CN1573870A - 像素电路以及显示装置 - Google Patents

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Abstract

一种像素电路以及显示装置，其目的在于降低驱动TFT的阈值变动所造成的不良影响。藉由开关TFT(20)导通，使数据线的数据电压作为驱动TFT(22)的栅极电压VG(22)而保持于保持电容(24)。在该状态下，降低面板驱动线的电压。在驱动TFT(22)的栅极的另一端连接有连接在参考电压的MOS型电容组件(28)，该MOS型电容组件(28)是于面板驱动线的电压的电压下降前导通，上升中途转变为切断，由于该转换电容值会产生变化。因而，栅极电压VG(22)的下降坡度产生变化，藉此对应于驱动TFT(22)的阈值变化，而可修正面板驱动线下降后的栅极电压VG(22)。

Description

像素电路以及显示装置
技术领域
本发明是有关于包含有机电场发光(Electroluminescence)(以下称EL)组件等发光组件的像素电路，以及将该像素电路配置呈矩阵状的显示装置。
背景技术
以往众所周知有使用有机EL组件的有机EL面板作为发光组件，且其开发正蓬勃发展。该有机EL面板中，藉由将有机EL组件配置呈矩阵状，并个别控制该有机EL组件的发光，以进行显示。尤其是，主动矩阵(Active Matrix)型的有机EL面板中，每一像素具有显示控制用的TFT，且利用该TFT的动作控制可控制每一像素的发光，因此可进行非常高精度的显示。
第14图是显示一主动矩阵型的有机EL面板中的像素电路的例。此电路中有数据线，对该数据线供给有显示像素的辉度的数据电压，此数据线经由开关TFT10(switching TFT)而连接于驱动TFT12的栅极。该开关TFT10的栅极是连接于栅极线，而属n沟道的开关TFT。此外，在驱动TFT12的栅极连接于保持电容14的一端该保持电容14的另一端连接于电容电源线，而保持驱动TFT12的栅极电压。
该驱动TFT12的源极是连接于EL电源，漏极是连接于有机EL组件16的阳极，而有机EL组件16的阴极则连接于阴极电源。
如上述的像素电路配置呈矩阵状，藉由预定的时序，使设于每一水平线的栅极线成为H电平，而其列(row)的开关TFT10成为导通状态。在该状态下，依序供给数据电压至数据线，因此其数据电压是供给于保持电容14而保持，即使栅极线转换成L电平也可保持当时的电压。
而且，驱动TFT12依照该保持电容14所保持的电压而动作，使所对应的驱动电流从EL电源经由有机EL组件16流至阴极电源，使有机EL组件16对应于数据电压而发光。
而且，将栅极线依序成为H电平，将所输入的视频信号作为数据电压而依序供给至对应的像素，藉此使配置呈矩阵状的有机EL组件16相应于数据电压而发光，以进行对应于视频信号的显示。
[专利文献1]特表2002-514320号公报。
发明内容
发明所欲解决的课题
然而，如上述的像素电路中，配置呈矩阵状的像素电路的驱动TFT12的阈值电压产生变异而不均时，有机EL组件的辉度会变动，而有造成显示品质降低的问题。而且，针对构成显示面板整体的像素电路的TFT的特性难以完全形成一致，并且，难以防止该导通/切断的阈值不均的情形。
因此，期望能防止驱动TFT中的阈值的不均对显示造成影响。
在此，针对用以防止对TFT的阈值的变动造成影响的电路，以往有各种的提案(例如上述专利文献1)。
然而，该提案中，必须要有用以补偿阈值变动的电路。因此，使用如上述的电路时会有像素电路的组件数增加，开口率变小的问题。此外，追加用以补偿的电路的情形，也会有变成须变更到用以驱动像素电路的外围电路的问题。
本发明提供一种藉由简单的变更，即可有效地补偿驱动晶体管的阈值电压的变动的像素电路。
用以解决课题的方法
本发明是具备有：于一端接受数据电压并保持的保持电容；在所述保持电容的所述一端连接有栅极，且对应所述保持电容的一端的电压以控制电流量的驱动晶体管；对应于流通于所述驱动晶体管的电流而发光的发光组件；连接于所述保持电容的另一端，且输入有预定电压或脉冲状信号的第一控制信号线；以及有一端连接于所述驱动晶体管的栅极，另一端连接于输入有预定电压或脉冲状信号的第二控制信号线，且随着所述第一或第二控制信号线的电压变动而改变电容值的MOS型电容组件。
所述MOS型电容组件的导通/切断状态是随着第一或第二控制信号线的电压变动而变化，而使MOS型电容组件的电容产生变化。因此，利用该电容值的变化，可用以补偿驱动晶体管的阈值变化。另外，MOS型电容组件可使用薄膜晶体管(TFT)的外，也可使用MIS晶体管、MOS晶体管。
最好是所述数据电压保持于保持电容之后，利用第一或第二控制信号线的电压变动，使MOS型电容组件从导通状态转变成切断状态。
所述MOS型电容组件最好是具有与所述驱动晶体管相同的阈值电压。
MOS型电容组件可与驱动TFT为相同程序且形成在附近。因此，可容易使两者形成相同特性。由于两者的阈值电压为相同，因此利用此特性可易于补偿阈值电压的变动。
本发明的另一样态中，所述MOS型电容组件的源极或漏极的至少的一方连接于所述驱动晶体管的栅极，而栅极连接于所述第二控制信号线。
本发明的另一样态中，所述MOS型电容组件的源极或漏极的一方连接于数据信号的供给源，而另一端连接于所述驱动晶体管的栅极，而栅极则连接于第二信号线。
如上述，将MOS型电容组件作为MOS晶体管也可获得相同的作用效果。
最好是藉由所述第一或第二控制信号线的电压变动，使所述MOS型电容组件从导通状态转变成关断状态，并且使所述驱动晶体管从关断状态转变成导通状态而使发光组件发光。
所述第二控制信号线可兼用为连接于所述驱动晶体管的驱动用电源线。藉此不须专用的第二控制信号线。
本发明的另一样态中，所述驱动晶体管以及所述MOS型电容组件是p沟道薄膜晶体管。
本发明的另一样态中，所述发光组件是电场发光组件。
本发明的另一样态中，显示装置中，如上述的画像电路具有矩阵状。
发明效果
如以上所说明，根据本发明，藉由第一或第二控制信号线(例如脉冲驱动线)的电压变动可切换MOS型电容组件的导通/切断状态，且其电容值会产生变化。而且，对应于MOS型电容组件的阈值变化，使MOS型电容组件产生导通/切断动作的电压产生变化。
并且，对应脉冲驱动线的变化的驱动晶体管的栅极电压的变化是依照MOS型电容组件的电容值而决定，因此依照MOS型电容组件的阈值变动，栅极电压会产生变动。因此设计MOS型电容组件及保持电容等俾使驱动晶体管的阈值变动相抵销的方式使驱动晶体管的栅极电压，因此可降低驱动晶体管的阈值变动对驱动电流造成的影响。
附图说明
第1图为显示本发明实施形态的像素电路的构成图。
第2图为显示栅极电压的变化状态图。
第3图为显示切换电压的变化与栅极电压的变化的关是图。
第4图为显示本发明实施形态的另一像素电路构成图。
第5图为显示栅极电压的变化状态图。
第6图为显示栅极电压的变化状态图。
第7图为显示保持电容对补正电压的影响的图。
第8图为显示驱动TFT的栅极宽度对补正电压的影响的图。
第9图为显示MOS型电容组件的栅极长度对补正电压的影响的图。
第10图为显示本发明的另一实施形态的像素电路构造图。
第11图为显示本发明的实施形态的像素的平面构造图。
第12图(a)至(c)为显示第11图的像素的各位置的概略剖面构造图。
第13图为显示本发明的另一实施形态的像素电路构造图。
第14图为显示以往的像素电路的构造图。
[组件符号说明]
20    开关TFT        22    驱动TFT
24    保持电容       26    有机EL组件
28    MOS型电容组件
100   基板           102   缓冲层
104    栅极绝缘层      106     层间绝缘膜
108    (第一)平坦化绝缘膜
110    (第二)平坦化绝缘膜
120    第一TFT用半导体层(能动层)
122    第二TFT用半导体层(能动层)
122c   沟道领域        122d    漏极领域
122s   源极领域        124     保持电容电极
128    MOS型电容组件用半导体层(能动层)
262    下部电极(阳极)
264    上部电极(阴极)
270    发光组件层      272     电洞输送层
274    发光层          276     电子输送层
300    (GL)栅极线
302    第二TFT栅极电极
304    金属配线层
306    MOS型电容组件用栅极电极
308    漏极电极        310    (DL)数据线
(SC)保持电容线(面板驱动线)
具体实施方式
以下，根据图面说明本发明的实施形态。
第1图是显示实施形态的一像素的像素电路的构成图。在延伸于垂直方向的数据线连接有p沟道的开关TFT20的漏极。该开关TFT20的栅极是连接于朝水平方向延伸的栅极线，源极是连接于p沟道的驱动TFT22的栅极。再者，在连接有开关TFT20的源极的驱动TFT22的栅极连接有保持电容24的一端，而该保持电容的另一端是连接于脉冲驱动线。该脉冲驱动线(第一控制信号线)是与电容电源线同样地为朝水平方向延伸的线。
驱动TFT22的源极是连接于朝垂直方向延伸的EL电源线，漏极是连接于有机EL组件26的阳极。此外，有机EL组件26的阴极是连接于阴极电源。在此，一般的情形，有机EL组件26的阴极是形成全像素共享，且该阴极连接于预定电位的阴极电源。
而且，在驱动TFT22的栅极，有栅极端连接有设定于预定电位的参考电源线(第二控制信号线)的电压的p沟道的MOS型电容组件28的一端。此处，该MOS型电容组件28是与一般的TFT同样地具有源极、沟道以及漏极领域，但源极或漏极的一方的电极，以与门极电极连接于预定部位，且仅用作栅极电容。
MOS型电容组件28是具有沟道领域与一个杂质领域，也可为将对应于该杂质领域的电极与栅极连接在预定部位上。此外，MOS型电容组件28有MOS晶体管、MIS晶体管以及TFT型等。
如上述的像素电路配置呈矩阵状，利用输入相当的水平线的视频信号的时序，其水平线的栅极线成为L，其列的开关TFT20成为导通状态。并且，在该状态下，视频信号所对应的数据线供给有顺次数据电压。因此，其数据电压是供给保持在保持电容24，且栅极线成为H电平，即使开关TFT20为切断也可保持驱动TFT22的栅极电压。
再者，驱动TFT22依照保持在该保持电容24的电压动作，所对应的驱动电流从EL电源经由有机EL组件26，流入阴极电源，且有机EL组件26依照数据电压发光。
而且，将栅极线设为顺次L电平，将所输入的视频信号作为数据电压顺次供给至对应的像素，藉此配置呈矩阵状的有机EL组件26依照数据电压发光，以进行视频信号的显示。
在此，驱动TFT22是根据EL电源的电压与栅极电压的差，也即依据Vgs加以导通而流入所对应的驱动电流。而且，该Vgs变成大于利用其TFT的特性所制定的阈值电压Vth时开始流入电流，而驱动电流量是利用栅极电压与阈值电压的差而决定。另一方面，难以使配置呈矩阵状的复数驱动TFT22的阈值电压难以形成为完全相同，而阈值电压无可避免会因像素位置而多少有不均的情形产生。因而，显示辉度会随驱动TFT22的阈值电压的不均而产生变动的情形。
本实施形态中，将MOS型电容组件28连接于驱动TFT22，又将保持电容24的另一端连接于脉冲驱动线，藉此补偿驱动TFT22的阈值电压的不均。
首先，脉冲驱动线是在开关TFT20导通并写入数据电压时，位在H电平。而且，数据电压的写入(对保持电容24充电)完成，而在开关TFT20成为关断状态之后，脉冲驱动线是转变成L电平，藉此驱动TFT22的栅极电压从数据电压转变成预定值低的电压，并流通根据该电压的驱动电流。
另一方面，MOS型电容组件28是设于每一画像中，且邻接于该画像的驱动TFT22而形成，并利用与驱动TFT22相同的步骤予以作成。因而，驱动TFT22与MOS型电容组件28是杂质浓度等也大致相同，阈值电压也成为相同。另外，施加于MOS型电容组件28的栅极的参考电压(Vref＝VG28)，是在上述脉冲驱动线的电压从H电平转变成L电平时，将MOS型电容组件28的沟道领域设定成从导通状态转变成关断状态，也可为定电压，又也可为与脉冲驱动电压反相的信号。
如第2图所示，脉冲驱动线的脉冲驱动电压是从H准位转变成L电平。藉此第1图的节点TG22的电压，也即驱动TFT22的栅极电压(VG22)会随着脉冲驱动电压而降低。而且，该栅极电压(VG22)降低，且与参考电压(Vref)的电位差(|Vref-VG22|)小于MOS型电容组件28的阈值电压(Vth28)的绝对值时，p导电型所构成的MOS型电容组件28是从导通状态转变成关断状态。藉此，MOS型电容组件28的电容将变小，因此经由保持电容24所输入的脉冲驱动电压变化的影响增大，而栅极电压降低的倾斜度将变大。也即，节点TG22的电位将对应于脉冲驱动电压的变化而产生变化，但MOS型电容组件28的电容值是该MOS型电容组件28于导通状态时变大，在切断状态时变小，且从电容大的状态切换至小的状态的际，节点TG22的电位(TFT22的栅极电位)的变化的倾斜度将变大。
MOS型电容组件28从导通状态转变至关断状态的切换电压若为第2图中的「切换电压A」的情形，则栅极电压VG22是依图中实线所示变化，到切换电压A为止是以第一倾向变化(降低)，之后以第二倾斜度变化(降低)，脉冲驱动电压成为L电平时，栅极电压VG22是设定于补正电压VcA。在此，用以导通/关断MOS型电容组件28的切换电压是以与参考电压Vref的差而决定，因此切换电压A、B是相当于在Vref加上MOS型电容组件28的阈值电压Vth28的绝对值的电压(Vref+|Vth28|)。
另一方面，在MOS型电容组件28的阈值电压Vth28的绝对值小，而切换电压为小于「切换电压A」的「切换电压B」的情形，栅极电压VG22是以第2图的虚线所示变化，到切换电压B为止以第一倾斜度变化(降低)，之后以第二倾斜度变化(降低)，脉冲驱动电压成为L电平时，栅极电压VG22是设定于补正电压VcB。也即，即使将相同的数据电压(参考电压)供给至节点TG22，依照脉冲驱动所设定的栅极电压也是MOS型电容组件28的阈值电压Vth28越低(绝对值|Vth 28|小，容易导通的情形更是如此)，而将设定为较高的电压(p-chTFT中接近切断电压的电压)，。
如上述，各像素的驱动TFT22的阈值电压Vth22是在同一像素中，与就形成在附近的MOS型电容组件28的阈值电压Vth28相同。因而，若驱动TFT22的阈值电压Vth22为「阈值电压Vth221」时，栅极电压VG22设定在对应于Vth221的补正电压Vcth221，若为「阈值电压Vth222」时，栅极电压VG22是设定在对应于Vth222的补正电压Vcth222，本例中，阈值电压Vth22与栅极电压VG22的差在任一像素中都几乎形成相同。也即，依照MOS型电容组件28的大小、参考电压值(VG28)、驱动TFT22的大小，以及保持电容24的电容值等的设定，若数据电压为一定时，即使驱动TFT22的阈值电压Vth22不同，也可将阈值电压Vth22与栅极电压VG22的差设成一定，并且可消除阈值电压不均的影响。
在此，进行如上述的补偿时，设定条件成为使第二倾斜度较第2图的第一倾斜度大2倍。有关该条件设定根据第3图做说明。如第3图所示，MOS型电容组件28设定为导通状态的情形，其电容值比在关断时大，因此栅极电压的变化是脉冲驱动变压的变化所造成的影响得到抑制，倾斜度将变小。另一方面，MOS型电容组件28为切断状态的情形电容值小，且由于脉冲驱动电压的变化所造成的影响大，因此倾斜度大。该倾斜度是设定成形成2倍的条件，因此脉冲驱动电压转变成L电平时的栅极电压减少的部分，是MOS型电容组件28为切断状态时成为导通状态时的2倍。
实际上，如第3图所示，MOS型电容组件28(驱动TFT22)的切换电压为A的情形，到切换电压A为止，栅极电压VG22是以第一倾斜度降低，之后栅极电压VG22以2倍大小的第二倾斜度降低。而在切换电压为B的情形时，到切换电压B为止栅极电压VG22以第一倾斜度降低，因此该栅极电压VG22成为切换电压B时的栅极电压VG22，与此时切换电压为A时的栅极电压VG22的差的Vα，是成为补正电压VcA与VcB的差(VcA-VcB)。另外，由于第二倾斜度为第一倾斜度的2倍，因此Vα将相当于切换电压A、B的差。因而，切换电压的差与补正电压Vc的差成为相同，而可补偿切换电压(也即阈值电压Vth22)的变动的影响。
如第3图所示，即使作为数据电压的写入电压的取样电压变化的情形，切换电压差与补正电压差将成为相同的情形也不会改变，而可经常补偿阈值电压的变动。此时，取样电压本身的电位差是于补偿动作后放大成2倍。
第4图中，显示更实际的像素电路的构造例，MOS型电容组件28的栅极是连接于EL电源Pvdd。
此例中，设定成EL电源Pvdd＝0V、阴极电源CV＝-12V、数据线5至2V、脉冲驱动线8至-4V、栅极线8V至-4V，并且设定成保持电容24的电容值＝0.15pF、MOS型电容组件28的沟道长L＝120μm、沟道宽W＝5μm、驱动TFT22的沟道长L＝34μm、沟道宽W＝5μm。
此处，将L电平的扫描信号输出至栅极线GL：300，在此导通p-ch型的开关用TFT20，经由该TFT20从数据线DL：310将数据电压(参考电压)4V或3V写入节点TG22，也即将栅极电压VG22设成4V或3V。第5图及第6图是显示之后使脉冲驱动电压从8V降低至-4V的际的栅极电压VG22的变化的样态。又，两图中，显示有阈值电压Vth22(＝切换电压)为-1V的情形，与-2V的情形二者。由第5图及第6图可知，取样电压不同，且阈值电压Vth22也不同的情形，驱动TFT22的栅极电压VG22，也即补正电压Vc仅有阈值电压Vth22的差不同，因此可知可补偿阈值电压的不均。
第7图中，显示将驱动TFT 22的沟道长L×沟道宽W设定为34×5μm，将MOS型电容组件28的沟道长L×沟道宽W设定为120×5μm，相对于将保持电容24的电容值变更为0.1、0.15、0.2pF的情形中的取样电压的变化的补正电压Vc(栅极电压VG22)的变化关是。第8图中，将驱动TFT22的沟道长L设定为34μm、MOS型电容组件的沟道长L×沟道宽W设定为120×5μm、保持电容34的电容值设定为0.15pF，相对于将驱动TFT22的沟道宽W变更为2.5μm、5.0μm、10.0μm的情形中的取样电压的变化的补正电压Vc(栅极电压VG22)变化的关是。此外，第9图中，显示将驱动TFT22的沟道长L×沟道宽W设定为34×5μm，相对于将MOS型电容组件28的沟道长L×沟道宽W设定为80×5μm、120×5μm、160×5μm的情形中的取样电压的变化的补正电压(栅极电压VG22)的变化关是。从以上第7图、第8图及第9图所示可知，变更保持电容量、驱动TFT22的大小、以及MOS型电容组件的大小等条件而可调整补正电压的变化。也即依照该等条件可调整栅极电压VG22的补偿程度。
从该等第7图至第9图可知，补正电压VG22(输出电压)的变化宽度大于取样电压(输入电压)的变化宽度。依照条件的设定可将补正电压的变化宽度设定为相当大。因而，可将栅极电压VG22的变化宽度较视频信号的变化宽度加大，且可将流入有机EL组件26的驱动电流的变动宽度，也即将有机EL组件26的辉度变化加大，而可进行更清晰的显示。
另外，第1图、第4图的例中，虽使用p沟道TFT作为开关TFT20，也可使用n沟道TFT。此种情形，也可将输出至栅极线GL：300的选择信号(扫描信号)的极性反转。又，也可于驱动TFT22使用n沟道TFT。此种情形，如第10图所示，MOS型电容组件28也作为n沟道，将其栅极连接于驱动TFT22的源极。此外，此种情形，最好将有机EL组件26配置在驱动TFT22的漏极与EL电源之间。
并且如上述，实施形态的各像素电路是配置呈矩阵状，而构成显示装置。通常在玻璃等绝缘基板上形成有周边驱动器电路及有机EL组件以外的像素电路，在该等电路组件的上层形成有有机EL组件，且构成有机EL面板。但是，实施形态的像素电路并不限定于此种形式的有机EL面板，而可适用于各种的显示装置。
第11图是显示如第4图所示的一电路构成时的实际的配置例。此外，第12图(a)、(b)、(c)分别显示沿着第11图的A-A线、B-B线、C-C线的概略剖面构造。在玻璃等透明绝缘基板100上形成有缓冲层102，而形成于其上，且由多晶硅构成的各TFT能动层，以及构成电容电极的半导体层(120、122、128、124)是在第11图中，以虚线表示。另外，第11图中，形成于较上述半导体更上方，且使用Cr等高融点金属材料的栅极线300(GL)、脉冲驱动线330(SC)以及驱动TFT的栅极电极302，以及MOS型电容组件28的栅极电极306是以一点虚线表示，形成于较半导体层及上述GL、SC更上方，且使用Al等低电阻金属材料的数据线310(DL)、电源线320(PL)，以及其它同层的金属配线304是以实线表示。
第11图所示的配置中，各像素是构成在沿着显示装置的水平(H)方向形成的栅极线GL：300的列间，与大致沿着显示装置的垂直(V)方向形成的数据线DL：310的列间的位置。
在设于与数据线DL：310并列且朝行方向连接于该数据线DL：310的像素的有机EL组件26上，经由驱动TFT22供给电力的电源线PL：320是与数据线DL：310大致并列而形成于行方向，在各像素领域中，流通于数据线DL：310与上述有机EL组件26之间。
开关TFT20是形成于栅极线GL与数据线DL的交点附近，且其半导体层120是形成为沿着栅极线GL。该TFT20的沟道长方向是沿着栅极线GL，也即，形成于水平方向。从栅极GL是朝画像领域形成有突出部，且在之间挟有栅极绝缘膜104，以横断沿着栅极线GL延伸的半导体层120的一部分的方式覆盖。
来自栅极线GL的突出部成为TFT20的栅极电极300，半导体层120为该栅极电极30b所覆盖的领域成为沟道领域。开关TFT20的半导体层120是在贯通栅极绝缘膜104及层间绝缘膜106而形成的接触孔中与数据线DL连接。并且，与半导体120的数据线DL连接的导电领域(例如漏极领域120d)与挟有沟道领域120c而存在于相反侧的导电领域(例如源极领域120s)，是于形成在栅极极绝缘膜104及层间绝缘膜106的接触孔中，连接于层间绝缘膜106上所形成的金属配线304，且半导体层120是从该接触位置更朝水平方向及垂直方向扩展，而在邻接像素的跟前，此处为与电源线PL的重叠领域的端附近结束。
从半导体层120与金属配线304的接触位置更延伸的领域是为电容电极124，该电容电极124是于层间挟有栅极绝缘膜104，并与和栅极线GL平行而朝水平方向配置的脉冲驱动线330(SC)的宽度领域重叠。而且，该电容电极124与脉冲驱动线330的重叠领域构成保持电容24。
开关TFT20的源极领域120s在保持电容电极124之间连接于接触孔的金属配线304，是与数据线DL等同层，第11图的例中，从接触位置通过并列延伸的数据线DL及电源线PL之间并与该等相同地朝垂直方向延伸，如第12图(b)所示，横断其间挟住层间绝缘膜106延伸的脉冲驱动线SC之上，而在后述的MOS型电容组件28的半导体层128的形成领域重叠的位置结束。该金属配线304是于贯通层间绝缘膜106与门极绝缘膜104而形成的接触孔中与半导体层128连接。
此外，金属配线304是在从与开关TFT20的半导体层120(源极领域120s)的接触位置，到与上述MOS型电容组件28的半导体层128的接触位置之间，形成于层间绝缘膜106的接触孔中，以与栅极线GL等相同材料的金属层构成，并与构成驱动TFT22的栅极电极的栅极电极配线302相连接。
如第11图所示，栅极电极配线302是以回避电源线PL与驱动TFT22的半导体层122的接触领域的方式，从与上述金属配线304的接触位置，先朝水平方向延伸，在潜入电源线PL下层的位置屈折而与电源线PL并列朝垂直方向延伸。之后，以与电源线PL重叠的方式朝水平方向(图中右侧)弯曲，从与电源线PL重叠的位置再次朝垂直方向，以使第12图(c)所示的电源线PL的下层以与驱动TFT 22的半导体层122重叠的方式延伸。栅极电极配线302之间挟有栅极绝缘膜104，并与下层的半导体层122相对向的领域为驱动TFT22的栅极电极，该栅极电极所覆盖的半导体层122的领域形成有沟道领域122c。
在此，驱动TFT22的半导体层122是朝垂直方向延伸，其形成领域的大部分配置于电源线PL的下层。半导体层122的导电领域(此处为源极领域122s)是在形成于层间绝缘膜106与门极绝缘膜104的接触孔中，与形成为覆盖其上方的电源线PL相连接。再者，挟有沟道领域122c并形成在与源极领域122s相反侧的位置的导电领域(此处为漏极领域122d)是在下一行的栅极线GL的附近，从电源线PL的形成领域延伸出，且连接于有机EL组件26的下部电极(此处为阳极)262。因而，该驱动TFT22的沟道长方向是与作为电源线PL的延在方向的垂直方向成为平行。
如第12图(c)所示，有机EL组件26是在下部电极262与上部电极264之间具备有发光组件层270，且此例中，发光组件层270为电洞输送层272、发光层274及电子输送层276的三层构造。依所使用的有机材料等，而不限定于三层构造，具备发光功能的单层也可，双层也可，或者也可以是四层以上的积层构造。
另外，覆盖数据线DL及电源线PL等的形成面全体而由有机树脂等构成的第一平坦化绝缘层108形成于基板的大致全面，在该第一平坦化绝缘膜108之上，于每一领域个别形成有使用ITO等透明导电性金属氧化物材料的有机EL组件26的下部电极262。该上述有机EL组件26的下部电极262是在形成于第一平坦化绝缘膜108的接触孔中，与连接于驱动TFT22的漏极领域122d的漏极电极308相连接。
挟着发光组件层270，与上述下部电极262相对向形成的上部电极264在此处是各像素共享，可使用例如Al等的金属材料或ITO等的导电性透明材料等。
如第12图(c)所示，在第一平坦化绝缘膜108之上形成有可覆盖下部电极262的端部的第二平坦化绝缘膜110，发光组件层270是形成为覆盖下部电极262的露出面以及第二平坦化绝缘膜110之上的状态。
以发光组件层270来说，采用多层构造时，将全层作成各像素共享的形态也可，或如第12图(c)所示，多层中的一部分或全层，例如仅有发光层274与下部电极262同样的每一像素为个别图案的形态也可。
MOS型电容组件28就形成在连接于如上述的有机EL组件26与电源线PL之间的驱动TFT22附近。MOS型电容组件28的栅极电极306是在形成于层间绝缘膜106的接触孔中，与电源线PL连接(参照第12图(b))，且从其接触位置朝笔直垂直方向延伸。并且，MOS型电容组件28的半导体层(能动层)128是形成在从与金属配线层304的接触位置，朝与驱动TFT22的半导体层122平行的垂直方向上，且在与上述栅极电极306之间挟有栅极绝缘膜104而相对向。
如上述，MOS型电容组件28的半导体层128是一端侧利用金属配线层304，连接于驱动TFT22的栅极电极302及开关TFT20的源极领域120s以及保持电容电极124，另一端侧是电性的成为开放状态。用另一种说法，如第4图所示，该MOS型电容组件28的半导体层128是与TFT的情形的源极领域及漏极领域都是经由上述金属配线层304，连接于开关TFT20的源极领域120s以及保持电容24及驱动TFT22的栅极电极302。
在画像领域内使电源线PL屈折于有机EL组件26侧，因而在数据线DL之间所产生的空间形成MOS型电容组件28，藉此可在接近于驱动TFT22的位置形成MOS型电容组件28，并且可使两者的特性一致。而且，驱动TFT22的沟道长方向与MOS型电容组件28的沟道长方向(栅极电极306与半导体层128重叠而延伸的方向)，都是朝垂直方向，并且在其沟道领域的垂直方向的位置大致相等。
因而，在形成非晶质状态的硅膜之后，照射激光束予以多晶化并将其使用在TFT的能动层的情形，对TFT特性有很大的影响的MOS型电容组件28的沟道领域与驱动TFT22的沟道领域，成为利用大致相同的激光束的照射予以多晶化。尤其是，朝垂直方向扫描线状的激光束而多晶化的情形，利用大致相同的激光束予以多晶化。因而，可使驱动TFT22与MOS型电容组件28的特性非常相近。
第13图显示另一实施形态。此例中，与第4图的构成的不同点，是将MOS型电容组件28的源极连接于开关TFT20的漏极，将漏极连接于驱动TFT22的栅极。也即，该实施形态中，MOS型电容组件28是p沟道MOS型电容组件。
即使如上述的构成，MOS型电容组件28是在脉冲驱动线的电压高的情形导通，而于脉冲驱动线的电压下降的际，其状态从导通转变为切断，且电容变化，也即可获得与上述相同的作用效果。
产业上的利用可能性
可适用于显示装置的像素电路等。

Claims (10)

1.一种像素电路，其特征在于：所述像素电路具备：
于一端接受数据电压保持的保持电容；
在所述保持电容的所述一端连接有栅极，且对应所述保持电容的所述一端的电压以控制电流量的驱动晶体管；
依照流通于所述驱动晶体管的电流而发光的发光组件；
连接于所述保持电容的另一端，且输入有预定电压或脉冲状信号的第一控制信号线；以及
一端连接于所述驱动晶体管的栅极，另一端连接于输入有预定电压或脉冲状信号的第二控制信号线，且随着所述第一或第二控制信号线的电压变动，电容值产生变化的MOS型电容组件。
2.如权利要求1所述的像素电路，其特征在于，将所述数据电压保持于保持电容之后，依照第一或第二控制信号线的电压变动，使MOS型电容组件从导通状态转变为关断状态。
3.如权利要求2所述的像素电路，其特征在于，所述MOS型电容组件是具有与所述驱动晶体管相同的阈值电压。
4.如权利要求3所述的像素电路，其特征在于，所述MOS型电容组件的源极或漏极的至少一方连接于所述驱动晶体管的栅极，且栅极连接于所述第二控制信号线。
5.如权利要求3所述的像素电路，其特征在于，所述MOS型电容组件的源极或漏极的一方连接于数据信号的供给源侧，且另一方连接于所述驱动晶体管的栅极，栅极连接于所述第二控制信号线。
6.如权利要求4或5所述的像素电路，其特征在于，依照所述第一或第二控制信号线的电压变动，使所述MOS型电容组件从导通状态转变为关断状态，并且使所述驱动晶体管从关断状态转变为导通状态而使发光组件发光。
7.如权利要求6所述的像素电路，其特征在于，所述第二控制信号线是兼用连接于所述驱动晶体管的驱动用电源线。
8.如权利要求1至6的任一所述的像素电路，其特征在于，所述驱动晶体管及所述MOS型电容组件是p沟道薄膜晶体管。
9.如权利要求1至8的任一所述的像素电路，其特征在于，所述发光组件是电致发光组件。
10.如权利要求1至9所述的像素电路，其特征在于：所述像素电路是配置呈矩阵状。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102522373B (zh) * 2006-07-21 2015-01-14 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
CN107248396A (zh) * 2012-04-03 2017-10-13 精工爱普生株式会社 电光装置以及电子设备

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI253614B (en) * 2003-06-20 2006-04-21 Sanyo Electric Co Display device
GB0318611D0 (en) 2003-08-08 2003-09-10 Koninkl Philips Electronics Nv Circuit for signal amplification and use of the same in active matrix devices
JP4721656B2 (ja) * 2003-11-07 2011-07-13 三洋電機株式会社 画素回路及び表示装置
KR100573132B1 (ko) * 2004-02-14 2006-04-24 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시장치 및 그 제조 방법
TWI253872B (en) * 2004-09-23 2006-04-21 Au Optronics Corp Organic electro-luminescence device and method for forming the same
JP4664664B2 (ja) * 2004-12-17 2011-04-06 三洋電機株式会社 電力回収回路、プラズマディスプレイおよびプラズマディスプレイ用モジュール
KR100670333B1 (ko) * 2005-05-02 2007-01-16 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계발광 표시장치
CN100388342C (zh) * 2005-06-06 2008-05-14 友达光电股份有限公司 主动式显示器的驱动方法
US20070018917A1 (en) * 2005-07-15 2007-01-25 Seiko Epson Corporation Electronic device, method of driving the same, electro-optical device, and electronic apparatus
EP1932136B1 (en) 2005-09-15 2012-02-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and driving method thereof
EP1764770A3 (en) * 2005-09-16 2012-03-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and driving method of display device
JP2007101900A (ja) 2005-10-04 2007-04-19 Sanyo Electric Co Ltd 表示装置
KR20070059403A (ko) * 2005-12-06 2007-06-12 삼성전자주식회사 표시 장치 및 그 구동 방법
JP2007286452A (ja) * 2006-04-19 2007-11-01 Sony Corp 画像表示装置
JP2008233399A (ja) * 2007-03-19 2008-10-02 Sony Corp 画素回路および表示装置、並びに表示装置の製造方法
KR100902222B1 (ko) * 2008-01-28 2009-06-11 삼성모바일디스플레이주식회사 유기전계발광 표시장치
JP5186950B2 (ja) * 2008-02-28 2013-04-24 ソニー株式会社 Ｅｌ表示パネル、電子機器及びｅｌ表示パネルの駆動方法
KR101338312B1 (ko) * 2008-04-30 2013-12-09 엘지디스플레이 주식회사 유기전계 발광 디스플레이 장치 및 그 구동방법
US8648787B2 (en) * 2009-02-16 2014-02-11 Himax Display, Inc. Pixel circuitry for display apparatus
WO2013101022A1 (en) 2011-12-29 2013-07-04 Intel Corporation Thin-film transistor backplane for displays
US9007824B2 (en) * 2012-03-09 2015-04-14 Atmel Corporation Boosting memory reads
JP7011449B2 (ja) * 2017-11-21 2022-01-26 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 画素回路、表示装置および電子機器
KR20200029678A (ko) * 2018-09-10 2020-03-19 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102004359B1 (ko) * 2018-10-19 2019-07-29 주식회사 사피엔반도체 마이크로 표시장치
CN111261104B (zh) * 2020-03-19 2021-11-23 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种像素电路及其驱动方法、显示面板

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5173835A (en) * 1991-10-15 1992-12-22 Motorola, Inc. Voltage variable capacitor
JPH0618851A (ja) * 1992-07-06 1994-01-28 Fujitsu Ltd 液晶駆動回路
US5684365A (en) * 1994-12-14 1997-11-04 Eastman Kodak Company TFT-el display panel using organic electroluminescent media
WO1998040871A1 (fr) * 1997-03-12 1998-09-17 Seiko Epson Corporation Circuit pixel, afficheur, et equipement electronique a dispositif photoemetteur commande par courant
EP0978114A4 (en) * 1997-04-23 2003-03-19 Sarnoff Corp PIXEL STRUCTURE WITH LIGHT EMITTING DIODE AND ACTIVE MATRIX AND METHOD
JP3629939B2 (ja) * 1998-03-18 2005-03-16 セイコーエプソン株式会社 トランジスタ回路、表示パネル及び電子機器
JP4092857B2 (ja) * 1999-06-17 2008-05-28 ソニー株式会社 画像表示装置
JP2003509728A (ja) * 1999-09-11 2003-03-11 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ アクティブマトリックスｅｌディスプレイ装置
JP2001267497A (ja) * 2000-03-14 2001-09-28 Citizen Watch Co Ltd 可変容量素子
TW521237B (en) * 2000-04-18 2003-02-21 Semiconductor Energy Lab Light emitting device
JP4014831B2 (ja) * 2000-09-04 2007-11-28 株式会社半導体エネルギー研究所 Ｅｌ表示装置及びその駆動方法
KR100370286B1 (ko) * 2000-12-29 2003-01-29 삼성에스디아이 주식회사 전압구동 유기발광소자의 픽셀회로
JP3610923B2 (ja) * 2001-05-30 2005-01-19 ソニー株式会社 アクティブマトリクス型表示装置およびアクティブマトリクス型有機エレクトロルミネッセンス表示装置、並びにそれらの駆動方法
DE10139396A1 (de) * 2001-08-10 2003-01-16 Infineon Technologies Ag Integrierte Halbleiterschaltung mit einem Varaktor
JP4075505B2 (ja) * 2001-09-10 2008-04-16 セイコーエプソン株式会社 電子回路、電子装置、及び電子機器
JP2004118132A (ja) * 2002-09-30 2004-04-15 Hitachi Ltd 直流電流駆動表示装置

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10586842B2 (en) 2006-07-21 2020-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and semiconductor device
US10181506B2 (en) 2006-07-21 2019-01-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and semiconductor device
US9029859B2 (en) 2006-07-21 2015-05-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and semiconductor device
US9236404B2 (en) 2006-07-21 2016-01-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and semiconductor device
US9257451B2 (en) 2006-07-21 2016-02-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and semiconductor device
US9564539B2 (en) 2006-07-21 2017-02-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and semiconductor device
US8969859B2 (en) 2006-07-21 2015-03-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and semiconductor device
US11937475B2 (en) 2006-07-21 2024-03-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and semiconductor device
US10692961B2 (en) 2006-07-21 2020-06-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and semiconductor device
CN102522373B (zh) * 2006-07-21 2015-01-14 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
US9941346B2 (en) 2006-07-21 2018-04-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and semiconductor device
US10854704B2 (en) 2006-07-21 2020-12-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and semiconductor device
US11605696B2 (en) 2006-07-21 2023-03-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and semiconductor device
CN107248396A (zh) * 2012-04-03 2017-10-13 精工爱普生株式会社 电光装置以及电子设备

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