweites Ende aufweist; und
einem Gehäuse, in welchem das erste Substrat, das zweite Substrat und der Zwischenverbindungsan schluss angeordnet sind,
wobei das zweite Substrat des weiteren ein Durchgangsloch (26) enthält, welches mit dem Halb leiterbauelement elektrisch verbunden ist, und
wobei das zweite Ende des Zwischenverbindungs anschlusses in Richtung der Breite davon Elastizität besitzt und lösbar in das Durchgangsloch eingepasst ist.
einem ersten Substrat, welches ein Leistungbau element enthält;
einem zweiten Substrat, welches gegenüber dem ersten Substrat liegt und ein Halbleiterbauelement zur Steuerung des Leistungsbauelements enthält;
einem Zwischenverbindungsanschluss (24), wel cher ein mit dem ersten Substrat elektrisch verbun denes erstes Ende und ein mit dem zweiten Substrat elektrisch verbundenes zweites Ende aufweist; und
einem Gehäuse, in welchem das erste Substrat, das zweite Substrat und der Zwischenverbindungsan schluss angeordnet sind,
wobei das zweite Substrat des weiteren ein Durchgangsloch (26) enthält, welches mit dem Halb leiterbauelement elektrisch verbunden ist, und
wobei das zweite Ende des Zwischenverbindungs anschlusses in Richtung der Breite davon Elastizität besitzt und lösbar in das Durchgangsloch eingepasst ist.
8. Leistungsmodul nach Anspruch 1 oder 7, dadurch ge
kennzeichnet, dass das Gehäuse eine Positionierungs
struktur (31) enthält, welche eine Anbringungsposi
tion des zweiten Substrats in dem Gehäuse definiert.
9. Leistungsmodul nach Anspruch 7, dadurch gekennzeich
net, dass wenigstens eine Verbindung zwischen dem
zweiten Substrat und dem Zwischenverbindungsan
schluss mit Harz (60, 61) versiegelt ist.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP37343099A JP2001189416A (ja) | 1999-12-28 | 1999-12-28 | パワーモジュール |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE10031678A1 DE10031678A1 (de) | 2001-07-19 |
DE10031678C2 true DE10031678C2 (de) | 2003-06-12 |
Family
ID=18502148
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE10031678A Expired - Fee Related DE10031678C2 (de) | 1999-12-28 | 2000-06-29 | Leistungsmodul |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6421244B1 (de) |
JP (1) | JP2001189416A (de) |
DE (1) | DE10031678C2 (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102005018116A1 (de) * | 2005-04-19 | 2006-11-02 | Infineon Technologies Ag | Mit einem Träger verbundenes Elektronikmodul |
Families Citing this family (74)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4234259B2 (ja) * | 1999-05-14 | 2009-03-04 | 富士通テン株式会社 | 電子機器の組合せ構造 |
JP4044265B2 (ja) * | 2000-05-16 | 2008-02-06 | 三菱電機株式会社 | パワーモジュール |
JP2002058134A (ja) * | 2000-08-09 | 2002-02-22 | Auto Network Gijutsu Kenkyusho:Kk | 電子制御ユニットの搭載構造 |
EP1376695A4 (de) * | 2001-04-02 | 2009-04-29 | Mitsubishi Electric Corp | Leistungs-halbleiterbauelement |
DE10232566B4 (de) * | 2001-07-23 | 2015-11-12 | Fuji Electric Co., Ltd. | Halbleiterbauteil |
US6774465B2 (en) * | 2001-10-05 | 2004-08-10 | Fairchild Korea Semiconductor, Ltd. | Semiconductor power package module |
US6844621B2 (en) * | 2002-08-13 | 2005-01-18 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor device and method of relaxing thermal stress |
JP2004228352A (ja) * | 2003-01-23 | 2004-08-12 | Mitsubishi Electric Corp | 電力半導体装置 |
DE10316355C5 (de) * | 2003-04-10 | 2008-03-06 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Leistungshalbeitermodul mit flexibler äusserer Anschlussbelegung |
US6775145B1 (en) * | 2003-05-14 | 2004-08-10 | Cyntec Co., Ltd. | Construction for high density power module package (case II) |
JP2005039118A (ja) * | 2003-07-17 | 2005-02-10 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
ITTO20030777A1 (it) * | 2003-10-03 | 2005-04-04 | Fiat Ricerche | Unita' di controllo particolarmente per autoveicoli |
DE102004025609B4 (de) * | 2004-05-25 | 2010-12-09 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Anordnung in Schraub- Druckkontaktierung mit einem Leistungshalbleitermodul |
DE102005024900B4 (de) | 2004-06-08 | 2012-08-16 | Fuji Electric Co., Ltd. | Leistungsmodul |
US7119433B2 (en) * | 2004-06-16 | 2006-10-10 | International Business Machines Corporation | Packaging for enhanced thermal and structural performance of electronic chip modules |
US7149088B2 (en) * | 2004-06-18 | 2006-12-12 | International Rectifier Corporation | Half-bridge power module with insert molded heatsinks |
DE102004032371A1 (de) * | 2004-06-30 | 2006-01-26 | Robert Bosch Gmbh | Elektronische Schaltungseinheit |
JP2006253183A (ja) * | 2005-03-08 | 2006-09-21 | Hitachi Ltd | 半導体パワーモジュール |
JP4475160B2 (ja) * | 2005-04-13 | 2010-06-09 | 株式会社デンソー | 電子装置の製造方法 |
WO2007025489A1 (de) * | 2005-08-26 | 2007-03-08 | Siemens Aktiengesellschaft | Leistungshalbleitermodul mit auf schaltungsträger aufgebrachten lastanschlusselementen |
JP4867280B2 (ja) * | 2005-10-18 | 2012-02-01 | 株式会社ジェイテクト | コーティング剤塗布方法 |
JP2007209184A (ja) * | 2006-02-06 | 2007-08-16 | Mitsubishi Electric Corp | 電力変換装置 |
KR101203466B1 (ko) * | 2006-04-20 | 2012-11-21 | 페어차일드코리아반도체 주식회사 | 전력 시스템 모듈 및 그 제조 방법 |
US20070267216A1 (en) * | 2006-05-16 | 2007-11-22 | Li-Wei Kuo | Base of a circuit board with a heat dissipating capability |
JP4365388B2 (ja) * | 2006-06-16 | 2009-11-18 | 株式会社日立製作所 | 半導体パワーモジュールおよびその製法 |
US8007255B2 (en) * | 2006-11-22 | 2011-08-30 | Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. | Inverter-integrated electric compressor with inverter storage box arrangement |
US7532480B1 (en) * | 2006-12-14 | 2009-05-12 | Nvidia Corporation | Power delivery for electronic assemblies |
JP4410242B2 (ja) | 2006-12-27 | 2010-02-03 | 三菱電機株式会社 | 電子制御装置及びその製造方法 |
US7944042B2 (en) * | 2007-03-08 | 2011-05-17 | Fuji Electric Device Technology Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing same |
JP4985116B2 (ja) * | 2007-03-08 | 2012-07-25 | 富士電機株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
KR101489325B1 (ko) * | 2007-03-12 | 2015-02-06 | 페어차일드코리아반도체 주식회사 | 플립-칩 방식의 적층형 파워 모듈 및 그 파워 모듈의제조방법 |
DE102007013186B4 (de) * | 2007-03-15 | 2020-07-02 | Infineon Technologies Ag | Halbleitermodul mit Halbleiterchips und Verfahren zur Herstellung desselben |
JP4934559B2 (ja) * | 2007-09-27 | 2012-05-16 | オンセミコンダクター・トレーディング・リミテッド | 回路装置およびその製造方法 |
TWI402952B (zh) * | 2007-09-27 | 2013-07-21 | Sanyo Electric Co | 電路裝置及其製造方法 |
JP2009081325A (ja) * | 2007-09-27 | 2009-04-16 | Sanyo Electric Co Ltd | 回路装置 |
JP4969388B2 (ja) * | 2007-09-27 | 2012-07-04 | オンセミコンダクター・トレーディング・リミテッド | 回路モジュール |
JP2009130060A (ja) * | 2007-11-21 | 2009-06-11 | Toyota Industries Corp | 放熱装置 |
JP5070014B2 (ja) * | 2007-11-21 | 2012-11-07 | 株式会社豊田自動織機 | 放熱装置 |
JP5065864B2 (ja) * | 2007-11-27 | 2012-11-07 | 京セラ株式会社 | 電力制御モジュール |
JP4523632B2 (ja) * | 2007-12-11 | 2010-08-11 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
US7952879B1 (en) * | 2008-04-15 | 2011-05-31 | Vlt, Inc. | System and apparatus for efficient heat removal from heat-generating electronic modules |
DE102008057831B4 (de) * | 2008-11-19 | 2010-09-16 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Anordnung mit Leistungshalbleitermodul und Treibereinrichtung |
JP5136513B2 (ja) * | 2009-05-15 | 2013-02-06 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置 |
FR2957192B1 (fr) * | 2010-03-03 | 2013-10-25 | Hispano Suiza Sa | Module electronique de puissance pour un actionneur pour aeronef |
US20120057313A1 (en) * | 2010-09-03 | 2012-03-08 | National Semiconductor Corporation | Package for system level electronic products |
EP2625938B1 (de) | 2010-10-04 | 2018-03-21 | BRUSA Elektronik AG | Leistungselektronische fahrzeugkomponente |
EP2625937A1 (de) | 2010-10-04 | 2013-08-14 | Brusa Elektronik AG | Leistungselektronische fahrzeugkomponente |
KR101343140B1 (ko) * | 2010-12-24 | 2013-12-19 | 삼성전기주식회사 | 3d 파워모듈 패키지 |
EP2538761B1 (de) * | 2011-06-20 | 2014-01-29 | STMicroelectronics Srl | Intelligentes Leistungsmodul und zugehöriges Montageverfahren |
EP2816598B1 (de) * | 2012-02-13 | 2020-03-18 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Halbleiterbauelement und verfahren zu seiner herstellung |
US9437508B2 (en) * | 2012-05-15 | 2016-09-06 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device |
CN103515340B (zh) | 2012-06-29 | 2016-09-07 | 三星电机株式会社 | 电源模块封装和用于制造电源模块封装的方法 |
CN103813655A (zh) * | 2012-11-09 | 2014-05-21 | 镇江华扬信息科技有限公司 | 一种提高含焊垫结构的印刷电路板信赖性的制作方法 |
JP6119313B2 (ja) | 2013-03-08 | 2017-04-26 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
JP2015026820A (ja) * | 2013-06-18 | 2015-02-05 | 株式会社デンソー | 電子装置 |
JP2015056614A (ja) * | 2013-09-13 | 2015-03-23 | 株式会社東芝 | 半導体装置部品および半導体装置 |
US10242969B2 (en) * | 2013-11-12 | 2019-03-26 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor package comprising a transistor chip module and a driver chip module and a method for fabricating the same |
JP6246051B2 (ja) * | 2014-04-17 | 2017-12-13 | 三菱電機株式会社 | 電力半導体装置およびその製造方法 |
TWI544868B (zh) * | 2014-07-11 | 2016-08-01 | 台達電子工業股份有限公司 | 散熱模組及其結合方法 |
US9652008B2 (en) * | 2015-04-02 | 2017-05-16 | Det International Holding Limited | Power module |
JP6485257B2 (ja) * | 2015-07-01 | 2019-03-20 | 富士電機株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
CN108352364B (zh) * | 2015-09-01 | 2021-07-13 | 马科技术解决方案控股公司 | 空气腔封装 |
JP6559093B2 (ja) | 2016-05-16 | 2019-08-14 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
DE202016006849U1 (de) * | 2016-11-07 | 2018-02-08 | Liebherr-Elektronik Gmbh | Leistungselektronikmodul |
JP6625044B2 (ja) * | 2016-12-28 | 2019-12-25 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP6770456B2 (ja) * | 2017-02-17 | 2020-10-14 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 電子装置 |
JP6753364B2 (ja) * | 2017-06-21 | 2020-09-09 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
US10199302B1 (en) | 2017-08-07 | 2019-02-05 | Nxp Usa, Inc. | Molded air cavity packages and methods for the production thereof |
FR3084557B1 (fr) * | 2018-07-30 | 2020-07-31 | Safran Electrical & Power | Dispositif de commande electrique |
WO2020153190A1 (ja) * | 2019-01-21 | 2020-07-30 | ローム株式会社 | 半導体モジュールおよびac/dcコンバータユニット |
JP7318238B2 (ja) * | 2019-03-11 | 2023-08-01 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
CN110197824A (zh) * | 2019-06-20 | 2019-09-03 | 深圳市汇川技术股份有限公司 | 智能功率模块封装结构 |
US11469163B2 (en) * | 2019-08-02 | 2022-10-11 | Semiconductor Components Industries, Llc | Low stress asymmetric dual side module |
JP6960984B2 (ja) * | 2019-12-26 | 2021-11-05 | 三菱電機株式会社 | 電子装置及びその絶縁部材 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19955100A1 (de) * | 1999-04-22 | 2000-11-02 | Mitsubishi Electric Corp | On-Board Halbleitereinrichtung |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2656416B2 (ja) * | 1991-12-16 | 1997-09-24 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法、並びに半導体装置に用いられる複合基板および複合基板の製造方法 |
JP2936855B2 (ja) * | 1991-12-26 | 1999-08-23 | 富士電機株式会社 | 電力用半導体装置 |
JP2854757B2 (ja) * | 1992-06-17 | 1999-02-03 | 三菱電機株式会社 | 半導体パワーモジュール |
JPH0645721A (ja) | 1992-07-24 | 1994-02-18 | Sanyo Electric Co Ltd | 混成集積回路装置 |
JPH07115287A (ja) | 1993-10-18 | 1995-05-02 | Sharp Corp | 電子機器の基板取付構造 |
JP3396566B2 (ja) * | 1995-10-25 | 2003-04-14 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
JP3206717B2 (ja) * | 1996-04-02 | 2001-09-10 | 富士電機株式会社 | 電力用半導体モジュール |
US6060772A (en) * | 1997-06-30 | 2000-05-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Power semiconductor module with a plurality of semiconductor chips |
-
1999
- 1999-12-28 JP JP37343099A patent/JP2001189416A/ja active Pending
-
2000
- 2000-05-04 US US09/564,547 patent/US6421244B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2000-06-29 DE DE10031678A patent/DE10031678C2/de not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19955100A1 (de) * | 1999-04-22 | 2000-11-02 | Mitsubishi Electric Corp | On-Board Halbleitereinrichtung |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102005018116A1 (de) * | 2005-04-19 | 2006-11-02 | Infineon Technologies Ag | Mit einem Träger verbundenes Elektronikmodul |
DE102005018116B4 (de) * | 2005-04-19 | 2009-07-02 | Infineon Technologies Ag | Leistungshalbleitermodul |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2001189416A (ja) | 2001-07-10 |
DE10031678A1 (de) | 2001-07-19 |
US6421244B1 (en) | 2002-07-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE10031678C2 (de) | Leistungsmodul | |
DE102014212519B4 (de) | Halbleitervorrichtung | |
DE19921109B4 (de) | Elektronikbauteil und Elektronikkomponente mit einem Keramikbauteilelement | |
EP0069901B1 (de) | Stromrichtermodul | |
DE69637488T2 (de) | Halbleiter und Halbleitermodul | |
DE102006012429B4 (de) | Halbleitervorrichtung | |
EP0931346B1 (de) | Mikroelektronisches bauteil in sandwich-bauweise | |
DE10238037B4 (de) | Halbleitereinrichtung mit Gehäuse und Halterung | |
DE3241508C2 (de) | ||
EP1772902B1 (de) | Leistungshalbleitermodul mit Isolationszwischenlage und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE19625240A1 (de) | Halbleitervorrichtung | |
DE2840514A1 (de) | Leistungssteuergeraet und verfahren zum anbringen desselben | |
DE10232566A1 (de) | Halbleiterbauteil | |
DE102008025705A1 (de) | Halbleitervorrichtung | |
DE10121970A1 (de) | Leistungshalbleitermodul in Druckkontaktierung | |
DE3241509A1 (de) | Leistungstransistor-modul | |
DE102004021054B4 (de) | Halbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE69123298T2 (de) | Leistungshalbleiteranordnung, geeignet zur Automation der Herstellung | |
EP0718886B1 (de) | Leistungshalbleitermodul | |
DE3783076T2 (de) | Auf einer oberflaeche montierter hochlast widerstand. | |
EP1708346A2 (de) | Aktive primärseitige Schaltungsanorndung für ein schaltnetzteil | |
DE19532755C1 (de) | Chipmodul, insbesondere für den Einbau in Chipkarten, und Verfahren zur Herstellung eines derartigen Chipmoduls | |
WO2000074445A1 (de) | Intelligentes leistungsmodul in sandwich-bauweise | |
EP1631988B1 (de) | Leistungshalbleitermodul | |
DE2306288A1 (de) | Traeger fuer integrierte schaltungen |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8125 | Change of the main classification |
Ipc: H01L 23/538 |
|
8304 | Grant after examination procedure | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |