CN1575075A - 场致发光显示器件 - Google Patents

场致发光显示器件 Download PDF

Info

Publication number
CN1575075A
CN1575075A CNA2004100474983A CN200410047498A CN1575075A CN 1575075 A CN1575075 A CN 1575075A CN A2004100474983 A CNA2004100474983 A CN A2004100474983A CN 200410047498 A CN200410047498 A CN 200410047498A CN 1575075 A CN1575075 A CN 1575075A
Authority
CN
China
Prior art keywords
intermediate layer
organic
layer
comparative example
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA2004100474983A
Other languages
English (en)
Other versions
CN100459211C (zh
Inventor
大西康晴
东口达
山成淳一
石川仁志
五藤智久
上条敦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung SDI Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung SDI Co Ltd filed Critical Samsung SDI Co Ltd
Publication of CN1575075A publication Critical patent/CN1575075A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100459211C publication Critical patent/CN100459211C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K59/877—Arrangements for extracting light from the devices comprising scattering means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/854—Arrangements for extracting light from the devices comprising scattering means
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/858—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K59/879—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Diffracting Gratings Or Hologram Optical Elements (AREA)

Abstract

本发明涉及有机场致发光器件。提供了具有良好发光性能和高发光效率的有机场致发光器件，其中，所述有机场致发光器件具有衬底1表面上的衍射光栅2以及经过中间层3在阳极和阴极之间的包括发光层的有机EL层5。

Description

场致发光显示器件
相关申请的交叉引用
本申请要求2003年5月22日提交的日本公开特许公报No.2003-144769的权益，所述专利申请的公开内容已作为参考全部包括在本文内。
技术领域
本发明涉及具有良好的发光状态以及极好的发光效率的有机场致发光器件。
背景技术
有机场致发光器件(以下称为有机EL器件)是一种发光器件，其原理是荧光材料利用通过施加电场而从阳极注入的空穴和从阴极注入的电子的复合能而发光。对这种有机EL器件研究的代表性实例包括一种利用堆叠器件的低压驱动有机EL器件，已由C.W.Tang等作过报道(例如，见C.W.Tang，S.A.VanSlyke，Applied PhysicsLetters，Vol.51，p913，1987，等)。随着这种堆叠器件的发展，有机EL器件的发光性能得以显著增强。并且，由于这种高性能有机EL器件的发展，近来对有机EL器件进行的实际应用的研究和开发也十分活跃。
Tang等人的二层结构使用三(8-羟基喹啉)合铝(AIQ)作发光层，用三苯二胺衍生物(TDP)作空穴传输层。这种二层结构显示了优良的特性，因为它具有空穴注入发光层的高效率，它还通过阻挡从阴极注入的电子而具有通过复合而形成的激子的高生产效率，且所形成的激子可以被密封在发光层中。而且，作为增强这种二层结构的实例，有报道提出三层结构，即，空穴传输(注入)层、发光层和电子传输(注入)层。这种三层结构和上述空穴传输(注入)层和可传输电子的发光层的二层结构一起通称为有机EL器件的代表性结构。此外，在这种堆叠结构器件中所需要的就是增强空穴和电子的复合效率。为满足这种需要，已进行了许多研究。
顺带提一下，由于有机EL器件具有高的响应时间，而且是自发光器件，可以期望有机EL器件实际用作便携式终端或电视机的高清晰度显示器，但必需要求提高有机EL发光体的发光效率，以便将高清晰度EL显示器实现成为产品。因此，以下将详细说明提高有机EL发光体的发光效率的需求。
首先，考虑一下在有机EL器件中载流子的复合原理，从电极注入到发光层的电子和空穴固库仑相互作用而成为电子-空穴对，其中一些电子-空穴对成为单态激子，而其它电子-空穴对形成三重态激子。根据量子力学密度，所述产量比为1∶3。就是说，如果没有从三重态观察到的磷光，亮度中的量子生产率最大就是25％，这表明从有机EL器件只能获得25％的最大效率。而且，有机EL器件还有一个问题，即：发光体的折射率会影响器件，出射角大于临界角的光产生全反射，于是不能被发射到外部。就是说，如果荧光物质的折射率为1.6，那么，只有发光总量的20％是有效的。此外，上述单态(生产率：25％)的总计产量比大约为总量的5％，有机EL器件的光提取效率显著降低(例如，见〔The phenomenon and trend ofan organic electroluminescence〕，Tetsuo Tsutsui：MonthlyDisplay，Vol.1，No.3，p11，Sep.1995)。为此，必需要求提高光的提取效率。否则，可能在有机EL器件中导致这种致命的降级。
因此，针对有机EL器件的研发技术，已研究了数种方法作为提高发光效率的解决方案。这些研究的实例包括允许衬底具有聚光能力的方法(例如，见日本公开特许公报No.Sho 63-314795)，以及在器件一侧形成反射表面的方法(例如，见日本公开特许公报No.Hei1-220394)。
此外，作为一种传统配置，在日本公开特许公报No.2001-60495中公开了一种有机EL器件，它依次包括衬底、彩色滤光层、阻挡层、空穴注入电极、有机发光层和电子注入层，其中通常使用氧化硅作阻挡层。在日本公开特许公报No.2002-260845中也公开了一种有机EL器件，它包括在微型透镜整个表面上形成的SiO2底层等以及在所述底层上形成的氧化铟锡(ITO)层。
但此处列举的方法适用于大面积的衬底，而且有个问题，即，在配置成具有极小像素面积的高分辨率显示器中，制造具有聚光能力的透镜或形成反射表面作为侧表面是很困难的。而且，在发光层的厚度仅为几个微米或更小的有机EL器件中，很难在器件的侧表面上形成反射镜面，即使采用特别精细的加工技术也非常困难，即使反射镜面能够形成，但制造成本显著增加，大大阻碍了实际应用。
同时，也有报道在衬底玻璃和发光体之间引入一个平面层，用作抗反射层，它具有衬底玻璃和发光体的各折射率的中间值，作为与上述具有聚光能力的方法和在器件侧面形成反射表面的方法不同的一种方法(例如，见日本公开特许公报No.Sho 62-172691)。但是，据认为在这种方法中前向发光效率可能会提高，但不能避免总反射。就是说，抗反射薄膜的原理有一个问题，就是即使在有大折射率发光体(例如无机EL)中所述原理有效，它却不能显著提高有机EL器件的发光效率，与无机EL器件相比，有机EL器件是折射率较低的发光体。
虽然如上述对有机EL器件发光效率的许多研究已有报道，但它们都不能满足所需的性能。因此需要有一种新观念的对策。
因此，作为一种增强发光效率的新方法，报道了一种研究实例，即，在衬底上形成一种光学元件，例如衍射光栅等(例如，见日本公开特许公报No.Sho 62-172691)。据认为这种方法对提高有机EL器件的发光效率是有效的。另一方面，在此处提出的衍射光栅型有机EL器件的情况下，高发光效率是可能的，但制造器件却很困难。特别是，即使用最现代的制造技术，将衍射光栅掩盖起来的槽加工过程，以及在形成器件之前使衬底平面化的平面技术都难实现，而且在衬底上形成电极，抑制在衬底表面上发光性能的偏差等，也都很困难。
发明内容
因此，鉴于现有技术的问题，本发明的目的就是提供具有良好发光性能和高发光效率的有机场致发光器件。
本发明人仔细考虑上述目的后发现，有机场致发光器件(以下称为有机EL器件)可以稳定地制造成具有良好的发光状态和高发光效率，方法是通过衬底上的中间层淀积包括阳极和阴极之间的发光层的至少一层有机层，衬底上具有光学元件，所述光学元件是以下光学元件之一：衍射光栅、散射部分、光栅和偏振滤光器。
附图说明
现参阅附图详细说明本发明的优选实施例，以使本专业的技术人员对本发明的上述和其它特征和优点有更清楚的了解，附图中：
图1为本发明的有机场致发光器件的配置图；
图2为衍射光栅的截面图；
图3为本发明的有机场致发光层的示意图；
图4为在本发明的有机场致发光器件中使用的ITO图案的示意图；
图5为本发明有机场致发光器件中的阳极形成掩模的示意图；
图6为在本发明有机场致发光器件中的发光部分的示意图；
图7为实施例5的结构图；
图8为比较实例1的结构图；
图9为示出用作评价的发光部分的位置的示意图；
图10以使用图1的有机发光元件的有机发光显示器的形式说明有源矩阵发光显示器的实例；以及
图11和图12以使用图1的有机发光元件的有机发光显示器的形式说明有源矩阵发光显示器的另一个实例。
具体实施方式
以下将参阅附图对本发明的实施例加以说明。
本发明的有机EL器件包括：衬底上的中间层，衬底上有光学元件，所述光学元件是衍射光栅、散射部分、光栅和偏振滤光器中之一；以及包括阳极和阴极之间的发光层的至少一层有机层。在本发明中，所述光学元件是一个能定量地并稳定地影响从有机EL发光体产生的光的衍射、散射、反射和折射现象的元件。所述光学元件的实例可以包括衍射光栅、散射结构、光栅、透镜、彩色滤光器、偏振滤光器等。在本发明中，衍射光栅是利用光的衍射获得光谱的装置。衍射光栅是这样一种光学结构：它具有周期性开凿的沟槽并利用从沟槽之间的光滑表面反射的光的干涉所产生的衍射图像。散射结构是引起散射现象的一种光学结构，散射现象就是当在某一方向上前进的波(光)遇到障碍物时，光就扩展到障碍物周围的几个方向上。将具有不同折射率的材料的粒子，突起部等分散成随机形式，就可形成散射结构。此外，透镜是具有弯曲表面的各向同性均质透明体。可以通过使衬底或薄膜表面成为弯曲形状来形成透镜。同时，偏振滤光器是能引起偏振现象的一种光学结构，偏振现象就是在垂直于前进方向的平面中在互相垂直的方向上振动的分量被混合。市售的偏振薄膜等可以用作偏振滤光器。
在本发明的有机EL器件中，光学元件最好是衍射光栅。利用具有衍射光栅的衬底，并按照与可见光相同的程度调节衬底上衍射光栅的衍射节距，就可获得具有高发光效率的有机EL器件。
而且，在本发明的有机EL器件中，最好在光学元件上，距光学元件50nm的厚度之内，设置中间层。这样，就可在中间层上稳定地形成电极并且因缩短了光学元件和有机EL层之间的距离而可稳定地制造具有良好发光状态的有机EL器件，所述有机EL层是以插在所述电极对之间的形式形成的。
在本发明中，如果形成中间层的材料的折射率小于在中间层上形成的电极材料的折射率，那么，中间层的薄膜厚度最好在10nm到200nm的范围之内。如果形成中间层的材料的折射率小于在中间层上所形成的电极材料的折射率，就会有一个问题，即，很难在中间层上形成平面电极，且在中间层的薄膜厚度小于10nm时器件的寿命会显著缩短。而且，如果中间层的折射率小于电极的折射率，还会有一个问题，即，由于在中间层的薄膜厚度超过200nm时中间层的总反射不能被抑制，故发光效率会显著降低。
另一方面，如果形成中间层的材料的折射率等于或大于在中间层上所形成的电极材料的折射率，那么，中间层的薄膜厚度最好为300nm或300nm以下。如果中间层的薄膜厚度超过了300nm，就会有以下问题，即，包括中间层的衬底的透射率大大降低，导致器件的发光效率显著下降。
在本发明的有机EL器件中，形成中间层的材料可以等同于构成光学元件的材料，也可不同于构成光学元件的材料。但形成中间层的材料的透射率最好是70％或更大。换句话说，任何材料都可用作中间层的材料，只要它们具有满足以上定义的透射率条件，而与衬底材料无关。而且，所述透射率是在具有厚度为200nm的中间层材料的石英玻璃中波长为630nm时的透射率。中间层材料可以用溅射法、真空淀积法、旋涂法、CVD法等形成。此外，市售的分光光度计(Shimazu UV4000，等)可以用来测量透射率。
在本发明中，形成中间层的材料最好是以下材料中的任何一种：氧化硅(SiO2)、氧化钛(TiO2)、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO2)、二氧化锆(ZrO2)、五氧化二钽(Ta2O5)、氧化铝(Al2O3)以及薄膜金刚石。此处所列材料都具有高的透射率，并能在衬底上形成稳定的均匀薄膜。所以，利用上述材料作为中间层就有可能容易地制造有机EL器件。
在本发明中，最好利用旋涂法作为形成中间层的工艺过程。利用本文提出的旋涂法形成中间层就可以容易地形成高度平整且均匀的薄膜。利用均匀的中间层，有机EL器件的寿命可靠性等可得到改进，制造更容易，且大量生产也有可能。此外，本发明的旋涂法是将具有分散在溶剂中的中间层材料的所谓溶胶-凝较涂覆液旋涂在衬底上，然后用烘烤过程形成硬薄膜。但任何方法都可使用，只要它们是利用涂覆液来形成薄膜的方法，并且本发明并不特别限于这些方法。另外，这种旋涂方法的代表性实例包括利用溶胶-凝较玻璃作为涂覆材料的旋涂玻璃法(SOG法)。
在本发明的有机EL器件中，最好在其上附着有中间层的衬底上进行平面化处理。就是说，平面化处理的进行是为了附着中间层，这样就有可能在衬底表面上形成在薄膜厚度和薄膜质量方面都没有偏差的中间层，而且又有可能在中间层上堆叠具有良好特性的有机EL层。
另外，在本发明的有机EL器件中，对附着有中间层的衬底所作的平面化处理最好是抛光处理或反应离子刻蚀(以下称作RIE)过程。用抛光处理或RIE处理作为平面化处理，就有可能抑制衬底薄膜内平面化的偏差或薄膜厚度的偏差，并能容易地制造出在大面积衬底的整个表面上具有均匀发光性能的有机EL器件。此外，在半导体制造过程中通常采用的化学机械抛光(CMP)法也可用作此处的抛光处理。CMP法是机械抛光和化学刻蚀同时进行的一种抛光方式，使用诸如二氧化硅等粒子悬浮在碱性溶液中的抛光浆料。而且，在此抛光处理中，抛光是通过增强在抛光浆料下落状态下附有抛光垫的抛光台板和衬底之间的滑动连接来实现的。粒子负责机械抛光，而碱性溶液负责刻蚀处理。而且，市售的装置就可用作抛光机。NF3000(NANOFACTOR生产)是一种代表性的装置。此外，市售的抛光垫都可用作抛光垫，抛光垫的实例包括IC1000，Suba400等，但并不特别局限于这些。此外，对于抛光浆料，二氧化硅粉末或金刚石粉末可以用作粒子成分，并且可以使用悬浮在化学材料溶液中的溶液等，例如碱金属系、氨系或胺系等。同时，RIE处理(反应离子刻蚀处理)是利用含有卤素化合物等的fron气体的一种刻蚀方法，这种方法使得有可能重新产生比利用氩气的典型溅射刻蚀高出数十倍的刻蚀速率。这是因为在等离子体中产生的离子和激励有源成分并存，它们共同作用于试样，使物理和化学刻蚀都可进行。在本发明中，可以利用典型生产线上所用的RIE装置，并根据待刻蚀的材料类型，即，形成中间层的材料，使用最佳的材料气体。材料气体的代表性实例包括诸如CF4、CF3等含有卤素的原子气体，但材料气体并不特别局限于此。
在本发明的有机EL器件中，最好光学元件是由折射率不同的两种类型的材料形成的，这两种类型材料的折射率之间相差0.3或更大。利用构成光学元件的材料的折射率间的不同，就有可能将低折射率的材料和高折射率的材料组合起来制造光学元件，并显著改善光学特征效率。例如，对于衍射光栅，增大两种类型材料的折射率间的差别，衍射效率可望大大提高。这样，改进光学元件的光学特征效率就有可能显著提高有机EL器件的发光效率。
以下将讨论本发明的有机EL器件的有机EL层。本发明的有机EL器件的结构是一种在阳极和阴极之间堆叠有一层有机层或两层或两层以上有机层的结构。器件的基本结构包括：阳极、发光层和阴极依次堆叠的结构；阳极、空穴传输层、发光层、电子传输层和阴极依次堆叠的结构；阳极、空穴传输层、发光层和阴极依次堆叠的结构；阳极、发光层、电子传输层和阴极依次堆叠的结构，等等。
首先，本发明的空穴传输剂可以是用作典型空穴传输材料的任何材料。其代表性实例包括三苯二胺类，例如双(二(对-trile)氨基苯基)-1，1-环己烷(1)，N-N’-二苯基-N-N’-双(3-甲基苯基)-1-1’-联苯基-4-4’-二胺(2)，以及N-N’-二苯基-N-N-双(1-萘基-1，1’-联苯)-4，4’-二胺(3)，星形(starburst)分子((04)～(06))，等等，但并不特别局限于这些。
本发明的电荷传输材料可以是任何材料，只要它是通常使用的电荷传输材料即可。电荷传输材料的代表性实例包括恶二唑衍生物((09)，(10))，例如2-(4-联苯基)5-(4-叔丁基苯基)-1，3，4-恶二唑(07)，以及双{2-84-叔丁基苯基}-1，3，4-恶二唑}-间-亚苯(08)，三唑衍生物，8-羟基喹啉金属络合物((11)～(14))，等等，但电荷传输材料并不特别局限于这些。
本发明的有机EL器件中使用的有机EL材料可以是任何材料，只要它是通常使用的发光材料即可。有机EL材料的代表性实例包括distirylaryllene衍生物，香豆素衍生物，二氰基亚甲基吡喃衍生物，紫苏唏衍生物，在日本公开特许公报No.Hei 8-298186和Hei9-268284中公开的芳香族材料，在日本公开特许公报No.Hei 9-157643和Hei 9-268283中公开的蒽材料，在日本公开特许公报No.Hei5-70773中公开的喹丫啶酮衍生物，等等，但有机EL材料并不特别局限于这些。
在本发明的有机EL器件中使用的阳极具有将空穴注入空穴传输材料或发光材料的功能，并最好具有4.5eV或4.5eV以上的功函数。有一个问题，即，如果在有机EL器件中使用功函数低于4.5eV的阳极，就不能获得足够的空穴注入特性，也不能获得足够的发光效率。另外，代表性的阳极材料包括氧化铟锡合金(ITO)、氧化铟锌合金(IZO)、氧化物、金、银、铂、铜等，但阳极材料并不特别局限于这些。
在本发明的有机EL器件中使用的阴极用于将电子注入电荷载体或发光材料。最好使用功函数小的材料作阴极。使用功函数大的材料作阴极很难获得良好的亮度特性。另外，代表性的阴极材料包括铟、铝、镁、镁-铟合金、镁-铝合金、铝-锂合金、铝-钪-锂合金，镁-银合金等，但阴极材料并不特别局限于这些。
本发明的有机EL器件的各层可以用已知方法形成。代表性的方法包括真空淀积法、分子束外延法(MBE法)、将层形成材料溶解在溶剂中并用此溶液进行涂覆的漂网法(deeping method)、旋涂法，铸造法、绕线棒刮涂法、辊涂法等，但并不特别局限于这些方法。
(实施例)
以下将详细讨论本发明的实施例，但本发明不限于以下实施例，只要其它实施例不背离本发明的要点。
(实施例1)
实施例1的结构示于图1。在50mm×50mm的玻璃衬底上(HOYA生产的NA45，1.1mm厚)形成图2所示的衍射光栅。首先，用旋涂法在玻璃衬底上形成2μm厚的i-射线抗蚀剂(TOKYO OHKA KOGYO公司生产的THMR-iP1700)，再用i-射线分档器形成宽为0.1μm，间距为0.1μm的图案。随后将已经在其中形成图案的衬底浸入氢氟酸溶液中，形成深度为100nm的沟槽，然后用专用的剥膜液去掉其余的抗蚀剂，得到衍射光栅2。随后，用碳化硅(Si3N4)作为靶子用溅射法形成厚度为300nm的Si3N4薄膜。另外，用溅射法在Si3N4薄膜上形成厚度为50nm的二氧化硅(SiO2)层作为中间层3，然后将阳极4、有机EL层5和阴极6依次堆叠在中间层3上，制成有机EL器件。
此外，形成有机EL层5(这一层中依次堆叠有阳极4、空穴注入层8、发光层9和阴极6，如图3所示)的方法如下。用溅射法在衬底1上形成氧化铟锡合金(ITO)，作为阳极4。此处提出的ITO薄膜厚度为100nm，表面电阻为20Ω/□。且用2mm×50mm的金属掩模条对所形成的ITO进行图案形成处理。在衬底1上形成5个2mm×50mm的条，如图4所示的部分ITO图案。
随后，用电阻加热的真空淀积法在ITO层上依次形成空穴注入层8、发光层9和阴极6。形成所述有机EL层5的真空淀积装置(未示出)包括充填有蒸发材料的钼舟，将钼舟定位在设置在真空室上部的衬底下方相距250mm处，相对衬底的入射角为38°。衬底以每分钟30转的转速旋转。另外，在此实施例中，薄膜形成(淀积)条件为：当压力达到5×10-7Torr时淀积开始，淀积速率由纵向安装在衬底上的晶振型薄膜厚度控制装置控制。另外将淀积速率设定为0.15nm/s。然后用共同淀积法依次形成50nm的N，N’-二甲基-N-N-双(1-萘基)-1，1’-联苯)-4，4’-二胺(以下称为α-NMP)作为空穴注入层，70nm的三(8-羟基喹啉)合铝(以下称为ALQ)作为发光材料，以及150nm的镁银合金作为阴极，淀积速率为10∶1，制造有机EL器件。再用金属掩模形成如图5所示的图案(阴极图案12)。结果，在本实施例的有机EL器件中，在衬底1上阴极4和阳极6的图案形状中形成了面积各为2mm×2mm的5个有机EL部分13，如图6所示。
(实施例2)
实施例2和实施例1相同，不同的仅是在其结构和制造过程中，衍射光栅2的节距改为宽度为0.05μm，间距为0.05μm，深度为100nm。
(实施例3)
实施例3和实施例1相同，不同的是在其结构和制造过程中，将50mm×50mm的玻璃衬底(HOYA生产的NA45，1.1mm厚)浸入标准氢氟酸液体，使衬底表面粗糙，形成散射部分。
随后将散射部分隐埋，形成中间层3，在实施例1同样的条件下形成有机EL层5，制成有机EL器件。
(实施例4)
实施例4和实施例1相同，不同的是在其结构和制造过程中，将50mm×50mm玻璃衬底(HOYA生产的NA45，1.1mm厚)的表面用砂纸#300打磨，使表面粗糙。于是得到散射部分。
随后将散射部分隐埋，形成中间层3，在实施例1同样的条件下形成有机EL层5，制成有机EL器件。
(实施例5)
实施例5的有机EL器件的结构示于图7。
在实施例1的同样条件下制造衍射光栅。Si3N4薄膜要经过平面化处理。用机械抛光法进行平面化处理。对Si3N4薄膜的衍射光栅2进行侵蚀，把Si3N4薄膜侵蚀成剩下的薄膜厚度在10nm之内。然后，在实施例1同样的条件下在Si3N4薄膜上形成厚度为50nm的SiO2薄膜作为中间层3。再将阳极4、有机层5和阴极6依次形成在SiO2薄膜上，如图7所示，制成有机EL器件。有机层5是将空穴注入层8、发光层9和阴极依次堆叠在阳极4上而获得的。
(实施例6)
实施例6和实施例5相同，不同的是在其结构和制造过程中，作为中间层3的SiO2薄膜的厚度改为20nm。
(实施例7)
实施例7和实施例5相同，不同的是在其结构和制造过程中，作为中间层3的SiO2薄膜的厚度改为200nm。
(实施例8)
实施例8和实施例5相同，不同的是在其结构和制造过程中，用氮化硅(Si3N4)薄膜作为中间层3的材料。另外，该Si3N4薄膜的厚度改为50nm。
(实施例9)
实施例9和实施例8相同，不同的是在其结构和制造过程中，作为中间层3的Si3N4薄膜的厚度改为100nm。
(实施例10)
实施例10和实施例8相同，不同的是在其结构和制造过程中，作为中间层3的Si3N4薄膜的厚度改为300nm。
(实施例11)
实施例11和实施例5相同，不同的是在其结构和制造过程中，用二氧化钛(TiO2)薄膜作为中间层3的材料。另外，TiO2薄膜的厚度为50nm。
(实施例12)
实施例12和实施例5相同，不同的是在其结构和制造过程中，用二氧化锆(ZrO2)薄膜作为中间层3的材料。另外，ZrO2薄膜的厚度为50nm。
(实施例13)
实施例13和实施例5相同，不同的是在其结构和制造过程中，用五氧化钽(Ta2O5)薄膜作为中间层3的材料。另外，Ta2O5薄膜的厚度为50nm。
(实施例14)
实施例14和实施例5相同，不同的是在其结构和制造过程中，用氧化铟锡(ITO)薄膜作为中间层3的材料。另外，ITO薄膜的厚度为50nm。
(实施例15)
实施例15和实施例5相同，不同的是在其结构和制造过程中，只是形成中间层的方法改变了。用旋涂法利用形成SiO2薄膜所使用的溶胶-凝较涂覆液(High Pure Chemical Research Institute生产的Si-05S)形成中间层(SiO2)。另外。旋涂以2000到5000rpm的转速进行，在500℃对溶胶-凝较涂覆液烘烤4小时。此外，SiO2薄膜的厚度为50nm。
(实施例16)
实施例16和实施例11相同，不同的是在其结构和制造过程中，只是形成中间层的方法改变了。用旋涂法利用形成TiO2薄膜所使用的有机金属分解法涂覆液(High Pure Chemical Research Institute生产的Ti-05S)形成中间层(TiO2)。另外。旋涂以2000到5000rpm的转速进行，在400℃对溶胶-凝较涂覆液烘烤2小时。此外，TiO2薄膜的厚度为50nm。
(实施例17)
实施例17和实施例12相同，不同的是在其结构和制造过程中，只是形成中间层的方法改变了。用旋涂法利用形成ZrO2薄膜所使用的有机金属分解法涂覆液(High Pure Chemical Research Institute生产的Zr-05-P)形成中间层(ZrO2)。另外。旋涂以2000到5000rpm的转速进行，在400℃对涂覆液烘烤2小时。此外，ZrO2薄膜的厚度为50nm。
(实施例18)
实施例18和实施例5相同，不同的是在其结构和制造过程中，只是对中间层3的平面化处理改变了，此时用CMP(化学机械抛光)过程使沟槽加工薄膜(Si3N4)平坦。在此CMP过程中，用Suba400作抛光垫，用颗粒直径为200nm的胶态氧化硅抛光液作抛光浆料。另外，用市售的CMP装置作抛光机。
(实施例19)
实施例19和实施例5相同，不同的是在其结构和制造过程中，只是中间层3的平面化处理改为反应离子刻蚀过程(以下称为RIE处理)。此RIE处理进行时使用的是市售的RIE装置，用四氟甲烷(CF4)作材料气体。
(实施例20)
实施例20和实施例5相同，不同的是在其结构和制造过程中，只是将作衍射光栅2的沟槽加工薄膜的材料改变了，用氧化铟锡(ITO)薄膜作为沟槽加工薄膜。另外，用溅射法形成ITO薄膜，薄膜厚度为200nm，折射率为1.83。
(实施例21)
实施例21和实施例5相同，不同的是在其结构和制造过程中，只是将作衍射光栅2的沟槽加工薄膜的材料改变了，用氧化钛(TiO2)薄膜作为隐埋薄膜。另外，用溅射法形成TiO2薄膜，薄膜厚度为200nm，折射率为2.1。
(实施例22)
实施例22和实施例5相同，不同的是在其结构和制造过程中，只是将作衍射光栅的沟槽加工薄膜的材料改变了，用氧化锆(ZrO2)薄膜作为隐埋薄膜。另外，用溅射法形成ZrO2薄膜，薄膜厚度为200nm，折射率为2.04。
(比较实例1)
示出在比较实例1中所使用的制造有机薄膜场致发光器件的顺序。图8为比较实例1的结构视图。
图8中，器件的结构是依次堆叠玻璃衬底31、阳极(ITO)32、空穴注入层(α-NMP)33、发光层(AIQ)34和阴极(MgAg)35。
用溅射法在50mm×25mm的玻璃衬底31(HOYA生产的NA45，1.1mm厚)形成氧化铟锡合金(ITO)并用作阳极32。ITO的薄膜厚度为100nm，表面电阻为20Ω/□。并且，用2mm×50mm条状金属掩模对所形成的ITO进行图案形成处理。
然后将空穴注入层33、发光层34和阴极35依次堆叠在阳极32的ITO层上。另外，用电阻加热真空淀积法形成有机层(空穴注入层33和发光层34)和阴极35。
以下详细说明用真空淀积法形成薄膜的顺序。在所用的真空淀积装置中，相对于设置在真空室上部的衬底，将充填有淀积材料的钼舟布置在衬底下方距衬底250mm距离处，并设置成具有相对于衬底的38°的入射角。衬底以每分钟30转的转速旋转。如果是在比较实例1中形成薄膜，当压力达到5×10-7Torr时淀积开始，淀积速率由纵向安装在衬底上的晶振型薄膜厚度控制装置控制。另外在淀积速率为0.15nm/s时制造有机EL器件，方法是用共同淀积法依次堆叠50nm的N，N’-二苯基-N-N-双(1-萘基)-1，1’-联苯)-4，4’-二胺(以下称为α-NMP)作为空穴注入层，70nm的三(8-羟基喹啉)合铝(以下称为ALQ)作为发光材料，以及150nm的镁银合金作为阴极，淀积速率为10∶1。
(比较实例2)
在石英玻璃上(1.1m厚)依次堆叠阳极、空穴注入层、发光层和阴极，制成有机EL器件。另外，用与比较实例1相同的条件进行阳极形成过程之后的各个过程。
(比较实例3)
比较实例3和实施例1相同，不同之处只是从结构和制造过程中去掉了中间层。
(比较实例4)
比较实例4和实施例2相同，不同之处只是从结构和制造过程中去掉了中间层。
(比较实例5)
比较实例5和实施例3相同，不同之处只是从结构和制造过程中去掉了中间层。
(比较实例6)
比较实例6和实施例4相同，不同之处只是从结构和制造过程中去掉了中间层。
(比较实例7)
比较实例7和实施例5相同，不同之处只是从结构和制造过程中去掉了中间层。
(比较实例8)
比较实例8和实施例18相同，不同之处只是从结构和制造过程中去掉了中间层。
(比较实例9)
比较实例9和实施例19相同，不同之处只是从结构和制造过程中去掉了中间层。
(比较实例10)
比较实例10和实施例20相同，不同之处只是从结构和制造过程中去掉了中间层。
(比较实例11)
比较实例11和实施例21相同，不同之处只是从结构和制造过程中去掉了中间层。
(比较实例12)
比较实例12和实施例22相同，不同之处只是从结构和制造过程中去掉了中间层。
(评价)
对实施例1到22和比较实例1到12的有机EL器件作了评价1到6的特性评价。另外，实施例和比较实例的衬底有5个面积为2mm×2mm的发光部分(在位置A，B，C，D和E)，如图9所示。
〔评价1〕发光效率
向有机EL器件加10V电压后测量电流密度(mA/cm2)和亮变(cd)，并从亮度和电流密度计算发光效率(cd/m2)。此外，在衬底的中心部分作为测量位置用光度计进行测量。而且是在衬底上的四个发光部分(位置A，B，C，D，和E)进行发光效率的评价。
〔评价2〕发光性能
向有机EL器件加10V电压后观察发光部分的亮度状态。用眼进行观察，并用以下指数确定发光性能。另外，对每个衬底上的四个发光部分(位置A，B，C和D)进行评价。
○：所有发光部分在整个发光表面上呈现良好的发光。
：观察到局部不发光。
×：观察到发光部分不发光。
〔评价3〕寿命评价
向有机EL器件加5mA/cm2的直流电流100小时后测量寿命。在此评价中，对加电流后经过100小时后的发光效率(Ea)和加电流后2分钟内的发光效率(Eb)之间的变化比(Ea/Eb)进行计算，并用以下符号确定寿命性能。另外，是在位置E测定的寿命。
○：La/Lb大于0.90
：La/Lb大于0.80，小于0.90
×：La/Lb小于0.80
〔衬底中特性偏差的评价〕
对每个实施例和比较实例中衬底表面上发光效率的偏差作了评价。作此评价时，在衬底上的四个发光部分(位置A，B，C，和D)测量发光效率，并用以下确定符号确定偏差，其中四个发光部分的最大值为Emax，最小值为Emin。另外，和评价1相同，是在加上10V电压后测量发光效率来评价发光效率的。
○：Emin/Emax大于0.90
：Emin/Emax大于0.80而小于0.90
×：Emin/Emax小于0.80
〔评价5〕生产稳定性1(确认良好发光的再现性)
在同样制造条件下制造三个在实施例中所示的衬底和三个在比较实例中所示的衬底，并评价生产稳定性(确认良好亮度的再现性)。用眼观察所制造的三个衬底上器件的发光状态以确认其生产再现性，并用以下符号进行评价。另外，作此评价时，观察三个衬底中每个衬底上的四个发光部分(位置A，B，C，和D)，共计12个发光部分。
○：所有发光部分在整个发光表面上呈现良好的发光。
：观察到局部不发光。
×：观察到发光部分不发光。
〔评价6〕生产稳定性2(确认发光效率的再现性)
在同样制造条件下制造三个在实施例中所示的衬底和三个在比较实例中所示的衬底，以评价生产稳定性(确认发光效率的再现性)。此评价是生产稳定性的评价，在三个所制造的衬底上的四个发光部分(位置A，B，C，和D)测量效率(总计12个，四个发光部分x三个衬底)。利用以下符号确定再现性，其中在12个发光部分所测量的值中的最大值为Emax，最小值为Emin。另外，和评价1相同，是在加上10V电压后测量发光效率来评价发光效率的。
○：Emin/Emax大于0.90
：Emin/Emax大于0.80而小于0.90
×：Emin/Emax小于0.80
〔评价7〕生产稳定性3(确认器件寿命的再现性)
在同样制造条件下制造三个在实施例中所示的衬底和三个在比较实例中所示的衬底，以评价生产稳定性(确认器件寿命的再现性)。寿命评价就是向有机EL器件加5mA/cm2的直流电流100小时，而后测量发光效率。在每个衬底上的发光部分E作此评价。另外，用以下符号确定寿命的再现性，其中每个实施例和比较实例的三个衬底的评价值中最大值为Emax，最小值为Emin。
○：Emin/Emax大于0.90
：Emin/Emax大于0.80而小于0.90
×：Emin/Emax小于0.80
表1
评价1
 位置A  位置B  位置C  位置D
实施例1  5.56  5.43  5.30  6.29
实施例2  5.69  5.99  5.46  5.68
实施例3  5.09  5.18  4.89  5.00
实施例4  4.23  4.41  4.56  4.49
实施例5  4.71  4.68  4.62  4.73
实施例6  5.40  5.28  5.43  5.36
实施例7  5.50  6.71  5.56  5.66
实施例8  5.13  5.06  4.99  5.09
实施例9  5.69  5.68  6.47  5.59
实施例10  5.80  5.31  6.26  6.18
实施例11  5.11  6.16  4.99  4.98
实施例12  5.71  6.78  5.64  5.81
实施例13  6.10  6.07  6.08  5.87
实施例14  5.99  5.64  5.49  6.70
实施例15  5.69  5.26  5.43  5.42
实施例16  5.86  5.81  5.74  5.81
实施例17  6.18  6.18  6.17  5.98
实施例18  5.98  5.94  5.98  5.30
实施例19  5.71  6.70  6.79  5.65
实施例20  5.31  6.34  6.22  6.32
实施例21  5.64  5.76  5.81  6.66
实施例22  5.41  5.23  5.29  5.44
比较实例1  3.92  3.87  4.09  3.81
比较实例2  3.86  4.15  4.11  3.81
比较实例3  6.83  -  4.93  5.29
比较实例4  -  5.76  5.60  -
比较实例5  5.26  6.03  -  6.69
比较实例6  4.61  4.21  4.10  9.71
比较实例7  4.81  4.43  4.62  4.81
比较实例8  6.53  -  5.42  4.76
比较实例9  6.93  6.23  3.57  8.19
比较实例10  -  4.96  -  5.12
比较实例11  -  5.01  5.79  5.19
比较实例12 5.81  -  5.10  -
表2
评价2
位置A 位置B 位置C 位置D
实施例1  ○  ○  ○  ○
实施例2  ○  ○  ○  ○
实施例3  ○  ○  ○  ○
实施例4  ○  ○  ○  ○
实施例5  ○  ○  ○  ○
实施例6  ○  ○  ○  ○
实施例7  ○  ○  ○  ○
实施例8  ○  ○  ○  ○
实施例9  ○  ○  ○  ○
实施例10  ○  ○  ○  ○
实施例11  ○  ○  ○  ○
实施例12  ○  ○  ○  ○
实施例13  ○  ○  ○  ○
实施例14  ○  ○  ○  ○
实施例15  ○  ○  ○  ○
实施例16  ○  ○  ○  ○
实施例17  ○  ○  ○  ○
实施例18  ○  ○  ○  ○
实施例19  ○  ○  ○  ○
实施例20  ○  ○  ○  ○
实施例21  ○  ○  ○  ○
实施例22  ○  ○  ○  ○
比较实例1  ○  ○  ○  ○
比较实例2  ○  ○  ○  ○
比较实例3  ○  ×  ○  ○
比较实例4  ×  ○  ○  ×
比较实例5  ○  ×  ×  □
比较实例6  ○  □  □  □
比较实例7  □  ○  ○  □
比较实例8  ○  ○  ×  □
比较实例9  □  ○  ○  ○
比较实例10  ×  □  ×  □
比较实例11  ×  ○  ○  □
比较实例12  ○  ×  □  ×
表3
评价3到5
评价3(La/Lb) 评价4(Emin/Emax) 评价5
实施例1 ○(0.984) ○(0.951) ○
实施例2  ○(0.973) ○(0.947) ○
实施例3  ○(0.952) ○(0.928) ○
实施例4  ○(0.980) ○(0.951) ○
实施例5  ○(0.976) ○(0.976) ○
实施例6  ○(0.921) ○(0.972) ○
实施例7  ○(0.949) ○(0.971) ○
实施例8  ○(0.952) ○(0.972) ○
实施例9  ○(0.961) ○(0.976) ○
实施例10  ○(0.972) ○(0.977) ○
实施例11  ○(0.948) ○(0.965) ○
实施例12  ○(0.937) ○(0.970) ○
实施例13  ○(0.982) ○(0.962) ○
实施例14  ○(0.951) ○(0.941) ○
实施例15  ○(0.957) ○(0.961) ○
实施例16  ○(0.961) ○(0.958) ○
实施例17  ○(0.924) ○(0.961) ○
实施例18  ○(0.931) ○(0.975) ○
实施例19  ○(0.921) ○(0.976) ○
实施例20  ○(0.947) ○(0.996) ○
实施例21  ○(0.952) ○(0.967) ○
实施例22  ○(0.981) ○(0.961) ○
比较实例1  ○(0.966) ○(0.945) □
比较实例2  ○(0.971) ○(0.918) ○
比较实例3  ×(0.691) × ×
比较实例4  ×(0.733) × ×
比较实例5  ×(0.781) × ×
比较实例6  ×(0.620) □(0.904) □
比较实例7   ×(0.711) □(0.896) □
比较实例8   ×(0.761) × ×
比较实例9   □(0.813) □(0.894) □
比较实例10   ×(0.761) × ×
比较实例11   ×(0.743) × ×
比较实例12   ×(0.761) × ×
表4
评价6到7
 评价6(La/Lb) 评价7(Emin/Emax)
实施例1  ○(0.931) ○(0.931)
实施例2  ○(0.911) ○(0.955)
实施例3  ○(0.920) ○(0.948)
实施例4  ○(0.908) ○(0.960)
实施例5  ○(0.965) ○(0.925)
实施例6  ○(0.962) ○(0.931)
实施例7  ○(0.954) ○(0.948)
实施例8  ○(0.931) ○(0.945)
实施例9  ○(0.951) ○(0.942)
实施例10  ○(0.917) ○(0.923)
实施例11  ○(0.926) ○(0.912)
实施例12  ○(0.962) ○(0.961)
实施例13  ○(0.941) ○(0.957)
实施例14  ○(0.838) ○(0.971)
实施例15  ○(0.907) ○(0.926)
实施例16  ○(0.912) ○(0.934)
实施例17  ○(0.961) ○(0.928)
实施例18  ○(0.967) ○(0.949)
实施例19  ○(0.941) ○(0.982)
实施例20  ○(0.981) ○(0.941)
实施例21  ○(0.923) ○(0.928)
实施例22  ○(0.945) ○(0.941)
比较实例1  ○(0.901) ○(0.928)
比较实例2  □(0.887) □(0.923)
比较实例3  × (0.621)
比较实例4  × (0.612)
比较实例5  × □(0.812)
比较实例6  ×(0.748) ×(0.423)
比较实例7  ×(0.782) ×(0.612)
比较实例8  × ×(0.691)
比较实例9  ×(0.652) □(0.923)
比较实例10  × ×(0.532)
比较实例11  × ×(0.511)
比较实例12  × ×(0.423)
由实施例和比较实例的结果可见，本发明的有机场致发光器件具有良好的发光性能和高的发光效率。
同时，图10示出使用图1的有机发光元件的有源矩阵有机发光显示器作为有机发光显示器的实例。
参阅此图，在透明衬底90上形成缓冲层91。缓冲层91被分隔成像素区200(有各像素和透明电极92以形成像素)以及驱动区300(其中形成有薄膜晶体管和电容器)。
驱动区包括：栅极层94和隐埋栅极层94的第一绝缘层95，它们对应于缓冲层91上排列成规定图案的n或p型半导体层92，缓冲层91处在隐埋半导体层92的栅极绝缘层93上；薄膜晶体管，它具有漏极96和源极97，漏极96和源极97各自通过在第一绝缘薄膜95和栅极绝缘层93上形成的以及在第一绝缘薄膜95的上部形成的接触孔96a和97a连接到半导体层92的两侧；以及电容器110，它包括在第一绝缘层95上形成的并连接到源极97的第一辅助电极111和与第一电极相对并被第一绝缘层95隐埋的第二辅助电极112。
在第一绝缘层95上形成第二绝缘层98，并形成具有在像素形成区形成的开口99a的平面化薄膜99。
第一电极层100形成在平面化薄膜99的开口底部并电连接到漏极96。
平面化薄膜99具有在像素形成区中形成的沟槽80。
此时，在所述具有沟槽的平面化薄膜的像素形成区中形成SiO2薄膜作为中间层3。
把有机层70堆叠在第一电极层100上。第二电极层101形成在有机层和平面化薄膜99上。
同时，在包括由透明导电材料ITO形成的第一电极层100并包括衬底90、缓冲层91、栅极绝缘层93和各自由透明材料形成的第一和第二绝缘层95和98的底部有机发光二极管显示器中，如上述，在透明电极100和第二绝缘层98之间的第二绝缘层98上以规定图案形成衍射光栅的沟槽80。沟槽80具有和上述实施例相同的结构。
此处，形成沟槽80的位置不限于所述实施例，而可以在具有高折射率的各层之间。例如，沟槽层80可以形成在衬底90和缓冲层91之间的衬底90上，如图11和12所示。
如上所述，在本发明的有机场致发光器件中，通过在具有光学元件(如衍射光栅、散射部分、光栅或偏振滤光器)的衬底上的中间层，在阳极和阴极之间淀积至少一层包括发光层的有机层，就有可能稳定地制造具有良好发光性能和高发光效率的有机场致发光器件。

Claims (10)

1.一种有机场致发光器件，它包括：
经过在具有光学元件的衬底上的中间层，在阳极和阴极之间的至少一层包括发光层的有机层，所述光学元件是以下光学元件之一：衍射光栅、散射部分、光栅和偏振滤光器。
2.如权利要求1所述的器件，其特征在于：所述中间层设置在所述光学元件上，在离开所述光学元件50nm的厚度范围内。
3.如权利要求1所述的器件，其特征在于：所述中间层设置在其上具有所述光学元件的衬底和所述阳极之间。
4.如权利要求1所述的器件，其特征在于：所述中间层是由折射率比构成阳极的材料的折射率要小的材料制成的，其薄膜厚度为10到200nm。
5.如权利要求1所述的器件，其特征在于：构成所述中间层的材料的折射率等于或大于构成阳极的材料的折射率，且所述中间层的薄膜厚度为300nm或小于300nm。
6.如权利要求1所述的器件，其特征在于：形成所述中间层的材料与构成光学元件的材料相同或不同，且所述中间层的透射率为70％或大于70％，所述透射率是在形成所述中间层的材料厚度为200nm时石英玻璃在630nm波长下的透射率。
7.如权利要求1所述的器件，其特征在于：形成所述中间层的材料是以下材料中的任一种：氧化硅(SiO2)、氧化钛(TiO2)、氧化铟锡(ITO)、氧化锌(ZnO2)、二氧化锆(ZrO2)、五氧化二钽(Ta2O5)、氧化铝(Al2O3)和薄膜金刚石。
8.如权利要求1所述的器件，其特征在于：所述中间层是用旋涂法形成的。
9.如权利要求1所述的器件，其特征在于：所述中间层附着其上的所述衬底的表面要经过平面化处理，所述平面化处理是抛光处理和反应离子刻蚀过程之一。
10.如权利要求1所述的器件，其特征在于：所述光学元件由折射率不同的两种类型的材料形成，所述两种类型材料的折射率之间的差为0.3或大于0.3。
CNB2004100474983A 2003-05-22 2004-05-24 场致发光显示器件 Expired - Lifetime CN100459211C (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP144769/03 2003-05-22
JP2003144769A JP4220305B2 (ja) 2003-05-22 2003-05-22 有機エレクトロルミネセンス素子
JP144769/2003 2003-05-22

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1575075A true CN1575075A (zh) 2005-02-02
CN100459211C CN100459211C (zh) 2009-02-04

Family

ID=33095458

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB2004100474983A Expired - Lifetime CN100459211C (zh) 2003-05-22 2004-05-24 场致发光显示器件

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7619357B2 (zh)
EP (1) EP1480281A3 (zh)
JP (1) JP4220305B2 (zh)
KR (1) KR100894625B1 (zh)
CN (1) CN100459211C (zh)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101626017A (zh) * 2008-07-11 2010-01-13 三星移动显示器株式会社 有机发光显示装置
CN103620811A (zh) * 2011-04-28 2014-03-05 赤多尼科德累斯顿两合股份有限公司 具有oled或qled的发光元件
CN104078576A (zh) * 2013-03-29 2014-10-01 海洋王照明科技股份有限公司 白光有机电致发光器件及其制备方法
CN104321898A (zh) * 2012-03-23 2015-01-28 株式会社Lg化学 用于有机电子器件的基板
CN106920894A (zh) * 2017-04-28 2017-07-04 陕西科技大学 一种透明oled器件结构及其制备方法
CN110326108A (zh) * 2019-05-24 2019-10-11 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制造方法、显示设备
CN110797385A (zh) * 2019-12-03 2020-02-14 上海天马微电子有限公司 一种显示面板、显示装置以及制备方法

Families Citing this family (66)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100852110B1 (ko) * 2004-06-26 2008-08-13 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 소자 및 그 제조 방법
JP4464210B2 (ja) * 2004-06-29 2010-05-19 東北パイオニア株式会社 有機ｅｌパネルの形成方法
JP2006100430A (ja) * 2004-09-28 2006-04-13 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 有機ｅｌ表示装置
JP2006100140A (ja) * 2004-09-29 2006-04-13 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 有機ｅｌ表示装置の製造方法
JP4511440B2 (ja) * 2004-10-05 2010-07-28 三星モバイルディスプレイ株式會社 有機発光素子及び有機発光素子の製造方法
KR100730121B1 (ko) * 2004-11-29 2007-06-19 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 소자 및 그 제조 방법
CN100376716C (zh) * 2004-12-08 2008-03-26 上海江信超硬材料有限公司 一种金刚石表面涂覆玻璃涂覆金刚石镀钛复合结构及制造方法
KR100683761B1 (ko) * 2005-02-19 2007-02-15 삼성에스디아이 주식회사 전계발광 디스플레이 장치
US7579775B2 (en) 2004-12-11 2009-08-25 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Electroluminescence display device with improved external light coupling efficiency and method of manufacturing the same
US7432649B2 (en) * 2005-02-22 2008-10-07 Corning, Incorporated Coupled waveguides for light extraction
US10690847B2 (en) * 2005-06-15 2020-06-23 Braggone Oy Method of making a photonic crystal device and photonic crystal device
KR100708863B1 (ko) * 2005-12-09 2007-04-17 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR100728790B1 (ko) * 2005-12-15 2007-06-19 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR100749420B1 (ko) * 2005-12-15 2007-08-14 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR100792139B1 (ko) * 2006-02-06 2008-01-04 주식회사 엘지화학 전자주입층으로서 무기절연층을 이용한 유기발광소자 및이의 제조 방법
KR101299098B1 (ko) * 2006-04-14 2013-08-28 주식회사 동진쎄미켐 전기화학적 증착을 통한 유기발광소자의 유기박막층형성방법
KR100932933B1 (ko) * 2007-07-27 2009-12-21 삼성모바일디스플레이주식회사 편광자 및 그를 포함하는 유기 발광 표시 장치
JP5428124B2 (ja) * 2006-09-27 2014-02-26 凸版印刷株式会社 有機ｅｌ表示体
KR101367131B1 (ko) * 2006-11-02 2014-02-26 한양대학교 산학협력단 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
US7868542B2 (en) 2007-02-09 2011-01-11 Canon Kabushiki Kaisha Light-emitting apparatus having periodic structure and sandwiched optical waveguide
CN101680607A (zh) * 2007-05-02 2010-03-24 皇家飞利浦电子股份有限公司 在折叠或展开结构中使用oled面板的发光设备
JP5057076B2 (ja) * 2008-03-03 2012-10-24 大日本印刷株式会社 発光素子からの光取出し構造
JP2009272194A (ja) 2008-05-09 2009-11-19 Canon Inc 発光装置
KR100953658B1 (ko) * 2008-06-05 2010-04-20 삼성모바일디스플레이주식회사 유기전계발광 표시장치
JP5167974B2 (ja) * 2008-06-16 2013-03-21 豊田合成株式会社 Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体発光素子及びその製造方法
US8928597B2 (en) 2008-07-11 2015-01-06 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display device
US9342176B2 (en) 2008-07-21 2016-05-17 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display device
JP2010027429A (ja) * 2008-07-22 2010-02-04 Fujifilm Corp 有機電界発光パネル及びその製造方法
KR100959107B1 (ko) * 2008-08-28 2010-05-25 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
JP5288966B2 (ja) 2008-09-22 2013-09-11 ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド 発光素子及びその製造方法、並びに該発光素子を備えるディスプレイ
KR101058106B1 (ko) * 2009-08-06 2011-08-24 삼성모바일디스플레이주식회사 표시 장치
KR101094300B1 (ko) * 2009-10-12 2011-12-19 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 조명 장치 및 그 제조 방법
KR101318374B1 (ko) * 2009-12-03 2013-10-16 한국전자통신연구원 유기 전계 발광소자 및 그 제조 방법
JP5595033B2 (ja) 2009-12-25 2014-09-24 キヤノン株式会社 表示装置
WO2011081057A1 (ja) * 2009-12-28 2011-07-07 昭和電工株式会社 電界発光素子、電界発光素子の製造方法、表示装置および照明装置
JP5258817B2 (ja) * 2010-03-02 2013-08-07 株式会社東芝 照明装置及びその製造方法
US8835962B2 (en) * 2010-05-13 2014-09-16 Sri International Cavity electroluminescent devices with integrated microlenses
JP2012038542A (ja) * 2010-08-06 2012-02-23 Canon Inc 発光素子
WO2012133832A1 (ja) * 2011-03-31 2012-10-04 旭硝子株式会社 有機ｌｅｄ素子、透光性基板、および透光性基板の製造方法
KR101249029B1 (ko) * 2011-06-07 2013-04-01 주성엔지니어링(주) 유기 발광 장치 및 그 제조 방법
US20140131690A1 (en) 2011-06-24 2014-05-15 Showa Denko K.K. Organic light emitting element and method for manufacturing organic light emitting element
EP2541637B1 (de) * 2011-06-30 2022-01-12 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Elektrolumineszente Lichtemissionseinrichtung mit einer optischen Gitterstruktur und Verfahren zur Herstellung derselben
KR101978304B1 (ko) 2012-11-15 2019-05-14 삼성전자주식회사 자체발광 디스플레이 패널 및 이를 가지는 디스플레이장치
KR102036326B1 (ko) * 2012-11-21 2019-10-25 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
WO2014103891A1 (ja) * 2012-12-28 2014-07-03 昭和電工株式会社 有機ｅｌ素子並びにそれを備えた画像表示装置及び照明装置
WO2014129444A1 (ja) * 2013-02-20 2014-08-28 株式会社フォトニックラティス 内部発光の取り出し効率の高い発光素子及び発光素子用基板
KR20140119266A (ko) 2013-03-28 2014-10-10 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치 및 그 제조방법
CN105940494A (zh) * 2014-02-28 2016-09-14 松下知识产权经营株式会社 发光器件以及发光装置
CN105940510B (zh) 2014-02-28 2019-01-11 松下知识产权经营株式会社 发光装置
CN105940508B (zh) 2014-02-28 2019-01-11 松下知识产权经营株式会社 发光器件以及发光装置
US10739882B2 (en) 2014-08-06 2020-08-11 Apple Inc. Electronic device display with array of discrete light-emitting diodes
US10182702B2 (en) 2015-03-13 2019-01-22 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Light-emitting apparatus including photoluminescent layer
US10031276B2 (en) 2015-03-13 2018-07-24 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Display apparatus including photoluminescent layer
JP2016171228A (ja) 2015-03-13 2016-09-23 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 発光素子、発光装置および検知装置
JP6569856B2 (ja) 2015-03-13 2019-09-04 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 発光装置および内視鏡
KR20160118403A (ko) * 2015-04-01 2016-10-12 삼성디스플레이 주식회사 미러 기판, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 표시 장치
JP2017005054A (ja) 2015-06-08 2017-01-05 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 発光装置
JP2017003697A (ja) 2015-06-08 2017-01-05 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 発光素子および発光装置
US10359155B2 (en) 2015-08-20 2019-07-23 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Light-emitting apparatus
JP2017040818A (ja) 2015-08-20 2017-02-23 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 発光素子
CN105261710B (zh) 2015-11-19 2017-05-10 深圳市华星光电技术有限公司 显示器及其有机发光二极管器件
JP6719094B2 (ja) 2016-03-30 2020-07-08 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 発光素子
WO2019031786A1 (en) * 2017-08-08 2019-02-14 Samsung Electronics Co., Ltd. OPTICAL ELEMENT, POLARIZING ELEMENT, AND DISPLAY DEVICE
CN107731864B (zh) * 2017-11-20 2020-06-12 开发晶照明（厦门）有限公司 微发光二极管显示器和制作方法
WO2021095194A1 (ja) * 2019-11-14 2021-05-20 シャープ株式会社 発光素子及び表示装置
CN114325907A (zh) * 2020-09-30 2022-04-12 京东方科技集团股份有限公司 波浪形光栅、显示面板及波浪形光栅的制造方法

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0766856B2 (ja) 1986-01-24 1995-07-19 株式会社小松製作所 薄膜ｅｌ素子
JP2670572B2 (ja) 1987-06-18 1997-10-29 株式会社小松製作所 薄膜ｅｌ素子
JPH01220394A (ja) 1988-02-29 1989-09-04 Hitachi Ltd 高輝度ｅｌ素子
JP2931211B2 (ja) * 1994-09-13 1999-08-09 出光興産株式会社 有機ｅｌ装置
DE19646119A1 (de) * 1996-11-08 1998-05-14 Hoechst Ag Elektrolumineszenzvorrichtung
JPH118070A (ja) * 1997-06-17 1999-01-12 Casio Comput Co Ltd 表示装置
JP2991183B2 (ja) 1998-03-27 1999-12-20 日本電気株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JPH11329742A (ja) * 1998-05-18 1999-11-30 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子および発光装置
KR20010024923A (ko) * 1998-12-17 2001-03-26 야스카와 히데아키 발광 장치
JP2000284726A (ja) 1999-03-31 2000-10-13 Seiko Epson Corp 表示装置
JP2001060495A (ja) 1999-08-23 2001-03-06 Tdk Corp 有機ｅｌ素子
JP2001068792A (ja) * 1999-08-27 2001-03-16 Canare Electric Co Ltd 量子波干渉層を有した半導体発光素子
SG125891A1 (en) * 2000-09-08 2006-10-30 Semiconductor Energy Lab Light emitting device, method of manufacturing thesame, and thin film forming apparatus
JP2002131495A (ja) * 2000-10-23 2002-05-09 Konica Corp 放射線画像変換パネル
US6998775B2 (en) * 2000-10-25 2006-02-14 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Layered, light-emitting element
JP2004513484A (ja) * 2000-11-02 2004-04-30 スリーエム　イノベイティブ　プロパティズ　カンパニー 放出型ディスプレイの輝度向上
JP2002260845A (ja) * 2001-03-02 2002-09-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス発光素子、それを用いた表示装置または発光源
JP2003007450A (ja) * 2001-06-20 2003-01-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光素子、表示装置及び照明装置
JP2003086353A (ja) * 2001-09-11 2003-03-20 Nissan Chem Ind Ltd 有機ｅｌ素子用透明性基板および有機ｅｌ素子
JPWO2003026357A1 (ja) * 2001-09-13 2005-01-06 日産化学工業株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子用透明性基板および有機エレクトロルミネッセンス素子
KR100437886B1 (ko) * 2001-09-25 2004-06-30 한국과학기술원 고발광효율 광결정 유기발광소자
JP2003115377A (ja) * 2001-10-03 2003-04-18 Nec Corp 発光素子、その製造方法およびこれを用いた表示装置
JP2003282260A (ja) * 2002-03-26 2003-10-03 Dainippon Printing Co Ltd エレクトロルミネッセンス表示装置
JP4136799B2 (ja) * 2002-07-24 2008-08-20 富士フイルム株式会社 Ｅｌ表示素子の形成方法
WO2004084323A1 (de) * 2003-03-19 2004-09-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Organische leuchtdiode mit verbesserter lichteffizienz
US6911674B2 (en) * 2003-04-16 2005-06-28 Zeolux Corporation Feedback and coupling structures and methods

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101626017A (zh) * 2008-07-11 2010-01-13 三星移动显示器株式会社 有机发光显示装置
CN103620811B (zh) * 2011-04-28 2016-11-16 赤多尼科两合股份有限公司 具有oled或qled的发光元件
CN103620811A (zh) * 2011-04-28 2014-03-05 赤多尼科德累斯顿两合股份有限公司 具有oled或qled的发光元件
US9666828B2 (en) 2012-03-23 2017-05-30 Lg Display Co., Ltd. Method for producing a substrate for organic electronic devices
CN104321898A (zh) * 2012-03-23 2015-01-28 株式会社Lg化学 用于有机电子器件的基板
US9530979B2 (en) 2012-03-23 2016-12-27 Lg Display Co., Ltd. Substrate for organic electronic device
US9698366B2 (en) 2012-03-23 2017-07-04 Lg Display Co., Ltd. Substrate for organic electronic device
US9716242B2 (en) 2012-03-23 2017-07-25 Lg Display Co., Ltd. Substrate for organic electronic device
CN104078576A (zh) * 2013-03-29 2014-10-01 海洋王照明科技股份有限公司 白光有机电致发光器件及其制备方法
CN106920894A (zh) * 2017-04-28 2017-07-04 陕西科技大学 一种透明oled器件结构及其制备方法
CN110326108A (zh) * 2019-05-24 2019-10-11 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制造方法、显示设备
WO2020237430A1 (en) * 2019-05-24 2020-12-03 Boe Technology Group Co., Ltd. Display panel, fabricating method thereof, and display apparatus
US11616100B2 (en) 2019-05-24 2023-03-28 Boe Technology Group Co., Ltd. Display panel, fabricating method thereof, and display apparatus
CN110797385A (zh) * 2019-12-03 2020-02-14 上海天马微电子有限公司 一种显示面板、显示装置以及制备方法
CN110797385B (zh) * 2019-12-03 2022-04-12 上海天马微电子有限公司 一种显示面板、显示装置以及制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP1480281A3 (en) 2007-08-08
US20050077820A1 (en) 2005-04-14
JP4220305B2 (ja) 2009-02-04
US7619357B2 (en) 2009-11-17
EP1480281A2 (en) 2004-11-24
CN100459211C (zh) 2009-02-04
KR100894625B1 (ko) 2009-04-24
JP2004349111A (ja) 2004-12-09
KR20040101004A (ko) 2004-12-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1575075A (zh) 场致发光显示器件
CN1706226A (zh) 有机场致发光显示装置及其制造方法
CN1293785C (zh) 发光器件
CN1610472A (zh) 有机场致发光器件及其制备方法
CN1864440A (zh) 电致发光元件
CN1610470A (zh) 有机电致发光器件
CN1805161A (zh) 具有光学谐振层的发光装置
CN1653856A (zh) 发光器件、其制备方法和使用该器件的显示装置
JPWO2005099311A1 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス表示装置
CN101075663A (zh) 发光装置、发光装置的制造方法及电子设备
CN1596045A (zh) 发光器件及其制造方法
CN1599056A (zh) 发光器件及其制造方法
CN1848445A (zh) 发光器件
CN1645977A (zh) 有机电致发光显示装置及其制造方法
CN1543281A (zh) 调谐的微腔彩色oled显示器
CN1881649A (zh) 有机发光装置及其制造方法
CN1957486A (zh) 具有稳定的中间连接体的串联式有机电致放光器件
CN1918946A (zh) 有机电致发光元件
CN1848478A (zh) 有机电致发光元件
CN1893748A (zh) 有机电致发光元件和包括该元件的显示装置或发光装置
CN101032039A (zh) 发光元件
CN1735298A (zh) 发光元件、显示器件及电子器具
CN1906976A (zh) 隔着电子阻挡层具有两个发光层的有机电致发光元件
CN1816239A (zh) 具有包括镁－钙层的阴极的有机发光装置及其制造方法
CN1868240A (zh) 显示装置及其制造方法,有机发光装置及其制造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20090116

Address after: Gyeonggi Do, South Korea

Patentee after: Samsung Mobile Display Co., Ltd.

Address before: Gyeonggi Do, South Korea

Patentee before: Samsung SDI Co., Ltd.

ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: SAMSUNG MOBILE DISPLAY CO., LTD.

Free format text: FORMER OWNER: SAMSUNG SDI CO., LTD.

Effective date: 20090116

ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: SAMSUNG DISPLAY CO., LTD.

Free format text: FORMER OWNER: SAMSUNG MOBILE DISPLAY CO., LTD.

Effective date: 20121122

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20121122

Address after: South Korea Gyeonggi Do Yongin

Patentee after: Samsung Display Co., Ltd.

Address before: Gyeonggi Do, South Korea

Patentee before: Samsung Mobile Display Co., Ltd.