CN1500226A

CN1500226A - 显示面板和显示面板驱动方法

Info

Publication number: CN1500226A
Application number: CNA028075110A
Authority: CN
Inventors: ֮; 白嵜友之; 山田裕康; 服部励治
Original assignee: Casio Computer Co Ltd
Current assignee: Soras Oled
Priority date: 2001-12-28
Filing date: 2002-12-12
Publication date: 2004-05-26
Anticipated expiration: 2022-12-12
Also published as: WO2003058328A1; HK1066602A1; US20040113873A1; DE60217916T2; DE60217916D1; US7317429B2; TW575860B; JP2003195810A; CN1293408C; KR100620976B1; KR20030092030A; TW200306517A; EP1459126A1; EP1459126B1

Abstract

一种显示面板，包括：光学元件，该光学元件具有一对电极并表现出对应于电流流过这对电极之间的光学操作；和开关电路，该开关电路在选择周期期间向电流线提供具有预定电流值的存储电流，在非选择周期期间停止向电流线提供电流。电流存储电路，存储与选择周期期间流过电流线的存储电流的电流值相对应的电流数据，并根据选择周期期间存储的电流数据，在非选择周期期间向光学元件提供电流值实质上等于存储电流的显示电流。

Description

显示面板和显示面板驱动方法

技术领域

本发明涉及一种具有有源驱动类型光学元件的显示面板及其驱动方法，本发明还涉及上述光学元件(例如发光元件)的一种驱动电路等。

背景技术

传统上公知的发光元件显示器中，例如有机EL(电致发光)元件、无机EL元件或发光二极管等发光元件以矩阵形式排列为光学元件，各个发光元件发出光以显示图像。特别是，有机矩阵驱动类型的发光元件显示器具备高亮度、高对比度、高分辨率和低功耗等优点。因此，这种显示器近年来得到了发展，有机EL元件更是引起了人们的注意。

在这种类型的某些显示器中，有机EL发光元件和用于通过开关驱动该发光元件的薄膜晶体管被组合在一个像素中。在透明衬底上形成彼此平行的多条选择扫描线。与这些选择扫描线垂直的多条信号线也在该衬底上形成。更具体的说，由非晶硅(在下文中称为a-Si)制成的两个薄膜晶体管在选择扫描线和信号线所围成的区域内形成，在此区域还形成有一个发光元件。有机EL元件的发光强度(cd/m2)通过流过该元件的单位面积的电流值来确定。

图11表示传统发光元件显示器中一个像素的等效电路图。如图11所示，每个像素的两个晶体管103和104连接到选择扫描线101和信号线102。晶体管104的源极和漏极中的一个及另一个分别连接到具有正的恒定电压的发射(emission)电压线106和发光元件105的阳极。

在该结构中，当选择扫描线101被选择时(当通过向选择扫描线101施加高压而打开作为N沟道晶体管的晶体管103时)，信号电压从信号线102经晶体管103施加到晶体管104的栅极。相应的，晶体管104被打开，电流从发射电压线106经晶体管104流到发光元件105，因此发光元件105发光。当选择扫描线101不被选择时，晶体管103关闭，晶体管104的栅极电压被保持。电流从发射电压线106经晶体管104流到发光元件105，因此发光元件105发光。

在上述的结构中，通过调整晶体管104的栅极-源极电压，即信号线102的电压的大小，来调整在晶体管104的漏极和源极之间流动的电流的幅值。也就是说，晶体管104的栅极-源极电流的幅值通过使用不饱和栅极电压作为施加至晶体管104栅极的电压来进行调整，借此调整在晶体管104和发光元件105中流动的电流幅值。因此，发光元件105的亮度可以被调整，并可执行色调显示。之后的选择和非选择之间，即在一个帧周期期间，晶体管104的栅极-源极电压基本上保持恒定，因此发光元件105的亮度也保持恒定。这种驱动方法被称为电压驱动方法，用这种方法，通过调整信号线102到晶体管103的输出信号电压来控制亮度色调。

晶体管103和104的沟道电阻取决于环境温度和长时间工作之后的变化。因此，难以长时间地以所需要的亮度色调显示图像。而且，如果晶体管103和104的沟道层由多晶硅制成，则沟道电阻还依赖于作为这些沟道层中相邻晶粒之间分界面的晶界的数目。这可能会改变单个显示面板上形成的多个晶体管103和多个晶体管104的沟道层中的晶粒数目。特别是当增大晶粒尺寸以获得高迁移率(mobility)时，沟道层中的晶界数目不可避免地会减少，这样即使沟道长度方向上晶界数目之间的细微差别也会极大地影响沟道电阻。这改变了单个像素中晶体管104漏极-源极电流幅值，导致一个显示面板中单个像素的显示特性的不同。因此，无法进行精确地色调控制。相应的，每个像素的晶体管104的特性不同必须落入控制每个像素色调所需的范围内。但是，随着EL元件分辨率的提高，使各个像素的晶体管特性均匀变得更加困难。

如上所述，在某些有源矩阵驱动的EL元件中，多个晶体管组合成有源元件形成在每个像素中。在某些情况下，p沟道晶体管和n沟道晶体管被组合在一起。当考虑到载流子(carrier)的特性时，多晶硅晶体管可充当为p类晶体管。但是，当使用非晶硅晶体管时，无法获得晶体管可良好工作所需的物理属性。这使得能够以较低成本制造的非晶硅晶体管的应用成为不可能。

上述有源矩阵EL显示设备中的一些并非由电压驱动。在这些显示设备中，有源元件由一个像素中的四个或四个以上的晶体管制成。如果这些晶体管在衬底上形成，则其上表面因这些晶体管的厚度而被弄得不平。因此，有机EL层理想地在平面部分而不是晶体管形成区形成。在这种情况下，该晶体管形成区不发光，因此该像素不可避免会形成一不发光区。当一个像素以预定色调亮度发光时，亮度可以大致设置成(每单位面积的发光强度)×(一个像素的发光面积)×(发光时间)。但是，当形成大量的晶体管时，一个像素的发光面积减少了。为了补偿该较小的发光面积，必须增加每单位面积的发光强度。不幸的是，因为有机EL层被施加以更高的电压和电流，所以这缩短了发光寿命。另外，当一个像素中的晶体管数目增加时，成品合格率会成指数倍下降。

另外，如果一个像素中有太多的晶体管与EL元件串联，则这些晶体管的分压比上升。结果是提高了功耗。

相应的，本发明的一个优点在于在显示面板中，象素能够以所需的亮度稳定地显示图像。

本发明的另一个优点在于增加了显示面板的每个像素的显示面积。

发明内容

为了实现上述的优点，根据本发明一个方面的显示面板包括：

一个或多个光学元件，具有一对电极并表现出与电流流过这对电极之间相对应的光学操作；

一条或多条电流线；

一个或多个开关电路，在选择周期期间向电流线提供具有预定电流值的存储电流，在非选择周期期间停止向电流线提供电流；和

一个或多个电流存储电路，存储与选择周期期间流过电流线的存储电流的电流值相对应的电流数据，并根据选择周期期间存储的电流数据，在非选择周期期间向光学元件提供电流值实质上等于存储电流的显示电流。

在具备上述结构的显示面板中，电流存储电路存储与选择周期期间流动的存储电流的电流值相对应的电流数据。相应的，可以向光学元件提供电流值实质上等于存储电流的显示电流。因此。电流控制由电流值而不是电压值来执行。这抑制了控制系统电压-电流特性的变化的影响，并使光学元件能以所需的亮度稳定地显示图像。

在每个像素中，电流存储电路只有一个与光学元件串联的电流控制晶体管。利用此结构，光学元件和电流存储电路间的电压只由该光学元件和电流控制晶体管来分压。这实现了低电压和随之而来的低功耗驱动。

此外，每个像素可以用三个晶体管操作，即电流控制晶体管、电流数据写控制晶体管和电流路径控制晶体管。这减少了一个像素中的晶体管数目并增加了光学元件占据的面积。一个像素中的晶体管数目的减少还减少了生产合格率的降低。另外，当EL元件用作光学元件时，可以增加像素中的发光面积比，并相应提高了表观亮度。因此，每单位面积流过的电流值可以降低到相对小的值。这抑制了由于注入电流引起的EL元件的劣化。

即使当晶体管在上述的电流存储电路中形成时，由于晶体管通过电流控制而被驱动，因此老化引起的电压特性变化也不会产生大的影响。从而，可以提供具有精确电流值的显示电流。

根据本发明另一个方面的显示面板驱动方法包括：

电流存储步骤，在选择周期期间向电流存储电路提供具有预定电流值的存储电流，并存储与该电流值相对应的电流数据；和

显示步骤，在非选择周期期间，根据电流存储步骤所存储的电流数据，向光学元件提供电流值实质上等于存储电流的显示电流。

在如上所述的本发明中，不同于传统的设备，晶体管中并不写入预置的电压值，因此没有电流值与该电压值相对应的电流提供给光学元件。从而，可以提供具有精确电流值的显示电流。

本发明其它的目的和优点将在随后的说明书中陈述，其中一部分是由说明书显而易见的，或可以通过实践本发明而得知。本发明的目的和优点可以通过随后所特别指出的仪器和组合而实现并获得。

附图说明

并入和组成说明书一部分的附图说明了本发明的实施例，并和上面给出的一般性描述及下面给出的实施例的详细描述一起来解释本发明的原理。

图1是表示应用本发明的发光元件显示器实际结构方框图；

图2是示意表示发光元件显示器一个像素的平面图；

图3是表示沿图2线III-III所取截面的截面图；

图4是表示图3中线IV所包围的晶体管的截面图；

图5A是发光元件显示器的像素的等效电路图，显示的是选择周期期间的驱动原理，图5B是发光元件显示器的像素的等效电路图，显示的是非选择周期期间的驱动原理；

图6是表示流过与发光元件显示器的发光元件串联的N沟道MOSFET的电流，与施加到该MOSFET的电压之间关系的图；

图7是表示驱动电路操作的时序图；

图8A是表示另一个发光元件显示器的像素的等效电路图，显示的是该发光元件显示器的像素在选择周期期间的驱动原理，图8B是表示该发光元件显示器的像素的等效电路图，显示的是非选择周期期间的驱动原理；

图9A是表示又一个发光元件显示器的像素的等效电路图，显示的是该发光元件显示器的像素在选择周期期间的驱动原理，图9B是表示该发光元件显示器的像素的等效电路图，显示的是非选择周期期间的驱动原理；

图10A是表示又一个发光元件显示器的像素的等效电路图，显示的是该发光元件显示器像素在选择周期期间的驱动原理，图10B是表示该发光元件显示器的像素的等效电路图，显示的是非选择周期期间的驱动原理；和

图11是表示传统发光元件显示器的一个像素的电路结构的等效电路图。

具体实施方式

下面将参照附图描述本发明的实际实施例。但是，本发明的范围并不局限于所说明的实施例。

【第一个实施例】

图1是表示应用本发明的发光元件显示器实际结构的方框图。如图1所示，作为基本结构，发光元件显示器1包括有源矩阵型发光面板(驱动器)2和用于控制整个发光显示器1的控制器6。发光元件显示器1是一种所谓有源矩阵驱动型显示设备。发光面板2包括透明衬底30(如图3所示)，它由例如硼硅玻璃、石英玻璃和其它在晶体管制造过程中(稍后描述)抗温的玻璃制成。发光单元7在透明衬底30上形成，它具有多个像素并能发光，以便能显示对应于来自控制器6的图像数据的图像。选择扫描驱动器3、发射电压扫描驱动器4和数据驱动器5在透明衬底30上形成，并驱动发光单元7的各个像素。这些选择扫描驱动器3、发射电压扫描驱动器4和数据驱动器5连接成能够从控制器6分别接收控制信号φs、φe和φd以及数据。各个线路和元件在透明衬底30上形成以构成发光面板2。

在该发光面板2中，m条选择扫描线X₁、X₂、...、X_m彼此平行地在透明衬底30上形成。另外，m条发射电压扫描线Z₁、Z₂、...、Z_m在透明衬底30上形成以便分别与选择扫描线X₁、X₂、...、X_m交替分布。这些发射电压扫描线Z₁、Z₂、...、Z_m与选择扫描线X₁、X₂、...、X_m平行且分隔开。此外，在透明衬底30上形成地电流线Y₁、Y₂、...、Y_n大致与选择扫描线X₁、X₂、...、X_m和发射电压扫描线Z₁、Z₂、...、Z_m垂直。选择扫描线X₁、X₂、...、X_m、发射电压扫描线Z₁、Z₂、...、Z_m和电流线Y₁、Y₂、...、Y_n由铬、铬合金、铝、铝合金、钛、钛合金或从至少一种这些材料选择的低阻抗材料制成。选择扫描线X₁、X₂、...、X_m和发射电压扫描线Z₁、Z₂、...、Z_m可以通过在同一个导电薄膜上图案化(patterning)工艺来形成。形成电流线Y₁、Y₂、...、Y_n，以便与选择扫描线X₁、X₂、...、X_m和发射电压扫描线Z₁、Z₂、...、Z_m交叉。选择扫描线X₁、X₂、...、X_m和发射电压扫描线Z₁、Z₂、...、Z_m通过例如栅极绝缘薄膜32或半导体层33(将稍后描述)与电流线Y₁、Y₂、...、Y_n绝缘。

多个有机EL元件E_i，j以矩阵形式排列在透明衬底30上。电流线Y₁、Y₂、...、Y_n和选择扫描线X₁、X₂、...、X_m包围成的每个区域中，形成一个有机EL元件。在每个有机EL元件周围，形成用于向每个有机EL元件提供预定电流的驱动电路。一个有机EL元件和与此元件相对应的驱动电路形成了发光单元2的一个像素P_i，j。也就是说，对于每个像素(m×n个)，形成一个有机EL元件。

下面将解释发光单元2的细节。图2是表示该发光单元2一个像素的主要部件的平面图。图3是沿图2线III所取的截面图。图4是以放大比例表示图3中线IV所包围区域的截面图。图5A和5B是表示驱动两个相邻像素P_i，j和P_i，j+1的等效电路图。为了更好地理解图2，至少部分省略了栅极绝缘薄膜32、第一掺杂质层(impuritydoped layer)34、第二掺杂质层35、阻塞绝缘薄膜(block insulatingfilm)36、阴极43等等。图3中，部分省略了阴影以使该图更容易理解。

有机EL元件E_i，j在选择扫描线X_i、电流线Y_j、选择扫描线X_i+1(即位于选择扫描线X_i的低一级，并位于发射电压扫描线Z_i的下面的选择扫描线；未示出)和电流线Y_j+1(即，在电流线Y_j右边的信号线；未示出)所包围的区域中形成。在此有机EL元件E_i，j周围，形成了电容13和三个作为n沟道非晶硅薄膜晶体管的晶体管10、11和12。用于驱动有机EL元件E_i，j的像素驱动电路D_i，j包括晶体管10、11及12、电容13等等。这里i是从1到m的整数，j是从1到n的整数。也就是说，“选择扫描线X_i”表示在第i行的选择扫描线，“发射电压扫描线Z_i”表示在第i行的发射电压扫描线，“电流线Y_j”表示第j列的电流线，“像素驱动电路D_ij”表示在第i行和第j列的象素P_i，j的驱动电路，“有机EL元件E_i，j”表示在第i行和第j列的该像素P_i，j的有机EL元件。附图标记10、11和12所附的G、S和D分别表示晶体管的栅极、源极和漏极。

如图4所示，晶体管12具有栅极(控制端)12G、在发光单元7的整个表面上形成的栅极绝缘薄膜32、用于形成单个通道作为电流路径的半导体层33、第一掺杂质层34、第二掺杂质层35、阻塞绝缘薄膜36、漏极12D、源极12S和保护绝缘薄膜39。栅极12G在透明衬底30上形成。栅极12G由铬、铬合金、铝、铝合金、钛、钛合金或从至少一种这些材料选择的低阻抗材料制成。

栅极绝缘薄膜32在栅极12G和透明衬底30上形成以便覆盖栅极12G和透明衬底30。栅极绝缘薄膜32由透光并具有绝缘属性的例如氮化硅或二氧化硅制成。栅极绝缘薄膜32还覆盖其它晶体管(在透明衬底30上形成的所有晶体管)的栅极、选择扫描线X₁、X₂、...、X_m和发射电压扫描线Z₁、Z₂、...、Z_m。

半导体层33通过栅极绝缘薄膜32的一部分与栅极12G相对(即，半导体层33紧贴在栅极12G上面形成)。此半导体层33由本征非晶硅制成。在半导体层33上，形成了由氮化硅制成的阻塞绝缘薄膜36。第一和第二掺杂质层34和35在阻塞绝缘薄膜36的两侧形成以彼此隔开。第一掺杂质层34覆盖半导体层33一侧的部分和阻塞绝缘薄膜36一侧的部分。第二掺杂质层35覆盖半导体层33另一侧的部分和阻塞绝缘薄膜36另一侧的部分。第一和第二掺杂质层34和35由掺有n型杂质离子的非晶硅制成。

漏极12D在第一掺杂质层34上形成，源极12S在第二掺杂质层35上形成。漏极12D和源极12S由铬、铬合金、铝、铝合金、钛、钛合金或从至少一种这些材料选择的低阻抗材料制成，并具有阻挡可见光透射的功能。这防止了光从外面或从有机EL元件Ei，j到达半导体层33及第一和第二掺杂质层34和35。

源极12S和漏极12D彼此电绝缘。源极12S电连接到EL元件的阳极41(稍后描述)。保护绝缘薄膜39覆盖晶体管10、11及12、电容13、选择扫描线X₁、X₂、...、X_m、电流线Y₁、Y₂、...、Y_n和发射电压扫描线Z₁、Z₂、...、Z_m，并露出阳极41。也就是说，形成保护绝缘薄膜39，以便以矩阵方式覆盖阳极41的周围。

如上述构造的晶体管12为以半导体层33作为沟道区的MOS场效应晶体管。因为晶体管10和11具有与晶体管12实质上相同的结构，因此省略对它们的详细描述。电容13的一个电极是晶体管12的栅极12G，电容13的另一个电极是晶体管12的源极12S。因为在电容13的两个电极之间形成的栅极绝缘薄膜32由电介质材料制成，因此该电容13可充当一种在其中写入与晶体管12源极和漏极之间流动的电流值相对应的电流数据的电容。也就是说，电容13充当了在晶体管12的栅极到源极路径上的寄生电容并存储写入的电流数据。晶体管10的源极10S和晶体管12的栅极12G经由在栅极绝缘薄膜32中形成的多个开口47连接。晶体管12的漏极12D经由在栅极绝缘薄膜32中形成的多个开口48连接到发射电压扫描线Z₁、Z₂、...、Z_m中的一个。

为了形成晶体管10、11和12、电容13、选择扫描线X₁、X₂、...、X_m、发射电压扫描线Z₁、Z₂、...、Z_m和电流线Y₁、Y₂、...、Y_n，位于透明衬底30上的金属薄膜首先在同一步骤中通过被图案化形成晶体管10、11和12的栅极、选择扫描线X₁、X₂、...、X_m和发射电压扫描线Z₁、Z₂、...、Z_m。随后，在整个表面上形成晶体管10、11和12的栅极绝缘薄膜32，并且根据各自的形状形成半导体层33、阻塞绝缘薄膜36和掺杂质层34和35。之后，位于这些部件顶部的金属薄膜在同一步骤中通过被图案化形成晶体管10的源极10S和漏极10D、晶体管11的源极11S和漏极11D、晶体管12的源极12S和漏极12D、以及电流线Y₁、Y₂、...、Y_n。在电流线Y₁、Y₂、...、Y_n和选择扫描线X₁、X₂、...、X_m的交叉处，以及电流线Y₁、Y₂、...、Y_n和发射电压扫描线Z₁、Z₂、...、Z_m的交叉处，除了栅极绝缘薄膜32之外还嵌入阻塞绝缘薄膜36。之后，通过图案化形成保护绝缘薄膜39。在该实施例中，每个晶体管10、11和12的半导体层33的沟道宽度W或沟道长度L根据该晶体管的晶体管特性而适当地设定。

保护绝缘薄膜39被由例如氮化硅制成的绝缘隔离壁46覆盖(图3)。分隔壁46在与纵向平行的电流线Y₁、Y₂、...、Y_n和横向平行的选择扫描线X₁、X₂、...、X_m及发射电压扫描线Z₁、Z₂、...、Z_m所包围的阳极41相对应的位置上具有开口。有机EL元件Ei，j形成在以矩阵形式由隔离壁46所分隔开的每个区域中，即电流线Y₁、Y₂、...、Y_n、选择扫描线X₁、X₂、...、X_m，以及发射电压扫描线Z₁、Z₂、...、Z_m所包围的每个区域中。隔离壁46在晶体管10、11及12、电容13、选择扫描线X₁、X₂、...、X_m、电流线Y₁、Y₂、...、Y_n和发射电压扫描线Z₁、Z₂、...、Z_m形成之后形成。

接下来，将描述有机EL元件Ei，j。如图3所示，有机EL元件Ei，j包括阳极41、有机EL层42和阴极43。在有机EL元件Ei，j中，有机EL层42和阴极43按先后顺序从阳极41叠起。阳极41在电流线Y₁、Y₂、...、Y_n和选择扫描线X₁、X₂、...、X_m所包围的每个区域中的栅极绝缘薄膜32中形成。阳极41最好有效地将空穴注入到有机EL层42中。阳极41材料的主要成分的示例包括掺锡氧化铟(ITO)、掺锌氧化铟(IZO)、氧化铟(In₂O₃)、氧化锡(SnO₂)和氧化锌(ZnO)。阳极41在形成晶体管12的源极12S之前形成。在阳极41形成之后，形成晶体管12的源极12S，之后再形成保护绝缘薄膜39。

有机EL层42在阳极41上形成。有机EL层42可以具有如下的任何一种结构，即从阳极41依次叠起空穴传输层、发光层和电子传输层的三层结构、从阳极41依次叠起的空穴传输层和发光层的双层结构、只有发光层的单层结构以及一些其它的层结构。

有机EL层42具有注入空穴和电子的功能、传输空穴和电子的功能以及通过重新组合空穴和电子产生激子(exciton)而发光的功能。有机EL层较理想地是一种电中性的有机化合物。这样的有机EL层能够实现注入及传输空穴和电子的良好平衡。

可以适当地在发光层中混合电子传输材料、在发光层中混合空穴传输材料、或在发光层中既混合电子传输材料又混合空穴传输材料。

有机EL层42的发光层包括发光材料。高分子材料可用作该发光材料。这种高分子材料的例子包括聚咔唑基(polycarbazole-based)、聚对苯烯基(polyparaphenylene-based)、聚亚芳基亚乙烯(polyarylenevinylene-based)、聚噻吩基(polythiophene-based)、聚芴基(polyfluorene-based)、聚硅烷基(polysilane-based)、多炔基(polyacetylene-based)、聚苯胺基(polyaniline-based)、聚吡啶基(polypyridine-based)、聚吡啶亚乙烯基(polypyridinevinylene-based)和聚吡咯基(polypyrrol-based)材料。这种高分子材料的例子为形成上述高分子材料(聚合物)的单体或低聚体的聚合物或共聚物、单体或低聚体的衍生物的聚合物或共聚物、通过聚合具有噁唑(oxazole)(噁烷二唑、三唑、二唑)或三苯胺骨架的单体所获得的聚合物或共聚物。这些聚合物的单体包括单体和当被加热、加压、照射紫外线或电子束时可形成上述化合物的前体聚合物。也可以包括结合这些单体的非共轭单位(non-conjugate unit)。

这些高分子材料的实际例子包括聚芴、聚乙烯基咔唑、polytodecylthiophene、聚乙烯二氧噻吩(polyethylenedioxythiophene)、聚苯乙烯磺酸分散改性产物(polystyrenesulfonic acid dispersed modified product)、聚9，9-二烷基芴(poly9，9-dialkylfluorene)、聚(噻吩烯-9，9-二烷基芴)(poly(thienylene-9，9-dialkylfluorene))、聚(2，5-二烷基对亚苯基-噻吩烯)(其中烷基：R＝C1至C20)(poly(2，5-dialkyparaphenylene-thienylene)(dialkyl：R＝C1-C20))、聚对亚苯基亚乙烯(polyparaphenylenevinylene)、聚(2-甲氧基-5(2’-乙基-己氧基)-对亚苯基亚乙烯)(poly(2-methoxy-5-(2’-ethyl-hexyloxy)-paraphenylenevinylene))、聚(2-甲氧基-5(2’-乙基-戊氧基)-对亚苯基亚乙烯)(poly(2-methoxy-5-(2’-ethyl-pentyloxy-paraphenylenevinylene))、聚(2，5-二甲基-对亚苯基亚乙烯)(poly(2，5-dimethyl-paraphenylenevinylene))、聚(2，5-噻吩烯亚乙烯)(poly(2，5-thienylenevinylene))、聚(2，5-二甲氧基对亚苯基亚乙烯)(poly(2，5-dimethoxyparaphenylenevinylene))、和聚(1，4-对亚苯基氰基亚乙烯)poly(1，4-paraphenylenecyanovinylene)。

还可以通过蒸发形成低分子材料，而不是高分子材料的薄膜。根据低分子材料的属性，低分子材料可以溶解在溶剂中并用于涂覆。此外，低分子材料可以被分散为聚合物中的掺杂物。当低分子材料这样分散到聚合物中时，可以使用各种类型的聚合物，包括公知和通用的聚合物。

低分子发光材料(发光物质或掺杂物)的例子包括蒽(anthracene)、萘(naphthalene)、菲(phenathrene)、芘(pyrene)、tethracene、蔻(coronene)、屈(chrysene)、荧光素(fluoresceine)、二萘嵌苯(perylene)、酞酸茈(phthaloperylene)、萘茈(naphthaloperylene)、perinone、phthaloperinone、naphthaloperinone、二苯丁二烯(diphenylbutadiene)、四苯丁二烯(tetraphenylbutadiene)、香豆素(coumarin)、恶二唑(oxadiazole)、醛连氮(aldazine)、bisbenzoquizoline(？)、重苯乙烯(bisstyryl)、吡嗪(pyrazine)、喔星(oxine)、氨基喹啉(aminoquinoline)、亚胺(imine)、二苯基乙烯(diphenylethylene)、乙烯蒽(vinylanthracene)、二氨基咔唑(diaminocarbazole)、吡喃(pyran)、噻喃(thiopyran)、聚甲川(polymethine)、部花青(merocanine)、咪唑螯合oxynoid化合物(an imidazole chelated oxynoid compound)、4-二氰基亚甲基-4H-吡喃(4-dicyanomethylene-4H-pyran)、4-二氰基亚甲基-4H-噻喃(4-dicyanomethylene-4H-thiopyran)、双酮(diketone)、氯基化合物，及它们的衍生物。低分子发光材料的实际例子是Alq3和喹吖酮(quinacridone)。

发光材料并不局限于上面列举的这些材料。

发光层或电子传输层所包含的电子传输材料的例子包括喹啉衍生物，例如8-羟基喹啉，举例来说三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)、或以这种8-羟基喹啉的衍生物作为配位体的有机金属络合物、恶二唑衍生物、二萘嵌苯衍生物、吡啶衍生物、嘧啶衍生物、喹喔啉衍生物、二苯基苯醌(diphenylquinone)衍生物和硝酰氟(nitro-substituted fluorine)衍生物。

发光层或空穴传输层所包含的空穴传输材料的例子包括tetraarylbenzicine化合物(三芳基二氨或三苯基二氨：TPD)、芳香烷基叔胺、腙衍生物、咪唑衍生物、具有氨基的恶二唑衍生物，以及聚噻吩。

阴极43在有机EL层42上形成。形成该有机EL层42使其在隔离壁46上伸出，且阴极43是在发光单元2上形成的所有有机EL元件E_1，1到E_m，n所共有的层。阴极43由具有良好电子注入属性和较小功函的材料制成。更具体的说，最好组合至少一个从锂、铟、镁、钙、钡选出的金属、稀土元素和例如金、银、铜、铝和铬的低阻抗材料。更优选的，该低阻抗材料在低功函材料上形成。

当在具有上述层叠结构的有机EL元件E_i，j的阳极41和阴极43之间产生电场时，空穴从阳极41注入到有机EL层42，而电子从阴极43注入到有机EL层42。这些空穴和电子被传输到有机EL层42的发光层，并在该发光层重新结合以产生激发子，从而发光。

在上述的发光板2中，在整个面板表面上的阴极43上，形成有例如硅油或有机绝缘材料的屏蔽水和氧气的屏蔽层44。另外，在屏蔽层44上形成密封层45，该密封层由例如石英玻璃或一些其它玻璃等透明材料，或例如树脂等透明材料制成。屏蔽层44和密封层45保护有机EL元件E_i，j、像素驱动电路D_i，j、选择扫描线X₁、X₂、...、X_m、发射电压扫描线Z₁、Z₂、...、Z_m，以及电流线Y₁、Y₂、...、Y_n。

下面详细描述像素驱动电路D_i，j的电路结构。如图2、5A和5B所示，晶体管10的栅极10G连接到选择扫描线X_i。晶体管10的漏极10D连接到晶体管12的漏极12D和发射电压扫描线Z_i。晶体管10的源极10S连接到晶体管12的栅极12G和电容13的一端。晶体管12的源极12S连接到电容13的另一端和晶体管11的漏极11D，以及有机EL元件E_i，j的阳极41。晶体管11的栅极11G连接到选择扫描线X_i。晶体管11的源极11S连接到电流线Y_j。参考电压V_SS提供到有机EL元件E_i，j的阴极。在非选择周期期间(稍后详细描述)施加到发射电压扫描线Z_i的电压V_NSE等于或高于参考电压V_SS。在选择周期期间(稍后详细描述)施加到发射电压扫描线Z_i的电压V_SE等于或低于参考电压V_SS。参考电压V_SS例如是地电位。

如图1所示，选择扫描驱动器3连接到发光单元2的选择扫描线X₁到X_m。选择扫描驱动器3为所谓的移位寄存器。根据从控制器6输出的控制信号φs，选择扫描驱动器3按照从选择扫描线X₁到选择扫描线X_m(选择扫描线X_m之后是选择扫描线X₁)的顺序依次向选择扫描线输出扫描信号，由此依次选择晶体管10和11连接至这些选择扫描线X₁到X_m。更具体的说，当晶体管10和11是n沟道晶体管时，选择扫描驱动器3有选择地向选择扫描线X₁到X_m施加高电平ON电压V_ON(比参考电压V_SS高得多)或低电平OFF电压V_OFF(等于或低于参考电压V_SS)的选择扫描信号。也就是说，在选择扫描线X₁到X_m中的一条选择扫描线X_i被选择的选择周期期间，选择扫描驱动器3向该选择扫描线X_i输出ON电压V_ON的脉冲，从而打开连接到选择扫描线X_i的晶体管11和12(像素驱动电路D_i，j到D_i，n中所有的晶体管11和12)。在除此选择周期的非选择周期中，选择扫描驱动器3向该选择扫描线X_i输出OFF电压V_OFF的脉冲，以关闭这些晶体管11和12。理想的是，选择扫描线X₁到X_m的选择周期彼此不重叠。但是，当连接到同一列电流线Y_j的多个像素P将发出相同的色调时，也可以使选择扫描线X₁到X_m的选择周期同步并使同步发射电压扫描线Z₁到Z_m的选择周期同步。

发射电压扫描驱动器4连接到发光单元2的发射电压扫描线Z₁到Z_m。发射电压扫描驱动器4为所谓的移位寄存器。也就是说，根据从控制器6输出的控制信号φe，发射电压扫描驱动器4按照从发射电压扫描线Z₁到发射电压扫描线Z_m(发射电压扫描线Z_m之后是发射电压扫描线Z₁)的顺序依次向发射电压扫描线输出脉冲信号。更具体的说，发射电压扫描驱动器4以预定周期向发射电压扫描线Z₁到Z_m施加等于或低于参考电压V_SS的选择电压(例如，如果参考电压V_SS是零电位，则是0V)。也就是说，在选择扫描线X₁到X_m中的一条选择扫描线X_i被选择的选择周期期间，发射电压扫描驱动器4向发射电压扫描线Z_i输出低电平选择电压。另一方面，在非选择周期期间，发射电压扫描驱动器4向发射电压扫描线Zi输出高于参考电压V_SS的高电平非选择电压V_NSE。只要高于参考电压V_SS，该非选择电压V_NSE可以是负电压，但其必须具有足够大的值，使晶体管12的源极-漏极电压V_DS达到饱和区。稍后将解释该饱和电压的细节。

根据输入的图像数据，控制器6分别向选择驱动器3、发光扫描驱动器4和数据驱动器5输出控制信号φs、φe和φd。

数据驱动器5是电流吸收型(current sink type)驱动器，它接收来自控制器6的控制信号并从电流线Y1到Yn取出流向数据驱动器5的存储电流。也就是说，该数据驱动器5具有电流吸收电路，如图5A的箭头所示，引起电流线Y₁到Y_n中的存储电流。当有机EL元件E₁₁到E_m，n在非选择周期发光时流动的显示电流的电流值等于存储电流的电流值。在选择周期，数据驱动器5在每个电容13中存储电荷作为电流数据，其幅值对应于存储电流的电流值。

下面将解释当数据驱动器5向电流线Y₁到Y_n提供具有预定电流值的存储电流时像素P₁₁到P_m，n的操作原理。

图6是表示作为n沟道MOSFET的晶体管12的电流-电压特性的图。参见图6，横坐标表示漏极-源极电压值，纵坐标表示漏极-源极电流值。在该FET的不饱和区中，即在源极-漏极电压值V_DS低于和栅极-源极电压值V_GS相对应的漏极饱和阈值电压V_TH的区域中，如果栅极-源极电压值V_GS是恒定的，则源极-漏极电流值I_DS随着源极-漏极电压值V_DS的增加而增加。在图6的饱和区中，即在源极-漏极电压值V_DS等于或大于和栅极-源极电压值V_GS相对应的漏极饱和阈值电压V_TH的区域中，如果栅极-源极电压值V_GS是恒定的，则源极-漏极电流值I_DS基本上不变。

在饱和区中，源极-漏极电流值I_DS表示成：

I_{DS} = \frac{μ C_{0} Z}{2 L} {(V_{GS} - V_{TH})}^{2} . . . . . . (1)

其中，μ是载流子(电子)的迁移率，C₀是以MOS结构栅极绝缘薄膜为电介质的电容，Z是沟道宽度，L是沟道长度。

参见图6，栅极-源极电压值V_GS0到V_GSMAX具有V_GS0＝0＜V_GS1＜V_GS2＜V_GS3＜V_GS4＜V_GSMAX的关系。也就是说，从图6明显看出，如果源极-漏极电压值V_DS不变，无论在不饱和区还是在饱和区，源极-漏极电流值I_DS都随着栅极-源极电压值V_GS的增加而增加。另外，随着栅极-源极电压值V_GS的增加，漏极饱和阈值电压V_TH增加。

从上文中，在不饱和区，当源极-漏极电压值V_DS略微改变时，源极-漏极电流值I_DS改变。但是，在饱和区，如果确定了栅极-源极电压值V_GS，则可以无条件地确定源极-漏极电流值I_DS。当晶体管12处于栅极-源极电压值V_GSMAX时，漏极-源极电流值I_DS被设置成在以最大亮度发光的有机EL元件E_i，j的阳极41和阴极43之间所流的电流值。

下面将参照图7的时序图描述上述结构的像素驱动电路D_i，j的操作、驱动该像素驱动电路D_i，j的方法和发光元件显示器1的操作。参见图7，周期T_SE为选择周期，周期T_NSE为非选择周期，周期T_SC为一个扫描周期。注意，T_SC＝T_SE+T_NSE。

根据从控制器6输出的控制信号φs，选择扫描驱动器3按照从第一行的选择扫描线X₁到第m行的选择扫描线X_m的顺序依次向选择扫描线输出高电平(ON电平)脉冲。同样，根据从控制器6输出的控制信号φe，发射电压扫描驱动器4按照从第一行的发射电压扫描线Z₁到第m行的发射电压扫描线Z_m的顺序依次向发射电压扫描线输出低电平脉冲。

如图7所示，在每一行，选择扫描线X_i的高电平电压输出时序大致与发射电压扫描线Z_i的低电平脉冲输出时序相同。选择扫描线X_i的高电平电压持续时间大致与发射电压扫描线Z_i的低电平电压持续时间相同。高电平脉冲和低电平脉冲输出的持续周期为该行的选择周期T_SE。另外，在每一行的选择周期T_SE期间，数据驱动器5根据从控制器6输出的控制信号φd在所有列中的电流线Y₁到Y_n上产生存储电流(即，流到数据驱动器5的电流)。也就是说，数据驱动器5向每一列的电流线Y_j提供存储电流，其电流值与控制器6所接收的图像数据相对应。

下面将详细描述电流的流动以及向像素P_i，j施加电压。

在第一行选择周期T_SE的开始时间t₁，选择扫描驱动器3向第i行的选择扫描线X_i输出ON电平(高电平)电压。在从时间t₁到时间t₂的选择周期T_SE期间，具有可打开晶体管10和11的电平的扫描信号电压V_ON被施加到选择扫描线X_i。另外，在第一行的选择周期T_SE中，等于或低于参考电压V_SS的选择电压V_SE被施加到发射电压扫描线Z_i。此外，在选择周期T_SE，数据驱动器5根据控制器6接收的图像数据提供具有预定电流值的存储电流。

因此，在该选择周期T_SE中，晶体管10被打开，以允许电流从漏极流向源极，且一电压被施加到晶体管12的栅极和电容13的一端，由此打开晶体管12。另外，在选择周期T_SE中，晶体管11被打开，数据驱动器5向电流线Y₁、Y₂、...、Y_j、Y_j+1、...、Y_n提供相应于图像数据的存储电流。为了向电流线Y₁、Y₂、...、Y_j、Y_j+1、...、Y_n提供存储电流，数据驱动器5将电流线Y₁、Y₂、...、Y_j、Y_j+1、...、Y_n设置成等于或低于选择电压V_SE且等于或低于参考电压V_SS的电压，从而使晶体管12的源极12S的电势低于漏极。

此外，因为晶体管12的栅极和源极之间产生了电势差，因此具有数据驱动器5所指定电流值(即，相应于图像数据的电流值)的存储电流I₁、I₂、...、I_j、I_j+1、...、I_n沿箭头α所示的方向流过电流线Y₁、Y₂、...、Y_j、Y_j+1、...、Y_n。在该选择周期T_SE中，发射电压扫描线Z_i的选择电压V_SE等于或低于参考电压V_SS，且有机EL元件E_i，j的阳极电势变得低于阴极电势。因此，一反向偏压被施加到有机EL元件E_i，j。结果，没有来自发射电压扫描线Z_i的电流流过有机EL元件E_i，j。

每个像素P_i，1到P_i，n的电容13另一端(连接到晶体管12的源极12S)的电势与数据驱动器5所控制(指定)的电流值相对应，并低于晶体管12的栅极电势。也就是说，产生晶体管12栅极和源极之间电势差并使电流I₁到I_n流过像素P_i，1到P_i，n的这些晶体管12的电荷，被充到这些像素P_i，1到P_i，n的电容13中。

在例如从晶体管12到电流线Y_j的线路上的一给定点处，电势根据例如随时间变化的晶体管11和12的内部阻抗而变化。但是，在数据驱动器5电流控制下流动的电流呈现出预定的电流值。因此，即使当晶体管11和12的阻抗增加而改变晶体管12的栅极-源极电势时，沿箭头α方向流动的电流的预定电流值仍保持不变。

在选择周期T_SE的结束时间t₂，结束从选择扫描驱动器3向选择扫描线X_i输出的高电平脉冲，并结束从发射电压扫描驱动器4向发射电压扫描线Z_i输出的低电平脉冲。也就是说，从该结束时间t₂到下一个选择周期T_SE的开始时间t₁的非选择周期T_NSE中，OFF电平(低电平)扫描信号电压V_OFF被施加到选择扫描线X_i的晶体管10和11的栅极。另外，远高于参考电压V_SS的非选择电压V_NSE被施加到发射电压扫描线Z_i。相应的，如图5B所示，在该非选择周期T_NSE，晶体管11关闭，没有电流流过电流线Y₁到Y_n。此外，晶体管10在非选择周期T_NSE关闭。

有机EL元件E_i，j不可避免会随时间而劣化，即它的阻抗在长时间内会逐渐上升，这会逐渐增加该有机EL元件E_i，j的分压。因此，当施加不变的电压时，施加到与有机EL元件E_i，j串联的晶体管的电压相对于该晶体管会变低。令V_E表示有机EL元件E_i，j的最大内部电压，即使有机EL元件E_i，j在其发光寿命期间以最大亮度发光所需的电压。在选择周期T_SE之后的非选择周期T_NSE期间，如图6所示，下面的等式(2)成立，因此晶体管12的源极和漏极保持在饱和区，即晶体管12的源极-漏极电流I_DS只受晶体管12栅极-源极电压V_GS的控制，而与晶体管12的源极-漏极电压V_DS无关，即使当晶体管12的栅极-源极电压值V_GS为V_GSMAX。

V_NSE-V_E-V_SS≥V_THMAX (2)

其中V_THMAX是当V_GS为V_GSMAX时，晶体管12的源极-漏极饱和阈值电压。考虑到晶体管12随时间劣化时饱和阈值的这种变化和发光板2的多个晶体管12特性的不同，V_THMAX被设置成期望是当V_GSMAX提供给晶体管12的栅极时，晶体管12正常操作范围内的最高值。

电容13的两端在选择周期T_SE期间保持充电，晶体管12保持打开。也就是说，在非选择周期T_NSE的晶体管12的栅极-源极电压V_GS等于该非选择周期T_NSE之前的选择周期T_SE期间的电压值。因此，晶体管12持续地使显示电流即使在非选择周期T_NSE期间也能流动，该显示电流等于电流值与选择周期T_SE期间的图像数据相对应的存储电流。但是，晶体管11关闭。因此，如上面的等式(2)所示，通过经由有机EL元件E_i，j流向低参考电压V_SS，显示电流流过有机EL元件E_i，j阳极41和阴极43之间的有机EL层42，晶体管12的源极-漏极电流I_DS流动。因此，有机EL元件E_i，j发光。

如上所述，在选择周期T_SE，数据驱动器5根据图像数据强制通过电流线Y_j在晶体管12的源极和漏极之间提供存储电流。在非选择周期T_NSE，据驱动器5向有机EL元件E_i，j提供等于所提取的存储电流的显示电流。相应的，即使当晶体管12的特性改变或特性随时间劣化而改变时，晶体管12仍可以提供相应于图像数据的所需的电流。另外，即使当有机EL元件E_i，j的阻抗随时间升高时，所需的电流也流入有机EL元件E_i，j，因此可以执行稳定的发光色调显示。在一个像素中，作为电流控制晶体管的晶体管12是唯一与有机EL元件E_i，j串联的晶体管。因此，施加到发射电压扫描线Z_i的电压仅由有机EL元件E_i，j和晶体管12分压。这实现了低电压，及随之而来的低消耗驱动。这也减少了一个像素中的晶体管数目，从而增加了光学元件所占用的面积。

当选择扫描线X_i的选择周期T_SE结束时，随后开始选择扫描线X_i+1的选择周期T_SE。选择扫描驱动器3、发射电压扫描驱动器4、数据驱动器5和控制器6以对于选择扫描线X_i时相同的方式进行操作。以这样一种方式，逐线地选择有机EL元件E_1，1到E_1，n、E_2，1到E_2，n、...、E_m，1到E_m，n。在选择扫描线X₁到X_m的选择周期T_SE依次结束之后，选择扫描线X₁的选择周期T_SE再次开始。如上所述，每个像素在一个扫描周期T_SC中持续发光的发光时间T_EM基本上等于非选择周期T_NSE。随着选择扫描线数目的增加，发光周期T_EM可以延长。

而且，利用电流控制的有源矩阵驱动型发光元件显示器1可以通过使用一个像素P_i，j的三个晶体管10、11和12来实现。这改进了发光元件显示器1的图像特性。也就是说，在进行控制电流的有源矩阵驱动型发光元件显示器1中，本发明可以提高像素P_i，j的发光面积比，因此可以增加其它的设计余量。当发光面积比提高时，可以增加发光元件显示器1显示屏的表观亮度。另外，当以理想的表观亮度显示图像时，有机EL层42每单位面积流动的电流值可以降低。这可以延长有机EL元件E_i，j的发光寿命。

此外，在选择周期T_SE反向偏压被施加到有机EL元件E_i，j，而这也延长了有机EL元件E_i，j的发光寿命。在上述的实施例中，每个像素驱动电路D_i，j的每个晶体管10、11和12为只有n沟道的单沟道型FET，其半导体层由非晶硅形成。相应的，这些晶体管10、11和12可以在同一步骤中在透明衬底30上同时形成。这可以抑制制造发光板2、发光元件显示器1和像素驱动电路D_i，j的时间或费用的增加。使用p沟道FET作为晶体管10、11和12也可以获得上述实施例相同的上述效果。在这种情况下，图7所示的各个信号的相位相反。

【第二个实施例】

下面描述第二实施例。除了每个像素P_i，j的结构以外，第二实施例与第一实施例相同。也就是说，在如图8A和8B所示的第二实施例中，每个像素P_i，j(每个像素P_i，j的像素驱动电路D_i，j)具有取代晶体管10和11的开关电路51和取代晶体管12和13的电流存储电路52。与上面第一实施例相同的附图标记表示相同的部分，因此将省略其详细的解释。

输出到发射电压扫描线Z_i的电源信号Sb在选择周期T_SE期间具有电压值Vb，在非选择周期T_NSE期间，具有电压值Vb’。这些电压值Vb和Vb’分别对应于非选择电压V_NSE和参考电压V_SS，如图7所示。

输出到选择扫描线X_i的扫描信号Sa在选择周期T_SE期间具有打开开关电路51的电压值Va，在非选择周期T_NSE期间具有关闭开关电路51的电压值Va’。扫描信号Sa对应于如图7所示的扫描信号(扫描信号电压)。

如图8A所示，在选择周期T_SE期间，开关电路51根据扫描信号Sa将电源信号Sb从发射电压扫描线Z_i输出到选择扫描线X_i，并提供通过线路Q从电流存储电路52流到电流线Y_j的电流Ib。电流Ib的电流值受连接到电流线Y_j的电流吸收型数据驱动器5(即，数据驱动器5具有电流吸收器)的控制。而且，如图8B所示，在非选择周期T_NSE期间，开关电路51停止根据扫描信号Sa将显示电流从电流存储电路52提供到电流线Y_j，并通过线路R将该显示电流提供给有机EL元件E_i，j。相应的，有机EL元件E_i，j在非选择周期T_NSE发光。

如图8A所示，电流存储电路52包括存储装置，在选择周期TSE期间，该存储装置根据来自开关电路51的电源信号Sb的信号电压Vb，允许受电流吸收数据驱动器5控制的电流Ib从发射电压扫描线Z_i流向线路Q，从而存储了电流Ib的电流值。如图8B所示，在非选择周期T_NSE期间，电流存储电路52根据来自开关电路51的信号电压Vb’，允许与存储装置所存储的电流值相对应的电流Ib从发射电压扫描线Z_i流向线路R。相应的，非选择周期T_NSE期间电流Ib的电流值与选择周期T_SE期间电流Ib的电流值相等或与其具有线性关系。

【第三个实施例】

下面将描述第三实施例。除了每个像素P_i，j的结构以外，第三实施例与第一实施例相同。也就是说，如图9A和9B所示，第三实施例的每个像素P_i，j具有晶体管14而不是晶体管10。与上面第一实施例相同的附图标记表示相同的部分，因此将省略其详细的解释。

不同于晶体管10，晶体管14的漏极14D和栅极14G连接到选择扫描线X_i，且晶体管14的源极14S连接到晶体管12的栅极12G。与晶体管11和晶体管12类似，晶体管14是n沟道非晶硅薄膜晶体管。

晶体管14通过施加如图7所示波形图的电压而操作。在选择周期T_SE期间，晶体管14被来自选择扫描线X_i的ON电平(高电平)扫描信号打开，以便从选择扫描线X_i施加电压到晶体管12的栅极。晶体管12被晶体管14在选择周期T_SE施加的栅极电压打开，并经打开的晶体管11和电流线Y_j，提供由具有电流吸收器的数据驱动器5提取的电流I_DS(存储电流)。在连接于晶体管12的栅极和源极之间的电容13中，充以与晶体管12提供给电流线Y_j的电流的电流值相对应的电荷。

在非选择周期T_NSE期间，晶体管11和14被提供给选择扫描线X_i的OFF电平扫描信号关闭。在晶体管12中，一预定电压被施加到源极和漏极之间，其电压值对应于电容13所充的电荷。相应的，晶体管12向有机EL元件E_i，j提供相应于源极和漏极之间电压值(即相应于电容13所充的电荷)的显示电流，从而使有机EL元件E_i，j发光。在这种情况下流入有机EL元件E_i，j的电流具有与来自控制器6的控制信号φs、φd和φe相对应的电流值，即，具有存储电流的电流值。因此，有机EL元件E_i，j以相应于图像数据的亮度发光。

【第四个实施例】

下面将描述第四实施例。除了每个像素P_i，j的结构以外，第四实施例与第二实施例相同。也就是说，如图10A和10B所示，第四实施例的每个像素P_i，j(每个像素P_i，j的像素驱动电路D_i，j)具有开关53而不是开关电路51。与上面第二实施例相同的附图标记表示相同的部分，因此将省略其详细的解释。

如图10A所示，在选择周期T_SE期间，开关53根据扫描信号Sa向电流存储电路52输出ON电平信号(电压值Va)，并提供通过线路Q从电流存储电路52流到电流线Y_j的电流Ib。电流Ib受连接到电流线Y_j的电流吸收型数据驱动器5(即数据驱动器5具有电流吸收器)的控制。在非选择周期T_NSE期间，开关53停止根据OFF电平扫描信号(电压值Va’)将电流Ib从电流存储电路52提供到电流线Y_j，并通过线路R将显示电流提供给有机EL元件E_i，j。相应的，有机EL元件E_i，j在非选择周期T_NSE发光。

本发明并不局限于上述的实施例。也就是说，可以作出各种改进和设计上的变化而不偏离本发明的要点。

例如，上述的每一个实施例中都使用有机EL元件作为发光元件。但是，也可以使用这样一种发光元件，该发光元件在施加反向偏压时没有电流流动，而在施加正向偏压时电流流动，并以相应于流动电流大小的亮度发光。一个例子是LED(发光二极管)。

而且，上述实施例中的晶体管10、11、12和14都是以非晶硅为半导体层(即，沟道层)的薄膜晶体管。但是，也可以使用多晶硅半导体层的薄膜晶体管。

在上述每一个实施例中，由栅极绝缘薄膜32形成的电容13(在栅极绝缘薄膜32中栅极12G和源极12S叠加在一起)在晶体管12的栅极和源极之间形成。但是，由不包含栅极12G、源极12S和栅极绝缘薄膜32中至少一个或几个的部件形成的电容，也可以在晶体管12的栅极和源极之间形成。

对本领域技术人员来说，其它的优点和变型是显而易见的。因此，更宽方面的本发明并不局限于这里所示和描述的具体细节和表示的实施例。相应的，可以作出各种变型而不会偏离所附权利要求书及其等同物所限定的本发明总体概念的精神和范围。

Claims

1.一种显示面板，包括：

至少一个光学元件，其具有一对电极并表现出对应于电流流过这对电极之间的光学操作；

至少一条电流线；

至少一个开关电路，其在选择周期期间向所述电流线提供一具有预定电流值的存储电流，并在非选择周期期间停止向所述电流线提供电流；和

至少一个电流存储电路，其存储对应于选择周期期间流过所述电流线的存储电流电流值的电流数据，并根据选择周期期间存储的该电流数据，在非选择周期期间向所述光学元件提供电流值实质上等于所述存储电流的一显示电流。

2.根据权利要求1的显示面板，其中所述电流存储电路包括与所述光学元件串联的一电流控制晶体管。

3.根据权利要求2的显示面板，其中所述电流存储电路包括在所述电流控制晶体管的栅极和源极之间的一电容，其中电荷作为电流数据被写入该电容。

4.根据权利要求1的显示面板，其中所述开关电路包括一电流路径控制晶体管，该电流路径控制晶体管具有一端连接到所述电流线的一电流路径，并在选择周期期间向所述电流线提供存储电流，以及在非选择周期期间停止向所述电流线提供显示电流。

5.根据权利要求1的显示面板，其中所述开关电路包括一电流数据写控制晶体管，该电流数据写控制晶体管控制将电流数据写到所述电流存储电路。

6.根据权利要求1的显示面板，其中

所述电流存储电路包括与所述光学元件串联的一电流控制晶体管，和

所述开关电路包括一电流路径控制晶体管，该电流路径控制晶体管在选择周期期间向所述电流线提供存储电流，和一电流数据写控制晶体管，该电流数据写控制晶体管在选择周期期间写入流过所述电流线的存储电流的电流值，作为所述电流控制晶体管栅极和源极之间的电流数据。

7.根据权利要求1的显示面板，其中形成多个光学元件、多个电流存储电路和多个开关电路，每个光学元件、每个电流存储电路和每个开关电路形成每个像素，多个像素以矩阵形式排列。

8.根据权利要求1的显示面板，还包括一数据驱动器，该数据驱动器允许所述存储电流在选择周期期间从所述电流存储电路流向所述电流线。

9.根据权利要求1的显示面板，还包括一显示电压扫描线，该显示电压扫描线连接到所述电流存储电路，且用于向所述光学元件提供显示电流的一电压输出到该显示电压扫描线。

10.根据权利要求9的显示面板，其中所述电流存储电路的一电流路径的一端连接到所述光学元件，该电流路径的另一端连接到所述显示电压扫描线。

11.根据权利要求10的显示面板，还包括一显示电压扫描驱动器，该显示电压扫描驱动器

在选择周期期间通过所述显示电压扫描线向所述电流存储电路施加一电压，以使所述存储电流可以在选择周期期间流入所述电流存储电路；和

在非选择周期期间通过所述显示电压扫描线向所述电流存储电路施加一电压，以使所述显示电流根据所述电流数据可以在非选择周期期间流入所述电流存储电路，所述显示电流的电流值实质上等于在选择周期期间流入所述电流存储电路的存储电流。

12.根据权利要求11的显示面板，其中

所述光学元件的一对电极的其中一个连接到所述电流存储电路，另一个连接到一恒压电源，和

所述显示电压扫描驱动器在选择周期期间输出一不超过所述恒压电源的电势的电压，和

在非选择周期期间输出一不低于选择周期期间所输出的电压且高于所述恒压电源的电势的电压。

13.根据权利要求1的显示面板，还包括一选择扫描线，用于选择所述开关电路的一选择扫描信号输出到该选择扫描线。

14.根据权利要求13的显示面板，其中所述开关电路包括一电流路径控制晶体管，该电流路径控制晶体管具有一端连接到所述电流线，另一端连接到所述电流存储电路的一电流路径，并具有连接到所述选择扫描线的一控制端。

15.根据权利要求13的显示面板，其中所述开关电路包括一电流数据写控制晶体管，该电流数据写控制晶体管具有连接到所述选择扫描线的一控制端。

16.根据权利要求13的显示面板，还包括一选择扫描驱动器，该选择扫描驱动器向所述选择扫描线输出一选择扫描信号。

17.根据权利要求1的显示面板，还包括：

一显示电压扫描线，用于向所述光学元件提供显示电流的一电压输出到该显示电压扫描线；

一选择扫描线，用于选择所述开关电路的一选择扫描信号输出到该选择扫描线，

其中所述电流存储电路包括一电流控制晶体管，其具有一端连接到所述光学元件，另一端连接到所述显示电压扫描线的一电流路径，和

所述开关电路包括：

一电流数据写控制晶体管，其具有连接到所述选择扫描线的一控制端，以及一端连接到所述电流控制晶体管的控制端，另一端连接到所述显示电压扫描线或所述选择扫描线的一电流路径；和

一电流路径控制晶体管，其具有连接到所述选择扫描线的一控制端，以及一端连接到所述电流线，另一端连接到所述电流控制晶体管的所述一端的一电流路径。

18.根据权利要求17的显示面板，还包括：

一选择扫描驱动器，其向所述选择扫描线输出一选择扫描信号；

一数据驱动器，其在选择周期期间向所述电流线和所述电流存储电路提供存储电流；和

一显示电压扫描驱动器，其在选择周期期间通过所述显示电压扫描线向所述电流存储电路施加一电压，以使存储电流可以在选择周期期间流入所述电流存储电路，并在非选择周期期间通过所述显示电压扫描线向所述电流存储电路施加一电压，以使所述显示电流根据所述电流数据可以在非选择周期期间流入所述电流存储电路，所述显示电流的电流值实质上等于在选择周期期间流入所述电流存储电路的存储电流。

19.根据权利要求17的显示面板，其中所述显示电压扫描驱动器向所述显示电压扫描线输出一饱和电流路径电压，以使所述电流控制晶体管的电流路径的一端和另一端间的电压可以饱和，且显示电流根据所述电流控制晶体管的控制端和电流路径的所述一端间的电压，可以在非选择周期期间流过所述电流控制晶体管的电流路径。

20.根据权利要求17的显示面板，其中所述电流控制晶体管、所述电流数据写控制晶体管和所述电流路径控制晶体管是具有相同沟道的单沟道晶体管。

21.根据权利要求1的显示面板，其中所述光学元件的一对电极的其中一个连接到所述电流存储电路，另一个连接到一恒压电源。

22.根据权利要求1的显示面板，其中所述光学元件是发光元件。

23.根据权利要求22的显示面板，其中所述发光元件具有一EL元件。

24.一种显示面板驱动方法，包括：

电流存储步骤，在选择周期期间，向一电流存储电路提供一具有预定电流值的存储电流，并将对应于该电流值的电流数据存储至该电流存储电路；和

显示步骤，在非选择周期期间向一光学元件提供电流值实质上等于根据所述电流存储步骤中所存储的电流数据的存储电流的显示电流。

25.根据权利要求24的显示面板驱动方法，其中

所述电流存储步骤包括通过一电流线向所述电流存储电路提供存储电流，和

所述显示步骤包括不通过所述电流线向所述光学元件提供显示电流。

26.根据权利要求24的显示面板驱动方法，其中所述电流存储步骤包括不通过所述光学元件向所述电流存储电路提供存储电流。

27.根据权利要求24的显示面板驱动方法，其中所述电流存储电路包括一电流控制晶体管和一电容，该电流控制晶体管具有一端连接到所述光学元件，另一端连接到一显示电压扫描线的一电流路径，该电容连接在所述电流控制晶体管的栅极和源极之间并存储电流数据。

28.根据权利要求27的显示面板驱动方法，其中用于提供存储电流的一电压在选择周期期间输出到所述显示电压扫描线，且用于提供显示电流的一电压在非选择周期期间输出到所述显示电压扫描线。

29.根据权利要求27的显示面板驱动方法，其中根据来自一选择扫描线的选择扫描信号，在一电流数据写控制晶体管的控制下，与选择周期期间流过所述电流控制晶体管的电流路径的存储电流相对应的电荷，作为电流数据被写入所述电容。

30.根据权利要求29的显示面板驱动方法，其中在所述选择周期期间写入所述电容的电荷，在非选择周期期间在所述电流数据写控制晶体管的控制下被保持。

31.根据权利要求27的显示面板驱动方法，其中在选择周期期间流过所述电流控制晶体管的电流路径的存储电流，在根据来自一选择扫描线的选择扫描信号而被驱动的一电流路径控制晶体管的控制下，流过一电流线。

32.根据权利要求27的显示面板驱动方法，其中在非选择周期期间流过所述电流控制晶体管的电流路径的显示电流，在根据来自一选择扫描线的选择扫描信号而被驱动的一电流路径控制晶体管的控制下，流过所述光学元件。

33.根据权利要求27的显示面板驱动方法，其中显示面板还包括：

一选择扫描线，一选择扫描信号输出到该选择扫描线；

一电流线，存储电流流过该电流线；

一电流数据写控制晶体管，其具有连接到所述选择扫描线的一控制端，以及一端连接到所述电流控制晶体管的栅极，另一端连接到所述显示电压扫描线或所述选择扫描线的一电流路径，且该电流数据写控制晶体管根据选择扫描信号控制写入存储电流的电流数据；和

一电流路径控制晶体管，其具有连接到所述选择扫描线的一控制端，以及一端连接到所述电流线，另一端连接到所述电流控制晶体管的电流路径的所述一端的一电流路径，且该电流路径控制晶体管根据选择扫描信号经所述电流控制晶体管向所述电流线提供存储电流。

34.根据权利要求33的显示面板驱动方法，其中

所述电流存储步骤包括，在选择周期期间，根据来自所述选择扫描线的选择扫描信号，通过选择所述电流数据写控制晶体管和所述电流路径控制晶体管，向所述电流控制晶体管的电流路径提供存储电流，并将电荷作为对应于存储电流的电流数据存入所述电容，和

所述显示步骤包括，在非选择周期期间，根据来自所述选择扫描线的选择扫描信号，使所述电流数据写控制晶体管保持电流数据，并使所述电流路径控制晶体管停止向所述电流线提供电流，以及向所述显示电压扫描线施加不同于所述光学元件另一端电势的一电压，由此对应于电流数据的显示电流流过所述电流控制晶体管和所述光学元件的路径。

35.根据权利要求33的显示面板驱动方法，其中

显示面板包括：

一选择扫描驱动器，其向所述选择扫描线输出选择扫描信号；

一数据驱动器，其在选择周期期间从所述电流控制晶体管抽出存储电流到所述电流线；和

一显示电压扫描驱动器，其在选择周期期间通过所述显示电压扫描线向所述电流存储电路施加一电压，以使存储电流可以在选择周期期间流入所述电流控制晶体管，并在非选择周期期间通过所述显示电压扫描线向所述电流控制晶体管施加一电压，以使显示电流根据电流数据可以在非选择周期期间流入所述光学元件。

36.根据权利要求35的显示面板驱动方法，其中所述显示电压扫描驱动器向所述显示电压扫描线输出一饱和电流路径电压，以使所述电流控制晶体管的源极和漏极间的一电压可以饱和，且显示电流根据所述电流控制晶体管的栅极和源极间的一电压，可以在非选择周期期间流过所述电流控制晶体管的电流路径。