CN102993412B - 聚合物和包括其的有机发光器件 - Google Patents

Abstract

聚合物和包括所述聚合物的有机发光器件。

Description

聚合物和包括其的有机发光器件

相关申请的交叉引用

本申请要求2011年9月9日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2011-0092224的权益，其公开内容通过参考全部引入本文中。

技术领域

本公开内容涉及聚合物和包括所述聚合物的有机发光器件。

背景技术

有机发光器件是轻质的、可使用相对少数量的部件容易地制造且提供具有宽视角的高品质图像的自发射器件。而且，有机发光器件提供高的色纯度、精确地实现活动图像、具有低的功率消耗、且在低电压下运行。由于这些特性，有机发光器件适合于移动电子设备。

典型的有机发光器件可具有其中阳极、第一层和阴极顺序地堆叠在基底上的结构，其中所述第一层可包括空穴传输层(HTL)、发射层(EML)和电子传输层(ETL)。

当在阳极和阴极之间施加电流时，从阳极注入的空穴经由HTL移动到EML，和从阴极注入的电子经由ETL移动到EML。空穴和电子在EML中复合以产生激子。激子辐射地衰减以发射具有对应于材料的带隙的波长的光。

根据形成第一层的方法，用于形成第一层的材料可分为能真空沉积的材料或能溶液涂覆的材料。能溶液涂覆的材料应当与溶剂可混溶以形成通过已知的溶液涂覆方法如喷墨印刷、丝网印刷或旋涂能涂覆在基底上的组合物。

发明内容

提供具有新颖结构的聚合物。

提供包括所述聚合物的有机发光器件(OLED)。

另外的方面将在以下描述中部分地阐明，且部分地将由该描述明晰，或可通过所提供的实施方式的实践获悉。

根据本发明的一个方面，聚合物包括m个重复单元，其中所述m个重复单元中的第n个重复单元为由下式1表示的第一重复单元，

其中所述第n个重复单元的A₁环与第(n-1)个重复单元的第一芳族环之间的第一二面角和所述第n个重复单元的A₂环与第(n+1)个重复单元的第二芳族环之间的第二二面角的至少一个等于或大于由方程1表示的χ_50%的角度：

式1

方程1

其中所述第一芳族环通过单键结合到所述A₁环；

所述第二芳族环通过单键结合到所述A₂环；

式1的R₁-R₇各自独立地为以下的一种：氢原子、氘原子、卤素原子、羟基、氰基、硝基、羧基、取代或未取代的C₁-C₆₀烷基、取代或未取代的C₂-C₆₀烯基、取代或未取代的C₂-C₆₀炔基、取代或未取代的C₁-C₆₀烷氧基、取代或未取代的C₃-C₆₀环烷基、取代或未取代的C₃-C₆₀环烯基、取代或未取代的C₆-C₆₀芳基、取代或未取代的C₆-C₆₀芳氧基、取代或未取代的C₆-C₆₀芳硫基、取代或未取代的C₂-C₆₀杂芳基、-N(Q₁)(Q₂)和-Si(Q₃)(Q₄)(Q₅)，其中Q₁-Q₅各自独立地为氢原子、氘原子、卤素原子、羟基、氰基、硝基、羧基、C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀烯基、C₂-C₆₀炔基、C₃-C₆₀环烷基、C₆-C₆₀芳基、或C₂-C₆₀杂芳基；

式1的X为单键、或包括碳或16族元素的连接体；

m为2-1000的整数；

n为2至m-1的变量；

方程1的A为26.03，和B为0.0445；

方程1的为式1的A₁环和A₂环之间的角度，如下式1-1中说明的；和

方程1的θ为由式1的A₁环和A₃环之间的键在靠近A₃环的氮的方向上延伸的第一假想线与由A₂环和A₃环之间的键在靠近A₃环的氮的方向上延伸的第二假想线之间的角度，如下式1-2中所说明的：

式1-1 式1-2

所述聚合物可用作有机发光器件的发射层中的磷光主体。

根据本发明的另一方面，有机发光器件包括：基底；第一电极；第二电极；及设置在所述第一电极和第二电极之间的第一层，所述第一层包括所述聚合物。

附图说明

由结合附图考虑的实施方式的以下描述，这些和/或其它方面将变得明晰和更容易理解，其中：

图1是根据本公开内容的实施方式的有机发光器件的示意性截面图；

图2是聚合物A的光致发光(PL)光谱数据的图；

图3是实施例1和2的有机发光器件的电致发光(EL)光谱数据的图；

图4是实施例1的有机发光器件的电压对电流密度的图(4次测量)；

图5是实施例1的有机发光器件的电压对电流效率的图(4次测量)；

图6是实施例1的有机发光器件的电压对亮度的图(4次测量)；

图7是实施例2的有机发光器件的电压对电流密度的图(2次测量)；

图8是实施例2的有机发光器件的电压对电流效率的图(2次测量)；

图9是实施例2的有机发光器件的电压对亮度的图(2次测量)；

图10是实施例3的有机发光器件的电致发光(EL)光谱的图；

图11是实施例3的有机发光器件的电压对电流密度和电压对亮度的图；和

图12是实施例3的有机发光器件的电流密度对电流效率的图。

具体实施方式

现在将详细介绍实施方式，其实例说明于附图中，其中相同的附图标记始终是指相同的元件。在这点上，本实施方式可具有不同的形式并且不应解释为限于本文中所阐明的描述。因此，下面仅通过参考附图描述实施方式，以解释本描述的各方面。如本文中使用的术语“和/或”包括相关所列项目的一个或多个的任意和全部组合。表述例如“…的至少一种(个)”当在要素列表之前或之后时，修饰整个要素列表且不是修饰所述列表的单独要素。

根据本公开内容的示例性实施方式，聚合物包括m个重复单元，其中所述m个重复单元中的第n个重复单元为由下式1表示的第一重复单元：

式1

m表示所述聚合物的重复单元的数量，其可为2-1000的整数，且在一些实施方式中，可为10-200的整数；

n为2至m-1的变量；和

X可为单键、或包括碳或16族元素的连接体。

例如，式1的X可选自具有碳的连接体、单键、具有-O-的连接体、具有-S-的连接体、具有-Se-的连接体，但不限于此。

所述第n个重复单元的A₁环与第(n-1)个重复单元的第一芳族环之间的第一二面角和所述第n个重复单元的A₂环与第(n+1)个重复单元的第二芳族环之间的第二二面角的至少一个可等于或大于由方程1表示的χ_50％的角度：

方程1

在方程1中，A为26.03，和B为0.0445；

在方程1中，为式1的A₁环和A₂环之间的角度，如下式1-1中说明的，和θ为由式1的A₁环和A₃环之间的键在靠近A₃环的氮的方向上延伸的第一假想线与由A₂环和A₃环之间的键在靠近A₃环的氮的方向上延伸的第二假想线之间的角度，如下式1-2中所说明的：

式1-1 式1-2

式1-1和式1-2用于以假想线(第一和第二假想线)和平面(式1-1的其上有A₁环的平面和其上有A₂环的平面)描述方程1的和θ。

在第(n-1)个重复单元中的第一芳族环经由单键结合到第n个重复单元的A₁环，和在第(n+1)个重复单元中的第二芳族环经由单键结合到第n个重复单元的A₂环。

在式1中，和θ可取决于X。

例如，X可为由式2表示的包括碳的连接体。

式2

式2的R₁₁-R₁₄各自独立地为氢原子、氘原子、卤素原子、羟基、氰基、硝基、羧基、取代或未取代的C₁-C₆₀烷基、取代或未取代的C₂-C₆₀烯基、取代或未取代的C₂-C₆₀炔基、取代或未取代的C₁-C₆₀烷氧基、取代或未取代的C₃-C₆₀环烷基、取代或未取代的C₃-C₆₀环烯基、取代或未取代的C₆-C₆₀芳基、取代或未取代的C₆-C₆₀芳氧基、取代或未取代的C₆-C₆₀芳硫基、或者取代或未取代的C₂-C₆₀杂芳基。

在一些实施方式中，式2的R₁₁-R₁₄各自独立地为氢原子、氘原子、卤素原子、羟基、氰基、硝基、羧基、取代或未取代的C₁-C₂₀烷基、或者取代或未取代的C₁-C₂₀烷氧基，但不限于此。

例如，式2的R₁₁-R₁₄可各自独立地为以下的至少一种：氢原子；氘原子；F；Cl；羟基；氰基；硝基；羧基；甲基；乙基；丙基；异丙基；丁基；异丁基；叔丁基；戊基；己基；庚基；辛基；2-乙基己基；壬基；癸基；3,7-二甲基辛基；各自被氘原子、F、Cl、羟基、氰基、硝基和羧基的至少一种取代的甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、异丁基、叔丁基、戊基、己基、庚基、辛基、2-乙基己基、壬基、癸基和3,7-二甲基辛基；甲氧基；乙氧基；丙氧基；异丙氧基；丁氧基；异丁氧基；叔丁氧基；戊氧基；己氧基；庚氧基；辛氧基；2-乙基己基氧基；壬氧基；癸氧基；3,7-二甲基辛基氧基；和各自被氘原子、F、Cl、羟基、氰基、硝基和羧基的至少一种取代的甲氧基、乙氧基、丙氧基、异丙氧基、丁氧基、异丁氧基、叔丁氧基、戊氧基、己氧基、庚氧基、辛氧基、2-乙基己基氧基、壬氧基、癸氧基和3,7-二甲基辛基氧基。

例如，在式2中，R₁₁-R₁₄可都为氢原子。

当式1的X为由上式2表示的连接体时，可满足(例如)，32.52°≤θ≤34.52°(例如33.02°≤θ≤34.02°)和38.00°≤χ_50%≤40.00°(例如38.50°≤χ_50%≤39.50°)。在一些另外的实施方式中，当式1的X为由式2表示的连接体时，可满足33.32°≤θ≤33.72°和38.80°≤χ_50%≤39.20°。

当式1的X为单键时，可满足-34.45°≤θ≤-32.45°(例如-33.95°≤θ≤-32.95°)和27.00°≤χ_50%≤29.00°(例如27.50°≤χ_50%≤28.50°)。在一些另外的实施方式中，当式1的X为单键时，可满足-33.65°≤θ≤-33.25°和27.80°≤χ_50%≤28.20°。

当式1的X为由-O-表示的连接体时，可满足(例如)，-2.81°≤θ≤-0.81°(例如-2.31°≤θ≤-1.31°)和32.00°≤χ_50%≤34.00°(例如32.50°≤χ_50%≤33.50°)。在一些另外的实施方式中，当式1的X为由-O-表示的连接体时，可满足-2.01°≤θ≤-1.61°和32.80°≤χ_50%≤33.20°。

当式1的X为由-S-表示的连接体时，可满足(例如)，10.01°≤θ≤12.01°(例如10.51°≤θ≤11.51°)和34.00°≤χ_50%≤36.00°(例如34.50°≤χ_50%≤35.50°)。在一些另外的实施方式中，

当式1的X为由-S-表示的连接体时，可满足10.81°≤θ≤11.21°和34.80°≤χ_50%≤35.20°。

当式1的X为由-Se-表示的连接体时，可满足(例如)，14.46°≤θ≤16.46°(例如14.96°≤θ≤15.96°)和34.00°≤χ_50%≤36.00°(例如34.50°≤χ_50%≤35.50°)。在一些另外的实施方式中，当式1的X为由-Se-表示的连接体时，可满足15.26°≤θ≤15.66°和34.80°≤χ_50%≤35.20°。

例如，方程1的θ和χ_50%取决于X可具有以下在表1中的值，但不限于此。

表1

方程1的和θ可通过对其中R₁-R₇都为氢原子的单元化合物(即)应用密度泛函理论以B3LYP/6-31+G(D)基组(basis set)进行计算，和χ_50%可使用含时(time-dependent)密度泛函理论(TDDFT)计算。TDDFT是用于研究在时间相关的势如电或磁场的存在下体系统(body system)的性质和动力学的量子力学理论，其已被提出用以描述用DFT无法解释的时间相关性(time dependency)，这是量子计算理论方法之一，且可在描述这样的时间相关的电或磁场的效果中应用。TDDFT可用于基于线性响应理论计算处于激发态的目标系统的量子态(能量、结构等)以得到吸收/发射光谱，或用于激发态信息的解释。

当包括以上式1的第一重复单元的聚合物的第一二面角和第二二面角的至少一个等于或大于由以上方程1限定的χ_50％的角度时，所述聚合物可具有高的三重态能量，例如，其对于用作有机发光器件中的磷光主体是合适的。因此，包括式1的第一重复单元的聚合物可用作有机发光器件的磷光主体。

在用于作为有机半导体使用的聚合物中增加的共轭长度可导致较高的电荷迁移率，但是同时导致聚合物的激发态能量的降低，这不利于用作磷光主体。因此，为了作为磷光主体的可用性，需要设计具有确保作为磷光主体的合适范围的激发态能量和电荷迁移率不降低两者的共轭结构的聚合物。

但是，用于设计适合作为磷光主体的具有共轭结构的聚合物的基本措施和要求尚未被揭示。本公开内容的发明人发现，采用设计为包括其中第一二面角和第二二面角的至少一个等于或大于由方程1限定的χ_50％的角度的以上式1的第一重复单元的聚合物，可保持聚合物的原始共轭长度，且同时，由于聚合物的第n个重复单元相对于第n-1个重复单元和/或第n+1个重复单元倾斜，可获得在聚合物的一些区域中的共轭结构破坏效果，这可将聚合物的电荷迁移率和激发态能量两者保持为高的。因此，所述聚合物可具有高的三重态能量，且因此可用作有机发光器件的磷光主体。

如上所述，可使用容许目标聚合物具有等于或大于由方程1限定的χ_50％的最小二面角(参考以上定义)的单体设计具有有效的三重态能量的聚合物。聚合物的χ_50%和二面角的分析具有宽范围的应用，例如在预测聚合物是否可提供有效的三重态能量(即，其作为有机发光器件的磷光主体的可用性)方面。

聚合物的第一和第二二面角的评价经由电子结构的计算模拟是可能的。例如，目标聚合物的第一二面角和第二二面角是使用DFT以B3LYP的交换相关势泛函(xc-泛函)/6-31+G(D)基组可预测的。

聚合物的二面角可使用X-射线衍射分析在实验上测量。例如，以下聚合物A的第一二面角可通过X-射线衍射分析对如以下式A(1)中所说明的具有-OC₈H₁₇取代的苯基的咔唑在实践上测量。

<聚合物A：由以下重复单元组成的聚合物>

式A(1)

聚合物的三重态能量可通过来自在石英池中包含的所述聚合物和甲苯的混合物的光致发光(PL)光谱的峰的分析而测量。

在式1中，R₁-R₇各自独立地为以下的一种：氢原子、氘原子、卤素原子、羟基、氰基、硝基、羧基、取代或未取代的C₁-C₆₀烷基、取代或未取代的C₂-C₆₀烯基、取代或未取代的C₂-C₆₀炔基、取代或未取代的C₁-C₆₀烷氧基、取代或未取代的C₃-C₆₀环烷基、取代或未取代的C₃-C₆₀环烯基、取代或未取代的C₆-C₆₀芳基、取代或未取代的C₆-C₆₀芳氧基、取代或未取代的C₆-C₆₀芳硫基、取代或未取代的C₂-C₆₀杂芳基、-N(Q₁)(Q₂)和-Si(Q₃)(Q₄)(Q₅)，其中Q₁-Q₅各自独立地为氢原子、氘原子、卤素原子、羟基、氰基、硝基、羧基、C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀烯基、C₂-C₆₀炔基、C₃-C₆₀环烷基、C₆-C₆₀芳基、或C₂-C₆₀杂芳基。

例如，式1中的R₁-R₇可各自独立地为以下的一种：氢原子、氘原子、卤素原子、羟基、氰基、硝基、羧基、取代或未取代的C₁-C₂₀烷基、取代或未取代的C₁-C₂₀烷氧基、取代或未取代的苯基、取代或未取代的并环戊二烯基、取代或未取代的茚基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的薁基、取代或未取代的庚搭烯基、取代或未取代的引达省基(indacenylgroup)、取代或未取代的苊基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的非那烯基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的蒽基、取代或未取代的荧蒽基、取代或未取代的苯并[9,10]菲基、取代或未取代的芘基、取代或未取代的基、取代或未取代的并四苯基、取代或未取代的苉基(picenyl)、取代或未取代的二萘嵌苯基、取代或未取代的戊芬基、取代或未取代的并六苯基、取代或未取代的吡咯基、取代或未取代的吡唑基、取代或未取代的咪唑基、取代或未取代的咪唑啉基、取代或未取代的咪唑并吡啶基、取代或未取代的咪唑并嘧啶基、取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的吡嗪基、取代或未取代的嘧啶基、取代或未取代的吲哚基、取代或未取代的嘌呤基、取代或未取代的喹啉基、取代或未取代的2,3-二氮杂萘基、取代或未取代的吲嗪基、取代或未取代的萘啶基、取代或未取代的喹唑啉基、取代或未取代的噌啉基、取代或未取代的吲唑基、取代或未取代的咔唑基、取代或未取代的吩嗪基、取代或未取代的菲啶基、取代或未取代的苯并吡喃基、取代或未取代的苯并呋喃基、取代或未取代的噻吩基、取代或未取代的苯并噻吩基、取代或未取代的异噻唑基、取代或未取代的苯并咪唑基、和取代或未取代的异唑基。

例如，在式1中，R₂-R₇可为氢原子，和R₁可由式3A、3B、3C、3D、3E、3F、3G、3H或3I表示。

式3A 式3B 式3C 式3D 式3E

式3F 式3G 式3H 式3I

在式3A-3I中，Z₁和Z₂可各自独立地为氢原子、氘原子、卤素原子、羟基、氰基、硝基、羧基、取代或未取代的C₁-C₆₀烷基、取代或未取代的C₂-C₆₀烯基、取代或未取代的C₂-C₆₀炔基、取代或未取代的C₁-C₆₀烷氧基、取代或未取代的C₃-C₆₀环烷基、取代或未取代的C₃-C₆₀环烯基、取代或未取代的C₆-C₆₀芳基、取代或未取代的C₆-C₆₀芳氧基、取代或未取代的C₆-C₆₀芳硫基、或者取代或未取代的C₂-C₆₀杂芳基；p为0-9的整数；和q为0-4的整数。

例如，在式3A-3I中，Z₁和Z₂可各自独立地为氢原子、氘原子、卤素原子、羟基、氰基、硝基、羧基、取代或未取代的C₁-C₂₀烷基、或者取代或未取代的C₁-C₂₀烷氧基。

例如，式3A-3I的Z₁和Z₂可各自独立地为以下的至少一种：氢原子；氘原子；F；Cl；羟基；氰基；硝基；羧基；甲基；乙基；丙基；异丙基；丁基；异丁基；叔丁基；戊基；己基；庚基；辛基；2-乙基己基；壬基；癸基；3,7-二甲基辛基；各自被氘原子、F、Cl、羟基、氰基、硝基和羧基的至少一种取代的甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、异丁基、叔丁基、戊基、己基、庚基、辛基、2-乙基己基、壬基、癸基和3,7-二甲基辛基；甲氧基；乙氧基；丙氧基；异丙氧基；丁氧基；异丁氧基；叔丁氧基；戊氧基；己氧基；庚氧基；辛氧基；2-乙基己基氧基；壬氧基；癸氧基；3,7-二甲基辛基氧基；和各自被氘原子、F、Cl、羟基、氰基、硝基和羧基的至少一种取代的甲氧基、乙氧基、丙氧基、异丙氧基、丁氧基、异丁氧基、叔丁氧基、戊氧基、己氧基、庚氧基、辛氧基、2-乙基己基氧基、壬氧基、癸氧基和3,7-二甲基辛基氧基。

在式3A-3I中，p可为0-3的整数，和在一些实施方式中，可为1-3的整数；且q可为0-2的整数，和在一些实施方式中，可为1或2的整数，但p和q不限于此。

例如，在式1中，R₂-R₇可为氢原子，和R₁可由下式4A表示，但是R₂-R₇和R₁不限于此：

式4A

式4A中的Z₁如上限定，因此这里不列举其详细描述。

聚合物的第一芳族环和第二芳族环可为取代或未取代的苯环。例如，所述第一芳族环和第二芳族环可为纯的取代或未取代的苯环。在实施方式中，所述第一芳族环和第二芳族环可为在取代或未取代的萘环中或在取代或未取代的芴环中稠合的苯环。

所述聚合物可进一步包括第二重复单元，其包括取代或未取代的苯环、取代或未取代的萘环、和取代或未取代的芴环的至少一种。

所述第二重复单元可选择为容许所述聚合物的第一二面角和第二二面角的至少一个等于或大于由所述聚合物的由式1表示的第一重复单元得到的χ_50％。

当所述聚合物进一步包括所述第二重复单元时，所述第二重复单元可由式5A、5B、5C、5D或5E表示：

式5A 式5B

式5C 式5D

式5E

在式5A-5E中，R₂₁和R₂₂可各自独立地为取代或未取代的C₁-C₆₀烷基(例如，取代或未取代的C₁-C₂₀烷基)；Y₁-Y₄可各自独立地为氢原子、取代或未取代的C₁-C₆₀烷基(例如，取代或未取代的C₁-C₂₀烷基)、或者取代或未取代的C₁-C₆₀烷氧基(例如，取代或未取代的C₁-C₂₀烷氧基)。

例如，R₂₁和R₂₂可各自独立地为甲基；乙基；丙基；异丙基；丁基；异丁基；叔丁基；戊基；己基；庚基；辛基；2-乙基己基；壬基；癸基；3,7-二甲基辛基；和各自被氘原子、F、Cl、羟基、氰基、硝基和羧基的至少一种取代的甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、异丁基、叔丁基、戊基、己基、庚基、辛基、2-乙基己基、壬基、癸基和3,7-二甲基辛基，但不限于此。

例如，Y₁-Y₄可各自独立地为氢原子；甲基；乙基；丙基；异丙基；丁基；异丁基；叔丁基；戊基；己基；庚基；辛基；2-乙基己基；壬基；癸基；3,7-二甲基辛基；各自被氘原子、F、Cl、羟基、氰基、硝基和羧基的至少一种取代的甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、异丁基、叔丁基、戊基、己基、庚基、辛基、2-乙基己基、壬基、癸基和3,7-二甲基辛基；甲氧基；乙氧基；丙氧基；异丙氧基；丁氧基；异丁氧基；叔丁氧基；戊氧基；己氧基；庚氧基；辛氧基；2-乙基己基氧基；壬氧基；癸氧基；3,7-二甲基辛基氧基；各自被氘原子、F、Cl、羟基、氰基、硝基和羧基的至少一种取代的甲氧基、乙氧基、丙氧基、异丙氧基、丁氧基、异丁氧基、叔丁氧基、戊氧基、己氧基、庚氧基、辛氧基、2-乙基己基氧基、壬氧基、癸氧基和3,7-二甲基辛基氧基；但不限于此。

所述聚合物可为由所述第一重复单元和第二重复单元组成的共聚物。所述共聚物可为嵌段共聚物、无规共聚物、或交替共聚物。例如，所述共聚物可为由所述第一重复单元和第二重复单元组成的交替共聚物。

在一些另外的实施方式中，所述聚合物可为由以式6A或6B表示的重复单元组成的交替共聚物：

式6A

式6B

式6A和6B中的Z₁、R₂₁和R₂₂如上限定，因此这里将不列举其详细描述。

所述包括由式1表示的第一重复单元的聚合物的重均分子量在聚苯乙烯的基础上可为约2,000-约1,000,000，和其多分散指数(PDI)可为约1.5-约5，但是所述聚合物的重均分子量和PDI不限于此。考虑到例如包括所述聚合物的有机发光器件的结构和所需特性，可确定所述重均分子量和PDI，所述重均分子量和PDI可例如通过在聚苯乙烯校准的基础上的凝胶渗透色谱法(GPC)获得。

如本文中使用的，在术语“取代或未取代的X(其中X为基团)”中的术语“取代的X”是指其至少一个氢原子被如下取代的基团X：氘原子、卤素原子、羟基、硝基、氰基、脒基、肼基、羧酸基团或其盐衍生物、磺酸基团或其盐衍生物、磷酸基团或其盐衍生物、取代或未取代的C₁-C₆₀烷基、取代或未取代的C₂-C₆₀烯基、取代或未取代的C₂-C₆₀炔基、取代或未取代的C₁-C₆₀烷氧基、取代或未取代的C₃-C₆₀环烷基、取代或未取代的C₃-C₆₀环烯基、取代或未取代的C₆-C₆₀芳基、取代或未取代的C₆-C₆₀芳氧基、取代或未取代的C₂-C₆₀杂芳基、-N(Q₁₀₁)(Q₁₀₂)或-Si(Q₁₀₃)(Q₁₀₄)(Q₁₀₅)，其中Q₁₀₁-Q₁₀₅可各自独立地为氢原子、卤素原子、羟基、氰基、取代或未取代的C₁-C₆₀烷基、取代或未取代的C₂-C₆₀烯基、取代或未取代的C₂-C₆₀炔基、取代或未取代的C₁-C₆₀烷氧基、取代或未取代的C₃-C₆₀环烷基、取代或未取代的C₃-C₆₀环烯基、取代或未取代的C₆-C₆₀芳基、取代或未取代的C₆-C₆₀芳氧基、或者取代或未取代的C₂-C₆₀杂芳基。如果取代基的数量为至少2，则所述取代基可彼此相同或不同。

在一些实施方式中，“取代的X”可指其至少一个氢原子被如下取代的基团X：氘原子、卤素原子、羟基、氰基、取代或未取代的C₁-C₁₀烷基、取代或未取代的C₁-C₁₀烷氧基、取代或未取代的C₆-C₂₀芳基、取代或未取代的C₂-C₂₀杂芳基、-N(Q₁₀₁)(Q₁₀₂)或-Si(Q₁₀₃)(Q₁₀₄)(Q₁₀₅)，其中Q₁₀₁-Q₁₀₅可各自独立地为氢原子、卤素原子、羟基、氰基、取代或未取代的C₁-C₁₀烷基、取代或未取代的C₁-C₁₀烷氧基、取代或未取代的C₆-C₂₀芳基、或者取代或未取代的C₂-C₂₀杂芳基。

在一些实施方式中，“取代的X”可指其至少一个氢原子被如下取代的基团X：氘原子、卤素原子、羟基、氰基、C₁-C₁₀烷基、C₁-C₁₀烷氧基、C₆-C₂₀芳基、C₂-C₂₀杂芳基、-N(Q₁₀₁)(Q₁₀₂)或-Si(Q₁₀₃)(Q₁₀₄)(Q₁₀₅)，其中Q₁₀₁-Q₁₀₅可各自独立地为氢原子、卤素原子、羟基、氰基、C₁-C₁₀烷基、C₁-C₁₀烷氧基、C₆-C₂₀芳基、或者C₂-C₂₀杂芳基。

在一些实施方式中，“取代的X”可指其至少一个氢原子被如下取代的基团X：氘原子、卤素原子、羟基、氰基、甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、甲氧基、乙氧基、丙氧基、戊氧基、苯基、萘基、或蒽基。

如本文中使用的，术语“未取代的C₁-C₆₀烷基”可具有直链或支链基团。C₁-C₆₀烷基的实例包括，但不限于，甲基、乙基、丙基、异丁基、仲丁基、戊基、异戊基、己基、庚基、辛基、壬基等。取代的C₁-C₆₀烷基的取代基与以上关于“取代的X”描述的相同。

如本文中使用的，未取代的C₂-C₆₀烯基表示在未取代的C₂-C₆₀烷基的中间或末端具有至少一个碳-碳双键的烃链。未取代的C₂-C₆₀烯基的非限制性实例包括乙烯基、丙烯基、丁烯基、戊烯基、己烯基、庚烯基、辛烯基、丙二烯基、异戊二烯基、和烯丙基。取代的C₂-C₆₀烯基的取代基与以上关于“取代的X”描述的相同。

如本文中使用的，未取代的C₂-C₆₀炔基表示在未取代的C₂-C₆₀烷基的中间或末端具有至少一个碳-碳三键的烃链。未取代的C₂-C₆₀炔基的实例为乙炔基。取代的C₂-C₆₀炔基的取代基与以上关于“取代的X”描述的相同。

如本文中使用的，未取代的C₁-C₆₀烷氧基是指具有-OY结构的基团，其中Y为如上所述的未取代的C₁-C₆₀烷基。未取代的C₁-C₆₀烷氧基的实例包括甲氧基、乙氧基、异丙氧基、丁氧基、和戊氧基。取代的C₁-C₆₀烷氧基的取代基与以上关于“取代的X”描述的相同。

如本文中使用的，未取代的C₃-C₆₀环烷基表示环状饱和烃基团。未取代的C₃-C₆₀环烷基的非限制性实例包括环丙基、环丁基、环戊基、环己基、和环辛基。取代的C₃-C₆₀环烷基的取代基与以上关于“取代的X”描述的相同。

如本文中使用的，未取代的C₃-C₆₀环烯基表示具有至少一个碳-碳双键的非芳族的、环状不饱和烃基团。未取代的C₃-C₆₀环烯基的实例包括环丙烯基、环丁烯基、环戊烯基、环己烯基、环庚烯基、1,3-环己二烯基、1,4-环己二烯基、2,4-环庚二烯基、和1,5-环辛二烯基。取代的C₃-C₆₀环烯基的取代基与以上关于“取代的X”描述的相同。

如本文中使用的，未取代的C₆-C₆₀芳基表示包括C₆-C₆₀碳环芳族体系的单价基团，其可为单环或多环的。在多环基团中，至少两个环可彼此稠合。未取代的C₆-C₆₀芳基的实例包括苯基、并环戊二烯基、茚基、萘基、薁基、庚搭烯基、引达省基、苊基、芴基、螺-芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、基、并四苯基、苉基、二萘嵌苯基、戊芬基、和并六苯基。取代的C₆-C₆₀芳基的取代基与以上关于“取代的X”描述的相同。

如本文中使用的，未取代的C₂-C₆₀杂芳基表示包括至少一个具有选自N、O、P和S的至少一种杂原子的环的单环或多环基团。在多环基团中，至少两个环可彼此稠合。未取代的C₂-C₆₀杂环基团的实例包括吡咯基、咪唑基、吡唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、异吲哚基、吲哚基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、苯并喹啉基、2,3-二氮杂萘基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、咔唑基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、呋喃基、苯并呋喃基、噻吩基、苯并噻吩基、噻唑基、异噻唑基、苯并噻唑基、异唑基、唑基、三唑基、四唑基、二唑基、三嗪基、和苯并唑基。取代的C₂-C₆₀杂芳基的取代基与以上关于“取代的X”描述的相同。

如本文中使用的，“*”和“*’”表示与相邻部分的结合位点，这是本领域普通技术人员将理解的。

所述包括式1的第一重复单元的聚合物可使用已知的有机合成方法例如使用Suzuki偶联或Yamamoto偶联合成。所述聚合物的合成方法可由以下描述的实施例被本领域普通技术人员所理解。

因此，所述聚合物可用在有机发光器件中，例如作为有机发光器件的发射层中的磷光主体与磷光掺杂剂一起用在有机发光器件中。

与由于在光发射中仅涉及单重态能级而具有最大仅25%的内量子效率的荧光材料相比，容许在单重态和三重态能级之间的系间穿越的磷光材料可由于在光发射中涉及的三重态能级的激子而在理论上具有100%的内量子效率。因此，使用磷光材料可实施高效率的有机光发射器件。考虑到已知的磷光掺杂剂具有高的三重态能量和所述聚合物的上述特性，所述聚合物可用作有机发光器件的发射层中的磷光主体。

在一些实施方式中，所述聚合物可用作有机发光器件的发射层中的红色、绿色和/或蓝色磷光主体。在一些另外的实施方式中，所述聚合物可用作有机发光器件的发射层中的红色和/或绿色磷光主体，但不限于此。

根据本公开内容的另一示例性实施方式，有机发光器件(OLED)包括基底、第一电极、第二电极、及设置在所述第一电极和第二电极之间的第一层，所述第一层包括上述聚合物。

所述第一层可起到例如发射层的作用。

如果所述第一层是发射层，所述第一层可进一步包括磷光掺杂剂。在所述第一层中使用的磷光掺杂剂可为任何已知的磷光掺杂剂。例如，所述磷光掺杂剂可包括包含如下的至少一种的有机金属络合物：铱(Ir)、铂(Pt)、锇(Os)、铼(Re)、钛(Ti)、锆(Zr)、和铪(Hf)。

例如，所述磷光掺杂剂可包括如下的至少一种：二噻吩基吡啶乙酰丙酮合铱、二(苯并噻吩基吡啶)乙酰丙酮合铱、二(2-苯基苯并噻唑)乙酰丙酮合铱、二(1-苯基异喹啉)乙酰丙酮合铱、三(1-苯基异喹啉)合铱、三(苯基吡啶)合铱、三(2-联苯基吡啶)合铱、三(3-联苯基吡啶)合铱、三(4-联苯基吡啶)合铱、Ir(pq)₂(acac)(其中“pq”为2-苯基喹啉的缩写；和“acac”为乙酰丙酮的缩写，参见以下化合物10)、Ir(ppy)₃(其中“ppy”为苯基吡啶的缩写，参见以下化合物11)、八乙基卟啉合铂(II)(PtOEP，参见以下化合物)、以下化合物12、Firpic(参见以下化合物13)、Ir(piq)₃(参见以下化合物)、Ir(piq)₂acac(其中“piq”为苯基异喹啉的缩写，参见以下化合物14)、Ir(mppy)₃(参见以下掺杂剂1)、以下掺杂剂2、Btp₂Ir(acac)(参见以下化合物)、F₂Irpic(参见以下化合物)、(F₂ppy)₂Ir(tmd)(参见以下化合物)、和Ir(dfppz)₃(参见以下化合物)，但不限于此：

化合物10 化合物11

化合物12 化合物13

化合物14 <掺杂剂1>

<掺杂剂2>

除了如上所述可起到发射层作用的第一层之外，OLED可进一步在所述第一电极和第二电极之间包括以下的至少一种：空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、空穴阻挡层(HBL)、电子传输层(ETL)、和电子注入层(EIL)。

图1是根据本公开内容的实施方式的OLED 10的示意性截面图。参考图1，OLED 10包括基底11、第一电极12、HTL 13、第一层15、ETL 16、EIL 18、和第二电极19。第一层15可起到发射层(EML)的作用。下文中，将详细描述OLED 10及其制造方法。

首先，通过沉积、离子镀、镀敷或溅射在基底11上形成第一电极12。第一电极12可由具有高功函的第一电极形成材料形成。第一电极12可构成可注入空穴的阳极或可注入电子的阴极。基底11可为在通常的OLED中使用的任何基底，其可为具有优异的机械强度、热稳定性、透明性、表面平滑度、易处理性和耐水性的玻璃基底或透明塑料基底。所述第一电极形成材料的实例包括金属氧化物、金属硫化物、或金属，其都具有高的电导率。通常，使用这些材料形成薄膜。所述第一电极形成材料的实例包括铟氧化物、锌氧化物、锡氧化物、其组合例如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)，金(Au)，铂(Pt)，银(Ag)，和铜(Cu)。而且，还可使用聚苯胺或其衍生物、或聚噻吩或其衍生物作为所述第一电极形成材料。第一电极12可具有单层结构或包括至少两层的多层结构。第一电极12可包含至少两种不同的材料。第一电极12的厚度可考虑到透光率和电导率而合适地变化，例如可在约10nm-约10μm的范围内。

接着，尽管未在图1中示出，但是如果第一电极12为阳极，可在第一电极12上进一步形成HIL。HIL可通过真空沉积、旋涂、流延、喷墨印刷、LB沉积等形成。

当使用真空沉积形成HIL时，沉积条件可根据用于形成HIL的材料、及待形成的HIL的结构和热性质而变化。例如，用于真空沉积的条件可包括100-500℃的沉积温度、10^-8-10^-3托的压力和秒的沉积速率。

当使用旋涂形成HIL时，涂覆条件可根据用于形成HIL的材料、及待形成的HIL的结构和热性质而变化。但是，通常，用于旋涂的条件可包括约2000-约5000rpm的涂覆速率和用于在涂覆后除去溶剂的约80-300℃的热处理温度。

HIL可由通常用于形成HIL的任何材料形成。可用于形成HIL的材料的实例包括酞菁化合物如铜酞菁、4,4’,4”-三(3-甲基苯基苯基氨基)三苯基胺(m-MTDATA)、N,N’-二(1-萘基)-N,N’-二苯基联苯胺(NPB)、TDATA(参见下式)、和2T-NATA(参见下式)，但不限于此。

HIL的厚度可为约约和在一些另外的实施方式中，可为约-约当HIL的厚度在这些范围内时，HIL可具有令人满意的空穴注入性能，而没有驱动电压的增加。

接着，可通过使用真空沉积、旋涂、流延、喷墨印刷或LB沉积在第一电极12或HIL上形成HTL13。

当使用真空沉积或旋涂形成HTL13时，用于沉积和涂覆的条件与用于形成HIL的那些类似，尽管用于沉积和涂覆的条件可根据用于形成HTL13的材料而变化。

HTL13可由用于形成HTL的任何已知的材料形成。可用于形成HTL13的材料的实例包括具有芳族环的胺衍生物如N,N’-二(3-甲基苯基)-N,N’-二苯基-[1,1-联苯基]-4,4’-二胺(TPD)，聚苯胺/十二烷基苯磺酸(Pani/DBSA，参见下式)；聚(3,4-亚乙基二氧噻吩)/聚(4-磺苯乙烯)(PEDOT/PSS，参见下式)；聚苯胺/樟脑磺酸(Pani/CSA)；和聚苯胺/聚(4-磺苯乙烯)(PANI/PSS)，但不限于此。

HTL13的厚度可为约-约和在一些另外的实施方式中，可为约-约当HTL13的厚度在这些范围内时，HTL13可具有令人满意的空穴传输性能，而没有驱动电压的显著增加。

在HTL13上可形成可起到发射层作用的第一层15。可通过旋涂、流延、喷墨印刷、LB沉积等形成第一层15。当使用旋涂形成第一层15时，用于形成第一层15的条件与用于形成HIL的那些类似，尽管用于形成第一层15的条件可根据用于形成第一层15的聚合物和/或化合物而变化。

第一层15可包括所述聚合物作为主体。在另外的实施方式中，除了上述聚合物以外，第一层15可进一步包括磷光掺杂剂。所述磷光掺杂剂的实例如上所述。

如果第一层15包括上述聚合物和磷光掺杂剂，第一层15中磷光掺杂剂的量可为约0.5重量%-约10重量%，基于第一层15的总重量(100重量%)。当磷光掺杂剂的量在该范围内时，可基本上防止浓度猝灭。

在一些另外的实施方式中，第一层15可排他地包括上述聚合物，或者除了所述聚合物外，可进一步包括已知的荧光掺杂剂。

可起到EML作用的第一层15的厚度可为约-约和在一些另外的实施方式中，可为约-约当第一层15的厚度在这些范围内时，第一层15可具有令人满意的光发射特性，而没有驱动电压的显著增加。

尽管未在图1中说明，但是如果需要，可在第一层15上进一步形成HBL。

HBL可防止第一层15中的三重态激子或空穴扩散到第二电极19中。可通过使用真空沉积、旋涂、流延、LB沉积等形成HBL。当使用真空沉积或旋涂形成HBL时，沉积和涂覆条件可与用于形成HIL的那些类似，尽管用于沉积和涂覆的条件可根据用于形成HBL的材料变化。可用于形成HBL的材料的实例包括二唑衍生物、三唑衍生物、菲咯啉衍生物、和TAZ(参见下式)，但不限于此。

HBL的厚度可为约-约和在一些另外的实施方式中，可为约-约当HBL的厚度在这些范围内时，HBL可具有令人满意的空穴阻挡性能。

接着，可通过使用真空沉积、旋涂、流延等在第一层15或HBL上形成ETL16。当使用真空沉积或旋涂形成ETL16时，沉积和涂覆条件可与用于形成HIL的那些类似，尽管沉积和涂覆条件可根据用于形成ETL的材料变化。可用于形成ETL16的材料的实例包括任何已知的稳定地传输从电子注入电极(即阴极)注入的电子的材料，如喹啉衍生物、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(Bphen)、BAlq(参见下式)、三(8-羟基喹啉)铝(Alq₃)、二(10-羟基苯并喹啉)铍(Bebq₂)、或TPBi(参见下式)。

ETL16的厚度可为约-约和在一些另外的实施方式中，可为约-约当ETL16的厚度在这些范围内时，ETL16可具有令人满意的电子传输性能，而没有驱动电压的显著增加。

接着，可在ETL16或第一层15上形成EIL18。EIL18可由任何已知的材料如LiF、NaCl、CsF、Li₂O、BaO、BaF₂等形成。用于形成EIL18的沉积和涂覆条件可与用于形成HIL的那些类似，尽管沉积和涂覆条件可根据用于形成EIL18的材料而变化。

EIL18的厚度可为约-约和在一些另外的实施方式中，可为约-约当EIL18的厚度在这些范围内时，EIL18可具有令人满意的电子注入性能，而没有驱动电压的显著增加。

最后，可在EIL18上形成第二电极19。可根据以上关于第一电极12描述的方法形成第二电极19。第二电极19可构成阴极或阳极。当第二电极19构成阴极时，第二电极19可由具有低功函的材料形成。所述具有低功函的材料的实例包括碱金属如锂(Li)、钠(Na)、钾(K)、铷(Rb)或铯(Cs)；碱土金属如铍(Be)、镁(Mg)、钙(Ca)、锶(Sr)或钡(Ba)；金属，如铝(Al)、钪(Sc)、钒(V)、锌(Zn)、钇(Y)、铟(In)、铈(Ce)、钐(Sm)、铕(Eu)、铽(Tb)、或镱(Yb)；这些金属的至少两种的合金；这些金属的至少一种与金(Au)、银(Ag)、铂(Pt)、铜(Cu)、镁(Mg)、钛(Ti)、钴(Co)、镍(Ni)、钨(W)、和锡(Sn)的合金；石墨；和石墨插层化合物，但不限于此。可用于形成第二电极19的合金的实例包括Mg-Ag合金、Mg-In合金、Mg-Al合金、In-Ag合金、Li-Al合金、Li-Mg合金、Li-In合金、和Ca-Al合金。第二电极19可形成为单层或包括至少两层的多层结构。第二电极19可排他地包含一种材料或可包括两种不同的材料。第二电极19可以多种形式实施，例如作为透明、半透明或反射电极。第二电极19的厚度可为约10nm-约10μm，但不限于此。

现在将参考以下实施例详细地描述本发明的一个或多个实施方式。但是，这些实施例不意在限制本发明的一个或多个实施方式的范围。

实施例

合成实施例1：聚合物A的合成

<聚合物A：由以下包括第一重复单元和第二重复单元的单元组成的聚合物>

在对50mL充分干燥的2颈烧瓶装备回流冷凝器后，将668mg(1.0mmol)以下化合物B、568mg(1.0mmol)以下化合物C、4.49mg(0.02mmol)乙酸钯(Pd(OAc)₂)和22.4mg(0.08mmol)三环己基膦(PCy₃)置于烧瓶中，然后将其连接到Schlenk管线(line)，随后进行排空几次，和在氮气气氛下回流。随后，在通过搅拌在氮气气氛中添加6mL无水甲苯后，向其添加45.7μL(0.1mmol)Aliquat336和4mL2M碳酸钾水溶液。在回流条件和氮气气氛下搅拌反应化合物约48小时。在添加340mg(2.5mmol)对甲苯基硼酸并搅拌1小时后，添加308μL(2.5mmol)4-溴甲苯并进一步搅拌2小时。在反应完成后，将反应混合物的温度降至室温，通过添加30mL甲苯和30mL水稀释，并分离和浓缩有机相。将所得浓缩化合物溶解在10mL甲苯中，并用300mL甲醇沉淀，由此得到680mg聚合物A。作为使用凝胶渗透色谱法(GPC)分析聚合物A的结果，发现聚合物A具有约1.82×10⁴的重均分子量(M_w)、约6.59×10³的数均分子量(M_n)和约2.76的分子量分布(MWD)。

合成实施例2：聚合物D的合成

<聚合物D：由以下重复单元组成的聚合物>

以与合成实施例1中相同的方式合成聚合物D，除了使用以下化合物E代替化合物B。作为使用GPC分析聚合物D的结果，发现聚合物D具有约7.34×10³的M_w、约3.50×10³的M_n和约2.10的MWD。

合成实施例3：聚合物F的合成(合成对比例)

<聚合物F：由以下重复单元组成的聚合物>

以与合成实施例1中相同的方式合成聚合物F，除了使用以下化合物G代替化合物B。作为使用GPC分析聚合物F的结果，发现聚合物F具有约6.60×10³的M_w、约3.46×10³的M_n和约1.91的MWD。

合成实施例4：聚合物H的合成

<聚合物H：由以下重复单元组成的聚合物>

以与合成实施例1中相同的方式合成聚合物H，除了使用以下化合物I代替化合物B。作为使用GPC分析聚合物H的结果，发现聚合物H具有约8.05×10³的M_w、约4.33×10³的M_n和约1.86的MWD。

合成实施例5：聚合物J的合成

<聚合物J：由以下重复单元组成的聚合物>

以与合成实施例1中相同的方式合成聚合物J，除了使用以下化合物K代替化合物B。作为使用GPC分析聚合物J的结果，发现聚合物J具有约2.34×10⁴的M_w、约1.09×10⁴的M_n和约2.15的MWD。

合成实施例6：聚合物L的合成

<聚合物L：由以下重复单元组成的聚合物>

以与合成实施例1中相同的方式合成聚合物L，除了使用以下化合物M代替化合物B。作为使用GPC分析聚合物L的结果，发现聚合物L具有约8.66×10³的M_w、约4.37×10³的M_n和约1.98的MWD。

评价实施例1：聚合物的χ_50％、二面角和三重态能量(E_T1)的评估在聚合物A、D和F的主链中的四个连续重复单元由式A、D和F表示。

式A

式D

式F

对于分别具有由式A、D和F表示的单元的聚合物A、D和F，使用下表2中描述的方法评估在第n个重复单元中的和θ、第一二面角、第二二面角和三重态能量(E_T1)。结果示于表3中。根据以上方程1计算表3中的χ_50%：

表2

表3

参考表3，发现聚合物A和D分别具有比聚合物A和D的χ_50%大的第一二面角和第二二面角、以及相对于聚合物F的高的三重态能量，而聚合物F具有比聚合物F的χ_50%小的第一二面角和第二二面角以及相对低的三重态能量。

评价实施例2：聚合物(在溶液中)的发光性能的评价

使用PL光谱评价聚合物A的发光性能。首先，用甲苯将聚合物A稀释至10mM的浓度，并使用装备有氙灯的ISC PC1荧光分光光度计测量溶液的PL。

图2显示，在溶液中的聚合物A具有较好的发光特性。

实施例1

首先，清洁通过用氧化铟锡(ITO)涂覆玻璃基底而形成的透明电极基底。然后，使用感光树脂和蚀刻剂将ITO层图案化为所需图案，随后进一步清洁。将包含聚(3,4-亚乙基二氧噻吩)(PEDOT)的HTL组合物(Batron P4083，可得自Bayer AG)涂覆在ITO层上并在约200℃下烘烤约0.5小时以形成HTL。将包含在氯苯中的99.3重量%聚合物A和0.7重量%掺杂剂1的EML组合物旋涂在HTL上并在约120℃下烘烤30分钟以形成包含聚合物A和掺杂剂1的EML。在涂覆之前使用0.2mm过滤器过滤所述HTL组合物和所述EML组合物。调节所述HTL组合物和所述EML组合物的浓度和涂覆速率以形成分别具有约55nm和约40nm厚度的HTL和EML。在4×10^-6托或更小的压力下将TPBi真空沉积在EML上以形成具有约30nm厚度的ETL。然后，在ETL上顺序沉积LiF和Al以形成具有约0.5nm厚度的EIL和具有约100nm厚度的第二电极，由此制造OLED。在沉积过程期间使用晶体传感器调节所述层各自的厚度和生长速率。

<PEDOT：PSS> <掺杂剂1>

<TPBi>

实施例2

以与实施例1中相同的方式制造OLED，除了使用掺杂剂2代替掺杂剂1以形成EML。

<掺杂剂2>

实施例3

以与实施例1中相同的方式制造OLED，除了使用聚合物D代替聚合物A以形成EML。

实施例1-3的OLED的结构总结在下表4中：

表4

评价实施例3：OLED的特性的评价

使用PR650Spectroscan Source Measurement Unit(可得自PhotoResearch)评价实施例1-3的OLED的电致发光光谱、电流密度、电流效率和亮度。结果显示在图3-12中。

参考图3-12，发现包括聚合物A或D的实施例1-3的OLED具有较好的电流密度和亮度特性。

如上所述，根据本发明的以上实施方式的一个或多个，包括以上式1的重复单元的聚合物可具有高的三重态能级，且因此包括所述聚合物的OLED可具有高的电流密度和高的亮度特性。

应理解，本文中描述的示例性实施方式应仅在描述的意义上考虑，而不用于限制的目的。在各实施方式中特征或方面的描述应典型地被认为可用于其它实施方式中的其它类似特征或方面。

Claims (18)

1.聚合物，包括m个重复单元，

其中所述m个重复单元中的第n个重复单元为由下式1表示的第一重复单元，

其中所述第n个重复单元的A₁环与第(n-1)个重复单元的第一芳族环之间的第一二面角和所述第n个重复单元的A₂环与第(n+1)个重复单元的第二芳族环之间的第二二面角的至少一个等于或大于由方程1表示的χ_50％的角度：

式1

方程1

其中所述第一芳族环通过单键结合到所述A₁环；

所述第二芳族环通过单键结合到所述A₂环；

式1的R₁-R₇各自独立地为以下的一种：氢原子、氘原子、卤素原子、羟基、氰基、硝基、羧基、取代或未取代的C₁-C₆₀烷基、取代或未取代的C₂-C₆₀烯基、取代或未取代的C₂-C₆₀炔基、取代或未取代的C₁-C₆₀烷氧基、取代或未取代的C₃-C₆₀环烷基、取代或未取代的C₃-C₆₀环烯基、取代或未取代的C₆-C₆₀芳基、取代或未取代的C₆-C₆₀芳氧基、取代或未取代的C₆-C₆₀芳硫基、取代或未取代的C₂-C₆₀杂芳基、-N(Q₁)(Q₂)和-Si(Q₃)(Q₄)(Q₅)，其中Q₁-Q₅各自独立地为氢原子、氘原子、卤素原子、羟基、氰基、硝基、羧基、C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀烯基、C₂-C₆₀炔基、C₃-C₆₀环烷基、C₆-C₆₀芳基、或C₂-C₆₀杂芳基；

式1的X为单键、或包括碳或16族元素的连接体；

m为2-1000的整数；

n为2至m-1的变量；

式1的A为26.03，和B为0.0445；

方程1的为式1的A₁环和A₂环之间的角度，如下式1-1中说明的；和

方程1的θ为由式1的A₁环和A₃环之间的键在靠近A₃环的氮的方向上延伸的第一假想线与由A₂环和A₃环之间的键在靠近A₃环的氮的方向上延伸的第二假想线之间的角度，如下式1-2中所说明的：

其中所述第一二面角、所述第二二面角、方程1的和方程1的θ是通过应用密度泛函理论以B3LYP/6-31+G(D)基组进行计算的，和

其中所述聚合物进一步包括由式5A、5B、5D或5E表示的第二重复单元：

其中，在式5A、5B、5D和5E中，

R₂₁和R₂₂各自独立地为取代或未取代的C₁-C₆₀烷基；和

Y₁和Y₂各自独立地为氢原子、取代或未取代的C₁-C₆₀烷基、或者取代或未取代的C₁-C₆₀烷氧基。

2.权利要求1的聚合物，其中X为由下式2表示的连接体；32.52≤θ≤34.52；和38.00≤χ_50％≤40.00：

式2

式2的R₁₁-R₁₄各自独立地为氢原子、氘原子、卤素原子、羟基、氰基、硝基、羧基、取代或未取代的C₁-C₆₀烷基、取代或未取代的C₂-C₆₀烯基、取代或未取代的C₂-C₆₀炔基、取代或未取代的C₁-C₆₀烷氧基、取代或未取代的C₃-C₆₀环烷基、取代或未取代的C₃-C₆₀环烯基、取代或未取代的C₆-C₆₀芳基、取代或未取代的C₆-C₆₀芳氧基、取代或未取代的C₆-C₆₀芳硫基、或者取代或未取代的C₂-C₆₀杂芳基。

3.权利要求2的聚合物，其中式2的R₁₁-R₁₄各自独立地为氢原子；氘原子；F；Cl；羟基；氰基；硝基；羧基；甲基；乙基；丙基；异丙基；丁基；异丁基；叔丁基；戊基；己基；庚基；辛基；2-乙基己基；壬基；癸基；3,7-二甲基辛基；各自被氘原子、F、Cl、羟基、氰基、硝基和羧基的至少一种取代的甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、异丁基、叔丁基、戊基、己基、庚基、辛基、2-乙基己基、壬基、癸基和3,7-二甲基辛基；甲氧基；乙氧基；丙氧基；异丙氧基；丁氧基；异丁氧基；叔丁氧基；戊氧基；己氧基；庚氧基；辛氧基；2-乙基己基氧基；壬氧基；癸氧基；3,7-二甲基辛基氧基；和各自被氘原子、F、Cl、羟基、氰基、硝基和羧基的至少一种取代的甲氧基、乙氧基、丙氧基、异丙氧基、丁氧基、异丁氧基、叔丁氧基、戊氧基、己氧基、庚氧基、辛氧基、2-乙基己基氧基、壬氧基、癸氧基和3,7-二甲基辛基氧基。

4.权利要求1的聚合物，其中X为单键；-34.45°≤θ≤-32.45°；和27.00°≤χ_50％≤29.00°。

5.权利要求1的聚合物，其中X为由-O-表示的连接体；-2.81°≤θ≤-0.81°；和32.00°≤χ_50％≤34.00°。

6.权利要求1的聚合物，其中X为由-S-表示的连接体；10.01°≤θ≤12.01°；和34.00°≤χ_50％≤36.00°。

7.权利要求1的聚合物，其中X为由-Se-表示的连接体；14.46°≤θ≤16.46°；和34.00°≤χ_50％≤36.00°。

8.权利要求1的聚合物，其中，在式1中，R₂-R₇为氢原子，和R₁由以下式3A、3B、3C、3D、3E、3F、3G、3H或3I表示：

其中在式3A-3I中，Z₁和Z₂各自独立地为氢原子、氘原子、卤素原子、羟基、氰基、硝基、羧基、取代或未取代的C₁-C₆₀烷基、取代或未取代的C₂-C₆₀烯基、取代或未取代的C₂-C₆₀炔基、取代或未取代的C₁-C₆₀烷氧基、取代或未取代的C₃-C₆₀环烷基、取代或未取代的C₃-C₆₀环烯基、取代或未取代的C₆-C₆₀芳基、取代或未取代的C₆-C₆₀芳氧基、取代或未取代的C₆-C₆₀芳硫基、或者取代或未取代的C₂-C₆₀杂芳基；

p为0-9的整数；和

q为0-4的整数。

9.权利要求1的聚合物，其中式1的R₁由下式4A表示：

其中式4A的Z₁为氢原子；氘原子；F；Cl；羟基；氰基；硝基；羧基；甲基；乙基；丙基；异丙基；丁基；异丁基；叔丁基；戊基；己基；庚基；辛基；2-乙基己基；壬基；癸基；3,7-二甲基辛基；各自被氘原子、F、Cl、羟基、氰基、硝基和羧基的至少一种取代的甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、异丁基、叔丁基、戊基、己基、庚基、辛基、2-乙基己基、壬基、癸基和3,7-二甲基辛基；甲氧基；乙氧基；丙氧基；异丙氧基；丁氧基；异丁氧基；叔丁氧基；戊氧基；己氧基；庚氧基；辛氧基；2-乙基己基氧基；壬氧基；癸氧基；3,7-二甲基辛基氧基；和各自被氘原子、F、Cl、羟基、氰基、硝基和羧基的至少一种取代的甲氧基、乙氧基、丙氧基、异丙氧基、丁氧基、异丁氧基、叔丁氧基、戊氧基、己氧基、庚氧基、辛氧基、2-乙基己基氧基、壬氧基、癸氧基和3,7-二甲基辛基氧基。

10.权利要求1的聚合物，其中R₂₁和R₂₂各自独立地为甲基；乙基；丙基；异丙基；丁基；异丁基；叔丁基；戊基；己基；庚基；辛基；2-乙基己基；壬基；癸基；3,7-二甲基辛基；和各自被氘原子、F、Cl、羟基、氰基、硝基和羧基的至少一种取代的甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、异丁基、叔丁基、戊基、己基、庚基、辛基、2-乙基己基、壬基、癸基和3,7-二甲基辛基。

11.权利要求1的聚合物，其中所述聚合物为由所述第一重复单元和第二重复单元组成的交替共聚物。

12.权利要求1的聚合物，其中所述聚合物为由以下式6A或6B表示的重复单元组成的交替共聚物：

式6A

式6B

其中，在式6A和6B中，R₂₁和R₂₂各自独立地为甲基；乙基；丙基；异丙基；丁基；异丁基；叔丁基；戊基；己基；庚基；辛基；2-乙基己基；壬基；癸基；3,7-二甲基辛基；和各自被氘原子、F、Cl、羟基、氰基、硝基和羧基的至少一种取代的甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、异丁基、叔丁基、戊基、己基、庚基、辛基、2-乙基己基、壬基、癸基和3,7-二甲基辛基；和

Z₁为氢原子；氘原子；F；Cl；羟基；氰基；硝基；羧基；甲基；乙基；丙基；异丙基；丁基；异丁基；叔丁基；戊基；己基；庚基；辛基；2-乙基己基；壬基；癸基；3,7-二甲基辛基；各自被氘原子、F、Cl、羟基、氰基、硝基和羧基的至少一种取代的甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、异丁基、叔丁基、戊基、己基、庚基、辛基、2-乙基己基、壬基、癸基和3,7-二甲基辛基；甲氧基；乙氧基；丙氧基；异丙氧基；丁氧基；异丁氧基；叔丁氧基；戊氧基；己氧基；庚氧基；辛氧基；2-乙基己基氧基；壬氧基；癸氧基；3,7-二甲基辛基氧基；和各自被氘原子、F、Cl、羟基、氰基、硝基和羧基的至少一种取代的甲氧基、乙氧基、丙氧基、异丙氧基、丁氧基、异丁氧基、叔丁氧基、戊氧基、己氧基、庚氧基、辛氧基、2-乙基己基氧基、壬氧基、癸氧基和3,7-二甲基辛基氧基。

13.权利要求1的聚合物，其中所述聚合物具有2,000-100,000的重均分子量。

14.权利要求1的聚合物，其中所述聚合物用作磷光主体。

15.有机发光器件，包括：基底；第一电极；第二电极；以及设置在所述第一电极和第二电极之间的第一层，所述第一层包括权利要求1-14中任一项的聚合物。

16.权利要求15的有机发光器件，其中所述第一层为发射层且进一步包括磷光掺杂剂。

17.权利要求16的有机发光器件，其中所述磷光掺杂剂包括包含如下的至少一种的有机金属络合物：铱(Ir)、铂(Pt)、锇(Os)、铼(Re)、钛(Ti)、锆(Zr)、和铪(Hf)。

18.权利要求16的有机发光器件，其中在所述第一层中所述磷光掺杂剂的量为0.5重量％-10重量％，基于所述第一层的总重量。