CN1776908A - 半导体发光器件、液晶显示装置用的背光源装置 - Google Patents

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Abstract

本发明的半导体发光器件的构成为包括:多个发光元件、安装上述发光元件用的组件本体、与上述发光元件电气连接的布线图形、以及将上述发光元件与上述布线图形电气连接用的Au线,上述组件本体包括安装上述每个发光元件的安装用凹部、和放置上述安装用凹部及上述Au线的放置用凹部,上述安装用凹部配置成在一直线上并互相等间距。利用上述构成,本发明能提供一种射出光具有高度指向特性的半导体发光器件及使用该器件以提高射出光发光强度的液晶显示装置用的背光源装置。

Description

半导体发光器件、液晶显示装置用的背光源装置
技术领域
本发明有关适合作为液晶显示装置(以下简称为LCD)等光源的半导体发光器件及利用半导体发光器件的LCD用的背光源装置。
背景技术
以往,人们知道:使用冷阴极灯管作为LCD等显示装置的背光源用的光源。上述冷阴极灯管由于其点亮时需要~2000Vrms左右的高频高压,所以在使用上述冷阴极灯管的显示装置上,要确保对所产生的高频高压的绝缘安全,在安装、绝缘、防止噪声、使用上均要加以注意,麻烦之处不少。
为了减少上述的麻烦,曾考虑用不需要上述高频高压的半导体激光器、或发光二极管(以后记作LED)的发光元件作为上述光源,以代替冷阴极灯管。
人们已知:作为采用这种发光元件的照明器件(半导体发光器件),如图11所示,设置凹形部69作为在组件本体58内得到光反射用的结构,在该凹形部69内配置1个或多个发光元件51,用Au线54连接布线图形60和各发光元件51。
另外,人们还已知如图12所示的照明器件,将各发光元件51分别装在把布线图形60插入成形的树脂基板67的帽形的凹形部69内,在用Au线54实施各发光元件51和其对应的各布线图形60间的连接后,用环氧树脂等将凹形部69密封。也有一种照明器件,它不使用这种情况的布线图形60,而在树脂基板67表面进行电气布线。
但由于通常装有各发光元件51的凹形部69的底面做成圆形,所以在设置多个发光元件51时,不可能将所有的发光元件全装在凹形部69的中心,将各发光元件51分别装在以凹形部69的中心为中心的等边三角形或等腰三角形等的顶点位置。还有,要以特意将1个发光元件51配置在凹形部69的中心位置,将其它发光元件51配置在偏离上述中心的位置上。
在利用荧光体发光的照明器件的场合,在将发蓝光或发紫外光的发光元件51装入凹形部69内后,将掺入发出所希望的颜色的光要用的1种或多种荧光体的环氧或硅酮之类的透明树脂注入整个凹形部69内并使其固化,从而构成该照明器件。
在采用这种照明器件的背光源单元(背光源装置)上,如图13所示,设置多个用上述方法形成的照明器件76,使它们对着将来自照明器件76的点发光变换成面发光用的导光板77,从其侧面照射内部。再有,在上述背光源单元中,还都知道如图14所示,在不设置照明器件76的、导光板77的侧面及底面粘贴反射用的薄片78,扩散片80、增亮膜79等重叠在导光板77的发光面上,以提高亮度,并抑制亮度不均匀。
但是,上述现有的构成中,在将多个发光元件51装在凹形部69内的情况下,如图15(a)~(c)所示,由于无法将其所有发光元件51装在凹形部69的中心,所以各发光元件51的位置就出现相对于有光反射效果或光遮断效果的凹形部69的側壁表面有近的一侧和远的一侧的情况。故如图16所示,各发光元件51的发光分布即各指向特性51a、51b变成相对于凹形部69的中心轴69a向各不相同的方向倾斜,互相不一致。(参照日本国公开专利公报‘特開2000-294838号公报’(公开日期2000年10月20日)及日本国公开专利公报‘特開2003-303936号公报’(公开日期2003年10月24日))。
再有,各发光元件51不在一直线上,配置成位于三角形的各顶点(参照日本国公开专利公报‘特開平11-307818号公报’(公开日期1999年11月5日))的情况下,其倾斜不仅在X方向,Y方向上也会产生,如图17所示,表示对于上述中心轴69a,由于安装位置造成的XY两个方向各异的指向特性51a~51c。在所安装的发光元件51发出RGB三种颜色的光时,各种颜色的混合情况会因所视的方向而异。
另外,在将上述现有的照明器件(半导体发光器件)用于LCD用背光源装置的光源时,如图18所示,对于面发光用的导光板77,基于前述的理由,因各发光元件51的位置不同而各指向特性互不相同,在来自各发光元件51的射向导光板77侧面的各入射光75中,由于产生相对于上述侧面的法线方向互相不同的倾斜,所以存在光射入导光板77的入射效率降低的问题。
在发出RGB三色光时,在混色方面也容易发生颜色不均匀。另外,在使用荧光体发光时,在掺入两种及两种以上的荧光体后使用之际,因总的荧光体量增多,其透射率降低,发光强度就下降。另外,在使用激励特性宽度宽的荧光体时,存在的问题是:用1个荧光体发出的光会被激励特性宽的荧光体作为激励用而吸收,其结果,发光效率下降。
发明内容
本发明为解决上述问题而提出,其目的在于提供一种出射光具有高度指向特性的半导体发光器件及使用该器件的提高出射光发光强度的液晶显示装置用的背光源装置。
为了达到上述目的,本发明涉及的半导体发光器件包括:多个发光元件;安装所述发光元件用的组件基板;与所述发光元件电气连接的布线图形;以及将所述发光元件与所述布线图形电气连接用的连接构件,所述组件基板具有安装每一个所述发光元件的第一凹部、和放置所述第一凹部及所述连接构件的第二凹部,所述第一凹部配置成在一直线上而且互相等间距。
根据上述构成,通过将分别放置发光元件的各第一凹部配置成在一直线上而且互相等间距,从而由于各发光元件发出的光、和面向它的第一凹部及组件基板的第二凹部的各壁面间的间隔能更加均匀,所以各发光元件发出的光的指向特性呈现同样的特性,能抑制现有的光的指向特性倾斜的情况。
另外,为了达到上述目的,本发明涉及的其它半导体发光器件包括:多个发光元件;安装所述发光元件用的组件基板;与所述发光元件电气连接的布线图形;以及将所述发光元件与所述布线图形电气连接用的连接构件,所述组件基板具有安装每一个所述发光元件的第一凹部、和放置所述第一凹部及所述连接构件的第二凹部,所述各第一凹部配置成在与组件基板的一端部平行的直线上,而且互相等间距。
利用上述构成,将分别放置发光元件的各第一凹部配置成在与组件基板的一端部平行的直线上,而且互相等间距,从而由于各发光元件发出的光、和面向它的第一凹部及组件基板的第二凹部的各壁面间的间隔能更加均匀,所以各发光元件发出的光的指向特性呈现同样的特性,能减少现有的光的指向特性倾斜的情况。
因而,上述构成安装在背光源装置的导光板上时,对于上述导光板的光入射面,能抑制来自上述构成的光的倾斜,由于能对上述导光板的光入射面以更加垂直的状态射入来自上述构成的光,所以能提高光入射上述导光板的入射效率。
其结果,上述构成因能提高光入射上述导光板的入射效率,因此更多的光能引入上述导光板内,提高从上述导光板射出的光的发光强度,若用于LCD用的背光源装置,则由于上述LCD的曲线图像显示亮度能设定得更大,所以能改善上述图像显示质量。
本发明之其它目的、特征、及优点通过以下所示的阐述将会充分理解。另外,本发明之长处依据参照附图的此后的说明亦会更加明了。
附图说明
图1(a)为表示本发明涉及的半导体发光器件实施方式1的俯视图。
图1(b)为图1(a)的X1-X’1的向视断面图。
图1(c)为图1(a)的Y1-Y’1的向视断面图。
图2为实施方式1的半导体发光器件的立体图。
图3(a)为实施方式1的半导体发光器件的断面图。
图3(b)为表示图3(a)的半导体发光器件上中的各发光元件的光指向特性用的曲线图。
图4(a)为和实施方式1的半导体发光器件的曲线图3(a)不同方向的断面图。
图4(b)为表示在图4(a)的半导体发光器件中的各发光元件的光指向特性用的曲线图。
图5为上述实施方式1中使用1种荧光体时的断面图。
图6为本发明涉及的半导体发光器件实施方式2的断面图。
图7为本发明涉及的半导体发光器件实施方式3的断面图。
图8为本发明涉及的半导体发光器件实施方式4的断面图。
图9为本发明涉及的背光源装置主要部分断面图。
图10为上述背光源装置的立体图。
图11为现有的半导体发光器件的立体图。
图12为现有的其它半导体发光器件的立体图。
图13为现有的背光源装置的立体图。
图14为现有的背光源装置的断面图。
图15(a)为表示现有的半导体发光器件的俯视图。
图15(b)为图15(a)的X2-X’2的向视断面图。
图15(c)为图15(a)的Y2-Y’2的向视断面图。
图16为分别表示图12的半导体发光器件中的各发光元件的各光指向特性用的曲线图。
图17为分别表示图11的半导体发光器件中的各发光元件的各光指向特性用的曲线图。
图18为现有的背光源装置的断面图。
具体实施方式
以下,参照附图,对本发明涉及的半导体发光器件的各种实施方式进行说明。
实施方式1
如图1及图2所示,本发明涉及的半导体发光器件(照明器件)的实施方式1在做成略呈长方形板状的半导体发光器件用组件本体3内有多个、例如3个发光元件1。作为上述各发光元件1,可以举出形成略呈长方形的LED或半导体激光器的例子。作为上述组件本体3的坯料,只要是电气绝缘体、导热性良好的坯料便可,例如:可以列举用碳化硅(SiC)、氧化铝(Al2O3)、氮化铝(AlN)之类的陶瓷、用玻璃纤维或碳素纤维强化的环氧树脂即强化树脂、或金属框及由保持上述金属框并使光反射的树脂构成的例子。出于强度和成形性的考虑,最好为氮化铝。
所谓电气绝缘体,系指电阻值(RT)大于等于1010(Ω·cm)、更理想为大于等于1012(Ω·cm)的材料。所谓良好的导热性,系指热导率(RT)大于等于18(W/m·k),效果更好的为大于等于60(W/m·k),最佳的为大于等于140(W/m·k)。
上述组件本体3在具有电气绝缘性及良好的导热性的基板表面形成光的射出口,而且为了还放置后述的Au线(连接构件)4,分别具有沿上述基板厚度方向凹下形成的放置用凹部(第二凹部)3a、及为了分别向上述各发光元件1供电而形成于放置用凹部3a内底面上的各布线图形8。
上述放置用凹部3a最好设置成其内底面和上述基板表面近似平行,并且,上述内底面的形状为和上述基板的表面形状(也就是长方形)相似的形状。
在上述组件本体3的放置用凹部3a的底面上,与各发光元件1对应,再分别沿上述基板的厚度方向凹下形成分别逐个安装上述各发光元件1用的安装用凹部(第一凹部)2。
另外,在发光元件1的周围放置用凹部3a的底面上,分别形成向上述发光元件1供电用的各布线图形8。上述各布线图形8分别做成从放置用凹部3a底面的周边一直延伸到组件本体3端部上外露的位置。
另外,在组件本体3的最上面(光照射口面一侧)、及与其相连的组件本体3的外周端面上,分别形成与外部电气连接用的各端子图形18,这些端子图形18又分别与对应的各布线图形8电气连接。
这样,通过各端子图形18及各布线图形8,能对上述各发光元件1供电。又因在各端子图形18的组件本体3的最上面能与外部进行电气连接,因此即使在将散热装置装在成为上述照射口的背面一侧的组件本体3上时,也不需要在散热装置和组件本体3之间设置布线基板,能提高上述散热装置的散热效率。
而且,上述各安装用凹部2做成它们的内底面分别和上述基板的表面近似平行,并且,上述各安装用凹部2的各内底面形状为圆形。另外,各安装用凹部2的深度设定成比各发光元件1的高度要大。
上述各安装用凹部2其中心轴分别配置在一条直线上,并设定成相对于放置用凹部3a中互相面对面的一对的各内壁面(沿基板长度方向的各壁面)分别等间隔(第一距离)。再有,最好上述各安装用凹部2配置成互相等间隔(等间距)。
另外,最好对于放置用凹部3a中互相面对面的其它一对的各内壁面(沿基板宽度方向的各壁面),最邻近的上述安装用凹部2和与其对应的上述内壁面间的第二距离设定成分别等间隔,而且和上述第一距离相同,或比上述第一距离大。
而且,在上述各安装用凹部2的内底面上分别安装着发光元件1,使其射出的光的各光轴在安装上述发光元件1的安装用凹部2的中心轴上。另外,上述各发光元件1分别安装在上述各安装用凹部2内,使得从上述各发光元件1射出的光的各光轴互相平行,而且沿与安装用凹部2内底面的表面方向垂直的方向。
还有,上述各安装用凹部2也可以做成从底面一侧开始向开口端一侧(光射出口一侧)内径(沿本体3的表面方向的宽度)逐渐变大的锥形。通过将安装用凹部2的内表面形状做成上述锥形,从而形成容易向其开口部方向反射光的圆锥台形状(圆锥体形状、帽状结构),不仅制造方便,还能在后述的正面方向上提供更好的光反射性。
另外,在上述安装用凹部2的内壁面上,最好形成镀Ag等光反射效率高的反射层(图中未示出),这是为了在正面方向上提供更好的光反射特性。上述反射层可以和所述布线图形8分开设置,也可以和布线图形8兼用。
以下,说明本实施方式1的作用及效果。首先,如图1所示,在装有多个发光元件1的情况下,设置与该发光元件1的数量对应的安装用凹部2,将发光元件1设定在其中,将其安装在安装用凹部2的中心位置。根据这样的设定,本实施方式中,使以往每个发光元件产生的与侧面壁的距离差在各发光元件上,如图3(a)所示,能更加均匀,如图3(b)所示,能分别获得没有倾斜的指向特性11。另外,如图1及图4(a)所示,通过将上述多个安装用凹部2分别配置在一直线上,从而能如图4(b)所示,能使XY两个方向的指向特性均匀,并如以后所述,对于背光源装置的形成面发光的导光板,能成为高效的射入光。
在将发光元件1安装在上述安装用凹部2内的安装过程中,利用Ag糊或低共熔晶体等完成粘接固定和电气连接。对于该发光元件1,Au线与发光元件1上表面的电极连接、以及与在和安装用凹部2的开口部同一平面即放置用凹部3a的底面或更上侧形成的面上布线的布线图形8连接。
本实施方式中,如图5所示,填入将这一安装用凹部2内密封的、环氧树脂或硅酮树脂等透明树脂(透光性树脂)作为密封树脂部5,使得密封树脂部5的表面和放置用凹部3a的底面成为一个面,。本实施方式中,分别设置红色(R)发光元件1a、绿色(G)发光元件1b、蓝色(B)发光元件1c作为各发光元件1。在密封树脂部5为透明树脂时,由于所安装的红色发光元件1a、绿色发光元件1b、蓝色发光元件1c照原样发出各种发光颜色并分别射出,所以利用红色发光元件1a、绿色发光元件1b、蓝色发光元件1c就能RGB全色发光。
实施方式2
本实施方式2中采用掺入荧光体的树脂作为密封树脂部5,代替上述实施方式1所述的透明树脂。如图6所示,采用蓝色发光元件作为发光元件1。另外,所述多个安装用凹部2内,1个安装用凹部2设定成让蓝色发光元件发出的蓝光照原样通过的状态,另一个安装用凹部2中,设置掺入能利用蓝色发光元件发出的蓝光而发出绿光的第一种荧光体的密封树脂部5a,再在别的安装用凹部2中,设置掺入能利用蓝色发光元件发出的蓝光而发出红光的第二种荧光体的密封树脂部5b。
本实施方式2中,各色的荧光体不混在一起,以独立的状态构成,并能以一种蓝色发光元件进行RGB全色发光。
还有,作为本实施方式2的变形例,也可以在所述多个安装用凹部2内,1个安装用凹部2通过将透明树脂封入或者形成什么也不封入的空间,而设定成让蓝色发光元件发出的蓝光照原样通过的状态,在另一个安装用凹部2中设置掺入利用蓝色发光元件发出的蓝光而发黄光的第三种荧光体的密封树脂部(图中未示出)。
上述一变形例中,通过分别取出蓝色及黄色光,从而能自1种蓝色发光元件利用其之混色而获得发光效率高的白色发光。
实施方式3
本实施方式3中,利用掺入荧光体的树脂代替上述实施方式1所述的透明树脂,作为密封树脂部5。如图7所示,采用紫外发光元件作为发光元件1。在所述多个安装用凹部2内,1个安装用凹部2中设置掺入利用紫外发光元件的紫外线发出蓝光的第四种荧光体的密封树脂部5c,在另外一个安装用凹部2中设置掺入利用紫外发光元件的紫外线发出绿光的第五种荧光体的密封树脂部5d,在又一个另外的安装用凹部2中设置掺入利用紫外发光元件的紫外线发出红光的第六种荧光体的密封树脂部5e。
本实施方式3中,既避免了分别掺入发蓝光的第四荧光体、发绿光的第五荧光体、发红光的第六荧光体的树脂在安装用凹部2中各种荧光体混合的问题,又能分别充填,各自取出RGB各色光,最终能进行高效的RGB全色发光。
实施方式4
本实施方式4中,采用两层的掺入荧光体的树脂作为密封树脂部,代替上述实施方式1所述的透明树脂。如图8所示,利用蓝色发光元件或紫外发光元件作为发光元件1。所述各安装用凹部2内分别设置利用掺入激励波长宽度宽的第七种荧光体的树脂进行密封的密封树脂部(第一树脂层)5f。再在上述密封树脂部5f上的放置用凹部3a内,设置利用掺入激励波长宽度比第七种荧光体窄的第八种荧光体的树脂进行密封的密封树脂部(第二树脂层)7,并进行充填,使其和组件本体3的表面成一个面。
然而,在将具有波段较宽的激励特性的荧光体和具有波段较窄的激励特性的荧光体组合使用时,通常,因同时混合,故有时由具有波段较窄的激励特性的荧光体发出的光被具有波段较宽的激励特性的荧光体吸收,发光效率下降。
但本实施方式4中,通过将掺入激励波长宽度比第七种荧光体窄的第八种荧光体的密封树脂部7设置在掺入激励波长宽度宽的第七种荧光体的密封树脂部5f的上层(各发光元件1的射出光前进方向的前方一侧),从而能抑制激励波长宽度窄的第八种荧光体发出的光被激励波长宽度宽的第七种荧光体吸收,其结果,能提高半导体发光器件的发光强度,并获得高效的发光。
上述各实施方式中,通过对每个发光元件1设置安装用凹部2,从而在分别使用两种及两种以上荧光体的情况下,将荧光体分配给每个安装用凹部2,相比将两种及两种以上荧光体掺合使用的情况,能高效地发光。
实施方式5
如图9所示,本发明涉及的LCD用背光源装置具有本发明涉及的上述任一项记载的半导体发光器件26、及将点光源或线光源变换成面发光用的导光板9,上述半导体发光器件26的各发光元件1分别配置在上述导光板9的侧面即光入射面9a的中央(导光板9的厚度方向的中央),成一直线(与导光板9的上述光入射面9a的上述厚度方向端部各棱线平行的直线)。
上述构成中,因能将各发光元件1的射出光14的光轴设定成相对上述导光板9的光入射面9a更垂直的状态,故能进一步抑制上述光入射面9a处的光反射,光射入导光板9的效率更高,其结果,能提高来自导光板9的光照射面的照射光亮度。
在上述背光源装置上,如图10所示,还可设置将多个上述半导体发光器件26安装成一排的罩壳(电气布线基板)31,使其覆盖导光板9的各个侧面。罩壳31上分别安装各电源端子32。
另外,也可以在上述导光板9的背面一侧(面发光射出面相反一面的一侧)上安装将上述导光板9的射出光向上述导光板9内反射用的反射片28。还可以在上述导光板9的面发光射出面上设置抑制上述导光板9的面发光上的亮度不均匀用的扩散片30,此外,再可以在上述扩散片30上安装增亮膜29。
在这种背光源装置中,各半导体发光器件26发出的光射入导光板9内,由反射片28等反射的光通过扩散片30及增亮膜29等进行面发光。
此时,通过使用本发明的半导体发光器件,如图9所示,所有发光元件1由于分别配置于导光板9的中央(中心线)上,故射入导光板9的光能更加均匀。图18表示现有的情况,示出由于各发光元件51的位置差造成发光的指向特性倾斜,招致光射入导光板77的效率下降。
根据本发明,能使各半导体发光器件26的各发光元件1的光指向特性均匀,在用于背光源装置时,能提高光射入导光板9的效率。另外,利用该发光元件1及荧光体的组合,能提高使用荧光体发光时的发光效率。
上述半导体发光器件中,可以在上述组件本体上具有第二凹部,该第二凹部在各个底面上具备上述各第一凹部。上述半导体发光器件中,最好上述各发光元件放置于上述各第一凹部内,使得从它们射出的光的各光轴互相平行。
上述半导体发光器件中,上述发光元件为蓝色发光元件,可以在上述多个第一凹部内,一个第一凹部设定成让蓝色发光元件发出的蓝光照原样通过的状态,另一个第一凹部中设置利用蓝色发光元件发出的蓝光而发绿光的第一种荧光体,再在另一个第一凹部中设置利用蓝色发光元件发出的蓝光而发红光的第二种荧光体。
根据上述构成,能使各色的荧光体以各自不混合的、独立的状态构成,能靠一种蓝色发光元件进行RGB全色发光。
上述半导体发光器件中,上述发光元件是蓝色发光元件,可以在上述多个第一凹部内,一个第一凹部设定成让蓝色发光元件发出的蓝光照原样通过的状态,另一个第一凹部中设置利用蓝色发光元件发出的蓝光而发黄光的第三种荧光体。
根据上述构成,既能避免黄色及蓝色相互间光吸收的问题,又能分别取出,可以利用上述两种颜色的混色得到发光效率高的白色发光。
上述半导体发光器件中,上述发光元件为紫外发光元件,可以在上述多个第一凹部内,一个第一凹部设置利用紫外发光元件发出的紫外线而发蓝光的第四种荧光体,另一个第一凹部中设置利用紫外发光元件发出的紫外线而发绿光的第五种荧光体,再在另一个第一凹部中设置利用紫外发光元件发出的紫外线而发红光的第六种荧光体。
根据上述构成,在各第一凹部,将分别掺入发蓝色(B)光的荧光体、发绿色(G)光的荧光体、发红色(R)光的荧光体的树脂设置(填入)在各第一凹部内,而各荧光体互相不混合,通过这样能分别取出RGB各色光,其结果能进行高效的RGB全色发光。
上述半导体发光器件中,可以在上述各第一凹部内设置利用掺入第七种荧光体的树脂进行密封的第一树脂层,在上述第一树脂层上,设置利用掺入激励波长宽度比第七种荧光体窄的第八种荧光体的树脂进行密封的第二树脂层。
根据上述构成,由于能抑制激励波长宽度窄的荧光体发出的光被激励波长宽度宽的荧光体吸收,所以能高效地发光。
上述半导体发光器件中,可以在上述第一凹部内侧面上形成反射光的反射层。根据上述构成,通过设置反射层,能提高从第一凹部向外射出的发光元件的发光强度。
上述半导体发光器件中,上述第一凹部内侧面可以做成向外开口直径大的锥形。根据上述构成,通过做成锥形,可以提高向正面(从第一凹部的开口部向外)方向的发光强度
上述半导体发光器件中,上述组件基板可以由陶瓷材料构成。在上述半导体发光器件中,上述组件基板也可以由树脂构成。上述半导体发光器件中上述组件基板可以由金属框及保持上述金属框并反射光的树脂构成。
另外,本发明涉及的LCD用背光源装置包括半导体发光器件、及将点光源或线光源变换成面光源用的导光板,半导体发光器件包括:多个发光元件;设置安装上述发光元件的凹部的组件基板;以及靠连接构件与上述发光元件连接的布线图形,上述凹部包括安装上述发光元件的第一凹部及放置上述布线图形及上述连接构件的第二凹部,上述第一凹部沿一直线而且互相等间距地配置,上述半导体发光器件的各发光元件分别配置成在与上述导光板厚度方向的端部棱线平行的一直线上。
根据上述构成,利用上述半导体发光器件,将上述半导体发光器件的各发光元件分别配置成在和上述导光板厚度方向的端部棱线平行的一直线上,从而能提高光射入导光板的效率,其结果,能提高(增大)从上述导光板射出的光的亮度。
在上述背光源装置中,可以再包括:将多个上述半导体发光器件安装成一排的电气布线基板、将上述导光板射出的光向上述导光板内反射用的反射片、及抑制上述导光板的面发光上亮度不均匀用的扩散片。
如上所述,本发明的半导体发光器件的结构做成包括:多个发光元件;分别具有放置每一个上述发光元件用的第一凹部的组件基板;设置在上述各第一凹部内、与发光元件间电气连接用的布线图形;将上述布线图形和发光元件间电气连接用的连接构件;及放置上述各第一凹部和连接构件的第二凹部,上述第一凹部配置成在一直线上并互相等间距。
因而,上述构成将上述各第一凹部配置成在一直线上并且互相等间距,所以,在安装在背光源装置的导光板上时,对于上述导光板的光入射面,能减少来自上述构成的光的倾斜,由于能以相对上述导光板的光入射面更垂直的状态射入来自上述构成的光,所以能提高射入上述导光板的光的效率。
其结果,上述构成由于能提高射入上述导光板的光的效率,所以能将更多的光引入上述导光板内,增大上述导光板射出的光的发光强度,若用于LCD用的背光源装置,则能将上述LCD上的曲线图像显示亮度设定得更亮,故具有能改进上述图像显示质量的效果。
如上所述,本发明涉及的LCD用背光源装置包括:具有将多个放置每一个发光元件用的第一凹部分别配置在一直线上并等间距的半导体发光器件;以及将点光源或线光源变换成面光源用的导光板,上述半导体发光器件的各发光元件的构成为分别配置在和上述导光板厚度方向端部的棱线平行的一直线上。
因而,上述构成利用上述半导体发光器件,通过将上述半导体发光器件的各发光元件分别配置成在和上述导光板厚度方向端部的棱线平行的一直线上,能提高光射入导光板的效率,其结果,能提高从上述导光板射出的光的亮度。
最终,上述构成由于能提高光射入上述导光板的效率,所以能将更多的光引入上述导光板,提高从上述导光板射入LCD的光的发光强度,所以能将上述LCD上的曲线图像显示亮度设定得更亮,具有能改进上述图像显示质量的效果。
本发明详细说明的内容中所述的具体实施方式或实施例归根结底意在阐明本发明的技术内容,不应囿于上述具体示例而作狭义的解释,在本发明的精神和以下所述的权利要求范围内,可以作各种变更并实施。

Claims (13)

1.一种半导体发光器件,其特征在于,包括:多个发光元件;设置了安装所述发光元件的凹部的组件基板;与所述发光元件电气连接的布线图形;以及将所述发光元件与所述布线图形电气连接用的连接构件,
所述凹部具有安装每一个所述发光元件的第一凹部、和放置所述第一凹部及所述连接构件的第二凹部,
所述第一凹部配置成在一直线上而且互相等间距。
2.一种半导体发光器件,其特征在于,包括:多个发光元件;设置了安装所述发光元件的凹部的组件基板;与所述发光元件电气连接的布线图形;以及将所述发光元件与所述布线图形电气连接用的连接构件,
所述凹部具有安装每一个所述发光元件的第一凹部、和放置所述第一凹部及所述连接构件的第二凹部,
所述各第一凹部配置成在与组件基板一端部平行的直线上,而且互相等间距。
3.如权利要求1或2所述的半导体发光器件,其特征在于,
所述发光元件为蓝色发光元件,
所述多个第一凹部内,1个第一凹部设定成让蓝色发光元件发出的蓝光照原样通过的状态,而在另一个第一凹部内设置利用蓝色发光元件发出的蓝光而发出绿光的第一种荧光体,以及在另外又一个第一凹部内设置利用蓝色发光元件发出的蓝光而发出红光的第二种荧光体。
4.如权利要求1或2所述的半导体发光器件,其特征在于,
所述发光元件为蓝色发光元件,
所述多个第一凹部内,1个第一凹部设定成让蓝色发光元件发出的蓝光照原样通过的状态,而在另一个第一凹部内设置利用蓝色发光元件发出的蓝光而发出黄光的第三种荧光体。
5.如权利要求1或2所述的半导体发光器件,其特征在于,
所述发光元件为紫外发光元件,
所述多个第一凹部内,1个第一凹部内设置利用紫外发光元件发出的紫外线而发出蓝光的第四种荧光体,而在另一个第一凹部内设置利用紫外发光元件发出的紫外线而发出绿光的第五种荧光体,以及在另外又一个第一凹部内设置利用紫外发光元件发出的紫外线而发出红光的第六种荧光体。
6.如权利要求1或2所述的半导体发光器件,其特征在于,
所述各第一凹部内设置利用掺入第七种荧光体的树脂密封的第一树脂层,所述第一树脂层上,设置利用掺入激励波长宽度比第七种荧光体窄的第八种荧光体的树脂密封的第二树脂部。
7.如权利要求1或2所述的半导体发光器件,其特征在于,
所述第一凹部的内侧面上形成反射光的反射层。
8.如权利要求1或2所述的半导体发光器件,其特征在于,
上述第一凹部的内侧面做成向外开口直径变大的锥形。
9.如权利要求1或2所述的半导体发光器件,其特征在于,
上述组件基板由陶瓷材料构成。
10.如权利要求1或2所述的半导体发光器件,其特征在于,
上述组件基板由树脂构成。
11.如权利要求1或2所述的半导体发光器件,其特征在于,
上述组件基板由金属框及保持上述金属框并反射光的树脂构成。
12.一种液晶显示装置用的背光源装置,包括:多个发光元件、设置了安装所述发光元件的凹部的组件基板;与所述发光元件电气连接的布线图形;以及将所述发光元件与所述布线图形电气连接用的连接构件,其特征在于,
包括:所述第一凹部配置成在一直线上而且互相等间距的半导体发光器件、以及将点光源或面光源变换成面发光用的导光板,
所述凹部具有安装每一个所述发光元件的第一凹部、和放置所述第1凹部及所述连接构件的第二凹部,
所述半导体发光器件的各发光元件分别配置成在与所述导光板厚度方向的端部棱线平行的一直线上。
13.如权利要求12所述的液晶显示装置的背光源装置,其特征在于,包括:
将多个所述半导体发光器件安装成一排的电气布线基板;
将从所述导光板射出的光向所述导光板内反射用的反射片;以及
抑制所述导光板的面发光上亮度不均匀用的扩散片。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103247750A (zh) * 2012-02-03 2013-08-14 隆达电子股份有限公司 发光装置
CN103703872A (zh) * 2011-08-05 2014-04-02 奥斯兰姆施尔凡尼亚公司 用于照明应用的紧凑型热增强基体
CN104169786A (zh) * 2012-01-13 2014-11-26 Qd视光有限公司 用于与导光板一起使用的光混合室
CN105164464A (zh) * 2013-12-17 2015-12-16 皇家飞利浦有限公司 固态发光器封装、光发射设备、柔性led条体以及灯具
CN111162099A (zh) * 2017-09-29 2020-05-15 首尔半导体株式会社 显示装置

Families Citing this family (72)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7564180B2 (en) * 2005-01-10 2009-07-21 Cree, Inc. Light emission device and method utilizing multiple emitters and multiple phosphors
US7821023B2 (en) 2005-01-10 2010-10-26 Cree, Inc. Solid state lighting component
US9070850B2 (en) * 2007-10-31 2015-06-30 Cree, Inc. Light emitting diode package and method for fabricating same
US9793247B2 (en) 2005-01-10 2017-10-17 Cree, Inc. Solid state lighting component
US8125137B2 (en) 2005-01-10 2012-02-28 Cree, Inc. Multi-chip light emitting device lamps for providing high-CRI warm white light and light fixtures including the same
US8669572B2 (en) * 2005-06-10 2014-03-11 Cree, Inc. Power lamp package
US8441179B2 (en) * 2006-01-20 2013-05-14 Cree, Inc. Lighting devices having remote lumiphors that are excited by lumiphor-converted semiconductor excitation sources
US7675145B2 (en) * 2006-03-28 2010-03-09 Cree Hong Kong Limited Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements
US8748915B2 (en) * 2006-04-24 2014-06-10 Cree Hong Kong Limited Emitter package with angled or vertical LED
US8033692B2 (en) 2006-05-23 2011-10-11 Cree, Inc. Lighting device
US8735920B2 (en) 2006-07-31 2014-05-27 Cree, Inc. Light emitting diode package with optical element
JP2008041699A (ja) * 2006-08-01 2008-02-21 Showa Denko Kk Ledパッケージ
EP2074655B1 (en) 2006-10-12 2016-04-13 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Light-emitting apparatus
US10295147B2 (en) 2006-11-09 2019-05-21 Cree, Inc. LED array and method for fabricating same
KR101367132B1 (ko) * 2006-12-05 2014-02-25 삼성디스플레이 주식회사 광원유닛, 발광 장치 및 이를 구비한 표시 장치
JP5106862B2 (ja) * 2007-01-15 2012-12-26 昭和電工株式会社 発光ダイオードパッケージ
JP5608955B2 (ja) * 2007-02-06 2014-10-22 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法並びに発光装置用成形体
US9711703B2 (en) * 2007-02-12 2017-07-18 Cree Huizhou Opto Limited Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements
WO2009000105A1 (en) * 2007-06-25 2008-12-31 Jenshyan Chen A light-emitting diode lighting device
JP4829190B2 (ja) * 2007-08-22 2011-12-07 株式会社東芝 発光素子
JP2009054893A (ja) * 2007-08-28 2009-03-12 Panasonic Electric Works Co Ltd 発光装置
CN101388161A (zh) * 2007-09-14 2009-03-18 科锐香港有限公司 Led表面安装装置和并入有此装置的led显示器
US10256385B2 (en) 2007-10-31 2019-04-09 Cree, Inc. Light emitting die (LED) packages and related methods
US8866169B2 (en) * 2007-10-31 2014-10-21 Cree, Inc. LED package with increased feature sizes
KR101513157B1 (ko) * 2007-11-27 2015-04-17 엘지디스플레이 주식회사 백라이트 및 이를 구비한 액정표시소자
DE102008011153B4 (de) * 2007-11-27 2023-02-02 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Herstellung einer Anordnung mit mindestens zwei lichtemittierenden Halbleiterbauelementen
TWI372918B (en) 2007-12-27 2012-09-21 Everlight Electronics Co Ltd Edge lighting light-emitting diode backlight module
WO2009096685A2 (ko) * 2008-01-29 2009-08-06 Amoleds Co., Ltd. 엘이디 패키지와 그의 제조방법 및 그 엘이디 패키지를 이용한 장치
JP5153402B2 (ja) * 2008-01-30 2013-02-27 京セラ株式会社 発光素子収納用パッケージおよび発光装置
KR20090100967A (ko) * 2008-03-21 2009-09-24 주식회사 루멘스 발광다이오드 패키지
KR101007062B1 (ko) * 2008-03-21 2011-01-12 주식회사 루멘스 발광다이오드 리드프레임과 그 리드프레임을 이용한발광다이오드 패키지 및 그 제조방법
KR100935869B1 (ko) * 2008-04-17 2010-01-07 삼성전기주식회사 열가소성 수지 기판을 이용한 백라이트 유닛
JP5207812B2 (ja) * 2008-04-25 2013-06-12 京セラ株式会社 発光デバイスおよび発光デバイスの製造方法
TWI488329B (zh) * 2008-05-15 2015-06-11 Everlight Electronics Co Ltd 線路基板與發光二極體封裝
KR100992778B1 (ko) 2008-05-23 2010-11-05 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조방법
JP2010080935A (ja) 2008-08-28 2010-04-08 Panasonic Corp 半導体発光装置及びこれを用いたバックライト光源、バックライト光源システム、表示装置、電子機器
US9252336B2 (en) * 2008-09-26 2016-02-02 Bridgelux, Inc. Multi-cup LED assembly
KR100982994B1 (ko) * 2008-10-15 2010-09-17 삼성엘이디 주식회사 Led 패키지 모듈
JP2010103522A (ja) * 2008-10-21 2010-05-06 Seoul Opto Devices Co Ltd 遅延蛍光体を備える交流駆動型の発光素子及び発光素子モジュール
US9425172B2 (en) 2008-10-24 2016-08-23 Cree, Inc. Light emitter array
US8791471B2 (en) * 2008-11-07 2014-07-29 Cree Hong Kong Limited Multi-chip light emitting diode modules
KR101018153B1 (ko) 2008-11-27 2011-02-28 삼성엘이디 주식회사 Led 패키지
US8368112B2 (en) 2009-01-14 2013-02-05 Cree Huizhou Opto Limited Aligned multiple emitter package
US20110037083A1 (en) * 2009-01-14 2011-02-17 Alex Chi Keung Chan Led package with contrasting face
US9385285B2 (en) 2009-09-17 2016-07-05 Koninklijke Philips N.V. LED module with high index lens
KR20110087579A (ko) * 2010-01-26 2011-08-03 삼성엘이디 주식회사 Led 모듈과 이를 구비하는 백라이트 유닛
KR101133160B1 (ko) 2010-04-30 2012-04-06 엘코라이팅 주식회사 Cob 타입의 램프용 led 팩키지
KR101103674B1 (ko) 2010-06-01 2012-01-11 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
KR101859149B1 (ko) 2011-04-14 2018-05-17 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지
KR101064036B1 (ko) * 2010-06-01 2011-09-08 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지 및 조명 시스템
CN102427075B (zh) * 2010-10-12 2013-08-21 友达光电股份有限公司 发光二极管装置及场序显示器
TWI476961B (zh) * 2010-10-12 2015-03-11 友達光電股份有限公司 發光二極體裝置
US9786811B2 (en) 2011-02-04 2017-10-10 Cree, Inc. Tilted emission LED array
KR101852388B1 (ko) 2011-04-28 2018-04-26 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지
US10842016B2 (en) 2011-07-06 2020-11-17 Cree, Inc. Compact optically efficient solid state light source with integrated thermal management
DE102011086359A1 (de) * 2011-11-15 2013-05-16 Tridonic Gmbh & Co. Kg LED-Modul
KR20130133573A (ko) * 2012-05-29 2013-12-09 서울반도체 주식회사 엘이디 백라이트 유닛 및 이를 포함하는 엘이디 텔레비전
JP2014022209A (ja) 2012-07-19 2014-02-03 Rohm Co Ltd Led照明器具
CN104488096B (zh) * 2012-09-26 2017-09-22 日亚化学工业株式会社 发光装置
JP2015092529A (ja) * 2013-10-01 2015-05-14 ソニー株式会社 発光装置、発光ユニット、表示装置、電子機器、および発光素子
US20150176800A1 (en) * 2013-12-25 2015-06-25 I-Chiun Precision Industry Co., Ltd. Supporting base for semiconductor chip
JP6576094B2 (ja) * 2014-06-16 2019-09-18 シチズン電子株式会社 Led発光装置
US9601670B2 (en) 2014-07-11 2017-03-21 Cree, Inc. Method to form primary optic with variable shapes and/or geometries without a substrate
US10622522B2 (en) 2014-09-05 2020-04-14 Theodore Lowes LED packages with chips having insulated surfaces
US10424562B2 (en) * 2014-12-16 2019-09-24 Citizen Electronics Co., Ltd. Light emitting device with phosphors
JP6583673B2 (ja) * 2015-09-10 2019-10-02 パナソニックIpマネジメント株式会社 発光装置、及び照明装置
RU2018140496A (ru) * 2016-04-18 2020-05-19 Киосера Корпорейшн Корпус светоизлучающего элемента, массив и светоизлучающее устройство
US10787303B2 (en) 2016-05-29 2020-09-29 Cellulose Material Solutions, LLC Packaging insulation products and methods of making and using same
US11078007B2 (en) 2016-06-27 2021-08-03 Cellulose Material Solutions, LLC Thermoplastic packaging insulation products and methods of making and using same
JP6583247B2 (ja) * 2016-12-21 2019-10-02 日亜化学工業株式会社 発光装置
KR102508919B1 (ko) * 2020-08-10 2023-03-09 현대모비스 주식회사 Hud용 화상형성장치
US11592666B2 (en) 2020-08-10 2023-02-28 Hyundai Mobis Co., Ltd. Picture generation unit for head-up display

Family Cites Families (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2547072B2 (ja) * 1988-06-06 1996-10-23 三菱電線工業株式会社 発光ダイオード照明具
US5712674A (en) * 1994-05-02 1998-01-27 Fuji Photo Film Co., Ltd. Exposure device utilizing differently colored light emitting elements
US5693962A (en) * 1995-03-22 1997-12-02 Motorola Full color organic light emitting diode array
JP3729001B2 (ja) * 1996-12-27 2005-12-21 日亜化学工業株式会社 発光装置、砲弾型発光ダイオード、チップタイプled
JP3221345B2 (ja) * 1997-02-27 2001-10-22 松下電工株式会社 半導体装置
US6340824B1 (en) * 1997-09-01 2002-01-22 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting device including a fluorescent material
JPH11163412A (ja) * 1997-11-25 1999-06-18 Matsushita Electric Works Ltd Led照明装置
JPH11274572A (ja) * 1998-03-23 1999-10-08 Nec Corp Led表示素子および表示装置
JP3893735B2 (ja) 1998-04-24 2007-03-14 松下電器産業株式会社 発光装置
JP4126751B2 (ja) * 1998-05-26 2008-07-30 ソニー株式会社 表示装置および照明装置
JP2000294838A (ja) 1999-04-07 2000-10-20 Matsushita Electronics Industry Corp チップ型発光ダイオードアレイ
US6926524B2 (en) * 1999-09-24 2005-08-09 Cao Group, Inc. Curing light
TWI240788B (en) * 2000-05-04 2005-10-01 Koninkl Philips Electronics Nv Illumination system, light mixing chamber and display device
US6608614B1 (en) * 2000-06-22 2003-08-19 Rockwell Collins, Inc. Led-based LCD backlight with extended color space
JP2002033520A (ja) * 2000-07-14 2002-01-31 Toshiba Electronic Engineering Corp 半導体発光装置
JP2002141558A (ja) 2000-11-06 2002-05-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd チップ型led
JP4138261B2 (ja) * 2001-02-21 2008-08-27 日本ライツ株式会社 光源装置
JP2002268572A (ja) * 2001-03-06 2002-09-20 Citizen Electronics Co Ltd 表示用照明装置
JP2002314149A (ja) * 2001-04-13 2002-10-25 Shinko Electric Ind Co Ltd 半導体装置
JP2003008073A (ja) * 2001-06-26 2003-01-10 Matsushita Electric Works Ltd 発光素子
CN2485801Y (zh) * 2001-06-27 2002-04-10 台湾省光宝电子股份有限公司 低热阻发光二极管结构
US6799967B2 (en) * 2001-07-10 2004-10-05 Cao Group, Inc. Light for use in activating light-activated materials, the light having a plurality of light emitting single chip arrays
JP3891400B2 (ja) * 2001-07-25 2007-03-14 シチズン電子株式会社 発光ダイオード
JP2003110146A (ja) * 2001-07-26 2003-04-11 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置
TW552726B (en) * 2001-07-26 2003-09-11 Matsushita Electric Works Ltd Light emitting device in use of LED
CN1286175C (zh) * 2001-09-29 2006-11-22 杭州富阳新颖电子有限公司 大功率发光二极管发光装置
JP3770192B2 (ja) 2002-04-12 2006-04-26 松下電器産業株式会社 チップ型led用リードフレーム
JP3923867B2 (ja) * 2002-07-26 2007-06-06 株式会社アドバンスト・ディスプレイ 面状光源装置及びそれを用いた液晶表示装置
JP3910517B2 (ja) * 2002-10-07 2007-04-25 シャープ株式会社 Ledデバイス
TW563250B (en) * 2002-10-11 2003-11-21 Highlink Technology Corp Full-color display device
DE10308917A1 (de) * 2003-02-28 2004-09-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauteil mit metallisiertem Reflektor
US6835960B2 (en) * 2003-03-03 2004-12-28 Opto Tech Corporation Light emitting diode package structure
US20040173808A1 (en) * 2003-03-07 2004-09-09 Bor-Jen Wu Flip-chip like light emitting device package
JP4132039B2 (ja) * 2003-03-24 2008-08-13 京セラ株式会社 発光素子収納用パッケージおよび発光装置
JP4166611B2 (ja) 2003-04-01 2008-10-15 シャープ株式会社 発光装置用パッケージ、発光装置
CN101740560B (zh) * 2003-04-01 2012-11-21 夏普株式会社 发光装置、背侧光照射装置、显示装置
TWI246573B (en) 2003-04-14 2006-01-01 Toppoly Optoelectronics Corp Light emitting diode array illuminant and backlight module by using the same
KR100691143B1 (ko) * 2003-04-30 2007-03-09 삼성전기주식회사 다층 형광층을 가진 발광 다이오드 소자
US20050174801A1 (en) * 2004-02-05 2005-08-11 Densen Cao Backlight
US7683474B2 (en) * 2005-02-14 2010-03-23 Osram Sylvania Inc. LED assembly with LED position template and method of making an LED assembly using LED position template

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103703872A (zh) * 2011-08-05 2014-04-02 奥斯兰姆施尔凡尼亚公司 用于照明应用的紧凑型热增强基体
CN104169786A (zh) * 2012-01-13 2014-11-26 Qd视光有限公司 用于与导光板一起使用的光混合室
TWI595278B (zh) * 2012-01-13 2017-08-11 三星電子股份有限公司 與導光板一起使用之光混合室
CN104169786B (zh) * 2012-01-13 2018-02-09 三星电子株式会社 用于与导光板一起使用的光混合室
US10222532B2 (en) 2012-01-13 2019-03-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Light mixing chamber for use with light guide plate
CN103247750A (zh) * 2012-02-03 2013-08-14 隆达电子股份有限公司 发光装置
CN105164464A (zh) * 2013-12-17 2015-12-16 皇家飞利浦有限公司 固态发光器封装、光发射设备、柔性led条体以及灯具
CN105164464B (zh) * 2013-12-17 2017-03-01 皇家飞利浦有限公司 固态发光器封装、光发射设备、柔性led条体以及灯具
CN111162099A (zh) * 2017-09-29 2020-05-15 首尔半导体株式会社 显示装置
US11824145B2 (en) 2017-09-29 2023-11-21 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device and display apparatus including the same

Also Published As

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JP2006114854A (ja) 2006-04-27
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