CN1938661A - 半导体制造气流分配系统和方法 - Google Patents

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Abstract

一种用于将单一气流分成两个或更多所需比例的次级气流的系统，包括：入口，适用于接收所述单一气流；至少两个次级流管线，与所述入口相连；输入装置，适用于接收至少一个所需流量比；至少一个原位工艺监视器，用于提供对由所述每条流管线产生的产品的测量；以及控制器，与所述输入装置和所述原位工艺监视器相连。该控制器被程序化用于：接收通过所述输入装置的所需的流量比；接收来自所述工艺监视器的产品测量值；基于所述的所需流量比和所述的产品测量值计算校正的流量比。如果产品的测量值是不相等的，那么校正的流量比将不同于所需的流量比。

Description

半导体制造气流分配系统和方法
技术领域
本发明总体上涉及半导体制造设备，具体涉及用于向半导体工艺室精确输送定量的工艺气体的系统和方法。更具体地，本发明涉及一种系统和方法，该系统和方法用于将单一的工艺气流分成两个或更多所需比例的气流，其中，原位工艺监视器被用于提供对由每个气流产生的处理结果的实时监测，并且如果由每个气流产生的处理结果是不等的，那么该系统和方法实时地调整气流的比例，用以获得所需的处理结果。
背景技术
半导体器件的制造或制作通常需要对向工艺室输送的多种气体进行严格的同步和精确的测量。各种配方被用在制造过程中，并且可能需要许多分立的工艺步骤，在这些工艺步骤中半导体器件被清洗、抛光、氧化、掩蔽、刻蚀、掺杂以及金属化等。所用的步骤、它们特定的顺序以及包括的材料都对特定器件的制备有影响。
相应地，晶片制造设施一般规划为包括一些区域，在这些区域中进行化学气相淀积、等离子淀积、等离子刻蚀、溅射以及其它类似的气体制造工艺。必须向诸如化学气相淀积反应堆、真空溅射机、等离子刻蚀机或等离子增强化学气相淀积等工艺工具提供各种工艺气体。必须向这些工具提供精确计量的纯净气体。
在典型的晶片制造设施中，气体被存放在储气罐中，储气罐通过管道或导管与气箱相连。气箱从制造设施的储气罐中将精确计量的纯净惰性或反应气体送到工艺工具中。气箱或气体计量系统包括多个具有气体计量单元的气体通道，这些气体计量单元例如是阀、压力调节器和转换器、质量流量控制器以及过滤器/纯化器等。每个气体通道有它自己的用于连接单独的气体源的入口，但是所有的气体通道将会聚成用于连接工艺工具的单一出口。
有时需要将组合的工艺气体分成相等的气流或者分成不等但按一定比例的气流。例如，也许需要将来自气箱的单一气流分到多个工艺室中，其中每个工艺室得到等量的气流。还可能需要将来自气箱的单一气流分配到单个工艺室的单独的部分，其中工艺室的每部分获得相等的气流或不等但按一定比例的气流。
例如低或常压化学气相淀积、刻蚀以及外延等各种半导体制造工艺利用反应室中的喷头向反应室中要被处理的半导体晶片均匀分配工艺气体。喷头可以包括单个区域，或者可以包括两个或多个区域。多区域喷头的实例包括但不仅限于那些在美国专利NO.5,453,124(Mosleshi等)、美国专利NO.5,624,498(Lee等)、美国专利NO.5,976,261(Mosleshi等)、美国专利NO.6,251,187(Li等)、美国专利NO.6,302,964(Umotoy等)以及美国专利NO.6,676,760(Kholodenko等)中所示的喷头。
气流分配系统被用于确保在各个工艺室或单个工艺室的各个部分间按需分配气箱的主要气流。气流分配系统的实例包括但不仅限于那些在美国专利NO.4,369,031(Goldman等)、美国专利NO.6,333,372(McMillin等)、美国专利NO.6,418,954(Taylor等)以及已公开的美国专利申请NO.2003/0130807中所示的气流分配系统。
仍然需要一种新的和改进的气流分配系统和方法，该系统和方法可以用于例如在各个工艺室或单个工艺室的各个部分间划分单一的工艺气流。优选地，该气流分配系统和方法将结合原位工艺(晶片一致性)监测，如果需要，用以立即调整由气流分配系统和方法产生的流量比例，并实时校正半导体晶片的不一致。
发明内容
本发明提供了一种用于将单个质量流量分成两种或更多所需比例的次级流量。该系统包括用于接收单个质量流量的入口和与该入口相连的至少两个次级流管线。该系统还包括：输入装置，用于接收至少一个所需比例的流量(如设定点)；至少一个原位工艺监视器，用于提供对由每条流管线产生的产品的测量(如半导体晶片的薄膜测量)；以及控制器，其与输入装置和原位工艺监视器相连。控制器被程序化以接收通过输入装置的所需流量比，并接收来自原位工艺监视器的产品测量值，从而基于所需的流量比和产品测量值计算出校正的流量比。
根据本发明的一个方面，该系统包括与每条流管线相连的单独的工艺室，且每个工艺室包括至少一个原位工艺监视器，该原位工艺监视器用于提供对在每个工艺室中的半导体晶片的测量。
根据另一方面，该系统包括与所有流管线相连的单一工艺室，位于该工艺室中的半导体晶片被划分为相应于这些流管线的多个区域。根据额外的方面，这些流管线与工艺室的喷头相连，且该工艺室包括至少一个原位工艺监视器，该原位工艺监视器用于提供在工艺室中的半导体晶片的每个区域的测量。
本发明的其它方面和优点包括，该系统提供了对半导体晶片工艺不一致性的实时校正。该系统可以在各工艺室间或单个工艺室的各部分间分配单一工艺气流，并结合原位工艺(晶片一致性)监测，如果需要，用以立即调整由气流分配系统产生的流量比例，以实时校正半导体晶片的不一致。
根据本发明的再一方面，原位工艺监视器包括差动传感器。因此，本发明使用只需相对校准的传感器，而避免使用需要绝对校准的传感器，因为需要绝对校准的传感器麻烦、昂贵且常常是不可靠的。
根据以下的具体说明，其中将简单地通过示意的方式显示和描述本发明的示例实施例，本发明的其它方面和优点对本专业的技术人员而言将是显而易见的。要认识到，本发明可以包括其它不同的实施例，它的一些细节可以在各个方面进行修改，这些都不背离本发明。相应地，附图和描述只是示意性的说明本发明，而不是限制本发明。
附图说明
将参考以下附图，其中具有相同参考符号的组件表示类似的组件，并且其中：
图1是根据本发明构造的气流分配系统的示意图，示出了气流分配系统连接在气体计量盒和单个工艺室的喷头间；
图2是用于分配图1系统的气流的方法的流程图；和
图3是示出为连接在气体计量盒和两个工艺室间的图1的气流分配系统的示意图。
具体实施方式
参考图1和图2，本发明提供了气流分配系统10和方法12，用于将单一气流(也称质量流量)分成所需比例的两个或更多气流。系统10和方法12特别设计用于与气体计量系统配合使用，用于向半导体工艺室输送无污染的、精确计量的工艺气体。本发明的系统10和方法12结合原位工艺(晶片一致性)监测，用以在需要的情况下即时调整流量比例，以实时校正半导体晶片的不一致。
图1是气流分配系统10的示例性实施例的示意图，示出了气流分配系统10连接在气体计量盒110的示例实施例和单个工艺室106的喷头107的示例实施例间，工艺室106示为具有待处理的半导体晶片200。气体计量盒110例如从气体供应装置(如储气罐)104a、104b、104c、104d(虽然示出了四个罐，然而系统可以按需要包括多于或少于四个罐)接收多种气体，包括例如工艺气体和净化气体，然后混合并精确计量这些气体，将其送到气流分配系统10。
气箱110具有多个气棒112a、112b、112c、112d(虽然示出了四个棒，然而气箱可以包括多于或少于四个棒)。每个棒包括例如质量流量控制器(MFC)114、位于MFC前的阀116以及位于MFC后的阀118。气棒112a、112b、112c、112d分别与气体源104a、104b、104c、104d相连并提供可控的气体通道，使得可以将无污染、精确计量的气体或多种气体的混合气从气箱110提供到气流分配系统10。尽管未在图中显示，然而棒112a、112b、112c、112d也可每个分别配置有用于监测或控制气体的其它部件，诸如过滤器、净化器以及压力转换器和控制器。棒112a、112b、112c、112d在例如出口总管128处连接在一起，使得在离开气箱之前来自每个棒的气流按期望混合在一起。
真空泵120通过闸式阀122与工艺室106相连。在操作期间，真空泵120从气体源104a、104b、104c、104d抽取气体，通过气箱110以及气流分配系统10送入工艺室106中，使得气体可以用于处理半导体晶片200。在工艺室106中进行的工艺可以包括但不仅限制于化学气相淀积、等离子淀积、等离子刻蚀以及溅射。这些工艺可以使得材料层淀积在晶片200的上表面或从晶片200的上表面去除，或者可以使得晶片200上表面的特性(如气孔率)发生改变。可以监测晶片200的这些变化用以确定由气体产生的所需的工艺或多种工艺的进度。
仍然参考图1，本发明的气流分配系统10包括：入口管道或总管13，用于从气箱110的出口总管128接收单一气流；以及第一和第二流管线14a、14b，与入口13相连。每个管路14a、14b配置有：质量流量计量器18a、18b，用于测量通过管路的质量流量并提供测量流量的信号指示；阀20a、20b，用于基于所需流量比的信号指示控制通过管路的流量。比例系统10还具有：输入装置22，用于接收所需的流量比(直接来自操作人员，或者间接通过晶片处理微机控制器获得)；以及控制器24，与流量计量器18a和18b、阀20a和20b以及输入装置22相连。在这里，流量比被定义为通过第二管路14b的流量Q2除以通过第一管路14a的流量Q1。
要指出的是，虽然图1中所示的气体分配系统10的示例实施例只包括两条流管线14a、14b，但根据本发明构建的气体分配系统可以配置有三个或更多的流管线。
气流分配系统10还包括原位工艺监视器100，用于提供对由每条流管线14a、14b产生的产品的测量。例如，原位工艺监视器100可以提供对淀积在晶片200的上表面或从晶片200上去除的膜层厚度的测量。或者，原位工艺监视器100例如可以提供对晶片200的上表面特性(如气孔率)的测量。由原位工艺监视器100提供的测量值被用于确定工艺室106中晶片200上由气体产生的所需的一种或多种工艺的进度。
原位工艺监视器采用先进的薄膜测量方法，诸如椭率测量术、发光摄谱仪(OES)以及干涉测量法，用以确定诸如淀积膜厚等半导体晶片的特性。根据一个示例实施例，用作本发明系统10的部件的原位工艺监视器100包括差动传感器，通过监测来自光源的发射光和反射光的比例获得测量值。
原位工艺监视器在如美国专利NO.5,387,307(Bobel等)、美国专利NO.6,113,733(Eriguchi等)、美国专利NO.6,117,348(Peng等)、美国专利NO.6,278,809(Johnson等)、美国专利NO.6,563,578(Halliyal等)以及美国专利NO.6,633,391(Oluseyi等)中示出，以上的文献都在此参考并入。目前可用的原位工艺监视器例如来自Jobin Yvon，Inc.of Edison，NJ(www.jobinyvon.com)、SVT Associates，Inc.of Eden Prairie，MN(www.svta.com)、Micro Photonics Inc.ofAllentown，PA(www.microphotonics.com)、LuxtronCorporation ofSanta Clara，CA(www.luxtron.com)以及的4Wave，Inc.of Sterling，VA(www.4waveinc.com)。
在图1的示例实施例中，系统10的流管线14a、14b都流向工艺室106的喷头107。通过第二管路14b的流量Q2因此作用于晶片200的外部或外区，而通过第一管路14a的流量Q1作用于晶片200的内部或内区。因此，晶片200的内区对应于第一流管线14a，而晶片200的外区对应于第二流管线14b。
在图1的示例实施例中，原位工艺监视器100提供来自晶片200的内区的至少一个测量值M1，用以指示通过第一流管线14a的气流的处理结果。原位工艺监视器100同时提供来自晶片200的外区的至少一个测量值M2，用以指示通过第二流管线14b的气流的处理结果。
现在参考图2，控制器24被程序化用于：接收通过输入装置22的所需流量比，如30所示；接收来自流量指示器18a、18b的测量流量的信号指示，如32所示；基于测量的流量计算通过流管线14a、14b的实际流量比，如34所示；以及将实际的流量比与校正的流量比比较，如36所示。控制器24同时被程序化用于：如果实际的比例不等于校正的比例，计算通过流管线14a、14b中至少一个所需的流量，如38所示；以及向阀20a、20b中至少一个提供所需流量的调整的信号指示，如40所示。因此，控制器24调整通过流管线14a、14b中至少一个的流量，直到通过管路的实际流量比等于校正的流量比时为止。
控制器24还被程序化用于：接收来自原位工艺监视器100的测量值M1和M2，如图2的50所示；以及比较测量值M1和M2，如52所示。如果测量值M1和M2是相等的，这表明流量Q1和Q2在晶片200的内区和外区产生相等的处理结果，然后控制器24被程序化用于计算等于所需的流量比的校正的流量比，如54所示。换句话说，因为流量Q1和Q2没有产生不等的处理结果(如在晶片200的外区和内区的膜厚不等)且系统10正按要求运行，所以不需要进行校正。
如果测量值M1和M2是不相等的，这表明流量Q1和Q2在晶片200的内区和外区没有产生相等的处理结果，然后控制器24被程序化用于计算校正的流量比，如56所示。首先，控制器24计算工艺一致性偏差εm＝κm/2[(M1-M2)/(M1+M2)]，其中κm是任意的正标量常数，然后基于所需的流量比和工艺一致性偏差εm计算校正的流量比。根据一个示例实施例，校正的流量比等于所需的流量比乘以工艺一致性偏差。或者，校正的流量比可以用f(εm)计算，其中是f基于所用的实际的物理系统采用基于模型方法确定的函数。
在一个示例实施例中，控制器24被程序化用于：向第一管路14a的阀20a提供指示第一所需流量的“初始”信号；如果实际的流量比不等于所需的流量比，计算第二所需流量；以及向第二管路14b的阀20b提供指示第二所需流量的“调整”信号。调整信号Vc2由以下方程计算：
         Vc2＝Kpα(α-αsp)+Kiα∫(α-αsp)dt
其中，Vc2是从控制器24到第二阀20b的命令；Kpα是用于比例控制的比例增益；Kiα是用于比例控制的积分增益；α是测量的流量比；αsp是比例设定点或所需的流量比。这样，第一管路14a的阀20a起固定孔的作用，而第二管路14b的阀20b起可变控制阀的作用。这个特征使得系统10独立于通过系统控制的气体类型，因为不同气体的流量测量值的偏差对流量计量器18a、18b是相同的。优选地，控制器24被程序化用于使第一管路14a的阀20a完全打开，使得系统10中总的压力下降最小。
用于本发明的比例系统10的适合的质量流量计量器18a、18b的实例是来自本发明受让人MSK Instruments of Andover MA(麻省Andover的MKS仪器公司)(http://www.mksinst.com)的热基Mass-Flo牌控制器。适合的阀20a、20b也来自本受让人。阀20a、20b是非线性的且具有窄的可控范围。然而，热流量计量器18a、18b是确定由系统10提供的控制范围的限制因子，因为流量计量器在最大探测范围以下5％通常是不可靠的(如2,000sccm热流量计量器在100sccm以下是不可靠的)。
尽管未显示，然而质量流量比例系统10可以配置有超过两条的流管线14，且每条流管线具有与控制器24相连的阀20和流量计量器18。此外，要意识到，质量流量控制器可以用作每条管路的质量流量计量器和阀。尽管未显示，要意识到，公开的比例系统10可以作为气箱和工艺室间快速和易于装配的模块单元。如此，截流阀或适合的连接器150可以被配置在比例系统10的入口总管和气箱110的出口总管128间，如图1所示。
根据本发明的用于分配气流的系统和方法的实施例可以进一步包括用于系统10的入口13和/或出口的压力传感器。由压力传感器提供的入口压力和/或出口压力测量值不仅被控制器24用于控制流量的比例α，同时也用于控制入口压力和/或出口压力。
增加压力控制特性具有多种附加的好处，其中包括提高系统10的性能以及减小对系统10的上游或下游设备的扰动。通过以最大允许压力操作系统10，比例控制系统中对安全因素的需要可以被去除或减小。此外，通过控制阀20a、20b上的压力下降可以提高阀的性能且使其安装、匹配以及调整变得更简单。因此，本发明意在包括具有任意附加的压力控制特性的用于分配气流的系统和方法。例如，本发明意在包括气流分配系统10以及系统的入口和/或出口处的压力传感器。本发明还意在包括分配气流以及在入口和/或出口处测量压力的方法12。实际上，本发明意在包括用于权利要求所述的气流分配系统和方法的利用压力测量的任意控制方法。
以下的实例参考图1。假定在质量流量比系统10的入口13增加了压力传感器(未显示)，控制器24被程序化为接受三个输入：通过第二管路14b的流量Q2；通过第一管路14a的流量Q1；以及由压力传感器提供的在入口13测量的压力Pin。控制器24被程序化为向第一和第二阀10a、20b动态地发出命令，而不是一次只控制一个阀。然而，就比例控制而言，“固定阀”基本上是打开的，而比例通过将另一个阀控制在其控制范围的10％到50％间来确定比例。采用附加的压力信号，固定阀被设定为用于控制入口压力，而另一阀被用于控制流量比。
入口压力控制的实例可以写成：
              Vc1＝Kpp(Pin-Pt)+Kip∫(Pin-Pt)dt
              Vc2＝Kpα(α-αsp)+Kiα∫((α-αsp)dt
其中Vc1是从控制器24到第一阀20a的命令；Vc2是到第二阀20b的命令；Kpp是用于压力控制的比例增益；Kip是用于压力控制的积分增益；Kpα是用于比例控制的比例增益；Kiα是用于比例控制的积分增益；α是测量的流量比；αsp是比例设定点或所需的流量比；Pin是测量的入口压力，Pt是工作压力门限(或所需的压力)。
尽管控制系统和方法被描述为比例与积分(PI)型控制系统和方法，应该理解的是，也可以采用其它类型的控制系统和方法，诸如比例型、积分型、比例与微分(PD)型以及比例与积分与微分(PID)型的控制系统和方法。
在图3中，系统10包括分别与每条流管线14a、14b相连的单独的工艺室106、108，每个工艺室106、108包括至少一个原位工艺监视器100，用于提供对每个工艺室中半导体晶片200的测量。
本发明的其它方面和优点是，系统10提供了对半导体晶片处理不一致的实时校正。系统10可以在各工艺室106、108间或单个工艺室106的各部分间分配单一工艺气体流，且结合了原位工艺(晶片一致性)检测，用以在需要的情况下即时调整由气流分配系统10产生的流量比例，以实时校正半导体晶片的不一致。因为原位工艺监视器100包括差动传感器，因此，原位工艺监视器只需要相对较准，而避免了对绝对较准的需要，绝对较准麻烦、昂贵且常常是不可靠的。
本说明书中的示例实施例通过示意而非限制的方式进行了描述。本领域的技术人员可以在不背离本发明的较宽泛方面的精神和范围，以及不背离所附权利要求书所限定的精神和范围的情况下，进行各种修改、组合和替代。

Claims (31)

1、一种用于将单一流分成两个或更多所需比例的次级气流的系统，包括：
入口，用于接收所述单一流；
至少两个次级流管线，与所述入口相连；
输入设备，用于接收至少一个所需流量比；
至少一个原位工艺监视器，用于提供对由所述每条流管线产生的产品的测量；以及
控制器，与所述输入设备和所述原位工艺监视器相连，并被程序化用于：
接收通过所述输入装置的所需的流量比；
接收来自所述工艺监视器的产品测量值；
基于所述的所需流量比和所述的产品测量值计算校正的流量比。
2、根据权利要求1所述的系统，进一步包括与每条流管线相连的单独的工艺室。
3、根据权利要求2所述的系统，其中，每个工艺室包括至少一个所述原位工艺监视器，用于提供对每个工艺室中的半导体晶片的测量。
4、根据权利要求3所述的系统，其中，由所述原位工艺监视器提供的测量值包括每个晶片的膜厚测量值。
5、根据权利要求1所述的系统，进一步包括与所有所述流管线相连的单个工艺室，且位于所述工艺室中的半导体晶片被划分为相应于所述流管线的多个区域。
6、根据权利要求5所述的系统，其中，所述流管线与所述工艺室的喷头相连。
7、根据权利要求5所述的系统，其中，所述工艺室包括至少一个所述原位工艺监视器，用于提供对在所述工艺室中的所述半导体晶片的每个所述区域的测量。
8、根据权利要求7所述的系统，其中，由所述原位工艺监视器提供的所述测量值包括每个区域的膜厚测量值。
9、根据权利要求1所述的系统，其中，所述系统包括两个流管线，所述原位工艺监视器提供两个所述测量值M1和M2，且所述控制器被程序化以计算工艺一致性偏差εm＝κm/2[(M1-M2)/(M1+M2)]，其中κm是任意的正标量常数，然后基于所述所需的流量比和所述工艺一致性偏差εm计算所述校正的流量比。
10、根据权利要求1所述的系统，其中，所述校正的流量比等于所需的流量比乘以所述工艺一致性偏差εm。
11、根据权利要求1所述的系统，其中，所述的原位工艺监视器是差动传感器。
12、根据权利要求11所述的系统，其中，所述的原位工艺监视器通过监测来自光源的发射光和反射光的比例获得测量值。
13、根据权利要求1所述的系统，其中，每条流管线包括：流量计，用于测量通过所述流管线的流量；以及阀，用于控制通过所述流管线的流量；其中，所述控制器接收来自所述流量计测得的流量，基于所述测得的流量计算通过所述流管线的实际比例，比较所述的实际比例与所述的校正流量比，如果所述实际比例不等于补偿的所需的比例，计算通过至少一个所述流管线的所需流量，并向至少一个所述阀提供所述所需流量。
14、根据权利要求13所述的系统，其中，所述所需流量基本上等于Kp(α-αsp)+Ki∫(α-αsp)dt，其中，Kp是比例增益；Ki是积分增益；α是所述实际流量比；αsp是所述校正流量比。
15、根据权利要求13所述的系统，进一步包括用于测量所述入口中的压力的压力传感器。
16、根据权利要求15所述的系统，其中，所述控制器被程序化以向所述第一流管线的所述阀提供所需流量的信号指示，所需流量基本上等于Kpα(α-αsp)+Kiα∫(α-αsp)dt，其中，Kpα是用于比例控制的比例增益；Kiα是用于比例控制的积分增益；α是所述实际流量比；αsp是所述校正流量比。
17、根据权利要求16所述的系统，其中，所述控制器被程序化以向所述第二流管线的所述阀提供所需流量的信号指示，所需流量基本上等于Kpp(Pin-Pt)+Kip∫(Pin-Pt)dt，其中，Kpp是用于压力控制的比例增益；Kip是用于压力控制的积分增益；Pin是测得的入口压力；Pt是工作压力门限。
18、一种用于将单一流分成两个或更多所需比例的次级气流的方法，包括：
将单一流分配到至少两条流管线；
测量通过每条流管线的流量；
接收至少一个所需的流量比；
原位测量由每条所述流管线产生的产品；
基于所需的流量比和所述的产品测量值计算校正的流量比；
基于所述测得的流量计算通过所述流管线的实际的质量流量比；
如果所述的实际比例不等于所述的校正比例，计算通过至少一条所述流管线的所需流量；以及
将所述流管线调整到所述的所需流量。
19、根据权利要求18所述的方法，其中：
所述的单一质量流量被分配到第一和第二流管线；
将所述第一流管线调整到第一所需流量；
如果所述的实际比例不等于所述的校正比例，利用所述的所需比例和所述的第一所需流量计算第二所需流量；以及
将所述第二流管线调整到所述第二所需流量。
20、根据权利要求19所述的方法，其中，所述第一所需流量使得所述第一管路完全打开。
21、根据权利要求18所述的方法，其中，所述所需流量基本上等于Kp(α-αsp)+Ki∫(α-αsp)dt，其中，Kp是比例增益；Ki是积分增益；α是所述实际流量比；αsp是所述校正流量比。
22、根据权利要求18所述的方法，进一步包括测量所述入口内的压力。
23、根据权利要求22所述的方法，其中，所述流管线中的一个的所述所需流量基本上等于Kpα(α-αsp)+Kiα∫(α-αsp)dt，其中，Kpα是用于比例控制的比例增益；Kiα是用于比例控制的积分增益；α是所述实际流量比；αsp是所述校正流量比。
24、根据权利要求22所述的方法，其中，所述流管线中的一个的所述所需流量基本上等于Kpp(Pin-Pt)+Kip∫(Pin-Pt)dt，其中，Kpp是用于压力控制的比例增益；Kip是用于压力控制的积分增益；Pin是所述测得的入口压力；Pt是工作压力门限。
25、根据权利要求18所述的方法，进一步包括将每条流管线与单独的工艺室连接。
26、根据权利要求18所述的方法，进一步包括将流管线单个工艺室与所有所述流管线连接。
27、根据权利要求26所述的方法，其中，所述流管线与所述工艺室的喷头相连。
28、根据权利要求18所述的方法，其中，所述的校正流量比基于所述所需流量比和工艺一致性偏差εm＝κm/2[(M1-M2)/(M1+M2)]，其中κm是任意的正标量常数，M1和M2是由每条流管线产生的产品的原位测量值。
29、根据权利要求28所述的方法，其中，所述校正流量比等于所述所需流量比乘以所述工艺一致性偏差εm。
30、根据权利要求18所述的方法，其中，产品的所述原位测量值包括差动测量值。
31、根据权利要求18所述的方法，其中，产品的所述原位测量值通过监测来自光源的发射光和反射光的比例获得。
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