JPH08283066A - 低温焼成セラミック基板 - Google Patents
低温焼成セラミック基板Info
- Publication number
- JPH08283066A JPH08283066A JP7086761A JP8676195A JPH08283066A JP H08283066 A JPH08283066 A JP H08283066A JP 7086761 A JP7086761 A JP 7086761A JP 8676195 A JP8676195 A JP 8676195A JP H08283066 A JPH08283066 A JP H08283066A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- weight
- mullite
- substrate
- low temperature
- ceramic substrate
- Prior art date
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- Pending
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 低温焼成セラミック基板を低誘電率化・低熱
膨脹係数化する。 【構成】 低温焼成セラミック基板の材料は、ＣａＯ１
０〜５５重量％、ＳｉＯ2 ４５〜７０重量％、Ａｌ2 Ｏ
3 ０〜３０重量％、不純物０〜１０重量％及び外掛でＢ
2 Ｏ3 ５〜２０重量％よりなる組成のガラス粉末５０〜
６４重量％と、Ａｌ2 Ｏ3 とムライトとの混合物３６〜
５０重量％とからなり、前記混合物は、不純物を０〜１
０重量％含むＡｌ2 Ｏ3 と、ムライト５重量％以上を含
んでいる。このような組成のセラミック材料を８００〜
１０００℃で焼成することによって低温焼成セラミック
基板を製造する。このように、Ａｌ2 Ｏ3 の配合量を少
なくし、その代わりに、誘電率が低く且つ熱膨張係数も
小さいムライトを５重量％以上配合することで、低誘電
率化・低熱膨脹係数化を実現すると共に、基板と導体と
を同時焼成したときの基板の反りの発生を抑える。
膨脹係数化する。 【構成】 低温焼成セラミック基板の材料は、ＣａＯ１
０〜５５重量％、ＳｉＯ2 ４５〜７０重量％、Ａｌ2 Ｏ
3 ０〜３０重量％、不純物０〜１０重量％及び外掛でＢ
2 Ｏ3 ５〜２０重量％よりなる組成のガラス粉末５０〜
６４重量％と、Ａｌ2 Ｏ3 とムライトとの混合物３６〜
５０重量％とからなり、前記混合物は、不純物を０〜１
０重量％含むＡｌ2 Ｏ3 と、ムライト５重量％以上を含
んでいる。このような組成のセラミック材料を８００〜
１０００℃で焼成することによって低温焼成セラミック
基板を製造する。このように、Ａｌ2 Ｏ3 の配合量を少
なくし、その代わりに、誘電率が低く且つ熱膨張係数も
小さいムライトを５重量％以上配合することで、低誘電
率化・低熱膨脹係数化を実現すると共に、基板と導体と
を同時焼成したときの基板の反りの発生を抑える。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、１０００℃以下で焼成
される低温焼成セラミック基板に関するものである。
される低温焼成セラミック基板に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、セラミック基板として最も良
く使用されているアルミナ基板は、１５００℃以上の高
温で焼成する必要があり、また、導体材料としてＭｏ，
Ｗ等のシート抵抗値の高い高融点金属を使用せざるを得
ない等の欠点があることから、近年、これらの欠点を解
決するために、１０００℃以下の低温度で焼成できる種
々の組成の低温焼成セラミック基板が開発されている。
例えば、特公平３−５３２６９号公報に示すように、低
温焼成セラミック基板材料として、ＣａＯ−ＳｉＯ2 −
Ａｌ2 Ｏ3 −Ｂ2 Ｏ3 系ガラス粉末とＡｌ2 Ｏ3 粉末と
の混合物を用いて低温焼成するようにしたものがある。
く使用されているアルミナ基板は、１５００℃以上の高
温で焼成する必要があり、また、導体材料としてＭｏ，
Ｗ等のシート抵抗値の高い高融点金属を使用せざるを得
ない等の欠点があることから、近年、これらの欠点を解
決するために、１０００℃以下の低温度で焼成できる種
々の組成の低温焼成セラミック基板が開発されている。
例えば、特公平３−５３２６９号公報に示すように、低
温焼成セラミック基板材料として、ＣａＯ−ＳｉＯ2 −
Ａｌ2 Ｏ3 −Ｂ2 Ｏ3 系ガラス粉末とＡｌ2 Ｏ3 粉末と
の混合物を用いて低温焼成するようにしたものがある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述した組成の低温焼
成セラミック基板は、アルミナ基板と比較すれば、誘電
率が低く、高周波信号の応答性が良く、また、熱膨張係
数もアルミナ基板よりも小さく、大型チップのマウント
信頼性が向上するという利点がある。しかし、最近の高
密度実装・高集積化回路基板では、信号処理の一層の高
速化が要求されたり、同時焼成の際に導体と基板との間
に生ずる応力（基板の反りを発生させる応力）の一層の
低減が要求されるようになり、それに伴って、基板の一
層の低誘電率化・低熱膨張係数化や反りの低減が要求さ
れるようになってきている。
成セラミック基板は、アルミナ基板と比較すれば、誘電
率が低く、高周波信号の応答性が良く、また、熱膨張係
数もアルミナ基板よりも小さく、大型チップのマウント
信頼性が向上するという利点がある。しかし、最近の高
密度実装・高集積化回路基板では、信号処理の一層の高
速化が要求されたり、同時焼成の際に導体と基板との間
に生ずる応力（基板の反りを発生させる応力）の一層の
低減が要求されるようになり、それに伴って、基板の一
層の低誘電率化・低熱膨張係数化や反りの低減が要求さ
れるようになってきている。
【０００４】本発明はこのような事情を考慮してなされ
たものであり、従ってその目的は、一層の低誘電率化・
低熱膨張係数化や反りの低減を実現することができる低
温焼成セラミック基板を提供することにある。
たものであり、従ってその目的は、一層の低誘電率化・
低熱膨張係数化や反りの低減を実現することができる低
温焼成セラミック基板を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の低温焼成セラミック基板は、ＣａＯ１０〜
５５重量％、ＳｉＯ2 ４５〜７０重量％、Ａｌ2 Ｏ3 ０
〜３０重量％、不純物０〜１０重量％及び外掛でＢ2 Ｏ
3 ５〜２０重量％よりなる組成のガラス粉末５０〜６４
重量％と、Ａｌ2 Ｏ3 とムライトとの混合物３６〜５０
重量％とからなり、８００〜１０００℃で焼成されたも
のであって、前記混合物は、不純物を０〜１０重量％含
むＡｌ2 Ｏ3 と、ムライト５重量％以上を含んでいる。
に、本発明の低温焼成セラミック基板は、ＣａＯ１０〜
５５重量％、ＳｉＯ2 ４５〜７０重量％、Ａｌ2 Ｏ3 ０
〜３０重量％、不純物０〜１０重量％及び外掛でＢ2 Ｏ
3 ５〜２０重量％よりなる組成のガラス粉末５０〜６４
重量％と、Ａｌ2 Ｏ3 とムライトとの混合物３６〜５０
重量％とからなり、８００〜１０００℃で焼成されたも
のであって、前記混合物は、不純物を０〜１０重量％含
むＡｌ2 Ｏ3 と、ムライト５重量％以上を含んでいる。
【０００６】
【作用】前述した特公平３−５３２６９号公報に示す低
温焼成セラミック基板材料は、骨材としてＡｌ2 Ｏ3 を
使用しているが、本発明では、Ａｌ2 Ｏ3 の配合量を少
なくし、その代わりに、ムライト（３Ａｌ2 Ｏ3 ・２Ｓ
ｉＯ2 ）を配合する。このムライトは、Ａｌ2 Ｏ3 −２
ＳｉＯ2 二次元系における最も安定した結晶相の一つで
あり、Ａｌ2 Ｏ3 と比較して誘電率が低く、熱膨張係数
も小さいことから、Ａｌ2 Ｏ3 の配合量を少なくしてム
ライトを５重量％以上配合して低温焼成セラミック基板
を焼成すれば、一層の低誘電率化・低熱膨張係数化や反
りの低減が可能となる。
温焼成セラミック基板材料は、骨材としてＡｌ2 Ｏ3 を
使用しているが、本発明では、Ａｌ2 Ｏ3 の配合量を少
なくし、その代わりに、ムライト（３Ａｌ2 Ｏ3 ・２Ｓ
ｉＯ2 ）を配合する。このムライトは、Ａｌ2 Ｏ3 −２
ＳｉＯ2 二次元系における最も安定した結晶相の一つで
あり、Ａｌ2 Ｏ3 と比較して誘電率が低く、熱膨張係数
も小さいことから、Ａｌ2 Ｏ3 の配合量を少なくしてム
ライトを５重量％以上配合して低温焼成セラミック基板
を焼成すれば、一層の低誘電率化・低熱膨張係数化や反
りの低減が可能となる。
【０００７】
【実施例】本実施例の低温焼成セラミック基板材料の組
成は、ＣａＯ１０〜５５重量％、ＳｉＯ2 ４５〜７０重
量％、Ａｌ2 Ｏ3 ０〜３０重量％、不純物０〜１０重量
％及び外掛でＢ2 Ｏ3 ５〜２０重量％よりなる組成のガ
ラス粉末５０〜６４重量％と、Ａｌ2 Ｏ3 とムライトと
の混合物３６〜５０重量％とからなり、前記混合物は、
不純物を０〜１０重量％含むＡｌ2 Ｏ3 と、ムライト５
重量％以上を含んだ組成となっている。このような組成
のセラミック材料を８００〜１０００℃で焼成すること
によって低温焼成セラミック基板を製造するものであ
る。
成は、ＣａＯ１０〜５５重量％、ＳｉＯ2 ４５〜７０重
量％、Ａｌ2 Ｏ3 ０〜３０重量％、不純物０〜１０重量
％及び外掛でＢ2 Ｏ3 ５〜２０重量％よりなる組成のガ
ラス粉末５０〜６４重量％と、Ａｌ2 Ｏ3 とムライトと
の混合物３６〜５０重量％とからなり、前記混合物は、
不純物を０〜１０重量％含むＡｌ2 Ｏ3 と、ムライト５
重量％以上を含んだ組成となっている。このような組成
のセラミック材料を８００〜１０００℃で焼成すること
によって低温焼成セラミック基板を製造するものであ
る。
【０００８】以下、この低温焼成セラミック基板の製造
方法を具体的に説明する。まず、上述した組成比のＣａ
Ｏ、ＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 、不純物及びＢ2 Ｏ3 を含む
混合物を１４５０℃で溶融してガラス化した後、水中で
急冷しこれを粉砕してＣａＯ−ＳｉＯ2 −Ａｌ2 Ｏ3 −
Ｂ2 Ｏ3 系ガラス粉末を作製する。このガラス粉末５０
〜６４重量％に対し、不純物を０〜１０重量％含むＡｌ
2 Ｏ3 粉末と、ムライト粉末５重量％以上とを混合した
低温焼成セラミック原料に溶剤（例えばトルエン、キシ
レン、ブタノール）、バインダー（例えばアクリル樹脂
あるいはブチラール樹脂）及び可塑剤（例えばＤＯＰ）
を加え、充分混練してスラリーを作製し、通常のドクタ
ーブレード法を用いてグリーンシートを作製する。
方法を具体的に説明する。まず、上述した組成比のＣａ
Ｏ、ＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 、不純物及びＢ2 Ｏ3 を含む
混合物を１４５０℃で溶融してガラス化した後、水中で
急冷しこれを粉砕してＣａＯ−ＳｉＯ2 −Ａｌ2 Ｏ3 −
Ｂ2 Ｏ3 系ガラス粉末を作製する。このガラス粉末５０
〜６４重量％に対し、不純物を０〜１０重量％含むＡｌ
2 Ｏ3 粉末と、ムライト粉末５重量％以上とを混合した
低温焼成セラミック原料に溶剤（例えばトルエン、キシ
レン、ブタノール）、バインダー（例えばアクリル樹脂
あるいはブチラール樹脂）及び可塑剤（例えばＤＯＰ）
を加え、充分混練してスラリーを作製し、通常のドクタ
ーブレード法を用いてグリーンシートを作製する。
【０００９】この後、打抜き型やパンチングマシーン等
を用いて、上記グリーンシートを例えば３０ｍｍ角に切
断する。多層基板を作る場合には、切断されたグリーン
シートの所定位置に例えば０．３ｍｍφのビアホールを
打ち抜き形成して、各ビアホールにＡｇ、Ａｇ−Ｐｄ、
Ａｕ、Ｃｕ等の導体ペーストを充填し、各グリーンシー
トに、配線用の導体パターンをスクリーン印刷する。こ
れら各グリーンシートを積層し、この積層体を例えば８
０〜１５０℃、５０〜２５０ｋｇ／ｃｍ2 の条件で熱圧
着して一体化する。この後、Ａｇ、Ａｇ−Ｐｄ、Ａｕ等
の酸化焼成の場合には、この積層体を通常の電気式連続
ベルト炉を使用して８００〜１０００℃（好ましくは９
００℃）で酸化雰囲気（空気）中で焼成することで、低
温焼成セラミック多層回路基板を作製する。尚、上記焼
成の過程で、有機バインダーが分解、飛散する温度まで
は酸化熱処理した後、還元焼成しても良い。また、表層
導体については必ずしも同時焼成する必要はなく、後焼
成するようにしても良い。
を用いて、上記グリーンシートを例えば３０ｍｍ角に切
断する。多層基板を作る場合には、切断されたグリーン
シートの所定位置に例えば０．３ｍｍφのビアホールを
打ち抜き形成して、各ビアホールにＡｇ、Ａｇ−Ｐｄ、
Ａｕ、Ｃｕ等の導体ペーストを充填し、各グリーンシー
トに、配線用の導体パターンをスクリーン印刷する。こ
れら各グリーンシートを積層し、この積層体を例えば８
０〜１５０℃、５０〜２５０ｋｇ／ｃｍ2 の条件で熱圧
着して一体化する。この後、Ａｇ、Ａｇ−Ｐｄ、Ａｕ等
の酸化焼成の場合には、この積層体を通常の電気式連続
ベルト炉を使用して８００〜１０００℃（好ましくは９
００℃）で酸化雰囲気（空気）中で焼成することで、低
温焼成セラミック多層回路基板を作製する。尚、上記焼
成の過程で、有機バインダーが分解、飛散する温度まで
は酸化熱処理した後、還元焼成しても良い。また、表層
導体については必ずしも同時焼成する必要はなく、後焼
成するようにしても良い。
【００１０】本発明者は、ＣａＯ−ＳｉＯ2 −Ａｌ2 Ｏ
3 −Ｂ2 Ｏ3 系ガラス粉末と、ムライト粉末と、Ａｌ2
Ｏ3 粉末との配合割合を変えて、誘電率ε、熱膨張係数
α、焼結性及び基板の反りを調べたので、その試験結果
を次の表１に示す。
3 −Ｂ2 Ｏ3 系ガラス粉末と、ムライト粉末と、Ａｌ2
Ｏ3 粉末との配合割合を変えて、誘電率ε、熱膨張係数
α、焼結性及び基板の反りを調べたので、その試験結果
を次の表１に示す。
【００１１】
【表１】
【００１２】ここで、基板の反りを調べるために用いた
サンプルは、図１に示すように、１枚の３０ｍｍ角のグ
リーンシート１１の表面中央部にＡｇペースト（Ａｇ粒
子の平均粒径１μｍ程度）を用いて１０ｍｍ角の導体１
２を印刷し、これを通常の電気式連続ベルト炉を使用し
て例えば９００℃で同時焼成したものである。
サンプルは、図１に示すように、１枚の３０ｍｍ角のグ
リーンシート１１の表面中央部にＡｇペースト（Ａｇ粒
子の平均粒径１μｍ程度）を用いて１０ｍｍ角の導体１
２を印刷し、これを通常の電気式連続ベルト炉を使用し
て例えば９００℃で同時焼成したものである。
【００１３】この試験結果から次のことが確認された。 Ａｌ2 Ｏ3 とムライトとの混合物の配合割合が３０重
量％の場合（比較例６）は、ガラスの割合が多すぎて、
変形してしまい、正常な製品は作れない。 Ａｌ2 Ｏ3 とムライトとの混合物の配合割合が６０重
量％の場合（比較例７）は、ガラスの割合が少なすぎ
て、焼結しない。 Ａｌ2 Ｏ3 とムライトとの混合物の配合割合が４０重
量％又は５０重量％の場合（実施例１〜５，比較例８）
は、ガラス粉末と混合物との配合割合が適切であり、焼
結性に問題はない。これらの試験結果から、ガラス粉末
と混合物との配合割合は焼結性に大きな影響を与えるこ
とが分かり、ガラス粉末５０〜６４重量％に対し混合物
３６〜５０重量％の配合割合であれば、焼結性が良好で
あることが確認されている。 混合物中のムライトの配合割合が２重量％の場合（比
較例８）は、ムライトの添加の効果が少なく、ムライト
を５重量％以上含む場合（実施例１〜５）と比較して、
誘電率εが高く、また熱膨張係数αも大きい。このた
め、サンプルの基板１１の反りが３０μｍ程度生じ、不
良品となる。 混合物中のムライトの割合が５〜４０重量％の場合
（実施例１〜５）は、誘電率εが７．０〜７．６の範囲
に収まり、比較例８の誘電率εよりも低くなる。また、
熱膨張係数αは、４．５〜５．１（×１０-6／℃）の範
囲に収まり、比較例８の熱膨張係数αよりも小さくな
る。このため、基板１１と導体１２との同時焼成による
サンプルの基板１１の反りも３０μｍ以下であり、反り
が少なく、基板１１とフリップチップとの接合性も極め
て良好である。
量％の場合（比較例６）は、ガラスの割合が多すぎて、
変形してしまい、正常な製品は作れない。 Ａｌ2 Ｏ3 とムライトとの混合物の配合割合が６０重
量％の場合（比較例７）は、ガラスの割合が少なすぎ
て、焼結しない。 Ａｌ2 Ｏ3 とムライトとの混合物の配合割合が４０重
量％又は５０重量％の場合（実施例１〜５，比較例８）
は、ガラス粉末と混合物との配合割合が適切であり、焼
結性に問題はない。これらの試験結果から、ガラス粉末
と混合物との配合割合は焼結性に大きな影響を与えるこ
とが分かり、ガラス粉末５０〜６４重量％に対し混合物
３６〜５０重量％の配合割合であれば、焼結性が良好で
あることが確認されている。 混合物中のムライトの配合割合が２重量％の場合（比
較例８）は、ムライトの添加の効果が少なく、ムライト
を５重量％以上含む場合（実施例１〜５）と比較して、
誘電率εが高く、また熱膨張係数αも大きい。このた
め、サンプルの基板１１の反りが３０μｍ程度生じ、不
良品となる。 混合物中のムライトの割合が５〜４０重量％の場合
（実施例１〜５）は、誘電率εが７．０〜７．６の範囲
に収まり、比較例８の誘電率εよりも低くなる。また、
熱膨張係数αは、４．５〜５．１（×１０-6／℃）の範
囲に収まり、比較例８の熱膨張係数αよりも小さくな
る。このため、基板１１と導体１２との同時焼成による
サンプルの基板１１の反りも３０μｍ以下であり、反り
が少なく、基板１１とフリップチップとの接合性も極め
て良好である。
【００１４】以上説明したように、本実施例の低温焼成
セラミック基板は、Ａｌ2 Ｏ3 の配合量を少なくし、そ
の代わりにムライト（３Ａｌ2 Ｏ3 ・２ＳｉＯ2 ）を５
重量％以上配合したところに特徴がある。このムライト
は、Ａｌ2 Ｏ3 −２ＳｉＯ2二次元系における最も安定
した結晶相の一つであり、Ａｌ2 Ｏ3 と比較して誘電率
が低く、熱膨張係数も小さいことから、Ａｌ2 Ｏ3 の配
合量を少なくしてムライトを５重量％以上配合して低温
焼成セラミック基板を焼成すれば、一層の低誘電率化・
低熱膨張係数化が可能となる。また、ムライトを混合す
ることにより、焼成過程でアノーサイトの結晶の生成を
抑制して、ガラス分が硬化しにくくなり、基板と導体と
のマッチングが容易になり、基板の反りの発生が無くな
る。
セラミック基板は、Ａｌ2 Ｏ3 の配合量を少なくし、そ
の代わりにムライト（３Ａｌ2 Ｏ3 ・２ＳｉＯ2 ）を５
重量％以上配合したところに特徴がある。このムライト
は、Ａｌ2 Ｏ3 −２ＳｉＯ2二次元系における最も安定
した結晶相の一つであり、Ａｌ2 Ｏ3 と比較して誘電率
が低く、熱膨張係数も小さいことから、Ａｌ2 Ｏ3 の配
合量を少なくしてムライトを５重量％以上配合して低温
焼成セラミック基板を焼成すれば、一層の低誘電率化・
低熱膨張係数化が可能となる。また、ムライトを混合す
ることにより、焼成過程でアノーサイトの結晶の生成を
抑制して、ガラス分が硬化しにくくなり、基板と導体と
のマッチングが容易になり、基板の反りの発生が無くな
る。
【００１５】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
の低温焼成セラミック基板によれば、ＣａＯ−ＳｉＯ2
−Ａｌ2 Ｏ3 −Ｂ2 Ｏ3 系ガラス粉末５０〜６４重量％
に対しムライト５重量％以上とＡｌ2 Ｏ3 との混合物３
６〜５０重量％を配合して低温焼成するようにしたの
で、ムライトの特性によって一層の低誘電率化・低熱膨
張係数化が可能となると共に、基板と導体との同時焼成
による基板の反りを極めて小さくすることができ、フリ
ップチップとの接合性も向上することができる。
の低温焼成セラミック基板によれば、ＣａＯ−ＳｉＯ2
−Ａｌ2 Ｏ3 −Ｂ2 Ｏ3 系ガラス粉末５０〜６４重量％
に対しムライト５重量％以上とＡｌ2 Ｏ3 との混合物３
６〜５０重量％を配合して低温焼成するようにしたの
で、ムライトの特性によって一層の低誘電率化・低熱膨
張係数化が可能となると共に、基板と導体との同時焼成
による基板の反りを極めて小さくすることができ、フリ
ップチップとの接合性も向上することができる。
【図１】実施例１〜５及び比較例６〜８で使用した試験
サンプルを説明する図である。
サンプルを説明する図である。
１１…グリーンシート（低温焼成セラミック基板）、１
２…Ａｇ導体。
２…Ａｇ導体。
Claims (1)
- 【請求項１】 ＣａＯ１０〜５５重量％、ＳｉＯ2 ４５
〜７０重量％、Ａｌ2 Ｏ3 ０〜３０重量％、不純物０〜
１０重量％及び外掛でＢ2 Ｏ3 ５〜２０重量％よりなる
組成のガラス粉末５０〜６４重量％と、Ａｌ2 Ｏ3 とム
ライトとの混合物３６〜５０重量％とからなり、８００
〜１０００℃で焼成された低温焼成セラミック基板であ
って、 前記混合物は、不純物を０〜１０重量％含むＡｌ2 Ｏ3
と、ムライト５重量％以上を含むことを特徴とする低温
焼成セラミック基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7086761A JPH08283066A (ja) | 1995-04-12 | 1995-04-12 | 低温焼成セラミック基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7086761A JPH08283066A (ja) | 1995-04-12 | 1995-04-12 | 低温焼成セラミック基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08283066A true JPH08283066A (ja) | 1996-10-29 |
Family
ID=13895739
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7086761A Pending JPH08283066A (ja) | 1995-04-12 | 1995-04-12 | 低温焼成セラミック基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08283066A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8455381B2 (en) | 2004-10-26 | 2013-06-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Ceramic material composition, ceramic substrate, and nonreciprocal circuit device |
-
1995
- 1995-04-12 JP JP7086761A patent/JPH08283066A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8455381B2 (en) | 2004-10-26 | 2013-06-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Ceramic material composition, ceramic substrate, and nonreciprocal circuit device |
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