CN1573449A - 薄膜图案形成法、器件及其制法、液晶显示装置及其制法 - Google Patents

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Abstract

一种薄膜图案形成方法，是在基板上涂布功能液形成薄膜图案的方法，其特征在于其中具有：在所述基板上形成与所述薄膜图案相应凹部的工序，和在所述凹部涂布所述功能液的工序。

Description

薄膜图案形成法、器件及其制法、液晶显示装置及其制法
技术领域
本发明涉及薄膜图案的形成方法、器件及其制造方法、液晶显示装置的制造方法、液晶显示装置、有源矩阵基板的制造方法、电光学装置及电子仪器。
背景技术
具有电子电路和集成电路等使用的配线的器件的制造，例如可以采用光刻法(照相平板印刷法photolithography)。这种光刻法是预先在涂布了导电膜的基板上涂布被称为抗蚀剂的感光材料，对电路图案进行照射显影，根据抗蚀剂图案蚀刻导电膜，形成薄膜配线图案的。这种光刻法需要真空装置等大型设备和复杂工序，而且材料的使用效率也仅有百分之几的程度，几乎不得不全部废弃，制造成本高。
针对这一点，有人提出采用从液体喷头以液滴状喷出液体材料的液滴喷出法，即所谓喷墨法在基板上形成配线图案的方法(例如参见专利文献1)。此方法直接在基板上根据图案涂布将金属粒子等导电性微粒分散后的作为功能液的配线图案用油墨，然后进行热处理或激光照射，将其转变成薄膜导电膜。采用这种方法的优点是无需光刻法，工艺得到大幅度简化，同时原材料的使用量也减少。
另一方面，随着移动电话机等便携式仪器的普及，广泛采用薄型重量轻的液晶显示装置。这种液晶显示装置，是将液晶层夹在上基板与下基板之间的装置而成的。
图48示出上述下基板的一个实例。如图48所示，下基板1构成为：备有玻璃基板2、被配置在此玻璃基板2上互相交叉的栅极扫描电极3和源电极4、在同一玻璃基板2上被配置的漏电极5、与此漏电极5连接的像素电极(ITO)6、为栅极扫描电极3及源电极4之间的绝缘层7、和由薄膜半导体组成的TFT(薄膜晶体管)8。
在上述下基板1上各金属配线的形成中，以往一直采用例如将干法与光刻法组合的方法，但是干法的缺点是制造成本上较高，而且随着制造基板尺寸的大型化而出现尺寸波动。因此，仍然继续采用喷墨法在玻璃基板上描绘金属配线的方法。
专利文献1：美国专利5132248号说明书
专利文献2：特开2002-164635号公报
然而，对于上述的那些已有技术而言存在以下问题。
由于配线图案是由在基板一个表面上涂布的导电性微粒形成的，所以由导电性微粒构成的薄膜就为从基板表面向外突出的状态，因而成为阻碍器件薄型化的一个原因。
而且对于在基板上以连续多层形成配线图案的器件来说，还有成为阻碍高集成化起因之一的问题。
此外无论上述哪种方法，作为制成的制品都会在表面上残留下如图48所示的许多凹凸形状。这种凹凸形状一旦比较显著，就会出现在液晶显示装置组装时产生显示不均的问题。
也就是说，这种下基板1在其上面形成取向膜后虽然可以实施摩擦处理，但是在凹部分和凸部分之间进行摩擦处理的具体情况就会产生偏差。这种摩擦处理一旦出现不均，就会在液晶取向的约束力上产生差别，结果引起显示不均。
发明内容
本发明正是鉴于上述问题而提出的，其目的在于提供一种能够实现薄层化的薄膜图案形成方法、器件及其制造方法、电光学装置和电子仪器。
本发明的另一目的在于提供一种通过提高约束力能够防止显示不均的机构。
为了达成本发明目的，本发明采用以下构成。
本发明的薄膜图案形成方法，是在基板上涂布功能液形成薄膜图案的方法，其特征在于，其中具有：在所述基板上形成与所述薄膜图案相应的凹部的工序，在所述凹部涂布所述功能液的工序。这种情况下可以包括在所述基板上根据所述薄膜图案突出设置贮存格的工序，在所述贮存格间的所述基板上形成所述凹部的工序，和涂布所述功能液后除去所述贮存格的工序。
因此本发明中，由于能够在基板的凹部内形成薄膜图案，所以有可能不从表面突出的情况下配线，能够使采用这种基板的器件薄型化，同时还能在层叠配线图案(薄膜图案)时实现高集成化。而且突出设置贮存格后，在向贮存格间的基板上喷出(涂布)功能液的情况下，使功能液的液滴不会向周围飞散，能够以所定形状进行图案化。
其中在突出设置贮存格的情况下，优选以贮存格作掩模，例如采用蚀刻法等形成凹部。
这样既不需要另外制作掩模，也不需要在基板上定位放置掩模的操作，能够提高生产率。
而且在突出设置贮存格的情况下，优选设置对贮存格赋予比所述凹部更高疏液性的工序。
这样一来，即使一部分被喷出的液滴落在贮存格上，由于贮存格表面是疏液性的而从贮存格被排斥，流入贮存格的凹部内。因此被喷出的功能液可以在基板上的凹部扩展，大致均匀地将其掩埋。
另外，在功能液中含有导电性微粒的情况下，可以将薄膜图案作为配线图案应用于各种器件之中。而且除导电性微粒以外，使用有机EL等发光元件形成材料和R·G·B等油墨材料的情况下，还可以适用于有机EL装置以及具有彩色滤光片的液晶显示装置等的制造之中。此外作为功能液，还可以选择通过加热等热处理或光照射等光处理能够呈现导电性的材料。
另一方面，本发明的器件制造方法是在基板上形成薄膜图案而构成的器件制造方法，其特征在于，通过上述的薄膜图案形成方法，在所述基板上形成所述薄膜图案。
因此本发明可以得到薄型、高集成化成为可能的器件。
特别是在所述基板上设置了薄膜图案的TFT(薄膜晶体管)等开关元件中作为部分构成部分的情况下，可以得到高集成化的薄型开关元件。
于是本发明的电光学装置，其特征在于，其中备有利用上述的器件制造方法制造的器件。
而且本发明的电子仪器，其特征在于，其中备有上述的电光学装置。
因此根据本发明能够得到薄型的电光学装置和电子仪器。
本发明的器件是基板上形成薄膜图案而构成的器件，其特征在于，在所述基板上形成与所述薄膜图案对应的凹部，在所述凹部内设有所述薄膜图案。
由此本发明中，由于可以在基板的凹部内形成薄膜图案，所以能够在不从基板表面突出的情况下配线，能使使用这种基板的器件等薄型化，同时能使层叠配线图案(薄膜图案)时高度集成化。
作为薄膜图案，优选相对于所述基板以非突出状态形成的。
这样根据本发明，在能进一步薄型化的同时，当薄膜图案的表面与基板表面合为一面的情况下平坦性提高，形成绝缘膜等后续工序变得容易进行。
而且作为凹部，优选截面形状形成得朝向底部逐渐扩径的倒锥体状。
由此，根据本发明在凹部形成的薄膜图案很难与基板剥离，可以防止器件品质的降低。
另外，以导线性膜形式形成薄膜图案的情况下，可以将薄膜图案作为配线图案，并可以应用于各种器件之中。
本发明的液晶显示装置的制造方法，采用具有以下工序为特征的方法：即，其特征在于，具有：在基板上形成基板沟槽的基板沟槽形成工序；疏液部形成工序，形成以区分所述基板沟槽用疏液部；第一导电性图案形成工序，向所述基板沟槽喷出含有导电性材料的液滴后形成第一导电性图案；第一绝缘层形成工序，其形成第一绝缘层，以使至少将所述的第一导电性图案覆盖；贮存格形成工序，在所述的第一绝缘层上形成具有由薄膜半导体组成的薄膜晶体管和透光性的第一层贮存格；第二导电性图案形成工序，向由所述贮存格区分的描绘区域喷出含有导电性材料的液滴，以形成第二导电性图案；和第二绝缘层形成工序，形成第二绝缘层，以使至少将所述的第一层贮存格和所述的第二导电性图案覆盖。
根据这种液晶显示装置的制造方法，第一绝缘层形成工序之前的基板，由于已经变成基板沟槽内被第一导电性图案掩埋的形状，所以变成平坦的表面形状。在这种平坦的表面上形成第一绝缘层的情况下，可以在第一绝缘层形成工序中形成相当平坦的第一绝缘层。此外，在第二导电性图案形成工序中，在这种平坦的第一绝缘层上可以形成第一层贮存格与第二导电性图案形成为一体的一枚的平坦层。
在这种平坦层上，在第二绝缘层形成工序中形成第二绝缘层的情况下，可以形成相当平坦的第二绝缘层。也就是说，由于是使原来被除去的第一层贮存格残留下来形成第二绝缘层的，所以可以确保表面形状比以往凹凸少。
正如上述说明的那样，全部工序后的基板变成可以确保平坦表面形状的。由此对基板进行摩擦处理时，由于很难产生那种不均，所以可以提高液晶取向的约束力，能够防止显示不均。
而且在第一导电性图案形成工序中形成的第一导电性图案，由于形成得将基板沟槽内掩埋，所以与在没有基板沟槽的基板上形成第一导电性图案的情况相比，还能使完成后的基板厚度尺寸减小。
不仅如此，对于上述液晶显示装置的制造方法来说，也可以在所述的疏液部形成工序中，通过形成区分所述基板沟槽的第二层贮存格，形成所述的疏液部，在所述的第一绝缘层形成工序之前除去所述的第二层贮存格。
这种情况下，通过形成第二层贮存格，在上述第一导电性图案形成工序中可以确实形成微细的第一导电性图案。而且这种第二层贮存格是作为第一导电性图案形成后除去的，所以还能将完成后的基板厚度尺寸减薄。
为了解决上述课题，本发明的液晶显示装置采用将液晶层夹持在一对基板之间构成的液晶显示装置，采用了如下构成，即，其特征在于，在所述基板中的一方的基板上形成基板沟槽，并在所述基板沟槽内形成第一导电性图案而成，其中备有：以至少将所述第一导电性图案覆盖的状态形成的绝缘层，设于该绝缘层的上面的，由薄膜半导体构成的薄膜晶体管、具有透光性的贮存格，以及设于由所述贮存格区分的区域上的第二导电性图案。
根据这种液晶显示装置，所述一方的基板因第一导电性图案形成被掩埋在其基板沟槽内的形状而变成具有平坦表面形状。在此平坦表面上形成的绝缘层也能变成具有相当平坦表面的形状。此外，在此平坦的绝缘层上形成的薄膜晶体管、贮存格及第二导电性图案也能变成具有相当平坦的表面形状。也就是说，由于原来被除去的贮存格残留下来，所以可以确保凹凸比以往少的表面形状。
这样一来，由于各层被平坦化，所以能够防止摩擦处理不均，提高液晶取向的约束力。因此，能够制成一种可以防止显示不均的液晶显示装置。
而且由于第一导电性图案形成得被埋在玻璃基板的基板沟槽内，所以与在没有基板沟槽的基板上形成第一导电性图案的情况相比，还能减小基板的厚度尺寸。
此外为了解决上述课题，本发明的液晶显示装置的制造方法采用其特征在于具有以下工序的方法：在基板上形成基板沟槽的基板沟槽形成工序；在所述基板沟槽内形成第一层贮存格的第一层贮存格形成工序；在由所述的第一层贮存格区分的区域上喷出含有导电性材料的液滴，在所述基板沟槽内形成第一导电性图案的第一导电性图案形成工序。
根据这种液晶显示装置的制造方法，由于配线形成得将作为凹部的基板沟槽被第一层贮存格和第一导电性图案所掩埋，所以可以确保具有比以往凹凸少的平坦表面形状。因此对基板进行摩擦处理时，由于很难产生那种不均，所以能够提高液晶取向的约束力，防止显示不均。
而且将第一贮存格和第一导电性图案埋入基板沟槽内的情况下，与没有设置基板沟槽的情况下形成第一导电性图案的情况相比，还能减小完成后基板的厚度尺寸。
此外，在上述液晶显示装置的制造方法中，还可以进行以下工序：用绝缘层至少覆盖所述的第一导电性图案和所述的第一层贮存格的第一绝缘层形成工序；在所述基板沟槽内形成由薄膜半导体构成的薄膜晶体管和第二层贮存格的第二层贮存格形成工序；在由所述的第二层贮存格区分的区域上喷出含有导电性材料的液滴，在所述基板沟槽内形成第二导电性图案的第二导电性图案形成工序。
这种情况下，由于绝缘层、薄膜晶体管、第二层贮存格和第二导电性图案均被收容在基板沟槽内，所以能够进一步确保平坦的表面形状。这样能够使摩擦处理的情况更加均匀，进一步提高液晶取向的约束力，能够防止显示不均。而且还能进一步减小完成后的基板厚度尺寸。
为了解决上述课题，本发明的液晶显示装置，采用将液晶层夹持在一对基板之间构成的液晶显示装置，其特征在于其中备有：在所述基板中的一方的基板上形成基板沟槽，在所述基板沟槽内至少有一层贮存格和由所述贮存格区分的区域上形成的导电性图案。
根据这种液晶显示装置，由于配线形成得在基板沟槽内将贮存格和导电性图案掩埋，所以可以确保具有比以往凹凸少的平坦表面形状。借助于这种平坦化，可以防止摩擦处理不均，提高液晶取向的约束力，因而能够制成可以防止显示不均的液晶显示装置。
而且由于贮存格和导电性图案被掩埋在基板沟槽内，所以与在没有基板沟槽的基板上形成导电性图案的以往的相比，还能减小基板的厚度尺寸。
另一方面为解决上述课题，本发明的液晶显示装置的制造方法，采用其特征在于其中具有以下工序的方法：在基板的上面形成具有透光性的贮存格的贮存格形成工序；在由所述贮存格区分的扫描区域上喷出含有导电性材料的液滴，形成第一导电性图案的导电性图案形成工序；形成由薄膜半导体组成的薄膜晶体管和绝缘层，以使至少将所述贮存格和所述第一导电性图案覆盖的绝缘层形成工序。
根据这种液晶显示装置的制造方法，绝缘层形成前的基板，贮存格和第一导电性图案成为一体而形成一个平坦层。在这种平坦层上形成绝缘层的情况下，可以形成仍然平坦的绝缘层。
由此，由于使本来已被除去的贮存格残留的情况下形成绝缘层，所以可以确保具有比以往凹凸少的平坦表面形状。由此，对基板进行摩擦处理时，由于很难产生那种不均情形，所以能够提高液晶取向的约束力，防止显示不均。
不仅如此，在上述液晶显示装置的制造方法中，也可以在所述绝缘层上进行所述贮存格形成工序、所述的导电性图案形成工序和所述的绝缘层形成工序，形成相对于所述第一导电性图案交叉的第二导电性图案。
这种情况下，再次进行绝缘层形成工序前的基板，由于再次进行的导电性图案形成工序使形成的贮存格和第二导电性图案形成一体，所以也能形成一层平坦层。在此平坦层上再次形成绝缘层的情况下，能够形成仍然平坦的绝缘层。
因此，利用导电性图案形成例如平视的情况下互相交叉的栅极扫描电极、电容线、源电极和漏电极的情况下，由于是在形成这些电极用的贮存格残留的条件下形成绝缘层的，所以仍然可以确保具有比以往凹凸少得多的平坦表面形状，使摩擦处理时的情况均匀化，提高液晶取向的约束力。
此外，在上述液晶显示装置的制造方法中，也可以利用包括所述的导电性图案形成工序的金属配线形成工序，形成栅极扫描电极、源电极、漏电极和像素电极。
这种情况下，由于是通过喷出含有导电性材料的液滴，形成栅极配线、源配线、漏配线和像素电极的，所以可以减少金属配线形成工序所需的材料。
而且为了解决上述课题，本发明的液晶显示装置采用将液晶层夹持在一对基板之间形成的液晶显示装置的构成，其特征在于其中备有：在一对基板中的一方的基板上设置具有透光性的第一层贮存格，以及由所述贮存格区分的区域上设置的第一导电性图案形成的第一导电层，和在所述的第一导电层上设置的第一绝缘层。
根据这种液晶显示装置，在所述的一个基板上贮存格与第一导电性图案成为一体形成一个平坦的第一导电层。因此，在这种平坦的第一导电层上形成的第一绝缘层也能形成仍然平坦的表面形状。
因此，由于是在本来已被除去的贮存格残留下来的情况下形成第一绝缘层的，所以可以确保具有比以往凹凸少的表面形状。通过这种平坦化，可以防止摩擦处理的不均，提高液晶取向的约束力，因而能够制成可以防止显示不均的液晶显示装置。
此外，在上述液晶显示装置中，也可以备有由在所述的第一绝缘层上设置的第二层贮存格和第二导电性图案形成的第二导电层，和在所述的第二导电层上设置的第二绝缘层。
这种情况下，第二层贮存格和第二导电性图案合为一体，形成了一个平坦的第二导电层。于是在此平坦的第二导电层上形成的第二绝缘层仍然可以变成具有相当平坦的表面形状。
因此使用例如在同一平面上交叉的导电性图案作为栅极扫描电极和源电极的情况下，由于形成这些电极用的贮存格残留，所以可以确保具有比以往凹凸少得多的表面形状，可以使摩擦处理的情况均匀化，提高液晶取向的约束力。
而且本发明的电子仪器，其特征在于其中备有用所述的液晶显示装置的制造方法制造的液晶显示装置，或者备有所述的液晶显示装置。
采用这种电子仪器，由于备有液晶取向约束力优良的液晶显示装置，所以能够制成备有显示不均少、可视性优良的显示部分的电子仪器。
此外，本发明的有源矩阵基板的制造方法，其特征在于其中包括：在基板形成栅极配线的第一工序；在所述栅极配线上形成栅极绝缘膜的第二工序；隔着所述栅极绝缘膜层叠半导体层的第三工序；在所述栅极绝缘层上形成源电极和漏电极的第四工序；在所述电极和所述漏电极上配置绝缘材料的第五工序；和形成与所述漏电极电连接的像素电极的第六工序；其中所述的第一工序、所述的第四工序和所述的第六工序中至少一个工序具有：形成与形成的图案对应凹部的工序；和通过液滴喷出装置向所述凹部喷出所述功能液而进行配置的材料配置工序。
根据本发明，能够在栅极配线、源电极和漏电极、以及像素电极不从基板突出的情况下形成配线，可以使采用这种基板的器件等薄型化，同时还能在层叠配线图案(薄膜图案)时实现高度集成化。
附图说明
图1是液滴喷出装置的立体示意图。
图2是以压电方式的液体的喷出原理的说明图。
图3是表示配线图案形成顺序的图。
图4表示配线图案形成顺序的图。
图5是表示本发明液晶显示装置制造方法的一种实施方式的图，是表示在下基板上形成基板沟槽工序的部分立体图。
图6是表示同一制造方法的后续图，是表示贮存格形成工序的部分立体图。
图7是表示同一制造方法的后续图，是表示栅极扫描电极形成工序的部分立体图。
图8是表示同一制造方法的后续图，是表示贮存格除去工序的部分立体图。
图9是表示同一制造方法的后续图，是表示栅极扫描线绝缘膜形成工序的部分立体图。
图10是表示同一制造方法的后续图，是表示贮存格和源电极形成工序的部分立体图。
图11是表示同一制造方法的后续图，是表示源线绝缘膜形成工序的部分立体图。
图12是表示同一制造方法的后续图，是表示贮存格形成工序的部分立体图。
图13是表示同一制造方法的后续图，是表示像素电极形成工序的部分立体图。
图14是表示通过同一制造方法形成的作为其他部分的α-Si TFT器件的部分立体图。
图15是表示本发明液晶显示装置制造方法的一种实施方式的图，是表示在下基板上形成基板沟槽工序的纵截面图。
图16是表示同一制造方法的后续图，是表示在基板沟槽内形成贮存格工序的纵截面图。
图17是表示同一制造方法的后续图，是表示栅极扫描电极和栅极扫描绝缘膜形成工序的纵截面图。
图18是表示同一制造方法的后续图，是表示在栅极扫描绝缘膜上形成贮存格工序的纵截面图。
图19是同一制造方法的说明图，(a)是图21的A-A截面图，(b)是图21的C-C截面图。
图20是表示同一制造方法的后续图，是表示源电极和源极扫描线绝缘膜形成工序的纵截面图。
图21是表示同一制造方法的后续图，是表示贮存格和像素电极形成工序的纵截面图。
图22是表示通过同一制造方法形成的作为其他部分的α-Si TFT器件的部分立体图。
图23是表示本发明液晶显示装置制造方法的一种实施方式的图，是表示在下基板上形成第一层贮存格工序的部分立体图。
图24是表示同一制造方法的后续图，是表示栅极扫描电极形成工序的部分立体图。
图25是表示同一制造方法的后续图，是表示第一层绝缘层形成工序的部分立体图。
图26是表示同一制造方法的后续图，是表示第二层贮存格和源电极形成工序的部分立体图。
图27是表示同一制造方法的后续图，是表示第二层绝缘膜形成工序的部分立体图。
图28是表示同一制造方法的后续图，是表示第三层贮存格形成工序的部分立体图。
图29是表示同一制造方法的后续图，是表示像素电极形成工序的部分立体图。
图30是表示通过同一制造方法形成的作为其他部分的α-Si TFT器件的部分立体图。
图31是薄膜晶体管制造工序的说明图。
图32是薄膜晶体管制造工序的说明图。
图33是薄膜晶体管制造工序的说明图。
图34是薄膜晶体管制造工序的说明图。
图35是薄膜晶体管制造工序的说明图。
图36是薄膜晶体管制造工序的说明图。
图37是薄膜晶体管制造工序的说明图。
图38是薄膜晶体管制造工序的说明图。
图39是从对向基板侧看到液晶显示装置的平面图。
图40是图39中沿着H-H’线的截面图。
图41是液晶显示装置的等效电路图。
图42是同一液晶显示装置的部分截面放大图。
图43是表示其他形式液晶显示装置的部分截面放大图。
图44是有机EL装置的部分截面放大图。
图45是表示液晶显示装置的其他方式的图。
图46是非接触型卡式介质的分解立体图。
图47是表示本发明电子仪器具体实例的图。
图48是表示已有液晶显示装置中的下基板上的一个像素用的部分放大图
图中，
B…贮存格；P…基板；10…玻璃基板；10a…基板沟槽；11…贮存格(疏液部，第二贮存格)；12…栅极扫描电极(第一导电膜)；13…栅极扫描线绝缘膜(第一绝缘层)；14…贮存格(第一贮存格)；15…源电极(第二导电性图案)；16…源线绝缘膜(第二绝缘层)；30…TFT(开关元件)；32…凹部；33…配线图案(薄膜图案)；100…液晶显示装置(电光学装置)；400…非接触型卡式介质(电子仪器)；600…移动电话机主体(电子仪器)；700…信息处理装置(电子仪器)；800…手表主体(电子仪器)。
具体实施方式
以下参照图1～48说明本发明的薄膜图案的形成方法、器件及其制造方法、液晶显示装置的制造方法、液晶显示装置、有源矩阵基板的制造方法、电光学装置及电子仪器。
(第一种实施方式)
本实施方式说明采用液滴喷出法，以液滴状从液滴喷头的喷嘴喷出含有导电性微粒的配线图案(薄膜图案)用油墨(功能液)，在基板上由导电性膜组成的配线图案的实例。
这种配线图案用油墨，是由将导电性微粒分散在分散剂中的分散液或将有机银化合物或氧化银纳米粒子分散在溶剂(分散剂)中的溶液组成的。
本实施方式中作为导电性微粒，例如，除了含有金、银、铜、钯和镍中任何的金属微粒以外，还可以使用其氧化物以及导电性聚合物和超导体微粒等。
这些导电性微粒，为了提高其分散性还可以在其表面上涂布有机物等后使用。
导电性微粒的粒径优选为1纳米或其以上和0.1微米或其以下。若大于0.1微米，则有堵塞后述的液滴喷头的喷嘴之虞。而且一旦小于1纳米，涂料与导电性微粒的体积比就会增大，使得到的膜中有机物比例过高。
作为分散剂，只要是能够分散上述导电性微粒，不引起凝聚的就无特别限制。除水之外还可以举出例如甲醇、乙醇、丙醇、丁醇等醇类，正庚烷、正辛烷、癸烷、十二碳烷、十四碳烷、甲苯、二甲苯、对异丙基甲苯、杜烯、茚、二戊烯、四氢萘、十氢萘、环己基苯等烃类化合物，而且乙二醇二甲醚、乙二醇二乙醚、乙二醇甲基乙基醚、二乙二醇二甲醚、二甘醇二乙醚、二甘醇甲基乙基醚、1，2-二甲氧基乙烷、双(2-甲氧基乙基)醚、对二噁烷等醚类化合物，以及亚丙基碳酸酯、γ-丁内酯、N-甲基-2-吡咯烷酮、二甲基甲酰胺、二甲基亚砜、环己酮等极性化合物。其中从微粒的分散性和分散液的稳定性或者从采用液滴喷出法(油墨喷出法)的容易性观点来看，优选水、醇类、烃类化合物类和醚类化合物，更优选的分散剂可以举出水和烃类化合物。
上述导电性微粒分散液的表面张力，优选为0.02N/m或其以上和0.07N/m或其以下范围内。采用喷墨法喷出液体时，表面张力一旦低于0.02N/m，由于油墨组合物对喷嘴面的湿润性增大而容易使飞行路线产生弯曲，反之若超过0.07N/m则因喷嘴端部的弯月面形状不稳定而使喷出量和喷出计时变得困难。为了调整表面张力，可以在使与基板的接触角不产生显著降低的范围内，向上述分散液中添加微量含氟类、硅酮类、非离子类等表面张力调节剂。非离子类表面张力调节剂能提高液体对基板的湿润性，改善膜的流平性，具有防止膜产生微小凹凸的作用。上述表面张力调节剂，必要时还可以含有醇类、醚类、酯类、酮类等有机化合物。
上述分散液的粘度优选为1mPa·s或其以上和50mPa·s或其以下。采用喷墨法以液滴形式喷出液体材料时，当粘度小于1mPa·s的情况下，喷嘴周边部分容易因油墨的流出污染，而且在粘度大于50mPa·s的情况下，喷嘴孔被堵塞的频度增高，很难顺利地喷出液滴。
作为可以形成配线图案的基板，可以使用玻璃、石英玻璃、硅晶片、塑料薄膜、金属板等各种材料。而且包括可以在这些各种材料基板的表面上形成半导体膜、金属膜、电介质膜、有机膜等基底膜的。
其中作为液滴喷出法的喷出技术，可以举出带电控制方式、加压振动方式、机电转换方式、电热转换方式、静电吸引方式等。带电控制方式是指用带电电极赋予材料以电荷，用偏转电极控制材料的飞翔方向使之从喷嘴中喷出的方式。加压振动方式是指对材料施加30千克/平方厘米左右的超高压，使材料向喷嘴前端一侧喷出的方式，在不加控制电压的情况下，材料可以直接进入喷嘴喷出，施加控制电压后在材料之间就会产生静电排斥作用，使材料飞散而不能从喷嘴喷出。此外，机电转换方式是指利用压电元件(压电元件)接受脉冲电信号后变形的性质，通过压电元件变形借助于柔性物质向储存材料的空间内施压，挤压材料使之从这种空间中挤压而由喷嘴喷出的方式。
而且电热方式是指利用设置在储存材料空间内的加热器使材料急剧气化产生气泡，借助于气泡的压力使空间内的材料喷出的方式。静电吸引方式是指对储存材料的空间内施加微小压力，在喷嘴中形成材料弯月面，在这种状态下施加静电引力后将材料吸引出来的方式。此外还可以采用利用电场使流体粘性变化的方式，以及利用放电火花飞翔的方式等技术。液滴喷出法具有材料使用浪费少，而且能在所需位置准确配置所需量材料的优点。而且通过液滴喷出法喷出一滴液体材料(流体)的量，例如为1～300纳克。
以下说明可以在制造本发明涉及的器件时使用的器件制造装置。
这种器件制造装置，可以采用通过用液滴喷头向基板喷出(滴下)液滴制造器件的液滴喷出装置(喷墨装置)。
图1是表示液滴喷出装置IJ大体结构的立体示意图。
液滴喷出装置IJ，备有液滴喷头101、X轴方向驱动轴104、Y轴方向导向轴105、控制装置CONT、台架107、清洗机构108、基座109和加热器115。
台架107是支持由此液滴喷出装置IJ配置油墨(液体材料)的基板P用的部件，其中备有将基板P固定在基准位置上的图中未示出的固定机构。
液滴喷头101是备有多个喷嘴的多喷嘴型液滴喷头，纵向与X轴方向一致。多个喷嘴以一定间隔沿着Y方向并列地被设置在液滴喷头101的下面。从液滴喷头1的喷嘴，向被支持在台架107上的基板P喷出含有上述导电性微粒的配线图案用油墨。
X轴方向驱动马达102被连接在X轴方向驱动轴104上。X轴方向驱动马达102是步进马达等，一旦从控制装置CONT发出X轴方向的驱动信号，就能使X轴方向驱动轴104旋转。X轴方向驱动轴104一旦旋转就使液滴喷头101沿着X轴方向移动。
Y轴方向导向轴105被固定得相对于基座109不移动。台架107备有Y轴方向驱动马达103。Y轴方向驱动马达103是步进马达等，一旦从控制装置CONT发出Y轴方向的驱动信号，就能使台架107沿着Y轴方向移动。
控制装置CONT向液滴喷头101供给液滴喷出控制用电压。而且向X轴方向驱动马达102供给控制液滴喷头101沿着X轴方向移动用的驱动脉冲信号，向Y轴方向驱动马达103供给控制台架107沿着Y轴方向移动用的驱动脉冲信号。
清洗机构108是清洗液滴喷头101用的机构。清洗机构108备有图中未示出的Y轴方向驱动马达。借助于此Y轴方向的驱动马达使清洗机构沿着Y轴方向导向轴105移动。清洗机构108的移动也由控制装置CONT加以控制。
加热器115，在这里是以灯退火方式对基板P进行热处理的机构，使被涂布在基板P上液体材料中所含的溶剂进行蒸发和干燥。这种加热器115的电源导通和切断也由控制装置CONT加以控制。
液滴喷出装置IJ，一边使液滴喷头101相对于支持基板P的台架107进行扫描，一边向基板P喷出液滴。其中在以下说明中，将X轴方向作为扫描方向，将与X轴方向正交的Y轴方向作为非扫描方向。因此，将液滴喷头1001的喷嘴沿着作非扫描方向的Y轴方向以一定间隔排列设置。其中在图1中，液滴喷头101虽然相对于基板P的前进方向配置成直角，但是也可以调整液滴喷头101的角度，使之与基板P的前进方向交叉。这样的话，通过调整液滴喷头101的角度，可以调节喷嘴之间的间距。而且还可以任意调节基板P与喷嘴面之间的距离。
图2是以压电方式喷出液体材料的原理的说明用图。
图2中，压电元件122被设置得与容纳液体材料(配线图案用油墨，功能液)的液体室121相邻。通过包括容纳液体材料的材料罐在内的液体材料供给系统123，向液体室121供给液体材料。压电元件122与驱动电路124连接，通过此驱动电路124向压电元件122施加电压，通过使压电元件122变形使液体室121变形，从喷嘴125喷出液体材料。这种情况下，通过使施加的电压值变化来控制压电元件122的变形量。而且通过使施加电压的频率发生变化来可控制压电元件122的变形速度。采用压电方式时由于对液滴喷出材料不加热，所以优点是不易影响材料的组成。
以下作为本发明的配线图案形成方法的一种实施方式，参照图3说明在基板上形成导电膜配线的方法。本实施方式涉及的图案形成方法是在基板上配置上述配线图案用油墨，在该基板上形成配线用导电膜图案的方法，大体由贮存格形成工序、凹部形成工序、残渣处理工序、疏液化处理工序、材料配置工序和中间干燥工序、烧成工序以及贮存格除去工序构成。
以下对各工序的每个工序进行详细说明。
(贮存格形成工序)
贮存格是具有隔离部件作用的部件，贮存格的形成可以采用光刻法或印刷法等任意方法进行。例如采用光刻法的情况下，利用旋涂法、喷涂法、辊涂法、模涂法、浸涂法等所定方法，如图3(a)所示，根据基板P上贮存格的高度涂布有机类感光材料31，在其上涂布抗蚀剂层。然后根据贮存格的形状(配线图案)施加掩模使抗蚀剂曝光和显影，残留下与贮存格一致的抗蚀剂。最后蚀刻除去掩模以外部分的贮存格材料。而且还可以形成下层是无机物或有机物并对功能液显示亲液性的材料，而上层是有机物并显示疏液性的材料构成的两层以上的贮存格(凸部)。
由此，如图3(b)所示，例如突出设置10微米宽的贮存格B、B，将应当形成配线图案的区域周边包围。
另外，在有机材料涂布前作为表面的改质处理，可以对基板P进行HMDS处理(将(CH3)3SiNHSi(CH3)3制成蒸气状后涂布的方法)，但是在图3中省略了对其的图示。
作为形成贮存格的有机材料，既可以是相对于液体材料原本显示疏液性的，也可以是像后述那样，能因等离子体处理而疏液化(特弗隆(注册商标)化)并与基底基板的密接性良好，容易用光刻法图案化的有机绝缘材料。例如可以使用丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、烯烃树脂、三聚氰胺树脂等高分子材料。
(凹部形成工序)
一旦在基板P上形成贮存格B、B后，接着就可以在贮存格B、B间的基板(贮存格B、B间的底部)，如图3(c)所示那样形成凹部32。具体讲，对于形成了贮存格B、B的基板P，以贮存格作为掩模，例如用SF6进行蚀刻形成凹部。此时，以蚀刻时间作为参数，将凹部32的深度调整到所需的值(例如2微米)。这样，基板P经过蚀刻，就能如图示那样形成一种具有朝底部逐渐扩径的倒锥体状截面的凹部32。
(残渣处理工序(亲液化处理工序))
接着，对基板P实施残渣处理工序，以便除去贮存格间的形成贮存格时的抗蚀剂(有机物)残渣。
作为残渣处理工序，虽然可以选择照射紫外线进行残渣处理的紫外线(UV)照射处理或在大气气氛中以氧作处理气体的O2等离子体处理等方法，但是这里实施的是O2等离子体处理。
具体讲，是以从等离子体放电电极对基板P照射等离子体状态氧的方式进行。作为O2等离子体处理条件例如为：等离子体功率为50～1000W、氧气流量为50～100毫升/分钟、基板P与等离子体放电电极的相对移动速度为0.5～10毫米/秒钟、基板温度为70～90℃。
另外，当基板P是玻璃基板的情况下，其表面相对于配线图案形成材料具有亲液性，但是像本实施方式那样为残渣处理而实施O2等离子体处理或紫外线照射处理的情况下，可以提高凹部32的亲液性。
(疏液化处理工序)
接着对贮存格B进行疏液化处理，将疏液性赋予其表面。作为疏液化处理，例如可以采用在大气气氛中以四氟甲烷作处理气体的等离子体处理法(CF4等离子体处理法)。CF4等离子体处理条件例如为：等离子体功率为50～1000W、四氟甲烷气体流量为50～100毫升/分钟、基板与等离子体放电电极的相对移动速度为0.5～1020毫米/秒钟、基板温度为70～90℃。
而且处理气体并不限于四氟甲烷(四氟化碳)，也可以采用其他氟代烃类气体。
通过这种疏液化处理，能够向贮存格B、B导入构成其的树脂中的氟基，赋予凹部32以很高的疏液性。而且作为上述亲液化处理的O2等离子体处理，虽然也可以在贮存格B形成之前进行，但是由于丙烯酸树脂和聚酰亚胺树脂等具有经O2等离子体处理的前处理更容易氟化(疏液化)的性质，所以优选在形成贮存格B之后再进行O2等离子体处理。
另外，通过对贮存格B、B疏液化处理，对在先经亲液化处理的基板P表面虽然多少有些影响，尤其当基板P是由玻璃等组成的情况下，由于疏液化处理很难引起氟基的导入，所以对基板P的亲液性，即湿润性没有实质上的损害。
而且就贮存格B、B而言，若采用具有疏液性的材料(例如含有氟基的树脂材料)形成，也可以省略该疏液化处理。
(材料配置工序和中间干燥工序)
以下采用液滴喷出装置IJ，在基板P上的凹部32内涂布配线图案形成材料。而且在这里使用以银作为导电性微粒，以二甘醇二乙醚作溶剂(分散剂)的油墨(分散液)。
也就是说，在材料配置工序中，如图4(d)所示，从液滴喷头101以液滴形式喷出含有配线图案形成材料的液体材料，将该液滴配置在基板P上的凹部32内。作为液滴喷出条件，例如可以在油墨重量4纳克/滴、油墨速度(喷出速度)5～7米/秒钟的条件下进行。
此时由于凹部32被贮存格B、B所包围，所以可以阻止液滴向所定位置以外扩展。而且由于贮存格B、B被赋予疏液性，所以一部分被喷出的液滴即使落在贮存格B上，由于贮存格已经具有疏液性而从贮存格B被排斥，流入贮存格间的凹部32之内。此外，由于凹部32已被赋予亲液性，所以被喷出的液体容易在凹部32内扩展，这样能够使液体在所定位置内更均匀地将凹部32掩埋。
(中间干燥工序)
在基板P上喷出液滴后，为了除去分散剂必要时进行干燥处理。干燥处理，例如可以以加热基板P的通常用电热板、电炉等热处理的方式进行。本实施方式中，例如在180℃下进行60分钟热处理。这种加热可以在氮气等气氛下，不一定在大气中进行。
而且这种干燥处理还可以采用灯退火的方式进行。作为灯退火使用光的光源并无特别限制，可以使用红外灯、氙灯、YAG激光器、氩激光器、二氧化碳激光器、XeF、XeCl、XeBr、KrF、KrCl、ArF、ArCl等激元激光器等作为光源。这些光源一般可以使用功率为10W或其以上和5000W或其以下范围内的，但是在本实施方式中功率为100W或其以上和1000W或其以下范围内就足够了。
通过反复进行这种中间干燥工序和上述材料配置工序，如图4(e)所示，可以在基板P的表面上以非突出状态(优选大体为一个平面)形成配线图案(薄膜图案)33的膜厚。
(烧成工序)
喷出工序后的干燥膜，为了使微粒间实现充分电接触必需完全除去分散剂。而且当为提高导电性微粒表面的分散性而涂布了有机物等涂敷材料的情况下，还必需除去这种涂敷材料。因此可以对喷出工序后的基板P实施热处理和/或光处理。
热处理和/或光处理通常在大气中进行，但是必要时也可以在氮气、氩气、氦气等惰性气体气氛中进行。热处理和/或光处理的处理温度，可以根据分散剂的沸点(蒸气压)、气氛气体的种类和压力、微粒的分散性和氧化性等热行为、涂料的有无或量、以及基体材料的耐热温度等适当确定。
例如，为了除去由有机物组成的涂料，必需在大约300℃下烧成。而且在使用塑料等基板的情况下，优选在室温或其以上至100℃或其以下温度下进行。
通过以上工序可以确保喷出工序后的干燥膜在微粒间的电接触，转变成导电膜。
(贮存格除去工序)
这种工序中，通过灰化剥离处理可以除去凹部32的四周存在的贮存格B，B。灰化处理可以采用等离子体灰化处理或臭氧灰化处理等方法。
等离子体灰化处理是使等离子体化的氧气等气体与贮存格(抗蚀剂)反应，使贮存格气化而剥离除去的方法。贮存格是由碳、氧、氢等构成的固体物质，当其与氧等离子体反应时将变成CO2、H2O和O2，可以全部以气体形式剥离。
另一方面，臭氧灰化的基本原理与等离子体灰化相同，使O3(臭氧)分解变成活性气体O+(氧游离基)，使这种O+与贮存格反应。与O+反应后的贮存格变成CO2、H2O和O2，全部以气体形式剥离。
通过对基板P进行灰化剥离处理，如图4(f)所示，可以从基板P上除去贮存格。
如上所述，本实施方式中由于在基板P上形成凹部32，向凹部32喷出功能液的液滴，所以可以不从基板P突出的情况下形成配线图案33，可以使在基板上形成了配线图案的器件薄型化，进而能够在基板上连续数层层叠配线图案时实现高度集成化。而且在本实施方式中，在相对于基板P的表面不突出的状态下形成配线图案33，可以提高平坦性，使形成绝缘膜等后续工序容易进行。
此外，本实施方式中形成凹部32之际，由于使用贮存格B、B作为掩模，所以无需另外制造掩模，和不需要将掩模在基板上放置定位的操作，所以还可以提高生产性能。而且本实施方式中，由于对贮存格B、B赋予了疏液性，所以即使被喷出的一部分液滴落在贮存格B上，油墨也能流入凹部32内，可以将液体更均匀地涂布在凹部32内，可以获得具有同样膜厚的配线图案33。
而且本实施方式中，由于将凹部32形成倒锥体状截面，所以很难剥离烧成后的配线图案33，还能提高器件的品质。
(第二种实施方式)
以下参照附图说明本发明的液晶显示装置的制造方法、和采用这种制造方法制造的液晶显示装置。首先利用图5～图14说明本实施方式的液晶显示装置的制造方法。
如图5所示，在基板沟槽形成工序中，用光刻法对洗净的玻璃基板10的上面加工出具有一个像素间距的1/20～1/10沟槽宽度的基板沟槽10a。这种基板沟槽10a的形状，如该图所示，优选采用顺向锥体形(朝着喷出方向开口的锥体形)。这样，被喷出的液滴能够充分进入深处。
进而在疏液部形成工序中，如图6所示，用光刻法形成贮存格11作为区分基板沟槽10a的疏液部11。这种贮存格11必需具有疏液性，优选使用丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、烯烃树脂、三聚氰胺树脂等高分子材料。
为使这样形成后的贮存格11具有疏液性，必需实施CF4等离子体处理等(采用含氟成分的等离子体处理)，或者代之以事先在贮存格11的材料本身中充填疏液成分(氟基等)。这种情况下可以省略CF4等离子体处理。
经过这样疏液化的贮存格11相对于喷出油墨的接触角，优选确保为40°或其以上。也就是说，经过本发明人等的试验结果确认，例如对有机银化合物(二甘醇二甲醚溶剂)处理后的接触角，当采用有机材料作为贮存格11的情况下可以确保66.2°(未处理情况下为10°或其以下)；当采用无机材料的情况下可以确保49.0°(未处理情况下为10°或其以下)。其中这些接触角是在等离子体功率为550瓦，以0.1升/分钟速度供给四氟甲烷的处理条件下得到的。
本发明人等的试验结果证明，例如对纯水处理后的接触角，当采用有机材料作为贮存格11的情况下可以确保104.1°(未处理情况下为10°或其以下)；而采用无机材料的情况下可以确保96.3°(未处理情况下为10°或其以下)。而这些接触角是在与上述同样条件下得到的。
在上述疏液部形成工序之后的栅极扫描电极形成工序(第一导电性图案形成工序)中，如图7所示，采用喷墨法喷出含有导电性材料的液滴，使之充满被贮存格11区分的作为扫描区域的上述基板沟槽10a内，形成栅极扫描电极12。作为此时的导电性材料，可以使用Ag、Al、Au、Cu、Pd、Ni、W-Si和导电性聚合物等。这样形成的栅极扫描电极12，由于事先赋予贮存格11以充分的疏液性，所以可以在不从基板沟槽10a溢出的情况下形成微细的配线图案。
继上述栅极扫描电极形成工序后的贮存格除去工序(疏液部除去工序)中，如图8所示，从玻璃基板10的上面除去全部贮存格11。这样能够使玻璃基板10的上面，变成基板沟槽10a因被栅极扫描电极12填埋而平坦化的表面形状。
继上述贮存格除去工序后的第一层绝缘层形成工序(第一绝缘层形成工序)中，如图9所示，形成由薄膜半导体组成的TFT(薄膜晶体管)和栅极扫描线绝缘膜(绝缘层)13，将包括栅极扫描电极12的上面覆盖。能够采用SiO2、SiNx、BPSG、NSG等作为这种栅极扫描线绝缘膜13。
另外，用CVD法形成SiNx的情况下，必需经历300～350℃的热历史，但是贮存格采用无机系材料的情况下，可以避开透明性和耐热性的问题。
这样形成的栅极扫描绝缘膜13，由于是在平坦的玻璃基板10上形成的，所以备有仍然平坦的上面。
在继上述第一层绝缘层形成工序后的第二层贮存格形成工序(贮存格形成工序)中，如图10所示，利用光刻法形成设置一个像素间隔的1/20～1/10而且与上述基板沟槽10a交叉的沟槽14a用的贮存格14。作为这种贮存格14，形成后必需备有透光性和疏液性，作为其材料优选采用丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、烯烃树脂、三聚氰胺树脂等高分子材料。
为了使形成后的贮存格14具有疏液性，必需实施CF4等离子体处理等(采用具有氟成分的等离子体处理)，或者也可以代之以事先在贮存格14材料本身充填疏液成分(氟基)。这种情况下可以省略CF4等离子体处理等。
经过这样疏液化的贮存格14相对于喷出油墨的接触角，优选确保为40°或其以上。
继上述第二层贮存格形成工序后的源、漏电极形成工序(第二导电性图案形成工序)中，如同图所示，利用喷墨法喷出含有导电性材料的液滴，使之填满被贮存格14区分的作为扫描区域的上述沟槽14a内的情况下，可以形成与上述栅极扫描电极12交叉的源电极15。作为此时的导电性材料，能够适当采用Ag、Al、Au、Cu、Pd、Ni、W-Si和导电性聚合物等。这样形成的源电极15，由于事先赋予贮存格14以充分的疏液性，所以能在不从沟槽14a渗出的情况下形成细小的配线图案。
通过以上工序，可以在基板10上形成备有由贮存格14和源电极15构成的平坦的上面的导电层A1。
在继上述源电极形成工序后的第二层绝缘层形成工序(第二绝缘层形成工序)中，如图11所示，将形成源线绝缘膜(第二绝缘层)16，以将包括贮存格14和源电极15的上面覆盖。作为这种源线绝缘膜16的材料，可以采用SiO2、SiNx、BPSG、NSG等。
这样形成的源线绝缘膜16，由于是相对于平坦的导电层A1上形成的，所以也备有仍然平坦的上面。
继上述第二层绝缘膜形成工序后的第三层贮存格形成工序中，如图12所示，在源线绝缘膜16的上面除像素电极(ITO)的图案化区域以外之处利用光刻法形成贮存格17。作为这种贮存格17的形成材料，可以适当采用丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、烯烃树脂、三聚氰胺树脂等高分子材料。
继上述第三层贮存格形成工序后的像素电极形成工序中，如图13所示，在被贮存格17确保的区域上利用喷墨法喷出含有将形成像素电极材料的液滴，可以形成像素电极18。这样形成的像素电极18与贮存格17都是在平坦的源线绝缘膜16上形成的，所以都具有仍然平坦的上面。
而且，图14表示经历上述工序形成的α-Si TFT器件部分。该图中符号19a表示漏电极，符号19b表示通道区域(α-Si)。
而且在像素电极形成工序后，经过烧成、取向膜的形成和摩擦处理后制成基板。于是将液晶层夹持在这种下基板与另外制造的上基板之间后，制成液晶显示装置(图示略)。
根据以上说明的本实施方式的液晶显示装置的制造方法，由于是在使本来除去的贮存格14残留的情况下直接形成源线绝缘膜16，所以可以确保具有比以往凹凸少的表面形状。
如上所述，经过全部工序后的玻璃基板10，能被确保平坦的表面形状。因此对玻璃基板10实施摩擦处理时，那种情况下很难产生不均，所以能够提高液晶取向的约束力，防止显示不均。因而能够制造出显示不均少的液晶显示装置。
而且栅极扫描电极12由于形成得能够被埋在玻璃基板10的基板沟槽10a内，所以与在未形成基板沟槽10a的玻璃基板上形成扫描电极12的情况相比，还能使制成后的基板厚度减薄。
此外，栅极扫描电极12和电容线19d(参见图14)、源电极15和漏电极19a、像素电极18等的形成由于都采用喷墨法，无需废弃制造工序中产生的无用的材料，所以也能削减材料费用。
(第三种实施方式)
作为第三种实施方式，以下参照图15～22说明本发明的液晶显示装置的制造方法、和用这种制造方法制造的液晶显示装置。这些附图中，对于与作为第二种实施方式在图5至图14中所示的具有相同的构成要素将赋予相同的符号，并省略其说明。
如图15所示，在基板沟槽形成工序中，用光刻法将洗净的玻璃基板10的上面加工出具有一个像素间距的1/20～1/10沟槽宽度的基板沟槽10a。这种基板沟槽10a的形状，如图19(a)和19(b)所示，是将互相交叉的栅极扫描电极12、电容线19c(在图22中后述)、以及源电极15和漏电极19(图22中后述)埋入的沟槽，两条沟槽互相交叉成十字状呈独立的阵列形状。
继这种基板沟槽的形成工序后的第一层贮存格形成工序(第一层贮存格形成工序)中，如图16和19(a)所示，采用光刻法在基板沟槽10a内的底部形成确保描绘栅极扫描电极和电容线用沟槽11a用的贮存格11。这种贮存格11必需具有疏液性，作为其材料可以适当采用丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、烯烃树脂、三聚氰胺树脂等高分子材料。
为了使这样形成后的贮存格11具有疏液性，必需实施CF4等离子体处理等(采用具有氟成分的等离子体处理)，或者与第二种实施方式同样，代之以事先在贮存格11的材料本身中充填疏液成分(氟基等)。
而且为了获得在贮存格11的沟槽11a内的良好喷出效果，这种沟槽11a的形状优选采用顺向锥体形(朝着喷出方向张开的锥体形状)。这样被喷出的液滴能够充分进入深处。
继上述疏液部形成工序后的栅极扫描电极形成工序(第一导电性图案形成工序)中，如图17和图19(a)所示，采用喷墨法喷出含有导电性材料的液滴，使之充满被贮存格11区分的作为扫描区域的上述沟槽10a内，形成栅极扫描电极12。作为此时的导电性材料，可以使用Ag、Al、Au、Cu、Pd、Ni、W-Si和导电性聚合物等。这样形成的栅极扫描电极12，由于事先赋予贮存格11以充分的疏液性，所以可以在不从沟槽10a溢出的情况下形成微细的配线图案。
继上述栅极扫描电极形成工序后的第一层绝缘层形成工序(第一绝缘层形成工序)中，如图17所示，用由薄膜半导体组成的TFT和栅极扫描线绝缘膜(绝缘层)13覆盖得至少将栅极扫描电极12和贮存格11的上面盖住。此时，如同图所示，当仅在基板沟槽10a内形成栅极扫描绝缘膜(绝缘层)13的情况下，可以节省材料费用，反之当在包括基板沟槽10a在内的玻璃基板10的整个表面上都形成栅极扫描绝缘膜的情况下，加工容易，可以节省加工费用。而且为了在同一图中说明将栅极扫描绝缘膜描绘得较厚，但是实际上是厚度仅有1微米左右的薄膜，所以即使在玻璃基板上残留下来，也不会使基板沟槽10a内与其周边之间产生大的高度差。
这种栅极扫描绝缘膜13的材料可以采用SiO2、SiNx、BPSG、NSG等。
继上述第一层绝缘层形成工序后的第二层贮存格形成工序(第二层贮存格形成工序)中，如图18和19(b)所示，用光刻法在栅极扫描绝缘膜13的上面形成设置一个像素间隔的1/20～1/10而且与上述沟槽11a交叉的沟槽14a用的贮存格14。而且为了在图18中说明，将沟槽11a、14a记载的互相平行，但是实际上如图19(b)所示是互相交叉的。同样贮存格14、沟槽14a、贮存格11、沟槽11a也变得互相交叉。因此图18、图20和图21是以栅极扫描绝缘膜13的上面作为边界，其上下层实际上是是互相交叉的。
作为贮存格14，形成后必需备有透光性和疏液性，作为其材料可以适当采用丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、烯烃树脂、三聚氰胺树脂等高分子材料。
为了使这样形成后的贮存格14具有疏液性，必需实施CF4等离子体处理等(采用具有氟成分气体的等离子体处理)，或者也可以代之以事先在贮存格14材料本身充填疏液成分(氟基)。这种情况下可以省略CF4等离子体处理等。而且与上述贮存格11同样，形成贮存格14时沟槽14a优选采用顺向锥体状(朝向喷出方向张开的锥体状)。
继上述第二层贮存格形成工序后的源电极形成工序(第二导电性图案形成工序)中，如图20所示，利用喷墨法喷出含有导电性材料的液滴，使之填满被贮存格14区分的作为扫描区域的上述沟槽14a内，形成与上述栅极扫描电极12交叉的源电极15。作为此时的导电性材料，可以适当采用Ag、Al、Au、Cu、Pd、Ni、W-Si和导电性聚合物等。这样形成的源电极15，由于事先赋予贮存格14以充分的疏液性，所以能在不从沟槽14a溢出的情况下形成细小的配线图案。
在继上述源电极形成工序后的第二层绝缘层形成工序(第二绝缘层形成工序)中，如图20所示，用源线绝缘膜(其他绝缘层)16至少将源电极15和贮存格14的上面覆盖。同时如同图所示，仅在基板沟槽10a内形成源线绝缘膜16的情况下可以节省材料费用，反之在包括基板沟槽10a在内的玻璃基板10的整个表面上均形成源线绝缘膜16的情况下加工容易可以节省加工费用。作为这种源线绝缘膜16的材料，可以采用SiO2、SiNx、BPSG、NSG等。
另外，用CVD法形成SiNx的情况下，必需经历300～350℃的热历史，但是贮存格采用无机系材料的情况下，可以避开有关透明性和耐热性的问题。
继上述第二层绝缘膜形成工序后的第三层贮存格形成工序中，如图21所示，在源线绝缘膜16的上面，除像素电极(ITO)图案化区域以外之处利用光刻法形成贮存格17。作为这种贮存格17的形成材料，可以适当采用丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、烯烃树脂、三聚氰胺树脂等高分子材料。
继上述第三层贮存格形成工序后的像素电极形成工序中，如同图21所示，利用喷墨法向被贮存格17确保的区域上喷出将形成像素电极材料的液滴形成像素电极18。这样形成的像素电极18的上面，与贮存格17的上面成为齐平面，所以成为备有平坦的上面。
另外，图22表示经历上述工序形成的α-Si TFT器件部分。同图中符号19a表示漏电极，符号19b表示通道区域(α-Si)。
通过以上工序可以在基板沟槽10a内形成具有由贮存格11和栅极扫描电极12、电容线19d(参见图22)形成的平坦上面的第一层导电层A1，在此导电层A1上形成具有相同平坦上面的栅极扫描绝缘膜13，具有由在此栅极电压扫描绝缘膜13上形成的贮存格14和源电极15、漏电极19b构成的平坦上面的第二层导电层A2，和在此导电层A2上形成具有相同平坦上面的源线绝缘膜16。这些导电层A1、栅极扫描线绝缘膜13、导电层A2和源线绝缘膜16，均不会从基板沟槽10a中突出而被掩埋在其内部。因此，从玻璃基板10的上面突出的仅有贮存格17和像素电极18。从而由于像素电极18是在与贮存格17齐平面且是平坦的玻璃基板10上形成的，所以可以确保仍然平坦的表面形状。
这种像素电极形成工序后，经过这种烧成、取向膜的形成和摩擦处理后制成基板。于是将液晶层夹持在这种下基板与另外制造的上基板之间后，制成液晶显示装置(图示略)。
根据以上说明的本实施方式的液晶显示装置的制造方法，由于是用导电层A1、栅极扫描线绝缘膜13、导电层A2和源线绝缘膜16，将作为凹部的基板沟槽10a填埋的方式进行的，所以可以确保比以往凹凸少的平坦的表面形状。这样在对玻璃基板10进行摩擦处理时，那种情况下很难产生不均，所以能够提高液晶取向的约束力，防止显示不均。
另外，将作为配线部分的导电层A1和A2埋入基板沟槽10a内的情况下，与在未设置基板沟槽10a的玻璃基板10的表面上突出设置配线的情况相比，还可以减小制成后玻璃基板10的厚度。
而且，栅极扫描电极12和电容线19c(参见图22)、源电极15和漏电极19b、像素电极18等的形成由于都采用喷墨法，无需废弃制造工序中产生的无用的材料，所以也能削减材料费用。
(第四种实施方式)
作为第四种实施方式，以下参照图23～30说明本发明的液晶显示装置的制造方法、和用这种制造方法制造的液晶显示装置。在这些附图中，对于与作为第二种实施方式在图5至图14中所示的具有相同构成的要素将赋予相同的符号，将省略其说明。
如图23所示，在第一层贮存格形成工序中，用光刻法在洗净的玻璃基板10的上面形成设置一个像素间距的1/20～1/10的沟槽11a用的第一层贮存格11。这种贮存格11必需具有透光性和疏液性，作为其材料可以适当采用丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、烯烃树脂、三聚氰胺树脂等高分子材料。
为了使这样形成后的贮存格11具有疏液性，必需实施CF4等离子体处理等(采用具有氟成分气体的等离子体处理)，或者与第二、第三种实施方式同样，代之以事先在贮存格11的材料本身中充填疏液成分(氟基等)。这种情况下可以省略CF4等离子体处理等。
经过这样疏液化的贮存格11相对于喷出油墨的接触角，优选确保为40°或其以上。也就是说，经过本发明人等的试验结果确认，例如对有机银化合物(二甘醇二甲醚溶剂)处理后的接触角，当采用烯烃材料作为贮存格11材料的情况下可以确保66.2°(未处理情况下为10°或其以下)；当采用无机材料的情况下可以确保49.0°(未处理情况下为10°或其以下)。其中这些接触角是在等离子体功率为550瓦，以0.11升/分钟速度供给四氟甲烷的处理条件下得到的。而且本发明人等的试验结果还证明，例如对纯水处理后的接触角，当采用有机材料作为贮存格11材料的情况下能确保104.1°(未处理情况下为10°或其以下)；而采用无机材料的情况下可以确保96.3°(未处理情况下为10°或其以下)。其中这些接触角是在与上述同样条件下得到的。
继上述第一层贮存格形成工序后的栅极扫描电极形成工序(第一导电性图案形成工序)中，如图24所示，采用喷墨法喷出含有导电性材料的液滴，使之充满被贮存格11区分的作为扫描区域的上述沟槽10a内形成栅极扫描电极12。此时的导电性材料可以使用Ag、Al、Au、Cu、Pd、Ni、W-Si和导电性聚合物等。这样形成的栅极扫描电极12，由于事先赋予贮存格11以充分的疏液性，所以可以在不从沟槽11a溢出的情况下形成微细的配线图案。
经过以上工序可以在基板10上形成备有由贮存格11和栅极扫描电极12形成的平坦上面的第一导电层A1。
另外，为了获得在沟槽11a内的良好喷出效果，如图23所示，这种沟槽11a的形状优选采用顺向锥体形(朝着喷出方向张开的锥体形状)。这样被喷出的液滴能够充分进入深处。
继上述栅极扫描电极形成工序后的第一层绝缘层形成工序中，如图25所示，形成栅极扫描线绝缘膜(第一绝缘层)13将包括贮存格11和栅极扫描电极12的上面覆盖。作为这种栅极扫描绝缘膜13的材料，能够采用SiO2、SiNx、BPSG、NSG等。
此外，用CVD法形成SiNx的情况下，必需经历300～350℃的热历史，但是贮存格采用无机系材料的情况下，可以避开有关透明性和耐热性的问题。
这样形成的栅极扫描绝缘膜13，由于可以在平坦的第一导电层A1上形成，所以将成为备有仍然平坦的上面的。
继上述第一层绝缘层形成工序后的第二层贮存格形成工序中，如图26所示，利用光刻法在栅极扫描绝缘膜13上面形成设置一个像素间距的1/20～1/10而且与上述沟槽11a交叉沟槽14a用的第二层贮存格14。作为这种贮存格14，形成后必需具有透光性和疏液性，作为其材料可以适当采用丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、烯烃树脂、三聚氰胺树脂等高分子材料。
为了使形成后的这种贮存格14具有疏液性，必需实施CF4等离子体处理等(采用具有氟成分气体的等离子体处理)，或者代之以事先在贮存格14的材料本身中充填疏液成分(氟基等)。这种情况下可以省略CF4等离子体处理等。
经过以上疏液化处理的贮存格14，相对于喷出油墨的接触角，优选确保为40°或其以上。
继上述第二层贮存格形成工序后的源电极形成工序(第二次导电性图案形成工序)中，同样如图26所示，利用喷墨法喷出含有导电性材料的液滴，使之填满被贮存格14区分的作为扫描区域的上述沟槽14a内，形成与上述栅极扫描电极12交叉的源电极15。此时的导电性材料，可以适当采用Ag、Al、Au、Cu、Pd、Ni、W-Si和导电性聚合物等。这样形成的源电极15，由于事先赋予贮存格14以充分的疏液性，所以能在不从沟槽14a溢出的情况下形成细小的配线图案。
通过以上工序，可以在基板10上形成备有贮存格14和源电极15构成的平坦的上面的第二导电层A2。
在继上述源电极形成工序后的第二层绝缘层形成工序中，如图27所示，形成源线绝缘膜(第二绝缘层)16，以将包括贮存格14和源电极15的上面覆盖。这种源线绝缘膜16的材料，可以采用SiO2、SiNx、BPSG、NSG等。
这样形成的源线绝缘膜16由于可以在平坦的第二导电层A2上形成，所以将成为备有仍然平坦的上面的。
继上述第二层绝缘膜形成工序后的第三层贮存格形成工序中，如图28所示，在源线绝缘膜16的上面，除像素电极(ITO)图案形成区域以外处，利用光刻法形成贮存格17。这种贮存格17的形成材料，可以适当采用丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、烯烃树脂、三聚氰胺树脂等高分子材料。
继上述第三层贮存格形成工序后的像素电极形成工序中，如图29所示，利用喷墨法向被贮存格17确保的区域上喷出将形成像素电极材料的液滴形成像素电极18。这样形成的像素电极18，与贮存格17同时都变成备有仍然平坦的上面的。
而且，图30示出了经历上述工序形成的α-Si TFT器件部分。同图中符号19a表示漏电极，符号19b表示通道区域(α-Si)。
这种像素电极形成后，经过这种烧成、取向膜的形成和摩擦处理，制成基板。在这种下基板与另外制造的上基板之间夹持液晶层而构成，制成液晶显示装置(图示略)。
根据以上说明的本实施方式的液晶显示装置的制造方法，通过喷墨法形成俯视观察呈现互相交叉的栅极扫描电极12和源电极15的情况下，由于是使形成这些栅极扫描电极12和源电极15用的贮存格11和14残留的情况下直接形成栅极扫描线绝缘膜13和源线绝缘膜16的，所以可以确保比以往凹凸少的表面形状，使摩擦处理的条件均匀化，提高液晶取向的约束力。这样能够制造出显示不均少的液晶显示装置。
而且，栅极扫描电极12、源电极15、像素电极18等的形成由于都采用喷墨法，无需废弃制造工序中产生的无用的材料，所以也能削减材料费用。
(第五种实施方式)
以下参照图31～图34说明上述第二实施方式所示的液晶显示装置制造方法中，制造TFT的另一实施方式。
其中在这些附图中，对于与第二种实施方式在图5至图14中所示的具有相同构成的要素将赋予相同的符号，将省略其说明。
图31与图8同样，是表示利用光刻法在玻璃基板10的上面加工出一个具有像素间距的1/20～1/10的沟槽宽度的基板沟槽10a，形成贮存格后再用喷墨法喷出含有导电性材料的液滴将基板沟槽10a内填满形成栅极扫描电极12，并且除去贮存格后的状态。
进而如图32所示，通过等离子体CVD法进行栅极绝缘膜13、活性层21和接触层9的连续成膜操作。通过改变原料气体和等离子体条件形成氮化硅膜作为栅极绝缘膜13，形成无定形硅膜作为活性层21，以及形成n+型硅膜作为接触层9。采用CVD法形成的情况下，必需经历300～350℃的热历史，贮存格采用无机系材料的情况下，可以避开透明性和耐热性的问题。
继上述半导体层形成工序后的第二层贮存格形成工序中，如图33所示，利用光刻法在栅极绝缘膜13的上面形成设置一个像素间隔的1/20～1/10而且与上述沟槽10a交叉的沟槽14a用的第二层贮存格14。这种贮存格14形成后必需备有透光性和疏液性，其材料除丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、烯烃树脂、三聚氰胺树脂等高分子材料之外，还可以适当使用聚硅氮烷等无机系材料。
为了使这样形成后的贮存格14具有疏液性，必需实施CF4等离子体处理等(采用含氟成分气体的等离子体处理)，或者代之以事先在贮存格14材料本身中充填疏液成分(氟基等)。这种情况下可以省略CF4等离子体处理。
经过这样疏液化的贮存格14的相对于喷出油墨的接触角，优选确保为40°或其以上。
继上述第二层贮存格形成工序后的源、漏电极形成工序(第二导电性图案形成工序)中，利用喷墨法喷出含有导电性材料的液滴，如图34所示，使之填满被贮存格14区分的作为扫描区域的上述沟槽14a，形成与上述栅极扫描电极12交叉的源电极15和漏电极16。而且在形成源电极15和漏电极16时，可以采用本发明涉及的图案形成方法。
此时的导电性材料，可以适当采用Ag、Al、Au、Cu、Pd、Ni、W-Si和导电性聚合物等。这样形成的源电极15和漏电极16，由于事先赋予贮存格14以充分的疏液性，所以能在不从沟槽14a溢出的情况下形成微细的配线图案。
而且可以将绝缘材料配置得将配置了源电极15和漏电极16的沟槽14a填埋。通过以上工序可以在基板10上形成由贮存格14和绝缘材料17形成的平坦的上面20。
而且在绝缘材料17上形成接触孔19的同时，在上面20上形成已被图案形成的像素电极(ITO)18，通过接触孔19将漏电极16与像素电极18连接起来后形成TFT。
(第六种实施方式)
以下与第五种实施方式同样，参照图35～图38说明上述第四种实施方式所示的液晶显示装置的制造方法中，制造TFT的其他实施方式。
另外，在这些图中，对于与第四种实施方式在图23至图30中所示的具有相同构成的要素将赋予相同的符号，将省略其说明。
如图35所示，首先用光刻法在洗净的玻璃基板10的上面形成设置一个像素间距的1/20～1/10的沟槽11a用的第一层贮存格11。这种贮存格11形成后必需备有透光性和疏液性，其材料除丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、烯烃树脂、三聚氰胺树脂等高分子材料之外，还可以适当使用聚硅氮烷等无机系材料。
为了使这样形成后的贮存格11具有疏液性，必需实施CF4等离子体处理等(采用含氟成分气体的等离子体处理)，或者代之以事先在贮存格11材料本身中充填疏液成分(氟基等)。这种情况下可以省略CF4等离子体处理。
继上述第一层贮存格形成工序后的栅极扫描电极形成工序(第一导电性图案形成工序)中，用喷墨法喷出含有导电性材料的液滴，形成栅极扫描电极12，使之充满被贮存格11区分的作为扫描区域的上述沟槽11a内。而且形成栅极扫描电极12时可以采用本发明涉及的图案形成方法。
作为此时的导电性材料可以适当使用Ag、Al、Au、Cu、Pd、Ni、W-Si和导电性聚合物等。这样形成的栅极扫描电极12，由于事先赋予贮存格11以充分的疏液性，所以可以在不从沟槽11a溢出的情况下形成微细的配线图案。
通过以上工序，可以在基板10上形成由贮存格11和栅极扫描电极12构成的备有平坦的上面的银(Ag)形成的第一导电层A1。
以下如图36所示，通过等离子体CVD法使栅极绝缘膜13、活性层10和接触层9连续成膜。通过改变原料气体和等离子体条件形成氮化硅膜作为栅极绝缘膜13，形成无定形硅膜作为活性层10，以及形成n+型硅膜作为接触层9。采用CVD法形成的情况下，必需经历300～350℃的热历史，贮存格采用无机系材料的情况下，可以避开透明性和耐热性的问题。
以后如图37和图38所示，通过经历与上述第五种实施方式同样的工序，可以形成借助于接触孔19将漏电极16和像素电极18连接起来的TFT。
(第七种实施方式)
作为第七种实施方式，将就本发明的一种电光学装置实例的液晶显示装置进行说明。图39是关于本发明涉及的液晶显示装置中，从各构成要素共同显示的相对向侧观察的平面图，图40是沿着图39中H-H’线的截面图。图41是液晶显示装置图像显示区域中以矩阵状形成的多个像素内各种元件、配线的等效电路图，图42是液晶显示装置的部分截面放大图。其中在以下说明中使用的各图中，将各层和各部件的比例尺寸改变成能够识别图中各层和各部件的大小。
在图39和图40中，本实施方式的液晶显示装置(电光学装置)100被制成以下结构，即成对的TFT阵列基板10和对向基板20被作光固化性密封材料用的密封材料52粘合起来，在由此密封材料52区分的区域内封入并保持有液晶50。密封材料52在基板面内的区域中形成封闭的框架状，没有液晶注入口，所以没有密封材料密封的痕迹。
在密封材料52形成区域的内侧区域上，形成有由遮光材料组成的边框53。在密封材料52的外侧区域，沿着TFT阵列基板10的一边形成有数据线驱动电路201和安装接线柱202，沿着与此一边相邻的两边形成有扫描线驱动电路204。在TFT阵列基板10的其余一边，设有为了连接被设在像素显示区域两侧的扫描线驱动电路204之间的多个配线205。而且在相对向基板20的角部的至少一处，设置有TFT阵列基板10与对向基板20之间进行电导通用的基板间导通材料206。
另外，也可以利用各向异性导电膜，例如将安装了驱动用LSI的TAB(Tape Automated Bonding)基板和在TFT阵列基板10周边部分形成的接线柱组进行机械和电学上的连接，以此来代替在TFT阵列基板10上形成数据线驱动电路201和扫描线驱动电路204。而且，在液晶显示装置100中，根据使用液晶50的种类，即根据TN(扭转向列)模式、C-TN法、VA方式、IPS方式等动作模式，以及常白模式/常黑模式的区别，在所定方向上设有相位差板、偏光板等，这里省略对其图示。
而且将液晶显示装置100作为彩色显示用构成的情况下，在对向基板20中，于TFT阵列基板10与后述的各像素电极相对向的区域内，与其保护膜同时形成例如红(R)、绿(G)、蓝(B)色滤光片。
具有这种结构的液晶显示装置100的像素显示区域内，如图41所示，在将多个像素100a构成得呈矩阵状的同时，在这些像素100a的每个像素上形成像素开关用TFT(开关元件)30，将供给像素信号S1、S2…Sn的数据线6a与TFT30的源极电连接。写入数据线6a的像素信号S1、S2…Sn，既可以按此顺序依次供给，也可以在相邻的多个数据线6a之间逐组供给。而且事先将扫描线3a电连接在TFT30的栅极上，其结构应能根据所定时序对扫描线3a依次逐线施加扫描线信号G1、G2…Gm。
将像素电极19与TFT30的漏极电连接，通过使作开关元件用的TFT30仅在一定时间为开启状态，以所定时序向各像素写入从数据线6a供给的像素信号S1、S2、…、Sn。以此方式通过像素电极19写入被液晶中的所定水平的像素信号S1、S2、…、Sn，可以在图6所示的对向基板20的对向电极121之间保持一定时间。其中，为了防止被保持的像素信号S1、S2、…、Sn的泄漏，可以附加与在像素电极19与对向电极121形成的液晶电容并列的储蓄电容60。例如，像素19的电压仅在比施加源电压的时间长三位数的时间内才被储蓄电容60所保持。这样，可以改善电荷的保持特性，制成对比度高的液晶显示装置100。
图42是具有底栅极型TFT30的液晶显示装置100的部分截面放大图，在构成TFT阵列基板10的玻璃基板P上，通过上述实施方式的图案形成方法以与玻璃基板P的表面大体成齐平面地形成栅极配线61。其中在本实施方式中，在形成栅极配线61(形成积存的凹部)时，为了在后述形成无定形硅层工艺过程中能够加热至大约350℃，使用无机贮存格材料作为能耐受该温度的材料。
借助于由SiNx组成的栅极绝缘膜62在栅极配线61上层叠有由无定形硅(a-Si)层组成的半导体层63。将与此栅极配线部分相对向的半导体层63部分作为通道区域。在半导体层63上层叠为获得欧姆连接所需的例如由n+型a-Si层组成的接合层64a和64b，在通道区域中央部分的半导体层63上，形成保护通道用的由SiNx组成的绝缘性抗蚀膜65。其中这些栅极绝缘膜62、半导体层63和抗蚀膜65，在蒸镀(CVD)后经过涂布抗蚀剂、感光、显影和光蚀，可以图案形成为图中所示的形状。
此外，由结合层64a、64b和ITO组成的像素电极19也同样成膜，同时进行光蚀，这样可以图案形成为图示的形状。于是分别在像素电极19、栅极绝缘膜62和抗蚀膜65上突出设置贮存格66…，利用上述的液滴喷出装置IJ在这些贮存格66…之间喷出银化合物的液滴的方式可以形成源线和漏线。
另外，如图43所示，采用与栅极配线61同样的图案形成方法，在栅极绝缘膜62上设置凹部62，在凹部内形成与栅极绝缘膜62的表面大体成齐平面的半导体层63，也可以在其上形成接合层64a、64b、像素电极19和抗蚀膜65。这种情况下，将贮存格66间的沟槽底部制成平坦的情况下，由于这些各层和源线、漏线在截面上没有弯曲，所以可以获得平坦性优良的高性能的TFT。
由此，本实施方式中可以得到高性能、薄型、能高度集成化的液晶显示装置100。
(第八种实施方式)
在上述实施方式中，作为其构成为虽然采用以TFT30作为液晶显示装置100的驱动用开关元件，但是在液晶显示装置之外例如还能够应用于有机EL(电致发光)显示器件。有机EL显示器件是，一种具有将含荧光性无机和有机化合物的薄膜夹在阴极和阳极之间的构成，通过向上述薄膜中注入电子或空穴使之激发生成激发子(exciton)，利用这种激发子再结合时放出光线(荧光、磷光)而发光的元件。于是在具有上述的TFT30的基板上，以在有机EL显示元件用荧光性材料中呈现红、绿和蓝各色发光的材料，即以发光层形成材料以及形成空穴注入/电子输送层的材料作油墨，分别使之图案化形成情况下，能够制造自发光全色EL器件。
本发明的器件(电光学装置)范围内也包括这种有机EL器件。
图44是通过上述液滴喷出装置IJ制造部分构成要素的有机EL装置的侧截面图。以下参照图44说明有机EL装置的大体结构。
图44中有机EL装置301，是将柔性基板(图示略)的配线和驱动IC(图示略)连接在由基板311、电路元件部321、像素电极331、贮存格部341、发光元件351、阴极361(对向电极)和密封基板371构成的有机EL元件302上的装置。电路元件部321，是在基板311上形成作为有源元件的TFT30，由多个像素电极331在电路元件部321上整列排列而构成的。而且构成TFT30的栅极配线61，可以由上述实施方式的配线图案形成方法形成。
事先在各像素电极331之间形成格子状贮存格341，在由贮存格341形成的凹部开口344上形成发光元件351。其中发光元件351事先由红色发光元件、绿色发光元件和蓝色发光元件构成，这样有机EL装置301能实现全色显示。阴极361在贮存格341和发光元件351的上部全面形成，在阴极361上层叠有密封用基板371。
包含有机EL元件的有机EL装置301的制造工艺，具有形成贮存格341的贮存格形成工序；适当形成发光元件351用的等离子体处理工序；形成发光元件351的发光元件形成工序；形成阴极361的对向电极形成工序；和在阴极361上层叠密封用基板371而进行密封的密封工序。
发光元件形成工序，是通过在凹部开口344，即像素电极331上形成空穴注入层352和发光层353而形成发光元件351的工序，所以备有空穴注入层形成工序和发光层形成工序。而且空穴注入层形成工序具有，向各像素电极331上喷出空穴注入层352形成用液体材料的第一喷出工序，和将被喷出的液体材料干燥形成空穴注入层352的第一干燥工序。此外发光层形成工序具有，向空穴注入层352上喷出发光层353形成用液体材料的第二喷出工序，和将被喷出的液体材料干燥形成发光层353的第二干燥工序。其中发光层353，如上所述事先由与红、绿、蓝三色对应的材料形成的三层，所以所述的第二喷出工序由分别喷出三种材料的三个工序组成。
这种发光元件形成工序中，在空穴注入层形成工序中的第一喷出工序与发光层形成工序中的第二喷出工序中，都可以采用上述的液滴喷出装置IJ。
(第九种实施方式)
图45是表示液晶显示装置的另一种实施方式的图。
图45所示的液晶显示装置(电光学装置)901，大体上讲备有彩色液晶板(电光学板)902和与液晶板902连接的电路基板903。而且必要时在液晶板902上还设有背光灯等照明装置和其他附属设备。
液晶板902带有用密封材料904粘接的一对基板905a和基板905b，将液晶封入这些基板905a和基板905b之间形成的间隙，即所谓晶胞间隙之中。这些基板905a和基板905b一般由透光性材料，例如玻璃、合成树脂等形成。在基板905a和基板905b的外侧表面上粘贴有偏光板906a和另一块偏光板。其中在图45中，另一块偏光板的图示被省略。
而且在基板905a的内侧表面上形成电极907a，在基板905b的内侧表面上形成有电极907b。这些电极907a、907b形成带状、文字、数字或其他适当图案形状。而且这些电极907a、907b例如可以由ITO(Indium Tin Oxide：铟锡氧化物)等透光性材料形成。基板905a具有相对于基板905b伸出的伸出部分，在这种伸出部分上形成多个接线柱908。这些接线柱908是在基板905a上形成电极907a时与电极907a同时形成。因此，这些接线柱908例如可以用ITO形成。在这些接线柱908上含有自电极907a一体延伸的部分，和通过导电性材料(图中未示出)连接到电极907b上的部分。
在电路基板903上，于配线基板909上的所定位置处安装有作液晶驱动IC用的半导体元件900。而且虽然省略了图示，但是也可以在安装半导体元件900部位以外部位的所定位置处安装电容器和其他芯片元件。配线基板909，例如可以采用将聚酰亚胺等具有柔性的基板911上形成的Cu等金属膜图案化，形成配线图案912的方式制造。
本实施方式中，液晶板902中的电极907a、907b以及电路基板903中的配线图案912都可以采用上述器件的制造方法形成。
根据本实施方式的液晶显示装置，可以得到实现了小型化、薄型化的液晶显示装置。
另外，上述实例虽然是无源型液晶板，但是也可以制成有源矩阵型液晶板。也就是说，在一块基板上形成薄膜晶体管(TFT)，并就各TFT形成像素电极。而且像上述那样利用喷墨技术在各TFT上形成电连接配线(栅极线和源线)。另一方面可以在对向基板上形成对向电极等。本发明也可以适用于这种有源矩阵型液晶板上。
(第十种实施方式)
第十种实施方式就非接触型卡式介质的实施方式进行说明。如图46所示，本实施方式涉及的非接触型卡式介质(电子仪器)400，是在由卡式基体402和卡式盖片418构成的筐体内，内藏有半导体集成电路芯片408和天线电路412，能以从图中未示出的外部信号接收机与电磁波或静电电容结合中的至少一种方式进行电力供给或者进行接收。
本实施方式中，上述天线电路412可以采用上述实施方式涉及的图案形成方法形成。
因此，根据本实施方式涉及的卡式介质，可以实现小型化和薄型化可能的非接触型卡式介质。
另外，作为本发明涉及的器件(电光学装置)，除上述的之外，还可以适用于DPD(等离子体显示板)，以及利用在基板上形成的小面积的薄膜上膜面平行地流通电流而产生电子释放现象的表面传导型电子释放元件等。
(第十一种实施方式)
第十一种实施方式将说明本发明的电子仪器的具体实例。
图47(a)是表示一种移动电话机实例的立体图。图47(a)中，600表示移动电话机主体，601表示备有上述实施方式的液晶显示装置的液晶显示部。
图47(b)是表示一种文字处理机和个人电脑等便携式信息处理装置实例的立体图。图47(B)中，700表示信息处理装置，701表示键盘等输入部件，703表示信息处理机的主体，702表示备有上述实施方式的液晶显示装置的液晶显示部。
图47(c)是表示一种手表型电子仪器实例的立体图。图47(c)中，800表示仪器主体，801表示备有上述实施方式的液晶显示装置的液晶显示部分。
图47(a)～(c)所示的电子仪器由于备有上述实施方式的液晶显示装置，所以能够小型化和薄型化。
另外，本实施方式的电子仪器虽然是备有液晶装置的，但是也可以制成备有有机电致发光显示装置、等离子体显示装置和其他电光学装置的电子仪器。
以上虽然参照附图说明了本发明涉及的优选实施方式，但是本发明当然并不限于这些实例。上述实例所示各种构成部件的各种形状和组合等仅仅是一种实例，在不超出本发明要点的范围内可以根据涉及要求做出各种变更。
例如，在上述实施方式中虽然是形成贮存格，在此贮存格之间形成凹部，但是并不限于这种方式，例如可以对基板实施表面处理，对配线图案部分实施亲液化处理，其他部分实施疏液化处理，在这种亲液化处理部分上形成凹部。而且通过在凹部内涂布含有导电性微粒的油墨，可以形成所需的配线图案。
而且在上述实施方式中虽然是将薄膜图案制成导电膜，但是并不限于此，例如也能适用于液晶显示装置中使显示图像彩色化用的彩色滤光片上。这种彩色滤光片，虽然可以采用以液滴形式根据所定图案对基板喷出(涂布)R(红)、G(绿)、B(蓝)色油墨(液体)的方式形成，但是也可以采用使基板上形成与所定图案对应的凹部，在这种凹部内涂布油墨形成彩色滤光片，这样可以得到薄型的彩色滤光片，即薄型的液晶显示装置。
此外上述实施方式中，虽然使用了由导电性微粒分散在分散剂中的分散液组成的功能液，但是并不限于这种方式，例如也可以采用在图案形成后通过加热(热处理)或光照射(光处理)而呈现导电性的材料。

Claims (32)

1.一种薄膜图案形成方法，是在基板上涂布功能液而形成薄膜图案的方法，其特征在于，具有：
在所述基板上形成与所述薄膜图案相应凹部的工序；和
在所述凹部涂布所述功能液的工序。
2.根据权利要求1所述薄膜图案形成方法，其特征在于，其中具有：
在所述基板上根据所述薄膜图案突出设置贮存格的工序；
在所述贮存格间的所述基板上形成所述凹部的工序；和
涂布所述功能液后除去所述贮存格的工序。
3.根据权利要求2所述薄膜图案形成方法，其特征在于，其中以贮存格作掩模形成所述凹部。
4.根据权利要求2所述薄膜图案形成方法，其特征在于，其中具有对贮存格赋予比所述凹部更高的疏液性的工序。
5.根据权利要求1所述薄膜图案形成方法，其特征在于，其中所述功能液含有导电性微粒。
6.根据权利要求1所述薄膜图案形成方法，其特征在于，其中所述功能液含有通过热处理或光处理呈现导电性的材料。
7.一种器件制造方法，是在基板上形成薄膜图案构成的器件的制造方法，其特征在于，通过权利要求1所述的薄膜图案形成方法在所述基板上形成所述薄膜图案。
8.根据权利要求7所述的器件的制造方法，其特征在于，所述薄膜图案构成在所述基板上设置的开关元件的一部分。
9.一种电光学装置，其特征在于，其中备有利用权利要求7所述的器件制造方法制造的器件。
10.一种电子仪器，其特征在于，其中备有权利要求9所述的电光学装置。
11.一种器件，是在基板上形成薄膜图案构成的器件，其特征在于，在所述基板上形成与所述薄膜图案对应的凹部，将所述薄膜图案设置在所述凹部内。
12.根据权利要求11所述的器件，其特征在于，所述薄膜图案相对于所述基板以非突出状态形成。
13.根据权利要求11所述的器件，其特征在于，所述凹部，截面形状形成得朝向底部逐渐扩径的倒锥体状。
14.根据权利要求11所述的器件，其特征在于，其中以导线性膜形式形成所述薄膜图案。
15.一种液晶显示装置的制造方法，其特征在于，其中具有：
在基板上形成基板沟槽的基板沟槽形成工序；
形成区分所述基板沟槽用疏液部的疏液部形成工序；
向所述基板沟槽喷出含有导电性材料的液滴，形成第一导电性图案的第一导电性图案形成工序；
形成第一绝缘层，使之至少将所述第一导电性图案覆盖的第一绝缘层形成工序；
在所述的第一绝缘层上形成具有由薄膜半导体组成的薄膜晶体管和透光性的第一层贮存格的贮存格形成工序；
向由所述贮存格区分的描绘区域喷出含有导电性材料的液滴，以形成第二导电性图案的第二导电性图案形成工序；和
形成第二绝缘层，使之至少将所述的第一层贮存格和所述的第二导电性图案覆盖的第二绝缘层形成工序。
16.根据权利要求15所述的液晶显示装置的制造方法，其特征在于，在所述的疏液部形成工序中，通过形成区分所述基板沟槽的第二层贮存格形成所述疏液部，在所述第一绝缘层形成工序之前，除去所述第二层贮存格。
17.一种液晶显示装置，是将液晶层夹持在一对基板之间而构成的液晶显示装置，其特征在于，
在所述基板中的一方的基板上形成基板沟槽，并在所述基板沟槽内形成第一导电性图案而成，其中备有：
以至少将所述的第一导电性图案覆盖的状态形成的绝缘层，和设于在所述的绝缘层的上面的，由薄膜半导体组成的薄膜晶体管、具有透光性的贮存格，以及设于由所述贮存格区分的区域上的第二导电性图案。
18.一种液晶显示装置的制造方法，其特征在于，其中具有：
在基板上形成基板沟槽的基板沟槽形成工序；
在所述基板沟槽内形成第一贮存格的第一贮存格形成工序；和
在由所述的第一贮存格区分的区域上喷出含有导电性材料的液滴，在所述基板沟槽内形成第一导电性图案的第一导电性图案形成工序。
19.根据权利要求18所述的液晶显示装置的制造方法，其中具有：
由绝缘层至少覆盖所述的第一导电性图案和所述的第一层贮存格的第一绝缘层形成工序；
在所述基板沟槽内形成由薄膜半导体构成的薄膜晶体管和第二层贮存格的第二层贮存格形成工序；和
在由所述的第二层贮存格区分的区域上喷出含有导电性材料的液滴，在所述基板沟槽内形成第二导电性图案的第二导电性图案形成工序。
20.一种液晶显示装置，是将液晶层夹持在一对基板之间而构成的液晶显示装置，其特征在于，
在所述基板中的一方的基板上形成基板沟槽而成，并在所述基板沟槽内备有至少一层贮存格和形成于由该贮存格区分的区域上的导电性图案。
21.一种液晶显示装置的制造方法，其特征在于，其中具有：
在基板的上面形成具有透光性的贮存格的贮存格形成工序；
在由所述贮存格区分的扫描区域上喷出含有导电性材料的液滴，以形成第一导电性图案的导电性图案形成工序；和
形成由薄膜半导体组成的薄膜晶体管和绝缘层，以使至少将所述贮存格和所述第一导电性图案覆盖的绝缘层形成工序。
22.根据权利要求21所述的液晶显示装置的制造方法，其特征在于，在所述绝缘层上进行所述贮存格形成工序、所述导电性图案形成工序和所述绝缘层形成工序，形成与所述第一导电性图案交叉的第二导电性图案。
23.根据权利要求22所述的液晶显示装置的制造方法，其特征在于，通过包括所述导电性图案形成工序的金属配线形成工序，形成栅极扫描电极、源电极、漏电极和像素电极。
24.一种液晶显示装置，是将液晶层夹持在一对基板之间形成的液晶显示装置，其特征在于，其中备有：
在所述基板中的一方的基板上设置的具有透光性的第一层贮存格，
在由所述贮存格区分的区域上设置的第一导电性图案形成的第一导电层，和
在该第一导电层上设置的第一绝缘层。
25.根据权利要求24所述的液晶显示装置，其特征在于，其中备有：
由在所述第一绝缘层上设置的第二层贮存格和第二导电性图案形成的第二导电层，和
在所述第二导电层上设置的第二绝缘层。
26.一种电子仪器，其特征在于，其中备有用权利要求15所述的液晶显示装置的制造方法制造的液晶显示装置。
27.一种电子仪器，其特征在于，其中备有用权利要求18所述的液晶显示装置的制造方法制造的液晶显示装置。
28.一种电子仪器，其特征在于，其中备有用权利要求21所述的液晶显示装置的制造方法制造的液晶显示装置。
29.一种电子仪器，其特征在于，其中备有权利要求17所述的液晶显示装置。
30.一种电子仪器，其特征在于，其中备有权利要求20所述的液晶显示装置。
31.一种电子仪器，其特征在于其中备有权利要求24所述的液晶显示装置。
32.一种有源矩阵基板的制造方法，其特征在于，该方法中具有：
在基板上形成栅极配线的第一工序；
在所述栅极配线上形成栅极绝缘膜的第二工序；
隔着所述栅极绝缘膜层叠半导体层的第三工序；
在所述栅极绝缘层上形成源电极和漏电极的第四工序；
在所述源电极和所述漏电极上配置绝缘材料的第五工序；和
形成与所述漏电极电连接的像素电极的第六工序；
其中所述第一工序、所述第四工序和所述第六工序中的至少一个工序具有：与形成的图案对应的凹部的形成工序，和由液滴喷出装置向所述凹部喷出所述功能液的材料配置工序。
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