CN1922740A - Led照明光源 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种LED照明光源(100),具备:LED芯片(10);覆盖LED芯片(10)的荧光体树脂部(12);覆盖荧光体树脂部(12)的透光性部件。荧光体树脂部(12)由以下部分构成:将LED芯片(10)发射的光转换成波长比该光的波长更长的光的荧光体、以及使荧光体分散的树脂。透光性部件(20)的表面,包含位于LED芯片(10)上方的上面区(22)、和从该上面区(22)的周边起位于下方的侧面区(24),透光性部件(20)中的侧面区(24)的至少一部分(低透过率部)(26),具有比上面区(22)的透过率低的透过率。

Description

LED照明光源
技术领域
本发明涉及LED照明光源,特别涉及适合作为一般照明用的白色光源使用的LED照明光源。
背景技术
发光二极管元件(下称“LED元件”。)是一种小型高效的发出色彩鲜艳的光的半导体元件,具有良好的单色性尖峰(peak)。在用LED元件发白光时,可以将例如红色LED元件、绿色LED元件、和蓝色LED元件靠近配置,进行扩散混色。但是问题是,由于各LED元件具有良好的单色性尖峰,从而很容易产生色斑。也就是说,如果各LED元件发光不均匀而没有良好混色,就会变成有色斑的白光。为了解决这样的色斑问题,已经开发了将蓝色LED元件和黄色荧光体组合起来得到白光的技术(例如,专利文献1、专利文献2)。
根据专利文献1公开的技术,通过蓝色LED元件的发光,和由该发光激励、并发黄光的黄色荧光体的发光,可以获得白光。在该技术中,由于仅使用1种LED元件就可以获得白光,所以可以解决将多种LED元件靠近来获得白光时产生的色斑的问题。
专利文献2公开的炮弹型LED照明光源,具有图1所示的结构。也就是说,图1所示的炮弹型LED照明光源200由以下部分构成:LED元件121、罩着LED元件121的炮弹型透明容器127、用来向LED元件121供给电流的引线框(leadframe)122a、122b。而且,在装载LED元件121的引线框122b的安装部上,设有杯型反射板123,它向箭头D的方向反射LED元件121发出的光。LED元件121被分散有荧光物质126的第1树脂部124密封,第1树脂部124被第2树脂部125覆盖。在LED元件121发蓝光时,若该光使荧光物质126发黄光,则两色相混就会得到白色。
专利文献1:特开平10-242513
专利文献2:专利第2998696号说明书
通过开发色斑较少的白色LED元件,可以使LED照明光源广泛应用于一般照明,而不单单是图像显示装置的背光和车辆的前灯。此外,根据最近对白色LED元件研究开发的进展,关于光束也已经可以满足要求。
但是,本案发明者在进一步研究了现有LED照明光源之后,却发现了以下情况。即,对LED照明光源只注意了防止色斑和提高光束,而要作为一般照明使用,还需要注意到舒适性,对于这一点是考虑不周的。具体讲就是,没有注意到对于观察者来说刺眼(眩目)这一点。也就是说,就一般照明用光源而言,不是说只要没有色斑、明亮即可,让观察者感到不舒服也是不可取的。
所谓“眩目”,就是在视野中存在高亮度的光源、反射物体等,它们发出的光进入到眼睛,就会难以看清对象或感到晃眼和不舒适的状态。对于使用LED元件发射的光的LED照明光源来说,由于指向性强,所以可以预想在对桌子等作业对象进行照射的情况下,光一般不会直接进入周围人的眼睛,不易发生眩目。但是,在将LED照明光源对室内整体范围内照射的情况下,指向性强的这部分,与像荧光灯那样的指向性弱的光进入利用者眼睛的情况进行比较,就可以预想利用者由于LED照明光源而感到眩目的情况会变多。
发明内容
本发明正是鉴于这些问题而提出的,其主要目的在于:提供一种能够抑制眩光的LED照明光源。
本发明的LED照明光源,具备:LED芯片;反射部件,具有反射所述LED芯片发出的光的至少一部分的反射面;以及透光性部件,覆盖所述LED芯片,其中,所述透光性部件的表面,包含位于所述LED芯片上方的上面区、和位于该上面区下方的侧面区,所述侧面区的至少一部分,具有比所述上面区的透过率低的透过率。
在优选的实施方式中,所述透光性部件,至少覆盖所述反射部件的所述反射面。
在优选的实施方式中,还具有覆盖所述LED芯片的波长转换部,所述波长转换部,具有:将所述LED芯片发射的光转换成波长比该光的波长更长的光的荧光体、和使所述荧光体分散的树脂,并被所述透光性部件覆盖。
在优选的实施方式中,通过对所述透光性部件进行表面处理,所述透光性部件中的所述侧面区的所述至少一部分形成为透过率低于所述上面区。
在优选的实施方式中,所述透光性部件中的所述侧面区的所述至少一部分的透过率,实质上为0。
在优选的实施方式中,所述透光性部件中的所述侧面区的所述至少一部分,存在于与通过所述LED芯片的光轴为45度的角度附近的区域。
在优选的实施方式中,所述透光性部件,包含由近似半球形状或炮弹型形状构成的部位,所述透光性部件中的所述上面区,是与通过所述LED芯片的光轴为15度的角度以内的区域。
在优选的实施方式中,所述透光性部件中的所述上面区,具有近似平面的形状。
在优选的实施方式中,所述透光性部件中的所述侧面区的整体,具有比所述上面区的透过率低的透过率。
在优选的实施方式中,所述透光性部件中的所述上面区和所述反射面的至少一方,具有扩散面。
在优选的实施方式中,在所述波长转换部的侧面与所述反射部件的反射面之间存在间隙,所述间隙被所述透光性部件填充。
本发明的另一个LED照明光源,具备:基板;LED群,由在所述基板上二维排列的多个LED芯片构成;反射部件,具有多个各自反射从各LED芯片发出的光的至少一部分的反射面;以及多个透光性部件,各自覆盖各个LED芯片,所述多个透光性部件中、至少位于所述LED群的最外周部的透光性部件的表面,包含位于对应的LED芯片上方的上面区、和位于该上面区下方的侧面区,所述侧面区的至少一部分,具有比所述上面区的透过率低的透过率。
在优选的实施方式中,所述多个透光性部件,在所述反射部件的表面上相互结合。
根据本发明的LED照明光源,由于覆盖LED芯片的透光性部件的侧面区的至少一部分,具有比透光性部件的上面区的透过率低的透过率,所以容易引起眩光的来自上述侧面区的光的发射能够得到控制。其结果是,在本发明的LED照明光源中,眩光的发生被有效抑制。
附图说明
图1是示意地表示现有炮弹型LED照明光源的构成的截面图。
图2是示意地表示本发明实施方式的LED照明光源100的构成的截面图。
图3是示意地表示本发明实施方式的LED照明光源100的构成的立体图。
图4是示意地表示本发明实施方式的LED照明光源100的构成的截面图。
图5是示意地表示本发明实施方式的卡片式LED照明光源100的构成的立体图。
图6是示意地表示本发明实施方式的LED照明光源100的构成的截面图。
图7是示意地表示本发明实施方式的LED照明光源100的构成的截面图。
图8是示意地表示本发明实施方式的LED照明光源100的构成的截面图。
图9是示意地表示本发明实施方式的LED照明光源100的构成的截面图。
图10是表示观察者观测作业面来进行工作时的照明光源、观察者、被照明物之间的关系的图。
图11是示意地表示本发明实施方式的LED照明光源100的构成的截面图。
图12是示意地表示本发明实施方式的LED照明光源100的构成的截面图。
图13是示意地表示本发明实施方式的LED照明光源100的构成的截面图。
图14是示意地表示本发明实施方式的LED照明光源100的构成的立体图。
图15是示意地表示本发明实施方式的LED照明光源100的构成的截面图。
图16是示意地表示将LED照明光源100作为嵌顶灯使用时的一种方式的立体图。
图17是示意地表示将LED照明光源100作为嵌顶灯使用时的一种方式的立体图。
图18是示意地表示将LED照明光源100作为嵌顶灯使用时的一种方式的立体图。
图19是示意地表示本发明实施方式的LED照明光源110的构成的立体图。
图20是示意地表示本发明实施方式的LED照明光源120的构成的立体图。
图中:
10-LED芯片(LED元件),12-荧光体树脂部,20-透光性部件,22-透光性部件的上面区,24-透光性部件的侧面区,26-低透过率部,27-扩散面,30-基板,32-基底基板,34-布线层,36-布线图形,38-供电端子,40-反射板,42-反射面,44-开口部,60-本体部,62a-引线框,62b-引线框,64-容受部,65-窄槽,70-布线图形,72-连接线,100、110、120-照明光源,200-照明光源。
具体实施方式
以下,参照附图,说明本发明的实施方式。以下的附图中,为了简化说明,对实质上具有相同功能的构成要素用相同参照符号表示。
(实施方式1)
首先,参照图2和3,对本发明的LED照明光源的第1实施方式进行说明。图2是示意地表示本实施方式的LED照明光源100的构成的截面图。图3是它的立体图。
LED照明光源100,具有:LED芯片10、覆盖LED芯片10的荧光体树脂部12、以及覆盖荧光体树脂部12的透光性部件20。
荧光体树脂部12,由以下部分构成:将LED芯片10所放射的光转换成波长比该光波长更长的光的荧光体、以及使该荧光体分散的树脂。
透光性部件20,起到使荧光体树脂部12与大气隔断(密封)的作用,例如通过对树脂和玻璃等材料进行成形而形成。本实施方式的透光性部件20,由环氧树脂形成。本实施方式的透光性部件20,除了密封荧光体树脂部12、隔断大气的功能之外,还具有使LED芯片10所放射的光聚光的透镜功能。
透光性部件20的表面包括:位于LED芯片10上方的上面区22、以及从上面区22起位于下方的侧面区24。在透光性部件20中,侧面区24的至少一部分具有透过率低于上面区22的透过率的部位(低透过率部26)的功能。由于这种低透过率部26的存在,透过透光性部件20的侧面区24的光的强度就会被降低,低于透过上面区22的光的强度。
当将LED照明光源100作为嵌顶灯(down light)使用时,从透光性部件20的上面区22射出的光,专门照射下方的对象物(被照明物)。与此相对,从透光性部件20的侧面区24射出的光,容易直接进入周围人的眼睛。这种从侧面区24发出的光容易产生不舒适的眩光,LED照明光源100中,降低了对发生该眩光影响较大的、来自侧面区24的光的强度。
在优选的实施方式中,透光性部件20形成为,包含由近似半球形状或炮弹型形状构成的部位。在图示的本实施方式中,透光性部件20的整体具有近似半球的形状。
透光性部件20的低透过率部26呈带状延续,围绕在侧面区24的周围。在本例中,低透过率部26的面积占侧面区24面积的30%以上。可以使侧面区24的近乎全体或全体作为低透过率部26发挥功能。在本实施方式中,虽然低透过率部26的上端与上面区22相接,但在低透过率部26的上端与上面区22之间也可以存在侧面区24的一部分。
低透过率部26,例如通过在透光性部件20的侧面区24上实施表面处理来形成。表面处理,可以为喷沙处理、规定物质的蒸镀、浮雕(emboss)加工、化学研磨等。通过这种表面处理,可以使低透过率部26的透过率低于上面区22的透过率。低透过率部26的透过率,可以设定为上面区22的透过率的例如10%以下。低透过率部26的透过率可以设定为任意的值,使关于透过低透过率部26的光的量(亮度和光束等)小于规定值。
低透过率部26,也可以使用对透光性部件20进行表面处理以外的方法来形成。例如,对透光性部件20加入分散材料(例如,硅石、MgO等),使该分散材料的浓度根据部位而变化,就可以形成透过率低于上面区22的低透过率部26。此外,通过从遮盖层(遮光层)起形成低透过率部26,可以使低透过率部26的光的透过率实质上为0。
本实施方式的LED芯片10是裸片LED,被配置在基板30上。覆盖LED芯片10的荧光体树脂部12和覆盖荧光体树脂部12的透光性部件20也被配置在基板30上。在本实施方式中,通过倒装安装,可以使LED芯片10上的电极与基板30表面上形成的端子(未图示)相接触,LED芯片10的芯片背面,被荧光体树脂部12所覆盖。
LED芯片10,是发射波长在380nm~780nm的可见光范围内具有尖峰波长的光的LED元件。分散在荧光体树脂部12中的荧光体,发射在波长为380nm~780nm的可见光区范围内、具有与LED芯片10的尖峰波长不同的尖峰波长的光。
本实施方式的LED芯片10,是发射蓝光的篮色LED元件。包含在荧光体树脂部12中的荧光体,是将蓝光转换成黄光的黄色荧光体。通过将LED芯片10所放射的蓝光和荧光体所放射的黄光混合,形成白色的照明光。
典型的LED芯片10,是由氮化镓(GaN)类材料制成的LED芯片。例如放射波长为460nm的光。在将发蓝光的LED芯片用作LED芯片10的情况下,可优选将(Y·Sm)3(Al·Ga)5O12:Ce、(Y0.39Gd0.57Ce0.03Sm0.01)3Al5O12等用作荧光体。
本实施方式中的荧光体树脂部12,具有近似圆柱的形状(参照图3)。当LED芯片10的平面尺寸,是例如大约0.3mm×大约0.3mm时,荧光体树脂部12的直径,可以设定为例如大约0.7mm~大约0.9mm。这种情况下,透光性部件20的大小,可以设定成例如高为1~15mm、直径为2~7mm。
在本实施方式中,虽然透光性部件20的周围设有具有反射面的反射板,反射LED芯片10发射的光。但为了简洁,图2和图3省略了记述。
图4是表示具有反射面42的反射板40的构成例的截面图。在图示的例子当中,具有反射面42的反射板40被配置在基板30上。反射板40上形成有容纳覆盖LED芯片10的荧光体树脂部12的开口部44。规定开口部44的侧面,作为反射LED芯片10所发射的光的反射面42发挥功能。反射板40虽然是由铝、铜、不锈钢、铁或它们的合金等金属形成,但也可以由树脂形成。
反射板40的开口部44中,透光性部件20被设为覆盖荧光体树脂部12。这种透光性部件20,例如通过树脂模具适当形成的。在图4所示的例子中,透光性部件20中位于比反射板40的上面还靠上的部分,具有近似半球的形状。该近似半球形状的部分具备上面区22和侧面区24,在侧面区24的至少一部分上形成有低透过率部26。另外,在图4所示的例子中,透光性部件20的一部分沿着反射板40的上面被横向地薄薄地展开。透光性部件20中填充反射板40的开口部44内部的部分,与荧光体树脂部12的表面和反射面42相接触。
本实施方式的基板30具备:基底基板32、以及形成于基底基板32上的布线层34。基底基板32,例如是金属制的基板,布线层34包含:形成在由无机填充剂和树脂组成的复合层上的布线图形36。将金属基板用作基底基板32、将复合层用作布线层34,是为了提高LED芯片10的放热性。在本例中,布线层34是多层布线基板,在最上层的布线图形36上,LED芯片10被倒装安装。
另外,在反射板40和布线层34之间,也可以设置底部填料(underfill)(应力缓和层)。通过设置底部填料,可以缓和金属制反射板40和布线层34之间存在的由热膨胀差引起的应力,同时还可以确保反射板40与最上层的布线图形36之间的电绝缘。
如图4所示,本实施方式中,荧光体树脂部12的侧面与反射板40的反射面42是分离的。通过这种分离,荧光体树脂部12的形状,可以不受反射板40的反射面42的形状约束,能够自由设计,其结果是,可以得到减轻色斑的效果。由于荧光体树脂部12的侧面与反射板40的反射面42分离的LED照明光源,已公开在美国专利申请公开US2004/0100192A1中,所以在此将其整体援用。
荧光体树脂部12虽然具有“近似圆柱的形状”,但本说明书中的“近似圆柱的形状”,并不限于平行于基板主面的截面是正圆的结构,它包含截面是具有6个以上顶点的多边形的结构。这是由于只要是顶点为6个以上的多边形,实质上就存在轴对称性,所以可以视同为“圆柱”。
当通过超声波倒装安装,将LED芯片10安装在基板30上时,超声波振动可能会使LED芯片10在平行于基板主面的平面内扭动。这种情况下,如果荧光体树脂部12具有三棱柱或四棱柱的形状,那么因LED芯片10与荧光体树脂部12的配置关系,布光特性就容易受到影响。但是,如果荧光体树脂部12是具有近乎圆柱的形状,那么即便LED芯片10的朝向在平行于基板主面的平面内转动,荧光体树脂部12与LED芯片10的相互配置关系也不会发生大的变化,不易对取向特性产生影响。
图3至4,分别记述了单一的LED芯片10,而LED照明光源100可以具备多个LED芯片10。具体讲就是,可以将图4所示的结构作为1个组件,将其形成二维(例如行和列状地)排列。
图5表示具有二维排列的多个LED芯片(LED群或LED组)的卡片式LED照明光源100的一例。基板30上,设有多个各自覆盖未图示的各LED芯片的透光性部件20。由于在透光性部件20的近似半球部位的侧面区24上,形成了低透过率部26,所以该卡片式LED照明光源100具有抑制眩光的功能。在本例中,虽然对基板上排列的所有LED芯片,都在对应的透光性部件20的侧面区24上形成低透过率部26,但本发明并不限于这种情况。抑制眩光的效果,可以通过至少在位于LED群的最外周部分的透光性部件的侧面区24上设置低透过率部26来取得。
在卡片式LED照明光源100的表面上,设置有与布线图形36电连接、并用于向LED芯片10供电的供电端子38。在使用卡片式LED照明光源100时,将可将LED照明光源100可拆卸地插入的连接器(未图示)、与点灯电路(未图示)进行电连接,将卡片式LED照明光源100插入该连接器来使用。
考虑将图5所示的LED照明光源100用作例如嵌顶灯的情况。这种情况下,优选以从LED照明光源100的中心起垂下的垂直方向(基板30的法线方向)为基准,以在角度65度附近,令LED照明光源100的亮度为24000cd/m2以下、优选为5300cd/m2以下(更优选是2400cd/m2以下)的方式,在透光性部件20上形成低透过率部26。可以通过设置为24000cd/m2以下,来满足G分类中的G2的条件。而且,可以通过设置为5300cd/m2以下和2400cd/m2以下,来分别满足G分类中的G1和G0的条件。
另外,所谓G分类,是屋内照明刺眼评价方式中的由亮度规定方式规定的分类,是一种依据CIE眩光安全保障体系为准、同时又结合日本实际情况的简要的眩光分类。G0、G1,是通过百叶窗或凸棱板等充分限制眩光的照明器具,G2是像下面开放形照明器具那样、从水平方向看照明器具时无法看到灯泡、减轻了眩光的照明器具。另外,G3是灯泡露出、没有限制眩光的照明器具。
如图6所示,在将透光性部件20设置于反射板40的开口部44上的构成中,可以在透光性部件20中从反射板40上面向上方突出的部分(近似半球部位)中的侧面区24的近乎全部或全部上,形成低透过率部26。
图7表示透光性部件20中在沿反射板40的上面展开的部分上也形成低透过率部26的例子。采用这种构成,可以抑制从反射板40上方漏出的斜方向的光。
图8表示设置凸棱板来作为低透过率部26发挥功能的例子。由于凸棱板会引起光的散乱,所以它会产生闪闪发光的闪亮效果。由此,带来提高亮度的效果。
考虑观察者(使用者)容易感到眩目的放射角,来决定低透过率部26的形成位置也能带来一定效果。一般来说,当观察者离开照明光源时,亮度很弱所以不易产生眩目。但当观察者处于照明光源的正下方时,亮度很高,但只要观察者不面朝天花板,光一般不会直接进入观察者的眼睛。因此,通过以规定范围内的角度来抑制放射光,可以在不大幅削弱整体光量的前提下有效地抑制眩光。
图9表示本实施方式的LED照明光源100中的放射角θ。图中箭头50延伸的方向,是通过LED芯片10的光轴的方向,放射角θ的角度是0°。另外,箭头50表示的是,在从顶面向正下方照射LED照明光源100时,LED照明光源100的正下方的方向。
下面,参照图10,说明从顶面向正下方照射LED照明光源,且观察者观察作业面进行工作的情况。
假定观察者在作业台上工作时,观察者的眼睛52距离桌上面51的高度h1是30cm,从垂直面以45°的角度观测作业面54。当LED照明光源的形态被假定为台灯时,距离桌上面51的高度h2大约是50cm,照到观察者的眼睛52的LED照明光源的放射角θ是56°。另一方面,观察者眼睛52的眼球上面侧的视角从视点中心起最大是100°。这时,能边工作边察觉到LED照明光源的高度h4,距离桌上面51为72cm,放射角θ是35°。也就是说,在工作中,对离桌上面51有72cm以上的距离的照明光源,可以忽略眩光。
因此,在讨论减轻对工作中的观察者造成的眩目时,重点考虑从桌上面51起高度为50cm~72cm的LED照明光源。这种情况下,进入到观察者视野内的LED照明光源的放射角θ是35°~56°。也可以将其记述为45°±10°。另外,放射角θ为45°所对应的、距离桌上面51的高度h3是60cm。如果要考虑工作中观察者眼球的上下运动、头部的上下运动,那么通过限制放射角θ为45°±15°的亮度,就可在不影响对作业面54的照射强度的前提下,减少来自LED照明光源的对观察者的眩光。
根据以上情况,为了实现可进一步抑制眩光的LED照明光源100,优选在放射角θ为45°的附近(例如,θ=45°±15°)形成低透过率部26。如图11所示,在积极抑制眩光的情况下,优选在放射角θ为45°附近的侧面区24上,形成透过率为0%的遮挡(遮光部),来作为低透过率部26。作为遮挡发挥功能的低透过率部26,例如可以主要由混合了吸收蓝光的颜料的树脂(例如,环氧树脂)来形成。
进一步,为了抑制位于LED照明光源正下方区域中的眩光,可以如图12所示,在上面区22的至少一部分上形成扩散面27。具体讲就是,将上面区22做成乳白色,或者在上面区22上设置凸棱板。或者,将上面区22的光透过率设定得较低,使上面区22的亮度降低到例如10000cd/m2以下。可以从扩散面起形成反射板40的反射面42。
上面区22,虽然从基板30的上方观察大致朝向正面,但如果是近似半球的部位或不易认定正面的炮弹型形状部位等之类的情况下,有时会很难确定上面区22的位置。在这种情况下,可以将透光性部件的放射角θ为15°以内的区域规定为上面区22。
(实施方式2)
以下,说明透光性部件20具有平坦的上面区22的LED照明光源的实施方式。图13是本实施方式的LED照明光源100的截面图,图14是LED照明光源100的立体图。
如图13和图14所示,本实施方式中,与垂直于基板30主面的面平行的面上的、透光性部件20的截面近似梯形。由于在透光性部件20的侧面区24的一部分上,形成有与上述实施方式相同的低透过率部26。所以,从LED照明光源100发出的光,可以有效地朝向基板30的法线方向(放射角θ=0°),其结果是,眩光就会得到抑制。
在本实施方式中,虽然透光性部件20的侧面区24的一部分作为低透过率部26发挥功能,但也可以如图15所示,使侧面区24的整体作为低透过率部26发挥功能。此外,也可以在上面区22上形成扩散面。
(实施方式3)
在将上述各实施方式中的LED照明光源100用作嵌顶灯的情况下,例如可以采用图16、图17和图18所示的方式。本例中的LED照明光源100,是卡片式LED照明光源,图16表示台灯构成的一例。此外,图17表示可与直管荧光灯置换的构成的一例,图18表示可与环管荧光灯置换的构成的一例。
在图16所示的例子中,将卡片式LED照明光源100插入安装到本体部60上所设的容受部64上,成为可点灯的状态。
在图17和图18所示的例子中,通过设置在本体部60的窄槽65安装卡片式LED照明光源100,成为可点灯的状态。本体部60与商用电源相连,内置有点灯电路。由于卡片式LED照明光源100,具有抑制眩光的功能,所以即使是在图16、图17和图18所示的方式下,也可以抑制眩光。
另外,虽然上述实施方式中,以用裸片LED作为LED芯片10,并将其安装在基板30上的方式为例进行的说明。但抑制眩光的效果并不限于以上方式,其它方式也可以得到。
(实施方式4)
虽然上述各实施方式中的各LED照明光源100,都具备反射板40,但在不具备反射板40的情况下,也可以得到本发明的效果。
图19表示包含引线框62a、62b的炮弹型LED光源110的构成。在本实施方式中,LED芯片10,也被荧光体树脂(未图示)和透光性部件20覆盖。透光性部件20的上面区22,具有规定炮弹型的曲面形状,在透光性部件20的侧面区24的至少一部分上,形成有低透过率部26。LED芯片10被放置在一方引线框62b的一侧,通过连接线(bonding wire)72与另一方引线框62a相连。像本实施方式这样,在不具备反射板的情况下,也可以抑制眩光的发生。
(实施方式5)
图20表示芯片型LED光源120。图20所示的LED芯片10,具有表面安装型的电极结构,被放置在形成了布线图形70的基板30上。LED芯片10,在基板表面侧和基板背面侧具有电极端子,其中一方直接或借助焊料等与布线图形70的一部分连接。此外,LED芯片10的基板表面侧端子和基板背面侧的另一方,通过连接线72与布线图形70的另一部分连接。本例中,透光性部件20也是形成为覆盖LED芯片10和荧光体树脂部(未图示),由于低透过率部26形成在该透光性部件20的侧面区24的至少一部分上,所以可以抑制眩光的发生。
产业上的利用可能性
根据本发明,可以提供一种抑制眩光的LED照明光源,所以本发明有益于一般照明用的LED照明光源的普及等。

Claims (13)

1.一种LED照明光源,具备:LED芯片;反射部件,具有反射所述LED芯片发出的光的至少一部分的反射面;以及透光性部件,覆盖所述LED芯片,其中,
所述透光性部件的表面,包含位于所述LED芯片上方的上面区、和位于该上面区下方的侧面区,所述侧面区的至少一部分,具有比所述上面区的透过率低的透过率。
2.根据权利要求1所述的LED照明光源,其特征在于,
所述透光性部件,至少覆盖所述反射部件的所述反射面。
3.根据权利要求1或2所述的LED照明光源,其特征在于,
还具有覆盖所述LED芯片的波长转换部,
所述波长转换部,具有:将所述LED芯片发射的光转换成波长比该光的波长更长的光的荧光体、和使所述荧光体分散的树脂,并被所述透光性部件覆盖。
4.根据权利要求1所述的LED照明光源,其特征在于,
通过对所述透光性部件进行表面处理,所述透光性部件中的所述侧面区的所述至少一部分形成为透过率低于所述上面区。
5.根据权利要求1所述的LED照明光源,其特征在于,
所述透光性部件中的所述侧面区的所述至少一部分的透过率,实质上为0。
6.根据权利要求1所述的LED照明光源,其特征在于,
所述透光性部件中的所述侧面区的所述至少一部分,存在于与通过所述LED芯片的光轴为45度的角度附近的区域。
7.根据权利要求1所述的LED照明光源,其特征在于,
所述透光性部件,包含由近似半球形状或炮弹型形状构成的部位,
所述透光性部件中的所述上面区,是与通过所述LED芯片的光轴为15度的角度以内的区域。
8.根据权利要求1所述的LED照明光源,其特征在于,
所述透光性部件中的所述上面区,具有近似平面的形状。
9.根据权利要求1所述的LED照明光源,其特征在于,
所述透光性部件中的所述侧面区的整体,具有比所述上面区的透过率低的透过率。
10.根据权利要求1所述的LED照明光源,其特征在于,
所述透光性部件中的所述上面区和所述反射面的至少一方,具有扩散面。
11.根据权利要求3所述的LED照明光源,其特征在于,
在所述波长转换部的侧面与所述反射部件的反射面之间存在间隙,
所述间隙被所述透光性部件填充。
12.一种LED照明光源,具备:基板;LED群,由在所述基板上二维排列的多个LED芯片构成;反射部件,具有多个各自反射从各LED芯片发出的光的至少一部分的反射面;以及多个透光性部件,各自覆盖各个LED芯片,
所述多个透光性部件中、至少位于所述LED群的最外周部的透光性部件的表面,包含位于对应的LED芯片上方的上面区、和位于该上面区下方的侧面区,所述侧面区的至少一部分,具有比所述上面区的透过率低的透过率。
13.根据权利要求11所述的LED照明光源,其特征在于,
所述多个透光性部件,在所述反射部件的表面上相互结合。
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WO (1) WO2005067066A1 (zh)

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101552314B (zh) * 2008-04-03 2011-03-02 丰田合成株式会社 光源单元
CN102282687A (zh) * 2011-02-22 2011-12-14 香港应用科技研究院有限公司 均匀颜色发光的led封装
CN102396014A (zh) * 2009-02-11 2012-03-28 光成企业(株) 提高可视性和形态性的led组件,该led组件的附着方法和利用该led组件的广告牌
WO2012113181A1 (en) * 2011-02-22 2012-08-30 Hong Kong Applied Science And Technology Research Institute Co., Ltd. Led package for uniform color emission
CN101971376B (zh) * 2008-05-29 2013-01-02 欧司朗光电半导体有限公司 半导体装置
CN103094267A (zh) * 2011-11-01 2013-05-08 日亚化学工业株式会社 发光装置,照明器具
CN102017201B (zh) * 2008-04-29 2013-08-14 肖特公开股份有限公司 用于(w)led的光学转换器系统
CN101790798B (zh) * 2007-06-14 2014-07-30 克利公司 具有散射器以修整发光二极管的空间发射图案和颜色均匀性的密封材料
CN105745489A (zh) * 2013-09-24 2016-07-06 飞利浦灯具控股公司 照明单元
CN107546240A (zh) * 2016-06-27 2018-01-05 株式会社小糸制作所 发光装置

Families Citing this family (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1693904B1 (en) * 2005-02-18 2020-03-25 Nichia Corporation Light emitting device provided with lens for controlling light distribution characteristic
JP4807981B2 (ja) * 2005-08-09 2011-11-02 株式会社リコー 画像表示装置及び投射光学系プロジェクタ
JP5087827B2 (ja) * 2005-08-25 2012-12-05 東芝ライテック株式会社 発光ダイオード装置
KR100764148B1 (ko) * 2006-01-17 2007-10-05 루시미아 주식회사 시트상 형광체와 그 제조방법 및 이를 이용한 발광장치
US7731377B2 (en) 2006-03-21 2010-06-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Backlight device and display device
WO2008023797A1 (fr) * 2006-08-25 2008-02-28 The Furukawa Electric Co., Ltd. Dispositif d'éclairage
JP4981390B2 (ja) * 2006-09-20 2012-07-18 オスラム・メルコ株式会社 Ledランプ
JP2010512662A (ja) 2006-12-11 2010-04-22 ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア 透明発光ダイオード
JP5350658B2 (ja) * 2007-03-30 2013-11-27 シャープ株式会社 発光素子
JP5446861B2 (ja) * 2007-04-17 2014-03-19 株式会社ニコン 照明装置、プロジェクタ、およびカメラ
US11114594B2 (en) 2007-08-24 2021-09-07 Creeled, Inc. Light emitting device packages using light scattering particles of different size
DE102007049799A1 (de) * 2007-09-28 2009-04-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
JP2009117279A (ja) * 2007-11-09 2009-05-28 Koito Mfg Co Ltd 車両用前照灯
US9287469B2 (en) * 2008-05-02 2016-03-15 Cree, Inc. Encapsulation for phosphor-converted white light emitting diode
KR20110028307A (ko) 2008-05-29 2011-03-17 크리 인코포레이티드 근거리장 영역 혼합을 갖는 광원
JP5284006B2 (ja) * 2008-08-25 2013-09-11 シチズン電子株式会社 発光装置
US8132935B2 (en) * 2008-09-01 2012-03-13 Samsung Led Co., Ltd. Light emitting module
US20100079993A1 (en) * 2008-09-29 2010-04-01 Richard Kinderman Decorative light string
JP5322695B2 (ja) * 2009-01-15 2013-10-23 三菱電機株式会社 照明装置
JP2010244688A (ja) * 2009-04-01 2010-10-28 Stanley Electric Co Ltd 半導体発光装置の光源モジュールを用いた照明装置
JP2010250962A (ja) * 2009-04-10 2010-11-04 Toshiba Lighting & Technology Corp 発光モジュール及び照明器具
JP5506313B2 (ja) * 2009-09-30 2014-05-28 スタンレー電気株式会社 車両ヘッドライト用発光ダイオード光源
JP5481764B2 (ja) * 2009-10-08 2014-04-23 スタンレー電気株式会社 車両用灯具
TWI419605B (zh) * 2010-01-20 2013-12-11 Sunonwealth Electr Mach Ind Co 交流led燈具
TW201219839A (en) * 2010-11-03 2012-05-16 Foxsemicon Integrated Tech Inc Lens and light source module
JP5337786B2 (ja) * 2010-12-06 2013-11-06 日立アプライアンス株式会社 ランプ
KR101883839B1 (ko) * 2010-12-07 2018-08-30 엘지이노텍 주식회사 발광소자 모듈 및 이를 포함하는 백라이트 유닛
US8754440B2 (en) * 2011-03-22 2014-06-17 Tsmc Solid State Lighting Ltd. Light-emitting diode (LED) package systems and methods of making the same
WO2012131792A1 (ja) * 2011-03-31 2012-10-04 パナソニック株式会社 半導体発光装置
US20130100641A1 (en) * 2011-10-25 2013-04-25 Marcus Zhang LED Lamp
KR101993346B1 (ko) * 2012-02-16 2019-06-26 엘지이노텍 주식회사 조명 장치 및 그의 설계 방법
US8907502B2 (en) * 2012-06-29 2014-12-09 Nitto Denko Corporation Encapsulating layer-covered semiconductor element, producing method thereof, and semiconductor device
US20140168963A1 (en) * 2012-12-18 2014-06-19 Musco Corporation Multi-led lens with light pattern optimization
US8754435B1 (en) 2013-02-19 2014-06-17 Cooledge Lighting Inc. Engineered-phosphor LED package and related methods
US8933478B2 (en) 2013-02-19 2015-01-13 Cooledge Lighting Inc. Engineered-phosphor LED packages and related methods
US20160172554A1 (en) * 2013-07-19 2016-06-16 Koninklijke Philips N.V. Pc led with optical element and without ssubstrate carrier
JP2015070158A (ja) * 2013-09-30 2015-04-13 ウシオ電機株式会社 Led発光装置
EP2963474A1 (de) * 2014-07-05 2016-01-06 Swareflex GmbH Teilmattierte optische Linsen
US10032969B2 (en) * 2014-12-26 2018-07-24 Nichia Corporation Light emitting device
KR102239628B1 (ko) * 2015-04-03 2021-04-12 엘지이노텍 주식회사 렌즈 및 이를 포함하는 발광소자 모듈
JP6925100B2 (ja) * 2015-05-21 2021-08-25 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP6932910B2 (ja) * 2016-10-27 2021-09-08 船井電機株式会社 表示装置
WO2020151994A1 (en) * 2019-01-24 2020-07-30 Signify Holding B.V. Led filament arrangement
JP7121294B2 (ja) * 2019-09-10 2022-08-18 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
JP7460898B2 (ja) * 2020-04-24 2024-04-03 日亜化学工業株式会社 発光装置
US11592166B2 (en) 2020-05-12 2023-02-28 Feit Electric Company, Inc. Light emitting device having improved illumination and manufacturing flexibility
US11876042B2 (en) 2020-08-03 2024-01-16 Feit Electric Company, Inc. Omnidirectional flexible light emitting device

Family Cites Families (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0286154A (ja) 1988-09-22 1990-03-27 Hitachi Ltd 半導体装置
US5001609A (en) * 1988-10-05 1991-03-19 Hewlett-Packard Company Nonimaging light source
JPH0286154U (zh) * 1988-12-22 1990-07-09
JPH0492660A (ja) 1990-08-08 1992-03-25 Masayoshi Kishigami 人工股関節の爪つきソケット
JPH0744029Y2 (ja) * 1990-12-28 1995-10-09 株式会社小糸製作所 Ledモジュール
JPH0527688A (ja) * 1991-07-18 1993-02-05 Sharp Corp ドツトマトリツクスledユニツト
JP3232388B2 (ja) 1994-12-09 2001-11-26 タキロン株式会社 遮光ルーバ付きドットマトリクス発光表示体
JP3232392B2 (ja) 1995-02-28 2001-11-26 タキロン株式会社 遮光ルーバ付きドットマトリクス発光表示体
JP3009626B2 (ja) * 1996-05-20 2000-02-14 日吉電子株式会社 Led発光球
TW383508B (en) 1996-07-29 2000-03-01 Nichia Kagaku Kogyo Kk Light emitting device and display
JP2998696B2 (ja) 1997-05-17 2000-01-11 日亜化学工業株式会社 発光ダイオード
US5813753A (en) * 1997-05-27 1998-09-29 Philips Electronics North America Corporation UV/blue led-phosphor device with efficient conversion of UV/blues light to visible light
JPH1126817A (ja) * 1997-07-08 1999-01-29 Koito Ind Ltd Ledモジュール
JPH1187778A (ja) * 1997-09-02 1999-03-30 Toshiba Corp 半導体発光素子、半導体発光装置およびその製造方法
US6340824B1 (en) 1997-09-01 2002-01-22 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting device including a fluorescent material
JP2000031530A (ja) * 1998-07-14 2000-01-28 Toshiba Electronic Engineering Corp 半導体発光装置およびその製造方法
US6155699A (en) * 1999-03-15 2000-12-05 Agilent Technologies, Inc. Efficient phosphor-conversion led structure
JP2001083893A (ja) 1999-09-10 2001-03-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd Led集合体表示装置
US6686691B1 (en) 1999-09-27 2004-02-03 Lumileds Lighting, U.S., Llc Tri-color, white light LED lamps
US6637924B2 (en) * 2000-11-15 2003-10-28 Teledyne Lighting And Display Products, Inc. Strip lighting apparatus and method
US6611000B2 (en) 2001-03-14 2003-08-26 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Lighting device
JP3696839B2 (ja) * 2001-03-14 2005-09-21 松下電器産業株式会社 照明装置
JP2002304903A (ja) * 2001-04-04 2002-10-18 Matsushita Electric Works Ltd 照明器具
CN100504146C (zh) 2001-08-09 2009-06-24 松下电器产业株式会社 Led照明装置和led照明光源
US6734465B1 (en) * 2001-11-19 2004-05-11 Nanocrystals Technology Lp Nanocrystalline based phosphors and photonic structures for solid state lighting
CN2567782Y (zh) 2002-03-18 2003-08-20 常耀辉 高亮度白光的二极管白光光源
US20040032728A1 (en) * 2002-08-19 2004-02-19 Robert Galli Optical assembly for LED chip package
TW200414572A (en) 2002-11-07 2004-08-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd LED lamp
CN100352069C (zh) 2002-11-25 2007-11-28 松下电器产业株式会社 Led照明光源
US6922024B2 (en) 2002-11-25 2005-07-26 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. LED lamp
DE10319274A1 (de) * 2003-04-29 2004-12-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lichtquelle
US7235817B2 (en) 2003-08-07 2007-06-26 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. LED Lamp
US20050077535A1 (en) * 2003-10-08 2005-04-14 Joinscan Electronics Co., Ltd LED and its manufacturing process
CN100391020C (zh) 2004-02-26 2008-05-28 松下电器产业株式会社 Led光源

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101790798B (zh) * 2007-06-14 2014-07-30 克利公司 具有散射器以修整发光二极管的空间发射图案和颜色均匀性的密封材料
CN101552314B (zh) * 2008-04-03 2011-03-02 丰田合成株式会社 光源单元
CN102017201B (zh) * 2008-04-29 2013-08-14 肖特公开股份有限公司 用于(w)led的光学转换器系统
US8461616B2 (en) 2008-05-29 2013-06-11 Osram Opto Semiconductors Gmbh Semiconductor arrangement
CN101971376B (zh) * 2008-05-29 2013-01-02 欧司朗光电半导体有限公司 半导体装置
CN102396014A (zh) * 2009-02-11 2012-03-28 光成企业(株) 提高可视性和形态性的led组件,该led组件的附着方法和利用该led组件的广告牌
WO2012113181A1 (en) * 2011-02-22 2012-08-30 Hong Kong Applied Science And Technology Research Institute Co., Ltd. Led package for uniform color emission
CN102282687A (zh) * 2011-02-22 2011-12-14 香港应用科技研究院有限公司 均匀颜色发光的led封装
CN103094267A (zh) * 2011-11-01 2013-05-08 日亚化学工业株式会社 发光装置,照明器具
CN103094267B (zh) * 2011-11-01 2018-05-25 日亚化学工业株式会社 发光装置,照明器具
CN105745489A (zh) * 2013-09-24 2016-07-06 飞利浦灯具控股公司 照明单元
CN105745489B (zh) * 2013-09-24 2019-06-28 飞利浦灯具控股公司 照明单元
CN107546240A (zh) * 2016-06-27 2018-01-05 株式会社小糸制作所 发光装置

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