KR101086882B1 - 차동 신호 생성 회로 - Google Patents

차동 신호 생성 회로 Download PDF

Info

Publication number
KR101086882B1
KR101086882B1 KR1020100040550A KR20100040550A KR101086882B1 KR 101086882 B1 KR101086882 B1 KR 101086882B1 KR 1020100040550 A KR1020100040550 A KR 1020100040550A KR 20100040550 A KR20100040550 A KR 20100040550A KR 101086882 B1 KR101086882 B1 KR 101086882B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
signal
delay
mixing ratio
inverter
phase mixer
Prior art date
Application number
KR1020100040550A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20110121109A (ko
Inventor
김용주
최해랑
이지왕
장재민
Original Assignee
주식회사 하이닉스반도체
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 하이닉스반도체 filed Critical 주식회사 하이닉스반도체
Priority to KR1020100040550A priority Critical patent/KR101086882B1/ko
Priority to US12/840,255 priority patent/US8018265B1/en
Priority to JP2010277881A priority patent/JP5530345B2/ja
Publication of KR20110121109A publication Critical patent/KR20110121109A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101086882B1 publication Critical patent/KR101086882B1/ko

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C7/00Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/22Read-write [R-W] timing or clocking circuits; Read-write [R-W] control signal generators or management 
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K5/00Manipulating of pulses not covered by one of the other main groups of this subclass
    • H03K5/15Arrangements in which pulses are delivered at different times at several outputs, i.e. pulse distributors
    • H03K5/151Arrangements in which pulses are delivered at different times at several outputs, i.e. pulse distributors with two complementary outputs
    • H03K5/1515Arrangements in which pulses are delivered at different times at several outputs, i.e. pulse distributors with two complementary outputs non-overlapping
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C7/00Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/10Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
    • G11C7/1051Data output circuits, e.g. read-out amplifiers, data output buffers, data output registers, data output level conversion circuits
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/0175Coupling arrangements; Interface arrangements

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Computing Systems (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Pulse Circuits (AREA)
  • Logic Circuits (AREA)

Abstract

차동 신호 생성 회로는 입력 신호를 순차적으로 반전시켜 복수의 지연 신호를 생성하도록 구성된 인버터 어레이, 및 복수의 지연 신호 중에서 제 1 지연 신호와 제 2 지연 신호를 기 설정된 혼합비로 혼합하여 제 1 차동 신호를 생성하도록 구성된 위상 혼합기를 포함하며, 복수의 지연 신호 중에서 제 1 지연 신호와 제 2 지연 신호의 중간에 해당하는 제 3 지연 신호를 제 2 차동 신호로서 생성하도록 구성된다.

Description

차동 신호 생성 회로{DIFFERENTIAL SIGNAL GENERATION CIRCUIT}
본 발명은, 반도체 회로에 관한 것으로서, 특히 차동 신호 생성 회로에 관한 것이다.
반도체 회로 예를 들어, 반도체 메모리는 데이터 신호, 클럭 신호, 각종 제어 신호 등과 같은 다양한 신호 들을 사용하고 있다.
이러한 신호 들을 전송하기 위해 다양한 신호 전송 방식이 사용될 수 있으며, 정확한 신호 전송이 가능한 방법으로서, 서로 반대의 위상을 갖는 두 신호를 전송하고 그 두 신호의 전압 레벨 차이를 감지하여 신호를 수신하는 차동 시그널링(Differential signaling) 방식이 널리 사용되고 있다.
따라서 반도체 회로는 단일 위상의 신호를 이용하여 서로 반대의 위상을 갖는 차동 신호를 생성하기 위한 회로 구성을 구비하고 있다.
도 1에 도시된 바와 같이, 종래의 기술에 따른 차동 신호 생성 회로(1)는 인버터 어레이(Inverter Array)로 구성된다.
인버터 어레이 중에서 임의의 인버터를 통해 제 1 출력 신호(OUT)를 생성하고, 한 단 앞선 인버터를 통해 제 1 출력 신호(OUT)와 반대 위상을 갖는 제 2 출력 신호(OUTB)를 생성한다.
그러나 종래의 기술은 도 2에 도시된 바와 같이, 제 1 출력 신호(OUT)와 제 2 출력 신호(OUTB)가 경유하는 인버터의 수가 다르므로 지연 시간의 차이와 PVT(Process/Voltage/Tempreature) 변동에 따라 위상 차가 발생하게 된다.
본 발명의 실시예는 위상 차가 감소된 차동 신호를 생성하도록 한 차동 신호 생성 회로를 제공함에 그 목적이 있다.
본 발명의 실시예는 입력 신호를 순차적으로 반전시켜 복수의 지연 신호를 생성하도록 구성된 인버터 어레이, 및 복수의 지연 신호 중에서 제 1 지연 신호와 제 2 지연 신호를 기 설정된 혼합비로 혼합하여 제 1 차동 신호를 생성하도록 구성된 위상 혼합기를 포함하며, 복수의 지연 신호 중에서 제 1 지연 신호와 제 2 지연 신호의 중간에 해당하는 제 3 지연 신호를 제 2 차동 신호로서 생성하도록 구성됨을 특징으로 한다.
본 발명의 실시예는 입력 신호를 순차적으로 반전시켜 제 1 내지 제 3 지연 신호를 생성하도록 구성된 인버터 어레이; 상기 제 1 지연 신호와 상기 제 2 지연 신호를 제 1 혼합비로 혼합하여 제 1 차동 신호를 생성하도록 구성된 제 1 위상 혼합기; 및 상기 제 3 지연 신호와 상기 입력 신호를 제 2 혼합비로 혼합하여 제 2 차동 신호를 생성하도록 구성된 제 2 위상 혼합기를 포함함을 다른 특징으로 한다.
본 발명의 실시예는 입력 신호를 순차적으로 반전시켜 제 1 내지 제 3 지연 신호를 생성하도록 구성된 인버터 어레이; 상기 제 1 지연 신호와 상기 제 2 지연 신호를 제 1 혼합비 설정 신호에 응답하여 설정된 제 1 혼합비로 혼합하여 제 1 차동 신호를 생성하도록 구성된 제 1 위상 혼합기; 상기 제 3 지연 신호와 상기 입력 신호를 제 2 혼합비 설정 신호에 응답하여 설정된 제 2 혼합비로 혼합하여 제 2 차동 신호를 생성하도록 구성된 제 2 위상 혼합기; 및 상기 제 1 혼합비 설정 신호 또는 상기 제 2 혼합비 설정 신호를 생성하도록 구성된 혼합비 설정부를 포함함을 또 다른 특징으로 한다.
본 발명의 실시예는 입력 신호가 PVT 변동에 상관 없이 항상 일정한 지연 시간을 갖도록 하므로 위상 차 없는 차동 신호의 생성이 가능하다.
도 1은 종래의 기술에 따른 차동 신호 생성 회로(1)의 회로도,
도 2는 종래의 기술에 따른 차동 신호의 출력 파형도,
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 차동 신호 생성 회로(100)의 블록도,
도 4는 도 3의 제 1 위상 혼합기(300)의 회로도,
도 5는 도 3의 제 2 위상 혼합기(400)의 회로도,
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 차동 신호의 출력 파형도,
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 차동 신호 생성 회로(101)의 블록도,
도 8은 도 7의 제 1 위상 혼합기(301)의 회로도이다.
이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 보다 상세히 설명하기로 한다.
본 발명의 실시예는 위상 보간(Phase Interpolation) 방식으로 입력 신호(IN)를 이용하여 위상 차가 없는 차동 신호(OUT, OUTB)를 생성할 수 있도록 한 것이다.
이때 차동 신호(OUT, OUTB)는 제 1 차동 신호(OUT) 및 제 1 차동 신호(OUT)와 반대의 위상을 갖는 제 2 차동 신호(OUTB)로 구분할 수 있다.
도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 차동 신호 생성 회로(100)는 인버터 어레이(200), 제 1 위상 혼합기(300) 및 제 2 위상 혼합기(400)를 포함한다.
인버터 어레이(200)는 입력 신호(IN)를 순차적으로 반전시켜 제 1 내지 제 4 지연 신호(IN1 ~ IN4)를 생성하도록 구성된다.
인버터 어레이(200)는 복수의 인버터 예를 들어, 제 1 내지 제 4 인버터(IV11 ~ IV14)를 포함한다.
제 1 내지 제 4 인버터(IV11 ~ IV14)는 입력 신호(IN)를 순차적으로 반전시켜 출력한다. 이때 제 1 내지 제 4 인버터(IV11 ~ IV14)는 서로 동일한 지연 시간을 갖도록 설계할 수 있다.
이때 제 2 인버터(IV12)의 출력 신호를 제 1 지연 신호(IN1), 제 4 인버터(IV14)의 출력 신호를 제 2 지연 신호(IN2), 제 1 인버터(IV11)의 출력 신호를 제 3 지연 신호(IN3), 그리고 제 3 인버터(IV13)의 출력 신호를 제 4 지연 신호(IN4)라 한다.
제 1 위상 혼합기(300)는 제 1 지연 신호(IN1)와 제 2 지연 신호(IN2)를 기 설정된 제 1 혼합비(예를 들어, 1:1)로 혼합하여 제 1 차동 신호(OUT)를 생성하도록 구성된다.
제 2 위상 혼합기(400)는 제 3 지연 신호(IN3)와 제 4 지연 신호(IN4)를 기 설정된 제 2 혼합비(예를 들어, 2:0)로 혼합하여 제 2 차동 신호(OUTB)를 생성하도록 구성된다.
도 4에 도시된 바와 같이, 제 1 위상 혼합기(300)는 제 1 내지 제 4 트랜지스터 어레이(MA1 ~ MA4, MA5 ~ MA8, MB1 ~ MB4, MB5 ~ MB8) 및 인버터(IV21)를 포함한다.
제 1 내지 제 4 트랜지스터 어레이(MA1 ~ MA4, MA5 ~ MA8, MB1 ~ MB4, MB5 ~ MB8)는 각각 전원 단과 접지 단 사이에 연결된다.
제 1 트랜지스터 어레이(MA1 ~ MA4)의 노드(A1)와 제 2 트랜지스터 어레이(MA5 ~ MA8)의 노드(A2)가 인버터(IV21)의 입력단과 연결된다.
트랜지스터들(MA2, MA3, MA6, MA7)의 게이트에 제 1 지연 신호(IN1)가 입력된다.
제 3 트랜지스터 어레이(MB1 ~ MB4)의 노드(B1)와 제 4 트랜지스터 어레이(MB5 ~ MB8)의 노드(B2)가 인버터(IV21)의 입력단과 연결된다.
트랜지스터들(MB2, MB3, MB6, MB7)의 게이트에 제 2 지연 신호(IN2)가 입력된다.
이때 제 1 지연 신호(IN1)와 제 2 지연 신호(IN2)의 혼합비를 1:1로 설정하기 위하여, 제 1 트랜지스터 어레이(MA1 ~ MA4)와 제 3 트랜지스터 어레이(MB1 ~ MB4)를 활성화시키고, 제 2 트랜지스터 어레이(MA5 ~ MA8)와 제 4 트랜지스터 어레이(MB5 ~ MB8)를 비 활성화 시킨다.
제 1 트랜지스터 어레이(MA1 ~ MA4)와 제 3 트랜지스터 어레이(MB1 ~ MB4)를 활성화시키기 위하여 트랜지스터들(MA1, MA4, MB1, MB4)의 게이트를 각각 로우, 하이, 로우, 하이 레벨로 만든다.
또한 제 2 트랜지스터 어레이(MA5 ~ MA8)와 제 4 트랜지스터 어레이(MB5 ~ MB8)를 비 활성화 시키기 위하여 트랜지스터들(MA5, MA8, MB5, MB8)의 게이트를 각각 하이, 로우, 하이, 로우 레벨로 만든다.
도 5에 도시된 바와 같이, 제 2 위상 혼합기(400)는 제 1 내지 제 4 트랜지스터 어레이(MC1 ~ MC4, MC5 ~ MC8, MD1 ~ MD4, MD5 ~ MD8) 및 인버터(IV31)를 포함한다.
제 2 위상 혼합기(400)와 제 1 위상 혼합기(300)의 기본적인 회로 구성은 동일하다.
다만, 트랜지스터들(MC2, MC3, MC6, MC7)의 게이트에 제 3 지연 신호(IN3)가 입력되며, 트랜지스터들(MD2, MD3, MD6, MD7)의 게이트에 제 4 지연 신호(IN4)가 입력된다.
그리고 제 3 지연 신호(IN3)와 제 4 지연 신호(IN4)의 혼합비를 2:0로 설정하기 위하여, 제 1 트랜지스터 어레이(MC1 ~ MC4)와 제 2 트랜지스터 어레이(MC5 ~ MC8)를 활성화시키고, 제 3 트랜지스터 어레이(MD1 ~ MD4)와 제 4 트랜지스터 어레이(MD5 ~ MD8)를 비 활성화 시킨다.
이때 제 2 위상 혼합기(400)는 제 3 지연 신호(IN3)와 제 4 지연 신호(IN4)를 2:0의 혼합비로 혼합한다. 따라서 제 3 및 제 4 트랜지스터 어레이(MD1 ~ MD4, MD5 ~ MD8)는 비활성화 상태로 유지되므로 회로 구성을 생략하는 것도 가능하다.
그러나 제 3 및 제 4 트랜지스터 어레이(MD1 ~ MD4, MD5 ~ MD8)가 없는 경우, 제 1 위상 혼합기(300)와의 신호 로딩(Loading) 차이가 발생할 수 있다.
결국, 제 2 위상 혼합기(400)의 제 3 및 제 4 트랜지스터 어레이(MD1 ~ MD4, MD5 ~ MD8)는 제 1 위상 혼합기(300)와의 신호 로딩 차이를 보상하기 위한 더미(Dummy) 회로로서 동작한다.
도 6에 도시된 바와 같이, 입력 신호(IN)가 인버터 어레이(200)의 제 1 내지 제 4 인버터(IV11 ~ IV14)를 경유하여 제 1 내지 제 4 지연 신호(IN1 ~ IN4)가 생성된다.
이때 상술한 바와 같이, 제 1 내지 제 4 인버터(IV11 ~ IV14)가 서로 동일한 지연 시간을 갖도록 설계된다. 따라서 제 3 지연 신호(IN3)의 지연 시간이 1이라 가정하면, 제 1 지연 신호(IN1)의 지연 시간은 2, 제 4 지연 신호(IN4)의 지연 시간은 3, 그리고 제 2 지연 신호(IN2)의 지연 시간은 4가 될 수 있다.
따라서 제 1 지연 신호(IN1)와 제 2 지연 신호(IN2)를 1:1로 혼합하여 생성한 제 1 차동 신호(OUT)는 3의 지연 시간을 갖게 되고, 제 3 지연 신호(IN3)와 제 4 지연 신호(IN4)를 2:0로 혼합하여 생성한 제 2 차동 신호(OUTB) 또한 3의 지연 시간을 갖게 된다.
또한 PVT 변동은 제 1 내지 제 4 인버터(IV11 ~ IV14)에 동일하게 반영된다.
따라서 PVT 변동이 발생하더라도 제 1 내지 제 4 인버터(IV11 ~ IV14) 각각의 지연 시간은 동일한 양만큼 증가 또는 감소한다. 물론 제 1 위상 혼합기(300)와 제 2 위상 혼합기(400) 또한 PVT 변동이 발생하더라도 신호 처리 지연시간이 동일하게 증가 또는 감소한다.
결국, 본 발명의 실시예는 단일 위상의 입력 신호(IN)를 이용하여 PVT 변동과 상관없이 위상 차 없는 제 1 차동 신호(OUT)와 제 2 차동 신호(OUTB)를 생성할 수 있다.
상술한 본 발명의 실시예는 제 1 위상 혼합기(300)와 제 2 위상 혼합기(400) 각각의 혼합비를 고정시킨 예를 든 것이다. 이는 인버터 어레이(200)의 모든 인버터들의 특성이 실질적으로 동일하고, 제 1 위상 혼합기(300)와 제 2 위상 혼합기(400)의 특성 또한 실질적으로 동일한 경우를 전제로 한 것이다.
다만, 예기치 못한 특성 차이가 존재하는 경우, 제 1 차동 신호(OUT)와 제 2 차동 신호(OUTB)의 위상 차가 발생할 수도 있다. 따라서 본 발명의 다른 실시예는 위상 혼합기의 혼합비를 가변시킬 수 있도록 구성한 것이다.
도 7에 도시된 바와 같이, 본 발명의 다른 실시예에 따른 차동 신호 생성 회로(101)는 인버터 어레이(200), 제 1 위상 혼합기(301), 제 2 위상 혼합기(401) 및 혼합비 설정부(500)를 포함한다.
인버터 어레이(200)는 복수의 인버터 예를 들어, 제 1 내지 제 4 인버터(IV11 ~ IV14)를 포함한다.
제 1 내지 제 4 인버터(IV11 ~ IV14)는 입력 신호(IN)를 순차적으로 반전시켜 출력한다. 이때 제 1 내지 제 4 인버터(IV11 ~ IV14)는 서로 동일한 지연 시간을 갖도록 설계할 수 있다.
이때 제 2 인버터(IV12)의 출력 신호를 제 1 지연 신호(IN1), 제 4 인버터(IV14)의 출력 신호를 제 2 지연 신호(IN2), 제 1 인버터(IV11)의 출력 신호를 제 3 지연 신호(IN3), 그리고 제 3 인버터(IV13)의 출력 신호를 제 4 지연 신호(IN4)라 한다.
제 1 위상 혼합기(301)는 제 1 혼합비 설정 신호(CTL_MA<1:m>, CTL_MB<1:m>)에 응답하여 설정된 제 1 혼합비로 제 1 지연 신호(IN1)와 제 2 지연 신호(IN2)를 혼합하여 제 1 차동 신호(OUT)를 생성하도록 구성된다.
제 2 위상 혼합기(401)는 제 2 혼합비 설정 신호(CTL_MC<1:m>, CTL_MD<1:m>)에 응답하여 설정된 제 2 혼합비로 제 3 지연 신호(IN3)와 제 4 지연 신호(IN4)를 혼합하여 제 2 차동 신호(OUTB)를 생성하도록 구성된다.
혼합비 설정부(500)는 제 1 혼합비와 제 2 혼합비 각각을 목표 값으로 설정하기 위한 제 1 혼합비 설정 신호(CTL_MA<1:m>, CTL_MB<1:m>) 및 제 2 혼합비 설정 신호(CTL_MC<1:m>, CTL_MD<1:m>)를 생성하도록 구성된다.
혼합비 설정부(500)는 복수의 퓨즈를 포함하는 퓨즈 셋(Fuse Set)으로 구성할 수 있다. 따라서 원하는 내부 퓨즈들을 선택적으로 컷팅함으로써 제 1 및 제 2 혼합비 설정 신호(CTL_MA<1:m>, CTL_MB<1:m>, CTL_MC<1:m>, CTL_MD<1:m>)의 값을 가변시킬 수 있다.
도 8에 도시된 바와 같이, 제 1 위상 혼합기(301)는 복수의 트랜지스터(MA1 ~ MAn, MB1 ~ MBn) 및 인버터(IV41)를 포함한다.
제 1 위상 혼합기(301)는 기본적으로 도 4에 도시된 제 1 위상 혼합기(300)와 유사한 형태로 구성된다. 다만, 제 1 위상 혼합기(300)에 비해 제 1 지연 신호(IN1)를 입력 받는 트랜지스터 어레이와 제 2 지연 신호(IN2)를 입력 받는 트랜지스터 어레이의 수 각각을 증가시킨 형태이다.
따라서 제 1 혼합비 설정 신호(CTL_MA<1:m>, CTL_MB<1:m>)를 이용하여 제 1 위상 혼합기(301)의 혼합비를 도 3의 제 1 위상 혼합기(300)에 비해 다양한 범위로 미세 조정할 수 있다.
즉, 도 3의 제 1 위상 혼합기(300)의 경우 1:1 또는 2:0 등의 혼합비 설정 만이 가능하였으나, 도 8의 제 1 위상 혼합기(301)의 경우 1.1:1, 1.2:1 등 다양한 혼합비 설정이 가능하다.
제 2 위상 혼합기(401)는 제 1 위상 혼합기(301)와 동일하게 구성할 수 있다. 다만, 제 2 혼합비 설정 신호(CTL_MC<1:m>, CTL_MD<1:m>)를 이용하여 제 2 위상 혼합기(401)에 제 1 위상 혼합기(301)와는 다른 혼합비를 설정할 수 있다.
기본적으로 제 1 위상 혼합기(301)의 혼합비는 1:1, 제 2 위상 혼합기(401)의 혼합비는 2:0로 설정된다.
따라서 인버터 어레이(200)의 모든 인버터들의 특성이 실질적으로 동일하고, 제 1 위상 혼합기(301)와 제 2 위상 혼합기(401)의 특성 또한 실질적으로 동일한 경우, PVT 변동이 발생하더라도 제 1 차동 신호(OUT)와 제 2 차동 신호(OUTB)는 동일한 지연 시간을 갖게 된다.
그러나 만일 인버터 어레이(200)의 특성 차이 등으로 인하여 제 1 차동 신호(OUT)와 제 2 차동 신호(OUTB)의 위상 차가 발생한다면, 혼합비 설정부(500)의 내부 퓨즈를 선택적으로 컷팅함으로써 제 1 위상 혼합기(301) 또는 제 2 위상 혼합기(401)의 혼합비를 조정하여 제 1 차동 신호(OUT)와 제 2 차동 신호(OUTB)의 위상 차를 없앨 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 다른 실시예는 예기치 못한 소자 특성 차이로 제 1 차동 신호(OUT)와 제 2 차동 신호(OUTB)의 위상 차가 발생하더라도 혼합비 미세 조정을 통해 두 신호 간의 위상차를 없앨 수 있다.
이와 같이, 본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.

Claims (12)

  1. 입력 신호를 순차적으로 반전시켜 복수의 지연 신호를 생성하도록 구성된 인버터 어레이; 및
    상기 복수의 지연 신호 중에서 제 1 지연 신호와 제 2 지연 신호를 기 설정된 혼합비로 혼합하여 제 1 차동 신호를 생성하도록 구성된 위상 혼합기를 포함하며,
    상기 복수의 지연 신호 중에서 상기 제 1 지연 신호의 지연 시간과 상기 제 2 지연 신호의 지연 시간의 중간에 해당하는 지연 시간을 갖는 제 3 지연 신호를 제 2 차동 신호로서 생성하도록 구성된 차동 신호 생성 회로.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 위상 혼합기는 상기 제 1 지연 신호와 상기 제 2 지연 신호를 1:1의 혼합비로 혼합하여 상기 제 1 차동 신호를 생성하도록 구성되는 차동 신호 생성 회로.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 인버터 어레이는
    입력 신호를 입력 받아 상기 제 1 지연 신호를 출력하는 제 1 인버터,
    상기 제 1 지연 신호를 입력 받아 상기 제 3 지연 신호를 출력하는 제 2 인버터, 및
    상기 제 3 지연 신호를 입력 받아 상기 제 2 지연 신호를 출력하는 제 3 인버터를 포함하는 차동 신호 생성 회로.
  4. 입력 신호를 순차적으로 반전시켜 제 1 내지 제 3 지연 신호를 생성하도록 구성된 인버터 어레이;
    상기 제 1 지연 신호와 상기 제 2 지연 신호를 제 1 혼합비로 혼합하여 제 1 차동 신호를 생성하도록 구성된 제 1 위상 혼합기; 및
    상기 제 3 지연 신호와 상기 입력 신호를 제 2 혼합비로 혼합하여 제 2 차동 신호를 생성하도록 구성된 제 2 위상 혼합기를 포함하는 차동 신호 생성 회로.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 제 3 지연 신호의 지연 시간이 상기 제 1 지연 신호의 지연 시간과 상기 제 2 지연 신호의 지연 시간의 사이의 값을 갖는 차동 신호 생성 회로.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 제 1 혼합비는 1:1인 차동 신호 생성 회로.
  7. 제 4 항에 있어서,
    상기 제 2 혼합비는 2:0인 차동 신호 생성 회로.
  8. 제 4 항에 있어서,
    상기 인버터 어레이는
    상기 입력 신호를 입력 받아 상기 제 1 지연 신호를 출력하는 제 1 인버터,
    상기 제 1 지연 신호를 입력 받아 상기 제 3 지연 신호를 출력하는 제 2 인버터, 및
    상기 제 3 지연 신호를 입력 받아 상기 제 2 지연 신호를 출력하는 제 3 인버터를 포함하는 차동 신호 생성 회로.
  9. 입력 신호를 순차적으로 반전시켜 제 1 내지 제 3 지연 신호를 생성하도록 구성된 인버터 어레이;
    상기 제 1 지연 신호와 상기 제 2 지연 신호를 제 1 혼합비 설정 신호에 응답하여 설정된 제 1 혼합비로 혼합하여 제 1 차동 신호를 생성하도록 구성된 제 1 위상 혼합기;
    상기 제 3 지연 신호와 상기 입력 신호를 제 2 혼합비 설정 신호에 응답하여 설정된 제 2 혼합비로 혼합하여 제 2 차동 신호를 생성하도록 구성된 제 2 위상 혼합기; 및
    상기 제 1 혼합비 설정 신호 또는 상기 제 2 혼합비 설정 신호를 생성하도록 구성된 혼합비 설정부를 포함하는 차동 신호 생성 회로.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 제 3 지연 신호의 지연 시간이 상기 제 1 지연 신호의 지연 시간과 상기 제 2 지연 신호의 지연 시간의 사이의 값을 갖는 차동 신호 생성 회로.
  11. 제 9 항에 있어서,
    상기 인버터 어레이는
    상기 입력 신호를 입력 받아 상기 제 1 지연 신호를 출력하는 제 1 인버터,
    상기 제 1 지연 신호를 입력 받아 상기 제 3 지연 신호를 출력하는 제 2 인버터, 및
    상기 제 3 지연 신호를 입력 받아 상기 제 2 지연 신호를 출력하는 제 3 인버터를 포함하는 차동 신호 생성 회로.
  12. 제 9 항에 있어서,
    상기 혼합비 설정부는
    내부의 퓨즈들을 선택적으로 컷팅함으로써 상기 제 1 혼합비 설정 신호 또는 상기 제 2 혼합비 설정 신호를 가변시키도록 구성된 차동 신호 생성 회로.
KR1020100040550A 2010-04-30 2010-04-30 차동 신호 생성 회로 KR101086882B1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100040550A KR101086882B1 (ko) 2010-04-30 2010-04-30 차동 신호 생성 회로
US12/840,255 US8018265B1 (en) 2010-04-30 2010-07-20 Differential signal generation circuit
JP2010277881A JP5530345B2 (ja) 2010-04-30 2010-12-14 差動信号生成回路

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100040550A KR101086882B1 (ko) 2010-04-30 2010-04-30 차동 신호 생성 회로

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20110121109A KR20110121109A (ko) 2011-11-07
KR101086882B1 true KR101086882B1 (ko) 2011-11-25

Family

ID=44544778

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020100040550A KR101086882B1 (ko) 2010-04-30 2010-04-30 차동 신호 생성 회로

Country Status (3)

Country Link
US (1) US8018265B1 (ko)
JP (1) JP5530345B2 (ko)
KR (1) KR101086882B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9197202B2 (en) 2013-08-20 2015-11-24 SK Hynix Inc. Phase mixing circuit, and semiconductor apparatus and semiconductor system including the same

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9306551B2 (en) * 2013-01-22 2016-04-05 Mediatek Inc. Interpolator and interpolation cells with non-uniform driving capabilities therein
US9178502B2 (en) * 2013-12-27 2015-11-03 Intel Corporation Apparatus for a monotonic delay line, method for fast locking of a digital DLL with clock stop/start tolerance, apparatus and method for robust clock edge placement, and apparatus and method for clock offset tuning
US9912328B1 (en) * 2016-08-23 2018-03-06 Micron Technology, Inc. Apparatus and method for instant-on quadra-phase signal generator
US10305459B2 (en) * 2017-06-14 2019-05-28 Micron Technology, Inc. Multi-phase clock generator

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS53121556A (en) * 1977-03-31 1978-10-24 Toshiba Corp 2-phase clock pulse generator circuit
JPS5894228A (ja) * 1981-11-30 1983-06-04 Toshiba Corp 二相クロツクパルス発生回路
EP0383455A1 (en) * 1989-02-16 1990-08-22 Advanced Micro Devices, Inc. Two-phase clock driver
JPH02268511A (ja) * 1989-04-11 1990-11-02 Sony Corp 二相パルス発生回路
JPH0514153A (ja) * 1991-07-04 1993-01-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 二相クロツク信号発生回路
JPH06152346A (ja) * 1992-10-30 1994-05-31 Oki Electric Ind Co Ltd 両相信号発生回路
KR100263485B1 (ko) 1998-04-25 2000-08-01 김영환 위상 분리기
US6348826B1 (en) * 2000-06-28 2002-02-19 Intel Corporation Digital variable-delay circuit having voltage-mixing interpolator and methods of testing input/output buffers using same
US6420920B1 (en) 2000-08-28 2002-07-16 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for phase-splitting a clock signal
TW483258B (en) 2001-02-22 2002-04-11 Realtek Semiconductor Corp Phase interpolating circuit and the apparatus composed of phase interpolating circuits for generating phase interpolating signal
US7181180B1 (en) 2003-05-15 2007-02-20 Marvell International Ltd. Sigma delta modulated phase lock loop with phase interpolation
KR100578232B1 (ko) * 2003-10-30 2006-05-12 주식회사 하이닉스반도체 지연 고정 루프
KR100645461B1 (ko) * 2004-06-30 2006-11-15 주식회사 하이닉스반도체 듀티 싸이클 교정이 가능한 디지털 지연 고정 루프 및그의 제어 방법
US7190201B2 (en) 2005-02-03 2007-03-13 Mosaid Technologies, Inc. Method and apparatus for initializing a delay locked loop
KR100688591B1 (ko) 2006-04-21 2007-03-02 삼성전자주식회사 위상 분할기
KR100892647B1 (ko) 2007-08-13 2009-04-09 주식회사 하이닉스반도체 반도체 메모리 장치의 클럭 생성 회로
KR100884590B1 (ko) * 2007-11-02 2009-02-19 주식회사 하이닉스반도체 지연고정회로, 반도체 장치, 반도체 메모리 장치 및 그의 동작방법
US8253454B2 (en) 2007-12-21 2012-08-28 Realtek Semiconductor Corp. Phase lock loop with phase interpolation by reference clock and method for the same
US8363773B2 (en) 2008-10-20 2013-01-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Digital phase interpolation control for clock and data recovery circuit

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9197202B2 (en) 2013-08-20 2015-11-24 SK Hynix Inc. Phase mixing circuit, and semiconductor apparatus and semiconductor system including the same

Also Published As

Publication number Publication date
JP5530345B2 (ja) 2014-06-25
KR20110121109A (ko) 2011-11-07
US8018265B1 (en) 2011-09-13
JP2011239363A (ja) 2011-11-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101086882B1 (ko) 차동 신호 생성 회로
KR101995389B1 (ko) 위상 혼합 회로, 이를 포함하는 반도체 장치 및 반도체 시스템
US9294072B2 (en) Semiconductor device and method for adjusting impedance of output circuit
US11126216B2 (en) Signal generation circuit synchronized with a clock signal and a semiconductor apparatus using the same
KR20170137451A (ko) 온 다이 터미네이션 기능을 갖는 반도체 장치
US20210098039A1 (en) Reference voltage training circuit and semiconductor apparatus including the same
US20160218713A1 (en) Semiconductor device
CN115599164A (zh) 时钟生成电路和使用时钟生成电路的半导体系统
US10523216B2 (en) Receiving circuit, semiconductor apparatus including the receiving circuit and semiconductor system using the receiving circuit
US20070049235A1 (en) Apparatus and method for transmitting signals
TWI530100B (zh) 半導體裝置
US9590596B1 (en) Receiving circuit, semiconductor apparatus and system using the same
KR20160121115A (ko) 스큐 제거 동작을 수행하는 반도체 장치
KR20170008062A (ko) 트레이닝 동작을 수행하는 메모리 장치 및 이를 이용하는 메모리 시스템
US10678725B2 (en) Interface circuit relating to variable delay, and semiconductor apparatus and system including the same
CN111159081B (zh) 信号接收电路及使用其的半导体装置和半导体系统
US8115532B2 (en) Linear monotonic delay chain circuit
KR102456851B1 (ko) 리시버 회로
US20160329887A1 (en) Transmitting/receiving system
US9847775B2 (en) Buffer, and multiphase clock generator, semiconductor apparatus and system using the same
US11972837B2 (en) Data sampling circuit and data transmitter circuit
CN110164491B (zh) 缓冲电路以及包括缓冲电路的半导体装置和系统
KR100559035B1 (ko) 오프칩 드라이버 회로 및 이를 이용한 데이터 출력 회로
KR20140082878A (ko) 위상 분할 회로
KR101136981B1 (ko) 위상 조절기 및 그를 포함하는 지연 고정 루프

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141021

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151020

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161024

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171025

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181022

Year of fee payment: 8