WO2020184081A1 - 表示装置、及び、電子機器 - Google Patents

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constant current
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drive
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尚司 豊田
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ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
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    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0842—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor
    • G09G2300/0861—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor with additional control of the display period without amending the charge stored in a pixel memory, e.g. by means of additional select electrodes
    • G09G2300/0866—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor with additional control of the display period without amending the charge stored in a pixel memory, e.g. by means of additional select electrodes by means of changes in the pixel supply voltage
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    • G09G2310/0264—Details of driving circuits
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00

Definitions

  • This disclosure relates to display devices and electronic devices.
  • a display element provided with a current-driven light emitting unit and a display device provided with such a display element are well known.
  • a display element including a light emitting unit composed of an organic electroluminescence element is attracting attention as a display element capable of high-luminance light emission by low-voltage direct current drive.
  • the display device using organic electroluminescence is a self-luminous type, and further has sufficient responsiveness to a high-definition high-speed video signal.
  • the pixel size is required to be about several micrometers to 10 micrometers.
  • the display element driven by the active matrix method includes a circuit for driving the light emitting unit in addition to the light emitting unit composed of an organic layer including a light emitting layer.
  • a drive circuit for driving a current-driven light emitting unit a circuit composed of a transistor and a capacitance unit is well known (see, for example, FIG. 3B of Patent Document 1).
  • a current control method such as controlling the current flowing through the light emitting unit as in Patent Document 1
  • a voltage control method such as controlling the voltage applied to the light emitting unit.
  • the brightness of the current-driven light emitting part is basically determined by the amount of current flowing through the light emitting part. Comparing the case where the light emitting part is driven by using the current control type drive circuit and the case where the light emitting part is driven by using the voltage control type drive circuit, the latter is the voltage vs. current characteristic (V-) in the light emitting part. It has the potential to be affected by variations in (I characteristics). Therefore, when the light emitting unit is driven by using the drive circuit of the voltage control method, it is preferable to reduce other variation factors as much as possible. Specifically, it is preferable to supply a voltage with as little variation as possible between the display elements to the light emitting unit of the display element constituting the pixel.
  • an object of the present disclosure is to provide a display device capable of supplying a voltage having as little variation between display elements as possible to a light emitting unit of a display element constituting a pixel, and an electronic device provided with such a display device. To provide.
  • the display device for achieving the above object is It has a pixel array unit in which display elements constituting the pixels are arranged in a two-dimensional matrix in the row direction and the column direction.
  • the display element includes a current-driven light emitting unit and a drive circuit for driving the light emitting unit.
  • the drive circuit is Constant current transistor, A drive transistor in which the source follower is connected to the constant current transistor and the light emitting part and the source electrode are connected, and Capacitive section that holds the gate voltage of the drive transistor, Contains at least The constant current transistor and the drive transistor are formed so that the ratio of the channel width to the channel length is the same. It is a display device.
  • the electronic device for achieving the above object is It has a pixel array unit in which display elements constituting the pixels are arranged in a two-dimensional matrix in the row direction and the column direction.
  • the display element includes a current-driven light emitting unit and a drive circuit for driving the light emitting unit.
  • the drive circuit is Constant current transistor, A drive transistor in which the source follower is connected to the constant current transistor and the light emitting part and the source electrode are connected, and Capacitive section that holds the gate voltage of the drive transistor, Contains at least The constant current transistor and the drive transistor are formed so that the ratio of the channel width to the channel length is the same. It is an electronic device equipped with a display device.
  • FIG. 1 is a conceptual diagram of a display device according to the first embodiment.
  • FIG. 2 is a schematic circuit diagram for explaining a basic configuration of a pixel (display element) including a voltage-driven drive circuit.
  • FIG. 3 is a schematic circuit diagram for explaining a specific configuration of a drive circuit used in a display device.
  • FIG. 4 is a schematic partial cross-sectional view of a portion of the pixel array portion including a display element.
  • FIG. 5 is a schematic plan view for explaining the arrangement of transistors and the like in the drive circuit according to the first embodiment.
  • FIG. 6 is a schematic plan view for explaining the arrangement of transistors and the like in the drive circuit of the reference example.
  • FIG. 1 is a conceptual diagram of a display device according to the first embodiment.
  • FIG. 2 is a schematic circuit diagram for explaining a basic configuration of a pixel (display element) including a voltage-driven drive circuit.
  • FIG. 3 is a schematic circuit diagram for explaining a specific configuration of a drive
  • FIG. 7 is a schematic plan view for explaining the arrangement of transistors and the like in the drive circuit of the first modification.
  • FIG. 8 is a schematic plan view for explaining the arrangement of transistors and the like in the drive circuit of the second modification.
  • FIG. 9 is a schematic plan view for explaining the arrangement of transistors and the like in the drive circuit of the third modification.
  • 10A and 10B are external views of a single-lens reflex type digital still camera with interchangeable lenses.
  • FIG. 10A shows a front view thereof, and FIG. 10B shows a rear view thereof.
  • FIG. 11 is an external view of the head-mounted display.
  • FIG. 12 is an external view of the see-through head-mounted display.
  • the display device according to the present disclosure and the display device used for the electronic device according to the present disclosure (hereinafter, these may be simply referred to as "display device of the present disclosure”). It has a pixel array unit in which display elements constituting the pixels are arranged in a two-dimensional matrix in the row direction and the column direction.
  • the display element includes a current-driven light emitting unit and a drive circuit for driving the light emitting unit.
  • the drive circuit is Constant current transistor, A drive transistor in which the source follower is connected to the constant current transistor and the light emitting part and the source electrode are connected, and Capacitive section that holds the gate voltage of the drive transistor, Contains at least The constant current transistor and the drive transistor are formed so that the ratio of the channel width to the channel length is the same.
  • the constant current transistor and the drive transistor can be configured to have the same transistor size.
  • the constant current transistor and the drive transistor may be formed adjacent to each other in the plane region where the drive circuit is arranged.
  • the characteristic difference between the transistors formed adjacent to each other is smaller than the characteristic difference between the transistors formed apart from each other. As a result, the variation in the voltage supplied to the light emitting unit can be further reduced.
  • the constant current transistor and the drive transistor may be configured to be the same conductive field effect transistor.
  • the constant current transistor and the drive transistor may be configured to be composed of an n-channel type field-effect transistor or a p-channel type field-effect transistor.
  • An organic electroluminescence element, an LED element, a semiconductor laser element, or the like can be used as the current-driven light emitting unit used in the display device of the present disclosure including the above-mentioned various preferable configurations. These elements can be constructed using well-known materials and methods. From the viewpoint of configuring a flat display device, it is preferable that the light emitting unit is composed of an organic electroluminescence light emitting unit.
  • the drive circuit may be configured to further include a write transistor for writing a signal voltage to the capacitance section.
  • the constant current transistor, the drive transistor, and the write transistor can be configured to be composed of the same conductive field effect transistor.
  • the drive circuit can be formed on a semiconductor substrate, an insulating substrate on which a semiconductor material layer is formed, or the like.
  • the drive circuit is composed of transistors formed on a semiconductor substrate, for example, a well region may be provided on a semiconductor substrate made of silicon, and a transistor may be formed in the wells.
  • PVD method physical vapor deposition method
  • CVD method various chemical vapor deposition methods
  • It can be formed by a combination of the method and a well-known patterning method such as an etching method or a lift-off method.
  • the source driver or the like that drives the display device may be integrated on a semiconductor substrate or the like on which the display element is arranged, or may be appropriately configured as a separate body. These can be configured using well-known circuit elements.
  • the vertical scanner shown in FIG. 1 and the power supply unit can also be configured by using well-known circuit elements.
  • the display element and the driver are formed on the same semiconductor substrate or the like.
  • the display device may have a so-called monochrome display configuration or a color display configuration.
  • a color display configuration one color pixel is composed of a plurality of pixels, specifically, one color pixel is composed of a set of a red display pixel, a green display pixel, and a blue display pixel. It can be configured. Further, it can be composed of a set in which one type or a plurality of types of pixels are further added to these three types of pixels.
  • various electronic devices having an image display function can be exemplified in addition to the direct-view type and projection type display devices.
  • each drawing used in the following description is a schematic one and does not show actual dimensions or their ratios.
  • FIG. 4 which will be described later, shows the cross-sectional structure of the display device, but does not show the ratios such as width, height, and thickness.
  • the first embodiment relates to a display device and an electronic device according to the present disclosure.
  • FIG. 1 is a conceptual diagram of a display device according to the first embodiment.
  • the display device 1 has a pixel array unit 80 in which display elements 70 constituting pixels are arranged in a two-dimensional matrix in the row direction and the column direction. Further, the display device 1 is provided in the scanning line WS and the feeder line PS1 provided for each pixel row arranged along the row direction (X direction in FIG. 1), and in the column direction (Y direction in FIG. 1). A data line DTL provided for each pixel sequence arranged along the line is included. Each display element 70 is arranged in a two-dimensional matrix of N in the row direction and M in the column direction, for a total of N ⁇ M, in a state of being connected to the scanning line WS, the feeder line PS1 and the data line DTL. ing.
  • the display elements 70 arranged in a two-dimensional matrix form a pixel array unit 80 for displaying an image.
  • the number of rows of the display element 70 in the pixel array unit 80 is M, and the number of display elements 70 constituting each row is N.
  • the display element 70 may be referred to as a pixel 70.
  • the number of scanning lines WS and feeding lines PS1 is M, respectively.
  • the number of data lines DTL is N.
  • the display device 1 is provided with various wirings (not shown) such as a common feeder line that is commonly connected to all the pixels 70.
  • the display device 1 includes a source driver 110 for driving the pixel array unit 80, a vertical scanner 120, and a power supply unit 130.
  • the pixel array unit 80 is formed on a substrate 10 on which a semiconductor material layer made of, for example, silicon is formed.
  • the source driver 110, the vertical scanner 120, and the power supply unit 130 are also formed on the substrate 10. That is, the display device 1 is a display device integrated with a driver circuit. In some cases, various circuits for driving the pixel array unit 80 may be configured as separate bodies.
  • a signal LD Sig representing gradation according to an image to be displayed is input to the source driver 110, for example, from a device (not shown).
  • the signal LD Sig is, for example, a low voltage digital signal.
  • the source driver 110 generates an analog signal corresponding to the gradation value of the video signal LD Sig and supplies it to the data line DTL as a video signal.
  • the maximum value of the generated analog signal is substantially the same as the power supply voltage supplied to the source driver 110, and the swing width is about several volts.
  • the vertical scanner 120 supplies a scanning signal to the scanning line WS. With this scanning signal, the pixels 70 are sequentially scanned line by line, for example.
  • the power supply unit 130 will be described as continuously supplying a predetermined power supply voltage VCC (for example, about 10 volts) to the power supply line PS1 regardless of the scanning of the scanning line WS. In some cases, the voltage supplied to the feeder line PS1 may be switched in response to scanning of the scanning line WS.
  • VCC for example, about 10 volts
  • the pixels 70 are line-sequentially scanned line by line by the scanning signal of the vertical scanner 120.
  • the pixel 70 located in the mth row and the nth column is hereinafter referred to as the (n, m) th pixel 70.
  • the N pixels 70 arranged in the mth row are driven at the same time.
  • the light emission / non-emission timing is controlled for each row to which they belong.
  • the display frame rate of the display device 1 is expressed as FR (times / second)
  • the scanning period per line (so-called horizontal scanning period) when the display device 1 is sequentially scanned line by line is (1 / FR). It is less than ⁇ (1 / M) seconds.
  • FIG. 2 is a schematic circuit diagram for explaining the basic operation of a pixel (display element) provided with a voltage-driven drive circuit.
  • FIG. 2 shows the wiring relationship for one pixel 70, more specifically, the (n, m) th pixel 70.
  • the pixel (display element) 70 includes a current-driven light emitting unit ELP and a drive circuit 71 for driving the light emitting unit ELP.
  • the drive circuit 71 has a configuration in which the voltage of the voltage source VS for supplying a voltage to one end (anode electrode) of the light emitting unit ELP is controlled by the voltage V Sig from the data line DTL.
  • the other end (cathode electrode) of the light emitting unit ELP is connected to, for example, the common feeder line PS2, and a common voltage VSS (for example, ground potential) is supplied.
  • a current corresponding to the VI characteristics flows through the light emitting unit ELP according to the potential difference (voltage) at both ends of the light emitting unit ELP. Since the brightness of the light emitting unit ELP is determined by the amount of flowing current, a pixel provided with a voltage-driven drive circuit has a potential effect of variation in VI characteristics in the light emitting unit. Therefore, it is preferable to reduce the variation of the voltage supplied to one end (anode electrode) of the light emitting unit ELP as much as possible.
  • the variation in the voltage supplied to the light emitting unit ELP is reduced by limiting the configuration of the transistors constituting the voltage source VS.
  • FIG. 3 is a schematic circuit diagram for explaining a specific configuration of a drive circuit used in a display device.
  • the drive circuit 71 Constant current transistor TR CC ,
  • the drive transistor TR DR which is connected to the constant current transistor TR CC by the source follower, and the light emitting unit ELP and the source electrode are connected, and Capacitate C S , which holds the gate voltage of the drive transistor TR DR , At least contains.
  • Drive circuit 71 further includes a writing transistor TR WS for writing a signal voltage V Sig the capacitance section C S.
  • the constant current transistor TR CC and the drive transistor TR DR are formed so that the ratio of the channel width to the channel length is the same. More specifically, the constant current transistor TR CC and the drive transistor TR DR are formed with the same transistor size.
  • the constant current transistor TR CC and the drive transistor TR DR are composed of the same conductive type (here, n-channel type) field effect transistor. The same applies to the write transistor TR WS .
  • one source / drain electrode is connected to the feeder line PS1, and a predetermined drive voltage VC C is applied. Further, the other source / drain electrode is connected to one source / drain electrode of the constant current transistor TR CC and one end (anode electrode) of the light emitting unit ELP. The other source / drain electrode of the constant current transistor TR CC is connected to the common feeder line PS2. A gate voltage V g_CC, which will be described later, is applied to the gate electrode of the constant current transistor TR CC . In the example shown in FIG. 3, the other end (cathode electrode) of the light emitting unit ELP and the other source / drain electrode of the constant current transistor TR CC are both connected to the common feeder line PS2. They may be connected to different feeders and supplied with voltage from different power sources.
  • one source / drain electrode is connected to the data line DTL, and the gate electrode is connected to the scan line WS.
  • the gate electrode of the driving transistor TR DR, the other of the source / drain electrode of the writing transistor TR WS, and the one electrode of the capacitor portion C S is connected.
  • the other electrode of the capacitor portion C S is connected to a common feed line PS2, the voltage V SS is supplied.
  • the light emitting unit ELP is a current-driven light emitting unit whose emission brightness changes according to the flowing current value, and specifically comprises an organic electroluminescence light emitting unit.
  • the light emitting unit ELP has a well-known configuration and structure including an anode electrode, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, a cathode electrode, and the like.
  • one source / drain electrode is simply referred to as a drain electrode, and the other source / drain electrode is simply referred to as a source electrode.
  • the outline of the drive in the drive circuit 71 will be described.
  • the write transistor TR WS After applying the signal voltage V Sig from the data line DTL to the gate electrode of the drive transistor TR DR via the write transistor TR WS which is made conductive by the scan signal from the scan line WS, the write transistor TR WS is in a non-conducting state. And. Capacitor portion C S holds over the gate voltage of the driving transistor TR DR during one frame period.
  • the constant current transistor TR CC is voltage-set to function as a constant current source.
  • the drive transistor TR DR is a source-follower connected, the source voltage of the drive transistor TR DR is controlled by the gate voltage of the driving transistor TR DR. Since the gate voltage of the drive transistor TR DR is held for one frame period, the source voltage corresponding to the gate voltage is output for one frame period.
  • the source voltage of the drive transistor TR DR corresponds to the anode voltage of the light emitting unit ELP.
  • a current corresponding to the potential difference between the anode electrode and the cathode electrode flows through the light emitting unit ELP, and the light emitting unit ELP emits light with brightness corresponding to the current value.
  • the brightness of the light emitting section ELP is determined by the source voltage of the driving transistor TR DR, the source voltage of the drive transistor TR DR varies, also varies the luminance of the luminescence part ELP.
  • FIG. 4 is a schematic partial cross-sectional view of a portion of the pixel array portion including pixels.
  • the substrate 10 is made of, for example, a glass material.
  • a drive circuit including a transistor for controlling light emission of the light emitting unit ELP is formed on the substrate 10.
  • a semiconductor material layer 11 made of, for example, silicon is formed on the substrate 10, and gate electrodes 13 of various transistors constituting the drive circuit 71 are formed on the semiconductor material layer 11.
  • Reference numeral 12 indicates a gate insulating film.
  • the gate electrode 13 can be formed by using, for example, a metal such as aluminum (Al), polysilicon, or the like.
  • the gate insulating film 12 can be formed by using, for example, silicon oxide (SiO x ), silicon nitride (SiN x ), or the like.
  • the semiconductor material layer 11 can be formed by using amorphous silicon, polycrystalline silicon, an oxide semiconductor, or the like. Further, a part of the semiconductor material layer 11 is doped with impurities to form a source / drain region. Further, the region of the semiconductor material layer 11 located between one source / drain region and the other source / drain region and below the gate electrode 13 forms a channel region. As a result, a top gate type thin film transistor is formed on the substrate 10. For convenience of illustration, the display of the source / drain area and the channel area is omitted. Further, for convenience of illustration, only the drive transistor TR DR is shown in FIG.
  • An interlayer insulating film 14 is formed on the entire surface including the gate electrode 13.
  • the interlayer insulating film 14 is formed of, for example, a silicon oxide (SiO x ), a silicon nitride (SiN x ), a silicon oxynitride (SiO x N y ), or the like.
  • a wiring layer 20 including various electrodes and wiring is formed on the wiring layer 20. Various electrodes and wirings are schematically shown using reference numeral 21.
  • Various vias 22A, 22B, 22C connected to the transistor are formed on the wiring layer 20.
  • Various wirings and contacts (represented by reference numerals 31A, 31B, and 31C) connected to the via are formed on the wiring layer 20. These can be formed from, for example, metal materials.
  • a flattening film 32 is formed so as to cover the entire surface of the wiring layer 20.
  • the flattening film 32 is formed to cover and flatten the surface.
  • the flattening film 32 is an organic insulating film such as a polyimide resin, an acrylic resin, or a novolak resin, or a silicon oxide (SiO x ), a silicon nitride (SiN x ), or an acid silicon nitride (Si x N). It can be formed by using an inorganic insulating film such as y ).
  • the anode electrodes 33 are formed on the flattening film 32 by arranging them in a two-dimensional matrix.
  • the anode electrode 33 is connected to the source / drain electrode of the drive transistor TR DR via the contact 31A and the via 22A. It should be noted that the figure is schematically shown, and does not show all the components of the drive circuit 71 shown in FIG. For example, the illustration of electrodes of the capacitor portion C S shown in FIG. 3 is omitted.
  • the partition wall portion 34 is provided between the adjacent anode electrodes 33, and separates each of the anode electrodes 33.
  • the partition wall portion 34 can be formed by using an inorganic oxide, an inorganic nitride, an inorganic oxynitride, a resin material, or the like.
  • the organic layer 40 is formed on the entire surface including the anode electrode 33 and the partition wall 34.
  • the organic layer 40 includes a light emitting layer commonly formed for each anode electrode 33, and emits white light.
  • a transparent cathode electrode 51 is formed on the entire surface including the organic layer 40.
  • the organic layer 40 is formed by laminating a plurality of material layers such as a hole injection layer, a hole transport layer, a red light emitting layer, a light emitting separation layer, a blue light emitting layer, a green light emitting layer, and an electron transport layer from the anode electrode 33 side. .. In the figure, the organic layer 40 is shown as a single layer.
  • the transparent cathode electrode 51 is formed on the entire surface including the top of the organic layer 40.
  • the cathode electrode 51 is made of a material having good light transmission and a small work function.
  • the light emitting portion ELP shown in FIG. 3 is formed by the portion in which the anode electrode 33, the organic layer 40, and the cathode electrode 51 are laminated.
  • the protective film 61 is formed on the entire surface including the cathode electrode 51.
  • the protective film 61 is for preventing the invasion of water into the organic layer 40, and is formed by using a material having low water permeability.
  • An opposing substrate 63 on which the color filter 62 is formed is arranged on the protective film 61.
  • the facing substrate 63 can be arranged on the protective film 61 by bonding it with an ultraviolet curable resin, a thermosetting resin, or the like.
  • FIG. 5 is a schematic plan view for explaining the arrangement of transistors and the like in the drive circuit according to the first embodiment.
  • the planar region driving circuit is disposed, the driving transistor TR DR, constant current transistor TR CC, the writing transistor TR WS, and capacitor portion C S is disposed.
  • the drive transistor TR DR and the constant current transistor TR CC are arranged on the upper stage side, and the write transistor TR WS and the capacitance portion CS S are arranged on the lower stage side.
  • the constant current transistor TR CC and the drive transistor TR DR are formed adjacent to each other in the plane region where the drive circuit is arranged.
  • the part of the semiconductor material layer constituting each transistor is shown by a thick dashed line, and the part of the gate electrode is shown by a thick alternate long and short dash line. The same applies to FIGS. 6, 7, 8 and 9 described later.
  • the gate voltage, drain voltage, source voltage, and threshold voltage of the drive transistor TR DR are represented by reference numerals V g_DR , reference numeral V d_DR , reference numeral V s_DR , and reference numeral V th_DR , respectively.
  • the gate voltage, drain voltage, source voltage, and threshold voltage of the constant current transistor TR CC are represented by the symbols V g_CC , V d_CC , V s_CC , and V th_CC , respectively.
  • mu DR driving transistor TR effective mobility in DR L DR: driving transistor TR channel length of DR W DR: driving transistor TR DR channel width C ox_DR: the driving transistor TR DR (dielectric constant of the gate insulating layer) ⁇ (Vacuum permittivity) / (Thickness of gate insulating layer) Is.
  • mu CC constant current transistor TR effective mobility in CC
  • L CC channel length
  • TR CC constant current transistor TR CC channel width
  • C ox_CC in the constant current transistor TR CC (gate insulating layer Relative permittivity) x (vacuum permittivity) / (thickness of gate insulating layer) Is.
  • I ds_DR I ds_CC .
  • ⁇ DR ⁇ (V g_DR -V s_DR -V th_DR ) 2 ⁇ CC ⁇ (V g_CC -V th_CC ) 2 (4) Will be.
  • V s_DR V g_DR -V th_DR- ( ⁇ CC / ⁇ DR ) 1/2 ⁇ (V g_CC -V th_CC ) (5) Will be.
  • V s_DR is the anode voltage of the light emitting unit ELP
  • the brightness of the pixel is determined by the value of V s_DR .
  • V s_DR is V g_DR : Gate voltage of drive transistor TR DR , that is, signal voltage V Sig ⁇ V th_DR : Threshold voltage of drive transistor TR DR , ⁇ ⁇ DR : ⁇ value of drive transistor TR DR ⁇ V g_CC : Gate voltage of constant current transistor TR CC ⁇ V th_CC : Threshold voltage of constant current transistor TR CC , - ⁇ CC : It can be seen that it is determined by six factors such as the ⁇ value of the constant current transistor TR CC .
  • the items for which variation between pixels of the display device 1 can be ignored are the first V g_DR and the fourth V g_CC , both of which are transistor gates. It is a voltage.
  • the former is a signal voltage V Sig , and a voltage corresponding to the brightness of the image to be displayed is supplied from the outside. Therefore, the variation between pixels can be ignored.
  • the latter is a voltage supplied to drive a transistor as a constant current source, but it is not realistic to adjust this voltage for each pixel. Therefore, since the same voltage is basically supplied to all the pixels, the variation between the pixels can be ignored.
  • V s_DR V g_DR -( ⁇ CC / ⁇ DR ) 1/2 ⁇ V g_CC + ( ⁇ CC / ⁇ DR ) 1/2 ⁇ (V th_CC -V th_DR ) (6)
  • V s_DR is determined by three terms. That is, And drive transistor TR beta value of beta value and the constant current transistor TR CC of the first term, the driving transistor TR DR consisting gate voltage V G_DR of DR, as well as, The second term consisting of the gate voltage V g_CC of the constant current transistor TR CC ⁇ The ⁇ value of the drive transistor TR DR and the ⁇ value of the constant current transistor TR CC , and A third term consisting threshold value voltage V Th_CC threshold voltage V Th_DR and a constant current transistor TR CC of the drive transistor TR DR.
  • the factor that most varies among pixels is the threshold voltage of the transistors that make up the pixels.
  • the threshold voltage fluctuates the third term of the above three terms fluctuates. As a result, the brightness in each pixel varies.
  • V s_DR V g_DR -V g_CC + (V th_CC- V th_DR ) (7)
  • V th_DR ⁇ V th_CC V s_DR ⁇ V g_DR -V g_CC (8) It is expressed as.
  • V s_DR is basically the gate voltage V g_DR . Determined by the gate voltage V g_CC .
  • the gate voltage V g_DR and the gate voltage V g_CC are voltages at which variations between pixels can be ignored. Therefore, since the variation between pixels in V s_DR is reduced, the variation in brightness in each pixel can be reduced. Further, since the constant current transistor TR CC and the drive transistor TR DR are formed adjacent to each other in the plane region where the drive circuit is arranged, there is little difference in electrical characteristics. Thereby, the variation can be further reduced.
  • FIG. 7 is a schematic plan view for explaining the arrangement of transistors and the like in the drive circuit of the first modification.
  • the planar region driving circuit is disposed, the driving transistor TR DR, constant current transistor TR CC, the writing transistor TR WS, and capacitor portion C S is disposed.
  • the capacitance portion CS and the drive transistor TR DR are arranged on the upper stage side, and the constant current transistor TR CC and the write transistor TR WS are arranged on the lower stage side.
  • the constant current transistor TR CC and the drive transistor TR DR are arranged diagonally.
  • the arrangement shown in FIG. 5 is more advantageous in terms of the same transistor characteristics.
  • FIG. 8 is a schematic plan view for explaining the arrangement of transistors and the like in the drive circuit of the second modification.
  • the planar region driving circuit is disposed, the driving transistor TR DR, constant current transistor TR CC, the writing transistor TR WS, and capacitor portion C S is disposed.
  • capacitance section C S and the writing transistor TR WS left are arranged on the right side and the driving transistor TR DR and writing transistor TR WS constant current transistor TR CC.
  • the constant current transistor TR CC and the drive transistor TR DR are arranged side by side in the vertical direction and adjacent to each other.
  • FIG. 9 is a schematic plan view for explaining the arrangement of transistors and the like in the drive circuit of the third modification.
  • the planar region driving circuit is disposed, the driving transistor TR DR, constant current transistor TR CC, the writing transistor TR WS, and capacitor portion C S is disposed.
  • the drive transistor TR DR and the constant current transistor TR CC are arranged on the upper stage side, and the write transistor TR WS and the capacitance portion CS S are arranged on the lower stage side.
  • the constant current transistor TR CC and the drive transistor TR DR are formed adjacent to each other in the plane region where the drive circuit is arranged.
  • the various display devices according to the present disclosure described above are formed so that the constant current transistor and the drive transistor have the same ratio of the channel width to the channel length. As a result, it is possible to supply a voltage with as little variation as possible between the display elements to the light emitting unit of the display element constituting the pixel. Further, according to the electronic device using the display device according to the present disclosure, it is possible to display an image with little variation in brightness.
  • the display device of the present disclosure described above is used as a display unit (display device) of an electronic device in all fields for displaying a video signal input to an electronic device or a video signal generated in the electronic device as an image or a video.
  • a display unit such as a television set, a digital still camera, a notebook personal computer, a mobile terminal device such as a mobile phone, a video camera, or a head-mounted display (head-mounted display).
  • the display device of the present disclosure also includes a modular device having a sealed configuration.
  • a display module formed by attaching a facing portion such as transparent glass to a pixel array portion is applicable.
  • the display module may be provided with a circuit unit for inputting / outputting a signal or the like from the outside to the pixel array unit, a flexible printed circuit (FPC), or the like.
  • FPC flexible printed circuit
  • a digital still camera and a head-mounted display will be illustrated as specific examples of the electronic device using the display device of the present disclosure. However, the specific examples illustrated here are only examples, and are not limited to these.
  • 10A and 10B are external views of a single-lens reflex type digital still camera with interchangeable lenses.
  • FIG. 10A shows a front view thereof
  • FIG. 10B shows a rear view thereof.
  • An interchangeable lens single-lens reflex type digital still camera has, for example, an interchangeable photographing lens unit (interchangeable lens) 412 on the front right side of the camera body (camera body) 411, and is held by the photographer on the front left side. It has a grip portion 413 for the purpose.
  • interchangeable photographing lens unit interchangeable lens
  • a monitor 414 is provided in the center of the back of the camera body 411.
  • a viewfinder (eyepiece window) 415 is provided on the upper part of the monitor 414. By looking into the viewfinder 415, the photographer can visually recognize the light image of the subject guided by the photographing lens unit 412 and determine the composition.
  • the display device of the present disclosure can be used as the viewfinder 415 in the interchangeable lens single-lens reflex type digital still camera having the above configuration. That is, the interchangeable lens type single-lens reflex type digital still camera according to this example is manufactured by using the display device of the present disclosure as its viewfinder 415. Further, the display device of the present disclosure can also be used for the monitor 414 arranged on the back surface.
  • FIG. 11 is an external view of the head-mounted display.
  • the head-mounted display has, for example, ear hook portions 512 for being worn on the user's head on both sides of the eyeglass-shaped display portion 511.
  • the display device of the present disclosure can be used as the display unit 511. That is, the head-mounted display according to this example is manufactured by using the display device of the present disclosure as the display unit 511.
  • FIG. 12 is an external view of the see-through head-mounted display.
  • the see-through head-mounted display 611 is composed of a main body 612, an arm 613, and a lens barrel 614.
  • the main body 612 is connected to the arm 613 and the glasses 600. Specifically, the end portion of the main body portion 612 in the long side direction is connected to the arm 613, and one side of the side surface of the main body portion 612 is connected to the eyeglasses 600 via a connecting member.
  • the main body 612 may be directly attached to the head of the human body.
  • the main body 612 incorporates a control board for controlling the operation of the see-through head-mounted display 611 and a display unit.
  • the arm 613 connects the main body 612 and the lens barrel 614, and supports the lens barrel 614. Specifically, the arm 613 is coupled to the end of the main body 612 and the end of the lens barrel 614, respectively, to fix the lens barrel 614. Further, the arm 613 incorporates a signal line for communicating data related to an image provided from the main body 612 to the lens barrel 614.
  • the lens barrel 614 projects the image light provided from the main body 612 via the arm 613 toward the eyes of the user who wears the see-through head-mounted display 611 through the eyepiece.
  • the display device of the present disclosure can be used for the display unit of the main body unit 612.
  • the technology of the present disclosure can also have the following configurations.
  • the display element has a pixel array unit in which display elements constituting the pixels are arranged in a two-dimensional matrix in the row direction and the column direction.
  • the display element includes a current-driven light emitting unit and a drive circuit for driving the light emitting unit.
  • the drive circuit is Constant current transistor, A drive transistor in which the source follower is connected to the constant current transistor and the light emitting part and the source electrode are connected, and Capacitive section that holds the gate voltage of the drive transistor, Contains at least The constant current transistor and the drive transistor are formed so that the ratio of the channel width to the channel length is the same.
  • Display device [A2]
  • the constant current transistor and the drive transistor are formed with the same transistor size. The display device according to the above [A1].
  • the constant current transistor and the drive transistor are formed adjacent to each other in the plane region where the drive circuit is arranged.
  • the constant current transistor and the drive transistor consist of the same conductive field effect transistor.
  • the light emitting part consists of an organic electroluminescence element.
  • the drive circuit also includes a write transistor for writing the signal voltage to the capacitive section.
  • the constant current transistor, the drive transistor, and the write transistor consist of the same conductive field effect transistor.
  • [B1] It has a pixel array unit in which display elements constituting the pixels are arranged in a two-dimensional matrix in the row direction and the column direction.
  • the display element includes a current-driven light emitting unit and a drive circuit for driving the light emitting unit.
  • the drive circuit is Constant current transistor, A drive transistor in which the source follower is connected to the constant current transistor and the light emitting part and the source electrode are connected, and Capacitive section that holds the gate voltage of the drive transistor, Contains at least The constant current transistor and the drive transistor are formed so that the ratio of the channel width to the channel length is the same.
  • the constant current transistor and the drive transistor are formed with the same transistor size. The electronic device according to the above [B1].
  • the constant current transistor and the drive transistor are formed adjacent to each other in the plane region where the drive circuit is arranged.
  • the constant current transistor and the drive transistor consist of the same conductive field effect transistor.
  • the light emitting part consists of an organic electroluminescence element.
  • the drive circuit also includes a write transistor for writing the signal voltage to the capacitive section.
  • the constant current transistor, the drive transistor, and the write transistor consist of the same conductive field effect transistor.

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Abstract

表示装置は、画素を構成する表示素子が行方向と列方向とに２次元マトリクス状に配列されている画素アレイ部を有し、表示素子は、電流駆動型の発光部、及び、発光部を駆動するための駆動回路を備えており、駆動回路は、定電流トランジスタ、定電流トランジスタに対してソースフォロワ接続されているとともに、発光部とソース電極とが接続されている駆動トランジスタ、及び、駆動トランジスタのゲート電圧を保持する容量部、を少なくとも含んでおり、定電流トランジスタと駆動トランジスタとは、チャネル長に対するチャネル幅の比が同じになるように形成されている。

Description

表示装置、及び、電子機器
　本開示は、表示装置、及び、電子機器に関する。
　電流駆動型の発光部を備えた表示素子、及び、係る表示素子を備えた表示装置が周知である。例えば、有機エレクトロルミネッセンス素子から成る発光部を備えた表示素子は、低電圧直流駆動による高輝度発光が可能な表示素子として注目されている。
　有機エレクトロルミネッセンスを用いた表示装置は、自発光型であり、更には、高精細度の高速ビデオ信号に対しても充分な応答性を有する。眼鏡やゴーグルなどといったアイウェアに装着するための表示装置にあっては、例えば、画素サイズを数マイクロメートルないし１０マイクロメートル程度とするといったことも求められている。アクティブマトリクス方式により駆動される表示素子にあっては、発光層を含む有機層等から構成された発光部に加えて、発光部を駆動するための回路を備えている。
　電流駆動型の発光部を駆動するための駆動回路として、トランジスタと容量部から構成された回路が周知である（例えば、特許文献１の図３Ｂを参照）。駆動回路の方式としては、特許文献１のように発光部に流す電流を制御するといった電流制御方式のほか、発光部に印加する電圧を制御するといった電圧制御方式がある。
特開２００７－３１０３１１号公報
　電流駆動型の発光部の輝度は、基本的には、発光部に流れる電流量によって定まる。電流制御方式の駆動回路を用いて発光部を駆動する場合と、電圧制御方式の駆動回路を用いて発光部を駆動する場合とを比較すると、後者は、発光部における電圧対電流特性（Ｖ－Ｉ特性）のばらつきの影響を潜在的に有する。このため、電圧制御方式の駆動回路を用いて発光部を駆動する場合には、他のばらつき要因はできるだけ低減することが好ましい。具体的には、画素を構成する表示素子の発光部に対して、表示素子間においてできるだけばらつきの少ない電圧を供給することが好ましい。
　従って、本開示の目的は、画素を構成する表示素子の発光部に対して、表示素子間においてできるだけばらつきの少ない電圧を供給することができる表示装置、及び、係る表示装置を備えた電子機器を提供することにある。
　上記の目的を達成するための本開示に係る表示装置は、
　画素を構成する表示素子が行方向と列方向とに２次元マトリクス状に配列されている画素アレイ部を有し、
　表示素子は、電流駆動型の発光部、及び、発光部を駆動するための駆動回路を備えており、
　駆動回路は、
　定電流トランジスタ、
　定電流トランジスタに対してソースフォロワ接続されているとともに、発光部とソース電極とが接続されている駆動トランジスタ、及び、
　駆動トランジスタのゲート電圧を保持する容量部、
を少なくとも含んでおり、
　定電流トランジスタと駆動トランジスタとは、チャネル長に対するチャネル幅の比が同じになるように形成されている、
表示装置である。
　上記の目的を達成するための本開示に係る電子機器は、
　画素を構成する表示素子が行方向と列方向とに２次元マトリクス状に配列されている画素アレイ部を有し、
　表示素子は、電流駆動型の発光部、及び、発光部を駆動するための駆動回路を備えており、
　駆動回路は、
　定電流トランジスタ、
　定電流トランジスタに対してソースフォロワ接続されているとともに、発光部とソース電極とが接続されている駆動トランジスタ、及び、
　駆動トランジスタのゲート電圧を保持する容量部、
を少なくとも含んでおり、
　定電流トランジスタと駆動トランジスタとは、チャネル長に対するチャネル幅の比が同じになるように形成されている、
表示装置を備えている電子機器である。
図１は、第１の実施形態に係る表示装置の概念図である。 図２は、電圧駆動方式の駆動回路を備えた画素（表示素子）の基本的な構成を説明するための模式的な回路図である。 図３は、表示装置に用いられる駆動回路の具体的な構成を説明するための模式的な回路図である。 図４は、画素アレイ部における表示素子を含む部分の模式的な一部断面図である。 図５は、第１の実施形態に係る駆動回路におけるトランジスタ等の配置を説明するための模式的な平面図である。 図６は、参考例の駆動回路におけるトランジスタ等の配置を説明するための模式的な平面図である。 図７は、第１変形例の駆動回路におけるトランジスタ等の配置を説明するための模式的な平面図である。 図８は、第２変形例の駆動回路におけるトランジスタ等の配置を説明するための模式的な平面図である。 図９は、第３変形例の駆動回路におけるトランジスタ等の配置を説明するための模式的な平面図である。 図１０は、レンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラの外観図であり、図１０Ａにその正面図を示し、図１０Ｂにその背面図を示す。 図１１は、ヘッドマウントディスプレイの外観図である。 図１２は、シースルーヘッドマウントディスプレイの外観図である。
　以下、図面を参照して、実施形態に基づいて本開示を説明する。本開示は実施形態に限定されるものではなく、実施形態における種々の数値や材料は例示である。以下の説明において、同一要素または同一機能を有する要素には同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。尚、説明は、以下の順序で行う。
１．本開示に係る、表示装置、及び、電子機器、全般に関する説明
２．第１の実施形態
３．電子機器の説明、その他
［本開示に係る、表示装置、及び、電子機器、全般に関する説明］
　上述したように、本開示に係る表示装置、及び、本開示に係る電子機器に用いられる表示装置（以下、これらを単に「本開示の表示装置」と呼ぶ場合がある）は、
　画素を構成する表示素子が行方向と列方向とに２次元マトリクス状に配列されている画素アレイ部を有し、
　表示素子は、電流駆動型の発光部、及び、発光部を駆動するための駆動回路を備えており、
　駆動回路は、
　定電流トランジスタ、
　定電流トランジスタに対してソースフォロワ接続されているとともに、発光部とソース電極とが接続されている駆動トランジスタ、及び、
　駆動トランジスタのゲート電圧を保持する容量部、
を少なくとも含んでおり、
　定電流トランジスタと駆動トランジスタとは、チャネル長に対するチャネル幅の比が同じになるように形成されている。
　本開示の表示装置において、定電流トランジスタと駆動トランジスタとは、同じトランジスタサイズで形成されている構成とすることができる。
　上述した好ましい構成を含む本開示の表示装置において、定電流トランジスタと駆動トランジスタとは、駆動回路が配置される平面領域において隣接して形成されている構成とすることができる。定性的には、隣接して形成されたトランジスタ間の特性差は、離隔して形成されたトランジスタ間の特性差よりも小さい。これによって、発光部に対して供給する電圧のばらつきをより低減することができる。
　上述した各種の好ましい構成を含む本開示の表示装置において、定電流トランジスタと駆動トランジスタとは、同じ導電型の電界効果トランジスタから成る構成とすることができる。例えば、定電流トランジスタと駆動トランジスタとはｎチャネル型の電界効果トランジスタから成る構成であってもよいし、ｐチャネル型の電界効果トランジスタから成る構成であってもよい。
　上述した各種の好ましい構成を含む本開示の表示装置に用いられる電流駆動型の発光部として、有機エレクトロルミネッセンス素子、ＬＥＤ素子、半導体レーザ素子などを用いることができる。これらの素子は、周知の材料や方法を用いて構成することができる。平面型の表示装置を構成する観点からは、中でも、発光部は有機エレクトロルミネッセンス発光部から成る構成とすることが好ましい。
　上述した各種の好ましい構成を含む本開示の表示装置において、駆動回路は、更に、信号電圧を容量部に書き込むための書込みトランジスタを含んでいる構成とすることができる。この場合において、定電流トランジスタと駆動トランジスタと書込みトランジスタとは、同じ導電型の電界効果トランジスタから成る構成とすることができる。
　以下、本開示に係る表示装置や電子機器を、単に、本開示と呼ぶ場合がある。本開示において、駆動回路は、半導体基板や、半導体材料層が形成された絶縁基板などに形成することができる。駆動回路を半導体基板に形成されたトランジスタによって構成するといった場合、例えばシリコンから成る半導体基板にウェル領域を設け、ウェル内にトランジスタを形成するといった構成とすればよい。
　表示装置に用いられる各種配線は、例えば、真空蒸着法やスパッタリング法に例示される物理的気相成長法（ＰＶＤ法）、各種の化学的気相成長法（ＣＶＤ法）などの周知の成膜方法と、エッチング法やリフトオフ法などの周知のパターニング法との組み合わせによって形成することができる。
　表示装置を駆動するソースドライバなどは、表示素子が配置される半導体基板などに集積されて一体となった構成であってもよいし、適宜別体として構成されていてもよい。これらは、周知の回路素子を用いて構成することができる。例えば、図１に示す垂直スキャナー、及び、電源部についても、周知の回路素子を用いて構成することができる。ヘッドマウントディスプレイ用やビューファインダ用の表示装置など、小型化が要求される用途においては、表示素子とドライバとが、同じ半導体基板などの上に形成されているといった構成とすることが好ましい。
　表示装置は、所謂モノクロ表示の構成であってもよいし、カラー表示の構成であってもよい。カラー表示の構成とする場合には、１つのカラー画素は複数の画素から成る構成、具体的には、１つのカラー画素は、赤色表示画素、緑色表示画素、及び、青色表示画素の組から成る構成とすることができる。更には、これらの３種の画素に更に１種類あるいは複数種類の画素を加えた１組から構成することもできる。
　表示装置の画素（ピクセル）の値として、Ｕ－ＸＧＡ（１６００，１２００）、ＨＤ－ＴＶ（１９２０，１０８０）、Ｑ－ＸＧＡ（２０４８，１５３６）の他、（３８４０，２１６０）、（７６８０，４３２０）等、画像表示用解像度の幾つかを例示することができるが、これらの値に限定するものではない。
　また、本開示の表示装置を備えた電子機器として、直視型や投射型の表示装置の他、画像表示機能を備えた各種の電子機器を例示することができる。
　本明細書における各種の条件は、数学的に厳密に成立する場合の他、実質的に成立する場合にも満たされる。設計上あるいは製造上生ずる種々のばらつきの存在は許容される。また、以下の説明で用いる各図面は模式的なものであり、実際の寸法やその割合を示すものではない。例えば、後述する図４は表示装置の断面構造を示すが、幅、高さ、厚さなどの割合を示すものではない。
［第１の実施形態］
　第１の実施形態は、本開示に係る、表示装置、及び、電子機器に関する。
　図１は、第１の実施形態に係る表示装置の概念図である。
　表示装置の概要について説明する。表示装置１は、画素を構成する表示素子７０が行方向と列方向とに２次元マトリクス状に配列されている画素アレイ部８０を有する。また、表示装置１は、行方向（図１においてＸ方向）に沿って配された画素行毎に設けられた、走査線ＷＳおよび給電線ＰＳ１、並びに、列方向（図１においてＹ方向）に沿って配された画素列毎に設けられたデータ線ＤＴＬを含んでいる。各表示素子７０は、走査線ＷＳと給電線ＰＳ１とデータ線ＤＴＬとに接続された状態で、行方向にＮ個、列方向にＭ個、合計Ｎ×Ｍ個の２次元マトリクス状に配列されている。
　２次元マトリクス状に配列された表示素子７０によって、画像を表示する画素アレイ部８０が構成される。画素アレイ部８０における表示素子７０の行数はＭであり、各行を構成する表示素子７０の数はＮである。以下の説明において、表示素子７０を、画素７０と表記する場合がある。
　走査線ＷＳおよび給電線ＰＳ１の本数は、それぞれＭ本である。第ｍ行目（但し、ｍ＝１，２・・・，Ｍ）の画素７０は、第ｍ番目の走査線ＷＳmおよび第ｍ番目の給電線ＰＳ１mに接続されており、１つの画素行を構成する。また、データ線ＤＴＬの本数はＮ本である。第ｎ列目（但し、ｎ＝１，２・・・，Ｎ）の画素７０は、第ｎ番目のデータ線ＤＴＬnに接続されている。
　尚、図１では記載を省略しているが、表示装置１は、全ての画素７０に共通に接続される共通給電線などといった、図示せぬ各種の配線を備えている。
　表示装置１は、画素アレイ部８０を駆動するためのソースドライバ１１０、垂直スキャナー１２０、及び、電源部１３０を備えている。
　画素アレイ部８０は、例えばシリコンから成る半導体材料層が形成されて成る基板１０の上に形成されている。尚、ソースドライバ１１０、垂直スキャナー１２０、及び、電源部１３０も、基板１０の上に形成されている。即ち、表示装置１は、ドライバ回路一体型の表示装置である。尚、場合によっては、画素アレイ部８０を駆動する各種回路が別体として構成されていてもよい。
　ソースドライバ１１０には、例えば図示せぬ装置から、表示すべき画像に応じた階調を表す信号ＬＤSigが入力される。信号ＬＤSigは、例えば低電圧のデジタル信号である。ソースドライバ１１０は、映像信号ＬＤSigの階調値に応じたアナログ信号を生成し、映像信号としてデータ線ＤＴＬに供給する。生成するアナログ信号は、最大値はソースドライバ１１０に供給される電源電圧と略同等であって、振れ幅は数ボルト程度といった信号である。
　垂直スキャナー１２０は、走査線ＷＳに走査信号を供給する。この走査信号によって、画素７０は例えば行単位で線順次走査される。電源部１３０は、走査線ＷＳの走査とは無関係に、給電線ＰＳ１に所定の電源電圧ＶCC（例えば１０ボルト程度）を継続して供給するとして説明する。尚、場合によっては、走査線ＷＳの走査に対応して、給電線ＰＳ１に供給する電圧を切り替えるといった構成であってもよい。
　表示装置１は、例えばカラー表示の表示装置であり、行方向に並ぶ３つの画素７０から成る群が１つのカラー画素を構成する。従って、Ｎ’＝Ｎ／３とすれば、画素アレイ部８０には、行方向にＮ’個、列方向にＭ個、合計Ｎ’×Ｍ個のカラー画素が配列される。
　上述したように、垂直スキャナー１２０の走査信号によって、画素７０は行単位で線順次走査される。第ｍ行、第ｎ列目に位置する画素７０を、以下、第（ｎ，ｍ）番目の画素７０と呼ぶ。
　表示装置１にあっては、第ｍ行目に配列されたＮ個の画素７０が同時に駆動される。換言すれば、行方向に沿って配されたＮ個の画素７０にあっては、その発光／非発光のタイミングは、それらが属する行単位で制御される。表示装置１の表示フレームレートをＦＲ（回／秒）と表せば、表示装置１を行単位で線順次走査するときの１行当たりの走査期間（いわゆる水平走査期間）は、（１／ＦＲ）×（１／Ｍ）秒未満である。
　以上、表示装置１の概要について説明した。次いで、画素（表示素子）７０の詳細について説明する。
　図２は、電圧駆動方式の駆動回路を備えた画素（表示素子）の基本的な動作を説明するための模式的な回路図である。尚、図示の都合上、図２においては、１つの画素７０、より具体的には、第（ｎ，ｍ）番目の画素７０についての結線関係を示した。
　図２に示すように、画素（表示素子）７０は、電流駆動型の発光部ＥＬＰ、及び、発光部ＥＬＰを駆動するための駆動回路７１を備えている。駆動回路７１は、発光部ＥＬＰの一端（アノード電極）に電圧を供給するための電圧源ＶＳの電圧を、データ線ＤＴＬからの電圧ＶSigによって制御するといった構成である。発光部ＥＬＰの他端（カソード電極）は、例えば共通給電線ＰＳ２に接続されており、共通の電圧ＶSS（例えば接地電位）が供給される。
　発光部ＥＬＰの両端の電位差（電圧）に応じて、発光部ＥＬＰには、Ｖ－Ｉ特性に応じた電流が流れる。発光部ＥＬＰの輝度は流れる電流量によって定まるので、電圧駆動方式の駆動回路を備えた画素は、発光部におけるＶ－Ｉ特性のばらつきの影響を潜在的に有する。このため、他のばらつき要因、より詳しくは、発光部ＥＬＰの一端（アノード電極）に供給される電圧のばらつきをできるだけ低減することが好ましい。
　以下説明するように、第１の実施形態にあっては、電圧源ＶＳを構成するトランジスタの構成を限定することによって、発光部ＥＬＰに供給される電圧のばらつきを低減した。
　図３は、表示装置に用いられる駆動回路の具体的な構成を説明するための模式的な回路図である。
　第１の実施形態において、駆動回路７１は、
　定電流トランジスタＴＲCC、
　定電流トランジスタＴＲCCに対してソースフォロワ接続されているとともに、発光部ＥＬＰとソース電極とが接続されている駆動トランジスタＴＲDR、及び、
　駆動トランジスタＴＲDRのゲート電圧を保持する容量部ＣS、
を少なくとも含んでいる。駆動回路７１は、更に、信号電圧ＶSigを容量部ＣSに書き込むための書込みトランジスタＴＲWSを含んでいる。
　後で図５などを参照して詳しく説明するが、定電流トランジスタＴＲCCと駆動トランジスタＴＲDRとは、チャネル長に対するチャネル幅の比が同じになるように形成されている。より具体的には、定電流トランジスタＴＲCCと駆動トランジスタＴＲDRとは、同じトランジスタサイズで形成されている。定電流トランジスタＴＲCCと駆動トランジスタＴＲDRとは、同じ導電型（ここではｎチャネル型）の電界効果トランジスタから成る。書込みトランジスタＴＲWSにおいても同様である。
　駆動トランジスタＴＲDRにおいて、一方のソース／ドレイン電極は給電線ＰＳ１に接続されており、所定の駆動電圧ＶCCが印加される。また、他方のソース／ドレイン電極は、定電流トランジスタＴＲCCの一方のソース／ドレイン電極、及び、発光部ＥＬＰの一端（アノード電極）に接続されている。定電流トランジスタＴＲCCの他方のソース／ドレイン電極は、共通給電線ＰＳ２に接続されている。定電流トランジスタＴＲCCのゲート電極には、後述するゲート電圧Ｖg_CCが印加される。尚、図３に示す例では、発光部ＥＬＰの他端（カソード電極）と定電流トランジスタＴＲCCの他方のソース／ドレイン電極とはいずれも共通給電線ＰＳ２に接続されているが、これらは、それぞれ別の給電線に接続され、別々の電源から電圧が供給される構成であってもよい。
　書込みトランジスタＴＲWSにおいて、一方のソース／ドレイン電極はデータ線ＤＴＬに接続されており、ゲート電極は走査線ＷＳに接続されている。駆動トランジスタＴＲDRのゲート電極には、書込みトランジスタＴＲWSの他方のソース／ドレイン電極と、容量部ＣSの一方の電極とが接続されている。容量部ＣSの他方の電極は、共通給電線ＰＳ２に接続されており、電圧ＶSSが供給される。
　発光部ＥＬＰは、流れる電流値に応じて発光輝度が変化する電流駆動型の発光部であって、具体的には、有機エレクトロルミネッセンス発光部から成る。発光部ＥＬＰは、アノード電極、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、及び、カソード電極等から成る周知の構成や構造を有する。
　以下、駆動トランジスタＴＲDRおよび定電流トランジスタＴＲCCについて、一方のソース／ドレイン電極を単にドレイン電極とよび、他方のソース／ドレイン電極を単にソース電極と呼ぶ。この駆動回路７１における駆動の概要について説明する。
　走査線ＷＳからの走査信号によって導通状態とされた書込みトランジスタＴＲWSを介して、データ線ＤＴＬから信号電圧ＶSigを駆動トランジスタＴＲDRのゲート電極に印加した後、書込みトランジスタＴＲWSを非導通状態とする。容量部ＣSは、駆動トランジスタＴＲDRのゲート電圧を１フレーム期間の間に亘り保持する。
　定電流トランジスタＴＲCCは、定電流源として機能するように電圧設定されている。駆動トランジスタＴＲDRはソースフォロワ接続されており、駆動トランジスタＴＲDRのソース電圧は、駆動トランジスタＴＲDRのゲート電圧によって制御される。駆動トランジスタＴＲDRのゲート電圧は１フレーム期間の間に亘り保持されるので、ゲート電圧に応じたソース電圧が１フレーム期間の間に亘って出力される。
　駆動トランジスタＴＲDRのソース電圧は発光部ＥＬＰのアノード電圧に該当する。発光部ＥＬＰにはアノード電極とカソード電極との間の電位差に応じた電流が流れ、発光部ＥＬＰは電流値に応じた輝度で発光する。結果として、発光部ＥＬＰの輝度は駆動トランジスタＴＲDRのソース電圧によって決定されるので、駆動トランジスタＴＲDRのソース電圧がばらつくと、発光部ＥＬＰの輝度もばらつく。
　ここで、発光部ＥＬＰやトランジスタなどの立体的な配置関係について説明する。図４は、画素アレイ部における画素を含む部分の模式的な一部断面図である。
　基板１０は、例えばガラス材料から成る。この基板１０上に、発光部ＥＬＰの発光を制御するトランジスタを含む駆動回路が形成されている。
　基板１０上には、例えばシリコンから成る半導体材料層１１が形成されており、その上に、駆動回路７１を構成する各種トランジスタのゲート電極１３が形成されている。符号１２は、ゲート絶縁膜を示す。ゲート電極１３は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）などの金属、またはポリシリコンなどを用いて形成することができる。ゲート絶縁膜１２は、例えば、シリコン酸化物（ＳｉＯx）やシリコン窒化物（ＳｉＮx）などを用いて形成することができる。
　半導体材料層１１は、非晶質シリコン、多結晶シリコン、酸化物半導体などを用いて形成することができる。また、半導体材料層１１の一部領域は、不純物がドープされており、ソース／ドレイン領域を形成する。更に、一方のソース／ドレイン領域と他方のソース／ドレイン領域との間に位置し、かつ、ゲート電極１３の下方に位置する半導体材料層１１の領域は、チャネル領域を形成する。これらによって、基板１０上に、トップゲート型の薄膜トランジスタが形成される。尚、図示の都合上、ソース／ドレイン領域やチャネル領域の表示は省略されている。また、図示の都合上、図２では、駆動トランジスタＴＲDRのみが示されている。
　ゲート電極１３を含む全面には層間絶縁膜１４が形成されている。層間絶縁膜１４は、例えば、シリコン酸化物（ＳｉＯx）、シリコン窒化物（ＳｉＮx）、またはシリコン酸窒化物（ＳｉＯxＮy）などから形成されている。その上に、各種の電極や配線を含む配線層２０が形成されている。各種の電極や配線を、符号２１を用いて模式的に示した。
　配線層２０には、トランジスタに接続される各種のビア２２Ａ，２２Ｂ，２２Ｃが形成されている。そして、配線層２０上には、ビアに接続される各種の配線やコンタクト（符号３１Ａ，３１Ｂ，３１Ｃで表す）が形成されている。これらは、例えば金属材料などから形成することができる。
　そして、配線層２０の全面を覆うように平坦化膜３２が形成されている。平坦化膜３２は、表面を被覆し平坦化するために形成される。平坦化膜３２は、ポリイミド系樹脂、アクリル系樹脂、もしくはノボラック系樹脂などの有機絶縁膜、またはシリコン酸化物（ＳｉＯx）、シリコン窒化物（ＳｉＮx）、もしくは酸シリコン窒化物（ＳｉxＮy）などの無機絶縁膜を用いて形成することができる。
　アノード電極３３は、平坦化膜３２の上に、２次元マトリクス状に配列して形成されている。アノード電極３３は、コンタクト３１Ａとビア２２Ａとを介して駆動トランジスタＴＲDRのソース／ドレイン電極に接続されている。尚、図は模式的に示されており、図３に示す駆動回路７１の構成要素を全て示したものではない。例えば、図３に示した容量部ＣSを構成する電極の図示は省略されている。
　隔壁部３４は、隣接するアノード電極３３の間に設けられており、アノード電極３３の各々を離隔する。隔壁部３４は、無機酸化物、無機窒化物、無機酸窒化物、あるいは又、樹脂材料などを用いて形成することができる。
　有機層４０は、アノード電極３３上と隔壁部３４上を含む全面に形成されている。有機層４０は、各アノード電極３３に対して共通に形成された発光層を含んでおり、白色光を発光する。そして、有機層４０上を含む全面に、透明なカソード電極５１が形成されている。
　有機層４０は、アノード電極３３側から、ホール注入層、ホール輸送層、赤色発光層、発光分離層、青色発光層、緑色発光層、電子輸送層などといった、複数の材料層が積層されて成る。尚、図では有機層４０を一層で示した。
　透明なカソード電極５１は、有機層４０上を含む全面に形成されている。カソード電極５１は、光透過性が良好で仕事関数が小さい材料から構成されている。アノード電極３３と有機層４０とカソード電極５１とが積層された部分によって、図３に示す発光部ＥＬＰが構成される。
　保護膜６１は、カソード電極５１上を含む全面に形成されている。保護膜６１は、有機層４０への水分の侵入を防止するためのものであって、透水性の低い材料を用いて形成される。保護膜６１には、カラーフィルタ６２が形成された対向基板６３が配置されている。対向基板６３は、保護膜６１の上に、紫外線硬化樹脂や熱硬化性樹脂などを用いて貼り合わすことによって配置することができる。
　以上、発光部ＥＬＰやトランジスタなどの立体的な配置関係について説明した。引き続き、駆動回路におけるトランジスタ等の平面的な配置について説明する。
　図５は、第１の実施形態に係る駆動回路におけるトランジスタ等の配置を説明するための模式的な平面図である。
　図に示すように、駆動回路が配置される平面領域には、駆動トランジスタＴＲDR、定電流トランジスタＴＲCC、書込みトランジスタＴＲWS、及び、容量部ＣSが配置されている。図において、駆動トランジスタＴＲDRと定電流トランジスタＴＲCCとは上段側、書込みトランジスタＴＲWSと容量部ＣSとは下段側に配置されている。そして、定電流トランジスタＴＲCCと駆動トランジスタＴＲDRとは、駆動回路が配置される平面領域において隣接して形成されている。
　尚、各トランジスタを構成する半導体材料層の部分を太い破線で示し、ゲート電極の部分を太い一点鎖線で示した。後述する図６、図７、図８、図９においても同様である。
　そして、定電流トランジスタＴＲCCと駆動トランジスタＴＲDRとは、チャネル長に対するチャネル幅の比が同じになるように形成されている。より具体的には、定電流トランジスタＴＲCCと駆動トランジスタＴＲDRとは、同じトランジスタサイズで形成されている。定電流トランジスタＴＲCCのチャネル長およびチャネル幅を符号ＬCCおよび符号ＷCC、並びに、駆動トランジスタＴＲDRのチャネル長およびチャネル幅を符号ＬDRおよび符号ＷDRで表せば、
ＷCC＝ＷDR
ＬCC＝ＬDR
ＷCC／ＬCC＝ＷDR／ＬDR
である。
　以下説明するように、このように設定することによって、駆動トランジスタＴＲDRのソース電圧のばらつきを軽減することができる。
　駆動トランジスタＴＲDRのゲート電圧とソース電圧との関係について説明する。
　以下の説明において、駆動トランジスタＴＲDRのゲート電圧、ドレイン電圧、ソース電圧、及び、閾値電圧を、それぞれ、符号Ｖg_DR、符号Ｖd_DR、符号Ｖs_DR、符号Ｖth_DRで表す。同様に、定電流トランジスタＴＲCCのゲート電圧、ドレイン電圧、ソース電圧、及び、閾値電圧を、それぞれ、符号Ｖg_CC、符号Ｖd_CC、符号Ｖs_CC、符号Ｖth_CCで表す。
　画素を構成する各トランジスタは飽和領域で動作するように電圧設定されているとする。従って、駆動トランジスタＴＲDRにおいて、
　Ｖgs_DR－Ｖth_DR＜Ｖds_DR 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　（１）
である。
　また、駆動トランジスタＴＲDRに流れるドレイン電流Ｉds_DRは、
　Ｉds_DR＝（１／２）・βDR・（Ｖg_DR－Ｖs_DR－Ｖth_DR）2 　　　　　　（２）
と表される。
　尚、
　βDR≡μDR・（ＷDR／ＬDR）・Ｃox_DR
であって、
μDR 　：駆動トランジスタＴＲDRにおける実効的な移動度
ＬDR 　：駆動トランジスタＴＲDRのチャネル長
ＷDR 　：駆動トランジスタＴＲDRのチャネル幅
Ｃox_DR：駆動トランジスタＴＲDRにおける（ゲート絶縁層の比誘電率）×（真空の誘電率）／（ゲート絶縁層の厚さ）
である。
　引き続き、定電流トランジスタＴＲCCに流れる電流について説明する。トランジスタは飽和領域で動作するように電圧設定されており、また、Ｖs_CC＝ＶSS＝０［ボルト］とすれば、定電流トランジスタＴＲCCに流れるドレイン電流Ｉds_CCは、
　Ｉds_CC＝（１／２）・βCC・（Ｖg_CC－Ｖth_CC）2 　　　　　　　　　　（３）
と表される。
　尚、
　βCC≡μCC・（ＷCC／ＬCC）・Ｃox_CC
であって、
μCC 　：定電流トランジスタＴＲCCにおける実効的な移動度
ＬCC 　：定電流トランジスタＴＲCCのチャネル長
ＷCC 　：定電流トランジスタＴＲCCのチャネル幅
Ｃox_CC：定電流トランジスタＴＲCCにおける（ゲート絶縁層の比誘電率）×（真空の誘電率）／（ゲート絶縁層の厚さ）
である。
　ここで、発光部ＥＬＰに電流が流れない場合には、Ｉds_DR＝Ｉds_CCである。このとき、上記の式（２）及び式（３）から、
　βDR・（Ｖg_DR－Ｖs_DR－Ｖth_DR）2＝βCC・（Ｖg_CC－Ｖth_CC）2　　　（４）
となる。
　上記の式（４）をＶs_DRについて解くと、
　Ｖs_DR＝Ｖg_DR－Ｖth_DR－（βCC／βDR）1/2・（Ｖg_CC－Ｖth_CC） 　　（５）
となる。
　上述したように、Ｖs_DRは発光部ＥＬＰのアノード電圧であるため、Ｖs_DRの値によって画素の輝度が決定される。
　ここで、上記の式（５）から、Ｖs_DRは、
　・　Ｖg_DR 　：駆動トランジスタＴＲDRのゲート電圧、即ち、信号電圧ＶSig
　・　Ｖth_DR　：駆動トランジスタＴＲDRの閾値電圧、
　・　βDR 　　：駆動トランジスタＴＲDRのβ値
　・　Ｖg_CC 　：定電流トランジスタＴＲCCのゲート電圧
　・　Ｖth_CC　：定電流トランジスタＴＲCCの閾値電圧、
　・　βCC 　　：定電流トランジスタＴＲCCのβ値
といった６個の要素によって決定されることがわかる。
　Ｖs_DRを決定する６個の要素のうち、表示装置１の各画素間におけるばらつきを無視することができる項目は、１番目のＶg_DRと、４番目のＶg_CCであって、ともにトランジスタのゲート電圧である。前者は信号電圧ＶSigであって、表示すべき画像の輝度に対応した電圧が外部から供給される。従って、画素間におけるばらつきは無視することができる。また、後者は定電流源としてトランジスタを駆動するために供給される電圧であるが、画素毎にこの電圧を調整するといったことは現実的ではない。従って、基本的には全画素において同じ電圧が供給されるので、画素間におけるばらつきは無視することができる。
　ここで、上記の式（５）を、以下のように３つの項の加減から成る形に変形する。
　Ｖs_DR＝Ｖg_DR
　　　　　－（βCC／βDR）1/2・Ｖg_CC
　　　　　＋（βCC／βDR）1/2・（Ｖth_CC－Ｖth_DR） 　　　　　　　　　（６）
　上記の式（６）から、Ｖs_DRの値は、３つの項によって決定されることが分かる。　即ち、
　・　駆動トランジスタＴＲDRのゲート電圧Ｖg_DRから成る第１項
　・　駆動トランジスタＴＲDRのβ値および定電流トランジスタＴＲCCのβ値、並びに、
　　　定電流トランジスタＴＲCCのゲート電圧Ｖg_CCから成る第２項
　・　駆動トランジスタＴＲDRのβ値および定電流トランジスタＴＲCCのβ値、並びに、
　　　駆動トランジスタＴＲDRの閾値電圧Ｖth_DRおよび定電流トランジスタＴＲCCの閾
　　　値電圧Ｖth_CCから成る第３項
である。
　ここで、画素間において最もばらつく要因は、画素を構成するトランジスタの閾値電圧である。閾値電圧がばらつくと、上記の３つの項のうち第３項がばらつく。結果として、各画素における輝度がばらつくこととなる。
　本開示はこの点に着目した。そして、定電流トランジスタＴＲCCおよび駆動トランジスタＴＲDRのチャネル長とチャネル幅を揃えることによって、各画素における輝度のばらつきを低減した。
　図５に示すように駆動トランジスタＴＲDRおよび定電流トランジスタＴＲCCのチャネル長とチャネル幅が揃っている構成にあっては、βDR≒βCCといった関係となる。従って、上記の式（６）において（βCC／βDR）＝１であるとして扱えば、式（６）は以下のように変形される。
　Ｖs_DR＝Ｖg_DR－Ｖg_CC＋（Ｖth_CC－Ｖth_DR）　　　　　　　　　　　　（７）
　また、同じ画素内にあるトランジスタの閾値電圧の差は非常に小さいので、Ｖth_DR≒Ｖth_CCといった関係にある。従って、上記の式（７）は、
　Ｖs_DR≒Ｖg_DR－Ｖg_CC　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　（８）
のように表される。
　これに対し、図６に示すように、定電流トランジスタＴＲCCや駆動トランジスタＴＲDRの形成において、
ＷCC≠ＷDR
ＬCC≠ＬDR
ＷCC／ＬCC≠ＷDR／ＬDR
といった配置がされていた場合には、上記の式（６）において（βCC／βDR）＝１として扱うことができない。従って、Ｖs_DRは式（８）のように扱うことができず、式（６）における第３項のばらつきが残ることとなる。
　以上説明したように、図５に示すように駆動トランジスタＴＲDRおよび定電流トランジスタＴＲCCのチャネル長とチャネル幅が揃っている構成にあっては、基本的にＶs_DRは、ゲート電圧Ｖg_DRとゲート電圧Ｖg_CCによって決定される。
　そして、ゲート電圧Ｖg_DRとゲート電圧Ｖg_CCとは、画素間におけるばらつきを無視することができる電圧である。従って、Ｖs_DRにおける画素間のばらつきは低減されるので、各画素における輝度のばらつきを低減することができる。また、定電流トランジスタＴＲCCと駆動トランジスタＴＲDRとは、駆動回路が配置される平面領域において隣接して形成されているので電気的な特性差も少ない。これによって、更にばらつきを減らすことができる。
　引き続き、各種変形例について説明する。
　図７は、第１変形例の駆動回路におけるトランジスタ等の配置を説明するための模式的な平面図である。
　図７においても、駆動回路が配置される平面領域には、駆動トランジスタＴＲDR、定電流トランジスタＴＲCC、書込みトランジスタＴＲWS、及び、容量部ＣSが配置されている。図において、容量部ＣSと駆動トランジスタＴＲDRとは上段側、定電流トランジスタＴＲCCと書込みトランジスタＴＲWSとは下段側に配置されている。定電流トランジスタＴＲCCと駆動トランジスタＴＲDRとは対角線上に配置されている。この例においても、
ＷCC＝ＷDR
ＬCC＝ＬDR
ＷCC／ＬCC＝ＷDR／ＬDR
である。但し、定電流トランジスタＴＲCCと駆動トランジスタＴＲDRとは隣接していないので、トランジスタ特性の同一性という点では図５の配置のほうが有利である。
　図８は、第２変形例の駆動回路におけるトランジスタ等の配置を説明するための模式的な平面図である。
　図８においても、駆動回路が配置される平面領域には、駆動トランジスタＴＲDR、定電流トランジスタＴＲCC、書込みトランジスタＴＲWS、及び、容量部ＣSが配置されている。図において、容量部ＣSと書込みトランジスタＴＲWSは左側、駆動トランジスタＴＲDRと書込みトランジスタＴＲWS定電流トランジスタＴＲCCとは右側に配置されている。そして、定電流トランジスタＴＲCCと駆動トランジスタＴＲDRとは縦方向に並んで隣接して配置されている。この例においても、
ＷCC＝ＷDR
ＬCC＝ＬDR
ＷCC／ＬCC＝ＷDR／ＬDR
である。定電流トランジスタＴＲCCと駆動トランジスタＴＲDRとは隣接しているので、トランジスタ特性の同一性という点では図５と同様の効果が得られる。
　図９は、第３変形例の駆動回路におけるトランジスタ等の配置を説明するための模式的な平面図である。
　図９においても、駆動回路が配置される平面領域には、駆動トランジスタＴＲDR、定電流トランジスタＴＲCC、書込みトランジスタＴＲWS、及び、容量部ＣSが配置されている。図において、駆動トランジスタＴＲDRと定電流トランジスタＴＲCCとは上段側、書込みトランジスタＴＲWSと容量部ＣSとは下段側に配置されている。そして、定電流トランジスタＴＲCCと駆動トランジスタＴＲDRとは、駆動回路が配置される平面領域において隣接して形成されている。定電流トランジスタＴＲCCは駆動トランジスタＴＲDRに対してサイズが縮小されているが、
ＷCC／ＬCC＝ＷDR／ＬDR
といった関係は保っている。この構成においても、基本的には、（βCC／βDR）は概ね１と扱うことができるので、Ｖs_DRにおける画素間のばらつきは低減される。
　以上に説明した本開示に係る各種の表示装置は、定電流トランジスタと駆動トランジスタとは、チャネル長に対するチャネル幅の比が同じになるように形成されている。これによって、画素を構成する表示素子の発光部に対して、表示素子間においてできるだけばらつきの少ない電圧を供給することができる。また、本開示に係る表示装置を用いた電子機器によれば、輝度ばらつきの少ない画像を表示することができる。
［電子機器］
　以上説明した本開示の表示装置は、電子機器に入力された映像信号、若しくは、電子機器内で生成した映像信号を、画像若しくは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示部（表示装置）として用いることができる。一例として、例えば、テレビジョンセット、デジタルスチルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話機等の携帯端末装置、ビデオカメラ、ヘッドマウントディスプレイ（頭部装着型ディスプレイ）等の表示部として用いることができる。
　本開示の表示装置は、封止された構成のモジュール形状のものをも含む。一例として、画素アレイ部に透明なガラス等の対向部が貼り付けられて形成された表示モジュールが該当する。尚、表示モジュールには、外部から画素アレイ部への信号等を入出力するための回路部やフレキシブルプリントサーキット（ＦＰＣ）などが設けられていてもよい。以下に、本開示の表示装置を用いる電子機器の具体例として、デジタルスチルカメラ及びヘッドマウントディスプレイを例示する。但し、ここで例示する具体例は一例に過ぎず、これに限られるものではない。
（具体例１）
　図１０は、レンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラの外観図であり、図１０Ａにその正面図を示し、図１０Ｂにその背面図を示す。レンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラは、例えば、カメラ本体部（カメラボディ）４１１の正面右側に交換式の撮影レンズユニット（交換レンズ）４１２を有し、正面左側に撮影者が把持するためのグリップ部４１３を有している。
　そして、カメラ本体部４１１の背面略中央にはモニタ４１４が設けられている。モニタ４１４の上部には、ビューファインダ（接眼窓）４１５が設けられている。撮影者は、ビューファインダ４１５を覗くことによって、撮影レンズユニット４１２から導かれた被写体の光像を視認して構図決定を行うことが可能である。
　上記の構成のレンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラにおいて、そのビューファインダ４１５として本開示の表示装置を用いることができる。すなわち、本例に係るレンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラは、そのビューファインダ４１５として本開示の表示装置を用いることによって作製される。また、背面に配置されるモニタ４１４についても同様に本開示の表示装置を用いることができる。
（具体例２）
　図１１は、ヘッドマウントディスプレイの外観図である。ヘッドマウントディスプレイは、例えば、眼鏡形の表示部５１１の両側に、使用者の頭部に装着するための耳掛け部５１２を有している。このヘッドマウントディスプレイにおいて、その表示部５１１として本開示の表示装置を用いることができる。すなわち、本例に係るヘッドマウントディスプレイは、その表示部５１１として本開示の表示装置を用いることによって作製される。
（具体例３）
　図１２は、シースルーヘッドマウントディスプレイの外観図である。シースルーヘッドマウントディスプレイ６１１は、本体部６１２、アーム６１３および鏡筒６１４で構成される。
　本体部６１２は、アーム６１３および眼鏡６００と接続される。具体的には、本体部６１２の長辺方向の端部はアーム６１３と結合され、本体部６１２の側面の一側は接続部材を介して眼鏡６００と連結される。なお、本体部６１２は、直接的に人体の頭部に装着されてもよい。
　本体部６１２は、シースルーヘッドマウントディスプレイ６１１の動作を制御するための制御基板や、表示部を内蔵する。アーム６１３は、本体部６１２と鏡筒６１４とを接続させ、鏡筒６１４を支える。具体的には、アーム６１３は、本体部６１２の端部および鏡筒６１４の端部とそれぞれ結合され、鏡筒６１４を固定する。また、アーム６１３は、本体部６１２から鏡筒６１４に提供される画像に係るデータを通信するための信号線を内蔵する。
　鏡筒６１４は、本体部６１２からアーム６１３を経由して提供される画像光を、接眼レンズを通じて、シースルーヘッドマウントディスプレイ６１１を装着するユーザの目に向かって投射する。このシースルーヘッドマウントディスプレイ６１１において、本体部６１２の表示部に、本開示の表示装置を用いることができる。
［その他］
　なお、本開示の技術は以下のような構成も取ることができる。
［Ａ１］
　画素を構成する表示素子が行方向と列方向とに２次元マトリクス状に配列されている画素アレイ部を有し、
　表示素子は、電流駆動型の発光部、及び、発光部を駆動するための駆動回路を備えており、
　駆動回路は、
　定電流トランジスタ、
　定電流トランジスタに対してソースフォロワ接続されているとともに、発光部とソース電極とが接続されている駆動トランジスタ、及び、
　駆動トランジスタのゲート電圧を保持する容量部、
を少なくとも含んでおり、
　定電流トランジスタと駆動トランジスタとは、チャネル長に対するチャネル幅の比が同じになるように形成されている、
表示装置。
［Ａ２］
　定電流トランジスタと駆動トランジスタとは、同じトランジスタサイズで形成されている、
上記［Ａ１］に記載の表示装置。
［Ａ３］
　定電流トランジスタと駆動トランジスタとは、駆動回路が配置される平面領域において隣接して形成されている、
上記［Ａ１］または［Ａ２］に記載の表示装置。
［Ａ４］
　定電流トランジスタと駆動トランジスタとは、同じ導電型の電界効果トランジスタから成る、
上記［Ａ１］ないし［Ａ３］のいずれかに記載の表示装置。
［Ａ５］
　発光部は有機エレクトロルミネッセンス素子から成る、
上記［Ａ１］ないし［Ａ４］のいずれかに記載の表示装置。
［Ａ６］
　駆動回路は、更に、信号電圧を容量部に書き込むための書込みトランジスタを含んでいる、
上記［Ａ１］ないし［Ａ５］のいずれかに記載の表示装置。
［Ａ７］
　定電流トランジスタと駆動トランジスタと書込みトランジスタとは、同じ導電型の電界効果トランジスタから成る、
上記［Ａ６］に記載の表示装置。
［Ｂ１］
　画素を構成する表示素子が行方向と列方向とに２次元マトリクス状に配列されている画素アレイ部を有し、
　表示素子は、電流駆動型の発光部、及び、発光部を駆動するための駆動回路を備えており、
　駆動回路は、
　定電流トランジスタ、
　定電流トランジスタに対してソースフォロワ接続されているとともに、発光部とソース電極とが接続されている駆動トランジスタ、及び、
　駆動トランジスタのゲート電圧を保持する容量部、
を少なくとも含んでおり、
　定電流トランジスタと駆動トランジスタとは、チャネル長に対するチャネル幅の比が同じになるように形成されている、
表示装置を備えている電子機器。
［Ｂ２］
　定電流トランジスタと駆動トランジスタとは、同じトランジスタサイズで形成されている、
上記［Ｂ１］に記載の電子機器。
［Ｂ３］
　定電流トランジスタと駆動トランジスタとは、駆動回路が配置される平面領域において隣接して形成されている、
上記［Ｂ１］または［Ｂ２］に記載の電子機器。
［Ｂ４］
　定電流トランジスタと駆動トランジスタとは、同じ導電型の電界効果トランジスタから成る、
上記［Ｂ１］ないし［Ｂ３］のいずれかに記載の電子機器。
［Ｂ５］
　発光部は有機エレクトロルミネッセンス素子から成る、
上記［Ｂ１］ないし［Ｂ４］のいずれかに記載の電子機器。
［Ｂ６］
　駆動回路は、更に、信号電圧を容量部に書き込むための書込みトランジスタを含んでいる、
上記［Ｂ１］ないし［Ｂ５］のいずれかに記載の電子機器。
［Ｂ７］
　定電流トランジスタと駆動トランジスタと書込みトランジスタとは、同じ導電型の電界効果トランジスタから成る、
上記［Ｂ６］に記載の電子機器。
１・・・表示装置、１０・・・基板、１１・・・半導体材料層、１２・・・ゲート絶縁層、１３・・・ゲート電極、１４・・・層間絶縁膜、２０・・・配線層、２１・・・各種の電極や配線、２２Ａ，２２Ｂ，２２Ｃ・・・ビア、３１Ａ，３１Ｂ，３１Ｃ・・・配線やコンタクト、３２・・・平坦化膜、３３・・・アノード電極、３４・・・隔壁部、４０・・・有機層、５１・・・カソード電極、６１・・・保護膜、６２・・・カラーフィルタ、６３・・・対向基板、７０・・・表示素子（画素）、７１・・・駆動回路、８０・・・画素アレイ部、１１０・・・ソースドライバ、１２０・・・垂直スキャナー、１３０・・・電源部、ＴＲCC・・・定電流トランジスタ、ＴＲRD・・・駆動トランジスタ、ＴＲSWW・・・書込みトランジスタ、ＣS・・・容量部、ＥＬＰ・・・有機エレクトロルミネッセンス発光部、ＷＳ・・・走査線、ＤＴＬ・・・データ線、ＰＳ１・・・給電線、４１１・・・カメラ本体部、４１２・・・撮影レンズユニット、４１３・・・グリップ部、４１４・・・モニタ、４１５・・・ビューファインダ、５１１・・・眼鏡形の表示部、５１２・・・耳掛け部、６００・・・眼鏡、６１１・・・シースルーヘッドマウントディスプレイ、６１２・・・本体部、６１３・・・アーム、６１４・・・鏡筒

Claims (8)

  1. 　画素を構成する表示素子が行方向と列方向とに２次元マトリクス状に配列されている画素アレイ部を有し、
    　表示素子は、電流駆動型の発光部、及び、発光部を駆動するための駆動回路を備えており、
    　駆動回路は、
    　定電流トランジスタ、
    　定電流トランジスタに対してソースフォロワ接続されているとともに、発光部とソース電極とが接続されている駆動トランジスタ、及び、
    　駆動トランジスタのゲート電圧を保持する容量部、
    を少なくとも含んでおり、
    　定電流トランジスタと駆動トランジスタとは、チャネル長に対するチャネル幅の比が同じになるように形成されている、
    表示装置。
  2. 　定電流トランジスタと駆動トランジスタとは、同じトランジスタサイズで形成されている、
    請求項１に記載の表示装置。
  3. 　定電流トランジスタと駆動トランジスタとは、駆動回路が配置される平面領域において隣接して形成されている、
    請求項１に記載の表示装置。
  4. 　定電流トランジスタと駆動トランジスタとは、同じ導電型の電界効果トランジスタから成る、
    請求項１に記載の表示装置。
  5. 　発光部は有機エレクトロルミネッセンス素子から成る、
    請求項１に記載の表示装置。
  6. 　駆動回路は、更に、信号電圧を容量部に書き込むための書込みトランジスタを含んでいる、
    請求項１に記載の表示装置。
  7. 　定電流トランジスタと駆動トランジスタと書込みトランジスタとは、同じ導電型の電界効果トランジスタから成る、
    請求項６に記載の表示装置。
  8. 　画素を構成する表示素子が行方向と列方向とに２次元マトリクス状に配列されている画素アレイ部を有し、
    　表示素子は、電流駆動型の発光部、及び、発光部を駆動するための駆動回路を備えており、
    　駆動回路は、
    　定電流トランジスタ、
    　定電流トランジスタに対してソースフォロワ接続されているとともに、発光部とソース電極とが接続されている駆動トランジスタ、及び、
    　駆動トランジスタのゲート電圧を保持する容量部、
    を少なくとも含んでおり、
    　定電流トランジスタと駆動トランジスタとは、チャネル長に対するチャネル幅の比が同じになるように形成されている、
    表示装置を備えている電子機器。
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