TWI254340B - Method for fabricating thin film pattern, device and fabricating method therefor, method for fabricating liquid crystal display, liquid crystal display, method for fabricating active matrix substrate, electro-optical apparatus, and electrical apparatus - Google Patents

Description

1254340 (1) * 玖、發明說明 〜 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於一種薄膜圖案形成方法，裝置與其製 造方法’液晶顯不裝置之製造方法，液晶顯示裝置，主動 矩陣基板之製造方法，光電裝置及電子機器。 【先前技術】 在具有於電子電路或是積體電路等所使用的配線的裝 鲁 置製造’例如採用微影法。該微影法是一種事先在塗佈導 電膜的基板上，塗佈上稱爲光阻劑的感光材料，照射電路 圖案並顯影，配合光阻圖案來蝕刻導電膜，形成薄膜的配 線圖案。該微影法需要真空裝置等大型的設備和複雜的工 程，此外材料使用效率亦爲數％左右，幾乎不得不丟棄， 製造成本高。 針對此，提供一種採用從液滴吐出裝置，以液滴狀吐 出液體材料的液滴吐出法的所謂噴墨法，在基板上形成配 馨 線圖案的方法（例如參考日本專利文獻1 )。利用此方法 ，將令金屬微粒子等導電性微粒子分散的功能液的配置圖 案用油墨，直接圖案塗佈在基板上，然後進行熱處理或雷 射照射，變轉爲薄膜的導電膜圖案。若根據此方法，就不 需要微影法，製程大幅度的變得很簡單，同時原料的使用 量也減少。 一方面，隨著筆記型電腦、行動電話等攜帶式機器的 普及，既薄且輕的液晶顯示裝置被廣泛使用。此種液晶顯 (2) ； 1254340 示裝置是種在上基板及下基板間夾持著液晶層的裝置。 a 於第48圖表示前述下基板之一例。如同圖所示，下 基板1係爲具備有：玻璃基板2、和以互相交叉的方式配 線在該玻璃基板2上的閘極掃描電極3及源極電極4、和 配線在同一玻璃基板2上的汲極電極5、和連接在該汲極 電極5的畫素電極（ITO ) 6、和介設在閘極掃描電極3及 源極電極4間的絕緣層7、和由薄膜半導體所製成的TFT (Thin Film Transistor) 8 所構成。 _ 就上記下基板1的各金屬配線的形成來看，例如組合 乾式製程和蝕刻的手法，以往既被採用，不過乾式製程除 了製造成本比較高之外，還有所謂難以配合製造基板尺寸 大型化的缺點。於是，採用利用噴墨法將金屬配線描畫在 玻璃基板上的手法（例如參考下記日本專利文獻2 )。 〔日本專利文獻1〕美國專利第5 1 32248號明細書 〔日本專利文獻2〕特開第2002-164635號公報 ⑩ 【發明內容】 〔發明欲解決之課題〕 但是如上述的習知技術存在著以下的問題。 由於配線圖案是經由塗佈在平面的基板上的導電性微 粒子所形成，故由導電性微粒子所形成的薄膜會成爲突出 基板表面的狀態，成爲阻礙裝置薄型化的其中一個因素。 此外，就連在基板上於整個複數層形成配線圖案的裝 置，均有成爲阻礙高積體化的其中一個因素之虞。 -6 - 1254340 (3) 此外，無論上記何種手法，形成完成的製品，均如第 48圖所示，會在表面殘留許多凹凸的形狀。此種凹凸形 狀變比較大的話，在成爲液晶裝置而組裝之際，會有產生 顯示斑紋之虞。 即，此下基板1係在其上面形成配向膜之後施行硏磨 處理，不過在凹部分和凸部分，會有在硏磨處理之相關情 形產生差異之虞。一旦產生此種硏磨處理的不均勻化，對 於液晶的配向限制力，會在部分間產生差異，結果會引起 顯示斑紋。 本發明爲考慮到以上諸點的發明，目的在於提供一種 可實現薄型化的薄膜圖案形成方法、裝置與其製造方法及 光電裝置以及電子機器。 此外，本發明的另一目的在於提供一種藉由提高液晶 配向限制力達成防止顯示斑紋的手段。 〔用以解決課題之手段〕 爲達成上記目的，本發明採用以下構成。 本發明的薄膜圖案形成方法乃屬於將功能液塗佈在基 板上，形成薄膜圖案的方法，其特徵爲具有：在前述基板 上形成配合前述薄膜圖案的凹部的工程；和在前述凹部塗 佈前述功能液的工程。此時，包括：配合前述薄膜圖案在 前述基板上突設間隔壁的工程；和在前間隔壁之間的前述 基板形成前述凹部的工程；和在塗佈前述功能液之後，除 去前述間隔壁的工程。 (4) · 1254340 因而’本發明因在基板的凹部內形成薄膜圖案，故可 · 成爲不會突出基板表面的情形進行配線，可令使用該基板 的裝置等薄型化，同時在積層配線圖案（薄膜圖案）之際 ’形成高積體化。此外，突設間隔壁之後，對著形成在間 隔壁之間的基板的凹部，吐出（塗佈）功能液的時候，功 能液的液滴會飛散到周圍，並能以特定形狀進行圖案化。 此外，塗佈功能液之後，除去間隔壁的話，就可防止基板 的厚型化。 Φ 再者，突設間隔壁的時候，以間隔壁爲遮罩，例如利 用蝕刻等形成凹部爲佳。 藉此，不需要另外製造遮罩，或在將遮罩定位在基板 上的作業，就能提高生產性。 此外，突設間隔壁的時候，設有使間隔壁獲得比前述 凹部還高的排液性的工程爲佳。

藉此，連吐出的部分液滴滴在間隔壁上，間隔壁表面 形成排液性，藉此，從間隔壁彈開，流落到間隔壁間的凹 H 部。因而，吐出的功能液會擴散到基板上的凹部，而略均 勻地埋入。 再者，功能液中含有導電性微粒子時，能以薄膜圖案 作爲配線圖案，可應用於各種裝置。此外，除導電性微粒 子之外，使用有機el等發光元件形成材料或R、G、B之 油墨材料，也適用於有機EL裝置或具有彩色濾色器的液 晶顯示裝置等的製造。而且，功能液亦可選擇利用加熱等 熱處理或是光照射等光處理，來發現導電性的功能液。 -8- (5) · 1254340 一方面’本發明之裝置製造方法，乃屬於在基板上形 - 成薄膜圖案的裝置的製造方法，其特徵爲：利用上記薄膜 圖案形成方法，在前述基板形成前述薄膜圖案。 藉此，本發明就可獲得薄型且能高積體化的裝置。 特別是薄膜圖案爲構成設置在前述基板上的TFT (薄 膜電晶體）等的開關元件的一部分的情況下，可獲得高積 體化的薄型開關元件。 而且，本發明之光電裝置，其特徵爲：具備有使用上 馨 記的裝置製造方法所製成的裝置。 此外，本發明之電子機器，其特徵爲：具備有上記的 光電裝置。 藉此，本發明就能獲得薄型的光電裝置及電子機器。 此外’本發明之裝置，乃屬於在基皮形成薄膜圖案的 裝置’其特徵爲：在前述基板，形成配合前述薄膜圖案的 凹部，在前述凹部，設有前述薄膜圖案。 藉此，本發明因在基板的凹部內形成薄膜圖案，故可 鲁 成爲不會突出基板表面的情形進行配線，可令使用該基板 的裝置等薄型化’同時在積層配線圖案（薄膜圖案）之際 ，形成高積體化。 薄膜圖案是以對前述基板的表面而言，以非突出狀態 形成爲佳。 藉此’本發明即可更·薄型化，同時令薄膜圖案的表面 與基板表面形成同一平面的時候，平坦性提高，形成絕緣 膜等之後面的工程變得很容易。 -9 - 1254340 (6) 此外，凹部是以斷面形狀形成向著底部逐漸擴大直徑 的倒錐狀爲佳。 藉此，本發明可將形成在凹部的薄膜圖案自基板剝離 ，防止裝置品質降低。 再者，薄膜圖案以導電性膜形成的時候，能以薄膜圖 案作爲配線圖案，可應用於各種裝置。 此外，本發明之液晶顯示裝置的製造方法，是採用其 特徵爲具有：在基板形成基板溝的基板溝形成工程；和以 畫分前述基板溝的方式形成排液部的排液部形成工程、和 著對基板溝吐出含有導電性材料的液滴而形成第一導電形 圖案的第一導電性圖案形成工程；和以至少覆蓋前述第一 導電性圖案的方式形成第一絕緣層的第一絕緣形成工程； 和在前述第一絕緣層上形成由薄膜半導體所製成的薄膜電 晶體及具有透光性的第一間隔壁的間隔壁形成工程；和在 以前述間隔壁所畫分的描畫區域吐出含有導電性材料的液 滴而形成第二導電性圖案的第二導電性圖案形成工程；和 以至少覆蓋前述第一間隔壁及前述第二導電性圖案的方式 形成第二絕緣層的第二絕緣層形成工程的方法。 若根據該液晶顯示裝置的製造方法，第一絕緣層形成 工程前的基板，由於爲在基板溝內埋入第一導電性圖案的 形式’故形成平坦的表面形狀。在該平坦的表面上形成第 一絕緣層，還是可利用第一絕緣層形成工程形成平坦的第 一絕緣層。而且，於第二導電性圖案形成工程中，在該平 坦的第一絕緣層上，形成第一間隔壁和第二導電性圖案爲 -10- 1254340 (7) .

W 一體的一片平坦的層。 * 在該平坦的層上，於第二絕緣層形成工程中，形成第 二絕緣層，同樣可形成平坦的第二絕緣層。即，形成留下 原本被除去的第一間隔壁的第二絕緣層，故確保可形成凹 凸比以往少的表面形狀。 如以上說明，所有工程後的基板，確保可成爲平坦的 表面形狀。藉此，在基板施以硏磨處理之際，由於其相關 情形難以產生斑紋，故使液晶配向限制力提高，就能防止 春 顯示斑紋。 此外，以第一導電性圖案形成工程所形成的第一導電 性圖案，由於是以埋入在基板溝內的方式所形成，故對沒 有基板溝的基板而言，與形成第一導電性圖案的情形相比 ，也可將完成後的基板的厚度尺寸變薄。 而且，就上記液晶顯示裝置的製造方法來看，於前述 排液部形成工程中，形成畫分前述基板溝的第二間隔壁， 藉此形成前述排液部，在前述第一絕緣層形成工程之前， Φ 除去前述第二間隔壁亦可。 此時’藉由形成第二間隔壁，就能利用上記第一導電 性圖案形成工程而確實地形成微細的第一導電性圖案。此 外，因可將該第二間隔壁，在第一導電性圖案形成後除去 ，故亦可令完成後的基板的厚度尺寸變薄。 此外，爲解決上記課題，本發明之液晶顯示裝置乃屬 於在一對基板間夾持著液晶層的液晶顯示裝置，採用其特 徵爲具備有：於前述各基板中的其中一個基板形成基板溝 -11 - (8) ； 1254340 ，在前述基板溝內形成第一導電性圖案，以至少覆蓋由前 t 述第一導電性圖案方式所形成的絕緣層；和設置在該絕緣 層的上面，且設置在由薄膜半導體所製成的薄膜電晶體、 具有透光性的間隔壁、以及經由該間隔壁的畫分之區域的 第二導電性圖案的構成。 若根據該液晶顯示裝置，由於前述一方的基板係在 其基板溝內埋入第一導電性圖案的形式，故形成平坦的表 面形狀。形成在該平坦的表面上的絕緣層，也還是可形成 ® 平坦的表面形狀。而且，形成在該平坦的絕緣層上的薄膜 電晶體、間隔壁、及第二導電性圖案，也還是可形成平坦 的表面形狀。即，由於留下原本被除去的間隔壁，就確保 能形成凹凸比以往還少的表面形狀。像這樣，因各層被平 坦化，故可防止硏磨處理的斑紋，提高液晶配向限制力。 因而，成爲可防止顯示斑紋的液晶顯示裝置。 此外，由於第一導電性圖案是以埋入玻璃基板之基板 溝內的方式所形成，故在沒有基板溝的基板，與形成第一 鲁 導電性圖案的情形相比，·亦能令基板的厚度尺寸變薄。 而且，爲解決上記課題，故本發明之液晶顯示裝置的 製造方法，是採用其特徵爲具有：在基板形成基板溝的基 板溝形成工程；和在前述基板溝內形成第一間隔壁的第一 間隔壁形成工程；和對著以前述第一間隔壁所畫分的區域 ，吐出含有導電性材料的液滴，於前述基板溝內形成第一 導電性圖案的第一導電性圖案形成工程的方法。 若根據該液晶顯示裝置的製造方法，將屬於凹處的基 -12- 1254340 (9) 板溝，利用第一間隔壁及第一導電性圖案埋入，而施行配 線形成，就確保能形成凹凸比以往還少的平坦表面形狀。 藉此，於基板施行硏磨處理之際，由於該相關情形難以產 生斑紋，故可提昇液晶配向限制力，防止顯示斑紋。 此外，將第一間隔壁及第一導電性圖案埋入到基板溝 內，與形成設有基板溝的第一導電性圖案的情形相比，也 能令完成後的基板的厚度尺寸變薄。 而且，於上記液晶顯示裝置的製造方法中，亦可進行 至少將前述第一導電性圖案及前述第一間隔壁利用絕緣層 覆蓋的第一絕緣層形成工程；和在前述基板溝內形成由薄 膜半導體所製成的薄膜電晶體及第二間隔壁的第二間隔壁 形成工程；和對著利用前述第二間隔壁所畫分的區域，吐 出含有導電性材料的液滴，於前述基板溝內形成第二導電 性圖案的第二導電性圖案形成工程。 此時，更亦將絕緣層、薄膜電晶體、第二間隔壁、第 二導線性圖案整合於基板溝內，故更能確保平坦的表面形 狀。藉此，能令硏磨處理的相關情形更均質化，可更加提 昇液晶配向限制力，防止顯示斑紋。此外，亦可令完成後 的基板的厚度尺寸變更薄。 此外’爲解決上δΒ課題’本發明的液晶顯不裝置乃屬 於在一對基板間夾持液晶層的液晶顯示裝置，採用其特徵 爲：在前述各基板中的其中一方的基板形成基板溝，於前 述基板溝內至少具備一層形成在間隔壁及利用該間隔壁所 畫分之區域的導電性圖案的構成。 -13- 1254340 (10) 若根據該液晶顯示裝置，因在基板溝內以埋入間隔壁 及導電性圖案的方式而形成配線，故確保可形成凹凸比以 往還少的平坦的表面形狀。藉由此種平坦化，可防止硏磨 處理的斑紋，提昇液晶配向限制力。因而，成爲可防止顯 示斑紋的液晶顯示裝置。 此外，由於間隔壁及導電性圖案被埋入到基板溝內， 故與在没有基板溝的基板表面形成導電性圖案的習知相比 ，亦可令基板的厚度尺寸變薄。 一方面，爲解決上記課題，本發明之液晶顯示裝置的 製造方法是採用其特徵爲具有：在基板的上面形成具有透 光性的間隔壁的間隔壁形成工程；和對著利用前述間隔壁 所畫分的描畫區域，吐出含有導電性材料的液滴，形成第 一導電性圖案的導電性圖案形成工程；和以至少覆蓋前述 間隔壁及前述第一導電性圖案的方式，形成由薄膜半導體 所製成的薄膜電晶體及絕緣層的絕緣層形成工程的方法。 若根據該液晶顯示裝置的製造方法，絕緣層形成工程 前的基板係間隔壁和第一導電性圖案成爲一體，形成一片 平坦的層。在該平坦的層上形成絕緣層，同樣可形成平坦 的絕緣層。 像這樣，因形成留下原本被除去的第一間隔壁的絕緣 層，故確保能形成凹凸比以往還少的表面形狀。藉此，施 行硏磨處理之際，由於其相關情形難以產生斑紋，故可提 昇液晶配向限制力，防止顯示斑紋。 而且，於上記液晶顯示裝置的製造方法，亦可在前述 -14- 1254340 (11) 絕緣層之上，進行前述間隔壁形成工程、前述導電性圖案 形成工程、及前述絕緣層形成工程，形成相對於前述第一 導電性圖案而交叉的第二導電性圖案。 連此時，再度進行絕緣層形成工程之前的基板，係利 用再度進行的導電性圖案形成工程所形成的間隔壁和第二 導電性圖案爲一體，而形成一片平坦的層。在該平坦的層 上再度形成絕緣層，還是能形成平坦的絕緣層。 因而，例如將平面觀看的情況形成交叉的閘極掃描電 極、電容線、源極電極及汲極電極，利用導電性圖案所形 成的情況，依舊留下欲形成該些電極的間隔壁，形成絕緣 層，故還是確保可形成凹凸比以往還少的表面形狀，使硏 磨處理的相關情形均勻化，就可提昇液晶配向限制力。 而且，於上記液晶顯示裝置的製造方法中，亦可藉由 包括前述導電性圖案形成工程的金屬配線形成工程，形成 閘極掃描電極、源極電極、汲極電極及畫素電極。 此時，由於藉由吐出含有導電性材料的液滴，形成閘 極配線、源極配線、汲極配線及畫素電極，故可削減金屬 配線形成工程所需要的材料。 此外，爲解決上記課題，本發明的液晶顯示裝置乃屬 於在一對基板間夾持液晶層的液晶顯示裝置，採用具備有 :設置在前述各基板中的其中一方的基板，具有透光性的 第一間隔壁、以及由設置在利用該第一間隔壁所畫分的區 域的第一導電性圖案所製成的第一導電層；和設置在該第 一導電層之上的第一絕緣層的構成。 -15- 1254340 (12) 若根據該液晶顯示裝置，在前述一方的基板上，以間 隔壁和第一導電性圖案成爲一體，而形成一片平坦的第一 導電層。因而，形成在此種平坦的第一導電層上的第一絕 緣層，也還是可形成平坦的表面形狀。 像這樣，因形成留下原本被除去的間隔壁的第一絕緣 層，故確保可形成凹凸比以往還少的表面形狀。藉由該平 坦化，可防止硏磨處理的斑紋，提昇液晶配向限制力，故 成爲可防止顯示斑紋的液晶顯示裝置。 而且，於上記液晶顯示裝置中，亦可具備有：由設置 在前述第一絕緣層上的第二間隔壁及第二導電性圖案所製 成的第二導電層；和設置在該第二導電層之上的第二絕緣 層。 此時，第二間隔壁和第二導電性圖案爲一體，而形成 一片平坦的第二導電層。而且形成在該平坦的第二導電層 上的第二絕緣層，也還是可形成平坦的表面形狀。 因而，例如將在同一平面上所交叉的導電性圖案，作 爲閘極掃描電極及源極電極使用的情況下，成爲依舊留下 欲形成該些電極的間隔壁，故還是確保可形成凹凸比以往 還少的表面形狀，令硏磨處理的相關情形均勻化，就可提 昇液晶配向限制力。 而且，本發明的電子機器，其特徵爲：利用前述液晶 顯示裝置的製造方法所製造的液晶顯示裝置，或具備前述 液晶顯示裝置。 若根據該電子機器，由於具備液晶配向限制力優的液 -16- 1254340 (13) 晶顯示裝置，故可形成具備顯示斑紋少且辨識性優的顯示 部的電子機器。 此外，本發明之主動矩陣基板的製造方法，其特徵爲 具有：在基板上形成閘極配線的第一工程；和在前述閘極 配線上形成閘極絕緣膜的第二工程；和介於前述閘極絕緣 膜而積層半導體層的第三工程；和在前述閘極絕緣層之上 形成源極電極及汲極電極的第四工程；和在前述源極電極 及前述汲極電極上配置絕緣材料的第五工程；和形成與前 述汲極電極電氣連接的畫素電極的第六工程；前述第一工 程、前述第四工程及前述第六工程的至少一項工程，具有 :形成對應於所形成的圖案的凹部的工程；和藉由對著前 述凹部利用液滴吐出裝置吐出前述功能液所配置的材料配 置工程。 若根據本發明，即可成爲閘極配線、源極電極及汲極 電極、畫素電極不會突出基板表面的形成配線，可令使用 該基板的裝置等薄型化’同時於積層配線圖案（薄膜圖案 )之際，可形成高積體化。 【實施方式】 〔用以實施發明的最佳形態〕 以下參照第1圖至第48圖說明本發明的薄膜圖案形 成方法、裝置與其製造方法、液晶顯示裝置的製造方法、 液晶顯示裝置、主動矩陣基板的製造方法、光電裝置及電 子機器的實施形態。 -17- 1254340 (14) (第1實施形態） 本實施形態中，是根據液滴吐出法從液體吐出頭的噴 嘴，液滴狀地吐出含有導電性微粒子的配線圖案（薄膜圖 案）用油墨（功能液），應用在基板上形成以導電性膜所 形成的配線圖案的情形的例子做說明。 該配線圖案用油墨是由：使導電性微粒子分散於分散 媒中的分散液或將有機銀化合物、氧化銀納米粒子分散於 溶媒（分散媒）中的溶液所組成。 本實施形態中，導電性微粒子例如除了含有金、銀、 銅、鈀、及鎳中的任一種的金屬微粒子外，可採用該些氧 氧化物、以及導電性聚合物或超電導體的微粒子等。 該些導電性微粒子爲提昇分散性，亦可在表面塗佈有 機物等使用。 導電性微粒子的粒徑以1 n m以上0.1 // m以下爲佳。 若大於〇·1μηι，後述的液體吐出頭的噴嘴，有可能會產 生堵塞。此外，若小於1 nm，相對於導電性微粒子的塗佈 劑的體積比變大，所獲得的膜中有機物之比例變得過多。 分散媒爲分散上記的導電性微粒子，故只要不會引起 凝集，就未特別限定。例如，除了水以外，舉例有：甲醇 、乙醇、丙醇、丁醇等醇類、η -庚烷、η -辛烷、癸烷、 二癸烷、四癸烷、甲苯、二甲苯、甲基異丙基苯、暗煤、 茚、雙戊烯、四氫化萘、十氫化萘、環己基苯等烴系化合 物，還有乙二醇二甲基醚、乙二醇二乙醚、乙二醇甲基乙 -18- 1254340 (15) 醚、二乙二醇二甲基醚、二乙二醇二乙醚、二乙二醇甲基 乙醚、1，2 —二甲氧基乙烷、雙（2—甲氧基乙基）醚、p 一二噁烷等醚系化合物，更有丙烯碳酸酯、r 一丁丙酯、 N —甲基—2—吡略烷酮、二甲基甲醯啶、二甲亞砜、環 己酮等極性化合物。該些之中，微粒子的分散性和分散液 的穩定性，還有液滴吐出法（噴墨法）的適用容易度這點 上，以水、醇類、烴系化合物、醚系化合物爲佳，更好的 分散媒舉例有：水、烴系化合物。 上記導電性微粒子的分散液的表面張力，在0.02N/ m以上0.07N/m以下的範圔內爲佳。利用噴墨法吐出液 體之際，若表面張力未滿0 · 0 2N / m，由於相對於油墨組 成物的噴嘴面之濕潤性增大，故易產生飛行彎曲，若超過 0.07N / m ’由於在噴嘴前端的彎月面形狀不穩定，故難 以控制吐出量、吐出定時。爲了調整表面張力，於上記分 散液中’在不大幅降低與基板的接觸角的範圍，微量添加 氟系、矽系、無離子系等表面張力調節劑爲佳。無離子系 表面張力調節劑會使得對液體的基板之濕潤性提昇，改良 膜的平直性，有助於防止膜產生微細的凹凸等。上記表面 張力調節劑配合需要可含有醇、醚、酯、酮等有機化合物 〇 上記分散液的粘度以1 m p a · s以上5 0 m P a · S以下爲 佳。使用噴墨法將液體材料形成液滴而吐出之際，粘度小 於1 niPa · S的時候，噴嘴周邊部易因流出油墨被污染， 此外粘度大於5 0 m P a · S的時候，在噴嘴孔的堵塞頻度昇 1254340 (16) 高，吐出圓滑的液滴變困難。 形成配線圖案的基板可使用玻璃、石英玻璃、Si晶 圓、塑膠薄膜、金屬板等各種基板。此外，亦包括在該些 各種素材基板的表面，以半導體膜、金屬膜、介電質膜、 有機膜等作爲基底層而形成。 在此，液滴吐出法的吐出技術舉例有··帶電控制方式 、加壓振動方式、電機械轉換式、電熱轉換方式、靜壓吸 引方式等。帶電控制方式是利用帶電電極使材料獲得電荷 ’利用偏向電極來控制材料的飛翔方向，而從噴嘴吐出。 此外’加壓振動方式是對材料施加30kg/ cm2左右的超高 壓’使材料吐出到噴嘴前端側，在不施加控制電壓的情況 下，材料直行前進而從噴嘴吐出，一旦施加控制電壓，就 會在材料間引起靜壓性的反彈，材料不會飛散且從噴嘴吐 出。此外，電機械轉換方式是利用壓電元件接受脈衝式的 電氣信號而變形的性質，令壓電元件變形，藉此在貯存材 料的空間，介於可撓物質而獲得壓力，從該空間押出材料 ，而從噴嘴吐出。 此外’電熱轉換方式是利用設置在貯存材料之空間內 的加熱器，使材料急遽氣化，產生氣泡（泡），藉由氣泡 的壓力使空間內的材料被吐出。靜壓吸引方式是對貯存在 材料的空間內施加微小壓力，於噴嘴形成材料的彎月面， 以此狀態施加靜壓引力後，引出材料。而除此之外，利用 經由電場的流體粘性變化的方式或利用放電火花而飛散的 方式等之技術也很適用。液滴吐出法對於材料使用的浪費 (17) : 1254340 & ’而且具有所謂可在所希望的位置正確配置所希望之量 * 白勺材料的優點。再者，利用液滴吐出法吐出的液狀材料（ 流動體）的一滴量，例如爲1〜3 00納米毫克。 # ’針對於製造有關本發明裝置之際所用的裝置製 造裝置做說明。 ^ ®製造裝置是採用藉由從液滴吐出頭針對基板吐 & c _ T )液滴，來製造裝置的液滴吐出裝置（噴墨裝置 )〇 · 第1圖係表示液清吐出裝置IJ的槪略構成的立體圖 〇 液滴吐出裝置IJ係具備有：液滴吐出頭1 〇 1、X軸方 向驅動軸104、Y軸方向引導軸105、控制裝置CONT、 臺面107、清洗機構ι〇8、基台1〇9和加熱器1 15。 臺面107是用來支撐利用該液滴吐出裝置IJ設有油 墨（液體材料）的基板P，具備有將基板P固定在基準位 置之圖未表示的固定機構。 馨 液滴吐出頭1 0 1係具備複數吐出噴嘴的多噴嘴型的液 滴吐出頭，使長邊方向和X軸方向一致。複數吐出噴嘴係 在液滴吐出頭101的下面，並列於Y軸方向，以一定間 隔而設置。從液滴吐出頭1 0 1的吐出噴嘴，對著被臺面 107支撐的基板P，吐出含有上述的導電性微粒子的油墨 〇 於X軸方向驅動軸104連接X軸方向驅動馬達102。 X軸方向驅動馬達1 02爲步進馬達等，一旦從控制裝置 -21 - (18) · 1254340 CONT供給X軸方向的驅動信號，就會使χ軸方向驅動軸 · 1 04旋轉。一旦X軸方向驅動軸1 〇4旋轉，液滴吐出頭 101就會在X軸方向移動。 Y軸方向引導軸105是以對基台109而言不會動作的 方式被固定。臺面107具備有Y軸方向驅動馬達1〇3。Y 軸方向驅動馬達1 03爲步進馬達等，一旦從控制裝置 CONT供給Y軸方向的驅動信號，臺面1〇7就會在Y軸方 向移動。 @ 控制裝置CONT係對液滴吐出頭101供給液滴之吐出 控制用的電壓。此外，對X軸方向驅動馬達1 02供給控制 液滴吐出頭1 0 1之X軸方向移動的驅動脈衝信號，對Y 軸方向驅動馬達1 0 3供給控制臺面1 0 7之Y軸方向移動 的驅動脈衝信號。 清洗機構1 〇 8係清洗液滴吐出頭1 0 1。於清洗機構 108具備有：圖未表示的γ軸方向的驅動馬達。藉由該γ 軸方向之驅動馬達的驅動，清洗機構會沿著Y軸方向引 β 導軸105而移動。清洗機構1〇8的移動也可利用控制裝置 CONT被控制。 加熱器1 1 5在此是利用燈具退火熱處理基板P的手段 ，施行包含於塗佈在基板P上的液體材料之溶媒的蒸發及 乾燥。該加熱器1 1 5的電源投入及切斷也可利用控制裝置 CONT被控制。 液滴吐出裝置IJ是一邊相對式地掃描支撐液滴吐出 頭1 〇 1和基板P的臺面1 07 —邊對著基板P吐出液滴。在 -22- 1254340 (19)

此’於以下說明中，X軸方向爲掃描方向，與X軸方向正 父的Y軸方向爲非掃描方向。因而，液滴吐出頭1 0 1的 吐出噴嘴是以一定間隔並列設置在屬於非掃描方向的γ 軸方向。再者，第1圖中，液滴吐出頭1 〇 1是相對於基板 P的進行方向，被直角配置，不過調整液滴吐出頭1 0丨的 角度，以相對於基板P的進行方向而交叉的方式亦可。若 藉此，即可調整液滴吐出頭1 〇 1的角度，來調節噴嘴間的 圖 rml 理 。 原 離出 距吐 的 的 面料 嘴材 噴體 和液 P 的 板式 基方 r 調壓 意用 任利 可明 亦說 ， 是 外圖 此 2 。 第 距 間 於第2圖中，鄰接於收容液體材料（配線圖案用油墨 、功能液）的液體室1 2 1而設置有壓電元件〗2 2。對著液 體室1 2 1介於包括收容液體材料的材料箱的液體材料供給 系統1 2 3而供給液體材料。壓電元件1 2 2是連接在驅動電 路124，介於該驅動電路124對壓電元件122施加電壓， 使壓電兀件1 2 2變形，藉此液體室1 21會變形，從噴嘴 · 1 2 5吐出液體材料。此時，藉由改變施加電壓的値，就可 控制壓電元件122的變形量。此外，藉由改變施加電壓的 頻率，控制壓電元件1 22的變形速度。由於利用壓電方式 的液滴吐出不會對材料加熱，故具有所謂難以影響材料組 成的優點。 其次’本發明之配線圖案形成方法的實施形態之一例 ，是針對在基板上形成導電膜配線的方法，參考第3圖做 說明。有關本實施形態的配線圖案形成方法，係將上述的 -23- 1254340 (20) 配線圖案用的油墨配置在基板上，在該基板上形成配線用 的導電膜圖案，由間隔壁形成工程、凹部形成工程、殘渣 處理工程、排液化處理工程、材料配置工程及中間乾燥工 程、燒成工程、間隔壁除去工程所槪略構成。 以下對每個工程做詳細說明。 (間隔壁形成工程） 間隔壁是作爲隔間構件功能的構件，間隔壁的形成是 可使用微W法或印刷法等任意方法進行。例如使用微影法 的情形’是利用自旋轉塗佈法、噴塗法、滾輪塗佈法、小 片塗佈法、浸塗法等特定方法，如第3圖（a )所示，於 基板P上’配合間隔壁的高度塗佈有機系感光性材料31 ’在其上塗佈光阻劑層。而且，配合間隔壁形狀（配線圖 案）’施以遮罩’曝光、顯影光阻劑，藉此留下配合間隔 壁形狀的光阻劑。最後進行蝕刻，除去遮罩以外部分的間 隔壁材料。此外’亦可以下層爲無機物或有機物且對功能 液而言呈現親液性的材料，而上層爲有機物呈現排液性的 材料所構成的兩層以上，來形成間隔壁（凸部）。 藉此’如第3圖（b )所示，以圍住可形成配線圖案 的區域之周邊的方式，以例如；[〇 # m寬幅而突設著間隔 壁 B、B。 再者’對基板P而言，於有機材料塗佈前進行表面改 質處理’施行HMDS處理（（CH3 ) 3SiNHSi ( CH3 ) 3形 成蒸鐵狀而塗佈的方法）’不過第3圖省略其圖示。 -24- 1254340 (21) M /¾間隔壁的有機材料亦可爲對液體材料而言原本呈 現排液性的材料，如後述，利用電漿處理可排液化（鐵弗 龍（註冊商標）化），而與基底基板的密著性良好，且利 用微影法易圖案化的絕緣有機材料亦可。例如可採用丙烯 酸樹脂 '聚醯亞胺樹脂、烯烴樹脂、三聚氰胺樹脂等高分 子材料。 (凹部形成工程） · 一旦在基板P上形成間隔壁B、B，接著在間隔壁B 、B間的基板P (間隔壁b、B間的底部），如第3圖（c )所示，形成凹部3 2。具體上是針對形成有間隔壁B、B 的基板P ’以間隔壁作爲遮罩，使用例如SF6施以蝕刻而 形成凹部3 2。此時，以蝕刻時間爲參數，將凹部3 2的深 度調整至所希望的値（例如2 // m )。藉此，基板P會被 浸蝕’如圖所示，形成具有向著底部逐漸擴徑的倒錐狀之 斷面形狀的凹部32。 φ (殘渣處理工程（親液化處理工程）） 其次’爲除去間隔壁間的間隔壁形成時的光阻劑（有 機物）殘渣，針對基板P施以殘渣處理。 殘渣處理可選擇藉由照射紫外線進行殘渣處理的紫外 線（UV )照射處理或在大氣環境中以氧爲處理氣體的〇2 電漿處理等，不過在此是實施0 2電漿處理。 具體上是針對基板P從電漿放電電極照射電漿狀態的 -25- (22) · 1254340 氧來施行。〇2電漿處理的條件是例如電漿功率爲50〜 - 1000W、氧氣流量爲50〜100ml/min、相對於電漿放電 電極的基板P的板搬送速度爲〇·5〜 1〇mm / sec、基板溫 度爲70〜90°C。 再者’基板P爲玻璃基板的情況下，其表面對配線圖 案形成材料而言具有親液性，不過如本實施形態，爲了殘 渣處理’施以〇2電漿處理或紫外線照射處理，就能提高 凹部3 2的親液性。 _ (排液化處理工程） 接著，針對間隔壁B施行排液化處理，使其表面獲得 排液性。排液化處理可採用例如在大氣環境中以四氟甲烷 爲處理氣體的電漿處理法（CF4電漿處理法）。CF4電漿 處理的條件是例如電漿功率爲50〜1 OOOkW、四氟化甲烷 氣體流量爲50〜100ml/ min、相對於電漿放電電極的基 體搬送速度爲0.5〜1 020mm/sec、基體溫度爲70〜90°C _ 〇 再者，處理氣體並不限於四氟甲烷（四氟化碳），也 可使用其它的氟代氫系氣體。 藉由進行此種排液處理，於間隔壁B、B係在構成這 個的樹脂中導入氟基，獲得對凹部3 2而言較高的排液性 。再者，作爲上述的親液化處理的〇2電漿處理，亦可在 間隔壁B的形成前進行，不過丙烯酸樹脂或聚醯亞胺樹脂 等，由於利用〇2電漿的前處理這方，具有所謂更易氟化 -26- (23) · 1254340 (排液化）的性質，故於形成間隔壁B之後，進行〇2電 ， 獎處理爲佳。 再者，藉由針對間隔壁B、B的排液化處理，會稍微 使得先前進行親液化處理的基板P表面受到影響，尤其是 基板P以玻璃等製成的情況下，由於易因排液化處理引起 氟基的導入，故基板P實際上不會損傷到其親液性即濕潤 性。 此外，於間隔壁B、B中，藉由利用具有排液性的材 料（例如具有氟基的樹脂材料）所形成，亦可省略該排液 處理。 (材料配置工程及中間乾燥工程） 其次，使用利用液油吐出裝置IJ的液滴吐出法，將 配線圖案形成材料塗佈在基板P上的凹部32。再者，在 此導電性微粒子是用銀，作爲溶媒（分散媒）而吐出使用 二乙二醇二乙醚的油墨（分散液）。 · 即’材料配置工程乃如第4圖（a )所示，從液體吐 出頭1 〇 1將含有配線圖案形成材料的液體材料形成液滴而 吐出，將該液滴配置在基板P上的凹部3 2。液滴吐出的 條件是以油墨重量4ng/dot、油墨速度（吐出速度）5〜 7 m/ sec而進行。 此時’因凹部3 2圍住間隔壁B、B，故可阻止液狀體 擴散到特定位置以外。此外，由於間隔壁B、B獲得排液 性’即使吐出的部分液滴滴在間隔壁B上，還可藉由間隔 -27- 1254340 (24) 壁表面形成排液性’自間隔壁B彈開，流落到間隔壁間的 凹部32。而且，由於凹部32獲得親液性，故吐出的液狀 體易更擴散到凹部32，藉此，液狀體可在特定位置內更 均勻地埋入凹部3 2。 (中間乾燥工程） 對基板P吐出液滴之後，爲了除去分散媒，配合需要 進行乾燥處理。乾燥處理例如可藉由加熱基板P之一般利 用加熱板、電爐等的加熱處理來進行。本實施形態中，例 如180 °C加熱60分鐘左右。該加熱在N2氣環境下等進行 ，不一定要在大氣中進行。 此外，該乾燥處理亦可藉由燈具退火進行。燈具退火 所使用的光之光源並未特別限定，不過能以紅外線燈、氙 燈、YAG雷射、氬雷射、二氧化碳雷射、XeF、XeCl、X eBr、KrF、KrCl、ArF、ArCl等準分子雷射等作爲光源使 用。該些光源一般是用輸出10W以上5 000W以下之範圍 的光源，不過本實施形態中，在l〇〇W以上l〇〇〇W以下的 範圍就很充分。 藉由重複進行該中間乾燥工程和上記材料配置工程， 如第4圖（b )所示，將配線圖案（薄0旲圖案）3 3的旲厚 ，對基板P的表面而言形成非突出狀態（理想爲略平面） (燒成工程） -28· (25) . 1254340 吐出工程後的乾燥膜爲了令微粒子間的電氣性接觸變 ， 佳，故需要完全除去分散媒。此外，爲了提高導電性微粒 子之表面的分散性，故塗佈有機物等塗佈劑的情況下，該 塗佈劑也需要除去。因此，對著吐出工程後的基板施行熱 處理及/或光處理。 熱處理及/或光處理通常在大氣中進行，不過配合需 要，亦可在氮、氬、氨等非活性氣體環境環境進行。熱處 理及/或光處理的處理溫度是考慮分散媒的沸點（蒸氣壓 <1 )、環境氣體的種類或壓力、微粒子的分散性或氧化性等 的熱性舉動、有無塗佈劑或量、基材的耐熱溫度等而做適 當決定。 例如，爲了除去由有機物所組成的塗佈劑，需要以約 3 00 °C進行燒成。此外，使用塑膠等基板的情況下，在室 溫以上10(TC以下進行爲佳。 根據以上工程，吐出工程後的乾燥膜可確保微粒子間 的電氣接觸，且轉換爲導電性膜。 ® (間隔壁除去工程） 在此工程中，將存在於凹部3 2之周圍的間隔壁b、B ，利用硏磨剝離處理加以除去。硏磨處理可採用電漿硏磨 或溴氧硏磨等。 電漿硏磨是使電漿化的氧氣等氣體和間隔壁（光阻劑 )一起反應，令間隔壁氣化而剝離、除去。間隔壁爲由氮 、氧、氫所構成的固體物質，此會與氧電漿行化學反度， -29- (26) 1254340 成爲co2、H20、02，全部作爲氣體而剝離。 一方面，溴氧硏磨的基本原理是與電漿硏磨相同，分 解〇3 (溴氧），變爲反應性氣體的〇 + (氧基），使該 02和間隔壁一起反應。與0 + —起反應的間隔壁會成爲 c〇2、h20、02，全部形成氣體被剝離。 對基板P而言，藉由施以硏磨剝離處理，如第4圖（ c)所示，從基板P除去間隔壁。 如以上，在本實施形態中，因在基板P形成凹部3 2 ，對著該凹部3 2吐出功能液的液滴，故能形成不會突出 基板P的形成配線圖案3 3，就可將基板上形成有配線圖 案的裝置薄型化，更可在基板上於整個複數層積層配線圖 案之際，實現高積體化。此外，本實施形態中，將配線圖 案3 3相對於基板P的表面，形成非突出狀態，提昇平坦 性，就很容易進行形成絕緣膜等的後工程。 更在本實施形態中，於形成凹部3 2之際，以間隔壁 B、B作爲遮罩使用，就不需要另外製造遮罩，或遮罩定 位在基板上的作業，也可提高生產性。並且在本實施形態 中，使間隔壁B、B獲得排液性，故即使吐出的部分液滴 滴在間隔壁B上的情況下，油墨還是會流落到凹部32， 將液狀體更均勻地塗佈在凹部32，就可得到具有一樣膜 厚的配線圖案3 3。 此外，本實施形態中，因將凹部32形成倒錐狀的斷 面，故可剝離燒成後的配線圖案3 3，也可提昇作爲裝置 的品質。 -30- 1254340 (27) (第2實施形態） 其次，將針對本發明之液晶顯示裝置的製造方法、和 使用該製ia方法所製is的液晶顯不裝置邊參照圖面邊於以 下進行說明。首先，採用第5圖至第14圖，針對本實施 形態之液晶顯示裝置的製造方法進行說B月。 如第5圖所示’在基板溝形成工程中，於洗淨的玻璃 基板1 〇的上面’以鈾刻來加工具有1畫素間距之1 / 2 〇 〜1/10溝幅的基板溝l〇a。該基板溝1〇a的形狀如同圖 所不採用正錐形（向者吐出端而開口方向的錐形狀）爲佳 。藉此，吐出的液滴就能充分地深入到裡面。 接著排液部形成工程’乃如第6圖所示，成爲畫分基 板溝1 〇a的排液部，並以微影法形成間隔壁u。該間隔 壁1 1需具備排液性’其素材很適合使用丙烯酸樹脂、聚 醯亞胺樹脂、烯烴樹脂、三聚氰胺樹脂等高分子材料。 爲了使該形成後的間隔壁11具有排液性，故需施以 CF4電漿處理等（使用含有氟成份之氣體的電漿處理）， 不過亦可形成事先在間隔壁1 1的素材本身塡充排液成份 來取代。此時就可省略CF4電漿處理等。 相對於如以上而排液化的間隔壁1 1的吐出油墨的接 觸角’確保4 0。以上爲佳。即本發明人等，根據試驗確認 的結果，例如對於有機銀化合物（二甘醇二甲基醚溶媒） 之處理後的接觸角，在作爲間隔壁1 1之素材所採用有機 系材料的情況，可確保66.2。（未處理的情況爲1〇。以下） -31 - 1254340 (28) ’採用無機系的情況，可確保4 9 · 0。（未處理的情況爲1 〇。 以下）。再者，該些接觸角是以電漿功率5 5 0W之下、以 0.11/ min來供給四氟化甲烷氣體的處理條件下所獲得。 此外’本發明人等根據試驗確認的結果，例如對於純 水之處理後的接觸角，於作爲間隔壁1 1的素材採用有機 系材料的情況，可確保104.1。（未處理的情況爲1〇。以下 )’採用無機系的情況，可確保9 6.3。（未處理的情況爲 10°以下）。再者’該些接觸角是在與上記同樣的處理條 件所獲得。 接續上記排液部形成工程，閘極掃描電極形成工程（ 第一導電性圖案形成工程），乃如第7圖所示，以塡滿屬 於以間隔壁1 1所畫分的描畫區域的前述基板溝1 〇a內的 方式，利用噴墨法吐出含有導電性材料的液滴，形成閘極 掃描電極12。此時的導電性材料很適合採用Ag、Ai、Au 、Cu、鈀、Ni、W— Si、導電性聚合物等。如此所形成的 閘極掃描電極1 2，因間隔壁1 1事先獲得充分的排液性， 故可形成不會超出基板溝1 0a的微細配線圖案。 接續上記閘極掃描電極形成工程，間隔壁除去工程（ 排液部除去工程），乃如第8圖所示，從玻璃基板1 0的 上面除去所有的間隔壁1 1。藉此，玻璃基板1 0的上面是 成爲以閘極掃描電極1 2埋入基板溝1 0a，形成平坦化的 表面形狀。 接續上記間隔壁除去工程第1層的絕緣層形成工程（ 第一絕緣層形成工程），乃如第9圖所示，以包括覆蓋閘 -32- 1254340 (29) 極掃描線電極1 2之上面的方式，形成由薄膜半導體所製 - 成的T F T (薄膜電晶體）和閘極掃描線絕緣膜（絕緣層） 13。該閘極掃描線絕緣膜13的素材可採用Si〇2、SiNx、 BPSG、NSG 等。 再者，以C V D法形成s i N x的情況，需要3 〇 〇 °c〜3 5 ο C的熱經歷’不過於間隔壁使用無機系的材料，就可避免 有關透明性、耐熱性的問題。 如此所形成的閘極掃描線絕緣膜1 3，因相對於平坦 ® 的玻璃基板1 0上所形成，所以還是具備平坦的上面。 接續上記第1層的絕緣層形成工程，第2次的間隔壁 形成工程（間隔壁形成工程），乃如第1 〇圖所示，在閘 極掃描禄絕緣膜1 3的上面，將以1畫素間距的1 / 2〇〜1 / 1 〇且欲設置與前述基板溝1 0 a交叉的溝1 4 a的間隔壁 Μ，用微影法而形成。該間隔壁丨4於形成後需具備透光 性和排液性’其素材很適合使用丙烯酸樹脂、聚醯亞胺樹 脂、烯烴樹脂、三聚氰胺樹脂等高分子材料。 馨 爲了使該形成後的間隔壁1 4具有排液性，故需施以 CF4電漿處理等（使用含有氟成份之氣體的電漿處理）， 不過亦可形成事先在間隔壁1 1的素材本身塡充排液成份 來取代。此時就可省略CF4電漿處理等。 相對於如以上而排液化的間隔壁1 4的吐出油墨的接 觸角，確保4〇。以上爲佳。 接續上記第2次的間隔壁形成工程，源極電極形成工 程（第二導電性圖案形成工程），相同的如第1 〇圖所示 -33- 1254340 (30) ，以塡滿屬於利用間隔壁1 4所畫分的描畫區域的前述溝 1 4a內的方式，利用噴墨法吐出含有導電性材料的液滴， 形成相對於前述閘極掃描電極1 2而交叉的源極電極1 5。 此時的導電性材料很適合採用 Ag、Al、Au、Cu、鈀、Ni 、W — Si、導電性聚合物等。如此所形成的源極電極1 5 因事先令間隔壁1 4獲得充分的排液性，故可形成不會超 出溝14a的微細配線圖案。 根據以上工程，在基板1 0上形成具備由間隔壁1 4和 源極電極1 5所形成的平坦上面的導電層A 1。 接續上記源極電極形成工程，第2層的絕緣層形成工 程（第二絕緣層形成工程），乃如第1 1圖所示，以包含 覆蓋間隔壁14及源極電極15之上面的方式，形成源極線 絕緣膜（第二絕緣層）1 6。該源極線絕緣膜1 6的素材可 採用 Si02、SiNx、BPSG、NSG 等。 如此所形成的源極線絕緣膜1 6，因相對於平坦的導 電層A1上所形成，所以還是具備平坦的上面。 接續上記第2層的絕緣膜形成工程，第3次的間隔壁 形成工程（間隔壁形成工程），乃如第1 2圖所示，在源 極線絕緣膜16的上面，除了畫素電極（ITO )的圖案區域 外’用微影法形成間隔壁1 7。該間隔壁1 7的素材很適合 使用丙烯酸樹脂、聚醯亞胺樹脂、烯烴樹脂、三聚氰胺樹 脂等高分子材料。 接續上記第3次的間隔壁形成工程，畫素電極形成工 手壬’乃如桌1 3圖所不，在利用間隔壁1 7而確保的區域， -34- 1254340 (31) 利用噴墨法吐出成爲畫素電極的素材的液滴，藉此形成畫 素電極1 8。如此所形成的畫素電極1 8，因與間隔壁1 7 — 起相對於平坦的源極線絕緣膜1 6上所形成，所以還是具 備平坦的上面。 再者，於第1 4圖表示經上記各工程所形成的α - S i TFT裝置部分。於同圖中，符號19a係表示汲極電極、符 號19b係表示通道區域（a - Si )。 而且，畫素電極形成工程之後，施以原來的燒成、配 向膜的形成、硏磨處理，完成下基板。而且該下基板是在 與另外製造的上基板之間夾持液晶層而構成，以完成液晶 顯示裝置（圖示省略）。 若根據以上說明的本實施形態的液晶顯示裝置的製造 方法，因會留下原本被除去的間隔壁1 4形成源極線絕緣 膜1 6，故確保可形成凹凸比以往少的表面形狀。 如以上說明，所有工程後的玻璃基板1 0也可確保平 坦的表面形狀。藉此，於玻璃基板1 0施行硏磨處理之際 ’由於該相關情形難以產生斑紋，故可提昇液晶配向限制 力，防止顯示斑紋。藉此就可製造顯示斑紋少的液晶顯示 裝置。 此外，閘極掃描電極1 2由於是以埋入到玻璃基板1 〇 的基板溝1 0a內的方式所形成，故與相對於未形成基板溝 1 〇a的玻璃基板而形成閘極掃描電極1 2的情形相比，也 可令完成後的基板厚度尺寸變薄。 並且，閘極掃描電極1 2及電容線1 9d (參照第1 4圖 -35- 1254340 (32) ’ )、源極電極15及汲極電極19a、畫素電極18等的形成 · 是使用噴墨法，由於沒有製造工程中產生不當的材料浪費 ’故亦可削減材料費。 (第3實施形態） 接著，第3實施形態是針對本發明的液晶顯示裝置的 製造方法、使用該製造方法所製造的液晶顯示裝置，邊參 照第1 5圖至第22圖邊於以下進行說明。再者，於該些圖 春 中，在與第2實施形態所示的第5圖至第14圖相同的構 成要素，附上相同符號，簡化其說明。 如第1 5圖所示，基板溝形成工程是在洗淨的玻璃基 板1 〇的上面，將具有1畫素間距之1 / 20〜1 / 1 0溝幅的 基板溝1 〇a，用蝕刻來加工。該基板溝1 〇a乃如第丨9圖 (〇 、 （ b )所示，屬於埋入互相交叉的閘極掃描電極 12、電容線19c (於第22圖做後述）及源極電極15及汲 極電極19a (於第22圖做後述）的溝，兩條溝是成爲十 鲁 字狀地互相交叉和獨立的島狀。 接續該基板溝形成工程，第1次的間隔壁形成工程（ 第一間隔壁形成工程），乃如第〗6圖及第1 9圖（a )所 示，在基板溝1 0a內的底部利用微影法形成確保欲描畫閘 極掃描電極及電容線之溝〗i a的間隔壁n。該間隔壁u 需具備排液性，其素材很適合使用丙烯酸樹脂、聚醯亞胺 樹脂、稀烴樹脂、三聚氰胺樹脂等高分子材料。 爲了使該形成後的間隔壁丨丨具有排液性，故需要施 -36- 1254340 (33) - 以CF4電漿處理等（使用具有氟成份的氣體的電漿處理） · ’不過亦可形成事先在間隔壁11的素材本身塡充排液成 份（氟基等），是與第2實施形態相同。 此外，爲了得到間隔壁1 1內之溝1 1 a內的良好吐出 結果，故該溝1 1 a的形狀採用正錐形（向著吐出端而開口 方向的錐形狀）爲佳。藉此，吐出的液滴就能充分地深入 到裡面。 接續上記第1次的間隔壁形成工程，閘極掃描電極形 成工程（第一導電性圖案形成工程），乃如第1 7圖及第 1 9圖（a )所示，以塡滿屬於以間隔壁1 1所畫分的描畫 區域的前述溝1 1 a內的方式，利用噴墨法吐出含有導電性 材料的液滴，形成閘極掃描電極1 2。此時的導電性材料 很適合採用 Ag、Al、Au、Cu、鈀、Ni、W-Si、導電性 聚合物等。如此所形成的閘極掃描電極1 2，因間隔壁1 1 事先獲得充分的排液性，故可形成不會超出溝1 1 a的微細 配線圖案。 _ 接續上記閘極掃描電極形成工程，第1層的絕緣層形 成工程（第一絕緣層形成工程），乃如第1 7圖所示，以 至少覆蓋閘極掃描電極1 2及間隔壁1 1之上面的方式，利 用由薄膜半導體所製成的TFT和閘極掃描線絕緣膜（絕 緣層）1 3而被覆。此時，如同圖所示，以只在基板溝1 〇a 內形成閘極掃描線絕緣膜1 3的方式而形成的情況下，可 節省其材料費，相反的，以一倂在包括基板溝1 〇a的玻璃 基板1 〇的整面，形成閘極掃描線絕緣膜1 3的方式所形成 -37- 1254340 (34) 的情況下，加工容易就可節省加工費。再者，同圖爲了說 明，將閘極掃描線絕緣膜1 3描畫的較厚，不過實際上爲 1 // m左右之很薄的膜厚，故即使殘留在玻璃基板1 0的表 面，亦不在基板溝l〇a內及其周邊之間產生極大的段差。 該閘極掃描線絕緣膜13的素材可採用Si〇2、SiNx、 BPSG、NSG 等。 接續上記第1層的絕緣層形成工程，第2次的間隔壁 形成工程（第二間隔壁形成工程），乃如第1 8圖及第1 9 圖（b )所示，在閘極掃描線絕緣膜13的上面，將以1畫 素間距的1 / 2 0〜1 / 1 〇且設有欲與前述溝丨丨a交叉的溝 1 4 a的間隔壁1 4，利用微影法來形成。再者，第i 8圖爲 了說明，以溝1 la、14a爲互相平行的方式所記載，不過 實際上如第1 9圖（b )所示形成交叉。同樣地，間隔壁 14、溝14a也是與間隔壁11、溝iia交叉。因而，第is 圖、第20圖、第21圖係爲以閘極掃描線絕緣膜13的上 面爲邊境，其上下層實際上爲互相交叉。 間隔壁1 4於形成後需具備排液性，其素材很適合使 用丙烯酸樹脂、聚醯亞胺樹脂、烯烴樹脂、三聚氰胺樹脂 等高分子材料。 爲了使該形成後的間隔壁1 4具有排液性，故需要施 以C F4電漿處理等（使用具有氟成份的氣體的電漿處理） ’不過亦可形成事先在間隔壁1 4的素材本身塡充排液成 份（氟基等）來取代。此時，就可省略CF4電漿處理等。 此外，與前述間隔壁i 1同樣地，於形成間隔壁〗4內之際 -38- 1254340 (35) ，溝1 4a採用正錐形（向著吐出端而開口方向的錐形狀） 爲佳。 接續上記第2次的間隔壁形成工程，源極電極形成工 程（第二導電性圖案形成工程），乃如第2 0圖（a )所示 ，以塡滿屬於以間隔壁1 4所畫分的描畫區域的前述溝 1 4 a內的方式，利用噴墨法吐出含有導電性材料的液滴， 形成相對於前述閘極掃描電極1 2而交叉的源極電極1 5。 此時的導電性材料很適合採用Ag、Al、Au、Cu、鈀、Ni 、W — S i、導電性聚合物等。如此所形成的源極電極！ 5， 因間隔壁1 4事先獲得充分的排液性，故可形成不會超出 溝14a的微細配線圖案。 接續上記源極電極形成工程，第2層的絕緣層形成工 程（第二絕緣層形成工程），相同的乃如第2 0圖所示， 以至少覆蓋源極電極1 5及間隔壁1 4之上面的方式，利用 源極線絕緣膜（其它絕緣層）1 6而被覆。此時，如同圖 所示，以只在基板溝1 0 a內形成源極線絕緣膜i 6的方式 而形成的情況下，可節省其材料費，相反的，以包括基板 溝1 0 a —倂在玻璃基板丨0的整面，形成源極線絕緣膜i 6 的方式所形成的情況下，加工容易就可節省加工費。該源 極線絕緣膜16的素材可採用Si02、SiNx、BPSG、NSG等 〇 再者’以C V D法形成S i N x的情況，需要3 〇 〇〜3 5 0 °C的熱經歷，不過於間隔壁使用無機系的材料，就可避免 有關透明性、耐熱性的問題。 (36) . 1254340 接續上記第2層的絕緣膜形成工程，第3次的間隔壁 · 形成工程（間隔壁形成工程），乃如第2 1圖所示，在源 極線絕緣膜1 6的上面，除了畫素電極（IT 0 )的圖案區域 外’用微影法形成間隔壁1 7。該間隔壁1 7的素材很適合 使用丙烯酸樹脂、聚醯亞胺樹脂、烯烴樹脂、三聚氰胺樹 脂等局分子材料。 接續上記第3次的間隔壁形成工程，畫素電極形成工 程，相同的乃如第2 1圖所示，在利用間隔壁1 7而確保的 41 區域，利用噴墨法吐出成爲畫素電極的素材的液滴，藉此 形成畫素電極18。如此所形成的畫素電極18的上面，因 與間隔壁1 7的上面爲同一平面，具備平坦的上面。 再者，於第2 2圖表示經上記各工程所形成的α 一 S i TFT裝置部分。於同圖中，符號19a係表示汲極電極、符 號19b係表示通道區域（α — Si )。 藉由以上各工程，在基板溝1 〇a內形成：具有由間隔 壁1 1及閘極掃描電極12、電容線19d (參照第22圖）所 <1 形成之平坦的上面的第1層的導電層A1 ;和形成在該導 電層A1上，同樣的具有平坦的上面的閘極掃揺線絕緣膜 1 3 ;和具有由形成在該閘極掃描線絕緣膜1 3上的間隔壁 1 4及源極電極1 5、汲極電極1 9b所形成之平坦的上面的 第2層的導電層A2 ;和形成在導電層A2上，同樣的具有 平坦的上面的源極線絕緣膜1 6。該些導電層A1及閘極掃 描線絕緣膜1 3及導電層A2及源極線絕緣膜1 6即成爲不 會突出基板溝1 的埋入到其內部。因而，露出玻璃基板 -40 - 1254340 ， w (37) · 10之上面的，就成爲間隔壁17及畫素電極18。但是晝素 電極1 8由於與間隔壁1 7在同一平面，且形成在平坦的玻 璃基板1 〇上，故還是可確保平坦的表面形狀。 該畫素電極形成工程之後，施行原本的燒成、配向膜 的形成、硏磨處理，以完成下基板。而且，該下基板是在 與另外製造的上基板之間夾持液晶層而構成，以完成液晶 顯示裝置（圖示省略）。

若根據以上說明的本實施形態的液晶顯示裝置的製造 W 方法，因將屬於凹處的基板溝10a，利用導電層A1及閘 極掃描線絕緣膜1 3及導電層A2及源極線絕緣膜1 6埋入 而形成配線，故確保可形成凹凸比以往少的平坦表面形狀 。藉此，於玻璃基板10施行硏磨處理之際，由於該相關 情形難以產生斑紋，故可提昇液晶配向限制力，防止顯示 斑紋。 此外，將屬於配線部分的導電層A1、A2埋入到基板 溝1 0a內，與使配線部分突設在設有基板溝1 〇a的玻璃基鲁 板1 〇的表面的情形相比，也可令完成後的玻璃基板1 〇的 厚度尺寸變薄。 並且，閘極掃描電極12、電容線19c (參照第22圖 )、源極電極15、汲極電極19b、畫素電極18的形成是 使用噴墨法，由於沒有製造工程中產生不當的材料浪費， 故亦可削減材料費。 (第4實施形態） -41 - (38) , 1254340 接著，第4實施形態是針對本發明的液晶顯示裝置的 * 製造方法、和使用該製造方法所製造的液晶顯示裝置，邊 參照第23圖至第30圖邊於以下進行說明。再者，於該些 圖中’在與第2實施形態所示的第5圖至第14圖相同的 構成要素，附上相同符號，簡化其說明。 如第23圖所示，第1層的間隔壁形成工程是在洗淨 的玻璃基板1 0的上面，利用微影法形成欲設有1畫素間 距之1 / 20〜1 / 1 〇的溝1 1 a的第1層的間隔壁1 1。該間 Φ 隔壁1 1於形成後需具備透光性和排液性，其素材很適合 使用丙烯酸樹脂、聚醯亞胺樹脂、烯烴樹脂、三聚氰胺樹 脂等高分子材料。 爲了使該形成後的間隔壁Η具有排液性，故需要施 以C F4電漿處理等（使用具有氟成份的氣體的電漿處理） ，不過亦可形成事先在間隔壁1 1的素材本身塡充排液成 份（氟基等）來取代是與第2、第3實施形態同樣的。此 時，可省略CF4電漿處理等。 # 相對於如以上而排液化的間隔壁1 1的吐出油墨的接 觸角，確保40°以上爲佳。即本發明人等，根據試驗所確 認的結果，例如對於有機銀化合物（二甘醇二甲基醚溶媒 )之處理後的接觸角，在作爲間隔壁1 1的素材採用烯烴 系的情況下’可確保66.2° (未處理的情況爲1 〇。以下）， 採用無機系的情況下，可確保4 9 · 0。（未處理的情況爲1 〇。 以下）。再者，該些接觸角是以電漿功率550W之下、以 0 · 11 / min來供給四氟化甲烷氣體的處理條件下所獲得。 - 42· 1254340 (39) 此外，本發明人等根據試驗確認的結果，例如對於純水之 · 處理後的接觸角，於作爲間隔壁1 1的素材採用有機系材 料的情況，可確保104.Γ (未處理的情況爲10。以下）， 採用無機系的情況，可確保96.3。（未處理的情況爲1〇。以 下）。再者’該些接觸角是在與上記同樣的處理條件所獲 接續上記第1層的間隔壁形成工程，閘極掃描電極形 成工程（第1次的導電性圖案形成工程），乃如第24圖 鲁 所示，以塡滿屬於以間隔壁1 1所畫分的描畫區域的前述 溝1 1 a內的方式，利用噴墨法吐出含有導電性材料的液滴 ，形成閘極掃描電極1 2。此時的導電性材料很適合採用 A g、A1、A u、C u、鈀、N i、W — S i、導電性聚合物等。如 此所形成的閘極掃描電極1 2，因間隔壁1 1事先獲得充分 的排液性，故可形成不會超出溝1 1 a的微細配線圖案。 藉由以上工程，在基板1 0上形成具備有間隔壁1 1和 由閘極掃描電極1 2所製成的平坦上面的第一導電層a 1。 ® 再者，爲了得到溝1 1 a內的良好吐出結果，故如第 23圖所示，該溝1 1 a的形狀採用正錐形（向著吐出端而 開口方向的錐形狀）爲佳。藉此，吐出的液滴就能充分地 深入到裡面。 接續上記閘極掃描電極形成工程，第1層的絕緣層形 成工程，乃如第2 5圖所示，以包括間隔壁1 1及閘極掃描 電極1 2的上面而覆蓋的方式，形成閘極掃描線絕緣膜（ 第一絕緣層）1 3。該閘極掃描線絕緣膜1 3的素材可採用 -43- 1254340 (40)

Si02、SiNx、BPSG、NSG 等。 再者，以C V D法形成s i N x的情況，需要3 〇 〇 〜3 5 〇 C的熱經歷’不過於間隔壁使用無機系的材料，就可避免 有關透明性、耐熱性的問題。 如此所形成的閘極掃描線絕緣膜1 3是相對於平坦的 第一導電層A1上所形成，故還是具備平坦的上面。 接續上記第1層的絕緣層形成工程，第2層的間隔壁 形成工程，乃如第2 6圖所示’在閘極掃描線絕緣膜1 3的 上面’將以1畫素間距之1 / 2 0〜1 / 1 0且欲設置與前述 溝1 1 a交叉的溝1 4a的第2層的間隔壁1 4，利用微影法 形成。該間隔壁1 4於形成後需具備透光性和排液性，其 素材很適合使用丙；烯酸樹脂、聚醯亞胺樹脂、烯烴樹脂、 二聚氣胺樹脂等筒分子材料。 爲了使該形成後的間隔壁1 4具有排液性，故需要施 以CF4電漿處理等（使用具有氟成份的氣體的電漿處理） ’不過亦可形成事先在間隔壁14的素材本身塡充排液成 份（氟基等）來取代。此時，就可省略C F 4電漿處理等。 相對於如以上所排液弋的間隔壁1 4的吐出油墨的接 觸角，確保40°以上爲佳。 接續上記第2層的間隔壁形成工程，閘源極電極形成 工程（第2次的導電性圖案形成工程），相同的乃如第 26圖所示’以塡滿屬於以間隔壁1 4所畫分的描畫區域的 前述溝1 4a內的方式，利用噴墨法吐出含有導電性材料的 液滴’形成相對於前述閘極掃描電極1 2而交叉的源極電 -44- 1254340 (41) 極1 5。此時的導電性材料很適合採用Ag、A1、Au、Cu、 鈀、N i、W — S i、導電性聚合物等。如此所形成的源極電 極1 5，因間隔壁1 4事先獲得充分的排液性，故可形成不 會超出溝1 4a的微細配線圖案。 藉由以上工程，在基板1 〇上形成具備有由間隔壁1 4 和源極電極1 5所製成的平坦上面的第二導電層A2。 接續上記源極電極形成工程，第2層的絕緣層形成工 程，乃如第2 7圖所示，以包括間隔壁1 4及源極電極1 5 的上面而覆蓋的方式，形成源極線絕緣膜（第二絕緣層） 16。該源極線絕緣膜16的素材可採用Si02、SiNx、BPSG 、NSG 等。 如此所形成的源極線絕緣膜1 6是相對於平坦的第二 導電層A2上所形成，故還是具備平坦的上面。 接續上記第2層的絕緣膜形成工程，第3層的間隔壁 形成工程，乃如第2 8圖所示，在源極線絕緣膜1 6的上面 ，除了畫素電極（ITO )的圖案區域外，用微影法形成間 隔壁1 7。該間隔壁1 7的素材很適合使用丙烯酸樹脂、聚 醯亞胺樹脂、烯烴樹脂、三聚氰胺樹脂等高分子材料。 接續上記第3層的間隔壁形成工程，畫素電極形成工 程，乃如第2 9圖所示，在利用間隔壁1 7而確保的區域， 利用噴墨法吐出成爲畫素電極的素材的液滴，藉此形成畫 素電極1 8。如此所形成的畫素電極1 8，因與間隔壁1 7 — 起相封於平坦的源極絕緣膜1 6上而形成，故還是具備平 坦的上面。 -45- (42) . 1254340 再者，於第3 0圖表示經上記各工程所形成的α - S i · TFT裝置部分。於同圖中，符號19a係表示汲極電極、符 號19b係表示通道區域（a— Si)。 該畫素電極形成工程之後，施以原來的燒成、配向膜 的形成、硏磨處理，完成下基板。而且該下基板是在與另 外製造的上基板之間夾持液晶層而構成，以完成液晶顯示 裝置（圖示省略）。 若根據以上說明的本實施形態的液晶顯示裝置的製造 β 方法，將平面觀看時爲互相交叉的閘極掃描電極1 2及源 極電極1 5利用噴墨法形成時，依舊留下欲形成該些閘極 掃描電極1 2及源極電極1 5的間隔壁1 1、1 4，形成閘極 掃描線絕緣膜1 3及源極線絕緣膜1 6，就確保可形成凹凸 比以往少的表面形狀，使硏磨處理的相關情況均勻化，就 能提昇液晶配向限制力。藉此就可製造顯示斑紋少的液晶 顯示裝置。 並且，閘極掃描電極12、源極電極15、畫素電極18 ® 的形成是使用噴墨法，由於沒有製造工程中產生不當的材 料浪費，故亦可削減材料費。 (第5實施形態） 其次，在上記第2實施形態所示的液晶顯示裝置的製 造方法之中，針對製造TFT的另一實施形態，邊參照第 3 1圖〜第3 4圖邊說明。 再者，於該些圖中，在與第2實施形態所示的第5圖 -46- 1254340 (43) 至第1 4圖相同的構成要素，附上相符號，簡化其說明。 於第3 1圖，與第8圖同樣地，表示在玻璃基板1 〇的 上面，利用蝕刻來加工具有1畫素間距之1 / 2 0〜1 / 1 0 溝幅的基板溝1 〇 a，於形成間隔壁之後，以塡滿溝1 〇 a內 的方式，利用噴墨法吐出含有導電性材料的液滴，以形成 閘極掃描電極1 2 ’然後除去間隔壁的狀態。 接著，如第3 2圖所示，利用電漿CVD法進行閘極絕 緣膜1 3、活性層21、接觸層9的連續成膜。藉由改變原 料氣體或電漿條件來形成作爲閘極絕緣膜1 3的氮化矽膜 、作爲活性層2 1的非晶質矽膜、作爲接觸層9的^ +型矽 膜。以C V D法形成的情況，需要3 〇 〇 〜3 5 〇它的熱經歷 ，不過於間隔壁中使用無機系的材料，就可避免有關透明 性、耐熱性的問題。 接續上記半導體層形成工程，第2層的間隔壁形成工 程’乃如第3 3圖所示，在閘極絕緣膜13的上面，將以1 畫素間距的1 / 2 0〜1 / 1 〇且欲設有與前述溝丨〇 a交叉的 溝1 4a的第2層的間隔壁1 4，利用微影法而形成。該間 隔壁1 4於形成後需具備透光性和排液性，其素材除丙嫌 酸樹脂、聚醯亞胺樹脂、烯烴樹脂、三聚氰胺樹脂等高分 子材料以外，很適合使用聚矽氨烷等無機系的材料。 爲了使該形成後的間隔壁1 4具有排液性，故需施以 CF4電漿處理等（使用具有氟成份之氣體的電漿處理）， 亦可事先在間隔壁1 4的素材本身塡充排液成份（氟基等 )來取代。此時就可省略C F 4電漿處理等。 -47- (44) · 1254340 相對於如以上所排液化的間隔壁1 4的吐出油墨之接 · 觸角，確保40°以上爲佳。 接續上記第2層的間隔壁形成工程，源極、汲極電極 形成工程（第2次的導電性圖案形成工程），是以塡滿屬 於以間隔壁1 4所畫分的描畫區域的前述構！ 4a內的方式 ，利用噴墨法吐出含有導電性材料的液滴，如第3 4圖所 示，形成相對於前述閘極掃描電極1而交叉的源極電極 15及源極電極16。而且，當形成源極電極15及汲極電極 鲁 1 6時，適用有關本發明之圖案的形成方法。 此時的導電性材料很適合採用Ag、Al、Au、Cu、鈀 、N i、W - S i、導電性聚合物等。如此所形成的源極電極 1 5及汲極電極1 6，因事先令間隔壁1 4獲得充分的排液性 ’故可形成不會超出溝1 4 a的微細配線圖案。 此外，以埋入配置源極電極1 5及汲極電極1 6的溝 1 4 a的方式’配置絕緣材料1 7。藉由以上的工程，在基板 1 〇上形成由間隔壁1 4和絕緣材料1 7所形成的平坦的上鲁 面2 0。 而且’在絕緣材料1 7形成接觸孔1 9的同時，在上面 20上形成被圖案化的畫素電極（IT〇) 18,介於接觸孔而 連接汲極電極1 6和畫素電極1 8，以形成τ F Τ。 (第6實施形態） 接著’與第5實施形態同樣地，上記第4實施形態所 不的液晶通不1¾置的製造方法之中，針對製造TFT的另 •48- 1254340 (45) 一實施形態，邊參照第3 5圖〜第3 8圖做說明。 再者，於該些圖中’在與第4實施形態所示的第23 圖至第3 0圖相同的構成要素，附上相同符號，簡化其說 明。 如第3 5圖所示，首先在洗淨的玻璃基板1 〇之上面， 欲設置1畫素間距之1 / 2 0〜1 / 1 〇的溝1 1 a的第1層的 間隔壁1 1 ’是根據微影法所形成。該間隔壁1 1於形成後 需具備透光性和排液性，其素材除了丙烯酸樹脂、聚醯亞 胺樹脂、嫌烴樹脂、三聚氰胺樹脂等高分子材料外，很適 合使用聚矽氨烷等無機系的材料。 爲了使該形成後的間隔壁1 1具有排液性，故需施以 CF4電漿處理等（使用具有氟成份的氣體的電漿處理）， 不過亦可形成事先在間隔壁1 1之素材本身塡充排液成份 (氟基等）來取代。此時就可省略C F4電漿處理等。 接續上記第1層的間隔壁形成工程，閘極掃描電極形 成工程（第1次的導電性圖案形成工程）是以塡滿屬於以 間隔壁1 1所畫分的描晝區域的前述溝1 1 a內的方式，利 用噴墨法吐出含有導電性材料的液滴，以形成閘極掃描電 極12。而且，當形成閘極掃描電極12時，很適用有關本 發明之圖案的形成方法。 此時的導電性材料很適合採用Ag、Al、Au、Cxi、鈀 、Ni、W — Si、導電性聚合物等。如此所形成的閘極掃描 電極1 2 ’因事先令間隔壁n獲得充分的排液性，故可形 成不會超出溝1 1 a的微細配線圖案。 -49 - 1254340 (46) 根據以上的工程，在基板1 〇上形成以具備有由間隔 壁1 1和閘極掃描電極1 2所形成之平坦上面的銀（Ag ) 所形成的第一導電層A 1。 其次，如第3 6圖所示，利用電漿CVD法施行閘極絕 緣膜1 3、活性層1 0、接觸層9的連續成膜。作爲閘極絕 緣膜1 3的氮化矽膜、作爲活性層1 0的非晶質矽膜、作爲 接觸層9的η+型矽膜，是藉由改變原料氣體或電漿條件 所形成。以CVD法形成的情況，需要3 00°C〜3 5 0°C的熱 經歷，不過於間隔壁使用無機系的材料，就可避免有關透 明性.、耐熱性的問題。 此後，如第3 7圖及第3 8圖所示，藉由經過與上記第 5實施形態同樣的工程，介於接觸孔1 9而形成連接汲極 電極16和畫素電極18的TFT。 (第7實施形態） 第7實施形態是針對屬於本發明的光電裝置之一例的 液晶顯示裝置做說明。第3 9圖係針對有關本發明的根晶 顯示裝置，由與各構成要素一起表示的對向基板側觀看的 平面圖，第40圖係沿著第39圖的Η — H’線的剖面圖。第 4 1圖係矩陣狀地形成在液晶顯示裝置的畫像顯示區域的 複數畫素的各種元件、配線等的等效電路圖，第42圖係 液晶顯示裝置的部分放大剖面圖。再者，於以下說明所採 用的各圖中，爲了能在圖面上辨識各層或各構件之程度的 大小，故每個各層或各構件爲不同比例。 -50- (47) · 1254340 於第3 9圖及第4 0圖中，本實施形態的液晶顯示裝置 · (光電裝置）1 〇 〇是利用屬於光硬化性密封材質的密封材 料52，貼合形成一對的TFT陣列基板10和對向基板20 ’在利用該密封材料52所畫分的區域內封入液晶50被保 持。密封材料5 2是在基板面內的區域形成閉合的框狀， 並未具備液晶注入口，成爲沒有利用密封材所密封之痕跡 的構成。 在密封材料5 2的形成區域之內側的區域，形成由遮 ® 光性材料所製成的周邊分離部53。在密封材料52的外側 區域’沿著TFT陣列基板1 0的周邊而形成資料線驅動電 路201及安裝端子202，沿著鄰接於該一邊的兩邊而形成 掃描線驅動電路204。在TFT陣列基板1 0 ’之剩下的一邊 ’設有欲連接設置在畫像顯示區域之兩側的掃描線驅動電 路204之間的複數配線205。此外，在對向基板20之角 隅部的至少一處，配設欲在TFT陣列基板1 0和對向基板 20之間，形成電氣式導通的基板間導通材206。 Φ 再者，例如能以將形成在安裝驅動用LSI的TAB (

Tape Automated Bonding)基板和TFT陣列基板10之周 邊部的端子群，介於各異向性導電膜而電氣式及機械式地 連接的方式，取代將資料線驅動電路20 1及掃描線驅動電 路2 04形成在TFT陣列基板10之上。再者，於液晶顯示 裝置100中，對應所使用的液晶50之種類即TN (

Twisted Nematic)模式、C—TN 法、VA 方式、IPS 方式 等動作模式、或常白模式/常黑模式之差別，在特定方向 -51 - 1254340 (48) 配置相位差板、偏光板等，不過在此省略圖示。 · 此外，在以液晶顯示裝置1 00作爲彩色顯示用而構成 的情況，於對向基板2 0中，在面對著T F T陣列基板1 0 之後述的各畫素電極的區域，例如與其保護膜一起地形成 紅（R )、綠（G )、藍（B )的彩色濾色器。 具有此種構造的液晶顯示裝置1 00之畫像顯示區域中 ，如第41圖所示，複數畫素100a是構成矩陣狀，同時在 該些畫素100a的每一個，形成畫素開關用的TFT (開關 ® 元件）30，供給畫素信號SI、S2.....Sn的資料線6a， 被電氣式連接在TFT30的源極。寫入到資料線6a的畫素 信號S 1、S2.....Sn，可就此順序依線序而供給，對於 相鄰接的複數資料線6a，彼此可供給到每一群組。此外 ，於TFT30的閘極電氣式連接著掃描線3a，且以特定定 時，脈衝式地將掃描信號G1、G2.....Gm，以此順序依 線序而施加的方式構成在掃描線3 a。 畫素電極19是電氣式連接在TFT30的汲極，藉由將 β 屬於開關元件的TFT3 0，僅一定期間形成ON狀態，將由 資料線6a所供給的畫素信號SI、S2.....Sn，以特定定 時寫入到各畫素。如此一來，介於畫素電極1 9而寫入到 液晶的特定位準的畫素信號S 1、S 2.....S η，就會在與 第6圖所示的對向基板2 0的對向電極12 1之間，被保持 一定期間。再者，爲了防止所保持的畫素信號S 1、S2、 …、Sn進行洩放，故與形成在畫素電極19和對向電極 1 2 1之間的液晶電容一起並列地附加蓄積電容60。例如畫 -52- 1254340 (49) 素電極1 9的電壓，係利用蓄積電容60保持只比施加源極 電壓的時間還長三倍的時間，改善電荷的保持特性，就能 實現反差比高的液晶顯示裝置1 〇〇。 第42圖係具有底部閘極型TFT30的液晶顯示裝置 1〇〇的部分放大剖面圖，在構成TFT陣列基板10的玻璃 基板P，利用上記第1實施形態的配線圖案形成方法，與 玻璃基板P的表面略同一平面地形成閘極配線6 1。再者 ，本實施形態中，於形成閘極配線6 1之（形成目的的凹 部）際，在形成後述之非晶質矽層的製程，加熱到約3 5 0 °C的緣故，能耐其溫度的材料可使用無機質的間隔壁材。 在閘極配線61上介於由SiNx所形成的閘極絕緣膜62 ，而積層由非晶質矽（a — Si )層所形成的半導體層63。 面對於該閘極配線部分的半導體層6 3的部分爲通道區域 。在半導體層63上積層由欲獲得歐姆接合的例如n+型a -Si層所形成的接合層64a及64b，在通道區域之中央部 的半導體層63上’形成由欲保護通道的siNx所形成的絕 緣性蝕刻停止膜65。再者，該些閘極絕緣膜62、半導體 層63、及鈾刻停止膜65是在蒸鍍（CVD)後施以光阻劑 塗佈、感光、顯像、蝕刻，如圖所示地被圖案化。 而且’由接合層64a、64b及ITO所製成的畫素電極 1 9也同樣地進行成膜，同時施以蝕刻，如圖所示地被圖 案化。而且’在畫素電極1 9、閘極絕緣膜62及蝕刻停止 膜6 5上分別突設間隔壁6 6…，在該些間隔壁6 6…間使用 上述的液滴吐出裝置IJ，吐出銀化合物的液滴，就能形成 - 53- 1254340 (50) 源極線、汲極線。 再者，如第4 3圖所示，利用與閘極配線6 1同樣的圖 案形成方法，在閘極絕緣膜62設置凹部，在凹部內與閘 極絕緣膜62的表面略同一平面的形成半導體層63，在其 上形成接合層64a、64b、畫素電極19、鈾刻停止膜65亦 可。此時，間隔壁66間的溝底部爲平的，因該些各層及 源極線、汲極線，斷面上不會彎曲，故可形成平坦性優的 高特性TFT。 像這樣，在本實施形態可得到高特性且能薄型、高積 體化的液晶顯示裝置100。 (第8實施形態） 在上記實施形態，是以TFT3 0作爲欲驅動液晶顯示 裝置100的開關元件而使用的構成，不過除液晶顯示裝置 以外也可應用於例如有機E L (電激發光）顯示裝置。有 機EL顯示裝置係設有將含有螢光性的無機及有機化合物 的薄膜’夾在陰極和陽極的構成，於前述薄膜注入電子及 電涧（電洞）而激勵，藉此生成激發子（exiton )，利用 該激發子再結合之際的光放射（螢光、磷光）所發光的元 件。而且，在具有上記TFT30的基板上，以用於有機EL 顯示元件的螢光性材料之中呈現紅、綠及藍色的各發光色 的材料即形成發光層形成材料及電洞注入/電子輸送層的 材料作爲油墨，將各個圖案化，就可製造自發光全彩EL 裝置。 -54- 1254340 (51) 於本發明的裝置（光電裝置）範圍也包括此種有機 EL裝置。 第44圖係利用前述液滴吐出裝置IJ製造一部分構成 要素的有機EL裝置的側剖面圖。邊參照第44圖，邊說 明有機EL裝置的槪略構成。 於第44圖中，有機EL裝置301係在由基板311、電 路元件部3 2 1、畫素電極3 3 1、間隔壁部3 4 1、發光元件 3 5 1、陰極3 6 1 (對向電極）、及密封基板3 7 1所構成的 有機EL元件3 02，連接可撓性基板（圖示省略）的配線 及驅動1C (圖示省略）。電路元件部321係屬於主動元 件的TFT3 0形成在基板311上，複數畫素電極331是整 列構成在電路元件部321上。而且，構成TFT30的閘極 配線6 1是藉由上述的實施形態的配線圖案的形成方法所 形成。 在各畫素電極3 3 1間格子狀地形成間隔壁部3 4 1，在 藉由間隔壁部3 4 1所產生的凹部開口 3 44，形成發光元件 351。再者，發光元件351是由呈紅色發光的元件、呈綠 色發光的元件和呈藍色發光的元件所形成，藉此有機EL 裝置3 0 1就會實現全彩顯示。陰極3 6 1係形成在間隔壁部 341及發光元件351的上部整面，在陰極361之上積層密 封用基板3 7 1。 含有有機EL元件的有機EL裝置301的製造製程係 具備有：形成間隔壁部3 4 1的間隔壁部形成工程、和欲適 當形成發光元件3 5 1的電漿處理工程、和形成發光元件 -55- 1254340 (52) 3 5 1的發光元件形成工程、和形成陰極3 6 1的對向電 成工程、和將密封用基板3 7 1積層在陰極3 6 1上並密 密封工程。 發光元件形成工程係藉由在凹部開口 3 44即畫素 331上形成電洞注入層3 5 2及發光層3 5 3，來形成發 件3 5 1，具備有：電洞注入層形成工程和發光層形成 。而且，電洞注入層形成工程係具有：將欲形成電洞 層3 5 2的液狀體材料吐出到各畫素電極3 3丨上的第一 工程、和令吐出的液狀體材料乾燥而形成電洞注入層 的第一乾燥工程。此外，發光層形成工程係具有：將 成發光層3 5 3的液狀體材料吐出到電洞注入層3 5 2之 第二吐出工程、和、令吐出的液狀體材料乾燥而形成發 3 5 3的第二乾燥工程。再者，發光層3 5 3係如前述， 對應紅、綠、藍三原色的材料而形成三種，因而，前 二吐出工程是由欲各別吐出三種材料的三項工程所形 於該發光元件形成工程中，可在電洞注入層形成 的第一吐出工程、和發光層形成工程的第二吐出工程 前述的液滴吐出裝置IJ。 (第9實施形態） 第4 5圖係表示液晶顯示裝置的另一實施形態的圖 第45圖所示的液晶顯示裝置（光電裝置）901 備有大致區分爲：彩色的液晶面板（光電面板）9 0 2 連接在液晶面板902的電路基板903。此外，配合需 極形 封的 電極 光兀 工程 注入 吐出 352 欲形 上的 光層 利用 述第 成。 工程 採用 係具 、和 要， -56- 1254340 w (53) * 蟾 背光等照明裝置、其它附帶機器可附設在液晶面板9 0 2。 · 液晶面板902係具有利用密封材料904而接著的一對 基板905a及基板905b，且於形成在該些基板905b和基 板9 05b之間的間隙的所謂晶胞間隙封入液晶。該些基板 9 0 5 a及基板9 0 5 b —般是利用透光性材料例如玻璃、合成 樹脂等所形成。在基板905a及基板905b的外側表面貼上 偏光板90 6a及另一片偏光板。再者，於第45圖中，省略 另一片偏光板的圖示。 ^ 此外，在基板9 0 5 a的內側表面形成電極9 0 7 a，在基 板905b的內側表面形成電極907b。該些電極907a、907b 係形成條紋狀或文字、數字、其它適當的圖案狀。此外， 該些電極907a、907b是藉由例如ITO ( Indium Tin Oxide ••銦錫氧化物）等的透光性材料所形成。基板905 a係具 有相對於基板905b而突出的突出部，在該突出部形成複 數端子90 8。該些端子90 8是當在基板905 a上形成電極 907a時，與電極907a同時形成。因而，該些端子908是 · 例如藉由IT0所形成。在該些端子908包括從電極907a 一體延伸，以及介於導電材（圖未表示）而連接在電極 907b 〇 在電路基板903係於配線基板909上的特定位置安裝 著作爲液晶驅動用1C的半導體元件900。再者，圖示雖 省略，不過亦可在安裝有半導體元件900之部位以外的部 位的特定位置，安裝電阻、電容器、其它晶片零件。配線 基板909係藉由例如將形成在具有聚醯亞胺等可撓性之基 -57- 1254340 (54) 底基板9 1 1之上的Cu等金屬膜加以圖案化，而形成配線 圖案9 1 2所製造。 本實施形態中，液晶面板9 0 2的電極9 0 7 a、9 0 7 b及 電路基板9 0 3的配線圖案9 1 2是藉由上記裝置製造方法所 形成。 若根據本實施形態的液晶顯示裝置’就可得到實現小 型化、薄型化的液晶顯示裝置。 再者，前述的案例爲被動型的液晶面板’不過亦可爲 主動矩陣型的液晶面板。即，在一方的基板形成薄膜電晶 體（TFT )，針對各TFT形成畫素電極。此外，將電氣連 接在各TFT的配線（閘極配線、源極配線），如上記使 用噴墨技術而形成。一方，在對向的基板形成對向電極等 。在此種主動矩陣型的液晶面板也適用本發明。 (第1 〇實施形態） 第1 0實施形態是針對非接觸型卡片媒體的實施形態 做說明。如第46圖所示，有關本實施形態的非接觸型卡 片媒體（電子機器）400係在由卡片基體402和卡片蓋 418所形成的框體內，內裝著半導體集積電路晶片408和 天線電路4 1 2，且藉由圖未表示的外部的收發訊機和電磁 波或靜壓電容結合的至少一方，施行電力供給或資料接收 的至少一方。 本實施形態中，上記天線電路4 1 2是藉由有關上記實 施形態的配線圖案形成方法所形成。 •58- 1254340 (55) 若根據本實施形態的非接觸型卡片媒體，就可成爲能 小型化、薄型化的非接觸型卡片媒體。 再者，有關本發明的裝置（光電裝置），除上記外， 也適用於藉由對著PDP (電漿顯示面板），或形成在基板 上之小面積的薄膜，平行於膜面地流入電流，利用產生電 子放射之現象的表面傳導型電子放射元件等。 (第1 1實施形態） Φ 第11實施形態是針對本發明之電子機器的具體例做 說明。 第47圖（a)係表示攜帶式電話之一例的立體圖。於 第47圖（〇中，600係表示攜帶式電話主體，601係表 示具備上記實施形態的液晶顯示裝置的液晶顯示部。 第47圖（b)係表示文書處理器、電腦等攜帶型資訊 處理裝置之一例的立體圖。於第47圖（b )中，700係表 示資訊處理裝置、701係表示鍵盤等輸入部、703係表示 馨 資訊處理主體、702係表示具備上記實施形態的液晶顯示 裝置的液晶顯示部。 第47圖（c)係表示錶型電子機器之一例的立體圖。 於第47圖（c)中，800係表示錶主體，801係表示具備 上記實施形態的液晶顯示裝置的液晶顯示部。 第47圖（a)〜（c)所示的電子機器，因具備上記 實施形態的液晶顯示裝置，故可小型化、薄型化。 再者，本實施形態的電子機器具備液晶裝置，不過亦 -59- 1254340 (56) 可爲具備有機電激發光顯示裝置、電漿型顯示裝置等其它 光電裝置的電子機器。 以上邊參照所附圖面邊針對有關本發明的適當實施形 態例做說明，不過本發明當然不限於相關的案例。於上述 的案例所示的各構成構件的諸形狀或組合等爲其中一例， 在不脫離本發明之主旨的範圍，可基於設計要求等做各種 變更。 例如，上記實施形態是形成間隔壁，在該間隔壁之間 形成凹部的構成，不過並不限於此，例如亦可對基板施以 表面處理，對配線圖案部分施以親液化處理，對其它部分 施以排液化處理，在該親液化處理部分形成凹部。而且， 藉由在凹部內塗佈含有導電性微粒子的油墨，形成所希望 的配線圖案。 此外，上記實施形態，是以薄膜圖案作爲導電性膜的 構成，不過並未限於此，例如就液晶顯示裝置來看，也適 用於欲令顯示畫像彩色化所用的彩色濾色器。該彩色濾色 器是針對基板，以R (紅）、G (綠）、B (藍）的油墨 (液狀體）形成液滴，並以特定圖案吐出（塗佈）而形成 ，不過針對基板形成對應於特定圖案的凹部，於該凹部內 塗佈油墨形成彩色濾色器，就可得到薄型的彩色濾色器， 即薄型的液晶顯示裝置。 而且，上記實施形態是採用由令導電性微粒子分散於 分散媒之分散液所組成的功能液的構成，不過並未限於此 ’例如圖案形成後，採用利用加熱（熱處理）或光照射（ -60- 1254340 (57) 光處理）產生導電性的材料亦可。 【圖式簡單說明】 第】圖爲液摘吐出裝置的槪略立體圖。 第2圖爲欲說明利用壓電方式的液狀體的吐出原理圖 〇 第3圖爲表示配線圖案形成的順序圖。 第4圖爲表示配線圖案形成的順序圖。 第5圖爲表示本發明的液晶顯示裝置的製造方法之一 實施形態的圖，表示於下基板形成基板溝的工程的部分立 體圖。 第6圖爲表示伺製造方法的接續圖，表示形成間隔壁 的工程的部分立體圖。 第7圖爲示同製造方法的接續圖，表示形成閘極掃描 電極的工程的部分立體圖。 第8圖爲表示同製造方法的接續圖，表示除去間隔壁 的工程的部分立體圖。 第9圖爲表示同製造方法的接續圖，表示形成閘極掃 描線絕緣膜的工程的部分立體圖。 第1 〇圖爲表示同製造方法的接續圖，表示形成間隔 壁及源極電極的工程的部分立體圖。 第1 1圖爲表示同製造方法的接續圖，表示形成源極 線絕緣膜的工程的部分立體圖。 第1 2圖爲表示同製造方法的接續圖，表示形成間隔 -61 - 1254340 (58) 壁的工程的部分立體圖。 . 第13圖爲表示同製造方法的接續圖，表示形成畫素 電極的工程的部分立體圖。 第1 4圖爲表示屬於利用同製造方法所形成的其它部 分的α - Si TFT裝置的部分立體圖。 第1 5圖爲表示本發明的液晶顯示裝置的製造方法之 一實施形態圖’表不在下基板形成基板溝的工程的縱剖面 圖。 _ 第16圖爲表示同製造方法的接續圖，表示在基板溝 內形成間隔壁的工程的縱剖面圖。 第1 7圖爲表示同製造方法的接續圖，表示形成閘極 掃描電極及閘極掃描線絕緣膜的工程的縱剖面圖。 第18圖爲表示同製造方法的接續圖，表示在閘極掃 描線絕緣膜上形成間隔壁的工程的縱剖面圖。 第19圖爲說明同製造方法的圖，（a)爲第21圖的 A— A剖面圖，（b)爲第21圖的B— B剖面圖。 _ 第20圖爲表示同製造方法的接續圖，表示形成源極 電極及源極掃描線絕緣膜的工程的縱剖面圖。 第2 1圖爲表示同製造方法的接續圖，表示形成間隔 壁及畫素電極的工程的縱剖面圖。 II 22圖爲表示屬於利用同製造方法所形成的其它部 分的a — Si TFT裝置的部分立體圖。 第23圖爲表示本發明的液晶顯示裝置的製造方法之 一實施形態的圖’表示在下基板形成第一層的間隔壁的工 -62- (59) · 1254340 程的部分立體圖。 · 第24圖爲表示同製造方法的接續圖，表示形成閘極 掃描電極的工程的部分立體圖。 第25圖爲表示同製造方法的接續圖，表示形成第一 層的絕緣層的工程的部分立體圖。 第26圖爲表示同製造方法的接續圖，表示形成第二 層的間隔壁及源極電極的工程的部分立體圖。 第27圖爲表示同製造方法的接續圖，表示形成第二 着 層的絕緣層的工程的部分立體圖。 第28圖爲表示同製造方法的接續圖，表示形成第三 層的間隔壁的工程的部分立體圖。 第29圖爲表示同製造方法的接續圖，表示形成畫素 電極的工程的部分立體圖。 第3 0圖爲表示屬於利用同製造方法所形成的其它部 分的α—Si TFT裝置的部分立體圖。 第3 1圖爲說明製造薄膜電晶體的工程的圖。 <1 第3 2圖爲說明製造薄膜電晶體的工程的圖。 第3 3圖爲說明製造薄膜電晶體的工程的圖。 第3 4圖爲說明製造薄膜電晶體的工程的圖。 第3 5圖爲說明製造薄膜電晶體的工程的圖。 第3 6圖爲說明製造薄膜電晶體的工程的圖。 第3 7圖爲說明製造薄膜電晶體的工程的圖。 第3 8圖爲說明製造薄膜電晶體的工程的圖。 第3 9圖爲由對向基板這側觀看液晶顯示裝置的平面 -63- (60) : 1254340 圖。 · 第40圖爲沿著第39圖的Η — Η’線的剖面圖。 第41圖爲液晶顯示裝置的等效電路圖。 第4 2圖爲同一液晶顯示裝置的部分放大剖面圖。 第43圖爲另一形態的液晶顯示裝置的部分放大剖面 圖。 第44圖爲有機EL裝置的部分放大剖面圖。 第45圖爲表示液晶顯示裝置的另一形態圖。 修 第46圖爲非接觸型卡片媒體的分解立體圖。 第47圖爲表示本發明的電子機器的具體例圖。 第48圖爲表示習知液晶顯示裝置的下基板上之1畫 素的部分放大立體圖。 > 〔主要元件符號說明〕 Β :間隔壁 Ρ :基板（玻璃基板） φ 1 〇 :玻璃基板（基板） :基板溝 1 1 :間隔壁（排液部 第二間隔壁） 1 2 :閘極掃描電極（第一導電性圖案）1 3 :閘極掃描 線絕緣膜（第一絕緣層） 1 4 :間隔壁（第一間隔壁） 1 5 :源極電極（第二導電性圖案） -64- 1254340 (61) 1 6 :源極線絕緣膜（第二絕緣層） 30 : TFT (開關元件） 3 2 :凹部 3 3 :配線圖案（薄膜圖案）· 100 :液晶顯示裝置（光電裝置） 4 00 :非接觸型卡片媒體（電子機器） 600 :攜帶式電話主體（電子機器） 7〇〇 :資訊處理裝置（電子機器） 800 :錶主體（電子機器） -65-

Claims (1)

1254340 (1) · 捨、申請專利範圍 ， 1 · 一種薄膜圖案形成方法，乃屬於將功能液塗佈在 基板上’形成薄膜圖案的方法，其特徵爲具有： 於前述基板形成配合前述薄膜圖案之凹部的工程； 和於前述凹部塗佈前述功能液的工程。 2 ·如申請專利範圍第1項所記載的薄膜圖案形成方 法，其中，具有： 配合前述薄膜圖案，在前述基板上突出間隔壁而予以 · 設寘的工程； 和在前述間隔壁之間的前述基板，形成前述凹部的工 程； 和塗佈前述功能液之後，除去前述間隔壁的工程。 3 ·如申請專利範圍第2項所記載的薄膜圖案形成方 法’其中’以前述間隔壁作爲遮罩，形成前述凹部。 4·如申請專利範圔第2項所記載的薄膜圖案形成方 法，其中，具有： · 使前述間隔壁獲得比前述凹部還高的排液性的工程。 5 ·如申請專利範圍第1項所記載的薄膜圖案形成方 法’其中’於前述功能液中含有導電性微粒子。 6 ·如申請專利範圍第1項所記載的薄膜圖案形成方 $ ’其中’於前述功能液中含有藉由熱處理或光處理來察 覺導電性的材料。 > 7 ·〜種裝置製造方法，乃屬於在基板形成薄膜圖案 的裝置的製造方法，其特徵爲： -66 - 1254340 (2) 利用申請專利範圍第1項所記載的薄膜圖案形成方法 ，在前述基板形成前述薄膜圖案。 8 ·如申請專利範圍第7項所記載的裝置製造方法， 其中，前述薄膜圖案係構成設在前述基板上的開關元件的 一部分。 9. 一種光電裝置，其特徵爲具備有： 使用申請專利範圍第7項所記載的裝置製造方法而製 造的裝置。 10. —種電子機器，其特徵爲具備有： 申請專利範圍第9項所記載的的光電裝置。 Π . —種形成有薄膜圖案之裝置，乃屬於在基板上形 成薄膜圖案而所構成的裝置，其特徵爲： 於前述基板形成配合前述薄膜圖案的凹部； 於前述凹部內設有前述薄膜圖案。 12·如申請專利範圍第1 1項所記載的形成有薄膜圖 案之裝置，其中，前述薄膜圖案係對前述基板的表面而言 ，以非突出狀態所形成。 1 3 ·如申請專利範圍第1 1項所記載的形成有薄膜圖 案之裝置，其中，前述凹部係形成斷面形狀爲向著底部逐 漸擴大直徑的倒錐狀。 14·如申請專利範圍第1 1項所記載的形成有薄膜圖 案之裝置，其中，前述薄膜圖案是以導線性膜所形成。 1 5 · —種液晶顯示裝置的製造方法，其特徵爲具有： 於基板形成基板溝的基板溝形成工程； -67- 1254340 (3) 和以畫分前述基板溝的方式，形成排液部的排液部形 成工程； 和對著前述基板溝吐出含有導電性材料的液滴，形成 第一導電性圖案的第一導電性圖案形成工程； 和以至少覆蓋前述第一導電性圖案的方式，形成第一 絕緣層的第一絕緣層形成工程； 和在前述第一絕緣層之上形成由薄膜半導體所製成的 薄膜電晶體及具有透光性的第一間隔壁的間隔壁形成工程 和對著以前述間隔壁所畫分的描畫區域吐出含有導電 性材料的液滴，形成第二導電性圖案的第二導電性圖案形 成工程； 和以至少覆蓋前述第一間隔壁及前述第二導電性圖案 的方式，形成第二絕緣層的第二絕緣層形成工程。 1 6 ·如申請專利範圍第1 5項所記載的液晶顯示裝置 的製造方法，其中，於前述排液部形成工程中，藉由形成 畫分前述基板溝的第二間隔壁，形成前述排液部； 於前述第一絕緣層形成工程之前，除去前述第二間隔 壁。 1 7 · —種液晶顯示裝置，乃屬於在一對基板間夾持液 晶層的液晶顯示裝置，其特徵爲： 在前述各基板中的其中一方的基板形成基板溝，在前 述基板溝內形成第一導電性圖案； 具備有： -68- 1254340 (4) 以至少覆蓋前述第一導電性圖案的方式所形成的絕緣 層； 和設置在該絕緣層之上面，且設置在由薄膜半導體所 製成的薄膜電晶體、具有透光性的間隔壁、以及藉由該間 隔壁所畫分之區域的第二導電性圖案。 18. —種液晶顯示裝置的製造方法，其特徵爲具有： 於基板形成基板溝的基板溝形成工程、 和在前述基板溝內形成第一間隔壁的第一間隔壁形成 工程、 和對著以前述第一間隔壁所畫分的區域，吐出含有導 電性材料的液滴，於前述基板溝內形成第一導電性圖案的 第一導電性圖案形成工程。 1 9 ·如申請專利範圍第1 8項所記載的液晶顯示裝置 的製造方法，其中，具有： 至少將前述第一導電性圖案及前述第一間隔壁，利用 絕緣層覆蓋的第一絕緣層形成工程； 和在前述基板溝內形成由薄膜半導體所製成的薄膜電 晶體及第二間隔壁的第二間隔壁形成工程； 和對著利用前述第二間隔壁所畫分的區域，吐出含有 導電性材料的液滴，於前述基板溝內形成第二導電性圖案 的第二導電性圖案形成工程。 2 0 · —種液晶顯示裝置，乃屬於在一對基板間夾持 液晶層的液晶顯示裝置，其特徵爲： 在前述各基板中的其中一方的基板形成基板溝，在@ -69- 1254340 (5) 述基板溝內至少具備一層形成在間隔壁及利用該間隔壁所 畫分的區域的導電性圖案。 2 1· 一種液晶顯示裝置的製造方法，其特徵爲具有： 在基板的上面形成具有透光性的間隔壁的間隔壁形成 工程； 和對者利用則述間隔壁所畫分的描畫區域，吐出含有 導電性材料的液滴，形成第一導電性圖案的導電性圖案形 成工程； 和以至少覆盍則述間隔壁及前述第一導電性圖案的方 式，形成由薄膜半導體所製成的薄膜電晶體及絕緣層的絕 緣層形成工程。 2 2 .如申請專利範圓第2 1項所記載的液晶顯示裝置 的製造方法，其中，在前述絕緣層之上，進行前述間隔壁 开< 成工f壬、則述導電性圖案形成工程、及前述絕緣層形成 工程’形成相對於前述第一導電性圖案而交叉的第二導電 性圖案。 23 ·如申請專利範圍第22項所記載的液晶顯示裝置 的製造方法’其中，利用包括前述導電性圖案形成工程的 金屬配線形成工程，形成閘極掃描電極、源極電極、汲極 電極以及畫素電極。 2 4 · 一種液晶顯示裝置，乃屬於在一對基板間夾持液 晶層的液晶顯示裝置，其特徵爲具備有： 設置在前述各基板中的其中一方的基板之具有透光性 的第一間隔壁、以及由設置在利用該第一間隔壁所畫分的 -70- 1254340 (6) * C 區域的第一導電性圖案所製成的第一導電層； . 和設置在該第一導電層之上的第一絕緣層。 25·如請專利範圍第24項所記載的液晶顯示裝置， 其中，具備有： 設置在前述第一絕緣層上的第二間隔壁及由第二導電 性圖案所製成的第二導電層； 和設置在該第二導電層之上的第二絕緣層。 26· —種電子機器，其特徵爲具備有： φ 使用申目靑專利車E圍弟1 5項所記載的液晶顯示裝置的 製造方法所製造的液晶顯示裝置。 27. —種電子機器，其特徵爲具備有： 使用申請專利範圍第1 8項所記載的液晶顯示裝置的 製造方法所製造的液晶顯示裝置。 28. —種電子機器，其特徵爲具備有： 使用申請專利範圍第2 1項所記載的液晶顯示裝置的 製造方法所製造的液晶顯示裝置。 Φ 29. —種電子機器，其特徵爲具備有： 申請專利範圍第1 7項所記載的液晶顯示裝置。 30. —種電子機器，其特徵爲具備有： 申請專利範圍第20項所記載的液晶顯示裝置。 31. —種電子機器，其特徵爲具備有： 申請專利範圍第2 4項所記載的液晶顯示裝置。 3 2 . —種主動矩陣基板的製造方法，其特徵爲： 具有： -71 - 1254340 (7) 在基板上形成閘極配線的第一工程； 和在前述閘極配線上形成閘極絕緣膜的第二工程； 和介於前述閘極絕緣膜，而積層半導體層的第三工程 和在前述閘極絕緣膜之上形成源極電極及汲極電極的 第四工程； 和在前述源極電極及前述汲極電極上配置絕緣材料的 第五工程； 和形成與前述汲極電極電氣連接的畫素電極的第六工 程； 前述第一工程、前述第四工程及前述第六工程的至少 一項工程，具有：形成對應於所形成的圖案的凹部的工程 ;和藉由對著前述凹部利用液滴吐出裝置而吐出前述功能 液所配置的材料配置工程。 1254340 第093115368號專利申請案 中文圖式修正頁民國94年11月17曰修正

第4A圖 ©

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