CN117581637A - 显示装置、显示装置的制造方法、显示模块及电子设备 - Google Patents

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方堂凉太
神保安弘
加藤千里
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Abstract

提供一种可靠性高的显示装置。该显示装置包括第一发光元件、与第一发光元件相邻的第二发光元件、设置在第一发光元件与第二发光元件之间的第一绝缘层、第一绝缘层上的遮光层及遮光层上的第二绝缘层。第一发光元件包括第一像素电极、第一像素电极上的第一EL层及第一EL层上的公共电极，第二发光元件包括第二像素电极、第二像素电极上的第二EL层及第二EL层上的公共电极。第二绝缘层上配置有公共电极。

Description

显示装置、显示装置的制造方法、显示模块及电子设备
技术领域
本发明的一个方式涉及一种显示装置。本发明的一个方式涉及一种显示装置的制造方法。本发明的一个方式涉及一种显示模块。本发明的一个方式涉及一种电子设备。
注意，本发明的一个方式不局限于上述技术领域。作为本说明书等所公开的本发明的一个方式的技术领域的一个例子，可以举出半导体装置、显示装置、发光装置、蓄电装置、存储装置、电子设备、照明装置、输入装置、输入输出装置、其驱动方法或者其制造方法。半导体装置是指能够利用半导体特性而工作的所有装置。
背景技术
近年来，要求显示器面板的高清晰化。作为要求高清晰显示器面板的设备，例如有智能手机、平板终端及笔记本型计算机等。另外，电视装置或监视装置等固定式显示器装置也随着高分辨率化被要求高清晰化。作为最需求高清晰度的设备，例如有面向虚拟现实(VR：Virtual Reality)或增强现实(AR：Augmented Reality)的设备。
此外，作为可以应用于显示器面板的显示装置，可以举出包括有机EL(ElectroLuminescence：电致发光)元件或发光二极管(LED：Light Emitting Diode)等发光元件的发光装置。
例如，有机EL元件的基本结构是在一对电极之间夹有包含发光性有机化合物的层的结构。通过对该元件施加电压，可以得到来自发光性有机化合物的发光。由于应用上述有机EL元件的显示装置不需要诸如液晶显示装置所需要的背光源，所以可以实现薄型、轻量、高对比度且低功耗的显示装置。例如，专利文献1公开了使用有机EL元件的显示装置的例子。
专利文献2公开了使用有机EL元件的面向VR的显示装置。
非专利文献1公开了使用典型UV光刻法的有机光电器件的制造方法。
[先行技术文献]
[专利文献]
[专利文献1]日本专利申请公开第2002-324673号公报
[专利文献2]国际专利申请公开第2018/087625号
[非专利文献]
[非专利文献1]B.Lamprecht et al.，“Organic optoelectronic devicefabrication using standard UV photolithography”phys.stat.sol.(RRL)2，No.1，p.16-18(2008)
发明内容
发明所要解决的技术问题
例如，在利用UV光刻法制造作为显示装置之一的发光装置的情况下，有时UV(紫外光)照射到发光层而发光层受到损伤。由此，有时发光元件的可靠性下降。
本发明的一个方式的目的之一是提供一种可靠性高的显示装置。本发明的一个方式的目的之一是提供一种显示品质高的显示装置。本发明的一个方式的目的之一是提供一种高清晰显示装置。本发明的一个方式的目的之一是提供一种高开口率显示装置。本发明的一个方式的目的之一是提供一种功耗低的显示装置。
本发明的一个方式的目的之一是提供一种具有新颖结构的显示装置或显示装置的制造方法。本发明的一个方式的目的之一是提供一种高成品率地制造上述显示装置的方法。本发明的一个方式的目的之一是至少改善现有技术的问题中的至少一个。
注意，这些目的的记载并不妨碍其他目的的存在。注意，本发明的一个方式并不需要实现所有上述目的。注意，可以从说明书、附图、权利要求书等的记载抽取上述以外的目的。
解决技术问题的手段
本发明的一个方式是一种显示装置，包括：第一发光元件；与第一发光元件相邻的第二发光元件；设置在第一发光元件与第二发光元件之间的第一绝缘层；第一绝缘层上的遮光层；以及遮光层上的第二绝缘层，其中第一发光元件包括第一像素电极、第一像素电极上的第一EL层及第一EL层上的公共电极，第二发光元件包括第二像素电极、第二像素电极上的第二EL层及第二EL层上的公共电极，并且第二绝缘层上配置有公共电极。
另外，在上述方式中，第一绝缘层也可以包含无机材料，第二绝缘层也可以包含有机材料。
另外，在上述方式中，第一绝缘层也可以包含氧化铝。
另外，在上述方式中，第二绝缘层也可以包含丙烯酸树脂。
另外，在上述方式中，在从显示装置的截面看时第一像素电极及第二像素电极也可以都在侧面具有锥形形状，第一EL层也可以覆盖第一像素电极的侧面，第二EL层也可以覆盖第二像素电极的侧面，第一EL层也可以在第一像素电极的侧面与第一绝缘层之间包括第一锥形部，第二EL层也可以在第二像素电极的侧面与第一绝缘层之间包括第二锥形部。
另外，在上述方式中，第一锥形部的锥角及第二锥形部的锥角也可以都小于90°。
另外，在上述方式中，第一绝缘层也可以包括与第一EL层及第二EL层接触的区域。
另外，在上述方式中，第一发光元件也可以包括配置在第一EL层与公共电极之间的公共层，第二发光元件也可以包括配置在第二EL层与公共电极之间的公共层，第二绝缘层与公共电极之间也可以配置有公共层，公共层也可以包括空穴注入层、空穴传输层、空穴阻挡层、电子阻挡层、电子传输层和电子注入层中的至少一个。
包括本发明的一个方式的显示装置以及连接器和集成电路中的至少一个的显示模块也是本发明的一个方式。
包括本发明的一个方式的显示模块以及电池、相机、扬声器和麦克风中的至少一个的电子设备也是本发明的一个方式。
另外，本发明的一个方式是一种显示装置的制造方法，包括如下步骤：形成第一像素电极及第二像素电极；以覆盖第一像素电极及第二像素电极的方式形成第一EL膜；在第一EL膜上形成第一掩模膜；通过加工第一EL膜及第一掩模膜来形成第一像素电极上的第一EL层及第一EL层上的第一掩模层；以覆盖第一掩模层及第二像素电极的方式形成第二EL膜；在第二EL膜上形成第二掩模膜；通过加工第二EL膜及第二掩模膜来形成第二像素电极上的第二EL层及第二EL层上的第二掩模层；以覆盖第一EL层、第二EL层、第一掩模层及第二掩模层的方式形成无机绝缘膜；在无机绝缘膜上形成遮光膜；在遮光膜上涂布感光性有机绝缘膜；对有机绝缘膜的一部分照射光；去除有机绝缘膜的一部分来在第一EL层与第二EL层之间形成有机绝缘层；去除遮光膜的一部分来在有机绝缘层下形成遮光层；去除无机绝缘膜的一部分来在遮光层下形成无机绝缘层；以及在第一EL层上、第二EL层上及有机绝缘层上形成公共电极。
另外，在上述方式中，光也可以包括紫外光。
另外，在上述方式中，也可以以在从显示装置的截面看时其侧面都具有锥形形状的方式形成第一像素电极及第二像素电极，也可以以覆盖第一像素电极的侧面且在第一像素电极的侧面与第一掩模层之间包括第一锥形部的方式形成第一EL层，也可以以覆盖第二像素电极的侧面且在第二像素电极的侧面与第二掩模层之间包括第二锥形部的方式形成第二EL层。
另外，在上述方式中，也可以以第一锥形部的锥角小于90°的方式形成第一EL层，也可以以第二锥形部的锥角小于90°的方式形成第二EL层。
另外，在上述方式中，也可以利用光刻法形成第一EL层及第二EL层。
另外，在上述方式中，也可以包括第一EL层与第二EL层之间的距离为8μm以下的区域。
另外，在上述方式中，也可以利用ALD法形成无机绝缘膜。
另外，在上述方式中，也可以使用感光性丙烯酸树脂形成有机绝缘膜。
另外，在上述方式中，也可以以包括与第一EL层及第二EL层接触的区域的方式形成无机绝缘层。
另外，在上述方式中，也可以在形成无机绝缘层后且形成公共电极前形成包括空穴注入层、空穴传输层、空穴阻挡层、电子阻挡层、电子传输层和电子注入层中的至少一个的公共层，也可以在公共层上形成公共电极。
发明效果
根据本发明的一个方式可以提供一种可靠性高的显示装置。根据本发明的一个方式可以提供一种显示品质高的显示装置。根据本发明的一个方式可以提供一种高清晰显示装置。根据本发明的一个方式可以提供一种高开口率显示装置。根据本发明的一个方式可以提供一种功耗低的显示装置。
根据本发明的一个方式可以提供一种具有新颖结构的显示装置或显示装置的制造方法。根据本发明的一个方式可以提供一种高成品率地制造上述显示装置的方法。根据本发明的一个方式可以至少改善现有技术的问题中的至少一个。
注意，这些效果的记载并不妨碍其他效果的存在。注意，本发明的一个方式并不需要具有所有上述效果。注意，可以从说明书、附图、权利要求书等的记载抽取上述以外的效果。
附图说明
图1是示出显示装置的一个例子的俯视图。
图2A、图2B1及图2B2是示出显示装置的一个例子的截面图。
图3A及图3B是示出显示装置的一个例子的截面图。
图4A、图4B1及图4B2是示出显示装置的一个例子的截面图。
图5A及图5B是示出显示装置的一个例子的截面图。
图6A及图6B是示出显示装置的一个例子的截面图。
图7A及图7B是示出显示装置的一个例子的截面图。
图8A至图8C是示出显示装置的制造方法的一个例子的截面图。
图9A至图9C是示出显示装置的制造方法的一个例子的截面图。
图10A至图10C是示出显示装置的制造方法的一个例子的截面图。
图11A至图11C是示出显示装置的制造方法的一个例子的截面图。
图12A至图12C是示出显示装置的制造方法的一个例子的截面图。
图13A及图13B是示出显示装置的制造方法的一个例子的截面图。
图14A及图14B是示出显示装置的制造方法的一个例子的截面图。
图15A及图15B是示出显示装置的制造方法的一个例子的截面图。
图16A至图16C是示出显示装置的制造方法的一个例子的截面图。
图17A及图17B是示出显示装置的制造方法的一个例子的截面图。
图18A至图18F是示出像素的结构例子的图。
图19A及图19B是示出显示装置的结构例子的图。
图20是示出显示装置的结构例子的图。
图21是示出显示装置的结构例子的图。
图22是示出显示装置的结构例子的图。
图23是示出显示装置的结构例子的图。
图24是示出显示装置的结构例子的图。
图25是示出显示装置的结构例子的图。
图26是示出显示装置的结构例子的图。
图27A及图27B是示出显示装置的结构例子的图。
图28A至图28F是示出发光元件的结构例子的图。
图29A至图29D是示出电子设备的结构例子的图。
图30A至图30F是示出电子设备的结构例子的图。
图31A至图31G是示出电子设备的结构例子的图。
具体实施方式
下面，参照附图对实施方式进行说明。注意，实施方式可以以多个不同方式来实施，所属技术领域的普通技术人员可以很容易地理解一个事实，就是其方式和详细内容可以被变换为各种各样的形式而不脱离本发明的宗旨及其范围。因此，本发明不应该被解释为仅限定在下面的实施方式所记载的内容中。
注意，在下面说明的发明结构中，在不同的附图中共同使用相同的附图标记来表示相同的部分或具有相同功能的部分，而省略反复说明。此外，当表示具有相同功能的部分时有时使用相同的阴影线，而不特别附加附图标记。
注意，在本说明书所说明的各个附图中，有时为了明确起见，夸大表示各构成要素的大小、层的厚度或区域。因此，本发明并不局限于附图中的尺寸。
在本说明书等中使用的“第一”及“第二”等序数词是为了避免构成要素的混淆而附记的，而不是为了在数目方面上进行限定的。
在本说明书等中，也可以将显示装置换称为电子设备。
在本说明书等中，显示装置的一个方式的显示面板是指能够在显示面显示(输出)图像的装置。因此，显示面板是输出装置的一个方式。
在本说明书等中，有时将显示面板的衬底上安装有例如FPC(Flexible PrintedCircuit：柔性印刷电路)或TCP(Tape Carrier Package：载带封装)等连接器的结构或在衬底上以COG(Chip On Glass：玻璃覆晶封装)方式等直接安装IC的结构称为显示面板模块或显示模块，或者也简称为显示面板等。此外，在本说明书等中，有时将显示面板模块、显示模块或显示面板称为显示装置。
另外，在本说明书等中，根据情况或状态，可以互相调换“膜”和“层”。例如，有时可以将“导电层”调换为“导电膜”，将“绝缘层”调换为“绝缘膜”。
另外，在本说明书等中，有时可以互相调换“端部”和“侧面”。例如，在“端部”表示侧面端部时，有时可以将“端部”换称为“侧面”。
注意，在本说明书等中，EL层是指设置在发光元件的一对电极之间且至少包括发光性物质的层(也称为发光层)或包括发光层的叠层体。
在本说明书等中，有时可以将“元件”换称为“器件”。例如，可以将“发光元件”换称为“发光器件”。
在本说明书等中，有时将使用金属掩模或FMM(Fine Metal Mask，高精细金属掩模)制造的器件称为具有MM(Metal Mask)结构的器件。此外，在本说明书等中，有时将不使用金属掩模或FMM制造的器件称为具有MML(Metal Mask Less)结构的器件。
在本说明书等中，有时将空穴或电子称为“载流子”。具体而言，空穴注入层或电子注入层、空穴传输层或电子传输层以及空穴阻挡层或电子阻挡层有时分别被称为“载流子注入层”、”载流子传输层”以及“载流子阻挡层”。注意，根据截面形状或特性等，有时不能明确地区别上述载流子注入层、载流子传输层及载流子阻挡层。另外，有时一个层具有作为载流子注入层、载流子传输层和载流子阻挡层中的两个或三个的功能。
(实施方式1)
在本实施方式中说明本发明的一个方式的显示装置。
本发明的一个方式是包括能够进行全彩显示的显示部的显示装置。显示部包括呈现彼此不同颜色的光的第一子像素及第二子像素。第一子像素包括发射蓝色光的第一发光元件，第二子像素包括发射与第一发光元件不同的颜色的光的第二发光元件。第一发光元件及第二发光元件包含至少一个彼此不同的材料，例如包含彼此不同的发光物质。也就是说，在本发明的一个方式的显示装置中，使用按每个发光颜色分别制造的发光元件。
有时将在各颜色的发光元件(例如为蓝色(B)、绿色(G)及红色(R))中分别形成发光层或分别涂布发光层的结构称为SBS(Side By Side)结构。SBS结构由于可以按每个发光元件使材料及结构最优化，材料及结构的选择自由度得到提高，可以容易实现亮度及可靠性的提高。另外，有时将可发射白色光的发光元件称为白色发光元件。通过将白色发光元件与着色层(例如滤色片)组合可以提供进行全彩显示的显示装置。
在制造包括发光层的发光颜色不同的发光元件的显示装置时，需要将发光颜色不同的发光层分别形成为岛状。注意，在本说明书等中，岛状是指以同一工序形成并使用同一材料的两个以上的层物理分离的状态。例如，岛状发光层是指该发光层与相邻的发光层物理分离的状态。
例如，通过使用金属掩模(也称为遮蔽掩模)的真空蒸镀法可以沉积岛状发光层。然而，这方法由于金属掩模的精度、金属掩模与衬底的错位、金属掩模的挠曲以及蒸气散射等所导致的沉积了的膜的轮廓变大等的各种影响，而岛状发光层的形状及位置与设计时的形状及位置产生偏差，难以实现高清晰化及高开口率化。此外，在蒸镀时，有时层的轮廓模糊而端部的厚度变薄。也就是说，有时根据位置而岛状发光层的厚度不同。另外，当制造大型且高分辨率或高清晰显示装置时，有如下担扰：由于金属掩模的低尺寸精度、热等所引起的变形，制造成品率下降。
在本发明的一个方式的显示装置的制造方法中，在整个面上形成包括发射第一颜色光的发光膜的第一EL膜，然后在第一EL膜上形成掩模膜。接着，在掩模膜上形成抗蚀剂掩模，使用抗蚀剂掩模加工掩模膜。由此，可以形成第一掩模层。接着，将第一掩模层用作硬掩模来加工第一EL膜。由此，可以以岛状形成包括发射第一颜色光的发光层的第一EL层。接着，在整个面上形成包括发射第二颜色光的发光膜的第二EL膜，然后以与第一EL膜的加工相同的方法加工第二EL膜，由此以岛状形成包括发射第二颜色光的发光层的第二EL层。注意，在第二EL层上形成第二掩模层。掩模膜及掩模层在显示装置的制造工序中具有保护EL层的功能。
在本说明书等中，加工膜来形成层例如是指去除膜的一部分。例如，可以通过对膜进行图案化来形成层。此外，有时将去除层的一部分称为加工层。
在本说明书等中，也可以将掩模层称为牺牲层且将掩模膜称为牺牲膜。
注意，当将上述发光膜加工为岛状时，可想到在发光膜的正上利用光刻法进行加工的结构。在采用该结构时，有时会对发光膜造成损伤(例如，加工引起的损伤)而可靠性严重受损。于是，在制造本发明的一个方式的显示装置时，优选的是，使用在比发光膜更位于上方的层(例如，载流子传输层或载流子注入层，更具体而言为电子传输层或电子注入层等)之上例如形成掩模膜并将发光膜加工成岛状的方法。通过采用该方法，可以提供可靠性高的显示装置。
如此，通过本发明的一个方式的显示装置的制造方法制造的岛状EL层不是使用包括高微细图案的金属掩模形成的，而是在整个面上沉积EL膜后进行加工来形成的。因此，可以实现以前难以制造的高清晰显示装置或高开口率显示装置。并且，由于可以分别形成各颜色的EL层，所以可以实现极为鲜明、对比度极高且显示品质极高的显示装置。此外，通过在EL膜上设置掩模膜，可以降低在显示装置的制造工序中EL膜受到的损伤，由此可以提高发光元件的可靠性。
关于相邻的发光元件的距离，例如在使用金属掩模的形成方法中，很难使该距离小于10μm，但是通过上述方法，可以将该距离缩小到小于10μm、8μm以下、5μm以下、3μm以下、2μm以下或1μm以下。另外，例如通过使用面向LSI的曝光装置，可以将相邻的发光元件的距离缩小到500nm以下、200nm以下、100nm以下、甚至为50nm以下。由此，可以大幅度缩小两个发光元件间可存在的非发光区域的面积，而可以使开口率接近于100％。例如，也可以实现50％以上、60％以上、70％以上、80％以上、甚至为90％以上且低于100％的开口率。
与使用金属掩模的情况相比，可以使EL层本身的图案极小。另外，例如在使用金属掩模分别形成EL层时，图案的中央部及端部的厚度不同，所以整个图案的面积中的能够用作发光区域的有效面积变小。另一方面，在上述制造方法中加工以均匀厚度沉积的膜，所以可以以均匀厚度形成岛状EL层。因此，即使使用微细图案也可以将发光层的几乎所有区域用作发光区域。因此，可以制造兼具高清晰度及高开口率的显示装置。
在本发明的一个方式的显示装置的制造方法中，优选的是，在整个面上形成EL膜之后，在EL膜上形成掩模层。并且，优选的是，通过在掩模膜上形成抗蚀剂掩模，且使用抗蚀剂掩模加工EL膜和掩模膜，形成岛状EL层。
通过在EL膜上设置掩模膜，可以降低在显示装置的制造工序中EL层受到的损伤，由此可以提高发光元件的可靠性。
在此，第一EL层及第二EL层都至少包括发光层，优选由多个层构成。具体而言，优选在发光层上包括一个以上的层。在发光层与掩模层之间包括其他层时，可以抑制在显示装置的制造工序中发光层露出到最表面，由此可以减少发光层受到的损伤。由此，可以提高发光元件的可靠性。因此，第一EL层及第二EL层优选都包括发光层及发光层上的载流子传输层(电子传输层或空穴传输层)。
注意，在分别发射不同颜色的发光元件中，不需要分别形成构成EL层的所有层，也可以通过同一工序沉积一部分层。在此，作为EL层所包括的层，可以举出发光层、载流子注入层(空穴注入层及电子注入层)、载流子传输层(空穴传输层及电子传输层)及载流子阻挡层(空穴阻挡层及电子阻挡层)等。在本发明的一个方式的显示装置的制造方法中，在根据颜色将构成EL层的一部分层形成为岛状之后，去除掩模层中的至少一部分，以各颜色共同使用的方式(作为一个膜)形成构成EL层的其他层(有时称为公共层)以及公共电极(也可以称为上部电极)。例如，可以以各颜色共同使用的方式形成载流子注入层及公共电极。
另一方面，在很多情况下载流子注入层为在EL层中导电性较高的层。因此，有在载流子注入层接触于被形成为岛状的EL层的部分层的侧面或像素电极的侧面时发光元件短路的担忧。另外，在将载流子注入层设置为岛状且以各颜色共同使用的方式形成公共电极的情况下，也有在公共电极与EL层的侧面或像素电极的侧面接触时发光元件路的担忧。
于是，本发明的一个方式的显示装置包括至少覆盖岛状发光层的侧面的绝缘层。此外，该绝缘层也可以覆盖岛状发光层的顶面的一部分。注意，这里岛状发光层的侧面是指岛状发光层与其他层的界面中不平行于衬底(或发光层的被形成面)的面。
由此，可以抑制形成为岛状的EL层的至少一部分的层及像素电极接触于载流子注入层或公共电极。因此，可以抑制发光元件的短路而提高发光元件的可靠性。
另外，该绝缘层优选具有相对于水和氧中的至少一方的阻挡绝缘层的功能。另外，该绝缘层优选具有抑制水和氧中的至少一方的扩散的功能。另外，该绝缘层优选具有俘获或固定(也被称为吸杂)水和氧中的至少一方的功能。
在本说明书等中，阻挡绝缘层是指具有阻挡性的绝缘层。此外，在本说明书等中，阻挡性是指抑制所对应的物质的扩散的功能(也可以说透过性低)。或者，是指俘获或固定所对应的物质(也称为吸杂)的功能。
通过使用被用作阻挡绝缘层或者具有吸杂功能的绝缘层，可以具有抑制有可能从外部扩散到各发光元件的杂质(典型的是，水和氧中的至少一方)的进入的结构。通过采用该结构，可以提供一种可靠性高的发光元件，并且可以提供一种可靠性高的显示装置。
本发明的一个方式的显示装置包括被用作阳极的像素电极、在像素电极上依次设置的岛状空穴注入层、岛状空穴传输层、岛状发光层及岛状电子传输层、以覆盖空穴注入层、空穴传输层、发光层及电子传输层的每个侧面的方式设置的绝缘层、设置于电子传输层上的电子注入层以及设置于电子注入层上且被用作阴极的公共电极。
或者，本发明的一个方式的显示装置包括被用作阴极的像素电极、在像素电极上依次设置的岛状电子注入层、岛状电子传输层、岛状发光层及岛状空穴传输层、以覆盖电子注入层、电子传输层、发光层及空穴传输层的每个侧面的方式设置的绝缘层、设置于空穴传输层上的空穴注入层以及设置于空穴注入层上且被用作阳极的公共电极。
在很多情况下在EL层中空穴注入层或电子注入层等是导电性较高的层。在本发明的一个方式的显示装置中，上述层的侧面被绝缘层覆盖，所以例如可以抑制与公共电极接触。因此，可以抑制发光元件的短路，由此可以提高发光元件的可靠性。
覆盖岛状EL层的侧面的绝缘层可以采用使用无机材料的第一绝缘层(也称为无机绝缘层)与使用有机材料的第二绝缘层(也称为有机绝缘层)的叠层结构。第一绝缘层可以以与EL层接触的方式设置。第二绝缘层可以以使设置于第一绝缘层中的凹部平坦化的方式设置。
例如，在形成第一EL层及第二EL层后沉积第一绝缘膜(也称为无机绝缘膜)及第二绝缘膜(也称为有机绝缘膜)并加工它们，由此可以形成第一绝缘层及第二绝缘层。在此，在作为第二绝缘膜使用感光性有机绝缘膜时，可以通过曝光及显影的工序加工第二绝缘膜来形成第二绝缘层。由此，例如可以不使用干蚀刻法对第二绝缘膜进行加工，因此可以减少对EL层的损伤。
在作为第二绝缘膜使用感光性有机绝缘膜时，有时在曝光工序中紫外光照射到第二绝缘膜。由此，有时紫外光也照射到EL层而EL层受到损伤。
于是，在本发明的一个方式中，在第一绝缘膜与第二绝缘膜之间设置遮光膜。由此，即使在作为第二绝缘膜使用感光性有机绝缘膜并在曝光工序中照射紫外光的情况下，也可以抑制紫外光照射到EL层而EL层受到损伤。因此，本发明的一个方式的显示装置可以为可靠性高的显示装置。
在本发明的一个方式中，在加工第二绝缘膜来形成第二绝缘层后，对遮光膜进行加工来形成遮光层。接着，加工第一绝缘膜来形成第一绝缘层。然后，通过形成公共层及公共电极，可以形成本发明的一个方式的显示装置。注意，通过在可以成为无机绝缘层的第一绝缘层上设置遮光层，可以防止遮光层与EL层接触。由此，可以通过设置第一绝缘层来扩大遮光层的材料的选择范围。例如，可以将在与EL层接触时可能对EL层带来损伤的材料用于遮光层。另外，可以将在形成遮光层时如果EL层露出则可能对EL层带来损伤的方法用于遮光层的形成。
另外，在本发明的一个方式的显示装置中，EL层可以以覆盖像素电极的侧面的方式设置。在此，在从显示装置的截面看时在像素电极的侧面具有锥形形状的情况下，EL层也以具有锥形形状的方式形成。具体而言，以在像素电极的侧面与第一绝缘层之间包括锥形部的方式形成EL层。因此，在像素电极的侧面具有锥形形状时，可以提高EL层对像素电极的覆盖性，所以是优选的。另外，在像素电极的侧面具有锥形形状时，例如可以通过洗涤适当地去除本发明的一个方式的显示装置的制造工序中的异物(例如，也称为尘屑或微粒)，所以是优选的。
另一方面，在以包括锥形部的方式形成EL层的情况下，例如与以在从显示装置的截面看时该部分为垂直的方式形成EL层的情况相比，在对可以成为感光性有机绝缘膜的第二绝缘膜进行的曝光工序中，紫外光容易照射到该部分。于是，通过如此在第一绝缘膜与第二绝缘膜之间设置遮光膜，例如也可以在EL层的锥形部抑制被照射紫外光，从而可以抑制对EL层的损伤。如上所述，本发明的一个方式的显示装置可以在提高EL层对像素电极的覆盖性的同时抑制在制造工序中EL层受到损伤。因此，本发明的一个方式的显示装置可以为可靠性高的显示装置。
另外，本发明的一个方式的显示装置不需要在像素电极与EL层间设置覆盖像素电极的端部的绝缘层。因此可以使相邻的发光器件的距离极小。由此，可以实现显示装置的高清晰化或高分辨率化。另外，还不需要用来形成该绝缘层的掩模，所以可以降低显示装置的制造成本。
另外，通过采用在像素电极与EL层间不设置覆盖像素电极的端部的绝缘层的结构，即在像素电极与EL层间不设置绝缘层的结构，可以高效地提取来自EL层的发光。因此，本发明的一个方式的显示装置可以使视角依赖性极小。通过减少视角依赖性，可以提高显示装置中的图像的可见度。例如，在本发明的一个方式的显示装置中，视角(在从斜侧看屏幕时维持一定对比度的最大角度)可以为100°以上且小于180°，优选为150°以上且170°以下的范围内。另外，上下左右都可以采用上述视角。
[显示装置的结构例子_1]
图1示出显示装置100的俯视图。显示装置100包括配置有多个像素103的显示部及显示部的外侧的连接部140。在显示部中，多个子像素配置为矩阵状。图1示出两行六列的子像素，由这些子像素构成两行两列的像素。连接部140也可以被称作阴极接触部。
图1所示的像素103采用条纹排列。图1所示的像素103由子像素110a、子像素110b及子像素110c这三个子像素构成。子像素110a、子像素110b及子像素110c分别包括发射不同颜色的光的发光元件。作为子像素110a、子像素110b及子像素110c，可以举出：红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)这三个颜色的子像素；以及黄色(Y)、青色(C)及品红色(M)这三个颜色的子像素；等。另外，子像素的种类不局限于三个，也可以使用四个以上。作为四个子像素，可以举出：R、G、B及白色(W)这四个颜色的子像素；R、G、B及Y这四个颜色的子像素；以及R、G、B及红外光(IR)这四个子像素；等。
在本说明书等中，有时将行方向记为X方向且将列方向记为Y方向。X方向与Y方向交叉，例如垂直地交叉(参照图1)。
图1示出不同颜色的子像素排列地配置在X方向上，相同颜色的子像素排列地配置在Y方向上的例子。
在图1所示的例子中，在俯视时连接部140位于显示部的下侧，但是对其没有特别的限制。连接部140只要在俯视时设置在显示部的上侧、右侧、左侧和下侧中的至少一个位置即可，也可以以围绕显示部的四个边的方式设置。作为连接部140的顶面形状，例如可以采用带状、L字状、U字状或框状等。此外，连接部140也可以为一个或多个。
图2A是沿着图1中的点划线X1-X2的截面图。如图2A所示，在显示装置100中，包括晶体管的层101上设置有绝缘层，绝缘层上设置有发光元件130a、发光元件130b及发光元件130c，以覆盖这些发光元件的方式设置有保护层131。保护层131上由粘合层122贴合有衬底120。另外，相邻的发光元件130间设置有绝缘层125、绝缘层125上的遮光层135及遮光层135上的绝缘层127。
在本说明书等中，例如在说明发光元件130a、发光元件130b及发光元件130c之间共同的内容时有时称为发光元件130进行说明。同样地，在说明字母进行区别的其他构成要素之间共同的内容时，有时用省略字母的符号进行说明。
例如，图2A示出多个绝缘层125的截面、多个遮光层135的截面及多个绝缘层127的截面，但是在俯视显示装置100时，绝缘层125、遮光层135及绝缘层127分别被形成为连续的一层。换言之，显示装置100例如可以包括一个绝缘层125、一个遮光层135及一个绝缘层127。另外，显示装置100也可以包括彼此分离的多个绝缘层125及多个遮光层135，也可以包括彼此分离的多个绝缘层127。
本发明的一个方式的显示装置也可以采用如下结构中的任一个：向与形成有发光元件的衬底相反的方向发射光的顶部发射结构(top emission)、向形成有发光元件的衬底一侧发射光的底部发射结构(bottom emission)、向双面发射光的双面发射结构(dualemission)。
作为具有晶体管的层101例如可以采用一种叠层结构，其中衬底上设置有多个晶体管，以覆盖这些晶体管的方式设置有绝缘层。晶体管上的绝缘层既可以具有单层结构又可以具有叠层结构。例如，图2A等示出晶体管上的绝缘层中的绝缘层255a、绝缘层255a上的绝缘层255b及绝缘层255b上的绝缘层255c。这些绝缘层也可以在相邻的发光元件130之间具有凹部。图2B等示出绝缘层255c设置有凹部的例子。
作为绝缘层255a、绝缘层255b及绝缘层255c，可以适当地使用氧化绝缘膜、氮化绝缘膜、氧氮化绝缘膜及氮氧化绝缘膜等的各种无机绝缘膜。作为绝缘层255a及绝缘层255c，优选使用氧化硅膜、氧氮化硅膜或氧化铝膜等的氧化绝缘膜或氧氮化绝缘膜。作为绝缘层255b，优选使用氮化硅膜或氮氧化硅膜等的氮化绝缘膜或者氮氧化绝缘膜。更具体而言，优选作为绝缘层255a及绝缘层255c使用氧化硅膜且作为绝缘层255b使用氮化硅膜。绝缘层255b优选被用作蚀刻保护膜。
注意，在本说明书等中，“氧氮化物”是指在其组成中氧含量多于氮含量的材料，而“氮氧化物”是指在其组成中氮含量多于氧含量的材料。例如，在记载为“氧氮化硅”时指在其组成中氧含量多于氮含量的材料，而在记载为“氮氧化硅”时指在其组成中氮含量多于氧含量的材料。
发光元件130a、发光元件130b及发光元件130c发射互不相同的颜色的光。发光元件130a、发光元件130b及发光元件130c例如优选为发射红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)这三个颜色的光的组合。
作为发光元件130a、发光元件130b及发光元件130c，优选使用OLED(OrganicLight Emitting Diode：有机发光二极管)或QLED(Quantum-dot Light Emitting Diode：量子点发光二极管)等EL元件。作为EL元件含有的发光物质，可以举出发射荧光的物质(荧光材料)、发射磷光的物质(磷光材料)、无机化合物(例如量子点材料)及呈现热活化延迟荧光的物质(热活化延迟荧光(Thermally activated delayed fluorescence：TADF)材料)等。注意，作为TADF材料，也可以使用单重激发态与三重激发态间处于热平衡状态的材料。这种TADF材料由于发光寿命(激发寿命)短，所以可以抑制发光元件的高亮度区域中的发光效率降低。
发光元件在一对电极间包括EL层。EL层至少包括发光层。在本说明书等中，有时将一对电极中的一方记为像素电极且另一方记为公共电极。
在发光元件所包括的一对电极中，一方的电极被用作阳极且另一方的电极被用作阴极。下面有时以像素电极被用作阳极且公共电极被用作阴极的情况为例进行说明。
在像素电极111a、像素电极111b及像素电极111c的各侧面具有锥形形状时，例如通过洗涤容易去除显示装置的制造工序中的异物(例如，也称为尘屑或微粒)，所以是优选的。
发光元件130a包括绝缘层255c上的像素电极111a、像素电极111a上的EL层113a、EL层113a上的公共层114及公共层114上的公共电极115。有时将EL层113a和公共层114统称为EL层。
发光元件130b包括绝缘层255c上的像素电极111b、像素电极111b上的岛状EL层113b、EL层113b上的公共层114及公共层114上的公共电极115。有时将EL层113b和公共层114统称为EL层。
发光元件130c包括绝缘层255c上的像素电极111c、像素电极111c上的岛状EL层113c、EL层113c上的公共层114及公共层114上的公共电极115。有时将EL层113c和公共层114统称为EL层。
EL层113a、EL层113b及EL层113c可以分别设置为岛状。另一方面，多个发光元件130可以共同包括公共层114及公共电极115。
对本实施方式的发光元件的结构没有特别的限制，可以采用单结构或串联结构。
EL层113a、EL层113b及EL层113c至少包括发光层。例如，优选具有EL层113a、EL层113b及EL层113c分别包括发射红色光的发光层、发射绿色光的发光层及发射蓝色光的发光层的结构。
另外，EL层113a、EL层113b及EL层113c各自也可以包括空穴注入层、空穴传输层、空穴阻挡层、电荷产生层、电子阻挡层、电子传输层和电子注入层中的一个以上。
例如，EL层113a、EL层113b及EL层113c也可以包括空穴注入层、空穴传输层、发光层及电子传输层。此外，也可以在空穴传输层与发光层间包括电子阻挡层。此外，也可以在电子传输层上设置电子注入层。
例如，EL层113a、EL层113b及EL层113c也可以依次包括电子注入层、电子传输层、发光层及空穴传输层。此外，也可以在电子传输层与发光层间包括空穴阻挡层。此外，也可以在空穴传输层上设置空穴注入层。
EL层113a、EL层113b及EL层113c优选包括发光层及发光层上的载流子传输层(电子传输层或空穴传输层)。因为EL层113a、EL层113b及EL层113c的表面在显示装置的制造工序中露出，所以通过在发光层上设置载流子传输层，可以抑制发光层露出于最表面而降低发光层受到的损伤。由此，可以提高发光元件130的可靠性。
EL层113a、EL层113b及EL层113c例如有时包括第一发光单元、电荷产生层及第二发光单元。例如，优选具有如下结构：EL层113a包括两个以上的发射红色光的发光单元，EL层113b包括两个以上的发射绿色光的发光单元，EL层113c包括两个以上的发射蓝色光的发光单元。
第二发光单元优选包括发光层以及发光层上的载流子传输层(电子传输层或空穴传输层)。因为第二发光单元的表面在显示装置的制造工序中露出，所以通过在发光层上设置载流子传输层，可以抑制发光层露出于最表面而降低发光层受到的损伤。由此，可以提高发光元件130的可靠性。
EL层113a、EL层113b及EL层113c可以具有彼此不同的膜厚度。具体而言，可以以成为增强EL层113a至EL层113c各自所发射的光的光程长度的方式设定膜厚度。由此，可以实现光学微腔谐振器(微腔)结构而提高发光元件130a、发光元件130b及发光元件130c的色纯度。
公共层114例如包括电子注入层或空穴注入层。或者，公共层114既可以具有电子传输层与电子注入层的叠层，又可以具有空穴传输层与空穴注入层的叠层。如上所述，发光元件130a、发光元件130b及发光元件130c共用公共层114。
本发明的一个方式的显示装置可以缩小发光元件间的距离。具体而言，可以使发光元件间的距离、EL层间的距离或像素电极间的距离减小到小于10μm、8μm以下、5μm以下、3μm以下、2μm以下、1μm以下、500nm以下、200nm以下、100nm以下、90nm以下、70nm以下、50nm以下、30nm以下、20nm以下、15nm以下或10nm以下。换言之，本发明的一个方式的显示装置具有相邻的两个岛状EL层的距离为1μm以下的区域，优选具有该距离为0.5μm(500nm)以下的区域，更优选具有该距离为100nm以下的区域。
优选在发光元件130a、发光元件130b、发光元件130c上包括保护层131。通过设置保护层131，可以提高发光元件130的可靠性。保护层131既可以为单层结构，又可以为两层以上的叠层结构。
对保护层131的导电性没有限制。作为保护层131，可以使用绝缘膜、半导体膜和导电膜中的至少一种。
当保护层131包括无机膜时，可以抑制发光元件的劣化，诸如防止公共电极115的氧化以及抑制杂质(水及氧等)进入发光元件中等，由此可以提高显示装置的可靠性。
作为保护层131，例如可以使用氧化绝缘膜、氮化绝缘膜、氧氮化绝缘膜或氮氧化绝缘膜等无机绝缘膜。作为氧化绝缘膜可以举出氧化硅膜、氧化铝膜、氧化镓膜、氧化锗膜、氧化钇膜、氧化锆膜、氧化镧膜、氧化钕膜、氧化铪膜及氧化钽膜等。作为氮化绝缘膜，可以举出氮化硅膜及氮化铝膜等。作为氧氮化绝缘膜，可以举出氧氮化硅膜及氧氮化铝膜等。作为氮氧化绝缘膜，可以举出氮氧化硅膜及氮氧化铝膜等。保护层131优选包括氮化绝缘膜或氮氧化绝缘膜，更优选包括氮化绝缘膜。
另外，也可以将包含In-Sn氧化物(也被称为ITO)、In-Zn氧化物、Ga-Zn氧化物、Al-Zn氧化物或铟镓锌氧化物(也称为In-Ga-Zn氧化物、IGZO)等的无机膜用于保护层131。该无机膜优选具有高电阻，具体而言，该无机膜优选具有比公共电极115高的电阻。该无机膜还可以包含氮。
在经过保护层131提取发光元件130的发光的情况下，保护层131的可见光透过性优选高。例如，ITO、IGZO以及氧化铝都是可见光透过性高的无机材料，所以是优选的。
作为保护层131，例如可以采用氧化铝膜和氧化铝膜上的氮化硅膜的叠层结构或者氧化铝膜和氧化铝膜上的IGZO膜的叠层结构等。通过使用该叠层结构，可以抑制杂质(水及氧等)进入EL层一侧。
并且，保护层131也可以包括有机膜。例如，保护层131也可以包括有机膜和无机膜的双方。作为可用于保护层131的有机材料，例如可以举出可用于后述的绝缘层127的有机绝缘材料。
保护层131也可以具有使用不同沉积方法形成的两层结构。具体而言，也可以利用原子层沉积(ALD：Atomic Layer Deposition)法形成保护层131的第一层而利用溅射法形成保护层131的第二层。
例如，在图2A中，在像素电极111a与EL层113a之间没有设置覆盖像素电极111a的顶面端部的绝缘层。此外，例如，在像素电极111b与EL层113b之间没有设置覆盖像素电极111b的顶面端部的绝缘层。再者，例如在像素电极111c与EL层113c之间没有设置覆盖像素电极111c的顶面端部的绝缘层。因此，可以使相邻的发光元件130的距离极小。因此，可以实现高清晰或高分辨率的显示装置。
另外，例如在图2A中，掩模层118a位于发光元件130a所包括的EL层113a上，掩模层118b位于发光元件130b所包括的EL层113b上，掩模层118c位于发光元件130c所包括的EL层113c上。掩模层118a是残留的有可用作用来加工EL膜而形成岛状EL层113a的硬掩模的掩模层的一部分，将在后面进行详细叙述。同样地，掩模层118b及掩模层118c分别是在形成EL层113b及EL层113c时设置的掩模层的留下的一部分。如此，本发明的一个方式的显示装置也可以残留有在其制造工序中用来保护EL层的掩模层。可以将相同材料用于掩模层118a至掩模层118c中的任意两个或全部，也可以将互不相同的材料用于上述掩模层的全部。
在图2A中，掩模层118a的一个端部与EL层113a的端部对齐或大致对齐，掩模层118a的另一个端部位于EL层113a上。在此，掩模层118a的另一个端部优选与EL层113a及像素电极111a重叠。此时，掩模层118a的另一个端部容易形成在EL层113a的大致平坦的面上。掩模层118b及掩模层118c也是同样的。另外，掩模层118例如残留在被加工为岛状的EL层113与绝缘层125之间。
作为掩模层118，例如可以使用金属膜、合金膜、金属氧化物膜、半导体膜、有机绝缘膜和无机绝缘膜等中的一种或多种。作为掩模层，可以使用能够用于保护层131的各种无机绝缘膜。例如，可以使用氧化铝、氧化铪或氧化硅等无机绝缘材料。
如图2A所示，绝缘层125、遮光层135及绝缘层127优选覆盖加工为岛状的EL层113的顶面的一部分。通过绝缘层125、遮光层135及绝缘层127覆盖加工为岛状的EL层113的侧面及顶面，可以进一步适当地防止EL层113的膜剥离，因此可以提高发光元件130的可靠性。此外，可以进一步提高发光元件130的制造成品率。图2A示出在像素电极111a的端部上具有EL层113a、掩模层118a、绝缘层125、遮光层135及绝缘层127的叠层结构的例子。同样地，在像素电极111b的端部上具有EL层113b、掩模层118b、绝缘层125、遮光层135及绝缘层127的叠层结构，且在像素电极111c的端部上具有EL层113c、掩模层118c、绝缘层125、遮光层135及绝缘层127的叠层结构。
例如，图2A示出如下例子：EL层113a的端部位于像素电极111a的端部的外侧，EL层113b的端部位于像素电极111b的端部的外侧，EL层113c的端部位于像素电极111c的端部的外侧的例子。
例如，在图2A中，EL层113以覆盖像素电极111的端部的方式形成。通过采用这种结构，与岛状EL层113的端部位于像素电极111的端部的内侧的结构相比，可以提高开口率。
另外，通过以EL层113覆盖像素电极111的侧面可以抑制像素电极111与公共电极115接触，由此可以抑制发光元件130的短路。此外，由于可以增大EL层113的发光区域(即与像素电极111重叠的区域)与EL层113的端部的距离，所以可以提高发光元件130的可靠性。
EL层113的各侧面至少被绝缘层125覆盖。此外，EL层113的侧面也可以被遮光层135覆盖。再者，EL层113的侧面也可以被遮光层135及绝缘层127覆盖。另外，EL层113的顶面的一部分被绝缘层127、遮光层135、绝缘层125及掩模层118覆盖。由此，可以抑制公共层114或公共电极115接触于像素电极111的侧面及EL层113的侧面且抑制发光元件130的短路。由此，可以提高发光元件130的可靠性。
在从截面看时，绝缘层125优选覆盖岛状EL层113的侧面中的至少一方，更优选覆盖岛状EL层113的侧面中的双方。绝缘层125可以具有接触于岛状EL层113的各侧面的结构。
例如，图2A示出由EL层113a覆盖像素电极111a的端部且绝缘层125与EL层113a的侧面接触的结构。同样地，由EL层113b覆盖像素电极111b的端部，由EL层113c覆盖像素电极111c的端部，绝缘层125与EL层113b的侧面及EL层113c的侧面接触。
遮光层135可以设置在绝缘层125上，例如可以以与绝缘层125的顶面接触的方式设置。遮光层135的端部可以与绝缘层125的端部对齐或大致对齐。
绝缘层127以填充形成在遮光层135中的凹部的方式设置在绝缘层125上。绝缘层127可以隔着绝缘层125及遮光层135与EL层113的顶面及侧面的一部分重叠。
通过设置绝缘层127可以填充相邻的岛状层之间的空间，所以可以减少设置在岛状层上的层(例如，载流子注入层及公共电极等)的被形成面的高低差大的凹凸而进一步实现平坦化。因此，可以提高载流子注入层及公共电极等的覆盖性，从而可以防止公共电极的断开。
在本说明书等中，断开是指层、膜或电极因被形成面的形状(例如，台阶)而分断的现象。
遮光层135的膜厚度优选为3nm以上或5nm以上且200nm以下、150nm以下、100nm以下、50nm以下或10nm以下。
公共层114及公共电极115设置在EL层113上及绝缘层127上。在设置绝缘层127之前的阶段，产生起因于设置有像素电极111及EL层113的区域和没有设置像素电极111及EL层113的区域(发光元件130间的区域)的台阶。本发明的一个方式的显示装置通过包括绝缘层127而可以使该台阶平坦化，由此可以提高公共层114及公共电极115的覆盖性。因此，可以抑制断开导致的连接不良。或者，可以抑制因台阶导致公共电极115局部薄膜化而使电阻上升。
例如，图2A示出绝缘层127的顶面具有凸部的结构。例如，绝缘层127的顶面优选具有平坦性高的平滑的凸曲面形状。另外，绝缘层127的顶面更优选为平坦。另外，绝缘层127的顶面也可以具有凹部。
另外，绝缘层125可以以与岛状EL层113接触的方式设置。由此，可以防止岛状EL层113的膜剥离。通过使绝缘层125与EL层113密接，可以发挥相邻的岛状EL层113彼此由绝缘层125固定或粘合在一起的效果。由此，可以提高发光元件130的可靠性。另外，可以提高发光元件130的制造成品率。
在此，绝缘层125具有与岛状EL层113的侧面接触的区域且被用作EL层113的保护绝缘层。通过设置绝缘层125，可以抑制杂质(氧及水分等)从岛状EL层113的侧面进入到内部，由此可以实现可靠性高的显示装置。
接着，说明绝缘层125、遮光层135及绝缘层127的材料及形成方法的例子。
绝缘层125可以为包含无机材料的绝缘层。因此，绝缘层125可以说是无机绝缘层或者简单地称为无机层。作为绝缘层125，例如可以使用氧化绝缘膜、氮化绝缘膜、氧氮化绝缘膜或氮氧化绝缘膜等无机绝缘膜。绝缘层125可以为单层结构，也可以为叠层结构。作为氧化绝缘膜，可以举出氧化硅膜、氧化铝膜、氧化镁膜、铟镓锌氧化物膜、氧化镓膜、氧化锗膜、氧化钇膜、氧化锆膜、氧化镧膜、氧化钕膜、氧化铪膜及氧化钽膜等。作为氮化绝缘膜，可以举出氮化硅膜及氮化铝膜等。作为氧氮化绝缘膜，可以举出氧氮化硅膜及氧氮化铝膜等。作为氮氧化绝缘膜，可以举出氮氧化硅膜及氮氧化铝膜等。尤其是氧化铝在蚀刻中与EL层的选择比高，在后面说明的绝缘层127的形成中具有保护EL层的功能，因此是优选的。尤其是，通过将利用ALD法形成的氧化铝膜、氧化铪膜或氧化硅膜等无机绝缘膜用于绝缘层125，可以形成针孔较少且保护EL层的功能良好的绝缘层125。另外，绝缘层125也可以采用利用ALD法形成的膜与利用溅射法形成的膜的叠层结构。绝缘层125例如可以采用利用ALD法形成的氧化铝膜与利用溅射法形成的氮化硅膜的叠层结构。
绝缘层125优选具有相对于水和氧中的至少一方的阻挡绝缘层的功能。另外，绝缘层125优选具有抑制水和氧中的至少一方的扩散的功能。另外，绝缘层125优选具有俘获或固定(也被称为吸杂)水和氧中的至少一方的功能。
在绝缘层125具有作为阻挡绝缘层的功能或者吸杂功能时，可以具有抑制可能会从外部扩散到各发光元件的杂质(典型的是，水和氧中的至少一方)的进入的结构。通过采用该结构，可以提供一种可靠性高的发光元件，并且可以提供一种可靠性高的显示装置。
另外，绝缘层125的杂质浓度优选低。由此，可以抑制杂质从绝缘层125混入到EL层而EL层劣化。另外，通过降低绝缘层125中的杂质浓度，可以提高对水和氧中的至少一方的阻挡性。例如，优选的是，绝缘层125中的氢浓度和碳浓度中的一方充分低，优选为氢浓度和碳浓度中的双方优选充分低。
作为绝缘层125的形成方法，可以举出ALD法、蒸镀法、溅射法、化学气相沉积(CVD：Chemical Vapor Deposition)法及脉冲激光沉积(PLD：Pulsed Laser Deposition)法等形成。绝缘层125优选利用覆盖性良好的ALD法形成。
通过提高沉积绝缘层125时的衬底温度，可以形成膜厚度薄也杂质浓度低且相对于水和氧中的至少一方的阻挡性高的绝缘层125。因此，该衬底温度优选为60℃以上，更优选为80℃以上，进一步优选为100℃以上，更进一步优选为120℃以上。另一方面，绝缘层125在形成岛状的EL层之后沉积，所以优选以低于EL层的耐热温度的温度形成。因此，该衬底温度优选为200℃以下，更优选为180℃以下，进一步优选为160℃以下，更进一步优选为150℃以下，还进一步优选为140℃以下。
作为耐热温度的指标，例如可以举出玻璃化转变温度、软化点、熔点、热分解温度及5％失重温度等。作为EL层的耐热温度，可以使用上述任意温度，优选使用上述温度中的最低温度。
此外，绝缘层125的膜厚度例如优选为3nm以上、5nm以上或10nm以上且200nm以下、150nm以下、100nm以下或50nm以下。
作为绝缘层127，可以适当地使用包含有机材料的绝缘层。因此，绝缘层127可以被称为有机绝缘层或简单地称为有机层。作为有机材料，优选使用感光性有机树脂，例如可以使用感光性丙烯酸树脂。此外，绝缘层127的材料的粘度为1cP以上且1500cP以下即可，优选为1cP以上且12cP以下。通过将绝缘层127的材料的粘度设定为上述范围内，可以容易形成后述的具有锥形形状的绝缘层127。注意，在本说明书等中，丙烯酸树脂不是仅指聚甲基丙烯酸酯或甲基丙烯酸树脂，有时也指广义上的丙烯酸类聚合物整体。
注意，绝缘层127在侧面具有后述的锥形形状即可，能够用于绝缘层127的有机材料不局限于上述材料。例如，有时作为绝缘层127可以使用丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、环氧树脂、酰亚胺树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺酰胺树脂、硅酮树脂、硅氧烷树脂、苯并环丁烯类树脂、酚醛树脂或上述树脂的前体等。例如，有时作为绝缘层127，可以使用聚乙烯醇(PVA)、聚乙烯醇缩丁醛、聚乙烯吡咯烷酮、聚乙二醇、聚甘油、普鲁兰、水溶性纤维素或者醇可溶性聚酰胺树脂等有机材料。此外，有时作为感光性树脂可以使用光致抗蚀剂。有时作为感光性树脂可以使用正型材料或负型材料。
作为绝缘层127也可以使用吸收可见光的材料。通过绝缘层127吸收来自发光元件130的发光，可以抑制光从发光元件130经过绝缘层127泄漏到相邻的发光元件130(杂散光)。因此，能够提高显示装置的显示质量。另外，即使在显示装置中不使用偏振片也可以提高显示质量，所以可以实现显示装置的轻量化及薄型化。
作为吸收可见光的材料，可以举出包括黑色等的颜料的材料、包括染料的材料、具有光吸收性的树脂材料(例如聚酰亚胺)以及可用于滤色片的树脂材料(滤色片材料)。尤其是，在使用层叠或混合两种颜色或三种以上的颜色的滤色片材料而成的树脂材料时可以提高遮蔽可见光的效果，所以是优选的。尤其是，通过混合三种以上的颜色的滤色片材料，可以实现黑色或近似于黑色的树脂层。
绝缘层127例如可以通过沉积有机绝缘膜并对其进行加工来形成。此时，将成为绝缘层127的绝缘膜例如可以适当地利用旋涂法、浸渍法、喷涂法、喷墨法、分配器法、丝网印刷法、胶版印刷法、刮刀法、狭缝式涂布法、辊涂法、帘式涂布法、刮刀式涂布法等湿式沉积方法沉积。尤其是，优选利用旋涂法形成将成为绝缘层127的有机绝缘膜。
当作为将成为绝缘层127的绝缘膜使用感光性有机绝缘膜时，可以通过曝光及显影的工序对将成为绝缘层127的绝缘膜进行加工。由此，例如可以不使用干蚀刻法加工将成为绝缘层127的绝缘膜，因此可以减少对EL层113的损伤。
当作为将成为绝缘层127的绝缘膜使用感光性有机绝缘膜时，有时在曝光工序中对将成为绝缘层127的绝缘膜照射紫外光。由此，有时紫外光也照射到EL层113而EL层113受到损伤。
于是，例如通过设置对紫外光具有遮光性的遮光膜，即使作为将成为绝缘层127的绝缘膜使用感光性有机绝缘膜并在曝光工序中照射紫外光，也可以抑制紫外光照射到EL层113而EL层113受到损伤。因此，本发明的一个方式的显示装置可以为可靠性高的显示装置。注意，当在对将成为绝缘层127的绝缘膜进行的曝光工序中对将成为绝缘层127的绝缘膜照射可见光时，上述遮光膜对可见光具有遮光性。具体而言，上述遮光膜对在对将成为绝缘层127的绝缘膜进行的曝光工序中照射到将成为绝缘层127的绝缘膜的波长的光具有遮光性。
在本说明书等中，紫外光是指10nm以上且低于400nm的波长区域的光，可见光是指400nm以上且低于700nm的波长区域的光。
上述遮光膜例如具有吸收或反射在对将成为绝缘层127的绝缘膜进行的曝光工序中照射到将成为绝缘层127的绝缘膜的光中的至少一部分波长的光的功能。例如，上述遮光膜对在对将成为绝缘层127的绝缘膜进行的曝光工序中照射到将成为绝缘层127的绝缘膜的光中的至少一部分波长的光的透过率为10％以下，优选为1％以下，更优选为0.1％以下。
可以在形成绝缘层127后通过例如蚀刻法对上述遮光膜进行加工来在相邻的发光元件130间形成遮光层135。遮光层135优选具有吸收或反射发光元件130所发射的光中的至少一部分波长的光的功能。由此，可以抑制发光元件130所发射的光的杂散光，从而可以提高显示装置的显示品质。
作为遮光层135，可以使用绝缘层，但是不局限于此，例如也可以使用导电层或半导体层。另外，如上所述，例如可以通过利用蚀刻法加工遮光膜来形成遮光层135。因此，遮光层135例如优选在利用蚀刻法时具有良好的加工性。
作为遮光层135，例如可以使用非晶硅等包含硅、碳或锗等第14族元素的材料。例如，作为遮光层135,也可以使用金属，例如可以使用钼、钛、钽、钨、铝、铜、铬、钕、钪或包含这些金属的合金。另外，作为遮光层135，可以使用以上述金属为成分的氮化物(氮化钛、氮化铬、氮化钼或氮化钨等)或以上述金属为成分的氧化物(氧化钛、氧化铬、氧化钼或氧化钨等)。
在此，在本发明的一个方式的显示装置中，绝缘层125上设置有遮光层135。由此，可以防止遮光层135与EL层113接触。因此，与不设置绝缘层125的情况相比，可以扩大遮光层135的材料的选择范围。例如，可以将在与EL层113接触时可能会对EL层113带来损伤的材料用于遮光层135。另外，可以将形成遮光层135时在EL层113露出的情况下可能会对EL层113带来损伤的方法用于遮光层135的形成。并且，可以将金属等具有导电性的材料用于遮光层135。注意，例如在将即使与EL层113接触也不会对EL层113带来损伤且具有绝缘性的材料用于遮光层135时，本发明的一个方式的显示装置可以不包括绝缘层125。
注意，绝缘层127以低于EL层113的耐热温度的温度形成。形成绝缘层127时的衬底温度典型地为200℃以下，优选为180℃以下，更优选为160℃以下，进一步优选为150℃以下，更进一步优选为140℃以下。
另外，也可以在衬底120的粘合层122一侧的面设置遮光层。另外，衬底120的外侧可以配置有各种光学构件。作为光学构件，可以举出偏振片、相位差板、光扩散层(例如，扩散薄膜等)、防反射层及聚光薄膜(condensing film)等。此外，在衬底120的外侧也可以配置抑制尘屑的附着的抗静电膜、不容易被弄脏的具有拒水性的膜、抑制使用时的损伤的硬涂膜、冲击吸收层等表面保护层。例如，通过作为表面保护层设置玻璃层或二氧化硅层(SiOx层)，可以抑制表面被弄脏或受到损伤，所以是优选的。另外，作为表面保护层也可以使用DLC(类金刚石碳)、氧化铝(AlOx)、聚酯类材料或聚碳酸酯类材料等。另外，作为表面保护层优选使用对可见光的透射率高的材料。另外，表面保护层优选使用硬度高的材料。
衬底120可以使用玻璃、石英、陶瓷、蓝宝石、树脂、金属、合金或半导体等。从发光元件提取光一侧的衬底使用使该光透射的材料。通过将具有柔性的材料用于衬底120，可以提高显示装置的柔性。作为衬底120，也可以使用偏振片。
作为衬底120，可以使用如下材料：聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)或聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)等聚酯树脂、聚丙烯腈树脂、丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、聚甲基丙烯酸甲酯树脂、聚碳酸酯(PC)树脂、聚醚砜(PES)树脂、聚酰胺树脂(尼龙或芳族聚酰胺等)、聚硅氧烷树脂、环烯烃树脂、聚苯乙烯树脂、聚酰胺-酰亚胺树脂、聚氨酯树脂、聚氯乙烯树脂、聚偏二氯乙烯树脂、聚丙烯树脂、聚四氟乙烯(PTFE)树脂、ABS树脂或者纤维素纳米纤维等。此外，也可以作为衬底120使用其厚度为具有柔性程度的玻璃。
在将圆偏振片重叠于显示装置的情况下，优选将光学各向同性高的衬底用作显示装置所包括的衬底。光学各向同性高的衬底的双折射较低(也可以说双折射量较少)。
光学各向同性高的衬底的相位差值(retardation value)的绝对值优选为30nm以下，更优选为20nm以下，进一步优选为10nm以下。
作为光学各向同性高的薄膜，可以举出三乙酸纤维素(TAC，也称为三醋酸纤维素)薄膜、环烯烃聚合物(COP)薄膜、环烯烃共聚物(COC)薄膜及丙烯酸树脂薄膜等。
此外，当作为衬底使用薄膜时，有可能因薄膜的吸水而发生显示装置出现皱纹等形状变化。因此，作为衬底优选使用吸水率低的薄膜。例如，优选使用吸水率为1％以下的薄膜，更优选使用吸水率为0.1％以下的薄膜，进一步优选为使用吸水率为0.01％以下的薄膜。
作为粘合层122，可以使用紫外线固化粘合剂等光固化粘合剂、反应固化粘合剂、热固化粘合剂或厌氧粘合剂等各种固化粘合剂。作为这些粘合剂，可以举出环氧树脂、丙烯酸树脂、硅酮树脂、酚醛树脂、聚酰亚胺树脂、酰亚胺树脂、PVC(聚氯乙烯)树脂、PVB(聚乙烯醇缩丁醛)树脂、EVA(乙烯-乙酸乙烯酯)树脂等。尤其是，优选使用环氧树脂等透湿性低的材料。此外，也可以使用两液混合型树脂。此外，例如也可以使用粘合薄片。
图2B1示出沿着图1中的点划线Y1-Y2的截面图。图2B1示出连接部140的结构例子。
在连接部140中，绝缘层255c上设置有导电层123。导电层123与公共电极115电连接。导电层123可以使用利用与像素电极111a、像素电极111b及像素电极111c相同材料及相同工序形成的导电层。
另外，图2B1示出在导电层123上设置公共层114且导电层123与公共电极115通过公共层114电连接的例子。连接部140也可以不设置公共层114。在图2B2中，导电层123直接连接于公共电极115。例如，通过使用用来规定沉积范围的掩模(为了与高精细金属掩模区别，也称为范围掩模或粗金属掩模等)，可以使沉积公共层114的区域与沉积公共电极115的区域不同。
在此，参照图3A及图3B说明绝缘层127及其附近的结构。图3A是包括发光元件130a与发光元件130b间的绝缘层127及其周围的区域139a的截面放大图。以下，以发光元件130a与发光元件130b间的绝缘层127为例进行说明，发光元件130b与发光元件130c间的绝缘层127以及发光元件130c与发光元件130a间的绝缘层127等也是同样的。另外，图3B是图3A所示的EL层113b上的绝缘层127的端部及其附近的放大图。以下，有时以EL层113b上的绝缘层127的端部为例进行说明，但EL层113a上的绝缘层127的端部以及EL层113c上的绝缘层127的端部等也是同样的。
如图3A所示，在区域139a中，以覆盖像素电极111a的方式设置EL层113a，以覆盖像素电极111b的方式设置EL层113b。以接触于EL层113a的顶面的一部分的方式设置有掩模层118a，以接触于EL层113b的顶面的一部分的方式设置有掩模层118b。以与掩模层118a的顶面及侧面、EL层113a的侧面、绝缘层255c的顶面、掩模层118b的顶面及侧面以及EL层113b的侧面接触的方式设置绝缘层125。绝缘层125上设置有遮光层135，遮光层135上设置有绝缘层127。以覆盖EL层113a、掩模层118a、EL层113b、掩模层118b、绝缘层125、遮光层135及绝缘层127的方式设置有公共层114，公共层114上设置有公共电极115。
如上所述，像素电极111的侧面优选具有锥形形状。此时，在从显示装置的截面看时，EL层113可以具有锥形部137。具体而言，EL层113可以在像素电极111的侧面与绝缘层125之间具有锥形部137。图3A示出EL层113a在像素电极111a的侧面与掩模层118a之间具有锥形部137a且EL层113b在像素电极111b的侧面与掩模层118b之间具有锥形部137b的结构。
像素电极111的侧面的锥角小于90°，优选为60°以下，更优选为45°以下。通过使像素电极111的侧面具有上述正锥形形状，可以以高覆盖性形成EL层113而不会在以覆盖像素电极111的侧面的方式设置的EL层113中发生断开或局部薄膜化等。因此，本发明的一个方式的显示装置可以为可靠性高的显示装置。
锥形部137的锥角的大小可以对应于像素电极111的侧面的锥角的大小。例如，像素电极111的侧面的锥角越小，可以使锥形部137的锥角越小。锥形部137的锥角小于90°，优选为60°以下，更优选为45°以下。
另一方面，在锥形部137的角度小于90°的情况下，与锥形部137的角度为90°以上的情况相比，在上述对将成为绝缘层127的绝缘膜进行的曝光工序中，例如容易对锥形部照射紫外光。在本发明的一个方式的显示装置中，通过设置将成为遮光层135的遮光膜，例如也可以抑制EL层113的锥形部137被照射紫外光而可以抑制对EL层113的损伤。如上所述，本发明的一个方式的显示装置可以在提高EL层113对像素电极111的覆盖性的同时抑制在制造工序中EL层113受到损伤。由此，本发明的一个方式的显示装置可以为可靠性高的显示装置。
如图3B所示，在从显示装置的截面看时绝缘层127优选在侧面具有锥角θ1的锥形形状。锥角θ1为绝缘层127的侧面与衬底面所形成的角。注意，不局限于衬底面，也可以采用绝缘层125的平坦部的顶面、EL层113b的平坦部的顶面或像素电极111b的平坦部的顶面等与绝缘层127的侧面所形成的角。
绝缘层127的锥角θ1小于90°，优选为60°以下，更优选为45°以下。通过使绝缘层127的侧面端部具有上述正锥形形状，可以以设置在绝缘层127的侧面端部上的公共层114及公共电极115中不发生断开或局部薄膜化等的方式高覆盖性地进行沉积。由此，可以提高公共层114及公共电极115的面内均匀性而提高显示装置的显示品质。
另外，如图3A所示，在从显示装置的截面看时，绝缘层127的顶面优选具有凸曲面形状。绝缘层127的顶面的凸曲面形状优选为向中心平缓地凸出的形状。另外，优选为绝缘层127的顶面的中心部的凸曲面部平滑地连接于侧面端部的锥形部的形状。通过作为绝缘层127采用上述形状，可以将公共层114及公共电极115以高覆盖性沉积在绝缘层127的整个顶面上。
另外，如图3A所示，优选的是，绝缘层127的一个端部与像素电极111a重叠且绝缘层127的另一个端部与像素电极111b重叠。通过采用这种结构，可以在EL层113a(EL层113b)的大致平坦的区域上形成绝缘层127的端部。由此，比较容易通过上述加工形成绝缘层127的锥形形状。
在区域139a中，如上所述，例如通过设置绝缘层127，可以防止在从EL层113a的大致平坦的区域至EL层113b的大致平坦的区域的公共层114及公共电极115中发生断开部分及局部膜厚度薄的部分。因此，可以抑制在各发光元件间的公共层114及公共电极115中发生起因于断开部分的连接不良以及起因于局部膜厚度较薄的部分的电阻上升。由此，本发明的一个方式的显示装置可以为显示质量高的显示装置。
[显示装置的结构例子_2]
图4A、图4B1及图4B2分别是图2A、图2B1及图2B2所示的结构的变形例子。图4A、图4B1及图4B2所示的显示装置与图2A、图2B1及图2B2所示的显示装置的不同之处在于掩模层118的端部及绝缘层125的端部包括不与绝缘层127的端部及遮光层135的端部一致或大致一致的区域。具体而言，在图4A、图4B1及图4B2所示的显示装置中，掩模层118的端部及绝缘层125的端部包括在从显示装置的截面看时比绝缘层127的端部及遮光层135的端部更靠近EL层113的中心部及更靠近导电层123的中心部的区域。
图5A是包括图4A所示的发光元件130a与发光元件130b之间的绝缘层127及其附近的区域139b的截面放大图。图5B是图5A所示的EL层113b上的绝缘层127的端部附近的放大图。以下，主要说明与图3A及图3B不同的结构。
如图5A及图5B所示，掩模层118b及绝缘层125在像素电极111b上具有突出部116。在从显示装置的截面看时，突出部116例如与绝缘层127的端部及遮光层135的端部相比位于EL层113b的中心部附近。另外，掩模层118a及绝缘层125也在像素电极111a上具有同样的突出部116。
如图5B所示，突出部116优选在从显示装置的截面看时在侧面具有锥角θ3的锥形形状。锥角θ3是掩模层118b的侧面与衬底面所成的角。注意，锥角θ3不局限于掩模层118b的侧面与衬底面所形成的角，也可以是掩模层118b的侧面与EL层113b的平坦部的顶面或像素电极111b的平坦部的顶面等所形成的角。另外，不局限于掩模层118b的侧面，锥角θ3也可以是采用绝缘层125的侧面与衬底面所形成的角。
突出部116的锥角θ3小于90°，优选为60°以下，更优选为45°以下，进一步优选为20°以下。突出部116的锥角θ3有时小于绝缘层127的锥角θ2。通过使突出部116具有上述正锥形形状，例如可以在设置在突出部116上的公共层114及公共电极115中以高覆盖性地进行沉积，而不产生断开。
另外，通过在遮光层135的侧面端部下设置突出部116，可以抑制遮光层135的侧面端部与绝缘层125的界面附近被侧面蚀刻而在遮光层135的侧面端部与绝缘层125之间形成空洞。当形成这种空洞时，由于该空洞所导致的台阶而在公共层114及公共电极115中容易发生断开。但是，通过以设置突出部116的方式设置绝缘层125及掩模层118b，可以抑制侧面蚀刻深度进行到遮光层135下，而可以防止空洞的巨大化。由此，通过设置突出部116，例如可以防止从绝缘层127至EL层113b在公共层114及公共电极115中发生断开。
另外，绝缘层125有时在突出部116中包括其膜厚度比其他部分(例如，与遮光层135重叠的部分)薄的区域(以下，称为凹陷部133)。注意，例如根据绝缘层125的膜厚度，有时在突出部116中绝缘层125消失而凹陷部133形成到掩模层118b。另外，有时绝缘层125例如在EL层113a一侧也同样具有凹陷部133。
[显示装置的结构例子_3]
图6A是图2A所示的结构的变形例子，与图2A所示的显示装置的不同之处在于包括发光元件130d代替发光元件130a、发光元件130b及发光元件130c。发光元件130d包括EL层113d作为EL层113。
EL层113d例如发射白色光。以覆盖发光元件130d的方式设置有保护层131，并且保护层131上设置有保护层161。保护层161被用作平坦化层。
保护层161上以具有与发光元件130d重叠的区域的方式设置有着色层163a、着色层163b及着色层163c。着色层163a、着色层163b及着色层163c例如可以透过红色光、绿色光或蓝色光。例如，着色层163a、着色层163b及着色层163c分别可以透过红色光、绿色光及蓝色光。在此，由发光元件130d及着色层163a构成发光单元160a，由发光元件130d及着色层163b构成发光单元160b，由发光元件130d及着色层163c构成发光单元160c。
通过以具有与发光元件130重叠的区域的方式设置着色层163，例如即使显示装置所包括的所有发光元件130都发射白色光，显示装置也可以进行全彩显示。另外，通过在保护层161上设置着色层163，例如与在衬底120上形成着色层之后使设置在层101的衬底与衬底120贴合的情况相比，容易进行发光元件130与着色层163的位置对准。由此，可以实现极高清晰的显示装置。并且，由于可以缩小着色层163与发光元件130之间的距离，所以不仅可以抑制混色，还可以提高亮度及色度的视角特性。如上所述，可以实现显示品质高的显示装置。注意，当不需要在保护层161与着色层163之间设置被用作平坦化层的层时，也可以不设置保护层161。
在此，在不同的发光元件130d间EL层113d被分割。由此，可以适当地防止电流通过EL层113d流在相邻的发光元件130d间而产生非意图性的发光(也称为串扰)。因此，可以提高对比度并实现显示品质高的显示装置。
另外，在图6A所示的显示装置中，在相邻的发光元件130d间设置遮光层135。遮光层135优选具有吸收或反射发光元件130d所发射的光中的至少一部分波长的光的功能。由此，可以抑制发光元件130d所发射的光例如因杂散光入射到设置在相邻的发光单元160中的着色层163。例如，可以抑制设置在发光单元160a中的发光元件130d所发射的光入射到着色层163b。由此，可以抑制混色而实现显示品质高的显示装置。
此外，如图6A所示，发光单元160a所包括的EL层113d、发光单元160b所包括的EL层113d及发光单元160c所包括的EL层113d优选具有彼此不同的膜厚度。由此，可以实现微腔结构。例如，发光单元160a所包括的发光元件130d可以发射红色比其他颜色强的光，发光单元160b所包括的发光元件130d可以发射绿色比其他颜色强的光，发光单元160c所包括的发光元件130d可以发射蓝色比其他颜色强的光。由此，可以提高发光单元160的色纯度。注意，在着色层163中的所希望的颜色以外的颜色的光的遮光率充分高时，也可以不将微腔结构应用于显示装置。例如，发光单元160a所包括的EL层113d、发光单元160b所包括的EL层113d及发光单元160c所包括的EL层113d的膜厚度也可以都相同。
图6B是图2A所示的结构的变形例子，与图2A所示的显示装置的不同之处在于EL层113a的端部位于像素电极111a的端部的内侧，EL层113b的端部位于像素电极111b的端部的内侧，EL层113c的端部位于像素电极111c的端部的内侧。
图6B所示的结构的显示装置具有EL层113不覆盖像素电极111的侧面的结构，所以可以抑制在EL层113中产生台阶。因此，可以抑制在EL层113中产生断开等不良。
图7A是图2A所示的结构的变形例子，与图2A所示的显示装置的不同之处在于在相邻的发光元件130间设置绝缘层117。绝缘层117以覆盖像素电极111的端部的方式设置。
EL层113中的不与像素电极111接触的区域设置在绝缘层117上。因此，图7A所示的结构的显示装置在像素电极111的端部附近包括像素电极111与EL层113之间设置有绝缘层117的区域。
EL层113上以具有与绝缘层117重叠的区域的方式设置有掩模层118。掩模层118上及绝缘层117上设置有绝缘层125，绝缘层125上设置有遮光层135，遮光层135上设置有绝缘层127。
通过以覆盖像素电极111的端部的方式设置绝缘层117，可以防止相邻的像素电极111间的短路。在此，通过绝缘层117使用有机材料，例如使用有机树脂，可以使其端部具有平缓的曲面。因此，可以提高设置在绝缘层117上的层的覆盖性。此外，绝缘层117可以具有其顶面平坦化的结构。
作为可用于绝缘层117的有机材料，例如可以举出丙烯酸树脂、环氧树脂、聚酰亚胺树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺酰胺树脂、聚硅氧烷树脂、苯并环丁烯类树脂及酚醛树脂等。
图7B是图7A所示的结构的变形例子，与图7A所示的显示装置的不同之处在于绝缘层117的端部具有棱角且绝缘层117的顶面没有被平坦化。图7B所示的绝缘层117例如可以使用无机材料。
作为可用于绝缘层117的无机材料，可以举出氧化硅、氧化铝、氧化镓、氧化锗、氧化钇、氧化锆、氧化镧、氧化钕、氧化铪、氧化钽、氮化硅、氮化铝、氧氮化硅、氧氮化铝、氮氧化硅及氮氧化铝等。
接着，说明可用于发光元件的材料。
作为像素电极和公共电极中的提取光一侧的电极使用透过可见光的导电膜。另外，作为不提取光一侧的电极优选使用反射可见光的导电膜。另外，在显示装置包括发射红外光的发光元件时，优选作为提取光一侧的电极使用透过可见光及红外光的导电膜且作为不提取光一侧的电极使用反射可见光及红外光的导电膜。
另外，不提取光一侧的电极也可以使用透过可见光的导电膜。在此情况下，优选在反射层与EL层间配置该电极。换言之，EL层的发光也可以被该反射层反射而从显示装置提取。
作为形成发光元件的一对电极(像素电极及公共电极)的材料，可以适当地使用金属、合金、导电化合物及它们的混合物等。具体而言，可以举出铟锡氧化物(也称为In-Sn氧化物、ITO)、In-Si-Sn氧化物(也称为ITSO)、铟锌氧化物(In-Zn氧化物)、In-W-Zn氧化物、铝、镍和镧的合金(Al-Ni-La)等含铝合金(铝合金)以及银和镁的合金、银、钯和铜的合金(也记载为Ag-Pd-Cu、APC)等包含银的合金。除了上述以外，还可以举出铝(Al)、镁(Mg)、钛(Ti)、铬(Cr)、锰(Mn)、铁(Fe)、钴(Co)、镍(Ni)、铜(Cu)、镓(Ga)、锌(Zn)、铟(In)、锡(Sn)、钼(Mo)、钽(Ta)、钨(W)、钯(Pd)、金(Au)、铂(Pt)、银(Ag)、钇(Y)及钕(Nd)等金属以及适当地组合并包含它们的合金。另外，可以使用以上没有列举的属于元素周期表中第1族或第2族的元素(例如，锂(Li)、铯(Cs)、钙(Ca)、锶(Sr))、铕(Eu)、镱(Yb)等稀土金属、适当地组合并包含它们的合金以及石墨烯等。
发光元件优选采用微腔结构。因此，发光元件所包括的一对电极中的一个优选包括具有可见光透射性及反射性的电极(半透射-半反射电极)，另一个优选包括具有可见光反射性的电极(反射电极)。当发光元件具有微腔结构时，可以在两个电极之间使从发光层得到的发光谐振，并且可以增强从发光元件发射的光。
发光层是包含发光物质的层。发光层可以包括一种或多种发光物质。作为发光物质，适当地使用呈现蓝色、紫色、蓝紫色、绿色、黄绿色、黄色、橙色或红色等发光颜色的物质。此外，作为发光物质，也可以使用发射近红外光的物质。
作为发光物质，可以举出荧光材料、磷光材料、TADF材料及量子点材料等。
作为荧光材料，例如可以举出芘衍生物、蒽衍生物、三亚苯衍生物、芴衍生物、咔唑衍生物、二苯并噻吩衍生物、二苯并呋喃衍生物、二苯并喹喔啉衍生物、喹喔啉衍生物、吡啶衍生物、嘧啶衍生物、菲衍生物及萘衍生物等。
作为磷光材料，例如可以举出具有4H-三唑骨架、1H-三唑骨架、咪唑骨架、嘧啶骨架、吡嗪骨架、吡啶骨架的有机金属配合物(尤其是铱配合物)、以具有吸电子基团的苯基吡啶衍生物为配体的有机金属配合物(尤其是铱配合物)、铂配合物、稀土金属配合物等。
发光层除了发光物质(客体材料)以外还可以包含一种或多种有机化合物(主体材料或辅助材料等)。作为一种或多种有机化合物，可以使用在本实施方式中说明的空穴传输材料和电子传输材料中的一方或双方。此外，作为一种或多种有机化合物，也可以使用双极性材料或TADF材料。
例如，发光层优选包含磷光材料、容易形成激基复合物的空穴传输材料及电子传输材料的组合。通过采用这样的结构，可以高效地得到利用从激基复合物到发光物质(磷光材料)的能量转移的ExTET(Exciplex-Triplet Energy Transfer：激基复合物-三重态能量转移)的发光。通过选择形成呈现与发光物质的最低能量一侧的吸收带的波长重叠的波长的光的激基复合物的组合，可以使能量转移变得顺利，从而高效地得到发光。通过采用上述结构，可以同时实现发光元件的高效率、低电压驱动以及长寿命。
作为发光层以外的层，EL层113a、EL层113b及EL层113c还可以包括包含空穴注入性高的物质、空穴传输性高的物质、空穴阻挡材料、电子传输性高的物质、电子注入性高的物质、电子阻挡材料或双极性的物质(电子传输性及空穴传输性高的物质)等的层。
发光元件可以使用低分子化合物或高分子化合物，还可以包含无机化合物。构成发光元件的层可以通过蒸镀法(包括真空蒸镀法)、转印法、印刷法、喷墨法或涂布法等方法形成。
例如，EL层113a、EL层113b及EL层113c也可以各自包括空穴注入层、空穴传输层、空穴阻挡层、电子阻挡层、电子传输层和电子注入层中的一个以上。
公共层114也可以使用空穴注入层、空穴传输层、空穴阻挡层、电子阻挡层、电子传输层和电子注入层中的一个以上。例如，作为公共层114也可以形成载流子注入层(空穴注入层或电子注入层)。注意，发光元件也可以不包括公共层114。
EL层113a、EL层113b及EL层113c优选分别包括发光层及发光层上的载流子传输层。由此，通过抑制在显示装置100的制造工序中发光层露出在最表面，可以降低发光层受到的损伤。由此，可以提高发光元件的可靠性。
空穴注入层是将空穴从阳极注入到空穴传输层的包含空穴注入性高的材料的层。作为空穴注入性高的材料，可以举出芳香胺化合物以及包含空穴传输材料及受体材料(电子受体材料)的复合材料等。
空穴传输层是将从阳极通过空穴注入层注入的空穴传输到发光层的层。空穴传输层是包含空穴传输材料的层。作为空穴传输材料，优选采用空穴迁移率为1×10-6cm2/Vs以上的物质。注意，只要空穴传输性比电子传输性高，就可以使用上述以外的物质。作为空穴传输性材料，优选使用富π电子型杂芳族化合物(例如咔唑衍生物、噻吩衍生物或呋喃衍生物等)或者芳香胺(包含芳香胺骨架的化合物)等空穴传输性高的材料。
电子传输层是将从阴极通过电子注入层注入的电子传输到发光层的层。电子传输层是包含电子传输材料的层。作为电子传输材料，优选采用电子迁移率为1×10-6cm2/Vs以上的物质。注意，只要电子传输性比空穴传输性高，就可以使用上述以外的物质。作为电子传输材料，可以使用具有喹啉骨架的金属配合物、具有苯并喹啉骨架的金属配合物、具有噁唑骨架的金属配合物或具有噻唑骨架的金属配合物等，还可以使用噁二唑衍生物、三唑衍生物、咪唑衍生物、噁唑衍生物、噻唑衍生物、菲咯啉衍生物、具有喹啉配体的喹啉衍生物、苯并喹啉衍生物、喹喔啉衍生物、二苯并喹喔啉衍生物、吡啶衍生物、联吡啶衍生物、嘧啶衍生物或含氮杂芳族化合物等缺π电子型杂芳族化合物等电子传输性高的材料。
电子注入层是将电子从阴极注入到电子传输层的包含电子注入性高的材料的层。作为电子注入性高的材料，可以使用碱金属、碱土金属或者它们的化合物。作为电子注入性高的材料，也可以使用包含电子传输性材料及供体性材料(电子供体性材料)的复合材料。
作为电子注入层，例如可以使用锂、铯、镱、氟化锂(LiF)、氟化铯(CsF)、氟化钙(CaFx，x为任意数)、8-(羟基喹啉)锂(简称：Liq)、2-(2-吡啶基)苯酚锂(简称：LiPP)、2-(2-吡啶基)-3-羟基吡啶(pyridinolato)锂(简称：LiPPy)、4-苯基-2-(2-吡啶基)苯酚锂(简称：LiPPP)、锂氧化物(LiOx)或碳酸铯等碱金属、碱土金属或它们的化合物。另外，电子注入层也可以具有两层以上的叠层结构。作为该叠层结构，例如可以采用作为第一层使用氟化锂且作为第二层设置镱的结构。
或者，作为电子注入层也可以使用电子传输性材料。例如，可以将具有非共用电子对并具有缺电子芳杂环的化合物用于电子传输性材料。具体而言，可以使用具有吡啶环、二嗪环(嘧啶环、吡嗪环、哒嗪环)以及三嗪环中的至少一个的化合物。
此外，具有非共用电子对的有机化合物的最低未占据分子轨道(LUMO：LowestUnoccupied Molecular Orbital)能级优选为-3.6eV以上且-2.3eV以下。一般来说，可以使用CV(循环伏安法)、光电子能谱法、光吸收能谱法或逆光电子能谱法等估计有机化合物的最高占据分子轨道(HOMO：Highest Occupied Molecular Orbital)能级及LUMO能级。
例如，作为具有非共用电子对的有机化合物，可以使用4，7-二苯基-1，10-菲咯啉(简称：BPhen)、2，9-二(萘-2-基)-4，7-二苯基-1，10-菲咯啉(简称：NBPhen)、二喹喔啉并[2，3-a：2’，3’-c]吩嗪(简称：HATNA)或2，4，6-三[3’-(吡啶-3-基)联苯基-3-基]-1，3，5-三嗪(简称：TmPPPyTz)等。此外，与BPhen相比，NBPhen具有高玻璃化转变温度(Tg)，从而具有高耐热性。
在制造串联结构的发光元件时，在两个发光单元之间设置电荷产生层(也称为中间层)。中间层具有在一对电极间施加电压时将电子注入到两个发光单元中的一方且将空穴注入到另一方的功能。
作为电荷产生层，例如可以适当地使用锂等能够用于电子注入层的材料。另外，作为电荷产生层，例如可以适当地使用能够用于空穴注入层的材料。另外，作为电荷产生层，可以使用包含空穴传输性材料和受体性材料(电子接收性材料)的层。另外，作为电荷产生层，可以使用包含电子传输性材料和供体性材料的层。通过形成这样的电荷产生层，可以抑制层叠发光单元的情况下的驱动电压的上升。
[显示装置的制造方法例子_1]
参照图8A至图12C说明图2A及图2B2等所示的显示装置的制造方法例子。在图8A至图12C中并排示出沿着图1中的点划线X1-X2的截面图及Y1-Y2的截面图。
构成显示装置的薄膜(绝缘膜、半导体膜及导电膜等)可以利用溅射法、CVD法、真空蒸镀法、PLD法或ALD法等形成。作为CVD法有等离子体增强化学气相沉积(PECVD：PlasmaEnhanced CVD)法及热CVD法等。此外，作为热CVD法之一，有有机金属化学气相沉积(MOCVD：Metal Organic CVD)法。
此外，构成显示装置的薄膜(绝缘膜、半导体膜及导电膜等)可以利用旋涂法、浸渍法、喷涂法、喷墨法、分配器法、丝网印刷法、胶版印刷法、刮刀(doctor knife)法、狭缝式涂布法、辊涂法、帘式涂布法或刮刀式涂布法等方法形成。
尤其是，当制造发光元件时，可以利用蒸镀法等真空工艺或者旋涂法或喷墨法等溶液工艺。作为蒸镀法，可以举出溅射法、离子镀法、离子束蒸镀法、分子束蒸镀法及真空蒸镀法等物理蒸镀法(PVD法)以及化学气相沉积法(CVD法)等。尤其是，可以利用蒸镀法(例如真空蒸镀法)、涂布法(浸涂法、染料涂布法、棒式涂布法、旋涂法或喷涂法)或者印刷法(喷墨法、丝网印刷(孔版印刷)法、胶版印刷(平版印刷)法、柔版印刷(凸版印刷)法、照相凹版印刷法或微接触印刷法等)等方法形成包括在EL层中的功能层(空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层及电子注入层等)。
此外，当对构成显示装置的薄膜进行加工时，例如可以利用光刻法等进行加工。此外，也可以利用纳米压印法、喷砂法或剥离法等对薄膜进行加工。此外，也可以通过利用金属掩模等遮蔽掩模的沉积方法直接形成岛状的薄膜。
光刻法典型地有如下两种方法。一个是在要进行加工的薄膜上形成抗蚀剂掩模，例如通过蚀刻对该薄膜进行加工，并去除抗蚀剂掩模的方法。另一个是在沉积感光性薄膜之后，进行曝光及显影来将该薄膜加工为所希望的形状的方法。
作为在光刻法中用于曝光的光，例如可以使用i线(波长365nm)、g线(波长436nm)、h线(波长405nm)或将这些光混合了的光。此外，作为在光刻法中用于曝光的光，除了上述结构以外还可以使用紫外光、KrF激光(波长248nm)或ArF激光(波长193nm)。此外，也可以利用液浸曝光技术进行曝光。此外，作为用于曝光的光，也可以使用极紫外光(EUV：ExtremeUltra-Violet)或X射线。此外，也可以使用电子束代替用于曝光的光。当使用极紫外光、X射线或电子束时，可以进行极其精细的加工，所以是优选的。注意，在通过利用电子束等光束进行扫描而进行曝光时，不需要光掩模。
在薄膜的蚀刻中，可以利用干蚀刻法、湿蚀刻法或喷砂法等。
首先，如图8A所示，在包括晶体管的层101上依次形成绝缘层255a、绝缘层255b及绝缘层255c。接着，如图8A所示，在绝缘层255c上形成像素电极111a、像素电极111b、像素电极111c及导电层123，在像素电极111a、像素电极111b及像素电极111c上形成EL膜113A，在EL膜113A上形成掩模膜118A，在掩模膜118A上形成掩模膜119A。
如图8A所示，在沿着Y1-Y2的截面图中，EL膜113A的连接部140一侧的端部位于掩模膜118A的端部的内侧。例如，通过使用规定沉积范围的掩模(为了与高精细金属掩模区别，也称为范围掩模或粗金属掩模等)，可以使沉积EL膜113A的区域与沉积掩模膜118A及掩模膜119A的区域不同。在本发明的一个方式中，使用抗蚀剂掩模形成发光元件，通过如上所述与范围掩模组合，可以以较简单的工序制造发光元件。
像素电极111a、像素电极111b及像素电极111c例如可以利用溅射法或真空蒸镀法形成。
像素电极111a、像素电极111b及像素电极111c的侧面优选为锥形形状。由此，可以提高形成于像素电极111a、像素电极111b及像素电极111c上的层的覆盖性，而可以提高发光元件的制造成品率。
EL膜113A是将在后面成为EL层113a的层，至少包括包含发光性化合物的膜(发光膜)。另外，EL膜113A优选包括发光膜及发光膜上的用作载流子传输层的膜。由此，可以抑制在显示装置的制造工序中发光膜露出在最表面，从而可以减少发光膜受到的损伤。由此，可以提高显示装置的可靠性。
此外，EL膜113A也可以具有层叠有用作空穴注入层、空穴传输层、空穴阻挡层、电子阻挡层、电子传输层和电子注入层的膜中的一个以上的结构。例如，EL膜113A可以具有依次层叠有用作空穴注入层的膜、用作空穴传输层的膜、发光膜及用作电子传输层的膜的结构。或者，EL膜113A可以具有依次层叠有用作电子注入层的膜、用作电子传输层的膜、发光膜及用作空穴传输层的膜的结构。
EL膜113A可以利用蒸镀法(包括真空蒸镀法)、转印法、印刷法、喷墨法或涂布法等方法形成。EL膜113A优选利用蒸镀法形成。在利用蒸镀法的沉积中也可以使用预混材料。注意，在本说明书等中，预混材料是指预先配制或混合多个材料的复合材料。
掩模膜118A及掩模膜119A使用对于EL膜113A以及将在后面的工序中形成的EL膜113B及EL膜113C等的加工条件具有高耐性的膜，具体而言使用与各种EL层的蚀刻选择比高的膜。
掩模膜118A及掩模膜119A例如可以利用溅射法、ALD法(热ALD法、PEALD法)、CVD法或真空蒸镀法形成。注意，以与EL层上接触的方式形成的掩模膜118A优选利用与掩模膜119A的形成方法相比EL层受到的损伤少的形成方法形成。例如，与溅射法相比，更优选使用ALD法或真空蒸镀法形成掩模膜118A。此外，掩模膜118A及掩模膜119A在低于EL层的耐热温度的温度下形成。形成掩模膜118A及掩模膜119A时的衬底温度各自典型地为200℃以下，优选为150℃以下，更优选为120℃以下，进一步优选为100℃以下，更进一步优选为80℃以下。
作为掩模膜118A及掩模膜119A优选使用可以利用湿蚀刻法去除的膜。通过利用湿蚀刻法，与使用干蚀刻法的情况相比，可以降低在加工掩模膜118A及掩模膜119A时EL膜113A受到的损伤。
另外，掩模膜118A优选使用与掩模膜119A的蚀刻选择比高的膜。
优选的是，在本发明的一个方式的显示装置的制造方法的各种掩模层的加工工序中，构成EL层的各层(空穴注入层、空穴传输层、发光层及电子传输层等)不容易被加工，并且在构成EL层的各层的加工工序中各种掩模层不容易被加工。优选考虑到这些条件而选择掩模层的材料、加工方法以及EL层的加工方法。
注意，在本实施方式中示出以两层结构形成掩模膜的例子，但是掩模膜也可以具有单层结构或三层以上的叠层结构。
作为掩模膜118A及掩模膜119A，例如各自可以使用金属膜、合金膜、金属氧化物膜、半导体膜或无机绝缘膜等无机膜。
作为掩模膜118A及掩模膜119A，例如各自可以使用金、银、铂、镁、镍、钨、铬、钼、铁、钴、铜、钯、钛、铝、钇、锆及钽等金属材料或者包含该金属材料的合金材料。尤其优选使用铝或银等低熔点材料。通过作为掩模膜118A和掩模膜119A中的一个或两个使用能够遮蔽紫外光的金属材料，可以抑制紫外光照射到EL层，而可以抑制EL层的劣化，因此是优选的。
另外，可以将In-Ga-Zn氧化物等金属氧化物用于掩模膜118A及掩模膜119A。作为掩模膜118A或掩模膜119A，例如可以利用溅射法形成In-Ga-Zn氧化物膜。并且，可以使用氧化铟、In-Zn氧化物、In-Sn氧化物、铟钛氧化物(In-Ti氧化物)、铟锡锌氧化物(In-Sn-Zn氧化物)、铟钛锌氧化物(In-Ti-Zn氧化物)或铟镓锡锌氧化物(In-Ga-Sn-Zn氧化物)等。此外，也可以使用例如包含硅的铟锡氧化物。
注意，也可以使用元素M(M为铝、硅、硼、钇、铜、钒、铍、钛、铁、镍、锗、锆、钼、镧、铈、钕、铪、钽、钨和镁中的一种或多种)代替上述镓。尤其是，M优选为选自镓、铝和钇中的一种或多种。
另外，作为掩模膜118A及掩模膜119A，可以使用能够用于保护层131的各种无机绝缘膜。尤其是，氧化绝缘膜的与EL层的密接性比氮化绝缘膜的与EL层的密接性高，所以是优选的。例如，可以将氧化铝、氧化铪或氧化硅等无机绝缘材料用于掩模膜118A及掩模膜119A。作为掩模膜118A或掩模膜119A，例如可以利用ALD法形成氧化铝膜。通过利用ALD法，可以减轻对基底(尤其是EL层)带来的损伤，所以是优选的。
例如，作为掩模膜118A，可以使用利用ALD法形成的无机绝缘膜(例如氧化铝膜)，作为掩模膜119A，可以使用利用溅射法形成的无机膜(例如In-Ga-Zn氧化物膜、铝膜或钨膜)。
另外，作为掩模膜118A和后面形成的绝缘层125的双方可以使用相同无机绝缘膜。例如，作为掩模膜118A和绝缘层125的双方可以使用利用ALD法形成的氧化铝膜。在此，掩模膜118A及绝缘层125也可以使用相同的沉积条件。例如，通过以与绝缘层125同样的条件沉积掩模膜118A，可以形成掩模膜118A作为对水和氧中的至少一方的阻挡性高的绝缘层。注意，不局限于此，掩模膜118A及绝缘层125也可以使用彼此不同的沉积条件。
作为掩模膜118A和掩模膜119A中的一方或双方，也可以使用可溶解于化学上稳定的溶剂的材料。尤其是，可以适当地使用溶解于水或醇的材料。当沉积上述材料时，优选的是，在将材料溶解于水或醇等溶剂的状态下通过上述湿式的沉积方法涂布该材料，然后进行用来使溶剂蒸发的加热处理。此时，通过在减压气氛下进行加热处理，由于可以在短时间内以低温去除溶剂，所以可以减少对EL层带来的热损伤，因此是优选的。
掩模膜118A及掩模膜119A也可以适当地利用旋涂法、浸渍法、喷涂法、喷墨法、分配器法、丝网印刷法、胶版印刷法、刮刀法、狭缝式涂布法、辊涂法、帘式涂布法、刮刀式涂布法湿式沉积方法形成。
掩模膜118A及掩模膜119A也可以使用聚乙烯醇(PVA)、聚乙烯醇缩丁醛、聚乙烯吡咯烷酮、聚乙二醇、聚甘油、普鲁兰多糖、水溶性纤维素或可溶解于醇的聚酰胺树脂等的有机材料。
接着，如图8A所示，在掩模膜119A上形成抗蚀剂掩模190a。抗蚀剂掩模可以通过涂布感光性树脂(光致抗蚀剂)且进行曝光及显影来形成。
抗蚀剂掩模也可以使用正型抗蚀剂材料或负型抗蚀剂材料制造。
抗蚀剂掩模190a设置在与像素电极111a重叠的位置上。作为抗蚀剂掩模190a，优选对一个子像素110a设置一个岛状图案。或者，作为抗蚀剂掩模190a，也可以对于排列在一列(在图1中排列在Y方向上)的多个子像素110a形成一个带状图案。
这里，在以抗蚀剂掩模190a的端部位于像素电极111a的端部的外侧的方式形成抗蚀剂掩模190a时，可以将后面形成的EL层113a的端部设置于像素电极111a的端部的外侧。
注意，抗蚀剂掩模190a优选也设置在与连接部140重叠的位置上。由此，可以抑制导电层123在显示装置的制造工序中受到损伤。
接着，如图8B所示，使用抗蚀剂掩模190a加工掩模膜119A，由此形成掩模层119a。掩模层119a残留在像素电极111a上及导电层123上。
在蚀刻掩模膜119A时，优选采用选择比高的蚀刻条件以便防止掩模膜118A因该蚀刻被加工。另外，在加工掩模膜119A时EL膜113A不会露出，所以与加工掩模膜118A的情况相比，加工方法的选择范围较宽。具体而言，在掩模膜119A的加工中作为蚀刻气体使用含氧气体的情况下也可以进一步抑制EL膜113A的劣化。
然后，去除抗蚀剂掩模190a。例如，可以通过使用氧等离子体的灰化去除抗蚀剂掩模190a。或者，也可以使用氧气体和CF4、C4F8、SF6、CHF3、Cl2、H2O、BCl3或贵气体(也被称为稀有气体)。作为贵气体，例如可以使用He。或者，也可以通过湿蚀刻去除抗蚀剂掩模190a。此时，掩模膜118A位于最表面且EL膜113A不露出，所以在抗蚀剂掩模190a的去除工序中可以抑制EL膜113A受到损伤。另外，可以扩大抗蚀剂掩模190a的去除方法的选择范围。
接着，如图8C所示，将掩模层119a用作掩模(也称为硬掩模)加工掩模膜118A，由此形成掩模层118a。
掩模膜118A及掩模膜119A都可以利用湿蚀刻法或干蚀刻法加工。掩模膜118A及掩模膜119A的加工优选通过各向异性蚀刻进行。
通过利用湿蚀刻法，与干蚀刻法相比，可以降低在加工掩模膜118A及掩模膜119A时EL膜113A受到的损伤。在使用湿蚀刻法时，例如优选使用显影液、四甲基氢氧化铵水溶液(TMAH)、稀氢氟酸、草酸、磷酸、醋酸、硝酸或包含上述混合液体的药液等。
另外，在利用干蚀刻法的情况下，通过作为蚀刻气体不使用含有氧的气体可以抑制EL膜113A的劣化。在利用干蚀刻法的情况下，例如优选将CF4、C4F8、SF6、CHF3、Cl2、H2O、BCl3或含有贵气体的气体用作蚀刻气体。作为贵气体，例如可以举出He。
例如，在作为掩模膜118A使用利用ALD法形成的氧化铝膜时，可以使用CHF3及He通过干蚀刻法加工掩模膜118A。另外，在作为掩模膜119A使用利用溅射法形成的In-Ga-Zn氧化物膜时，可以使用稀磷酸通过湿蚀刻法加工掩模膜119A。或者，也可以使用CH4及Ar通过干蚀刻法进行加工。或者，可以使用稀磷酸通过湿蚀刻法加工掩模膜119A。另外，在作为掩模膜119A使用利用溅射法形成的钨膜的情况下，可以使用CF4及O2、CF6及O2、CF4及Cl2及O2或者CF6及Cl2及O2通过干蚀刻法加工掩模膜119A。
接着，如图8C所示，通过进行将掩模层119a及掩模层118a用作硬掩模的蚀刻处理来加工EL膜113A，由此形成EL层113a。在此，在像素电极111a的侧面具有锥形形状时，在EL层113a中形成锥形部137a。锥形部137a例如形成在像素电极111a的侧面与掩模层118a之间。如上所述，锥形部137a的锥角可以小于90°。
由此，如图8C所示，像素电极111a上残留有EL层113a、掩模层118a及掩模层119a的叠层结构。此外，在相当于连接部140的区域中，在导电层123上残留掩模层118a及掩模层119a的叠层结构。
图8C示出EL层113a的端部位于像素电极111a的端部的外侧的例子。通过采用该结构，可以提高像素开口率。注意，虽然在图8C中未图示，但是由于上述蚀刻处理有时在绝缘层255c的不与EL层113a重叠的区域中形成凹部。
另外，由于EL层113a覆盖像素电极111a的顶面及侧面，因此可以以不使像素电极111a露出的方式进行后面的工序。在像素电极111a的端部露出时，例如在蚀刻工序等中有时会发生腐蚀。因像素电极111a的腐蚀而产生的生成物有时不稳定，例如，采用湿蚀刻时生成物有时会溶解于溶液中，采用干蚀刻时生成物有时会飞散到气氛中。由于生成物溶解于溶液中或飞散在气氛中，例如生成物有可能附着于被处理面及EL层113a的侧面等，而给发光元件特性带来负面影响或者导致在多个发光元件间形成泄漏路径。另外，在像素电极111a的端部露出的区域中，彼此接触的层的密接性可能会下降而可能导致容易发生EL层113a或像素电极111a的膜剥离。
由此，通过具有由EL层113a覆盖像素电极111a的顶面及侧面的结构，例如可以提高发光元件的成品率，而可以提高发光元件的显示品质。
另外，也可以使用抗蚀剂掩模190a加工EL膜113A。然后，也可以去除抗蚀剂掩模190a。
EL膜113A的加工优选通过各向异性蚀刻进行。尤其优选使用各向异性干蚀刻。或者，也可以使用湿蚀刻。
在使用干蚀刻法时，通过作为蚀刻气体不使用含氧气体，可以抑制EL膜113A的劣化。
另外，作为蚀刻气体也可以使用含氧气体。在蚀刻气体包含氧时，可以提高蚀刻速度。因此，可以在保持充分的蚀刻速度的同时以低功率条件进行蚀刻。因此，可以抑制对EL膜113A带来的损伤。并且，可以抑制蚀刻时产生的反应生成物的附着等不良。
在使用干蚀刻法时，例如优选使用包含H2、CF4、C4F8、SF6、CHF3、Cl2、H2O、BCl3或He、Ar等贵气体中的一种以上的气体作为蚀刻气体。或者，优选使用包含上述气体中的一种以上和氧的气体作为蚀刻气体。或者，也可以使用氧气体作为蚀刻气体。具体而言，例如可以使用包含H2及Ar的气体或者包含CF4及He的气体作为蚀刻气体。此外，例如，可以将含CF4、He及氧的气体用作蚀刻气体。
通过上述工序，可以去除EL膜113A、掩模膜118A及掩模膜119A的不与抗蚀剂掩模190a重叠的区域。
接着，如图9A所示，在掩模层119a、像素电极111b及像素电极111c上形成EL膜113B，在EL膜113B上形成掩模膜118B，在掩模膜118B上形成掩模膜119B。
如图9A所示，在沿着Y1-Y2的截面图中，EL膜113B的连接部140一侧的端部位于掩模膜118B的端部的内侧。
EL膜113B是将在后面成为EL层113b的层。EL层113b发射与EL层113a不同颜色的光。能够用于EL层113b的结构及材料等与EL层113a同样。EL膜113B可以使用与EL膜113A同样的方法沉积。
掩模膜118B可以使用能够用于掩模膜118A的材料形成。掩模膜119B可以使用能够用于掩模膜119A的材料形成。
接着，如图9A所示，在掩模膜119B上形成抗蚀剂掩模190b。
抗蚀剂掩模190b设置在与像素电极111b重叠的位置上。抗蚀剂掩模190b也可以设置在与将后面成为连接部140的区域重叠的位置上。
接着，通过进行与图8B及图8C中说明的工序同样的工序，去除EL膜113B、掩模膜118B及掩模膜119B的不与抗蚀剂掩模190b重叠的区域。
由此，如图9B所示，像素电极111b上残留有EL层113b、掩模层118b及掩模层119b的叠层结构。此外，在相当于连接部140的区域中，在导电层123上残留掩模层118a及掩模层119a的叠层结构。在此，在像素电极111b的侧面具有锥形形状时，在EL层113b中形成锥形部137b。锥形部137b例如形成在像素电极111b的侧面与掩模层118b之间。如上所述，锥形部137b的锥角可以小于90°。
接着，如图9B所示，在掩模层119a、掩模层119b及像素电极111c上形成EL膜113C，在EL膜113C上形成掩模膜118C，在掩模膜118C上形成掩模膜119C。
如图9B所示，在沿着Y1-Y2的截面图中，EL膜113C的连接部140一侧的端部位于掩模膜118C的端部的内侧。
EL膜113C是将在后面成为EL层113c的层。EL层113c发射与EL层113a及EL层113b不同颜色的光。能够用于EL层113c的结构及材料等与EL层113a同样。EL膜113C可以使用与EL膜113A同样的方法沉积。
掩模膜118C可以使用能够用于掩模膜118A的材料形成。掩模膜119C可以使用能够用于掩模膜119A的材料形成。
接着，如图9B所示，在掩模膜119C上形成抗蚀剂掩模190c。
抗蚀剂掩模190c设置在与像素电极111c重叠的位置上。抗蚀剂掩模190c也可以还设置在与将后面成为连接部140的区域重叠的位置上。
接着，通过进行与图8B及图8C中说明的工序同样的工序，去除EL膜113C、掩模膜118C及掩模膜119C的不与抗蚀剂掩模190c重叠的区域。
由此，如图9C所示，像素电极111c上残留有EL层113c、掩模层118c及掩模层119c的叠层结构。此外，在相当于连接部140的区域中，导电层123上残留有掩模层118a及掩模层119a的叠层结构。在此，在像素电极111c的侧面具有锥形形状时，在EL层113c中形成锥形部137c。锥形部137c例如形成在像素电极111c的侧面与掩模层118b之间。与锥形部137a的锥角及锥形部137b的锥角同样，锥形部137c的锥角可以小于90°。
注意，EL层113a、EL层113b、EL层113c的侧面端部优选各自垂直于或大致垂直于被形成面。例如，被形成面与这些侧面所形成的角度优选为60度以上且90度以下。
如上所述，通过利用光刻法加工各EL膜，可以使各像素间的距离缩小到8μm以下、5μm以下、3μm以下、2μm以下或1μm以下。在此，例如可以根据EL层113a、EL层113b及EL层113c中相邻的两个层的相对端部之间的距离规定各像素间的距离。如此，通过缩小各像素间的距离，可以提供具有高清晰度及高开口率的显示装置。
接着，如图10A所示，去除掩模层119a、掩模层119b及掩模层119c。由此，在像素电极111a上掩模层118a露出，在像素电极111b上掩模层118b露出，在像素电极111c上掩模层118c露出。此外，在导电层123上掩模层118a露出。
注意，也可以不去除掩模层119a、掩模层119b及掩模层119c而进入绝缘膜125A的形成工序。
作为掩模层的去除工序可以使用与掩模膜的加工工序同样的方法。尤其是，通过使用湿蚀刻法，与使用干蚀刻法的情况相比，可以减少在去除掩模层时EL层113a、EL层113b及EL层113c受到的损伤。
另外，也可以将掩模层溶解于水或醇等的溶剂来去除。作为醇，可以举出乙醇、甲醇、异丙醇(IPA)及甘油等。
在去除掩模层之后，为了去除包括在EL层中的水及附着于EL层表面的水，也可以进行干燥处理。例如，也可以在惰性气体气氛或减压气氛下进行加热处理。加热处理可以在50℃以上且200℃以下，优选为60℃以上且150℃以下，更优选为70℃以上且120℃以下的衬底温度下进行。通过采用减压气氛，可以以更低温进行干燥，所以是优选的。
接着，如图10A所示，以覆盖EL层113a、EL层113b、EL层113c、掩模层118a、掩模层118b及掩模层118c的方式形成绝缘膜125A。
绝缘膜125A是将在后面成为绝缘层125的层。因此，绝缘膜125A可以使用能够用于绝缘层125的材料。此外，绝缘膜125A的厚度优选为3nm以上、5nm以上或10nm以上且200nm以下、150nm以下、100nm以下或50nm以下。
由于绝缘膜125A以与EL层113的侧面接触的方式形成，所以优选以EL层113受到的损伤少的形成方法进行沉积。此外，绝缘膜125A在低于EL层113的耐热温度的温度下形成。形成绝缘膜125A时的衬底温度典型地为200℃以下，优选为180℃以下，更优选为160℃以下，进一步优选为150℃以下，更进一步优选为140℃以下。注意，绝缘膜125A的形成以后的工序也以低于EL层113的耐热温度的温度进行。
作为绝缘膜125A，例如可以利用ALD法、蒸镀法、溅射法、CVD法或PLD法形成无机绝缘膜。例如，优选利用ALD法形成绝缘膜125A。通过利用ALD法可以减少沉积损伤，并且可以沉积覆盖性高的膜，所以是优选的。在此，绝缘膜125A可以使用与掩模层118a、掩模层118b及掩模层118c同样的材料及同样的方法沉积。此时，有时绝缘膜125A与掩模层118a、掩模层118b及掩模层118c的边界不明确。
接着，如图10A所示，在绝缘膜125A上形成遮光膜135A。
遮光膜135A是将在后面成为遮光层135的层。因此，遮光膜135A可以使用可用于遮光层135的材料，例如可以使用硅。另外，遮光膜135A的膜厚度优选为3nm以上或5nm以上且200nm以下、150nm以下、100nm以下、50nm以下或10nm以下。遮光膜135A可以通过与能够用于绝缘膜125A的形成的方法同样的方法形成。
接着，如图10B所示，利用涂布法在遮光膜135A上形成绝缘膜127A。
绝缘膜127A是将在后面工序中成为绝缘层127的膜，绝缘膜127A可以使用上述有机材料。作为有机材料，优选使用感光性有机树脂，例如可以使用感光性丙烯酸树脂。此外，绝缘膜127A的粘度为1cP以上且1500cP以下即可，优选为1cP以上且12cP以下。通过将绝缘膜127A的粘度设定在上述范围内，可以较容易地形成如图3A及图5A等所示那样的具有锥形形状的绝缘层127。
对绝缘膜127A的形成方法没有特别的限制，例如也可以适当地利用旋涂法、浸渍法、喷涂法、喷墨法、分配器法、丝网印刷法、胶版印刷法、刮刀法、狭缝式涂布法、辊涂法、帘式涂布法、刮刀式涂布法等湿式沉积方法形成。尤其是，优选利用旋涂法形成绝缘膜127A。
优选在利用涂布法形成绝缘膜127A后进行加热处理。该加热处理以低于EL层的耐热温度的温度进行。加热处理时的衬底温度可以为50℃以上且200℃以下，优选为60℃以上且150℃以下，更优选为70℃以上且120℃以下。由此，可以去除绝缘膜127A中的溶剂。
接着，如图10C所示，对绝缘膜127A的一部分进行曝光。例如，对绝缘膜127A的一部分照射紫外光。此外，也可以对绝缘膜127A的一部分照射可见光。以下，以通过照射紫外光来对绝缘膜127A及由绝缘膜127A形成的层进行曝光而说明。
这里，在绝缘膜127A使用正型丙烯酸树脂时，对在后面的工序中不形成绝缘层127的区域使用掩模照射紫外光即可。绝缘层127形成在由像素电极111a、像素电极111b和像素电极111c中的任两个夹持的区域中，所以使用掩模对像素电极111a上、像素电极111b上及像素电极111c上照射紫外光即可。
另外，图10C示出作为绝缘膜127A使用正型感光性有机绝缘膜且对不形成绝缘层127的区域照射紫外光的例子，但是本发明不局限于此。例如，作为绝缘膜127A也可以使用负型感光性有机绝缘膜。此时，对形成绝缘层127的区域照射紫外光即可。
在此，在不设置遮光膜135A的情况下，有时在对绝缘膜127A进行曝光时紫外光照射到EL层113。由此，有时EL层113受到损伤。另一方面，在本发明的一个方式的显示装置的制造方法中，紫外光被遮光膜135A遮蔽。因此，可以抑制在对绝缘膜127A进行曝光时紫外光照射到EL层113而EL层113受到损伤。由此，可以制造可靠性高的显示装置。
另外，在以具有锥形部137的方式形成EL层113时，例如与以从显示装置的截面看时相当于锥形部137的部分呈垂直的方式形成EL层113的情况相比，在对绝缘膜127A进行曝光时紫外光容易照射到EL层113。于是，通过设置遮光膜135A，例如可以抑制锥形部137也被照射紫外光，而可以抑制EL层113受到的损伤。如上所述，在本发明的一个方式的显示装置的制造方法中，可以在提高EL层113对像素电极111的覆盖性的同时抑制EL层113受到损伤。由此，可以制造可靠性高的显示装置。
遮光膜135A例如具有吸收或反射在对绝缘膜127A进行的曝光工序中照射到绝缘膜127A的光中的至少一部分波长的光的功能。例如，遮光膜135A对在对绝缘膜127A进行的曝光工序中照射到绝缘膜127A的光中的至少一部分波长的光的透过率为10％以下，优选为1％以下，更优选为0.1％以下。
通过在可以成为无机绝缘膜的绝缘膜125A上形成遮光膜135A，可以防止遮光膜135A与EL层113接触。因此，与不形成绝缘膜125A的情况相比，可以扩大遮光膜135A的材料的选择范围。例如，可以将在与EL层113接触时可能会对EL层113带来损伤的材料用于遮光膜135A。另外，可以将在形成遮光膜135A时EL层113露出时有可能对EL层113带来损伤的方法用于遮光膜135A的形成。再者，可以使用金属等具有导电性的材料形成遮光膜135A。注意，例如在使用即使与EL层113接触也不会对EL层113带来损伤且具有绝缘性的材料形成遮光膜135A的情况下，也可以不形成绝缘膜125A。
接着，如图11A所示，进行显影去除绝缘膜127A的曝光区域，由此形成绝缘层127B。绝缘层127B形成在由像素电极111a、像素电极111b和像素电极111c中的任两个夹持的区域中。在此，在作为绝缘膜127A使用丙烯酸树脂时，作为显影液优选使用碱性溶液，例如可以使用四甲基氢氧化铵水溶液(TMAH)。
接着，如图11B所示，优选对衬底整体进行曝光来对绝缘层127B照射紫外光。该曝光的能量密度可以大于0mJ/cm2且为800mJ/cm2以下，优选大于0mJ/cm2且为500mJ/cm2以下。通过在显影之后进行该曝光，有时可以提高绝缘层127B的透明度。另外，有时可以降低后面工序中的使绝缘层127B的侧面变形为锥形形状的加热处理所需的衬底温度。通过设置遮光膜135A，还可以抑制在本工序中紫外光照射到EL层113而EL层113受到损伤。
接着，如图11C所示，通过进行加热处理，可以使绝缘层127B变为侧面具有锥形形状的绝缘层127。该加热处理以低于EL层的耐热温度的温度进行。加热处理时的衬底温度可以为50℃以上且200℃以下，优选为60℃以上且150℃以下，更优选为70℃以上且130℃以下。在本工序的加热处理中，优选与涂布绝缘层127后的加热处理相比使衬底温度更高。由此，可以提高绝缘层127与绝缘膜125A的密接性，还可以提高绝缘层127的耐腐蚀性。
如上所述，优选的是，在从显示装置的截面看时绝缘层127在侧面具有锥角θ1的锥形形状。另外，在从显示装置的截面图看时绝缘层127的顶面优选具有凸曲面形状。
在此，绝缘层127优选以一个端部与像素电极111a重叠且另一个端部与像素电极111b重叠的方式缩小。或者，绝缘层127优选以一个端部与像素电极111b重叠且另一个端部与像素电极111c重叠的方式缩小。或者，绝缘层127优选以一个端部与像素电极111c重叠且另一个端部与像素电极111a重叠的方式缩小。通过采用这种结构，可以在EL层113a(EL层113b)的大致平坦的区域上形成绝缘层127的端部。由此，比较容易通过上述加工形成绝缘层127的锥形形状。
注意，在可以仅通过图11C所示的加热处理将绝缘层127的侧面加工成锥形形状时，也可以不进行图11B所示的曝光。
另外，优选在将绝缘层127的侧面加工成锥形形状之后还进行加热处理。通过进行该加热处理，可以去除含在EL层113中的水及附着于EL层表面的水等。例如，可以在惰性气体气氛或减压气氛下进行加热处理。加热处理可以在80℃以上且230℃以下，优选在80℃以上且200℃以下，更优选在80℃以上且100℃以下的衬底温度下进行。通过采用减压气氛，可以以更低温进行脱水，所以是优选的。
另外，也可以进行蚀刻以便调整绝缘层127的表面的高度。绝缘层127例如也可以通过利用氧等离子体的灰化被加工。
接着，如图12A所示，加工遮光膜135A及绝缘膜125A。另外，对掩模层118a、掩模层118b及掩模层118c进行加工。通过上述加工，使EL层113a、EL层113b、EL层113c及导电层123露出。
遮光膜135A、绝缘膜125A及掩模层118可以通过不同的工序加工，具体而言可以在不同的条件下加工。例如，可以在利用蚀刻法加工遮光膜135A之后利用蚀刻法加工绝缘膜125A，然后利用蚀刻法加工掩模层118。或者，例如可以在利用蚀刻法加工遮光膜135A之后利用蚀刻法加工绝缘膜125A及掩模层118。换言之，也可以通过同一工序，具体而言在同一条件下对绝缘膜125A及掩模层118进行加工。例如，在掩模层118及绝缘膜125A为使用相同材料形成的膜的情况下，可以在同一工序中对它们进行加工。注意，例如在可以在同一条件下加工遮光膜135A、绝缘膜125A及掩模层118的情况下，可以在同一工序中加工遮光膜135A、绝缘膜125A及掩模层118。
遮光膜135A的加工例如可以利用干蚀刻法进行。在此情况下，例如优选将包含SF6、CF4、HBr、Cl2、BCl3、H2、O2或者Ar、He等贵气体中的一种以上的气体用作蚀刻气体。
如图12A所示，遮光膜135A及绝缘膜125A中的与绝缘层127重叠的区域作为遮光层135及绝缘层125残留。另外，掩模层118a、掩模层118b及掩模层118c中的与绝缘层127重叠的区域也残留。
例如，绝缘层125以覆盖EL层113的侧面及顶面的一部分的方式设置。由此，可以抑制将在后面形成的膜与这些层的侧面接触，而可以抑制发光元件短路。此外，可以抑制在后面的工序中EL层113受到的损伤。
掩模层118的加工可以以与可用于掩模层119的加工的方法同样的方法进行。另外，绝缘膜125A的加工也可以以与可用于掩模层118的加工或掩模层119的加工的方法同样的方法进行。
接着，如图12B所示，在EL层113上及绝缘层127上形成公共层114。
图12B所示的沿着Y1-Y2的截面图示出连接部140中没有设置公共层114的例子。如图12B所示，优选的是，公共层114的连接部140一侧的端部位于连接部140的内侧。例如，在沉积公共层114时，优选使用用来规定沉积范围的掩模(也称为范围掩模或粗金属掩模等)。
注意，根据公共层114的导电性的大小，连接部140中也可以设置有公共层114。通过采用这种结构，可以形成图2B2所示的具有导电层123通过公共层114与公共电极115电连接的结构的连接部140。
能够用于公共层114的材料为如上所述那样的材料。公共层114可以通过蒸镀法(包括真空蒸镀法)、转印法、印刷法、喷墨法、涂布法等的方法形成。此外，公共层114也可以使用预混材料形成。
在公共层114的导电性高的情况下，有像素电极111的侧面或EL层113的侧面与公共层114接触而发光元件短路的担忧。但是，在本发明的一个方式的显示装置中，绝缘层125、遮光层135及绝缘层127覆盖EL层113的侧面，EL层113覆盖像素电极111的侧面。因此，可以抑制导电性高的公共层114与这些层的侧面接触，而可以抑制发光元件短路。由此，可以提高发光元件的可靠性。
另外，由于EL层113a与EL层113b间的空间及EL层113b与EL层113c间的空间填充有绝缘层125、遮光层135及绝缘层127，所以与不设置绝缘层125、遮光层135及绝缘层127的情况相比公共层114的被形成面的台阶小，成为平坦。由此，可以提高公共层114的覆盖性。
然后，如图12C所示，在公共层114及导电层123上形成公共电极115。由此，导电层123与公共电极115直接接触而电连接。通过采用这种结构，可以形成图2B2所示的具有导电层123的顶面与公共电极115接触的结构的连接部140。
在沉积公共电极115时，也可以使用用来规定沉积范围的掩模(也称为范围掩模或粗金属掩模等)。或者，也可以在沉积公共电极115时不使用该掩模而在沉积将成为公共电极115的膜后例如使用抗蚀剂掩模来加工将成为公共电极115的膜。
能够用作公共电极115的材料为如上所述那样的材料。公共电极115例如可以利用溅射法或真空蒸镀法形成。或者，也可以层叠利用蒸镀法形成的膜和利用溅射法形成的膜。
然后，在公共电极115上形成保护层131。再者，通过使用粘合层122在保护层131上贴合衬底120，可以制造图2A及图2B2所示的显示装置100。
上述为能够用于保护层131的材料及沉积方法。作为保护层131的沉积方法，可以举出真空蒸镀法、溅射法、CVD法及ALD法等。另外，保护层131也可以具有单层结构或叠层结构。
在本发明的一个方式的显示装置中，通过在各子像素中设置岛状EL层，可以抑制在子像素间产生泄漏电流。另外，如上所述，通过在各发光元件间设置无机绝缘层与有机绝缘层的叠层结构体，可以防止在该叠层结构体上的公共层及公共电极中形成断开部分及局部膜厚度较薄的部分。因此，可以抑制在公共层及公共电极中发生起因于断开部分的连接不良以及起因于局部膜厚度较薄的部分的电阻上升。由此，本发明的一个方式的显示装置可以同时实现高清晰度和高显示品质。
[显示装置的制造方法例子_2]
参照图13A至图17B说明图4A及图4B2等所示的显示装置的制造方法例子。在图13A至图17B中并排示出沿着图1中的点划线X1-X2的截面图及Y1-Y2的截面图。以下，主要说明与图13A至图17B所示的工序不同的工序。
首先，进行与图8A至图11C所示的工序相同的工序。由此，制造图13A所示的结构。
接着，如图13B所示，将绝缘层127C用作掩模进行蚀刻处理，对遮光膜135A进行加工。由此，形成遮光层135。如上所述，遮光膜135A的加工例如可以利用干蚀刻法进行。
接着，如图14A所示，将绝缘层127C用作掩模进行蚀刻处理来加工绝缘膜125A，减小掩模层118a、掩模层118b及掩模层118c的膜厚度。由此，在绝缘层127C下形成绝缘层125。图14B是图14A的EL层113b及绝缘层127C附近的截面放大图。
上述蚀刻处理可以通过干蚀刻或湿蚀刻进行。注意，当使用与掩模膜118A、掩模膜118B及掩模膜118C同样的材料及同样的方法沉积绝缘膜125A时，通过上述蚀刻处理可以一次性地进行绝缘膜125A的一部分的去除以及掩模膜118A、掩模膜118B及掩模膜118C的薄膜化，所以是优选的。另外，例如在可以以同一蚀刻条件加工遮光膜135A、绝缘膜125A及掩模层118的情况下，可以在同一工序中加工遮光膜135A、绝缘膜125A及掩模层118。
例如，如图14B所示，通过使用侧面具有锥形形状的绝缘层127C作为掩模进行干蚀刻，可以较容易地将绝缘层125的侧面以及掩模层118a、掩模层118b及掩模层118c的侧面上端部形成为锥形形状。
当进行干蚀刻时，优选使用氯类气体。作为氯类气体，可以使用Cl2、BCl3、SiCl4及CCl4等中的一种气体或混合上述两种以上的气体。另外，可以将氧气体、氢气体、氦气体及氩气体等中的一种气体或混合上述两种以上的气体适当地添加到上述氯类气体。通过利用干蚀刻，可以以良好的面内均匀性形成掩模层118a、掩模层118b及掩模层118c的膜厚度薄的区域。
作为干蚀刻装置，可以使用具有高密度等离子体源的干蚀刻装置。作为具有高密度等离子体源的干蚀刻装置，例如可以使用感应耦合等离子体(ICP：Inductively CoupledPlasma)蚀刻装置。或者，可以使用包括平行平板型电极的电容耦合型等离子体(CCP：Capacitively Coupled Plasma)蚀刻装置。包括平行平板型电极的电容耦合等离子体蚀刻装置也可以采用对平行平板型电极中的一个施加高频电压的结构。或者，也可以采用对平行平板型电极中的一个施加不同的多个高频电压的结构。或者，也可以采用对平行平板型电极的各个施加频率相同的高频电压的结构。或者，也可以采用对平行平板型电极的各个施加频率不同的高频电压的结构。
另外，当进行干蚀刻时，有时例如干蚀刻中产生的副产物堆积于绝缘层127C的顶面及侧面等。由此，蚀刻气体中的成分、遮光膜135A中的成分、绝缘膜125A中的成分、掩模层118a、掩模层118b及掩模层118c中的成分等有时包含在绝缘层127C中。
另外，在通过湿蚀刻进行上述蚀刻处理的情况下，例如可以使用与将在后面说明的图16B的湿蚀刻同样的方法进行。
如图14B所示，在本蚀刻处理中不完全去除掩模层118a、掩模层118b及掩模层118c，在膜厚度变小的状态下停止蚀刻处理。如此，通过在EL层113a、EL层113b及EL层113c上留下所对应的掩模层118a、掩模层118b及掩模层118c，可以抑制在后面的工序中的处理中EL层113a、EL层113b及EL层113c受到损伤。
注意，例如，虽然在图14A所示的结构中掩模层118a、掩模层118b及掩模层118c的膜厚度变小，但本发明不局限于此。例如，根据掩模层118a、掩模层118b及掩模层118c的膜厚度，有时在绝缘膜125A被加工为绝缘层125之前停止蚀刻处理。另外，当使用与掩模层118a、掩模层118b及掩模层118c同样的材料及同样的方法沉积绝缘膜125A时，有时绝缘膜125A与掩模层118a、掩模层118b及掩模层118c的边界不清楚，而不能判断是否形成有绝缘层125。
接着，如图15A及图15B所示，进行等离子体处理缩小绝缘层127C，由此形成绝缘层127。该等离子体处理可以使用上述干蚀刻装置进行。在该情况下，不施加偏压而在氧气氛下进行即可。图15B是图15A的EL层113b及绝缘层127附近的截面放大图。
如图15B所示，通过该等离子体处理绝缘层127的侧面端部缩退，遮光层135的顶面露出。以与其顶面露出的遮光层135重叠的方式设置绝缘层125。由此，例如可以抑制在后面的工序中进行的绝缘层125的蚀刻中侧面蚀刻深度进行到绝缘层127的下方。
此外，通过该等离子体处理缩小绝缘层127C，也可以调整绝缘层127的高度。
另外，由于绝缘层127以与绝缘层127C大致相似的形状缩小，所以如图5B所示，绝缘层127的侧面具有锥角θ2的锥形形状并且在从显示装置的截面看时顶面具有凸曲面形状。通过作为绝缘层127采用上述形状，可以以高覆盖性将公共层114及公共电极115沉积在绝缘层127的整个顶面上。
接着，如图16A所示，将绝缘层127用作掩模进行蚀刻处理，加工遮光膜135A，由此形成遮光层135。该蚀刻处理可以以与在图13B所示的工序中进行的遮光膜135A的加工同样的条件进行，但是优选采用与绝缘层125的选择比高的蚀刻条件。例如，可以将包含SF6的气体用作蚀刻气体。
接着，如图16B及图16C所示，将绝缘层127用作掩模进行蚀刻处理，对掩模层118a、掩模层118b、掩模层118c及绝缘层125进行加工。由此，开口分别形成在掩模层118a、掩模层118b及掩模层118c中，EL层113a、EL层113b、EL层113c及导电层123的顶面露出。图16C是图16B的EL层113b及绝缘层127附近的截面放大图。
上述蚀刻处理优选通过湿蚀刻进行。通过利用湿蚀刻法，与利用干蚀刻法的情况相比，可以减少EL层113a、EL层113b及EL层113c受到的损伤。湿蚀刻例如可以使用碱溶液进行。在使用碱溶液的情况下，优选使用四甲基氢氧化铵水溶液(TMAH)。此时，可以以涂胶方式进行湿蚀刻。注意，在使用与掩模膜118A、掩模膜118B及掩模膜118C同样的材料及同样的方法沉积绝缘膜125A时，可以通过上述蚀刻处理一起去除掩模膜118A、掩模膜118B、掩模膜118C及绝缘层125各自的一部分，所以是优选的。另外，例如在可以以同一蚀刻条件对遮光层135、绝缘层125及掩模层118进行加工的情况下，可以在同一工序中对遮光层135、绝缘层125及掩模层118进行加工。
通过上述蚀刻处理，例如如图16C所示，在掩模层118b及绝缘层125中，在EL层113b及像素电极111b上形成突出部116。在从截面看时突出部116位于绝缘层127的外侧。注意，虽然未在放大截面图中示出，但是在EL层113a及像素电极111a上、EL层113c及像素电极111c上以及导电层123上也同样地形成突出部116。
如图5B所示，突出部116优选在从显示装置的截面看时在其侧面具有锥角θ3的锥形形状。通过使突出部116具有上述正锥形形状，例如可以在设置在突出部116上的公共层114及公共电极115中以高覆盖性沉积EL层113而不产生断开。
另外，如图5B所示，绝缘层125在突出部116中包括膜厚度薄于与绝缘层127重叠的部分的部分，即凹陷部133。
如上所述，通过设置绝缘层127、绝缘层125、掩模层118a、掩模层118b及掩模层118c，在各发光元件间，可以抑制公共层114及公共电极115中发生起因于断开部分的连接不良及起因于局部膜厚度较薄的部分的电阻上升。由此，本发明的一个方式的显示装置可以为显示质量高的显示装置。
接着，如图17A所示，在EL层113上及绝缘层127上形成公共层114。公共层114可以使用与图12B所示的方法同样的方法形成。
在图17A所示的沿着Y1-Y2的截面图中示出公共层114不设置于连接部140的例子。如上所述，优选的是，公共层114的连接部140一侧的端部位于连接部140的内侧。
此外，如上所述，根据公共层114的导电性的大小，连接部140中也可以设置有公共层114。通过采用这种结构，可以形成图4B1所示的具有导电层123通过公共层114与公共电极115电连接的结构的连接部140。
然后，如图17B所示，在公共层114上及导电层123上形成公共电极115。由此，导电层123与公共电极115直接接触而电连接。通过采用这种结构，可以形成图4B2所示的具有导电层123的顶面与公共电极115接触的结构的连接部140。公共电极115可以使用与图12C所示的方法同样的方法形成。
然后，在公共电极115上形成保护层131。再者，通过使用粘合层122在保护层131上贴合衬底120，可以制造图4A及图4B2所示的结构的显示装置100。
[像素的布局]
以下，主要说明与图1不同的像素布局。对发光元件(子像素)的排列没有特别的限制，可以采用各种排列方法。
作为子像素的顶面形状，例如可以举出三角形、四角形(包括长方形、正方形)、五角形等多角形、这些多角形的角部呈圆形的形状、椭圆形以及圆形等。在此，子像素的顶面形状相当于发光元件的发光区域的顶面形状。
图18A所示的像素150采用S条纹排列。图18A所示的像素150由子像素110a、子像素110b、子像素110c构成。例如，子像素110a、子像素110b及子像素110c可以分别呈现蓝色、红色及绿色。
图18B所示的像素150包括具有角部呈圆形的近似梯形的顶面形状的子像素110a、具有角部呈圆形的近似三角形的顶面形状的子像素110b以及具有角部呈圆形的近似四角形或近似六角形的顶面形状的子像素110c。此外，子像素110a的发光面积比子像素110b大。如此，各子像素的形状及尺寸可以分别独立决定。例如，包括可靠性高的发光元件的子像素的尺寸可以更小。例如，子像素110a、子像素110b及子像素110c可以分别呈现绿色、红色及蓝色。
图18C所示的像素124a及像素124b采用Pentile排列。图18C示出交替配置包括子像素110a及子像素110b的像素124a以及包括子像素110b及子像素110c的像素124b的例子。例如，子像素110a、子像素110b及子像素110c可以分别呈现红色、绿色及蓝色。
图18D及图18E所示的像素124a及像素124b采用Delta排列。像素124a在上面的行(第一行)包括两个子像素110(子像素110a及子像素110b)，在下面的行(第二行)包括一个子像素110(子像素110c)。像素124b在上面的行(第一行)包括一个子像素110(子像素110c)，在下面的行(第二行)包括两个子像素110(子像素110a及子像素110b)。例如，子像素110a、子像素110b及子像素110c可以分别呈现红色、绿色及蓝色。
图18D示出各子像素具有角部呈圆形的近似四角形的顶面形状的例子，图18E示出各子像素具有圆形的顶面形状的例子。
图18F示出各颜色的子像素110配置为锯齿形状的例子。具体而言，在俯视时，在列方向上排列的两个子像素110(例如，子像素110a与子像素110b或者子像素110b与子像素110c)的上边的位置错开。例如，子像素110a、子像素110b及子像素110c可以分别呈现红色、绿色及蓝色。
在光刻法中，被加工的图案越微细越不能忽视光的衍射所带来的影响，所以在通过曝光转移光掩模的图案时其忠实性变坏，难以将抗蚀剂掩模加工为所希望的形状。因此，即使光掩模的图案为矩形，也易于形成角部呈圆形的图案。因此，发光元件的顶面形状有时呈角部呈圆形的多角形形状、椭圆形或圆形等。
并且，在本发明的一个方式的显示装置的制造方法中，使用抗蚀剂掩模将EL层加工为岛状。形成在EL层上的抗蚀剂膜需要以低于EL层的耐热温度的温度固化。因此，根据EL层的材料的耐热温度及抗蚀剂材料的固化温度而有时抗蚀剂膜的固化不充分。固化不充分的抗蚀剂膜在被加工时有时呈远离所希望的形状的形状。其结果是，EL层的顶面形状有时为角部呈圆形的多角形形状、椭圆形或圆形等。例如，当要形成顶面形状为正方形的抗蚀剂掩模时，有时形成圆形顶面形状的抗蚀剂掩模而EL层的顶面形状呈圆形。
为了使EL层的顶面形状呈所希望的形状，也可以利用以设计图案与转移图案一致的方式预先校正掩模图案的技术(OPC(Optical Proximity Correction：光学邻近效应修正)技术)。具体而言，在OPC技术中，例如对掩模图案上的图形角部追加校正用图案。
以上说明了像素的布局。
本实施方式的至少一部分可以与本说明书所记载的其他实施方式适当地组合而实施。
(实施方式2)
在本实施方式中，参照附图说明本发明的一个方式的显示装置。
本实施方式的显示装置可以为高清晰显示装置。例如，可以将本发明的一个方式的显示装置用作手表型及手镯型等信息终端设备(可穿戴设备)的显示部以及头戴显示器等面向VR的设备及眼镜型面向AR的设备等可戴在头上的可穿戴设备的显示部。
[显示模块]
图19A示出显示模块280的立体图。显示模块280包括显示装置200A及FPC290。注意，显示模块280所包括的显示装置不局限于显示装置200A，也可以是将在后面说明的显示装置200B至显示装置200F中的任一个。
显示模块280包括衬底291及衬底292。显示模块280包括显示部281。显示部281是显示图像的区域。
图19B示出衬底291一侧的结构的立体示意图。衬底291上层叠有电路部282、电路部282上的像素电路部283及该像素电路部283上的像素部284。此外，衬底291的不与像素部284重叠的部分上设置有用来连接到FPC290的端子部285。端子部285与电路部282通过由多个布线构成的布线部286电连接。
像素部284包括周期性地排列的多个像素284a。图19B的右侧示出一个像素284a的放大图。像素284a例如包括呈现红色光的子像素110a、呈现绿色光的子像素110b以及呈现蓝色光的子像素110c等。
像素电路部283包括周期性地排列的多个像素电路283a。一个像素电路283a控制一个像素284a所包括的三个发光元件的发光。一个像素电路283a可以由三个控制一个发光元件的发光的电路构成。例如，像素电路283a可以采用对于一个发光元件至少具有一个选择晶体管、一个电流控制用晶体管(驱动晶体管)和电容器的结构。此时，选择晶体管的栅极被输入栅极信号，源极或漏极中的一方被输入视频信号。由此，实现有源矩阵型显示装置。
电路部282包括用于驱动像素电路部283的各像素电路283a的电路。例如，优选包括栅极线驱动电路和信号线驱动电路中的一方或双方。此外，还可以具有运算电路、存储电路和电源电路等中的至少一个。此外，设置在电路部282中的晶体管也可以构成像素电路283a的一部分。就是说，也可以由像素电路部283所包括的晶体管及电路部282所包括的晶体管构成像素电路283a。
FPC290用作从外部向电路部282供应视频信号或电源电位等的布线。此外，也可以在FPC290上安装IC。
显示模块280可以采用像素部284的下侧层叠有像素电路部283和电路部282中的一方或双方的结构，所以可以使显示部281具有极高的开口率(有效显示面积比)。例如，显示部281的开口率可以为40％以上且低于100％，优选为50％以上且95％以下，更优选为60％以上且95％以下。此外，能够极高密度地配置像素284a，由此可以使显示部281具有极高的清晰度。例如，显示部281优选以20000ppi以下或30000ppi以下且2000ppi以上、更优选为3000ppi以上、进一步优选为5000ppi以上、更进一步优选为6000ppi以上的清晰度配置像素284a。
这种高清晰显示模块280适合用于头戴式显示器等面向VR的设备或眼镜型面向AR的设备。例如，因为显示模块280具有极高清晰度的显示部281，所以在透过透镜观看显示模块280的显示部的结构中，即使用透镜放大显示部也使用者不能看到像素，由此可以实现具有高度沉浸感的显示。此外，显示模块280还可以应用于具有相对较小型的显示部的电子设备。例如，适合用于手表型设备等可穿戴式电子设备的显示部。
[显示装置200A]
图20所示的显示装置200A包括衬底301、发光元件130a、发光元件130b、发光元件130c、电容器240及晶体管310。
衬底301相当于图19A及图19B中的衬底291。
晶体管310是在衬底301中具有沟道形成区域的晶体管。作为衬底301，例如可以使用如单晶硅衬底等半导体衬底。晶体管310包括衬底301的一部分、导电层311、低电阻区域312、绝缘层313及绝缘层314。导电层311被用作栅电极。绝缘层313位于衬底301与导电层311之间，并被用作栅极绝缘层。低电阻区域312是衬底301中掺杂有杂质的区域，并被用作源极或漏极。绝缘层314覆盖导电层311的侧面。
此外，在相邻的两个晶体管310之间，以嵌入衬底301的方式设置有元件分离层315。
此外，以覆盖晶体管310的方式设置有绝缘层261，并绝缘层261上设置有电容器240。
电容器240包括导电层241、导电层245及位于它们之间的绝缘层243。导电层241用作电容器240的一个电极，导电层245用作电容器240的另一个电极，并且绝缘层243用作电容器240的介电质。
导电层241设置在绝缘层261上，并嵌入于绝缘层254中。导电层241通过嵌入于绝缘层261中的插头271与晶体管310的源极和漏极中的一个电连接。绝缘层243以覆盖导电层241的方式设置。导电层245设置在隔着绝缘层243与导电层241重叠的区域中。
覆盖电容器240设置有绝缘层255a，绝缘层255a上设置有绝缘层255b，绝缘层255b上设置有绝缘层255c。
绝缘层255c上设置有发光元件130a、发光元件130b及发光元件130c。发光元件130a、发光元件130b及发光元件130c的结构可以援用实施方式1。
显示装置200A按各发光颜色分别形成发光元件130，所以低亮度的发光和高亮度的发光之间的色度变化小。另外，由于EL层113a、EL层113b及EL层113c彼此分离且隔开，所以即使是高清晰显示装置也可以抑制相邻的子像素间的串扰的产生。因此，可以实现清晰度高且显示品质高的显示装置。
相邻的发光元件130间设置有掩模层118、绝缘层125、遮光层135及绝缘层127。
发光元件130的像素电极111a、像素电极111b及像素电极111c通过埋入于绝缘层243、绝缘层255a、绝缘层255b及绝缘层255c中的插头256、埋入于绝缘层254中的导电层241以及埋入于绝缘层261中的插头271与晶体管310的源极和漏极中的一个电连接。绝缘层255c的顶面的高度与插头256的顶面的高度一致或大致一致。插头可以使用各种导电性材料。
另外，发光元件130上设置有保护层131。保护层131上由粘合层122贴合有衬底120。
相邻的两个像素电极111间不设置有覆盖像素电极111的顶面端部的绝缘层。因此，可以使相邻的发光元件130的距离极小。因此，可以实现高清晰或高分辨率的显示装置。
[显示装置200B]
图21所示的显示装置200B具有层叠有分别在半导体衬底中形成沟道的晶体管310A及晶体管310B的结构。注意，在下面的显示装置的说明中，有时省略说明与先前说明的显示装置同样的部分。
显示装置200B具有贴合设置有晶体管310B、电容器240及发光元件130的衬底301B与设置有晶体管310A的衬底301A的结构。
这里，衬底301B的底面设置有绝缘层345，设置在衬底301A上的绝缘层261上设置有绝缘层346。绝缘层345及绝缘层346是被用作保护层的绝缘层，并可以抑制杂质扩散到衬底301B及衬底301A。作为绝缘层345及绝缘层346可以使用能够用于保护层131的无机绝缘膜。
衬底301B设置有穿过衬底301B及绝缘层345的插头343。这里，优选覆盖插头343的侧面设置用作保护层的绝缘层344。
另外，衬底301B中绝缘层345的下侧设置有导电层342。导电层342嵌入于绝缘层335，导电层342及绝缘层335的底面被平坦化。另外，导电层342与插头343电连接。
另一方面，在衬底301A与衬底301B之间绝缘层346上设置有导电层341。导电层341嵌入于绝缘层336，导电层341及绝缘层336的顶面被平坦化。
作为导电层341及导电层342，优选使用相同的导电材料。例如，可以使用包含选自Al、Cr、Cu、Ta、Ti、Mo和W中的元素的金属膜或以上述元素为成分的金属氮化物膜(氮化钛膜、氮化钼膜或氮化钽膜)等。作为导电层341及导电层342尤其优选使用铜。由此，可以采用Cu-Cu(铜-铜)直接接合技术(通过彼此连接Cu(铜)的焊盘来进行电导通的技术)。
[显示装置200C]
图22所示的显示装置200C具有导电层341及导电层342通过凸块347接合的结构。
如图22所示，通过在导电层341与导电层342之间设置凸块347，可以使导电层341与导电层342电连接。凸块347例如可以使用包含金(Au)、镍(Ni)、铟(In)或锡(Sn)等的导电材料形成。此外，例如，有时作为凸块347使用焊料。此外，也可以在绝缘层345与绝缘层346之间设置粘合层348。此外，在设置凸块347时，也可以不设置绝缘层335及绝缘层336。
[显示装置200D]
图23所示的显示装置200D与显示装置200A的主要不同之处在于晶体管的结构。
晶体管320是在形成沟道的半导体层中使用金属氧化物(也称为氧化物半导体)的晶体管(OS晶体管)。
晶体管320包括半导体层321、绝缘层323、导电层324、一对导电层325、绝缘层326及导电层327。
衬底331相当于图19A及图19B中的衬底291。
在衬底331上设置有绝缘层332。绝缘层332被用作阻挡层，该阻挡层防止水或氢等杂质从衬底331扩散到晶体管320且防止氧从半导体层321向绝缘层332一侧脱离。作为绝缘层332，例如可以使用与氧化硅膜相比氢或氧不容易扩散的膜诸如氧化铝膜、氧化铪膜或氮化硅膜等。
在绝缘层332上设置有导电层327，并以覆盖导电层327的方式设置有绝缘层326。导电层327用作晶体管320的第一栅电极，绝缘层326的一部分用作第一栅极绝缘层。绝缘层326中的至少接触半导体层321的部分优选使用氧化硅膜等氧化物绝缘膜。绝缘层326的顶面优选被平坦化。
半导体层321设置在绝缘层326上。半导体层321优选含有呈现半导体特性的金属氧化物膜。一对导电层325接触半导体层321上并用作源电极及漏电极。
以覆盖一对导电层325的顶面及侧面以及半导体层321的侧面等的方式设置有绝缘层328，绝缘层328上设置有绝缘层264。绝缘层328被用作阻挡层，例如，该阻挡层防止水或氢等杂质从绝缘层264等扩散到半导体层321以及氧从半导体层321脱离。作为绝缘层328，可以使用与上述绝缘层332同样的绝缘膜。
绝缘层328及绝缘层264中设置有到达半导体层321的开口。该开口的内部嵌入有接触于半导体层321的顶面的绝缘层323、以及导电层324。导电层324被用作第二栅电极，绝缘层323被用作第二栅极绝缘层。
导电层324的顶面、绝缘层323的顶面及绝缘层264的顶面被进行平坦化处理以它们的高度都一致或大致一致，并以覆盖它们的方式设置有绝缘层329及绝缘层265。
绝缘层264及绝缘层265被用作层间绝缘层。绝缘层329被用作阻挡层，该阻挡层防止水或氢等杂质从例如绝缘层265扩散到晶体管320。绝缘层329可以使用与上述绝缘层328及绝缘层332同样的绝缘膜。
与一对导电层325中的一方电连接的插头274嵌入绝缘层265、绝缘层329、绝缘层264及绝缘层328。在此，插头274优选具有覆盖绝缘层265、绝缘层329、绝缘层264及绝缘层328各自的开口的侧面及导电层325的顶面的一部分的导电层274a以及与导电层274a的顶面接触的导电层274b。此时，作为导电层274a，优选使用不容易扩散氢及氧的导电材料。
[显示装置200E]
图24所示的显示装置200E具有层叠有分别在形成沟道的半导体中含有氧化物半导体的晶体管320A及晶体管320B的结构。
晶体管320A、晶体管320B及其附近的结构可以援用上述显示装置200D。
注意，在此，采用层叠两个包括氧化物半导体的晶体管的结构，但是不局限于该结构。例如，也可以采用层叠三个以上的晶体管的结构。
[显示装置200F]
在图25所示的显示装置200F中，层叠有沟道形成于衬底301的晶体管310及形成沟道的半导体层含有金属氧化物的晶体管320。
以覆盖晶体管310的方式设置有绝缘层261，并且绝缘层261上设置有导电层251。此外，以覆盖导电层251的方式设置有绝缘层262，并且绝缘层262上设置有导电层252。导电层251及导电层252都被用作布线。此外，以覆盖导电层252的方式设置有绝缘层263及绝缘层332，并且绝缘层332上设置有晶体管320。此外，以覆盖晶体管320的方式设置有绝缘层265，并且在绝缘层265上设置有电容器240。电容器240与晶体管320通过插头274电连接。
晶体管320可以用作构成像素电路的晶体管。此外，晶体管310可以用作构成像素电路的晶体管或构成用来驱动该像素电路的驱动电路(栅极线驱动电路、信号线驱动电路)的晶体管。此外，晶体管310及晶体管320可以用作构成运算电路或存储电路等各种电路的晶体管。
借助于这种结构，在发光元件130的正下不但可以形成像素电路例如还可以形成驱动电路，因此与在显示区域的周围设置驱动电路的情况相比，可以使显示装置小型化。
本实施方式的至少一部分可以与本说明书所记载的其他实施方式适当地组合而实施。
(实施方式3)
在本实施方式中，说明本发明的一个方式的显示装置的结构例子。
本实施方式的显示装置例如可以用于如下装置的显示部：具有较大的屏幕的电子设备诸如电视装置、台式或笔记本型个人计算机、用于计算机的显示器、数字标牌、弹珠机等大型游戏机等；数码相机；数字视频摄像机；数码相框；移动电话机；便携式游戏机；智能手机；手表型终端；平板终端；便携式信息终端；声音再现装置。
[显示装置400]
图26示出显示装置400的立体图，图27A示出显示装置400的截面图。
显示装置400具有贴合有衬底120及衬底451的结构。在图26中，以虚线表示衬底120。
显示装置400显示部462、电路464及布线465等。图26示出显示装置400中安装有IC473及FPC472的例子。如上所述，将安装有FPC等连接器的显示装置的衬底或安装有IC的该衬底称为显示模块。因此，也可以将图26所示的结构称为包括显示装置400、IC(集成电路)及FPC的显示模块。
作为电路464，例如可以使用扫描线驱动电路。
布线465具有对显示部462及电路464供应信号及电力的功能。该信号及电力经由FPC472从外部或IC473输入到布线465。
图26示出通过COG方式或COF(Chip On Film：薄膜覆晶封装)方式等在衬底451上设置IC473的例子。作为IC473，例如可以使用包括扫描线驱动电路或信号线驱动电路等的IC。注意，显示装置400及显示模块不一定必须设置有IC。此外，例如也可以利用COF方式将IC安装于FPC。
图27A示出截断显示装置400的包括FPC472的区域的一部分、电路464的一部分、显示部462的一部分及包括连接部140的区域的一部分时的截面的一个例子。尤其是，例如图27A示出截断显示部462的包括发射绿色光的发光元件130b及发射蓝色光的发光元件130c的区域时的截面的一个例子。
图27A所示的显示装置400在衬底451与衬底120间包括晶体管202、晶体管210、发光元件130b及发光元件130c等。注意，显示装置400除了图27A所示的构成要素以外，例如还包括发光元件130a。
发光元件130可以采用实施方式1所示的发光元件。
在此，当显示装置的像素包括三种具有发射彼此颜色不同的光的发光元件的子像素时，作为该三个子像素可以举出红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)这三个颜色的子像素，黄色(Y)、青色(C)及品红色(M)这三个颜色的子像素等。当包括四个上述子像素时，作为该四个子像素可以举出R、G、B及白色(W)这四个颜色的子像素、R、G、B及Y这四个颜色的子像素等。
衬底120和保护层131通过粘合层122贴合。粘合层122以与发光元件130重叠的方式设置，显示装置400采用固体密封结构。
发光元件130作为像素电极包括导电层411a及导电层411b。导电层411b对可见光具有反射性，可以用作反射电极。
导电层411a通过设置在绝缘层214中的开口连接到晶体管210所包括的导电层222b。晶体管210具有控制发光元件130的驱动的功能。
以覆盖像素电极的方式设置有EL层113。以覆盖EL层113的顶面的一部分的方式设置掩模层118，以覆盖掩模层118的顶面及EL层113的侧面的方式设置绝缘层125。绝缘层125上设置有遮光层135，遮光层135上设置有绝缘层127。绝缘层127以填充遮光层135的凹部的方式设置。EL层113上及绝缘层127上设置有公共层114。公共层114上设置有公共电极115，公共电极115上设置有保护层131。
发光元件130将光发射到衬底120一侧。衬底120优选使用可见光透过性高的材料。
晶体管202及晶体管210都设置在衬底451上。这些晶体管可以使用同一材料及同一工序形成。
由粘合层455贴合衬底451和绝缘层212。
显示装置400的制造方法为如下：首先，由粘合层122贴合设置有绝缘层212、各晶体管及各发光元件等的制造衬底和衬底120。然后，将衬底451贴合在剥离制造衬底而露出的面上，由此将形成在制造衬底上的各构成要素转置到衬底451。衬底451及衬底120优选都具有柔性。由此，可以提高显示装置400的柔性。
作为绝缘层212，可以使用可以用于绝缘层211及绝缘层215的无机绝缘膜。
在衬底451的不与衬底120重叠的区域中设置有连接部204。在连接部204中，布线465通过导电层466及连接层242与FPC472电连接。导电层466可以通过对与像素电极相同的导电膜进行加工来获得。因此，通过连接层242可以使连接部204与FPC472电连接。
晶体管202及晶体管210包括：用作栅极的导电层221；用作栅极绝缘层的绝缘层211；包含沟道形成区域231i及一对低电阻区域231n的半导体层231；与一对低电阻区域231n中的一个连接的导电层222a；与一对低电阻区域231n中的另一个连接的导电层222b；用作栅极绝缘层的绝缘层225；用作栅极的导电层223；以及覆盖导电层223的绝缘层215。绝缘层211位于导电层221与沟道形成区域231i之间。绝缘层225位于导电层223与沟道形成区域231i之间。
导电层222a及导电层222b通过设置在绝缘层215中的开口与低电阻区域231n连接。导电层222a和导电层222b中的一个被用作源极，另一个被用作漏极。
图27A示出绝缘层225覆盖半导体层的顶面及侧面的例子。导电层222a及导电层222b通过设置在绝缘层225及绝缘层215中的开口与低电阻区域231n连接。
另一方面，在图27B所示的晶体管209中，绝缘层225与半导体层231的沟道形成区域231i重叠而不与低电阻区域231n重叠。例如，通过以导电层223为掩模加工绝缘层225，可以形成图27B所示的结构。在图27B中，绝缘层215覆盖绝缘层225及导电层223，并且导电层222a及导电层222b分别通过绝缘层215的开口与低电阻区域231n连接。再者，还可以设置有覆盖晶体管的绝缘层218。
对本实施方式的显示装置所包括的晶体管的结构没有特别的限制。例如，可以采用平面型晶体管、交错型晶体管或反交错型晶体管等。此外，晶体管都可以具有顶栅结构或底栅结构。或者，也可以在形成沟道的半导体层上下设置有栅极。
作为晶体管202及晶体管210，采用两个栅极夹着形成沟道的半导体层的结构。此外，也可以连接两个栅极，并通过对该两个栅极供应同一信号，来驱动晶体管。或者，通过对两个栅极中的一个施加用来控制阈值电压的电位，对另一个施加用来进行驱动的电位，可以控制晶体管的阈值电压。
对用于晶体管的半导体层的半导体材料的结晶性也没有特别的限制，可以使用非晶半导体、单晶半导体和单晶半导体以外的具有结晶性的半导体(微晶半导体、多晶半导体或其一部分具有结晶区域的半导体)中的任意个。当使用单晶半导体或具有结晶性的半导体时可以抑制晶体管的特性劣化，所以是优选的。
晶体管的半导体层优选使用金属氧化物。就是说，本实施方式的显示装置优选使用在沟道形成区中包含金属氧化物的晶体管(以下，OS晶体管)。
用于晶体管的半导体层的金属氧化物的带隙优选为2eV以上，更优选为2.5eV以上。通过使用带隙较宽的金属氧化物，可以减小OS晶体管的关态电流(off-statecurrent)。
金属氧化物优选至少包含铟或锌，更优选包含铟及锌。例如，金属氧化物优选包含铟、M(M为选自镓、铝、钇、锡、硅、硼、铜、钒、铍、钛、铁、镍、锗、锆、钼、镧、铈、钕、铪、钽、钨、镁和钴中的一种或多种)及锌。
或者，晶体管的半导体层也可以包含硅。作为硅，可以举出非晶硅及结晶硅(低温多晶硅或单晶硅等)等。尤其是，可以使用半导体层中含有低温多晶硅(LTPS：LowTemperature Poly Silicon)的晶体管(以下，也称为LTPS晶体管)。LTPS晶体管具有高场效应迁移率以及良好的频率特性。
通过使用LTPS晶体管等Si晶体管，可以在同一衬底上形成需要以高频率驱动的电路(例如，源极驱动器电路)和显示部。因此，可以使安装到显示装置的外部电路简化，可以缩减构件成本及安装成本。
OS晶体管的场效应迁移率比使用非晶硅的晶体管高得多。另外，OS晶体管的关闭状态下的源极和漏极间的泄漏电流(以下，也称为关态电流)极低，可以长期间保持与该晶体管串联连接的电容器中累积的电荷。另外，通过使用OS晶体管，可以降低显示装置的功耗。
另外，室温下的每沟道宽度1μm的OS晶体管的关态电流值可以为1aA(1×10-18A)以下、1zA(1×10-21A)以下或1yA(1×10-24A)以下。注意，室温下的每沟道宽度1μm的Si晶体管的关态电流值为1fA(1×10-15A)以上且1pA(1×10-12A)以下。因此，也可以说OS晶体管的关态电流比Si晶体管的关态电流低10位左右。
另外，在提高像素电路所包括的发光元件的发光亮度时，需要增大流过发光元件的电流量。为此，需要提高像素电路所包括的驱动晶体管的源极-漏极间电压。因为OS晶体管的源极-漏极间的耐压比Si晶体管高，所以可以对OS晶体管的源极-漏极间施加高电压。由此，通过作为像素电路所包括的驱动晶体管使用OS晶体管，可以增大流过发光元件的电流量而提高发光元件的发光亮度。
另外，当晶体管在饱和区域中工作时，与Si晶体管相比，OS晶体管可以使随着栅极-源极间电压的变化的源极-漏极间电流的变化细小。因此，通过作为像素电路所包括的驱动晶体管使用OS晶体管，可以根据栅极-源极间电压的变化详细决定流过源极-漏极间的电流，所以可以控制流过发光元件的电流量。由此，可以增大由像素电路表示的灰度。
另外，关于晶体管在饱和区域中工作时流过的电流的饱和特性，与Si晶体管相比，OS晶体管即使逐渐地提高源极-漏极间电压也可以使稳定的电流(饱和电流)流过。因此，通过将OS晶体管用作驱动晶体管，即使例如EL元件的电流-电压特性发生不均匀，也可以使稳定的电流流过发光元件。也就是说，OS晶体管当在饱和区域中工作时即使提高源极-漏极间电压，源极-漏极间电流也几乎不变，因此可以使发光元件的发光亮度稳定。
如上所述，通过作为像素电路所包括的驱动晶体管使用OS晶体管，可以实现“黑色模糊的抑制”、“发光亮度的上升”、“多灰度化”、“发光元件的特性不均匀的抑制”等。
电路464所包括的晶体管和显示部462所包括的晶体管既可以具有相同的结构，又可以具有不同的结构。电路464所包括的多个晶体管既可以具有相同的结构，又可以具有两种以上的不同结构。与此同样，显示部462所包括的多个晶体管既可以具有相同的结构，又可以具有两种以上的不同结构。
显示部462所包括的所有晶体管都可以为OS晶体管，显示部462所包括的所有晶体管都可以为Si晶体管，显示部462所包括的部分晶体管也可以为OS晶体管且剩下的晶体管也可以为Si晶体管。
例如，通过在显示部462中使用LTPS晶体管和OS晶体管的双方，可以实现具有低功耗及高驱动能力的显示装置。此外，有时将组合LTPS晶体管和OS晶体管的结构称为LTPO。作为更优选的例子，将OS晶体管用于被用作控制布线间的导通及非导通的开关的晶体管且将LTPS晶体管用于控制电流的晶体管。
例如，显示部462所包括的晶体管之一被用作用来控制流过发光元件的电流的晶体管，可以称为驱动晶体管。驱动晶体管的源极和漏极中的一个与发光元件的像素电极电连接。该驱动晶体管优选使用LTPS晶体管。由此，可以增大在像素电路中流过发光元件的电流。
另一方面，显示部462所包括的晶体管的其他之一被用作用来控制像素的选择和非选择的开关，也可以被称为选择晶体管。选择晶体管的栅极与栅极线电连接，源极和漏极中的一个与信号线电连接。选择晶体管优选使用OS晶体管。因此，即便使帧频显著小(例如，1fps以下)也可以维持像素的灰度，由此通过在显示静态图像时停止驱动器，可以降低功耗。
如此，本发明的一个方式的显示装置可以兼具高开口率、高清晰度、高显示质量及低功耗。
本发明的一个方式的显示装置具有包括OS晶体管和具有MML结构的发光元件的结构。通过采用该结构，可以使可流过晶体管的泄漏电流以及可在相邻的发光元件间流过的泄漏电流(也称为横向泄漏电流或侧泄漏电流等)极低。此外，通过采用上述结构，在图像显示在显示装置上时观看者可以观测到图像的鲜锐度、图像的锐度、高色饱和度和高对比度中的任一个或多个。另外，通过采用可流过晶体管的泄漏电流及发光元件间的横向泄漏电流极低的结构，例如可以进行在显示黑色时可发生的光泄露极少的显示。
此外，根据显示装置的屏幕尺寸适当地选择用于显示装置的晶体管的结构即可。例如，在作为显示装置的晶体管使用单晶Si晶体管时，可以将其适用于对角线尺寸为0.1英寸以上且3英寸以下的屏幕尺寸的显示面板。另外，在作为显示装置的晶体管使用LTPS晶体管时，可以将其用于对角线尺寸为0.1英寸以上且30英寸的屏幕尺寸的显示面板，优选将其用于1英寸以上且30英寸以下的屏幕尺寸的显示面板。另外，在显示装置采用LTPO(组合LTPS晶体管和OS晶体管的结构)时，可以将其用于对角线尺寸为0.1英寸以上且50英寸以下的屏幕尺寸的显示面板，优选将其用于1英寸以上且50英寸以下的屏幕尺寸的显示面板。另外，在作为显示装置的晶体管使用OS晶体管时，可以将其适用于对角线尺寸为0.1英寸以上且200英寸以下的屏幕尺寸的显示面板，优选将其适用于50英寸以上且100英寸以下的屏幕尺寸的显示面板。
注意，由于单晶Si衬底的尺寸，使用单晶Si晶体管很难使显示面板大型化。另外，LTPS晶体管在制造工序中使用激光晶化装置，很难将其应用于大型化(典型的是对角线尺寸超过30英寸的屏幕尺寸)。另一方面，OS晶体管不受在制造工序中使用例如激光晶化装置等的限制，或者可以以较低的工艺温度(典型的是450℃以下)制造，因此还可以对应于具有较大面积(典型的是对角线尺寸为50英寸以上且100英寸以下)的显示装置。另外，在采用LTPO时，可以将其适用于使用LTPS晶体管的情况下的尺寸与使用OS晶体管的情况下的尺寸之间的显示装置尺寸(典型的是对角线尺寸为1英寸以上且50英寸以下)。
优选的是，将水及氢等杂质不容易扩散的材料用于覆盖晶体管的绝缘层中的至少一个。由此，可以将该绝缘层用作阻挡层。通过采用这种结构，可以有效地抑制杂质从外部扩散到晶体管中，从而可以提高显示装置的可靠性。
作为绝缘层211、绝缘层212、绝缘层215、绝缘层218及绝缘层225优选使用无机绝缘膜。作为无机绝缘膜，例如可以使用氮化硅膜、氧氮化硅膜、氧化硅膜、氮氧化硅膜、氧化铝膜或氮化铝膜等。此外，也可以使用氧化铪膜、氧化钇膜、氧化锆膜、氧化镓膜、氧化钽膜、氧化镁膜、氧化镧膜、氧化铈膜或氧化钕膜等。此外，也可以层叠上述无机绝缘膜中的两个以上。
用作平坦化层的绝缘层214优选使用有机绝缘膜。作为能够用于有机绝缘膜的材料，例如可以举出丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、环氧树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺酰胺树脂、硅氧烷树脂、苯并环丁烯类树脂、酚醛树脂及这些树脂的前体等。
可以沿着衬底120的内侧或外侧的面配置各种光学构件。作为光学构件，可以举出遮光层、偏振片、相位差板、光扩散层(例如扩散薄膜)、防反射层、微透镜阵列及聚光薄膜(condensing film)等。此外，在衬底120的外侧也可以配置抑制尘屑的附着的抗静电膜、不容易被弄脏的具有拒水性的膜、抑制使用时的损伤的硬涂膜或冲击吸收层等。
通过形成覆盖发光元件130的保护层131，可以抑制水等杂质进入发光元件130，由此可以提高发光元件的可靠性。
另外，图27A中示出连接部140。在连接部140中，公共电极115与布线电连接。图27A示出作为该布线采用与像素电极相同的叠层结构的情况的例子。
衬底451及衬底120可以使用玻璃、石英、陶瓷、蓝宝石、树脂、金属、合金或半导体等。从发光元件提取光一侧的衬底使用使该光透射的材料。通过将具有柔性的材料用于衬底451及衬底120，可以提高显示装置的柔性。作为衬底451及衬底120，也可以使用偏振片。
作为衬底451及衬底120，可以使用如下材料：聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)或聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)等聚酯树脂、聚丙烯腈树脂、丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、聚甲基丙烯酸甲酯树脂、聚碳酸酯(PC)树脂、聚醚砜(PES)树脂、聚酰胺树脂(尼龙或芳族聚酰胺等)、聚硅氧烷树脂、环烯烃树脂、聚苯乙烯树脂、聚酰胺-酰亚胺树脂、聚氨酯树脂、聚氯乙烯树脂、聚偏二氯乙烯树脂、聚丙烯树脂、聚四氟乙烯(PTFE)树脂、ABS树脂或者纤维素纳米纤维等。此外，也可以作为衬底451和衬底120中的一方或双方使用其厚度为具有柔性程度的玻璃。
作为粘合层，可以使用紫外线固化粘合剂等光固化粘合剂、反应固化粘合剂、热固化粘合剂或厌氧粘合剂等各种固化粘合剂。作为这些粘合剂，可以举出环氧树脂、丙烯酸树脂、硅酮树脂、酚醛树脂、聚酰亚胺树脂、酰亚胺树脂、PVC(聚氯乙烯)树脂、PVB(聚乙烯醇缩丁醛)树脂及EVA(乙烯-醋酸乙烯酯)树脂等。尤其是，优选使用环氧树脂等透湿性低的材料。此外，也可以使用两液混合型树脂。此外，例如也可以使用粘合薄片。
作为连接层242，可以使用各向异性导电膜(ACF:Anisotropic Conductive Film)或各向异性导电膏(ACP:Anisotropic Conductive Paste)等。
作为可用于晶体管的栅极、源极及漏极和构成显示装置的各种布线及电极等导电层的材料，可以举出铝、钛、铬、镍、铜、钇、锆、钼、银、钽或钨等金属或者以上述金属为主要成分的合金等。可以以单层或叠层结构使用包含这些材料的膜。
此外，作为具有透光性的导电性材料，可以使用氧化铟、铟锡氧化物、铟锌氧化物、氧化锌或包含镓的氧化锌等导电性氧化物或者石墨烯。或者，可以使用金、银、铂、镁、镍、钨、铬、钼、铁、钴、铜、钯或钛等金属材料或包含该金属材料的合金材料。或者，例如还可以使用该金属材料的氮化物(例如，氮化钛)。此外，当使用金属材料或合金材料(或者它们的氮化物)时，优选将其形成得薄到具有透光性。此外，可以使用上述材料的叠层膜作为导电层。例如，通过使用银和镁的合金与铟锡氧化物的叠层膜等，可以提高导电性，所以是优选的。上述材料也可以用于构成显示装置的各种布线及电极等导电层及发光元件所包括的导电层(被用作像素电极或公共电极的导电层)。
作为可用于各绝缘层的绝缘材料，例如可以举出丙烯酸树脂或环氧树脂等树脂、无机绝缘材料如氧化硅、氧氮化硅、氮氧化硅、氮化硅及氧化铝等。
本实施方式的至少一部分可以与本说明书所记载的其他实施方式适当地组合而实施。
(实施方式4)
在本实施方式中，对能用于本发明的一个方式的显示装置的发光元件进行说明。
此外，发光元件大致可以分为单结构和串联结构。单结构的发光元件优选具有如下结构：在一对电极间包括一个发光单元，而且该发光单元包括一个以上的发光层。在使用两个发光层得到白色发光的情况下，以两个发光层的各发光颜色处于补色关系的方式选择发光层即可。例如，通过使第一发光层的发光颜色与第二发光层的发光颜色处于补色关系，可以得到在发光元件整体上以白色发光的结构。此外，在使用三个以上的发光层得到白色发光的情况下，三个以上的发光层的各发光颜色组合而得到在发光元件整体上以白色发光的结构即可。
串联结构的发光元件在一对电极间包括多个多个发光单元。各发光单元优选包括一个以上的发光层。通过在各发光单元中使用发射相同的颜色的光的发光层，可以实现每规定电流的亮度得到提高且其可靠性比单结构更高的发光元件。为了以串联结构得到白色发光，采用组合从多个发光单元的发光层发射的光来得到白色发光的结构即可。另外，能够得到白色发光的发光颜色的组合与单结构的结构同样。此外，在串联结构的发光元件中，优选在多个发光单元间设置电荷产生层等中间层。
此外，在对白色发光元件和SBS结构的发光元件进行比较的情况下，可以使SBS结构的发光元件的功耗比白色发光元件低。另一方面，白色发光元件的制造工艺比SBS结构的发光元件简单，由此可以降低制造成本还可以提高制造成品率。
图28A至图28F是示出发光元件的结构例子的截面图。如图28A所示，发光元件在一对电极(下部电极791、上部电极792)间包括EL层790。EL层790可以由层720、发光层711及层730等的多个层构成。层720例如可以包括含有电子注入性高的物质的层(电子注入层)及含有电子传输性高的物质的层(电子传输层)等。发光层711例如包含发光性化合物。层730例如可以包括含有空穴注入性高的物质的层(空穴注入层)及含有空穴传输性高的物质的层(空穴传输层)。
包括设置在一对电极间的层720、发光层711及层730的结构可以被用作单一的发光单元，在本说明书中将图28A的结构称为单结构。
具体而言，图28B所示的发光元件在下部电极791上包括层730-1、层730-2、发光层711、层720-1、层720-2及上部电极792。例如，将下部电极791用作阳极，将上部电极792用作阴极。此时，层730-1被用作空穴注入层，层730-2被用作空穴传输层，层720-1被用作电子传输层，层720-2被用作电子注入层。另一方面，在将下部电极791用作阴极且将上部电极792用作阳极时，层730-1被用作电子注入层，层730-2被用作电子传输层，层720-1被用作空穴传输层，层720-2被用作空穴注入层。通过采用上述层结构，可以将载流子高效地注入到发光层711，由此可以提高发光层711内的载流子的再结合的效率。
此外，如图28C及图28D所示，层720与层730之间设置有多个发光层(发光层711、发光层712及发光层713)的结构也是单结构的变形例子。
如图28E及图28F所示，多个发光单元(EL层790a、EL层790b)隔着中间层(电荷产生层)740串联连接的结构在本说明书中被称为串联结构。也可以将串联结构称为叠层结构。通过采用串联结构，可以实现能够以高亮度发光的发光元件。
在图28C中，也可以将发射相同颜色的光的发光物质，甚至为相同发光物质用于发光层711、发光层712及发光层713。通过层叠发光层，可以提高发光亮度。
另外，也可以将互不相同的发光物质用于发光层711、发光层712及发光层713。在发光层711、发光层712及发光层713各自所发射的光处于补色关系时，可以得到白色发光。图28D示出设置用作滤色片的着色层795的例子。通过使白色光透过滤色片，可以得到所希望的颜色的光。
另外，在图28E中，也可以将发射相同颜色的光的发光物质用于发光层711及发光层712。或者，也可以将发射互不相同的光的发光物质用于发光层711及发光层712。在发光层711所发射的光和发光层712所发射的光处于补色关系时，可以得到白色发光。图28F示出还设置着色层795的例子。
注意，在图28C、图28D、图28E、图28F中，如图28B所示，层720及层730也可以具有由两层以上的层构成的叠层结构。
另外，在图28D中，也可以将发射相同颜色的光的发光物质用于发光层711、发光层712及发光层713。同样地，在图28F中，也可以将发射相同颜色的光的发光物质用于发光层711及发光层712。此时，通过使用颜色转换层代替着色层795，可以得到与发光物质颜色不同的所希望的颜色的光。例如，通过作为各发光层使用蓝色的发光物质并使蓝色光透过颜色转换层，可以得到其波长比蓝色长的光(例如红色或绿色等)。颜色转换层可以使用荧光材料、磷光材料或量子点等。
发光元件的发光颜色根据构成EL层790的材料而可以为红色、绿色、蓝色、青色、品红色、黄色或白色等。另外，通过使发光元件具有微腔结构，可以进一步提高色纯度。
发射白色光的元件既可以在发光层中包含两种以上的发光物质，也可以层叠两个以上的包含不同发光物质的发光层。此时，以该发光物质的各发光处于补色关系的方式选择发光物质即可。
本实施方式的至少一部分可以与本说明书所记载的其他实施方式适当地组合而实施。
(实施方式5)
在本实施方式中，参照图29至图31对本发明的一个方式的电子设备进行说明。
本实施方式的电子设备在显示部中包括本发明的一个方式的显示装置。本发明的一个方式的显示装置具有高可靠性。此外，本发明的一个方式的显示装置容易实现高清晰化及高分辨率化，并且可以实现高显示品质。因此，可以用于各种电子设备的显示部。
作为电子设备，例如除了电视装置、台式或笔记本型个人计算机、用于计算机的显示器、数字标牌及弹珠机等大型游戏机等具有较大的屏幕的电子设备以外，还可以举出数码相机、数码摄像机、数码相框、移动电话机、便携式游戏机、便携式信息终端及声音再现装置等。
特别是，因为本发明的一个方式的显示装置可以提高清晰度，所以可以适当地用于包括较小的显示部的电子设备。作为这种电子设备可以举出手表型及手镯型信息终端设备(可穿戴设备)、可戴在头上的可穿戴设备等诸如头戴显示器等面向VR的设备、眼镜型面向AR的设备及面向MR的设备。
本发明的一个方式的显示装置优选具有极高的分辨率诸如HD(像素数为1280×720)、FHD(像素数为1920×1080)、WQHD(像素数为2560×1440)、WQXGA(像素数为2560×1600)、4K(像素数为3840×2160)、8K(像素数为7680×4320)等。尤其是，优选设定为4K、8K或其以上的分辨率。另外，本发明的一个方式的显示装置中的像素密度(清晰度)优选为100ppi以上，优选为300ppi以上，更优选为500ppi以上，进一步优选为1000ppi以上，更进一步优选为2000ppi以上，更进一步优选为3000ppi以上，还进一步优选为5000ppi以上，进一步优选为7000ppi以上。通过使用上述的具有高分辨率和高清晰度中的一方或双方的显示装置，在便携式或家用等的个人用途的电子设备中可以进一步提高真实感及纵深感等。此外，对本发明的一个方式的显示装置的屏幕比例(纵横比)没有特别的限制。例如，显示装置可以适应1：1(正方形)、4：3、16：9及16：10等各种屏幕比例。
本实施方式的电子设备也可以包括传感器(该传感器具有感测、检测、测量如下因素的功能：力、位移、位置、速度、加速度、角速度、转速、距离、光、液、磁、温度、化学物质、声音、时间、硬度、电场、电流、电压、电力、辐射线、流量、湿度、倾斜度、振动、气味或红外线)。
本实施方式的电子设备可以具有各种功能。例如，可以具有如下功能：将各种信息(静态图像、动态图像及文字图像等)显示在显示部上的功能；触摸面板的功能；显示日历、日期或时间等的功能；执行各种软件(程序)的功能；进行无线通信的功能；读出储存在存储介质中的程序或数据的功能；等。
使用图29A至图29D说明可戴在头上的可穿戴设备的一个例子。这些可穿戴设备具有显示AR内容的功能和显示VR内容的功能中的一方或双方。此外，这些可穿戴设备也可以具有除了AR、VR以外还显示SR或MR的内容的功能。当电子设备具有显示AR、VR、SR和MR等中的至少一个的内容的功能时，可以提高使用者的沉浸感。
图29A所示的电子设备700A以及图29B所示的电子设备700B都包括一对显示装置751、一对框体721、通信部(未图示)、一对安装部723、控制部(未图示)、成像部(未图示)、一对光学构件753、边框757以及一对鼻垫758。
显示装置751可以应用本发明的一个方式的显示装置。因此，可以实现可靠性高且能够进行清晰度极高的显示的电子设备。
电子设备700A及电子设备700B都可以将由显示装置751显示的图像投影于光学构件753中的显示区域756。因为光学构件753具有透光性，所以使用者可以与通过光学构件753看到的透过图像重叠地看到显示于显示区域的图像。因此，电子设备700A及电子设备700B都是能够进行AR显示的电子设备。
电子设备700A及电子设备700B上作为成像部也可以设置有能够拍摄前方的相机。另外，通过在电子设备700A及电子设备700B设置陀螺仪传感器等的加速度传感器，可以检测使用者的头部朝向并将对应该方向的图像显示在显示区域756上。
通信部具有无线通信装置，通过该无线通信装置例如可以供应影像信号。另外，代替无线通信装置或者除了无线通信装置以外还可以包括能够连接供应影像信号及电源电位的电缆的连接器。
另外，电子设备700A以及电子设备700B设置有电池，可以以无线方式和有线方式中的一方或双方进行充电。
框体721也可以设置有触摸传感器模块。触摸传感器模块具有检测框体721的外侧的面是否被触摸的功能。通过触摸传感器模块，可以检测使用者的点按操作或滑动操作等而执行各种处理。例如，通过点按操作可以执行动态图像的暂时停止或再生等的处理，通过滑动操作可以执行快进、快退等的处理等。另外，通过在两个框体721的每一个设置触摸传感器模块，可以扩大操作范围。
作为触摸传感器模块，可以使用各种触摸传感器。例如，可以采用静电电容方式、电阻膜方式、红外线方式、电磁感应方式、表面声波式或光学方式等各种方式。尤其是，优选将静电电容方式或光学方式的传感器应用于触摸传感器模块。
在使用光学方式的触摸传感器时，作为受光元件(也称为受光器件)可以使用光电转换元件(也称为光电转换器件)。在光电转换元件的活性层中可以使用无机半导体和有机半导体中的一方或双方。
图29C所示的电子设备800A以及图29D所示的电子设备800B都包括一对显示部820、框体821、通信部822、一对安装部823、控制部824、一对成像部825以及一对透镜832。
显示部820可以应用本发明的一个方式的显示装置。因此，可以实现可靠性高且能够进行清晰度极高的显示的电子设备。由于清晰度极高的显示，使用者可以感受高沉浸感。
显示部820设置在框体821内部的通过透镜832能看到的位置上。另外，通过在一对显示部820的每一个上显示不同图像，可以进行利用视差的三维显示。
可以将电子设备800A以及电子设备800B都称为面向VR的电子设备。装上电子设备800A或电子设备800B的使用者通过透镜832能看到显示在显示部820上的图像。
电子设备800A及电子设备800B优选具有一种机构，其中能够调整透镜832及显示部820的左右位置，以根据使用者的眼睛的位置使透镜832及显示部820位于最合适的位置上。此外，优选具有一种机构，其中通过改变透镜832及显示部820之间的距离来调整焦点。
使用者可以使用安装部823将电子设备800A或电子设备800B装在头上。例如在图29C等中，示出安装部823具有如眼镜的镜脚(也称为脚丝等)那样的形状的例子，但是不局限于此。只要使用者能够装上，安装部823就例如可以具有头盔型或带型的形状。
成像部825具有取得外部的信息的功能。可以将成像部825所取得的数据输出到显示部820。在成像部825中可以使用图像传感器。另外，也可以设置多个相机以能够对应望远及广角等多种视角。
注意，在此示出包括成像部825的例子，设置能够测量出与对象物的距离的测距传感器(以下，也称为检测部)即可。换言之，成像部825是检测部的一个方式。作为检测部例如可以使用图像传感器或激光雷达(LIDAR：Light Detection and Ranging)等距离图像传感器。通过使用由相机取得的图像以及由距离图像传感器取得的图像，可以取得更多的信息，可以实现精度更高的姿态操作。
电子设备800A也可以包括被用作骨传导耳机的振动机构。例如，作为显示部820、框体821和安装部823中的任一个或多个可以采用包括该振动机构的结构。由此，不需要另行设置头戴式耳机、耳机或扬声器等音响设备，而只装上电子设备800A就可以享受影像和声音。
电子设备800A以及电子设备800B也可以都包括输入端子。可以将供应来自例如影像输出设备的影像信号以及用于对设置在电子设备内的电池进行充电的电力等的电缆连接到输入端子。
本发明的一个方式的电子设备也可以具有与耳机750进行无线通信的功能。耳机750包括通信部(未图示)，并具有无线通信功能。耳机750通过无线通信功能可以从电子设备接收信息(例如声音数据)。例如，图29A所示的电子设备700A具有通过无线通信功能将信息发送到耳机750的功能。另外，例如图29C所示的电子设备800A具有通过无线通信功能将信息发送到耳机750的功能。
另外，电子设备也可以包括耳机部。图29B所示的电子设备700B包括耳机部727。例如，可以采用以有线方式连接耳机部727和控制部的结构。连接耳机部727和控制部的布线的一部分也可以配置在框体721或安装部723的内部。
同样，图29D所示的电子设备800B包括耳机部827。例如，可以采用以有线方式连接耳机部827和控制部824的结构。连接耳机部827和控制部824的布线的一部分也可以配置在框体821或安装部823的内部。另外，耳机部827和安装部823也可以包括磁铁。由此，可以用磁力将耳机部827固定到安装部823，收纳变得容易，所以是优选的。
电子设备也可以包括能够与耳机或头戴式耳机等连接的声音输出端子。另外，电子设备也可以包括声音输入端子和声音输入机构中的一方或双方。作为声音输入机构，例如可以使用麦克风等收音装置。通过将声音输入机构设置到电子设备，可以使电子设备具有所谓的耳麦的功能。
如此，作为本发明的一个方式的电子设备，眼镜型(电子设备700A以及电子设备700B等)和护目镜型(电子设备800A以及电子设备800B等)的双方都是优选的。
图30A所示的电子设备6500是可以被用作智能手机的便携式信息终端设备。
电子设备6500包括框体6501、显示部6502、电源按钮6503、按钮6504、扬声器6505、麦克风6506、相机6507及光源6508等。显示部6502具有触摸面板功能。
显示部6502可以使用本发明的一个方式的显示装置。
图30B是包括框体6501的麦克风6506一侧的端部的截面示意图。
框体6501的显示面一侧设置有具有透光性的保护构件6510，被框体6501及保护构件6510包围的空间内设置有显示装置6511、光学构件6512、触摸传感器面板6513、印刷电路板6517、电池6518等。
显示装置6511、光学构件6512及触摸传感器面板6513使用粘合层(未图示)固定到保护构件6510。
在显示部6502的外侧的区域中，显示装置6511的一部分叠回，且该叠回部分连接有FPC6515。FPC6515安装有IC6516。FPC6515与设置于印刷电路板6517的端子连接。
显示装置6511可以使用本发明的一个方式的柔性显示器。由此，可以实现极轻量的电子设备。此外，由于显示装置6511极薄，所以可以在抑制电子设备的厚度的情况下安装大容量的电池6518。此外，通过折叠显示装置6511的一部分以在像素部的背面设置与FPC6515的连接部，可以实现窄边框的电子设备。
图30C示出电视装置的一个例子。在电视装置7100中，框体7101中组装有显示部7000。在此示出利用支架7103支撑框体7101的结构。
可以通过利用框体7101所具备的操作开关以及另外提供的遥控操作机7111进行图30C所示的电视装置7100的操作。或者，也可以在显示部7000中具备触摸传感器，也可以例如通过用指头触摸显示部7000进行电视装置7100的操作。另外，也可以在遥控操作机7111中具备显示从该遥控操作机7111输出的数据的显示部。通过利用遥控操作机7111所具备的操作键或触摸面板，可以进行频道及音量的操作，并可以对显示在显示部7000上的影像进行操作。
另外，电视装置7100具备接收机及调制解调器等。可以通过利用接收机接收一般的电视广播。再者，通过调制解调器连接到有线或无线方式的通信网络，从而进行单向(从发送者到接收者)或双向(发送者和接收者之间或接收者之间等)的信息通信。
图30D示出笔记本型个人计算机的一个例子。笔记本型个人计算机7200包括框体7211、键盘7212、指向装置7213及外部连接端口7214等。在框体7211中组装有显示部7000。
图30E和图30F示出数字标牌的一个例子。
图30E所示的数字标牌7300包括框体7301、显示部7000及扬声器7303等。此外，还可以包括LED灯、操作键(包括电源开关或操作开关)、连接端子、各种传感器及麦克风等。
图30F示出设置于圆柱状柱子7401上的数字标牌7400。数字标牌7400包括沿着柱子7401的曲面设置的显示部7000。
显示部7000越大，一次能够提供的信息量越多。显示部7000越大，越容易吸引人的注意，例如可以提高广告宣传效果。
通过将触摸面板用于显示部7000，不仅可以在显示部7000上显示静态图像或动态图像，使用者还能够直觉性地进行操作，所以是优选的。另外，在用于提供线路信息或交通信息等信息的用途时，可以通过直觉性的操作提高易用性。
如图30E和图30F所示，数字标牌7300或数字标牌7400优选可以通过无线通信与使用者所携带的信息终端设备7311或信息终端设备7411联动。例如，显示在显示部7000上的广告信息可以显示在信息终端设备7311或信息终端设备7411的屏幕上。此外，通过操作信息终端设备7311或信息终端设备7411，可以切换显示部7000的显示。在此，信息终端设备7311及信息终端设备7411例如可以为智能手机。
此外，可以在数字标牌7300或数字标牌7400上以信息终端设备7311或信息终端设备7411的屏幕为操作单元(控制器)执行游戏。由此，不特定多个使用者可以同时参加游戏，享受游戏的乐趣。
在图30C至图30F中，可以将本发明的一个方式的显示装置用于显示部7000。
图31A至图31G所示的电子设备包括框体9000、显示部9001、扬声器9003、操作键9005(包括电源开关或操作开关)、连接端子9006、传感器9007(该传感器具有感测、检测、测量如下因素的功能：力、位移、位置、速度、加速度、角速度、转速、距离、光、液、磁、温度、化学物质、声音、时间、硬度、电场、电流、电压、电力、辐射线、流量、湿度、倾斜度、振动、气味或红外线)及麦克风9008等。
图31A至图31G所示的电子设备具有各种功能。例如，可以具有如下功能：将各种信息(静态图像、动态图像及文字图像等)显示在显示部上的功能；触摸面板的功能；显示日历、日期或时间等的功能；通过利用各种软件(程序)控制处理的功能；进行无线通信的功能；读出储存在存储介质中的程序或数据并进行处理的功能；等。注意，电子设备的功能不局限于上述功能，而可以具有各种功能。电子设备可以包括多个显示部。另外，也可以在电子设备中设置例如相机而使其具有如下功能：拍摄静态图像或动态图像，且将所拍摄的图像储存在存储介质(外部存储介质或内置于相机的存储介质)中的功能；将所拍摄的图像显示在显示部上的功能；等。
下面，详细地说明图31A至图31G所示的电子设备。
图31A是示出便携式信息终端9101的立体图。可以将便携式信息终端9101例如用作智能手机。注意，在便携式信息终端9101中，也可以设置扬声器9003、连接端子9006及传感器9007等。另外，作为便携式信息终端9101，可以将文字或图像信息显示在其多个面上。在图31A中示出显示三个图标9050的例子。另外，可以将以虚线的矩形示出的信息9051显示在显示部9001的其他面上。作为信息9051的一个例子，可以举出提示收到电子邮件、SNS或电话的信息；电子邮件或SNS的标题；电子邮件或SNS的发送者姓名；日期；时间；电池余量；以及电波强度。或者，可以在显示有信息9051的位置上显示例如图标9050。
图31B是示出便携式信息终端9102的立体图。便携式信息终端9102具有将信息显示在显示部9001的三个以上的面上的功能。在此，示出信息9052、信息9053、信息9054分别显示于不同的面上的例子。例如，在将便携式信息终端9102放在上衣口袋里的状态下，使用者能够确认显示在从便携式信息终端9102的上方看到的位置上的信息9053。例如，使用者可以确认到该显示而无需从口袋里拿出便携式信息终端9102，由此能够判断是否接电话。
图31C是示出平板终端9103的立体图。平板终端9103例如可以执行移动电话、电子邮件及文章的阅读和编辑、播放音乐、网络通信及计算机游戏等各种应用软件。平板终端9103在框体9000的正面包括显示部9001、相机9002、麦克风9008及扬声器9003，在框体9000的左侧面包括用作操作用按钮的操作键9005，并且在底面包括连接端子9006。
图31D是示出手表型便携式信息终端9200的立体图。可以将便携式信息终端9200例如用作智能手表(注册商标)。另外，显示部9001的显示面弯曲，可沿着其弯曲的显示面进行显示。此外，便携式信息终端9200例如通过与可进行无线通信的耳麦相互通信可以进行免提通话。此外，通过利用连接端子9006，便携式信息终端9200可以与其他信息终端进行数据传输或进行充电。充电也可以通过无线供电进行。
图31E至图31G是示出可以折叠的便携式信息终端9201的立体图。另外，图31E是将便携式信息终端9201展开的状态的立体图，图31G是折叠的状态的立体图，图31F是从图31E的状态和图31G的状态中的一个转换成另一个时中途的状态的立体图。便携式信息终端9201在折叠状态下可携带性好，而在展开状态下因为具有无缝拼接较大的显示区域所以显示的浏览性强。便携式信息终端9201所包括的显示部9001被由铰链9055连结的三个框体9000支撑。显示部9001例如可以在曲率半径0.1mm以上且150mm以下的范围弯曲。
通过将本发明的一个方式的显示装置用于上述电子设备，可以提供可靠性高的电子设备。
本实施方式的至少一部分可以与本说明书所记载的其他实施方式适当地组合而实施。
[符号说明]
100：显示装置、101：层、103：像素、110a：子像素、110b：子像素、110c：子像素、110：子像素、111a：像素电极、111b：像素电极、111c：像素电极、111：像素电极、113a：EL层、113A：EL膜、113b：EL层、113B：EL膜、113c：EL层、113C：EL膜、113d：EL层、113：EL层、114：公共层、115：公共电极、116：突出部、117：绝缘层、118a：掩模层、118A：掩模膜、118b：掩模层、118B：掩模膜、118c：掩模层、118C：掩模膜、118：掩模层、119a：掩模层、119A：掩模膜、119b：掩模层、119B：掩模膜、119c：掩模层、119C：掩模膜、119：掩模层、120：衬底、122：粘合层、123：导电层、124a：像素、124b：像素、125A：绝缘膜、125：绝缘层、127A：绝缘膜、127B：绝缘层、127C：绝缘层、127：绝缘层、130a：发光元件、130b：发光元件、130c：发光元件、130d：发光元件、130：发光元件、131：保护层、133：凹陷部、135A：遮光膜、135：遮光层、137a：锥形部、137b：锥形部、137c：锥形部、137：锥形部、139a：区域、139b：区域、140：连接部、150：像素、160a：发光单元、160b：发光单元、160c：发光单元、160：发光单元、161：保护层、163a：着色层、163b：着色层、163c：着色层、163：着色层、190a：抗蚀剂掩模、190b：抗蚀剂掩模、190c：抗蚀剂掩模、200A：显示装置、200B：显示装置、200C：显示装置、200D：显示装置、200E：显示装置、200F：显示装置、202：晶体管、204：连接部、209：晶体管、210：晶体管、211：绝缘层、212：绝缘层、214：绝缘层、215：绝缘层、218：绝缘层、221：导电层、222a：导电层、222b：导电层、223：导电层、225：绝缘层、231i：沟道形成区域、231n：低电阻区域、231：半导体层、240：电容器、241：导电层、242：连接层、243：绝缘层、245：导电层、251：导电层、252：导电层、254：绝缘层、255a：绝缘层、255b：绝缘层、255c：绝缘层、256：插头、261：绝缘层、262：绝缘层、263：绝缘层、264：绝缘层、265：绝缘层、271：插头、274a：导电层、274b：导电层、274：插头、280：显示模块、281：显示部、282：电路部、283a：像素电路、283：像素电路部、284a：像素、284：像素部、285：端子部、286：布线部、290：FPC、291：衬底、292：衬底、301A：衬底、301B：衬底、301：衬底、310A：晶体管、310B：晶体管、310：晶体管、311：导电层、312：低电阻区域、313：绝缘层、314：绝缘层、315：元件分离层、320A：晶体管、320B：晶体管、320：晶体管、321：半导体层、323：绝缘层、324：导电层、325：导电层、326：绝缘层、327：导电层、328：绝缘层、329：绝缘层、331：衬底、332：绝缘层、335：绝缘层、336：绝缘层、341：导电层、342：导电层、343：插头、344：绝缘层、345：绝缘层、346：绝缘层、347：凸块、348：粘合层、400：显示装置、411a：导电层、411b：导电层、451：衬底、455：粘合层、462：显示部、464：电路、465：布线、466：导电层、472：FPC、473：IC、700A：电子设备、700B：电子设备、711：发光层、712：发光层、713：发光层、720：层、721：框体、723：安装部、727：耳机部、730：层、750：耳机、751：显示装置、753：光学构件、756：显示区域、757：边框、758：鼻垫、790a：EL层、790b：EL层、790：EL层、791：下部电极、792：上部电极、795：着色层、800A：电子设备、800B：电子设备、820：显示部、821：框体、822：通信部、823：安装部、824：控制部、825：成像部、827：耳机部、832：透镜、6500：电子设备、6501：框体、6502：显示部、6503：电源按钮、6504：按钮、6505：扬声器、6506：麦克风、6507：相机、6508：光源、6510：保护构件、6511：显示装置、6512：光学构件、6513：触摸传感器面板、6515：FPC、6516：IC、6517：印刷电路板、6518：电池、7000：显示部、7100：电视装置、7101：框体、7103：支架、7111：遥控操作机、7200：笔记本型个人计算机、7211：框体、7212：键盘、7213：指向装置、7214：外部连接端口、7300：数字标牌、7301：框体、7303：扬声器、7311：信息终端设备、7400：数字标牌、7401：柱子、7411：信息终端设备、9000：框体、9001：显示部、9002：相机、9003：扬声器、9005：操作键、9006：连接端子、9007：传感器、9008：麦克风、9050：图标、9051：信息、9052：信息、9053：信息、9054：信息、9055：铰链、9101：便携式信息终端、9102：便携式信息终端、9103：平板终端、9200：便携式信息终端、9201：便携式信息终端

Claims (20)

1.一种显示装置，包括：
第一发光元件；
与所述第一发光元件相邻的第二发光元件；
设置在所述第一发光元件与所述第二发光元件之间的第一绝缘层；
所述第一绝缘层上的遮光层；以及
所述遮光层上的第二绝缘层，
其中，所述第一发光元件包括第一像素电极、所述第一像素电极上的第一EL层及所述第一EL层上的公共电极，
所述第二发光元件包括第二像素电极、所述第二像素电极上的第二EL层及所述第二EL层上的所述公共电极，
并且，所述第二绝缘层上配置有所述公共电极。
2.根据权利要求1所述的显示装置，
其中所述第一绝缘层包含无机材料，
并且所述第二绝缘层包含有机材料。
3.根据权利要求2所述的显示装置，
其中所述第一绝缘层包含氧化铝。
4.根据权利要求2或3所述的显示装置，
其中所述第二绝缘层包含丙烯酸树脂。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的显示装置，
其中在从所述显示装置的截面看时所述第一像素电极及所述第二像素电极都在侧面具有锥形形状，
所述第一EL层覆盖所述第一像素电极的侧面，
所述第二EL层覆盖所述第二像素电极的侧面，
所述第一EL层在所述第一像素电极的侧面与所述第一绝缘层之间包括第一锥形部，
并且所述第二EL层在所述第二像素电极的侧面与所述第一绝缘层之间包括第二锥形部。
6.根据权利要求5所述的显示装置，
其中所述第一锥形部的锥角及所述第二锥形部的锥角都小于90°。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的显示装置，
其中所述第一绝缘层包括与所述第一EL层及所述第二EL层接触的区域。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的显示装置，
其中所述第一发光元件包括配置在所述第一EL层与所述公共电极之间的公共层，
所述第二发光元件包括配置在所述第二EL层与所述公共电极之间的所述公共层，
所述第二绝缘层与所述公共电极之间配置有所述公共层，
并且所述公共层包括空穴注入层、空穴传输层、空穴阻挡层、电子阻挡层、电子传输层和电子注入层中的至少一个。
9.一种显示模块，包括：
权利要求1至8中任一项所述的显示装置；以及
连接器和集成电路中的至少一个。
10.一种电子设备，包括：
权利要求9所述的显示模块；以及
电池、相机、扬声器和麦克风中的至少一个。
11.一种显示装置的制造方法，包括如下步骤：
形成第一像素电极及第二像素电极；
以覆盖所述第一像素电极及所述第二像素电极的方式形成第一EL膜；
在所述第一EL膜上形成第一掩模膜；
通过加工所述第一EL膜及所述第一掩模膜来形成所述第一像素电极上的第一EL层及所述第一EL层上的第一掩模层；
以覆盖所述第一掩模层及所述第二像素电极的方式形成第二EL膜；
在所述第二EL膜上形成第二掩模膜；
通过加工所述第二EL膜及所述第二掩模膜来形成所述第二像素电极上的第二EL层及所述第二EL层上的第二掩模层；
以覆盖所述第一EL层、所述第二EL层、所述第一掩模层及所述第二掩模层的方式形成无机绝缘膜；
在所述无机绝缘膜上形成遮光膜；
在所述遮光膜上涂布感光性有机绝缘膜；
对所述有机绝缘膜的一部分照射光；
去除所述有机绝缘膜的一部分来在所述第一EL层与所述第二EL层之间形成有机绝缘层；
去除所述遮光膜的一部分来在所述有机绝缘层下形成遮光层；
去除所述无机绝缘膜的一部分来在所述遮光层下形成无机绝缘层；以及
在所述第一EL层上、所述第二EL层上及所述有机绝缘层上形成公共电极。
12.根据权利要求11所述的显示装置的制造方法，
其中所述光包括紫外光。
13.根据权利要求11或12所述的显示装置的制造方法，
其中以在从所述显示装置的截面看时其侧面都具有锥形形状的方式形成所述第一像素电极及所述第二像素电极，
以覆盖所述第一像素电极的侧面且在所述第一像素电极的侧面与所述第一掩模层之间包括第一锥形部的方式形成所述第一EL层，
并且以覆盖所述第二像素电极的侧面且在所述第二像素电极的侧面与所述第二掩模层之间包括第二锥形部的方式形成所述第二EL层。
14.根据权利要求13所述的显示装置的制造方法，
其中以所述第一锥形部的锥角小于90°的方式形成所述第一EL层，
并且以所述第二锥形部的锥角小于90°的方式形成所述第二EL层。
15.根据权利要求11至14中任一项所述的显示装置的制造方法，
其中利用光刻法形成所述第一EL层及所述第二EL层。
16.根据权利要求11至15中任一项所述的显示装置的制造方法，
其中使该显示装置具有所述第一EL层与所述第二EL层之间的距离为8μm以下的区域。
17.根据权利要求11至16中任一项所述的显示装置的制造方法，
其中利用ALD法形成所述无机绝缘膜。
18.根据权利要求11至17中任一项所述的显示装置的制造方法，
其中使用感光性丙烯酸树脂形成所述有机绝缘膜。
19.根据权利要求11至18中任一项所述的显示装置的制造方法，
其中以包括与所述第一EL层及所述第二EL层接触的区域的方式形成所述无机绝缘层。
20.根据权利要求11至19中任一项所述的显示装置的制造方法，
其中在形成所述无机绝缘层后且形成所述公共电极前形成包括空穴注入层、空穴传输层、空穴阻挡层、电子阻挡层、电子传输层和电子注入层中的至少一个的公共层，
并且在所述公共层上形成所述公共电极。
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