CN112543966A - 显示装置、显示装置的驱动方法和电子设备 - Google Patents

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Abstract

一种显示装置，包括：像素阵列部，具有在行方向和列方向上以二维矩阵排列的像素，每个像素包括显示元件；为在行方向上排列的每个像素行设置的扫描线；以及为在列方向上排列的每个像素列设置的数据线。在数据线处于保持视频信号电压的状态下，改变与用作写入的像素的扫描线不同的扫描线的电压，以经由数据线和扫描线之间的电容改变数据线的电压。此后，驱动用作写入的像素的扫描线，以将数据线的电压写入像素。

Description

显示装置、显示装置的驱动方法和电子设备
技术领域
本公开涉及显示装置、显示装置的驱动方法和电子设备。
背景技术
已知显示元件均具有电流驱动的发光部以及配备有这种发光元件的显示装置。例如，具有包括有机电致发光元件的发光部的显示元件受到注意，该显示元件能够由低压直流电驱动以高亮度发光。由有源矩阵系统驱动的显示元件除了包括具有包括发光层等的有机层的发光部之外，还包括用于驱动该发光部的驱动电路。
已知包括晶体管和电容部的驱动电路，该驱动电路驱动电流驱动的发光部(例如，参见专利文献1)。图23示出了位于显示装置的第m行和第n列的像素的典型电路配置，该显示装置使用显示元件作为其像素，每个显示元件利用p沟道型晶体管构成驱动电路。
显示装置9的像素970中的驱动电路971包括驱动晶体管TRD、写入晶体管TRW和电容部CS。发光部ELP以与流过的电流的值相对应的亮度进行发光。流过发光部ELP的电流由驱动晶体管TRD的栅极-源极电压控制。
响应于从垂直扫描仪920经由扫描线WS提供的扫描脉冲(处于低电压的激活状态)，写入晶体管TRW进入导通状态。在写入晶体管TRW处于导通状态的情况下，从源极驱动器910提供给信号线DTL的视频信号电压VSig被写入像素970。
电容部CS介于驱动晶体管TRD的栅极和源极之间连接。从电源部930向驱动晶体管TRD的源极提供电源电压VCC，并且向驱动晶体管TRD的栅极提供视频信号电压VSig。结果，电容部CS保持(VCC-VSig)的电压作为驱动晶体管TRD的栅极-源极电压。由下面的表达式(1)定义的漏极电流Ids流过驱动晶体管TRD，并且发光部ELP发出具有与电流值相对应的亮度水平的光。
Ids＝k·μ·((VCC-VSig)-|Vth|)2 (1)
其中，
μ：有效迁移率
L：沟道长度
W：沟道宽度
Vth：阈值电压
Cox：(栅极绝缘层的比感应电容)×(真空介电常数)/(栅极绝缘层的厚度)
k≡(1/2)·(W/L)·Cox
[引用列表]
[专利文献]
[PTL1]
日本专利公开第2015-187672号
发明内容
[技术问题]
例如，在驱动晶体管TRD是如图23所示的p沟道型晶体管的情况下，实现高对比度黑阶调需要向驱动晶体管TRD的栅极提供等于或高于源极侧上的电压(图23的示例中的电源电压VCC)的电压，以便充分减小驱动晶体管TRD的泄漏电流。
然而，在通过向像素和源极驱动器提供公共电源电压VCC来驱动的配置的情况下，源极驱动器难以输出超过电源电压VCC的视频信号电压VSig。因此，传统上，实现高对比度显示要求将提供给像素的电源电压设置成低于提供给源极驱动器的电源电压。
然而，在提供给像素的电源电压与提供给源极驱动器的电源电压不同的情况下，需要增加电压产生块并增加电压施加端子。这可能导致显示装置的尺寸增大并且功耗增加。而且，使得馈送到像素的电源电压相对较低，妨碍了改善显示装置的亮度的必要。
因此，本公开的目的在于提供一种将大于从源极驱动器输出的视频信号电压的电压写入像素的显示装置、该显示装置的驱动方法以及具有该显示装置的电子设备。
[问题的解决方案]
为了实现上述目的，并且根据本公开，提供了显示装置，包括
像素阵列部，具有在行方向和列方向上以二维矩阵图案排列的像素，每个像素包括显示元件，
为在行方向上排列的每个像素行设置的扫描线，以及
为在列方向上排列的每个像素列设置的数据线，
其中，在数据线处于保持视频信号电压的状态下，改变与用作写入对象的像素的扫描线不同的扫描线的电压，以经由数据线和扫描线之间的电容改变数据线的电压，此后，驱动用作写入对象的像素的扫描线，以将数据线的电压写入像素。
为了实现上述目的，并且还根据本公开，提供使用和驱动显示装置的方法，显示装置包括：
像素阵列部，具有在行方向和列方向上以二维矩阵图案排列的像素，每个像素包括显示元件，
为在行方向上排列的每个像素行设置的扫描线，以及
为在列方向上排列的每个像素列设置的数据线，
方法包括以下步骤：
使数据线保持视频信号电压，
然后改变与用作写入对象的像素的扫描线不同的扫描线的电压，以经由数据线与扫描线之间的电容改变数据线的电压，以及
此后驱动用作写入对象的像素的扫描线以将数据线的电压写入像素。
为了实现上述目的，并且还根据本公开，提供具有显示装置的电子设备，显示装置包括
像素阵列部，具有在行方向和列方向上以二维矩阵图案排列的像素，每个像素包括显示元件，
为在行方向上排列的每个像素行设置的扫描线，以及
为在列方向上排列的每个像素列设置的数据线，
其中，在数据线处于保持视频信号电压的状态下，改变与用作写入对象的像素的扫描线不同的扫描线的电压，以经由数据线和扫描线之间的电容改变数据线的电压，此后，驱动用作写入对象的像素的扫描线，以将数据线的电压写入像素。
附图说明
图1是作为本公开的第一实施例的显示装置的概念图。
图2是包括发光部和用于驱动该发光部的驱动电路的像素(显示元件)的等效电路图。
图3是包括像素的像素阵列部的一部分的示意性局部截面图。
图4是说明驱动参考示例的方法的操作的示意性时序图。
图5是说明在第(n，m)个像素中的操作的示意性时序图。
图6A和图6B是说明驱动操作像素的参考示例的方法的示意性操作图。
图7A和图7B是接续图6B并且说明驱动操作像素的参考示例的方法的示意性操作图。
图8A和图8B是接续图7B并且说明驱动操作像素的参考示例的方法的示意性操作图。
图9是接续图8B并且说明驱动操作像素的参考示例的方法的示意性操作图。
图10是说明用于驱动发光部的驱动电路中的晶体管的截面结构的示意性截面图。
图11是说明作为第一实施例的显示装置的操作的示意性时序图。
图12是说明在第(n，m)个像素中的操作的另一示意性时序图。
图13A和图13B是说明作为第一实施例的显示装置的像素中的操作的示意性操作图。
图14A和图14B是接续图13B并且说明作为第一实施例的显示装置的像素中的操作的示意性操作图。
图15A和图15B是接续图14B并且说明作为第一实施例的显示装置的像素中的操作的示意性操作图。
图16A和图16B是接续图15B并且说明作为第一实施例的显示装置的像素中的操作的示意性操作图。
图17是说明驱动电路中的晶体管的另一典型截面结构的示意性局部截面图。
图18是说明驱动电路中的各种线等的典型布局的示意性平面图。
图19是接续图18并且说明驱动电路中的各种线等的典型布局的示意性平面图。
图20示出可更换镜头的单镜头反光数字照相机的外观，图20A和图20B分别是相机的前视图和后视图。
图21是头戴式显示器的外观图。
图22是透视的头戴式显示器的外观图。
图23是示出位于显示装置的第m行和第n列的像素的典型电路配置的视图，该显示装置采用各自使用p沟道型晶体管构成驱动电路的显示元件作为其像素。
具体实施方式
下面将参考附图基于实施例描述本公开。本公开不限于该实施例，并且结合该实施例引用的各种数值和材料仅是示例。在整个随后的描述中，相同的附图标记表示具有相同功能的相同或相应的元件，并且将省略对这些元件的冗余的说明。请注意，按以下顺序进行描述：
1.对根据本公开的显示装置、显示装置的方法驱动和电子设备的总体描述
2.第一实施例
3.电子设备及其他的说明
[对根据本公开的显示装置、显示装置的驱动方法和电子设备的总体描述]
如上所述，本公开中描述的显示装置以及由其所涉及的电子设备使用的根据本公开的显示装置(在下文中，该装置可以简称为“本公开的显示装置”)包括
像素阵列部，具有在行方向和列方向上以二维矩阵图案排列的像素，每个像素包括显示元件，
为在行方向上排列的每个像素行设置的扫描线，以及
为在列方向上排列的每个像素列设置的数据线，
其中，在数据线处于保持视频信号电压的状态下，与用作写入对象的像素的扫描线不同的扫描线的电压被改变，以经由数据线和扫描线之间的电容改变数据线的电压，此后，驱动用作写入对象的像素的扫描线，以将数据线的电压写入像素。
在本公开的显示装置中，可以在与包括用作写入对象的像素的像素行不同的像素行的扫描线的至少一部分上改变电压，该不同像素行在预定时间段内处于非发光状态。
在作为本公开中包括的优选配置之一的上述显示装置中，电压将被改变的扫描线的数量可以可变地确定，该扫描线与用作写入对象的像素的扫描线不同。通过控制针对电压变化的扫描线的数量，该配置控制数据线的电压将被改变的程度。换句话说，根据需要调整施加到视频信号电压的电压偏移量。
在作为本公开中包括的另一优选配置的上述显示装置中，在扫描线和数据线彼此重叠的部分中，可以扩大扫描线的线宽度和数据线的线宽度。这种配置增加了数据线和扫描线之间的电容，从而提高了数据线的电压变化的程度。
在作为本公开中包括的另一优选配置的上述显示装置中，像素可以包括电流驱动的发光部和被配置为驱动发光部的驱动电路，以及
驱动电路至少可以包括：
电容部，
驱动晶体管，被配置为使得与保持在电容部中的电压相对应的电流流过发光部，以及
写入晶体管，被配置为将信号电压写入电容部。
在上述情况下，驱动电路可以形成在半导体基板上，
写入晶体管的源极和漏极区域中的一者可以与数据线连接，并且写入晶体管的栅极可以与扫描线连接，以及
写入晶体管的栅极与写入晶体管的源极和漏极区域中的一者之间的电容，可以用作数据线与扫描线之间的电容。
此外，写入晶体管的源极和漏极区域中的另一者可以与驱动晶体管的栅极连接。
同样在上述情况下，可以以使得源极和漏极区域中的一者与栅极之间的重叠量大于源极和漏极区域中的另一者与栅极之间的重叠量的方式，配置写入晶体管。这种配置增加了写入晶体管的栅极与写入晶体管的源极和漏极区域中的一者之间的电容，该电容用作数据线和扫描线之间的电容。
在另一配置中，写入晶体管的源极和漏极区域中的一者，可以与从数据线延伸的与扫描线平行的分支线连接。这种配置使数据线的分支线和扫描线彼此平行地布置，从而增加了在它们之间形成的电容。
在作为本公开中包括的另一优选配置的上述显示装置中，驱动电路还可以包括被配置为使发光部处于非发光状态的发光控制晶体管，以及
发光控制晶体管可以由为在行方向上排列的每个像素行设置的发光控制线而控制。在这种情况下，通过发光控制晶体管而使像素行处于非发光状态的时段可以可变地控制。例如，发光控制晶体管可以被配置为与驱动晶体管串联连接。
在作为本公开中包括的另一优选配置的上述显示装置中，包括在驱动电路中的晶体管的导电类型不限于任何特定类型。例如，驱动晶体管可以包括p沟道型晶体管。在这种情况下，向驱动晶体管的栅极提供更高的电压，这有助于更有利地实现黑色显示。可替代地，驱动晶体管可以包括n沟道型晶体管。在这种情况下，向驱动晶体管的栅极提供更高的电压，这有助于更有利地实现白色显示。
在作为本公开中包括的另一优选配置的上述显示装置中，电流驱动发光部可以包括有机电致发光元件、LED元件或半导体激光元件。可以使用已知材料和已知方法来配置这些元件。具体地，从制造平面显示装置的观点来看，发光部可以优选地由有机电致发光元件来配置。
在下面的描述中，根据本公开的显示装置和电子设备可以简称为本公开。用于驱动显示装置和其他电路的源极驱动器，可以集成在布置有显示元件的半导体基板上。可替代地，这些电路可以被配置为独立主体。可以使用已知的电路元件来配置这样的元件。例如，图1所示的源极驱动器、垂直扫描仪、电源部和发光控制扫描仪，可以使用已知的电路元件来配置。对于需要小型化的用途，如在头戴式显示器或取景器上使用的显示装置，优选将显示元件和驱动器配置为形成在同一半导体基板上。
显示装置可以具有通常所称的单色显示配置或彩色显示配置。在彩色显示配置的情况下，一个彩色像素可以包括多个像素。具体地，一个彩色像素可以包括红色显示像素、绿色显示像素和蓝色显示像素的组合。此外，在该配置中，这三种类型的像素可以进一步补充有一种或多种类型的像素。
作为显示装置的典型像素值，可以引用几种图像显示分辨率，例如U-XGA(1600，1200)、HD-TV(1920，1080)和Q-XGA(2048，1536)，以及(3840，2160)和(7680，4320)。但是，显示装置不限于这些值。
此外，作为具有本公开的显示装置的电子设备，可以引用直视和投影显示装置，以及配备有图像显示功能的各种类型的电子设备。
要注意的是，本说明书中的各种情况不仅在数学意义上完全满足时，而且在基本满足时被认为成立。情况可以因设计或生产过程而有所不同。此外，在随后的描述中使用的附图是示意性的，并不表示实际尺寸及它们的比例。例如，稍后将讨论的图3描绘了显示装置的截面结构，但是没有指示该结构中的宽度、高度或厚度的比例。另外，时序图中的波形(例如图11和图12中的波形)是示意性的。
[第一实施例]
本公开的第一实施例涉及根据本公开的显示装置、显示装置的驱动方法和电子设备。
图1是作为第一实施例的显示装置的概念图。
首先，参考图1说明显示装置的概述。显示装置1包括：
像素阵列部80，具有像素70，每个像素70包括显示元件并且沿构成二维矩阵图案的行和列方向排列，
扫描线WS，被配置为在行方向上延伸并且为像素行的每一行设置，以及
数据线DTL，被配置为在列方向上延伸并且为像素列的每一列设置。
更具体地，存在以N×M的二维矩阵图案沿行方向排列的N个像素70和沿列方向排列的M个像素70，每个像素70与在行方向(图1中的X方向)上延伸的扫描线WS和馈送线(供电线)PS1、以及在列方向(图1中的Y方向)上延伸的数据线DTL连接。
以二维矩阵图案排列的像素70，构成显示图像的像素阵列部80。像素阵列部80具有M行像素70，每行包括N个像素70。
存在M条扫描线WS和M条馈送线PS1。第m行(其中m＝1、2，...，M)中的像素70，与构成单个像素行的第m扫描线WSm和第m条馈送线PS1m连接。注意，图1中所示的发光控制线DS，也被配置为沿行方向延伸并且为每个像素行设置。因此，存在M条发光控制线DS。第m行中的像素70与第m条发光控制线DSm连接。稍后将参照图2详细讨论发光控制线DS。
存在N条数据线DTL。第n列(其中，n＝1、2，...，N)中的像素70与第n条数据线DTLn连接。
注意，尽管未在图1中示出，但是显示装置1具有与所有像素70公共连接的公共馈送线PS2。向公共馈送线PS2稳定地提供诸如接地电势的公共电压。
在显示装置1中，在数据线DTL上保持视频信号电压的情况下，在不同于用作写入对象的像素70的扫描线WS的扫描线WS上改变电压，从而经由数据线DTL和扫描线WS之间的电容来改变数据线DTL的电压。此后，驱动用作写入对象的像素70的扫描线WS，以将数据线DTL的电压写入像素70。注意，将在后面参考图11至图16详细讨论所涉及的操作。
显示装置1具有用于驱动像素阵列部80的源极驱动器110、垂直扫描仪120、电源部130和发光控制扫描仪140。
像素阵列部80形成在由硅制成的半导体基板上。注意，源极驱动器110、垂直扫描仪120、电源部130和发光控制扫描仪140也形成在半导体基板100上。即，显示装置1与驱动器电路集成。注意，在某些情况下，用于驱动像素阵列部80的各种电路可以被配置为独立的主体。
源极驱动器110从图中未示出的装置接收例如表示与要显示的图像相对应的灰度的信号LDSig的输入。信号LDSig例如是低压数字信号。源极驱动器110用于产生与视频信号LDSig的灰度值相对应的模拟信号，并将产生的模拟信号作为视频信号馈送到数据线DTL。所产生的模拟信号的最大值近似等于馈送到源极驱动器110的电源电压，该信号具有几伏的幅度。
垂直扫描仪120将扫描信号提供给扫描线WS。扫描信号使像素70以行为单位被顺序地扫描。假定不管扫描线WS的扫描如何，电源部130连续地向馈送线PS1提供预定的电源电压。注意，在某些情况下，电源部130可以被配置为根据扫描线WS的扫描来改变提供给馈送线PS1的电压。
发光控制扫描仪140将控制信号提供给发光控制线DS。该控制信号使像素70以行为单位在发光状态和非发光状态之间切换。当在单帧时段中插入非发光状态时段时，残留图像的影响得到减轻。这又可以减少视频中轮廓模糊。
像素行处于非发光状态的时段可以是固定的。可替代地，像素行处于非发光状态的时段可以被控制为可变的。这里假设在将数据线DTL的电压写入像素70之后，像素70在单帧时段的大约一半期间处于发光状态，并且此后，像素70在单帧时段的大约另一半期间处于非发光状态。
例如，显示装置1是彩色显示装置。在行方向上排列的一组三个像素70构成单个彩色像素。因此，如果N’＝N/3成立，则像素阵列部80具有在行方向上的N’个彩色像素和在列方向上的M个彩色像素，它们整体上构成N’×M彩色像素阵列。
如上所述，垂直扫描仪120的扫描信号使像素70以行为单位被顺序地扫描。在下面的描述中，将位于第m行和第n列的像素70称为第(n，m)个像素70。
在显示装置1中，同时驱动在第m行中排列的N个像素70。换句话说，以它们所属的行为单元，控制在行方向上排列的N个像素70的发光/非发光定时。如果显示装置1的显示帧率用FR(次/秒)表示，则当显示装置1以行为单位顺序地扫描其像素时(即，通常称为水平扫描时段)，每行的扫描时段小于(1/FR)×(1/M)秒。
前面是显示装置1的整体描述。下面是像素70的详细描述。
图2是包括发光部和用于驱动该发光部的驱动电路的像素(显示元件)的等效电路图。注意，为了说明，图2描述了一个像素70，或者特别地描述第(n，m)个像素70的连接关系。
像素70包括电流驱动发光部ELP和用于驱动发光部ELP的驱动电路71。驱动电路71包括电容部CS、驱动晶体管TRD和写入晶体管TRW，驱动晶体管TRD使与保持在电容部CS中的电压对应的电流流过发光部ELP，写入晶体管TRW将信号电压写入到电容部CS。驱动电路71还包括用于将发光部处于非发光状态的发光控制晶体管TRS。
发光部ELP是电流驱动的发光部，其发光亮度根据流过的电流的值而变化。具体地，发光部ELP包括有机电致发光元件。发光部ELP具有包括阳极、空穴传输层、发光层、电子传输层和阴极的已知构造和结构。
驱动晶体管TRD包括p沟道型晶体管。此外，写入晶体管TRW和发光控制晶体管TRS也各自包括p沟道型场效应晶体管。可替代地，写入晶体管TRW和发光控制晶体管TRS可各自包括n沟道型场效应晶体管。
电容部CS用于保持驱动晶体管TRD的栅极相对于源极区域的电压(通常称为栅极-源极电压)。当像素70发光时，驱动晶体管TRD的源极和漏极区域中的一者(在图2中连接到馈送线PS1的一侧)用作源极区域，而源极和漏极区域中的另一者用作漏极区域。构成电容部CS的一个电极和另一电极分别连接到驱动晶体管TRD的源极和漏极区域中的一者与栅极。驱动晶体管TRD的源极和漏极区域中的另一者经由发光控制晶体管TRS连接至发光部ELP的阳极。
发光控制晶体管TRS由为在行方向上排列的每个像素行设置的发光控制线DS进行控制。发光控制晶体管TRS的栅极与发光控制线DS连接。来自发光控制线DS的控制信号使发光控制晶体管TRS在导通状态和非导通状态之间切换。在发光控制晶体管TRS处于非导通状态的情况下，驱动晶体管TRD和发光部ELP彼此电断开。这将使发光部ELP进入非发光状态。发光控制晶体管TRS将像素行置于非发光状态的时段可以被布置为固定的。可替代地，发光控制晶体管TRS将像素行保持在非发光状态的时段可以被布置为可变的。如上所述，这里假设在将数据线DTL的电压写入像素70之后，像素70在单帧时段的大约一半期间处于发光状态，并且此后，像素70在单帧时段的大约另一半期间处于非发光状态。
写入晶体管TRW的栅极与扫描线WS连接，源极和漏极区域中的一者与数据线DTL连接，以及源极和漏极区域中的另一者与驱动晶体管TRD的栅极连接。
发光部ELP的一端(具体地说，阴极)与公共馈送线PS2连接。向公共馈送线PS2提供预定电压VCath(例如，接地电势)。注意，发光部ELP的电容由附图标记CEL指示。在发光部ELP的电容CEL太小而无法驱动像素70的情况下，可以根据需要设置用于与发光部ELP并联连接的辅助电容。
接下来，对发光部ELP和晶体管的三维布局关系进行描述。图3是包括像素的像素阵列部的一部分的示意性局部截面图。
构成像素70的像素电路例如形成在由在基材10上由硅制成的半导体层20形成的半导体基板(图1中以附图标记100表示)上。更具体地，驱动晶体管TRD、写入晶体管TRW和发光控制晶体管TRS设置在形成于半导体层20中的n沟道型阱21中。注意，为了说明，图3仅示出了驱动晶体管TRD。附图标记23A和23B指示驱动晶体管TRD的一对源极和漏极区域。
每个晶体管由元件隔离区域22围绕。附图标记32代表晶体管TRD的栅极，并且附图标记31代表栅极绝缘层。如稍后将参考图10所讨论的，晶体管通过元件隔离区域22彼此隔离地形成在半导体基板上。注意，为了说明，在图10、图17、图18和图19中，附图标记32表示栅极，与晶体管的类型无关，这将在后面讨论。
构成电容部CS的另一个电极32’由与栅极32相同的材料层构成。电极32’形成在由与栅极绝缘层31相同的材料层构成的绝缘层31上。层间介电层33形成在整个半导体层20上，该层间介电层包括电极32’和驱动晶体管TRD的栅极32。电极32’和电极34(将在后面讨论)被布置为彼此相对，并且层间介电层33介于其间。
驱动晶体管TRD的源极和漏极区域中的一者23A经由设置在层间介电层33中的接触孔35与馈送线PS1和电极34连接。要注意，所涉及的连接部分在图3中被隐藏。在层间介电层33上形成另一个层间介电层40。
在层间介电层40上设置有发光部ELP，发光部包括阳极51、空穴传输层、发光层、电子传输层和阴极53。注意，在图中，单层52表示空穴传输层、发光层和电子传输层。在层间介电层40的未设置发光部ELP的部分上设置第二层间介电层54。透明基板60布置在第二层间介电层54和阴极53上方。由发光层产生的光穿过基板60发射到外部。
阳极51经由设置在层间介电层33中的接触孔36以及未示出的发光控制晶体管TRS，与驱动晶体管TRD的源极和漏极区域中的另一者23B连接。注意，在图3中，所涉及的连接部分被隐藏。
此外，阴极53经由设置在第二层间介电层54和层间介电层40中的接触孔56和55，与层间介电层33的延伸部分上的布线37(对应于提供有电压VCath的公共馈送线PS2)连接。
上面是对发光部ELP和晶体管的三维布局关系的描述。以下是作为参考示例而设计旨在帮助理解本公开的用于驱动显示装置的方法的描述。
图4是说明参考示例的驱动方法的操作的示意性时序图。图5是说明在第(n，m)个像素中的操作的示意性时序图。
下面参考图5至图9详细描述根据参考示例的驱动方法在第(n，m)个像素70上执行的操作。
[时间段TP0](图5和图6A)
[时间段TP0]表示例如在先前显示帧中的操作。基于上述表达式(1)的漏极电流I’ds流过第(n，m)个像素70的发光部ELP。第(n，m)个像素70的亮度值对应于漏极电流I’ds。
这里，数据线DTLn处于与源极驱动器110断开的状态，写入晶体管TRW处于非导通状态，并且发光控制晶体管TRS处于导通状态。在经由发光控制线DSm提供的扫描脉冲处于激活状态(激活状态为低电压状态)的同时，维持第(n、m)个显示元件10的发光状态。
[时间段TP0(接续)到时间段TP1](图5和图6B)
经由发光控制线DSm提供的扫描脉冲变为非激活(非激活状态是高压状态)，从而使发光控制晶体管TRS处于非导通状态。在从电流切断发光部ELP的情况下，像素70处于非发光状态。
[时间段TP2](图5和图7A)
在[时间段TP2]中，数据线DTLn与源极驱动器110连接。向数据线DTLn提供与第(n，m)个像素70相对应的视频信号电压VSig(n，m)。写入晶体管TRW和发光控制晶体管TRS保持在非导通状态。
[时间段TP3](图5和图7B)
如图5所示，在[时间段TP3]至[时间段TP5]期间，数据线DTLn处于与源极驱动器110断开的状态。视频信号电压VSig(n，m)处于由数据线DTLn保持的状态。写入晶体管TRW和发光控制晶体管TRS保持在非导通状态。
[时间段TP4](图5、图8A和图8B)
经由扫描线WSm提供的扫描脉冲变为激活，从而将写入晶体管TRW置于导通状态。发光控制晶体管TRS保持在非导通状态。
驱动晶体管TRD的栅极和电容部CS的一端与数据线DTLn连接。该连接使得视频信号电压VSig(n，m)被写入像素70(见图8A)。然后，在[时间段TP4]结束时，经由扫描线WSm提供的扫描脉冲变为未激活，从而将写入晶体管TRW置于非导通状态(见图8B)。电容部CS将驱动晶体管TRD的栅极保持在提供有视频信号电压VSig(n，m)的状态。
[时间段TP5](图5和图9)
经由发光控制线DSm提供的扫描脉冲变为激活，从而将发光控制晶体管TRS置于导通状态。由下面的表达式(2)定义的电流流过发光部ELP，在该表达式中，VSig(n，m)替换了上面的表达式(1)中的VSig：
Ids＝k·μ·((VCC-VSig(n,m))-|Vth|)2 (2)
该状态维持大约单帧时段的一半。此后，如图6B所示，发光控制晶体管TRS进入非导通状态，从而允许重复[时间段TP1]至[时间段TP5]的操作。
上文是根据参考示例的驱动方法的第(n，m)个像素70中的操作的详细描述。
接下来是第一实施例的操作的详细描述。首先，说明扫描线WS和数据线DTL之间的典型电容以便于理解。
图10是说明用于驱动发光部的驱动电路中的晶体管的截面结构的示意性截面图。
如图10所示，驱动晶体管TRD和写入晶体管TRW被元件隔离区域22隔开地形成在半导体基板上。注意，尽管同样地形成了发光控制晶体管TRS，但是为了说明起见，在图中未示出。
写入晶体管TRW的源极和漏极区域中的另一者23D和驱动晶体管TRD的源极和漏极区域中的一者23A彼此相对地形成，并且元件隔离区域22介于它们之间。元件隔离区域22以STI(浅沟槽隔离)结构形成，其中，绝缘材料嵌入在半导体基板的表面上挖出的凹槽中。
在写入晶体管TRW中，源极和漏极区域中的一者23C与数据线DTLn连接，并且栅极32与扫描线WSm连接。在一方面写入晶体管TRW的栅极与在另一方面其源极和漏极区域中的一者之间存在栅极-源极电容Cgs。电容Cgs用作数据线DTL和扫描线WS之间的电容。
因此，当处于与源极驱动器110断开状态下的数据线DTLn改变与扫描线WSm不同的扫描线WS的电压时，所产生的电容耦合改变了数据线DTLn的电压。
上面已经解释了扫描线和数据线之间的典型电容。接下来，对作为第一实施例的显示装置1的操作进行说明。
在作为第一实施例的显示装置1中，在视频信号电压保持在数据线DTL上的状态下，与用作写入对象的像素70的扫描线WS不同的扫描线WS的电压被改变，从而经由数据线DTL和扫描线WS之间的电容来改变数据线DTL的电压。此后，驱动用作写入对象的像素70的扫描线WS，以将数据线DTL的电压写入像素。
在作为第一实施例的显示装置1中，在与包括用作写入对象的像素70的像素行不同的像素行的扫描线WS的至少一部分上改变电压，不同像素行在预定时间段内保持在非发光状态。
图11是说明作为第一实施例的显示装置的操作的示意性时序图。图12是说明在第(n，m)个像素中的操作的另一示意性时序图。
如图12所示，在第一实施例的显示装置1中，在视频信号电压VSig(n，m)保持在数据线DTLn上的状态下，在与用作写入对象的像素70的扫描线WSm不同的扫描线(在所示示例中扫描线WSm+1到WSm+7)上改变电压(见图12中的[时间段TP5])。然后，在数据线DTLn的电压经由数据线DTLn与扫描线WS之间的电容而变化之后，驱动用作写入对象的第(n，m)个像素70的扫描线WSm以将数据线DTLn的电压写入第(n，m)个像素70。
下面参考图12至图16详细描述作为第一实施例的显示装置1的第(n，m)个像素中的操作。
作为第一实施例的显示装置1的驱动方法包括以下步骤：
使数据线DTL保持视频信号电压，
然后改变与用作写入对象的像素70的扫描线WS不同的扫描线WS的电压，以便经由数据线DTL和扫描线WS之间的电容来改变数据线DTL的电压，以及
之后，驱动用作写入对象的像素70的扫描线WS，以将数据线DTL的电压写入像素70。
[时间段TP0至TP1](图12)
[时间段TP0]表示例如在先前显示帧中的操作。经由发光控制线DSm提供的扫描脉冲使显示元件10从发光状态切换为非发光状态。该具体操作基本上与以上参考图6A和图6B讨论的参考示例的具体操作类似，因此将不再进行描述。在[时间段TP1]中，写入晶体管TRW和发光控制晶体管TRS处于非导通状态。
[时间段TP2](图12和图13B)
在[时间段TP2]的开始，与用作写入对象的像素70的扫描线WSm不同的扫描线WSm+1至WSm+7从非激活状态切换到激活状态。写入晶体管TRW和发光控制晶体管TRS处于非导通状态。
[时间段TP3](图12和图14A)
在[时间段TP3]中，数据线DTLn与源极驱动器110连接。数据线DTLn被提供有与第(n，m)个像素70相对应的视频信号电压VSig(n，m)。写入晶体管TRW和发光控制晶体管TRS保持在非导通状态。
[时间段TP4](图12和图14B)
如图12所示，从[时间段TP4]开始到[时间段TP8]，数据线DTLn被保持在与源极驱动器110断开的状态。在[时间段TP4]，视频信号电压VSig(n，m)处于被保持在数据线DTLn上的状态。写入晶体管TRW和发光控制晶体管TRS保持在非导通状态。
[时间段TP5](图12和图15A)
在该时间段的开始，与用作写入对象的像素70的扫描线WSm不同的扫描线WSm+1至WSm+7从非激活状态切换到激活状态。数据线DTLn的电压经由一方面数据线DTLn与另一方面扫描线WSm+1至WSm+7之间的电容而变化。如果附图标记ΔV代表电压变化量，则将保持在数据线DTLn上的电压定义为VSig(n，m)+ΔV。写入晶体管TRW和发光控制晶体管TRS保持在非导通状态。
[时间段TP6](图12、图15B和图16A)
经由扫描线WSm提供的扫描脉冲变为激活，从而将写入晶体管TRW置于导通状态。发光控制晶体管TRS保持在非导通状态。
驱动晶体管TRD的栅极和电容部CS的另一端与数据线DTLn连接。该连接使得保持在数据线DTLn上的电压VSig(n，m)+ΔV被写入像素70(见图15B)。然后，在[时间段TP6]结束时，经由扫描线WSm提供的扫描脉冲变为非激活，从而将写入晶体管TRW置于非导通状态(见图16A)。电容部CS将驱动晶体管TRD的栅极保持在供应有电压VSig(n，m)+ΔV的状态。
[时间段TP7](图12和图16B)
经由发光控制线DSm提供的扫描脉冲变为激活，从而将发光控制晶体管TRS置于导通状态。由以下表达式(3)定义的电流流过发光部ELP，在该表达式中，VSig(n，m)+ΔV替换了上面表达式(1)中的VSig：
Ids＝k·μ·((VCC-VSig(n,m)+ΔV)-|Vth|)2 (3)
该状态保持约单帧时段的一半。此后，如图6B所示，发光控制晶体管TRS进入非导通状态，从而允许重复[时间段TP1]至[时间段TP5]的操作。
上面是作为第一实施例的显示装置1的第(n，m)个像素70中的操作的详细描述。
在参考示例的操作中，向驱动晶体管TRD的栅极供应与从源极驱动器110供应的视频信号电压相同的视频信号电压。相比之下，在第一实施例中，驱动晶体管TRD的栅极可以被提供有大于从源极驱动器110提供的视频信号电压的电压。因此，驱动晶体管TRD的栅极可以被提供有大于从源极驱动器110提供的最大电压的电压。
在图12所示的[时间段TP5]中，图12中所示的电压变化量ΔV可以通过改变适当确定数量的扫描线WS的电压来控制，该扫描线WS与用作写入对象的像素70的扫描线WSm不同。因此，可以通过可变地设置用于电压变化的扫描线WS的适当数量来可变地控制电压变化量ΔV，该扫描线WS与用作写入对象的像素70的扫描线WS不同。
如果在发光时段中将除了写入脉冲之外的脉冲馈送到像素的扫描线WS，则显示将被干扰。因此，为了扩大电压变化量ΔV的可变范围，优选地，非发光时段的长度可变地改变，并且用于电压变化的扫描线WS的数量进一步可变地设置。
此外，为了扩大电压变化量ΔV的可变范围，优选增加数据线DTL和扫描线WS之间的电容。以下参考一些附图描述数据线DTL和扫描线WS之间的电容增加的配置。
图17描绘了数据线和扫描线之间的电容增加的典型配置。可以以源极和漏极区域中的一者与栅极之间的重叠量大于源极和漏极区域中的另一者与栅极之间的重叠量的方式，配置写入晶体管TRw。这种配置增加了栅极-源极电容Cgs，这导致数据线DTL和扫描线WS之间的电容增加。
图18是说明驱动电路中的各种线等的典型布局的示意性平面图。在该示例中，写入晶体管TRW的源极和漏极区域中的一者与从数据线DTLn延伸的与扫描线WSm平行的分支线DTLBR连接。因为扫描线WSm和分支线DTLBR彼此平行布置，所以在它们之间形成了电容。结果，增加了数据线DTL和扫描线WS之间的电容。
图19是接续图18并且说明驱动电路中的各种线等的典型布局的示意性平面图。在该示例中，在扫描线WS和数据线DTL彼此重叠的地方，扫描线WS的线宽和数据线DTL的线宽增加(由附图标记XP表示)。这种布局增加了重叠部分的电容，这增加了数据线DTL和扫描线WS之间的电容。
在上述根据本公开的显示装置中，在视频信号电压保持在数据线上的状态下，改变与用作写入对象的像素的扫描线不同的扫描线的电压，从而通过数据线和扫描线之间的电容来改变数据线的电压。此后，驱动用作写入对象的像素的扫描线以将数据线的电压写入像素。这使得可以将大于从源极驱动器输出的视频信号电压的电压写入像素。
[电子设备]
在将输入到电子设备或在电子设备中生成的视频信号显示为图像或视频的所有领域中，本公开的上述显示装置可用作电子设备的显示部分(显示设备)。例如，该显示装置可以用作电视机、数字照相机、膝上型个人计算机、诸如移动电话的便携式终端装置、摄像机或头戴式显示器(使用时安装在头上的显示器)的显示部分。
本公开的显示装置还包括封装的模块类型。这种模块类型的示例是显示模块，显示模块形成有与诸如透明玻璃的相对部分结合的像素阵列部。注意，显示模块可以包括用于允许模块从外部输入信号和向外部输出信号的电路部和柔性印刷电路(FPC)。以下描述作为使用本公开的显示装置的电子设备的具体示例的数字照相机和头戴式显示器。要注意的是，特定种类的装置仅是示例，并且不限制使用本公开的显示装置的电子设备。
(具体示例1)
图20示出了可更换镜头的单镜头反光数字照相机的外观，图20A和图20B分别是相机的前视图和后视图。例如，可更换镜头的单镜头反光数字照相机在相机主体部分(相机主体)411的右前侧具有可更换的成像镜头单元(可更换镜头)412，并且在左前侧具有握持部413，以使用户能够握持相机。
另外，监控器414大约设置在相机主体部分411的后中央。取景器(目镜窗)415设置在监控器414的上方。通过看向取景器415，拍摄者可以在视觉上识别通过成像镜头单元412引入的被摄体的光学图像，并从而确定期望的图像组成。
在上述可更换镜头的单镜头反光数字照相机上，本公开的显示装置可以用作取景器415。即，通过使用本公开的显示装置作为取景器415，来制造本示例的可更换镜头的单镜头反光数字照相机。
(具体示例2)
图21是头戴式显示器的外观图。例如，头戴式显示器在眼镜型显示部分511的两侧上具有耳挂部件512，耳挂部件512被布置成装戴在用户的头部上。在该头戴式显示器上，本公开的显示装置可以用作显示部分511。即，该示例的头戴式显示器是通过将本公开的显示装置用作显示部分511而制造的。
(具体示例3)
图22是透视的头戴式显示器的外观图。透视的头戴式显示器611包括主体部分612、臂613和镜筒614。
主体部分612与臂613和眼镜600连接。具体而言，主体部分612的长边方向的端部与臂613连结，并且主体部分612的一侧面经由连接部件与眼镜600连结。优选地，主体部分612可以直接装戴在人的头部上。
主体部分612结合有显示部分以及用于控制透视的头戴式显示器611的操作的控制板。臂613将主体部分612与镜筒614连接，从而支撑镜筒614。具体地，臂613将主体部分612的端部与镜筒614的端部连接以固定镜筒614。臂613还包括用于将关于从主体部分612提供给镜筒614的图像的数据进行传送的信号线。
镜筒614将从主体部分612经由臂613提供的图像光通过目镜投射到佩戴有透视的头戴式显示器611的用户的眼睛上。在透视的头戴式显示器611上，本公开的显示装置可以用作主体部分612的显示部分。
其他内容
本公开还可以优选地以以下配置实现。
[A1]一种显示装置，包括：
像素阵列部，具有在行方向和列方向上以二维矩阵图案排列的像素，每个像素包括显示元件；
为在行方向上排列的每个像素行设置的扫描线；以及
为在列方向上排列的每个像素列提供的数据线，
其中，在数据线处于保持视频信号电压的状态下，与用作写入对象的像素的扫描线不同的扫描线的电压被改变，以经由数据线和扫描线之间的电容改变数据线的电压，此后，驱动用作写入对象的像素的扫描线，以将数据线的电压写入像素。
[A2]如以上项[A1]的显示装置，其中，在与包括用作写入对象的像素的像素行不同的像素行的扫描线的至少一部分上改变电压，不同像素行在预定时间段内处于非发光状态。
[A3]如以上项[A1]或[A2]的显示装置，其中，可变地确定要改变电压的扫描线的数量，扫描线与用作写入对象的像素的扫描线不同。
[A4]如以上项[A1]至[A3]中任一项的显示装置，其中，在扫描线和数据线彼此重叠的部分中，扩大扫描线的线宽度和数据线的线宽度。
[A5]如以上项[A1]至[A4]中任一项的显示装置，
其中，像素包括电流驱动的发光部和被配置为驱动发光部的驱动电路，以及
驱动电路至少包括：
电容部，
驱动晶体管，被配置为使得与保持在电容部中的电压相对应的电流流过发光部，以及
写入晶体管，被配置为将信号电压写入电容部。
[A6]如以上项[A5]的显示装置，
其中，驱动电路形成在半导体基板上，
写入晶体管的源极和漏极区域中的一者与数据线连接，并且写入晶体管的栅极与扫描线连接，以及
写入晶体管的栅极与写入晶体管的源极和漏极区域中的一者之间的电容，用作数据线与扫描线之间的电容。
[A7]如以上项[A6]的显示装置，其中，写入晶体管的源极和漏极区域中的另一者与驱动晶体管的栅极连接。
[A8]如以上项[A6]或[A7]的显示装置，其中，以使得源极和漏极区域中的一者与栅极之间的重叠量大于源极和漏极区域中的另一者与栅极之间的重叠量的方式，形成写入晶体管。
[A9]如以上项[A6]至[A8]中任一项的显示装置，其中，写入晶体管的源极和漏极区域中的一者与从数据线延伸的与扫描线平行的分支线连接。
[A10]如以上段[A5]至[A9]中任一项的显示装置，
其中，驱动电路还包括发光控制晶体管，发光控制晶体管被配置为使发光部处于非发光状态，以及
发光控制晶体管由为在行方向上排列的每个像素行设置的发光控制线进行控制。
[A11]如以上项[A10]的显示装置，其中，通过发光控制晶体管将像素行置于非发光状态的时段可变地控制。
[A12]如以上项[A5]至[A11]中任一项的显示装置，其中，驱动晶体管包括p沟道型晶体管。
[A13]如以上项[A5]至[A11]中任一项的显示装置，其中，驱动晶体管包括n沟道型晶体管。
[A14]如以上项[A5]至[A13]中任一项的显示装置，其中，发光部包括有机电致发光部。
[B1]一种使用和驱动显示装置的方法，显示装置包括：
像素阵列部，具有在行方向和列方向上以二维矩阵图案排列的像素，每个像素包括显示元件，
为在行方向上排列的每个像素行设置的扫描线，以及
为在列方向上排列的每个像素列设置的数据线，
方法包括以下步骤：
使数据线保持视频信号电压；
然后改变与用作写入对象的像素的扫描线不同的扫描线的电压，以经由数据线与扫描线之间的电容改变数据线的电压；以及
此后驱动用作写入对象的像素的扫描线，将数据线的电压写入像素。
[B2]如以上项[B1]的显示装置的驱动方法，其中，在与包括用作写入对象的像素的像素行不同的像素行的扫描线的至少一部分上改变电压，不同像素行在预定时间段内处于非发光状态。
[B3]如以上项[B1]或[B2]的显示装置的驱动方法，其中，可变地确定要改变电压的扫描线的数量，扫描线与用作写入对象的像素的扫描线不同。
[B4]如以上项[B1]至[B3]中任一项的显示装置的驱动方法，其中，在扫描线和数据线彼此重叠的部分中，扩大扫描线的线宽度和数据线的线宽度。
[B5]如以上项[B1]至[B4]中任一项的显示装置的驱动方法，
其中，像素包括电流驱动的发光部和被配置为驱动发光部的驱动电路，以及
驱动电路至少包括：
电容部，
驱动晶体管，被配置为使得与保持在电容部中的电压相对应的电流流过发光部，以及
写入晶体管，被配置为将信号电压写入电容部。
[B6]如以上项[B5]的显示装置的驱动方法，
其中，驱动电路形成在半导体基板上，
写入晶体管的源极和漏极区域中的一者与数据线连接，并且写入晶体管的栅极与扫描线连接，以及
写入晶体管的栅极与写入晶体管的源极和漏极区域中的一者之间的电容，用作数据线与扫描线之间的电容。
[B7]如以上项[B6]的显示装置的驱动方法，其中，写入晶体管的源极和漏极区域中的另一者与驱动晶体管的栅极连接。
[B8]如以上项[B6]或[B7]的显示装置的驱动方法，其中，以使得源极和漏极区域中的一者与栅极之间的重叠量大于源极和漏极区域中的另一者和栅极之间的重叠量的方式，形成写入晶体管。
[B9]如以上项[B6]至[B8]中任一项的显示装置的驱动方法，其中，写入晶体管的源极和漏极区域中的一者连接到从数据线延伸的与扫描线平行的分支线。
[B10]如以上项[B5]至[B9]中任一项的显示装置的驱动方法，
其中，驱动电路还包括发光控制晶体管，发光控制晶体管被配置为使发光部处于非发光状态，以及
发光控制晶体管由为在行方向上排列的每个像素行设置的发光控制线进行控制。
[B11]如以上项[B10]的显示装置的驱动方法，其中，通过发光控制晶体管将像素行置于非发光状态的时段被可变地控制。
[B12]如以上项[B5]至[B11]中任一项的显示装置的驱动方法，其中，驱动晶体管包括p沟道型晶体管。
[B13]如以上项[B5]至[B11]中任一项的显示装置的驱动方法，其中，驱动晶体管包括n沟道型晶体管。
[B14]如以上项[B5]至[B13]中任一项的显示装置的驱动方法，其中，发光部包括有机电致发光部。
[C1]一种电子设备包括：
显示装置，包括：
像素阵列部，具有在行方向和列方向上以二维矩阵图案排列的像素，每个像素包括显示元件，
为在行方向上排列的每个像素行设置的扫描线，以及
为在列方向上排列的每个像素列设置的数据线，
其中，在数据线处于保持视频信号电压的状态下，用作写入对象的像素的扫描线不同的扫描线的电压被改变，以经由数据线和扫描线之间的电容改变数据线的电压，此后，驱动用作写入对象的像素的扫描线，以将数据线的电压写入像素。
[C2]如以上项[C1]的电子设备，其中，在与包括用作写入对象的像素的像素行不同的像素行的扫描线的至少一部分上改变电压，不同像素行在预定时间段内处于非发光状态。
[C3]如以上项[C1]或[C2]的电子设备，其中，可变地确定要改变电压的扫描线的数量，扫描线与用作写入对象的像素的扫描线不同。
[C4]如以上项[C1]至[C3]中任一项的电子设备，其中，在扫描线和数据线彼此重叠的部分中，扩大扫描线的线宽度和数据线的线宽度。
[C5]如以上项[C1]至[C4]中任一项的电子设备，
其中，像素包括电流驱动的发光部和被配置为驱动发光部的驱动电路，以及
驱动电路至少包括：
电容部，
驱动晶体管，被配置为使得与保持在电容部中的电压相对应的电流流过发光部，以及
写入晶体管，被配置为将信号电压写入电容部。
[C6]如以上项[C5]的电子设备，
其中，驱动电路形成在半导体基板上，
写入晶体管的源极和漏极区域中的一者与数据线连接，并且写入晶体管的栅极与扫描线连接，以及
写入晶体管的栅极与写入晶体管的源极和漏极区域中的一者之间的电容，用作数据线与扫描线之间的电容。
[C7]如以上项[C6]的电子设备，其中，写入晶体管的源极和漏极区域中的另一者与驱动晶体管的栅极连接。
[C8]如以上项[C6]或[C7]的电子设备，其中，以使得源极和漏极区域中的一者与栅极之间的重叠量大于源极和漏极区域中的另一者和栅极之间的重叠量的方式，形成写入晶体管。
[C9]如以上项[C6]至[C8]中任一项的电子设备，其中，写入晶体管的源极和漏极区域中的一者连接到从数据线延伸的与扫描线平行的分支线。
[C10]如以上项[C5]至[C9]中任一项的电子设备，
其中，驱动电路还包括发光控制晶体管，发光控制晶体管被配置为使发光部处于非发光状态，以及
发光控制晶体管由为在行方向上排列的每个像素行设置的发光控制线进行控制。
[C11]如以上项[C10]的电子设备，其中，通过发光控制晶体管将像素行置于非发光状态的时段被可变地控制。
[C12]如以上项[C5]至[C11]中任一项的电子设备，其中，驱动晶体管包括p沟道型晶体管。
[C13]如以上项[C5]至[C11]中任一项的电子设备，其中，驱动晶体管包括n沟道型晶体管。
[C14]如以上项[C5]至[C13]中任一项的电子设备，其中，发光部包括有机电致发光部。
[附图标记列表]
1、9…显示装置，10…基材，20…半导体层，21…n沟道型阱，22…元件隔离区域，23A，23B，23C，23D…源极/漏极区域，31…栅极绝缘层，31’…绝缘层，32…栅极，32’…其他电极，33…层间介电层，34…一个电极，35，36...接触孔，37...布线，38...屏蔽线，40...层间介电层，51...阳极，52...空穴传输层、发光层和电子传输层，53...阴极，54...第二层间介电层，55，56...接触孔，60...透明基板，70，970...显示元件，71，971...驱动电路，80...像素阵列部，100...半导体基板，110、910...源极驱动器，120、920...垂直扫描仪，130、930...电源部，140...发光控制扫描仪，TRW...写入晶体管，TRD...驱动晶体管，TRS...发光控制晶体管，CS...电容部，ELP...有机电致发光部，CEL...发光部ELP的电容，Cgs电容，WS...扫描线，DTL...数据线，PS1...馈送线，PS2...公共馈送线，DS...发光控制线，411...相机主体部分，412...成像镜头单元，413...握持部，414...监控器，415...取景器，511...眼镜型显示部分，512...耳挂部件，600...眼镜，611...透视的头戴式显示器，612主体部分，613…臂，614…镜筒。

Claims (16)

1.一种显示装置，包括：
像素阵列部，具有在行方向和列方向上以二维矩阵图案排列的像素，每个像素包括显示元件；
为在所述行方向上排列的每个像素行设置的扫描线；以及
为在所述列方向上排列的每个像素列设置的数据线；
其中，在所述数据线处于保持视频信号电压的状态下，与用作写入对象的所述像素的扫描线不同的扫描线的电压被改变，以经由所述数据线和所述扫描线之间的电容而改变所述数据线的电压，此后，驱动用作写入对象的所述像素的所述扫描线，以将所述数据线的所述电压写入所述像素。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，在与包括用作写入对象的所述像素的像素行不同的像素行的扫描线的至少一部分上改变所述电压，所述不同的像素行在预定时间段内处于非发光状态。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，在与用作写入对象的所述像素的所述扫描线不同的扫描线中，变化地确定要改变所述电压的所述扫描线的数量。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，在所述扫描线和所述数据线彼此重叠的部分中，扩大所述扫描线的线宽度和所述数据线的线宽度。
5.根据权利要求1所述的显示装置，
其中，所述像素包括电流驱动的发光部和被配置为驱动所述发光部的驱动电路，以及
所述驱动电路至少包括：
电容部，
驱动晶体管，被配置为使得与保持在所述电容部中的电压相对应的电流流过所述发光部，以及
写入晶体管，被配置为将信号电压写入所述电容部。
6.根据权利要求5所述的显示装置，
其中，所述驱动电路形成在半导体基板上，
所述写入晶体管的源极和漏极区域中的一者与所述数据线连接，并且所述写入晶体管的栅极与所述扫描线连接，以及
所述写入晶体管的所述栅极与所述写入晶体管的所述源极和漏极区域中的一者之间的电容，用作所述数据线与所述扫描线之间的电容。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述写入晶体管的所述源极和漏极区域中的另一者与所述驱动晶体管的所述栅极连接。
8.根据权利要求6所述的显示装置，其中，以所述源极和漏极区域中的一者与所述栅极之间的重叠量大于所述源极和漏极区域中的另一者与所述栅极之间的重叠量的方式，形成所述写入晶体管。
9.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述写入晶体管的所述源极和漏极区域中的一者连接到从所述数据线延伸的与所述扫描线平行的分支线。
10.根据权利要求5所述的显示装置，
其中，所述驱动电路还包括发光控制晶体管，所述发光控制晶体管被配置为使所述发光部处于非发光状态，以及
所述发光控制晶体管由为在所述行方向上排列的每个像素行设置的发光控制线进行控制。
11.根据权利要求10所述的显示装置，其中，通过所述发光控制晶体管将所述像素行置于所述非发光状态的时段被变化地控制。
12.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述驱动晶体管包括p沟道型晶体管。
13.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述驱动晶体管包括n沟道型晶体管。
14.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述发光部包括有机电致发光部。
15.一种显示装置的驱动方法，所述显示装置包括：
像素阵列部，具有在行方向和列方向上以二维矩阵图案排列的像素，每个像素包括显示元件，
为在所述行方向上排列的每个像素行设置的扫描线，以及
为在所述列方向上排列的每个像素列设置的数据线，
所述驱动方法包括使用所述显示装置进行以下步骤：
使所述数据线保持视频信号电压；
然后改变与用作写入对象的所述像素的扫描线不同的扫描线的电压，以经由所述数据线与所述扫描线之间的电容而改变所述数据线的电压；以及
此后，驱动用作写入对象的所述像素的所述扫描线，以将所述数据线的所述电压写入所述像素。
16.一种电子设备，包括：
显示装置，包括：
像素阵列部，具有在行方向和列方向上以二维矩阵图案排列的像素，每个像素包括显示元件，
为在所述行方向上排列的每个像素行设置的扫描线，以及
为在所述列方向上排列的每个像素列设置的数据线，
其中，在所述数据线处于保持视频信号电压的状态下，与用作写入对象的所述像素的扫描线不同的扫描线的电压被改变，以经由所述数据线和所述扫描线之间的电容而改变所述数据线的电压，此后，驱动用作写入对象的所述像素的所述扫描线，以将所述数据线的所述电压写入所述像素。
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