CN1914134A - 陶瓷材料组合物、陶瓷衬底和不可逆电路元件 - Google Patents

陶瓷材料组合物、陶瓷衬底和不可逆电路元件 Download PDF

Info

Publication number
CN1914134A
CN1914134A CNA200580003902XA CN200580003902A CN1914134A CN 1914134 A CN1914134 A CN 1914134A CN A200580003902X A CNA200580003902X A CN A200580003902XA CN 200580003902 A CN200580003902 A CN 200580003902A CN 1914134 A CN1914134 A CN 1914134A
Authority
CN
China
Prior art keywords
ceramic
weight percent
composition
ceramic substrate
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA200580003902XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN1914134B (zh
Inventor
杉本安隆
大贺聪
村田崇基
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Publication of CN1914134A publication Critical patent/CN1914134A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1914134B publication Critical patent/CN1914134B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C04B35/46—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates
    • C04B35/462—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates
    • C04B35/465—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates
    • C04B35/468—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates based on barium titanates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C04B35/46—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C14/00—Glass compositions containing a non-glass component, e.g. compositions containing fibres, filaments, whiskers, platelets, or the like, dispersed in a glass matrix
    • C03C14/004—Glass compositions containing a non-glass component, e.g. compositions containing fibres, filaments, whiskers, platelets, or the like, dispersed in a glass matrix the non-glass component being in the form of particles or flakes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C3/00—Glass compositions
    • C03C3/04—Glass compositions containing silica
    • C03C3/062—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight
    • C03C3/064—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight containing boron
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C3/00—Glass compositions
    • C03C3/04—Glass compositions containing silica
    • C03C3/076—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight
    • C03C3/089—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing boron
    • C03C3/091—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing boron containing aluminium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C04B35/03—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on magnesium oxide, calcium oxide or oxide mixtures derived from dolomite
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C04B35/10—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on aluminium oxide
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C04B35/14—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on silica
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C04B35/46—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates
    • C04B35/462—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/018—Dielectrics
    • H01G4/06—Solid dielectrics
    • H01G4/08—Inorganic dielectrics
    • H01G4/12—Ceramic dielectrics
    • H01G4/1209—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material
    • H01G4/1218—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on titanium oxides or titanates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/018—Dielectrics
    • H01G4/06—Solid dielectrics
    • H01G4/08—Inorganic dielectrics
    • H01G4/12—Ceramic dielectrics
    • H01G4/129—Ceramic dielectrics containing a glassy phase, e.g. glass ceramic
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3205—Alkaline earth oxides or oxide forming salts thereof, e.g. beryllium oxide
    • C04B2235/3208—Calcium oxide or oxide-forming salts thereof, e.g. lime
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3205—Alkaline earth oxides or oxide forming salts thereof, e.g. beryllium oxide
    • C04B2235/3215—Barium oxides or oxide-forming salts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3217—Aluminum oxide or oxide forming salts thereof, e.g. bauxite, alpha-alumina
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3224—Rare earth oxide or oxide forming salts thereof, e.g. scandium oxide
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3224—Rare earth oxide or oxide forming salts thereof, e.g. scandium oxide
    • C04B2235/3229—Cerium oxides or oxide-forming salts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3231—Refractory metal oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
    • C04B2235/3232—Titanium oxides or titanates, e.g. rutile or anatase
    • C04B2235/3234—Titanates, not containing zirconia
    • C04B2235/3236—Alkaline earth titanates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/36—Glass starting materials for making ceramics, e.g. silica glass
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/60—Aspects relating to the preparation, properties or mechanical treatment of green bodies or pre-forms
    • C04B2235/602—Making the green bodies or pre-forms by moulding
    • C04B2235/6025—Tape casting, e.g. with a doctor blade
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/96—Properties of ceramic products, e.g. mechanical properties such as strength, toughness, wear resistance

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
  • Inorganic Insulating Materials (AREA)
  • Ceramic Capacitors (AREA)
  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
  • Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)
  • Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)

Abstract

一种陶瓷材料组合物，包括：10－45重量％的陶瓷组合物，该陶瓷组合物由xBaO－yTiO2－zReO3/2表示(其中x、y和z各自表示摩尔％，8≤x≤18、52.5≤y≤65，20≤z≤40，x+y+z＝100；并且Re代表一种稀土元素)；5－40重量％的氧化铝；和40－65重量％的玻璃组合物，其含有4－17.5重量％的B2O3、28－50重量％的SiO2、0－20重量％的Al2O3、和36－50重量％的MO(其中MO表示CaO、MgO、SrO和BaO中的至少一种)，其中所述陶瓷组合物和氧化铝的总含量是35重量％或更多。上述陶瓷材料组合物有利地用作陶瓷衬底(1)的材料，该陶瓷衬底用于内藏电阻元件(8)如隔离器。

Description

陶瓷材料组合物、陶瓷衬底和不可逆电路元件
技术领域
本发明涉及一种陶瓷材料组合物，一种包括该陶瓷材料组合物的陶瓷衬底，和一种包括该陶瓷衬底的不可逆电路元件。特别是，本发明涉及提高烧结体的介电常数的改进，该烧结体通过烧结陶瓷材料组合物所得。
背景技术
本发明与不可逆电路元件如隔离器和循环器有关。这样的不可逆电路元件必须具有更小的尺寸。不可逆电路元件尺寸的减小依赖于其中所使用的陶瓷衬底。不可逆电路元件中的陶瓷衬底包括电容器和电阻器。例如，当这个装置在800MHz到1500GHz的高频范围内使用时，电容器必须有约100pF的电容量。为了维持电容量的同时来实现尺寸缩小，必须提高构成陶瓷衬底的陶瓷材料的介电常数。
在日本未经审查的专利申请公布No.2002-97072(专利文件1)中，描述了一个陶瓷材料组合物的例子，它被用作陶瓷衬底的材料，并且能够实现这样高的介电常数。专利文档1提出了一种陶瓷材料组合物，它能够在低至1,000℃或更低的温度下被烧结，能和金属如银共烧，可以用来形成一种具有高介电常数、高Q和小温度系数绝对值的介电特性的绝缘陶瓷。
就是说，专利文件1中所描述的陶瓷材料组合物包括一种BaO-TiO2-ReO3/2陶瓷组合物(其中Re表示一种稀土元素)作为填料；和一种Li2O-MO-ZnO-Al2O3-B2O3-SiO2玻璃组合物(其中M表示从Ba，Sr，Ca和Mg中选取的至少一种元素)。
专利文件1中所描述的陶瓷材料组合物优选包括重量百分比为65到85的BaO-TiO2-ReO3/2陶瓷组合物。也就是说，由于BaO-TiO2-ReO3/2陶瓷组合物含量相对高，可烧结性趋于降低。为了提高可烧结性，需要使用一种低粘度的玻璃。因而，如上所述，将Li2O掺入到玻璃组合物中以降低玻璃的粘度。
然而，发现当专利文件1中描述的陶瓷材料组合物用来生产上述不可逆电路元件中包括的陶瓷衬底时，陶瓷衬底中电阻器的电阻特性不利地下降了。从发明人所做实验结果看，发明人发现电阻特性下降的原因是陶瓷材料组合物中的玻璃组分和电阻器中的电阻组分发生了反应。
专利文件1：日本未经审查专利申请公布No.2002-97072
发明内容
本发明要解决的问题
相应地，本发明的目的是提供一种能够克服上述问题的陶瓷材料组合物，一种包括该陶瓷材料组合物的陶瓷衬底和一种包括该陶瓷衬底的不可逆电路元件。
解决问题的方法
为了解决该技术问题，依照本发明的一种陶瓷材料组合物具有如下结构。
就是说，根据本发明的一种陶瓷材料组合物含有BaO-TiO2-ReO3/2陶瓷组合物和氧化铝，这个陶瓷组合物用作一种填料，并被表示为xBaO-yTiO2-zReO3/2(其中x，y和z各自代表一个摩尔百分比，8≤x≤18，52.5≤y≤65，20≤z≤40，x+y+z＝100；Re代表一种稀土元素)。
该陶瓷材料组合物包括一种硼硅酸盐玻璃，其含有重量百分比为4到17.5的B2O3、重量百分比为28到50的SiO2、重量百分比为0到20的Al2O3，以及重量百分比为36到50的MO(其中MO表示从CaO、MgO、SrO和BaO中选取的至少一种成分(element))。
至于各组分的含量，BaO-TiO2-ReO3/2陶瓷组合物含量是重量百分比为10到45。氧化铝含量是重量百分比为5到40。硼硅酸盐玻璃含量是重量百分比为40到65。BaO-TiO2-ReO3/2陶瓷组合物和氧化铝的总含量是重量百分比为35或更多。
依照本发明的陶瓷材料组合物可进一步包含重量百分比为20或更低的CaTiO3。硼硅酸盐玻璃组合物可进一步包含从Li2O、Na2O和K2O中选取的至少一种化合物，只要化合物含量不超过0.5重量百分比。而且，该陶瓷材料组合物可含有3重量份或更少的CeO2，以BaO-TiO2-ReO3/2陶瓷组合物、氧化铝和硼硅酸盐玻璃组合物之总和为100重量份。
依照本发明的陶瓷衬底包括一个陶瓷层，该陶瓷层是由本发明的陶瓷材料组合物焙烧(firing)而成的烧结体所组成。
依照本发明的陶瓷衬底可具有多层结构，其中多个陶瓷层被层压。在此情况下，关于陶瓷层，该陶瓷衬底可进一步包括一种主要由银或铜组成的导体。而且，该陶瓷衬底可进一步含有一种配置其中的电阻器。
该陶瓷衬底可进一步包括第二陶瓷层，其介电常数为10或更小。
该陶瓷衬底可进一步包括第二陶瓷层，它是由一种含有重量百分比为26到65的CaO-Al2O3-B2O3-SiO2玻璃组合物和重量百分比为35到74的氧化铝的烧结陶瓷体所组成。
依照本发明的不可逆电路元件包括：永久磁石；中心电极组件(assembly)，来自永久磁石的直流(DC)磁场施加于其上，该中心电极组件包括一种衬底；配置在衬底上的多个中心电极，该中心电极以预定的交叉角度互相重叠；配置在中心电极之间的绝缘层，使中心电极之间互相电绝缘；一个容纳永久磁石和中心电极组件的外壳；和一种陶瓷衬底，中心电极组件被安装其上，该陶瓷衬底包括一个电容器和一个电阻器。
在依照本发明的不可逆电路元件中，陶瓷衬底是本发明上述的任何一种陶瓷衬底。
优点
依照本发明的一种陶瓷材料组合物可以在1,000℃或更低的低温度下被烧结；因此，该陶瓷材料组合物能够和金属如银或铜共烧，而具有令人满意的电导率。这样，在具有多层结构的陶瓷衬底中，多个陶瓷层被层压(laminate)，上述的金属能够用作配置在陶瓷衬底内的导体材料。
依照本发明，通过焙烧陶瓷材料组合物而获得的一种烧结体具有相对高的介电常数。从而，例如关于一种隔离器，当依照本发明的陶瓷材料组合物烧结体用作一种用在隔离器中构成陶瓷衬底的材料时，有可能减少陶瓷衬底面积到已知陶瓷衬底的2/3到1/2。
在依照本发明的陶瓷材料组合物中，硼硅酸盐玻璃组合物不必含有碱金属，例如锂；因此，有可能避免由于碱金属和构成电阻器的电阻材料的反应而降低电阻特性的问题。因此，陶瓷材料组合物能够有利地被用作形成包含电阻器的陶瓷衬底的材料，特别地，一种含有电阻器的陶瓷衬底，包含在一个不可逆电路元件如隔离器中。
为了切实获得上述效果，当硼硅酸盐玻璃组合物含有从Li2O、Na2O和K2O中选取的至少一种化合物时，该至少一种化合物的含量优选为低于0.5重量百分比。
依照本发明，当具有由本发明陶瓷材料组合物的烧结体组成的陶瓷层，即第一陶瓷层的陶瓷衬底具有介电常数为10或更小的第二陶瓷层时，或者该陶瓷衬底具有第二陶瓷层，该陶瓷层由含有重量百分比为26到65的CaO-Al2O3-B2O3-SiO2玻璃组合物和重量百分比为35到74的氧化铝的烧结陶瓷体所构成，表现了如下效果。
换句话说，第一陶瓷层有高介电常数，第二陶瓷层有一个低的介电常数。这样，当主要用于配线的导体对于第二低介电常数陶瓷层进行配置时，以及对于第一高介电常数陶瓷层形成一个元件如电容器或滤波器时，有可能减小陶瓷衬底的尺寸。
如上所述，当第二陶瓷衬底含有CaO-Al2O3-B2O3-SiO2玻璃组合物时，烧结时相互扩散而造成特性改变和特性不均匀不易发生，原因是第一陶瓷层中含有的硼硅酸盐玻璃组合物的成分与第二陶瓷层中含有的玻璃组合物基本相同。而且，第一陶瓷层具有与第二陶瓷层相同或基本相同的热膨胀系数；因此，结构缺陷诸如分层不易发生。而且，第二陶瓷层也不必含有碱金属。从而有可能避免由于碱金属和构成电阻器的电阻材料的反应而引起的电阻特性下降的问题。
此外，由于第一和第二陶瓷层含有玻璃组分，有可能在一个相对低的温度下进行烧结。从而，当在第一和第二陶瓷层烧结的温度下进行焙烧时，而含有在第一和第二陶瓷层烧结的温度下不烧结的无机材料的约束层被配置在未烧结的(green)陶瓷衬底的至少一个主表面上，有可能依靠约束层来抑制主表面方向上的收缩。结果，有可能产生一种尺寸精度高的陶瓷衬底。
附图简述
图1是本发明一个实施方案的陶瓷衬底1横断面视图的示意图。
图2是本发明另一个实施方案中作为不可逆电路元件实例的集总常数隔离器11的分解透视图。
图3是图2中集总常数隔离器11的等效电路图。
图4是依据本发明另一个实施方案的陶瓷衬底41的横断面示意图。
参考号
1，14，41  陶瓷衬底
2，42  陶瓷层
3  导体
4，44  外层导电膜
5，45  内层导电膜
6，46  通孔导体
7，47，C1，C2，C3  电容器
8，R  电阻器
11  集总常数隔离器
12  永久磁石
13  中心电极组件
15  上部壳
16  下部壳
28  衬底
30，31，32  中心电极
33  电绝缘层
43  第二陶瓷层
本发明的最佳实施方式
现在将描述一种用依照本发明的陶瓷材料组合物而有利地配置的陶瓷衬底。图1是依据本发明实施方案的陶瓷衬底1横断面视图的示意图。
参考图1，陶瓷衬底1具有多层结构，其中多个陶瓷层2被层压。主要由银、铜等组成的导体组3被配置于陶瓷层2。导体组3包括配置于陶瓷衬底1外表面上的外部导体膜4、沿着陶瓷层2之间的特定界面各自配置的内部导体膜5，和各自穿过特定陶瓷层2的通孔导体6。
导体组3包括一个用于在陶瓷衬底1内部形成无源元件例如电容器或电感器的导体，另外还有一个只用于互连的导体。图1中，显示在陶瓷衬底1右部的内部导体膜5和通孔导体6组成了电容7。根据本发明，由陶瓷材料组合物的烧结体所形成的第一陶瓷层可以被用作陶瓷层2，其位于构成电容器7的内部导体膜5之间，具有相对低的介电常数的材料组合物的烧结体形成的第二陶瓷层可以用作不构成电容器7的陶瓷层2。
陶瓷衬底1包含配置于其中的电阻器8。电阻器8是由配置于陶瓷层2之间特定界面的电阻膜形成。例如，电阻膜主要由RuO2组成，通过烧结含有硅酸盐玻璃作为无机成分的电阻糊(paste)而形成。
接下来，现在将描述一种用依照本发明的陶瓷材料组合物有利地配置的包括陶瓷衬底的不可逆电路元件。图2是作为不可逆电路元件实例的集总常数隔离器11的分解透视图。
参考图2，集总常数隔离器11包括一个矩形的平板永久磁石12、一个中心电极组件13、一个安装的陶瓷衬底14、一个上部壳15和一个下部壳16，上部壳15和下部壳16由金属组成。
上部壳15有盒子的形状，具有一个向下的开口，顶盖17和四个侧壁18到21。下部壳16包括两个彼此相对的竖板22和23，和一个用以连接竖板22和23的底部24。优选地，上部壳15和下部壳1各自6由铁磁材料组成，都有镀银或镀铜的表面。
图3是图2中集总常数隔离器11的等效电路图。参考图3加上图2，中心电极组件13和支撑层14将被详细地描述如下。
陶瓷衬底14的机械结构没有显示在图中。陶瓷衬底14有一个多层结构，其中多个陶瓷层被层压。如图3所示，陶瓷衬底14包含匹配电容C1、C2和C3，以及一个配置于其中的电阻器R。匹配电容C1、C2和C3以及电阻器R的结构基本与图1所示陶瓷衬底1中的电容器7和电阻器8相同。
端口电极P1、P2和P3以及接地电极25露在陶瓷衬底14的上表面。图2中未显示而在图3中所示，一个输入电极26和一个输出电极27被配置在陶瓷衬底14的下表面。
中心电极组件13包括一个矩形的平板衬底28，其由微波用铁氧体组成。三个中心电极30、31和32配置在衬底28的上表面。这些中心电极30到32是相互绝缘的，通过在中心电极之间插入电绝缘层33而实现。而且，这三个中心电极30，31和32配置成相互交叉约120°角。
中心电极30到32可以被安排成任何顺序。在图2所示的实施方案中，中心电极32、电绝缘层33、中心电极31、电绝缘层33和中心电极30以该顺序从底部配置。
每一个中心电极30到32的一端通过一个配置在衬底28侧面34上的连接电极35被连接到一个接地电极37，接地电极37配置在衬底10的下表面36上。中心电极30到32的另一端由配置在侧面34的连接电极35被连接到陶瓷衬底14上相应的端口电极P1到P3上。
这样，中心电极30到32的接地侧经由连接电极35被连接到了公用接地电极37上。公用接地电极37基本上具有和衬底28的下表面36同样的形状，基本上覆盖了下表面36的整个表面以避免接触配置在陶瓷衬底14上的端口电极P1到P3。接地电极37和陶瓷衬底14上的接地电极25相连。
在从那些元件装配集总常数隔离器11的过程中，陶瓷衬底14被整合到下部壳16中。中心电极组件13被放置其上，然后建立预定的电连接。另一方面，永久磁石12被配置在上部壳15顶盖17的下面。在该状态被保持同时上部壳15和下部壳16连接，因此形成一个整体的金属外壳。
当集总常数隔离器11如上述所装配时，永久磁石12对中心电极组件13施加一个直流磁场。在这种情况下，由上部壳15和下部壳16形成的金属外壳构成了一个磁路，也可以起到磁头组的作用。
在上述图1中所示的陶瓷衬底1与图2和图3中所示包括在集总常数隔离器11中的陶瓷衬底14中，依据本发明的陶瓷材料组合物被有利地用来形成陶瓷层。
如上所述，依照本发明的陶瓷材料组合物含有BaO-TiO2-ReO3/2陶瓷组合物和氧化铝，更进一步含有硼硅酸盐玻璃组合物，其中含有重量百分比低于0.5的碱金属氧化物，例如LiO。这种陶瓷材料组合物的烧结体有相对高的介电常数。而且，当包含电阻器的陶瓷衬底形成时，电阻器阻抗特性不下降。
特别地，BaO-TiO2-ReO3/2陶瓷组合物表示成xBaO-yTiO2-zReO3/2(其中x、y和z各自代表摩尔百分比，8≤x≤1 8，52.5≤y≤65和20≤z≤40，以及x+y+z＝100；Re代表一种稀土元素)。
硼硅酸盐玻璃组合物包含重量百分比为4到17.5的B2O3、重量百分比为28到50的SiO2、重量百分比为0到20的Al2O3和重量百分比为36到50的MO(其中MO代表从CaO、MgO、SrO和BaO中选取的至少一种成分)。
而且，陶瓷材料组合物包括重量百分比为10到45的BaO-TiO2-ReO3/2陶瓷组合物、重量百分比为5到40的氧化铝和重量百分比为40到65的硼硅酸盐玻璃组合物，其中BaO-TiO2-ReO3/2陶瓷组合物和氧化铝的总含量是35重量百分比或更多。
依照本发明的陶瓷材料组合物可进一步含有重量百分比为20或更少的CaTiO3。硼硅酸盐玻璃组合物可进一步含有从Li2O、Na2O和K2O选取的至少一种化合物，只要该化合物的含量低于0.5重量百分比。而且，以BaO-TiO2-ReO3/2陶瓷组合物、氧化铝和硼硅酸盐玻璃组合物的总量为100重量份，陶瓷材料组合物可含有3重量份或更少的CeO2。
当依照本发明的陶瓷材料组合物含有重量百分比为1或更少的TiO2和ZrO2中的至少一种化合物，用烧结陶瓷材料组合物所得烧结体介电常数的温度系数的绝对值能够被减小。
陶瓷材料组合物能够被用作图4所示的陶瓷衬底41。图4是依据本发明另一个实施方案的陶瓷衬底41的横断面示意图。
图4所示的陶瓷衬底41有一个复合结构，其包括一个高介电常数层和一个低介电常数层。更具体而言，陶瓷衬底41有一种复合层状结构，包括多个层压的第一陶瓷层42和多个层压的第二陶瓷层43。在本实施方案中，多个第一陶瓷层42被配置在第二陶瓷层43之间，第一陶瓷层42中的特定层与第二陶瓷层43中的特定层相接触。
第一陶瓷层42的每一层是由依照本发明的陶瓷材料组合物的烧结体形成的，都有相对高的介电常数，例如，介电常数超过10。另一方面，第二陶瓷层43的每一层是由含有重量百分比为26到65的CaO-Al2O3-B2O3-SiO2玻璃组合物和重量百分比为35到74的氧化铝的陶瓷材料的烧结体形成的，具有相对低的介电常数，例如10或更低的介电常数。
关于陶瓷层42和43，陶瓷衬底41包括多种导体。每一个导体主要由银、铜等构成。导体典型地包括配置在陶瓷衬底41外表面上的外层导体膜44、每一个都沿着陶瓷层42和43之间特定界面配置的内部导体膜45，以及穿过特定陶瓷层42和43的通孔导体46。
关于第一陶瓷层42配置的一些内部导体膜45和通孔导体46被布置以提供电容，从而形成电容器47。
当关于第二陶瓷层43配置的内部导体膜45和通孔导体46主要用作配线时，由于第二陶瓷层43相对低的介电常数，电信号的延迟和线间串扰能够被减少。
因此，如图4所示的陶瓷衬底41的复合结构能够缩小其尺寸。第一陶瓷层42中玻璃组分含有的元素基本上与第二陶瓷层43中玻璃组分含有的相同。这样，在如下所述的实验实施例中很明显，由于相互扩散而引起的特性改变和特性不均一性不易发生。而且，每一个第一陶瓷层42具有与每一个第二陶瓷层43相同或基本相同的热膨胀系数；因此，结构缺陷如分层不易发生，在如下所述的实验实施例中是明显的。
图4中，电阻器没有表示出。然而，陶瓷衬底41可以包含电阻器。在该情况下，第一陶瓷层42和第二陶瓷层43不必包含碱金属；因此，有可能避免由于碱金属与构成电阻器的电阻材料的反应而造成电阻特性下降的问题。
构成陶瓷层42和43的陶瓷材料能够在相对低的温度，例如1,000℃或更低下烧结。这样，在生产陶瓷衬底41时，含有在此温度下不烧结的无机材料的一个约束层被配置在未烧陶瓷衬底41的至少一个主表面上，然后在第一和第二陶瓷层42与43所含陶瓷材料的烧结温度下进行焙烧。结果，第一和第二陶瓷层42与43主表面方向上的收缩被抑制，而在陶瓷衬底41中获得了高尺寸精度。而且，陶瓷衬底41的翘曲不易发生。
一些含有一个半导体装置、一个多层电容、一个电感器等(未显示)的片式元件被安装在图4所示陶瓷衬底41的上表面，同时片式元件被电连接到特定的外部导体膜44。而且，在一些情况下，将一个金属外壳附在陶瓷衬底41的上表面，以覆盖该片式元件。通过使用配置在下表面作为连接末端的特定外部导体膜44将陶瓷衬底41安装在一个主板(未显示)上。
实验实施例作为确定本发明陶瓷材料组合物的组成范围的基础，将在下面加以描述。
实验实施例1
1.陶瓷组合物的生产
为生产BaO-TiO2-ReO3/2陶瓷组合物，将BaCO3、TiO2、Nd2O3、Pr2O3和Sm2O3粉末称重，以获得表1中所示的BaCO3、TiO2、ReO3/2的含量，然后将称重后的粉末混合。得到的材料粉末混合物在1,150℃煅烧1小时。然后得到的煅烧砂被研磨成粉。
用此方法，得到了表1中所示的陶瓷组合物S1到S10。
表1
    陶瓷类型     BaO     TiO2     ReO3/2
    S1     13     58     Nd：10，Sm：19
    S2     25     55     Nd：20
    S3     5     75     Nd：20
    S4     2     65     Nd：33
    S5     10     50     Nd：40
    S6     18     62     Nd：20
    S7     8     65     Nd：27
    S8     8     52.5     Nd：39.5
    S9     13     58     Sm：29
    S10     13     58     Pr：6，Sm：23
                                          (单位：mol％)
2.玻璃组合物的生产
为生产硼硅酸盐玻璃组合物，将CaO、MgO、SrO、BaO、Al2O3、B2O3、SiO2、Li2O、Na2O、K2O和PbO粉末称重，以获得表2中所示的含量，然后称重的粉末被充分地混合。得到的材料粉末混合物在1,100℃到1,400℃熔化，然后倒入水中快速冷却，接下来是湿磨。
用此方法，获得了玻璃组合物G1到G27。
表2
  玻璃类型   CaO   MgO   SrO   BaO   Al2O3   B2O3     SiO2   其他
  G1   45   -   -   -   5   5     45   -
  G2   30   -   -   -   5   5     60   -
  G3   36   -   -   -   7   7     50   -
  G4   50   -   -   -   5   5     40   -
  G5   60   -   -   -   5   5     30   -
  G6   45   -   -   -   0   5     50   -
  G7   45   -   -   -   20   5     30   -
  G8   35   -   -   -   30   5     30   -
  G9   45   -   -   -   5   2     48   -
  G10   45   -   -   -   5   4     46   -
  G11   45   -   -   -   5   17.5     32.5    -
  G12   45   -   -   -   5   20     30   -
  G13   45   -   -   -   15   15     25   -
  G14   45   -   -   -   15   12     28   -
  G15   -   45   -   -   5   5     45   -
  G16   -   -   45   -   5   5     45   -
  G17   -   -   -   45   5   5     45   -
  G18   44.7   -   -   -   5   5     45   Li2O：0.3
  G19   44.5   -   -   -   5   5     45   Li2O：0.5
  G20   45   -   -   -   5   5     45   Li2O：1
  G21   44.7   -   -   -   5   5     45   Na2O：0.3
  G22   44.5   -   -   -   5   5     45   Na2O：0.5
  G23   44.7   -   -   -   5   5     45   K2O：0.3
  G24   44.5   -   -   -   5   5     45   K2O：0.5
  G25   25   -   -   -   5   5     45   PbO：20
  G26   15   -   -   -   5   5     45   PbO：30
  G27   -   -   -   30   5   5     45   PbO：15
                                                                                    (单位：重量百分比)
3.陶瓷材料组合物和烧结体的生产
陶瓷组合物S1到S10中任何一种和玻璃组合物G1到G18、21、23和25到27中任何一种相结合。也就是说，一种特定陶瓷组合物和一种特定玻璃组合物的粉末被称重而获得组合物。氧化铝和CeO2的粉末也被称重。然后，称重的粉末被充分混合。
在表3中，陶瓷组合物、玻璃组合物和氧化铝的含量以重量百分比的形式表示出。以陶瓷组合物、玻璃组合物和氧化铝的总重量为100份，CeO2的含量表示为相对其的重量份数。
表3
  样品   陶瓷组合物   氧化铝[wt％]   CeO2重量份   玻璃组合物
类型 量[wt％] 类型 量[wt％]
  1   S1   34.0   18.0   0.3   G1   48.0
  2   S2   34.0   18.0   0.3   G1   48.0
  3   S3   34.0   18.0   0.3   G1   48.0
  4   S4   34.0   18.0   0.3   G1   48.0
  5   S5   34.0   18.0   0.3   G1   48.0
  6   S6   34.0   18.0   0.3   G1   48.0
  7   S7   34.0   18.0   0.3   G1   48.0
  8   S8   34.0   18.0   0.3   G1   48.0
  9   S9   34.0   18.0   0.3   G1   48.0
  10   S10   34.0   18.0   0.3   G1   48.0
  11   S1   34.0   18.0   0.3   G2   48.0
  12   S1   34.0   18.0   0.3   G3   48.0
  13   S1   34.0   18.0   0.3   G4   48.0
  14   S1   34.0   18.0   0.3   G5   48.0
  15   S1   34.0   18.0   0.3   G6   48.0
  16   S1   34.0   18.0   0.3   G7   48.0
  17   S1   34.0   18.0   0.3   G8   48.0
  18   S1   34.0   18.0   0.3   G9   48.0
  19   S1   34.0   18.0   0.3   G10   48.0
  20   S1   34.0   18.0   0.3   G11   48.0
  21   S1   34.0   18.0   0.3   G12   48.0
  22   S1   34.0   18.0   0.3   G13   48.0
  23   S1   34.0   18.0   0.3   G14   48.0
  24   S1   34.0   18.0   0.3   G15   48.0
  25   S1   34.0   18.0   0.3   G16   48.0
  26   S1   34.0   18.0   0.3   G17   48.0
  27   S1   34.0   18.0   0.3   G18   48.0
  28   S1   34.0   18.0   0.3   G21   48.0
  29   S1   34.0   18.0   0.3   G23   48.0
  30   S1   34.0   18.0   0.3   G25   48.0
  31   S1   34.0   18.0   0.3   G26   48.0
  32   S1   34.0   18.0   0.3   G27   48.0
将适当量的粘合剂、增塑剂和溶剂加入到所得的混合粉末中。所得的混合物被捏合形成淤浆。
所得淤浆用刮涂法加工成厚度为50μm的薄片。所得陶瓷未烧片材被切成平面尺寸为30mm×10mm的矩形片。所得矩形陶瓷未烧片材被层压并压合形成一种厚度为0.5mm的层压板。
所得层压板在870℃焙烧1小时以形成样品1到32的烧结体。
4.评价
评价了每一个所得烧结体的介电常数、Q-值、电容温度系数和PCT可靠性。表4显示了结果。
介电常数和Q-值用谐振法在3GHz进行了测定。关于加压蒸煮测试(PCT)可靠性，样品在120℃、2atm压力和95％湿度下放置100小时，然后评价其击穿强度。在表4中，介电击穿未发生的样品显示为“好”。
在表4的“备注”栏中，简单描述了实验中观察到的不适当的现象。
表4
样品 介电常数(ε)   Qf[GHz]   温度系数(TCC)[ppm/℃] PCT可靠性 备注
  1 15.5   3500   5   好
  2 18.0   900   -110   好   低Q，高TCC
  3 11.5   1100   -150   好   高TCC
  4 9.9   900   10   好   低ε，低Q
  5 9.8   1200   50   好   低ε
  6 15.8   2900   -20   好
  7 15.9   2400   -25   好
  8 14.0   2200   7   好
  9 15.0   3400   10   好
  10 15.3   3000   2   好
  11 -   -   -   -   未烧结
  12 14.8   2900   12   好
  13 15.9   3100   10   好
  14 16.4   2500   12   差   介电击穿
  15 15.3   3300   6   好
  16 15.0   2500   8   好
  17 14.8   900   15   好   低Q
  18 -   -   -   -   未烧结
  19 14.9   2200   0   好
  20 16.2   2900   -5   好
  21 16.3   2800   -10   差   介电击穿
  22 16.0   2300   20   差   介电击穿
  23 15.7   2800   10   好
  24 15.0   2300   2   好
  25 15.6   2100   7   好
  26 15.8   1800   10   好
  27 16.0   2400   5   好
  28 16.1   2000   12   好
  29 16.2   1800   9   好
  30 9.8   1700   60   好   低ε
  31 9.7   1400   70   好   低ε
  32 8.9   1200   90   好   低ε
表3中很明显，样品1到32具有同样含量的陶瓷组合物、氧化铝、CeO2和玻璃组合物。只有陶瓷组合物或玻璃组合物的类型是不同的。特别地，在样品1和11到32中，用到了陶瓷组合物S1。在样品2到10中，用到了不同于陶瓷组合物S1的陶瓷组合物。关于玻璃组合物的类型，在样品1到10中，用到了玻璃组合物G1。在样品11到32中，用到了不同于玻璃组合物G1的玻璃组合物。
在样品1到32中，如表4所示，在样品1、6到10、12、13、15、16、19、20和23到29中得到了优选的结果。
这些样品符合以下要求：陶瓷组合物含量为10到45重量百分比，氧化铝含量为5到40重量百分比，玻璃组合物含量为40到65重量百分比，以及陶瓷组合物和氧化铝总含量为35重量百分比或更多。而且，这些样品满足CeO2含量是3重量份或更少的要求。
关于陶瓷组合物，用到了表1中陶瓷组合物S1和S6到S10中的任何一种。这些陶瓷组合物符合在xBaO-yTiO2-zReO3/2中，8≤x≤18、52.5≤y≤65和20≤z≤40，以及x+y+z＝100的要求。
而且，关于玻璃组合物，用到了表2中所示的玻璃组合物G1、G3、G4、G6、G7、G10、G11、G14到G18、G21和G23中的任何一种。这些玻璃组合物符合以下含量要求：B2O3的重量百分比为4到17.5，SiO2的重量百分比为28到50，Al2O3的重量百分比为0到20，从CaO、MgO、SrO和BaO中选择的至少一种化合物的重量百分比为36到50。
与此对比，如表4所示，样品2表现了大的温度系数绝对值和小Qf。这是由于使用了表3中所示的陶瓷组合物S2。如表1所示，陶瓷组合物S2含有高达25mol％的BaO，大于18mol％。
如表4所示，样品3表现了大的温度系数绝对值。这是由于使用了表3所示的陶瓷组合物S3。如表1所示，陶瓷组合物S3含有低至5mol％的BaO，低于8mol％。另外，陶瓷组合物S3含有高达75mol％的TiO2，大于65mol％。
如表4所示，样品4表现了低介电常数和低Qf。这是由于使用了表3所示的陶瓷组合物S4。如表1所示，陶瓷组合物S4含有低至2mol％的BaO，低于8mol％。
如表4所示，样品5表现了低介电常数。这是由于使用了表3所示的陶瓷组合物S5。如表1所示，陶瓷组合物S5含有低至50mol％的TiO2，低于52.5mol％。
样品11在870℃的焙烧温度下不烧结，如表4所示。这是由于使用了表3所示的玻璃组合物G2。如表2所示，玻璃组合物G2含有重量百分比低至30的CaO，低于重量百分比36。而且，玻璃组合物G2含有重量百分比高达60的SiO2，大于重量百分比50。
如表4所示，关于PCT可靠性，在样品14中发生了介电击穿。这是由于使用了表3所示的玻璃组合物G5。如表2所示，玻璃组合物G5含有重量百分比高达60的CaO，大于重量百分比50。
如表4所示，样品17表现低Qf。这是由于使用了表3所示的玻璃组合物G8。如表2所示，玻璃组合物G8含有重量百分比低至35的CaO，小于重量百分比36。而且，玻璃组合物G8含有重量百分比高达30的Al2O3，大于重量百分比20。
如表4所示，样品18在870℃的焙烧温度下不烧结。这是由于使用了表3所示的玻璃组合物G9。如表2所示，玻璃组合物G9含有重量百分比低至2的B2O3，低于重量百分比4。
如表4所示，关于PCT可靠性，在样品21中发生了介电击穿。这是由于使用了表3所示的玻璃组合物G12。如表2所示，玻璃组合物G12含有重量百分比高达20的B2O3，大于重量百分比17.5。
如表4所示，关于PCT可靠性，在样品22中发生了介电击穿。这是由于使用了表3所示的玻璃组合物G13。如表2所示，玻璃组合物G13含有重量百分比低至25的SiO2，小于重量百分比28。
如表4所示，样品30到32中的每一个都表现了低介电常数。这是由于使用了表3所示的玻璃组合物G25和G27。如表2所示，玻璃组合物G25到G27中的每一个都不含有碱金属氧化物，例如Li2O，但是不能提高上述的介电常数。另一方面，如表2所示，玻璃组合物G25到G27中的每一个都含有PbO用来改善可烧结性。如上所描述，介电常数减小的原因被认为是PbO与作为填料的陶瓷组合物和/或氧化铝发生了反应。这样，关于玻璃组合物，有必要不仅只除去碱金属而且需要挑选与填料有优良兼容性的玻璃组合物。
实验实施例2
在实验实施例2中，如表5所示，用表1所示的陶瓷组合物S1和表2所示的玻璃组合物生产了一种陶瓷材料组合物，然后以与实验实施例1中的同样方式生产了陶瓷材料组合物的烧结体，除了改变其陶瓷组合物、氧化铝和玻璃组合物的含量以外。
表5
  样品   陶瓷组合物   氧化铝[wt％]   CeO2重量份   玻璃组合物
类型 量[wt％] 类型 量[wt％]
  33   S1   5.0   40.0   0.3   G1   55.0
  34   S1   10.0   40.0   0.3   G1   50.0
  35   S1   45.0   10.0   0.3   G1   45.0
  36   S1   55.0   0   0.3   G1   45.0
  37   S1   45.0   5.0   0.3   G1   50.0
  38   S1   42.0   10.0   0.3   G1   48.0
  39   S1   12.0   40.0   0.3   G1   48.0
  40   S1   10.0   50.0   0.3   G1   40.0
  41   S1   45.0   25.0   0.3   G1   30.0
  42   S1   40.0   20.0   0.3   G1   40.0
  43   S1   23.0   12.0   0.3   G1   65.0
  44   S1   20.0   10.0   0.3   G1   70.0
接下来，用实验实施例1中的同样方法评价了表5所示的每一个样品的介电常数、Q-值、电容的温度系数和PCT可靠性。而且，在实验实施例2中，也评价了绝缘电阻。关于绝缘电阻，25℃下加50V直流电压于样品30秒，测定绝缘电阻。绝缘电阻表示为测定结果的对数(log IR)。表6显示了结果。
表6
样品   介电常数(ε)   Qf[GHz]   温度系数(TCC)[ppm/℃]  PCT可靠性   绝缘电阻(log IR)[Ω] 备注
  33   8.7   1800   100   好   12.1  低ε，高TCC
  34   10.9   2200   77   好   12.4
  35   21.5   3300   -95   好   12.6
36 24.0 2800 -180 好 5  高TCC，发生了绝缘下降
  37   20.5   3100   -90   好   -
  38   19.5   3200   -95   好   -
  39   11.5   2400   75   好   -
  40   9.8   2000   100   好   -  低ε，高TCC
  41   -   -   -   -   -  未烧结
  42   16.5   3300   -20   好   -
  43   12.0   3000   35   好   -
  44   9.8   2600   80   好   -  低ε
如表6所示的样品33到44中，样品34、35、37、38、39、42和43获得了优选结果。
这些样品符合以下要求，即陶瓷组合物含量是重量百分比为10到45，氧化铝含量是重量百分比为5到40，玻璃组合物含量是重量百分比为40到65，陶瓷组合物和氧化铝的总含量是重量百分比为35或更多。而且，这些样品符合CeO2的含量是重量份为3或更小的要求。
如表6所示，样品33表现了低介电常数和大的温度系数绝对值。这是因为，如表5所示，陶瓷组合物S1的含量是重量百分比为5.0，小于重量百分比10。
如表6所示，样品36表现了大的温度系数绝对值。另外，发生了绝缘电阻的下降。这是因为，如表5所示，陶瓷组合物S1的含量是重量百分比高达55.0，大于重量百分比45。而且，这是因为氧化铝的含量是重量百分比为0，比5个重量百分点小。
如表6所示，样品36表现了低介电常数和大的温度系数绝对值。这是因为，如表5所示，氧化铝含量是重量百分比为50.0，大于重量百分比40，如表5所示。
如表6所示，样品41在870℃下不被烧结。这是因为，如表5所示，玻璃组合物G1的含量是重量百分比为30.0，小于重量百分比40。
如表6所示，样品44表现了低介电常数。这是因为，如表5所示，陶瓷组合物S1和氧化铝的总含量是重量百分比为30.0，小于重量百分比35，玻璃组合物G1的含量是重量百分比为70.0，大于重量百分比65。
实验实施例3
在实验实施例3中，如表7所示，陶瓷材料组合物用表1所示的陶瓷组合物S1和表2所示的玻璃组合物G1来生产，然后用实验实施例1中的同样方式生产了陶瓷材料组合物的烧结体，除了改变其陶瓷组合物S1和CeO2的含量以外，在特定的样品中添加了CaTiO3。
表7
  样品   陶瓷组合物   氧化铝[wt％]   CeO2重量份   CaTiO3   玻璃组合物
类型   量[wt％] [wt％] 类型 量[wt％]
  45   S1   34.0   18.0   0   0   G1   48.0
  46   S1   34.0   18.0   3.0   0   G1   48.0
  47   S1   34.0   18.0   5.0   0   G1   48.0
  48   S1   29.0   18.0   0.3   5.0   G1   48.0
  49   S1   14.0   18.0   0.3   20.0   G1   48.0
  50   S1   4.0   18.0   0.3   30.0   G1   48.0
接下来，评价了表7中所示的每一个样品的介电常数、Q-值、电容温度系数和PCT可靠性，与实验实施例1的方法相同。表8显示了结果。
表8
样品 介电常数(ε)   Qf[GHz]   温度系数(TCC)[ppm/℃] PCT可靠性 备注
  45   15.4   2800   5   好
  46   15.3   1800   4   好
  47   15.2   800   0   好   低Q
  48   16.1   3200   -20   好
  49   17.2   2100   -100   好   高TCC
  50   18.0   2300   -190   好   高TCC
从样品45到50中，样品45、46和48获得了优选结果。
这些样品符合以下含量要求，即陶瓷组合物的重量百分比为10到45，氧化铝的重量百分比为5到40，玻璃组合物的重量百分比为40到65，陶瓷组合物和氧化铝的总含量为重量百分比35或更多。而且，这些样品符合CeO2含量是3重量份或更少、CaTiO3含量是重量百分比为20或更小的要求。
与此对比，如表8所示，样品47表现了低Q-值。这是因为，如表7所示，CeO2的含量是5.0重量份，比3重量份大。
如表8所示，样品49表现了大的温度系数绝对值。这是因为，如表7所示，陶瓷组合物S1和氧化铝总含量是重量百分比为32.0，小于重量百分比35。
如表8所示，样品50表现了大的温度系数绝对值。这是因为，如表7所示，陶瓷组合物S1和氧化铝的总含量是重量百分比为22.0，小于重量百分比35，并且CaTiO3的含量是重量百分比为30.0，大于重量百分比20。
实验实施例4
在实验实施例4中，如表9所示，用到了实验实施例1中生产的样品1和27以及实验实施例2中生产的样品34。此外，制成了分别含有玻璃组合物G19和G20的陶瓷材料组合物及其烧结体，用于形成样品51和52，如表2所示。而且，制成了分别含有表2所示的玻璃组合物G19、G20、G22和G24的陶瓷材料组合物和烧结体，用于形成样品53、54、55和56。
表9
样品   陶瓷组合物   氧化铝[wt％]   CeO2重量份   玻璃组合物
  类型   量[wt％]   类型   量[wt％]
  1   S1   34.0   18.0   0.3   G1   48.0
  27   S1   34.0   18.0   0.3   G18   48.0
  51   S1   34.0   18.0   0.3   G19   48.0
  52   S1   34.0   18.0   0.3   G20   48.0
  34   S1   10.0   40.0   0.3   G1   50.0
  53   S1   10.0   40.0   0.3   G19   50.0
  54   S1   10.0   40.0   0.3   G20   50.0
  55   S1   10.0   40.0   0.3   G22   50.0
  56   S1   10.0   40.0   0.3   G24   50.0
如表9所示，在样品1、27、51和52中，陶瓷组合物和氧化铝的含量相同。同样地，在样品34、53、54、55和56中，陶瓷组合物和氧化铝的含量相同。在样品组1、27、51和52与样品组34、53、54、55和56之间，陶瓷组合物和氧化铝的含量是不同的。
按照与实验实施例1中同样的方法，表9中所示的样品1、27、51、52、34、53、54、55和56中的每一个都评价了其介电常数、Q-值、电容温度系数和PCT可靠性。另外，也评价了其阻抗特性。
关于阻抗特性的评价为了评价电阻器和陶瓷材料在焙烧中的反应对电阻器所造成的影响。也就是说，制备了含有作为主要成分的RuO2和作为无机成分的硅酸铅玻璃的电阻糊。当一张尺寸为0.5mm×0.5mm、厚度是20μm的电阻膜用电阻糊形成时，电阻膜显示了100Ω的电阻。通过用电阻糊沿着构成上述生产的层压板的陶瓷未烧片之间的界面，用形成尺寸为0.5mm×0.5mm、厚度是20μm的电阻膜这样的方式而形成了电阻糊膜。然后，含有电阻糊膜的层压板在上述条件下焙烧。焙烧之后，测定了烧结体的电阻。结果表示在“电阻特性”栏中。关于电阻特性，当电阻是20Ω或更低时，“备注”栏表示了“差的电阻特性”。
表10
样品   电阻特性[Ω]   介电常数(ε)   Qf[GHz]   温度系数(TCC)[ppm/℃]  PCT可靠性 备注
  1   168   15.5   3500   5   好
  27   61   16.0   2400   5   好
  51   20   16.1   2300   10   好   差的电阻特性
  52   13   16.1   2100   15   好   差的电阻特性
  34   150   10.9   2200   77   好
  53   18   11.2   2000   75   好   差的电阻特性
  54   11   10.8   2100   80   好   差的电阻特性
  55   12   10.6   2100   75   好   差的电阻特性
  56   10   11.0   2000   68   好   差的电阻特性
如表10中所示，样品51、52、53、54、55和56中，电阻特性显著下降。这是由于使用了表9中所示的玻璃组合物G19、G20、G22或G24。
如表2所示，玻璃组合物G19含有重量百分比为0.5的Li2O。玻璃组合物G20含有重量百分比为1的Li2O。玻璃组合物G22含有重量百分比为0.5的Na2O。玻璃组合物G24含有重量百分比为0.5的K2O。
这样，当碱金属氧化物如Li2O、Na2O或K2O的含量是重量百分比为0.5或更多时，认为碱金属和电阻糊中所含铅发生反应，阻抗特性下降，而与陶瓷组合物的含量无关。
实验实施例5
在实验实施例5中，如表11所示，用到了实验实施例1中生产的样品1、12和13。另外，生产了用于形成样品57到65的陶瓷组合物及其烧结体，样品57到65不含表1中所示的BaO-TiO2-ReO3/2陶瓷组合物，但是含有氧化铝、CeO2和表2所示的玻璃组合物G1、G15、G16、G17和G20中的任何一种。
关于上述的玻璃组合物G1、G15、G16、G17和G20，玻璃组合物G1是CaO-Al2O3-B2O3-SiO2玻璃组合物。然而，玻璃组合物G15、G16、G17和G20中每一种都不是CaO-Al2O3-B2O3-SiO2玻璃组合物。
表11
  样品   陶瓷组合物   氧化铝[wt％]   CeO2重量份   玻璃组合物
类型 量[wt％] 类型 量[wt％]
  1   S1   34.0   18.0   0.3   G1   48.0
  12   S1   34.0   18.0   0.3   G3   48.0
  13   S1   34.0   18.0   0.3   G4   48.0
  57   -   -   30.0   0.3   G1   70.0
  58   -   -   35.0   0.3   G1   65.0
  59   -   -   50.0   0.3   G1   50.0
  60   -   -   68.0   0.3   G1   32.0
  61   -   -   75.0   0.3   G1   25.0
  62   -   -   50.0   0.3   G15   50.0
  63   -   -   50.0   0.3   G16   50.0
  64   -   -   50.0   0.3   G17   50.0
  65   -   -   50.0   0.3   G20   50.0
接下来，评价了表示在表11中的样品1、12、13和57至65中的每一个，如图12所示，用和实验实施例1中同样的方法评价介电常数、Q-值、电容温度系数和PCT可靠性。而且，评价了热膨胀系数。
表12
样品   介电常数(ε)   Qf[GHz]   温度系数(TCC)[ppm/℃]  PCT可靠性   热膨胀系数[α][ppm/℃]   备注
  1   15.5   3500   5   好   7.7
  12   14.8   2900   12   好   8.1
  13   15.9   3100   10   好   7.9
  57   9.2   1500   120   差   7   介电击穿
  58   9.1   1600   120   好   7.6
  59   8.8   1800   115   好   7.8
  60   8.6   2000   100   好   8.1
  61   8.4   2000   90   好   9.2   高α
  62   7.3   1800   116   好   6.8
  63   9.4   1700   140   好   8.9
  64   9.8   1600   150   好   9.9   高α
  65   16.0   3000   5   好   7.7
在表12的“备注”栏，简单描述了一个在实验中观察到的不合适现象。关于表4中所示情况中PCT可靠性，措词“介电击穿”表示介电击穿的发生。而且，措词“高α”表示特定样品与样品1、12或13相比，在热膨胀系数(α)上有大的差异。
如表12所示，样品57中，关于PCT可靠性，发生了介电击穿。这是因为，如表11所示，氧化铝含量的重量百分比低至30.0，小于重量百分比35，玻璃组合物G1含量的重量百分比高达70.0，大于重量百分比65。
如表12所示，样品61中，热膨胀系数(α)提高。这是因为，如表11所示，氧化铝含量的重量百分比高达75.0，大于重量百分比74，玻璃组合物G1含量的重量百分比低至25.0，小于重量百分比26。
如表12所示，样品64中，热膨胀系数(α)也提高。提高的原因被认为是使用了玻璃组合物G17。
接下来，评价了具有复合结构的陶瓷衬底，复合结构是从表11所示的样品1、12和13中选取的一种高介电常数材料与从样品57到65中选取的一种低介电常数材料组合而成。
就是说，形成含有表11中所示的各个样品1、12、13和57到65的淤浆。所得淤浆成型为陶瓷未烧片材，用刮涂法使每一个片材的厚度是50μm。每一个所得的陶瓷未烧片材被切成矩形陶瓷未烧片材，每一个都具有30mm×10mm的平面尺寸。
根据“复合结构组合”栏中的样品组合，样品的陶瓷未烧片材交替地被层压、压力结合并在870℃下焙烧1小时以形成具有复合结构的烧结陶瓷衬底。
根据每一个样品组合所得的陶瓷衬底，评价了其是否发生分层。结果表示在“分层”栏中表示。
而且，在除去起低介电常数层作用的样品57到65的陶瓷层后，样品1、12和13的每一个剩余陶瓷层的介电常数用谐振法在3GHz的条件下进行了测定。所得介电常数与表12所示样品1、12和13的介电常数进行了比较，换句话说，所得介电常数与只经过焙烧所得烧结体的介电常数进行了比较，以计算介电常数减少了多少。结果表示在表13的“介电常数减小率”栏中。
表13
  复合结构的组合   介电常数的减小率[％]   分层
  样品   样品
  1   59   ＜5   无
  12   59   ＜5   无
  13   59   ＜5   无
  1   57   ＜5   无
  1   58   ＜5   无
  1   60   ＜5   无
  1   61   ＜5   发生
  1   62   15   无
  1   63   21   无
  1   64   25   发生
  1   65   30   无
表13中很明显，将样品1与样品62到65的任何一个组合，所得复合结构中，介电常数相对明显减小。认为这是由以下事实而产生，即如表11所示，样品62到65中用到了玻璃组合物G15、G16、G17和G20中的任何一种，这些玻璃组合物不同于CaO-Al2O3-B2O3-SiO2玻璃组合物，并且在高介电常数层和低介电常数层之间发生了相互扩散反应而降低了界面附近处的介电常数。
如表12所示，在组合样品1和样品61所得复合结构以及组合样品1和样品64所得复合结构中，热膨胀系数的差异(α)大；因此发生了分层，如表13所示。

Claims (11)

1.一种陶瓷材料组合物，其包含：
重量百分比为10到45的BaO-TiO2-ReO3/2陶瓷组合物，该陶瓷组合物由xBaO-yTiO2-zReO3/2表示(其中x、y和z各自代表摩尔百分比，8≤x≤18、52.5≤y≤65和20≤z≤40，x+y+z＝100；以及Re代表一种稀土元素)；
重量百分比为5到40的氧化铝；和
重量百分比为40到65的硼硅酸盐玻璃组合物，其含有重量百分比为4到17.5的B2O3、重量百分比为28到50的SiO2、重量百分比为0到20的Al2O3、和重量百分比为36到50的MO(其中MO表示从CaO、MgO、SrO和BaO中选择的至少一种化合物)，
其中，所述BaO-TiO2-ReO3/2陶瓷组合物和氧化铝的总含量是重量百分比为35或更多。
2.权利要求1的陶瓷材料组合物，其更进一步包括重量百分比为20或更少的CaTiO3。
3.权利要求1的陶瓷材料组合物，其中所述硼硅酸盐玻璃组合物进一步含有重量百分比少于0.5的从Li2O、Na2O和K2O中选择的至少一种化合物。
4.权利要求1的陶瓷材料组合物，其进一步包括3重量份或更少的CeO2，以所述BaO-TiO2-ReO3/2陶瓷组合物、氧化铝和硼硅酸盐玻璃组合物的总量为100重量份。
5.一种包含陶瓷层的陶瓷衬底，所述陶瓷层由根据权利要求1到4中任何一项的陶瓷材料组合物的烧结体组成。
6.权利要求5的陶瓷衬底，其中所述陶瓷衬底具有一个多层结构，在该多层结构中多个所述陶瓷层被层压。
7.权利要求6的陶瓷衬底，关于所述陶瓷层，进一步包含主要由Ag或Cu组成的导体。
8.权利要求6的陶瓷衬底，其进一步包含配置其中的电阻器。
9.权利要求5的陶瓷衬底，其进一步包含介电常数为10或更小的第二陶瓷层。
10.权利要求5的陶瓷衬底，其进一步包含由烧结陶瓷体组成的第二陶瓷层，该烧结陶瓷体含有重量百分比为26到65的CaO-Al2O3-B2O3-SiO2玻璃组合物和重量百分比为35到74的氧化铝。
11.一种不可逆电路元件，包括：
永久磁石；
中心电极组件，由所述永久磁石施加DC磁场于其上，所述中心电极组件包括衬底、配置在所述衬底上的多个中心电极，所述中心电极以预定交叉角互相重叠，和配置于所述中心电极之间以使中心电极互相电绝缘的绝缘层；
用于容纳所述永久磁石和中心电极组件的金属外壳；和
安装所述中心电极组件的陶瓷衬底，该陶瓷衬底包括电容器和电阻器，
其中，所述陶瓷衬底是权利要求5到10中任何一项的陶瓷衬底。
CN200580003902XA 2004-10-26 2005-09-14 陶瓷材料组合物、陶瓷衬底和不可逆电路元件 Active CN1914134B (zh)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP310304/2004 2004-10-26
JP2004310304 2004-10-26
JP340084/2004 2004-11-25
JP2004340084 2004-11-25
PCT/JP2005/016900 WO2006046361A1 (ja) 2004-10-26 2005-09-14 セラミック原料組成物、セラミック基板および非可逆回路素子

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1914134A true CN1914134A (zh) 2007-02-14
CN1914134B CN1914134B (zh) 2010-05-05

Family

ID=36227612

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN200580003902XA Active CN1914134B (zh) 2004-10-26 2005-09-14 陶瓷材料组合物、陶瓷衬底和不可逆电路元件

Country Status (7)

Country Link
US (1) US8455381B2 (zh)
EP (1) EP1829841B1 (zh)
JP (1) JP4420025B2 (zh)
KR (1) KR100768662B1 (zh)
CN (1) CN1914134B (zh)
AT (1) ATE515486T1 (zh)
WO (1) WO2006046361A1 (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101429011B (zh) * 2008-12-10 2011-08-17 沈阳黎明航空发动机(集团)有限责任公司 一种低温固化陶瓷粉末及其制备方法
CN104355613A (zh) * 2014-10-22 2015-02-18 华文蔚 一种陶瓷组合物及其制备方法
CN110349925A (zh) * 2019-07-16 2019-10-18 上海航天电子通讯设备研究所 一种叠层封装基板及其制备方法

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4246716B2 (ja) 2005-05-02 2009-04-02 Ｔｄｋ株式会社 積層型フィルタ
CN101336461B (zh) * 2006-01-30 2011-07-20 株式会社村田制作所 多层陶瓷基板的内置电容器的电容值调整方法以及多层陶瓷基板及其制造方法
JP2010052970A (ja) * 2008-08-27 2010-03-11 Murata Mfg Co Ltd セラミック組成物、セラミックグリーンシート、及びセラミック電子部品
KR101646801B1 (ko) * 2008-10-14 2016-08-08 파나소닉 아이피 매니지먼트 가부시키가이샤 세라믹 적층 부품과 그 제조 방법
JP5273490B2 (ja) 2008-11-21 2013-08-28 株式会社村田製作所 セラミック組成物、セラミックグリーンシート、及びセラミック電子部品
DE102009008292B4 (de) 2009-02-10 2014-09-25 Schott Ag Kondensator und Verfahren zur Herstellung eines solchen
JP2011035170A (ja) * 2009-07-31 2011-02-17 Olympus Corp 多層積層回路
KR101252530B1 (ko) * 2010-10-01 2013-04-09 주식회사 아이엠텍 내장형 저항이 구비된 다층회로기판 및 그 제조방법
US8963406B2 (en) * 2011-06-03 2015-02-24 Fram Group Ip Llc Spark plug
US20170062385A1 (en) * 2015-08-28 2017-03-02 Electronics And Telecommunications Research Institute Power converting device
JP6278173B2 (ja) * 2016-01-12 2018-02-14 株式会社村田製作所 積層体及び電子部品
JP7020335B2 (ja) * 2018-08-06 2022-02-16 Ａｇｃ株式会社 ガラス組成物

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0785363B2 (ja) 1985-07-15 1995-09-13 沖電気工業株式会社 マイクロ波用誘電体セラミツクス
DE68923781T2 (de) * 1988-12-27 1995-12-21 Toshiba Kawasaki Kk Keramische Zusammensetzung mit hoher Dielektrizitätskonstante und keramische Kondensatorelemente.
US5103370A (en) * 1989-12-04 1992-04-07 Taiyo Yuden Co., Ltd. Solid dielectric capacitor and method of manufacture
JP2781501B2 (ja) * 1991-09-27 1998-07-30 日本碍子株式会社 低温焼成用誘電体磁器組成物
JP3325051B2 (ja) * 1992-08-26 2002-09-17 太陽誘電株式会社 誘電体磁器組成物
JPH06260768A (ja) 1993-03-03 1994-09-16 Sumitomo Metal Ind Ltd セラミックス多層回路基板
JP2695602B2 (ja) 1993-12-03 1998-01-14 松下電器産業株式会社 ガラスセラミックス多層基板
JP3085625B2 (ja) * 1994-05-31 2000-09-11 京セラ株式会社 誘電体磁器組成物
JPH0859344A (ja) 1994-08-24 1996-03-05 Murata Mfg Co Ltd 誘電体磁器組成物
JPH08183654A (ja) * 1994-12-28 1996-07-16 Kyocera Corp 低温焼成多層回路基板用ガラス−セラミック組成物
JPH08283066A (ja) 1995-04-12 1996-10-29 Sumitomo Kinzoku Electro Device:Kk 低温焼成セラミック基板
JPH0992983A (ja) 1995-07-17 1997-04-04 Sumitomo Kinzoku Electro Device:Kk セラミック多層基板の製造方法
JPH11228222A (ja) * 1997-12-11 1999-08-24 Murata Mfg Co Ltd 誘電体磁器組成物及びそれを用いたセラミック電子部品
JPH11310455A (ja) * 1998-02-27 1999-11-09 Murata Mfg Co Ltd 誘電体磁器組成物およびそれを用いたセラミック電子部品
JPH11335162A (ja) 1998-05-25 1999-12-07 Murata Mfg Co Ltd セラミック基板用組成物およびセラミック回路部品
JP3358589B2 (ja) 1999-06-08 2002-12-24 株式会社村田製作所 セラミック基板用組成物、グリーンシートおよびセラミック回路部品
JP3680765B2 (ja) * 2000-07-21 2005-08-10 株式会社村田製作所 誘電体磁器組成物
DE60126242T2 (de) * 2000-08-08 2007-08-30 Philips Intellectual Property & Standards Gmbh Dielektrische zusammensetzung, herstellungsverfahren von einem keramikbauteil, und elektronisches bauteil
JP2002226259A (ja) * 2000-11-29 2002-08-14 Murata Mfg Co Ltd セラミック電子部品の基体用組成物、セラミック電子部品および積層型セラミック電子部品の製造方法
JP3903781B2 (ja) 2000-12-19 2007-04-11 株式会社村田製作所 複合積層セラミック電子部品及びその製造方法
JP2002368420A (ja) * 2001-06-05 2002-12-20 Murata Mfg Co Ltd ガラスセラミック多層基板の製造方法およびガラスセラミック多層基板
JP3960768B2 (ja) * 2001-10-03 2007-08-15 オリンパス株式会社 撮像装置及びその露出の表示方法
JP2003176171A (ja) 2001-10-04 2003-06-24 Ube Electronics Ltd 誘電体磁器組成物
CN100368340C (zh) * 2003-04-21 2008-02-13 旭硝子株式会社 制电介质用无铅玻璃、制电介质用玻璃陶瓷组合物、电介质及层积电介质的制造方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101429011B (zh) * 2008-12-10 2011-08-17 沈阳黎明航空发动机(集团)有限责任公司 一种低温固化陶瓷粉末及其制备方法
CN104355613A (zh) * 2014-10-22 2015-02-18 华文蔚 一种陶瓷组合物及其制备方法
CN104355613B (zh) * 2014-10-22 2016-11-30 五行科技股份有限公司 一种陶瓷组合物
CN110349925A (zh) * 2019-07-16 2019-10-18 上海航天电子通讯设备研究所 一种叠层封装基板及其制备方法
CN110349925B (zh) * 2019-07-16 2021-01-22 上海航天电子通讯设备研究所 一种叠层封装基板及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP4420025B2 (ja) 2010-02-24
WO2006046361A1 (ja) 2006-05-04
US8455381B2 (en) 2013-06-04
ATE515486T1 (de) 2011-07-15
KR20060125854A (ko) 2006-12-06
EP1829841A4 (en) 2010-12-29
JPWO2006046361A1 (ja) 2008-05-22
US20070036996A1 (en) 2007-02-15
EP1829841B1 (en) 2011-07-06
CN1914134B (zh) 2010-05-05
KR100768662B1 (ko) 2007-10-18
EP1829841A1 (en) 2007-09-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1914134A (zh) 陶瓷材料组合物、陶瓷衬底和不可逆电路元件
CN1826299A (zh) 绝缘体陶瓷组合物、绝缘性陶瓷烧结体及层叠型陶瓷电子部件
CN1093103C (zh) 介电陶瓷组合物和使用该组合物的叠层陶瓷电容器
CN1238860C (zh) 导电糊、迭层陶瓷电子器件制造方法及迭层陶瓷电子器件
CN1208783C (zh) 介电陶瓷组合物
CN1201339C (zh) 介电陶瓷及其制造和评价方法,及单片陶瓷电子元件
CN100344578C (zh) 介电陶瓷组合物、其制造方法以及电子部件
CN1305087C (zh) 叠层陶瓷电容器及其制备方法
CN1280234C (zh) 介电陶瓷、其生产方法和多层陶瓷电容器
CN1889210A (zh) 叠层型陶瓷电容器
CN1206661C (zh) 介电陶瓷组合物、电子器件及其生产方法
CN1776844A (zh) 电介体陶瓷组合物和电子部件
CN1238533A (zh) 介电陶瓷组合物和层状陶瓷电容器
CN1819980A (zh) 层积电介质的制造方法
CN1847194A (zh) 电子部件、电介质陶瓷组合物及其制造方法
CN1518019A (zh) 介电陶瓷，制造该介电陶瓷的方法，以及单片陶瓷电容器
CN1677588A (zh) 多层陶瓷电容器
CN1446768A (zh) 介电材料和介电材料烧结体以及使用该陶瓷的布线板
CN1848677A (zh) 弹性表面波元件安装基板、使用该基板的高频模块和通信机器
JP2009088089A (ja) セラミック多層基板
CN1163464A (zh) 绝缘陶瓷组合物及使用该组合物的叠层陶瓷电容器
CN1228068A (zh) 非磁性陶瓷和多层陶瓷部件
CN1476287A (zh) 铜浆料及使用该铜浆料的布线板
CN101066867A (zh) 电子部件、电介质陶瓷组合物及其制造方法
CN1463453A (zh) 多层陶瓷电子元件的制造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant