CN1612482A - 延迟锁定回路及其时钟产生方法 - Google Patents

延迟锁定回路及其时钟产生方法 Download PDF

Info

Publication number
CN1612482A
CN1612482A CNA2004100864503A CN200410086450A CN1612482A CN 1612482 A CN1612482 A CN 1612482A CN A2004100864503 A CNA2004100864503 A CN A2004100864503A CN 200410086450 A CN200410086450 A CN 200410086450A CN 1612482 A CN1612482 A CN 1612482A
Authority
CN
China
Prior art keywords
signal
clock
delay
duty
produce
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA2004100864503A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1612482B (zh
Inventor
郭钟太
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
SK Hynix Inc
Original Assignee
Hynix Semiconductor Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hynix Semiconductor Inc filed Critical Hynix Semiconductor Inc
Publication of CN1612482A publication Critical patent/CN1612482A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1612482B publication Critical patent/CN1612482B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03LAUTOMATIC CONTROL, STARTING, SYNCHRONISATION OR STABILISATION OF GENERATORS OF ELECTRONIC OSCILLATIONS OR PULSES
    • H03L7/00Automatic control of frequency or phase; Synchronisation
    • H03L7/06Automatic control of frequency or phase; Synchronisation using a reference signal applied to a frequency- or phase-locked loop
    • H03L7/07Automatic control of frequency or phase; Synchronisation using a reference signal applied to a frequency- or phase-locked loop using several loops, e.g. for redundant clock signal generation
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • G11C11/40Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
    • G11C11/401Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
    • G11C11/4063Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
    • G11C11/407Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03LAUTOMATIC CONTROL, STARTING, SYNCHRONISATION OR STABILISATION OF GENERATORS OF ELECTRONIC OSCILLATIONS OR PULSES
    • H03L7/00Automatic control of frequency or phase; Synchronisation
    • H03L7/06Automatic control of frequency or phase; Synchronisation using a reference signal applied to a frequency- or phase-locked loop
    • H03L7/08Details of the phase-locked loop
    • H03L7/081Details of the phase-locked loop provided with an additional controlled phase shifter
    • H03L7/0812Details of the phase-locked loop provided with an additional controlled phase shifter and where no voltage or current controlled oscillator is used
    • H03L7/0816Details of the phase-locked loop provided with an additional controlled phase shifter and where no voltage or current controlled oscillator is used the controlled phase shifter and the frequency- or phase-detection arrangement being connected to a common input
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03LAUTOMATIC CONTROL, STARTING, SYNCHRONISATION OR STABILISATION OF GENERATORS OF ELECTRONIC OSCILLATIONS OR PULSES
    • H03L7/00Automatic control of frequency or phase; Synchronisation
    • H03L7/06Automatic control of frequency or phase; Synchronisation using a reference signal applied to a frequency- or phase-locked loop
    • H03L7/08Details of the phase-locked loop
    • H03L7/085Details of the phase-locked loop concerning mainly the frequency- or phase-detection arrangement including the filtering or amplification of its output signal
    • H03L7/087Details of the phase-locked loop concerning mainly the frequency- or phase-detection arrangement including the filtering or amplification of its output signal using at least two phase detectors or a frequency and phase detector in the loop

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Dram (AREA)
  • Pulse Circuits (AREA)
  • Stabilization Of Oscillater, Synchronisation, Frequency Synthesizers (AREA)
  • Manipulation Of Pulses (AREA)

Abstract

一种用于校正一时钟信号的占空的半导体存储器件,包括:第一时钟缓冲器,通过该第一时钟缓冲器的一非反相端接收一外部时钟信号以及通过该第一时钟缓冲器的一反相端接收一外部时钟限制信号,以输出第一时钟输入信号;第二时钟缓冲器,通过该第一时钟缓冲器的该非反相端接收该外部时钟限制信号以及通过该第一时钟缓冲器的该反相端接收该外部时钟信号,以输出第二时钟输入信号;以及延迟锁定回路,接收该第一时钟输入信号和该第二时钟输入信号,以产生占空校正时钟信号。

Description

延迟锁定回路及其时钟产生方法
技术领域
本发明涉及一种延迟锁定回路(delay locked loop,LLP),尤其涉及一种用于补偿介于内部时钟信号与外部时钟信号之间的偏差(skew)以及用于校正占空错误(duty error)的装置及方法。
背景技术
一般说来,延迟锁定回路应用于同步半导体存储器件以将内部时钟信号与外部时钟信号同步,在该同步半导体存储器件中,诸如读取操作以及写入操作等数据存取操作以同步于该外部时钟信号的上升沿和下降沿的方式而被执行。
由于当该外部时钟信号被输入至该同步半导体存储器件时会有一时间延迟,该延迟锁定回路便被用于通过补偿介于该内部时钟信号与该外部时钟信号之间的时间延迟来将该内部时钟信号与外部时钟信号同步。
然而,在双数据速率(double data rate,DDR)的同步半导体存储器件中,该数据存取操作被执行于该内部时钟信号的一上升沿和一下降沿上,因此,该内部时钟信号需要具有50%的占空比(duty ratio)。
用于补偿介于该内部时钟信号与该外部时钟信号之间的时钟偏差以及用于校正占空比的该延迟锁定回路的各种技术在市面上已相当风行了。
举例来说,在Jong-Tae Kwak所著的”Low Cost High PerformanceRegister-Controlled Digital DLL for 1Gbps x32 DDR SDRAM”,SOVC(超大规模集成电路论文集)(2003年6月9日)一文中,即揭露一种延迟锁定回路,其使用两条延迟线通过延迟该外部时钟信号而校正该时钟偏差及该占空比。
在此作为参考引用的属于同一申请人的共同待批的2002年12月30日提交的“DIGITAL DLL APPARATUS FOR CORRECTING DUTY CYCLE ANDMETHOD THEREOF”的美国专利申请第10/331412号中,揭露一种传统的延迟锁定回路,图1所示为其框图。
如图所示,该传统的延迟锁定回路包括一缓冲器110、一延迟线单元120、一占空错误控制器130,第一延迟模块单元140、第一直接相位检测器150、第二延迟模块单元160以及第二直接相位检测器170。
缓冲器110接收一外部时钟信号ext_clk,并产生第一内部时钟信号,该第一内部时钟信号会激活(activate)于该第一内部时钟信号的沿,该第一内部时钟信号被输入至延迟线单元120。
延迟线单元120接收该第一内部时钟信号,并自第一及第二直接相位检测器150和170接收第一和第二检测信号,延迟线单元120基于该第一及该第二检测信号而延迟该第一内部时钟信号,并输出第一延迟内部时钟信号intclk1和第二延迟内部时钟信号intclk2至占空错误控制器130。
详细地来说,延迟线单元120包括第一控制器121、第一延迟线122、第二控制器123以及第二延迟线124。
为了控制该第一检测信号的一延迟量,第一控制器121输出第一控制信号至第一延迟线122。
第一延迟线122接收该第一控制信号及该第一内部时钟信号,该第一内部时钟信号根据延迟线122的该第一控制信号而被延迟。就是说,第一延迟线122根据该第一控制信号通过延迟该第一内部时中信号而产生第一延迟内部时钟信号intclk1,第一延迟内部时钟信号intclk1被输出至占空错误控制器130。
为了控制该第二检测信号的一延迟量,第二控制器123输出第二控制信号至第二延迟线124。
第二延迟线124接收该第二控制信号及该第一内部时钟信号,第二延迟线124基于该第二控制信号而延迟该第一内部时钟信号,接着,被延迟的该第一内部时钟信号被反相且被输出成为第二延迟内部时钟信号intclk2,第二延迟内部时钟信号intclk2被输出至占空错误控制器130。
占空错误控制器130接收第一及第二内部时钟信号intclk1及intclk2,占空错误控制器130通过转移第一占空控制时钟信号int_clk及第二占空控制时钟信号intclk2’的下降沿至第一及第二占空控制时钟信号int_clk及intclk2’的下降沿至该第一及第二占空控制时钟信号int_clk及intclk2’的中部而产生第一占空控制时钟信号int_clk及第二占空控制时钟信号intclk2’。其中,如上所述,通过转移其下降沿使得第一及第二占空控制时钟信号int_clk及intclk2’被占空校正之后,它们便具有50%的占空比。第一及第二占空控制时钟信号int_clk及intclk2’分别被输出至第一及第二延迟模块单元140及160。
占空错误控制器130包括第一相位检测器131、一混合器控制器132、第一相位混合器133以及第二相位混合器134。
第一及第二延迟内部时钟信号intclk1及intclk2被反相并被输出至第一相位检测器131。第一相位检测器131比较第一及第二延迟内部时钟信号intclk1及intclk2的下降沿以确定其下降沿中的一个引导另一个,并且接着产生基于该比较结果的一相位检测信号该相位检测信号被输出至混合器控制器132。
混合器控制器132接收该相位检测信号以确定该相位检测信号的加重值(weight)k,其包括第一及第二延迟内部时钟信号intclk1及intclk2的两下降沿之间的差。加重值k接着被输出至第一及第二相位混合器133和134。加重值k包括多个加重值信号。
第一相位混合器133接收加重值k、第一及第二延迟内部时钟信号intclk1及intclk2。第一相位混合器133将1减去加重值k而计算得到一差值,通过将该差值应用于第一延迟内部时钟信号intclk1以及将加重值k应用于第二延迟内部时钟信号intclk2,第一相位混合器133产生第一占空控制时钟信号int_clk。第一占空控制时钟信号int_clk被输出至第一延迟模块单元140。
第二相位混合器134接收加重值k、并将1减去加重值k而计算得到一差值。第二相位混合器134通过将加重值k应用于第一延迟内部时钟信号intclk1以及将该差值应用于第二延迟内部时钟信号intclk2而产生第二占空控制时钟信号intclk2’。第二相位混合器134输出第二占空控制时钟信号intclk2’至第二延迟模块单元160。
其中,如前所述,第一及第二占空控制时钟信号int_clk及intclk2’通过转移其下降沿至其下降沿的中部而产生;而该转移的方向及量则由加重值k及该差值所确定。
第一延迟模块单元140接收第一占空控制时钟信号int_clk并估算一延迟量,同时外部时钟信号ext_clk通过该种传统的延迟锁定回路并被输出成为第一及第二占空控制时钟信号int_clk及intclk2’。第一延迟模块单元140基于该估算延迟量产生第一补偿时钟信号iclk1,并输出第一补偿时钟信号iclk1至第一直接相位检测器150。
第一直接相位检测器150接收外部时钟信号ext_clk并通过比较外部时钟信号ext_clk和第一补偿时钟信号iclk1而产生该第一检测信号。第一直接相位检测器150输出该第一检测信号至延迟线单元120。
第二延迟模块单元160接收第二占空控制时钟信号intclk2’并估算一延迟量,同时第二占空控制时钟信号intclk2’行进至一数据输入/输出接脚(DQ pin),第二延迟模块单元160基于该估算延迟量产生第二补偿时钟信号iclk2,并输出第二补偿时钟信号iclk2至第二直接相位检测器170。
第二直接相位检测器170接收外部时钟信号ext_clk并通过比较外部时钟信号ext_clk和第二补偿时钟信号iclk2而产生该第二检测信号。第二直接相位检测器170输出该第二检测信号至延迟线单元120。
图2所示为图1的传统延迟锁定回路的运作时序图。
该传统的延迟锁定回路的运作将通过参考图1及图2详述如下。
首先,如果外部时钟信号ext_clk被输入至缓冲器110,缓冲器110便输出该第一内部时钟信号,延迟单元120通过延迟该内部时钟信号而产生第一及第二延迟内部时钟信号intclk1及intclk2。如图2所示,第一延迟内部时钟信号intclk1的一上升沿与第二延迟内部时钟信号intclk2的一上升沿同步,但第一延迟内部时钟信号intclk1的一下降沿与第二延迟内部时钟信号intclk2的一下降沿不同步,从而产生占空错误。
第一及第二延迟内部时钟信号intclk1及intclk2被输入至第一相位检测器131,且第一相位检测器131检测第一及第二延迟内部时钟信号intclk1及intclk2之间的相位差。混合器控制器132接收该相位差并产生基于该相位差的加重值k,以转移第一延迟内部时钟信号intclk1及第二延迟内部时钟信号intclk2的该下降沿。就是说,加重值k被控制以转移第一延迟内部时钟信号intclk1及第二延迟内部时钟信号intclk2的二下降沿至intclk1及intclk2的二下降沿的中部。
请参阅图2,第二延迟内部时钟信号intclk2相较于第一延迟内部时钟信号intclk1需要更多的加重值以补偿第一及第二延迟内部时钟信号intclk1及intclk2的二下降沿的相位差。在图2所示的第一延迟内部时钟信号intclk1的高时钟脉波宽度比第二延迟内部时钟信号intclk2的高时钟脉波宽度宽的情况下,第二延迟内部时钟信号intclk2所需的加重值大于0.5。
加重值k的值启始时设定为0,当第一补偿时钟信号iclk1和第二补偿时钟信号iclk2的上升沿与外部时钟信号ext_clk的上升沿同步时,加重值k的值会开始一点一点地渐渐增加。每当加重值k增加时,从第一相位混合器133输出的第一占空控制时钟信号int_clk的下降沿被一点一点地转移至第一及第二延迟内部时钟信号intclk1及intclk2的二下降沿的中部,并且从第二相位混合器134输出的第二占空控制时钟信号intclk2’的一下降沿便被一点一点地转移至intclk1及intclk2的二下降沿的中部,通过上述运作,第一及第二占空控制时钟信号int_clk及intclk2’都具有50%的占空比。
如上所述,在图2所示第一延迟内部时钟信号intclk1的高时钟脉波宽度比第二延迟内部时钟信号intclk2的高时钟脉波宽度宽的情况下,为了转移位于第一及第二相位混合器133及134的第一及第二延迟内部时钟信号intclk1及intclk2的该下降沿,第二延迟内部时钟信号intclk2必须需要超过0.5的加重值。如果第二延迟内部时钟信号intclk2的下降沿落后于第一延迟内部时钟信号intclk1的上升沿,第一相位混合器133的加重值k便可设定成0.6,而第二相位混合器134的加重值k可设定成0.4。
在上述例子中,如果应用于第二延迟内部时钟信号intclk2的加重值为0.6,则应用于第一延迟内部时钟信号intclk1的加重值为0.4(=1-0.6),同样地,在第二相位混合器134中,如果应用于第一延迟内部时钟信号intclk1的加重值为0.4,则应用于第二延迟内部时钟信号intclk2的加重值为0.6(=1-0.4)。在上述例子中,由于第一及第二延迟内部时钟信号intclk1及intclk2的上升沿为具有相同的相位,因此第一及第二延迟内部时钟信号intclk1及intclk2的上升沿无法被补偿。然而,如果第一及第二延迟内部时钟信号intclk1及intclk2的上升沿不同,那么它们便可获得补偿以同步该二下降沿。
图3所示为第一及第二延迟线122及124的输出端的电路图。
如图所示,两个及三个串联连接的反相器分别耦合于第一及第二延迟线122及124的输出端。
如前所述,当第一及第二延迟内部时钟信号intclk1及intclk2由第一及第二延迟线122及124所产生时,具有相反的相位;即,如果第一延迟内部时钟信号intclk1的占空比为60%,则第二延迟内部时钟信号intclk2的占空比为40%。
然而,因为连接于第一及第二延迟线122及124的输出端的反相器的某些变化,例如:制造工艺、电压及温度,第一及第二延迟内部时钟信号intclk1及intclk2便有可能具有相反占空,因此,该种传统的延迟锁定回路即因为上述问题而降低了性能。
发明内容
因此,本发明的目的是提供一种将内部时钟信号同步于外部时钟信号以及校正该内部时钟信号的占空比的延迟锁定回路及其方法。
根据本发明的一方面,提供一种半导体器件,包括:第一时钟缓冲器,用于通过该第一时钟缓冲器的一非反相(non-inverting)端接收外部时钟信号以及通过该第一时钟缓冲器的一反相端接收外部时钟限制(bar)信号,由此输出第一时钟输入信号;第二时钟缓冲器,用于通过该第一时钟缓冲器的该非反相端接收该外部时钟限制信号以及通过该第一时钟缓冲器的该反相端接收该外部时钟信号,由此输出第二时钟输入信号;以及延迟锁定回路,用于接收该第一时钟输入信号和该第二时钟输入信号,由此产生一占空校正时钟信号。
根据本发明的另一方面,提供一种延迟锁定回路装置,包括:第一时钟缓冲器,用于通过该第一时钟缓冲器的一非反相端接收外部时钟信号以及通过该第一时钟缓冲器的一反相端接收外部时钟限制信号,由此输出第一时钟输入信号;第二时钟缓冲器,用于通过该第一时钟缓冲器的该非反相端接收该外部时钟限制信号以及通过该第一时钟缓冲器的该反相端接收该外部时钟信号,由此输出第二时钟输入信号;延迟线单元,其接收该第一时钟输入信号及该第二时钟输入信号,通过基于第一比较信号和第二比较信号延迟该第一时钟输入信号和该第二时钟输入信号,以产生第一延迟时钟信号和第二延迟时钟信号;占空校正单元,其接收该第一延迟时钟信号及该第二延迟时钟信号,通过将该第一延迟时钟信号和该第二延迟时钟信号的下降沿移至该第一延迟时钟信号和该第二延迟时钟信号的该下降沿的中部,以产生第一占空校正时钟信号和第二占空校正时钟信号;第一延迟模块单元,用于估算该第一占空校正信号通过一数据输入/输出接脚时所产生的一延迟量,并通过基于估算的该延迟量补偿该第一占空校正信号而输出第一补偿时钟信号;第一直接相位检测器,用于通过比较该第一时钟输入信号和该第一补偿时钟信号而产生该第一比较信号;第二延迟模块单元,用于估算该第二占空校正信号通过该数据输入/输出接脚时所产生的一延迟量,并通过基于估算的该延迟量补偿该第二占空校正信号而输出第二补偿时钟信号;以及第二直接相位检测器,通过比较该第一时钟输入信号和该第二补偿时钟信号而产生该第二比较信号。
根据本发明的再一方面,提供一种产生占空校正时钟信号的方法,包括下列步骤:通过缓冲通过一非反相端所输入的一外部时钟信号以及缓冲通过一反相端所输入的一外部时钟限制信号,而产生第一时钟输入信号;通过缓冲通过该非反相端所输入的该外部时钟限制信号以及缓冲通过该反相端所输入的该外部时钟信号,而产生第二时钟输入信号;以及通过同步该第一时钟输入信号和该第二时钟输入信号的上升沿以及将其下降沿移至其下降沿的中部,而产生该占空校正时钟信号。
根据本发明的再一方面,提供一种产生占空校正时钟信号的方法,包括下列步骤:通过缓冲通过一非反相端所输入的一外部时钟信号以及缓冲通过一反相端所输入的一外部时钟限制信号,而产生第一时钟输入信号;通过缓冲通过该非反相端所输入的该外部时钟限制信号以及缓冲通过该反相端所输入的该外部时钟信号,而产生第二时钟输入信号;通过缓冲该第一时钟输入信号和该第二时钟输入信号而产生第一延迟时钟信号和第二延迟时钟信号;通过将该第一延迟时钟信号和该第二延迟时钟信号的下降沿移至该下降沿的中部,而产生第一占空校正时钟信号和第二占空校正时钟信号;通过补偿该第一占空校正时钟信号的一延迟量而产生第一补偿时钟信号,该第一占空校正时钟信号产生于当该第一占空校正时钟信号通过一数据输入/输出接脚时;通过比较该第一时钟输入信号和该第一补偿时钟信号而产生第一比较信号;通过补偿该第二占空校正时钟信号的一延迟量而产生第二补偿时钟信号,该第二占空校正时钟信号产生于当该第二占空校正时钟信号通过该数据输入/输出接脚时;以及通过比较该第二时钟输入信号和该第二补偿时钟信号而产生第二比较信号。
根据本发明的再一方面,提供一种半导体存储器件,包括:第一时钟缓冲器,用于通过该第一时钟缓冲器的一非反相端接收外部时钟信号以及通过该第一时钟缓冲器的一反相端接收外部时钟限制信号,由此输出第一时钟输入信号;第二时钟缓冲器,用于通过该第一时钟缓冲器的该非反相端接收该外部时钟限制信号以及通过该第一时钟缓冲器的该反相端接收该外部时钟信号,由此输出第二时钟输入信号;以及延迟锁定回路,其接收该第一时钟输入信号和该第二时钟输入信号,以校正该外部时钟信号的占空。
根据本发明的再一方面,提供一种产生占空校正时钟信号的方法,包括下列步骤:通过缓冲通过一非反相端所输入的一外部时钟信号以及缓冲通过一反相端所输入的一外部时钟限制信号,而产生第一时钟输入信号;通过缓冲通过该非反相端所输入的该外部时钟限制信号以及缓冲通过该反相端所输入的该外部时钟信号,而产生第二时钟输入信号;以及通过使用该第一时钟输入信号和该第二时钟输入信号以校正该外部时钟信号的占空。
附图说明
通过下述优选实施例结合附图的描述,本发明的上述及其它目的与特征将会变得更加明显,其中:
图1所示为传统的延迟锁定回路的框图;
图2所示为图1的传统的延迟锁定回路的运作时序图;
图3所示为图1的第一及第二延迟线的输出端的电路图;
图4所示为本发明一较佳实施例的延迟锁定回路的框图;
图5所示为本发明另一较佳实施例的延迟锁定回路的框图;以及
图6表示图4及图5的延迟锁定回路的运作时序图。
具体实施方式
以下将结合附图详细说明本发明的延迟锁定回路。
图4所示为本发明一较佳实施例的延迟锁定回路的框图。
如图所示,延迟锁定回路包括第一时钟缓冲器410、第二时钟缓冲器420、一延迟线单元430、一占空错误控制器440、第一延迟模块单元450、第二延迟模块单元470、第一直接相位检测器460以及第二直接相位检测器480。
延迟线单元430包括第一控制器431、第一延迟线432、第二控制器433以及第二延迟线434;占空错误控制器440包括第一相位混合器443、第二相位混合器444、一混合器控制器442以及第一相位检测器441。
延迟线单元430、占空错误控制器440、第一延迟模块单元450、第二延迟模块单元470、第一直接相位检测器460以及第二直接相位检测器480的运作及结构皆与传统的延迟锁定回路所具有的完全相同。
然而,本发明的延迟锁定回路包括用于接收一外部时钟信号的二个时钟缓冲器,并且第二延迟线434的一输出端不包括一反相器。
第一及第二时钟缓冲器410及420都接收一外部时钟信号CLK及其反相信号,即一外部时钟限制信号CLKB,并通过缓冲被接收的该信号以产生第一时钟输入信号和第二时钟输入信号。其中,第一及第二时钟缓冲器410及420是相同的。
第一时钟缓冲器410通过其非反相端(+)及其反相端(-)分别接收外部时钟信号CLK及外部时钟限制信号CLKB,以输出该第一时钟输入信号。另一方面,第二时钟缓冲器420通过其反相端(-)及其非反相端(+)分别接收外部时钟信号CLK及外部时钟限制信号CLKB。因此,该第一时钟输入信号的一占空与该第二时钟输入信号的一占空反相,例如,如果该第一时钟输入信号的该占空为60%,那么该第二时钟输入信号的该占空为40%。
同时,外部时钟信号CLK及外部时钟限制信号CLKB为一芯片组所产生的微分时钟信号,并被输入至一半导体存储器件中。由于外部时钟信号CLK及外部时钟限制信号CLKB都为微分时钟信号,二者的相位便永远相反。
因此,由第一及第二延迟线432及434所产生的第一及第二延迟内部时钟信号intclk1及intclk2的上升沿被同步,并且不管制造工艺、电压或温度如何变化,第一延迟内部时钟信号intclk1的一占空永远反相一第二延迟内部时钟信号intclk2的一占空。
因此,具有50%的占空的第一及第二占空校正时钟信号int_clk及intclk2’便可由占空错误控制器440所产生。
图5所示为本发明另一较佳实施例的延迟锁定回路的框图。
如图所示,图5的延迟锁定回路的结构与图4的延迟锁定回路的结构相同。
然而,和图4的延迟锁定回路不同的是,第一时钟缓冲器510通过其非反相端接收外部时钟限制信号CLKB,并通过其反相端接收外部时钟信号CLK。毫无疑问地,图5的延迟锁定回路的运作和图4的延迟锁定回路的运作相同。
图6所示为图4及图5的延迟锁定回路的运作时序图。
如图所示,如果具有反相占空的外部时钟限制信号CLKB和外部时钟信号CLK被输入,具有反相占空的第一及第二延迟内部时钟信号intclk1及intclk2便会产生。因此,通过使用第一及第二延迟内部时钟信号intclk1及intclk2,外部时钟信号CLK的一占空便会被校正成具有50%的占空。
根据本发明再一实施例,图4的第一时钟缓冲器410的一输出信号可以取代外部时钟信号CLK而被输入至第一及第二直接相位检测器460及480。
同样地,根据本发明再一实施例,图5的第二时钟缓冲器520的一输出信号可以被输入至第一及第二直接相位检测器560及580。
此外,图4及图5中的该第一及该第二时钟缓冲器可从图4及图5所示的延迟锁定回路中移除。
如上所述,根据本发明,具有反相占空的两个时钟信号可被产生用以校正一时钟信号的占空,不管制造工艺、电压或温度如何变化。另外,本发明的延迟锁定回路所包括的两条延迟线具有不将反相器与其输出端耦合的相同结构;并且因此,可以更为精确地产生校正时钟信号。因此,使用本发明的延迟锁定回路可以增强延迟锁定回路的性能。
本发明包含了于2003年10月30日对韩国专利局所提出的韩国申请第2003-76265号的主要内容,其全部内容在这里加以参考引用。
虽然结合较佳实施例对本发明进行了描述,但显而易见的是,本领域的技术人员可以在不脱离下述权利要求所定义的本发明精神和范围的情况下,做出各种变化和修改。

Claims (19)

1.一种用于校正时钟信号的占空度的装置,包括:
第一时钟缓冲器,用于通过该第一时钟缓冲器的一非反相端接收外部时钟信号以及通过该第一时钟缓冲器的一反相端接收外部时钟限制信号,由此输出第一时钟输入信号;
第二时钟缓冲器,用于通过该第一时钟缓冲器的该非反相端接收该外部时钟限制信号以及通过该第一时钟缓冲器的该反相端接收该外部时钟信号,由此输出第二时钟输入信号;以及
延迟锁定回路,用于接收该第一时钟输入信号和该第二时钟输入信号,由此产生一占空校正时钟信号。
2.如权利要求1所述的装置,其特征在于:该占空校正时钟信号通过同步该第一时钟输入信号和该第二时钟输入信号的上升沿以及将其下降沿移至其下降沿的中部而被占空校正和被同步于该外部时钟信号。
3.如权利要求2所述的装置,其特征在于:该延迟锁定回路包括两个延迟线,用于分别延迟该第一及该第二时钟输入信号,以产生该占空校正时钟信号。
4.如权利要求2所述的装置,其特征在于:该延迟锁定回路包括:
延迟线单元,其接收该第一时钟输入信号及该第二时钟输入信号,通过基于第一比较信号和第二比较信号延迟该第一时钟输入信号和该第二时钟输入信号而产生第一延迟时钟信号和第二延迟时钟信号;
占空校正单元,其接收该第一延迟时钟信号及该第二延迟时钟信号,通过将该第一延迟时钟信号和该第二延迟时钟信号的下降沿移至该第一延迟时钟信号和该第二延迟时钟信号的该下降沿的中部而产生第一占空校正时钟信号和第二占空校正时钟信号;
第一延迟模块单元,用于估算该第一占空校正信号通过一数据输入/输出接脚时所产生的一延迟量,并基于该估算的延迟量通过补偿该第一占空校正信号而输出第一补偿时钟信号;
第一直接相位检测器,通过比较该外部时钟信号和该第一补偿时钟信号而产生该第一比较信号;
第二延迟模块单元,用于估算该第二占空校正信号通过该数据输入/输出接脚时所产生的一延迟量,并基于该估算的延迟量通过补偿该第二占空校正信号而输出第二补偿时钟信号;以及
第二直接相位检测器,通过比较该外部时钟信号和该第二补偿时钟信号而产生该第二比较信号。
5.如权利要求4所述的装置,其特征在于:该延迟线单元包括:
第一控制单元,用于产生第一控制信号,以基于该第一直接相位检测器所输出的该第一比较信号控制一延迟量;
第一延迟线,通过基于该第一控制信号延迟该第一时钟输入信号而产生该第一延迟时钟信号;
第二控制单元,用于产生第二控制信号,以基于该第二直接相位检测器所输出的该第二比较信号控制一延迟量;以及
第二延迟线,通过基于该第二控制信号延迟该第二时钟输入信号而产生该第二延迟时钟信号。
6.如权利要求4所述的装置,其特征在于:该占空校正单元包括:
第一相位检测器,用于接收该第一延迟时钟信号和该第二延迟时钟信号的反相信号,以输出一相位检测信号,该相位检测信号的逻辑电平显示该第一延迟时钟信号和该第二延迟时钟信号中哪一个具有一引导下降沿;
混合器控制器,用于基于该相位检测信号产生一加重值;
第一相位混合器,其将1减去该加重值所得到的值应用于该第一延迟时钟信号,并将该加重值应用于该第二延迟时钟信号,以产生该第一占空校正时钟信号;以及
第二相位混合器,其将该加重值应用于该第一延迟时钟信号,并将1减去该加重值所得到的值应用于该第二延迟时钟信号,以产生该第二占空校正时钟信号。
7.一种用于校正一时钟信号的占空的延迟锁定回路,包括:
第一时钟缓冲器,用于通过该第一时钟缓冲器的一非反相端接收外部时钟信号以及通过该第一时钟缓冲器的一反相端接收外部时钟限制信号,由此输出第一时钟输入信号;
第二时钟缓冲器,用于通过该第一时钟缓冲器的该非反相端接收该外部时钟限制信号以及通过该第一时钟缓冲器的该反相端接收该外部时钟信号,由此输出第二时钟输入信号;
延迟线单元,其接收该第一时钟输入信号及该第二时钟输入信号,通过基于第一比较信号和第二比较信号延迟该第一时钟输入信号和该第二时钟输入信号,以产生第一延迟时钟信号和第二延迟时钟信号;
占空校正单元,其接收该第一延迟时钟信号及该第二延迟时钟信号,通过将该第一延迟时钟信号和该第二延迟时钟信号的下降沿移至该第一延迟时钟信号和该第二延迟时钟信号的该下降沿的中部,以产生第一占空校正时钟信号和第二占空校正时钟信号;
第一延迟模块单元,用于估算该第一占空校正信号通过一数据输入/输出接脚时所产生的一延迟量,并通过基于估算的该延迟量补偿该第一占空校正信号而输出第一补偿时钟信号;
第一直接相位检测器,用于通过比较该第一时钟输入信号和该第一补偿时钟信号而产生该第一比较信号;
第二延迟模块单元,用于估算该第二占空校正信号通过该数据输入/输出接脚时所产生的一延迟量,并通过基于估算的该延迟量补偿该第二占空校正信号而输出第二补偿时钟信号;以及
第二直接相位检测器,通过比较该第一时钟输入信号和该第二补偿时钟信号而产生该第二比较信号。
8.如权利要求7所述的延迟锁定回路,其特征在于:该延迟线单元包括:
第一控制单元,用于产生第一控制信号,以基于该第一直接相位检测器所输出的该第一比较信号控制一延迟量;
第一延迟线,通过基于该第一控制信号延迟该第一时钟输入信号而产生该第一延迟时钟信号;
第二控制单元,用于产生第二控制信号,以基于该第二直接相位检测器所输出的该第二比较信号控制一延迟量;以及
第二延迟线,通过基于该第二控制信号延迟该第二时钟输入信号而产生该第二延迟时钟信号,
其中,该第一及该第二延迟线是相同的。
9.如权利要求7所述的延迟锁定回路,其特征在于:该占空校正单元包括:
第一相位检测器,用于接收该第一延迟时钟信号和该第二延迟时钟信号的反相信号,以输出一相位检测信号,该相位检测信号的逻辑电平显示该第一延迟时钟信号和该第二延迟时钟信号中的哪一个具有一引导下降沿;
混合器控制器,用于基于该相位检测信号产生一加重值;
第一相位混合器,将1减去该加重值所得到的值应用于该第一延迟时钟信号,并将该加重值应用于该第二延迟时钟信号,以产生该第一占空校正时钟信号;以及
第二相位混合器,将该加重值应用于该第一延迟时钟信号,并将1减去该加重值所得到的值应用于该第二延迟时钟信号,以产生该第二占空校正时钟信号。
10.如权利要求7所述的延迟锁定回路,其特征在于:该第一延迟模块和该第二延迟模块单元包括该第一时钟缓冲器的一延迟量。
11.一种通过使用一延迟锁定回路而产生占空校正时钟信号的方法,包括下列步骤:
通过缓冲通过一非反相端所输入的一外部时钟信号以及缓冲通过一反相端所输入的一外部时钟限制信号而产生第一时钟输入信号;
通过缓冲通过该非反相端所输入的该外部时钟限制信号以及缓冲通过该反相端所输入的该外部时钟信号而产生第二时钟输入信号;以及
通过同步该第一时钟输入信号和该第二时钟输入信号的上升沿以及将其下降沿移至其下降沿的中部而产生该占空校正时钟信号。
12.一种产生权利要求9所述的占空校正时钟信号的方法,其特征在于:产生该占空校正时钟信号的步骤包括:
通过缓冲该第一时钟输入信号和该第二时钟输入信号而产生第一延迟时钟信号和第二延迟时钟信号;
通过将该第一延迟时钟信号和该第二延迟时钟信号的下降沿移至该下降沿的中部而产生第一占空校正时钟信号和第二占空校正时钟信号;
通过补偿该第一占空校正时钟信号的一延迟量而产生第一补偿时钟信号,该第一占空校正时钟信号产生于当该第一占空校正时钟信号通过一数据输入/输出接脚时;
通过比较该外部时钟信号和该第一补偿时钟信号而产生第一比较信号;
通过补偿该第二占空校正时钟信号的一延迟量而产生第二补偿时钟信号,该第二占空校正时钟信号产生于该第二占空校正时钟信号通过该数据输入/输出接脚时;以及
通过比较该外部时钟信号和该第二补偿时钟信号而产生第二比较信号。
13.如权利要求12所述的产生占空校正时钟信号的方法,其特征在于:产生该第一延迟时钟信号和该第二延迟时钟信号的步骤包括下述步骤:
产生第一控制信号,以基于该第一比较信号控制一延迟量;
通过基于该第一控制信号延迟该第一时钟输入信号一预定时间而产生该第一延迟时钟信号;
产生第二控制信号,以基于该第二比较信号控制一延迟量;以及
通过基于该第二控制信号延迟该第二时钟输入信号一预定时间而产生该第二延迟时钟信号。
14.如权利要求12所述的产生占空校正时钟信号的方法,其特征在于:产生该第一占空校正时钟信号和该第二占空校正时钟信号的步骤包括下述步骤:
产生一相位检测信号,该相位检测信号确定该第一延迟时钟信号和该第二延迟时钟信号中的哪一个具有一引导下降沿;
基于该相位检测信号产生一加重值;
通过将1减去该加重值所得到的值应用于该第一延迟时钟信号,并将该加重值应用于该第二延迟时钟信号,以产生该第一占空校正信号;以及
通过将该加重值应用于该第一延迟时钟信号,并将1减去该加重值所得到的值应用于该第二延迟时钟信号,以产生该第二占空校正信号。
15.一种使用一延迟锁定回路产生占空校正时钟信号的方法,包括下列步骤:
通过缓冲通过一非反相端所输入的一外部时钟信号以及缓冲通过一反相端所输入的一外部时钟限制信号而产生第一时钟输入信号;
通过缓冲通过该非反相端所输入的该外部时钟限制信号以及缓冲通过该反相端所输入的该外部时钟信号而产生第二时钟输入信号;
通过缓冲该第一时钟输入信号和该第二时钟输入信号而产生第一延迟时钟信号和第二延迟时钟信号;
通过将该第一延迟时钟信号和该第二延迟时钟信号的下降沿移至该下降沿的中部而产生第一占空校正时钟信号和第二占空校正时钟信号;
通过补偿该第一占空校正时钟信号的一延迟量而产生第一补偿时钟信号,该第一占空校正时钟信号产生于该第一占空校正时钟信号通过一数据输入/输出接脚时;
通过比较该第一时钟输入信号和该第一补偿时钟信号而产生第一比较信号;
通过补偿该第二占空校正时钟信号的一延迟量而产生第二补偿时钟信号,该第二占空校正时钟信号产生于该第二占空校正时钟信号通过该数据输入/输出接脚时;以及
通过比较该第二时钟输入信号和该第二补偿时钟信号而产生第二比较信号。
16.如权利要求15所述的产生占空校正时钟信号的方法,其特征在于:产生该第一延迟时钟信号和该第二延迟时钟信号的步骤包括下述步骤:
产生第一控制信号,以基于该第一比较信号控制一延迟量;
通过基于该第一控制信号延迟该第一时钟输入信号一预定时间,产生该第一延迟时钟信号;
产生第二控制信号,以基于该第二比较信号控制一延迟量;以及
通过基于该第二控制信号延迟该第二时钟输入信号一预定时间,产生该第二延迟时钟信号。
17.如权利要求15所述的产生占空校正时钟信号的方法,其特征在于:产生该第一占空校正时钟信号和该第二占空校正时钟信号的步骤包括下述步骤:
产生一相位检测信号,该相位检测信号确定该第一延迟时钟信号和该第二延迟时钟信号中的哪一个具有一引导下降沿;
基于该相位检测信号产生一加重值;
通过将1减去该加重值所得到的值应用于该第一延迟时钟信号,并将该加重值应用于该第二延迟时钟信号而产生该第一占空校正信号;以及
通过将该加重值应用于该第一延迟时钟信号,并将1减去该加重值所得到的值应用于该第二延迟时钟信号而产生该第二占空校正信号。
18.一种能够校正一时钟信号的占空的半导体存储器件,包括:
第一时钟缓冲器,用于通过该第一时钟缓冲器的一非反相端接收外部时钟信号以及通过该第一时钟缓冲器的一反相端接收外部时钟限制信号,由此输出第一时钟输入信号;
第二时钟缓冲器,用于通过该第一时钟缓冲器的该非反相端接收该外部时钟限制信号以及通过该第一时钟缓冲器的该反相端接收该外部时钟信号,由此输出第二时钟输入信号;以及
延迟锁定回路,其接收该第一时钟输入信号和该第二时钟输入信号,以校正该外部时钟信号的占空。
19.一种在包括一延迟锁定回路的半导体存储器件中处理一时钟信号的方法,包括下列步骤:
通过缓冲通过一非反相端所输入的一外部时钟信号以及缓冲通过一反相端所输入的一外部时钟限制信号而产生第一时钟输入信号;
通过缓冲通过该非反相端所输入的该外部时钟限制信号以及缓冲通过该反相端所输入的该外部时钟信号而产生第二时钟输入信号;以及
通过使用该第一时钟输入信号和该第二时钟输入信号以校正该外部时钟信号的占空。
CN2004100864503A 2003-10-30 2004-10-20 延迟锁定回路及其时钟产生方法 Active CN1612482B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020030076265 2003-10-30
KR1020030076265A KR100578232B1 (ko) 2003-10-30 2003-10-30 지연 고정 루프
KR10-2003-0076265 2003-10-30

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1612482A true CN1612482A (zh) 2005-05-04
CN1612482B CN1612482B (zh) 2010-11-24

Family

ID=34545614

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2004100864503A Active CN1612482B (zh) 2003-10-30 2004-10-20 延迟锁定回路及其时钟产生方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US7268601B2 (zh)
JP (1) JP4992020B2 (zh)
KR (1) KR100578232B1 (zh)
CN (1) CN1612482B (zh)
DE (1) DE102004031448A1 (zh)
TW (1) TWI312236B (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104050993A (zh) * 2013-03-15 2014-09-17 南亚科技股份有限公司 工作周期补偿器与时钟补偿方法
CN113098505A (zh) * 2019-12-23 2021-07-09 南亚科技股份有限公司 延迟锁定回路、存储器元件以及该延迟回路的操作方法

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7187221B2 (en) * 2004-06-30 2007-03-06 Infineon Technologies Ag Digital duty cycle corrector
KR100645461B1 (ko) * 2004-06-30 2006-11-15 주식회사 하이닉스반도체 듀티 싸이클 교정이 가능한 디지털 지연 고정 루프 및그의 제어 방법
KR100641360B1 (ko) * 2004-11-08 2006-11-01 삼성전자주식회사 지연 동기 루프 및 이를 구비한 반도체 메모리 장치
JP4665569B2 (ja) * 2004-11-30 2011-04-06 トヨタ自動車株式会社 電圧変換装置および電圧変換装置における電圧変換の制御をコンピュータに実行させるためのプログラムを記録したコンピュータ読取り可能な記録媒体
KR100685606B1 (ko) * 2004-12-01 2007-02-22 주식회사 하이닉스반도체 지연 동기 루프의 듀티 사이클 보정회로
KR100696957B1 (ko) * 2005-03-31 2007-03-20 주식회사 하이닉스반도체 클럭 듀티 조정 회로, 이를 이용한 지연 고정 루프 회로 및그 방법
GB2428149B (en) * 2005-07-07 2009-10-28 Agilent Technologies Inc Multimode optical fibre communication system
KR100711547B1 (ko) * 2005-08-29 2007-04-27 주식회사 하이닉스반도체 지연 고정 루프
JP4915017B2 (ja) * 2005-09-29 2012-04-11 株式会社ハイニックスセミコンダクター 遅延固定ループ回路
KR100701704B1 (ko) * 2006-01-12 2007-03-29 주식회사 하이닉스반도체 듀티 교정 회로
KR100776906B1 (ko) * 2006-02-16 2007-11-19 주식회사 하이닉스반도체 파워다운 모드 동안 주기적으로 락킹 동작을 실행하는기능을 가지는 dll 및 그 락킹 동작 방법
KR100954117B1 (ko) * 2006-02-22 2010-04-23 주식회사 하이닉스반도체 지연 고정 루프 장치
KR100838376B1 (ko) * 2006-08-24 2008-06-13 주식회사 하이닉스반도체 전원전압 변동에 대비한 디엘엘장치.
KR100806140B1 (ko) * 2006-09-01 2008-02-22 주식회사 하이닉스반도체 반도체 메모리 장치
KR100808055B1 (ko) * 2006-10-31 2008-02-28 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 지연 고정 루프와 그의 구동 방법
KR100863001B1 (ko) * 2007-02-09 2008-10-13 주식회사 하이닉스반도체 듀티 싸이클 보정 기능을 갖는 지연 고정 루프 회로 및 그제어방법
KR101018706B1 (ko) * 2007-03-29 2011-03-04 주식회사 하이닉스반도체 반도체 메모리 장치 및 그 구동방법
JP5448324B2 (ja) * 2007-10-23 2014-03-19 ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエル Dll回路及びこれを備える半導体装置、並びに、データ処理システム
KR100881715B1 (ko) * 2007-11-02 2009-02-06 주식회사 하이닉스반도체 지연고정루프 및 그의 동작방법
KR100971428B1 (ko) 2007-12-26 2010-07-21 주식회사 하이닉스반도체 듀티 보정 회로
KR100930415B1 (ko) 2008-05-09 2009-12-08 주식회사 하이닉스반도체 클럭 제어 회로 및 이를 포함하는 반도체 메모리 장치
CN102318192B (zh) * 2009-02-26 2013-11-20 松下电器产业株式会社 相位调整电路
KR101086882B1 (ko) * 2010-04-30 2011-11-25 주식회사 하이닉스반도체 차동 신호 생성 회로
US9444442B2 (en) 2013-03-06 2016-09-13 Rambus Inc. Open-loop correction of duty-cycle error and quadrature phase error
US9225324B2 (en) * 2014-04-21 2015-12-29 Qualcomm Incorporated Circuit for generating accurate clock phase signals for high-speed SERDES

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3754070B2 (ja) * 1994-02-15 2006-03-08 ラムバス・インコーポレーテッド 遅延ロック・ループ
JPH0888545A (ja) * 1994-09-19 1996-04-02 Fujitsu Ltd デューティ比補正方法および装置
US5757218A (en) * 1996-03-12 1998-05-26 International Business Machines Corporation Clock signal duty cycle correction circuit and method
US5945862A (en) * 1997-07-31 1999-08-31 Rambus Incorporated Circuitry for the delay adjustment of a clock signal
KR100272167B1 (ko) * 1998-07-13 2000-11-15 윤종용 동기식 반도체 메모리 장치의 기준 신호 발생 회로
KR100340863B1 (ko) * 1999-06-29 2002-06-15 박종섭 딜레이 록 루프 회로
JP2001084763A (ja) * 1999-09-08 2001-03-30 Mitsubishi Electric Corp クロック発生回路およびそれを具備した半導体記憶装置
KR100366618B1 (ko) * 2000-03-31 2003-01-09 삼성전자 주식회사 클럭 신호의 듀티 사이클을 보정하는 지연 동기 루프 회로및 지연 동기 방법
KR100360403B1 (ko) * 2000-04-10 2002-11-13 삼성전자 주식회사 듀티 싸이클 보정회로 및 방법
KR100527402B1 (ko) * 2000-05-31 2005-11-15 주식회사 하이닉스반도체 디디알 동기식메모리의 지연고정루프 장치
JP4443728B2 (ja) * 2000-06-09 2010-03-31 株式会社ルネサステクノロジ クロック発生回路
JP3888603B2 (ja) * 2000-07-24 2007-03-07 株式会社ルネサステクノロジ クロック生成回路および制御方法並びに半導体記憶装置
US6384652B1 (en) * 2000-08-17 2002-05-07 Vanguard International Semiconductor Corporation Clock duty cycle correction circuit
KR100384781B1 (ko) * 2000-12-29 2003-05-22 주식회사 하이닉스반도체 듀티 사이클 보정 회로
US6518809B1 (en) * 2001-08-01 2003-02-11 Cypress Semiconductor Corp. Clock circuit with self correcting duty cycle
JP4846144B2 (ja) * 2001-09-14 2011-12-28 ルネサスエレクトロニクス株式会社 同期型半導体記憶装置
JP4609808B2 (ja) * 2001-09-19 2011-01-12 エルピーダメモリ株式会社 半導体集積回路装置及び遅延ロックループ装置
KR100401522B1 (ko) * 2001-09-20 2003-10-17 주식회사 하이닉스반도체 듀티 보정 회로
KR100424180B1 (ko) * 2001-12-21 2004-03-24 주식회사 하이닉스반도체 듀티 사이클 보상 기능을 갖는 지연 고정 루프 회로
DE10214304B4 (de) * 2002-03-28 2004-10-21 Infineon Technologies Ag Verfahren und Vorrichtung zur Erzeugung zweier Signale mit einem vorbestimmten Abstand sich entsprechender Signalflanken zueinander
KR100477809B1 (ko) * 2002-05-21 2005-03-21 주식회사 하이닉스반도체 듀티 사이클 교정이 가능한 디지털 디엘엘 장치 및 듀티사이클 교정 방법
KR100477808B1 (ko) * 2002-05-21 2005-03-21 주식회사 하이닉스반도체 듀티 사이클 교정이 가능한 디지털 디엘엘 장치 및 듀티사이클 교정 방법
KR100486256B1 (ko) * 2002-09-04 2005-05-03 삼성전자주식회사 듀티사이클 보정회로를 구비하는 반도체 메모리 장치 및상기 반도체 메모리 장치에서 클럭신호를 보간하는 회로
KR100486268B1 (ko) * 2002-10-05 2005-05-03 삼성전자주식회사 내부에서 자체적으로 듀티싸이클 보정을 수행하는지연동기루프 회로 및 이의 듀티싸이클 보정방법
KR100500925B1 (ko) * 2002-11-27 2005-07-14 주식회사 하이닉스반도체 디지털 위상 혼합기를 갖는 2 코스 하프 딜레이 라인을이용한로우 지터 dll
KR100515071B1 (ko) * 2003-04-29 2005-09-16 주식회사 하이닉스반도체 디엘엘 장치
KR100605577B1 (ko) * 2004-06-30 2006-07-31 주식회사 하이닉스반도체 레지스터 제어형 지연 고정 루프 및 그의 제어 방법

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104050993A (zh) * 2013-03-15 2014-09-17 南亚科技股份有限公司 工作周期补偿器与时钟补偿方法
CN104050993B (zh) * 2013-03-15 2016-11-16 南亚科技股份有限公司 工作周期补偿器与时钟补偿方法
CN113098505A (zh) * 2019-12-23 2021-07-09 南亚科技股份有限公司 延迟锁定回路、存储器元件以及该延迟回路的操作方法

Also Published As

Publication number Publication date
US7268601B2 (en) 2007-09-11
JP2005135567A (ja) 2005-05-26
TWI312236B (en) 2009-07-11
JP4992020B2 (ja) 2012-08-08
US20050093600A1 (en) 2005-05-05
TW200515709A (en) 2005-05-01
KR20050041196A (ko) 2005-05-04
DE102004031448A1 (de) 2005-06-02
CN1612482B (zh) 2010-11-24
KR100578232B1 (ko) 2006-05-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1612482A (zh) 延迟锁定回路及其时钟产生方法
US8073090B2 (en) Synchronous de-skew with programmable latency for multi-lane high speed serial interface
KR100902795B1 (ko) 인터페이스 회로
TWI299943B (en) Delay locked loop in semiconductor memory device and its clock locking method
US8723569B2 (en) Signal receiving circuit, memory controller, processor, computer, and phase control method
US8519758B2 (en) Digital DLL including skewed gate type duty correction circuit and duty correction method thereof
CN101039108B (zh) 延迟同步电路及半导体集成电路器件
TWI448081B (zh) All-digital clock correction circuit and method thereof
US7839193B2 (en) Duty cycle correction circuits including a transition generator circuit for generating transitions in a duty cycle corrected signal responsive to an input signal and a delayed version of the input signal and methods of operating the same
US8704560B2 (en) Multi-phase signal generator and method
US8004336B2 (en) Semiconductor memory device and method for operating the same
US7719334B2 (en) Apparatus and method for multi-phase clock generation
CN1716783A (zh) 寄存器控制的延迟锁定回路及其控制方法
CN1756080A (zh) 半导体集成电路
CN1794580A (zh) 用于半导体存储器装置中的延迟锁定回路及其方法
CN101667450B (zh) 数据输入/输出电路
WO2011077574A1 (ja) 信号復元回路、レイテンシ調整回路、メモリコントローラ、プロセッサ、コンピュータ、信号復元方法及びレイテンシ調整方法
CN1941165A (zh) 延迟锁定回路电路
TW202147309A (zh) 記憶體系統及其記憶體存取介面裝置
US9437261B2 (en) Memory controller and information processing device
US10573360B1 (en) Method and apparatus for adaptable phase training of high frequency clock signaling for data capture
CN1702970A (zh) 相位同步电路
US8976619B2 (en) Semiconductor apparatus
JP2005056334A (ja) 同期式メモリからのデータ取込み回路
US9552310B2 (en) Signal control circuit, information processing apparatus, and signal control method

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant