CN1816239A - 具有包括镁-钙层的阴极的有机发光装置及其制造方法 - Google Patents
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- CN1816239A CN1816239A CNA2005101257447A CN200510125744A CN1816239A CN 1816239 A CN1816239 A CN 1816239A CN A2005101257447 A CNA2005101257447 A CN A2005101257447A CN 200510125744 A CN200510125744 A CN 200510125744A CN 1816239 A CN1816239 A CN 1816239A
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- ZFXVRMSLJDYJCH-UHFFFAOYSA-N calcium magnesium Chemical compound [Mg].[Ca] ZFXVRMSLJDYJCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 32
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 282
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims abstract description 31
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims abstract description 20
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 55
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 44
- 239000011575 calcium Substances 0.000 claims description 37
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 34
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 claims description 17
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 12
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 8
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 7
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 5
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- AWXGSYPUMWKTBR-UHFFFAOYSA-N 4-carbazol-9-yl-n,n-bis(4-carbazol-9-ylphenyl)aniline Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(N(C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 AWXGSYPUMWKTBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 101000837344 Homo sapiens T-cell leukemia translocation-altered gene protein Proteins 0.000 claims description 3
- 102100028692 T-cell leukemia translocation-altered gene protein Human genes 0.000 claims description 3
- GMEQIEASMOFEOC-UHFFFAOYSA-N 4-[3,5-bis[4-(4-methoxy-n-(4-methoxyphenyl)anilino)phenyl]phenyl]-n,n-bis(4-methoxyphenyl)aniline Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C=1C=C(C=C(C=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(OC)=CC=1)C=1C=CC(OC)=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(OC)=CC=1)C=1C=CC(OC)=CC=1)C1=CC=C(OC)C=C1 GMEQIEASMOFEOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 6
- IYZMXHQDXZKNCY-UHFFFAOYSA-N 1-n,1-n-diphenyl-4-n,4-n-bis[4-(n-phenylanilino)phenyl]benzene-1,4-diamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 IYZMXHQDXZKNCY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 16
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 29
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 26
- 229910019015 Mg-Ag Inorganic materials 0.000 description 20
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 18
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 description 15
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 15
- -1 TNATA Chemical compound 0.000 description 9
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 6
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 6
- LOIBXBUXWRVJCF-UHFFFAOYSA-N 4-(4-aminophenyl)-3-phenylaniline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N)C=C1C1=CC=CC=C1 LOIBXBUXWRVJCF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical group C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UHXOHPVVEHBKKT-UHFFFAOYSA-N 1-(2,2-diphenylethenyl)-4-[4-(2,2-diphenylethenyl)phenyl]benzene Chemical compound C=1C=C(C=2C=CC(C=C(C=3C=CC=CC=3)C=3C=CC=CC=3)=CC=2)C=CC=1C=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 UHXOHPVVEHBKKT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N acetylacetonate Chemical compound CC(=O)[CH-]C(C)=O CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000002490 anilino group Chemical group [H]N(*)C1=C([H])C([H])=C([H])C([H])=C1[H] 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 3
- 238000013518 transcription Methods 0.000 description 3
- 230000035897 transcription Effects 0.000 description 3
- ZMLPKJYZRQZLDA-UHFFFAOYSA-N 1-(2-phenylethenyl)-4-[4-(2-phenylethenyl)phenyl]benzene Chemical group C=1C=CC=CC=1C=CC(C=C1)=CC=C1C(C=C1)=CC=C1C=CC1=CC=CC=C1 ZMLPKJYZRQZLDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Natural products C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- NCMAYWHYXSWFGB-UHFFFAOYSA-N [Si].[N+][O-] Chemical compound [Si].[N+][O-] NCMAYWHYXSWFGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002679 ablation Methods 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 150000001492 aromatic hydrocarbon derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 150000001555 benzenes Chemical class 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000000313 electron-beam-induced deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002641 lithium Chemical class 0.000 description 1
- SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N magnesium silver Chemical compound [Mg].[Ag] SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
- H10K50/828—Transparent cathodes, e.g. comprising thin metal layers
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/26—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
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- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24942—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including components having same physical characteristic in differing degree
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
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- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
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Abstract
本发明公开了一种有机发光装置及其制造方法。该有机发光装置包括阳极和包括镁-钙层的阴极。至少具有有机发射层的有机层置于阳极和阴极之间。有机发光层由于良好的电子注入特性可具有降低的驱动电压特性、提高的发光效率和提高的寿命特性,而无需形成单独的分子注入层。
Description
技术领域
本发明涉及一种具有包括镁-钙层的阴极的有机发光装置及其制造方法。
背景技术
通常,有机发光装置包括阳极、位于阳极上的有机发射层和位于有机发射层上的阴极。当在阳极和阴极之间施加电压时,空穴从阴极注入到有机发射层,电子从阴极注入到有机发射层。注入到有机发射层的空穴和电子在有机发射层内结合以产生激子,然后激子从激发态转变成基态而发光。
这里,为了容易地将电子注入到有机发射层,阴极应当具有低功函。满足这个条件的材料是功函为3.46eV的镁。然而,由于镁与外部的氧气或水分反应,所以镁不能用于形成稳定的有机发光装置。
为了解决这个问题,第4,885,221号美国专利通过形成具有镁-银(Mg-Ag)合金的阴极而采用具有高环境稳定性的阴极。结果,获得具有良好使用寿命特性的有机发光装置是可能的。然而,由于Ag的功函4.28eV较高,所以与镁阴极相比,镁-银合金阴极会具有较差的电子注入特性。
在第5,776,622号美国专利中,在电子传输层(Alq)上沉积氟化锂(LiF)层,在LiF层上沉积Mg-Ag层,从而形成LiF/Mg-Ag的双层电极。当与包含Mg-Ag的单层阴极相比时,LiF/Mg-Ag的双层阴极可具有提高的电子注入特性。
然而,当形成单独的层以提高阴极的电子注入特性时,会增加制造成本并会减少产量。
发明内容
本发明提供了一种具有提高的电子注入特性的阴极而不需要单独的电子注入层的有机发光装置。
本发明的另外的特点,将在以下的描述中部分地进行阐明,另外的部分通过描述是显而易见的,或部分地可以通过实施本发明而了解。
本发明公开了一种有机发光装置,其包括阳极和包括镁-钙层的阴极。至少包括有机发射层的有机层置于阳极和阴极之间。
本发明还公开了一种有机发光装置,其包括阳极、镁-钙层的光透射阴极以及有机层,该有机层置于阳极和阴极之间并至少具有发光层。
本发明还公开了一种用于制造有机发光装置的方法,该方法包括在基板上形成阳极、在阳极上形成至少包括有机发射层的有机层、在有机层上形成包括镁-钙层的阴极。
将会明白,上面的一般描述和下面的详细描述是示例性的,而且示例旨在对所要求的本发明提供进一步的解释。
附图说明
附图示出了本发明的实施例,并结合描述用来解释本发明的原理,其中,附图用来提供对本发明的进一步理解,并包含在部分该说明书内且组成部分该说明书。
图1是根据本发明示例性实施例的有机发光装置的剖面图。
图2是根据例子1和对比例1的红色有机发光装置的加速寿命特性的曲线图。
图3是根据例子2与对比例2和对比例3的绿色有机发光装置的加速寿命特性的曲线图。
图4A是根据例子5与对比例4和对比例5的蓝色有机发光装置的加速寿命特性的曲线图。
图4B是根据例子3至例子6与对比例5的蓝色有机发光装置的加速寿命特性的曲线图。
图5是根据例子10、例子11、例子12、例子13和例子14的镁-钙层和镁-钙层/覆盖层(capping layer)的双层的透射率作为其波长函数的曲线图。
图6是根据例子10、例子11、例子12、例子13和例子14的镁-钙层和镁-钙层/覆盖层的双层的反射率作为其波长函数的曲线图。
具体实施方式
以下,参照附图来更充分地描述本发明,其中示出了本发明的实施例。然而,本发明可以以许多不同的形式实施,不应局限于这里提到的实施例来构建本发明。当然,提供这些实施例为使本公开彻底,并将本发明的范围充分地传达给本领域的技术人员。在图中,为清晰起见,夸大了层和区域的尺寸及相对尺寸。
应该明白,当元件例如层、膜、区域或基板被称作在另一元件“上”时,该元件可直接在另一元件上,或者也可存在中间元件。相反,当元件被称作“直接在”另一元件“上”时,并不存在中间元件。
本发明涉及一种有机发光装置,其无需形成单独的电子注入层,而实现了驱动电压的降低、发光效率的提高和寿命特性的提高。该有机发光装置采用包括Mg-Ca层的阴极。提高的寿命特性的意思可以是指Mg-Ca层的阴极针对外部水分和氧气具有高的稳定性。
图1是根据本发明示例性实施例的有机发光装置的剖面图。
参照图1,阳极110置于基板100上。基板100可包括与阳极110结合的至少一个薄膜晶体管(未示出)。
阳极110可以是透明电极或反射电极。当阳极110是透明电极时,阳极110可以是铟锡氧化物(ITO)层、铟锌氧化物(IZO)层、锡氧化物(TO)层或锌氧化物(ZO)层。当阳极110是反射电极时,阳极110可以是银(Ag)层、铝(Al)层、镍(Ni)层、铂(Pt)层、钯(Pd)层或合金层。阳极110也可以是沉积在合金层上的透射性氧化层,例如ITO、IZO和ZnO。可以通过诸如溅射和蒸发的气相沉积法、离子束沉积、电子束沉积或激光消熔(ablation)来形成阳极110。
空穴注入层(HIL)120或空穴传输层(HTL)130可以放置在阳极110上。空穴注入层120促进空穴注入到将在随后描述的发射层。空穴注入层120可采用低分子材料或者聚合物材料形成,该低分子材料例如为酞菁铜(CuPc)、TNATA、TCTA、TDAB和TDATA,该聚合物材料例如为聚苯胺(PANI)和聚(3,4)-乙烯二氧基噻吩(PEDOT)。空穴传输层130促进空穴向发射层的传输,该发射层可采用低分子量材料或诸如PVK的聚合物材料形成,该低分子量材料例如为α-NPB(N,N′-双(萘-1-基)-N,N′-双(苯基)联苯胺)、TPD(N,N′-双-(3-甲基苯基)-N,N′-双-(苯基)-联苯胺)、s-TAD和MTDATA(4,4′,4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基-氨基)-三苯胺)。可以通过气相沉积、旋涂、喷墨印刷或激光转写来形成空穴注入层120和空穴传输层130。
有机发射层140可置于空穴传输层130上。有机发射层140可以是磷光体发射层或荧光体发射层。例如,当有机发射层140是荧光体发射层时,有机发射层140可包含二苯乙烯基芳香烃(DSA:distyrylarylene)、二苯乙烯基芳香烃衍生物、二苯乙烯基苯(DSB)、二苯乙烯基苯衍生物、DPVBi(4,4′-双(2,2′-二苯基乙烯基)-1,1′-联苯)、DPVBi衍生物、螺环-DPVBi和螺环-六苯基(Spiro-sexiphenyl)。有机发射层140还可包括含有苯乙烯胺基、苯撑基和二苯乙烯基联苯(DSBP)基的材料的掺杂剂。
另一方面,当有机发射层140是磷光体发射层时,有机发射层140可包含作为主体材料的芳香胺基、咔唑基和螺环基的材料,但并不限于此。主体材料可包含CBP(4,4-N,N二咔唑-联苯)、CBP衍生物、mCP(N,N-二咔唑基-3,5-苯)、mCP衍生物和螺环基衍生物。此外,有机发射层140可包含作为掺杂剂材料的磷光体有机金属络合物,该磷光体有机金属络合物具有包括Ir、Pt、Tb和Eu的一个中心金属。另外,磷光体有机金属络合物可包括PQIr、PQIr(acac)、PQ2Ir(acac)、PIQIr(acac)和PtOEP。
对于全彩有机发光装置,可通过采用高分辨率掩模例如精练纯金属掩模的真空沉积、喷墨印刷或激光转写来形成有机发射层140。
空穴阻挡层(HBL)150可置于有机发射层140上。然而,当有机发射层140是荧光体发射层时,可省略空穴阻挡层150。空穴阻挡层150抑制驱动有机发光装置时产生的激子的扩散。空穴阻挡层150可包括Balq、BCP、CF-X、TAZ或螺环-TAZ。
电子传输层(ETL)160和电子注入层(EIL)170可置于空穴阻挡层150上。电子传输层160促进电子向有机发射层140的传输。电子传输层160可包含诸如PBD、TAZ和螺环-PBD的聚合物材料,或诸如Alq3、Balq和Salq的低分子量材料。电子注入层170促进电子向有机发射层140的注入。电子注入层170可包含Alq3(tris(8-quinolinolato)aluminum:三(8-喹啉酸基)铝)、LiF(氟化锂)、Ga络合物或PBD。然而,可省略电子注入层170。同时,可通过真空沉积、旋涂、喷墨印刷或激光转写来形成电子传输层160和电子注入层170。
空穴注入层120、空穴传输层130、有机发射层140、空穴阻挡层150、电子传输层160和电子注入层170组成有机层A。
包括镁-钙(Mg-Ca)层的阴极180置于电子注入层170上。结果,包括有机发射层140的有机层A置于阳极110和阴极180之间。由于包括镁-钙层的阴极180具有良好的电子注入特性,所以即使不形成电子注入层170,即阴极180和电子传输层160彼此接触时,包括镁-钙层的有机发光装置也具有低驱动电压特性和高发光效率特性。因此,可降低制造成本,并增加制造有机发光装置的产量。
此外,阴极180包含原子比为大约1∶(1/3)至大约1∶3的Mg和Ca。例如,阴极180可包含原子比为大约1∶1的Mg和Ca结果,阴极180具有适当的片电阻(sheet resistance)。因此,当运行有机发光装置时,可抑制由于阴极180的片电阻引起的压(IR)降。
阴极180可以是光透射阴极。阴极180的厚度为大约400或更薄以使光透射。此外,鉴于形成具有均匀性和片电阻的层,阴极180的厚度可以为大约100。通常,阴极180的厚度为大约200至大约300。
覆盖层190可设置在阴极180的表面上,该表面与阴极180与有机层A相邻的表面相对。覆盖层190可以是有机层、无机层或有机层和无机层的多层。无机层可以是硅氧化物(SiO2)层、硅氮化物(SiNx)层或硅氮氧化物(SiOxNy)层,该无机层是绝缘层。此外,无机层可以是ITO层、IZO层、TO层或ZnO层,该无机层是透明的导电层。此外,无机层可以是LiF层。有机层包括NPB(N,N′-双9萘-1-基)-N,N′-双(苯基)联苯胺)、TNATA、TCTA、TDAPB、TDATA、Alq3、Balq或CBP。可通过蒸发或溅射来形成覆盖层190。覆盖层190保护有机层A免于水分或氧气以防止装置的劣化。
当阴极180是光透射阴极时,覆盖层190可以是透明的覆盖层。此外,覆盖层190比阴极180的折射率高。结果,当从有机发光层140发射的光通过阴极180传递到外部时,可通过减少在阴极180和覆盖层90之间的界面的总反射来提高透光率。此外,覆盖层190的折射率可为大约1.3至大约2.3。
现在将描述本发明的例子。然而,本发明并不限于以下的例子。
包括Mg-Ca层的阴极的红色有机发光装置的特性
例子1
(1)红色有机发光装置的制造
在包含ITO的基板上形成面积为2mm×2mm的阳极,用超声波净化该阳极并用UV-O3处理。在UV-O3处理过的阳极上真空沉积厚度为大约300的4,4′,4″-三(N,N-二苯基-氨基)-三苯氨基(TDATA),从而形成空穴注入层。在空穴注入层上真空沉积厚度为大约300的α-NPB(N,N′-双(萘-1-基)-N,N′-双(苯基)联苯胺),从而形成空穴传输层。在空穴传输层上共沉积100份CBP和14份PQ3Ir以形成400厚的红色发射层。在发射层上沉积厚度为大约50的Balq3,并在发射层上沉积厚度为大约250的Alq3,从而形成电子传输层。在电子传输层上共沉积Mg和Ca以形成原子比为1∶1的200厚的Mg-Ca层,从而形成了阴极。结果,形成了红色有机发光装置。
(2)驱动电压和发光效率的测定
在对阳极施加正电压并使阴极接地时,采用光度计测定有机发光装置的亮度。当亮度为大约600cd/m2时,有机发光装置的驱动电压为大约5.5V。此外,发光效率为大约8.87cd/A。
(3)加速寿命的测定
如图2中所示,在运行有机发光装置直到初始亮度达到3000cd/cm2后,记录作为时间的函数的亮度的降低。初始亮度是在驱动电压下测定的亮度(600cd/m2)的大约5倍。通常,如果初始亮度是100%,则随着时间的流逝测定寿命直到亮度减少到初始亮度的50%。
(4)彩色坐标的测定
采用彩色分析仪测定有机发光装置的彩色坐标。结果,获得了(0.676,0.322)的彩色坐标。
对比例1
(1)红色有机发光装置的制造
除了共沉积Mg和Ag以形成原子比为10∶1的100厚的Mg-Ag层,从而形成阴极之外,用与例子1相同的方法来制造有机发光装置。
(2)特性的评定
用与例子1相同的方法来测定特性。结果,驱动电压为大约6.2V,亮度为600cd/m2,发光效率为7.8cd/A,彩色坐标为(0.687,0.312),加速寿命特性如图2中所示。
表1中示出了根据例子1和对比例1的红色有机发光装置的特性,图2中示出了加速寿命特性。
表1
条件 | 驱动电压(V) | 亮度(cd/m2) | 发光效率(cd/A) | 彩色坐标(CIE_x,CIE_y) | ||
EIL | 阴极 | |||||
例子1 | - | Mg∶Ca(1∶1),200 | 5.5 | 600 | 8.87 | (0.676,0.322) |
对比例1 | - | Mg∶Ag(10∶1),100 | 6.2 | 600 | 7.8 | (0.687,0.312) |
参照表1和图2,当与对比例1相比时,例子1的有机发光装置的驱动电压下降、发光效率提高并且寿命增加。然而,彩色坐标没有明显差异。因此,当与采用Mg-Ag层作为阴极的有机发光装置相比时,改善了采用Mg-Ca层作为阴极的有机发光装置的驱动电压特性、发光效率特性和寿命特性。
包括Mg-Ca层的阴极的绿色有机发光装置的特性
例子2
(1)绿色有机发光装置的制造
在包含ITO的基板上形成面积为2mm×2mm的阳极,用超声波净化该阳极并用UV-O3处理。在UV-O3处理过的阳极上真空沉积厚度为大约200的4,4′,4″-三(N,N-二苯基-氨基)-三苯氨基(TDATA),从而形成空穴注入层。在空穴注入层上真空沉积厚度为大约50的α-NPB(N,N′-双(萘-1-基)-N,N′-双(苯基)联苯胺),从而形成空穴传输层。在空穴传输层上共沉积100份CBP和6份Ir(ppy)3以形成400厚的绿色发射层。在发射层上沉积厚度为大约50的Balq3,并在发射层上沉积厚度为大约250的Alq3,从而形成电子传输层。在电子传输层上共沉积Mg和Ca以形成原子比为1∶1的200厚的Mg-Ca层,从而形成了阴极。结果,形成了绿色有机发光装置。
(2)驱动电压和发光效率的测定
在对阳极施加正电压并使阴极接地时,采用光度计测定有机发光装置的亮度。当亮度为大约1300cd/m2时,有机发光装置的驱动电压为大约4.3V。此外,发光效率为大约66cd/A。
(3)加速寿命的测定
如图3中所示,在运行有机发光装置直到初始亮度达到6500cd/cm2后,记录作为时间的函数的亮度的减少。初始亮度是在驱动电压下测定的亮度(1300cd/m2)的大约5倍。
(4)彩色坐标的测定
采用彩色分析仪测定有机发光装置的彩色坐标。结果,获得了(0.303,0.649)的彩色坐标。
对比例2
(1)绿色有机发光装置的制造
除了共沉积Mg和Ag以形成原子比为10∶1的100厚的Mg-Ag层,从而形成阴极之外,用与例子2相同的方法来制造有机发光装置。
(2)特性的评定
用与例子2相同的方法来测定特性。结果,驱动电压为大约5.2V,亮度为1300cd/m2,发光效率为55cd/A,彩色坐标为(0.275,0.678),加速寿命特性如图3中所示。
对比例3
(1)绿色有机发光装置的制造
除了在电子传输层上真空沉积10厚的LiF以形成电子注入层(EIL),并在电子注入层上共沉积100厚的Mg和Ag以形成原子比为10∶1的Mg-Ag层,从而形成阴极之外,用与例子2相同的方法来制造有机发光装置。
(2)特性的评定
用与例子2相同的方法来测定特性。结果,驱动电压为大约4.2V,亮度为1300cd/m2,发光效率为66cd/A,彩色坐标为(0.264,0.683),加速寿命特性如图3中所示。
表2中示出了根据例子2、对比例2和对比例3的绿色有机发光装置的特性,图3中示出了加速寿命特性。
表2
条件 | 驱动电压(V) | 亮度(cd/m2) | 发光效率(cd/A) | 彩色坐标(CIE_x,CIE_y) | ||
EIL | 阴极 | |||||
例子2 | - | Mg∶Ca(1∶1),200 | 4.3 | 1300 | 66 | (0.303,0.649) |
对比例2 | - | Mg∶Ag(10∶1),100 | 5.2 | 1300 | 55 | (0.275,0.678) |
对比例3 | LiF,10 | Mg∶Ag(10∶1),100 | 4.2 | 1300 | 66 | (0.264,0.683) |
参照表2和图3,当与对比例2相比时,例子2的有机发光装置的驱动电压降低、发光效率提高并且寿命增加。然而,彩色坐标特性略微下降。因此,当与采用Mg-Ag层作为阴极的绿色有机发光装置相比时,采用Mg-Ca层作为阴极的绿色有机发光装置改善了驱动电压特性、发光效率特性和寿命特性。
另一方面,当与对比例3相比时,例子2的有机发光装置的驱动电压、发光效率和寿命没有明显差异。因此,采用Mg-Ca层作为阴极的有机发光装置的特性与采用Mg-Ag层作为阴极和采用LiF作为电子注入层的有机发光装置的特性基本相等。从而,当采用Mg-Ca层作为阴极时,可省略电子注入层。
包括Mg-Ca层的阴极的蓝色有机发光装置的特性
例子3
(1)蓝色有机发光装置的制造
在包含ITO的基板上形成面积为2mm×2mm的阳极,用超声波净化该阳极并用UV-O3处理。在UV-O3处理过的阳极上真空沉积厚度为大约200的4,4′,4″-三(N,N-二苯基-氨基)-三苯氨基(TDATA),从而形成空穴注入层。在空穴注入层上真空沉积厚度为大约50的α-NPB(N,N′-双(萘-1-基)-N,N′-双(苯基)联苯胺),从而形成空穴传输层。在空穴传输层上真空沉积DPVBi以形成150厚的蓝色发射层。在发射层上真空沉积厚度为大约250的Alq3以形成电子传输层。在电子传输层上共沉积Mg和Ca以形成原子比为1∶1的160厚的Mg-Ca层,从而形成了阴极。结果,形成了蓝色有机发光装置。
(2)驱动电压和发光效率的测定
在对阳极施加正电压并使阴极接地时,采用光度计测定有机发光装置的亮度。当亮度为大约452cd/m2时,有机发光装置的驱动电压为大约5.0V。此外,发光效率为大约5.07cd/A。
(3)加速寿命的测定
如图4B中所示,在运行有机发光装置直到初始亮度达到2000cd/cm2后,记录作为时间的函数的亮度的减少。初始亮度是在驱动电压下测定的亮度(452cd/m2)的大约5倍。
(4)彩色坐标的测定
采用彩色分析仪测定有机发光装置的彩色坐标。结果,获得了(0.139,0.135)的彩色坐标。
例子4
(1)蓝色有机发光装置的制造
除了共沉积Mg和Ca以形成原子比为1∶1的180厚的Mg-Ca层,从而形成阴极之外,用与例子3相同的方法来制造有机发光装置。
(2)特性的评定
用与例子3相同的方法来测定特性。结果,驱动电压为大约4.9V,亮度为440cd/m2,发光效率为4.81cd/A,彩色坐标为(0.138,0.132),加速寿命特性如图4B中所示。
例子5
(1)蓝色有机发光装置的制造
除了共沉积Mg和Ca以形成原子比为1∶1的200厚的Mg-Ca层,从而形成阴极之外,用与例子3相同的方法来制造有机发光装置。
(2)特性的评定
用与例子3相同的方法来测定特性。结果,驱动电压为大约4.9V,亮度为460cd/m2,发光效率为5.19cd/A,彩色坐标为(0.137,0.137),加速寿命特性如图4A和图4B中所示。
例子6
(1)蓝色有机发光装置的制造
除了共沉积Mg和Ca以形成原子比为1∶1的220厚的Mg-Ca层,从而形成阴极之外,用与例子3相同的方法来制造有机发光装置。
(2)特性的评定
用与例子3相同的方法来测定特性。结果,驱动电压为大约4.9V,亮度为464cd/m2,发光效率为5.26cd/A,彩色坐标为(0.137,0.138),加速寿命特性如图4B中所示。
对比例4
(1)蓝色有机发光装置的制造
除了共沉积Mg和Ag以形成原子比为10∶1的100厚的Mg-Ag层,从而形成阴极之外,用与例子3相同的方法来制造有机发光装置。
(2)特性的评定
用与例子3相同的方法来测定特性。结果,驱动电压为大约5.2V,亮度为300cd/m2,发光效率为1.7cd/A,彩色坐标为(0.140,0.100),加速寿命特性如图4A中所示。
对比例5
(1)蓝色有机发光装置的制造
除了在电子传输层上真空沉积厚度为10的LiF以形成电子注入层,并在电子注入层上共沉积Mg和Ag以形成原子比为10∶1的100厚的Mg-Ag层,从而形成阴极之外,用与例子3相同的方法来制造有机发光装置。
(2)特性的评定
用与例子3相同的方法来测定特性。结果,驱动电压为大约4.4V,亮度为362cd/m2,发光效率为5.02cd/A,彩色坐标为(0.134,0.114),加速寿命特性如图4A和图4B中所示。
表3中示出了例子3、例子4、例子5、例子6、对比例4和对比例5的蓝色有机发光装置的特性,图4A和图4B中示出了加速寿命特性。
表3
条件 | 驱动电压(V) | 亮度(cd/m2) | 发光效率(cd/A) | 彩色坐标(CIE_x,CIE_y) | ||
EIL | 阴极 | |||||
例子3 | - | Mg∶Ca(1∶1),160 | 5.0 | 452 | 5.07 | (0.139,0.135) |
例子4 | - | Mg∶Ca(1∶1),180 | 4.9 | 440 | 4.81 | (0.138,0.132) |
例子5 | - | Mg∶Ca(1∶1),200 | 4.9 | 460 | 5.19 | (0.137,0.137) |
例子6 | - | Mg∶Ca(1∶1),220 | 4.9 | 464 | 5.26 | (0.137,0.138) |
对比例4 | - | Mg∶Ag(10∶1),100 | 5.2 | 300 | 1.70 | (0.140,0.100) |
对比例5 | LiF,10 | Mg∶Ag(10∶1),100 | 4.4 | 362 | 5.02 | (0.134,0.114) |
参照表3与图4A和图4B,当与对比例4相比时,例子3、例子4、例子5和例子6的有机发光装置的驱动电压降低、发光效率提高并且寿命增加,然而,彩色坐标特性略微下降。因此,当与采用Mg-Ag层作为阴极的蓝色有机发光装置相比时,采用Mg-Ca层作为阴极的蓝色有机发光装置改善了驱动电压特性、发光效率特性和寿命特性。具体地讲,在取决于Mg-Ca层的厚度的驱动电压、发光效率、寿命和彩色坐标特性方面没有明显差异。因此,当Mg-Ca层用作阴极时,即使在大尺寸有机发光装置由于取决于厚度偏差的特性没有改变的情况下,也可获得特性的均匀性。
另一方面,当与对比例5相比时,例子3、例子4、例子5和例子6的有机发光装置在驱动电压、发光效率和寿命特性方面没有明显差异。因此,采用Mg-Ca层作为阴极的有机发光装置的特性与采用Mg-Ag层作用阴极和采用LiF电子注入层的有机发光装置的特性基本相同。因此,当Mg-Ca层用作阴极时,可省略电子注入层。
Mg-Ca层的片电阻
例子7
当Mg和Ca的原子比为1∶(1/3)时,在基板上共沉积Mg和Ca以形成原子比为大约3∶1的200厚的Mg-Ca层。形成的Mg-Ca层的片电阻为大约60Ω/m2。
例子8
当Mg和Ca的原子比为1∶1时,除了Mg和Ca的原子比为大约1∶1之外,用与例子7相同的方法来形成Mg-Ca层。形成的Mg-Ca层的片电阻为大约16Ω/m2。
例子9
当Mg和Ca的原子比为1∶3时,除了Mg和Ca的原子比为大约1∶3之外,用与例子7相同的方法来形成Mg-Ca层。形成的Mg-Ca层的片电阻为大约48Ω/m2。
对比例6
Mg-Ag层的片电阻
在基板上共沉积Mg和Ag以形成原子比为大约10∶1的100厚的Mg-Ag层。形成的Mg-Ag层的片电阻为大约23Ω/m2。
表4中示出了例子7、例子8和例子9的Mg-Ca层与对比例6的Mg-Ag层的片电阻。
表4
条件 | 片电阻(Ω/m2) | ||
阴极组成(原子比) | 厚度() | ||
例子7 | Mg∶Ca(3∶1) | 200 | 60 |
例子8 | Mg∶Ca(1∶1) | 200 | 16 |
例子9 | Mg∶Ca(1∶3) | 200 | 48 |
对比例6 | Mg∶Aa(10∶1) | 100 | 23 |
参照表4,当Mg和Ca的原子比为大约1∶(1/3)至大约1∶3时,Mg-Ca层的片电阻为大约60Ω/m2或更低。通常,有机发光装置的阴极的片电阻可为60Ω/m2或更低。因此,阴极包括原子比为大约1∶(1/3)至大约1∶3的Mg和Ca。
此外,当Mg和Ca的原子比为大约1∶1时,Mg-Ca层的片电阻最低。在这种情况下,当与Mg-Ag层的片电阻(23Ω/m2)相比时,Mg-Ca层的片电阻(16Ω/m2)降低至大约70%。
Mg-Ca层的透射率和反射率
例子10
在基板上共沉积Mg和Ca以形成原子比为1∶1的200厚的Mg-Ca层。当改变波长时,测定形成的Mg-Ca层的透射率和反射率。图5和图6中示出了测定结果。光的波长为550nm时,透射率为16.82%,反射率为31.17%。
例子11
在基板上共沉积Mg和Ca以形成原子比为1∶1的200厚的Mg-Ca层,在Mg-Ca层上真空沉积厚度为700的LiF以形成覆盖层,然后当改变波长时,测定Mg-Ca层和覆盖层的透射率和反射率。图5和图6中示出了测定结果。光的波长为550nm时,透射率为48.70%,反射率为39.76%。
例子12
除了在Mg-Ca层上真空沉积厚度为800的LiF以形成覆盖层之外,用与例子11相同的方法来形成Mg-Ca层和覆盖层,然后当改变波长时,测定透射率和反射率。图5和图6中示出了测定结果。光的波长为550nm时,透射率为50.48%,反射率为42.93%。
例子13
除了在Mg-Ca层上真空沉积厚度为900的LiF以形成覆盖层之外,用与例子11相同的方法来形成Mg-Ca层和覆盖层,然后当改变波长时,测定透射率和反射率。图5和图6中示出了测定结果。光的波长为550nm时,透射率为49.27%,反射率为43.50%。
例子14
除了在Mg-Ca层上真空沉积厚度为大约600的NPB以形成覆盖层之外,用与例子11相同的方法来形成Mg-Ca层和覆盖层。当改变波长时,测定透射率和反射率。图5和图6中示出了测定结果。光的波长为550nm时,透射率为68.31%,反射率为37.63%。
表5中示出了例子10、例子11、例子12、例子13和例子14的在550nm的Mg-Ca层和Mg-Ca层/覆盖层的双层的透射率和反射率,图5和图6中示出了透射率和反射率根据波长的变化。
表5
条件 | 透射率(%,@550nm) | 反射率(%m,@550nm) | ||
阴极 | 覆盖层 | |||
例子10 | Mg∶Ca(1∶1),200 | - | 16.82 | 31.17 |
例子11 | Mg∶Ca(1∶1),200 | LiF,700 | 48.70 | 39.76 |
例子12 | Mg∶Ca(1∶1),200 | LiF,800 | 50.48 | 42.93 |
例子13 | Mg∶Ca(1∶1),200 | LiF,900 | 49.27 | 43.50 |
例子14 | Mg∶Ca(1∶1),200 | NPB,600 | 68.31 | 37.63 |
参照表5与图5和图6,当与例子10的Mg-Ca层相比时,根据例子11、例子12、例子13和例子14的Mg-Ca层/覆盖层的双层的透射率增大。假设,当与光仅通过Mg-Ca层透射时相比,光通过Mg-Ca层/覆盖层时在层的界面处的光的总的反射减少。
此外,光覆盖层为LiF层时(例子11、例子12和例子13),根据覆盖层的厚度的增加透射率的变化不大。此外,当与覆盖层为LiF层(例子11、例子12和例子13)相比时,覆盖层为作为有机层的NPB时的透射率较大。
本领域的技术人员将会清楚,在不脱离本发明的精神和范围的情况下,可对本发明进行各种修改和变化。因此,本发明旨在覆盖由权利要求的范围及其等同物提供的本发明的修改和变化。
本申请要求于2004年12月3日提交的第10-2004-0101428号韩国专利申请的优先权和权益,该申请的全部内容通过引用公开于此。
Claims (28)
1、一种有机发光装置,包括:
阳极;
阴极,包括镁-钙层;
有机层,置于所述阳极和所述阴极之间,
其中,所述有机层至少包括有机发射层。
2、如权利要求1所述的有机发光装置,
其中,所述阴极包含原子比为大约1∶(1/3)至大约1∶3的镁和钙。
3、如权利要求2所述的有机发光装置,
其中,所述阴极包含成原子比为大约1∶1的镁和钙。
4、如权利要求1所述的有机发光装置,还包括:
覆盖层,与所述阴极的表面接触,所述表面与所述阴极与所述有机层接触的表面相对。
5、如权利要求4所述的有机发光装置,
其中,所述覆盖层选自于包括有机层、无机层以及所述有机层和所述无机层的多层的组。
6、如权利要求5所述的有机发光装置,
其中,所述无机层选自于包括硅氧化物层、硅氮化物层和硅氮氧化物层的组。
7、如权利要求5所述的有机发光装置,
其中,所述无机层选自于包括铟锡氧化物层、铟锌氧化物层、锡氧化物层和锌氧化物层的组。
8、如权利要求5所述的有机发光装置,
其中,所述无机层为氟化锂层。
9、如权利要求5所述的有机发光装置,
其中,所述有机层包含选自于包括NPB、TNATA、TCTA、TDAPB、TDATA、Alq3、Balq和CBP的组中的至少一个。
10、如权利要求1所述的有机发光装置,
其中,所述有机层还包括置于所述阴极和所述无机发射层之间的电子传输层,
其中,所述电子传输层与所述阴极接触。
11、如权利要求1所述的有机发光装置,
其中,所述有机层还包括置于所述阳极和所述有机发射层之间的空穴注入层和空穴传输层中的至少一个。
12、一种有机发光装置,包括:
阳极;
光透射阴极,包括镁-钙层;
有机层,置于所述阳极和所述阴极之间,
其中,所述有机层至少包括有机发光层。
13、如权利要求12所述有机发光装置,
其中,所述光透射电极包含原子比例为大约1∶(1/3)至大约1∶3的镁和钙。
14、如权利要求13所述的有机发光装置,
其中,所述光透射电极包含原子比为1∶1的镁和钙。
15、如权利要求12所述的有机发光装置,
其中,所述光透射电极的厚度为大约400或更薄。
16、如权利要求15所述的有机发光装置,
其中,所述光透射电极的厚度为大约100或更厚。
17、如权利要求16所述的有机发光装置,
其中,所述光透射电极的厚度为大约200至大约300。
18、如权利要求12所述的有机发光装置,还包括:
覆盖层,与所述光透射电极的表面接触,所述表面与所述光透射电极与所述有机层接触的表面相对。
19、如权利要求18所述的有机发光装置,
其中,所述覆盖层是透明的覆盖层。
20、如权利要求18所述的有机发光装置,
其中,所述覆盖层的折射率大于所述阴极的折射率。
21、如权利要求20所述的有机发光装置,
其中,所述覆盖层的折射率为大约1.3至大约2.3。
22、如权利要求18所述的有机发光装置,
其中,所述覆盖层选自于包括有机层、无机层以及所述有机层和所述无机层的多层的组。
23、一种用于制造有机发光装置的方法,包括
在基板上形成阳极;
在所述阳极上形成至少包括有机发射层的有机层;
在所述有机层上形成包括镁-钙层的阴极。
24、如权利要求23所述的方法,
其中,所述阴极通过共沉积原子比为大约1∶(1/3)至大约1∶3的镁和钙来形成。
25、如权利要求24所述的方法,
其中,所述阴极通过共沉积原子比为大约1∶1的镁和钙来形成。
26、如权利要求23所述的方法,
其中,所述阴极的厚度为大约100至大约400。
27、如权利要求23所述的方法,还包括:
在所述阴极上形成覆盖层。
28、如权利要求27所述的方法,
其中,所述覆盖层由选自于包括有机层、无机层以及所述有机层和所述无机层的多层的组中的一个形成。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020040101428A KR100721562B1 (ko) | 2004-12-03 | 2004-12-03 | 마그네슘-칼슘 막인 캐소드를 구비하는 유기전계발광소자및 그의 제조방법 |
KR1020040101428 | 2004-12-03 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN1816239A true CN1816239A (zh) | 2006-08-09 |
CN100466329C CN100466329C (zh) | 2009-03-04 |
Family
ID=35530833
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CNB2005101257447A Active CN100466329C (zh) | 2004-12-03 | 2005-12-01 | 具有包括镁-钙层的阴极的有机发光装置及其制造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8569945B2 (zh) |
EP (1) | EP1667248B1 (zh) |
JP (1) | JP4292246B2 (zh) |
KR (1) | KR100721562B1 (zh) |
CN (1) | CN100466329C (zh) |
DE (1) | DE602005008346D1 (zh) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103579520A (zh) * | 2012-07-30 | 2014-02-12 | 昆山维信诺显示技术有限公司 | 有机发光二极管显示器件 |
CN104124378A (zh) * | 2013-04-24 | 2014-10-29 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 有机电致发光器件及其制备方法 |
Families Citing this family (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100970397B1 (ko) * | 2008-12-17 | 2010-07-15 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 장치 및 이의 제조 방법 |
KR101156429B1 (ko) * | 2009-06-01 | 2012-06-18 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 소자 |
KR101334529B1 (ko) | 2009-10-09 | 2013-11-28 | 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 | 유기 전계 발광 소자 |
KR101244706B1 (ko) | 2009-12-01 | 2013-03-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
CN102687592B (zh) * | 2010-01-08 | 2016-01-20 | 株式会社日本有机雷特显示器 | 有机el面板、使用了该有机el面板的显示装置以及有机el面板的制造方法 |
KR101182447B1 (ko) | 2010-06-16 | 2012-09-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 및 그 제조 방법 |
WO2012070085A1 (ja) | 2010-11-24 | 2012-05-31 | パナソニック株式会社 | 有機elパネル、それを用いた表示装置および有機elパネルの製造方法 |
WO2012070086A1 (ja) | 2010-11-24 | 2012-05-31 | パナソニック株式会社 | 有機elパネル、それを用いた表示装置および有機elパネルの製造方法 |
US8847217B2 (en) | 2010-11-24 | 2014-09-30 | Panasonic Corporation | Organic EL panel, display device using same, and method for producing organic EL panel |
US8853716B2 (en) | 2010-11-24 | 2014-10-07 | Panasonic Corporation | Organic EL panel, display device using same, and method for producing organic EL panel |
KR101407587B1 (ko) * | 2011-06-02 | 2014-06-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시장치 및 그 제조방법 |
EP2757860A4 (en) * | 2011-09-12 | 2015-08-05 | Hodogaya Chemical Co Ltd | ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE ELEMENT |
KR101918712B1 (ko) | 2012-08-02 | 2018-11-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 장치 |
CN103730581B (zh) * | 2012-10-15 | 2016-05-18 | 乐金显示有限公司 | 有机发光装置和使用其的有机发光显示装置 |
KR102048926B1 (ko) * | 2012-11-19 | 2019-11-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
KR20150011231A (ko) * | 2013-07-22 | 2015-01-30 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
KR101581033B1 (ko) * | 2013-11-01 | 2015-12-29 | 서울대학교산학협력단 | 유기 발광 소자, 및 이를 포함하는 디스플레이 장치 및 조명 |
KR102343279B1 (ko) * | 2014-10-01 | 2021-12-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치 |
KR20160069555A (ko) * | 2014-12-08 | 2016-06-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치 |
KR102191397B1 (ko) * | 2018-10-10 | 2020-12-16 | 재단법인대구경북과학기술원 | 표면 처리된 전자전달층을 포함하는 페로브스카이트 태양전지 및 이의 제조방법 |
Family Cites Families (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4720432A (en) * | 1987-02-11 | 1988-01-19 | Eastman Kodak Company | Electroluminescent device with organic luminescent medium |
US4885211A (en) | 1987-02-11 | 1989-12-05 | Eastman Kodak Company | Electroluminescent device with improved cathode |
JP2846503B2 (ja) * | 1990-06-14 | 1999-01-13 | 出光興産株式会社 | 素子用薄膜電極及びそれを有するエレクトロルミネッセンス素子並びにそれらの製造方法 |
US5429884A (en) * | 1992-01-17 | 1995-07-04 | Pioneer Electronic Corporation | Organic electroluminescent element |
JPH08124679A (ja) * | 1994-10-25 | 1996-05-17 | Ibm Japan Ltd | エレクトロ・ルミネッセンス装置 |
US5776622A (en) | 1996-07-29 | 1998-07-07 | Eastman Kodak Company | Bilayer eletron-injeting electrode for use in an electroluminescent device |
US6452218B1 (en) * | 1997-06-10 | 2002-09-17 | Uniax Corporation | Ultra-thin alkaline earth metals as stable electron-injecting electrodes for polymer light emitting diodes |
JPH11345678A (ja) | 1998-04-02 | 1999-12-14 | Kurabe Ind Co Ltd | リード線一体型コード状ヒータ及び、該コード状ヒータを用いた面状発熱体 |
JP4208290B2 (ja) * | 1998-06-01 | 2009-01-14 | キヤノン株式会社 | 発光素子 |
JP4763912B2 (ja) * | 2000-04-27 | 2011-08-31 | 富士通株式会社 | 有機発光材料及び有機発光素子 |
US6867539B1 (en) * | 2000-07-12 | 2005-03-15 | 3M Innovative Properties Company | Encapsulated organic electronic devices and method for making same |
GB0104961D0 (en) * | 2001-02-28 | 2001-04-18 | Microemissive Displays Ltd | An encapsulated electrode |
US7288887B2 (en) * | 2001-03-08 | 2007-10-30 | Lg.Philips Lcd Co. Ltd. | Devices with multiple organic-metal mixed layers |
JP2002289358A (ja) * | 2001-03-23 | 2002-10-04 | Ricoh Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
US6649942B2 (en) * | 2001-05-23 | 2003-11-18 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Nitride-based semiconductor light-emitting device |
US6833667B2 (en) * | 2002-02-27 | 2004-12-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Organic electroluminescence element and image forming apparatus or portable terminal unit using thereof |
JP2003282273A (ja) * | 2002-03-20 | 2003-10-03 | Seiko Epson Corp | 表示装置とその製造方法及び電子機器 |
KR100446919B1 (ko) * | 2002-07-19 | 2004-09-01 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기전계 발광소자와 그 제조방법 |
JP2004095551A (ja) * | 2002-08-09 | 2004-03-25 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置およびその作製方法 |
KR20040013969A (ko) * | 2002-08-09 | 2004-02-14 | 전자부품연구원 | 유기 이엘 소자의 전극 제작방법 |
JP2004111280A (ja) * | 2002-09-19 | 2004-04-08 | Honda Motor Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
US7015639B2 (en) * | 2002-10-22 | 2006-03-21 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Electroluminescent devices and method of making transparent cathodes |
JP2004319321A (ja) * | 2003-04-17 | 2004-11-11 | Sony Corp | 有機発光表示装置の製造装置および製造方法 |
TWI245068B (en) * | 2003-11-18 | 2005-12-11 | Chi Mei Optoelectronics Corp | Iridium complex as light emitting material and organic light emitting diode device |
US20060105199A1 (en) * | 2004-11-18 | 2006-05-18 | 3M Innovative Properties Company | Electroluminescent devices containing trans-1,2-bis(acenyl)ethylene compounds |
-
2004
- 2004-12-03 KR KR1020040101428A patent/KR100721562B1/ko active IP Right Grant
-
2005
- 2005-04-22 JP JP2005124938A patent/JP4292246B2/ja active Active
- 2005-11-24 DE DE602005008346T patent/DE602005008346D1/de active Active
- 2005-11-24 EP EP05111200A patent/EP1667248B1/en active Active
- 2005-12-01 CN CNB2005101257447A patent/CN100466329C/zh active Active
- 2005-12-02 US US11/291,905 patent/US8569945B2/en active Active
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103579520A (zh) * | 2012-07-30 | 2014-02-12 | 昆山维信诺显示技术有限公司 | 有机发光二极管显示器件 |
CN103579520B (zh) * | 2012-07-30 | 2016-09-07 | 昆山维信诺显示技术有限公司 | 有机发光二极管显示器件 |
CN104124378A (zh) * | 2013-04-24 | 2014-10-29 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 有机电致发光器件及其制备方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2006164937A (ja) | 2006-06-22 |
DE602005008346D1 (de) | 2008-09-04 |
KR100721562B1 (ko) | 2007-05-23 |
EP1667248B1 (en) | 2008-07-23 |
US8569945B2 (en) | 2013-10-29 |
CN100466329C (zh) | 2009-03-04 |
JP4292246B2 (ja) | 2009-07-08 |
KR20060062556A (ko) | 2006-06-12 |
EP1667248A1 (en) | 2006-06-07 |
US20060121313A1 (en) | 2006-06-08 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
ASS | Succession or assignment of patent right |
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