CN1881649A - 有机发光装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种有机发光装置及其制造方法，该装置包括插在第一电极和第二电极之间的发光层。发光层包括基于萘基蒽的化合物和基于联蒽的化合物组成的混合基质以及掺杂物。利用基于萘基蒽的化合物和基于联蒽的化合物组成的混合基质以及掺杂物形成的发光层，使得电荷在发光层中被捕获。因此，有机发光装置更加稳定并且具有更长的寿命、优异的色彩性能和高效率。

Description

有机发光装置及其制造方法
                    有关申请的交叉引用
本申请要求在韩国知识产权局于2005年3月31日提交的、申请号为No.10-2005-0027009的韩国专利申请作为优先权，它的公开内容在此整体引入作为参考。
技术领域
本发明涉及一种显示装置，更具体而言，涉及一种有机发光装置。
背景技术
通常，有机发光装置包括依次形成在基底上的阳极、空穴传输层、发光层、电子传输层和阴极。具有这种结构的有机发光装置依下述原理工作。
当在阳极和阴极之间施加电压时，从阳极注入的空穴通过空穴传输层移向发光层。同时，电子通过电子传输层从阴极移向发光层。空穴和电子在发光层中相遇并重新组合，由此产生空穴-电子对，称为激子。激子将它们的能量传递给发光分子激发它们的电子。当激发态电子回到它们的基态并释放能量时，发光分子发射出可见光。通过大量上述矩阵形式的有机发光装置，显示装置就显示出图像。
人们为了生产出具有优异性能的有机发光装置已经做了很多尝试。然而，常规的有机发光装置显示出不期望的色彩性能并且寿命短。因此，需要开发具有优异色彩性能和寿命长的有机发光装置。
                         发明内容
本发明一方面是提供一种有机发光装置。该有机发光装置包括：第一电极；第二电极；以及插在第一电极和第二电极之间的发光层，发光层包括基质和掺杂物，基质包括基于萘基蒽的化合物和基于联蒽的化合物。
在装置中，基于萘基蒽的化合物可以用式1-1表示：
式1-1
Figure A20061010546600101
其中R选自氢、取代或未取代的C1-C20烷基、取代或未取代的C1-C20烷氧基、取代或未取代的C6-C20芳基、取代或未取代的C6-C20芳氧基、以及取代或未取代的C2-C20杂芳基；其中x是选自取代或未取代的萘基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的萘基苯基、和取代或未取代的蒽基苯基的基团。
基于联蒽的化合物可以用式2来表示：
式2
Figure A20061010546600102
其中R1到R6中每一个独立地选自氢、取代或未取代的C1-C20烷基、取代或未取代的C5-C10环烷基、取代或未取代的C2-C20链烯基、取代或未取代的C6-C20芳基、取代或未取代的C1-C20烷氧基、取代或未取代的C6-C20芳氧基、取代或未取代的C1-C20烷基氨基、取代或未取代的C6-C20芳基氨基、以及取代或未取代的C2-C20杂环基，其中R1-R6中的一个或多个可以通过连接到两个或多个苯环上形成环；其中a和b分别独立地表示整数0、1、2、3、4或5；其中c、d、e和f分别独立地表示整数1、2、3或4；以及其中L选自没有原子、-O-、-S-、-N(R’)-、C6-C20的亚芳基和C6-C20的芳基，R’是C1-C10的烷基。
式1所表示的化合物可以是式3或式4所表示的化合物：
式3
Figure A20061010546600111
式4
式2所表示的化合物可以是式5或式6所表示的化合物：
式5
式6
在装置中，掺杂物可以包括蓝光发光材料。这种掺杂物可以包括式8所表示的化合物：
式8
其中R1、R2、R5和R6分别独立地是取代或未取代的C6-20的芳基；其中R3和R4分别独立地是取代或未取代的C6-C20的亚芳基。掺杂物可以是选自式8所示的化合物，其中R1、R2、R5和R6分别是苯基，R3和R4分别是亚苯基；式8所示的化合物，其中R1和R5分别是苯基，R2和R6分别是萘基，以及R3和R4分别是亚苯基；和式8所示的化合物，其中R1和R5分别是萘基，R2和R6分别是苯基，以及R3和R4分别是亚萘基。
掺杂物可以包括式7所示的化合物：
式7
Figure A20061010546600121
在装置中，基于萘基蒽的化合物与基于联蒽的化合物的重量比约为10∶90至约90∶10。重量比可以是约25∶75至约75∶25。以100重量份基于萘基蒽的化合物与基于联蒽的化合物计，掺杂物的量可以是约3到约7重量份。
发光层可以包括式3所示的化合物和式5所示的化合物：
式3
Figure A20061010546600122
式5
在装置中，式3所示的化合物与式5所示的化合物的重量比为约75∶25至约25∶75。发光层可以还包括式7所示的掺杂物：
式7
Figure A20061010546600131
以100重量份基于萘基蒽的化合物与基于联蒽的化合物计，掺杂物的量可以是约3到约7重量份。
发光层可以包括式3所示的化合物和式6所示的化合物：
式3
Figure A20061010546600132
式6
发光层可以还包括式7所示的掺杂物：
式7
Figure A20061010546600134
在装置中，发光层可以包括式4所示的化合物和式5所示的化合物：
式4
Figure A20061010546600141
式5
Figure A20061010546600142
发光层可以还包括式7所示的掺杂物
式7
在装置中，发光层可以包括式4所示的化合物和式6所示的化合物：
式4
Figure A20061010546600144
式6
发光层可以还包括式7所示的掺杂物：
式7
本发明另一方面提供了包含上述的有机发光装置的电子器件。
本发明的另一方面还提供具有优异的色彩性能和长的寿命的有机发光装置及其制造方法，该装置包括利用混合基质和掺杂物制备的发光层。
本发明的又一方面提供包括插在第一电极和第二电极之间的发光层的有机发光装置，其中发光层包括基于萘基蒽的化合物和基于联蒽的化合物混合基质；和掺杂物。
本发明的再一方面还提供有机发光装置的制造方法，其中有机发光层是利用基于萘基蒽的化合物和基于联蒽的化合物的混合基质以及掺杂物形成的。发光层可以用真空沉积法、喷墨印刷法、或激光转移法来形成。
                         附图简述
通过以下结合附图的描述，本发明的各个方面和优点将会变得明显和更易于理解。
图1表示有机发光装置一个实施方案的截面图。
                         具体实施方式
下面将结合附图详细描述根据本发明实施方案的有机发光装置及其制造方法。
如前文所述，有机发光装置包括依次形成在基底上的阳极、空穴传输层、发光层、电子传输层和阴极。其中，发光层可以具有不同的构造。在一种实施方案中，发光层可以具有惰性基质材料，以及掺入惰性基质材料中的空穴和电子传递材料。此构造已被美国专利US6,392,250、US6,392,339以及公开号为2002/098379的美国专利申请详细地公开了，它们的公开内容在此引入作为参考。
根据本发明的实施方案，发光装置的发光层包括基于萘基蒽的化合物和基于联蒽的化合物作为基质材料。基质材料有效地捕获注入发光层的电荷，因此提高了发光装置的稳定性并增强了色彩性能。具体而言，基于萘基蒽的化合物提高了装置的稳定性，基于联蒽的化合物提高了装置的色彩性能。
在一种实施方案中，基于萘基蒽的化合物如下面的式1-1所示：
                         式1-1
在式1-1中，R选自氢、取代或未取代的C1-C20烷基、取代或未取代的C1-C20烷氧基、取代或未取代的C6-C20芳基、取代或未取代的C6-C20芳氧基、以及取代或未取代的C2-C20杂芳基。
C1-C20烷基的实例包括但不限于甲基、乙基、丙基、异丁基、仲丁基、戊基、异戊基和己基。C1-C20烷氧基的实例包括但不限于甲氧基、乙氧基、苯氧基、环己氧基、萘氧基、异丙氧基和联苯氧基。取代或未取代的C6-C20芳基可以单独使用或与包括至少一个环的芳族碳环系统相结合使用，所述至少一个环可以互为侧链或稠合。芳基的实例包括但不限于苯基、萘基和四氢萘基。芳氧基的实例包括但不限于苯氧基、萘氧基，和联苯氧基。取代或未取代的杂芳基指的是C6-C20的一价单环或二价双环芳族有机化合物，包括一个、两个、或三个选自N、O、P和S的杂原子，余下的环原子是C。杂芳基的实例包括但不限于噻吩基、吡啶基和呋喃基。
取代的C1-C20烷基、取代的C1-C20烷氧基、取代的C6-C20芳基、取代的C6-C20芳氧基、以及取代的C2-C20杂芳基可以是被一个或多个取代基取代，所述取代基选自卤素、羟基，硝基、氰基、氨基、脒基、肼、腙、羧基或其盐、磺酸或其盐、磷酸或其盐、C1-C30的烷基、C1-C30的链烯基、C1-C30的炔基、C6-C30的芳基、C7-C30的芳烷基、C2-C20的杂芳基、或C3-C30的杂芳烷基。每个y独立地表示0到4的整数。z是0到3的整数。
x选自取代或未取代的萘基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的萘基苯基、和取代或未取代的蒽基苯基。在这些取代基的取代形式中，一个或多个氢位置可以被一个或多个取代基取代，所述取代基选自取代或未取代的C1-C20烷基、，取代或未取代的C1-C20烷氧基、取代或未取代的C6-C20芳基、取代或未取代的C6-C20芳氧基、以及取代或未取代的C2-C20杂芳基。取代的C1-C20烷基、取代的C1-C20烷氧基、取代的C6-C20芳基、取代的C6-C20芳氧基、以及取代的C2-C20杂芳基可以是被一个或多个取代基取代，所述取代基选自卤原子、羟基、硝基、氰基、氨基、脒基、肼、腙、羧基或其盐、磺酸或其盐、磷酸或其盐、C1-C30的烷基、C1-C30的链烯基、C1-C30的炔基、C6-C30的芳基、C7-C30的芳烷基、C2-C20的杂芳基、或C3-C30的杂芳烷基。
在另一种实施方式中，基于萘基蒽的化合物如式1-2所示：
                         式1-2
在式1-2中，R分别独立地表示氢、取代或未取代的C1-C20烷基、取代或未取代的C1-C20烷氧基、取代或未取代的C6-C20芳基、取代或未取代的C6-C20芳氧基、以及取代或未取代的C2-C20杂芳基。y独立地表示整数0、1、2、3或4。z是0、1、2或3的整数。当两个或多个R连接在一个苯环上时，每个R’分别独立地选自前文所述的取代基。x选自上述与式1-1相关的相同的取代基。
在一种实施方式中，式1-1或式1-2的化合物(总称式1)可以是如式3所示的化合物或如式4所示的化合物：
                         式3
                         式4
式1所示的基于萘基蒽的化合物的其它实例描述于美国专利US5,935,721中，其公开文本在此被引入作为参考。根据本发明实施方案的基于萘基蒽的化合物可以用美国专利US5,935,721中所公开的相同方法来合成。
在一种实施方案中，上述的基于联蒽的化合物可以用式2来表示：
                         式2
Figure A20061010546600183
在式2中，R1到R6中每一个独立地选自氢、取代或未取代的C1-C20烷基、取代或未取代的C5-C10环烷基、取代或未取代的C2-C20链烯基、取代或未取代的C6-C20芳基、取代或未取代的C1-C20烷氧基、取代或未取代的C6-C20芳氧基、取代或未取代的C1-C20烷基氨基、取代或未取代的C6-C20芳基氨基、取代或未取代的C2-C20杂环基，或取代或未取代的C6-C20亚芳基。
C1-C20烷基的实例包括但不限于甲基、乙基、丙基、异丁基、仲丁基、戊基、异戊基和己基。C5-C10环烷基的实例包括但不限于环己基和环戊基。取代或未取代的C6-C20芳基可以单独使用或与包括至少一个环的芳族碳环系统结合使用，所述环可以彼此互为侧链或稠合。芳基的实例包括但不限于苯基、萘基和四氢萘基。C1-C20烷氧基的实例包括但不限于甲氧基、乙氧基、苯氧基、环己氧基、萘氧基、异丙氧基和联苯氧基。芳氧基的实例包括但不限于苯氧基、萘氧基和联苯氧基。C1-C20烷基氨基的实例包括但不限于二甲基氨基。C6-C20芳基氨基的实例包括但不限于联苯氨基。取代或未取代的杂环基包括含有一个或多个杂原子如N、O、P和S的脂肪族或芳族环状基团。杂环基的实例包括但不限于噻吩基、吡啶基和呋喃基。C6-C20亚芳基的实例包括但不限于亚苯基和亚联苯基。
在式2中，取代的C1-C20烷基、取代的C5-C10环烷基、取代的C2-C20链烯基、取代的C6-C20芳基、取代的C1-C20烷氧基、取代的C6-C20芳氧基、取代的C1-C20烷基氨基、取代的C6-C20芳基氨基、取代的C2-C20杂环基、以及C6-C20的亚芳基可以是被一个或多个取代基取代，所述取代基选自卤原子、羟基、硝基、氰基、氨基、脒基、肼、腙、羧基或其盐、磺酸或其盐、磷酸或其盐、C1-C30的烷基、C1-C30的链烯基、C1-C30的炔基、C6-C30的芳基、C7-C30的芳烷基、C2-C20的杂芳基、或C3-C30的杂芳烷基。
在式2中，a和b分别独立地表示0、1、2、3、4或5的整数。c、d、e和f分别独立地表示1、2、3或4的整数。在式2中，R1-R6所示的多个基团可以相同或互不相同。在一些实施方案中，R1-R6的一个或多个可以通过连接到两个或多个苯环上形成环。在一种实施方案中，L表示式2的两个蒽基之间直接连接(没有原子)。在其它的实施方案中，L表示-O-、-S-、-N(R’)-或C6-C20的亚芳基，其中R’是C1-C10的烷基或C6-C20的芳基。
在一种实施方案中，如式2所示的化合物可以是下式5所示的化合物或式6所示的化合物：
                         式5
                         式6
Figure A20061010546600202
作为基质材料，基于萘基蒽的化合物与基于联蒽的化合物可以按重量比为约10∶90至约90∶10来混合，任选地约75∶25至约25∶75。
在发光层中，许多本领域已知的不同掺杂物可以与上述的基质材料结合。单独一种掺杂物可以单独用于发光层。作为选择，两种或多种掺杂物可以同时用于一层发光层中。根据实施方案，掺杂剂可以是但不限于一种或多种下式8所示的化合物：
                         式8
在式8中，R1、R2、R5和R6分别独立地是取代或未取代的C6-C20的芳基；其中R3和R4分别独立地是取代或未取代的C6-C20亚芳基。取代或未取代的C6-C20芳基可以单独使用或与包括至少一个环的芳族碳环系统相结合，其中所述的环可以是彼此互为侧链或稠合的。芳基的实例包括但不限于苯基、萘基和四氢萘基。C6-C20亚芳基的实例包括但不限于亚苯基和亚联苯基。
取代的C6-C20芳基以及取代的C6-C20的亚芳基可以被一个或多个取代基取代，所述取代基选自卤原子、羟基、硝基、氰基、氨基、脒基、肼、腙、羧基或其盐、磺酸或其盐、磷酸或其盐、C1-C30的烷基、C1-C30的链烯基、C1-C30的炔基、C6-C30的芳基、C7-C30的芳烷基、C2-C20的杂芳基、或C3-C30的杂芳烷基。
在某些实施方案中，掺杂物可以是一种或多种式8所示的化合物，其中R1、R2、R5和R6是苯基，R3和R4是亚苯基；式8所示的化合物，其中R1和R5是苯基，R2和R6是萘基，和R3和R4是亚苯基；或式8所示的化合物，其中R1和R5是萘基，R2和R6是苯基，以及R3和R4是亚萘基。
根据一个实施方案的发光层可以包括式3所示的化合物和式5所示的化合物作为基质材料。在一种实施方案中，式3所示的化合物和式5所示的化合物的重量比约在75∶25到约25∶75之间。在此实施方案中，掺杂物可以是下式7所示的化合物。以100重量份基质材料计，掺杂物的量可以是约3到约7重量份。
                         式7
Figure A20061010546600211
现在，参照图1详细描述根据一种实施方案的有机发光装置的制造方法。
首先，在基底上涂覆阳极材料形成第一电极，用作阳极。基底材料可以由防水并易于加工成平面的透明材料形成。所述的材料的实例包括玻璃或透明聚合物。阳极材料可以是高功函的金属(≥-4.5eV)或导电的透明材料，如氧化铟锡(ITO)，氧化铟锌(IZO)，氧化锡(SnO2)，或氧化锌(ZnO)。
阳极上的有机薄层可以是在高真空箱中热蒸发形成的。做为选择，根据有机薄层所用的材料，可以将材料溶解在溶液中并通过旋涂、浸涂、刮涂、喷墨打印或热转移来施加到基质上。
空穴注入层(HIL)材料任选地使用任何合适的方法沉积在阳极上。HIL的厚度在约50到约1500之间。HIL材料的实例包括但不限于铜酞菁(CuPc)和星放射状(starburst)胺，如TCTA(式9)、m-MTDATA(式10)和IDE406(可从Idemitsu公司购得)。
                         式9
Figure A20061010546600221
                         式10
Figure A20061010546600222
空穴传输层(HTL)材料任选地使用任何合适的方法沉积在HIL上。HIL材料的实例包括但不限于N，N’-双(3-甲基苯基)-N，N’-二苯基-[1，1-联苯基]-4，4’-二胺(TPD；式11)；N，N’-二(萘1-基)-N，N’-二苯基联苯胺(NPD；式12)；IDE320(可从Idemitsu公司购得)；和N，N’-二苯基-N，N’-双(1-萘基)-(1，1’-联苯基)-4，4’-二胺(NPB)。HTL的厚度在约50到约1500之间。
                         式11
Figure A20061010546600223
                         式12
Figure A20061010546600224
随后，掺杂物、基于萘基蒽的化合物和基于联蒽的化合物共同在HTL上形成发光层(EML)。EML可以通过包括但不限于真空沉积法、喷墨打印法、激光转移法或照相平版印刷法的方法形成。EML的厚度在约100到约800之间，任选地在约300到约400之间。
当磷光掺杂物用于EML时，任选地通过真空沉积或旋涂在EML上形成空穴阻挡层(HBL)(未给出)。
随后，通过真空沉积或旋涂在EML上形成电子传输层(ETL)。ETL可以由三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)形成。ETL的厚度在约50到约600之间。
电子注入层(EIL)可以任选地沉积在ETL上。EIL可以由LiF、NaCl、CsF、Li2O、BaO或Liq(式13)形成。EIL的厚度在约1到约100之间。
                         式13
然后，用真空热沉积、溅射等方法将阴极金属沉积在EIL上，由此形成第二电极，用作阴极。阴极可以由Li、Mg、Al、Al-Li、Ca、Mg-In或Mg-Ag形成。
在某些实施方案中，在选自阳极、HIL、HTL、EML、ETL、EIL和阴极的两个层之间，进一步设置一个或两个中间层。另外，有机发光装置可以还包括电子阻挡层。
本发明的另一方面提供一种包含上述有机发光装置的电子器件。在一种实施方案中，电子器件包括许多像素，每一个都包括一个像素激励电路和上述的有机发光装置。电子器件可以包括但不限于消费电子产品、电子电路、电子电路元件、消费电子产品零件、电子测试装置等。消费电子产品可以包括但不限于手机、电话、电视、电脑监视器、电脑、手提电脑、个人数字助手(PDA)、微波炉、冰箱、立体音响系统、盒式磁带录音机或播放机、DVD播放机、CD播放机、VCR、MP3播放机、收音机、可携式摄像机、照相机、数码相机、移动存储条、洗衣机、干衣机、洗/干衣机、复印机、传真机、扫描仪、多功能外围设备、腕表、钟等等。此外，电子器件可以包括未完成的产品。
本发明将参照以下的实施例做进一步详细描述。这些实施例只是出于说明性的目的，而并非对本发明的范围进行限定。
实施例1
将15Ω/cm2(1200)的ITO玻璃基底(可从Coming公司购得)切成50mm×50mm×0.7mm的尺寸。玻璃基底用超声波在异丙醇中清洗5分钟，用超声波在纯水中清洗5分钟，用紫外(UV)线清洁30分钟，之后用臭氧清洁。
将N，N’-二(1-萘基)-N，N’-二苯基联苯胺(NPD)在玻璃基底上真空沉积形成HTL，厚度为600。
将75重量份式3所示的化合物和25重量份式5所示的化合物组成的基质以及5重量份式7所示的化合物作为掺杂物真空沉积形成EML，厚度为约400。
将作为电子传输材料的Alq3在EML上沉积形成ETI，厚度为约300。
将LiF在ETL上真空沉积形成EIL，厚度为10，之后将Al在EIL上真空沉积形成阴极，厚度为1000。由此，形成了LiF/Al电极，从而有机发光装置的制造完成了。
实施例2
除了用含量分别为50重量份和50重量份的式3所示的化合物和式5所示的化合物形成EML之外，按照与实施例1相同的方式制造有机发光装置。
实施例3
除了分别用25重量份式3所示的化合物和75重量份式5所示的化合物形成EML之外，按照与实施例1相同的方式制造有机发光装置。
实施例4
除了用式4所示的化合物代替式3所示的化合物形成EML层之外，按照与实施例1相同的方式制造有机发光装置。
实施例5
除了用式6所示的化合物代替式5所示的化合物形成EML层之外，按照与实施例1相同的方式制造有机发光装置。
实施例6
除了用式4所示的化合物代替式3所示的化合物，用式6所示的化合物代替式5所示的化合物形成EML层之外，按照与实施例1相同的方式制造有机发光装置。
对比例1
除了用式3所示的化合物作为基质材料和用式7所示的化合物作为掺杂物形成EML之外，按照与实施例1相同的方式制造有机发光装置。
对比例2
除了用式5所示的化合物作为基质材料和式7所示的化合物作为掺杂物形成EML之外，按照与实施例1相同的方式制造有机发光装置。
实施例7
测量根据实施例1-6和对比例1-2所制备的有机发光装置的色彩性能、效率和寿命性能。结果如下面的表1所示。色彩性能是用分光计测量的。效率是用亮度和电流值测量的。寿命是用恒定电流在2000cd/m2亮度下测量的。
表1
  色彩坐标(x，y)   效率(cd/A)   寿命(hr)
  实施例1   (0.14，0.150)   5.3   1100
  实施例2   (0.14，0.145)   5.3   1000
  实施例3   (0.14，0.143)   5.3   1000
  实施例4   (0.14，0.150)   5.3   1100
  实施例5   (0.14，0.142)   5.4   900
  实施例6   (0.14，0.140)   5.3   900
  比较例1   (0.14，0.158)   5.3   800
  比较例2   (0.14，0.147)   5.0   400
参照表1，与根据比较例1所制备的有机发光装置相比，根据实施例1-3制备的有机发光装置改善了色彩性能和寿命性能，并且效率相同。另一方面，与根据比较例2所制备的有机发光装置相比，根据实施例1-3制备的有机发光装置改善了寿命性能和效率。
根据比较例1制备的有机发光装置表现出好的寿命性能和效率，但色彩性能差。根据比较例2制备的有机发光装置表现出好的色彩性能，但效率低，寿命短。
根据实施例4-6制备的有机发光装置表现出与实施例1-3制备的有机发光装置相似的色彩性能，寿命和效率。
附加的实施例
除了用基于萘基蒽的化合物代替式3所示的化合物和用基于联蒽的化合物代替式5所示的化合物之外，按照与实施例1相同的方式制造有机发光装置。该基于萘基蒽的化合物是本申请及美国专利US5,935,721所公开的基于萘基蒽的化合物中的任意一种，此篇美国专利的公开内容在此引入作为参考。该基于联蒽的化合物是本申请中所公开的基于联蒽的化合物中的任意一种，包括式5所示的化合物。每个得到的有机发光装置按照与实施例7相同的方式检测色彩性能、效率和寿命性能。
根据上述实施方案的有机发光装置中的发光层包括基于萘基蒽的化合物和基于联蒽的化合物组成的基质以及掺杂物。因此，注入发光层的电荷被捕获，所以有机发光装置的稳定性增强了。因此，有机发光装置表现出长的寿命、优异的色彩性能和高效率。
本发明已经用其典型的实施方案作了详细的公开和描述，本领域的普通技术人员能够理解，在不违背本发明后面的权利要求所限定的精神和范围的情况下，可以对本发明进行形式和细节上的各种改变。

Claims (24)

1.一种有机发光装置，包括：
第一电极；
第二电极；以及
插在第一电极和第二电极之间的发光层，发光层包括基质和掺杂物，基质包括基于萘基蒽的化合物和基于联蒽的化合物。
2.根据权利要求1的装置，其中基于萘基蒽的化合物用式1-1表示：
式1-1
Figure A2006101054660002C1
其中R选自氢、取代或未取代的C1-C20烷基、取代或未取代的C1-C20烷氧基、取代或未取代的C6-C20芳基、取代或未取代的C6-C20芳氧基以及取代或未取代的C2-C20杂芳基；
其中x选自取代的或未取代的萘基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的萘基苯基、和取代或未取代的蒽基苯基。
3.根据权利要求2的装置，其中基于联蒽的化合物用式2来表示：
式2
其中R1到R6中每一个独立地选自氢、取代或未取代的C1-C20烷基、取代或未取代的C5-C10环烷基、取代或未取代的C2-C20链烯基、取代或未取代的C6-C20芳基、取代或未取代的C1-C20烷氧基、取代或未取代的C6-C20芳氧基、取代或未取代的C1-C20烷基氨基、取代或未取代的C6-C20芳基氨基、以及取代或未取代的C2-C20杂环基，其中R1到R6中的一个或多个可以通过连接到两个或多个苯环上形成环；
其中a和b分别独立地表示整数0、1、2、3、4或5；
其中c，d，e和f分别独立地表示整数1、2、3或4；以及
其中L选自没有原子、-O-、-S-、-N(R’)-、C6-C20的亚芳基和C6-C20的芳基，R’是C1-C10的烷基。
4.根据权利要求2的装置，其中式1-1所表示的化合物是式3或式4所表示的化合物：
式3
式4
5.根据权利要求1的装置，其中基于联蒽的化合物用式2来表示：
式2
Figure A2006101054660003C3
其中R1到R6中每一个独立地选自氢、取代或未取代的C1-C20烷基、取代或未取代的C5-C10环烷基、取代或未取代的C2-C20链烯基、取代或未取代的C6-C20芳基、取代或未取代的C1-C20烷氧基、取代或未取代的C6-C20芳氧基、取代或未取代的C1-C20烷基氨基、取代或未取代的C6-C20芳基氨基以及取代或未取代的C2-C20杂环基，其中R1到R6中的一个或多个可以通过连接到两个或多个苯环上形成环；
其中a和b分别独立地表示整数0、1、2、3、4或5；
其中c，d，e和f分别独立地表示整数1、2、3或4；以及
其中L选自没有原子、-O-、-S-、-N(R’)-、C6-C20的亚芳基和C6-C20的芳基，R’是C1-C10的烷基。
6.根据权利要求5的装置，其中式2所表示的化合物是式5或式6所表示的化合物：
式5
Figure A2006101054660004C1
式6
7.根据权利要求1的装置，其中掺杂物包含蓝光发光材料。
8.根据权利要求1的装置，其中掺杂物包含式8所示的化合物：
式8
其中R1、R2、R5和R6分别独立地是取代或未取代的C6-C20的芳基；以及
其中R3和R4分别独立地是取代或未取代的C6-C20的亚芳基。
9.根据权利要求8的装置，其中掺杂物是选自式8所示的化合物，其中R1、R2、R5和R6分别是苯基，R3和R4分别是亚苯基；式8所示的化合物，其中R1和R5分别是苯基，R2和R6分别是萘基，以R3和R4分别是亚苯基；式8所示的化合物，其中R1和R5分别是萘基，R2和R6分别是苯基，以及R3和R4分别是亚萘基。
10.根据权利要求8的装置，其中掺杂物包括式7所示的化合物：
式7
Figure A2006101054660005C1
11.根据权利要求1的装置，其中基于萘基蒽的化合物与基于联蒽的化合物的重量比为约10∶90至约90∶10。
12.根据权利要求11的装置，其中重量比是约25∶75至约75∶25。
13.根据权利要求1的装置，其中基于100重量份基质材料计，掺杂物的量是约3到7重量份。
14.根据权利要求1的装置，其中发光层包括式3所示的化合物和式5所示的化合物：
式3
Figure A2006101054660005C2
式5
Figure A2006101054660005C3
15.根据权利要求14的装置，其中式3所示的化合物与式5所示的化合物的重量比为约75∶25至约25∶75。
16.根据权利要求14的装置，其中发光层还包括式7所示的掺杂物：
式7
17.根据权利要求16的装置，其中基于100重量份基质材料计，掺杂物的量是约3到约7重量份。
18.根据权利要求1的装置，其中发光层包括式3所示的化合物和式6所示的化合物：
式3
Figure A2006101054660006C2
式6
Figure A2006101054660006C3
19.根据权利要求18的装置，其中发光层还包括式7所示的掺杂物：
式7
20.根据权利要求1的装置，其中发光层包括式4所示的化合物和式5所示的化合物：
式4
式5
21.根据权利要求20的装置，其中发光层还包括式7所示的掺杂物：
式7
22.根据权利要求1的装置，其中发光层包括式4所示的化合物和式6所示的化合物：
式4
Figure A2006101054660007C4
式6
Figure A2006101054660008C1
23.根据权利要求22的装置，其中发光层还包括式7所示的掺杂物：
式7
Figure A2006101054660008C2
24.一种包括权利要求1的有机发光装置的电子器件。
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