CN1225149C - 显示装置以及电子仪器 - Google Patents

显示装置以及电子仪器 Download PDF

Info

Publication number
CN1225149C
CN1225149C CNB021574588A CN02157458A CN1225149C CN 1225149 C CN1225149 C CN 1225149C CN B021574588 A CNB021574588 A CN B021574588A CN 02157458 A CN02157458 A CN 02157458A CN 1225149 C CN1225149 C CN 1225149C
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
next door
display unit
substrate
light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
CNB021574588A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1429051A (zh
Inventor
关俊一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Microsoft Technology Licensing LLC
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Publication of CN1429051A publication Critical patent/CN1429051A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1225149C publication Critical patent/CN1225149C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H10K50/865—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. light-blocking layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/8791—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H10K59/8792—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. black layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明提供一种显示装置，在衬底上形成有多个发光元件，并且在各所述发光元件之间设置有隔壁部，隔壁部由位于衬底一侧的第一隔壁层和形成在第一隔壁层之上的第二隔壁层形成，在第一隔壁层和第二隔壁层之间设置有遮光层。能延长发光元件的使用寿命，对比度优异。

Description

显示装置以及电子仪器
技术领域
本发明涉及显示装置以及电子仪器。
背景技术
近年来，使有机荧光材料等发光材料墨水化，根据向基体材料上喷出该墨水(组成物)的喷墨法，采用进行发光材料的图案形成的方法，进行了在阳极和阴极之间夹持了由该发光材料构成的发光层的结构的彩色显示装置、特别是使用有机发光材料作为发光材料的有机EL(场致发光)显示装置的开发(参照特许文献1(特开平10-12377号公报))。
因此，参照附图说明以往的显示装置(有机EL显示装置)。
图31是表示以往的显示装置的主要部分的剖视模式图。
图31所示的显示装置的结构为：在衬底802上依次层叠元件部811、阴极812。另外，在元件部811和衬底802之间设置有电路元件部814。
在该以往的显示装置中，从设置在元件部811内的发光元件910向衬底802一侧发出的光透过电路元件部814和衬底802，射出到衬底802的下侧(观察者一侧)，并且从发光元件910向衬底802的相反一侧发出的光由阴极812反射，透过电路元件部814和衬底802，射出到衬底802的下侧(观察者一侧)。
电路元件部814在衬底802上依次层叠了透明的基底膜814a、透明的栅绝缘膜942、透明的第一层间绝缘膜944和第二层间绝缘膜947，在基底膜814上设置有岛状的硅膜941，再在栅绝缘膜942上设置有栅电极943(扫描线)。在硅膜941上设置有图中未显示的沟道区域和夹着该沟道区域的漏区域以及源区域，栅电极943设置在与硅膜941的沟道区域对应的位置上。另外，在第二层间绝缘膜947上层叠有图案形成为俯视是近似矩形的象素电极911(阳极)。而且，形成有贯通第一、第二层间绝缘膜844、847的接触孔945、946，一方的接触孔945连接硅膜941的图中未显示的源区域和象素电极911，另一方的接触孔946连接了电源线948。这样一来，在电路元件部814上形成有连接各象素电极911的驱动用的薄膜晶体管913。
元件部811是以分别层叠在多个象素电极911…上的发光元件910、设置在各象素电极911和各发光元件910之间并且划分各发光元件910的隔壁部912为主体来构成的。
隔壁部912通过一直形成到象素电极911的周边部上，设置有与象素电极911的形成位置对应的开口部912c。隔壁部912例如由氟化树脂等防墨水性树脂或通过CF4等离子体处理等使表面氟化的树脂形成，并赋予了防液性，当从喷墨头作为墨滴使包含有机EL材料的组成物墨水(组成物)喷出时，由于隔壁部912的防墨水性，液滴在开口部912c上形成有图案。
发光元件910由形成在象素电极911上的空穴注入/输送层910a、与空穴注入/输送层910a相邻配置的发光层910b构成。
空穴注入/输送层910a是通过向象素电极911上喷出包含空穴注入/输送层的形成材料的组成物并进行干燥后得到的。
另外，阴极812形成在元件部811的整个面上，与象素电极911成对，起到向发光元件910注入电子的作用。该阴极912由多层形成，例如一般使用氟化锂、钙、Mg、Ag、Ba等功函数低的金属。
但是，在以往的显示装置中，从发光层发出的着色光不仅在观测者一侧，还扩展到发光层的周围(发光层的非形成区域)，因此，从夹着该非形成区域相邻的发光层发出的着色光彼此混色化，产生颜色污点，使显示装置的对比度下降。
发明内容
鉴于以上所述问题的存在，本发明的目的在于：提供能防止发光元件的低寿命化，并且对比度优异的显示装置。
为了实现以上所述目的，本发明采用了以下所述的结构。
本发明的显示装置其特征在于：包括在衬底上形成的多个发光元件和以平面观察在所述各发光元件之间的区域中设置的遮光层；所述遮光层由位于所述衬底一侧的第一遮光膜和设置在所述第一遮光膜上的第二遮光膜形成；所述第一遮光膜是金属铬膜，并且所述第二遮光膜是氧化铬。
该遮光层形成在比发光元件更靠近观察者的位置(即靠近显示面的位置)。例如，在使发出的光射出到衬底一侧的底发射型的显示装置中，遮光层设置在比发光元件的发光层的形成位置更靠衬底一侧。另外，在使发出的光射出到与衬底相反一侧的顶发射型的显示装置中，遮光层设置在覆盖划分各发光元件的隔壁的上部、衬底面的密封树脂的内面(与衬底面相对的面)一侧，对于衬底面，配置在比发光层更上层一侧。
因为在衬底一侧配置了金属铬膜，在远离衬底一侧配置了氧化铬膜，所以来自外部的入射光由金属铬膜反射，并且由氧化铬膜遮挡发光元件的非形成区域的发光元件的出射光，能进一步提高显示装置的对比度，能进一步提高视觉识别性。
或者，本发明的显示装置在衬底上形成有多个发光元件，在各所述发光元件之间设置有隔壁部，其特征在于：所述隔壁部由位于所述衬底一侧的第一隔壁层和形成在所述第一隔壁层上的第二隔壁层形成，在第一隔壁层和第二隔壁层之间设置有遮光层。
须指出的是，发光元件是指至少包含：形成在衬底上的电极、与该电极相邻形成的功能层、与该功能层相邻形成的对置电极。另外，功能层是指至少包含空穴注入/输送层和发光层。
另外，在本发明的显示装置中，最好进一步具有在各所述发光元件之间设置的隔壁部，所述遮光层设置在所述衬底和所述隔壁部之间设置。
根据所述的显示装置，通过设置遮光层，能遮挡来自发光元件的非形成区域的外部的入射光和来自发光元件的出射光。
特别是，通过在发光元件的非形成区域遮挡来自发光元件的光，就能防止在以往的显示装置中产生的着色光彼此导致的颜色污点，就能提高显示装置的对比度。
另外，当在第一隔壁层和第二隔壁层之间设置有遮光层时，能提高第一隔壁层和第二隔壁层的紧贴性。
另外，在本发明的显示装置中，最好在所述遮光层上设置与所述发光元件对应的遮光开口部。
另外，在本发明的显示装置中，所述遮光层最好由黑色树脂构成。
另外，在本发明的显示装置中，所述第一隔壁层由SiO2、TiO2中的任意一种构成，第二隔壁层由丙烯酸树脂或聚酰亚胺树脂中的任意一种构成。
另外，本发明的显示装置在衬底上形成有多个发光元件，在各所述发光元件之间设置有隔壁部，其特征在于：通过所述隔壁部由黑色树脂构成，形成有遮光层。
另外，在本发明的显示装置中，所述隔壁部中最好形成所述第一隔壁层和所述遮光层。
另外，根据相关的显示装置，隔壁部由黑色树脂构成，并且兼作遮光层，通过该隔壁部，能挡来自发光元件的非形成区域的外部的入射光和来自发光元件的出射光，能提高显示装置的对比度，能提高视觉识别性。
通过在发光元件的非形成区域遮挡来自发光元件的光，能防止在以往的显示装置中产生的着色光彼此导致的颜色污点，能提高显示装置的对比度。
另外，在本发明的显示装置中，所述第一隔壁层由SiO2、TiO2中的任意一种构成，构成所述有机物隔壁层的所述树脂是丙烯酸树脂或聚酰亚胺树脂中的任意一种。
另外，在本发明的显示装置中，最好进行至少使所述第一隔壁层的一部分具有亲液性的加工。
本发明的电子仪器具有显示装置、用于驱动所述显示装置的驱动电路，其特征在于：所述显示装置包括在衬底上形成的多个发光元件、和以平面观察在所述各发光元件之间的区域中设置的遮光层；所述遮光层由位于所述衬底一侧的第一遮光膜和设置在所述第一遮光膜上的第二遮光膜形成；所述第一遮光膜是金属铬膜，并且所述第二遮光膜是氧化铬。
另外，本发明的电子仪器具有显示装置、用于驱动所述显示装置的驱动电路，其特征在于：所述显示装置在衬底上形成有多个发光元件，在各所述发光元件之间设置有隔壁部；所述隔壁部由位于所述衬底一侧的第一隔壁层和形成在所述第一隔壁层上的第二隔壁层形成；在所述第一隔壁层和所述第二隔壁层之间设置有遮光层。
另外，在本发明的电子仪器中，最好进一步具有在各所述发光元件之间设置的隔壁部，所述遮光层设置在所述衬底和所述隔壁部之间。
根据相关的电子仪器，能构成具有长寿命、对比度高的显示部的电子仪器。
如以上所述，根据本发明的显示装置，通过设置遮光层，能遮挡来自发光元件的非形成区域的外部的入射光和来自发光元件的出射光，能提高显示装置的对比度，能提高视觉识别性。
特别是通过在发光元件的非形成区域遮挡来自发光元件的光，能防止在以往的显示装置中产生的着色光彼此所导致的颜色污点，能提高显示装置的对比度。
另外，当在第一隔壁层和第二隔壁层之间设置有遮光层时，能提高第一隔壁层和第二隔壁层的紧贴性。
附图说明
下面简要说明附图。
图1是本发明实施例1的显示装置布线结构的俯视模式图。
图2A和图2B是表示本发明实施例1的显示装置的图，图2A是显示装置的俯视模式图，图2B是沿着图2A的AB线的剖视模式图。
图3是表示本发明实施例1的显示装置的主要部分的图。
图4是说明本发明的实施例1的显示装置的制造方法的步骤图。
图5是说明本发明的实施例1的显示装置的制造方法的步骤图。
图6是表示本发明实施例1的显示装置的制造中使用的等离子体处理装置的一个例子的俯视模式图。
图7是表示图6所示的等离子体处理装置的第一等离子体处理室的内部结构的模式图。
图8是说明本发明的实施例1的显示装置的制造方法的步骤图。
图9是说明本发明的实施例1的显示装置的制造方法的步骤图。
图10是表示本发明实施例1的显示装置的制造中使用的等离子体处理装置的其他例子的俯视模式图。
图11是说明本发明的实施例1的显示装置的制造方法的步骤图。
图12是说明本发明的实施例1的显示装置的制造方法的步骤图。
图13是说明本发明的实施例1的显示装置的制造方法的步骤图。
图14是表示制造本发明实施例1的显示装置时使用的头的俯视图。
图15是表示制造本发明实施例1的显示装置时使用的喷墨装置的俯视图。
图16是说明本发明的实施例1的显示装置的制造方法的步骤图。
图17是说明本发明的实施例1的显示装置的制造方法的步骤图。
图18是说明本发明的实施例1的显示装置的制造方法的步骤图。
图19是说明本发明的实施例1的显示装置的制造方法的步骤图。
图20是说明本发明的实施例1的显示装置的制造方法的步骤图。
图21是表示本发明实施例2的显示装置的主要部分的图。
图22是表示本发明实施例3的显示装置的主要部分的图。
图23是表示本发明实施例4的显示装置的主要部分的图。
图24是表示本发明实施例5的显示装置的主要部分的图。
图25是表示本发明实施例6的显示装置的剖视图，是与图2B对应的图。
图26是表示本发明实施例6的显示装置的主要部分的图，是与图3对应的图。
图27是表示本发明实施例7的电子仪器的立体图。
图28是表示本发明的其他例子的显示装置的剖视模式图。
图29是表示本发明的其他例子的显示装置的剖视模式图。
图30A～图30C是表示发光层的配置的俯视模式图，图30A是表示带状配置的图，图30B是表示镶嵌配置的图，图30C是表示三角配置的图。
图31是表示以往的显示装置主要部分的剖视图。
具体实施方式
下面，参照附图，说明本发明的实施例。须指出的是，在图1～图26中，在图中为了使各层和各构件的大小为可以识别的程度，对各层和各构件使用与实际不同的比例进行了表示。
[实施例1]
下面，参照附图说明本发明的实施例1。
图1表示本实施例的显示装置的布线结构的俯视模式图，图2表示本实施例的显示装置的俯视模式图和剖视模式图。
如图1所示，本实施例的显示装置1具有分别设置有多条扫描线101、在对于扫描线101交叉的方向延伸的多条信号线102、与信号线102并列延伸的多条电源线103的结构，并且在各扫描线101和信号线102的各交点附近设置有象素区域A。
在信号线102上，连接了具有移位寄存器、电平移动器、视频线和模拟开关的数据一侧驱动电路104。另外，在扫描线101上连接了具有移位寄存器和电平移动器的扫描线一侧驱动电路105。
而且，在象素区域A上分别设置有：通过扫描线101把扫描信号提供给栅电极的开关用薄膜晶体管112、保持通过该开关薄膜晶体管112从信号线102提供的象素信号的保持电容cap；该由保持电容cap保持的象素信号提供给栅电极的驱动用薄膜晶体管123；当通过该驱动用薄膜晶体管123电连接了电源线103时，驱动电流从该电源线103流入的象素电极111(电极)；夹在该象素电极111和阴极12(对置电极)之间的功能层110。由象素电极111、对置阴极12和功能层110构成了发光元件。
根据该结构，如果扫描线101被驱动，开关用薄膜晶体管112变为导通，则此时的信号线102的电位保持在保持电容cap中，在该保持电容cap中，按照状态决定驱动用薄膜晶体管123的导通、断开状态。然后，通过驱动用薄膜晶体管123，电流从电源线103流向象素电极111，再通过功能层110流向阴极12。功能层110按照流过它的电流量发光。
接着，如图2A和图2B所示，本实施例的显示装置1包含：由玻璃等构成的透明衬底2、具有配置为矩阵状的发光元件并且形成在衬底2上的发光元件部11、形成在发光元件部11上的阴极12。通过发光元件部11和阴极12构成了显示元件10。
衬底2是例如玻璃等的透明衬底，并且划分为位置衬底2的中央的显示区域2a和位于衬底2的周边并且包围了显示区域2a的非显示区域2b。
显示区域2a是由配置为矩阵状的发光元件形成的区域，在显示区域的外侧形成有非显示区域2b。而且，在非显示区域2b上形成有与显示区域2a相邻的假显示区域2d。
另外，如图2B所示，在发光元件部11和衬底2之间设置有电路元件部14，在该电路元件部14上设置有所述的扫描线、信号线、保持电容、开关用薄膜晶体管、驱动用薄膜晶体管123等。
另外，阴极12中，其一端从发光元件部11上连接了形成在衬底2上的阴极用布线12a(图2A、图2B)，它的布线的一端部12b(图2A)连接了软性衬底5上的布线5a。另外，布线5a连接了设置在软性衬底5上的驱动IC6(驱动电路)。
另外，如图2A和图2B所示，在电路元件部14的非显示区域2b上配置了所述的电源线103(103R、103G、103B)。
在显示区域2a的图2A中的两侧，配置有所述扫描一侧驱动电路105。该扫描一侧驱动电路105设置在假区域2d的下侧的电路元件部14内。在电路元件部14内，设置有连接在驱动电路105上的驱动电路用控制信号布线105a和驱动电路用电源布线105b。
而且，还在显示区域2a的图2A中的上侧配置了检查电路106。通过该检查电路106，能进行制造途中和出厂时的显示装置的质量、缺陷的检查。
另外，如图2B所示，在发光元件部11上设置有密封部3。该密封部3由涂敷在衬底2上的密封树脂603和密封盖604构成。密封树脂603由热硬化树脂或紫外线硬化树脂等构成，特别是最好由热硬化树脂的一种即环氧树脂构成。
该密封树脂603在衬底2的周围涂敷为环状，例如是由微分配器等涂敷的。该密封树脂603接合衬底2和密封盖604，防止从衬底2和密封盖604之间水或氧向密封盖604的内部侵入，防止阴极12或发光元件部11内形成的图中未显示的发光层的氧化。
密封盖604由玻璃或金属构成，通过密封树脂603接合了衬底2，在其内侧设置有容纳显示元件10的凹部604a。另外，在凹部604a上粘贴了吸收水、氧等的吸气剂605，它能吸收侵入密封盖604的内部的水或氧。须指出的是，也可以省略该吸气剂605。
接着，在图3中表示了放大显示装置的显示区域的剖面结构的图。在图3中显示了三个象素区域A。
该显示装置1的结构为：在衬底2上依次层叠形成有TFT等电路的电路元件部14、形成有功能层110的发光元件部11和阴极12。
在该显示装置1中，从功能层110向衬底2一侧发出的光透过电路元件部14和衬底2，射出到衬底2的下侧(观测者一侧)，并且从功能层110向衬底2的相反一侧发出的光由阴极12反射，透过电路元件部14和衬底2，射出到衬底2的下侧(观测者一侧)。
须指出的是，能通过使用透明的材料作为阴极12，使发出的光从阴极一侧出射。能使用ITO、Pt、Ir、Ni、或Pd作为透明的材料。希望膜厚为75nm左右，最好比该膜厚更薄。
在电路元件部14中，在衬底2形成有由氧化硅膜构成的底层保护膜2c，在该底层保护膜2c之上形成有由多晶硅构成的岛状的半导体膜141。须指出的是，在半导体膜141上，通过打入高浓度P离子形成有源区域141a和漏区域141b。须指出的是，未导入P的部分成为沟道区域141c。
在电路元件部14上，形成有覆盖底层保护膜2c和半导体膜141的透明的栅绝缘膜142，在栅绝缘膜142上形成有由Al、Mo、Ta、Ti、W等构成的栅电极143(扫描线101)，栅电极143和栅绝缘膜142上形成有透明的第一层间绝缘膜144a和第二层间绝缘膜144b。栅电极143设置在与半导体膜141的沟道区域141c对应的位置。另外，贯通第一、第二层间绝缘膜144a、144b，形成有分别连接了半导体膜141的源、漏区域141a、141b的接触孔145、146。
然后，在第二层间绝缘膜144b上，把由ITO等构成的透明的象素电极111形成给定的形状，而接触孔145连接在该象素电极111上。
另外，另一个接触孔146连接了电源线103。
这样，在电路元件部14上形成有连接各象素电极111的驱动用薄膜晶体管123。
须指出的是，在电路元件部14上也形成有所述保持电容cap和开关用薄膜晶体管142，但是在图3中省略了它们的图示。
接着，如图3所示，发光元件部11是以分别层叠在多个象素电极111上的功能层110、设置在各象素电极111和功能层110之间并且划分各功能层110的隔壁部112、遮光层113为主体构成的。在功能层110上配置了阴极12。由这些象素电极111、功能层110和阴极12构成了发光元件。在此，象素电极111例如由ITO形成，形成有俯视图中的矩形。该象素电极111的厚度希望为50～200nm，特别是150nm左右。在该各象素电极111之间具有隔壁部112。
隔壁部112如图3所示，由位于衬底2一侧的无机物隔壁层112a(第一隔壁层)和位于远离衬底2的位置的有机物隔壁层112b(第二隔壁层)层叠构成。另外，无机物隔壁层112a和有机物隔壁层112b之间配置了遮光层113。
无机物隔壁层、有机物隔壁层112a、112b形成在象素电极111的周边部上。在平面上，成为象素电极111的周围和无机物隔壁层112a平面重叠配置的结构。另外，有机物隔壁层112b也同样，配置为与象素电极111的一部分在平面上重叠。另外，无机物隔壁层112a形成在比有机物隔壁层112b更靠象素电极111的中央一侧。这样，通过在象素电极111的内侧形成无机物隔壁层112a的各第一层叠部112e，设置有与象素电极111的形成位置对应的下部开口部112c。
另外，在有机物隔壁层112b上形成有上部开口部112d。该上部开口部112d设置为与象素电极111的形成位置以及下部开口部112c对应。如图3所示，上部开口部112d比下部开口部112c宽，比象素电极111窄。另外，有时上部开口部112d的上部的位置与象素电极111的端部几乎为相同位置。此时，如图3所示，有机物隔壁层112b的上部开口部112d的剖面变为倾斜的形状。
而且，在有机物隔壁层112b上，通过连通下部开口部112c和上部开口部112d，形成有贯通无机物隔壁层112a和有机物隔壁层112b的开口部112g。
另外，无机物隔壁层112a例如希望由SiO2、TiO2等无机材料构成。该无机物隔壁层112a的膜厚希望为例如50～200nm，特别是150nm。当膜厚不足50nm时，无机物隔壁层112a变得比后述的空穴注入/输送层薄，因为无法确保空穴注入/输送层的平坦性，所以不好。如果膜厚超过200nm，则基于下部开口部112c的阶梯变大，因为无法确保在空穴注入/输送层上层叠的后述的发光层的平坦性，所以不好。
而且，有机物隔壁层112b由丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂等通常的抗蚀剂构成。该有机物隔壁层112b的厚度希望为0.1～3.5μm，特别是2μm左右。如果厚度不足0.1μm，则有机物隔壁层112b比后述的空穴注入/输送层和发光层的合计厚度薄，发光层有可能从上部开口部112d溢出，所以不好。另外，如果厚度超过3.5μm，则基于上部开口部112d的阶梯变大，因为无法确保在有机物隔壁层112b上形成的阴极的台阶敷层，所以不好。另外，如果有机物隔壁层112b的厚度在2μm以上，能提高与驱动用薄膜晶体管123的绝缘，所以更好。
另外，在隔壁部112上形成有表现亲液性的区域和表现防液性的区域。
表现亲液性的区域是无机物隔壁层112a的第一层叠部112e和象素电极111的电极面111a，这些区域通过以氧为处理气体的等离子体处理，被表面处理为亲液性。另外，表现防液性的区域是上部开口部112d的壁面和有机物隔壁层112的上表面112f，这些区域通过四氟甲烷、四氟代甲烷或四氟化碳为处理气体的等离子体处理，表面被氟化处理(处理为防液性)。
接着，如图3所示，功能层110由层叠在象素电极111上的空穴注入/输送层110a、与空穴注入/输送层110a上相邻形成的发光层110b构成。须指出的是，也可以与发光层110b相邻再形成具有其他功能的其他功能层。例如，能形成电子输送层。
空穴注入/输送层110a不但具有把空穴注入发光层110b中的功能，而且具有在空穴注入/输送层110a内部输送空穴的功能。通过在象素电极111和发光层110b之间设置这样的空穴注入/输送层110a，能提高发光层110b的发光效率、寿命等元件特性。另外，在发光层110b中，从空穴注入/输送层110a注入的空穴和从阴极12注入的电子在发光层中再结合，进行了发光。
空穴注入/输送层110a由位于下部开口部112c内并且形成象素电极面111a上的平坦部110a1、位于上部开口部112d内并且形成在无机物隔壁层的第一层叠部112e上的周边部110a2构成。另外，空穴注入/输送层110a根据结构，只在各象素电极111上，并且在无机物隔壁层110a(下部开口部110c)之间形成(也有只在所述的平坦部上形成的形态)。
该平坦部110a1的厚度一定，例如形成在50～70nm的范围内。
当形成有周边部110a2时，周边部110a2位于无机物隔壁层的第一层叠部112e上，并且紧贴上部开口部112d的壁面即有机物隔壁层112b。另外，周边部110a2的厚度在靠近电极面111a一侧薄，沿着远离电极面111a的方向增大，在下部开口部112d的壁面附近变得最厚。
作为周边部110a2形成所述形状的理由在于：空穴注入/输送层110a是把包含空穴注入/输送层形成材料和极性溶剂的第一组成物向开口部112内喷出后，除去极性溶剂而形成的，极性溶剂的挥发主要在无机物隔壁层的第一层叠部112e上发生，空穴注入/输送层形成材料在该第一层叠部112e上集中地浓缩、析出。
另外，发光层110b在空穴注入/输送层110a的平坦部110a1和周边部110a2上形成，在平坦部110a1上的厚度例如为50～80nm的范围。
发光层110b具有发出红色(R)光的红色发光层110b1、发出绿色(G)光的绿色发光层110b2、发出蓝色(B)光的蓝色发光层110b3等三种，并且各发光层110b1～110b3配置为带状。
如以上所述，因为空穴注入/输送层110a的周边部110a2挨着上部开口部112d的壁面(有机物隔壁层112b)，所以发光层110b不直接接触有机物隔壁层112b。因此，能通过周边部110a2阻止在有机物隔壁层112b中作为杂质而包含的水移到发光层110b一侧，能防止水引起的发光层110b的氧化。
另外，因为在无机物隔壁层的第一层叠部112e上形成有厚度不均匀的周边部110a2，所以周边部110a2通过第一层叠部112e变为从象素电极111绝缘的状态，空穴不会从周边部110a2注入发光层110b中。据此，来自发光层110b的电流只流到平坦部112a1，能从平坦部112a1把空穴均匀地输送到发光层110b，不但能只使发光层110b的中央部分发光，而且能使发光层110b的发光量一定。
另外，因为无机物隔壁层112a比有机物隔壁层112b更向象素电极111的中央一侧延伸，所以能通过该无机物隔壁层112a使象素电极111和平坦部110a1的接合部分的形状整齐，能抑制各发光层110b间的发光强度的偏移。
而且，因为象素电极111的电极面111a和无机物隔壁层的第一层叠部112e表现了亲液性，所以功能层110与象素电极111以及无机物隔壁层112a均匀地紧贴，能使无机物隔壁层112a上，功能层110不会变得极端薄，能防止象素电极111和阴极12的短路。
另外，因为有机物隔壁层112b的上表面112f和上部开口部112d的壁面表现了防液性，所以功能层110和有机物隔壁层112b的紧贴性变低，功能层110不会从开口部112g溢出形成。
须指出的是，作为空穴注入/输送层形成材料，例如能使用聚乙烯二氧噻吩等聚噻吩衍生物和聚苯乙烯磺酸等的混合物。
另外，作为发光层110b的材料，能使用例如由以下结构式表示的化合物1～化合物5所代表的(聚)对苯撑乙烯撑衍生物、聚苯撑衍生物、聚芴衍生物、聚乙烯咔唑、聚噻吩衍生物、二萘嵌苯类色素、香豆素类色素、若丹明类色素，或在这些高分子材料中掺杂红荧烯、二萘嵌苯、9、10-联苯蒽、四苯基丁二烯、尼罗红、香豆素6、喹吖酮等。
化合物1
Figure C0215745800182
化合物2
化合物3
化合物4
Figure C0215745800185
化合物5
接着，如图3所示，遮光层113形成在无机物隔壁层112a和有机物隔壁层112b之间。在遮光层113上，在与功能层110对应的位置设置有遮光开口部113c。据此，遮光层113配置在功能层110彼此之间，位于功能层110的非形成区域。
遮光层113遮挡从发光层110b发出并由阴极12反射的光，防止来自象素区域A以外的反射光的出射，提高了显示装置的视觉识别性。另外，该遮光层113抑制基于阴极12的外部光的反射，使视觉识别性提高。
该遮光层113由形成在无机物隔壁层112a上的第一遮光膜113a和层叠在第一遮光膜113a上的第二遮光膜113b构成。第一遮光膜113a例如由厚度100nm的金属Cr膜构成，第二遮光膜113b例如由厚度50nm的氧化铬(Cr2O5)膜构成。
通过设置相关的遮光层113，能在非形成区域遮挡来自功能层110的非形成区域的外部的入射光以及来自功能层110的出射光，能提高显示装置的对比度，能提高视觉识别性。
特别是，通过在功能层110的非形成区域遮挡来自功能层110的光，能防止在以往的显示装置中产生的着色光彼此导致的颜色污点，能提高显示装置的对比度。
另外，通过在无机物隔壁层112a和有机物隔壁层112b之间设置遮光层113，能提高无机物隔壁层112a和有机物隔壁层112b的紧贴性。
而且，因为金属铬膜(113a)配置在衬底一侧，在离开衬底的一侧配置氧化铬膜(113b)，所以通过金属铬膜(113a)使来自外部的入射光反射，并且通过氧化铬膜(113b)能遮挡功能层110的非形成区域的功能层110的出射光，能进一步提高显示装置的对比度，能进一步提高视觉识别性。
须指出的是，在图3中表示了2层结构的遮光层113，但是本发明并不局限于此，作为遮光层，可以使用把炭黑等黑色颜料与树脂混合而成的黑色树脂，采用由该黑色树脂层的单层结构构成的遮光层。
接着，阴极12形成在发光元件部11的整个面上，与象素电极111成对，实现了使电流流向功能层110的功能。该阴极12例如由钙层和铝层层叠构成。此时，靠近发光层一侧的阴极希望设置为功函数低的，特别是在本形态中，直接与发光层110b相连，完成把电子注入发光层110b的功能。另外，通过发光层的材料能使氟化锂高效地发光，所以有时也在发光层110和阴极12之间形成LiF。须指出的是，在红色和绿色发光层110b1、110b2中并不局限于氟化锂，也可以使用其它材料。因此，只有蓝色(B)发光层110b3中，形成由氟化锂构成的层，在其他的红色和绿色发光层110b1、110b2上，可以层叠氟化锂以外的材料。另外，在红色和绿色发光层110b1、110b2上可以不形成氟化锂，而只形成钙。
须指出的是，氟化锂的厚度希望为2～5nm的范围，特别是2nm左右。另外，钙的厚度例如希望为2～50nm的范围，特别是20nm左右。
另外，形成阴极12的铝使从发光层110b发出的光在衬底2一侧反射，除了铝膜，最好由Ag膜、Al和Ag的层叠膜构成。另外，其厚度希望在100～1000nm的范围，特别是200nm左右。
也可以再在铝上设置由SiO、SiO2、SiN构成的防止氧化用的保护膜。
须指出的是，在这样形成的发光元件上配置密封盖604。如图2B所示，通过密封树脂603接合密封盖604，形成显示装置1。
下面，参照附图说明本实施例的显示装置的制造方法。
本实施例的显示装置1的制造方法例如具有：(1)隔壁部的形成步骤；(2)等离子体处理步骤；(3)空穴注入/输送层的形成步骤；(4)发光层的形成步骤；(5)对置电极的形成步骤；(6)密封步骤。须指出的是，制造方法并不局限于此，按照需要有时会去掉或追加步骤。
(1)隔壁部的形成步骤
隔壁部的形成步骤是在衬底2的给定位置形成隔壁部112的步骤。隔壁部112的结构为：形成有无机物隔壁层112a作为第一隔壁层，并且形成有有机物隔壁层112b作为第二隔壁层。下面就形成方法加以说明。
(1)-1无机物隔壁层的形成
首先，如图4所示，在衬底上的给定位置形成无机物隔壁层112a。形成有无机物隔壁层112a的位置是在第二层间绝缘膜144b上和电极(在此是象素电极)111上。须指出的是，第二层间绝缘膜144b形成在配置了薄膜晶体管、扫描线、信号线等的电路元件部14上。
无机物隔壁层112a能使用例如SiO2、TiO2等的无机物膜作为材料。例如通过CVD法、镀膜法、溅射法、蒸镀法等形成有这些材料。
无机物隔壁层112a的膜厚度希望为50～200nm的范围，特别是150nm左右。
无机物隔壁层112是在层间绝缘膜114和象素电极111的整个面上形成无机物膜，然后，通过由光刻法等对该无机物膜刻膜，形成有具有开口部的无机物隔壁层112。开口部与象素电极111的电极面111a的形成位置对应，如图4所示，设置为下部开口部112c。
此时，与象素电极111的周边部重叠形成有无机物隔壁层112a。如图4所示，通过使象素电极111的周边部和无机物隔壁层112a重叠，形成无机物隔壁层112a，能控制发光层110的发光区域。
(1)-2遮光层113和有机物隔壁层112b的形成
接着，形成遮光层113和作为第二隔壁层的有机物隔壁层112b。
如图5所示，在无机物隔壁层112a上形成遮光层113和有机物隔壁层112b。
首先，在无机物隔壁层112a和电极面111a的整个面上层叠第一遮光膜113a和第二遮光膜113b(遮光层113)。
例如通过用溅射法、蒸镀法等使金属Cr成膜，形成第一遮光膜113a，例如通过用蒸镀法等使氧化铬(Cr2O5)成膜，形成第二遮光膜113b。
接着，作为有机物隔壁层112b，使用丙烯酸树脂、聚酰亚胺等具有耐热性、耐溶剂性的材料，通过光刻技术等形成有有机物隔壁层112b。须指出的是，在形成图案时，在有机物隔壁层112b上形成上部开口部112d的同时，在遮光层113上形成遮光开口部113c。上部开口部112d设置在与电极面111a和下部开口部112c对应的位置。
如图5所示，上部开口部112d和遮光开口部113c最好比形成在无机物隔壁层112a上的下部开口部112c宽。有机物隔壁层112b最好是具有锥度的形状，在有机物隔壁层112b的最低面中，比象素电极111的宽度窄，并且在有机物隔壁层112b的最上面，形成与象素电极111的宽度几乎相同的宽度。据此，包围无机物隔壁层112a的下部开口部112c的第一层叠部112e比有机物隔壁层112b更向象素电极111的中央一侧延伸。
这样一来，通过使上部开口部112d、遮光开口部113c和下部开口部112c连通，就形成有贯通无机物隔壁层112a和有机物隔壁层112b的开口部112g。
第一遮光膜113a的膜厚例如为100nm。另外，第二遮光膜113b例如为50nm。
另外，有机物隔壁层112b的厚度希望为0.1～3.5μm，特别是2μm左右。取这样的范围的理由如以下所述。
即，如果厚度不足0.1μm，则有机物隔壁层112b比后述的空穴注入/输送层和发光层的合计厚度薄，发光层110b有可能从上部开口部112d溢出，所以不好。另外，如果厚度超过3.5μm，则基于上部开口部112d的阶梯变大，因为无法确保上部开口部112d的阴极12上的台阶敷层，所以不好。另外，如果有机物隔壁层112b的厚度在2μm以上，能提高阴极12与驱动用薄膜晶体管123的绝缘，所以更好。
(2)等离子体处理步骤
接着，在等离子体的处理步骤中，以使象素电极111的表面活性化、再对隔壁部112的表面进行表面处理为目的。特别是在活性化步骤中，是以象素电极111(ITO)上的洗净、功函数的调整为主要目的而进行的。还进行象素电极111的表面的亲液化处理、隔壁部112表面的防液化处理。
该等离子体处理步骤大致分为：例如(2)-1预备加热步骤；(2)-2活性化处理步骤(赋予亲液性的亲液化步骤)、(2)-3拨性化处理步骤；(2)-4冷却步骤。须指出的是，并不局限于这样的步骤，按照需要也可以削减、追加步骤。
首先，图6表示了等离子体处理步骤中使用的等离子体处理装置。
图6所示的等离子体处理装置50由预备加热处理室51、第一等离子体处理室52、第二等离子体处理室53、冷却处理室54、向这些处理室51-54输送衬底2的输送装置55构成。各处理室51-54以输送装置55配置为放射状。
首先，说明使用了这些装置的简要步骤。
预备加热步骤在图6所示的预备加热处理室51中进行。而且，通过该处理室51，把从隔壁部的形成步骤输送来的衬底2加热到给定温度。
在预备加热步骤后，进行亲液化步骤和防液化处理步骤。即把基体依次输送到第一、第二等离子体处理室52、53，在各处理室52、53中，对隔壁部112进行等离子体处理，使其亲液化。在该亲液化处理后，进行防液化处理。在防液化处理后，把基体输送到冷却处理室，在冷却处理室54中把基体冷却到室温。该冷却步骤后，通过输送装置把衬底输送到接着的步骤即空穴注入/输送层的形成步骤。
下面，详细说明各步骤。
(2)-1预备加热步骤
预备加热步骤由预备加热处理室51进行。在该处理室51中，把包含隔壁部112的衬底2加热到给定的温度。
衬底2的加热方法采用了例如在处理室51内，在安放衬底2的台上安装加热器，用该加热器加热该台和衬底2的方法。须指出的是，也能采用此外的方法。
在预备加热处理室51中，例如在70℃～80℃的范围内加热衬底2。该温度是接着的步骤即等离子体处理的处理温度，配合接着的步骤，事先加热衬底2，目的在于消除衬底2的温度偏移。
假设不附加预备加热步骤，把衬底2从室温加热到所述的温度，从步骤开始到步骤结束的等离子体处理步骤中，温度一边总是变动，一边进行了处理。因此，温度一边变动一边进行等离子体处理有可能与特性的不均匀有关。因此，为了把处理条件保持一定，取得均匀的特性，进行了预备加热。
因此，在等离子体处理步骤中，当在把衬底2安放在第一、第二等离子体处理装置52、53内的试料台上的状态下进行亲液化步骤或防液化步骤时，最好使预备加热温度与连续进行亲液化步骤或防液化步骤的试料台56的温度几乎一致。
因此，通过对衬底2预备加热，使第一、第二等离子体处理装置52、53内的试料台上升的温度到达例如70～80℃，即使在连续对多个衬底进行等离子体处理时，也能使处理开始之后和处理结束之前的等离子体处理的条件几乎一定。据此，使衬底2的表面处理条件相同，能使对于隔壁部112的组成物的浸湿性均匀，能制造具有一定的质量的显示装置。
另外，通过预先加热衬底2，能缩短之后的等离子体处理的处理时间。
(2)-2活性化处理
接着，在第一等离子体处理室52中，进行了活性化处理。在活性化处理中，包含了象素电极111的功函数的调整、控制、象素电极表面的洗净、象素电极表面的亲液化处理。
作为亲液化处理，在大气气体介质中，进行以氧为处理气体的等离子体处理(O2等离子体处理)。图7是模式地表示第一等离子体处理的图。如图7所示，把包含隔壁部112的衬底2放置在内置了加热器的试料台56上，在衬底2的上侧，间隔0.5～2mm左右的距离，与衬底2相对配置了等离子体放电电极57。一边由试料台56加热衬底2，一边以给定的输送速度把试料台56向图示的箭头方向输送，其间对衬底2照射了等离子体状态的氧。
O2等离子体处理例如在等离子体功率100～800kW，氧气流量50～100ml/min，板输送速度0.5～10mm/sec，基体温度70～90℃的条件下进行。须指出的是，基于试料台56的加热主要是为了预备加热的衬底2的保温而进行的。
通过该O2等离子体处理，如图8所示，对象素电极111的电极面111a、无机物隔壁层112a的第一层叠部112e以及有机物隔壁层112b的上部开口部112d的壁面和上表面112f进行了亲液处理。通过该亲液处理，在这些面中导入了羟基，取得了亲液性。
在图9中用单点划线表示了亲液处理的部分。
须指出的是，该O2等离子体处理不仅赋予亲液性，而且也能完成上述的象素电极即ITO上的洗净、功函数的调整。
(2)-3防液处理步骤
接着，在第二等离子体处理室53中，作为防液化步骤，在大气气体介质中，进行以四氟甲烷为处理气体的等离子体处理(CF4等离子体处理)。第二等离子体处理室53的内部结构与图7所示的第一等离子体处理室52的内部结构相同。即一边由试料台加热衬底2，一边以给定的输送速度输送试料台，其间对衬底2照射了等离子体状态的四氟甲烷(四氟化碳)。
CF4等离子体处理例如在等离子体功率100～800kW，四氟甲烷流量50～100ml/min，板输送速度0.5～10mm/sec，基体温度70～90℃的条件下进行。须指出的是，基于加热台的加热与第一等离子体处理室52的情形同样，主要是为了预备加热的衬底2的保温而进行的。
须指出的是，处理气体并不局限于四氟甲烷(四氟化碳)，能使用其它氟化碳类的气体。
通过该CF4等离子体处理，如图9所示，对上部开口部112d的壁面和有机物隔壁层的上表面112f进行了防液处理。通过该防液处理，在这些面中导入了氟基，取得了防液性。在图9中，用双点划线表示了表现防液性的区域。通过照射等离子体状态的碳氟化合物，能容易地使构成有机物隔壁层112b的丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂等有机物具有防液性。另外，具有通过O2等离子体进行了前处理的具有容易氟化的特征，在本实施例中特别有效。
须指出的是，象素电极111的电极面111a和无机物隔壁层112a的第一层叠部112e受到一些CF4等离子体处理的影响，但是对浸湿性影响不大。在图9中用单点划线表示了表现亲液性的区域。
(2)-4冷却步骤
接着，作为冷却步骤，使用冷却处理室54，把为了等离子体处理而加热的衬底2冷却到管理温度。这是用于冷却到之后的步骤即喷墨步骤(液滴的喷出步骤)的管理温度而进行的步骤。
该冷却处理室54的结构为：具有用于配置衬底2的板，该板中内置了使衬底2冷却的水冷装置。
另外，通过把等离子体处理后的衬底2冷却到室温或给定温度(例如进行喷墨步骤的管理温度)，在接着的空穴注入/输送层的形成步骤中，衬底2的温度变为一定，能以衬底2的温度没有变化的均匀温度进行接着的步骤。因此，通过附加这样的冷却步骤，能均匀地形成由液滴喷出法等喷出方法喷出的材料。
例如，当使包含用于形成空穴注入/输送层的材料的第一组成物喷出时，能以一定的容积连续喷出第一组成物，能均匀地形成空穴注入/输送层。
在所述等离子体处理步骤中，通过对于材料不同的有机物隔壁层112b和无机物隔壁层112a，依次进行O2等离子体处理和CF4等离子体处理，能容易地在隔壁部112上设置亲液性的区域和防液性的区域。
须指出的是，等离子体处理步骤中使用的等离子体处理装置并不局限于图6所示的装置，也可以使用例如图10所示的等离子体处理装置60。
图10所示的等离子体处理装置60由预备加热处理室61、第一等离子体处理室62、第二等离子体处理室63、冷却处理室64、向这些处理室61-64输送衬底2的输送装置65构成，各处理室61-64配置在输送装置65的输送方向的两侧(图中箭头方向的两侧)。
在该等离子体处理装置60中，与图6所示的等离子体处理装置50同样，把从隔壁部的形成步骤输送来的衬底2依次输送到预备加热处理室61、第一、第二等离子体处理室62、63和冷却处理室64，在各处理室中进行与所述同样的处理后，把衬底2输送到接着的空穴注入/输送层的形成步骤。
另外，所述等离子体装置也可以不是大气压下的装置，而使用真空下的等离子体装置。
(3)空穴注入/输送层的形成步骤
接着，在空穴注入/输送层的形成步骤中，在电极(在此是象素电极111)上形成空穴注入/输送层。
在空穴注入/输送层的形成步骤中，作为液滴的喷出，例如通过使用喷墨装置向电极面111a上喷出包含空穴注入/输送层形成材料的第一组成物(组成物)。然后进行干燥处理和热处理，在象素电极111上和无机物隔壁层112a上形成空穴注入/输送层110a。须指出的是，在此把形成有空穴注入/输送层110a的无机物隔壁层112a称作第一层叠部112e。
包含该空穴注入/输送层的形成步骤，在以下的步骤中最好为无水和氧的气体介质。例如最好在氮气体介质、氩气体介质等惰性气体介质中进行。
须指出的是，有时不在第一层叠部112e上形成空穴注入/输送层110a。即有只在象素电极111上形成有空穴注入/输送层的形态。
基于喷墨的制造方法如以下所述。
如图11所示，从形成在喷墨头H1上的多个喷嘴喷出包含空穴注入/输送层形成材料的第一组成物。在此，通过使喷墨头扫描，在各象素中填充了组成物，但是通过使衬底2扫描也能填充组成物。通过使喷墨头和衬底2相对地移动，也能填充组成物。须指出的是，此后的使用喷墨头进行的步骤与所述点是同样的。
基于喷墨头的喷出如以下所述。即把形成在喷墨头H1上的多个喷嘴H2与电极面111a相对配置，从喷嘴H2喷出第一组成物。在象素电极111的周围形成有划分下部开口部112c的隔壁112，使喷墨头H1与位于该下部开口部112c内的象素电极面111a相对，一边使该喷墨头H1和衬底2相对移动，一边从喷嘴H2向电极面111a上喷出控制了一滴的液量的第一组成物滴110c。
作为在此使用的第一组成物，能使用把聚乙烯二氧噻吩(PEDOT)等聚噻吩衍生物和聚苯乙烯磺酸(PSS)等的混合物溶解在极性溶剂中的组成物。作为极性溶剂能使用例如异丙醇(IPA)、正丁醇、γ-丁内酯、N-甲基吡咯烷酮(NMP)、1、3-二甲基-2-咪唑(DMI)及其衍生物、卡必醇醋酸盐、丁基卡必醇醋酸盐等的乙二醇醚类。
作为更具体的第一组成物的组成，例如PEDOT/PSS混合物(PEDOT/PSS＝1∶20)：12.52重量％、PSS：1.44重量％、IPA：10重量％、NMP：27.48重量％、DMI：50重量％。须指出的是，第一组成物的粘度希望为2～20Ps，特别是4～15cPs左右。
通过使用所述第一组成物，能在喷出喷嘴H2不产生堵塞，稳定地喷出。
须指出的是，空穴注入/输送层形成材料对于红(R)、绿(G)、蓝(B)的各发光层110b1～110b3可以使用相同的材料，也可以按各发光层改变。
如图11所示，喷出的第一组成物滴110c在进行了亲液处理的电极面111a和第一层叠部112e上扩展，填充到下部、上部开口部112c、112d内。假设第一组成物滴110c从给定位置偏移，被喷到上表面112f上，上表面112f也不会被第一组成物滴110c浸渍，被排拒的第一组成物滴110c滑入下部、上部开口部112c、112d内。
喷向电极面111a的第一组成物量由下部、上部开口部112c、112d的大小、要形成的空穴注入/输送层的厚度、第一组成物中的空穴注入/输送层的形成材料的浓度等决定。
另外，可以不只是一次，而分多次向同一电极面111a喷出第一组成物滴110c。此时，各次的第一组成物的量可以相同，可以每次改变第一组成物。也可以不向电极面111a的同一地方喷出，而在各次中向电极面111a的不同地方喷出。
关于喷墨头的结构，能使用图14那样的头H。关于衬底和喷墨头的配置，最好象图15那样配置。图14中，符号H7是支撑所述的喷墨头H1的支撑衬底，在该支撑衬底H7上设置有多个喷墨头H1。
在喷墨头H1的墨水喷出面(与衬底的对置面)上，沿着头的长度方向形成列状，并且在头的宽度方向隔开间隔，以两列设置有多个喷出喷嘴(例如，一列180个喷嘴，合计360个喷嘴)。另外，在使喷嘴向着衬底一侧，并且对于X轴(或Y轴)以给定角度倾斜的状态下，在沿着近X轴方向排为列状，并且在Y轴方向隔开给定间隔配置为两列的状态下，在俯视图中为近似矩形的支撑板20上定位、支撑了多个(图14中一列为6个，合计12个)该喷墨头H1。
另外，图15所示的喷墨装置中，符号1115是放置衬底2的台，符号1116是在图中的x轴方向(主扫描方向)引导台1115的导轨。另外，头H通过支撑构件1111，通过导轨1113，能在图中y轴方向(副扫描方向)移动，头H还能在图中的θ轴方向旋转，喷墨头H1对于主扫描方向能倾斜给定的角度。这样，通过对于扫描方向倾斜配置喷墨头，能使喷嘴间距与象素间距对应。另外，通过调整倾斜角度，能对对应于任意的象素间距。
图15所示的衬底2为在母板上配置了多片的结构。即一片的区域相当于一个显示装置。在此，形成有三个显示区域2a，但是并不局限于此。例如，当对于衬底2上的左侧的显示区域2a涂敷组成物时，通过导轨1113使头H向图中的左侧移动，并且通过导轨1116使衬底2向图中上侧移动，一边使衬底2扫描，一边进行涂敷。接着，使头H向图中的右侧移动，对于基体的中央的显示区域2a涂敷组成物。对于在右端的显示区域2a也与所述同样。
须指出的是，图14所示的头H和图15所示的喷墨装置不仅在空穴注入/输送层的形成步骤中，还能用于发光层的形成步骤。
接着，进行图12所示的干燥步骤。通过进行干燥步骤，对喷出后的第一组成物进行干燥处理，使第一组成物中包含的极性溶剂蒸发，形成空穴注入/输送层110a。
如果进行干燥处理，则第一组成物滴110c中包含的极性溶剂的蒸发主要在靠近无机物隔壁层112a和有机物隔壁层112b的地方发生，伴随着极性溶剂的蒸发，空穴注入/输送层形成材料被浓缩、析出。
据此，如图13所示，在第一层叠部112e上形成有由空穴注入/输送层形成材料构成的周边部110a2。该周边部110a2紧贴在上部开口部112d的壁面(有机物隔壁层112b)上，其厚度在靠近电极面111a一侧薄，在远离电极面111a一侧即靠近有机物隔壁层112b一侧变厚。
另外，与此同时，通过干燥处理在电极面111a上也发生极性溶剂的蒸发，据此，在电极面111a上形成有由空穴注入/输送层形成材料构成的平坦部110a1。在电极面111a上极性溶剂的蒸发速度几乎均匀，所以空穴注入/输送层的形成材料在电极面111a上几乎均匀地浓缩，据此，形成有厚度均匀的平坦部110a。
这样，就形成有由周边部110a2和平坦部110a1构成的空穴注入/输送层110a。
须指出的是，也可以在周边部110a2上不形成，而只在电极面111a上形成空穴注入/输送层。
所述的干燥处理例如在氮气体介质中，在室温以例如133.3Pa(1Torr)左右的压力进行。如果压力过低，则第一组成物滴110c崩沸，所以不好。另外，如果使温度为室温以上，则极性溶剂的蒸发速度快，无法形成平坦的膜。
干燥处理后，通过在氮中，希望在真空中，在200℃进行加热10分钟左右的热处理，除掉残存在空穴注入/输送层110a内的极性溶剂和水。
在所述空穴注入/输送层的形成步骤中，一方面喷出的第一组成物滴110c充满了下部、上部开口部112c、112d内，而另一方面第一组成物被进行了防液处理的有机物隔壁层112b排拒，流入下部、上部开口部112c、112d内。据此，一定能把喷出的第一组成物滴110c填充到下部、上部开口部112c、112d内，能在电极面111a上形成空穴注入/输送层110a。
(4)发光层的形成步骤
接着，发光层的形成步骤由表面改质步骤、发光层的形成材料的喷出步骤以及干燥步骤构成。
首先，为了空穴注入/输送层110a的表面改质，进行表面改质步骤。下面，详细说明该步骤。与所述的空穴注入/输送层的形成步骤同样，通过喷墨法，向空穴注入/输送层110a上喷出第二组成物。然后对喷出的第二组成物进行干燥处理(以及热处理)，在空穴注入/输送层110a上形成发光层110b。
在发光层的形成步骤中，为了防止空穴注入/输送层110a的再溶解，作为发光层的形成时使用的第二组成物的溶剂，使用对于空穴注入/输送层110a不溶的非极性溶剂。
但是，因为空穴注入/输送层110a对于非极性溶剂的亲和性低，所以即使向空穴注入/输送层110a上喷出包含非极性溶剂的第二组成物，也担心无法使空穴注入/输送层110a和发光层110b紧贴，或无法均匀地涂敷发光层110b。
因此，为了提高空穴注入/输送层110a对于非极性溶剂和发光层形成材料的表面亲和性，最好在形成发光层之前，进行表面改质步骤。
下面，说明表面改质步骤。
表面改质步骤是通过喷墨法(液滴喷出法)、旋转镀膜法或浸渍法，在空穴注入/输送层110a上涂敷与发光层的形成时使用的第一组成物的非极性溶剂为相同溶剂或与它类似的溶剂即表面改质材料后，进行干燥而进行的。
如图13所示，基于喷墨法的涂敷是在喷墨头H3中填充表面改质材料，从形成在喷墨头H3上的喷出喷嘴H4喷出表面改质材料。与所述的空穴注入/输送层的形成步骤同样，通过使喷出喷嘴H4与衬底2(即形成有空穴注入/输送层110a的衬底2)相对，一边使喷墨头H3与衬底2相对移动，一边从喷出喷嘴H4向空穴注入/输送层110a上喷出表面改质材料110d而进行。
另外，基于旋转镀膜法的涂敷是把衬底2放置在例如旋转台上，从上方向衬底2上滴下表面改质材料后，使衬底2旋转，使表面改质材料扩展到衬底2上的空穴注入/输送层110a的全体而进行的。须指出的是，虽然表面改质材料也暂时扩展到进行了防液处理的上表面112f上，但是由于旋转产生的离心力而飞出，只涂敷在空穴注入/输送层110a上。
基于浸渍的涂敷是使衬底2浸渍在例如表面改质材料中后，把其捞起，使表面改质材料在空穴注入/输送层110a的整体上扩散而进行的。此时，表面改质材料也暂时扩散到进行了防液化处理的上表面112f上，但是捞起时，表面改质材料被上表面112f排拒，从而只涂敷在空穴注入/输送层110a上。
作为在此使用的表面改质材料，作为与第二组成物的非极性溶剂相同的材料，例如有环己基苯、二氢苯并呋喃、三甲基苯、四甲基苯，作为与第二组成物的非极性溶剂类似的材料，例如有甲苯、二甲苯等。
特别是当通过喷墨法涂敷时，最好使用二氢苯并呋喃、三甲基苯、四甲基苯、环己基苯或它们的混合物，特别是使用与第二组成物相同的溶剂混合物，当基于旋转涂敷法或浸渍法时，最好使用甲苯、二甲苯等。
接着，如图16所示，使涂敷区域干燥。干燥步骤在用喷墨法涂敷时，是把衬底2放置在热板上，用例如200℃以下的温度加热，使其干燥蒸发。当为旋转涂敷法或浸渍法时，最好向衬底2喷射氮，或使衬底旋转，使衬底2的表面产生气流，进行干燥。
须指出的是，可以在空穴注入/输送层的形成步骤的干燥处理后进行表面改质材料的涂敷，在使涂敷后的表面改质材料干燥后，进行空穴注入/输送层的形成步骤的热处理。
通过进行这样的表面改质步骤，空穴注入/输送层110a的表面变得与非极性溶剂容易亲合，在此后的步骤中，能在空穴注入/输送层110a上均匀地涂敷包含发光层的形成材料的第二组成物。
须指出的是，可以在所述表面改质材料中溶解作为空穴输送性材料而一般使用的所述化合物2等，作为组成物，通过由喷墨法把该组成物涂敷到空穴注入/输送层上，使其干燥，在空穴注入/输送层上形成极薄的空穴输送层。
空穴注入/输送层的大部分溶入以后的步骤中涂敷的发光层110b中，但是一部分以薄膜状残存在空穴注入/输送层110a和发光层110b之间，据此，空穴注入/输送层110a和发光层110b之间的能垒降低，空穴的移动变得容易，能提高发光效率。
接着，作为发光层形成步骤，通过喷墨法(液滴喷出法)，向空穴注入/输送层110a上喷出包含发光层的形成材料的第二组成物后，进行干燥处理，在空穴注入/输送层110a上形成发光层110b。
图17表示了基于喷墨的喷出方法。如图17所示，使喷墨头H5和衬底2相对移动，从形成在喷墨头上的喷出喷嘴H6喷出了包含各色(例如在此为蓝色(B))发光层的形成材料的第二组成物。
在喷出时，使喷出喷嘴与位于下部、上部开口部112c、112d内的空穴注入/输送层110a相对，一边使喷墨头H5与衬底2相对移动，一边喷出了第二组成物。从喷出喷嘴H6喷出的液量控制了每滴的液量。从喷出喷嘴喷出了控制了液量的液体(第二组成物滴110e)，向空穴注入/输送层110a上喷出该第二组成物滴110e。
作为发光层的形成材料能使用化合物1～化合物5所示的聚芴类高分子衍生物、(聚)对苯撑乙烯撑衍生物、聚苯撑衍生物、聚乙烯咔唑、聚噻吩衍生物、二萘嵌苯类色素、香豆素类色素、若丹明类色素，或在所述高分子材料中掺杂有机EL材料。例如能通过掺杂红荧烯、二萘嵌苯、9、10-联苯蒽、四苯基丁二烯、尼罗红、香豆素6、喹吖酮等后使用。
作为非极性溶剂，最好为对于空穴注入/输送层110a不溶的材料，例如能使用环己基苯、二氢苯并呋喃、三甲基苯、四甲基苯等。
通过在发光层110b的第二组成物中使用这样的非极性溶剂，能在空穴注入/输送层110a不再溶解的前提下涂敷第二组成物。
如图17所示，喷出的第二组成物110e在空穴注入/输送层110a上扩散，充满下部、上部开口部112c、112d内。而在被防液处理的上表面112f上，即使第二组成物滴110e从给定的喷出位置偏离，被喷出到上表面112f上，上表面112f也不会被第二组成物滴110e浸渍，第二组成物滴110e进入下部、上部开口部112c、112d内。
向空穴注入/输送层110a上喷出第二组成物的量由下部、上部开口部112c、112d的尺寸、要形成的发光层110b的厚度、第二组成物中的发光层的形成材料的浓度等决定。
另外，可以不只是一次，而分多次向同一空穴注入/输送层110a喷出第二组成物滴110e。此时，各次的第二组成物的量可以相同，也可以每次改变第二组成物的液量。也可以不向空穴注入/输送层110a的同一地方喷出，而在各次中向空穴注入/输送层110a的不同地方喷出第二组成物。
接着，在结束了向给定位置喷出第二组成物后，通过对喷出后的第二组成物滴110e进行干燥处理，就形成有发光层110b3。即通过干燥，包含在第二组成物中的非极性溶剂蒸发，就形成有图18所示的蓝色(B)发光层110b3。须指出的是，在图18中，只表示了一个发出蓝光的发光层，但是从图1和其他图可知，本来发光元件形成有矩阵形状，形成有图中未显示的多个发光层(与蓝色对应)。
接着，如图19所示，使用与所述蓝色(B)发光层110b3时同样的步骤，形成红色(R)发光层110b1，最后形成绿色(G)发光层110b2。
须指出的是，发光层110b的形成步骤并不局限于所述的顺序，可以采用任意的顺序。例如，能按照发光层形成材料决定形成的顺序。
另外，发光层的第二组成物的干燥条件为：当蓝色110b3时，在氮气体介质中，在室温以例如133.3Pa(1Torr)左右的压力进行5～10分钟。如果压力过低，则第二组成物崩沸，所以不好。另外，如果温度为室温以上，则非极性溶剂的蒸发速度快，发光层的形成材料大量附着在上部开口部112d的壁面上，所以不好。
另外，绿色发光层110b2和红色发光层b1时，因为发光层的形成材料的成分数多，所以最好迅速使其干燥，例如在40℃，进行5～10分钟的氮气喷射。
作为其他的干燥方法，例如有远红外线照射法、高温氮气喷射法等。
这样在象素电极111上就形成有空穴注入/输送层110a和发光层110b。
(5)对置电极(阴极)的形成步骤
接着，在对置电极的形成步骤中，如图20所示，在发光层110b和有机物隔壁层112b的整个面上形成阴极12(对置电极)。须指出的是，阴极12可以层叠多种材料。例如在靠近发光层一侧，形成功函数小的材料，例如能使用Ca、Ba等，另外，根据材料，有时在下层形成薄的LiF等。另外，在上部一侧(密封一侧)能使用比下部一侧功函数高的材料，例如能使用Al。
希望通过例如蒸镀法、溅射法、CVD法等形成这些阴极12，特别是用蒸镀法形成时能防止热对发光层110b的损伤。
另外，可以只在发光层110b上形成氟化锂，能与给定的色对应形成。例如只在蓝色(B)发光层110b3上形成。此时，在其他的红色(R)发光层和绿色(G)发光层110b1、110b2上连接由钙构成的上部阴极层12b。
另外，最好在阴极12的上部，使用通过蒸镀法、溅射法、CVD法等形成的Al膜、Ag膜等。另外，该厚度希望在100～1000nm的范围，特别是200～500nm左右。
另外，在阴极12上也可以设置用于防止氧化的SiO2、SiN等的保护层。
(6)密封步骤
最后，密封步骤是通过密封树脂3a密封形成有发光元件的衬底2和密封衬底3b的步骤。例如，在衬底2的整个面上涂敷由热硬化树脂或紫外线硬化树脂构成的密封树脂3a，在密封树脂3a上层叠密封用衬底3b。通过该步骤，在衬底2上形成密封部3。
密封步骤最好在氮、氩、氦等惰性气体中进行。如果在大气中进行，当在阴极12上产生了针孔等缺陷时，水或氧有可能从该缺陷部分侵入阴极12，阴极12被氧化，所以不好。
通过在图5所示的衬底5的布线5a上连接阴极12，并且在驱动IC6上连接电路元件部14的布线，就得到了本实施例的显示装置1。
[实施例2]
下面，参照附图说明本发明的实施例2。
图21是表示实施例2的显示装置的主要部分的剖视图。
如图21所示，本实施例的显示装置的结构为：在衬底2上依次层叠了形成有TFT等电路的电路元件部14、形成有发光层的发光元件部211、阴极12。
在本实施例的显示装置中，与实施例1时同样，从功能层110向衬底2一侧发出的光透过电路元件部14和衬底2，射出到衬底2的下侧(观测者一侧)，并且从功能层110向衬底2的相反一侧发出的光由阴极12反射，透过电路元件部14和衬底2，射出到衬底2的下侧(观测者一侧)。
本实施例的显示装置与实施例1的显示装置的区别在于：在衬底的电路元件部14和隔壁部112之间配置了遮光层。
因此，在以后的说明中，对于图21所示的构成要素中与图3所示的实施例1的显示装置的构成要素相同的构成要素采用了相同的符号，省略了它的说明。
即图21中虽然表示了电路元件部14、象素电极111、隔壁部112(无机物隔壁层112a和有机物隔壁层112b)、阴极12的各构成要素，但是，它们与实施例1中说明的构成要素相同，省略了说明。
图21所示的发光元件部211以分别层叠在多个象素电极111上的功能层110、设置在各象素电极111和各功能层110之间并且划分各功能层110的隔壁部112、遮光层213为主体构成。
遮光层213配置在电路元件部14的第二层间绝缘膜144b以及象素电极111和无机物隔壁层112a之间。
该遮光层213是把炭黑等黑色颜料混合在丙烯酸树脂或聚酰亚胺树脂等中而得到的黑色树脂层的单层结构。
另外，在遮光层213上，在与功能层110对应的位置设置有遮光开口部213c。这样，遮光层213就配置在功能层110彼此之间，位于功能层110的非形成区域。
该遮光层213与实施例1的遮光层113同样，遮挡从发光层110b发出并由阴极12发射的光，防止来自象素区域A以外的反射光的出射，提高了显示装置的视觉识别性。另外，该遮光层213抑制基于阴极12的外部光的反射，提高了显示装置的视觉识别性。
通过设置相关的遮光层213，能在非形成区域遮挡来自功能层110的非形成区域的外部的入射光以及来自功能层110的出射光，能提高显示装置的对比度，能提高视觉识别性。
通过在功能层110的非形成区域遮挡来自功能层110的光，能防止在以往的显示装置中产生的着色光彼此导致的颜色污点，能提高显示装置的对比度。
须指出的是，遮光层213并不局限于黑色树脂层的单层结构，也可以是在第一层间绝缘膜144b上依次层叠了金属铬膜和氧化铬(Cr2O5)膜的层叠结构。此时，金属铬膜的厚度为100nm左右，氧化铬膜的厚度为50nm左右。
须指出的是，本实施例的显示装置的制造方法与实施例1的显示装置的制造方法的几乎同样，不同之处在于：在第二层间绝缘膜144b和象素电极111上依次层叠遮光层213和无机物隔壁层112a，并且通过蚀刻等，设置下部开口部112c和遮光开口部213a，再在无机物隔壁层112a上层叠有机物隔壁层112b。因此，除了所述的不同点，用与实施例1的显示装置相同的步骤制造了本实施例的显示装置。
[实施例3]
下面，参照附图说明本发明的实施例3。
图22是表示实施例3的显示装置的主要部分的剖视图。
如图22所示，本实施例的显示装置的结构为：在衬底2上依次层叠了形成有TFT等电路的电路元件部14、形成有发光层的发光元件部311、阴极12。
在本实施例的显示装置中，与实施例1、2时同样，从功能层110向衬底2一侧发出的光透过电路元件部14和衬底2，射出到衬底2的下侧(观测者一侧)，并且从功能层110向衬底2的相反一侧发出的光由阴极12反射，透过电路元件部14和衬底2，射出到衬底2的下侧(观测者一侧)。
本实施例的显示装置与实施例1的显示装置的区别在于：通过用黑色树脂形成有机物隔壁层，有机物隔壁层变为遮光层。
因此，在以后的说明中，对于图22所示的构成要素中与图3所示的实施例1的显示装置的构成要素相同的构成要素采用了相同的符号，省略了它的说明。
即图22中虽然表示了电路元件部14、象素电极111、无机物隔壁层112a、功能层110(空穴注入/输送层110a和发光层110b)、阴极12的各构成要素，但是，它们与实施例1中说明的构成要素相同，省略了说明。
图22所示的发光元件部311以分别层叠在多个象素电极111上的功能层110、设置在各象素电极111和各功能层110之间并且划分各功能层110的隔壁部312为主体构成。
如图22所示，隔壁部312由位于衬底2一侧无机物隔壁层312a和位于远离衬底2一侧的有机物隔壁层312b层叠构成。
无机物隔壁层、有机物隔壁层312a、312b形成在象素电极111的周边部上。在平面上，成为象素电极111的周围和无机物隔壁层312a平面重叠配置的结构。另外，有机物隔壁层312b也同样，配置为与象素电极111的一部分在平面上重叠。另外，无机物隔壁层312a形成在比有机物隔壁层312b更靠象素电极111的中央一侧。这样，通过在象素电极111的内侧形成无机物隔壁层312a的各第一层叠部112e，设置有与象素电极111的形成位置对应的下部开口部112c。
另外，在有机物隔壁层312b上设置有上部开口部312d。如图22所示，所述上部开口部312d比下部开口部112c宽，比象素电极111窄。
另外，在隔壁部312上，连通下部开口部112c和上部开口部312d，设置有贯通无机物隔壁层112c和有机物隔壁层312d的开口部3112g。
有机物隔壁层312b兼作遮光层，由把炭黑等黑色颜料混合在丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂等通常的抗蚀剂中而得到的黑色树脂形成。该有机物隔壁层312b的厚度希望为0.1～3.5μm的范围，特别是2μm左右。如果厚度不足0.1μm，则有机物隔壁层312b比后述的空穴注入/输送层和发光层的合计厚度薄，发光层有可能从上部开口部112d溢出，并且由于兼作遮光层的有机物隔壁层312b变薄，遮光性下降，所以不好。另外，如果厚度超过3.5μm，则基于上部开口部312d的阶梯变大，因为无法确保在有机物隔壁层312b上形成的阴极12和反射层13的台阶敷层，所以不好。另外，如果有机物隔壁层312b的厚度在2μm以上，能提高与驱动用薄膜晶体管123的绝缘，所以更好。
另外，有机物隔壁层312b的上部开口部312d的壁面和上表面312f是表现防液性的区域，通过以四氟甲烷为反应气体的等离子提出例，导入了氟等防液基。
须指出的是，本实施例的有机物隔壁层312b除了材料由黑色树脂构成之外，与实施例1的有机物隔壁层112b同样，该有机物隔壁层312b和发光元件110以及阴极12的位置关系与实施例同样。
根据所述显示装置，因为有机物隔壁层312b兼作遮光层，所以通过该有机物隔壁层312b，能遮挡功能层110的非形成区域的来自外部的入射光和来自功能层110的出射光，能提高显示装置的对比度，能提高视觉识别性。
另外，因为有机物隔壁层312b兼作遮光层，所以没必要另外设置遮光层，从而能简化显示装置的结构。
须指出的是，本实施例的显示装置的制造方法与实施例1的显示装置的制造方法几乎同样，不同点为：用黑色树脂形成有机物隔壁层312b和省略了在有机物隔壁层和无机物隔壁层之间形成的遮光层。因此，除了所述的不同点，用与实施例1的显示装置相同的步骤制造了本实施例的显示装置。
[实施例4]
下面，参照附图说明本发明的实施例4。
图23是表示实施例4的显示装置的主要部分的剖视图。
如图23所示，本实施例的显示装置的结构为：在衬底2上依次层叠了形成有TFT等电路的电路元件部414、形成有发光层的发光元件部411、阴极12。
在本实施例的显示装置中，与实施例1同样，从发光元件部411的功能层110向衬底2一侧发出的光透过电路元件部414和衬底2，射出到衬底2的下侧(观测者一侧)，并且从功能层110向衬底2的相反一侧发出的光由阴极12反射，透过电路元件部14和衬底2，射出到衬底2的下侧(观测者一侧)。
本实施例的显示装置与实施例1的显示装置的区别在于：在电路元件部314内配置了遮光层。
因此，在以后的说明中，对于图23所示的构成要素中与图3所示的实施例1的显示装置的构成要素相同的构成要素采用了相同的符号，省略了它的说明。
即图23中虽然表示了象素电极111、隔壁部112(无机物隔壁层112a和有机物隔壁层112b)、功能层110(空穴注入/输送层110a和发光层110b)、阴极12的各构成要素，但是，它们与实施例1中说明的构成要素相同，省略了说明。
图23所示的发光元件部411以分别层叠在多个象素电极111上的功能层110、设置在各象素电极111和各功能层110之间并且划分各功能层110的隔壁部112为主体构成。本实施例的发光元件部411从实施例1的发光元件部11除了遮光层113以外，与实施例1的发光元件部11几乎相同。
在电路元件部414上，在衬底2上形成有由氧化硅构成的底层保护膜2c，在该底层保护膜2c上形成有由多晶硅构成的岛状的半导体膜141。须指出的是，通过在半导体膜141中打入高浓度P形成有源区域141a和漏区域141b。须指出的是，未导入P的部分变为沟道区域141c。
在电路元件部414上形成有覆盖底层保护膜2c和半导体膜141的透明栅绝缘膜142，在栅绝缘膜142上形成有由Al、Mo、Ta、Ti、W等构成的栅电极143(扫描线101)，在栅电极143和栅绝缘膜142上形成有透明的第一层间绝缘膜144a和第二层间绝缘膜144b。栅电极143设置在与半导体膜141的沟道区域141c对应的位置。另外，在栅绝缘膜142和栅绝缘膜143之间形成有遮光层413。
另外，贯通第一、第二层间绝缘膜144a、144b，形成有分别连接了半导体膜141的源、漏区域141a、141b的接触孔145、146。
然后，在第二层间绝缘膜144b上，把由ITO等构成的透明的象素电极111形成给定的形状，而接触孔145连接在该象素电极111上。
遮光层413是把炭黑等黑色颜料混合在丙烯酸树脂或聚酰亚胺树脂等中而得到的黑色树脂层的单层结构。
在遮光层413上，在与功能层110对应的位置设置有遮光开口部413c。这样，遮光层413就配置在功能层110彼此之间，位于功能层110的非形成区域。
该遮光层413与实施例1的遮光层113同样，遮挡从发光层110b发出并由阴极12发射的光，防止来自象素区域A以外的反射光的出射，提高了显示装置的视觉识别性。另外，该遮光层213抑制基于阴极12的外部光的反射，提高了显示装置的视觉识别性。
通过在电路元件部414内设置相关的遮光层413，能在非形成区域遮挡来发光元件110的非形成区域的外部的入射光以及来自发光元件110的出射光，能提高显示装置的对比度，能提高视觉识别性。
通过在功能层110的非形成区域遮挡来自功能层110的光，能防止在以往的显示装置中产生的着色光彼此导致的颜色污点，能提高显示装置的对比度，提高视觉识别性。
须指出的是，本实施例的显示装置的制造方法与实施例1的显示装置的制造方法的几乎同样，不同之处在于：在形成电路元件部414时，形成栅绝缘膜142和第一层间绝缘膜143a之间形成遮光层413；在有机物隔壁层和无机物隔壁层之间形成有遮光层。因此，除了所述的不同点，用与实施例1的显示装置相同的步骤制造了本实施例的显示装置。
[实施例5]
下面，参照附图说明本发明的实施例5。
图24是表示实施例5的显示装置的主要部分的剖视图。
如图24所示，本实施例的显示装置具有：在由金属构成的衬底502上依次层叠发光元件部11、阴极512、保护层513而构成的显示元件部510。另外，在发光元件部11和衬底502之间设置有电路元件部14。
在本实施例的矩阵型显示元件510中，从功能层110向衬底502一侧发出的光由金属制的衬底502反射，再透过阴极512和保护层513，射出到衬底502的上侧(观察者一侧)，从功能层110向衬底502的相反一侧发出的光原封不动地透过阴极512和保护层513，射出到衬底502的上侧(观察者一侧)。这样，在本实施例的显示装置中，光射出到衬底502的上侧(观察者一侧)，光的出射光方向变为与实施例1～4的矩阵型显示元件的相反方向。
本实施例的显示装置与实施例1的显示装置的不同之处在于：形成保护层513代替了反射层；形成的阴极512很薄。
因此，在以后的说明中，对于图24所示的构成要素中与图3所示的实施例1的显示装置的构成要素相同的构成要素采用了相同的符号，省略了它的说明。
即图24中虽然表示了电路元件部14、象素电极111、隔壁部112(无机物隔壁层112a和有机物隔壁层112b)、遮光层113(第一遮光膜113a和第二遮光膜113b)的各构成要素，但是，它们与实施例1中说明的构成要素相同，省略了说明。
图24所示的显示元件部510在由金属构成的衬底502上依次层叠了发光元件部11、阴极512、保护层513。
衬底2是由例如Al等构成的金属衬底，能发射从功能层110发出的光，射出到衬底502的上方一侧。
另外，阴极512形成在发光元件部11的整个面上，与象素电极111成对，实现了使电流注入功能层110的功能。该阴极512例如由钙层和铝层层叠构成。此时，靠近发光层一侧的阴极希望设置为功函数低的，特别是在本形态中，直接与发光层110b相连，完成把电子注入发光层110b的功能。另外，通过发光层的材料能使氟化锂高效地发光，所以有时也在发光层110和阴极12之间形成LiF。
须指出的是，在红色和绿色发光层110b1、110b2中并不局限于氟化锂，也可以使用其它材料。因此，只有蓝色(B)发光层110b3中，形成由氟化锂构成的层，在其他的红色和绿色发光层110b1、110b2上，可以层叠氟化锂以外的材料。另外，在红色和绿色发光层110b1、110b2上可以不形成氟化锂，而只形成钙。
另外，本实施例的阴极512形成得比实施例1～4的阴极12薄，能透射从功能层110发出的光。
保护层513形成在阴极512上，防止水或氧对阴极512和发光元件部的侵入，防止阴极512或形成在发光元件部11内的发光层110b的氧化。
该保护层513最好由例如Ag膜构成。
本实施例的保护层513形成得比较薄，能透射从发光元件110发出的光。
根据所述的显示装置，因为从功能层110发出的光透过阴极512和保护层513出射，所以与光透射衬底和电路元件部时相比，能减少光量的损失，能实现显示装置的高亮度化。
[实施例6]
下面，参照附图说明本发明的实施例6。须指出的是，在以下的说明中，对于与所述实施例3相同的部位采用了相同的符号，省略了它的部分说明。
图25是表示实施例6的显示装置的剖视图。
如图25所示，本实施例的显示装置包含：衬底2’、具有配置为矩阵状的发光元件并且形成在衬底2’上的发光元件部311、形成在发光元件部311上的阴极12’。由发光元件部311和阴极12’构成了显示元件310’。
本实施例的显示装置具有把密封部3’一侧作为显示面而构成的所谓顶发射型的结构，作为衬底2’，能使用透明衬底(或半透明衬底)和不透明衬底中的任意一种。作为透明或半透明衬底，例如有玻璃、石英、树脂(塑料、塑料薄膜)等，特别适合用廉价的钠玻璃。作为不透明衬底，除了对例如氧化铝等的陶瓷和不锈钢等金属薄板进行了表面氧化等绝缘处理的材料，还有热硬化性树脂、热可塑性树脂等。另外，衬底2’划分为：位于中央的显示区域2a、位于衬底2’的周边并且包围显示区域2a的非显示区域2b。
显示区域2a是由配置为矩阵状的发光元件形成的区域，非显示区域2b形成在显示区域的外侧。而且，在非显示区域2b上形成有与显示区域2a相邻的假显示区域2d。
另外，在发光元件部311和衬底2’之间设置有电路元件部14，在该电路元件部14上，与所述实施例1同样，设置有所述的扫描线、信号线、保持电容、开关用薄膜晶体管、驱动用薄膜晶体管123等。
另外，阴极12’中，其一端从发光元件部311上连接了形成在衬底2’上的阴极用布线12a，它的布线的一端部连接了软性衬底(图中未显示)上的布线。另外，布线连接了设置在软性衬底上的图中未显示的驱动IC(驱动电路)。
另外，在电路元件部14的非显示区域2b上配置了所述实施例1中说明了的电源线103(103R、103G、103B)。
另外，在显示区域2a的两侧，配置了所述扫描一侧驱动电路105。该扫描一侧驱动电路105设置在假区域2d的下侧的电路元件部14内。在电路元件部14内，设置有连接在驱动电路105上的驱动电路用控制信号布线105a和驱动电路用电源布线105b。
另外，在发光元件部311上设置有密封部3’。该密封部3’由涂敷在衬底2’上的密封树脂603和密封盖604’构成。密封树脂603由热硬化树脂或紫外线硬化树脂等构成，特别是最好由热硬化树脂的一种即环氧树脂构成。
该密封树脂603在衬底2’的周围涂敷为环状，例如是由微分配器等涂敷的。该密封树脂603接合衬底2’和密封盖604’，防止从衬底2’和密封盖604’之间水或氧向密封盖604’的内部侵入，防止阴极12’或发光元件部311内形成的图中未显示的发光层的氧化。
密封盖604’由玻璃或树脂等透光性材料构成，通过密封树脂603接合了衬底2’，在其内侧设置有容纳显示元件310’的凹部604a。须指出的是，按照需要，也可以设置吸收水、氧等的吸气剂。例如通过在凹部604内的非显示区域2b上设置该吸气剂，能对显示不造成影响。
图26表示了放大了显示装置的显示区域的剖面结构的图。在图26中显示了三个象素区域A。该显示装置的结构为：在衬底2’上依次层叠形成有TFT等电路的电路元件部14、形成有功能层110的发光元件部311和阴极12。
在该显示装置中，从功能层110向密封部3’一侧发出的光射出到盖604’的上侧(观测者一侧)，并且从功能层110向衬底2’发出的光由象素电极111’反射，射出到密封部3’一侧(观测者一侧)。因此，对阴极12’使用了例如ITO、Pt、Ir、Ni或Pd等透明的材料。希望膜厚为75nm左右，更希望比该膜厚更薄。另外，对于象素电极111’最好使用例如Al和Ag等高反射率的金属材料，据此，能使向衬底2’一侧发出的光高效地射出到密封部3’一侧。
发光元件部311由分别层叠在多个象素电极111’上的功能层110、设置在各象素电极111’和功能层110之间并且划分各功能层110的隔壁部312为主体构成的。阴极12’配置在功能层110上。由象素电极111’、功能层110以及阴极12’构成了发光元件。在此，象素电极111’例如由ITO形成，形成有在俯视图中为矩形的图案。该象素电极111’的厚度希望为50～200nm的范围，特别是150nm左右。在该各象素电极111’之间设置有隔壁部312。
隔壁部312由位于衬底2一侧的无机物隔壁层312a(第一隔壁层)和远离衬底2的有机物隔壁层312b(第二隔壁层)层叠构成。
形成有无机物、有机物隔壁层312a、312b，使其在象素电极111’的周边部上。在平面上，成为象素电极111’的周围和无机物隔壁层312a平面重叠配置的结构。另外，有机物隔壁层312b也同样，配置为与象素电极111’的一部分在平面上重叠。另外，无机物隔壁层312a形成在比有机物隔壁层312b更靠象素电极111’的中央一侧。这样，通过在象素电极111的内侧形成无机物隔壁层312a的第一层叠部112e，设置有与象素电极111的形成位置对应的下部开口部112c。
另外，在有机物隔壁层312b上形成有上部开口部312d。该上部开口部312d设置为与象素电极111的形成位置以及下部开口部112c对应。上部开口部312d比下部开口部112c宽，比象素电极111’窄。另外，有时上部开口部312d的上部的位置与象素电极111’的端部几乎为相同位置。此时，如图26所示，有机物隔壁层312b的上部开口部312d的剖面变为倾斜的形状。
而且，在隔壁部312上，通过连通下部开口部112c和上部开口部312d，形成有贯通无机物隔壁层312a和有机物隔壁层312b的开口部312g。
有机物隔壁层312b兼作遮光层，由把炭黑等黑色颜料混合在丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂等通常的抗蚀剂中而得到的黑色树脂形成。该有机物隔壁层312b的厚度希望为0.1～3.5μm的范围，特别是2μm左右。如果厚度不足0.1μm，则有机物隔壁层312b比后述的空穴注入/输送层和发光层的合计厚度薄，发光层有可能从上部开口部112d溢出，并且由于兼作遮光层的有机物隔壁层312b变薄，遮光性下降，所以不好。另外，如果厚度超过3.5μm，则基于上部开口部312d的阶梯变大，因为无法确保在有机物隔壁层312b上形成的阴极12和反射层13的台阶敷层，所以不好。另外，如果有机物隔壁层312b的厚度在2μm以上，能提高与驱动用薄膜晶体管123的绝缘，所以更好。
另外，无机物隔壁层312a例如希望由SiO、SiO2、TiO2等无机材料构成。该无机物隔壁层312a的膜厚希望为例如50～200nm，特别是150nm。当膜厚不足50nm时，无机物隔壁层112a变得比后述的空穴注入/输送层薄，因为无法确保空穴注入/输送层的平坦性，所以不好。如果膜厚超过200nm，则基于下部开口部112c的阶梯变大，因为无法确保在空穴注入/输送层上层叠的后述的发光层的平坦性，所以不好。
另外，在隔壁部312上形成有表现亲液性的区域和表现防液性的区域。
表现亲液性的区域是无机物隔壁层312a的第一层叠部112e和象素电极111’的电极面111a，这些区域通过以氧为处理气体的等离子体处理，被表面处理为亲液性。另外，表现防液性的区域是上部开口部312d的壁面和有机物隔壁层312b的上表面312f，这些区域通过四氟甲烷为处理气体的等离子体处理，表面被氟化处理(处理为防液性)。
功能层110由层叠在象素电极111’上的空穴注入/输送层110a、与空穴注入/输送层110a上相邻形成的发光层110b构成。须指出的是，也可以与发光层110b相邻再形成具有其他功能的其他功能层。例如，能形成电子输送层。
空穴注入/输送层110a不但具有把空穴注入发光层110b中的功能，而且具有在空穴注入/输送层110a内部输送空穴的功能。通过在象素电极111’和发光层110b之间设置这样的空穴注入/输送层110a，能提高发光层110b的发光效率、寿命等元件特性。另外，在发光层110b中，从空穴注入/输送层110a注入的空穴和从阴极12’注入的电子在发光层中再结合，进行了发光。
空穴注入/输送层110a由位于下部开口部112c内并且形成在象素电极面111a上的平坦部110a1、位于上部开口部312d内并且形成在无机物隔壁层的第一层叠部112e上的周边部110a2构成。另外，空穴注入/输送层110a根据结构，只在各象素电极111’上，并且在无机物隔壁层110a(下部开口部110c)之间形成(也有只在所述的平坦部上形成的形态)。
该平坦部110a1的厚度一定，例如形成在50～70nm的范围内。
当形成有周边部110a2时，周边部110a2位于无机物隔壁层的第一层叠部112e上，并且紧贴上部开口部312d的壁面即有机物隔壁层312b。另外，周边部110a2的厚度在靠近电极面111a一侧薄，沿着远离电极面111a的方向增大，在下部开口部312d的壁面附近变得最厚。
作为周边部110a2形成所述形状的理由在于：空穴注入/输送层110a是把包含空穴注入/输送层形成材料和极性溶剂的第一组成物向开口部312内喷出后，除去极性溶剂而形成的，极性溶剂的挥发主要在无机物隔壁层的第一层叠部112e上发生，空穴注入/输送层形成材料在该第一层叠部112e上集中地浓缩、析出。
另外，发光层110b在空穴注入/输送层110a的平坦部110a1和周边部110a2上形成，在平坦部110a1上的厚度例如为50～80nm的范围。
发光层110b具有发出红色(R)光的红色发光层110b1、发出绿色(G)光的绿色发光层110b2、发出蓝色(B)光的蓝色发光层110b3等三种，并且各发光层110b1～110b3配置为带状。
须指出的是，电路元件部14的结构与所述实施例1同样，所以省略了说明。
因此，在本实施例的显示装置中，与所述实施例3同样，因为有机物隔壁层312b兼作遮光层，所以通过该有机物隔壁层312b能遮挡来自功能层110的非形成区域的外部的入射光和来自功能层110的出射光，能提高显示装置的对比度，提高视觉识别性。另外，在图25中，表示了在隔壁部3 12的下层一侧(相邻的发光层之间的区域)配置了TFT123的结构，但是当象本实施例那样，从密封部3’一侧取出来自发光层110b的光时，象素的开口率不被配置在象素电极111’的下层一侧的电路结构影响，所以电路元件部14的布线或TFT123与象素电极111’可配置为在俯视图中重叠。据此，不但最大限度扩展了象素电极111’，而且，通过使布线的宽度充分粗，能实现高亮度并且大的画面显示。
须指出的是，本实施例的显示装置的制造方法与实施例3的显示装置的制造方法大致相同，区别仅在于象素电极111’、阴极12’、密封盖604’的材料。因此，本实施例的显示装置除了所述不同点，能用与实施例3的制造方法同样的步骤制造。
[实施例7]
下面，说明具有实施例1～6的显示装置的电子仪器的具体例。
图27A是表示移动电话的一个例子的立体图。在图27A中，符号600表示移动电话主体，符号601表示使用了所述显示装置中的任意一种的显示部。
图27B是表示文字处理机、个人电脑等便携式信息处理装置的一个例子的立体图。在图27B中，符号700表示信号处理装置，符号701表示键盘等输入部，符号703表示信息处理装置主体，符号702表示使用了所述的显示装置中的任意一种的显示部。
图27C是表示手表型电子仪器的一个例子的立体图。在图27C中，符号800表示了手表主体，符号801表示使用了所述的显示装置中的任意一种的液晶显示部。
图27A～图27C各自所示的电子仪器具有使用了所述实施例1～5的显示装置中的任意一种的显示部，因为具有上述的实施例1～5的显示装置的特征，所以使用其中的任意显示装置，都能成为高亮度、具有优异的显示质量的电子仪器。
在制造这些电子仪器时，与实施例1～5同样，构成具有图2所示的驱动IC6a(驱动电路)的显示装置1，通过把该显示装置1组入移动电话、便携式信息处理装置、手表型电子仪器中，就制造了这些仪器。
须指出的是，本发明的技术范围并不局限于所述实施例，在不脱离本发明的思想的范围内，能进行各种变更。
图28表示了本发明的其他例子的显示装置的剖视模式图。图28所示的显示装置具有：衬底2、形成在衬底2上的显示元件10、在衬底2的周围涂敷为环状的密封树脂603、设置在显示元件10上的密封盖604。
衬底2和显示元件10与实施例1的衬底2以及显示元件10相同。显示元件10以发光元件部11和形成在该发光元件部11上的阴极12为主体构成。
另外，如图28所示，在发光元件部11上设置有密封部3。该密封部3由涂敷在阴极12上的热硬化树脂或紫外线硬化树脂等构成的密封树脂3a和配置在密封树脂3a上的密封衬底3b构成。须指出的是，作为密封树脂3a，最好在硬化时不产生气体、溶剂等。
至少几乎覆盖位于发光元件部11上的阴极12而形成有该密封部3，防止了水或氧对于阴极12和发光元件部11的侵入，防止阴极12或形成在发光元件部11内的后述的发光层的氧化。
须指出的是，密封衬底3b接合在密封树脂3a上，保护密封树脂3a，最好是玻璃板、金属板或树脂板的任意一种。
另外，图29表示了本发明的别的例子的显示装置的剖视模式图。图29所示的显示装置具有：衬底2、形成在衬底2上的显示元件10、涂敷在显示元件10的整个面上的密封树脂3a、设置在密封树脂3a上的密封用衬底3b。
衬底2、显示元件10、密封树脂3a和密封用衬底3b与实施例1的衬底2、显示元件10、密封材料3和密封用衬底4相同。显示元件10以发光元件部11和形成在该发光元件部11上的阴极12为主体构成。
另外，如图29所示，在密封材料3和阴极12之间形成有保护层714。保护层714由SiO2、SiN等构成，厚度在100～200nm的范围内。该保护层714防止了水或氧对于阴极12和发光元件部11的侵入，防止阴极12或形成在发光元件部11内的后述的发光层的氧化。
根据所述的显示装置，通过有效地防止水和氧的侵入，防止阴极12或发光层的氧化，就能实现显示装置的高亮度和延长使用寿命。
另外，在实施例1～6中，说明了把R、G、B的各发光层110b配置为带状时的情形，但是本发明并不局限于此，也可以采用各种配置结构。例如，除了图30A所示的带状配置之外，还能采用图30B所示的镶嵌配置和图30C所示的三角配置。
另外，在图6的实施例中，把由黑色树脂构成的有机物隔壁层312b作为遮光层使用，但是也可以通过在透明的有机物隔壁层312b的上表面312f上形成遮光层，防止来自相邻的发光层的着色光彼此的混色。或者在密封盖604’的内表面(与阴极12’相对的面)上，通过在与隔壁相对的位置上形成遮光层，也能取得同样的效果。

Claims (17)

1.一种显示装置，其特征在于：
包括在衬底上形成的多个发光元件和以平面观察在所述各发光元件之间的区域中设置的遮光层；
所述遮光层由位于所述衬底一侧的第一遮光膜和设置在所述第一遮光膜上的第二遮光膜形成；
所述第一遮光膜是金属铬膜，并且所述第二遮光膜是氧化铬。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于：
进一步具有在各所述发光元件之间设置的隔壁部，所述遮光层设置在所述衬底和所述隔壁部之间。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于：
在所述遮光层上设置有与所述发光元件对应的遮光开口部。
4.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于：
所述隔壁部由位于所述衬底一侧的第一隔壁层和在所述第一隔壁层上形成的第二隔壁层构成；
所述第一隔壁层由SiO2和TiO2中的任意一种构成。
5.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于：
所述隔壁部由位于所述衬底一侧的第一隔壁层和在所述第一隔壁层上形成的第二隔壁层构成；
所述第二隔壁层由丙烯酸树脂或聚酰亚胺树脂中的任意一种构成。
6.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于：
所述隔壁部由位于所述衬底一侧的第一隔壁层和在所述第一隔壁层上形成的第二隔壁层构成；
进行了至少使所述第一隔壁层的一部分具有亲液性的加工。
7.一种显示装置，在衬底上形成有多个发光元件，在各所述发光元件之间设置有隔壁部，其特征在于：
所述隔壁部由位于所述衬底一侧的第一隔壁层和形成在所述第一隔壁层上的第二隔壁层形成；
在所述第一隔壁层和所述第二隔壁层之间设置有遮光层。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其特征在于：
在所述遮光层上设置有与所述发光元件对应的遮光开口部。
9.根据权利要求7所述的显示装置，其特征在于：
所述遮光层由黑色树脂构成。
10.根据权利要求7所述的显示装置，其特征在于：
所述遮光层由位于所述衬底一侧的第一遮光膜和设置在所述第一遮光膜上的第二遮光膜形成。
11.根据权利要求10所述的显示装置，其特征在于：
所述第一遮光膜是金属铬膜，并且所述第二遮光膜是氧化铬。
12.根据权利要求7所述的显示装置，其特征在于：
所述第一隔壁层由SiO2和TiO2中的任意一种构成。
13.根据权利要求7所述的显示装置，其特征在于：
所述第二隔壁层由丙烯酸树脂或聚酰亚胺树脂中的任意一种构成。
14.根据权利要求7所述的显示装置，其特征在于：
进行了至少使所述第一隔壁层的一部分具有亲液性的加工。
15.一种电子仪器，具有显示装置和用于驱动所述显示装置的驱动电路，其特征在于：
所述显示装置包括在衬底上形成的多个发光元件、和以平面观察在所述各发光元件之间的区域中设置的遮光层；
所述遮光层由位于所述衬底一侧的第一遮光膜和设置在所述第一遮光膜上的第二遮光膜形成；
所述第一遮光膜是金属铬膜，并且所述第二遮光膜是氧化铬。
16.根据权利要求15所述的电子仪器，其特征在于：
进一步具有在各所述发光元件之间设置的隔壁部，所述遮光层设置在所述衬底和所述隔壁部之间。
17.一种电子仪器，具有显示装置和用于驱动所述显示装置的驱动电路，其特征在于：
所述显示装置在衬底上形成有多个发光元件，在各所述发光元件之间设置有隔壁部；
所述隔壁部由位于所述衬底一侧的第一隔壁层和形成在所述第一隔壁层上的第二隔壁层形成；
在所述第一隔壁层和所述第二隔壁层之间设置有遮光层。
CNB021574588A 2001-12-18 2002-12-17 显示装置以及电子仪器 Expired - Lifetime CN1225149C (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001385169 2001-12-18
JP2001385169 2001-12-18
JP2002341376 2002-11-25
JP2002341376A JP3705264B2 (ja) 2001-12-18 2002-11-25 表示装置及び電子機器

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1429051A CN1429051A (zh) 2003-07-09
CN1225149C true CN1225149C (zh) 2005-10-26

Family

ID=26625125

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB021574588A Expired - Lifetime CN1225149C (zh) 2001-12-18 2002-12-17 显示装置以及电子仪器

Country Status (5)

Country Link
US (2) US7012367B2 (zh)
JP (1) JP3705264B2 (zh)
KR (1) KR100574260B1 (zh)
CN (1) CN1225149C (zh)
TW (1) TWI228018B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107564933A (zh) * 2016-06-30 2018-01-09 乐金显示有限公司 用于提高亮度的光学构件及具有其的有机发光显示装置

Families Citing this family (98)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3520396B2 (ja) 1997-07-02 2004-04-19 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクス基板と表示装置
JP3580092B2 (ja) * 1997-08-21 2004-10-20 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクス型表示装置
DE69829458T2 (de) * 1997-08-21 2005-09-29 Seiko Epson Corp. Anzeigevorrichtung mit aktiver matrix
KR100652039B1 (ko) * 2000-11-23 2006-11-30 엘지.필립스 엘시디 주식회사 전계발광소자
US7211828B2 (en) * 2001-06-20 2007-05-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and electronic apparatus
TW548860B (en) 2001-06-20 2003-08-21 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method of manufacturing the same
JP5304417B2 (ja) * 2001-12-18 2013-10-02 セイコーエプソン株式会社 表示装置
JP4134312B2 (ja) * 2002-04-23 2008-08-20 独立行政法人産業技術総合研究所 分子ビーム装置
KR100508911B1 (ko) * 2002-05-09 2005-08-18 주식회사 펩트론 서방성 단백질 약물 제형 및 이의 제조방법
TW588571B (en) * 2002-05-24 2004-05-21 Sanyo Electric Co Electroluminescence display device
US7230271B2 (en) 2002-06-11 2007-06-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device comprising film having hygroscopic property and transparency and manufacturing method thereof
JP2004192935A (ja) * 2002-12-11 2004-07-08 Hitachi Displays Ltd 有機ｅｌ表示装置
US7247986B2 (en) * 2003-06-10 2007-07-24 Samsung Sdi. Co., Ltd. Organic electro luminescent display and method for fabricating the same
KR100544123B1 (ko) 2003-07-29 2006-01-23 삼성에스디아이 주식회사 평판표시장치
KR100542997B1 (ko) 2003-08-07 2006-01-20 삼성에스디아이 주식회사 평판표시장치 및 그의 제조방법
CN100484352C (zh) * 2003-10-02 2009-04-29 株式会社丰田自动织机 电致发光元件
JP3915806B2 (ja) * 2003-11-11 2007-05-16 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置および電子機器
KR100741962B1 (ko) * 2003-11-26 2007-07-23 삼성에스디아이 주식회사 평판표시장치
EP1557891A3 (en) 2004-01-20 2006-10-04 LG Electronics Inc. Organic electroluminescent device and fabrication method thereof
JP2005285659A (ja) * 2004-03-30 2005-10-13 Toyota Industries Corp 有機ｅｌ装置及びその製造方法
US7692378B2 (en) * 2004-04-28 2010-04-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device including an insulating layer with an opening
US7202504B2 (en) 2004-05-20 2007-04-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element and display device
JP4161956B2 (ja) 2004-05-27 2008-10-08 セイコーエプソン株式会社 カラーフィルタ基板の製造方法、電気光学装置の製造方法、電気光学装置、電子機器
JP2006038987A (ja) * 2004-07-23 2006-02-09 Seiko Epson Corp 表示装置、表示装置の製造方法、電子機器
US20060017671A1 (en) * 2004-07-23 2006-01-26 Seiko Epson Corporation Display device and electronic apparatus
TWI382079B (zh) 2004-07-30 2013-01-11 Sanyo Electric Co 有機電場發光元件及有機電場發光顯示裝置
KR100696591B1 (ko) * 2004-09-08 2007-03-20 엘지전자 주식회사 유기 전계 발광 소자
EP1635406A3 (en) * 2004-09-08 2006-10-04 LG Electronics, Inc. Organic electroluminescent device
US7753751B2 (en) 2004-09-29 2010-07-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of fabricating the display device
JP2006145602A (ja) * 2004-11-16 2006-06-08 Nec Lcd Technologies Ltd 液晶表示パネル及び液晶表示装置
KR100684834B1 (ko) * 2004-11-30 2007-02-20 삼성에스디아이 주식회사 평판 표시 패널, 평판 표시 패널의 형성방법 및 이를이용한 평판 표시 장치
JP4238822B2 (ja) * 2004-12-03 2009-03-18 セイコーエプソン株式会社 パターン形成基板、電気光学装置、パターン形成基板の製造方法及び電気光学装置の製造方法
GB0517195D0 (en) * 2005-08-23 2005-09-28 Cambridge Display Tech Ltd Molecular electronic device structures and fabrication methods
TWI460851B (zh) * 2005-10-17 2014-11-11 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置及其製造方法
GB2432256B (en) * 2005-11-14 2009-12-23 Cambridge Display Tech Ltd Organic optoelectrical device
KR100900550B1 (ko) * 2006-01-16 2009-06-02 삼성전자주식회사 표시장치와 그 제조방법
JP5164389B2 (ja) * 2006-03-28 2013-03-21 キヤノン株式会社 有機発光素子用アミノ化合物およびそれを有する有機発光素子
KR100686591B1 (ko) * 2006-04-25 2007-02-26 엘지전자 주식회사 디스플레이 소자
KR101244898B1 (ko) 2006-06-28 2013-03-19 삼성디스플레이 주식회사 유기 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
JP2008112658A (ja) * 2006-10-31 2008-05-15 Seiko Epson Corp 電気光学装置、電子機器、カラーフィルタ装置および画像表示機器
US20080150421A1 (en) * 2006-12-21 2008-06-26 Canon Kabushiki Kaisha Organic light-emitting apparatus
KR101452370B1 (ko) * 2007-04-25 2014-10-21 세이코 엡슨 가부시키가이샤 유기 ｅｌ 장치
KR100838086B1 (ko) * 2007-05-22 2008-06-16 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법
EP2003713A3 (en) * 2007-06-12 2011-07-20 Canon Kabushiki Kaisha Organic light-emitting apparatus
KR100889677B1 (ko) * 2007-06-19 2009-03-19 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 전계 발광표시장치 및 그의 제조방법
JP5208591B2 (ja) * 2007-06-28 2013-06-12 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置、及び照明装置
US8154032B2 (en) * 2007-07-23 2012-04-10 Seiko Epson Corporation Electrooptical device, electronic apparatus, and method for producing electrooptical device
JP2010541168A (ja) * 2007-09-25 2010-12-24 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー 溶液処理された電子デバイス用のバックプレーン構造体
JP2011501361A (ja) * 2007-10-15 2011-01-06 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー 溶液処理された電子デバイス用のバックプレーン構造
WO2009079327A1 (en) 2007-12-14 2009-06-25 E. I. Du Pont De Nemours And Company Backplane structures for electronic devices
KR100964225B1 (ko) * 2008-03-19 2010-06-17 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 디스플레이 장치
JP5286865B2 (ja) * 2008-03-24 2013-09-11 カシオ計算機株式会社 エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法及びエレクトロルミネッセンスパネル
WO2009147838A1 (ja) * 2008-06-06 2009-12-10 パナソニック株式会社 有機ｅｌディスプレイパネルおよびその製造方法
JP4930501B2 (ja) 2008-12-22 2012-05-16 ソニー株式会社 表示装置および電子機器
TWI607670B (zh) 2009-01-08 2017-12-01 半導體能源研究所股份有限公司 發光裝置及電子裝置
KR101084187B1 (ko) * 2010-01-21 2011-11-17 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법
US8283853B2 (en) * 2010-03-31 2012-10-09 General Electric Company Light-emitting device and article
KR20120024241A (ko) * 2010-09-06 2012-03-14 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 디스플레이 장치 및 그 제조 방법
KR101156447B1 (ko) * 2010-12-14 2012-06-18 삼성모바일디스플레이주식회사 커패시터 소자 및 이를 포함하는 표시 장치
KR101972463B1 (ko) * 2011-02-18 2019-08-19 삼성디스플레이 주식회사 유기전계발광 표시장치 및 그 제조방법
JP5954651B2 (ja) * 2011-12-09 2016-07-20 株式会社Ｊｏｌｅｄ 表示装置および電子機器
US20150155516A1 (en) * 2012-06-20 2015-06-04 Panasonic Corporation Organic light-emitting element and production method therefor
WO2014030354A1 (ja) * 2012-08-23 2014-02-27 パナソニック株式会社 有機電子デバイスの製造方法および有機ｅｌデバイスの製造方法
KR20140108025A (ko) * 2013-02-28 2014-09-05 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법
KR102059014B1 (ko) * 2013-05-28 2019-12-26 삼성디스플레이 주식회사 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102038817B1 (ko) * 2013-06-28 2019-11-01 엘지디스플레이 주식회사 유기전계 발광소자 및 이의 제조 방법
JP6191287B2 (ja) 2013-07-05 2017-09-06 ソニー株式会社 表示装置
KR102084400B1 (ko) * 2013-08-30 2020-03-04 엘지디스플레이 주식회사 유기전계 발광장치 및 그 제조방법
US9698204B2 (en) * 2013-12-06 2017-07-04 Sharp Kabushiki Kaisha Light-emitting substrate, photovoltaic cell, display device, lighting device, electronic device, organic light-emitting diode, and method of manufacturing light-emitting substrate
CN103956374B (zh) * 2014-04-22 2017-01-18 华南理工大学 一种无掩膜的有机彩色电致发光显示器及其制备方法
CN104362170B (zh) * 2014-11-28 2017-04-12 京东方科技集团股份有限公司 一种有机电致发光显示器件、其驱动方法及相关装置
JP2016119185A (ja) * 2014-12-19 2016-06-30 株式会社ジャパンディスプレイ 画像表示装置
CN104538351B (zh) * 2014-12-31 2018-06-08 京东方科技集团股份有限公司 有机发光二极管阵列基板及其制造方法、显示装置
KR102458685B1 (ko) * 2015-08-21 2022-10-26 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
CN105932037B (zh) * 2016-05-12 2018-10-12 京东方科技集团股份有限公司 一种有机电致发光显示基板及其制备方法、显示装置
US10371983B2 (en) 2016-07-26 2019-08-06 Lg Display Co., Ltd. Display device
US10141377B2 (en) * 2016-07-29 2018-11-27 Lg Display Co., Ltd. Electroluminescent display device
JP6861495B2 (ja) * 2016-10-05 2021-04-21 株式会社Ｊｏｌｅｄ 有機ｅｌ素子及びその製造方法
CN109119437B (zh) * 2017-06-23 2021-09-28 京东方科技集团股份有限公司 像素界定层及制造方法、显示基板及制造方法、显示面板
KR102525822B1 (ko) 2017-07-06 2023-04-26 삼성디스플레이 주식회사 표시 소자 및 그 제조 방법
CN107385391A (zh) * 2017-07-14 2017-11-24 京东方科技集团股份有限公司 掩膜板、oled显示基板及其制作方法、显示装置
KR102469945B1 (ko) * 2017-07-14 2022-11-23 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조방법
CN107706209B (zh) * 2017-08-09 2019-06-25 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 有机电致发光显示面板及其制作方法
CN107393939B (zh) * 2017-08-30 2020-04-17 京东方科技集团股份有限公司 像素界定层及制造方法、显示面板及制造方法、显示装置
KR102522110B1 (ko) * 2017-11-29 2023-04-13 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
KR102431788B1 (ko) * 2017-12-13 2022-08-10 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
US10581011B2 (en) * 2018-06-01 2020-03-03 Int Tech Co., Ltd. Light emitting device with different light emitting material overlapping width
CN109585518B (zh) * 2018-12-17 2020-05-12 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板以及显示装置
KR20200082986A (ko) * 2018-12-31 2020-07-08 엘지디스플레이 주식회사 전계 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
CN109887960B (zh) * 2019-02-15 2021-09-14 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制备方法
KR20200104974A (ko) * 2019-02-27 2020-09-07 삼성디스플레이 주식회사 표시패널
WO2020217959A1 (ja) * 2019-04-23 2020-10-29 京セラ株式会社 マイクロｌｅｄ素子基板および表示装置
CN110211997A (zh) * 2019-05-30 2019-09-06 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种cf盖板、其制备方法及其显示面板
KR20210145887A (ko) * 2020-05-25 2021-12-03 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
US11980046B2 (en) * 2020-05-27 2024-05-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method for forming an isolation structure having multiple thicknesses to mitigate damage to a display device
TW202223862A (zh) * 2020-11-17 2022-06-16 日商索尼集團公司 顯示裝置及電子機器
CN117581637A (zh) * 2021-07-08 2024-02-20 株式会社半导体能源研究所 显示装置、显示装置的制造方法、显示模块及电子设备
US11973068B2 (en) * 2021-10-28 2024-04-30 PlayNitride Display Co., Ltd. Micro LED display device and method forming the same

Family Cites Families (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5587589A (en) * 1995-03-22 1996-12-24 Motorola Two dimensional organic light emitting diode array for high density information image manifestation apparatus
JPH09127516A (ja) * 1995-11-06 1997-05-16 Sharp Corp 液晶表示素子の製造方法
JP2001125510A (ja) 1995-11-17 2001-05-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd アクティブマトリクス型ｅｌ表示装置
TWI228625B (en) 1995-11-17 2005-03-01 Semiconductor Energy Lab Display device
KR100479000B1 (ko) 1996-05-15 2005-08-01 세이코 엡슨 가부시키가이샤 박막디바이스,액정패널및전자기기및박막디바이스의제조방법
JPH1092579A (ja) 1996-09-12 1998-04-10 Sanyo Electric Co Ltd 有機ｅｌディスプレイ
EP0862156B1 (en) 1996-09-19 2005-04-20 Seiko Epson Corporation Method of production of a matrix type display device
JP3392672B2 (ja) * 1996-11-29 2003-03-31 三洋電機株式会社 表示装置
US6129365A (en) * 1997-07-01 2000-10-10 Outrigger, Inc. Inclined handle for wheeled case
DE69829458T2 (de) * 1997-08-21 2005-09-29 Seiko Epson Corp. Anzeigevorrichtung mit aktiver matrix
JP3428397B2 (ja) * 1997-10-14 2003-07-22 松下電器産業株式会社 有機エレクトロルミネセンス素子及びその製造方法
KR100252977B1 (ko) 1997-12-29 2000-04-15 구자홍 유기전계발광소자 및 그 제조방법
GB9803764D0 (en) * 1998-02-23 1998-04-15 Cambridge Display Tech Ltd Display devices
KR100577903B1 (ko) * 1998-03-17 2006-05-10 세이코 엡슨 가부시키가이샤 박막패터닝용 기판 및 그 표면처리
JP3646510B2 (ja) * 1998-03-18 2005-05-11 セイコーエプソン株式会社 薄膜形成方法、表示装置およびカラーフィルタ
US6630274B1 (en) 1998-12-21 2003-10-07 Seiko Epson Corporation Color filter and manufacturing method therefor
KR100506068B1 (ko) 1998-12-21 2005-08-05 세이코 엡슨 가부시키가이샤 컬러필터 및 그 제조방법
US6466281B1 (en) * 1999-08-23 2002-10-15 Industrial Technology Research Institute Integrated black matrix/color filter structure for TFT-LCD
JP4470241B2 (ja) * 1999-08-25 2010-06-02 ソニー株式会社 有機ｅｌディスプレイ及びその製造方法
TW516244B (en) 1999-09-17 2003-01-01 Semiconductor Energy Lab EL display device and method for manufacturing the same
JP2001109404A (ja) * 1999-10-01 2001-04-20 Sanyo Electric Co Ltd Ｅｌ表示装置
JP4590663B2 (ja) 1999-10-29 2010-12-01 セイコーエプソン株式会社 カラーフィルタの製造方法
TW511298B (en) 1999-12-15 2002-11-21 Semiconductor Energy Lab EL display device
US6633121B2 (en) * 2000-01-31 2003-10-14 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescence display device and method of manufacturing same
TWI249363B (en) * 2000-02-25 2006-02-11 Seiko Epson Corp Organic electroluminescence device and manufacturing method therefor
TW484238B (en) * 2000-03-27 2002-04-21 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and a method of manufacturing the same
WO2001074121A1 (fr) 2000-03-31 2001-10-04 Seiko Epson Corporation Dispositif electroluminescent organique et procede de fabrication
US6683410B2 (en) * 2000-09-20 2004-01-27 Samsung Sdi Co., Ltd. Organic EL device with light absorbing piece and method for manufacturing the same
JP2002108250A (ja) 2000-09-29 2002-04-10 Sharp Corp アクティブマトリックス駆動型自発光表示装置及びその製造方法
TW522752B (en) * 2000-10-20 2003-03-01 Toshiba Corp Self-luminous display panel and method of manufacturing the same
KR20020073173A (ko) * 2000-11-17 2002-09-19 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 유기 전계 발광 디바이스 및 그 제조 방법
KR100746140B1 (ko) * 2000-12-28 2007-08-03 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법
JP3724725B2 (ja) * 2001-11-01 2005-12-07 ソニー株式会社 表示装置の製造方法
JP2003234186A (ja) * 2001-12-06 2003-08-22 Sony Corp 表示装置およびその製造方法
US6770502B2 (en) * 2002-04-04 2004-08-03 Eastman Kodak Company Method of manufacturing a top-emitting OLED display device with desiccant structures
US6911772B2 (en) * 2002-06-12 2005-06-28 Eastman Kodak Company Oled display having color filters for improving contrast

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107564933A (zh) * 2016-06-30 2018-01-09 乐金显示有限公司 用于提高亮度的光学构件及具有其的有机发光显示装置
US10700309B2 (en) 2016-06-30 2020-06-30 Lg Display Co., Ltd. Optical member for enhancing luminance and organic light-emitting display device having the same
CN107564933B (zh) * 2016-06-30 2020-12-11 乐金显示有限公司 用于提高亮度的光学构件及具有其的有机发光显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
US7791269B2 (en) 2010-09-07
TW200301670A (en) 2003-07-01
US20050264182A1 (en) 2005-12-01
JP2003249376A (ja) 2003-09-05
KR20030051326A (ko) 2003-06-25
CN1429051A (zh) 2003-07-09
TWI228018B (en) 2005-02-11
KR100574260B1 (ko) 2006-04-27
US20030146695A1 (en) 2003-08-07
JP3705264B2 (ja) 2005-10-12
US7012367B2 (en) 2006-03-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1225149C (zh) 显示装置以及电子仪器
CN1242883C (zh) 显示装置、电子仪器和显示装置的制造方法
CN1250986C (zh) 滤色片的制造方法及制造装置、液晶显示装置及电子装置
CN1240540C (zh) 喷出方法及其装置、电光装置及其制造方法和制造装置
CN1496667A (zh) 显示装置及其制造方法、电子装置及其制造方法
CN1170458C (zh) 有源驱动型有机el显示装置及其制造方法
CN1764335A (zh) 有机电致发光装置的制造方法和有机电致发光装置
CN1265470C (zh) 电致发光显示器件及其制造方法
CN1218838C (zh) 喷出方法及其装置
CN1169015C (zh) 具有涂敷膜的薄膜器件、液晶屏以及薄膜器件的制造方法
CN1228651C (zh) 显示器制造装置和显示器制造方法
CN1573449A (zh) 薄膜图案形成法、器件及其制法、液晶显示装置及其制法
CN1435318A (zh) 液滴喷出头、喷出方法及其装置、光电装置、其制造方法
CN1230039C (zh) 有机el装置的制法及其装置
CN1929706A (zh) 有机电致发光装置及其制造方法、电子设备
CN1767159A (zh) 显示装置的生产方法
CN2719415Y (zh) 液状物的喷出装置
CN1631058A (zh) 有机el显示装置及其制造方法
CN1422746A (zh) 喷出方法及其装置
CN1700417A (zh) 半导体器件及其制造方法、液晶电视、和el电视
CN1677645A (zh) 显示装置及其制造方法，以及电视机接收器
CN1438077A (zh) 成膜方法和装置、液滴吐出装置、滤色片的制造方法及其应用
CN1734736A (zh) 电视机和电子设备以及半导体器件的制造方法
CN1365595A (zh) 有机el显示装置的制造装置以及使用其制造有机el显示装置的方法
CN1943879A (zh) 膜图案的形成方法以及电子设备的制造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20171025

Address after: Washington State

Patentee after: MICROSOFT TECHNOLOGY LICENSING, LLC

Address before: Tokyo, Japan

Patentee before: Seiko Epson Corp.

CX01 Expiry of patent term
CX01 Expiry of patent term

Granted publication date: 20051026