KR20150062620A - 유기 발광 소자 - Google Patents

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KR20150062620A
KR20150062620A KR1020130147458A KR20130147458A KR20150062620A KR 20150062620 A KR20150062620 A KR 20150062620A KR 1020130147458 A KR1020130147458 A KR 1020130147458A KR 20130147458 A KR20130147458 A KR 20130147458A KR 20150062620 A KR20150062620 A KR 20150062620A
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light emitting
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organic light
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hole
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KR1020130147458A
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정재욱
김상태
김명진
유용군
이재석
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동우 화인켐 주식회사
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Abstract

본 발명은 에티닐 작용기를 가지는 카르바졸계 고분자 화합물을 정공 수송층에 사용하여, 용액 공정이 가능하며 높은 발광 효율과 열적 안정성을 가지는 유기 발광 소자를 제공한다.

Description

유기 발광 소자 {Organic Light Emitting Diode}
본 발명은 높은 발광 효율과 열적 안정성을 가지는 유기 발광 소자에 관한 것으로, 보다 상세하게는 에티닐 작용기를 가지는 카르바졸계 고분자 화합물을 정공 수송층에 사용하여, 용액 공정이 가능하며 높은 발광 효율과 열적 안정성을 가지는 유기 발광 소자에 관한 것이다.
유기 발광 소자(Organic Light Emitting Diode: OLED)는 형광성 또는 인광성 유기 화합물 박막(이하, 유기막이라 함)에 전류를 흘려주면 전자와 정공이 유기막에서 결합하면서 빛이 발생되는 현상을 이용한 자체 발광형 표시 소자이다.
일반적으로 OLED는 기판 상에 양극(anode), 정공 수송층(hole transporting layer), 발광층(light emitting layer), 전자 수송층(electron transporting layer) 및 음극(cathode)이 순차적으로 형성되어 있는 구조를 갖는다. 전자와 정공의 주입을 보다 용이하게 하기 위하여 전자 주입층(electron injection layer) 및 정공 주입층(hole injection layer)을 더 구비할 수도 있다.
유기 발광 소자의 정공 수송층에 사용되는 물질로서, 최근 고분자 화합물을 이용하여 발광 효율을 높이고자 하는 시도가 이루어져 왔다. 구체적으로 치환 트리페닐아민 잔기를 반복 단위로 한 고분자 화합물을 포함하는 정공 수송층을 구비한 유기 발광 다이오드나, 플루오렌디일기를 반복 단위로 한 고분자 화합물을 포함하는 정공 수송층을 구비한 유기 발광 다이오드가 알려져 있다[미국 특허 제5,948,552호 및 대한민국 공개특허 제2006-0127853호 참조].
그러나 상기한 고분자 화합물을 정공 수송층에 사용하여 제작된 유기 발광 소자는 열적 안정성이 낮은 문제점이 있었다.
미국 특허 제5,948,552호 대한민국 공개특허 제2006-0127853호
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 한 목적은 높은 발광 효율과 열적 안정성을 가지는 유기 발광 소자를 제공하는 것이다.
한편으로, 본 발명은 기판 상에 양극, 정공 수송층, 발광층 및 음극이 순차적으로 형성되어 있는 유기 발광 소자로서, 상기 정공 수송층이 하기 화학식 1의 고분자 화합물을 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다.
[화학식 1]
Figure pat00001
상기 식에서,
m은 고분자 화합물에서 반복 단위의 평균수를 나타내는 1 내지 100,000의 수이고, n은 고분자 화합물에서 반복 단위의 평균수를 나타내는 1 내지 100,000의 수이다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 유기 발광 소자는 양극과 정공 수송층 사이에 정공 주입층을, 발광층과 음극 사이에 전자 주입층을 추가로 구비할 수 있다.
또한, 본 발명의 또 다른 실시형태에 따른 유기 발광 소자는 발광층과 전자 주입층 사이에 전자 수송층을 추가로 구비할 수 있다.
본 발명에 따른 유기 발광 소자는 우수한 열적 안정성과 정공 수송 능력 및 유연성을 가지는 고분자 화합물을 정공 수송층에 사용하여, 용액 공정 적층 및 플렉시블 기판에 적용 가능하며 높은 발광 효율과 열적 안정성을 가진다.
도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 유기 발광 소자를 개략적으로 도시한 단면도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 보다 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 유기 발광 소자를 개략적으로 도시한 단면도이다. 도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시형태에 따른 유기 발광 소자는 기판(10) 상에 양극(20), 정공 수송층(40), 발광층(50) 및 음극(80)이 순차적으로 형성되어 있으며, 상기 정공 수송층(40)은 하기 화학식 1의 고분자 화합물을 포함한다.
[화학식 1]
Figure pat00002
상기 식에서,
m은 고분자 화합물에서 반복 단위의 평균수를 나타내는 1 내지 100,000의 수이고, n은 고분자 화합물에서 반복 단위의 평균수를 나타내는 1 내지 100,000의 수이다.
본 발명의 고분자 화합물의 수평균 분자량(Mn)은 바람직하게는 4,000 내지 2,000,000, 보다 바람직하게는 6,000 내지 100,000이다. 상기 수평균 분자량이 약 4000 미만인 경우에는 소자 제작 및 구동 시에 결정화 등의 원인이 되고, 2,000,000 초과인 경우에는 용해성 및 가공성이 좋지 않다.
본 발명의 고분자 화합물은 우수한 정공 수송 및 박막 형성 능력을 갖는 카르바졸 구조 단위와 함께 열적으로 용이하게 중합 또는 가교가 가능한 에티닐 작용기를 가지는 구조 단위를 포함하며, 용액 공정이 가능하고 열적 안정성이 우수하다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 유기 발광 소자는 양극(20)과 정공 수송층(40) 사이에 정공 주입층(30)을 추가로 구비하거나/구비하고, 발광층(50)과 음극(80) 사이에 전자 주입층(70)을 추가로 구비할 수 있다.
또한, 본 발명의 또 다른 실시형태에 따른 유기 발광 소자는 발광층(50)과 전자 주입층(70) 사이에 전자 수송층(60)을 추가로 구비할 수 있다.
이하, 본 발명의 일 실시형태에 따른 유기 발광 소자의 제조방법을 설명한다.
먼저 기판 상부에 높은 일함수를 갖는 물질을 증착법 또는 스퍼터링법 등에 의해 형성하여 양극을 형성한다. 여기서 기판으로는 통상적인 유기 발광 소자에서 사용되는 기판을 사용하는데, 기계적 강도, 열적 안정성, 투명성, 표면 평활성, 취급 용이성 및 방수성이 우수한 유리 기판 또는 투명 플라스틱 기판이 바람직하다. 그리고 양극 형성용 물질로는 투명하고 전도성이 우수한 산화인듐주석(ITO), 산화인듐아연(IZO), 산화주석(SnO2), 산화아연(ZnO) 등을 사용하는 것이 좋다.
다음으로, 상기 양극 상부에 진공증착법, 스핀코팅법, 캐스트법, LB법 등과 같은 다양한 방법을 이용하여 정공 주입층을 형성할 수 있다.
진공증착법에 의하여 정공 주입층을 형성하는 경우, 그 증착 조건은 정공 주입층의 재료로서 사용하는 화합물, 목적으로 하는 정공 주입층의 구조 및 열적 특성 등에 따라 다르지만, 일반적으로 증착온도 100 내지 500℃, 진공도 10-8 내지 10-3 torr, 증착속도 0.01 내지 100Å/sec, 막 두께는 통상 10Å 내지 5㎛ 범위에서 적절히 선택하는 것이 바람직하다.
스핀코팅법에 의하여 정공 주입층을 형성하는 경우, 그 코팅 조건은 정공 주입층의 재료로서 사용하는 화합물, 목적하는 정공 주입층의 구조 및 열적 특성에 따라 상이하지만, 약 2000 내지 5000rpm의 코팅 속도, 코팅 후 용매 제거를 위한 열처리 온도는 약 80 내지 200℃의 온도 범위에서 적절히 선택하는 것이 바람직하다.
상기 정공 주입층 물질은, 예를 들어 미국 특허 제4,356,429호에 개시된 구리프탈로시아닌 등의 프탈로시아닌 화합물 또는 문헌[Advanced Material, 6, p. 677 (1994)]에 기재되어 있는 스타버스트형 아민 유도체류인 TCTA, m-MTDATA, m-MTDAPB, 용해성이 있는 전도성 고분자인 Pani/DBSA (Polyaniline/Dodecylbenzenesulfonic acid: 폴리아닐린/도데실벤젠술폰산) 또는 PEDOT/PSS (Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/Poly(4-styrenesulfonate): 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)/폴리(4-스티렌술포네이트)), Pani/CSA (Polyaniline/Camphor sulfonic acid: 폴리아닐린/캠퍼술폰산) 또는 Pani/PSS (Polyaniline)/Poly(4-styrenesulfonate): 폴리아닐린/폴리(4-스티렌술포네이트)) 등과 같은 공지된 정공 주입 물질을 사용할 수 있다.
상기 정공 주입층의 두께는 약 100 내지 10000Å, 바람직하게는 100 내지 1000Å일 수 있다. 상기 정공 주입층의 두께가 100Å 미만인 경우 정공 주입 특성이 저하될 수 있으며, 상기 정공 주입층의 두께가 10000Å를 초과하는 경우 구동전압이 상승할 수 있다.
다음으로 상기 정공 주입층 상부에 스핀코팅법, 캐스트법, LB법 등과 같은 다양한 방법을 이용하여 정공 수송층을 형성할 수 있다. 스핀코팅법에 의하여 정공 수송층을 형성하는 경우, 그 코팅 조건은 사용하는 화합물에 따라 다르지만, 일반적으로 정공 주입층의 형성과 거의 동일한 조건범위 중에서 선택된다.
상기 정공 수송층 물질로는, 상기 화학식 1의 고분자 화합물을 사용하며, 화학식 1의 고분자 화합물과 함께 다른 정공 수송 물질, 예를 들어 N-페닐카르바졸, 폴리비닐카르바졸 등의 카르바졸 유도체, N,N'-비스(3-메틸페닐)-N,N'-디페닐-[1,1-비페닐]-4,4'-디아민(TPD), N,N'-디(나프탈렌-1-일)-N,N'-디페닐벤지딘(α-NPD) 등의 방향족 축합환을 가지는 통상적인 아민 유도체 등을 사용할 수 있다.
상기 정공 수송층의 두께는 약 10 내지 700Å, 바람직하게는 100 내지 500Å일 수 있다. 상기 정공 수송층의 두께가 10Å 미만인 경우 정공 수송 특성이 저하될 수 있으며, 상기 정공 수송층의 두께가 700Å를 초과하는 경우 구동전압이 상승할 수 있다.
다음으로, 상기 정공 수송층 상부에 진공증착법, 스핀코팅법, 캐스트법, LB법 등과 같은 방법을 이용하여 발광층을 형성할 수 있다. 진공증착법 및 스핀코팅법에 의해 발광층을 형성하는 경우, 그 증착조건은 사용하는 화합물에 따라 다르지만, 일반적으로 정공 주입층의 형성과 거의 동일한 조건범위 중에서 선택된다.
상기 발광층은 호스트 재료의 경우, 예를 들면 Alq3, MADN, CBP(4,4'-N,N'-디카바졸-비페닐) 또는 PVK(폴리(n-비닐카바졸)) 등을 사용할 수 있다. 도펀트 재료의 경우, 형광 도펀트로서는 이데미츠사(Idemitsu사)에서 구입 가능한 IDE102, IDE105 및 하야시바라사에서 구입 가능한 C545T 등을 사용할 수 있으며, 인광 도펀트로서는 적색 인광 도펀트 PtOEP, UDC사의 RD 61, 녹색 인광 도펀트 Ir(PPy)3(PPy=2-phenylpyridine), 청색 인광 도펀트인 F2Irpic 등을 사용할 수 있다.
상기 도펀트의 도핑 농도는 특별히 제한되지 않으나, 통상적으로 호스트 100 중량부를 기준으로 하여 상기 도펀트의 함량은 0.01 내지 15 중량부이다.
상기 발광층의 두께는 약 100 내지 1000Å, 바람직하게는 200 내지 600Å일 수 있다. 상기 발광층의 두께가 100Å 미만인 경우 발광 특성이 저하될 수 있으며, 상기 발광층의 두께가 1000Å를 초과하는 경우 구동전압이 상승할 수 있다.
발광층에 인광 도펀트와 함께 사용할 경우에는 삼중항 여기자 또는 정공이 전자수송층으로 확산되는 현상을 방지하기 위하여, 상기 발광층 상부에 진공증착법, 스핀코팅법, 캐스트법, LB법 등과 같은 방법을 이용하여 정공 저지층을 형성할 수 있다. 진공증착법 및 스핀코팅법에 의해 정공 저지층을 형성하는 경우, 그 조건은 사용하는 화합물에 따라 다르지만, 일반적으로 정공 주입층의 형성과 거의 동일한 조건범위 중에서 선택된다. 사용가능한 공지의 정공 저지 재료로는 옥사디아졸 유도체나 트리아졸 유도체, 페난트롤린 유도체, BCP 등을 들 수 있다.
상기 정공 저지층의 두께는 약 50 내지 1000Å, 바람직하게는 100 내지 300Å일 수 있다. 상기 정공 저지층의 두께가 50Å 미만인 경우 정공 저지 특성이 저하될 수 있으며, 상기 정공 저지층의 두께가 1000Å를 초과하는 경우 구동전압이 상승할 수 있다.
다음으로 전자 수송층을 진공증착법, 스핀코팅법, 캐스트법 등의 다양한 방법을 이용하여 형성할 수 있다.
진공증착법 및 스핀코팅법에 의해 전자 수송층을 형성하는 경우, 그 조건은 사용하는 화합물에 따라 다르지만, 일반적으로 정공 주입층의 형성과 거의 동일한 조건범위 중에서 선택된다. 상기 전자 수송층 재료는 음극으로부터 주입된 전자를 안정하게 수송하는 기능을 하는 것으로서, 퀴놀린 유도체, 특히 트리스(8-퀴놀리노레이트)알루미늄(Alq3), TAZ, Balq 또는 Bebq2 등과 같은 공지의 재료를 사용할 수 있다.
상기 전자 수송층의 두께는 약 100 내지 1000Å, 바람직하게는 200 내지 500Å일 수 있다. 상기 전자 수송층의 두께가 100Å 미만인 경우 전자 수송 특성이 저하될 수 있으며, 상기 전자 수송층의 두께가 1000Å를 초과하는 경우 구동전압이 상승할 수 있다.
또한 전자 수송층 상부에 음극으로부터 전자의 주입을 용이하게 하는 기능을 가지는 물질인 전자 주입층이 적층될 수 있으며, 이는 특별히 재료를 제한하지 않으나, 예를 들어 LiF, NaCl, CsF, Li2O, BaO 등과 같은 전자 주입층 형성 재료로서 공지된 임의의 물질을 이용할 수 있다. 상기 전자 주입층의 증착 조건은 사용하는 화합물에 따라 다르지만, 일반적으로 정공 주입층의 형성과 거의 동일한 조건범위 중에서 선택된다.
상기 전자 주입층의 두께는 약 1 내지 100Å, 바람직하게는 5 내지 50Å일 수 있다. 상기 전자 주입층의 두께가 1Å 미만인 경우 전자 주입 특성이 저하될 수 있으며, 상기 전자 주입층의 두께가 100Å를 초과하는 경우 구동전압이 상승할 수 있다.
마지막으로 전자 주입층 상부에 진공증착법이나 스퍼터링법 등의 방법을 이용하여 음극을 형성할 수 있다. 상기 음극 형성용 금속으로는 낮은 일함수를 가지는 금속, 합금, 전기전도성 화합물 및 이들의 혼합물을 사용할 수 있다. 구체적인 예로서는 리튬(Li), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 알루미늄-리튬(Al-Li), 칼슘(Ca), 마그네슘-인듐(Mg-In), 마그네슘-은(Mg-Ag) 등을 들 수 있다. 또한 전면 발광 소자를 얻기 위하여 ITO, IZO를 사용한 투과형 음극을 사용할 수도 있다.
본 발명의 유기 발광 소자는 도 1에 도시된 양극(20), 정공 주입층(30), 정공 수송층(40), 발광층(50), 전자 수송층(60), 전자 주입층(70) 및 음극(80) 구조의 유기 발광 소자 뿐만 아니라, 다양한 구조를 갖는 유기 발광 소자를 포함한다.
이하, 실시예, 비교예 및 실험예에 의해 본 발명을 보다 구체적으로 설명하고자 한다. 이들 실시예, 비교예 및 실험예는 오직 본 발명을 설명하기 위한 것으로, 본 발명의 범위가 이들에 국한되지 않는다는 것은 당업자에게 있어서 자명하다.
제조예 1: 화학식 1의 고분자 화합물의 제조
모든 작업은 표준 Schlenk 및 글러브 박스 기술을 사용하여 불활성 질소 분위기 하에서 수행되었다. 무수 용매(Aldrich)를 활성 알루미나 컬럼에 통과시킴으로써 건조시켰으며, 활성 분자체(5Å)에 보관하였다.
유리 반응기에 9-(비닐페닐)-9H-카르바졸 0.2g(0.74 mmol)과 트리메틸(2-(4-비닐페닐)에티닐)실란 0.056g(0.28 mmol)을 넣고 벤젠에 녹인 후, 하루 동안 동결 건조하였다. 그런 다음, 무수 톨루엔 2ml와 AIBN 0.002g(0.01 mmol)을 유리 반응기에 넣었다. 진공 라인에 유리 반응기를 연결하고 저압(10-6 torr) 에서 2회 탈기(degassing)하였다. 반응기를 완벽하게 진공상태로 만든 후 80℃에서 24시간 반응시켰다. 반응기를 상온까지 식힌 다음, 반응물을 과량의 메탄올에 침전시켰다. 침전된 고분자를 여과지를 이용해서 여과한 후 건조시켜 최종 생성된 고분자(Mn = 7700)를 수득하였다(0.16g, 62.0%).
실시예 1: 유기 발광 소자의 제작
양극(ITO)이 증착된 유리 기판(선익시스템; 면저항 10Ω/□)의 수세 공정을 거친 후, ITO 면을 보다 깨끗이 하고 ITO의 일함수를 조절하기 위하여 UV-오존(NLE社 NL-UV253) 처리를 하였다. 그런 다음, 세정된 ITO 기판 위에 정공 주입층 재료로 PEDOT:PSS(Clevios社 P VP AI 4083)을 사용하고, 정공 수송층 재료로 제조예 1에서 수득한 고분자 화합물을 사용하여 각각 300Å의 두께로 스핀코팅(Mikasa社 1H-DX2)한 후, 발광층 재료로 PVK(Sigma-Aldrich社) : TPD(Lumtec社) : PBD(Lumtec社) : Ir(mppy)3(Lumtec社)를 각각 0.61 : 0.09 : 0.24 : 0.06 비율로 클로로벤젠에 용해시켜 스핀코팅(Mikasa社 1H-DX2)하여 800Å의 두께로 박막을 형성하였다. 그런 다음, 전자주입층(CsF; Sigma-Aldrich社)과 음극(Al; Sigma-Aldrich社))를 각각 10Å 및 1000Å의 두께로 진공 증착법으로 형성시켰으며, 글러브 박스 내 질소 분위기에서 봉지 유리와 UV 경화형 봉지제를 이용하여 봉지하여 유기 발광 소자를 제작하였다.
실시예 2: 유기 발광 소자의 제작
제조예 1에서 수득한 고분자 화합물을 400Å의 두께로 스핀코팅하는 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
실시예 3: 유기 발광 소자의 제작
제조예 1에서 수득한 고분자 화합물을 500Å의 두께로 스핀코팅하는 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
비교예 1: 유기 발광 소자의 제작
제조예 1에서 수득한 고분자 화합물 대신에 TFB(폴리(9,9-디옥틸플루오렌-co-N-(4-부틸페닐)디페닐아민))을 350Å의 두께로 스핀코팅하는 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
실험예 1: 해상도 및 점도 변화 평가
상기 실시예 1 내지 3 및 비교예 1에서 제작된 유기 발광 소자의 발광효율, 초기 구동전압 및 CIE 색좌표를 다음과 같이 측정하여, 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다.
(1) 발광효율
유기 발광 소자의 전류-전압-휘도에 따른 발광효율을 휘도 측정기(MINOLTA社 CHROMA METER CS-100A)와 전류-전압 인가 측정 장비(Keithley社 Keithley 237)를 사용하여 측정하였다.
(2) 초기 구동전압
유기 발광 소자의 초기 구동전압을 휘도 측정기(MINOLTA社 CHROMA METER CS-100A)와 전류-전압 인가 측정 장비(Keithley社 Keithley 237)를 사용하여 측정하였다.
(3) CIE 색좌표
유기 발광 소자의 CIE 색좌표를 휘도 측정기(MINOLTA社 CHROMA METER CS-100A)를 사용하여 측정하였다.
실시예 1 실시예 2 실시예 3 비교예 1
발광효율(Cd/A) 18.4 20.5 17.1 16.5
초기 구동전압(V) 3.5 3.8 4.1 4.5
CIE 색좌표 (x,y) (0.30,0.59) (0.30,0.59) (0.30,0.59) (0.32,0.58)
상기 표 1 에서 보는 바와 같이, 정공 수송층 물질로 에티닐 작용기를 가지는 카르바졸계 고분자 화합물을 사용한 실시예 1 내지 3의 본 발명에 따른 유기 발광 소자는 종래의 플루오렌디일기와 치환 트리페닐아민 잔기를 반복 단위로 한 고분자 화합물을 사용하여 제조되는 비교예 1의 유기 발광 소자에 비해 발광효율이 증가되고, 초기 구동전압이 낮아지며, 열적으로 안정함을 확인할 수 있었다.
이상으로 본 발명의 특정한 부분을 상세히 기술하였는 바, 본 발명이 속한 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어서 이러한 구체적인 기술은 단지 바람직한 구현예일 뿐이며, 이에 본 발명의 범위가 제한되는 것이 아님은 명백하다. 본 발명이 속한 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 상기 내용을 바탕으로 본 발명의 범주 내에서 다양한 응용 및 변형을 행하는 것이 가능할 것이다.
따라서, 본 발명의 실질적인 범위는 첨부된 특허청구범위와 그의 등가물에 의하여 정의된다고 할 것이다.
10: 기판 20: 양극
30: 정공주입층 40: 정공수송층
50: 발광층 60: 전자수송층
70: 전자주입층 80: 음극

Claims (6)

  1. 기판(10) 상에 양극(20), 정공 수송층(40), 발광층(50) 및 음극(80)이 순차적으로 형성되어 있는 유기 발광 소자로서, 상기 정공 수송층(40)이 하기 화학식 1의 고분자 화합물을 포함하는 유기 발광 소자:
    [화학식 1]
    Figure pat00003

    상기 식에서,
    m은 고분자 화합물에서 반복 단위의 평균수를 나타내는 1 내지 100,000의 수이고, n은 고분자 화합물에서 반복 단위의 평균수를 나타내는 1 내지 100,000의 수이다.
  2. 제1항에 있어서, 고분자 화합물의 수평균 분자량(Mn)이 약 4000 내지 2,000,000인 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
  3. 제1항에 있어서, 양극(20)과 정공 수송층(40) 사이에 정공 주입층(30)을 추가로 구비하거나, 발광층(50)과 음극(60) 사이에 전자 주입층(70)을 추가로 구비하거나, 상기 정공 주입층(30)과 상기 전자 주입층(70)을 모두 추가로 구비한 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
  4. 제3항에 있어서, 발광층(50)과 전자 주입층(70) 사이에 전자 수송층(60)을 추가로 구비한 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
  5. 제1항에 있어서, 정공 수송층의 두께가 10 내지 700Å인 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
  6. 제1항에 있어서, 정공 수송층이 스핀코팅법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
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