CN1986645B

CN1986645B - 导电聚合物组合物以及含有用其获得的层的电子器件

Info

Publication number: CN1986645B
Application number: CN200610093262.2A
Authority: CN
Inventors: 李泰雨; 柳利烈; 朴钟辰
Original assignee: Samsung Display Co Ltd
Current assignee: Samsung Display Co Ltd
Priority date: 2005-12-19
Filing date: 2006-06-23
Publication date: 2015-04-29
Anticipated expiration: 2026-06-23
Also published as: US7880164B2; CN1986645A; JP2007169593A; KR20070064882A; US20070138483A1; KR101243917B1; JP5285216B2

Abstract

本发明提供一种含有下式(1)的硅氧烷材料和导电聚合物的导电聚合物组合物，以及一种包括采用该导电聚合物组合物形成的层的电子器件，式(1)中A和a与发明中详细描述的相同。包括采用该导电聚合物组合物形成的层的电子器件具有优异的电性质和长寿命。

Description

导电聚合物组合物以及含有用其获得的层的电子器件

技术领域

本申请涉及一种导电聚合物组合物以及一种含有使用该导电聚合物组合物获得的层的电子器件，且更具体地，涉及一种含有硅氧烷材料和导电聚合物的导电聚合物组合物，以及一种含有使用该导电聚合物组合物获得的层的电子器件。使用该导电聚合物组合物获得的层包括一种导电聚合物链的网状结构并且提高了对诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等形成的电极的粘着力。一种包括这样的层的(光-)电子器件具有优异的电和光性质以及较长的寿命。

背景技术

对于各种下一代的电子器件，包括例如，发光器件、光电器件、电致变色器件、电泳器件、有机薄膜晶体管、有机存储器件等，已经进行了深入研究。

在上述列举的电子器件中，发光二极管，其为自发射器件，具有大视角、高对比度以及短的响应时间的优势。发光二极管可分为在其发射层中应用无机化合物的无机发光二极管和在其发射层中应用有机化合物的有机发光二极管(OLED)。OLED与无机发光二极管相比具有更高亮度、更低驱动电压以及更短的响应时间并且能够达到全色显示。由于OLED的这些优势，所以对OLED进行了很多研究。

OLED具有包括阳极、有机发光层以及阴极的叠层结构。OLED可以具有各种结构，其包括如阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、以及阴极的叠层，阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层、和阴极的叠层等。

WO00/65653公开了一种有机薄膜半导体器件，其包括Cu电极、PEDOT-PSS(聚(3，4-亚乙二氧噻吩)-聚(4-苯乙烯磺酸盐)形成的层、发光层以及阴极。

然而，由于在PEDOT中的PSS高吸湿且在空气中能够吸收约25％的湿气，所以由PEDOT-PSS形成的层含有湿气。此外，诸如在合成PEDOT-PSS中使用的催化剂、金属离子(Na离子等)、硫酸盐等副产品可能存在于PEDOT-PSS形成的层中。PSS能通过与电子反应在PEDOT-PSS层中生成硫酸盐。当位于由PEDOT-PSS形成的层的下面的阳极由ITO或IZO形成时，由于PEDOT-PSS的强酸性(约1.8的pH)，所以蚀刻阳极，由此在PEDOT-PSS层中带来诸如铟(In)、锡(S)、锌(Zn)、氧(O)等杂质。换句话说，因为上述原因，由PEDOT-PSS形成的层可能含有杂质和湿气。因此，当这样的杂质和湿气扩散到发光层时，器件的发光效率和寿命会恶化。因此，需要改进这些问题。

发明内容

本发明提供一种含有硅氧烷材料和导电聚合物的导电聚合物组合物，以及一种含有使用该导电聚合物组合物获得的层的电子器件。

根据本发明的一个方面，提供一种含有下式(1)的硅氧烷材料和导电聚合物的导电聚合物组合物：

其中A选自以下基团：C1-C20的烷基、C6-C30的芳基、C1-C20的烷氧基、C7-C30的烷芳基、C7-C30的芳烷基以及-(CH2)n-MZ1Z2Z3；n是0或1-20的整数；M是Si、Ti、Sn或Al；Z1、Z2和Z3的每一个独立地选自以下基团：C1-C20的烷基、C6-C30的芳基、C7-C30的烷芳基、C7-C30的芳烷基、可交联单元、空穴传输单元、电子传输单元以及发射单元；且a是2-1000的整数。

根据本发明的另一方面，提供一种含有使用上述导电聚合物组合物获得的层的电子器件。

由于导电聚合物组合物除含有导电聚合物之外还含有硅氧烷材料，该硅氧烷材料形成导电聚合物链的网状结构且对诸如ITO或IZO的电极材料具有强粘着力，所以包括使用该导电聚合物组合物获得的层的电子器件具有优异的电性质和长寿命。

附图说明

参考随附的附图通过示范性实施例的详细描述，本发明的上述和其它的特征及优点变得更加明显，其中：

图1A-1C说明了根据本发明实施例的电子器件的有机发光器件的结构；

图2是传统的有机发光器件和根据本发明一个实施例的作为电子器件的有机发光器件的电压相对于电流密度的图；

图3是传统的有机发光器件和根据本发明一个实施例的作为电子器件的有机发光器件的电压相对于亮度的图；以及

图4是传统的有机发光器件和根据本发明一个实施例的作为电子器件的有机发光器件的时间相对于亮度的图。

具体实施方式

下面，将详述本发明。

一种根据本发明的导电聚合物组合物包括硅氧烷材料和导电聚合物。该硅氧烷材料形成导电聚合物链的网状结构。因此，导电聚合物链在由导电聚合物组合物形成的层中的移动性受到限制，由此阻止各种杂质(例如来自阳极的杂质)和湿气迁移到其它层。此外，该硅氧烷材料对如ITO、IZO等的各种电极材料有强粘着力。因此，包括使用该导电聚合物组合物获得的层的电子器件的电性质和寿命可以提高。

特别地，根据本发明的导电聚合物组合物包括下式(1)的硅氧烷材料和导电聚合物：

其中A选自以下基团：C1-C20的烷基(例如，C1-C10的烷基)、C6-C30的芳基(例如，C6-C20的芳基)、C1-C20的烷氧基(例如，C1-C10的烷氧基)、C7-C30的烷芳基(例如，C7-C20的烷芳基)、C7-C30的芳烷基(例如，C7-C20的芳烷基)以及-(CH2)n-MZ1Z2Z3；n是0或1-20的整数；M是Si、Ti、Sn或Al；且Z1，Z2，和Z3的每一个独立地选自以下基团：C1-C20的烷基(例如，C1-C10的烷基)、C6-C30的芳基(例如，C6-C20的芳基)、C7-C30的烷芳基(例如，C7-C20的烷芳基)、C7-C30的芳烷基(例如，C7-C20的芳烷基)、可交联单元、空穴传输单元、电子传输单元以及发射单元。换句话说，式(1)的硅氧烷材料包括原子数比为1∶1.5的Si和O，其中如上述的A基团与Si相连。

在式(1)中，a是2-1000的整数。

在式(1)中，可交联单元可以是引起各种交联的任何单元，该交联通过如脱水缩聚合反应等且不限于此。例如，可交联单元可以是但不限制为羟基、C1-C20的烷氧基或卤原子。

在式(1)中，空穴传输单元可以选自如下，但并不限于此：

其中Q1，Q2，Q3，Q4和Q5的每个可以独立地为N，O或S。

在式(1)中，电子传输单元可以选自如下，但并不限于此：

其中Q6，Q7和Q8的每个可独立地为N，O或S。

在式(1)中，发射单元是C6-C30的芳香族环系或C5-C30的杂芳族环系，其包括一个环或稠合或由单键或亚乙烯基键合的至少两个环。

特别地，发射单元的实例包括，但不限制为：

发射单元的至少一部分可包括这样的空穴传输单元或电子传输单元。在这种情况中，发射单元有发光能力和传输空穴或电子的能力。

根据本发明的一个实施方案，式(1)的硅氧烷材料可以有下式(2)。

式(2)的硅氧烷材料是如上述式(1)中a＝8以及A为-(CH2)nMZ1Z2Z3的材料并且具有笼状结构。式(2)中的n，M，Z1，Z2和Z3可以参见上述的与式(1)有关的限定。在式(2)中，八个-(CH2)nMZ1Z2Z3基团可以相同或不同。

特别地，该硅氧烷材料可以有下式(2a)，(2b)和(2c)之一，但不限于此。

本领域的普通技术人员可以理解，式(2)的硅氧烷材料可以采用已知方法合成。

式(1)的硅氧烷材料可以是选自以下的至少一种化合物的水解或缩合产物：式(2)的化合物、式(3)的化合物、式(4)的化合物、式(5)的化合物以及式(6)的化合物。

SiX21X22X23 (6)

式(2)-(6)中，n可以是0或1-20的整数。

式(2)-(6)中，M可以是Si，Ti，Sn或Al。

式(2)-(6)中，Z1，Z2和Z3的每个可独立地选自以下基团：C1-C20的烷基(例如，C1-C10的烷基)、C6-C30的芳基(例如，C6-C20的芳基)、C7-C30的烷芳基(例如，C7-C20的烷芳基)、C7-C30的芳烷基(例如，C7-C20的芳烷基)、可交联单元、空穴传输单元、电子传输单元以及发射单元。八个-(CH2)nMZ1Z2Z3基团可以相同或不同。

式(2)-(6)中，R1和R2的每个可独立地选自以下基团：-CH2(CH2)mSiX1X2X3、-O-SiX4X5X6、交联单元、空穴传输单元、电子传输单元、发射单元、氢、卤原子、C1-C20的烷基以及C6-C30的芳基。在此，R1和R2的至少一个可以是-CH2(CH2)mSiX1X2X3、-O-SiX4X5X6或可交联单元。

式(2)-(6)中，X1，X2，X3，X4，X5，X6，X7，X8，X9，X10，X11，X12，X13，X14，X15，X16，X17，X18，X19，X20，X21，X22和X23的每个独立地选自以下基团：可交联单元、空穴传输单元、电子传输单元、发射单元、氢、卤原子以及C1-C20的烷基。在此，X1，X2和X3的至少一个，X4，X5和X6的至少一个，X7，X8，X9，X10，X11，X12，X13和X14的至少一个，X15，X16，X17，X18，X19和X20的至少一个以及X21，X22和X23的至少一个可以是可交联单元。

式(2)-(6)中，D1是单键或-O-，D2可以是C1-C20的亚烷基、由至少一个卤原子取代的C1-C20的亚烷基、-(CF2)b-O-、由至少一个空穴传输单元、电子传输单元、或发射单元取代的C1-C20的亚烷基或二价空穴传输单元。在此，b是1-20的整数。D3可以是单键、由至少一个卤原子取代的C1-C20的亚烷基或C1-C20的亚烷基。在此，氟可用作为卤原子。

式(2)-(6)中，p可以是3-8的整数。

式(2)-(6)中，m可以是1-10的整数。

式(2)-(6)中，q可以是0或1-10的整数。

式(2)-(6)中，r可以是0或1-10的整数。

式(2)-(6)中，q X10可以相同或不同。

式(2)-(6)中，q X11可以相同或不同。

式(2)-(6)中，r D可以相同或不同。

式(2)-(6)中的可交联单元、空穴传输单元、电子传输单元以及发射单元的定义可参照上面所述。本领域的普通技术人员可以理解，根据化学结构，式(2)-(6)中的可交联单元，空穴传输单元，电子传输单元、以及发射基团可以是单价基团或二价基团。例如，关于式(5)中使用的“二价空穴传输单元”指的是式(5)中的D是二价基团。

烷基、芳基、烷氧基、烷芳基、芳烷基、空穴传输单元、电子传输单元、发射单元等的每个可以是未取代的或由下列基团取代：-F；-Cl；-Br；-CN；-NO2；-OH；未取代的或由-F、-Cl、-Br、-CN、-NO2或-OH取代的C1-C20的烷基；未取代的或由-F、-Cl、-Br、-CN、-NO2或-OH取代的C1-C20 的烷氧基；未取代的或C1-C20的烷基、C1-C20的烷氧基、-F、-Cl、-Br、-CN、-NO2或-OH取代的C6-C30的芳基；未取代的或C1-C20的烷基、C1-C20烷氧基、-F、-Cl、-Br、-CN、-NO2或-OH取代的C2-C30的杂芳基；未取代的或C1-C20的烷基、C1-C20的烷氧基、-F、-Cl、-Br、-CN、-NO2或-OH取代的C5-C20的环烷基；或未取代的或C1-C20的烷基、C1-C20的烷氧基、-F、-Cl、-Br、-CN、-NO2或-OH取代的C5-C30的杂环烷基。

在整个说明书中的式中，烷基的实例包括甲基、乙基、丙基、异丁基、仲丁基、戊基、异戊基、己基等。

在整个说明书中的式中，芳基指的是包括至少一个环的碳环芳香体系，其中两个或多个环以悬垂的方式连接在一起或可稠合在一起。术语“芳基”指得是如苯基、萘基、四氢萘基的芳香基团。

在整个说明书中的式中，烷芳基指的是由上述的至少一个烷基取代的上述芳基。

在整个说明书中的式中，芳烷基指的是其末端由上述芳基取代的上述烷基。

在本发明的实施方案中，式(3)的化合物可以表示为式(3a)，(3b)，(3c)，(3d)，(3e)，(3f)，和(3g)之一，但并不限于此。

在本发明的另一实施方案中，式(4)的化合物可以表示为(4a)，(4b)，(4c)和(4d)之一，但并不限于此。

在本发明的另一实施方案中，式(5)的化合物可以表示为式(5a)，(5b)，(5c)和(5d)之一，但并不限于此。

在本发明的另一实施方案中，式(6)的化合物可以表示为式(6a)和(6b)之一，但并不限于此。

Si(OCH3)4 ..(6a)

SiCH3(OCH3)3 ..(6b)。

如上述，根据本发明的硅氧烷材料可以是式(2)-(6)中的至少一种化合物的水解或缩合产物。硅氧烷材料的水解或缩合反应可以使用各种已知的方法实施。例如，水解或缩合反应可以在有机溶剂中利用酸催化剂或酸催化剂和水实施。

水解或缩合反应中使用的酸或碱催化剂的实例包括但不限制为盐酸、硝酸、苯磺酸、草酸、甲酸、氢氧化钾、氢氧化钠、三乙胺、碳酸氢钠以及嘧啶。

确定水解或缩合反应中使用催化剂的数量以使式(2)-(6)中的至少一种化合物与催化剂的摩尔比为1∶0.000001-1∶10。

确定水解或缩合反应中使用水的数量以使式(2)-(6)中的至少一种化合物与催化剂的摩尔比为1∶1-1∶1000。

水解或缩合反应的反应温度可以是0-200℃，且反应时间可以是0.1-100小时。

水解或缩合反应中使用的有机溶剂的实例包括但不限于：诸如己烷等的脂肪烃溶剂；诸如甲氧基苯、均三甲苯、二甲苯等的芳烃溶剂；诸如甲基异丁基酮、1-甲基-2-吡咯烷酮、丙酮等的酮基溶剂；诸如环己酮、四氢呋喃、二乙醚、异丙醚等的醚基溶剂；诸如乙酸乙酯、乙酸丁酯、丙二醇甲醚乙酸酯等的乙酸酯基溶剂；诸如异丙醇、丁醇等的醇基溶剂；诸如二甲基乙酰胺、二甲基甲酰胺等的酰胺基溶剂；硅基溶剂；及其至少两种的混合物。

上述式(1)的硅氧烷材料的重均分子量可以是500,000或更少，例如，100-10,000。当硅氧烷材料的重均分子量超过500,000时，该硅氧烷材料不容易在导电聚合物组合物中溶解和/分散，且因此难以形成层。

根据本发明的导电聚合物组合物除包括硅氧烷材料之外还包括导电聚合物。任何具有导电性的普通聚合物均可以没有限制地用作导电聚合物。导电聚合物的实例包括聚噻吩、聚苯胺、聚吡咯、聚乙炔、聚次亚乙烯基亚苯基、聚亚苯基、聚芴、聚(亚乙基二氧噻吩)、聚(芳基胺)、其衍生物等。

根据本发明的导电聚合物组合物可以包括重量比为0.01∶99.9-20∶80，例如，0.1∶99.9-10∶90，的式(1)的硅氧烷材料和导电聚合物。当硅氧烷材料的数量太少以至于低于此范围时，形成导电聚合物链网状结构的影响可忽略。当硅氧烷材料的数量太大以至于高于此范围时，采用该组合物形成的层的导电性太低。

根据本发明的导电聚合物组合物还可以包括酸。酸可以包括选自以下的至少一种原子：C、S、N、O、Si、F、Cl和H；和/或选自以下的至少一种官能团：羟基、C1-C20的烷基羟基、C1-C20的烷氧基、C1-C20的烷基、卤原子、氰基、硝基、C6-C30的芳基、C1-C20的烷基氨基、C6-C30的芳氧基、C6-C30的芳氨基、C1-C20的烷基环氧基、乙烯基、C1-C20的烷基巯基、乙酰氧基、硫醇基以及酰亚胺基。

特别地，酸可以包括诸如磺酸、膦酸或羧酸的有机离子，以及诸如H或碱金属离子的反离子。

酸可以与导电聚合物成对，例如，象Pani/DBSA(聚苯胺/十二烷基苯磺酸)、PEDOT/PSS(聚(3，4-亚乙基二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸盐)、Pani/CSA(聚苯胺/樟脑磺酸)、PANI/PSS(聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸盐))、Pani/PAAMPSA(聚苯胺/聚(2-丙稀酰胺-2-甲基-1-丙烷磺酸)等。

根据本发明的导电聚合物组合物还可以包括交联剂。交联剂帮助硅氧烷材料交联导电聚合物链。可以采用任何普通的交联剂。例如，可以采用但不限于环氧交联剂、丙烯酸盐交联剂等。

根据本发明的导电聚合物组合物还可以包括金属纳米颗粒。该金属纳米颗粒进一步提高采用该导电聚合物组合物获得的层的导电性。

该金属纳米颗粒可以是选自以下的至少一种纳米颗粒：Au、Ag、Cu、Pd和Pt纳米颗粒。该金属纳米颗粒可以有5-50nm的平均颗粒直径。当金属纳米颗粒的平均颗粒直径小于5nm时，纳米颗粒容易聚集。当金属纳米颗粒的平均颗粒直径大于50nm时，不能控制层的表面光滑性。

根据本发明的导电聚合物组合物还可以包括无机纳米颗粒。当采用导电聚合物组合物形成层时，无机纳米颗粒分散在层中且使网状结构中的导电聚合物链的网状结构中的导电变得更容易并且增强网状结构。

该无机纳米颗粒可以是SIO2纳米颗粒和TiO2纳米颗粒的至少一种。该无机纳米颗粒有5-50nm的平均直径。当无机纳米颗粒的平均直径小于5nm时，纳米颗粒容易聚集。当无机纳米颗粒的平均直径大于50nm时，很难控制层的表面光滑性。

当采用导电聚合物组合物形成层时，例如，将导电聚合物组合物溶解或分散在预定溶剂中且涂布到预定基底上之后，可以实施干燥和/或热处理。

溶剂使上述导电聚合物组合物具有粘度。可以没有限制地使用任何能溶解或分散导电聚合物组合物的溶剂。溶剂的实例包括但不限制为：水、醇、甲苯、二甲苯、氯苯、氯仿、二氯乙烷、二甲基甲酰胺、二甲基亚砜等。该导电聚合物组合物可以采用如旋涂、浸涂、喷墨印刷、喷嘴印刷等各种已知方法涂布到预定基底上。干燥和/或热处理涂布层，由此完成层的形成。

采用上述导电聚合物组合物获得的层适用于各种电子器件的导电层。电子器件的实例包括但不限制为：有机发光器件、光电器件、电致变色器件、电泳器件、有机薄膜晶体管、有机存储器件等。

特别地，含有采用根据本发明的导电聚合物组合物获得的层的电子器件可以是有机发光器件。通常，有机发光器件具有含有第一电极、第二电极以及在第一电极和第二电极之间的发光层的结构。或者，有机发光器件可以有各种结构，例如，还包括在第一电极和第二电极之间的至少一个选自以下的层的结构：空穴注入层、空穴传输层、空穴阻挡层、电子阻挡层、电子传输层以及电子注入层。当制造有机发光器件时，采用根据本发明的导电聚合物组合物获得的层的有机发光器件可用作为有机发光器件的空穴注入层或空穴传输层。

图1A，1B以及1C示出根据本发明实施方案的作为电子器件的有机发光器件的示意性结构。图1A的有机发光器件具有包括第一电极、空穴注入层、发光层、电子传输层、电子注入层以及第二电极的结构。图1B的有机发光器件具有包括第一电极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层以及第二电极的结构。图1C的有机发光器件具有包括第一电极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层以及第二电极的结构。有机发光器件可以有其它各种结构，例如，包括第一电极、空穴注入层、发光层及第二电极的结构。

根据本发明的有机发光器件的发光层可以含有红色、绿色、蓝色或白色的磷光或荧光掺杂剂。磷光掺杂剂可以是选自Ir、Pt、Os、Ti、Zr、Hf、Eu、Tb和Tm的至少一种有机金属化合物。

在下文中，参见图1C所示的有机发光器件，将描述根据本发明的制造有机发光器件的方法。

首先，由沉积，溅射等使第一电极材料在基底上形成第一电极。第一电极可以是阳极。可采用有机发光器件中任何通用的基底。例如，可以采用机械强度高的、热稳定的、透明的、容易处理的且高防水的玻璃基底以及具有优异的表面平整度的或透明的塑料基底。第一电极材料的实例包括氧化铟锡(ITO)，氧化铟锌(IZO)，氧化锡(SnO2)，氧化锌(ZnO)等，其是透明的且具有优异的导电性。

然后，采用如真空沉积、旋涂、喷墨印刷、喷嘴印刷、喷雾印刷、有机蒸气喷涂、有机气相沉积、流延、LB等各种方法在第一电极上形成空穴注入层(HIL)。

当采用真空沉积形成空穴注入层(HIL)时，沉积条件可以依据用作空穴注入层材料的化合物、空穴注入层的结构或热性质等而变化。通常，沉积温度为100-500℃，真空度为10^-8或10^-3托，且沉积率可以为0.01-100

/秒。

当采用旋涂形成空穴注入层(HIL)时，涂布条件可以依据用作空穴注入层材料的化合物、空穴注入层的结构或热性质等而变化。通常，涂布速度可以是2000-5000rpm，且在涂布后实施热处理以除去溶剂的温度可以为80-200℃。

采用根据上述本发明的导电聚合物组合物可以形成空穴注入层。作为选择，空穴注入层材料的实例包括但不限制为：酞菁化合物、诸如美国专利4,356,429中公开的铜酞菁等、Advanced Material 6，p.677(1994)中公开的星射型胺衍生物、诸如TCTA、m-MTDATA以及m-MTDAPB、Pani/DBSA(聚苯胺/十二烷基苯磺酸)、PEDOT/PSS(聚(3，4-亚乙基二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸盐)、Baytron P系列产品(H.C.Starck GmBH Co.)、Pani/CSA(聚苯胺/樟脑磺酸)、PANI/PSS((聚苯胺)/聚(4-苯乙烯磺酸盐))、Pani/PAAMPSA(聚苯胺/聚(2-丙烯酰胺-2-甲基-1-丙烷磺酸)等。

空穴注入层的厚度可以为50-10000

，例如，100-1000 。当空穴注入层的厚度小于50

时，空穴注入性质将恶化。当空穴注入层厚度超过10000 时，驱动电压升高。

然后，空穴传输层(HTL)可以采用如真空沉积、旋涂、喷墨印刷、喷嘴印刷、喷雾印刷、有机蒸汽喷印、有机气相沉积、流延、LB等各种方法形成在空穴注入层上。当采用真空沉积或旋涂形成空穴传输层(HTL)时，沉积条件和涂布条件可以依据用作空穴传输层(HTL)材料的化合物而变化。然而，通常，以和用于形成空穴注入层(HIL)的相同的范围确定沉积条件和涂布条件。

空穴传输层(HLT)可以采用根据上述本发明的导电聚合物组合物形成。作为选择，空穴传输层(HLT)材料的实例包括但不限制为：普通的空穴传输材料，例如，咔唑衍生物、N-苯基咔唑、聚乙烯咔唑等，具有芳香稠环的普通的胺衍生物，例如N，N′-双(3-甲基苯基)-N，N′-二苯基-[1，1-联苯基]-4，4′-二胺(TPD)，N，N′-二(萘-1-基)-N，N′-二苯基联苯胺(a-NPD)等，PEDOT/PSS(例如，H C.Starck GmbH Co.的Baytron P系列产品)。

空穴传输层的厚度可以为50-1000

，例如，100-600

。当空穴传输层的厚度小于50

时，空穴传输层性能降低。当空穴传输层的厚度超1000

时，驱动电压升高。

然后，采用真空沉积、旋涂、喷墨印刷、喷嘴印刷、流延、LB等在空穴传输层(HTL)上形成发光层(EML)。当采用真空沉积或旋涂形成发光层(EML)时，沉积条件和涂布条件可以依据用作发光层(EML)材料的化合物变化。然而，通常，以和用于形成空穴注入层(HIL)相同的范围确定沉积条件和涂布条件。

发光层(EML)可采用已知的发光层(EML)材料形成。发光层(EML)材料的实例包括但不限制为：聚芴聚合物、聚亚苯基聚合物、聚亚苯基亚乙烯基聚合物、聚噻吩聚合物、聚喹啉聚合物、聚吡咯聚合物、聚乙炔聚合物、螺芴聚合物(例如，包括具有螺蒽结构的茚并芴重复单元的螺芴聚合物)、环戊菲聚合物、具有一个吲哚咔唑单元或吩噁嗪单元的聚亚芳基聚合物、它们的衍生物，其可以两种或多种结合使用。除了聚合物外，低分子材料或低聚物可用于发光层。可采用基质和掺杂剂的组合物。基质的实例包括但不限制为：Alq3、CBP(4，4’-N，N′-二咔唑基-联苯)、PVK(聚(n-乙烯基咔唑))、mCP(N，N′-二咔唑基-3，5-苯)等。荧光掺杂剂的实例包括可从Idemitsu Co.得到的IDE102、IDE105，可从Hayashibara Co.得到的C545T等。磷光掺杂剂的实例包括但不限制为UDC Co.的红色磷光掺杂剂PtOEP、RD 61、绿色磷光掺杂剂Ir(PPy)3(PPy＝2-phenylpyridine，2-苯基吡啶)、绿色磷光掺杂剂F2Irpic等。

在韩国专利公开2005-0077367，2005-0056001，2005-0032691，2004-0056662，及2003-0097658和美国专利US 6,900,285，US 6,605,373，US5,728,801等中公开了用于发光层(EML)的材料的其它实例，在此其全部引入作为参考。

掺杂剂的数量并不特定地限制，但是可以是基于100重量份基质的0.01-15重量份。

发光层的厚度可以为100-3000 ，例如，200-1000

。当发光层的厚度小于100

时，发光性质降低。当发光层的厚度超过3000 时，驱动电压升高。

当磷光掺杂剂用于发光层(EML)时，为了阻止三重态激子或空穴扩散到电子传输层(ETL)，采用真空沉积、旋涂、喷墨印刷、喷嘴印刷、喷雾印刷、有机蒸汽喷印、有机气相沉积、流延、LB等在发光层(EML)上形成空穴阻挡层(HBL)。当采用真空沉积或旋涂形成空穴阻挡层(HBL)时，沉积条件和涂布条件可以依据用作空穴阻挡层(HBL)的材料的化合物变化。然而，通常，以和用于形成空穴注入层(HIL)的相同的范围确定沉积条件和涂布条件。能用于空穴阻挡层(HBL)材料的实例包括，例如，噁二唑衍生物、三唑衍生物、菲咯啉衍生物、BCP等。

空穴阻挡层(HBL)的厚度可以为50-1000

，例如，100-300 。当空穴阻挡层(HBL)的厚度小于50 时，空穴阻挡性质将恶化，当空穴阻挡层(HBL)的厚度超过1000

时，驱动电压升高。

然后，采用各种方法形成电子传输层(ETL)，例如，真空沉积、旋涂、喷墨印刷、喷嘴印刷、喷雾印刷、有机蒸汽喷印、有机气相沉积、流延等。当采用真空沉积或旋涂形成电子传输层(ETL)时，沉积条件和涂布条件可以依据用作电子传输层(ETL)材料的化合物变化。然而，通常，以和用于形成空穴注入层(HIL)的相同的范围确定沉积条件和涂布条件。任何能够稳定地传输从电子注入电极(阴极)注入的电子的普通材料，例如，三(8-喹啉醇)铝(Alq3)，TAZ，Balq等可用于电子传输层(ETL)。

电子传输层(ETL)的厚度可以为100-1000

，例如，200-500

。当电子传输层(ETL)的厚度小于100

时，电子传输性质将恶化。当电子传输层(ETL)的厚度超过1000

时，驱动电压升高。

此外，使电子容易地从阴极注入的电子注入层(EIL)可以形成在电子传输层(ETL)上。可以采用任何已知的电子注入层(EIL)材料，例如，LiF，NaCl，CsF，Li2O BaO等。可以形成电子注入层(EIL)，例如，真空沉积。沉积条件可以依据用作电子注入层(EIL)材料的化合物而变化。沉积速度可以是0.01-1

/s，例如，0.1-0.5

/s。当沉积速度小于0.01 /s时，不能保证精确的厚度，且沉积时间增加。当沉积速度超过1 /s，很难控制电子注入层(EIL)的厚度。

电子注入层(EIL)的厚度可以为1-500

，例如，5-50

。当电子注入层(EIL)的厚度小于1

时，电子注入性质将恶化。当电子注入层(EIL)的厚度超过500

时，驱动电压升高。

最后，采用真空沉积、溅射等在电子注入层(EIL)上形成第二电极。第二电极可用作阳极。第二电极材料的实例包括具有低功函的金属、该金属的合金、导电化合物、其组合物等。第二电极材料的实例包括但不限制地为：锂(Li)，镁(Mg)，钡(Ba)，铝(Al)，铝-锂(Al-Li)，铝-钡(Al-Ba)，钙(Ca)，镁-铟(Mg-In)，镁-银(Mg-Ag)等。第二电极可以有单层结构、多层结构或其它各种结构。在前端发射型发光器件中，可使用ITO，IZO等形成的透射阴极。

下文中，参照随后的实施例将更详细地描述本发明。随后的实施例仅用于解释目的且并不限制本发明的范围。

实施例

合成实施例1：式2a的化合物A的合成

7.194mmol(10.0g)的八(氯代甲硅烷基乙基)-POSS(多面体低聚倍半硅氧烷)用500mL的四氢呋喃稀释之后，加入63.310mmol(6.41g)的三乙胺。然后，将反应温度降到-78℃，缓慢加入63.310mmol(2.03g)的甲醇，且反应温度缓慢升到室温。在室温下反应20小时后，通过硅藻土过滤器将反应产品过滤，且在约0.1托的减压下除去挥发性物质。将100mL的戊烷加入到产品中，搅拌1小时，并且通过硅藻土(Celite)过滤器过滤获得无色、清澈的溶液。在约0.1托的减压下从溶液中除去戊烷获得式(2a)的化合物。将合成的化合物溶解在CDCl3中并且用NMR分析。结果如下：

1H NMR(300MHz)数据；δ0.11(s，48H，8×[CH3]2)，0.54～0.68(m，32H，8×CH2CH2-)，3.43(s，24H，8×OCH3-).

式(2a)的化合物称为化合物A。

合成实施例2：式(3a)化合物B的合成

将溶解在二甲苯溶液中的29.014mmol(10.0g)的2，4，6，8-四甲基-2，4，6，8-四乙烯基环四硅氧烷和0.164g的铂(0)-1，3-二乙烯基1-1，1，3，3-四甲基二硅氧烷络合物投入到烧瓶中并且用300mL的二乙醚稀释。将烧瓶的温度降到-78℃，缓慢加入127.66mmol(17.29g)的三氯硅烷，且反应温度缓慢升到室温。在室温下反应20小时后，在约0.1托的减压下除去挥发性物质。将100mL戊烷加入到产品中，搅拌1小时，且通过硅藻土过滤器过滤获得溶液。在约0.1托的减压下从溶液中除去戊烷获得下式的液体化合物。

用500mL的四氢呋喃稀释11.28mmol(10.0g)的该液体化合物，且加入136.71mmol(13.83g)的三乙胺。随后，将反应温度降到-78℃，缓慢加入136.71mmol(4.38g)的甲醇，且反应温度缓慢升到室温。在室温下反应15小时后，通过硅藻土过滤器过滤反应产品，且在约0.1托的减压下除去挥发性物质。将100mL的戊烷加入到产品中，搅拌1小时，且通过硅藻土过滤器过滤获得无色、清澈的溶液。在约0.1托的减压下从溶液中除去戊烷获得下式(3a)的化合物。

将式(3a)的化合物溶解在CDCl3中并且用NMR分析。结果如下：

1H-NMR(300MHz)：δ0.09(s，12H，4×-CH3)、0.52～0.64(m，16H，4×-CH2CH2-)、3.58(s，36H，4×-[OCH3]3).

式(3a)的化合物称为化合物B。

合成实施例3：式(4a)的化合物的合成

将249.208mmol(10.0g)的1，3-二氯四甲基二硅氧烷投入烧瓶中并用500mL的四氢呋喃稀释。将烧瓶的温度降到-78℃，加入108.212mmol(10.95g)的三乙胺，缓慢加入107.990mmol(3.46g)的甲醇，且反应温度缓慢的升到室温。在室温下反应15小时，通过硅藻土过滤器过滤反应产品，且在约0.1托的减压下除去挥发性物质。将100mL的己烷加入到产品中，搅拌1小时，且通过硅藻土过滤器过滤获得溶液。在约0.1托的减压下从溶液中除去己烷。对得到的无色液体进行简单蒸馏获得下式(4a)的无色液体形式的化合物。

将式(4a)的化合物溶解在CDCl3中并且用NMR分析。结果如下：

1H NMR(300MHz)数据；δ0.068(s，12H，4×-CH3)，3.45(s，6H，2×-OCH3).

式(4a)的化合物称为化合物C。

合成实施例4：硅氧烷材料的合成(I)

如下面表1所述称量合成实施例1中获得的具有笼状结构的式(2a)的化合物A，合成实施例2中获得的具有环状结构的式(3a)的化合物B，合成实施例3中获得的具有线型结构的式(4a)的化合物C，四甲氧基硅烷(可从Aldrich Co.获得，称为式(6a)的“化合物D”))，以及甲基三甲氧基硅烷(可从Aldrich Co.获得，称为式(6b)的“化合物E”)的至少一种且分别投入8个烧瓶中。将化合物数量的15倍的四氢呋喃投入每个烧瓶中，将烧瓶的内部温度降到-78℃，将预定量的HCl和水投入到每个-78℃的烧瓶中，且缓慢地将烧瓶的温度升到70℃。反应在70℃下进行20小时后，将每个烧瓶中的反应溶液转移到分液漏斗中，加入与最初加入的四氢呋喃等量的二乙醚和四氢呋喃，随后用溶剂总量的1/10的水洗三次。在减压下除去挥发性物质获得白色粉末状聚合物。将通过上述工艺获得的聚合物溶解在少量的丙酮中获得清澈溶液。通过具有0.2μm孔径的过滤器过滤得到的溶液以除去细粉或其它外部物质且仅保留清澈液体组分。将水缓慢加入到该液体组分中。将生成的白色粉末与液体组分(丙酮和水的混合物)分开且在0-20℃和0.1托减压下干燥10小时，由此形成1-8的硅氧烷材料。表1示出用于合成硅氧烷材料1-8的化合物、酸催化剂和水的数量以及硅氧烷材料的数量。

表1

下表2示出每种硅氧烷材料1-8的分子量、Si-OH含量、Si-OCH3含量以及Si-CH3含量。

表2

硅氧烷材料No.	分子量 (MW)	分子量分布(MWD)	Si-OH(％)	Si-OCH3( ％)	Si-CH3(％)
						1	60800	6.14	35.0	1.2	63.8
2	25300	3.21	35.0	1.5	63.5
						3	45120	5.12	28.6	0.7	70.7
4	48920	6.30	18.5	1.5	80.0
						5	4020	2.77	39.8	0.5	59.7
6	63418	6.13	26.3	0.7	73.0
						7	60452	8.70	17.2	0.8	82.0
8	54213	7.86	21.6	2.0	76.4

※MW采用凝胶渗透色谱法(Waters Co.)分析。

※Si-OH含量，Si-OCH3含量以及Si-CH3含量采用NMR(Bruker Co)分析且采用下面等式计算。

Si-OH(％)＝面积(Si-OH)÷面积(Si-OH)+面积(Si-OCH3)/3+面积(Si-CH3)/3]×100，

Si-OCH3(％)＝面积(Si-OCH3)/3÷面积(Si-OH)+面积(Si-OCH3)/3+面积(Si-CH3)/3]×100，

Si-CH3(％)＝面积(Si-CH3)/3÷[面积(Si-OH)+面积(Si-OCH3)/3+面积(Si-CH3)/3]×100。

合成实施例5：式(2b)的化合物(硅氧烷材料9)的合成(II)

中间体B的合成

根据下面的反应示意图1合成中间体B。

反应示意图(1)

将1g(1.57mmol)的八乙烯基倍半硅氧烷(POSS)和0.164g的络合物A，铂(0)-1，3-二乙烯基-1，1，3，3-四甲基二硅氧烷络合物(二甲苯中的溶液)投入到烧瓶中且用300mL的二乙醚稀释。接下来，将烧瓶温度降到-78℃，缓慢加入6当量的中间体A，且反应温度缓慢升到室温。使反应在室温下进行20小时后，在约0.1托的减压下除去挥发性物质。加入100mL的戊烷，搅拌1小时，且通过硅藻土过滤器过滤获得溶液。在约0.1托的减压下从溶液中除去戊烷获得中间体B。

式(2b)的化合物的合成

反应示意图(2)

将中间体B和0.164g的络合物A，铂(0)-1，3-二乙烯基1-1，1，3，3-四甲基二硅氧烷络合物(二甲苯中的溶液)投入到烧瓶中并用300mL二乙醚稀释。接下来，将烧瓶的温度降到-78℃，缓慢加入2当量的三氯硅烷(SiHCl3)，且反应温度缓慢升到室温。反应在室温下进行20小时后，在约0.1托的减压下除去挥发性物质。加入100mL的戊烷，搅拌1小时，且通过硅藻土过滤器过滤获得溶液。在约0.1托的减压下从溶液中除去戊烷。得到的化合物用100mL的THF溶解，将三乙胺加入到溶液中，将10当量的乙醇缓慢加入到溶液中，且室温下反应10小时。通过硅藻土过滤器过滤反应产品以获得溶液。在约0.1托的减压下从溶液中除去溶剂以获得式(2b)的化合物。式(2b)的化合物采用NMR分析。结果如下：

1H-NMR(300MHz，CDCl3)d(ppm)0.1(Si-(CH3)2)，0.4(POSS-CH2CH2Si)，0.54(POSS-CH2CH2Si)，1.06(Si-OCH2CH3)，3.67(Si-OCH2CH3)，6.8-7.08(N-Phenyl)

式(2b)的化合物称为硅氧烷材料9。

实施例1

制造一种包括空穴注入层的有机发光器件，该空穴注入层使用含有作为导电聚合物和酸的PEDOT-PSS(聚(3，4-亚乙基二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸盐))导电聚合物组合物以及合成实施例4中获得的硅氧烷材料1获得。该有机发光器件具有IZO/PEDOT-PSS+硅氧烷材料1(500

)/DowGreen K2(Lumation1300)(800 )/Ba(50

)Al(1500

)的结构。

阳极由下面方式制成：将IZO玻璃基底(15Ω/cm2，1000 )切割成50mmx50mmx0.7mm的尺寸，在丙酮异丙醇中超声所切割的基底然后将每个放入纯水中15分钟，且用UV-臭氧洗30分钟。将作为导电聚合物和酸的PEDOT-PSS，其产品名为Baytron P ETV2(可从H C.Starch，and GmbH Co.获得，具有PEDOT和PSS重量比为1∶16的水和乙醇的混合溶液)，以及硅氧烷材料1溶解在二甲基甲酰胺(DMF)中以制备导电聚合物组合物。PEDOT-PSS和硅氧烷材料1的重量比为97∶3。该导电聚合物组合物以2000rpm旋涂到基底上且在200℃的空气中热处理5分钟以形成具有500

厚度的空穴注入层。将溶解在甲苯中的1.2Wt％的DowGreen K2(available fromDow Chemical Co.，产品名：Lumation 1300)以2000rpm旋涂到空穴注入层上作为绿色发光材料且在100℃下热处理15分钟以形成具有800

厚度的发光层。接下来，在发光层上分别依次沉积50

的Ba和1500

的Al以形成阴极，由此得到一种有机发光器件。该有机发光器件称为样品1。

实施例2

除了采用在合成实施例4中获得的硅氧烷材料2代替硅氧烷材料1之外，以与实施例1相同的方式制造一种具有IZO/PEDOT-PSS+硅氧烷材料2(500

)/DowGreen K2(Lumation 1300)(800

)/Ba(50

)Al(1500

)结构的有机发光器件。这种有机发光器件称为样品2。

实施例3

除了采用在合成实施例4中获得的硅氧烷材料3代替硅氧烷材料1之外，以与实施例1相同的方式制造一种具有IZO/PEDOT-PSS+硅氧烷材料3(500

)/DowGreen K2(Lumation 1300)(800

)/Ba(50

)Al(1500

)结构的有机发光器件。这种有机发光器件称为样品3。

实施例4

除了采用在合成实施例4中获得的硅氧烷材料4代替硅氧烷材料1之外，以与实施例1相同的方式制造一种具有IZO/PEDOT-PSS+硅氧烷材料4(500

)/DowGreen K2(Lumation 1300)(800

)/Ba(50

)Al(1500

)结构的有机发光器件。这种有机发光器件称为样品4。

实施例5

除了采用在合成实施例4中获得的硅氧烷材料5代替硅氧烷材料1之外，以与实施例1相同的方式制造一种具有IZO/PEDOT-PSS+硅氧烷材料5(500

)/DowGreen K2(Lumation 1300)(800

)/Ba(50

)Al(1500

)结构的有机发光器件。这种有机发光器件称为样品5。

实施例6

除了采用在合成实施例4中获得的硅氧烷材料6代替硅氧烷材料1之外，以与实施例1相同的方式制造一种具有IZO/PEDOT-PSS+硅氧烷材料6(500

)/DowGreen K2(Lumation 1300)(800

)/Ba(50

)Al(1500

)结构的有机发光器件。这种有机发光器件称为样品6。

实施例7

除了采用在合成实施例4中获得的硅氧烷材料7代替硅氧烷材料1之外，以与实施例1相同的方式制造一种具有IZO/PEDOT-PSS+硅氧烷材料7(500

)/DowGreen K2(Lumation 1300)(800

)/Ba(50

)Al(1500

)结构的有机发光器件。这种有机发光器件称为样品7。

实施例8

除了采用在合成实施例4中获得的硅氧烷材料8代替硅氧烷材料1之外，以与实施例1相同的方式制造一种具有IZO/PEDOT-PSS+硅氧烷材料8(500

)/DowGreen K2(Lumation 1300)(800

)/Ba(50

)Al(1500 )结构的有机发光器件。这种有机发光器件称为样品8。

实施例9

除了采用在合成实施例4中获得的硅氧烷材料9代替硅氧烷材料1之外，以与实施例1相同的方式制造一种具有IZO/PEDOT-PSS+硅氧烷材料9(500

)/DowGreen K2(Lumation 1300)(800

)/Ba(50

)Al(1500

)结构的有机发光器件。这种有机发光器件称为样品9。

对比实施例1

除了不形成空穴注入层外，以与实施例1相同的方式制造一种具有IZO/DowGreen K2(Lumation 1300)(800

)/Ba(50

)Al(1500

)结构的有机发光器件。这种有机发光器件称为对比样品A。

对比实施例2

除了仅采用PEDOT-PSS形成空穴注入层外，以与实施例1相同的方式制造一种具有IZO/PEDOT-PSS(500

)/DowGreen K2(Lumation1300)(800

)/Ba(50

)Al(1500 )结构的有机发光器件。这种有机发光器件称为对比样品B。

评估实施例

采用Keithley Source Measurment Unit 238和PR650(Spectroscan)SourceMeasurement Unit测量样品1-9和对比样品A和B的接通电压、色纯度、亮度、以及最大发光效率，且采用McScience Lifetime Tester Polaronix

M6000测量每个样品的寿命。结果如表3所示。在6V下测量亮度(cd/m2)，以1000cd/m2读取CIE色品度坐标，且测量的寿命为从最初的1000cd/m2的亮度降低到一半亮度时花费的时间。在图2到4中示出样品9、A以及B的电压-电流密度图、电压-亮度(cd/m2)图以及时间-亮度(％)图。

表3

样品No.	接通电压(V)	CIE坐标 (1000cd/m²)	6V的亮度 (cd/m²)	最大效率 (cd/A)	1000cd/m²的寿命(h)
						样品1	2.2	0.40，0.57	3008	15.6	119
样品2	2.2	0.40，0.57	3050	16.0	109

样品3	2.2	0.40，0.57	2950	15.3	110
						样品4	2.2	0.40，0.57	2790	14.8	105
样品5	2.2	0.40，0.57	2890	15.1	101
						样品6	2.2	0.40，0.57	2790	14.9	108
样品7	2.2	0.40，0.57	2560	14.5	102
						样品8	2.2	0.40，0.57	3050	16.5	121
样品9	2.2	0.40，0.57	3104	15.9	112
						对比样品A	2.5	0.40，0.57	35	0.30	＜1
对比样品B	2.4	0.40，0.57	1199	11.2	70

在表3和图2-4的器件中，根据本发明的样品1-9具有优异的电性质以及长寿命。

如上述，根据本发明的导电聚合物组合物含有式(1)的硅氧烷化合物和导电聚合物。采用该导电聚合物组合物获得的层由于化合物和导电聚合物的网状结构的耐久性而具有优异的电性质。采用该层可制造具有改善的电性质以及长寿命的电子器件。

虽然参考其示范性的实施方案具体地示出和描述了本发明，本领域的普通技术人员应该理解在不脱离由所附的权利要求限定的本发明的精神和范围内可在形式和细节上作出各种改变。

Claims

1.一种导电聚合物组合物，其含有式(2)的硅氧烷材料和导电聚合物:

其中n是0或1-20的整数；M是Si、Ti、或Sn；Z₁,Z₂和Z₃的每个独立地选自：C₁-C₂₀的烷基基团、C₆-C₃₀的芳基基团、C₇-C₃₀的烷芳基基团、C₇-C₃₀的芳烷基基团、可交联单元、空穴传输单元、电子传输单元和发光单元；其中八个-(CH₂)_nMZ₁Z₂Z₃基团可以相同或不同，

其中所述式(2)的硅氧烷材料与所述导电聚合物的重量比为0.01:99.9-20:80，

其中可交联单元是羟基、C1-C20的烷氧基和卤原子之一，

其中空穴传输单元选自以下：

其中Q1,Q2,Q3,Q4以及Q5中的每个可以独立地为O或S，

其中电子传输单元选自以下：

其中Q6,Q7及Q8的每个独立地为O或S，

其中发光单元是C6-C30的芳香族环系或C5-C30的杂芳族环体系,其包括一个环或稠合或由单键或亚乙烯基键合的至少两个环。

2.权利要求1的导电聚合物组合物,其中该硅氧烷材料具有下面式(2a),(2b)和(2c)之一

3.权利要求1的导电聚合物组合物,其中该导电聚合物选自以下：聚噻吩、聚苯胺、聚吡咯、聚乙炔、聚亚乙烯基亚苯基、聚亚苯基、聚芴、聚(亚乙基二氧噻吩)、聚(芳基胺)、及其衍生物。

4.权利要求1的导电聚合物组合物,还包括酸。

5.权利要求4的导电聚合物组合物，其中该酸包括选自以下的至少一种原子：C、S、N、O、Si、F、Cl和H；和/或选自以下的至少一种官能团：羟基、C1-C20的烷基、C1-C20的烷氧基、卤原子、氰基、硝基、C6-C30的芳基、C1-C20的烷基氨基、C6-C30的芳氧基、C6-C30的芳氨基、C1-C20烷基环氧基、乙烯基、C1-C20的烷基巯基、乙酰氧基、硫醇基以及酰亚胺基。

6.权利要求4的导电聚合物组合物,其中该酸包括可为磺酸、膦酸或羧酸的有机离子以及可为H或碱金属离子的反离子。

7.权利要求1的导电聚合物组合物,还包括可交联剂。

8.权利要求1的导电聚合物组合物,还包括金属纳米颗粒。

9.权利要求1的导电聚合物组合物,还包括无机纳米颗粒。

10.一种电子器件，其包括由权利要求1－9任一项的导电聚合物组合物获得的层。

11.权利要求10的电子器件,其为一种有机发光器件。

12.权利要求11的电子器件,其中该层是空穴注入层或空穴传输层。

13.权利要求10的电子器件,其为光电器件、电致变色器件、电泳器件、有机薄膜晶体管和有机存储器件之一。