TWI424392B - 主動元件陣列基板及使用其之平面顯示器 - Google Patents

Description

主動元件陣列基板及使用其之平面顯示器

本發明是有關於一種用於顯示裝置的陣列基板，且特別是有關於一種主動元件陣列基板以及使用其之平面顯示器。

隨著顯示技術的快速發展，平面顯示器已經越來越廣泛地應用於各種顯示領域。目前常見的平面顯示器包括液晶顯示器(liquid crystal display,LCD)、電漿顯示器(plasma display)、有機電致發光顯示器(organic electro-lun display)及電泳顯示器(electrophoretic display)等，且這些平面顯示器還可依據其顯示畫面所需之光線來源而分為反射式顯示器及穿透式顯示器。其中，由於反射式顯示器具有低能耗、體積小等優點，已經成為一種越來越重要的平面顯示器。

習知的反射式平面顯示器是採用透明導電材料作為畫素電極，並在畫素電極下方形成反射層以反射光線。然而，由於透明導電材料所製成的畫素電極無法遮蔽光線，因此用以驅動平面顯示器之各畫素的畫素電晶體之非晶矽通道層往往容易因照射到光線而產生漏電現象，進而損壞平面顯示器。

本發明的目的就是在提供一種主動元件陣列基板，其可避免畫素電晶體產生漏電現象。

本發明的再一目的是提供一種平面顯示器，其可避免畫素電晶體產生漏電現象。

本發明提出一種主動元件陣列基板，其包括多條掃描線、多條資料線、多個畫素電晶體以及多個畫素電極。資料線與掃描線相互交叉。每個畫素電晶體分別電性耦接至對應之掃描線以及對應之資料線，而每個畫素電極分別電性耦接至對應之畫素電晶體，且每個畫素電極分別包括鎳硼合金。

本發明還提出一種平面顯示器，其包括主動元件陣列基板、與主動元件陣列基板相對之上基板以及設置於兩基板之間的顯示層。主動元件陣列基板包括多條掃描線、多條資料線、多個畫素電晶體以及多個畫素電極。資料線與掃描線相互交叉。每個畫素電晶體分別電性耦接至對應之掃描線以及對應之資料線，而每個畫素電極分別電性耦接至對應之畫素電晶體，且每個畫素電極分別包括鎳硼合金。

在本發明的較佳實施例中，上述之每個畫素電晶體分別包括通道層，且每個畫素電極分別設置於其對應之畫素電晶體之通道層之上。

在本發明的較佳實施例中，上述之每個畫素電晶體分別為薄膜電晶體。

在本發明的較佳實施例中，上述之每個畫素電晶體分別包括閘極、源極及汲極。每個畫素電晶體之閘極電性耦接至其對應之掃描線，其源極電性耦接至其對應之資料線，而其汲極電性耦接至其對應之畫素電極，且上述之源極及汲極與畫素電極的材質相同。

在本發明的較佳實施例中，上述之顯示層為電泳顯示層。

在本發明的較佳實施例中，上述畫素電極之硼元素的重量百分比介於0.05%至0.2%之間，且較佳為0.1%。

本發明之畫素電極是採用不透光之鎳硼合金而製成，因此畫素電極可充分地反射光線以遮住所有的外來光線，從而避免畫素電晶體因為光照而產生的漏電現象。

為讓本發明之上述和其他目的、特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下。

請參閱圖1，其繪示為本發明一實施例所揭示之平面顯示器的示意圖。本實施例以電泳顯示器為例來介紹本發明，當然本領域技術人員可理解的是，本發明所揭示之平面顯示器亦可為其他類型之反射式平面顯示器，例如液晶顯示器。如圖1所示，平面顯示器100包括主動元件陣列基板110、與主動元件陣列基板110相對之上基板120、以及夾設於主動元件陣列基板110與基板120之間的顯示層130。在本實施例中，顯示層130為電泳顯示層，而上基板可以是一彩色濾光片(color filter)。

請參閱圖2，其繪示為圖1所示之主動元件陣列基板之示意圖。如圖2所示，主動元件陣列基板110包括多條掃描線111、多條資料線112、多個畫素電晶體113以及多個畫素電極114。掃描線111與資料線112相互交叉從而劃分出多個畫素區域(未標示)。每個畫素區域分別設置有一個畫素電晶體113與一個畫素電極114，且每個畫素電晶體113分別電性耦接至對應之掃描線111以及對應之資料線112，而每個畫素電極114分別電性耦接至對應之畫素電晶體113。在本實施例中，畫素電晶體113可為薄膜電晶體(thin film transistor,TFT)。當然，本領域技術人員可理解的是，畫素電晶體113亦可採用其他類型之電晶體，例如金屬氧化物半導體場效應電晶體(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,MOSFET)等等。

請參閱圖3，其繪示為圖2所示之畫素區域之截面示意圖。如圖3所示，畫素電晶體113設置於主動元件陣列基板110上，且其分別包括閘極1131、閘極絕緣層1132、通道層1133、源極1134以及汲極1135，而源極1134以及汲極1135的材質可以與畫素電極113的材質相同。請一併參閱圖2-3，每個畫素電晶體113之閘極1131分別電性耦接至對應之掃描線111，其源極1134分別電性耦接至對應之資料線113，而其汲極1135分別電性耦接至對應之畫素電極114。值得一提的是，本實施例之通道層1133的材質例如是非晶矽，且畫素電極114是位於通道層1133上方，以避免自外部入射的光線照射到通道層1133而使得畫素電極114產生漏電流。

承上述，平面顯示器100藉由掃描線111而傳遞相應之掃描訊號至每個畫素電晶體113以控制每個畫素電晶體113是否導通，並藉由資料線112以及導通之畫素電晶體113而將相應之掃描訊號傳遞至相應之畫素電極114以使平面顯示器100顯示畫面。本發明畫素電極114採用不透光之鎳硼合金而製成，且硼元素之重量百分比介於0.05%至0.2%之間，較佳為0.1%，以反射光線從而阻止光線照射至畫素電晶體113之通道層1133。

綜上所述，本發明之畫素電極是採用不透光之鎳硼合金而製成，因此畫素電極可充分地反射光線以遮住所有的外來光線，從而避免畫素電晶體因為光照而產生的漏電現象。此外，本領域技術人員可理解的是，每個畫素電晶體之閘極、源極及汲極與畫素電極的材質可以相同，以進一步地遮住所有的外來光線。

雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

100．．．平面顯示器

110．．．主動元件陣列基板

120．．．上基板

130．．．顯示層

111．．．掃描線

112．．．資料線

113．．．畫素電晶體

114．．．畫素電極

1131．．．閘極

1132．．．閘極絕緣層

1133．．．通道層

1134．．．源極

1135．．．汲極

圖1繪示為本發明一實施例所揭示之平面顯示器的示意圖。

圖2繪示為圖1所示之主動元件陣列基板之示意圖。

圖3繪示為圖2所示之畫素區域之截面示意圖

110．．．主動元件陣列基板

111．．．掃描線

112．．．資料線

113．．．畫素電晶體

114．．．畫素電極

Claims (11)

1. 一種主動元件陣列基板，其包括：多條掃描線；多條資料線，與該些掃描線相互交叉；多個畫素電晶體，每一該些畫素電晶體分別電性耦接至對應之該掃描線以及對應之該資料線，且每一該些畫素電晶體分別包括一通道層；以及多個畫素電極，每一該些畫素電極分別電性耦接至對應之該畫素電晶體，且分別設置於其對應之該畫素電晶體之該通道層之上，其中每一該些畫素電極分別包括鎳硼合金。
2. 如申請專利範圍第1項所述之主動元件陣列基板，其中每一該些畫素電晶體分別為薄膜電晶體。
3. 如申請專利範圍第1項所述之主動元件陣列基板，其中每一該些畫素電晶體分別包括：一閘極，電性耦接至該對應之掃描線一源極，電性耦接至該對應之資料線；以及一汲極，電性耦接至其對應之畫素電極，其中該源極及該汲極與該些畫素電極的材質相同。
4. 如申請專利範圍第1項所述之主動元件陣列基板，其中每一該些畫素電極的硼元素之重量百分比介於0.05%至0.2%之間。
5. 如申請專利範圍第4項所述之主動元件陣列基板，其中每一該些畫素電極的硼元素之重量百分比為0.1%。
6. 一種平面顯示器，其包括：一主動元件陣列基板，其包括：多條掃描線；多條資料線與該些掃描線相互交叉； 多個畫素電晶體，每一該些畫素電晶體分別電性耦接至對應之該掃描線以及對應之該資料線，且每一該些畫素電晶體分別包括一通道層；以及多個畫素電極，每一該些畫素電極分別電性耦接至對應之該畫素電晶體，且分別設置於其對應之該畫素電晶體之該通道層之上，其中每一該些畫素電極分別包括鎳硼合金；一上基板，與該主動元件陣列基板相對設置；以及一顯示層，設置於該主動元件陣列基板與該上基板之間。
7. 如申請專利範圍第6項所述之平面顯示器，其中該顯示層為電泳顯示層。
8. 如申請專利範圍第6項所述之平面顯示器，其中每一該些畫素電晶體分別為薄膜電晶體。
9. 如申請專利範圍第6項所述之平面顯示器，其中每一該些畫素電晶體分別包括：一閘極，電性耦接至該對應之掃描線一源極，電性耦接至該對應之資料線；以及一汲極，電性耦接至其對應之畫素電極，其中該源極及該汲極與該些畫素電極的材質相同。
10. 如申請專利範圍第6項所述之平面顯示器，其中每一該些畫素電極之硼元素的重量百分比介於0.05%至0.2%之間。
11. 如申請專利範圍第10項所述之平面顯示器，其中每一該些畫素電極之硼元素的重量百分比為0.1%。