CN107248396A - 电光装置以及电子设备 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及电光装置以及电子设备。其中，电光装置具备包括扫描线的1条以上控制线、数据线、像素电路。像素电路具有驱动晶体管、栅极与上述扫描线电连接的写入晶体管、和以与经由上述驱动晶体管供给的电流大小对应的亮度发光的发光元件，在从与形成上述像素电路的基板的面垂直的方向观察时，上述1条以上控制线包括与上述驱动晶体管的栅极重叠的控制线。

Description

电光装置以及电子设备
本申请是申请号为201310091724.7，发明名称为“电光装置以及电子设备”的发明专利申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及电光装置以及电子设备。
背景技术
近些年，提出了各种使用有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，以下称“OLED”)元件等发光元件来显示图像的电光装置。在该电光装置中，与应显示的图像的像素对应地设置有包含发光元件、晶体管等的像素电路。具体而言，将与应显示的图像的像素对应的多个像素电路设置成矩阵状，并且一般为了驱动多个像素电路，采用在各行设置扫描线等控制线的构成。(例如参照专利文献1)。
专利文献1：日本特开2007－316462号公报
然而，近些年大多要求电光装置显示尺寸的小型化、显示的高精细化。该情况下，为了高密度地配置像素电路，需要控制线的窄间距化。
发明内容
本发明是鉴于上述情况完成的，其目的之一是实现包含多条扫描线的多条控制线的高密度布线，从而实现显示的高精细化或显示尺寸的小型化。
为了实现上述目的，本发明所涉及的电光装置的特征在于，具备：扫描线、与上述扫描线交叉的数据线、以及与上述扫描线和上述数据线的交叉对应设置的像素电路，上述像素电路具有驱动晶体管、栅极与上述扫描线电连接的写入晶体管、对与经由上述数据线和上述写入晶体管供给的数据信号对应的电荷进行保持的第1保持电容、和以与经由上述驱动晶体管供给的电流大小对应的亮度发光的发光元件，在从与形成上述像素电路的基板的面垂直的方向观察时，上述扫描线和上述驱动晶体管的栅极重叠。
根据该发明，由于将扫描线布线于驱动晶体管的栅极上，所以与以扫描线不与驱动晶体管的栅极交叉的方式布线的情况相比，设置扫描线时的空间的制约得到缓和。由此，能够实现扫描线的窄间距化、布线的高密度化。即，根据本发明，能够进一步高密度地配置多个像素电路，能够实现显示的高精细化以及显示尺寸的小型化。此外，在本发明中，也可以使写入晶体管例如电连接在驱动晶体管的栅极和数据线之间。
另外，本发明所涉及的电光装置的特征在于，具备：包含扫描线的1条以上控制线、与上述扫描线交叉的数据线、以及与上述扫描线和上述数据线的交叉对应设置的像素电路，上述像素电路具有驱动晶体管、栅极与上述扫描线电连接的写入晶体管、对与经由上述数据线和上述写入晶体管供给的数据信号对应的电荷进行保持的第1保持电容、和以与经由上述驱动晶体管供给的电流的大小对应的亮度发光的发光元件，在从与形成上述像素电路的基板的面垂直的方向观察时，上述1条以上控制线中包含与上述驱动晶体管的栅极重叠的控制线。
根据该发明，由于将控制线布线在驱动晶体管的栅极上，所以与以控制线不与驱动晶体管的栅极交叉的方式布线的情况相比，设置控制线时的空间的制约得到缓和。由此，能够实现控制线的窄间距化、布线的高密度化。即，根据本发明，能够进一步高密度地配置多个像素电路，能够实现显示的高精细化以及显示尺寸的小型化。
另外，优选上述的电光装置还具备控制上述像素电路的动作的扫描线驱动电路，上述写入晶体管在上述扫描线驱动电路向上述扫描线供给第1电位的情况下导通，在上述扫描线驱动电路向上述扫描线供给第2电位的情况下截止，在从与上述基板的形成上述像素电路的面垂直的方向观察时，上述扫描线和上述驱动晶体管的栅极重叠，在将上述扫描线驱动电路使供给至上述扫描线的电位从上述第2电位切换成上述第1电位的期间设为第1切换期间，将上述扫描线驱动电路使供给至上述扫描线的电位从上述第1电位切换成上述第2电位的期间设为第2切换期间时，上述第2切换期间的时间长度比上述第1切换期间的时间长度长。
在驱动晶体管的栅极和扫描线俯视交叉的情况下，在驱动晶体管的栅极和扫描线之间寄生电容。而且，在扫描线的电位急剧变动的情况下，该电位变动的影响作用于驱动晶体管的栅极，使驱动晶体管的栅极的电位变化。
驱动晶体管将与写入晶体管截止时决定的栅极/源极间的电压对应的大小的电流供给至发光元件，发光元件以与该电流的大小对应的亮度发光。因此，在写入晶体管截止时(即，在被决定为对发光元件的亮度进行规定的电压后)，若驱动晶体管的栅极的电位变化，则发光元件以与规定的亮度不同的亮度发光，导致电光装置的显示品质降低。
与此相对，本发明所涉及的扫描线驱动电路使写入晶体管截止时的扫描线的电位变化与导通时的电位变化相比平缓变化。由此，防止写晶体管截止时的扫描线的电位变动传播给驱动晶体管的栅极，发光元件能够以规定的亮度发光。即，根据本发明所涉及的电光装置，能够不使显示品质变差地实现控制线的窄间距化。
另外，上述像素电路也可以具备在上述驱动晶体管的栅极以及漏极间电连接的第1开关晶体管，上述1条以上控制线包括与上述第1开关晶体管的栅极电连接的第1控制线。
该情况下，优选上述第1开关晶体管在上述扫描线驱动电路向上述第1控制线供给第1电位的情况下导通，上述扫描线驱动电路向上述第1控制线供给第2电位的情况下截止，在从与上述基板的形成上述像素电路的面垂直的方向观察时，上述第1控制线和上述驱动晶体管的栅极重叠，在将上述扫描线驱动电路使供给至上述第1控制线的电位从上述第2电位切换成上述第1电位的期间设为第3切换期间，将上述扫描线驱动电路使供给至上述第1控制线的电位从上述第1电位切换成上述第2电位的期间设为第4切换期间时，上述第4切换期间的时间长度比上述第3切换期间的时间长度长。
在驱动晶体管的栅极和第1开关晶体管俯视交叉的情况下，在驱动晶体管的栅极和第1控制线之间寄生电容。而且，在第1控制线的电位急剧变动的情况下，该电位变动的影响作用于驱动晶体管的栅极，使驱动晶体管的栅极的电位变化。
但是，在第1开关晶体管导通的情况下，驱动晶体管的栅极以及源极电连接，驱动晶体管的栅极/源极间的电压被决定为补偿了每个像素电路的阈值电压的偏差而得到的值。因此，在第1开关晶体管截止时(即，进行了阈值补偿后)，若驱动晶体管的栅极的电位变化，则不能够补偿每个像素电路的驱动晶体管的阈值电压的偏差，有损显示的一致性。
与此相对，该方式所涉及的扫描线驱动电路使第1开关晶体管截止时的第1控制线的电位变化与导通时的电位的变化相比平缓变化。由此，防止第1开关晶体管截止时的第1控制线的电位变动传播到驱动晶体管的栅极，防止驱动晶体管的栅极的电位从进行了阈值补偿后的电位变化。即，根据本发明所涉及的电光装置，由于即便在驱动晶体管的栅极上配置了第1控制线的情况下，也能够防止有损显示的一致性那样的显示不均的产生等，所以能够同时实现电光装置的小型化以及显示的高精细化和高品质的显示。
另外，上述像素电路也可以具备在上述驱动晶体管和上述发光元件之间电连接的第2开关晶体管，上述1条以上控制线包括与上述第2开关晶体管的栅极电连接的第2控制线。
该情况下，优选上述第2开关晶体管在上述扫描线驱动电路向上述第2控制线供给第1电位的情况下导通，在上述扫描线驱动电路向上述第2控制线供给第2电位的情况下截止，在从与上述基板的形成上述像素电路的面垂直的方向观察时，上述第2控制线和上述驱动晶体管的栅极重叠，在将上述扫描线驱动电路使供给至上述第2控制线的电位从上述第2电位切换成上述第1电位的期间设为第5切换期间，将上述扫描线驱动电路使供给至上述第2控制线的电位从上述第1电位切换成上述第2电位的期间设为第6切换期间时，上述第5切换期间的时间长度比上述第6切换期间的时间长度长。
根据该方式，能够防止第2开关晶体管导通时在第2控制线中产生的电位变动传播至驱动晶体管的栅极。由此，能够不使显示品质变差地实现控制线的窄间距化。
另外，上述像素电路也可以具备在被供给规定的复位电位的供电线和上述发光元件之间电连接的第3开关晶体管，上述1条以上控制线包括与上述第3开关晶体管的栅极电连接的第3控制线。
该情况下，优选上述第3开关晶体管在上述扫描线驱动电路向上述第3控制线供给第1电位的情况下导通，在上述扫描线驱动电路向上述第3控制线供给第2电位的情况下截止，在从与上述基板的形成上述像素电路的面垂直的方向观察时，上述第3控制线和上述驱动晶体管的栅极重叠，在将上述扫描线驱动电路使供给至上述第3控制线的电位从上述第2电位切换成上述第1电位的期间设为第7切换期间，将上述扫描线驱动电路使供给至上述第3控制线的电位从上述第1电位切换成上述第2电位的期间设为第8切换期间时，上述第8切换期间的时间长度比上述第7切换期间的时间长度长。
根据该方式，能够防止第3开关晶体管截止时在第3控制线中产生的电位变动传播至驱动晶体管的栅极。由此，能够不使显示品质变差地实现控制线的窄间距化。
另外，优选上述的电光装置具备：与上述数据线电连接的数据线驱动电路、控制上述扫描线驱动电路以及上述数据线驱动电路的动作的控制电路、和与上述数据线对应设置并保持上述数据线的电位的第2保持电容，上述数据线驱动电路具备：第1电位线，其被上述控制电路供给规定的初始电位；第2电位线，其被上述控制电路供给基准电位；和电平移位电路，其与上述数据线对应设置；上述电平移位电路具备：第3保持电容，其一方电极与上述数据线电连接；第1晶体管，其电连接在上述第3保持电容的一方电极与上述第1电位线之间；和第2晶体管，其电连接在上述第3保持电容的另一方电极与上述第2电位线之间；在第1期间，上述控制电路将上述第1晶体管维持为导通状态，在上述第1期间结束后开始的第2期间，上述扫描线驱动电路将上述写入晶体管维持为导通状态，上述控制电路将上述第1晶体管维持为截止状态，并且将上述第2晶体管维持为导通状态，在上述第2期间结束后开始的第3期间，上述扫描线驱动电路将上述写入晶体管维持为导通状态，上述控制电路将上述第1晶体管以及上述第2晶体管维持为截止状态，向上述第3保持电容的另一方电极供给基于对上述发光元件的亮度进行规定的图像信号的电位。
根据该发明，数据线与第2保持电容和第3保持电容连接，向第3保持电容的另一方电极供给基于对发光元件的亮度进行规定的图像信号的电位。因此，数据线的电位的变动幅度成为根据第2保持电容以及第3保持电容的电容比对供给至第3保持电容的另一方电极的电位的变动幅度进行了压缩后的幅度。即，数据线的电位的变动范围与基于图像信号的电位的变动范围相比较狭。由此，即便不以高精度刻画图像信号，也能够以高精度设定驱动晶体管的栅极电位。因此，能够向发光元件高精度地供给电流，能够进行高品质的显示。另外，由于能够将数据线的电位变化幅度抑制为较小，所以能够防止因数据线的电位变动引起的串扰、不均等的产生。
此外，本发明所涉及的电光装置通过从第3保持电容的一方电极经由数据线向第1保持电容以及第2保持电容供给电荷，来决定驱动晶体管的栅极电位。具体而言，根据第1保持电容的电容值、第2保持电容的电容值以及第3保持电容向第1保持电容以及第2保持电容供给的电荷量来决定驱动晶体管的栅极电位。假设在电光装置不具备第2保持电容的情况下，驱动晶体管的栅极电位根据第1保持电容的电容值和第3保持电容供给的电荷决定。因而，在第1保持电容的电容值具有因半导体工序的误差引起的每个像素电路的相对偏差的情况下，驱动晶体管的栅极电位也按每个像素电路产生偏差。该情况下，产生显示不均，导致显示品质降低。
与此相对，本发明具备保持数据线的电位的第2保持电容。由于第2保持电容分别与数据线对应设置，所以与设置于像素电路内的第1保持电容相比，能够构成为具有大面积的电极。因此，第2保持电容与第1保持电容相比，因半导体工序的误差引起的电容值的相对偏差小。由此，能够防止在每个像素电路中驱动晶体管的栅极电位发生偏差的情况，能够进行防止了显示不均的产生的高品质显示。
另外，优选上述电平移位电路具备第4保持电容，在从上述第1期间开始至上述第3期间开始的期间中的至少一部分期间中，向上述第4保持电容的一方电极供给上述图像信号所表示的电位，在上述第3期间，上述第4保持电容的一方电极与上述第3保持电容的另一方电极电连接。
根据该发明，在第1期间以及第2期间，将图像信号供给至第4保持电容的一方电极而暂时保持，并且在第3期间，经由第3保持电容供给至驱动晶体管的栅极。
假设在电光装置不具备第4保持电容的情况下，在第3期间必须进行针对驱动晶体管的栅极供给图像信号所表示的电位的全部动作，需要将第3期间设定为足够长。
与此相对，由于本发明在第1期间以及第2期间并列进行图像信号的供给动作和数据线等的初始化动作，所以能够缓和应在1个水平扫描期间执行的动作的时间制约。由此，能够实现图像信号的供给动作的低速化，并且能够充分确保进行数据线等的初始化的期间。
另外，根据该发明，由于除了使用第1保持电容、第2保持电容以及第3保持电容外，还使用第4保持电容来压缩基于图像信号的电位变动的大小，所以能够高精度地向发光元件供给电流。
另外，优选上述扫描线驱动电路在上述第2期间将上述第1开关晶体管维持为导通状态，在上述第2期间以外的期间，将上述第1开关晶体管维持为截止状态，在上述第1期间、上述第2期间以及上述第3期间，将上述第3开关晶体管维持为导通状态，并且将上述第2开关晶体管维持为截止状态。
根据该发明，通过在第2期间使第1开关晶体管为导通状态，能够使驱动晶体管的栅极的电位成为与驱动晶体管的阈值电压对应的电位，能够补偿每个像素电路的驱动晶体管的阈值电压的偏差。
另外，根据该发明，通过在第1期间～第3期间使第3开关晶体管为导通状态，能够抑制寄生于发光元件的电容的保持电压的影响。
此外，本发明除了电光装置外，还能够定义为具有该电光装置的电子设备。作为电子设备，典型地能够列举头戴式显示器(HMD)、电子取景器等显示装置。
附图说明
图1是表示本发明的实施方式所涉及的电光装置的构成的立体图。
图2是表示该电光装置的构成的图。
图3是表示该电光装置中的数据线驱动电路的图。
图4是表示该电光装置中的像素电路的图。
图5是表示该电光装置中的像素电路的构成的俯视图。
图6是表示该电光装置中的像素电路的构成的局部剖视图。
图7是表示该电光装置的动作的时序图。
图8是该电光装置的动作说明图。
图9是对该电光装置的栅极节点的电位变化进行说明的图。
图10是表示该电光装置中的数据信号的振幅压缩的说明图。
图11是表示该电光装置中的晶体管的特性的说明图。
图12是表示变形例1所涉及的电光装置中的像素电路的构成的俯视图。
图13是表示该电光装置的动作的时序图。
图14是表示变形例2所涉及的电光装置中的像素电路的构成的俯视图。
图15是表示该电光装置的动作的时序图。
图16是表示使用了实施方式等所涉及的电光装置的HMD的立体图。
图17是表示HMD的光学构成的图。
具体实施方式
以下，参照附图对用于实施本发明的方式进行说明。
<实施方式>
图1是表示本发明的实施方式所涉及的电光装置1的构成的立体图。电光装置1例如是在头戴式显示器中显示图像的微显示器。
如图1所示，电光装置1具备显示面板2、控制显示面板2的动作的控制电路3。显示面板2具备多个像素电路、驱动该像素电路的驱动电路。在本实施方式中，显示面板2所具备的多个像素电路以及驱动电路形成在硅基板上，像素电路使用作为发光元件的一个例子的OLED。另外，显示面板2例如被收纳于在显示部开口的框状的壳体82，并且连接FPC(Flexible Printed Circuits：柔性印刷电路板)基板84的一端。
在FPC基板84上通过COF(Chip On Film：覆晶薄膜)技术安装有半导体芯片的控制电路3，且设置有多个端子86，与省略图示的上级电路连接。
图2是表示实施方式所涉及的电光装置1的构成的框图。如上所述，电光装置1具备显示面板2和控制电路3。
从省略图示的上级电路与同步信号同步地向控制电路3供给数字图像数据Video。这里，图像数据Video是例如以8位规定应在显示面板2(严格来说是后述的显示部100)中显示的图像的像素灰度等级的数据。另外，同步信号是包含垂直同步信号、水平同步信号以及点时钟信号的信号。
控制电路3基于同步信号生成各种控制信号，将其供给至显示面板2。具体而言，控制电路3向显示面板2供给控制信号Ctr、负逻辑控制信号/Gini、正逻辑控制信号Gref、正逻辑控制信号Gcpl、与其处于逻辑反转关系的负逻辑控制信号/Gcpl、控制信号Sel(1)、Sel(2)、Sel(3)、与这些信号处于逻辑反转关系的控制信号/Sel(1)、/Sel(2)、/Sel(3)。这里，控制信号Ctr是包含脉冲信号、时钟信号、使能信号等多个信号的信号。其中，有时将控制信号Sel(1)、Sel(2)、Sel(3)统称为控制信号Sel，将控制信号/Sel(1)、/Sel(2)、/Sel(3)统称为控制信号/Sel。
另外，控制电路3向显示面板2供给各种电位。具体而言，控制电路3向显示面板2供给规定的复位电位Vorst、规定的初始电位Vini、规定的基准电位Vref等。
并且，控制电路3基于图像数据Video生成模拟图像信号Vid。具体而言，在控制电路3中设置有使图像信号Vid所表示的电位和显示面板2所具备的发光元件(后述的OLED130)的亮度对应存储的查找表。而且，控制电路3通过参照该查找表，来生成对与在图像数据Video中规定的发光元件的亮度对应的电位进行表示的图像信号Vid，并将其供给至显示面板2。
如图2所示，显示面板2具备显示部100、驱动显示部100的驱动电路(数据线驱动电路10以及扫描线驱动电路20)。
在显示部100中，与应显示的图像的像素对应的像素电路110被排列成矩阵状。详细而言，在显示部100中，在图中沿横向(X方向)延伸设置有m行扫描线12，另外，在图中沿纵向(Y方向)延伸设置有每3列一组的(3n)列数据线14，并且与各扫描线12相互保持电绝缘。而且，与m行扫描线12和(3n)列数据线14的交叉部对应地设置有像素电路110。因此，在本实施方式中，以纵m行×横(3n)列将像素电路110排列成矩阵状。
这里，m、n均是自然数。为了区别扫描线12以及像素电路110的矩阵中的行(row)，有时在图中从上到下按顺序称为1、2、3、…、(m－1)、m行。同样，为了区别数据线14以及像素电路110的矩阵的列(Column)，有时在图中从左到右按顺序称为1、2、3、…、(3n－1)、(3n)列。另外，为了对数据线14的组进行一般化说明，若使用1以上n以下的整数j，则从左数第(3j－2)列、第(3j－1)列以及第(3j)列的数据线14属于第j组。
其中，与同一行的扫描线12和属于同一组的3列数据线14的交叉对应的3个像素电路110分别对应于R(红)、G(绿)、B(蓝)的像素，表现该3个像素应显示的彩色图像的1个点。即，在本实施方式中，构成为通过与RGB对应的OLED的发光以加色混合表现1个点的彩色。
另外，如图2所示，在显示部100中，沿纵向延伸设置有(3n)列供电线16，并且与各扫描线12相互保持电绝缘。向各供电线16被公共供给规定的复位电位Vorst。这里，为了区别供电线16的列，有时在图中从左向右按顺序称为第1、2、3、…、(3n)、(3n+1)列的供电线16。分别与第1列～第(3n)列的数据线14的每一个对应地设置第1列～第(3n)列的供电线16。
另外，在显示面板2上分别与第1列～第(3n)列的数据线14对应地设置有(3n)个保持电容50。保持电容50具有2个电极。保持电容50的一方电极与数据线14连接，另一方电极与供电线16连接。即，保持电容50作为保持数据线14的电位的第2保持电容发挥功能。其中，优选通过相互相邻的供电线16以及数据线14夹持绝缘体(电介质)来形成保持电容50。该情况下，将相互相邻的供电线16和数据线14之间的距离设定成能够得到需要的大小的电容。其中，以下将保持电容50的电容值记作Cdt。
在图2中，保持电容50被设置在显示部100的外侧，但这不过是等效电路，也可以设置在显示部100的内侧。另外，还可以从显示部100的内侧遍及到外侧地设置保持电容50。
扫描线驱动电路20根据控制信号Ctr生成用于在整个帧期间按每一行依次扫描扫描线12的扫描信号Gwr。这里，将供给至第1、2、3、…、m行的扫描线12的扫描信号Gwr分别记作Gwr(1)、Gwr(2)、Gwr(3)…、Gwr(m-1)、Gwr(m)。
此外，扫描线驱动电路20除了生成扫描信号Gwr(1)～Gwr(m)之外，还按每行生成与该扫描信号Gwr同步的各种控制信号，并供给至显示部100，但在图2中省略图示。另外，帧期间是指电光装置1显示1个镜头(画面)量的图像所需要的期间，例如若同步信号所包含的垂直同步信号的频率为120Hz，则帧期间是与其1个周期对应的8.3毫秒的期间。
数据线驱动电路10具备：被设置成与(3n)列的数据线14的每一个一一对应的(3n)个电平移位电路LS、按构成各组的每3列数据线14设置的n个信号分离器DM、以及数据信号供给电路70。
数据信号供给电路70基于由控制电路3供给的图像信号Vid和控制信号Ctr生成数据信号Vd(1)、Vd(2)、…、Vd(n)。即，数据信号供给电路70基于对数据信号Vd(1)、Vd(2)、…、Vd(n)进行了时分复用的图像信号Vid，生成数据信号Vd(1)、Vd(2)、…、Vd(n)。而且，数据信号供给电路70分别针对与第1、2、…、第n组对应的信号分离器DM供给数据信号Vd(1)、Vd(2)、…、Vd(n)。另外，将数据信号Vd(1)～Vd(n)能获取的电位的最高值设为Vmax，将最低值设为Vmin。
图3是用于说明信号分离器DM和电平移位电路LS的构成的电路图。其中，图3代表性地示出属于第j组的信号分离器DM、和与该信号分离器DM连接的三个电平移位电路LS。其中，以下有时将属于第j组的信号分离器DM记作DM(j)。
以下，除了参照图2外还参照图3，来对信号分离器DM以及电平移位电路LS的构成进行说明。
如图3所示，信号分离器DM是按每列设置的传输门34的集合体，对构成各组的3列按顺序供给数据信号。这里，与属于第j组的(3j－2)、(3j－1)、(3j)列对应的传输门34的输入端相互公共连接，分别向其公共端子供给数据信号Vd(j)。第j组中设置于左端列即(3j－2)列的传输门34在控制信号Sel(1)为H电平时(控制信号/Sel(1)为L电平时)导通(on)。同样，第j组中设置于中央列即(3j－1)列的传输门34在控制信号Sel(2)为H电平时(控制信号/Sel(2)为L电平时)导通，第j组中设置于右端列即(3j)列的传输门34在控制信号Sel(3)为H电平时(控制信号/Sel(3)为L电平时)导通。
电平移位电路LS按每列具有保持电容41、保持电容44、P沟道MOS型晶体管45(第1晶体管)、N沟道MOS型晶体管43(第2晶体管)、以及传输门42的组，对从各列的传输门34的输出端输出的数据信号的电位进行移位。
这里，保持电容44具有2个电极。保持电容44的一方电极与对应的列的数据线14、和晶体管45的源极或者漏极的一方电连接。另外，保持电容44的另一方电极经由节点h1与传输门42的输出端、和晶体管43的源极或者漏极的一方电连接。即，保持电容44作为一方的电极与数据线14电连接的第3保持电容发挥功能。其中，将保持电容44的电容值设为Crf1。
各列的晶体管45的源极或者漏极的另一方与供电线61(第1电位线)电连接。另外，控制电路3对各列的晶体管45的栅极公共供给控制信号/Gini。因此，晶体管45在控制信号/Gini为L电平时使保持电容44的一方电极(以及数据线14)和供电线61电连接，在控制信号/Gini为H电平时不使它们电连接。其中，从控制电路3向供电线61供给规定的初始电位Vini。
各列的晶体管43的源极或者漏极的另一方与供电线62(第2电位线)电连接。另外，控制电路3对各列的晶体管43的栅极公共供给控制信号Gref。因此，晶体管43在控制信号Gref为H电平时使保持电容44的另一方电极以及节点h1和供电线62电连接，在控制信号Gref为L电平时不使它们电连接。其中，从控制电路3向供电线62供给基准电位Vref。
保持电容41具有2个电极。保持电容41的一方电极经由节点h2与传输门42的输入端电连接。另外，传输门42的输出端经由节点h1与保持电容44的另一方电极电连接。
控制电路3对各列的传输门42公共供给控制信号Gcpl以及控制信号/Gcpl。因此，各列的传输门42在控制信号Gcpl为H电平时(控制信号/Gcpl为L电平时)一起导通。
各列的保持电容41的一方电极经由节点h2与传输门34的输出端以及传输门42的输入端电连接。而且，在传输门34导通时，经由传输门34的输出端向保持电容41的一方电极供给数据信号Vd(j)。即，保持电容41作为一方电极被供给数据信号Vd(j)的第4保持电容发挥功能。另外，各列的保持电容41的另一方电极与被供给作为固定电位的电位Vss的供电线63公共连接。这里，电位Vss也可以是与作为逻辑信号的扫描信号、控制信号的L电平相当的电位。其中，将保持电容41的电容值设为Crf2。
参照图4对像素电路110进行说明。由于仅在电路方面来说，各像素电路110是相互相同的构成，所以这里以位于第i行且位于第j组中的左端列的第(3j－2)列的、i行(3j－2)列的像素电路110为例进行说明。其中，i是一般性表示像素电路110所排列的行时的符号，是1以上m以下的整数。
如图4所示，像素电路110包括P沟道MOS型晶体管121～125、OLED130、保持电容132。该像素电路110被供给扫描信号Gwr(i)、控制信号Gcmp(i)、Gel(i)、Gorst(i)。这里，分别与第i行对应地通过扫描线驱动电路20来供给扫描信号Gwr(i)、控制信号Gcmp(i)、Gel(i)、Gorst(i)。
此外，虽在图2中省略图示，但显示面板2(显示部100)中设置有在图2中沿横向(X方向)延伸的m行控制线143(第1控制线)、沿横向延伸的m行控制线144(第2控制线)、以及沿横向延伸的m行控制线145(第3控制线)。而且，扫描线驱动电路20分别向第1、2、3、…、m行的控制线143供给控制信号Gcmp(1)、Gcmp(2)、Gcmp(3)、…、Gcmp(m)，分别向第1、2、3、…、m行的控制线144供给控制信号Gel(1)、Gel(2)、Gel(3)、…、Gel(m)，分别向第1、2、3、…、m行的控制线145供给控制信号Gorst(1)、Gorst(2)、Gorst(3)、…、Gorst(m)。即，扫描线驱动电路20分别经由第i行的扫描线12、控制线143、144、145向位于第i行的(3n)个像素电路公共供给扫描信号Gwr(i)、控制信号Gel(i)、Gcmp(i)、Gorst(i)。以下，有时将扫描线12、控制线143、控制线144以及控制线145统称为“控制线”。即，在本实施方式所涉及的显示面板2上按各行设置有包括扫描线12的4根控制线。
晶体管122的栅极与第i行的扫描线12电连接，源极或者漏极的一方与第(3j－2)列的数据线14电连接。另外，保持电容132具有2个电极。晶体管122的源极或者漏极的另一方分别与晶体管121的栅极、保持电容132的一方电极、晶体管123的源极或者漏极的一方电连接。即，晶体管122电连接在晶体管121的栅极和数据线14之间，作为控制晶体管121的栅极和数据线14之间的电连接的写入晶体管发挥功能。其中，以下有时将使晶体管121的栅极、晶体管122的源极或者漏极的另一方、晶体管123的源极或者漏极的一方、以及保持电容132的一方电极电连接的布线称为(晶体管121的)栅极节点g。
晶体管121的源极与供电线116电连接，漏极分别与晶体管123的源极或者漏极的另一方、晶体管124的源极电连接。这里，供电线116被供给在像素电路110中成为电源的高位侧的电位Vel。该晶体管121作为流过与晶体管121的栅极以及源极间的电压对应的电流的驱动晶体管发挥功能。
晶体管123的栅极与控制线143电连接，被供给控制信号Gcmp(i)。该晶体管123作为控制晶体管121的栅极以及漏极间的电连接的第1开关晶体管发挥功能。
晶体管124的栅极与控制线144电连接，被供给控制信号Gel(i)。另外，晶体管124的漏极分别与晶体管125的源极和OLED130的阳极130a电连接。该晶体管124作为控制晶体管121的漏极和OLED130的阳极之间的电连接的第2开关晶体管发挥功能。
晶体管125的栅极与控制线145电连接，被供给控制信号Gorst(i)。另外，晶体管125的漏极与第(3j－2)列的供电线16电连接，被保持为复位电位Vorst。该晶体管125作为控制供电线16和OLED130的阳极130a之间的电连接的第3开关晶体管发挥功能。
在本实施方式中，由于显示面板2形成于硅基板，所以将晶体管121～125的基板电位设为电位Vel。
此外，也可以根据晶体管121～125的沟道类型、电位关系来交替上述的晶体管121～125的源极、漏极。另外，晶体管即可以是薄膜晶体管，也可以是场效应晶体管。
保持电容132的一方电极与晶体管121的栅极电连接，另一方的电极与供电线116电连接。因此，保持电容132作为保持晶体管121的栅极/源极间的电压的第1保持电容发挥功能。其中，将保持电容132的电容值记作Cpix。此时，保持电容50的电容值Cdt、保持电容44的电容值Crf1、保持电容132的电容值Cpix被设定成Cdt＞Crf1＞＞Cpix。即，设定成Cdt比Crf1大，Cpix与Cdt以及Crf1相比充分小。此外，作为保持电容132，也可以使用寄生于晶体管121的栅极节点g的电容，还可以使用通过在硅基板上由相互不同的导电层夹持绝缘层而形成的电容。
OLED130的阳极130a是按每个像素电路110分别独立设置的像素电极。与此相对，OLED130的阴极是遍及整个像素电路110公共设置的共用电极118，在像素电路110中被保持为作为电源的低位侧的电位Vct。OLED130是在上述硅基板中由阳极130a和具有透光性的阴极夹持白色有机EL层而成的元件。而且，在OLED130的出射侧(阴极侧)重叠有与RGB的任意一个对应的彩色滤光片。
在这样的OLED130中，若电流从阳极130a流向阴极，则从阳极130a注入的空穴和从阴极注入的电子在有机EL层再次结合而产生激子，从而产生白色光。此时产生的白色光透过与硅基板(阳极130a)相反侧的阴极，经由由彩色滤光片实现的着色而在观察者侧被视觉确认。
接下来，参照图5以及图6对像素电路110的构造进行说明。
图5是表示i行(3j－2)列的像素电路110的构成的俯视图。该图5示出了从观察者侧俯视顶部发光构造的像素电路110时的布线构造，为了简单化，省略了在OLED130的阳极130a以后形成的构造体。另外，图6是沿图5中的E－e线剖开的局部剖视图。在图6中，示出至OLED130的阳极130a，省略了以后的构造体。此外，在图5以及图6中，为了使各层、各部件、各区域等为能够识别的大小，存在使比例尺不同的情况。
如图6所示，构成像素电路110的各要素形成于硅基板150上。在本实施方式中，使用P型半导体基板作为硅基板150。几乎遍及硅基板150的整个面形成有N阱160。其中，在图5中，为了在俯视时能够容易把地握设置晶体管121～125的区域，以阴影线示出N阱160中的设置晶体管121～125的区域及其附近区域。
经由N型扩散层(未图示)向N阱160供给电位Vel。因此，晶体管121～125的基板电位成为电位Vel。
如图5以及图6所示，通过在N阱160的表面掺杂离子，形成多个P型扩散层。具体而言，按每个像素电路110在N阱160的表面形成9个P型扩散层P1～P9。这些P型扩散层P1～P9作为晶体管121～125的源极或者漏极发挥功能。另外，在N阱160以及P型扩散层P1～P9的表面形成有栅极绝缘层L0，通过图案化在栅极绝缘层L0的表面形成栅极电极G1～G5。这些栅极电极G1～G5分别作为晶体管121～125的栅极发挥功能。
如图5所示，晶体管121具有栅极电极G1、P型扩散层P1以及P型扩散层P2。其中，P型扩散层P1作为晶体管121的源极发挥功能，P型扩散层P2作为晶体管121的漏极发挥功能。
另外，晶体管122具有栅极电极G2、P型扩散层P3以及P型扩散层P4。其中，P型扩散层P3作为晶体管122的源极或者漏极的一方发挥功能，P型扩散层P4作为晶体管122的源极或者漏极的另一方发挥功能。
晶体管123具有栅极电极G3、P型扩散层P4以及P型扩散层P5。其中，P型扩散层P4作为晶体管123的源极或者漏极的一方发挥功能，P型扩散层P5作为晶体管123的源极或者漏极的另一方发挥功能。即，P型扩散层P4作为晶体管122的源极或者漏极的另一方发挥功能，并且作为晶体管123的源极或者漏极的一方发挥功能。
晶体管124具有栅极电极G4、P型扩散层P6以及P型扩散层P7。其中，P型扩散层P6作为晶体管124的源极发挥功能，P型扩散层P7作为晶体管124的漏极发挥功能。
此外，在本实施方式中，分别由独立的P型扩散层P2、P5以及P6构成晶体管121的漏极、晶体管123的源极或者漏极的另一方以及晶体管124的源极，但也可以由单一的P型扩散层构成。该情况下，也可以不设置后述的中继节点N13。
晶体管125具有栅极电极G5、P型扩散层P8以及P型扩散层P9。其中，P型扩散层P8作为晶体管125的源极发挥功能，P型扩散层P9作为晶体管125的漏极发挥功能。
如图6所示，以覆盖栅极电极G1～G5以及栅极绝缘层L0的方式形成第1层间绝缘层L1。
通过对铝等导电性的布线层进行图案化，按每行分别在第1层间绝缘层L1的表面形成扫描线12、供电线116以及控制线143～145，并且按每个像素电路110分别形成中继节点N11～N16以及分支部116a。其中，有时将这些形成于第1层间绝缘层L1的表面的布线层统称为第1布线层。
如图5所示，供电线116沿着与Y轴向交叉的X方向延伸，并且按每个像素电路110具有在Y方向分支的部分(分支部116a)。分支部116a被设置成俯视时(即，从与硅基板150的配置了像素电路110的面垂直的方向观察像素电路110时)分支部116a的一部分和P型扩散层P1相重叠。另外，如图5以及图6所示，分支部116a经由贯通第1层间绝缘层L1的接触孔Ha1与P型扩散层P1电连接。其中，在图5中，在不同种类的布线层彼此重叠的部分，将接触孔表示为在“□”标记上附加“×”标记的部分。
如图5所示，扫描线12沿X方向延伸，其被设置成俯视时与栅极电极G1以及栅极电极G2交叉。即，俯视时，扫描线12的至少一部分和栅极电极G1的至少一部分重叠。另外，扫描线12经由接触孔Ha5与栅极电极G2电连接。
控制线143沿X方向延伸，且被设置成俯视时与栅极电极G1以及栅极电极G3交叉。另外，控制线143经由接触孔Ha7与栅极电极G3电连接。
控制线144沿X方向延伸，且被设置成俯视时与栅极电极G4交叉，经由接触孔Ha10与栅极电极G4电连接。控制线145沿X方向延伸，且被设置成俯视时与栅极电极G5交叉，经由接触孔Ha14与栅极电极G5电连接。
如图5以及图6所示，中继节点N11经由接触孔Ha2与栅极电极G1电连接，且经由接触孔Ha6与P型扩散层P4电连接。即，中继节点N11相当于将晶体管121的栅极、晶体管122的源极或者漏极的另一方、以及晶体管123的源极或者漏极的一方电连接的栅极节点g。
中继节点N16被设置成俯视时中继节点N16和栅极电极G1的一部分相互重叠。而且，通过中继节点N16和栅极电极G1夹持第1层间绝缘层L1来形成保持电容132。即，栅极电极G1相当于保持电容132的一方电极，中继节点N16相当于保持电容132的另一方电极。
中继节点N12经由接触孔Ha4与P型扩散层P3电连接。中继节点N13经由接触孔Ha3与P型扩散层P2电连接，并且经由接触孔Ha8与P型扩散层P5电连接，经由接触孔Ha9与P型扩散层P6电连接。中继节点N14经由接触孔Ha11与P型扩散层P7电连接，并且经由接触孔Ha12与P型扩散层P8电连接。中继节点N15经由接触孔Ha13与P型扩散层P9电连接。
如图6所示，以覆盖第1布线层以及第1层间绝缘层L1的方式形成第2层间绝缘层L2。
通过对铝等导电性的布线层进行图案化，按每列在第2层间绝缘层L2的表面分别形成数据线14以及供电线16，并且按每个像素电路110分别形成中继节点N21、N22。其中，有时将这些形成于第2层间绝缘层L2的表面的布线层统称为第2布线层。
如图5所示，数据线14经由接触孔Hb2与中继节点N12电连接。由此，P型扩散层P3经由中继节点N12与数据线14电连接。供电线16经由接触孔Hb3与中继节点N15电连接。由此，P型扩散层P9经由中继节点N15与供电线16电连接。中继节点N21经由接触孔Hb1与供电线116电连接，并且经由接触孔Hb4与中继节点N16(保持电容132的另一方电极)电连接。由此，中继节点N16经由中继节点N21与供电线116电连接，被保持为电位Vel。
另外，如图6所示，中继节点N22经由接触孔Hb5与中继节点N14电连接。
如图6所示，以覆盖第2布线层以及第2层间绝缘层L2的方式形成第3层间绝缘层L3。通过对铝、ITO(Indium Tin Oxide：氧化铟锡)等具有导电性的布线层进行图案化，在第3层间绝缘层L3的表面形成OLED130的阳极130a。OLED130的阳极130a是按每个像素电路110分别独立的像素电极，经由贯通第3层间绝缘层L3的接触孔Hc1与中继节点N22连接。即，OLED130的阳极130a经由中继节点N22以及中继节点N14与P型扩散层P7(即晶体管124的漏极)以及P型扩散层P8(即晶体管125的源极)电连接。
另外，虽省略图示，但在OLED130的阳极130a上层叠有按每个像素电路110进行划分且由有机EL材料构成的发光层。而且，在发光层上遍及多个像素电路110的全部设置作为公用的透明电极的阴极(共用电极118)。即，OLED130的相互对置的阳极和阴极夹持发光层，以与从阳极流向共用电极118的电流对应的亮度发光。OLED130发出的光中朝向与硅基板150相反方向(即在图6中为朝上的方向)的光被观察者视觉确认为映像(顶部发光构造)。除此之外，还设置有用于将发光层与大气遮挡开的密封材料等，但省略说明。
<实施方式的动作>
参照图7对电光装置1的动作进行说明。图7是用于说明电光装置1中的各部的动作的时序图。如该图所示，扫描线驱动电路20依次将扫描信号Gwr(1)～Gwr(m)切换成L电平，在1个帧期间按每1个水平扫描期间(H)依次扫描第1～m行的扫描线12。1个水平扫描期间(H)中的动作在各行的像素电路110中是共同的。因此，以下在水平扫描第i行的扫描期间中，特别着眼于i行(3j－2)列的像素电路110来说明动作。
在本实施方式中，若大致进行划分，则第i行的扫描期间被划分成图7中(b)所示的初始化期间、(c)所示的补偿期间、和(d)所示的写入期间。而且，在(d)的写入期间后成为(a)所示的发光期间，经过1个帧期间后再次到达第i行的扫描期间。因此，若按时间顺序来说，反复(发光期间)→初始化期间→补偿期间→写入期间→(发光期间)这样的循环。
其中，在图7中，对于与第i行的前1行的第(i－1)行对应的各扫描信号Gwr(i-1)、控制信号Gel(i-1)、Gcmp(i-1)、Gorst(i-1)而言，分别成为在时间上比与第i行对应的扫描信号Gwr(i)、控制信号Gel(i)、Gcmp(i)、Gorst(i)提前1个水平扫描期间(H)的波形。
<发光期间>
为了便于说明，从成为初始化期间的前提的发光期间开始说明。在第i行的发光期间中，扫描线驱动电路20向第i行的扫描线12供给规定的第2电位V2，向第i行的控制线144供给规定的第1电位V1，向第i行的控制线143供给第2电位V2，向第i行的控制线145供给第2电位V2。其中，在本实施方式中，将第1电位V1设定成比第2电位V2低。例如，第1电位V1只要是与控制电路3供给的控制信号(控制信号Gref等)的L电平相当的电位即可，第2电位V2只要是与控制电路3供给的控制信号的H电平相当的电位即可。即，如图7所示，在第i行的发光期间中，将扫描信号Gwr(i)设定成H电平，将控制信号Gel(i)设定成L电平，将控制信号Gcmp(i)设定成H电平，将控制信号Gorst(i)设定成H电平。
因此，如图8所示，在i行(3j－2)列的像素电路110中，晶体管124导通，而晶体管122、123、125截止。因此，晶体管121将与栅极/源极间的电压Vgs对应的电流Ids供给至OLED130。如后所述，在本实施方式中，发光期间中的电压Vgs是对数据信号的电位进行了电平移位后的值。因此，与灰度等级对应的电流在补偿了晶体管121的阈值电压的状态下被供给至OLED130。
其中，由于第i行的发光期间是第i行以外被水平扫描的期间，所以数据线14的电位适当变动。但在第i行的像素电路110中，由于晶体管122截止，所以这里不考虑数据线14的电位变动。另外，在图8中，以粗线表示了在发光期间的动作说明中重要的路径。
<初始化期间>
接下来，若到达第i行的扫描期间，则首先开始(b)的初始化期间作为第1期间。在第i行的初始化期间，如图7所示，扫描线驱动电路20向第i行的扫描线12供给第2电位V2，从而将扫描信号Gwr(i)设定为H电平，向第i行的控制线144供给第2电位V2，从而将控制信号Gel(i)设定为H电平，向第i行的控制线143供给第2电位V2，从而将控制信号Gcmp(i)设定为H电平，向第i行的控制线145供给第1电位V1，从而将控制信号Gorst(i)设为L电平。因此，在i行(3j－2)列的像素电路110中，晶体管124截止，晶体管125导通。由此，向OLED130供给的电流的路径被切断，并且OLED130的阳极130a被设定成复位电位Vorst。
由于如上所述，OLED130是利用阳极130a和阴极夹持有机EL层而成的构成，所以在阳极/阴极之间并列寄生电容。在发光期间，当电流流过OLED130时，该OLED130的阳极/阴极间的两端电压被并列寄生于阳极/阴极之间的电容保持，但该保持电压因晶体管125的导通而被复位。因此，在本实施方式中，当在后面的发光期间电流再次流过OLED130时，不易受到由并列寄生于阳极/阴极之间的电容保持的电压的影响。
详细而言，例如若是在从高亮度的显示状态转为低亮度的显示状态时不进行复位的构成，则由于亮度高(流过大电流)时的高电压被保持，所以接下来即便流过小电流，也导致流过过度的电流，不能成为低亮度的显示状态。与此相对，在本实施方式中，由于通过晶体管125的导通使OLED130的阳极130a的电位复位，所以低亮度侧的再现性提高。其中，在本实施方式中，将复位电位Vorst设定为该复位电位Vorst和共用电极118的电位Vct之差低于OLED130的发光阈值电压。因此，在初始化期间(接下来说明的补偿期间以及写入期间)中，OLED130成为截止(非发光)状态。
另一方面，在第i行的初始化期间，如图7所示，控制电路3分别将控制信号/Gini设定为L电平，将控制信号Gref设定为H电平，将控制信号Gcpl设定为L电平。因此，成为晶体管43以及晶体管45导通的状态。由此，保持电容44的一方电极和供电线61电连接，保持电容44的一方电极(以及数据线14)被初始化为初始电位Vini。另外，保持电容44的另一方电极和供电线62电连接，保持电容44的另一方电极(以及节点h1)被初始化为基准电位Vref。
在本实施方式中，将初始电位Vini设定成(Vel－Vini)比晶体管121的阈值电压|Vth|大。其中，由于晶体管121是P沟道型，所以以源极的电位为基准的阈值电压Vth为负。鉴于此，为了防止在高低关系的说明中产生混乱，以绝对值的|Vth|表示阈值电压，在大小关系中进行规定。
如图7所示，数据信号供给电路70在第i行的扫描期间开始后至写入期间开始的期间，分别向各信号分离器DM(1)、DM(2)、…、DM(n)供给数据信号Vd(1)、Vd(2)、…、Vd(n)。即，以第j组来说，数据信号供给电路70按顺序将数据信号Vd(j)切换成与i行(3j－2)列、i行(3j－1)列、i行(3j)列的像素的灰度等级对应的电位。
另一方面，控制电路3与数据信号的电位切换配合地按顺序使控制信号Sel(1)、Sel(2)、Sel(3)以排他方式成为H电平。由此，设置于各信号分离器DM的3个传输门34分别以左端列、中央列、右端列的顺序导通。
这里，在初始化期间，当属于第j组的左端列的传输门34因控制信号Sel(1)而导通时，由于数据信号Vd(j)被供给至保持电容41的一方电极，所以该数据信号Vd(j)被保持电容41保持。
<补偿期间>
在第i行的扫描期间，接下来成为(c)的补偿期间作为第2期间。在第i行的补偿期间，如图7所示，控制电路3分别将控制信号/Gini设定为H电平，将控制信号Gref设定为H电平，将控制信号Gcpl设定为L电平。因此，晶体管43成为导通的状态，另一方面，晶体管45成为截止的状态。由此，保持电容44的另一方电极和供电线62电连接，节点h1被设定为基准电位Vref。
另外，在补偿期间，当属于第j组的左端列的传输门34因控制信号Sel(1)而导通时，数据信号Vd(j)被供给至保持电容41的一方电极。
此外，在初始化的期间，当属于第j组的左端列的传输门34因控制信号Sel(1)而导通时，在补偿期间，该传输门34不导通，但左端列的传输门34导通时供给的数据信号Vd(j)被保持电容41保持。
另外，在第i行的补偿期间，如图7所示，扫描线驱动电路20向第i行的扫描线12供给第1电位V1，从而将扫描信号Gwr(i)设定为L电平，向第i行的控制线144供给第2电位V2，从而将控制信号Gel(i)设定为H电平，向第i行的控制线143供给第1电位V1，从而将控制信号Gcmp(i)设定为L电平，向第i行的控制线145供给第1电位V1，从而将控制信号Gorst(i)设定为L电平。因此，由于晶体管123导通，所以晶体管121成为二极管连接。由此，漏极电流流过晶体管121，对栅极节点g以及数据线14进行充电。详细而言，电流以供电线116→晶体管121→晶体管123→晶体管122→第(3j－2)列的数据线14这样的路径流过。因此，因晶体管121的导通而处于相互连接状态的数据线14以及栅极节点g从初始电位Vini上升。但由于流过上述路径的电流随着栅极节点g接近电位(Vel－|Vth|)而变得难以流动，所以在到达补偿期间结束之前，数据线14以及栅极节点g以电位(Vel－|Vth|)饱和。
因此，保持电容132在补偿期间结束时保持晶体管121的阈值电压|Vth|。其中，以下有时将补偿期间结束时的栅极节点g的电位(Vel－|Vth|)记作电位Vp。
若补偿期间结束，则扫描线驱动电路20通过将供给至控制线143的电位从第1电位V1切换为第2电位V2，从而将控制信号Gcmp(i)从L电平变更为H电平。由此，晶体管121的二极管连接被解除。
其中，扫描线驱动电路20以使控制信号Gcmp(i)从L电平变化为H电平时的波形与从H电平变化为L电平时的波形相比变得平缓的方式来切换供给至控制线143的电位。即，如图7所示，把扫描线驱动电路20将供给至控制线143的电位从第2电位V2切换为第1电位V1的期间设为第3切换期间T3，将从第1电位V1切换为第2电位V2的期间设为第4切换期间T4。此时，扫描线驱动电路20以第4切换期间T4的时间长度比第3切换期间T3的时间长度充分长的方式来使供给至控制线143电位变化。
如上所述，在俯视时，控制线143和栅极电极G1(晶体管121的栅极)交叉。因此，在控制线143和栅极电极G1之间存在寄生电容。因此，在假设使第4切换期间T4的时间长度缩短为与第3切换期间T3的时间长度相同的程度，使控制信号Gcmp(i)急剧地从L电平上升至H电平时，受到控制线143中的控制信号Gcmp(i)的高频成分的影响，栅极电极G1的电位发生变化。
后面将叙述详细内容，在补偿期间结束时，栅极节点g的电位(栅极电极G1的电位)被规定为对每个像素电路110的晶体管121的阈值电压的偏差进行补偿后的电位。但在补偿期间结束后栅极节点g的电位发生变化的情况下，由于不能够补偿每个像素电路110的阈值电压的偏差，所以损害显示画面的一致性那样的产生显示不均的问题变得显著。
与此相对，在本实施方式中，通过使第4切换期间T4的时间长度与第3切换期间T3的时间长度相比充分长，来使控制信号Gcmp(i)从L电平变化为H电平时的波形为平缓的波形，从而防止控制线143的电位变动传播到栅极节点g(栅极电极G1)。由此，能够补偿每个像素电路110的阈值电压的偏差，可进行确保了显示的一致性的高品质的显示。
其中，实际上将第3切换期间T3的时间长度充分缩短到能够视作“0”的程度。即，可以使控制信号Gcmp(i)从H电平下降到L电平时的波形例如与使控制信号Gref从H电平下降到L电平时的波形相等。但在图7中，为了便于说明地图示第3切换期间T3，将控制信号Gcmp(i)的下降的波形记载为与实际的波形相比较平缓的波形。
另外，若补偿期间结束，则由于控制电路3将控制信号Gref从H电平变更为L电平，所以晶体管43截止。因此，从第(3j－2)列的数据线14至i行(3j－2)列的像素电路110中的栅极节点g为止的路径成为浮置状态，但该路径的电位被保持电容50、132维持在(Vel－|Vth|)。
<写入期间>
在初始化期间之后，进入(d)的写入期间作为第3期间。在第i行的写入期间，如图7所示，扫描线驱动电路20向第i行的扫描线12供给第1电位V1，从而将扫描信号Gwr(i)设定为L电平，向第i行的控制线144供给第2电位V2，从而将控制信号Gel(i)设定为H电平，向第i行的控制线143供给第2电位V2，从而将控制信号Gcmp(i)设定为H电平，向第i行的控制线145供给第1电位V1，从而将控制信号Gorst(i)设定为L电平。由此，晶体管121的二极管连接被解除。
另外，在第i行的写入期间，如图7所示，控制电路3分别将控制信号/Gini设定为H电平，将控制信号Gref设定为L电平，将控制信号Gcpl设定为H电平。因此，由于传输门42导通，所以将保持电容41所保持的数据信号Vd(j)经由节点h1被供给至保持电容44的另一方电极。由此，节点h1以及保持电容44的另一方电极从补偿期间中的基准电位Vref变化。将此时的节点h1的电位变化量表示为ΔVh。另外，有时将写入期间中的节点h1的电位(Vref+ΔVh)表示为电位Vh。
其中，在节点h1的电位从基准电位Vref到电位Vh变化了ΔVh的情况下，栅极节点g以及数据线14的电位也从在补偿期间中设定的电位Vp＝(Vel－|Vth|)发生变化。将此时的栅极节点g的电位变化量表示为ΔVg。另外，有时将写入期间中的栅极节点g的电位(Vp+ΔVg)表示为电位Vgate。
以下，参照图9，对写入期间开始前后的栅极节点g以及节点h1的电位变化进行详细叙述。
图9(A)是用于说明写入期间开始前后的节点h1以及栅极节点g的电位变化的说明图。在该图中，(A－1)表示写入期间开始前的节点h1以及栅极节点g的电位，(A－2)表示写入期间开始后(即传输门42导通后)的节点h1以及栅极节点g的电位。其中，由于在补偿期间以及写入期间，保持电容50以及保持电容132并联电连接，所以按照以下式(1)表示保持电容50以及保持电容132的合成电容501的电容值C0。
C0＝Cpix+Cdt……(1)
若将写入期间开始前蓄积于合成电容501的电荷设为Q0a，将写入期间开始后蓄积于合成电容501的电荷设为Q0b，则按照以下式(2)表示在写入期间开始前后从合成电容501流出的电荷(Q0a－Q0b)。同样，若将在写入期间开始前蓄积于保持电容44的电荷设为Q1a，将在写入期间开始后蓄积于保持电容44的电荷设为Q1b，则按照以下式(3)表示在写入期间开始前后流入保持电容44的电荷(Q1b－Q1a)。由于在写入期间开始前后从合成电容501流出的电荷和流入保持电容44的电荷相等，所以以下式(4)成立。
Q0a－Q0b＝C0*(Vp－Vgate)……(2)
Q1b－Q1a＝Crf1*{(Vgate－Vh)－(Vp－Vref)}……(3)
Q0a－Q0b＝Q1b－Q1a……(4)
根据式(2)～式(4)，能够计算出写入期间中的栅极节点g的电位Vgate。具体而言，按照以下式(5)表示电位Vgate。
Vgate＝{Crf1/(Crf1+C0)}*{Vh－Vref}+Vp……(5)
这里，导入以下式(6)所示的电容比k1。此时，能够使用电容比k1按照以下式(7)来表示写入期间中的栅极节点g的电位Vgate，能够使用电容比k1按照以下式(8)来表示写入期间开始前后的栅极节点g的电位变化量ΔVg。
k1＝Crf1/(Crf1+Cdt+Cpix)……(6)
Vgate＝k1*(Vh－Vref)+Vp
＝k1*ΔVh+Vp……(7)
ΔVg＝Vgate－Vp
＝k1*ΔVh……(8)
这样，在写入期间中，栅极节点g的电位变化为从补偿期间中的电位Vp＝(Vel－|Vth|)向上升方向移位了队节点h1的电位变化量ΔVh乘以电容比k1而得到的值(k1*ΔVh)的电位Vgate＝(Vel－|Vth|+k1·ΔVh)。此时，如以下的式(9)所示，晶体管121的电压Vgs的绝对值|Vgs|成为从阈值电压|Vth|减去栅极节点g的电位上升量而得到的值。
|Vgs|＝|Vth|－k1*ΔVh……(9)
图9(B)是用于说明写入期间开始前后的节点h1以及节点h2的电位变化的说明图。在该图中，(B－1)表示写入期间开始前的节点h1以及节点h2的电位，(B－2)表示写入期间开始后(即传输门42导通后)的节点h1以及节点h2的电位。其中，由于在补偿期间以及写入期间，保持电容50以及保持电容132的合成电容501和保持电容41串联电连接，所以按照以下的式(10)表示保持电容50、保持电容132以及保持电容44的合成电容502的电容值C1。
C1＝(C0*Crf1)/(C0+Crf1)……(10)
若将写入期间开始前蓄积于合成电容502的电荷设为Q1c，将写入期间开始后蓄积于合成电容502的电荷设为Q1d，则按照以下的式(11)表示在写入期间开始前后从合成电容502流出的电荷(Q1c－Q1d)。同样，若将在写入期间开始前蓄积于保持电容41的电荷设为Q2c，将在写入期间开始后蓄积于保持电容41的电荷设为Q2d，则按照以下的式(12)表示在写入期间开始前后流入保持电容41的电荷(Q2d－Q2c)。由于在写入期间开始前后从合成电容502流出的电荷和流入保持电容41的电荷相等，所以以下的式(13)成立。
Q1c－Q1d＝C1*{Vref－Vh}……(11)
Q2d－Q2c＝Crf2*{Vh－Vd(j)}……(12)
Q1c－Q1d＝Q2d－Q2c……(13)
因此，通过式(11)～式(13)，能够计算出写入期间中的节点h1的电位Vh。具体而言，按照以下的式(14)表示电位Vh。另外，按照以下的式(15)表示节点h1处的电位变化量ΔVh。
Vh＝{C1/(C1+Crf2)}*(Vref)
+{Crf2/(C1+Crf2)}*{Vd(j)}……(14)
ΔVh＝Vh－Vref
＝{Crf2/(C1+Crf2)}*{Vd(j)－Vref}……(15)
这里，若导入以下的式(16)所示的电容比k2，则还能够按照以下的式(17)表示电位变化量ΔVh。
k2＝Crf2/(C1+Crf2)……(16)
ΔVh＝k2*{Vd(j)－Vref}……(17)
通过将式(17)代入式(7)，能够根据以下的式(18)表示写入期间中的栅极节点g的电位Vgate。因此，能够根据以下的式(19)表示写入期间开始前后的栅极电极G的电位变化量ΔVg。
Vgate＝k1*k2*{Vd(j)－Vref}+Vp……(18)
ΔVg＝k1*k2*{Vd(j)－Vref}……(19)
这样，节点h1的电位变化使数据信号Vd(j)所表示的电位从基准电位Vref移位，并通过电容比k2将其压缩而得到的值ΔVh。由此，栅极节点g的电位Vgate变化进一步以电容比k1对节点h1的电位变化量ΔVh进行压缩而得到的值。即，如式(18)所示，写入期间中的栅极节点g的电位Vgate被供给使数据信号Vd(j)从基准电位Vref移位，并对该移位后的电位乘以基于电容值Cdt、Crf1、Crf2、Cpix而规定的电容比k3＝k1*k2来进行压缩的电位。
图10是表示写入期间中的数据信号Vd(j)的电位和栅极节点g的电位Vgate的关系的图。如上所述，基于从控制电路3供给的图像信号Vid而生成的数据信号Vd(j)对应于像素的灰度等级可取得从最小值Vmin至最大值Vmax的电位范围。而且，如上所述，使数据信号Vd(j)从基准电位Vref移位并且通过电容比k3进行压缩而得到的电位Vgate被写入栅极节点g。此时，如以下的式(20)所示，栅极节点g的电位范围ΔVgate被压缩成对数据信号的电位范围ΔVdata(＝Vmax－Vmin)乘以电容比k3而得到的值。
ΔVgate＝k3*ΔVdata……(20)
另外，根据式(18)也可知，能够基于电位Vp(＝Vel－|Vth|)和基准电位Vref来规定使栅极节点g的电位范围ΔVgate相对于数据信号的电位范围ΔVdata向哪个方向移位、移位多少。
扫描线驱动电路20在写入期间结束后，通过将供给至扫描线12的电位从第1电位V1切换为第2电位V2，从而将扫描信号Gwr(i)从L电平变更为H电平。由此，由于晶体管122截止，所以栅极节点g的电位被维持在电位Vgate＝[{Vel－|Vth|}+k3·{Vd(j)－Vref}]。
其中，扫描线驱动电路20以使扫描信号Gwr(i)从L电平变化为H电平时的波形与从H电平变化为L电平时的波形相比较平缓的方式来切换供给至扫描线12的电位。即，如图7所示，扫描线驱动电路20把将供给至扫描线12的电位从第2电位V2切换为第1电位V1的期间设为第1切换期间T1，将从第1电位V1切换为第2电位V2的期间设为第2切换期间T2。此时，扫描线驱动电路20以第2切换期间T2的时间长度比第1切换期间T1的时间长度充分长的方式使供给至扫描线12的电位发生变化。
如上所述，在俯视时，扫描线12和栅极电极G1(晶体管121的栅极)交叉。因此，在扫描线12和栅极电极G1之间存在寄生电容。因此，假设在将第2切换期间T2的时间长度缩短为与第1切换期间T1的时间长度相同的程度，使扫描信号Gwr(i)急剧地从L电平上升到H电平的情况下，受到扫描线12中的扫描信号Gwr(i)的高频成分的影响，栅极电极G1的电位发生变化。
如上所述，在写入期间结束时，栅极节点g的电位(栅极电极G1的电位)被决定为基于对OLED130的亮度进行规定的数据信号Vd(j)(图像信号Vid)的电位Vgate。但在写入期间结束后栅极节点g的电位发生变化的情况下，栅极节点g的电位成为与基于数据信号Vd(j)而决定的电位Vgate不同的电位。该情况下，各像素显示与图像信号Vid所规定的灰度不同的灰度，显示品质降低。
与此相对，在本实施方式中，通过使第2切换期间T2的时间长度比第1切换期间T1的时间长度充分长，使扫描信号Gwr(i)从L电平变化为H电平时的波形为平缓的波形，来防止扫描线12的电位变动向栅极节点g(栅极电极G1)传播。由此，各像素能够准确显示图像信号Vid所规定的灰度，能够进行高品质的显示。
其中，实际上第1切换期间T1的时间长度缩短为能够视作“0”的程度。即，扫描信号Gwr(i)从H电平下降到L电平时的波形例如可以与控制信号Gref从H电平下降到L电平时的波形相等。但在图7中，为了便于说明地图示第1切换期间T1，将扫描信号Gwr(i)的下降波形记载为比实际充分平缓。
<发光期间>
在第i行的写入期间结束后，开始发光期间。在本实施方式中，在第i行的写入期间结束后，间隔1个水平扫描期间的时间开始发光期间。在发光期间，由于如上所述，扫描线驱动电路20将扫描信号Gwr(i)设定为H电平，所以晶体管122截止，栅极节点g被维持在电位Vgate＝[{Vel－|Vth|}+k3·{Vd(j)－Vref}]。另外，由于在发光期间，扫描线驱动电路20将控制信号Gel(i)设定为L电平，所以在i行(3j－2)列的像素电路110中，晶体管124导通。由于栅极/源极间的电压Vgs是[|Vth|－k3·{Vd(j)－Vref}]，所以如前面的图8所示，与灰度等级对应的电流在补偿了晶体管121的阈值电压的状态下被供给至OLED130。
在第i行的扫描期间，这样的动作在第(3j－2)列的像素电路110以外的第i行的其他像素电路110中也在时间上并列执行。并且，实际上，这样的第i行的动作在1个帧期间中按第1、2、3、…、(m－1)、m行的顺序执行，并且按每个帧重复进行。
<实施方式的效果>
根据本实施方式，在俯视时，扫描线12以及控制线143被设置于与晶体管121的栅极(栅极电极G1)交叉的位置。因此，与将扫描线12以及控制线143设置为不与晶体管121的栅极交叉的情况相比，能够高密度地对沿X方向延伸的多条控制线(扫描线12、控制线143、144、145)进行布线，能够实现控制线的窄间距化。即，根据本实施方式，通过高密度地对控制线进行布线，能够实现像素电路110的窄间距化，由此，能够实现电光装置1(显示部100)的小型化以及显示的高精细化。
根据本实施方式，扫描线驱动电路20以使扫描信号Gwr(i)从L电平变化为H电平时的波形比从H电平变化为L电平时的波形变得平缓的方式，使供给至扫描线12的电位变化。由此，由于即便是在俯视时扫描线12和晶体管121的栅极交叉的情况，也能够防止扫描信号Gwr(i)的电位变动传播至晶体管121的栅极，所以各像素能够准确地显示图像信号Vid所规定的灰度。
根据本实施方式，扫描线驱动电路20以使控制信号Gcmp(i)从L电平变化为H电平时的波形比从H电平变化为L电平时的波形变得平缓的方式使供给至控制线143的电位变化。由此，由于即便是在俯视时控制线143和晶体管121的栅极交叉的情况，也能够防止控制信号Gcmp(i)的电位变动传播至晶体管121的栅极，所以能够进行确保了显示的一致性的高品质显示。
根据本实施方式，由于栅极节点g处的电位范围ΔVgate相对数据信号的电位范围ΔVdata被缩小，所以即便不以较高的精度刻画数据信号，也能够将反映了灰度等级的电压施加给晶体管121的栅极/源极间。因此，即便在像素电路110中流过OLED130的微小电流相对晶体管121的栅极/源极间的电压Vgs的变化相对大幅变化的情况下，也能够高精度地控制供给至OLED130的电流。
另外，存在如图4中虚线所示那样，在数据线14和像素电路110中的栅极节点g之间寄生出电容Cprs的情况。该情况下，若数据线14的电位变化幅度大，则电位变化经由该电容Cprs传播给栅极节点g，产生所谓的串扰、不均等，使显示品质降低。该电容Cprs的影响在像素电路110微小化时显著出现。
与此相对，在本实施方式中，由于数据线14的电位变化范围相对数据信号的电位范围ΔVdata也被缩小，所以能够抑制因电容Cprs引起的影响。
另外，根据本实施方式，由晶体管121供给至OLED130的电流Ids可抵消阈值电压的影响。因此，根据本实施方式，由于即便晶体管121的阈值电压按每个像素电路110产生偏差，该偏差也被补偿，与灰度等级对应的电流被供给至OLED130，所以可抑制如损害显示画面的一致性那样的显示不均的产生，结果能够进行高品质的显示。
参照图11对该抵消进行说明。如该图所示，晶体管121为了控制向OLED130供给的微小电流而在弱反转区域(亚阈值区域)动作。
在图中，A表示阈值电压|Vth|大的晶体管中的栅极电位和该晶体管所供给的电流的关系，B表示阈值电压|Vth|小的晶体管中的栅极电位和该晶体管所供给的电流的关系。其中，在图11中，栅极/源极间的电压Vgs是实线与电位Vel的差。另外，在图11中，利用将从源极朝向漏极的方向设为负(下)的对数表示了纵刻度的电流。
在补偿期间，栅极节点g从初始电位Vini成为电位(Vel－|Vth|)。因此，利用实线A表示的阈值电压|Vth|大的晶体管的动作点从S移向Aa，另一方面，利用实线B表示的阈值电压|Vth|小的晶体管的动作点从S移向Ba。
接下来，在数据信号朝向2个晶体管所属的像素电路110的电位相同的情况下，即在指定了相同的灰度等级的情况下，在写入期间，距动作点Aa、Ba的电位移位量均是相同的k1·ΔVh。因此，利用实线A表示的晶体管的动作点从Aa移向Ab，利用实线B表示的晶体管的动作点从Ba移向Bb，但对电位移位后的动作点处的电流而言，该2个晶体管均为几乎相同的Ids而一致。
根据本实施方式，从初始化期间直至补偿期间，执行使保持电容41保持从控制电路3经由信号分离器DM供给的数据信号的动作。即，根据本实施方式，并列执行在初始化期间使阳极130a的电位初始化为复位电位Vorst的动作和使保持电容41保持数据信号的动作，并且并列执行在补偿期间补偿晶体管121的阈值电压的偏差的动作和使保持电容41保持数据信号的动作。因此，针对应在1个水平扫描期间执行的动作，能够缓和时间上的制约，能够使数据信号供给电路70中的数据信号的供给动作低速化。
<变形例>
本发明并不局限于上述的实施方式，例如能够进行以下所述的各种变形。另外，也能够对任意选择出的一个或者多个以下所述的变形方式进行适当地组合。
<变形例1>
在上述的实施方式中，各像素电路110是在俯视时扫描线12以及控制线143和栅极电极G1交叉的构成，但也可以是除了扫描线12以及控制线143之外，控制线144也与栅极电极G1交叉的构成。
图12表示变形例1所涉及的像素电路110的构成的俯视图。变形例1所涉及的像素电路110构成为除了俯视时控制线144和栅极电极G1交叉这一点、以及控制线144按每个像素电路110具有在Y方向上分支的分支部142a这一点之外，与图5所示的实施方式所涉及的像素电路110相同。
根据该构成，与将控制线144设置成不与晶体管121的栅极交叉的情况相比，能够高密度地对沿X方向延伸的多条控制线(扫描线12、控制线143、144、145)进行布线，能够实现控制线的窄间距化。由此，能够实现电光装置(显示部)的小型化以及显示的高精细化。
另外，在控制线144和栅极电极G1交叉的情况下，扫描线驱动电路20也可以按照使控制信号Gel(i)从H电平变化为L电平时的波形比从L电平变化为H电平时的波形变得平缓的方式来切换供给至控制线144的电位。
图13是用于说明变形例1所涉及的电光装置的动作的时序图。如图13所示，变形例1所涉及的扫描线驱动电路20按照将供给至控制线144的电位从第2电位V2切换至第1电位V1的第5切换期间T5的时间长度比从第1电位V1切换至第2电位V2的第6切换期间T6的时间长度充分长的方式，使供给至控制线144的电位变化。
如上所述，栅极电极G1(晶体管121的栅极节点g)的电位在提前于第5切换期间T5的写入期间被决定为规定OLED130的亮度的电位Vgate。因此，在第5切换期间T5中，当控制线144的电位急剧地变化，该电位变动传播至栅极电极G1时，各像素不能够准确地显示图像信号Vid所规定的灰度。
与此相对，变形例1所涉及的扫描线驱动电路20通过使第5切换期间T5的时间长度比第6切换期间T6的时间长度充分长，使控制信号Gel(i)从H电平变化为L电平时的波形为平缓的波形，从而防止控制线144的电位变动向栅极节点g(栅极电极G1)传播。由此，各像素能够准确地显示图像信号Vid所规定的灰度，能够进行高品质的显示。
<变形例2>
在上述的实施方式中，各像素电路110是在俯视时扫描线12以及控制线143和栅极电极G1交叉的构成，但也可以是除了扫描线12以及控制线143之外，控制线145也与栅极电极G1交叉的构成。
图14是表示变形例2所涉及的像素电路110的构成的俯视图。变形例2所涉及的像素电路110构成为除了俯视时控制线145和栅极电极G1交叉这一点、以及控制线145按每个像素电路110具有在Y方向分支的分支部145a这一点外，与图5所示的实施方式所涉及的像素电路110相同。
根据该构成，与设置成控制线145不与晶体管121的栅极交叉的情况相比，能够高密度地对沿X方向延伸的多条控制线(扫描线12、控制线143、144、145)进行布线，能够实现控制线的窄间距化。由此能够实现电光装置(显示部)的小型化以及显示的高精细化。
另外，在控制线145和栅极电极G1交叉的情况下，如图15所示，扫描线驱动电路20也可以按照控制信号Gorst(i)从L电平变化为H电平时的波形比从H电平变化为L电平时的波形变得平缓的方式来切换供给至控制线145的电位。
图15是用于说明变形例2所涉及的电光装置的动作的时序图。
如图15所示，变形例2涉及的扫描线驱动电路20按照将供给至控制线145的电位从第1电位V1切换成第2电位V2的第8切换期间T8的时间长度比从第2电位V2切换成第1电位V1的第7切换期间T7的时间长度充分长的方式来使供给至控制线145的电位变化。该情况下，在将晶体管121的栅极节点g(栅极电极G1)的电位确定为对OLED130的亮度进行规定的电位Vgate后，防止控制线145的电位变动向栅极电极G1传播，各像素能够准确地显示图像信号Vid所规定的灰度。
<变形例3>
在上述的实施方式以及变形例中，各像素电路110具备晶体管121～125、OLED130以及保持电容132，但像素电路110只要至少具备晶体管121、晶体管122以及OLED130即可。该情况下，显示部100只要按照各行仅设置在上述的实施方式以及变形例中设置于显示部100的沿X方向延伸的多条控制线(扫描线12、控制线143、144、145)中与变形例3的像素电路110所具备的晶体管对应的控制线即可。即，在变形例3涉及的显示部100中，只要在各行中设置包含扫描线12的1条以上控制线即可。例如，在各像素电路110具备晶体管121、晶体管122、OLED130、以及保持电容132的情况下，作为与各行对应的控制线，仅设置扫描线12。另外，各像素电路110也可以具备晶体管121～125以外的晶体管，该情况下，可以在显示部100中设置与该晶体管对应的控制线。
当在各行中设置包含扫描线12的1条以上控制线时，各行中设置的沿X方向延伸的1条以上控制线中的至少1条控制线被设置成俯视与晶体管121的栅极节点g(栅极电极G1)交叉。由此，能够高密度地对沿X方向延伸的控制线进行布线，能够实现电光装置(显示部)的小型化以及显示的高精细化。
并且，优选在补偿期间结束时至下一扫描期间开始时的期间使设置于各行的1条以上控制线中的、俯视与栅极电极G1交叉的至少1条控制线的电位变化的情况下，扫描线驱动电路20使该电位变化的波形为平缓的波形。例如，在栅极电极G1和扫描线12交叉的情况下，扫描线驱动电路20只要按照将供给至扫描线12的电位从第1电位V1切换为第2电位V2的第2切换期间T2的时间长度比从第2电位V2切换为第1电位V1的第1切换期间T1的时间长度充分长的方式，使供给至扫描线12的电位变化即可。由此，能够防止与栅极电极G1交叉的控制线的电位变化向栅极电极G1传播，各像素能够准确地显示图像信号Vid所规定的灰度。
此外，即使在补偿期间结束时至下一扫描期间开始时的期间使俯视不与栅极电极G1交叉的控制线的电位变化的情况下，扫描线驱动电路20也可以使该电位变化的波形为平缓的波形。即便是控制线不与栅极电极G1交叉的情况，有时也在该控制线和栅极电极G1之间存在寄生电容。因此，通过使该控制线的电位发生变化时的波形平缓，能够防止该控制线的电位变化向栅极电极G1传播。
<变形例4>
在上述的实施方式以及变形例中，各电平移位电路LS具备保持电容41、保持电容44、晶体管45、晶体管43以及传输门42，但电平移位电路LS只要至少具备保持电容44、晶体管43以及晶体管45即可。该情况下，数据信号供给电路70以及信号分离器DM只要在写入期间向保持电容44的另一方电极供给数据信号Vd(j)即可。
即便在电平移位电路LS不具备保持电容41的情况下，向保持电容44的另一方电极供给的数据信号Vd(j)也在通过电容比k1被压缩的基础上，被供给至栅极节点g。由此，由于即便不以高精度刻画数据信号，也能够以高精度设定驱动晶体管的栅极节点的电位，所以能够高精度地向发光元件供给电流，能够进行高品质的显示。
<变形例5>
在上述的实施方式以及变形例中，数据线驱动电路10具备电平移位电路LS、信号分离器DM以及数据信号供给电路70，但数据线驱动电路10只要至少具备数据信号供给电路70即可。该情况下，数据线驱动电路10直接向栅极节点g供给数据信号Vd(j)。
并且，在上述的实施方式以及变形例中，显示面板2按各列具备保持电容50，但也可以构成为不具备该保持电容。
<变形例6>
在上述的实施方式以及变形例中，控制电路3和显示面板2独立设置，但也可以使控制电路3和显示面板2形成在相同的基板上。例如可以使控制电路3与显示部100、数据线驱动电路10、扫描线驱动电路20等一起集成于硅基板。
<变形例7>
在上述的实施方式以及变形例中，采用了使电光装置1集成于硅基板的构成，但也可以是集成于其他半导体基板的构成。例如可以是SOI基板。另外，还可以应用多晶硅工序来形成于玻璃基板等。无论哪种构成，本发明在对像素电路110被微小化，漏极电流相对晶体管121中的栅极电压Vgs的变化以指数函数方式大幅变化的构成下有效。
另外，在不需要像素电路的微小化的情况下，也可以应用本发明。
<变形例8>
在上述的实施方式以及变形例中，构成为使数据线14按每3列为一组，且在各组中按顺序选择数据线14来供给数据信号，但构成组的数据线数只要是“2”以上“3n”以下的规定数即可。例如构成组的数据线数可以是“2”，也可以是“4”以上。
另外，还可以构成为不进行分组，即不使用信号分离器DM，按照线顺序同时向各列的数据线14供给数据信号。
<变形例9>
在上述的实施方式以及变形例中，使像素电路110中的晶体管121～125统一为P沟道型，但也可以统一为N沟道型。另外，还可以将P沟道型以及N沟道型适当地组合。
例如，在将晶体管121～125统一为N沟道型的情况下，上述的实施方式以及变形例中的数据信号Vd(j)只要将正负相反的电位供给至各像素电路110即可。另外，该情况下，晶体管121～125的源极和漏极成为与上述的实施方式以及变形例反转的关系。
另外，在上述的实施方式以及变形例中，将晶体管45设为P沟道型，将晶体管43设为N沟道型，但也可以统一为P沟道型或者N沟道型。也可以将晶体管45设为N沟道型，将晶体管43设为P沟道型。
另外，在上述的实施方式以及变形例中，将各晶体管设为MOS型的晶体管，但也可以是薄膜晶体管。
<变形例10>
在上述的实施方式以及变形例中，例示了作为发光元件的OLED来作为电光元件，但例如只要是无机发光二极管、LED(Light EmittingDiode：发光二极管)等以与电流对应的亮度发光的发光元件即可。
<应用例>
接下来，对应用了实施方式等、应用例所涉及的电光装置1的电子设备进行说明。电光装置1面向像素为小尺寸且进行高精细显示的用途。因此，作为电子设备，以头戴式显示器为例进行说明。
图16是表示头戴式显示器的外观的图，图17是表示其光学构成的图。
首先，如图16所示，头戴式显示器300在外观上与一般的眼镜相同，具有眼镜腿310、鼻架320、透镜301L、301R。另外，如图17所示，头戴式显示器300在鼻架320附近且在透镜301L、301R的内侧(图中下侧)设置有左眼用的电光装置1L和右眼用的电光装置1R。
电光装置1L的图像显示面在图17中被配置在左侧。由此，电光装置1L的显示图像经由光学透镜302L在图中朝向9点钟的方向射出。半透半反镜303L使电光装置1L的显示图像朝向6点钟的方向反射，另一方面，使从12点钟的方向入射的光透过。
电光装置1R的图像显示面被配置在与电光装置1L相反的右侧。由此，电光装置1R的显示图像经由光学透镜302R在图中朝向3点钟的方向射出。半透半反镜303R使电光装置1R的显示图像朝向6点钟方向反射，另一方面，使从12点钟的方向入射的光透过。
在该构成中，头戴式显示器300的佩戴者能够在与外界的状况重叠的透视状态下观察电光装置1L、1R的显示图像。
另外，在该头戴式显示器300中，若使伴有视差的两眼图像中的、左眼用图像显示于电光装置1L，使右眼用图像显示于电光装置1R，则能够使佩戴者感觉所显示的图像宛如具有纵深感、立体感(3D显示)。
此外，电光装置1除了应用于头戴式显示器300外，还能够应用于摄像机、透镜交换式数码照相机等的电子式取景器。
符号说明：1…电光装置，2…显示面板，3…控制电路，10…数据线驱动电路，12…扫描线，14…数据线，16…供电线，20…扫描线驱动电路，41、44、50…保持电容，100…显示部，110…像素电路，121～125…晶体管，130…OLED，132…保持电容，143、144、145…控制线，150…硅基板，LS…电平移位电路，DM…信号分离器。

Claims (8)

1.一种电光学装置，其特征在于，包括：
像素电路，所述像素电路包括：第1晶体管，其具有第1栅极电极；发光元件；以及驱动晶体管，其对所述发光元件供给电流；
布线，其被配置为在俯视时与所述第1栅极电极交叉；
绝缘层，其被配置在所述布线与所述第1栅极电极之间；以及
接触孔，其形成在所述绝缘层中，所述第1栅极电极经由所述接触孔与所述布线电连接。
2.根据权利要求1所述的电光学装置，其特征在于，
所述第1晶体管具有沿第一方向排列的漏极与源极，
所述布线沿与所述第一方向不同的第二方向延伸。
3.根据权利要求1所述的电光学装置，其特征在于，
在俯视时，所述接触孔与所述第1栅极电极重叠。
4.根据权利要求1所述的电光学装置，其特征在于，
所述像素电路还包括第二晶体管，所述第二晶体管具有第二栅极电极，
所述布线被配置为在俯视时与所述第二栅极电极交叉。
5.一种电子设备，其特征在于，
包括权利要求1所述的电光学装置。
6.一种电子设备，其特征在于，
包括权利要求2所述的电光学装置。
7.一种电子设备，其特征在于，
包括权利要求3所述的电光学装置。
8.一种电子设备，其特征在于，
包括权利要求4所述的电光学装置。
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