CN1714053A - 合成石英玻璃的制造方法及合成石英玻璃体 - Google Patents
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Abstract
本发明的第一目的在于,提供一种杂质较少且具有与天然石英玻璃同等以上的高温粘度特性,并且即使在高温气氛下也难以变形的合成石英玻璃的制造方法,特别是,不起泡且致密的高耐热性合成石英玻璃的制造方法。本发明的第二目的在于,提供容易由本发明的制造方法制得的高耐热性合成石英玻璃体,特别是不起泡、细密、具有高红外线吸收率及放出率,且具有极高的碱金属扩散防止效果的透明及黑色石英玻璃体。本发明是制造在245nm的吸收系数为0.05cm-1以上的高耐热性石英玻璃体的方法,其中对二氧化硅多孔体进行还原处理后进行烧成处理,获得致密玻璃体。
Description
技术领域
本发明涉及将多孔石英玻璃体热处理而得到的合成石英玻璃的制造方法,以及高耐热性合成石英玻璃体。
背景技术
作为合成石英玻璃的制造方法,已熟悉的主要是,在高温使通过卤化硅的火焰水解而得的二氧化硅多孔体致密化的方法。但是按这种方法所得的合成石英玻璃体,因经火焰水解步骤,故二氧化硅多孔体内含有大量OH基。另外,合成石英玻璃中存在大量OH基时,会降低该合成石英玻璃的粘度及耐热性,因此用作在1000℃以上使用的半导体工业用石英玻璃夹具时,产生变形因而不优选。
作为其对策,例如在日本特开昭54-127914号公报中公开了:将玻璃形成原料热氧化或水解,而将以二氧化硅(SiO2)为主成分的玻璃形成物质附着于支撑棒的端面上,制作多孔玻璃后,将该多孔玻璃烧结体在800至1000℃下曝露于含卤元素的玻璃形成原料气体中,然后透明玻璃化,以此来制作无水玻璃母材。另外,该玻璃形成原料气体可以举出如SiCl4、SiBr4、GeCl4、BBr3、POCl3、PCl3等。
用上述方法所得的合成石英玻璃因杂质较少,故可期待其成为取代在半导体制造过程中使用的天然水晶作为原料的石英玻璃材料,但存在高温制造过程中变形严重的问题。
像上述那样使用氯系气体进行脱水处理时,虽可使石英玻璃中的OH基完全脱水化,但粘度的上升值有限,另外,该值虽稍微大于未脱水的合成石英玻璃,但仍比天然石英玻璃小得多。通常,合成石英玻璃的粘度(本发明的粘度单位为泊(poise))按1280℃下的Logη值,未脱水物为11.4,脱水物为11.6,天然石英玻璃为11.9以上。
高耐热性玻璃的制造方法如,日本特开平3-83833号公报所揭示的含有Al的方法,但该方法会有含金属杂质等杂质的问题。
另外,作为去除多孔体中OH基用的气体,可取代氯等卤系气体而使用氨或氨系气体,但此时因脱水反应后所残留的NH基,透明玻璃化后的玻璃体中会产生大量气泡,故无法产品化。
为了解决上述起泡问题,日本特开平7-300324号公报中提出了:将在含氨的气氛中进行加热处理后得到的掺杂氮的多孔体,在非氧化性气氛下加热烧成之后,再于500kg/cm2以上的高压下、1400℃~2000℃的温度范围内对该烧成体进行高温加热处理的方法。但该方法需要在高压下进行加热处理,故需要特殊装置。
另外,在热处理温度超过1000℃时,因石英玻璃夹具对红外线予以漫反射,使炉内温度不均匀,因而有硅晶片的质量不稳定等的问题。
另外,目前已知的制造黑色石英玻璃的方法有,通过添加氧化铜、二氧化锰、三氧化二铬、三氧化二铁及五氧化钒等金属氧化物类而着色为黑色的方法(日本特开平4-254433号公报等)。但使用黑色化剂的方法不易得到完全均匀的黑色玻璃。
另外,在半导体制造过程中Na、K、Li等碱金属被认为是造成元件缺陷的元素。在硅晶片的热处理工序中由处理炉造成上述金属污染的情况下,虽然放置硅晶片的石英管及石英皿起到防止这些污染的作用,但是对于电熔融性较低的OH天然石英或无氯合成石英制的石英玻璃材料来说,上述污染的防止效果小。
发明内容
本发明的第一目的在于,提供杂质较少且具有与天然石英玻璃同等以上的高温粘度特性,并且即使在高温气氛下也难以变形的合成石英玻璃的制造方法,特别是,不起泡且致密的高耐热性合成石英玻璃的制造方法。
本发明的第二目的在于,提供容易由本发明的制造方法制得的高耐热性合成石英玻璃体,特别是不起泡、细密、具有高红外线吸收率及放出率,且具有极高的碱金属扩散防止效果的透明或黑色石英玻璃体。
为了解决上述课题,经本发明者们专心研究后发现,测定紫外域的透光率时,对约245nm(5.0eV)的波长区域具有大吸收带的合成石英玻璃具有优良的耐热性。
此外,用以往制造方法所获得的合成石英玻璃伴有水解反应,因而在所得多孔体中含有大量羟基。因该羟基会降低玻璃粘度,因而不宜作为在半导体工业用领域中所使用的石英材料,故一般是如上述进行脱水处理,采用氯系气体使之与多孔体中羟基进行反应而除去羟基。但使用氯系气体的脱水处理会使多孔体中残留相当量的氯。
经本发明者们专心研究后发现,多孔体中所残留的氯是降低经加热处理而致密化的石英玻璃的高温下的粘度的原因之一。此外发现,若要提高高温下的粘度,只要在从多孔体中的脱水处理到进入致密化工序之间完全脱水,同时把残留的氯浓度降低至对粘度没有影响的程度就可以。
另外,本发明者们发现,根据还原处理二氧化硅多孔玻璃时的反应温度或二氧化硅多孔体中的羟基与具有还原性的气体的摩尔比,容易获得透明及黑色石英玻璃体。
本发明的合成石英玻璃的制造方法,是制造在245nm的吸收系数为0.05cm-1以上的石英玻璃体的方法,其特征在于,将二氧化硅多孔体还原处理和烧成处理而获得致密玻璃体。上述二氧化硅多孔体可含或不含羟基。
本发明的合成石英玻璃的制造方法,可以在进行还原处理后进行烧成处理,或者可以同时进行还原处理和烧成处理。
作为所述还原处理,并无特别限制,较合适的处理方法是:在真空中或者具有还原性的气体中以及含该气体的气氛中,在给定温度范围使所述二氧化硅多孔体反应的处理。
本发明的合成石英玻璃的制造方法适宜在100℃以上1300℃以下,优选在500℃以上1000℃以下的反应温度下进行还原处理后,在1300℃以上1900℃以下,优选在1300℃以上1750℃以下的反应温度进行上述烧成处理,来获得致密玻璃体。另外,同时进行还原处理和烧成处理时,可采用100℃以上1900℃以下的反应温度。本发明的合成石英玻璃的制造方法优选在减压下进行上述烧成处理。
作为上述具有还原性的气体(有时称为反应气体),优选是含氮、碳及氯中至少1种的气体。具体可以举出例如氨(NH3)、肼(N2H4)、乙醇(C2H5OH)、一氧化碳(CO)、氯(Cl2)等。
此外,作为上述具有还原性的气体,更适宜的是挥发性硅化合物,特别是含氮、碳及氯中至少1种的挥发性硅化合物。具体可以举出例如,四氯化硅(SiCl4)、六甲基二硅氮烷([(CH3)3Si]2NH)、三氯甲基硅烷((CH2Cl)3SiH)等。
此外,作为上述具有还原性的气体,特别优选的是含氮和/或碳的挥发性硅化合物。
上述具有还原性的气体可单独使用1种或2种以上混用。2种以上混用时,其组合方式并无特别限制,例如可使用含氮和/或碳的挥发性硅化合物与氨的混合物。
作为上述挥发性硅化合物,具体来讲优选由硅氮烷、有机硅氮烷、有机卤代硅烷、硅氧烷、有机硅氧烷、烷氧基硅烷、芳氧基硅烷、硅烷、有机硅烷及有机聚硅烷所组成的一组中所选出的至少1种化合物,更优选六甲基二硅氮烷及六甲基二硅氧烷。
本发明的合成石英玻璃的制造方法中,可以在100℃以上800℃以下的反应温度下进行上述还原处理后,在1300℃以上1900℃以下且优选在减压下进行烧成,而获得透明玻璃体。
本发明的合成石英玻璃的制造方法中,可以在400℃以上1300℃以下的温度进行使上述二氧化硅多孔体与含碳的气体反应的还原处理后,在1300℃以上1900℃以下、优选在减压下进行烧成,而获得致密化黑色玻璃体。
并且,在上述还原处理中,能够通过使用相对于二氧化硅多孔体所含的羟基的摩尔数其摩尔数为0.1至3.0倍的具有还原性的气体,而制造透明石英玻璃体。
在上述还原处理中,通过使用相对于上述二氧化硅多孔体所含的羟基的摩尔数其摩尔数为2~10倍的具有还原性且含氮的气体,而制造黑色石英玻璃体。
本发明的合成石英玻璃体的制造方法中,通过在含氢的气氛中进行加热处理(氢处理),而获得高温粘度特性非常优良的合成石英玻璃体。
作为包括上述氢处理的方法的第一例,可以举出上述还原处理后在含氢的气氛中进行加热处理,之后进行烧成处理,而获得致密玻璃体的方法。另外,优选在100℃~1300℃的温度范围下进行上述含氢气氛中的加热处理。
作为包括上述氢处理的方法的第二例,可以举出在含有上述具有还原性的气体(例如,含氮和/或碳的挥发性硅化合物、氨及其混合物等)以及氢的气氛中进行上述还原处理。
作为包括上述氢处理的方法的第三例,可以举出在含氢的气氛中进行上述烧成处理。此时,适宜在1000℃至1900℃的温度范围下进行烧成处理。
作为包括上述氢处理的方法的第四例,可以举出在含有具有还原性的气体和氢的气氛中使二氧化硅多孔体反应,而同时进行还原处理和烧成处理的方法。此时,优选在100℃~1900℃的反应温度下进行上述还原处理和烧成处理。
本发明的合成石英玻璃体的制造方法中,优选在上述还原处理后,在含氨的气氛中进行加热处理(氨处理),然后烧成,获得致密玻璃体。该含氨的气氛中的加热处理适宜在100℃至1300℃的温度范围进行。
另外,还原处理后可并用上述氢处理和上述氨处理。在并用两个处理时,对于其顺序并无特别限制,任何一方可先进行或同时进行,即,可以在含氢和氨的气氛中进行加热处理。
本发明的合成石英玻璃的制造方法中,可以通过进一步在非氧化性气氛中于超过大气压的压力下,在1200℃~1900℃的温度下对上述烧成处理后获得的致密玻璃体进行加热处理,而获得不起泡的致密的高耐热性合成石英玻璃体。适宜在上述含有含氮和/或碳的挥发性硅化合物的气氛中,在100℃~1300℃的反应温度下进行上述还原处理后,在1300℃~1750℃的温度和减压下烧成,获得致密的石英玻璃体,然后在惰性气体气氛中、在超过大气压的压力~10000kg/cm2的压力下,在1200℃~1900℃的温度下进行加热处理。
本发明的合成石英玻璃体的第一形态为,利用本发明的合成石英玻璃的制造方法制造而得的石英玻璃体。
本发明的合成石英玻璃体的第二形态为,高耐热性合成石英玻璃体,其特征在于在245nm的吸收系数为0.05cm-1以上、且所含碳浓度、氮浓度及氯浓度分别为10000ppm以下。
本发明的合成石英玻璃体的第三形态为,利用本发明的合成石英玻璃的制造方法制造而得的透明石英玻璃体,其特征在于所含氮浓度为100ppm以下且所含碳浓度为100ppm以下。
在上述本发明的透明石英玻璃体中,通过使所含的氮浓度及碳浓度分别在50ppm以下,更优选在20ppm以下,不仅在电加热工序而且在火焰加热加工工序中也能得到不起泡、无气泡的高耐热性合成石英玻璃体。此时,为了将残留的氮及碳量控制在50ppm以下,重要的是,使投入的上述具有还原性的气体摩尔数为上述二氧化硅多孔体中所含的OH基摩尔数的0.1~3.0倍。
本发明的合成石英玻璃体的第4形态为,利用本发明的合成石英玻璃的制造方法制造而得的黑色石英玻璃体,其特征在于所含碳浓度为超过100ppm且10000ppm以下。
若要制造碳浓度为100ppm~10000ppm的材料,重要的是,在上述还原处理中使用含碳气体优选使用含碳的挥发性硅化合物作为具有还原性气体,且使投入的含碳气体摩尔数为二氧化硅多孔体中的OH基摩尔数的2至10倍。由此,可残留充足的碳,烧成得到整体均质的黑色石英玻璃材料,另外,使用该材料可获得黑色石英玻璃块、圆柱体、板、管及石英皿等器具。
因这些石英玻璃部件具有高红外线吸收率和放出率,所以可形成整体均匀的恒温域,极适合于硅晶片的热处理等。
另外,将该材料成型而得到所需形状的石英玻璃体时,加热方法适宜使用电熔融加热法。火焰加热熔融时,黑色部分的碳会与火焰气体进行反应而易起泡,但电熔融加热是以红外线放射为主要热传导,因此通过采用惰性气体或真空气氛,可以防止与气体的反应。关于上述电熔融加热,可以使用一般的碳加热炉、电阻加热炉、感应加热炉等。
另外,在以上述黑色石英玻璃体作为材料制造石英器具例如船形器皿等复杂形状的部件时,优选利用磨削(例如NC磨削、GC磨削等)将部件切除后,再将其组装形成最终形状。具体而言,只采用对上述本发明的黑色石英玻璃体,切取其黑色部分进行磨削加工,然后进行组装的工序,而不采用利用气体的加热加工,来制作部件。
本发明的合成石英玻璃体的第五形态为,利用本发明的合成石英玻璃的制造方法制造而得的致密石英玻璃体,其特征在于该石英玻璃体在其表面部位具有氮浓度和碳浓度分别为50ppm以下的透明部分,且在其内部具有碳浓度为100~10000ppm的黑色部分。
上述的还原处理,是使含羟基的二氧化硅多孔体与含碳气体优选与含碳的挥发性硅化合物进行反应的处理,通过使用相对于该二氧化硅多孔体中的羟基摩尔数为2~10倍摩尔数的该含碳的气体,可以容易地制造在内部具有碳浓度为100~10000ppm的黑色部分的石英玻璃体。在烧成多孔玻璃体的工序中调整气氛的真空度及处理时间,可以使表面的透明部分形成为所需厚度。
由将氮浓度和碳浓度分别为50ppm以下的透明部分作为表面部位(表面厚度1mm~20mm),且在内部具有碳浓度为100~10000ppm的黑色部分的石英玻璃体制得的石英玻璃块、圆柱体、板、管、石英皿等器具,由于其是红外线均匀吸收部件,并且在其表面部分具有非反应部分的透明性低碳部分,因此可进行通常的火焰加热加工,成为极有用且富有加工性能的材料。
本发明的合成石英玻璃体的第一~第五形态中,所含的OH基浓度优选在30ppm以下,更优选在10ppm以下。
本发明的合成石英玻璃体的第六形态为,利用本发明的合成石英玻璃的制造方法制得的致密石英玻璃体,其特征在于该石英玻璃体在其表面部位(表面厚度1mm~20mm)具有OH基浓度为10ppm以下的部分,且在其内部具有OH基浓度为10ppm~300ppm的部分。
上述合成石英玻璃体的第六形态中上述还原处理为,使含羟基的二氧化硅多孔体与含碳和/或氮且含卤元素的挥发性硅化合物,优选与三氯甲基硅烷进行反应的处理,另外,上述表面部位的卤元素浓度优选在100~5000ppm。此外,上述表面部位的氮浓度优选在50ppm以下、和/或碳浓度优选在50ppm以下。
上述还原处理中,适宜使用相对于上述二氧化硅多孔体中所含的羟基的摩尔数为0.1~3.0倍摩尔数的上述具有还原性的气体。
例如,在上述具有还原性的气体为含卤元素的挥发性硅化合物时,烧成后所得的致密石英玻璃体的表面部位的卤元素浓度成为100~5000ppm,OH基浓度成为10ppm以下。此时,如果在上述挥发性硅化合物充分扩散到二氧化硅多孔体内部之前结束反应,则在该内部反应没有充分进行,残留10ppm~300ppm的OH基。
因此以按照上述这样所得的、在内部具有OH基的石英玻璃体作为材料来获得的板、管、石英皿等器具,将成为碱金属扩散防止效果极高的、高功能性石英器具。
附图说明
图1是大致地表示本发明的合成石英玻璃体制造方法的第一形态的步骤的流程图。
图2是大致地表示本发明的合成石英玻璃体制造方法的第二形态的步骤的流程图。
图3是大致地表示本发明的合成石英玻璃体制造方法的第三形态的步骤的流程图。
图4是大致地表示本发明的合成石英玻璃体制造方法的第四形态的步骤的流程图。
图5是大致地表示本发明的合成石英玻璃体制造方法的第五形态的步骤的流程图。
图6是大致地表示本发明的合成石英玻璃体制造方法的第六形态的步骤的流程图。
图7是表示实施例1-1~1-6中在245nm的吸收系数和粘度之间关系的曲线,是将粘度的对数值(logη)相对于吸收系数的对数绘图而成的。
具体实施方式
下面将参考附图说明本发明的实施方式,但图例只不过是用于举例的,在不超过本发明技术思想的范围内可以进行各种变形。
图1是大致地表示本发明的合成石英玻璃体的制造方法的第一形态步骤的流程图。如图1所示,准备二氧化硅多孔体优选含羟基的二氧化硅多孔体(100步骤),进行还原处理(102步骤)后,实施烧成处理(106步骤),可以获得致密的高耐热性合成石英玻璃体。
作为上述二氧化硅多孔体,可以使用由卤化硅的火焰水解得到的多孔体,或者是利用溶胶凝胶法所得的多孔体。
另外,优选在对上述二氧化硅多孔体实施还原处理(102步骤)之前,在减压气氛下将该二氧化硅多孔体预热至近似反应温度。
作为上述还原处理,并无特别限制,适宜的处理是:真空中在高温下进行反应的处理;在具有还原性的气体中或含该气体的气氛中进行反应的处理。另外,上述102步骤,优选在100℃~1300℃、更优选在500℃以上1000℃以下的温度范围保持30分钟以上。
作为上述具有还原性的气体,优选具有碳、氮、氯等还原性的气体,更优选含氮和/或碳的气体,特别优选含氮和/或碳的挥发性硅化合物。
上述102步骤中,通过使用含氮和/或碳的挥发性硅化合物作为反应气体,反应时形成Si-N键和Si-C键,提高致密化后的玻璃体的粘度。另外,使用挥发性硅化合物作为反应气体时,上述100步骤中准备含羟基的二氧化硅多孔体。上述二氧化硅多孔体中所含的羟基在50~1000ppm就足够。
作为上述含氮和/或碳的挥发性硅化合物,并无特别限制,适宜使用例如,硅氮烷、有机硅氮烷等具有Si-N键的硅化合物,硅氧烷、有机硅氧烷、烷氧基硅烷、芳氧基硅烷等具有Si-O键的硅化合物,硅烷,有机卤代硅烷,有机硅烷,有机聚硅烷,聚硅氧烷化合物等,其中更优选六甲基二硅氮烷等有机硅氮烷、六甲基二硅氧烷等有机硅氧烷。特别是使用六甲基二硅氮烷等有机硅氮烷的反应最易形成Si-N键,可有效提升粘度,因此最适合。
作为本发明所使用的挥发性硅化合物,具体可以举出,例如硅氮烷(例如二硅氮烷、三硅氮烷等)、有机硅氮烷(例如六甲基二硅氮烷、六乙基二硅氮烷、六苯基硅氮烷、三乙基硅氮烷、三丙基硅氮烷、三苯基硅氮烷、六甲基环三硅氮烷、八甲基环四硅氮烷、六乙基环三硅氮烷、八乙基环四硅氮烷、六苯基环三硅氮烷等)、有机卤代硅烷(例如氟三甲基硅烷、氯三甲基硅烷、三氯甲基硅烷、溴三甲基硅烷、碘三甲基硅烷、甲基二氯硅烷、苯基三氯硅烷、二苯基二氯硅烷、三氟丙基三氯硅烷、十七氟癸基三氯硅烷、三(2,4-庚二酸酯)硅(IV)溴化物等)、乙酸硅、有机乙酰氧基硅烷(例如乙酰氧基三甲基硅烷等)、偏硅酸、硅烷(例如单硅烷、二硅烷、三硅烷等)、(乙氧基羰基甲基)三甲基硅烷、有机硅烷(例如甲基硅烷、四甲基硅烷、三甲基丙基硅烷、烯丙基三甲基硅烷、二甲基硅烷、四乙基硅烷、三乙基硅烷、四苯基硅烷等)、有机聚硅烷(例如六甲基二硅烷、六乙基二硅烷、六丙基二硅烷、六苯基二硅烷、八苯基环四硅烷等)、有机硅烷醇(例如三甲基硅烷醇、二乙基硅烷二醇等)、三甲基(三氟甲烷磺酰氧基)硅烷、三甲基(甲基硫基)硅烷、迭氮三甲基硅烷、氰基三甲基硅烷、(乙氧基羰基甲基)三甲基硅烷、N,O-双(三甲基甲硅烷基)乙酰胺、硅氧烷(例如二硅氧烷、三硅氧烷等)、有机硅氧烷(例如六甲基二硅氧烷、六乙基二硅氧烷、六丙基二硅氧烷、六苯基二硅氧烷、八甲基三硅氧烷、十甲基四硅氧烷、十二甲基五硅氧烷、六甲基环三硅氧烷、八甲基环四硅氧烷、六苯基环三硅氧烷、八苯基环四硅氧烷、八甲基螺[5.5]五硅氧烷等)、烷氧基硅烷(例如四甲氧基硅烷、三甲氧基甲基硅烷、二甲氧基二甲基硅烷、甲氧基三甲基硅烷、三甲氧基苯基硅烷、二甲氧基二苯基硅烷、四乙氧基硅烷、三乙氧基甲基硅烷、二乙氧基二甲基硅烷、三乙氧基苯基硅烷、二乙氧基二苯基硅烷、三甲氧基己基硅烷、三乙氧基己基硅烷、三甲氧基癸基硅烷、三乙氧基癸基硅烷、三氟丙基三甲氧基硅烷、十七碳三氟癸基三甲氧基硅烷等)、芳氧基硅烷(例如三甲基苯氧基硅烷等)、有机硅烷羧酸(例如三甲基硅烷基丙酸、三甲基甲硅烷基丁酸等)、有机硅烷硫醇(例如三甲基硅烷硫醇等)、有机硅异氰酸酯(例如三甲基硅异氰酸酯、三苯基硅异氰酸酯等)、有机硅异硫氰酸酯(例如三甲基硅异氰酸酯、苯基硅三异硫氰酸酯等)、有机硅硫烷(例如六甲基二硅硫烷、四甲基环二硅硫烷等)、亚甲基有机硅烷(例如六甲基亚甲基二硅烷、八甲基三亚甲基硅烷等)等。上述挥发性硅化合物可以单独使用或2种以上并用。
上述102步骤中,优选在于含上述挥发性硅化合物的气氛中添加了氨的混合气体气氛中进行反应。
结束上述加热处理后,将多孔体移入减压气氛或惰性气体或还原性气体气氛中,在1300℃~1900℃的温度范围保持30分钟以上,进行烧成处理(106步骤),而获得致密石英玻璃体。
另外,同上述进行100步骤及102步骤后,在含氨的气氛中进行气相反应(103步骤),然后进行烧成处理(106步骤),可获得致密的高耐热性合成石英玻璃体。
在102步骤中,如同上述,优选使用含氮和/或碳的挥发性硅化合物作为反应气体。另外,该工序中,在102步骤虽没必要将氨加入到上述含挥发性硅化合物的气氛中,但也可以在含上述挥发性硅化合物和氨的混合气体气氛中进行反应。
上述103步骤优选在100℃~1300℃的温度范围下保持30分钟以上。
另外,图1中说明的是进行还原处理(102步骤)后,再进行烧成处理(106步骤)的情况,但可以同时进行102步骤和106步骤。同时进行上述2个步骤的情况下,同上述进行100步骤后,在100℃以上1900℃以下的反应温度进行还原处理和烧成处理,而得到致密玻璃体。
利用本发明的合成石英玻璃的制造方法制得的石英玻璃体,是高温时的粘度上升至与天然石英玻璃同等(即,1280℃下Logη 11.7以上)水平,且耐热性得到改善的合成石英玻璃,另外,测定其紫外区域的透光率时,确认在约245nm(5.0eV)波长区域具有较大吸收带。如后述实施例1-1~1-6及图7所示,约245nm波长区域的吸收系数与粘度之间具有正比关系。本发明的合成石英玻璃体于1280℃下具有Logη 11.7以上的粘度时的吸收系数值为0.05cm-1以上。另外,在245nm(5.0eV)的吸收系数K是用下列式(1)求得的值,认为是来自于石英玻璃中氧欠缺缺陷的Si-Si键。
T=e-ka …(1)
[上式(1)中,T表示内部透过率,d表示厚度(cm)]
上述具有氮、碳、氯等的还原性气体与石英玻璃体中的氧结合而生成大量的Si-Si键。另外,如果在石英玻璃体中残留超过一定量的未结合的氮、碳、氯等还原性元素,则会成为粘度明显降低以及起泡的原因,因此需要将氮浓度、碳浓度及氯浓度设定在一定值以下。
利用本发明方法,可以制造在245nm的吸收系数为0.05cm-1以上,且所含的碳浓度、氮浓度及氯浓度分别为10000ppm以下的本发明的高耐热性合成石英玻璃体。上述合成石英玻璃体中的OH基浓度优选为30ppm以下,更优选为10ppm以下。
下面将以使用六甲基二硅氮烷[(CH3)3Si]2NH作为用作反应气体的具有还原性的气体的形态为例,详细说明本发明的合成石英玻璃的制造方法。
首先用已知的方法将四氯硅烷水解、堆积二氧化硅微粒子,制作二氧化硅多孔体。将该二氧化硅多孔体放置在设于电炉内的石英玻璃制炉心管内,升温至给定温度。此时优选将二氧化硅多孔体在近似反应温度下保持一定时间,以去除二氧化硅多孔体所吸附的水分。
然后,边用氮气稀释六甲基二硅氮烷蒸气,边使之流动,以使与二氧化硅多孔体所结合的OH基与六甲基二硅氮烷在给定温度范围内进行反应。推断此时产生下列化学式(1)及(2)所示的反应。
经过以上的反应,会大量生成Si-Si、Si-N、Si-C等生成物。
石英玻璃通常是在900℃以上的温度区域开始进行粘性流动,与常温相比粘度急速下降。上述3种生成物不会引起粘性流动,在石英玻璃中成为阻塞物,而抑制石英玻璃体的粘性流动,以防止粘度下降。此时高温下的粘度与在245nm的吸收系数(即Si-Si键含量)具有正比关系。并且,与215nm的吸收系数也显示出较弱的正比关系。
将反应结束后的多孔体移入1×10-3mmHg以下的减压气氛中,用1300℃以上1900℃以下的温度进行加热烧成,而得到致密的高耐热性合成石英玻璃体。如后述,根据与反应气体的反应温度或反应气体量的不同,而得到不同的透明石英玻璃体和黑色石英玻璃体,但在任何情形下,残留于多孔体中的H2N-Si-(CH3)3也都会形成一部分Si-N或Si-C,有助于提高粘度。
下面将以所使用的反应气体为六甲基二硅氧烷[(CH3)3Si]2O的形态为例,详细说明本发明的石英玻璃的制造方法。
首先,与上述使用六甲基二硅氮烷时的情况相同地,准备二氧化硅多孔体之后,边用氮气稀释六甲基二硅氮烷蒸气,边使之流动,以使与多孔体所结合的OH基与六甲基二硅氧烷进行反应。推断此时产生下列式(3)所示的反应。
将反应结束后的多孔体移入1×10-3mmHg以下的减压气氛中,用1300℃以上1900℃以下的温度进行加热烧成,而得致密的高耐热性合成石英玻璃。如后述,根据与反应气体的反应温度和反应气体量的不同,而得到不同的透明石英玻璃体和黑色石英玻璃体,但在任何情形下,残留于多孔体中的[(CH3)3Si]2也都会形成一部分Si-C,有助于提高粘度。
本发明的合成石英玻璃的制造方法中,通过在100℃~800℃的反应温度下进行上述还原处理,反应结束后,在该温度范围下对多孔体进行减压排气,接着用1300~1900℃温度致密化,而获得所含氮浓度为100ppm以下、所含碳浓度为100ppm以下的透明石英玻璃体。
上述还原处理中,如果使用含碳气体作为反应气体,且加热温度约为400℃以上,则残留于多孔体中的反应气体(例如硅氮烷气体、硅氧烷气体等)分解,而大量生成游离碳,并且即使在其后的减压下进行加热,该游离碳仍会残留于玻璃体中,将所得石英玻璃着色为黑色,从而可以得到所含碳浓度超过100ppm且10000ppm以下的黑色石英玻璃体。另外,黑色化不仅依赖于还原处理的反应温度,也依赖于反应气体的浓度,因此可以根据所需透明度选择适宜的反应气体量和反应温度。
上述透明石英玻璃体和黑色石英玻璃体中的OH基浓度,优选在30ppm以下,更优选在10ppm以下。另外,石英玻璃体中的氯浓度优选低于30ppm。
另外,本发明的合成石英玻璃的制造方法,可以通过在含氢的气氛中进行加热处理(氢处理),获得高温粘度特性非常优良的合成石英玻璃体。
图2是大致地表示本发明的合成石英玻璃体的制造方法的第二形态步骤的流程图。图3是大致地表示本发明的高耐热性合成石英玻璃的制造方法的第3形态的步骤的流程图。图4是大致地表示本发明的高耐热性合成石英玻璃的制造方法的第4形态的步骤的流程图。图5是大致地表示本发明的高耐热性合成石英玻璃的制造方法的第5形态的步骤的流程图。
如图2所示,同上述进行100步骤及102步骤后,在含氢的气氛中进行加热处理(104步骤),再进行烧成处理(106步骤),而获得致密的高耐热性合成石英玻璃体。
图2的102步骤中,优选选择上述含氮和/或碳的挥发性硅化合物(但卤化硅烷除外)作为反应气体,使含羟基的二氧化硅多孔体与该硅化合物进行气相反应。如果在含卤化硅烷的气氛中进行还原处理,则残留的卤素会与氢气起反应而生成例如HCl、HF等,并且作为对价基会形成羟基,从而残留的羟基会降低石英玻璃的高温时的粘度,因此进行氢处理时优选使用除了卤化硅烷的挥发性硅化合物。
另外,上述102步骤优选在100℃~1000℃的温度范围保持30分钟以上。
作为上述含氢的气氛,只要是100%H2、惰性气体和H2气体的混合气体、水蒸气等分解后产生氢气的气体,就可以得到同样的效果。104步骤中,适宜在100℃以上,更优选在500℃以上、1300℃以下范围的加热温度下保持30分钟以上。
上述加热处理结束之后,将多孔体移入减压气氛内或惰性气体或还原性气体气氛中,在1300℃~1900℃的温度范围保持30分钟以上,进行烧成处理(106步骤),可以获得致密的石英玻璃体。
另外,如图3所示,同上述进行100步骤及102步骤后,在上述含氢的气氛中进行加热处理的同时进行烧成处理(105步骤),可以得到致密的高耐热性合成石英玻璃体。105步骤,优选在1000℃~1900℃温度范围的加热温度下保持30分钟以上。
另外,如图4所示,同上述进行100步骤后,在上述含氢的气氛中与上述具有还原性的气体进行气相反应之后(101步骤),再进行烧成处理(106步骤),可以得到致密的高耐热性合成石英玻璃体。
上述101步骤,优选在向上述含氢的气氛气体中添加上述具有还原性的气体优选含氮和/或碳的挥发性硅化合物(但卤化硅烷除外)而得的混合气体气氛中,在100℃~1300℃下进行30分钟以上。106步骤可同上述,优选在1300℃~1900℃进行。
另外,如图5所示,同上述进行100步骤之后,在向上述含氢的气氛气体中添加上述具有还原性的气体优选添加含氮和/或碳的挥发性硅化合物(但卤化硅烷除外)而得的混合气体气氛中,同时进行加热处理和烧成处理(107步骤),可以获得致密的高耐热性合成石英玻璃体。107步骤优选在100℃~1900℃温度范围的加热温度下保持30分钟以上。
下面将以使用六甲基二硅氮烷[(CH3)3Si]2NH作为反应气体进行氢处理的形态为一例,详细说明本发明的石英玻璃的制造方法。
首先同上述准备二氧化硅多孔体后,同上述使与多孔体结合的羟基与六甲基二硅氮烷反应。
反应结束后将多孔体移入含氢的气氛中进行加热。在该加热处理中,在100~1300℃的加热温度范围保持30分钟以上时,加热处理结束后将多孔体移入减压气氛中等,再于1300℃~1900℃的温度范围保持30分钟,进行烧成,可以获得致密的石英玻璃体。利用上述方法,可以制造所含氮浓度为100ppm以下、所含碳浓度为100ppm以下的高耐热性合成石英玻璃体。此外,上述合成石英玻璃体中的羟基浓度优选在30ppm以下,更优选在10ppm以下,氯浓度适宜低于30ppm。
另外,在含氢的气氛中进行的加热处理中,于1000℃~1900℃的加热温度范围内保持30分钟以上时,该加热处理中可以同时进行烧成处理。
无论在任何一种情形下,残留于多孔体中的H2N-Si-(CH3)3通过H2处理,而有效地大量生成Si-N、Si-C或Si-Si,有助于提高粘度。
根据上述本发明方法,可以获得在电加热工序中不起泡且不产生气泡的致密的高耐热性合成石英玻璃体,若要获得不仅在电加热工序,而且在火焰加热加工工序中也不起泡且无气泡的高耐热性合成石英玻璃体,则适宜使用下述方法。
图6是大致地表示本发明的合成石英玻璃制造方法的第6形态的步骤的流程图。如图6所示,同上述进行100步骤、102步骤及106步骤,得到致密石英玻璃体后,于非氧化性气氛中在超过大气压的压力下,用1200℃~1900℃温度范围进行加热处理(108步骤),可以获得不起泡的致密的高耐热性合成石英玻璃体。,
图6中106步骤,优选在减压下、在1300℃~1750℃的温度范围保持30分钟以上。
上述所列举的反应气体中所含的氮和碳,反应后会形成Si-N和Si-C,并且使游离氮和游离碳残留,形成玻璃体时会作为气体氧化物产生气泡。该气泡的产生是在被加热到1750℃以上时显著。另外,以气体火焰加热熔融时,在玻璃体表面游离氮或游离碳会与火焰气体中或空气中的氧反应,而同样地产生气泡。
为了防止产生气泡,对烧成后的石英玻璃体,进一步在非氧化性气氛中、在超过大气压的压力下,以1200~1900℃的温度范围进行热处理(108步骤)。非氧化性气氛优选惰性气体,特别优选最方便的Ar。压力在500kg/cm2~10000kg/cm2时效果最好,但超过大气压的压力~10kg/cm2也具有效果且最容易制造,故具有实用性。处理时间可以根据压力和温度条件等作适当选择,具体而言,优选在上述温度和压力范围内保持30分钟以上。
下面将以使用六甲基二硅氮烷[(CH3)3Si]2NH作为反应气体,再对致密石英玻璃体进行108步骤的形态为一例,来详细说明本发明的石英玻璃的制造方法。
首先同上述准备二氧化硅多孔体后,同上述,使与多孔体所结合的羟基与六甲基二硅氮烷进行反应。
反应结束后将多孔体移入1×10-3mmHg以下的减压气氛内,在1300℃~1750℃的反应温度,例如在1600℃进行加热。因800℃以上的温度域会使部分生成物分解,生成游离氮或游离碳,并且该游离氮或游离碳在玻璃体中,于约1200℃开始与SiO2进行反应,生成NO2、CO2,因此形成微小气泡。
对所获得的玻璃体在1750℃以上温度下实施形状变形加工时,气泡会变得更大,而不能作为产品来使用。因此,在进行1750℃以上的加热处理之前,在1200℃~1900℃的温度范围和惰性气氛中,对所得玻璃体加压至超过大气压的压力~10000kg/cm2,从而在微小气泡的阶段予以挤破。该被挤破的气泡不会再膨胀。由此,可获得具有有助于提高粘度的SiC、SiN,即使在1750℃以上的温度区域也无气泡并不会起泡的高耐热性合成石英玻璃。
利用上述方法可以获得所含氮浓度为10000ppm以下、所含碳浓度为10000ppm以下的合成石英玻璃体。上述合成石英玻璃体中的羟基浓度优选在30ppm以下,更优选在10ppm以下,并且氯浓度适宜低于30ppm。
另外,利用本发明的合成石英玻璃的制造方法制得的致密石英玻璃体中,石英玻璃体表面的氮浓度和碳浓度分别在50ppm以下、更优选在20ppm以下范围时,可以提供不仅在实施电熔融加工工序后而且在实施火焰熔融加热工序后也不起泡的石英玻璃体。
下面将以使用六甲基二硅氮烷[(CH3)3Si]2NH作为反应气体的形态为一例,来详细说明上述石英玻璃体的制造方法。
将含有200ppm的OH基且总OH基重量为1.0g的二氧化硅多孔体5kg放置于炉心管内,边用氮气稀释9.5g分的六甲基二硅氮烷蒸气,边使该蒸汽流动,以使与多孔体所结合的OH基与六甲基二硅氮烷在100℃~1300℃的反应温度例如在500℃下进行反应。被认为此时产生上述式(1)及(2)所示的反应。
若此时投入的硅氮烷量不足,则硅氮烷在表面部消耗而内部会残留OH基。但如上述例使用适量(具体而言,相对于二氧化硅多孔体中所含的羟基的摩尔数使用0.1~3倍摩尔数的挥发性硅化合物)时,可得到烧成后石英玻璃体中不存在OH基,且氮浓度和碳浓度分别为50ppm以下的透明石英玻璃体。过量时,未反应的硅氮烷会以碳化合物形态残留于多孔体内,而使该石英玻璃体内部黑色化。
例如在使用二氧化硅多孔体中所含的羟基摩尔数的2~10倍摩尔数的挥发性硅化合物时,可以获得在表面具有氮和碳浓度分别为50ppm以下的透明部分,而在内部具有碳浓度在100~10000ppm范围的黑色部分的石英玻璃体。另外,通过从所得石英玻璃体中削取黑色部分,可以得到黑色石英玻璃体。另外,因黑色化也依赖于反应温度,因此根据所需透明度选择挥发性硅化合物量和反应温度即可。
由以上的结果可以得到具有有助于提高粘度的Si-C、Si-N,并且在1750℃以上的温度区域下,特别是在加工成形工序中没有起泡、没有气泡的合成石英玻璃体。
另外,通过调整投入的硅氮烷等挥发性硅化合物量,可以得到在内部具有OH基保有部分或黑色部分的合成石英玻璃。
取代六甲基二硅氮烷而使用三氯甲基硅烷等含卤素的挥发性硅化合物时,容易制得外面具有氯等卤元素且内部具有OH基的特殊机能的石英部件。
实施例
下面将以实施例更详细说明本发明,但这些实施例只不过是用于举例的,本发明并不能局限于这些实施例。
(实施例1-1)
将由四氯硅烷的火焰水解得到的直径100mm的柱状多孔合成石英玻璃体(OH基含量约为300ppm)约1kg,放置于安装在电炉内的石英玻璃制炉心管(直径200mm)内。接着,排出炉心管内的气体,然后加热至500℃,并在温度下预热60分钟。
然后升温至反应温度,用N2气稀释六甲基二硅氮烷蒸气的同时将其作为反应气体供给,使之与多孔合成石英体中的OH基进行反应。加热是通过在表1所示的反应温度下、在所示的反应时间内保持该温度而进行。另外,下记表中所示的供给速度是表示含反应气体的N2气体的流量。
结束反应后,将经过处理的多孔合成石英玻璃体移入真空炉内,升温至800℃、减压至1×10-3mmHg以下后,保持1小时,接着升温至1600℃,而得致密化的合成石英玻璃。
表1
反应气体 | 反应温度(℃) | 供给速度(mol/hr) | 反应时间(hrs) | |
实施例1-1 | 六甲基二硅氮烷 | 500 | 1.0 | 3 |
实施例1-2 | 六甲基二硅氮烷 | 500 | 0.5 | 3 |
实施例1-3 | 三氯甲基硅烷 | 500 | 1.0 | 3 |
实施例1-4 | 氨 | 500 | 1.0 | 3 |
实施例1-5 | 乙醇 | 500 | 1.0 | 3 |
实施例1-6 | 氯 | 500 | 0.5 | 3 |
实验例1-1 | 氯 | 700 | 1.0 | 3 |
实验例1-2 | 六甲基二硅氮烷 | 1100 | 3.0 | 3 |
实验例1-3 | 氮 | 500 | 1.0 | 3 |
(实施例1-2至1-6)
除了按表1变化多孔体与反应气体的反应外,其他同实施例1-1进行,得到致密化的合成石英玻璃。
(实验例1-1~1-4)
实验例1-1是使用以往的氯气作为反应气体进行了脱水反应。实验1-2是使用六甲基二硅氮烷并且在高温、高浓度下进行了脱水反应。实验例1-3是在氮气氛中进行了多孔合成石英玻璃体的烧成。其他处理条件同实施例1-1,如表1所示。另外,实验例1-4中,将天然水晶用氢氧火焰熔融后作为石英玻璃。
分别使用红外分光光度法和比浊氯分析法测定实施例1-1~1-6及实验例1-1~1-4中所得的上述合成石英玻璃中残留的OH基和氯,并且分别用燃烧-红外线吸收法和水蒸气蒸馏-中和滴定法测定了碳和氮。并且加热至1280℃,以射束弯曲法测定了该温度下的粘度。另外用紫外区域透光率测定计测定了在245nm的吸收系数。表2中用对数值(Logη)表示了粘度。结果如表2所示。实施例1-1~1-6中在245nm的吸收系数与粘度的关系如图7所示。
表2
OH基浓度(ppm) | Cl浓度(ppm) | C浓度(ppm) | N浓度(ppm) | 粘度1280℃(logη) | 吸收系数(245nm) | |
实施例1-1 | <1 | <30 | 100 | 80 | 12.4 | 2.510 |
实施例1-2 | <1 | <30 | 100 | 100 | 11.8 | 0.500 |
实施例1-3 | <1 | 400 | 400 | 10 | 11.9 | 1.000 |
实施例1-4 | <1 | <30 | 10 | 520 | 12.0 | 1.500 |
实施例1-5 | <1 | <30 | 1000 | 10 | 11.8 | 0.440 |
实施例1-6 | <1 | 1000 | 60 | 10 | 11.7 | 0.090 |
实验例1-1 | <1 | 2300 | 10 | 10 | 11.6 | 0.100 |
实验例1-2 | <1 | <30 | 2800 | 3000 | 11.7 | 2.480 |
实验例1-3 | 250 | <30 | 10 | 10 | 11.5 | 0.000 |
实验例1-4(天然物) | 170 | <30 | 10 | 10 | 11.9 | 0.000 |
实施例1-1~1-6中所得的合成石英玻璃的高温时的粘度均与以天然水晶为原料的天然石英玻璃(实验例4)的粘度大致相同且即使在高温气氛下也不易变形。这些粘度值与在245nm的吸收系数成正比关系。特别是当吸收系数取对数时显示了正比关系(图7)。
与此相对,实验例1-1中所得的合成石英玻璃,虽然其在245nm的吸收系数为0.100,但氯浓度为2300ppm,故高温时的粘度较低。实验例1-3中所得的合成石英玻璃的高温时的粘度比天然石英玻璃明显低,且在245nm的吸收系数几乎为0。
(实施例2-1~2-4)
除了按表3所示变化多孔体与反应气体的反应外,其他同实施例1-1进行,得到了致密化的合成石英玻璃。
表3
反应气体 | 反应温度(℃) | 供给速度(mol/hr) | 反应时间(hrs) | |
实施例2-1 | 六甲基二硅氮烷 | 300 | 1.0 | 3 |
实施例2-2 | 六甲基二硅氮烷 | 500 | 1.1 | 3 |
实施例2-3 | 六甲基二硅氮烷 | 700 | 0.9 | 3 |
实施例2-4 | 六甲基二硅氮烷 | 1000 | 1.1 | 3 |
实验例2-1 | 氯 | 700 | 1.0 | 3 |
实验例2-2 | 三氯甲基硅烷 | 500 | 1.0 | 3 |
实验例2-3 | 氮 | 500 | 1.0 | 3 |
(实验例2-1~2-3)
实验例2-1是使用以往的氯气作为反应气体进行了脱水反应。实验2-2是使用三氯甲基硅烷作为反应气体进行了脱水反应。实验例2-3是不使用反应气体而在N2气体气氛中进行了多孔体的烧成。除了使多孔体与反应气体的反应如表3所示外,其他同实施例2-1~2-4的处理条件,得到了致密化的石英玻璃。
所使用的天然物为,将天然水晶用氢氧火焰熔融后得到的石英玻璃。
与实施例1-1同样的方法测定所得石英玻璃中残留的羟基浓度、氯浓度、碳浓度、氮浓度以及1280℃下的粘度。另外,用目视判断石英玻璃的颜色。其结果如表4所示。并且,表4中用对数值(Logη)表示了粘度。
表4
OH基浓度(ppm) | Cl浓度(ppm) | C浓度(ppm) | N浓度(ppm) | 粘度1280℃(logη) | 颜色 | |
实施例2-1 | <1 | <30 | 40 | 50 | 12.1 | 透明 |
实施例2-2 | <1 | <30 | 100 | 80 | 12.4 | 透明 |
实施例2-3 | <1 | <30 | 200 | 100 | 12.3 | 透明 |
实施例2-4 | <1 | <30 | 1500 | 220 | 12.3 | 黑色 |
实验例2-1 | <1 | 2300 | 10 | 10 | 11.6 | 透明 |
实验例2-2 | <1 | 500 | 40 | 10 | 11.9 | 透明 |
实验例2-3 | 250 | <30 | 10 | 10 | 11.5 | 透明 |
天然品 | 170 | <30 | 10 | 10 | 11.9 | 透明 |
如表4所示,实施例2-1~2-4中所得的石英玻璃的高温时的粘度均比以天然水晶作为原料的天然石英的粘度要高,且即使在高温环境下也不易变形。相对于此,实验例2-1的石英玻璃虽充分脱水,但氯的残留浓度较高,实验例2-2的石英玻璃虽充分脱水,但氯的残留浓度为数百ppm。实验例2-3的石英玻璃因为是在真空中烧成而得,因此羟基多少有些减少但还是残留羟基。实验例2-1~2-3中所得的石英玻璃的高温时的粘度,与天然石英相同水平或低于天然石英。另外,如表4所示,反应温度为300℃(实施例2-1)、500℃(实施例2-2)及700℃(实施例2-3)时可以得到透明的石英玻璃体,反应温度为1000℃(实施例2-4)时可以得到黑色石英玻璃体。另外,同实施例1-1测定实施例2-1~2-6的在245nm的吸收系数的结果,均得0.05cm-1以上的吸收系数。
(实施例3-1~3-11)
除了按表5所示变化多孔体与反应气体的反应外,其他同实施例1-1进行,得到致密化的合成石英玻璃。
表5
反应气体 | 反应温度(℃) | 供给速度(mol/hr) | 反应时间(Hrs) | |
实施例3-1 | 六甲基二硅氧烷 | 300 | 1.0 | 3 |
实施例3-2 | 六甲基二硅氧烷 | 500 | 1.1 | 3 |
实施例3-3 | 六甲基二硅氧烷 | 700 | 0.9 | 3 |
实施例3-4 | 六甲基二硅氧烷 | 1000 | 1.1 | 3 |
实施例3-5 | 四甲氧基硅烷 | 700 | 1.1 | 3 |
实施例3-6 | 三甲氧基甲基硅烷 | 700 | 1.1 | 3 |
实施例3-7 | 三甲基丙基硅烷 | 700 | 1.1 | 3 |
实施例3-8 | 三甲基硅烷基丁酸 | 700 | 1.1 | 3 |
实施例3-9 | 六甲基亚甲基二硅烷 | 700 | 1.1 | 3 |
实施例3-10 | 三乙基硅烷 | 700 | 1.1 | 3 |
实施例3-11 | 六甲基二硅烷 | 700 | 1.1 | 3 |
实验例3-1 | 氯 | 700 | 1.0 | 3 |
实验例3-2 | 氨 | 700 | 1.0 | 3 |
实验例3-3 | 氮 | 700 | 1.0 | 3 |
(实验例3-1~3-3)
实验例3-1是使用以往的氯气作为反应气体进行了脱水反应。实验3-2是使用氨气作为反应气体进行了脱水反应。实验例3-3是不使用反应气体而在N2气体气氛中进行了多孔体的烧成。除了使多孔体与反应气体的反应如表5所示外,其他同实施例3-1~3-11的处理条件,得到了致密化的石英玻璃体。
所使用的天然物为,将天然水晶用氢氧火焰熔融后得到的石英玻璃。
与实施例1-1同样的方法测定上述所得石英玻璃中残留的羟基浓度、氯浓度、碳浓度、氮浓度以及1280℃下的粘度。另外,用目视判断石英玻璃的颜色。其结果如表6所示。并且,表6中用对数值(Logη)表示了粘度。
表6
OH基浓度(ppm) | Cl浓度(ppm) | 碳浓度(ppm) | 氮浓度(ppm) | 粘度1280℃(logη) | 颜色 | |
实施例3-1 | <1 | <30 | 40 | 50 | 12.1 | 透明 |
实施例3-2 | <1 | <30 | 100 | 80 | 12.2 | 透明 |
实施例3-3 | <1 | <30 | 200 | 100 | 12.3 | 透明 |
实施例3-4 | <1 | <30 | 1500 | 220 | 12.3 | 黑色 |
实施例3-5 | <1 | <30 | 200 | 100 | 12.3 | 透明 |
实施例3-6 | <1 | <30 | 200 | 100 | 12.3 | 透明 |
实施例3-7 | <1 | <30 | 200 | 100 | 12.3 | 透明 |
实施例3-8 | <1 | <30 | 200 | 100 | 12.3 | 透明 |
实施例3-9 | <1 | <30 | 200 | 100 | 12.3 | 透明 |
实施例3-10 | <1 | <30 | 200 | 100 | 12.3 | 透明 |
实施例3-11 | <1 | <30 | 200 | 100 | 12.3 | 透明 |
实验例3-1 | <1 | 2300 | 10 | 10 | 11.6 | 透明 |
实验例3-2 | <1 | <30 | 10 | 1000 | 12.0 | 透明 |
实验例3-3 | 100 | <30 | 10 | 10 | 11.5 | 透明 |
天然品 | 170 | <30 | 10 | 10 | 11.9 | 透明 |
如表6所示,实施例3-1~3-11中所得的石英玻璃的高温时的粘度,均比以天然水晶作为原料的天然石英要高,且即使在高温气氛下也不易变形。与此相对,实验例3-1的石英玻璃虽充分脱水,但氯的残留浓度高,实验例3-2的石英玻璃中产生大量气泡,实验例3-3的石英玻璃因为是在真空中烧成而得,因此羟基多少有些减少但还是残留羟基。另外,实验例3-1~3-3中所得的石英玻璃的高温时的粘度同天然石英或低于天然石英。另外,实施例3-1~3-3及3-5~3-11中可以得到透明的石英玻璃体,实施例3-4中可以得到黑色的石英玻璃体。另外,同实施例1-1测定实施例3-1~3-11的在245nm的吸收系数的结果,均得到了0.05cm-1以上的吸收系数。
(实施例4-1)
除了按表7(a)所示变化多孔体与反应气体的反应外,其他同实施例1-1使多孔体与反应气体的进行反应后,将经过处理的多孔体移入加热炉内,升温至800℃后,以1mol/Hr流速使H2气体流动,保持1小时,然后减压到1×10-3mmHg以下,再升温至1500℃保持1小时,之后冷却至室温,得到了致密化的透明石英玻璃。
表7(a)
反应气体 | 反应温度(℃) | 供给速度(mol/hr) | 反应时间(Hrs) | |
实施例4-1 | 六甲基二硅氮烷 | 500 | 1.1 | 3 |
实施例4-2 | 六甲基二硅氧烷 | 500 | 1.1 | 3 |
实施例4-3 | 六甲基二硅氮烷 | 500 | 1.1 | 3 |
实验例4-1 | 氯 | 700 | 1.0 | 3 |
实验例4-2 | 三氯甲基硅烷 | 500 | 1.1 | 3 |
实验例4-3 | 氮 | 500 | 1.0 | 3 |
实验例4-4 | 六甲基二硅氮烷 | 500 | 1.1 | 3 |
(b)
H2处理 | |||
温度(℃) | 时间(Hrs) | 流量(mol/hr) | |
实施例4-1 | 800 | 1 | 1.0 |
实施例4-2 | 800 | 1 | 1.0 |
实施例4-3 | 1500 | 1 | 1.0 |
实验例4-1 | - | - | - |
实验例4-2 | 800 | 1 | 1.0 |
实验例4-3 | 800 | 1 | 1.0 |
实验例4-4 | - | - | - |
(实施例4-2)
除了按表7所示以六甲基二硅氧烷取代六甲基二硅氮烷蒸气作为反应气体外,其他同实施例4-1进行,得到了致密化的透明石英玻璃。
(实施例4-3)
如表7所示,同实施例4-1的步骤使多孔体与六甲基二硅氮烷蒸气反应后,将处理过的多孔体移入加热炉内,升温至1 500℃,以1mol/Hr流速使H2气体流动,保持1小时后冷却至室温,得到致密化的透明石英玻璃。
(实验例4-1)
实验例4-1中,使用以往的氯气作为反应气体进行了脱水反应。除了按表7所示使多孔体与反应气体进行反应且不进行H2气体处理之外,其他同实施例4-1的处理条件,得到了石英玻璃体。
(实验例4-2)
实验例4-2中,使用三氯甲基硅烷气体作为反应气体进行了脱水反应。除了按表7所示使多孔体与反应气体进行反应外,其他同实施例4-1的处理条件,得到了石英玻璃体。
(实验例4-3)
实验例4-3中,不使用反应气体而是在氮气氛中进行了多孔体的烧成。另外,其他处理条件同实施例4-1,如表7所示。
(实验例4-4)
如表7所示,同实施例4-2的步骤与反应气体反应后,将处理过的多孔体移入真空炉内,升温至800℃、减压至1×10-3mmHg以下,然后再升温至1500℃保持1小时,接着冷却至室温,得到了致密化的透明石英玻璃。
(实验例4-5)
实验例4-5中使用了用氢氧火焰将天然水晶熔融而得的石英玻璃。
同实施例1-1测定所得石英玻璃中残留的羟基浓度、氯浓度、碳浓度、氮浓度以及1280℃下的粘度,结果如表8所示。另外,表8中用对数值(Logη)表示了粘度。
表8
OH基浓度(ppm) | Cl浓度(ppm) | C浓度(ppm) | N浓度(ppm) | 粘度1280℃(logη) | |
实施例4-1 | <1 | <30 | 20 | 8 | 12.6 |
实施例4-2 | <1 | <30 | 30 | 1 | 12.6 |
实施例4-3 | <1 | <30 | 10 | 7 | 12.6 |
实验例4-1 | <1 | 2300 | 10 | 10 | 11.6 |
实验例4-2 | 135 | <30 | 10 | 6 | 11.6 |
实验例4-3 | 100 | <30 | 30 | 4 | 11.6 |
实验例4-4 | <1 | <30 | 100 | 80 | 12.4 |
实验例4-5(天然物) | 170 | <30 | 10 | 10 | 11.9 |
实施例4-1~4-3中所得的石英玻璃的高温时的粘度均比以天然水晶作为原料的天然石英的粘度明显高,且即使在高温气氛下也不易变形。相对与此,实验例4-1的石英玻璃虽充分脱水,但氯的残留浓度较高,实验例4-2及4-3的石英玻璃中残留有OH基。实验例4-1、4-2中所得石英玻璃的高温时的粘度要比天然石英低。实验例4-4中所得石英玻璃的高温时的粘度比实施例4-1~4-3中所得的石英玻璃低。另外,同实施例1-1测定实施例4-1~4-3的在245nm的吸收系数,结果均得0.05cm-1以上的吸收系数。
另外,在六甲基二硅氮烷蒸气及H2气体的混合气体气氛中进行反应和加热处理后在减压下进行烧成处理时,以及在六甲基二硅氮烷蒸气和H2气体的混合气体气氛中进行反应、加热处理及烧成处理时,可同实施例4-1~4-3得到高温时的粘度高于以天然水晶作为原料的天然石英的合成石英玻璃。
(实施例5-1)
除了按表9所示变化多孔体与反应气体的反应外,其他同实施例1-1进行实验,得到了致密化的合成石英玻璃后,将该石英玻璃体移入加压炉内,于Ar气氛中以100℃/hr速度升温至1400℃,同时加压至1000kg/cm2保持2小时,然后再冷却至室温并返回大气压,然后取出测定所得的石英玻璃体。
(实施例5-2)
除了按表9所示变化反应气体条件外,其他同实施例5-1进行实验,得到了致密化的石英玻璃体。
(实施例5-3)
除了按表9所示变化对致密化石英玻璃体的加压处理条件外,其他同实施例5-1进行实验,得到了致密化的石英玻璃体。
(实施例5-4)
如表9所示,同实施例5-1的步骤使多孔体与六甲基二硅氮烷蒸气反应后,以1mol/hr流量分别供给氨气和N2气,并于500℃下进行3小时处理。反应结束后同实施例1进行烧成处理,然后在表9所示条件下进行加压处理,得到了致密化的石英玻璃体。
(实施例5-5)
除了按表9所示,作为反应气体,除了基于氮气的六甲基二硅氮烷蒸气之外,还以1mol/hr流量供给氨气,进行混合,其他同实施例5-1进行实验,得到了致密化的石英玻璃体。
(实施例5-6)
除了按表9所示,以六甲基二硅氧烷气体取代六甲基二硅氮烷蒸气作为反应气体外,其他同实施例5-1进行实验,得到了致密化的石英玻璃体。
(实施例5-7)
除了按表9所示,以三氯甲基硅烷气体取代六甲基二硅氮烷蒸气作为反应气体外,其他同实施例5-1进行实验,得到了致密化的石英玻璃体。
(实验例5-1~5-5)
实验例5-1是使用以往的氯气作为反应气体进了脱水反应。实验例5-2是使用氨气作为反应气体进行了脱水反应。实验例5-3、5-4是使用六甲基二硅氮烷作为反应气体进行了脱水反应。实验例5-5是不使用反应气体下进行了多孔体的烧成。除了按表9所示使多孔体与反应气体反应,烧成后不进行加压处理外,其他同实施例5-1的处理条件,得到了致密化的石英玻璃。
(实验例5-6)
实验例5-6是使用以氢氧火焰使天然水晶熔融而得的石英玻璃。
表9(a)
还原处理 | 氨处理 | ||||
反应气体 | 反应温度(℃) | 供给速度(mol/hr) | 反应时间(hrs) | ||
实施例5-1 | 六甲基二硅氮烷 | 500 | 1.0 | 3.0 | - |
实施例5-2 | 六甲基二硅氮烷 | 800 | 1.0 | 3.0 | - |
实施例5-3 | 六甲基二硅氮烷 | 500 | 1.0 | 3.0 | - |
实施例5-4 | 六甲基二硅氮烷 | 500 | 1.0 | 3.0 | 500℃3小时 |
实施例5-5 | 六甲基二硅氮烷+氨 | 500 | 1.0 | 3.0 | - |
实施例5-6 | 六甲基二硅氧烷 | 500 | 1.0 | 3.0 | - |
实施例5-7 | 三氯甲基硅烷 | 500 | 1.0 | 3.0 | - |
实验例5-1 | 氯气 | 500 | 1.0 | 3.0 | - |
实验例5-2 | 氨气 | 500 | 1.0 | 3.0 | - |
实验例5-3 | 六甲基二硅氮烷 | 500 | 1.0 | 3.0 | - |
实验例5-4 | 六甲基二硅氮烷 | 800 | 1.0 | 3.0 | - |
实验例5-5 | 氮气 | 500 | 1.0 | 3.0 |
(b)
加压处理 | |||
温度(℃) | 压力(kg/cm2) | 时间(hr) | |
实施例5-1 | 1400 | 1000 | 2 |
实施例5-2 | 1400 | 1000 | 2 |
实施例5-3 | 1400 | 9 | 30 |
实施例5-4 | 1400 | 1000 | 2 |
实施例5-5 | 1400 | 1000 | 2 |
实施例5-6 | 1400 | 1000 | 2 |
实施例5-7 | 1400 | 1000 | 2 |
实验例5-1 | - | ||
实验例5-2 | - | ||
实验例5-3 | - | ||
实验例5-4 | - | ||
实验例5-5 | - |
同实施例1-1对上述所得石英玻璃体测定该石英玻璃中残留的羟基浓度、氯浓度、碳浓度、氮浓度以及1280℃下的粘度。另外,在1800℃、真空中对样品进行1小时起泡试验(VAC),试验后目视确认样品内部新产生的气泡。结果如表10所示。此外,表10中粘度为其对数值。
表10
OH基浓度(ppm) | 氯浓度(ppm) | 碳浓度(ppm) | 氮浓度(ppm) | 粘度1280℃(logη) | 起泡试验VAC | |
实施例5-1 | <1 | <30 | 10 | 10 | 12.1 | 不起泡 |
实施例5-2 | <1 | <30 | 1000 | 400 | 12.2 | 不起泡 |
实施例5-3 | <1 | <30 | 10 | 10 | 12.2 | 不起泡 |
实施例5-4 | <1 | <30 | 10 | 400 | 12.2 | 不起泡 |
实施例5-5 | <1 | <30 | 10 | 400 | 12.2 | 不起泡 |
实施例5-6 | <1 | <30 | 10 | 10 | 12.1 | 不起泡 |
实施例5-7 | <1 | 1500 | 10 | 10 | 11.9 | 不起泡 |
实验例5-1 | <1 | 1900 | 10 | 10 | 11.5 | 不起泡 |
实验例5-2 | <1 | <30 | 10 | 520 | 12.0 | 强烈起泡 |
实验例5-3 | <1 | <30 | 100 | 80 | 12.3 | 起泡 |
实验例5-4 | <1 | <30 | 1000 | 400 | 12.3 | 强烈起泡 |
实验例5-5 | 100 | <30 | 10 | 10 | 11.6 | 不起泡 |
天然物 | 170 | <30 | 10 | 10 | 11.9 | 不起泡 |
实施例5-1~5-7中所得的石英玻璃的高温时的粘度与以天然水晶作为原料的天然石英(实验例5-6)同等程度或其以上,即使在高温气氛下也不易变形。与此相对,实验例5-1的石英玻璃虽充分脱水,但氯的残留浓度较高且粘度较低。实验例5-2、5-3、5-4的石英玻璃的粘度虽同天然石英,但存在大量气泡,实验例5-5的石英玻璃因为是在真空中烧成而得的,因此OH多少有些减少但还残留有OH,粘度低。另外,同实施例1-1测定实施例5-1~5-7的在245nm的吸收系数,结果均为0.05cm-1以上的吸收系数。
(实施例6-1)
将由四氯硅烷的火焰水解而得的直径100nm的柱状石英玻璃的多孔体(含OH基200ppm)约1kg,放置在安装于电炉内的石英玻璃制炉心管(直径200mm)内。接着排出炉心管内的气体,然后加热至500℃,在该温度下预热60分钟。
然后升温至反应温度,边用N2气体稀释六甲基二硅氮烷蒸气边将1.9g该稀释后的蒸汽作为反应气体供给多孔体,使之与多孔体中的OH基发生反应。在表11所示的反应温度下保持3小时而进行了加热。另外,N2气的流量为1mol/hr。反应结束后,将经过处理的多孔体移入真空炉内,升温至800℃、减压至1×10-3mmHg以下,保持1小时,再以10℃/min速度升温至1600℃,得到了致密化的石英玻璃。
表11
与挥发性硅化合物的反应 | 加工加热试验 | |||
反应气体 | 反应温度(℃) | 投入量(g) | ||
实施例6-1 | 六甲基二硅氮烷 | 500 | 1.9 | 火焰熔融→不起泡 |
实施例6-2 | 六甲基二硅氮烷 | 500 | 15.0 | 电熔融→不起泡火焰熔融→起泡 |
实施例6-3 | 六甲基二硅氮烷 | 500 | 15.0 | 火焰熔融→不起泡 |
实施例6-4 | 三氯甲基硅烷 | 500 | 0.5 | 火焰熔融→不起泡 |
实施例6-5 | 六甲基二硅氧烷 | 500 | 1.9 | 火焰熔融→不起泡 |
实验例6-1 | 氯气 | 500 | 100 | 火焰熔融→不起泡 |
实验例6-2 | 六甲基二硅氮烷 | 500 | 6.0 | 火焰熔融→起泡 |
实验例6-3 | 氮气 | 500 | - | 火焰熔融→不起泡 |
(实施例6-2~6-5)
如表11中所示,加入表11所示量的作为反应气体的六甲基二硅氮烷蒸气或三氯甲基硅烷气体或六甲基二硅氧烷。此外,特别是在实施例6-3中,为了将5mm的表面作成透明层,除了以20℃/min的速度从真空烧结时的800℃升温至1600℃以外,其他同实施例6-1进行实验,得到了致密化的石英玻璃体。
(实验例6-1~6-3)
实验例6-1中使用了以往的氯气作为反应气体进行了脱水反应。实验例6-2中使用表11所示量的六甲基二硅氮烷作为反应气体进行了脱水反应。实验例6-3在不使用反应气体的条件下进行了多孔体烧成。多孔体与反应气体的反应条件设定为如表11所示,烧成后,在相同于实施例6-1的处理条件下得到了致密化的石英玻璃。
(实验例6-4)
实验例6-4中使用了用氢氧火焰将天然水晶熔融而得到的石英玻璃。
对所得石英玻璃体,分别采取其表面部位(表面深度1mm~20mm)和内部部位,同实施例1-1测定该石英玻璃中残留的羟基浓度、氯浓度、碳浓度、氮浓度以及1280℃下的粘度。实施例6-2中,从所得石英玻璃体中削取黑色部分,测定该黑色石英玻璃体的表面部位和内部部位。另外,以目视判断石英玻璃体的颜色。结果如表12所示,表12中粘度为其对数值。
另外,对所得石英玻璃体进行加工加热试验。利用火焰熔融的加工加热试验,是利用乙炔气体喷燃器对玻璃体样品进行火焰照射,以确认玻璃体中是否起泡的试验,另外,利用电熔融的加工加热试验,是利用碳加热炉于真空下进行。其结果如表11所示。
表12
部位 | 颜色 | OH基浓度(ppm) | 氯浓度(ppm) | 碳浓度(ppm) | 氮浓度(ppm) | 粘度1280℃(logη) | |
实施例6-1 | 表面 | 透明 | <1 | <30 | 10 | 10 | 12.1 |
内部 | 透明 | <1 | <30 | 10 | 10 | 12.1 | |
实施例6-2 | 表面 | 黑 | <1 | <30 | 500 | 20 | 12.2 |
内部 | 黑 | <1 | <30 | 500 | 20 | 12.2 | |
实施例6-3 | 表面 | 透明 | <1 | <30 | 10 | 10 | 12.2 |
内部 | 黑 | <1 | <30 | 500 | 20 | 12.2 | |
实施例6-4 | 表面 | 透明 | <1 | 500 | 10 | 2 | 11.9 |
内部 | 透明 | 80 | <30 | 10 | 2 | 11.5 | |
实施例6-5 | 表面 | 透明 | <1 | <30 | 10 | 2 | 12.1 |
内部 | 透明 | <1 | <30 | 10 | 2 | 12.1 | |
实验例6-1 | 表面 | 透明 | <1 | 1900 | 10 | 2 | 11.5 |
内部 | 透明 | <1 | 1900 | 10 | 2 | 11.5 | |
实验例6-2 | 表面 | 透明 | <1 | <30 | 40 | 20 | 12.2 |
内部 | 透明 | <1 | <30 | 50 | 20 | 12.2 | |
实验例6-3 | 表面 | 透明 | 120 | <30 | 2 | 2 | 11.5 |
内部 | 透明 | 120 | <30 | 2 | 2 | 11.5 | |
实验例6-4(天然物) | 全体 | 透明 | 170 | <30 | 10 | 10 | 11.9 |
如表12所示,实施例6-1~6-5中所得的石英玻璃的高温时的粘度与以天然水晶作为原料的天然石英(实验例6-4)相同程度或其以上,即使在高温环境下也不易变形。相对与此,实验例6-1的石英玻璃虽充分脱水,但氯的残留浓度较高、粘度较低。实验例6-2的石英玻璃的粘度虽同天然石英,但利用火焰加热熔融的加工加热试验后,产生了大量气泡,实验例6-3的石英玻璃因为是在真空中烧成而得的,因此OH残留,粘度低。另外,同实施例1-1测定了实施例6-1~6-5的在245nm的吸收系数,结果均得到了0.05cm-1以上的吸收系数。
产业上的利用可能性
如上所述,根据本发明的合成石英玻璃的制造方法,可以容易、有效地制造出杂质少且具有与天然石英同等或其以上的高温粘度特性、即使在高温环境下也不易变形的合成石英玻璃,特别是不起泡、致密的高耐热性合成石英玻璃。
另外,根据本发明的合成石英玻璃体,可以提供杂质少且具有与以天然水晶作为原料的天然石英玻璃同等以上的高温粘度特性、即使在高温环境下也不易变形的透明的黑色合成石英玻璃,特别是不起泡、致密、红外线吸收率和放出率高且碱金属扩散防止效果极高的的石英玻璃体。
如上述,本发明可用于在热处理硅晶片或在表面形成CVD膜的制造工序中所使用的石英玻璃器具,特别是近年来希望出现金属杂质降低而适合于高温处理的合成石英材料,因此本发明可回应产业界的期待。
Claims (25)
1.一种合成石英玻璃的制造方法,其特征在于,是制造在245nm的吸收系数为0.05cm-1以上的石英玻璃体的方法,其中对二氧化硅多孔体进行还原处理和烧成处理,获得致密玻璃体。
2.如权利要求1所述的合成石英玻璃的制造方法,其特征在于,在100℃以上1300℃以下的反应温度下进行上述还原处理后,在1300℃以上1900℃以下的反应温度下进行上述烧成处理,而获得致密玻璃体。
3.如权利要求1所述的合成石英玻璃的制造方法,其特征在于,在100℃以上1900℃以下的反应温度下同时进行上述还原处理和烧成处理。
4.如权利要求1~3中任意一项所述的合成石英玻璃的制造方法,其特征在于,上述还原处理,是使上述二氧化硅多孔体在具有还原性的气体和含有该气体的气氛中并在一定温度下进行反应的处理。
5.如权利要求4所述的合成石英玻璃的制造方法,其特征在于,上述具有上述还原性的气体是含氮和/或碳的挥发性硅化合物。
6.如权利要求5所述的合成石英玻璃的制造方法,其特征在于,上述挥发性硅化合物,是选自由硅氮烷、有机硅氮烷、有机卤硅烷、硅氧烷、有机硅氧烷、烷氧基硅烷、芳氧基硅烷、硅烷、有机硅烷及有机聚硅烷组成的一组中的至少1种化合物。
7.如权利要求6所述的合成石英玻璃的制造方法,其特征在于,上述挥发性硅化合物是六甲基二硅氮烷。
8.如权利要求6所述的合成石英玻璃的制造方法,其特征在于,上述挥发性硅化合物是六甲基二硅氧烷。
9.如权利要求1~8中的任意一项所述的合成石英玻璃的制造方法,其特征在于,在100℃以上800℃以下的反应温度下进行上述还原处理之后,在1300℃以上1900℃以下进行烧成,而得透明玻璃体。
10.如权利要求1~8中的任意一项所述的合成石英玻璃的制造方法,其特征在于,进行使上述二氧化硅多孔体和含碳的气体在400℃以上1300℃以下进行反应的还原处理后,在1300℃以上1900℃以下进行烧成,而得致密化的黑色玻璃体。
11.如权利要求1~10中的任意一项所述的合成石英玻璃的制造方法,其特征在于,上述还原处理后,在含氢的气氛中进行加热处理,然后进行烧成处理,而得致密玻璃体。
12.如权利要求1~11中的任意一项所述的合成石英玻璃的制造方法,其特征在于,对上述致密玻璃体,进一步在非氧化性气氛中、超过大气压的压力下、1200℃~1900℃的温度范围下进行加热处理。
13.如权利要求12所述的合成石英玻璃的制造方法,其特征在于,对上述致密玻璃体,在惰性气氛中、超过大气压的压力~10000kg/cm2的压力下、1200℃~1900℃的温度范围下进行加热处理。
14.一种合成石英玻璃体,是用权利要求1~13中的任意一项所述的方法制得。
15.一种高耐热性合成石英玻璃体,其特征在于,在245nm的吸收系数为0.05cm-1以上,且所含碳浓度、氮浓度及氯浓度分别为10000ppm以下。
16.一种合成石英玻璃体,其特征在于,是用权利要求1~9、11~13中的任意一项所述的方法制得的透明石英玻璃体,所含氮浓度为100ppm以下并且所含碳浓度为100ppm以下。
17.如权利要求16所述的合成石英玻璃体,其特征在于,所含氮浓度和碳浓度分别为50ppm以下。
18.一种合成石英玻璃体,其特征在于,是用权利要求1~8、10~13中的任意一项所述的方法制得的黑色石英玻璃体,所含氮浓度超过100ppm且在10000ppm以下。
19.一种合成石英玻璃体,其特征在于,是用权利要求1~8、10~13中的任意一项所述的方法制得的致密石英玻璃体,该石英玻璃体,在其表面部位具有氮浓度和碳浓度分别为50ppm以下的透明部分且在其内部具有碳浓度在100~10000ppm范围的黑色部分。
20.一种合成石英玻璃体,其特征在于,是用权利要求1~13中的任意一项所述的方法制得的致密石英玻璃体,该石英玻璃体,在其表面部位具有OH浓度为10ppm以下的部分且在其内部具有OH浓度在10ppm~300ppm范围的部分。
21.如权利要求20所述的合成石英玻璃体,其特征在于,上述还原处理,是使含羟基的二氧化硅多孔体与含氮和/或碳且含卤元素的挥发性硅化合物进行反应的处理,上述表面部位的卤元素浓度为100~5000ppm。
22.如权利要求21所述的合成石英玻璃体,其特征在于,上述挥发性硅化合物是三氯甲基硅烷。
23.如权利要求20~22中的任意一项所述的合成石英玻璃体,其特征在于,上述表面部位的氮浓度是50ppm以下、和/或碳浓度是50ppm以下。
24.如权利要求16、17、20~23中的任意一项所述的合成石英玻璃体,其特征在于,在上述还原处理中,使用上述二氧化硅多孔体中所含的羟基摩尔数的0.1~3.0倍摩尔数的上述具有还原性的气体。
25.如权利要求18或19所述的合成石英玻璃体,其特征在于,上述还原处理,是使含羟基的二氧化硅多孔体与含碳的气体反应的处理,在该还原处理中,使用上述二氧化硅多孔体中所含的羟基摩尔数的2~10倍摩尔数的上述含碳的气体。
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Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101179054B (zh) * | 2006-11-10 | 2012-05-30 | 信越化学工业株式会社 | Soq基板及其制造方法 |
CN103987670A (zh) * | 2011-12-15 | 2014-08-13 | 赫罗伊斯石英玻璃股份有限两合公司 | 合成石英玻璃的制备方法和用作光纤的包覆材料的石英玻璃 |
CN105541090A (zh) * | 2007-07-27 | 2016-05-04 | 康宁股份有限公司 | Oh、od含量低的熔凝氧化硅及其制备方法 |
CN107629209A (zh) * | 2017-05-05 | 2018-01-26 | 北京航空航天大学 | 含硅氧六元环的树枝化有机硅聚合物、交联体与制备方法 |
CN108698888A (zh) * | 2015-12-18 | 2018-10-23 | 贺利氏石英玻璃有限两合公司 | 在石英玻璃制备中作为中间物的经碳掺杂的二氧化硅颗粒的制备 |
CN116873943A (zh) * | 2023-08-07 | 2023-10-13 | 安徽壹石通材料科技股份有限公司 | 一种高纯方石英的制备方法 |
Families Citing this family (39)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006012938A (ja) * | 2004-06-23 | 2006-01-12 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | 電気二重層キャパシタ電極用炭素材料およびその製造方法 |
JP5013573B2 (ja) * | 2005-09-30 | 2012-08-29 | 信越石英株式会社 | 高耐熱性石英ガラス粉の製造方法、高耐熱性石英ガラス粉及びガラス体 |
JP4640293B2 (ja) * | 2006-08-24 | 2011-03-02 | 住友電気工業株式会社 | 石英ガラス体製造方法 |
JP4640292B2 (ja) * | 2006-08-24 | 2011-03-02 | 住友電気工業株式会社 | 石英ガラス体製造方法 |
DE102006043738B4 (de) * | 2006-09-13 | 2008-10-16 | Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg | Bauteil aus Quarzglas zum Einsatz bei der Halbleiterfertigung und Verfahren zur Herstellung desselben |
JP5076432B2 (ja) * | 2006-10-05 | 2012-11-21 | 住友電気工業株式会社 | 光ファイバ母材製造方法 |
WO2008105191A1 (ja) * | 2007-02-27 | 2008-09-04 | Shin-Etsu Quartz Products Co., Ltd. | 黒色合成石英ガラス及びその製造方法 |
JP5048445B2 (ja) * | 2007-10-11 | 2012-10-17 | 信越石英株式会社 | 透明層付き黒色合成石英ガラス |
DE112008003728B4 (de) * | 2008-02-27 | 2017-01-19 | Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg | Verfahren zur Herstellung eines optischen Bauteils aus Quarzglas |
JP5284702B2 (ja) * | 2008-07-10 | 2013-09-11 | 信越石英株式会社 | 紫外線赤外線吸収合成シリカガラス及びその製造方法 |
DE102008033945B4 (de) * | 2008-07-19 | 2012-03-08 | Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg | Verfahren zur Herstellung von mit Stickstoff dotiertem Quarzglas sowie zur Durchführung des Verfahrens geeignete Quarzglaskörnung, Verfahren zur Herstellung eines Quarzglasstrangs und Verfahren zur Herstellung eines Quarzglastiegels |
JP5368935B2 (ja) * | 2009-10-23 | 2013-12-18 | 信越石英株式会社 | ファイバー用合成シリカガラス |
EP2569465A1 (en) * | 2010-05-12 | 2013-03-20 | ETH Zurich | 3d nanocrystals and manufacturing methods |
GB201011582D0 (en) | 2010-07-09 | 2010-08-25 | Heraeus Quartz Uk Ltd | High purity synthetic silica and items such as semiconductor jigs manufactured therefrom |
GB201106015D0 (en) | 2011-04-08 | 2011-05-25 | Heraeus Quartz Uk Ltd | Production of silica soot bodies |
JP5770022B2 (ja) * | 2011-06-09 | 2015-08-26 | 信越石英株式会社 | 遅延蛍光を利用したシリカガラス製紫外線センサー |
DE102011107917A1 (de) | 2011-07-19 | 2013-01-24 | Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg | Lasersystem, umfassend ein Lasermedium mit einem Wirtsmaterial aus Quarzglas |
JP2013107784A (ja) * | 2011-11-18 | 2013-06-06 | Shinetsu Quartz Prod Co Ltd | ノンドープ白色蛍光合成シリカガラス |
JP2013253912A (ja) * | 2012-06-08 | 2013-12-19 | Shinetsu Quartz Prod Co Ltd | 放射線検出用ノンドープ石英ガラスセンサー及び放射線漏れ検出システム |
US9051203B2 (en) * | 2012-09-13 | 2015-06-09 | Shin-Etsu Quartz Products Co., Ltd. | Black synthetic quartz glass with transparent layer and method for producing the same |
US9296641B2 (en) * | 2012-11-01 | 2016-03-29 | Owens-Brockway Glass Container Inc. | Inspectable black glass containers |
SG11201508512PA (en) * | 2013-05-23 | 2015-12-30 | Applied Materials Inc | A coated liner assembly for a semiconductor processing chamber |
WO2015022966A1 (ja) * | 2013-08-15 | 2015-02-19 | 旭硝子株式会社 | 低散乱シリカガラスおよびシリカガラスの熱処理方法 |
US9957431B2 (en) * | 2013-11-11 | 2018-05-01 | Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg | Composite material, heat-absorbing component, and method for producing the composite material |
CN104457125B (zh) * | 2014-12-09 | 2017-01-04 | 常熟市久昇电器有限公司 | 一种冰箱专用的玻璃隔层板 |
JP5913690B2 (ja) * | 2015-05-28 | 2016-04-27 | 信越石英株式会社 | 遅延蛍光を発生するシリカガラス |
TWI794149B (zh) | 2015-12-18 | 2023-03-01 | 德商何瑞斯廓格拉斯公司 | 石英玻璃粉粒、不透明成型體及彼等之製備方法 |
TWI840318B (zh) | 2015-12-18 | 2024-05-01 | 德商何瑞斯廓格拉斯公司 | 石英玻璃體、光導、施照體、成型體及製備彼等之方法及矽組分之用途 |
EP3390290B1 (de) | 2015-12-18 | 2023-03-15 | Heraeus Quarzglas GmbH & Co. KG | Herstellung eines opaken quarzglaskörpers |
EP3390303B1 (de) | 2015-12-18 | 2024-02-07 | Heraeus Quarzglas GmbH & Co. KG | Herstellung von quarzglaskörpern mit taupunktkontrolle im schmelzofen |
TWI808933B (zh) | 2015-12-18 | 2023-07-21 | 德商何瑞斯廓格拉斯公司 | 石英玻璃體、二氧化矽顆粒、光導、施照體、及成型體及其製備方法 |
US11492285B2 (en) | 2015-12-18 | 2022-11-08 | Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg | Preparation of quartz glass bodies from silicon dioxide granulate |
EP3390308B1 (de) | 2015-12-18 | 2024-08-28 | Heraeus Quarzglas GmbH & Co. KG | Glasfasern aus quarzglas mit geringem oh-, cl- und al-gehalt |
EP3390296B1 (de) | 2015-12-18 | 2024-09-04 | Heraeus Quarzglas GmbH & Co. KG | Herstellung eines quarzglaskörpers in einem mehrkammerofen |
KR20180095622A (ko) | 2015-12-18 | 2018-08-27 | 헤래우스 크바르츠글라스 게엠베하 & 컴파니 케이지 | 내화성 금속으로 제조된 용융 도가니에서 실리카 유리 제품의 제조 |
WO2018141088A1 (en) * | 2017-02-03 | 2018-08-09 | Applied Materials, Inc. | Plasma abatement of nitrous oxide from semiconductor process effluents |
EP4223711A1 (en) * | 2020-10-01 | 2023-08-09 | Tosoh Sgm Corporation | Black quartz glass and method for manufacturing same |
KR20230079076A (ko) * | 2020-10-07 | 2023-06-05 | 토소 에스지엠 가부시키가이샤 | 흑색 석영 유리 및 그 제조 방법 |
EP4030204B1 (de) | 2021-01-19 | 2023-09-20 | Heraeus Quarzglas GmbH & Co. KG | Mikrostrukturierte optische faser und vorform dafür |
Family Cites Families (33)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS54127914A (en) | 1978-03-29 | 1979-10-04 | Nippon Telegraph & Telephone | Production of anhydrous glass material for optical fibers |
US4789389A (en) * | 1987-05-20 | 1988-12-06 | Corning Glass Works | Method for producing ultra-high purity, optical quality, glass articles |
JPH07115880B2 (ja) | 1989-08-29 | 1995-12-13 | 信越石英株式会社 | 耐熱性の優れた合成石英ガラス部材 |
US5043002A (en) * | 1990-08-16 | 1991-08-27 | Corning Incorporated | Method of making fused silica by decomposing siloxanes |
JP3092675B2 (ja) * | 1990-09-28 | 2000-09-25 | 東ソー株式会社 | オキシナイトライドガラス及びその製造方法 |
JPH04254433A (ja) | 1991-01-31 | 1992-09-09 | Shinetsu Quartz Prod Co Ltd | 黒色石英ガラスの製造方法 |
EP0546196B1 (en) * | 1991-06-29 | 1997-05-02 | Shin-Etsu Quartz Products Co., Ltd. | Synthetic quartz glass optical member for excimer laser and production thereof |
US6012304A (en) * | 1991-09-30 | 2000-01-11 | Loxley; Ted A. | Sintered quartz glass products and methods for making same |
JP3187510B2 (ja) * | 1992-03-12 | 2001-07-11 | 東芝セラミックス株式会社 | 半導体ウエハ熱処理用部材の製造方法 |
JPH05279049A (ja) * | 1992-03-30 | 1993-10-26 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 合成石英ガラスの製造方法 |
JPH06122533A (ja) | 1992-10-14 | 1994-05-06 | Tosoh Corp | 炭化珪素含有シリカガラスおよびその製造方法 |
JP3368547B2 (ja) * | 1994-04-28 | 2003-01-20 | 信越石英株式会社 | 不透明石英ガラスおよびその製造方法 |
JP3578357B2 (ja) | 1994-04-28 | 2004-10-20 | 信越石英株式会社 | 耐熱性合成石英ガラスの製造方法 |
US5707908A (en) * | 1995-01-06 | 1998-01-13 | Nikon Corporation | Silica glass |
DE69601749T3 (de) * | 1995-06-07 | 2004-04-29 | Corning Inc. | Verfahren zur thermischen Behandlung und zum Konsolidieren von Vorformen aus Siliciumdioxid zur Verminderung von durch Laser hervorgerufenen optischen Defekten |
JP3818603B2 (ja) | 1996-05-21 | 2006-09-06 | 信越石英株式会社 | 石英ガラスの製造方法 |
EP0870737B1 (en) * | 1997-04-08 | 2002-07-24 | Shin-Etsu Quartz Products Co., Ltd. | Optical synthetic quartz glass, production method thereof, and optical member for excimer laser using the synthetic quartz glass |
DE69816758T2 (de) * | 1997-05-20 | 2004-06-03 | Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg | Synthetisches quarzglas zur verwendung in uv-strahlung und verfahren zu seiner herstellung |
US6044664A (en) * | 1997-09-29 | 2000-04-04 | Nikon Corporation | Synthetic silica glass manufacturing apparatus |
US8402786B2 (en) * | 1998-01-30 | 2013-03-26 | Asahi Glass Company, Limited | Synthetic silica glass optical component and process for its production |
JPH11310423A (ja) * | 1998-02-27 | 1999-11-09 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 合成石英ガラスおよびその製造方法 |
JP2000143257A (ja) * | 1998-11-06 | 2000-05-23 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ガラス物品の製造方法 |
JP3574577B2 (ja) | 1998-11-30 | 2004-10-06 | 東芝セラミックス株式会社 | 高粘性合成石英ガラスおよびその製造方法 |
JP2000239025A (ja) * | 1999-02-22 | 2000-09-05 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光学部品用ガラス製造方法 |
JP2000302458A (ja) * | 1999-04-20 | 2000-10-31 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光学部品用ガラス物品の製造方法 |
JP2001048571A (ja) * | 1999-06-04 | 2001-02-20 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 短波長光の透過性に優れた石英ガラスとその製造方法 |
DE19962451C1 (de) * | 1999-12-22 | 2001-08-30 | Heraeus Quarzglas | Verfahren für die Herstellung von opakem Quarzglas und für die Durchführung des Verfahrens geeignetes Si0¶2¶-Granulat |
JP4164984B2 (ja) * | 2000-03-27 | 2008-10-15 | ソニー株式会社 | 光学記録媒体 |
EP1167309B1 (en) * | 2000-06-28 | 2006-10-18 | Japan Super Quartz Corporation | Synthetic quartz powder, its production process, and synthetic quartz crucible |
JP3865039B2 (ja) * | 2000-08-18 | 2007-01-10 | 信越化学工業株式会社 | 合成石英ガラスの製造方法および合成石英ガラス並びに合成石英ガラス基板 |
JP2003012331A (ja) * | 2001-06-27 | 2003-01-15 | Watanabe Shoko:Kk | 高純度合成石英ガラス粒子 |
KR100418928B1 (ko) | 2001-10-24 | 2004-02-14 | 주식회사 하이닉스반도체 | 엠디엘 반도체 소자의 제조 방법 |
DE10159959A1 (de) * | 2001-12-06 | 2003-06-26 | Heraeus Quarzglas | Quarzglasrohling für ein optisches Bauteil und Verwendung desselben |
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2003
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Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101179054B (zh) * | 2006-11-10 | 2012-05-30 | 信越化学工业株式会社 | Soq基板及其制造方法 |
CN105541090A (zh) * | 2007-07-27 | 2016-05-04 | 康宁股份有限公司 | Oh、od含量低的熔凝氧化硅及其制备方法 |
CN103987670A (zh) * | 2011-12-15 | 2014-08-13 | 赫罗伊斯石英玻璃股份有限两合公司 | 合成石英玻璃的制备方法和用作光纤的包覆材料的石英玻璃 |
CN103987670B (zh) * | 2011-12-15 | 2016-10-19 | 赫罗伊斯石英玻璃股份有限两合公司 | 合成石英玻璃的制备方法和用作光纤的包覆材料的石英玻璃 |
CN108698888A (zh) * | 2015-12-18 | 2018-10-23 | 贺利氏石英玻璃有限两合公司 | 在石英玻璃制备中作为中间物的经碳掺杂的二氧化硅颗粒的制备 |
CN107629209A (zh) * | 2017-05-05 | 2018-01-26 | 北京航空航天大学 | 含硅氧六元环的树枝化有机硅聚合物、交联体与制备方法 |
CN116873943A (zh) * | 2023-08-07 | 2023-10-13 | 安徽壹石通材料科技股份有限公司 | 一种高纯方石英的制备方法 |
CN116873943B (zh) * | 2023-08-07 | 2024-02-23 | 安徽壹石通材料科技股份有限公司 | 一种高纯方石英的制备方法 |
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