CN1677645A - 显示装置及其制造方法，以及电视机接收器 - Google Patents

Abstract

本发明公开了在一种用于制造显示装置的方法，包括以下步骤，利用感光材料在基底上形成第一薄膜图案，利用激光束对其进行照射使第一薄膜图案曝光，以此方式形成第二薄膜图案，将第二薄膜图案的表面变成微滴脱落表面，利用微滴排出方法，通过将导电材料排放到微滴脱落表面的外缘，而形成源极和漏极，并在源极和漏极上，形成半导体层，栅绝缘层，和栅极。

Description

显示装置及其制造方法，以及电视机接收器

发明背景

1.发明领域

本发明涉及一种显示装置，包括由利用了以喷墨方法为代表的微滴排出方法而成形的薄膜晶体管，并且涉及一种用于制造该显示装置的方法。

2.相关技术

包括在基底上的薄膜晶体管(在下文中也称作TFT)的显示板，即所谓的有源矩阵显示板，通常是按照与半导体集成电路制造技术相同的、利用光掩模的光刻处理过程，通过形成多种薄膜图案而将其制造出来的。

换言之，可通过如下所述形成薄膜图案的方法来制造TFT。即在整个基底上使用了抗蚀剂之后，对抗蚀剂进行预烘干，然后将紫外线或类似射线照射到其上，以便按照光刻处理步骤使抗蚀剂曝光，并形成抗蚀剂图案。在此之后，将其当作掩模使用抗蚀剂图案，对没有出现薄膜图案的膜(由半导体材料，绝缘材料或导电材料所形成的膜)进行刻蚀。由此，形成薄膜图案。

当玻璃基底或显示板很小时，可通过曝光设备比较简单地进行形成图案的过程。然而，随着基底尺寸的增加，在一个曝光处理过程中使整个显示板基底曝光是不太可能的。结果发展出这样一种方法，即将使用了光致抗蚀剂的区域分成若干块，之后顺序地使相应的块曝光，以此方式使整个基底表面曝光(例如，参考日本专利文献，公开号为No.H11-326951)。

在制造半导体装置的过程中，出于降低设备费用和简化处理过程的目的，已经开始使用微滴排出装置来使在TFT中所使用的薄膜图案和配线成形。

公开号为No.2000-188251的日本专利文献中公开了一种用于在半导体片上形成膜的技术，其中通过利用可从喷嘴中连续地排放出具有细线形状的抗蚀剂的设备，而抑制了薄膜成形所需液体的消耗量。

微滴可具有小直径，以便依据公开号为No.2000-188251的日本专利文献，利用点滴排出方法来形成具有小尺寸的TFT。为了这个目的，喷嘴可具有小直径。然而在这种情况下，由于组合物的附着力、干燥或凝固作用，使排出微滴的组合物堵住了喷嘴的顶端，并由此很难稳定地、连续地排出定量的微滴。而这就造成了利用TFT所形成的半导体装置的生产量低和合格率低的问题。

发明概述

本发明考虑到上述问题，并且本发明的目的就是在于提供一种通过利用并不具有小直径的喷嘴而制造出具有精确结构的TFT的方法。此外，本发明的另一个目的是提供一种用于制造半导体装置的方法，其在低成本的情况下具有生产量高和合格率高的优点。本发明公开了一种用于制造显示装置的方法，该方法包括以下步骤，即形成薄膜，在薄膜上排放或涂覆感光树脂(抗蚀剂)，通过利用激光束对感光树脂进行照射而形成抗蚀剂掩模，通过利用抗蚀剂掩模对薄膜进行刻蚀而形成具有预期形状的薄膜图案，并利用该薄膜图案将一部分微滴脱落表面变成微滴吸引表面。

本发明公开了另一种用于制造显示装置的方法，其包括以下步骤，即排放或涂覆感光树脂，通过利用激光束对感光树脂进行照射的步骤形成图案，并对感光树脂的图案进行微滴脱落处理。

本发明公开了又一种用于制造显示装置的方法，其包括以下步骤，即利用激光束对一部分微滴脱落区域进行照射，从而使由激光束所照射的部分成为微滴吸引区域，以此方式形成微滴脱落区域和微滴吸引区域。

此外，本发明包括以下结构。

本发明公开了再一种用于制造显示装置的方法，其包括以下步骤，即利用感光材料在基底上形成第一薄膜图案，在用激光束对其进行照射之后使第一薄膜图案显影，以此方式形成第二薄膜图案，将第二薄膜图案的表面变成微滴脱落表面，按照微滴排出方法，将导电材料排放到微滴脱落表面的外缘而形成源极和漏极，并在源极和漏极上形成半导体层，栅极绝缘薄膜，和栅电极。

本发明公开了另一种用于制造显示装置的方法，其包括以下步骤，即利用用于形成微滴脱落表面的溶液在基底上形成第一薄膜图案，通过用激光束对第一薄膜图案进行照射而将微滴脱落区域变成微滴吸引区域，从而形成具有微滴脱落区域和微滴吸引区域的第二薄膜图案，按照微滴排出方法将导电材料排放到微滴脱落区域的表面上，从而形成源极和漏极，并在源极和漏极上形成半导体层，栅极绝缘薄膜，和栅电极。

本发明公开了又一种用于制造显示装置的方法，其包括以下步骤，即利用微滴排出方法在光透射基底上形成第一薄膜图案，在第一薄膜图案上排放或涂覆感光材料，在用第一激光束对其进行照射之后使第一薄膜图案与感光材料相重叠的区域显影，以此方式形成掩模图案，通过利用掩模图案对第一薄膜图案进行刻蚀，从而形成具有预定形状的栅电极，在栅电极上形成第一绝缘薄膜，在第一绝缘薄膜上形成微滴脱落表面，通过用第二激光束对一部分微滴脱落表面进行照射，将该部分微滴脱落表面变成微滴吸引表面，其中第二激光束是通过光透射基底透射出的，在微滴吸引表面、栅电极以及第一绝缘薄膜上形成源极和漏极，并在微滴脱落表面上形成半导体层。

本发明公开了再一种用于制造显示装置的方法，其包括以下步骤，即利用微滴排出方法在光透射基底上形成第一薄膜图案，在第一薄膜图案上排放或涂覆感光材料，在用第一激光束对其进行照射之后使第一薄膜图案与感光材料相重叠的区域显影，以此方式形成掩模图案，通过利用掩模图案对第一薄膜图案进行刻蚀，从而形成具有预定形状的栅电极，在栅电极上形成第一绝缘薄膜，在第一绝缘薄膜上形成半导体层，在第一绝缘薄膜的表面和半导体层上形成微滴脱落表面，通过用第二激光束对一部分微滴脱落表面进行照射，将该部分微滴脱落表面变化成为微滴吸引表面，其中第二激光束是通过光透射基底透射出的，在微滴吸引表面上形成源极和漏极，并通过将源极和漏极当作掩模而对一部分半导体层进行刻蚀来形成源极区域和漏极区域。

本发明公开了另一种用于制造显示装置的方法，其包括以下步骤，即利用微滴排出方法在光透射基底上形成第一薄膜图案，在第一薄膜图案上排放或涂覆感光材料，在用第一激光束对其进行照射之后使第一薄膜图案与感光材料相重叠的区域显影，以此方式形成掩模图案，通过利用掩模图案对第一薄膜图案进行刻蚀，从而形成具有预定形状的栅电极，在栅电极上形成第一绝缘薄膜，在第一绝缘薄膜上形成第一半导体层，在第一半导体层上形成第二绝缘薄膜，在第一半导体层和第二绝缘薄膜上形成第二半导体层，在第一绝缘薄膜的表面和第二半导体层上形成微滴脱落表面，通过用第二激光束对一部分微滴脱落表面进行照射，将该部分微滴脱落表面变成微滴吸引表面，其中第二激光束是通过光透射基底透射出的，在微滴吸引表面上形成源极和漏极，并通过将源极和漏极当作掩模而对第二半导体层进行刻蚀来形成源极区域和漏极区域。

在本发明中，第一激光束具有在从紫外线区域到红外线区域范围内的波长，并且第二激光束也具有在从紫外线到红外线区域范围内的波长。

感光材料是负感光树脂或正感光树脂。

此外，本发明公开了一种电视机，其具有利用上述用于制造显示装置的方法所形成的显示装置。

应注意的是该显示装置是液晶显示装置或发光装置。

【本发明的有益效果】

如果当将微滴脱落处理与利用激光照射将微滴脱落表面部分地变成微滴吸引表面相结合的来进行微滴脱落处理过程时，利用微滴排出方法，本发明可使薄膜图案最小化。例如，即使对在TFT沟道成形区域上源极配线和漏极配线之间的空间进行精确控制也是可能的，并且可提高TFT的性能。

此外，即使当喷嘴的直径并不是特别小的时候也可形成具有精确结构的TFT。可利用在低成本的情况下具有高生产量和高合格率的TFT，制造出高集成电路和例如具有高孔径的显示装置的半导体显示装置。

附图说明

在附图中：

图1是用于说明本发明中显示板结构的俯视图；

图2是用于说明本发明中显示板结构的俯视图；

图3是用于说明本发明中显示板结构的俯视图；

图4A到4C是用于说明本发明中EL显示板的制造处理过程的截面图；

图5A到5C是用于说明本发明中EL显示板的制造处理过程的截面图；

图6A到6C是用于说明本发明中EL显示板的制造处理过程的截面图；

图7A到7C是用于说明本发明中EL显示板的制造处理过程的截面图；

图8A到8C是用于说明本发明中EL显示板的制造处理过程的截面图；

图9是用于说明本发明中EL显示板的制造处理过程的截面图；

图10A到10C是用于说明本发明中EL显示板的制造处理过程的截面图；

图11是用于说明本发明中液晶显示板的制造处理过程的截面图；

图12是用于说明本发明中EL显示板的制造处理的俯视图；

图13是用于说明本发明中EL显示板的制造处理的俯视图；

图14是用于说明本发明中EL显示板的制造处理的俯视图；

图15是用于说明本发明中EL显示板的制造处理的俯视图；

图16是用于说明本发明中EL显示板的制造处理的截面图；

图17是用于说明本发明中EL显示板的制造处理的截面图；

图18是图17中所说明的EL显示板的等效电路图；

图19A和19B是用于说明可应用在本发明中的发光元件的图；

图20A和20B是用于说明可应用在本发明中的发光元件的图；

图21A和21B是用于说明本发明中显示板驱动电路的安装方法的图；

图22A和22B是用于说明本发明中显示板驱动电路的安装方法的图；

图23A和23F是用于说明可应用在本发明EL显示板中的像素结构的电路图；

图24是用于说明通过利用在本发明EL显示板中的TFT而形成扫描线驱动器电路时的电路结构图；

图25是用于说明通过利用在本发明EL显示板中的TFT而形成扫描线驱动器电路时的电路结构图(脉冲输出电路)；

图26是用于说明通过利用在本发明显示板中的TFT而形成扫描线驱动器电路时的电路结构图(缓冲电路)；

图27是用于说明可应用在本发明中的微滴排出系统的结构图；

图28是用于说明本发明中EL显示板的截面图；

图29是用于说明一个本发明中EL显示模块结构例子的截面图；

图30是用于说明一个本发明中EL显示模块结构例子的截面图；

图31是用于说明本发明中电视机接收器主结构的方块图；

图32是用于说明利用本发明所完成的电视机接收器的图；

图33是用于说明可应用在本发明中的激光直射影象系统的结构图；

图34A和34B是用于说明本发明中EL显示板的制造处理过程的截面图；

图35A和35B是用于说明本发明中EL显示板的制造处理过程的截面图；

图36A和36B是用于说明本发明中EL显示板的制造处理过程的截面图；

图37A和37B是用于说明本发明中显示板的制造处理过程的截面图；

图38是用于说明本发明中显示板的制造处理过程的截面图；

图39A和39B是用于说明本发明中显示板的制造处理过程的截面图；

图40A和40B是用于说明本发明中显示板的制造处理过程的截面图；

图41A和41B是用于说明本发明中显示板的制造处理过程的截面图；

图42A和42B是用于说明本发明中显示板的制造处理过程的截面图；

图43A和43B是用于说明本发明中显示板的制造处理过程的截面图；

图44A和44B是用于说明本发明中显示板的制造处理过程的截面图；

图45A和45B是用于说明本发明中显示板的制造处理过程的截面图；

图46A和46B是用于说明本发明中显示板的制造处理过程的截面图；

图47A到47C是用于说明本发明中液晶显示板的制造处理过程的截面图；

图48A到48C是用于说明本发明中液晶显示板的制造处理过程的截面图；

图49A到49C是用于说明本发明中液晶显示板的制造处理过程的截面图；

图50A到50C是用于说明本发明中液晶显示板的制造处理过程的截面图；

图51A到51C是用于说明本发明中液晶显示板的制造处理过程的截面图；

图52A和52B是用于说明本发明中液晶显示板的制造处理过程的截面图；

图53A到53C是用于说明本发明中液晶显示板的制造处理过程的截面图；

图54A到54C是用于说明本发明中液晶显示板的制造处理过程的截面图；

图55是用于说明本发明中液晶显示板的制造处理过程的截面图；

图56是用于说明本发明中液晶显示板的制造处理过程的俯视图；

图57是用于说明本发明中液晶显示板的制造处理过程的俯视图；

图58是用于说明本发明中液晶显示板的制造处理过程的俯视图；

图59是用于说明本发明中液晶显示板的制造处理过程的俯视图；

图60A和60B是用于说明本发明中显示板的驱动器电路的安装方法(COG方法)的图；

图61是用于说明本发明中显示模块结构的图；

图62是用于说明本发明中液晶显示板的俯视图；

图63是在图26中所说明的显示板的等效电路图；

图64是用于说明本发明中显示板的截面图。

发明的详细描述

在下文中通过参考附图对本发明的实施例进行解释说明。由于可以以许多不同的形式具体表现出本发明，因此除了那些背离了在下文中所定义的本发明范围和内容的变形和修改以外，那些本领域技术人员可很容易的明白，可以用各种不同方式对本发明的形式及细节进行改变和修改。由此，本发明并不受所述实施例的限制。附图中相同的附图标记表示相同的部分，并且省略了对相同部件的说明。

图1是用于表示本发明中显示板结构的俯视图。将像素部分101，在扫描线侧的输入端103，以及在信号线侧的输入端104形成在具有绝缘表面的基底100上，其中在像素部分101上具有呈矩阵形式排布的像素102。可根据各种需要来确定像素的数目。如果是XGA的情况下，其可以是1024×768×3(RGB)，而如果是UXGA的情况下，其可以是1600×1200×3(RGB)。在全频高分辨率的情况下，其可以是1920×1080×3(RGB)。

当本发明中显示板是EL显示板时，在扫描线和信号线的交点处以矩阵形式对像素102进行排布。扫描线从位于扫描线侧的输入端103延伸，信号线从位于信号线侧的输入端104延伸。向每个像素102均提供了用于控制与信号线的连接状态的晶体管(在下文中也将该晶体管称为开关晶体管，或者在将TFT当作晶体管使用时也将其称为开关TFT)，以及用于控制向发光元件提供电流的晶体管(在下文中也将该晶体管称为驱动器晶体管，或者在将TFT当作晶体管使用时也将其称为驱动器TFT)，并且将驱动器晶体管与发光元件顺次地连接。

当本发明中显示板是液晶显示板时，同样在扫描线和信号线的交点处以矩阵形式对像素102进行排布。扫描线从位于扫描线侧的输入端103延伸，信号线从位于信号线侧的输入端104延伸。向每个像素102均提供了开关元件以及与开关元件相连接的像素电极。开关元件的典型例子是TFT。当TFT的栅电极与扫描线连接，且TFT的源极和漏极其中之一与信号线连接时，通过来自外部的信号输入，可独立地控制相应的像素。

TFT的主要部件为半导体层，栅极绝缘层和栅电极层，后面是附加部件，例如将与在半导体层上所形成的源极区域或漏极区域连接的配线。作为TFT的结构典型已知的有两种结构。一种是顶部栅极结构，其中从基底侧依序形成半导体层，栅极绝缘层和栅电极层，另一种是底部栅极结构，其中从基底侧依序形成栅电极层，栅极绝缘层和半导体层。在本发明中，可利用任意一种结构。

用于形成半导体层的材料可以是通过汽相生长法或溅射方法、利用以硅烷或锗烷为代表的半导体材料气体所制造出的非晶半导体(下文中也称为AS)，通过利用光能或热能对非晶半导体进行结晶所获得的多晶半导体，半非晶半导体(也称为微晶，并且在下文中为了简略也称为SAS)，或类似物。

SAS具有介乎于非晶半导体和晶状半导体(晶状半导体包括单晶半导体和多晶半导体)之间的中间特性，并具有在自由能中是稳定的第三状态。此外，SAS包括具有近程有序和晶格畸变的结晶区。在一部分SAS薄膜区域中可至少观测到具有0.5到20nm宽度的结晶区，并且如果将硅当作主要成分时，Si-Si连接的喇曼光谱移动到波数低于520cm^-1的一侧。根据X射线衍射，观测到(111)和(220)的衍射峰值，其考虑到了硅晶格的因素。作为不饱和键的终止剂，包括1原子％或更多的氢或卤素。可通过使硅化物气体辉光放电(这种方法涉及等离子CVD方法)而形成SAS。作为硅化物气体，可使用SiH₄，Si₂H₆，SiH₂Cl₂，SiHCl₃，SiCl₄，SiF₄或类似物。此外，可将GeF₄混合到前述气体中。另外，可在气压大约是从0.1到133Pa、电源频率从1到120MHz、优选地是从13到60MHz、基底温度为300℃或更低的条件下，通过2到1000倍的稀释比率，用从由H₂，He，Ar，Kr和Ne所组成的组中所选择出的一个或多个元素，对硅化物气体进行稀释。优选地是在例如氧，氮或二氧化碳的大气成分中，杂质浓度是1×10²⁰原子/cm³或更少。特别地，将氧气浓度设定为5×10¹⁹原子/cm³或更少，优选地是1×10¹⁹原子/cm³或更少。

图1所示的显示板结构中，信号输入到扫描线中，并且通过外部驱动器电路对信号线进行控制。然而，如图2中所示，可将驱动器IC 105和106当作COG(玻璃上的芯片)般的安装在基底100上。此外，可利用单晶半导体基底，或通过玻璃基底上的TFT来形成驱动器IC 105和106。

另外，如果是通过利用SAS而形成提供在像素上的TFT时，可如图3中所示，在基底100上整体地形成扫描线驱动器电路107。

在图27中表示出一个用于形成图案的微滴排出装置的例子。微滴排出装置1403的头1405和1412与控制装置1407相连。通过利用计算机1410对控制装置1407的控制，可写出预先设计的图案。基于标记1411可确定出用于写入的位置，标记1411是形成在基底1400上的参考点。可替换的是，参考点可以是基底1400的边。通过成像装置1404检测该参考点，例如利用了电荷耦合装置(CCD)或互补金属氧化物半导体(CMOS)的图像传感器，并通过成像处理装置1409将该参考点转化为数字信号。然后，通过计算机1410识别该数字信号，以便产生传输给控制装置1407的控制信号。在存储媒介1408中存储将要形成在基底1400上的图案的数据，并基于该数据将控制信号传输给控制装置1407。这样，可对微滴排出装置1403的头1405和1412进行单独地控制。从材料供给装置1413和1414中，将所排出的材料通过传输管提供给头1405和1412。目前在所用的装置中，可以用与通过一个喷墨头分别排出作为EL层的RGB颜色相同的方式，分别排出金属，有机材料，无机材料。因而，如果是排出夹层的绝缘层或类似物的情况下，为了增加生产量，可多重时间的排出同一材料而形成细线。在图27中，微滴排出装置1403中相应的头1405和1412的总长与基底的宽度相同。然而，即使当基底所具有的宽度大于微滴排出装置1403中相应的头1405和1412的总长时，也可通过重复扫描而形成图案。在这种情况下，可将同一图案写在基底的许多部分上，因为可在基底上如由箭头所示的方向上自由地对头1405和1412进行扫描，以便可自由地对在其上写上图案的区域进行设置。

接下来，在下文中对本发明中发光装置的制造处理过程进行说明。

[实施例1]

将一种用于制造底栅极沟道保护类型TFT的方法作为实施例1对其进行说明。

图4A表示利用微滴排出方法，用于形成栅电极层和电容器配线层以及与栅电极层相连接的栅基配线层的处理过程。应注意的是，图4A示意地表示出垂直截面结构，而图12表示与图4A中A-B，C-D，和E-F对应的平面结构。因此，在本实施例中可参考这两幅附图。

可将非碱性玻璃基底、陶瓷基底、具有可经得起在该制造处理过程中温度的耐热性的塑料基底、或类似物当作基底100，其中的非碱性玻璃基底例如是通过熔化法或漂浮法所制造出的硼硅酸钡玻璃，硼硅酸铝玻璃，或硅酸铝玻璃。另外，也可应用例如单晶硅的半导体基底或例如其上具有绝缘层的不锈钢基底的金属基底。另外，作为基底100，可利用具有320mm×400mm，370mm×470mm，550mm×650mm，600mm×720mm，680mm×880mm，1000mm×1200mm，1100mm×1250mm，或1150mm×1300mm尺寸的大尺寸基底。

优选的是，基极层201由例如Ti(钛)，W(钨)，Cr(铬)，Ta(钽)，Ni(镍)，或Mo(钼)等金属材料组成、或者由通过例如溅射方法或汽化方法的方法使其附着在基底100上的氧化物构成。虽然所形成基极层201的厚度可为0.1到10μm，但是由于可将其做得极薄，因此通常不需要多层结构。要注意的是，为了形成具有大粘性的栅电极层而提供该基极层201。当获得了足够的粘性时，可利用微滴排出方法，无需形成基极层201就可在基底100上直接形成栅电极层。此外，可进行大气压等离子处理。另外，不仅在形成栅电极层之前，而且在利用微滴排出方法在有机层，无机层，金属层和类似物上形成导电层的位置处，或是在利用微滴排出方法形成在导电层上的有机层，无机层，金属层和类似物的位置处，为了增强与下层的粘性，以相同的方式进行上述处理。

利用微滴排出方法，通过将包含有导电材料的组合物排出，而在基极层201上形成栅极配线层202，栅电极层203，电容器配线层204和栅电极层205。可将例如Ag，Au，Cu，Ni，Pt，Pd，Ir，Rh，W，Al，Ta，Mo，Cd，Zn，Fe，Ti，Si，Ge，Zr，Ba等金属粒子或分散的纳米级粒子，或者卤化银当作导电材料而对其进行使用。此外，可利用作为透明导电层的ITO(氧化铟和氧化锡的合金)、包含有氧化硅的ITO、有机铟、有机锡、氧化锌(ZnO)、氮化钛(TiN)、或类似物。由于栅极配线层202最好具有低阻抗，因此优选的是利用由于其阻抗在溶剂中溶解或散开的金，银和铜中的任意一种。更好的是利用银或铜，因为在它们中上述两种材料具有低阻抗。然而，如果利用银或铜，需另外形成阻挡膜，以便防止杂质分裂。当用铜作配线时，则利用微滴排出方法形成包括氮的绝缘材料或导电材料，将其作为阻挡膜，例如氮化硅，氧氮化硅，氮化铝，氮化钛，或氮化钽。溶液相当于例如醋酸丁酯的酯，例如异丙醇的醇，例如丙酮的有机溶液或类似物。通过调整溶液浓度，或者通过添加表面活性剂或类似物，对表面张力和粘度进行适当地调整。

利用微滴排出方法所应用的组合物粘度优选的是从5到20mPa·s，以便防止组合物的干燥，并使组合物易于从喷嘴排出。表面张力优选的为40N/m或更小。根据溶剂以及应用，可对组合物的粘度以及类似性能进行适当地调整。例如，在ITO，包括氧化硅的ITO，有机铟，或有机锡在溶剂中是溶解的或是分散的情况时，组合物具有5到20mPa·s的粘度，在银在溶剂中是溶解的或是分散的情况时，组合物具有5到20mPa·s的粘度，而在金在溶剂中是溶解的或是分散的情况时，组合物具有10到20mPa·s的粘度。

虽然导体粒子的直径依赖于喷嘴的直径或预期图案形状，但优选的是导体粒子具有小直径，以便防止堵塞喷嘴，并可制造出细小图案。具体的，导体粒子的直径优选的大约为0.1μm或更小。当通过已知方法，例如电解法，雾化方法，或湿氧化还原滴定法，而形成该组合物时，粒子的尺寸大小通常在大约0.5到10μm的范围内。另一方面，当通过汽相蒸发法而形成该组合物时，每个由分散剂所保护的纳米粒子具有大约7nm的尺寸大小。另外，当用涂层剂覆盖每个纳米粒子表面时，在室温下溶剂中的纳米粒子不是聚集的，而是均匀的分散在溶剂中，并由此该溶剂表现出与液体相似的性能。由此，优选的是使用涂层剂。

在降压下可进行用于排放组合物的处理过程。这是由于在排出该组合物之后且在其落到加工表面之前，可省略或缩短干燥和烘干的后续处理，而这是由该组合物溶剂的挥发所造成的。在排出微滴之后，通过激光束的照射、快速加温退火、加热炉或类似的方式，可在常压或低压下进行干燥和烘干处理中之一或进行上述两个处理步骤。虽然干燥和烘干均属于热处理过程，但它们的目的，温度及时间分别是不同的。具体地，在100℃进行3分钟的干燥处理，在200到350℃进行15到120分钟的烘干处理。为了良好地进行干燥和烘干处理，可以用100到800℃的温度对基底进行预加热，虽然温度是由基底材料或类似因素所决定的，但最好是用200到350℃的温度进行预加热。这个处理步骤使微滴中的溶剂挥发，或在化学性质上清除了扩散剂，从而使边缘树脂得到固化和收缩，并可加速融解和焊接。大气是指含氧的大气，含氮的大气，或空气。然而，最好是利用含氧的大气，因为在这种条件下金属元素很容易得到分解或很容易清除已分散的溶剂。

可通过利用连续波或脉冲波，气体激光器或固态激光器来进行激光照射。如果是气体激光器可使用激发物激光器或类似装置。如果是固态激光器，则可使用利用了例如YAG，YVO₄，GdVO₄或类似物晶体的激光，而上述晶体中每一个均搀杂有Cr，Nd，或类似物。值得注意的是连续波激光最好考虑到激光束的吸收率。此外，可利用混合激光照射方法，在其中将连续波激光与脉冲波激光一起使用。然而，当基底不具有足够的耐热性时，利用激光照射的热处理最好仅进行几微秒到数十秒的时间。以下述方式进行快速加温退火(RTA)，即在惰性环境下利用可发出在从紫外线到红外线范围内光的红外线灯或卤素灯，以便快速地提升温度，从而可在几微秒到几分钟的时间内瞬间增加热量。由于这种处理可瞬间增加热量，因此并不会影响到薄膜较低部分，就可基本上仅对薄膜的上部进行加热。

虽然在本实施例中利用微滴排出方法来形成栅极配线层202和电容器配线层204，但是也可利用等离子CVD方法或溅射方法来形成上述结构。

接下来，如图4B中所示，在栅极配线层202，栅电极层203，电容器配线层204，以及栅电极层205上，排放或涂覆作为抗蚀剂掩模材料的感光树脂206。在涂覆感光树脂206时，可利用自旋涂料器，狭缝涂料器或类似设备。可将负感光树脂或正感光树脂当作感光树脂206，其中负感光树脂或正感光树脂的感光范围是在从紫外到红外的范围内。在本实施例中使用的是负感光树脂。

接下来，在移动基底或激光的情况下，利用激光成像系统207，用激光束208对感光树脂206进行照射而形成图案。

这里可参考图33对激光成像系统进行说明。如图33中所示，激光成像系统2001包括个人计算机(在下文中称之为PC)2002，用于在照射激光时进行各种控制；激光振荡器2003，用于输出激光束；激光振荡器2003的电源2004；光学系统(ND滤光器)2005，用于衰减激光束；声光调制器(AOM)2006，用于对激光束强度进行调制；光学系统2007，其包括用于扩大或收敛激光束横断面的透镜，用于改变激光束光路的反射镜，以及类似的装置；具有X和Y平台的基底移动机构2009；用于对PC所输出的控制数据进行数字/模拟转换的D/A转换器2010；驱动器2011，用于根据由D/A转换器所输出的模拟电压来对声光调制器2006进行控制；以及驱动器2012，用于输出驱动基底移动机构2009的驱动信号。

作为激光振荡器2003，可使用能振荡出紫外线光，可见光，和红外线光的激光振荡器。作为激光振荡器2003，可使用利用了从由KrF，ArF，KrF，XeCl，Xe及类似物组成组中所选出的气体的准分子激光振荡器；也可使用利用了从He，He-Cd，Ar，He-Ne，HF及类似物组成组中所选出的气体的气体激光振荡器；还可使用利用了例如YAG，GdVO₄，YVO₄，YLF，或YAlO₃晶体的固态激光振荡器，上述晶体中每一种均可搀杂Cr，Nd，Er，Ho，Ce，Co，Ti，或Tm；也可使用利用了GaN，GaAs，GaAlAs，InGaAsP或类似物的半导体激光振荡器。当使用固体激光时，最好利用基波中的第二谐波到第五谐波。

下面对利用激光成像系统使感光材料曝光的方法进行说明。当将基底2008装载在基底移动机构2009上时，PC2002利用摄影机对形成在基底上的掩模进行探测，这在图中未示出。接下来，PC2002产生移动数据，用于基于预先输入的图像图案数据及所探测到的掩模位置数据来移动基底移动机构2009。然后在光学系统2005对由激光振荡器2003所发射的激光束进行衰减后，PC2005对声光调制器2006进行控制，以便发射出预定量的光，以此方式对发光量进行控制使其达到预定量。在此之后，通过光学系统2007，改变由声光调制器2006所发射出的激光光路和激光束形状，然后，利用透镜对该激光束进行汇聚。之后，通过利用激光束对其的照射，使基底上所涂覆的感光材料曝光。在这个时候，基于由PC2002所产生的移动数据，基底移动机构2009在X方向及Y方向上进行移动。结果，用激光束对预定区域进行照射，并由此使感光材料曝光。

在被曝光之后，对感光材料进行显影。由此，如图5A中所示，将由激光束所照射的区域变成了抗蚀剂掩模209。由于这里使用的是负感光树脂，因此由激光束所照射的区域变成了抗蚀剂掩模。在抗蚀剂中将一部分激光束能量转换为热能，从而与一部分抗蚀剂起反应，并由此使该抗蚀剂掩模的宽度比激光束宽度小。当对激光束进行汇聚时，激光束波长越短，光束直径就越小。由此，为了形成具有细小宽度的抗蚀剂掩模，最好所照射的激光束具有短波长。

通过光学系统，在感光树脂表面上的聚束点可以是点形，圆形，椭圆形，矩形，或线形(严格意义上为长条形)。虽然该聚束点可以圆形的，但因为线性的聚束点可形成具有均匀宽度的抗蚀剂掩模，所以线性的聚束点是最好的。

虽然所说明的是用激光束对基底表面照射的情况，但也可通过改变光学系统2007和基底移动机构2009及适当装置，由基底的背面照射出激光束。

不仅可通过移动基底，也可通过在X-Y方向上移动激光束，来选择性地进行激光照射。在后面的情况中，最好在光学系统2007中利用光学多面体，振动子反射镜，或声光偏转器。此外，可通过在X方向和Y方向中之一的方向上对激光束进行扫描并在另一个方向上移动基底，将激光束照射到基底的预定位置上。

然后，利用已知技术，例如通过使用抗蚀剂掩模209(图5B)的湿刻蚀或干刻蚀，对栅电极层203和栅电极层205进行刻蚀。接着清除抗蚀剂掩模。由此，如图5C中所示，可形成具有狭窄宽度的栅电极层203和205。

之后，希望仅进行下述两个处理步骤中的一个，对露在表面上的基极层201进行处理。

一个处理步骤是使一部分基极层201绝缘从而形成绝缘层210，其中所述的这一部分基极层201与栅极配线层202，栅电极层203和205，以及电容器配线层204不重叠(参看图5)。换而言之，对与栅极配线层202，栅电极层203和205，以及电容器配线层204不重叠的基极层201部分进行氧化，从而形成绝缘体。由此，在通过氧化作用对基极层201进行绝缘处理的情况下，为了易于氧化，基极层201最好具有从0.1到10nm的厚度。可利用在氧气大气的情况中使基底曝光的方法或利用热处理，而进行氧化处理。

另一个处理步骤是将栅极配线层202，栅电极层203和205，以及电容器配线层204当作掩模，把基极层201刻蚀掉。如果利用这个处理步骤，则不对基极层201的厚度进行限制。

之后，利用CVD方法或溅射方法，在单层结构或多层结构中形成栅极绝缘层211(参看图6A)。特别优选的是，栅极绝缘层211是具有三层的多层结构：由氮化硅所构成的绝缘层212；由氧化硅所构成的绝缘层213；和由氮化硅所构成的绝缘层214。应该注意的是，为了在低成膜温度下形成具有低栅极漏电流的高密度绝缘层，反应气体可包括例如Ar的惰性气体元素，并且可将该反应气体混合到将要成形的绝缘层中。当与栅极配线层202，栅电极层203和205，以及电容器配线层204相接触的绝缘层212是由氮化硅或氮氧化硅所构成的时候，由于氧化作用引起的变质可得以防止。另外，当与栅极配线层202，栅电极层203和205，以及电容器配线层204相接触的绝缘层212是由NiB(硼化镍)所构成的时候，表面可以是很平滑的。

接下来，形成半导体层215。半导体层215是由AS或SAS所构成的，其中AS或SAS是通过利用了以硅烷或锗烷为代表的半导体材料的汽相生长法或溅射方法所制造出的。作为汽相生长法，可利用等离子-CVD法和热CVD法。

当利用等离子CVD法时，使用属于半导体材料气体的SiH₄与H₂的混合气体、或SiH₄气体而形成AS。当通过从3到1000倍的H₂对SiH₄进行稀释而制备混合气体时，或当通过Si₂H₆∶GeF₄＝20到40∶0.9的稀释比例用GeF₄对Si₂H₆进行稀释时，可获得Si的合成比例为80％或更高的SAS。特别地，由于半导体层215可具有来自于半导体层215和基极层之间分界面的结晶度，所以后一种情况是优选的。

利用等离子CVD方法或溅射方法将绝缘层216形成在半导体层215上。如以下步骤中所述，该绝缘层216位于栅电极层203和205上的半导体层215的左侧，其作为沟道保护层。由此，绝缘层216最好由致密膜构成，以便防止半导体层215受外部杂质污染，例如金属或有机材料，并保持绝缘层216和半导体层216之间分界面的干净。最好是利用氮化硅薄膜，因为即使在100℃或更低的热离解温度下也可形成致密的氮化硅薄膜，其是根据辉光放电分解方法通过100到500倍的氩或类似物对硅化物气体进行稀释而形成的。如果有必要的话可在其上形成另一个绝缘薄膜。

连续地进行下述步骤，即形成栅极绝缘层211上，直到形成不暴露在大气中的绝缘层216，这是有可能的。换而言之，可不受大气成分和大气中悬浮污染元素的污染，形成薄片层之间的每个分界面，并由此可降低TFT之间的特性变化。

然后，通过选择性地将组合物排放到栅电极层203和205上的绝缘层216上，而形成掩模层217(参看图6A)。利用例如环氧树脂，丙烯酸树脂，酚醛树脂，酚醛清漆树脂，密胺树脂，或聚氨酯树脂的树脂材料来形成掩模层217。另外，可使用微滴排出方法，利用例如苯并环丁烯(benzocyclobutene)，聚对二甲苯基，闪光或光透射聚酰亚胺的有机材料，由硅氧烷基聚合物或类似物的聚合作用而制得的化合物材料，包括水溶性均聚物和水溶性共聚物的化合物材料，或类似物来形成掩模层217。另外，可利用包括感光剂的民用抗蚀剂材料。例如，可使用属于典型的正类型抗蚀剂、作为感光剂的、酚醛清漆树脂和萘醌(naphthoquinonedi)叠氮化合物的化合物和属于作负类型抗蚀剂的基础树脂，联苯硅烷二醇(diphenylsilane diol)，酸代剂(acid generation agent)以及类似物。在利用上述任意一种材料时，通过调整溶剂浓度或者通过添加表面活性剂或类似物的方式，对表面张力和粘度进行适当地调整。

利用掩模层217对绝缘层216进行刻蚀，并且形成具有沟道保护层功能的绝缘层218。通过清除掩模层217而在半导体层215和绝缘层218上形成n型半导体层219。可通过利用硅烷气体和磷化氢气体而形成n型半导体层219，并且该n型半导体层219可由AS或SAS构成。

然后，利用微滴排出方法，在n型半导体层219上形成掩模层220(参看图6B)。利用该掩模层220对n型半导体层219和半导体层215进行刻蚀，并形成半导体层221和n型半导体层222(参看图6C)。在这种情况下，通过精确地形成掩模层220，可使TFT最小化，其中是利用激光束使感光树脂曝光而形成掩模层220的。值得注意的是，图6C示意性地表示出垂直横截面结构，而图13表示出相当于图6C中A-B，C-D，E-F的平面结构。由此，在本实施例中同时参看上述两个附图。

随后，清除掩模层220。

接下来，利用刻蚀处理步骤在栅极绝缘层211的一个部分上形成通孔223，并使形成在栅极绝缘层211下面的栅电极层205部分地曝光(参看图7A)。通过利用上述微滴排出方法所形成的掩模，可进行刻蚀处理步骤。可在刻蚀处理中使用等离子刻蚀或湿刻蚀。等离子刻蚀适合于处理大尺寸基底。将氟基或氯基气体当作刻蚀气体而对其进行使用，例如CF₄，NF₃，Cl₂或BCl₃，并可将He或Ar适当地添加到上述气体中。另外，当使用大气压放电的刻蚀处理时，局部放电处理也是可能的，并且没有必要在基底的整个表面上形成掩模。

然后，排出或涂覆用于形成微滴脱落表面的溶剂。作为用于形成微滴脱落表面的溶剂组合物的例子，可利用由化学式：R_n-Si-X_(4-n)(n＝1，2，3)所表示的硅烷偶联剂。值得注意的是，R包括比较不活泼的基团，例如烷基基团。此外，X包括水解的基团，其可通过收缩方式与在基底表面上的羟基或吸附水相耦合。例如，该水解的基团是卤素，甲氧基，乙氧基和醋酸基，或类似物。

通过利用具有作为R的氟烷基的萤石硅烷偶联剂(氟代烷基硅烷(FAS))，可提高微滴脱落性能，其中氟代烷基是硅烷偶联剂的典型例子。FAS的氟烷基R具有(CF₃)(CF₂)_x(CH₂)_y结构，其中x大于0小于10，y大于0小于4。当若干个R或者若干X与Si耦合时，所有的R或者所有的X可以是相同或也可以是不同的。典型的FAS是氟代烷基硅烷(在下文中称之为FAS)，例如，七氟四氢化癸基三乙氧基甲硅烷(heptadefluorotetrahydrodecyltriethoxysilane)，十七氟四氢化癸基三氯甲烷硅(heptadecafluorotetrahydrodecyltrichlorosilane)，十三氟四氢化辛基三氯甲烷硅(tridecafluorotetrahydrooctyltrichlorosilane)和三氟正丙基三甲氧基甲硅烷(trifluoropropyltrimethoxysilane)。

这里用于形成微滴脱落表面的溶液的溶剂是烃基溶剂，例如正戊烷，正己烷，正庚烷，正辛烷，正癸烷，双环戊烷(dicyclopentane)，苯，甲苯，二甲苯，四甲苯，茚，四氢化萘，十氢化萘，和三十碳六烯；以及四氢呋喃。

另外，作为用于形成微滴脱落表面的溶液的组合物例子，可利用具有氟-碳链(氟化树脂)的材料。可将聚四氟乙烯(PTFE；4-氟化乙烯树脂)，全氟烷氧基链烷(PFA；4-氟化乙烯全氟烷基乙烯基醚共聚物树脂)，全氟乙丙烯共聚物(PFEP；4-氟化乙烯6-氟化丙烯共聚物树脂)，乙烯-四氟乙烯共聚物(ETFE；4-氟乙烯-乙烯共聚物树脂)，聚偏1，1-二氟乙烯(PVDF；氟化亚乙烯基树脂)，聚氯三氟乙烯(PCTFE；3-氟化氯乙烯树脂)，乙烯-氯三氟乙烯共聚物(ECTFE；3氟化氯乙烯-乙烯共聚物树脂)，聚四氟乙烯-全氟间二氧杂环戊烯共聚物(TFE/PDD)，聚氟乙烯(PVF；氟化乙烯基树脂)，或类似物作为氟化树脂对其进行使用。

之后，当利用乙醇对在其上涂覆了用于形成微滴脱落表面的溶剂的表面进行清洗时，可形成用于形成微滴脱落表面224、厚度极薄的层(参看图7B)。

然后，出于曝光的目的，从基底背面的面照射出紫外线激光。在这个时候，由于栅极配线层202，栅电极层203，电容器配线层204和栅电极层205对激光有所阻挡，因此没有使其上所提供的用于形成微滴脱落表面224的层曝光。结果，形成微滴脱落表面224的层还残留在栅极配线层202，栅电极层203，电容器配线层204和栅电极层205上，而其他区域成为微滴吸引表面。然后，将紫外线激光选择性地从基底前面的面照射到在电容器配线层204，和一个栅电极层205上的区域中。形成微滴脱落表面224的层仅残留在必要部分上(参看图7C)。

在本实施例中，对完全地形成用于形成微滴脱落表面224的层、及之后选择性照射激光的方法进行了说明，然而，可利用通过利用抗蚀剂掩模和喷墨方法中的任意一种而使选择性形成用于形成微滴脱落表面的层的方法，或者利用选择性形成用于形成微滴脱落表面的层并选择性进行照射激光的方法。

之后，利用微滴排出方法，通过选择性地排出包含有导电材料的组合物，而形成源极和漏极配线层225到229(参看图8A)。这时，由于在栅电极层203和205上的n型半导体层219具有微滴脱落表面，因此可以以自动调心的方式对在源极配线和漏极配线之间的区域230进行控制。

可清除具有微滴脱落性能的极薄薄膜260，也可不对其进行清除。在本实施例中，当在上述步骤中对n型半导体层219进行刻蚀时，清除具有微滴脱落性能的极薄薄膜260。

图8A到8C示意性地表示出对图14和15中平面结构沿A-B，C-D，和E-F线剖开所得的垂直截面结构。如图14中所示，形成源极配线层225和漏极配线层226的同时，形成由基底100末端所延伸出的信号配线层250，这样使源极和漏极配线层能与信号配线层250电连接。此外，通过形成在栅极绝缘层211中的通孔223，将源极和漏极配线层226与栅电极层205电连接。可将在其中主要包含有例如Ag(银)，Au(金)，Cu(铜)，W(钨)或Al(铝)金属粒子的组合物当作导电材料，对其进行利用使之形成上述配线层。此外，可将光透射氧化铟锡(ITO)，包括氧化铟锡和氧化硅的有机铟，有机锡，氧化锌，氮化钛和类似物进行合成。

然后，将源极和漏极配线225到229作为掩模，通过对绝缘层218上的n型半导体层219进行刻蚀，而形成用于形成源极和漏极区域的n型半导体层231和232(参看图8B)。

通过选择性地排出包含有导电材料的组合物，而形成相当于像素电极的第一电极233，以便使其与源极和漏极配线层229电连接(参看图8C)。要注意的是，图8C示意性地表示出对图15中平面结构沿A-B，C-D，和E-F线剖开所得的垂直截面结构，因此可同时参考图8C和15。通过上面所述的步骤，形成开关TFT234，驱动器TFT235，和电容器部分236。

利用微滴排出方法制造底部发射类型EL显示板的情况中，利用组合物形成预定图案，并在这之后进行退火，以此方式形成相当于像素电极的第一电极233，其中该组合物包括氧化铟锡(ITO)，包含有氧化硅的氧化铟锡(ITSO)，氧化锌，氧化锡(SnO₂)，或类似物。

优选地，通过溅射方法，由氧化铟锡(ITO)，包含有氧化硅的氧化铟锡(ITSO)，或类似物来构成第一电极233。更好的是，通过溅射方法，利用靶电极而形成包含有氧化硅的氧化铟锡，其中在靶电极中是用2到10wt％的氧化硅混合到ITO中。此外，可利用导电的氧化材料，在该导电氧化材料中，将2-20wt％的氧化锌(ZnO)混合到铟中。在利用溅射方法形成了第一电极233之后，可利用微滴排出方法形成掩模层，并之后可通过使用该掩模层所进行的刻蚀，形成与源极和漏极配线层229电连接的第一电极233。作为本发明的优选实施例，所形成的、由包含有氧化硅的氧化铟锡所构成的第一电极233，与包括在栅极绝缘层211中的、由氮化硅所构成的绝缘层214紧密接触。根据这种结构，有可能获得以下有益效果，即可增加发射到外部的光与在EL层中所产生的光之间的比例。

如果在将发光到与基底100相对的面的结构中，也就是为顶部发射类型EL显示板，可将主要包含有例如Ag(银)，Au(金)，Cu(铜)，W(钨)或Al(铝)金属粒子的组合物用作第一电极233的材料。而另一方法是，可以通过以下方式形成第一电极层，即利用溅射方法形成透明的或光反射导电薄膜，利用微滴排出方法在其上形成掩模图案，并然后利用该掩模图案对其进行刻蚀处理。

另外，在整个基底上形成由氮化硅或氮氧化硅所构成的保护层247和绝缘层248。在利用旋涂法或浸染法在基底上形成绝缘层248之后，通过刻蚀处理在其中形成开口。在该处理步骤中，通过同时对保护层247和在绝缘层248之下的栅极绝缘层211进行刻蚀处理，使第一电极233和栅极配线层202暴露出来。当利用微滴排出方法来形成绝缘层248时，通常不需要上述刻蚀步骤。当变成开口的区域具有微滴脱落表面时，可以以自动调心的方式形成该开口。

根据第一电极233的位置来形成开口，以此方法形成绝缘层248。该绝缘层248可由无机绝缘材料构成，例如氧化硅，氮化硅，包含有氮的氧化硅，氧化铝，氮化铝，或包含有氮的氧化铝；也可由丙烯酸，异丁烯酸，或其衍生物构成；以及可由具有耐热性的高分子材料构成，例如聚酰亚胺，芳族聚酰胺，或聚苯并咪唑；也可由包含Si-O-Si键的无机硅氧烷、或者有机硅氧烷绝缘材料构成，其中利用有机基替代硅氧烷上的氢，而该有机基是例如在由硅，氧，和通过将硅氧烷基材料当作初始材料而形成的氢所组成的化合物中的甲基或苯基。优选地是，该绝缘层248由感光材料和非感光材料构成，例如丙烯酸或聚酰亚胺，因为可形成具有曲率连续变化截面形状的开口，从而在上层中所形成的薄膜不会由于阶梯状而遭到破损。

通过上面所述的步骤，完成了用于EL显示板的TFT基底200，其中在基底100上底部栅极类型(也将其称之为可逆错开类型)TFT与第一电极相连。

在形成EL层237之前，在大气压下，以200℃进行热处理，以便消除在绝缘层248中或在其表面上所吸附的水分。另外，以从200到400℃的温度进行热处理，优选地是在低压下以从250到350℃的温度进行热处理。最好利用真空蒸发法，或利用在低压下的微滴排出方法，且不使其暴露在大气中，而形成EL层237。

另外，可通过将第一电极233表面暴露给氧等离子体，或通过用紫外线光对其表面进行照射的方式，进行附加的表面处理。在EL层237上形成第二电极237，从而形成发光元件239。该发光元件239与驱动器TFT235相连。

随后，利用密封基底241，形成了用于密封的密封材料240。在此之后，可将弹性配线基底250与栅极配线层202连接。并对信号配线层也采取同样的做法(参考附图9)。

按照上面的处理过程，可制造出具有底部栅极沟道保护类型TFT的发光装置。

【实施例2】

参考图10A到10C，将一种用于制造底部栅极沟道刻蚀类型TFT的方法作为实施例2对其进行说明。

在基底100上排放包含有导电材料的组合物，从而形成栅极配线层202，栅电极层203，电容器配线层204，和栅电极层205。接下来，向其排放或涂覆感光树脂，并利用激光束对该感光树脂进行照射，以便形成抗蚀剂掩模。通过利用该抗蚀剂掩模进行刻蚀的方式，对栅电极层203和栅电极层205进行精细地处理。然后，清除该抗蚀剂掩模。接下来，利用等离子CVD方法或溅射方法，形成单层结构或多层结构的栅极绝缘层211。特别优选地是，栅极绝缘层211具有包含三层的多层结构：由氮化硅构成的绝缘层；由氧化硅构成的绝缘层；和由氮化硅构成的绝缘层。另外，形成当作活性层的半导体层215。以上处理步骤与在实施例1中的处理步骤相同。

在半导体层215上形成n型半导体层219(参看图10A)。然后，通过将组合物选择性地排放到n型半导体层219上，而形成掩模层302。随后，利用掩模层302，同时对半导体层215和n型半导体层219进行刻蚀，从而将它们转化为岛型。这时，通过以利用激光束使感光树脂曝光的方式而精确地形成掩模层302，可使TFT最小化。

然后，清除掉该掩模层302。

随后，在排放或涂覆了用于形成微滴脱落表面的溶液之后，利用乙醇对其进行清洗。然后，为了将栅电极层203和栅电极层205当作掩模，从基底背面进行曝光，以便部分地形成n型半导体层219中的微滴脱落表面。

之后，利用微滴排出方法，选择性地排出包含有导电材料的组合物，以便形成源极和漏极配线层225，226，228，和229(参考图10B)。此时，由于电极203和205上n型半导体层219中具有微小的微滴脱落表面，因此可以以自动调心的方式，对在源极和漏极配线之间的空间230进行精确地控制。紧接着，通过将源极和漏极配线层225，226，228，和229当作掩模，对n型半导体层219进行刻蚀，从而形成n型半导体层231和232。由于对n型半导体层219和半导体层215进行选择性刻蚀是相当困难的，因此在同一处理步骤中，也对半导体层303中用于形成沟道的部分303进行刻蚀。此外，在该刻蚀处理之前，也可以与实施例1中相同的方式进行另一个刻蚀处理，从而在栅极绝缘层211的一部分上形成通孔223，并使在通孔223下面位置的一部分栅电极层205暴露出来。通过进行上述处理，可将源极和漏极配线层226与栅电极层205连接(参看图10C)。

然后，通过排放包含有导电材料的组合物的方式来形成第一电极233，以便将第一电极233与源极和漏极配线层229电连接(参看图10C)。在此之后，象在实施例1中一样也形成保护层247，绝缘层248，EL层237，以及第二电极238。然后，在那里形成密封材料240，并将密封基底241用于密封。随后，可将弹性配线基底251与栅极配线层202连接。

按照上述处理，可制造出具有底部栅极沟道刻蚀类型TFT的发光装置。

值得注意的是，微滴脱落性能和微滴吸引性能之间的差异可通过润湿性的差异来表示，其在微滴脱落区域和微滴吸引区域之间是具有相关关系的。对于包含有导电材料的组合物来说，形成有半导体元件的区域和与其相邻的、未形成有半导体元件的区域之间，在湿润度上存在差异。而存在湿润性差异的区域也就意味着，在该区域中该区域表面与包含有导电材料的组合物之间的接触角是不同的。相对于包含有导电材料的组合物来说具有大接触角的区域具有较低的湿润性，而相对于包含有导电材料的组合物来说具有小接触角的区域具有较高的湿润性。当接触角大时，液态中流体成分并不分布在该区域的表面上，而是从该表面流出，由此，该组合物并没有浸润该表面。反之，当接触角小时，流体成分分布在该区域的表面上，并很好地浸润该表面。由此，具有不同湿润性的区域具有不同的表面能。具有低湿润性的区域其表面能也低，而具有高湿润性的区域其表面能高。在本发明中，具有不同湿润性区域间的接触角差异为30°或更多，优选的是40°或更多。

【实施例3】

将一种用于制造底部栅极沟道保护型TFT的方法作为实施例3对其进行说明。

图47A表示出一种用于在基底3100上形成栅电极层、以及与该栅电极层相连的栅极配线层的方法。值得注意的是，图47A示意性地表示出截面结构，而图56表示出符合图47A中线A-B和C-D的平面结构。因此，可同时参看上述两幅附图。

可将玻璃基底，陶瓷基底，在制造处理中可耐热的塑料基底或类似物质用作基底3100，其中玻璃基底由利用熔化法或漂浮法所制造出的非碱性玻璃构成，例如，硼硅酸钡玻璃，硼硅酸铝玻璃，或硅酸铝玻璃。另外，也可利用例如单晶硅的半导体基底，或例如其表面上形成有绝缘层的不锈钢基底的金属基底。基底3100可具有大尺寸，例如，320mm×400mm，370mm×470mm，550mm×650mm，600mm×720mm，680mm×880mm，1000mm×1200mm，1100mm×1250mm，或1150mm×1300mm。

优选地利用例如溅射方法或蒸发法，将基极层3201形成在基底3100上，其中基极层3201由从Ti(钛)，W(钨)，Cr(铬)，Ta(钽)，Ni(镍)，和Mo(钼)组成的组中所选出的一种金属构成，或由它们的氧化物构成。所形成的基极层3201厚度可为0.1到10nm。由于所形成的基极层非常薄，因此通常基极层不需要具有多层结构。为了形成具有足够粘性的栅电极层而提供该基极层3201。因此，当可获得足够粘性时，就无需形成基极层3201，仅利用微滴排出方法就可将栅电极层形成在基底3100上。替代微滴排出方法，也可进行大气等离子处理。此外，如果利用微滴排出方法在有机层，无机层和金属层上形成导电层时，或者如果在利用微滴排出方法所形成的导电层上形成有机层，无机层和金属层时，为了增加其与下层的粘性，也可进行相同的处理步骤。

按照微滴排出方法，可通过排放包含有导电材料的组合物，将栅基配线层3202，栅电极层3203和电容器配线层3204形成在基极层3201上。作为用于形成上述层的导电材料，可以使用从由Ag，Au，Cu，Ni，Pt，Pd，Ir，Rh，W，Al，Ta，Mo，Cd，Zn，Fe，Ti，Si，Ge，Zr，Ba和类似物组成的组中所选出的金属；由上述元素构成的合金；卤化银微粒；或分散的纳米粒子。另外，也可使用当作透明导电膜的ITO(氧化铟和氧化锡的合金)，包含有氧化硅的ITO，有机铟，有机锡，氧化锌(ZnO)，氮化钛(TiN)，或类似物。特别地，由于栅电极层最好具有低阻抗，因此最好是利用这样一种溶剂，考虑到电阻率，在其中溶解或扩散有金，银，和铜中的任意一种，并且优选地是利用具有低阻抗的银或铜。然而，当以杂质为标准作评价时，可在组合中形成阻挡层。如果用铜作配线时，阻挡层可以利用微滴排出方法，由包含有氮的绝缘或导电材料构成，例如氮化硅，氧氮化硅，氮化铝，氮化钛，或氮化钽。溶剂可以是有机溶剂：例如醋酸丁酯的酯类；例如异丙醇的醇类；或丙酮。通过调整溶剂浓度，或通过添加表面活性剂或类似物，来适当地调整表面张力和粘度。

通过微滴排出方法所涂覆的组合物粘度最好大于5mPa·s且小于20mPa·s，以便防止组合物干燥，并可通过喷嘴顺畅地排出该组合物。表面张力最好为40N/m或更小。根据所使用的溶剂或预定目的，对组合物的粘度进行适当地调整。比如，在溶剂中溶解或扩散有ITO，包含有氧化硅的ITO，有机铟或有机锡的组合物粘度在5到20mPa·s的范围内，而在溶剂中溶解或扩散有金的组合物粘度在10到20mPa·s的范围内。

虽然导电体微粒的直径由喷嘴直径或预期图案形状所决定，但优选地是导电体微粒的直径很小，以便防止喷嘴的堵塞，并可制造出微型图案。具体的，导电体微粒的直径最好大约为0.1μm或更小。利用已知方法，例如电解法，原子法或湿泻法，形成该组合物。微粒的尺寸通常在大约0.5到10μm的范围内。然而，当利用气相蒸发法制备该组合物时，每个受分散剂保护的纳米粒子其尺寸大约如7nm一样小。另外，当利用涂层剂涂覆每个纳米粒子表面时，室温下溶剂中的纳米粒子彼此并不聚集，而是均匀地散布在溶剂中，由此表现出类似水状流体的状态。因此最好使用涂层剂。

可在低压下进行排放组合物的操作。这是因为在排出组合物之后且在其到达处理目标前可省略或缩短随后的干燥和烘干处理，而这是由组合物溶剂的挥发性所造成的。排出溶剂之后，通过激光束照射，快速加温退火，加热炉或类似做法，可在常压或低压下进行干燥和烘干中之一或两个都进行。虽然干燥和烘干均属于热处理过程，但它们的目的，温度及时间分别是不同的。具体地，在100℃进行3分钟的干燥处理，而在200到350℃进行15到120分钟的烘干处理。为了良好地进行干燥和烘干处理，可以用100到800℃的温度对基底进行预加热，虽然温度是由基底材料等所决定的，但最好是用200到350℃的温度。这个处理步骤使溶液中的溶剂得以挥发，或在化学性质上清除了扩散剂，从而使边缘树脂得到固化和收缩，并可加速融解和焊接。大气是指含氧的大气，含氮的大气，或空气。然而，最好是利用含氧的大气，因为在这种条件下金属元素很容易得到分解，或很容易清除已分散的溶剂。

可通过利用连续波或脉冲波，气体激光器或固态激光器来进行激光照射。如果是气体激光器就使用激发物激光器或类似装置。如果是固态激光器，则使用利用了例如YAG，YVO₄，GdVO₄或类似物晶体的激光，而上述晶体中每一个均搀杂有Cr，Nd，或类似物。值得注意的是连续波激光最好考虑到激光束的吸收率。此外，可利用混合激光照射方法，其中将连续波激光与脉冲波激光一起使用。然而，当基底不具有足够的耐热性时，利用激光照射的热处理最好仅进行几微秒到数十秒。以下述方式进行快速加温退火(RTA)，即在惰性环境下利用可发出紫外线到红外线范围内光的红外线灯或卤素灯，以便快速地提升温度，从而可在几微秒到几分钟的时间内瞬间增加热量。由于这种处理可瞬间增加热量，因此并不会影响到薄膜较低部分，就可基本上仅对薄膜的上部进行加热。

虽然在本实施例中利用微滴排出方法来形成栅极配线层和电容器配线层，但是也可利用等离子CVD方法或溅射方法来形成上述结构。

接下来，如图47B中所示，将作为抗蚀剂掩模材料的感光树脂3205排放到或涂覆在栅极配线层3202，栅电极层3203，以及电容器配线层3204上。在涂覆感光树脂3205时，可利用自旋涂料器，狭缝涂料器或类似设备。可将负感光树脂或正感光树脂当作感光树脂，它们的感光范围都是在从紫外到红外的范围内。

接下来，在移动基底或激光的情况下，利用激光成像系统3206，用激光束3207对感光树脂3205进行照射，形成图案(图47C)。

结果，将激光束照射到预定位置。这样如图48A中所示，使感光材料曝光并使其显影，并在激光束所照射的区域中形成抗蚀剂掩模3208。由于这里使用的是负感光树脂，因此由激光束所照射的区域变成了抗蚀剂掩模。由于在抗蚀剂中将一部分激光束能量转换为热能，从而与一部分抗蚀剂起反应，因此使该抗蚀剂掩模的宽度比激光束宽度稍大一点。此外，当对激光束进行汇聚时，激光束波长越短，光束直径就越小。由此，为了形成具有细小宽度的抗蚀剂掩模，最好所照射出的激光束具有短波长。

通过该光学系统，在感光树脂3205表面上的聚束点可以是点形，圆形，椭圆形，矩形或线形(严格意义上为长条形)。虽然该聚束点可以圆形的，但因为线性的聚束点可形成具有均匀宽度的抗蚀剂掩模，所以线性的聚束点是最好的。

然后，利用已知方法，例如干刻蚀或湿刻蚀，使用抗蚀剂掩模3208(图48B)，对栅电极层3203进行刻蚀。由此，如图48C中所示，可形成具有狭窄宽度的栅电极层3203。

接下来，希望仅进行下述两个处理步骤中的一个，对露在表面上的基极层3201进行处理。

一个处理步骤是使与栅极配线层3202，栅电极层3203，以及电容器配线层3204不重叠的基极层3201绝缘，以便形成绝缘层3209(参看图48C)。换而言之，对与栅极配线层3202，栅电极层3203，以及电容器配线层3204不重叠的基极层3201部分进行氧化，以便使其绝缘。由此，在通过氧化作用对基极层3201进行绝缘处理的情况下，为了易于氧化，基极层3201最好具有从0.1到10nm的厚度。可利用将基底暴露在氧气大气中的方法或利用热处理，而进行氧化作用。

另一个处理步骤是将栅极配线层3202，栅电极层3203，以及电容器配线层3204当作掩模，把基极层3201刻蚀掉。如果利用这个处理步骤，则不对基极层201的厚度进行限制。

之后，利用等离子CVD方法或溅射方法，形成单层结构或多层结构的栅极绝缘层3210(参看图49A)。特别优选的是，栅极绝缘层是具有三层的多层结构：由氮化硅所构成的绝缘层3211；由氧化硅所构成的绝缘层3212；和由氮化硅所构成的绝缘层3213。应该注意的是，为了在成膜温度下形成具有低栅极漏电流的高密度绝缘层，反应气体可包括例如Ar的惰性气体元素，并且可将该反应气体混合到将要成形的绝缘层中。因为是利用与栅极配线层3202，栅电极层3203，以及电容器配线层3204相接触的氮化硅或氮氧化硅而形成第一层，所以可防止由于氧化作用所引起的变质。另外，当与栅极配线层3202，栅电极层3203，以及电容器配线层3204相接触的第一层是由NiB(硼化镍)所构成的时候，表面可以是很平滑的。

接下来，形成半导体层3214。半导体层3214是由AS或SAS所构成的，其中AS或SAS是通过利用了以硅或锗烷为代表的半导体材料的汽相生长法或溅射方法所制造出的。作为汽相生长法，可利用等离子-CVD法和热CVD法。

当利用等离子CVD法时，利用属于半导体材料气体的SiH₄与H₂的混合气体或SiH₄气体而形成AS。当用从3到1000倍的H₂对SiH₄进行稀释而制备混合气体时，或当用GeF₄对Si₂H₆进行稀释以便使Si₂H₆与GeF₄的气体流速为20到40∶0.9时，可获得Si的合成比例为80％或更高的SAS。特别地，由于半导体层3214可具有来自于半导体层3214和基极层之间分界面的结晶度，所以优选后一种情况。

利用等离子CVD方法或溅射方法将绝缘层3215形成在半导体层3214上。如以下步骤中所述，该绝缘层3215位于栅电极层上半导体层3214的左侧，并且其作为沟道保护层。由此，绝缘层3215最好由致密膜构成，以便通过保持绝缘层3215和半导体层3214之间分界面的干净，而防止半导体层3214受外部杂质污染，例如金属或有机材料。最好是利用氮化硅薄膜，因为即使在100℃或更低的成膜温度下也可形成致密薄膜，其是根据辉光放电分解方法用从100到500倍的氩或类似物对硅化物气体进行稀释而形成的。如果有必要的话可在其上形成另一个绝缘薄膜。

有可能连续地形成栅极绝缘层3210，直到绝缘层3215不暴露在大气中为止。这时，可形成薄片层之间的每个分界面，而不受大气成分和大气中悬浮污染元素的污染，并由此可降低TFT性能上的变化。

然后，通过选择性地将组合物排放到位于栅电极层3203上的绝缘层3215之上的位置处，而形成掩模层3216(参看图49A)。利用例如环氧树脂，聚丙烯树脂，酚醛树脂，酚醛清漆树脂，丙烯酸树脂，密胺树脂，或聚氨酯树脂的树脂材料来形成掩模层3216。另外，可通过微滴排出方法，利用例如苯并环丁烯，聚对二甲苯基，闪光(flare)或光透射聚酰亚胺的有机材料；由聚合作用而制得的化合物材料，例如硅氧烷基聚合物；包含有水溶性均聚物和水溶性共聚物的组合物材料；或类似物来形成掩模层3216。可替换的是，可利用包含有感光剂的民用抗蚀剂材料。例如，属于典型的正类型抗蚀剂、作为感光剂的、酚醛清漆树脂和萘醌二(naphthoquinonedi)叠氮化合物的化合物；为负类型抗蚀剂的基础树脂；例如联苯硅烷二醇的酸生成剂(acid generation agent)；或类似物。在利用上述任意一种材料时，通过稀释溶剂浓度、或者通过添加表面活性剂或类似物的方式，对表面张力和粘度进行适当地调整。

利用掩模层3216对绝缘层3215进行刻蚀，并且形成具有沟道保护层功能的绝缘层3217。通过清除掩模层3216而在半导体层3214和绝缘层3217上形成n型半导体层3218。可利用硅烷气体和磷化氢气体来形成n型半导体层3218，并且该n型半导体层3218可由AS或SAS构成。

然后，利用微滴排出方法，在n型半导体层3218上形成掩模层3219。利用该掩模层3219对n型半导体层3218和半导体层3214进行刻蚀，并形成半导体层3220和n型半导体层3221(参看图49C)。在这种情况下，通过精确地形成掩模层3219，可使TFT最小化，其中是利用激光束使感光树脂曝光而形成掩模层3219的。值得注意的是，图49C示意性地表示出垂直截面结构，而图13表示出符合图49C中A-B，C-D的平面结构。

其后，清除掩模层3219。

然后，排出或涂覆用于形成微滴脱落表面的溶液(图50A)。作为用于形成微滴脱落表面的溶液的组合物的例子，可利用由化学式：R_n-Si-X_(4-n)(n＝1，2，3)所表示的硅烷偶联剂。值得注意的是，R包括比较不活泼的基团，例如烷基。此外，X包括可通过收缩方式与在基底表面上的羟基或吸附水相耦合的水解的基团。例如，该水解的基团是卤素，甲氧基，乙氧基，醋酸基，或类似物。

通过利用具有作为R的氟烷基的萤石硅烷偶联剂(fluoroalkylsilane(FAS))，可提高微滴脱落性能。FAS的R具有(CF₃)(CF₂)_x(CH₂)_y结构，其中x大于0小于10，y大于0小于4。当若干个R或者若干个X与Si耦合时，所有的R或者所有的X可以是相同或也可以是不同的。典型的FAS是氟烷基硅烷(在下文中称之为FAS)，例如，七氟四氢化癸基三乙氧基甲硅烷(heptadefluorotetrahydrodecyltriethoxysilane)，十七氟四氢化癸基三氯甲烷硅(heptadecafluorotetrahydrodecyltrichlorosilane)，十三氟四氢化辛基三氯甲烷硅(tridecafluorotetrahydrooctyltrichlorosilane)和三氟正丙基三甲氧基甲硅烷(trifluoropropyltrimethoxysilane)。

用于形成微滴脱落表面的溶液的溶剂是烃基溶剂，例如正戊烷，正己烷，正庚烷，正辛烷，正癸烷，双环戊烷(dicyclopentane)，苯，甲苯，二甲苯，四甲苯，茚，四氢化萘，十氢化萘，和三十碳六烯；以及四氢呋喃。

另外，作为用于形成微滴脱落表面的溶液的组合物例子，可利用具有氟-碳链(氟化树脂)的材料。可将聚四氟乙烯(PTFE；4-氟化乙烯树脂)，全氟烷氧基链烷(PFA；4-氟化乙烯醚共聚物树脂)，全氟乙丙烯(PFEP；4-氟化乙烯6-氟化丙烯聚合物树脂)，乙烯-四氟乙烯聚合物(ETFE；4-氟乙烯-乙烯聚合物树脂)，1-二氟乙烯(PVDF；氟化亚乙烯基树脂)，聚氯三氟乙烯(PCTFE；3-氟化乙烯氯化物树脂)，乙烯-三氟氯乙烯聚合物(ECTFE；3氟化乙烯氯化物-乙烯聚合物树脂)，聚四氟乙烯-全氟间二氧杂环戊烯聚合物(TFE/PDD)，聚氟乙烯(PVF；氟化乙烯基树脂)，或类似物作为氟化树脂对其进行使用。

然后，当利用乙醇对在其上涂覆了具有用于形成微滴脱落表面溶剂的表面进行清洗时，可形成用于形成微滴脱落表面3222、厚度极薄的层。

之后，从基底背面的面照射出紫外线激光或类似物。在这个时候，由于栅极配线层3202，栅电极层3203，和电容器配线层3204对激光有所阻挡，因此没有照射到在其上所提供的用于形成微滴脱落表面的层。结果，仅在栅电极层3203上形成n型半导体层3218，而n型半导体层3218的其他区域变成微滴吸引表面(参看图50B)。

随后，利用微滴排出方法，通过选择性地排出包含有导电材料的组合物，形成源极和漏极配线层3225到3226(参看图50C)。这时，由于在栅电极层3203上存在具有微滴脱落性能的极薄薄膜3223，因此可以以自动调心的方式对在源极配线和漏极配线之间的空间3224进行控制。

可清除具有微滴脱落性能的极薄薄膜3223，也可不对其进行清除。在本实施例中，当在下述步骤中对n型半导体层3218进行刻蚀时，清除具有微滴脱落性能的极薄薄膜3223。

图51A表示出垂直截面结构，而图58表示出符合图51A中A-B，C-D的平面结构。如图58中所示，形成源极配线层3225和漏极配线层3226的同时，形成信号配线层3250，这样使信号配线层3250与源极配线层3225和漏极配线层3226电连接。作为用于形成上述配线层的导电材料，可使用在其中主要包含有金属粒子的组合物，而金属是由Ag(银)，Au(金)，Cu(铜)，W(钨)或Al(铝)所组成的组中所选择出的。此外，可将光透射氧化铟锡(ITO)，包含有氧化铟锡和氧化硅的有机铟，有机锡，氧化锌，氮化钛和类似物进行合成。

然后，将源极和漏极配线3225和3226当作掩模，对绝缘层3217上的n型半导体层3221进行刻蚀，从而形成n型半导体层3227和3228(参看图51A)它们是用来形成源极和漏极区域的。

通过选择性地排出包含有导电材料的组合物，而形成像素电极层3229，以便使其与源极和漏极配线层3226电连接(参看图51B)。如果是制造透射型液晶显示板，利用包括氧化铟锡(ITO)，包含有氧化硅的氧化铟锡(ITSO)，氧化锌，氧化锡(SnO₂)，或类似物的组合物而形成预定图案，并对该图案进行烘干，以此方式形成像素电极层3229。而如果是制造反射型液晶显示板，则利用在其中主要包括有例如Ag(银)，Au(金)，Cu(铜)，W(钨)，Al(铝)和类似物金属粒子的组合物。作为另一种方法，可以用以下方式形成像素电极层，即利用溅射方法形成透明的或光反射导电薄膜，利用微粒排出方法形成掩模图案，并然后利用该掩模图案进行刻蚀操作。值得注意的是，图51B示意性地表示出垂直截面结构，而图59表示出符合图51B中A-B，C-D的平面结构。由此，可同时参看上面两幅附图。

按照上述处理步骤，获得液晶显示板中的TFT基底3200，其中在基底3100上将底部栅极类型(也将其称为相对错开类型)TFT与像素电极连接。

然后，利用印刷方法或旋涂法，把称之为定向薄膜的绝缘层3230形成在像素电极层3229上。值得注意的是，可利用丝网印刷法或胶印法，如图中所示选择性地形成绝缘层3230。之后进行研磨。随后，利用微滴排出方法，在像素的边缘区域形成密封材料3231(参看图51C)。

然后，将位于具有定向薄膜功能的绝缘层3232和具有反向电极功能的导电层3233之上的反向基底3234放在TFT基底3200之上，它们之间插入有分隔物。然后，在其空间内提供液晶层3350，并由此可制成液晶显示板(图52A)。可将填充物混合到密封剂3231中，并可将彩色滤光器或屏蔽膜(例如黑色矩阵)做成反向基底3234。作为用于形成液晶层3350的方法，可使用分配系统(滴落系统)或浸染系统(绘图系统)，其中在穿过反向基底3234后利用毛细现象注射液晶。

按照利用分配系统的液晶注射方法，利用密封材料3231形成可一次或多次滴入液晶的闭环。其后，将基底越过真空，并然后进行紫外线固化，从而在基底之间形成填充液晶的空间。

接下来，在大气压或在近大气压下，通过利用氧气的抛光方式，清除由区域3235所表示出的绝缘层3211到3213。该处理步骤利用了氧气以及由氢，CF₄，NF₃，H₂O，和CHF₃组成的组中所选出的一种或多种气体。在该处理步骤中，在通过利用反向基底进行密封之后进行抛光处理，以便防止由于静电所造成的故障或击穿。然而，当静电所造成的影响很小时，可在任何时候进行抛光处理。

随后，以下述方式提供用于连线的接线端3236，所述方式是通过各向异性导电层电连接栅极配线层3202。接线端3236对来自于外部的信号或电势进行转换。上述处理完成了包括有沟道保护开关TFT3237和电容器元件3238的液晶显示板。电容器元件3238由电容器配线层3204，栅极绝缘层3210，和像素电极层3229构成。

按照上述处理，可制造出具有底部栅极沟道保护类型TFT的液晶显示装置。

【实施例4】

实施例3所示的结构中，像素电极层3229与源极、漏极配线层3226直接接触。在本实施例中，将绝缘层插入到它们之间，作为另一个实施例表示出来。

在完成如图51A中所示与实施例3中相似的处理步骤之后，形成具有保护薄膜功能的绝缘层3239(参考图53A)。可涂覆利用溅射方法或等离子CVD方法所形成的氮化硅或氧化硅的薄膜，将其作为保护薄膜。在绝缘层3239中形成开口3240，以便通过该开口3240将源极和漏极配线层3226与像素电极层3229电连接(参看图53B)。其后，在形成开口3240的同时，形成粘结到接线端所需的另一个开口3241。

对形成开口3240和3241的方法没有特别限定。例如，可在大气压下通过等离子刻蚀选择性地形成该开口，或可在按照微滴排出方法形成掩模之后进行湿刻蚀处理来形成该开口。当绝缘层3239是利用微滴排出方法所形成的无机硅氧烷薄膜或有机氧烷薄膜时，可省略掉用于形成开口的处理步骤。此外，当使形成开口的区域具有微滴脱落表面时，有可能以自动调心的方式形成该开口。

在与实施例3相似的制造步骤之后完成导电处理后，完成了如图53中所示的、具有底部栅极沟道保护类型开关TFT3237和电容器源极3238的液晶显示板。

【实施例5】

参考图54A到54C以及55，将一种用于制造沟道刻蚀类型TFT的方法作为实施例5，对其进行说明。

按照微滴排放方法，通过排放包含有导电材料的组合物，在基底3100上形成栅极配线层3202，栅电极层3203，和电容器配线层3204。接下来，在排放或涂覆了感光树脂之后，利用激光束对感光树脂3205进行照射并使其显影，由此形成抗蚀剂掩模。利用抗蚀剂掩模3208进行刻蚀，从而对栅电极层3203进行精细地处理，并然后清除抗蚀剂掩模3208。接下来，利用等离子CVD方法或溅射方法，形成具有单层结构或多层结构的栅极绝缘层3210。特别优选地是，栅极绝缘层是包含三层的多层结构：由氮化硅构成的绝缘层3211、由氧化硅构成的绝缘层3212、和由氮化硅构成的绝缘层3213。另外，形成具有活性层功能的半导体层3214。以上步骤与实施例1中相同。

在半导体层3214上形成n型半导体层3218(参看图54A)。然后，通过将组合物选择性地排放到n型半导体层3218上，而形成掩模层3302。随后，利用掩模层3302，同时对半导体层3214和n型半导体层3218进行刻蚀，从而将它们转化为岛型。这时，通过以利用激光束使感光树脂曝光的方式，精确地形成掩模层3302，这可使TFT最小化。之后，去除掩模层3302。

随后，在排放或涂覆了用于形成微滴脱落表面的溶液之后，利用乙醇对其进行清洗。然后，为了将栅极配线层3202，栅电极层3203，和电容器配线层3204当作掩模，光是从基底背面照射出来的，以便微滴脱落表面的一部分上形成微滴吸引表面中。

之后，利用微滴排出方法，选择性地排出包含有导电材料的组合物，以便形成源极和漏极配线层3225和3226(参考图54B)。此时，由于在栅电极3203上具有微小的微滴脱落表面，因此可以以自动调心的方式，对在源极和漏极配线之间的空间3224进行精细地控制。紧接着，通过将这些配线层当作掩模，对n型半导体层3218进行刻蚀，从而形成n型半导体层3227和3228。由于对n型半导体层3220和半导体层3221进行选择性刻蚀是相当困难的，因此在同一处理步骤中，对半导体层3221中用于形成沟道成形区域的部分3303也进行部分地刻蚀。随后，通过排出包含有导电材料的组合物而形成像素电极3229，从而使像素电极3229与源极、漏极配线层3226电连接(参看图54C)。

然后，形成具有定向薄膜功能的绝缘层3230。接着，在形成有具有反向电极功能的导电层3233，和具有定向薄膜功能的绝缘层3232的上面，将反向基底3234盖在基底3100上，以此形成密封材料3231。然后，在基底3100和反向基底3234之间提供液晶层3350。之后，在大气压或近大气压下，以刻蚀的方式暴露出接线端要经过的区域，并用弹性配线基底3236覆盖接线端。这样，可制造出具有显示功能的液晶显示板(参看图55)。

【实施例6】

本实施例说明了在根据实施例1到5中任意一种所制造出的EL显示板或液晶显示板中，通过利用SAS来形成半导体层，而形成如图3中所示在基底100上的扫描线驱动器电路的情况。

图24表示出包括有利用了SAS的n沟道TFT的扫描线驱动器电路的方块图，其中获得了在1到15cm²/V.sec范围内的电场迁移率。

在图24中，方块相当于脉冲输出电路800，用于输出一条线的采样脉冲，移位电阻包括n个脉冲输出电路。将像素802(相当于图3中的像素102)与缓存器电路801的端点连接。

图25表示包括有n沟道TFT601到603的脉冲输出电路800的具体结构。这时，考虑到对利用SAS的n沟道TFT的操作特性，而确定TFT的尺寸大小。例如，当将沟道长度设定为8μm时，可将沟道宽度设定在10到80μm的范围内。

图26表示出缓冲器电路801的具体结构。以相同的方式，在该图中的缓冲器电路也包括n沟道TFT620到635。这时，考虑到对利用SAS的n沟道TFT的操作特性，而确定TFT的尺寸大小。例如，当将沟道长度设定为10μm时，可将沟道宽度设定在10到1800μm的范围内。

如果是制造EL显示板，为了获得上述电路，必须将相应的TFT与配线连接。图16表示在这种情况下配线的结构。除了在实施例1中，图16也表示出栅电极层203，栅基绝缘层211(包括三层的多层结构：由氮化硅所构成的绝缘层212；由氧化硅所构成的绝缘层213；和由氮化硅所构成的绝缘层214)，由SAS所构成的n型半导体层215，和用于形成源极和漏极配线层225和226的n型半导体层231和232。在这种情况下，以与形成栅电极层203相同的处理方式，在基底100上形成连接配线层270，271和272。然后，通过利用源极和漏极配线层225和226以及连接配线层273，对TFT进行适当地连接，其中以与形成源极和漏极配线层225和226相同的处理方式来形成连接配线层273，即通过对一部分栅极绝缘层进行刻蚀，而使配线层270，271和272暴露出来。由此获得各种电路。

另一方面，为了在液晶显示板中获得上述电路，也必须将相应的TFT与配线连接。图11表示出在这种情况下配线结构的例子。除了在实施例3中，图11也表示出栅极层3203，栅极绝缘层3210(包括三层的多层结构：由氮化硅所构成的绝缘层3211、由氧化硅所构成的绝缘层3212、和由氮化硅所构成的绝缘层3213)，由SAS所构成的n型半导体层3214，和用于形成源极和漏极的n型半导体层3227和3228，以及源极和漏极配线层3225和3226。在这种情况下，以与形成栅电极层3203相同的处理方式，在基底3100上形成连接配线层3270，3271和3272。然后，通过利用源极和漏极配线层3225和3226以及连接配线层3273，对TFT进行适当地连接，其中以与形成源极和漏极配线层3225和3226相同的处理方式来形成连接配线层3273，即通过对一部分栅极绝缘层进行刻蚀，而使配线层3270，3271和3272暴露出来。由此获得各种电路。

【实施例7】

通过参考图28和图34A到36B，将顶部栅极TFT作为实施例7对其进行说明。

利用溅射方法或蒸发法，将基极层201形成在基底100上。将用于形成微滴脱落表面的溶液排放或涂覆在基极层201上(参看图34A)。随后，可通过利用乙醇对其上提供了用于形成微滴脱落表面的溶剂的表面进行清洗，而形成具有较高微底脱落性能的极薄薄膜120。

然后，当移动基底或激光时，利用激光成像系统207，通过将激光束208照射到微滴脱落表面121的一部分上，而形成微滴吸引表面(参考图34B)。此外，与本实施例相反，可利用另一种方法，即通过利用激光束对微滴吸引表面一部分的照射，来使所照射的区域具有微滴脱落表面。

接下来，利用微滴排放方法，以下述方法形成源极和漏极配线层122到125，即排出包含有导电材料的组合物，以便把微滴脱落表面121夹在中间(参看图35A)。这时，由于那是微滴脱落表面121，因此可以用自动调心的方式，对在源极和漏极配线之间的空间230进行控制。其后，使基极层201绝缘。在这个时候，可对具有微滴脱落性能的极薄薄膜120进行清除，也可不对其进行清除。此外，可与对基极层进行绝缘处理同时，对具有微滴脱落性能的极薄薄膜120进行清除。

然后，利用等离子浸渍法，在源极和漏极配线层122到125上，选择性地形成在其中掺杂了磷的区域126到129。

掺杂磷的区域与后来将要形成的半导体层的一部分起反应，并如图36A中所示，形成n型半导体层126a到129a。

等离子浸渍法是一种当通过利用P-CVD装置或类似装置喷出磷化氢气体或类似物时，通过RF辉光放电，仅在源极和漏极配线层的表面上选择性涂料的方法。

接下来，利用例如等离子CVD或溅射方法的汽相生长方法，而形成AS或SAS。如果利用等离子CVD，通过利用SiH₄或者SiH₄与H₂的混合气体而形成AS，其中上述气体属于半导体气体。利用从3到1000倍的H₂对SiH₄进行稀释而制备混合气体，来形成SAS。当利用上述气体形成SAS时，在半导体层上部的结晶性比在其下部的结晶性好，并由此，对在半导体层上部上形成有栅电极的顶部栅极TFT进行合成是比较适当的。

使用通过微滴排出方法形成的掩模层，在相当于源极和漏极配线层122到125的位置上形成半导体层130。换句话说，形成半导体层130，从而使其覆盖源极和漏极配线层122和123(或124以及125)(参看图36A)。

然后，如图28中所示，利用等离子CVD方法或溅射方法，形成应用在通过上述处理而制造出的TFT中的栅极绝缘层211。更好的是，栅极绝缘薄膜211是具有三层的多层结构：由氮化硅所构成的绝缘层；由氧化硅所构成的绝缘层；和由氮化硅所构成的绝缘层214。其后，在栅极绝缘层211上形成通孔223从而使一部分源极和漏极配线层122到125暴露出来之后，利用微滴排出方法形成栅电极层279(参见图28)。作为用于形成该层的导电材料，有可能利用在其中主要包含有例如Ag(银)，Au(金)，Cu(铜)，W(钨)或Al(铝)金属粒子的组合物。

通过将包含有导电材料的组合物排出，而形成相当于像素电极的第一电极233，从而通过n型半导体层129a，将其与源极和漏极配线层125电连接。按照上述处理，有可能在形成有开关TFT291，驱动器TFT292，以及电容器部分293的上面获得TFT基底(参见图28)。

如图36B中所示，当在形成栅极绝缘层211之前，就形成了相当于像素电极的第一电极233，则没有必要将源极和漏极配线层125暴露出来。

当利用微滴排出方法制造底部发射型EL显示板时，可以通过形成预定图案，之后使该图案退火的方式来形成第一电极233，其中预定图案是利用了包括有氧化铟锡(ITO)，包含有氧化硅的氧化铟锡(ITSO)，氧化锌(ZnO)，氧化锡(SnO₂)，或类似物的组合物。

优选的是利用溅射方法，由氧化铟锡(ITO)，包含有氧化硅的氧化铟锡，氧化锡，或类似物构成第一电极。更优选的是利用包含有氧化硅的氧化铟锡，其是通过利用溅射方法以及使用了靶电极而形成，在该靶电极中ITO包含2到10wt％氧化硅。

在本实施例中，最好将由包含有氧化硅的氧化铟锡所构成的第一电极233，与由氮化硅构成、包含在栅基绝缘层211中的绝缘层214紧密接触。这种结构有可能获得增加发射到外部的光与EL层所发射的光之间比率的优点。

另外，在整个基底上形成绝缘层248。在利用旋涂法或浸染法形成了绝缘层248之后，如图28中所示利用刻蚀处理步骤形成开口。同时对在基底边部上、绝缘层248之下的栅基绝缘层211进行刻蚀，从而使第一电极233，源极和漏极配线层暴露出来，以此方式进行该处理步骤。当利用微滴排出方法选择性地形成绝缘层248时，通常不需要刻蚀处理。当微滴脱落表面形成在开口所形成的区域上时，可以以自动调心的方式形成该开口。

在根据第一电极233而形成发光区域的位置处形成开口，以此方式形成绝缘层248。可以由无机绝缘材料，例如氧化硅，氮化硅，氧氮化硅，氧化铝，氮化铝，或氧氮化铝；以及由丙烯酸，异丁烯酰酸，或它们的衍生物；或由例如聚酰亚胺，芳族聚酰胺，或聚苯并咪唑的耐热性聚合物；或者是由在以下物质所构成的组合物之中的物质，即硅，氧，或将硅氧烷基材料当作初始材料的氢，包含有Si-O-Si键的无机硅氧烷绝缘材料或有机硅氧烷绝缘材料，其中在有机硅氧烷绝缘材料中硅上的氢由例如甲基、苯基的有机基所替代，等上述物质来构成该绝缘层248。优选的是，由例如丙烯酸或聚酰亚胺的感光或非感光材料来构成绝缘层248，因为形成了具有曲率连续变化截面形状的开口，从而在上层上形成薄膜，而不会由于阶梯状而使其受损。

按照上述处理，完成了用于EL显示板中的TFT基底，其中在基底100上顶部栅极型(也将其称为错开型)TFT291和292，以及第一电极233是相连的。

在形成EL层237之前，利用在大气压下温度为200℃的热处理，去掉在绝缘层248中或吸收在其表面上的水分。优选的是，在大气压下，温度为从200到400℃，最好是从250到350℃的热处理之后，在低压下，不将其暴露在空气中，利用真空蒸发方法或微滴排出方法形成EL层237。

另外，通过在EL层237上形成第二电极238的方法，形成发光元件239。该发光元件239与驱动器TFT292相连。

其后，形成密封材料240，并用密封基底241进行密封。在此之后，可将弹性配线基底250与连接配线层271连接。对信号配线层也采用相同的做法。

按照上述处理，可制造出具有顶部栅极型TFT的发光装置。

【实施例8】

参考图28和图37A到40B，将使抗蚀剂掩模微滴脱落的方法作为实施例8对其进行说明。

如图37A中所示，将作为抗蚀剂掩模材料的感光树脂206排放到或涂覆在基底100中的基极层上。涂覆感光树脂206时，可利用自旋涂料器或狭缝涂料器。感光树脂206可以是负感光树脂，或者也可以是正感光树脂，其感光范围是在从紫外线到红外线的范围内。在本实施例中使用的是负感光树脂。

然后，当移动基底或激光束时，利用激光成像系统207，使激光束208对感光树脂206进行照射，以此方式写出图案。

在感光树脂显影之后，如图38A中所示，在激光束所照射的区域上形成抗蚀剂掩模133。由于此处所使用的是负感光树脂，因此激光束所照射的区域变成抗蚀剂掩模。

接着，利用氟离子对抗蚀剂掩模133进行处理，从而使抗蚀剂掩模133具有微滴脱落性能。

下面，选择性地排放包含有导电材料的组合物，从而将抗蚀剂掩模133夹在中间，以此方式利用微滴排出方法形成源极和漏极配线层135到138(参看图39A)。这时，抗蚀剂掩模133的微滴脱落性能使得有可能用自动调心的方式，对源极和漏极配线之间的空间230进行准确地控制。其后，使基极层201绝缘。这时，可清除掉抗蚀剂掩模133，也可不对其进行清除。然后，以与实施例7相同的方式，形成在其中掺杂有磷的区域126到129，n型半导体层126a到129a，第一电极233，栅极绝缘薄膜211以及半导体层132。

下列方法与实施例7中的那些相同。

【实施例9】

参考图41A到46B，将底部栅极型TFT作为实施例9，对其进行说明。

如图41A中所示，利用等离子CVD法或溅射方法，在基底100上形成栅电极层203。可利用微滴排出方法，选择性地形成栅电极层203。

然后，排出或涂覆感光树脂206。涂覆感光树脂206时，可利用自旋涂料器或狭缝涂料器。感光树脂206可以是负感光树脂，或者也可以是正感光树脂，其感光范围是在从紫外线到红外线的范围内。在本实施例中使用的是负感光树脂。

然后，如图41B所示，当移动基底或激光束时，利用激光成像系统207，使激光束208对感光树脂206进行照射，以此方式写出图案。

在感光树脂显影之后，如图42A中所示，由于此处所使用的是负感光树脂，因此使由激光束所照射的区域变成抗蚀剂掩模209。

接着，将抗蚀剂掩模209当作掩模，利用例如干刻或湿刻的已知技术对栅电极层203进行刻蚀，然后清除掉抗蚀剂掩模209。这样，可形成微小的栅电极203。

然后，利用等离子CVD法或溅射方法，形成单层结构或多层结构的栅极绝缘层211(参看图43A)。特别优选的是，栅极绝缘层是具有三层的多层结构：由氮化硅构成的绝缘层、由氧化硅构成的绝缘层、和由氮化硅构成的绝缘层。

接着，排出或涂覆用于形成微滴脱落表面的溶液。

之后，利用乙醇，对在其上涂覆了用于形成微滴脱落表面的溶液的表面进行清洗。

然后，出于曝光的目的，从基底背面照射出紫外线或类似的激光束。这时，由于栅电极层203挡住了激光束，因此没有使在栅电极层203上的、形成微滴脱落表面224的极薄薄膜曝光。结果，仅在栅电极层203的上部残留有微滴脱落表面，而其他区域则变成了微滴吸引表面(参看图43B)。

下面，选择性地排出包含有导电材料的组合物，以此方式利用微滴排出方法形成源极和漏极配线层135到138(参看图44A)。这时，由于形成微滴脱落表面224的极薄薄膜出现在栅电极层203上，因此可以用自动调心的方式，对源极和漏极配线之间的空间230进行精细地控制。

接着，利用等离子浸渍法，仅在源极和漏极配线层135到138上选择性地形成在其中掺杂有磷的区域139(参看图44B)。

此时，根据等离子掺杂的条件，可将形成微滴脱落表面224的极薄薄膜清除掉。

在其中掺杂有磷的区域139与之后所形成的一部分半导体层起反应，由此形成图45A中所示的n型半导体层139a。

然后，形成半导体层215。由AS或SAS构成半导体层215，其中AS或SAS是利用汽相生长法或溅射方法，通过利用以硅或锗烷为代表的半导体材料气体而制备出的。作为气相生长法，可利用等离子CVD法或热CVD法。

下一步，通过排放或涂覆负感光树脂140而形成抗蚀剂掩模141，利用激光成系统207使激光束对负感光树脂140进行照射，并使负感光树脂140显影。当无需精细地形成抗蚀剂掩模141时，可利用微滴排出方法形成抗蚀剂掩模141。

接下来，通过利用抗蚀剂掩模141进行刻蚀的方式，使半导体层215形成图案。那之后，形成相当于像素电极的第一电极233，然后形成保护薄膜247。

后续处理与在实施例1到3中的处理相同。

【实施例10】

参考图19A到20B，对实施例1到9中所应用的发光元件进行描述。

图19A中所示的例子中，第一电极11由光透射导电氧化物材料构成，其中的氧化硅密度为1到15原子％。在第一电极11上，提供EL层16，在EL层16中，空穴注入层或空穴传输层41，发光层42，以及电子迁移或电子注入层43均是层状的。第二电极17由第一电极层33和第二电极层34构成，其中第一电极层33中包含有例如Li或MgAg的碱金属，或碱土金属，第二电极层34中包含有例如铝的金属材料。这种结构，如图中箭头所示，像素可从第一电极11的一侧发射出光。

图19B中所示的例子中，光从第二电极的一侧发射出。在该图中，第一电极由第三电极层35和第四电极层32构成，其中第三电极层35由例如铝或钛的金属，或包含有按化学计量的成分比例浓度或更少的、金属和氮的金属材料构成，第四电极层32由导电氧化物材料构成，在该导电氧化物材料中的氧化硅密度为1到15原子％。在第一电极11上，提供EL层16，在EL层16中，空穴注入或空穴传输层41，或发光层42，或电子迁移或电子注入层43是层状的。第二电极17由第一电极层33和第二电极层34构成，其中第一电极层33中包含有例如LiF或CaF的碱金属，或碱土金属，第二电极层34由例如铝的金属材料构成。当所形成的上述两层厚度为100nm或更小以便光可从其中透射出时，有可能从第二电极17的一侧发射出光。

图20A表示出由第一电极11发射光的例子，并表示出电子迁移或电子注入层43，发光层42，空穴注入或空穴传输层41按顺序分层所形成的结构。第二电极17由第四电极层32和第三电极层35构成，其中第四电极层32由导电氧化物材料构成，在该导电氧化物材料中的氧化硅浓度为1到15原子％，第三电极层35由例如铝或钛的金属，或包含有按化学计量的成分比例浓度或更少的、金属和氮的金属材料构成。第一电极11由第一电极层33和第二电极层34构成，其中第一电极层33中包含有例如LiF或CaF的碱金属，或碱土金属，第二电极层34由例如铝的金属材料构成。当所形成的上述两层厚度为100nm或更小以便光可从其中透射出时，有可能从第一电极11的一侧发射出光。

图20B表示出由第二电极17发射光的例子，并表示出电子迁移或电子注入层43，发光层42，空穴注入或空穴传输层41按顺序分层所形成的结构。第一电极11具有与图20A中所是相同的结构，并且具有达到可对EL层中所产生的光进行反射程度的薄膜厚度。第二电极17由导电氧化物材料构成，在该导电氧化物材料中的氧化硅浓度为1到15原子％。在这种结构中，当空穴注入或空穴传输层41是由属于无机材料的金属氧化物(典型的为氧化钼或氧化钒)构成的时候，提供形成第二电极17时所引入的氧气，，并增强空穴注入性能。由此，可降低驱动电压。

当第一电极是由光透射导电氧化物材料构成，并且当第二电极是由通过其中可透射光的或由光透射导电氧化物材料构成时，从第一电极和第二电极均可发射出光。

所述EL层可由发光材料，以及包括有有机或无机化合物的充电-注入-迁移材料构成。此外，EL层可包括由低分子有机化合物，中等分子有机化合物(具有20或更少分子的有机化合物，或具有分子键总长为10m或更少的有机化合物，并不具有升华性能)，以及高分子有机化合物组成组中所选择出的一种或多种材料构成，其中高分子有机组合物与具有电子注入性能或空穴注入性能的无机组合物合成。

在充电-注入-迁移材料中，举例来说，具有特别高的电子迁移性能的材料为，具有喹啉基干或苯并喹啉基干的金属络合物，例如三(8-喹啉醇化物)铝(简写为Alq3)，三(5-甲基-8-喹啉醇化物)铝(简写为Alq3)，双(10-羟基苯[h]-喹啉醇化物)铍(简写为BeBq2)，或双(2-甲基-8-喹啉醇化物)-4-苯基苯酚-铝(BAlq)。举例来说，具有高空穴传输性能的材料为，芳香胺基化物(具有苯环-氮键的化合物)，例如，4，4’-双[N-(1-萘基)-N-苯基-氨基]-联苯(简写为-NPD)，4，4’-双[N-(3-甲苯基)-N-苯基-氨基]-联苯(简写为TPD)，4，4’，4”-三(N，N-联苯-氨基)-三苯胺(简写为TDATA)，或4，4’，4”-三(N-(3-甲苯基)-N-联苯-氨基)-三苯胺(简写为MTDATA)。

此外，在充电-注入-迁移材料中，具有特别高的电子注入性能的材料为碱金属或碱土金属的化合物，例如氟化锂(LiF)，氟化铯(CsF)，或氟化钙(CaF₂)。另外，可利用具有高电子迁移性能的材料例如Alq3和碱土金属例如镁(Mg)的混合物。

另外，在充电-注入-迁移材料中，举例来说，具有特别高的空穴传输性能的材料为金属氧化物，例如氧化钼(MoOx)，氧化钒(VOx)，氧化钌(RuOx)，氧化钨(WOx)，或氧化锰(MnOx)。另外，也可使用例如酞菁(简写为H₂Pc)或铜酞菁(简写为CuPC)的酞菁组合物。

通过形成可在每个像素中发射出具有不同相应波长光的EL层，使EL层可具有用于显示全色的结构。典型的是，形成符合R(红色)，G(绿色)，和B(蓝色)中每个颜色的EL层。当在从像素中发射光的一侧提供了用于对所发射光的不同波长进行传输的滤光器时，期望提高颜色纯度，并防止在像素上存在反射。可用滤光器(着色层)替代通常所需的圆偏振器，并且可抑制由EL层所发射光的损失。另外，当倾斜观测受抑制时，在像素部分(显示屏幕)改变色度。

可将各种材料当作发光材料。在低分子有机发光材料中，有可能应用4-(双氰亚甲基)-2-甲基-6-(1，1，7，7-四甲基久洛尼定)-4H-吡喃(简化为DCJT)；4-(双氰亚甲基)-2叔丁基-6-(1，1，7，7-四甲基久洛尼定)-4H-吡喃(简化为DPA)；periflanthene；2，5-双氰基-1，4-双(10-甲氧基-1，1，7，7-四甲基久洛尼定)苯；N，N’-二甲基喹吖啶酮(DMQd)；氧杂萘邻酮6；氧杂萘邻酮545T；三(8-喹啉醇化物)铝；9，9’-双蒽基；9，10-双苯基蒽(简化为DPA)；9，10-双(2-萘基)蒽(简化为DNA)；或类似物。也可使用另一种材料。

另一方面，由于高分子有机发光材料具有比低分子有机发光材料更高的机械强度，所以利用前一种材料所制造出的发光元件具有比用后一种材料所制造出的发光元件更高的阻抗。因此，当利用涂敷法形成高分子有机发光材料时，可比较容易地制造出发光元件。利用高分子有机发光材料所制造出的光反射元件结构基本上与利用低分子有机发光材料所制造出的光反射元件结构相似。具体的，发光元件具有阴极/有机EL层/阳极的结构。然而，当利用高分子有机发光材料形成EL层时，很难形成与用低分子有机发光材料形成EL层时所获得相同的多层结构。在很多情况下，利用高分子有机发光材料所形成的EL层很难形成与用低分子有机发光材料形成EL层时所获得相同的多层结构。具体的，当利用高分子有机发光材料时，结构是阴极/有机EL层/空穴传输层/阳极。

根据EL层的材料而确定所发射光的颜色。当对EL层的材料进行适当地选择时，可形成能发射出预期颜色光的发光元件。作为高分子场致发光材料是，聚对苯乙烯醚，聚对苯烯，聚噻吩，聚合芴，或类似物。

作为聚对苯乙烯醚材料，可以是聚(对苯乙烯醚)的衍生物[PVP]；聚(2，5-二烷氧基-1，4-亚苯基乙烯醚)[RO-PPV]；聚(2-(2’-乙基-六氧基)-5-甲氧基-1，4-亚苯基乙烯醚)[MEH-PPV]；聚(2-(二烷氧苯)-1，4-亚苯基乙烯醚)[ROPh-PPV]，和类似物。作为聚对苯烯材料，可以是聚对苯的衍生物[PPP]；聚(2，5-二烷氧-1，4-亚苯基)[RO-PPP]；聚(2，5-双六氧基-1，4-亚苯基)和类似物。作为聚噻吩材料，可以是噻吩的衍生物[PT]，聚(3-烷基噻吩)[PTA]；聚(3-乙基噻吩)[PHT]；聚(3-环乙基噻吩)[PCHT]；聚(3-环乙基-4-甲基噻吩)[PCHMT]；聚[3-(4-辛苯基)-噻吩][POPT]；聚[3-(4-辛苯基)-2，2’并噻吩][PTOPT]；和类似物。作为聚合芴，可以是聚合芴的衍生物[PF]；聚(9，9-二烃基芴)[PDAF]；聚(9，9-二辛基芴)[PDOF]；和类似物。

当在阳极和具有发光性能的高分子有机发光材料之间，形成具有空穴传输性能的高分子有机发光材料时，有可能提高阳极的空穴注入性能。通常，利用旋涂法或类似方法，涂覆水溶液，其中将具有空穴传输性能的高分子有机发光材料与受体材料一起溶解在该水溶液中。由于，具有空穴传输性能的高分子有机发光材料不可溶解在有机溶液中，因此，可形成其中含有具有发光性能的有机发光层的多层结构。作为具有空穴传输性能的高分子有机发光材料有，PEDOT与当作受体材料的、含樟脑的磺酸(CSA)的混合物；聚苯胺[PANI]与当作受体材料的聚苯乙烯磺酸[PSS]的混合物；以及类似物。

EL层可具有用于发射单个颜色或白色光的结构。如果利用发射白色光的材料，可在发出光的像素的一侧，提供用于传输特定波长光的滤光器(着色层)，以便得到彩色显示。

例如，可通过以下成形而获得用于发射白色光的EL层，利用蒸发法，按顺序对Alq3，局部地掺杂有奈耳红色的Alq3，Alq3，p-EtTAZ，和TPD(芳族二胺)进行处理，其中奈耳红色是用于发射出红色光的颜料。例如，在整个基底上涂覆多(乙烯二氧噻吩)/聚(stylene磺酸)水溶液(PEDOT/PSS)，并对EL进行退火，然后涂覆掺杂有颜料的聚乙烯咔唑(PVK)，并随后对其进行烘干，其中所掺杂的颜料有助于发光并将其当作EL层，以此方式形成EL。上述颜料例如为，1，1，4，4-四苯基-1，3-丁二烯(TPB)；4-双氰亚甲基-2-甲基-6-(p-双甲氨基-苯乙烯基)-4H-吡喃(DCM1)；奈耳红色；氧杂萘邻酮6；或类似的。

EL层可以是单层的。例如，可将具有电子迁移性能的1，3，4-恶二唑衍生物(PBD)，在具有空穴传输性能的聚乙烯咔唑(PVK)中扩散。当将PBD当作电子运输者以30wt％进行扩散，并以适当的数量对四种颜料(TPB，氧杂萘邻酮6，DCM1，奈耳红色)进行扩散时，可获得白色发光。根据对EL层材料的适当选择，不仅可获得如上所述中的可发射出白色光的发光元件，而且还可获得发射出红色，绿色，或蓝色光的发光元件。

另外，EL层不仅可以是由单激励发光材料构成，而且也可由包含有金属络合物或类似物的三重激励发光材料构成。例如，在用于发射红色，绿色，或蓝色光的像素中，用于发射出具有相对短的亮度半衰期的红色光的像素由三重激励发光材料构成，而其他两个像素由单个激励发光材料构成。在获得相同亮度的情况下与单个激励发光材料相比，三重激励发光材料具有低功耗的优点，因为三重激励发光材料具有更高的发光效率。换言之，当红色像素是由三重激励发光材料构成时，可提高可靠性，因为发光元件需要更小的电流。为了降低功耗，红色和绿色像素可由三重激励发光材料构成，而蓝色像素可由单个激励发光材料构成。当对于人眼来说是高可视性的绿色的发光元件是由三重激励发光材料构成时，可进一步降低功耗。

作为三重激励发光材料的例子是掺杂了金属络合物的材料：主要包含铂的金属络合物，其是第三跃迁系列元素；主要包含铱的金属络合物；或类似物。不仅可将上述金属络合物当作三重激励发光材料，也可将另一种具有上述结构、并主要包括在元素周期表中属于第8到第10组的元素的化合物当作三重激励发光材料。

上述用于形成EL层的材料仅仅是个例子，也可通过形成例如空穴-注入-并-迁移层，空穴传输层，电子-注入-并-迁移层，发光层，电子阻塞层，空穴阻塞层和类似的功能层，而形成发光元件。另外，也可形成混合层或在其中混合了上述层的混合结点。值得注意的是，EL层可具有任何不在本发明范围内的结构。例如，可提供电极来取代特定的电子注入区域和发光区域，或者以与那些区域相同的目的，在EL层中扩散发光材料。

通过在正向上的偏置，由上述材料所构成的发光元件发射出光。如图2中所示，通过简单的矩阵方法或有源矩阵方法，对利用发光元件所形成的显示装置中的像素进行驱动。总之，在特定定间内，通过在正向上的偏置而使相应的像素发射出光，并且它们的发射步骤在某一周期内。在未发射周期内，通过在反向上的偏置，可提高发光元件的可靠性。发光元件具有老化模式，在该模式中，在恒定的驱动条件下降低发光强度，并且具有另一个老化模式，在该模式中，由于未发射区域的扩大而降低亮度显示。然而，当通过在正向上和在反向上交替地进行偏置而驱动发光元件时，可延缓老化速度，并可提高发光装置的可靠性。

【实施例11】

参考图21A到22B，本实施例对驱动器电路进行说明，该驱动器电路是安装在根据实施例1到6中任意一个所制造出的显示板上的。

首先，参考图21A和21B，对利用了COG方法的显示装置进行说明。在基底1001上，提供了用于显示一块文字或图像信息的像素部分1002，以及扫描线驱动器电路1003和1004。将其上提供有多个驱动器电路的基底1005和1008划分成多个矩形，并将所划分的驱动器电路(在下文中将它们均称为驱动器IC)安装到基底1001上。图21A表示出将多个带1006分别安装到多个驱动器IC1007上的例子。图21B表示出将多个带1009安装到一个驱动器IC1010上的例子。

接下来，参考图22A和22B，对利用了TAB方法的显示装置进行说明。在基底1001上，提供了像素部分1002，以及扫描线驱动器电路1003和1004。图22A表示出将多个带1006穿过基底1001，并将多个驱动器IC1007分别安装到多个带1006上的例子。另一方面，图22B表示出将多个带1009穿过基底1001之上，然后将一个驱动器IC1010安装到带1009上的例子。如果使用后一种情况，考虑到其强度而一通穿过用于固定驱动器IC1010的金属条。

为了提高生产能力，可在一个边长长度为300mm或更长的矩形基底1005和1008上，制造安装在这些显示板上的多个驱动器IC。

换言之，在基底1005和1008上，形成包含有驱动器电路部分和输入/输出端的多个电路图案，将其作为一个单元，并然后对基底1005和1008进行划分。如图图21A和22A中所示，考虑到像素部分的一个边长和像素间距，驱动器IC可以是具有长边边长为15到80mm、短边边长为1到6mm的矩形。此外，如图图21B和22B中所示，驱动器IC可具有像素部分1002一条边的长度，或具有像素部分1002一条边及相应驱动器电路1003和1004一条边的总长度。

对于IC芯片来说，驱动器IC的首要外部尺寸在于其长边的长度。当利用长边边长为15到80mm的驱动器IC时，所需安装到像素部分1002上的驱动器IC数目比IC芯片数目少，由此提高产品产量。另外，当在玻璃基底上形成驱动器IC时，对作为基础材料的基底的形状没有限制，并因此不会影响生产率。这与从圆形硅片中除去IC芯片的情况相比，是非常有利的。

在图21A到22B中，将具有驱动电路的驱动器IC1007或1009安装在基底上像素部分1002的外侧。这些驱动器IC1007以及1010是信号线驱动器电路。为了形成符合R，G，和B全色的像素区域，对于XGA类需要3072条信号线，而对于UXGA类需要4800条信号线。通过将它们划分到像素部分1002端部的若干个块中，而使上述信号线形成引导配线，并根据驱动器IC1007以及1010输出端的间距，对所划分的信号线进行控制。

优选的是，在基底上利用结晶半导体形成每个驱动器IC1007以及1010，但通过用连续波激光的照射，来形成结晶半导体也是优选的。由此，将连续波固态激光或气体激光当作用于产生激光的振荡器。利用连续波激光，有可能制造出由多晶体半导体层构成的、具有大晶粒尺寸、且无晶体缺陷的晶体管。另外，由于多晶体半导体薄膜具有良好的迁移率和响应速度，因此有可能实现高速操作，并与常规半导体元件相比，由多晶体半导体所形成的半导体元件可提高操作频率。此外，由于降低了工作特性变化，因此可获得高可靠性。要注意的是，出于进一步提高操作频率的目的，晶体管的沟道长度方向与激光束的扫描方向一致。这是因为，利用连续波激光的激光结晶步骤中，当晶体管的沟道长度方向与激光束的扫描方向大致平行(优选的是，两个方向的夹角在-30°到30°的范围内)时，可获得高迁移率。值得注意的是，在沟道成形区域内，沟道长度方向与电流方向一致，即与电荷移动方向一致。这样所制造出的晶体管具有由多晶体半导体层所构成的活性层，在该层中晶粒在沟道方向上延伸。这意味着晶粒界面基本是在沟道方向上延伸。

为了进行激光结晶，最好是形成激光束的聚束点，以便使聚束点的宽度在从大约1到3mm的范围内，其长度与驱动器IC的短边长度相同。此外，优选的是聚束点具有很细的线形，以便确保对于所照射目标其具有足够、有效的能量密度。然而，这里所使用的术语线性并不仅指严格意义上的线，还包括矩形或具有大高宽比的椭圆形，例如2或更大(最好是10到10000)。这样，通过使激光的聚束点宽度与驱动器IC的短边长度相同，而提供一种在制造显示装置中提高其生产率的方法。

图21A到22B所示的例子中，与像素部分一起整体地形成扫描线驱动器电路，并且安装驱动器IC，将其作为扫描线驱动器电路。然而，本发明并不局限于此，也可将所安装的驱动器IC既作为扫描线驱动器电路，也作为信号线驱动器电路。在这种情况下，可使驱动器IC的规格在扫描线侧和在信号线侧上不同。

在像素部分1002中，信号线与扫描线交叉从而形成矩阵，并将晶体管设置到相应的交点上。在本发明中，把每个将非晶半导体或半非晶半导体当作沟道部分的TFT设置在像素部分1002中。利用等离子CVD法，溅射方法，或类似方法来形成非晶半导体。可利用等例子CVD法以300℃或更低的温度来形成半非晶半导体，并且半非晶半导体具有可在短时间内成形所需厚度从而形成晶体管的优点，例如即使是利用具有550×650mm外部尺寸的非碱玻璃基底。这种制造技术上的优点在大尺寸显示装置的制造中很有效。另外，当其沟道成形区域是由SAS构成的时候，半非晶TFT可获得2到10cm²/V·sec的电场迁移率。因此，可将该TFT当作像素的开关元件，或组成扫描线驱动器电路的半导体元件。由此，可制造出实现板上系统的显示板。

应注意的是，在图21A到22B中，通过利用TFT，在基底上也整体地形成扫描线驱动器电路，其中根据实施例6，TFT中的半导体层由SAS构成。如果利用其半导体层是由AS构成的TFT，所安装的驱动器IC既可作为扫描线驱动器电路，也可作为信号线驱动器电路。

在这种情况下，优选的是在扫描线侧上和在信号线侧上所使用的驱动器IC分别具有不同的规格。例如，当在扫描线侧上构成驱动器IC的晶体管需要大约30V的耐压时，其驱动频率为100kHz或更少，并且不需要那么高速的操作。由此，优选的是使在扫描线侧上、构成驱动器的晶体管沟道长度(L)足够长。另一方面，在信号线侧上、构成驱动器IC的晶体管中，大约为12V的耐压就已足够，而在3V时驱动频率大约为65MHz，并需要高速操作。由于这个原因，优选的是将构成驱动器的晶体管沟道长度以及类似部分设定到大约微米。

由此，可在显示板中建造出驱动器电路。

【实施例12】

参考图60A和60B，在本实施例中，说明了将驱动器电路安装到由实施例3到5中任意一个所制造出的显示板中的例子。

图60A和60B所示的结构中，通过COG(玻璃上的芯片)，将驱动器IC安装到如图2中所示的显示板上。图60A所示的结构中，通过将各向异性导电材料当作粘合剂，在TFT基底3200上安装驱动器IC3106。将像素部分3101和信号线输入端3104(同样适用于扫描线输入端)形成在TFT基底3200上。通过密封材料4226，将反向基底4229与TFT基底3200粘合，并在反向基底4229和TFT基底3200之间形成液晶层4230。

通过各向异性导电材料将FPC3812与信号线输入端3104粘合。各向异性导电材料包括树脂3815和导电粒子3814，其中导电粒子3814具有从几十到几百μm的直径，且其表面镀有Au或类似物。导电粒子3814与信号线输入端3104、及形成在FPC3812上的配线3813电连接。通过各向异性导电材料将驱动器IC3106与TFT基底3200粘合，并且混合在树脂3811中的导电粒子3810与在驱动器IC3106上所提供的输入/输出端3809，以及信号线输入端3104电连接。

另外，如图60B中所示，通过粘合材料3816将驱动器IC3106与TFT基底3200粘合，并且可通过Au线3817，将驱动器IC的输入/输出端与引导配线连接。然后，用密封树脂3818对它们进行密封。要注意的是，对用于安装驱动器IC的方法并不具体限定，可使用已知方法，例如COG方法，线结合方法，或TAB方法。

当驱动器IC厚度与反向基底厚度相同时，它们具有几乎相同的高度，并由此可整体上压缩显示装置厚度。另外，当利用同一材料制造相应基底时，即使当改变显示装置温度时也不产生热应力。并且不损坏由TFT所制造的电路的工作特性。此外，如在本实施例中所述，当给其长度长于IC芯片的驱动器IC安装驱动器电路时，可减少安装到一个像素区域中驱动器IC数目。

如上所述，可在显示板中建造出驱动器电路。

【实施例13】

参考图23A到23F中的等效电路图，对在本实施例中所示的显示板的像素结构进行说明。

在图23A中所示的像素中，信号线410和电源线411到413在列方向上延伸，扫描线414在行方向上延伸。另外，图23A中所示的像素包括开关TFT401，驱动器TFT403，电流控制TFT404，电容器元件402，和发光元件405。

除了将驱动器TFT403的栅电极与在行方向上延伸的电源线413连接以外，图23C中所示的像素具有与图23A中所示像素相同的结构。换句话说，图23A和图23C中的像素具有相同的等效电路图。然而，由不同的导电层构成电源线，即在列方向上延伸的电源线413(图23A)和在行方向上延伸的电源线413(图23C)。这里，注意与驱动器TFT403栅电极相连的配线，如在图23A和图23C中所示，单独地绘出像素，以便表示出用于形成这些配线的层的区别。

图23A和图23C中所示像素的工作特性是，在像素中将驱动器TFT403顺次地与电流控制TFT404连接，并且L3/W3∶L4/W4＝5∶1到6000∶1，其中L3是驱动器TFT403的沟道长度，W3是驱动器TFT403的沟道宽度，L4是电流控制TFT404的沟道长度，W4是电流控制TFT404的沟道宽度。作为满足该等式的例子，L3为500μm，W3为3μm，L4为3μm，且W4为100μm。

在饱和区域内操作驱动器TFT403，且对流向发光元件405的电流值进行控制，并在线性区域内操作电流控制TFT404，且控制是否向发光元件405提供电流。优选的是，在制造处理过程中，TFT均具有相同的导电型。此外，使用的驱动器TFT403可以是增强型，也可以是耗尽型。由于在具有上述结构的本发明中，在线性区域内操作电流控制TFT404，因此电流控制TFT404的VGS轻微波动不会影响发光元件405的电流值。那就是说，通过在饱和区域中对驱动器TFT403进行操作，来确定发光元件405的电流值。具有上述结构的本发明可提供这样一种显示装置，在其中通过抑制由于TFT工作特性变化所造成的发光元件的亮度变化，而提高图像质量。

在图23A到23D中所示的像素中，开关TFT401控制向像素中视频信号的输入。当开启开关TFT401以便将视频信号输入到像素中时，通过电容器元件402对该视频信号进行保持。虽然图23A到23C表示出了提供电容器402的结构，但本发明并不局限于此，并且如果可将栅极电容器当作用于保持视频信号的电容器时，就可不提供电容器402。

发光元件405具有以下结构，在两个电极之间夹有场致发光层，并且在像素电极和反向电极(阳极和阴极之间)之间提供电势差，以便在正向偏置方向上应用该电压。可由各种材料构成场致发光层，例如有机材料或无机材料。来自于场致发光层的亮度包括，从单独激励状态返回到接地状态时所发射出的亮度(荧光)，当从三重激励状态返回到接地状态时所发射出的亮度(磷光)。

除了添加了TFT406和扫描线415以外，图23B中所示的像素具有与图23A中所示像素相同的结构。同样，除了添加了TFT406和扫描线415以外，图23C中所示的像素具有与图23A中所示像素相同的结构。

通过更新所提供的扫描线415，控制TFT406的开启和关闭。当开启TFT406时，释放出保持在电容器元件402中的电荷，并关闭控制TFT404。那就是说，TFT406可强迫地形成电流不流向发光元件405的条件。由此，图23B和23D中的结构可提高占空比，因为发光周期可与写入周期一同开始，或仅仅在周期刚开始之后就开始发光周期，对于所有像素来说无需等待写入。

在图23E中所示的像素中，信号线450和电源线451到452在列方向上延伸，扫描线453在行方向上延伸。另外，图23E中所示的像素包括开关TFT441，驱动器TFT443，电容器元件442，和发光元件444。除了添加了TFT445和扫描线454以外，图23F中所示的像素具有与图23E中所示像素相同的结构。通过提供TFT445，图23F中的结构也可提高占空比。

【实施例14】

参考图17，本实施例说明了这样一个例子，其中分别向扫描线输入端部分和信号线输入端部分提供保护二极管。在图17和18中提供有TFT501和502，这些TFT具有与在实施例1中所述相同的结构。

在信号线输入端部分提供保护二极管561和562。与形成TFT501和502相同的处理过程制造这些二极管，并且通过将漏极和源极中之一与栅极连接，可将它们当作二极管而对其进行使用。图18是图17中所示俯视图的等效电路图。

保护二极管561由栅电极层550，半导体层551，用于保护沟道的绝缘层552，以及配线层553构成。保护二极管562也具有相同的结构。与保护二极管561和562相连的公共等势线554和555由与栅电极层相同的层构成。由此，有必要在栅基绝缘层中形成接触孔，以便与配线层553电连接。

利用微滴排出方法形成掩模层，然后利用该掩模层进行刻蚀，以此方式可在在栅极绝缘层中形成接触孔。在这种情况下，当利用大气压放电而进行刻蚀时，有可能局部放电，并且无需在整个基底上形成掩模层。

信号配线层250由与在TFT501中源极和漏极配线层225相同的层构成，并且信号配线层250与配线层225是相连的。

扫描线输入端部分具有相同的结构。这样，根据本发明，可同时形成在输入级所提供的保护二极管。应注意的是，嵌入保护二极管的位置并不受本实施中所示的位置限制，也可在驱动器电路和像素之间提供保护二极管。

【实施例15】

图29和30表示的例子中是利用根据微滴排出方法所制造出的TFT基底200，而形成EL显示模块的。在两幅图中，将包括像素102a到102c的像素部分形成在TFT基底200上。

在图29中，在驱动器电路703与像素部分101外侧像素102a到102c之间提供TFT，将其作为保护电路部分701，其中该TFT具有与在像素中所形成的TFT相同的结构，或者提供二极管，其通过将TFT栅极与其源极和漏极之一相连而形成的。作为驱动器电路703，应用由单晶半导体构成的驱动器IC，在玻璃基底上由多结晶半导体构成的条驱动器IC，由SAS构成的驱动器电路，或类似部件。

利用微滴排出方法，通过在绝缘层248上所形成的间隔物710，将由图29所示的TFT基底200与密封基底241粘接。优选地是提供间隔物710，以便即使当基底很薄并且像素部分的尺寸很大时，也可在两基底之间保持相同的间隔。可用光透射树脂材料填充位于在发光元件上TFT基底200与密封基底241之间的空间702，之后该材料可固化。可替换的是，用无水氮或惰性气体填充该空间。

图29表示出发光元件239是顶部发射类型，即沿箭头所示的方向发射出光线的情况。通过从相应的像素102a到102c所发射出不同的彩色光，即红光，绿光，蓝光，而显示出具有很多颜色的图像。此外，可通过在密封基底241侧面上形成符合相应颜色的色彩层，而提高发射到外部的光的色纯度。而且，像素102a，102b，和102c可以是白色发光元件，并且可将它们与色彩层相结合。

通过配线基底704，将在图29和30中的外部电路705与在TFT基底200一端上所提供的扫描线或信号线连接端连接。此外，如图29中所示，为了增强散热效果而提供热管706和散热器707，其与TFT基底200接触或与TFT基底200相邻。

虽然图29表示了顶部发射型EL模块，但是也可通过改变发光元件的结构或改变外部电路基底的位置，而使用如图30中所示的底部发射结构。

图30表示用于通过将粘合树脂702填充到空间702中，并用密封材料240和粘合树脂702穿过树脂薄膜708，而形成密封结构的例子，其中粘合树脂702在TFT基底200上形成了像素的位置处。优选地是提供阻气薄膜，用以防止树脂薄膜708表面上的水分传输。虽然图30表示出透过基底发射出在发光元件中所产生的光的底部发射结构，但是也可通过使树脂薄膜708和粘合树脂702具有光透射性能而获得顶部发射结构。在任何情况下，通过利用薄膜密封结构，可实现进一步缩减厚度和减轻重量。

【实施例16】

可通过利用实施例15所制造的显示模块，或通过利用实施例11或12所制造的显示板，而得到电视机接收器。图31是表示出电视机接收器主要结构的方块图。显示板可具有任何结构。一个例子是，如图1中所示，在基底上仅形成像素部分101，并且利用TAB方法将扫描线驱动器电路903和信号线驱动器电路902安装在基底上。另一个例子是，如图2中所示，利用COG方法，安装像素部分101，扫描线驱动器电路903和信号线驱动器电路902，其中将扫描线驱动器电路903和信号线驱动器电路902安装在像素部分101的周围。再一个例子是，如图3中所示，由SAS构成TFT，将像素部分101和扫描线驱动器电路903整体地形成在基底上，并且将所安装的信号线驱动器电路902当作驱动器IC。可利用任何结构的显示板。

在视频信号输入的侧面上，提供视频信号放大器电路905，用于在由调谐器904所接收到的信号中对视频信号进行放大；视频信号处理电路906，用于将由视频信号放大器电路905所输出的信号转化成符合红色，绿色，和蓝色中每个颜色的彩色信号；控制电路907，用于将视频信号转化成驱动器IC的输入规格；以及类似装置。控制电路907分别向扫描线侧和信号线侧输出信号。如果是数字驱动的情况，可在信号线侧上提供信号分离电路908，从而将输入数字信号分成m个信号并且提供输入该数字信号。

在由调谐器904所接收到的信号中，将音频信号传输给音频信号放大器电路909，并通过音频信号处理电路910将其提供给扬声器913。控制电路911接收多个控制信息，该控制信息与接收状态(接收频率)和来自于输入部分912的音量有关，并然后将信号传输给调谐器904和音频信号处理电路910。

当将在图29和30所示的这些外部电路和EL模块构建在机箱920中时，可获得电视机接收器。通过EL显示模块形成显示屏幕921，并且提供附属装置，即扬声器922和操作开关924以及类似装置。由此，利用本发明完成电视机接收器。

当然，本发明并不仅限于电视机接收器，还可将本发明应用到个人计算机的监视器，以及显示媒体中，特别是大尺寸的，例如火车站和机场所使用的信息显示板，道路上所使用的广告显示板，以及类似装置。

【实施例17】

参考图64和36B，将顶部栅极TFT作为实施例17对其进行说明。

图36A中所示结构与实施例7中的结构类似。

之后如图36B中所示，将栅极绝缘层211形成在半导体层130和像素电极142上。并将半导体层132形成在栅极绝缘层211上，从而制造出TFT。

图64是通过本实施例所制造出的液晶显示板的截面图。不象图36B那样，在图64中，是在形成半导体层和像素电极之前形成栅极绝缘层。这里利用等离子CVD方法或溅射方法形成栅极绝缘层211。特别优选的是栅极绝缘层211具有包含三层的多层结构：由氮化硅构成的绝缘层；由氧化硅构成的绝缘层；和由氮化硅构成的绝缘层。然后，在为了使一部分源极和漏极配线层125暴露出来而在栅极绝缘层211上形成通孔之后，通过选择性地排放包含有导电材料的组合物，而形成像素电极层233，从而通过n型半导体层将其与源极和漏极配线层125电连接。当如图36B中所示在形成栅极绝缘层131之前就形成有像素电极层233时，没有必要将源极和漏极配线暴露出来。

利用微滴排出方法形成栅电极层3279。作为形成该层的导电材料，有可能利用在其中主要包含有Ag(银)，Au(金)，Cu(铜)，W(钨)，Al(铝)，或类似物粒子的组合物。

在形成密封材料3231之后，使用密封材料3231，将基底3100粘贴到反向基底3234上，反向基底3234上形成了具有反向电极功能的导电层3233和具有定向薄膜功能的绝缘层3232。之后，在基底3100和反向基底3234之间形成液晶层3350。接下来，利用在大气压下或近大气压下进行刻蚀的方式，使连接端3236所覆盖的区域暴露出来，并且连接端穿过该区域。由此，可制造出具有显示功能的液晶显示板(参看图64)。

【实施例18】

参考图62，本实施例说明了这样一个例子，其中分别向扫描线输入端部分和信号线输入端部分提供了保护二极管。图62中在像素3102中提供了TFT3260。该TFT具有与在实施例3中所述的相同的结构。

在信号线输入端部分提供有保护二极管3261和3262。这些保护二极管的制造处理过程与形成TFT3260的制造处理过程相同，并且通过将栅极与漏极和源极中之一连接，它们就可当作二极管般的工作。图63是图62中所示俯视图的等效电路图。

保护二极管3261包括栅电极层3250，半导体层3251，用于保护沟道的绝缘层3252，以及配线层3253。而保护二极管3262也具有相同的结构。与这些保护二极管3261和3262相连接的公共等势线3254和3255，由与栅电极层3250相同的层所构成。由此，有必要在栅极绝缘层中形成接触孔，以便与配线层3253电连接。

利用微滴排出方法形成掩模层，并之后利用该掩模层进行刻蚀处理，以此方式在栅极绝缘层中形成接触孔。这时，当利用大气压放电而进行刻蚀处理时，有可能实现局部的电荷释放，并没有必要在整个基底上形成掩模层。

保护二极管3261和3262是由与在TFT3226中源极和漏极配线层3225、3226相同的层所构成，并且将与其相连的信号配线层3256，与保护二极管3261和3262的源极或漏极侧连接。

扫描线输入端部分具有相同的结构。由此，根据本发明，在输入线上所提供的保护二极管3261和3262可同时形成。要注意的是插入保护二极管3261和3262的位置不受在本实施例中所示位置的限制，并且可将它们放在驱动器电路和像素之间。

【实施例19】

可利用根据实施例12所制造出显示板完成电视机接收器。图31是用于显示该电视机接收器主要结构的方块图。电视机接收器的主要结构与在实施例16中所示的结构相同。

图61表示出显示模块的例子，其中通过密封材料4231将TFT基底4200和反向基底4229粘合，并在TFT基底4200和反向基底4229之间，形成包含像素部分4101和液晶层4230的显示区域。如果是彩色显示则有必要具有色彩层4250，并且为相应的像素提供符合红色，绿色和蓝色中相应颜色的色彩层。在TFT基底4200和反向基底4229外侧提供偏振板4251和4252。在偏振板4251上形成保护层4280。光源包括冷阴极电子管4258和光波导管4259。通过弹性配线基底4256将电路基底4257与TFT基底4200连接，并装入例如控制电路和电源电路的外部电路。

图32表示出通过在机壳920中构建上述显示模块所完成的电视机接收器。通过显示模块而形成显示屏幕921，并提供作为辅助设备的扬声器922，操作开关924和类似装置。由此，根据本发明完成电视机接收器。

本发明并不仅局限于电视机接收器，也可将其应用于个人计算机的监视器以及显示媒介中，特别是大尺寸的，例如火车站和机场中所使用的信息显示板，和街道中所使用的广告显示板。

Claims (36)

1.一种用于制造显示装置的方法，包括以下步骤：

在基底上形成包含有感光材料的薄膜；

在利用激光束对其进行照射之后使薄膜显影，以此方式形成图案，

将图案的一个表面变成微滴脱落表面，

利用微滴排出方法，通过将导电材料排放到具有微滴脱落表面的图案外缘上，而形成源极和漏极；以及

在源极和漏极上，形成半导体层、栅绝缘层和栅极。

2.根据权利要求1中制造显示装置的方法，

其中激光束具有从紫外线到红外线区域范围内的波长。

3.根据权利要求1中制造显示装置的方法，

其中感光材料是负感光树脂。

4.根据权利要求1中制造显示装置的方法，

其中感光材料是正感光树脂。

5.根据权利要求1中制造显示装置的方法，

其中显示装置是液晶显示装置。

6.根据权利要求1中制造显示装置的方法，

其中显示装置是发光显示装置。

7.一种电视机，其包括根据权利要求1中用于制造显示装置的方法所制造出的显示装置。

8.一种用于制造显示装置的方法，包括以下步骤：

在基底上，通过利用用于形成微滴脱落表面的溶液，而形成第一薄膜；

用激光束对第一薄膜进行照射，以此方式形成具有微滴脱落部分和微滴吸引部分的第二薄膜，

利用微滴排出方法，通过将导电材料排放到第二薄膜的微滴吸引表面上，而形成源极和漏极；以及

在源极和漏极上，形成半导体层、栅绝缘层和栅极。

9.根据权利要求8中制造显示装置的方法，

其中激光束具有从紫外线到红外线区域范围内的波长。

10.根据权利要求8中制造显示装置的方法，

其中显示装置是液晶显示装置。

11.根据权利要求8中制造显示装置的方法，

其中显示装置是发光显示装置。

12.一种电视机，其包括根据权利要求8中用于制造显示装置的方法所制造出的显示装置。

13.一种用于制造显示装置的方法，包括以下步骤：

在光透射基底上形成薄膜；

在薄膜上排放或涂覆感光材料；

在利用第一激光束对其进行照射之后使感光材料显影，以此方式形成掩模图案；

通过利用该掩模图案对薄膜进行刻蚀，而形成具有预期形状的栅电极；

在栅电极上形成绝缘薄膜；

在绝缘层的表面上形成微滴脱落部分；

通过用第二激光束对一部分微滴脱落部分进行照射，而将该部分微滴脱落部分变成微滴吸引部分，其中第二激光束是通过光透射基底所透射出的；

在微滴吸引部分上形成源极和漏极；以及

在源极和漏极上形成半导体层。

14.根据权利要求13中制造显示装置的方法，

其中第一激光束具有从紫外线到红外线区域范围内的波长。

15.根据权利要求13中制造显示装置的方法，

其中第二激光束具有从紫外线到红外线区域范围内的波长。

16.根据权利要求13中制造显示装置的方法，

其中感光材料是负感光树脂。

17.根据权利要求13中制造显示装置的方法，

其中感光材料是正感光树脂。

18.根据权利要求13中制造显示装置的方法，

其中显示装置是液晶显示装置。

19.根据权利要求13中制造显示装置的方法，

其中显示装置是发光显示装置。

20.一种电视机，其包括根据权利要求13中用于制造显示装置的方法所制造出的显示装置。

21.一种用于制造显示装置的方法，包括以下步骤：

利用微滴排出方法，在光透射基底上形成第一图案；

在第一图案上排放或涂覆感光材料；

在利用第一激光束对其进行照射之后，使第一图案与感光材料相重叠的部分显影，以此方式形成掩模图案；

通过利用该掩模图案对第一图案进行刻蚀，而形成具有预期形状的栅电极；

在栅电极上形成绝缘薄膜；

在绝缘层的表面上形成半导体层；

在半导体层的表面上形成微滴脱落部分；

通过用第二激光束对一部分微滴脱落部分进行照射，而将该部分微滴脱落部分变成微滴吸引部分，其中第二激光束使通过光透射基底所透射出的；

在微滴吸引部分上形成源极和漏极；以及

将源极和漏极当作掩模，对部分半导体层进行刻蚀，形成源极区域和漏极区域。

22.根据权利要求21中制造显示装置的方法，

其中第一激光束具有从紫外线到红外线区域范围内的波长。

23.根据权利要求21中制造显示装置的方法，

其中第二激光束具有从紫外线到红外线区域范围内的波长。

24.根据权利要求21中制造显示装置的方法，

其中感光材料是负感光树脂。

25.根据权利要求21中制造显示装置的方法，

其中感光材料是正感光树脂。

26.根据权利要求21中制造显示装置的方法，

其中显示装置是液晶显示装置。

27.根据权利要求21中制造显示装置的方法，

其中显示装置是发光显示装置。

28.一种电视机，其包括根据权利要求21中用于制造显示装置的方法所制造出的显示装置。

29.一种用于制造显示装置的方法，包括以下步骤：

利用微滴排出方法，在光透射基底上形成第一图案；

在第一图案上排放或涂覆感光材料；

在利用第一激光束对其进行照射之后，使第一图案与感光材料相重叠的部分显影，以此方式形成掩模图案；

通过利用该掩模图案对第一图案进行刻蚀，而形成具有预期形状的栅电极；

在栅电极上形成第一绝缘薄膜；

在第一绝缘层的表面上形成第一半导体层；

在第一半导体层上形成第二绝缘薄膜；

在第一半导体层和第二绝缘薄膜上形成第二半导体层；

在第二半导体层的表面上形成微滴脱落部分；

通过用第二激光束对一部分微滴脱落部分进行照射，而将该部分微滴脱落部分变成微滴吸引部分，其中第二激光束使通过光透射基底所透射出的；

在微滴吸引部分上形成源极和漏极；以及

将源极和漏极当作掩模，对一部分第二半导体层进行刻蚀，形成源极区域和漏极区域。

30.根据权利要求29中制造显示装置的方法，

其中第一激光束具有从紫外线到红外线区域范围内的波长。

31.根据权利要求29中制造显示装置的方法，

其中第二激光束具有从紫外线到红外线区域范围内的波长。

32.根据权利要求29中制造显示装置的方法，

其中感光材料是负感光树脂。

33.根据权利要求29中制造显示装置的方法，

其中感光材料是正感光树脂。

34.根据权利要求29中制造显示装置的方法，

其中显示装置是液晶显示装置。

35.根据权利要求29中制造显示装置的方法，

其中显示装置是发光显示装置。

36.一种电视机，其包括根据权利要求29中用于制造显示装置的方法所制造出的显示装置。

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