CN1487782A - 半导体装置及半导体组件 - Google Patents

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Abstract

提供一种方法，能够通过焊接容易且可靠地将插入安装式半导体装置安装在外部线路板等上。在半导体装置1中，半导体元件2、3搭载在具有引脚4的引脚框5上。半导体元件2、3利用细金属丝6、7与引脚4连接。半导体装置1具有散热片8。各部件2～8由塑料外壳10密封。引脚4向塑料外壳外面露出。在端部引脚4a～4d上设置宽度宽的第1引脚部、宽度窄的第2引脚部，插入外部线路板的第3引脚部和使半导体装置1及外部线路板之间保持一定的间隙的突起状间隙保持部9。通过增加从引脚4到塑料外壳10的放热路径的热阻，可以提高引脚的温度上升性能，并改善焊接性能。

Description

半导体装置及半导体组件
技术领域
本发明涉及插入安装式半导体装置及半导体组件，更详细地说，涉及能改善引脚、特别是无铅焊接安装功率组件时的引脚的焊接性能的半导体装置及使用了该半导体装置的半导体组件。
背景技术
一般，插入安装式半导体装置通过将从该半导体装置突出的引脚插入外部线路板的通孔中再进行焊接来将其安装在外部线路板上。下面，以图23(a)～(d)和图24所示的DIPIPM为例说明现有的插入安装式半导体装置的结构及其向外部线路板安装的方法。
如图23(a)～(d)所示，在该现有的的半导体装置101中，功率用半导体元件102和控制用半导体元件103安装在具有引脚104的铜的引脚框105上。两个半导体元件102、103分别利用细金属丝6、7与相应的引脚电连接。进而，半导体装置101具有用来提高散热性能的散热片108。这里，引脚框105兼作电路衬底。而且，各部件102～108由塑料外壳110密封。
由图23(b)、(c)可知，在现有的半导体装置101(DIPIPM)中，引脚104由插入外部线路板(未图示)的通孔的很窄的前端部B1和宽度比该B1的部分宽的根部B2构成。而且，当将半导体装置101安装在外部线路板上时，利用引脚104的宽度变化的部分，使半导体装置101和外部线路板的位置在高度方向上相匹配，使两者之间的间隙(间隔)保持一定。
插入安装式半导体装置向外部线路板的焊接一般使用射流焊接方式或点射流焊接方式。它们是在向被焊接的引脚和外部线路板供给焊接剂之后，通过对其进行预热并在其后供给熔融的焊料，使引脚和外部线路板的温度上升到焊料的熔点温度之上，这样来进行焊接的。
现有的半导体装置101向外部线路板的焊接也采用同样的方法，这时，从引脚104的被焊接的部分B1，通过未插入外部线路板的部分B2向塑料外壳110放出大量的热。因此，在焊接过程中，引脚104的应被焊接的部分B1的温度达不到熔点温度，存在出现焊接不良的温度。
进而，当使用近年来从环境的观点出发使用量有所增加的以Sn为基础的无铅焊料时，与过去使用的Sn-Pb共晶焊料相比，其熔点温度提高了40°K，所以，上述问题更加突出。这是因为，如后面说明的那样，为了补偿焊料熔点温度的上升的部分(40°K)而提高预热温度或熔融焊接温度等处理温度是很困难的事情。
这里，对于表面安装式半导体装置，在焊接过程中，一般使用对被焊接的整个结构体、即半导体装置和线路板的全体进行加热的方式，例如，使用射流焊接等方式。因此，不会因从引脚向树脂外壳散热而引起焊接不良，不会出现问题。
对于这一问题，在特开昭63-76357号公报中提出了一种方法，即，如图25所示，在将半导体芯片202、细金属丝203、3种引脚205、207、209埋入树脂外壳201的半导体装置中，使高度调整用的引脚阶差部210、211、212的位置不同，且与位于树脂外壳201内的引脚埋入部204、206、208的体积对应。
但是，若按照该方法，则存在引脚阶差部211最靠近线路板的引脚207不能完全改善焊接性能的问题。我们知道，为了改善半导体装置的焊接性能，必需改善所有引脚的焊接性能。对于这一点，不得不说该方法不能完全解决问题。特别是当使用温度高的无铅焊料进行焊接安装时，还存在出现焊接不良的危险性高的问题。
进而，为了在与线路板接触时使半导体装置和线路板之间保持一定的间隙，有必要在相同高度的地方设置2个以上的引脚阶差部。但是，在该方法中，因引脚阶差部的位置不同且与引脚埋入部的金属引脚的体积对应，故存在为了在相同高度的地方设置2个以上的引脚阶差部而必须使引脚的设计受到制约的问题。此外，相反，当在引脚埋入部的金属引脚的体积不同的引脚之间、在相同高度的地方设置引脚阶差部时，存在不能确保良好的焊接性能的问题。进而，该方法还存在决定引脚阶差部的位置非常复杂的问题。
其次，若通过所谓提高预热温度的途径来回避上述问题，则整个外部线路板的温度会上升。而且，在外部线路板上不仅安装有半导体装置101还装有各种电子元件，其中尽管数量很少但还是存在有耐热温度低的元件(例如，电解电容)。因此，通过所谓提高预热温度的途径来解决问题具有一定局限性。进而，若因预热而使半导体装置101乃至外部线路板的温度过高，则会使焊剂失去活性。因此，在进行重要的焊接处理时，不能发挥其功效，反而会影响焊接性能。
此外，也曾采用通过提高供给的熔融焊料的温度来回避上述问题的方法，但正如上面所说，从元件的耐热温度或焊剂失去活性的观点来看，通过该方法来解决问题也存在一定的局限性。进而，也可以采用所谓延长处理时间的方法，但这时因整个外部线路板的温度上升，不仅不能解决上述问题，还会因处理时间增加而带来半导体装置成本的上升。
再有，如上所述，当使用无铅焊料安装半导体装置时，因焊料的熔点温度要上升40°K，故上述问题更突出，当然，使用上述方法来解决问题就更困难。
发明内容
本发明是鉴于上述问题提出的，其面临的课题是提供一种方法，不用提高预热温度或供给的熔融焊料的温度，不用延长处理时间，能够容易且可靠地将插入安装式半导体装置安装在外部线路板等上。
为了解决上述课题，本发明第1形态的半导体装置是一种插入安装式半导体装置，具有塑料外壳、从塑料外壳向外部突出的多个引脚、由塑料外壳保护的单个或多个半导体元件和由塑料外壳保护且连接半导体元件和引脚的布线，通过将引脚插入设在外部电路部件上的引脚插入部再进行焊接，将其安装在外部电路部件上，其特征在于：具有引脚位于塑料外壳一侧的第1引脚部、位于第1引脚部的前端的第2引脚部、位于第2引脚部的前端且插入引脚插入部的第3引脚部，第2引脚部的截面积设定得比第1引脚部的截面积小，至少有一部分引脚是位于第2引脚部的前端且具有使半导体装置和外部电路部件的间隙保持一定的间隙保持装置的间隙保持用引脚，而且，间隙保持装置通过使局部引脚宽度比第2引脚的宽度大来形成。
在本发明的第1形态的半导体装置中，引脚最好作为引脚框的一部分形成。当引脚呈列状配置在塑料外壳的侧面时，最好将该列两端的引脚作为间隙保持用引脚。此外，第1引脚部的厚度和第2引脚部的厚度相同，而且，第2引脚部的宽度最好比第1引脚部的宽度窄。
在本发明的第1形态的半导体装置中，引脚最好由铜或以铜为主要成分的合金形成。第2引脚部的截面积最好在第3引脚部的截面积的175％以下，若在130％以下则更好。作为半导体元件，可以列举功率半导体元件和控制半导体元件等。第2引脚部的截面积最好和第3引脚部的截面积相同。
在本发明的第1形态的半导体装置中，间隙保持装置可以是从引脚宽度方向向两边突起的形状。这时，间隙保持装置的引脚宽度最好和第1引脚部的引脚宽度相同。
此外，引脚可以通过将具有与第1引脚部对应的宽脚部、与第3引脚部对应的窄脚部以及连接宽脚部和窄脚部且形成2个孔部的系杆部的引脚框成直线状切断(系杆切断)来形成。这时，两个孔部不在窄脚部的范围内而位于沿着引脚的宽度方向的窄脚部的两侧，且位于宽脚部两侧边的延长线上。
本发明的第2形态的半导体装置不象本发明的第1形态的半导体装置那样，间隙保持装置是通过使局部引脚宽度比第2引脚的宽度大来形成，而是通过在引脚上设置2处以上的弯曲部来形成。在该半导体装置中，第3引脚部最好在形成第1引脚部的范围内形成，而在引脚宽度方向的一侧，且其位置和第1引脚部的侧边及第3引脚部的侧边在同一条直线上。
在本发明的第2形态的半导体装置中，引脚可以通过将具有与第1引脚部对应的宽脚部、与第3引脚部对应的窄脚部以及连接宽脚部和窄脚部且形成1个孔部的系杆部的引脚框成直线状切断来形成。这时，孔部不在窄脚部的范围内，而沿着引脚的宽度方向位于宽脚部一个侧边的延长线上，且不位于另一侧边的延长线上。
本发明的第3形态的半导体装置不象本发明的第1形态的半导体装置那样，间隙保持装置是通过使局部引脚宽度比第2引脚的宽度大来形成，而是在间隙保持用引脚中，第2引脚部和间隙保持装置通过在第1引脚部的前端的引脚上设置孔部来形成。在该半导体装置中，第2引脚部的两个侧边和第1引脚部的两个侧边最好分别位于同一条直线上。
在本发明的第3形态的半导体装置中，引脚可以通过将具有与第1引脚部对应的宽脚部、与第3引脚部对应的窄脚部以及连接宽脚部和窄脚部且形成1个孔部的系杆部的引脚框成直线状切断来形成。这时，孔部不包含在窄脚部的范围内，而沿着引脚的宽度方向位于宽脚部两个侧边的延长线上。
在本发明的第1～第3形态的半导体装置中，上述孔部最好是相对的两边与引脚的长度方向或引脚的宽度方向平行的长方形孔。
此外，在本发明的第1～第3形态的半导体装置中，引脚最好镀上以Sn(锡)为基础材料的不含Pb(铅)的焊料。
在本发明的第1形态的半导体装置中，引脚可以通过将具有与第1引脚部对应的宽脚部、与第3引脚部对应的窄脚部以及连接宽脚部和窄脚部且在窄脚部侧的部位形成2个缺口部的系杆部的引脚框成直线状切断来形成。这时，两个缺口部位于沿引脚宽度方向的窄脚部范围的两侧，同时位于宽脚部的两侧边的延长线上，且预先具有间隙保持装置。
本发明的半导体组件的特征在于：使用焊料将本发明的第1～第3形态中的任何一个半导体装置插入安装在外部电路部件上。在该半导体组件中，最好使用以Sn(锡)为基础材料的不含Pb(铅)的焊料将半导体装置安装在外部电路部件上。
附图说明
图1的(a)～(d)分别是实施形态1的半导体装置的上视图、正视图、后视图和侧视图。
图2的(a)是图1所示的半导体装置的侧视剖面图，(b)是将该半导体装置的1个端部引脚放大后示出的斜视图。
图3是表示实施形态1的半导体装置安装在外部线路板上的状态的正视图。
图4是引脚框的平面图。
图5是将图4所示的引脚框中的系杆部放大后示出的图。
图6是表示切断系杆部用以形成实施形态1的端部引脚的系杆切断法的图。
图7是表示切断系杆部用以形成实施形态1的端部引脚的又一个系杆切断法的图。
图8的(a)是实施形态2的半导体装置的正视图，(b)是将该半导体装置的1个端部引脚放大后示出的斜视图。
图9是表示切断系杆部用以形成实施形态2的端部引脚的系杆切断法的图。
图10是表示切断系杆部用以形成实施形态2的端部引脚的又一个系杆切断法的图。
图11的(a)是实施形态3的半导体装置的正视图，(b)是将该半导体装置的1个端部引脚放大后示出的斜视图，(c)是表示端部引脚的变形例的斜视图。
图12的(a)是表示切断系杆部用以形成实施形态3的端部引脚的系杆切断法的图，(b)是表示用以形成图11(c)所示的端部引脚的变形例的系杆切断法的图。
图13是表示切断系杆部用以形成实施形态3的端部引脚的又一个系杆切断法的图。
图14的(a)是实施形态4的半导体装置的正视图，(b)是将该半导体装置的1个端部引脚放大后示出的斜视图。
图15是表示切断系杆部用以形成实施形态4的端部引脚的系杆切断法的图。
图16是表示切断系杆部用以形成实施形态4的端部引脚的又一个系杆切断法的图。
图17的(a)～(c)分别是实施形态5的半导体装置的上视图、正视图和侧视图。
图18的(a)和(b)分别是实施形态5的半导体装置的后视图和侧视剖面图。
图19的(a)～(c)分别是实施形态6的半导体装置的上视图、正视图和侧视图。
图20的(a)和(b)分别是实施形态6的半导体装置的后视图和侧视剖面图。
图21是表示引脚和外部线路板的焊接部的金属结合状态(金属结构)的照片。
图22是实施形态8的半导体组件的斜视图。
图23的(a)～(d)分别是现有的的半导体装置的上视图、正视图、后视图和侧视图。
图24是图23所示的现有的半导体装置的侧视剖面图。
图25是表示另一个现有的半导体装置的构成的正视图。
发明的具体实施方式
下面，具体说明本发明的实施形态。
实施形态1.
下面，说明本发明的实施形态1。实施形态1的半导体装置是静电对应封装式的大型DIP。
图1的(a)～(d)分别是实施形态1的半导体装置的上视图、正视图、后视图和侧视图。图2的(a)是该半导体装置的侧视剖面图，图2的(b)是将该半导体装置的1个端部引脚放大后示出的斜视图。图3是表示将该半导体装置安装在线路板上的状态的正视图。再有，图1～图3的半导体是所谓插入安装式半导体装置。
如图1～图3所示，在实施形态1的半导体装置1中，功率半导体元件2和控制半导体元件3装在具有多个引脚4的铜制引脚框5上。两半导体元件2、3分别利用细金属丝6、7与对应的引脚4电连接。进而，半导体装置1具有用来提高散热性能的散热片8。这里，引脚框5兼作电路衬底。半导体装置1具有利用塑料外壳10将构成它的上述各部件2～8密封的结构。再有，引脚4的一部分露出到塑料外壳10的外面。
在半导体装置1的前面或后面，在沿半导体装置1的长边方向排列成1列的多个引脚4中的位于该列的两端部的引脚4a、4b、4c、4d(以下称作‘端部引脚’)上分别设置突起状的间隙保持部9。该间隙保持部9是为了在将半导体装置1插入安装在外部线路板25时用来使半导体装置1和外部线路板25之间的间隙d(间隔)保持一定而设置的。
这些端部引脚4a～4d分别具有从塑料外壳10突出的第1引脚部21、位于第1引脚部21和间隙保持部9之间的第2引脚部22和位于间隙保持部9的前端且插入外部线路板25的第3引脚部23。这里，第2、第3引脚部22、23的宽度(与引脚延伸方向垂直的方向上的尺寸)分别比第1引脚部21的宽度窄。因此，第2、第3引脚部22、23的截面积(与引脚延伸方向垂直的截面)也比第1引脚部21的截面积小。再有，该间隙保持部9的长度(引脚延伸方向上的尺寸)在具有能保持间隔d的强度的范围内希望越小越好。
下面，说明半导体装置1的制造方法。
在该半导体装置1的制造过程中，首先，利用芯片焊接将功率半导体元件2和控制半导体元件3安装在铜制的引脚框5上。其次，使用由A1形成的细金属丝6，利用布线结合使功率半导体元件2和引脚框5电连接，另一方面，使用由Au形成的细金属丝7，利用布线结合使控制半导体元件3和引脚框5电连接。而且，为了保护两半导体元件2、3和两细金属丝6、7，使用转移模塑技术形成塑料外壳10。这时，在塑料外壳10内装入散热片8。
然后，利用系杆切断工序切断引脚框5的多余的部分、例如系杆等，形成引脚4(包含端部引脚4a～4d)。利用浸渍技术或电镀技术等使引脚4镀上焊料，进而，进行引脚成形。由此，完成半导体装置1(成品)。
下面，详细说明引脚框5的形状。
图4示出引脚框5。图4中的虚线表示塑料外壳10的外形。图5将图4中的用R表示的包含系杆11的部分(以下称作‘系杆部’)放大后示出。
如图4和图5所示，从与系杆11的延伸方向(在图4、图5中是左右方向)垂直的方向看去，位于比系杆11更靠引脚框5的中央一侧(以下称作‘内侧’)的部分41(以下称作‘宽脚部’)的宽度比位于比系杆11更靠引脚框的端部一侧(以下称作‘外侧’)的部分43(以下称作‘窄脚部’)的宽度大。在最终的成品状态下，宽脚部41的一部分从塑料外壳10向外部突出，形成作为引脚4的一部分的第1引脚部21。这样，引脚4的靠近塑料外壳10的部分(以下称作‘根部’)的宽度宽，其刚性高，因此，确保了半导体装置1的刚性，特别是安装到外部线路板25之后的刚性。
此外，在制造半导体装置1时，为了防止引脚框5的变形等、特别是防止在模塑工序中引脚框5的一部分因模塑树脂而发生塑性变形或扭曲变形等不良现象，有必要提高根部的刚性。因此，确保了半导体装置1容易制造。基于这样的的理由，不能将整个引脚都做得很窄。因此，引脚4的根部、即第1引脚部21的宽度和以往的这种半导体装置的引脚一样。
其次，说明用来形成端部引脚4a～4d的系杆切断工序。
图6在图5所示的系杆附近增加了切断系杆的线、即系杆切断线(虚线)。即，在系杆切断工序中，沿该系杆切断线将系杆附近部分切断。由图6可知，通过沿该系杆切断线将包含系杆11、宽脚部41和窄脚部4 3的系杆附近部分切断，可以形成具有间隙保持部9和第1～第3引脚部21～23的端部引脚4a～4d。因此，可以容易得到作为本发明的特征的引脚形状，又能确保大致和以往的这种半导体装置的制造工艺相同的制造性能。
图7示出端部引脚4a～4d的又一个形成方法。如图7所示，在该形成方法中，使用系杆11设置了具有规定形状的2个缺口部31的引脚框5。这些缺口部31在窄脚部43的两侧，且在系杆11的外侧部分形成。而且，这些缺口部31具有一定的形状，可以预先在系杆11上形成间隙保持部9和第2引脚部22。
按照该形成方法，在系杆切断工序中，如图7中的虚线所示，只要沿着位于比系杆11更靠内侧的宽脚部41的外形，进行直线系杆切断，就容易得到作为本发明的特征的引脚形状。这时，因利用简单的模具就能容易地进行挤压切断，故具有成本上的优势。此外，因预先在引脚框5上形成间隙保持部9，故还具有该间隙保持部9的形状稳定的优点。
特别是当半导体装置1包含功率半导体元件时，第3引脚部23的截面积大多由电流容量决定。这时，不能使第2引脚部22的截面积比第3引脚部23还小。因此，若使第2引脚部22的截面积和第3引脚部23的截面积相同，可以最有效地改善焊接性能。即，若使第2引脚部22的截面积(宽度)和第3引脚部23的截面积(宽度)相同，进而在两者之间设置间隙保持部9，则除了上述优点之外，还具有能最大限度改善焊接性能的优点。
下面，参照图3说明将半导体装置1安装在外部线路板25上的方法。在插入安装式半导体装置1的安装中，将半导体装置1的各引脚4(包含端部引脚4a～4d)分别插入设在外部线路板25上的对应的通孔26中。这时，半导体装置1通过设在各端部引脚4a～4d上的间隙保持部9来定位，使半导体装置1和外部线路板25之间的间隙d(间隔)保持一定。
其次，向被焊接的外部线路板25的通孔26和引脚4供给焊剂。然后，经过预热工序，利用射流焊接方法从外壁线路板25的与安装半导体装置1的面相反的面向通孔26和引脚4供给熔融的焊料。接着，通过使通孔26的温度和引脚4的温度上升到供给的焊料的熔点温度以上来进行良好的焊接，然后，使焊料凝固。
这里，当上述的温度上升不充分时，焊料的浸润也不充分，会引起焊接不良。这正如前面所述，一般来说是因为从引脚4向外壳10放出的热量过多而出现的现象。因此，在该实施形态1的半导体装置1中，通过设置截面积(宽度)较小的第2引脚部22来减小从引脚4向外壳10放出的热量。即，固第2引脚部22的截面积小，故可以大幅度减小从引脚4向外壳10放出的热量，则不会产生上述现象。因此，可以实现良好的焊接性能。更具体地说，通过使作为从引脚4到外壳10的传热路径的第2引脚部22的截面积减小，可以增大从引脚4到外壳10的热阻，从而减小从引脚4向外壳10放出的热量。
结果，若按照实施形态1的半导体装置1，可以在不变更过去的焊接工艺的情况下减小焊接不良。因此，具有能降低修复次品所需的成本的效果。
这样，在实施形态1的半导体装置1中，在从塑料外壳10突出来的端部引脚4a～4d上分别设置位于根部的截面积大的第1引脚部21、间隙保持部9和第2引脚部22。而且，第2引脚部22的截面积比第1引脚部21的截面积小，且比间隙保持部9的宽度窄。因此，可以确保安装到外部线路板25之后的半导体装置1的刚性、半导体装置1本身制造的容易性和半导体装置1向外部线路板25安装时的位置一致性，可以改善将引脚4插入外部线路板25并进行焊接安装时的焊接性能。
实施形态2.
下面，参照图8～图10说明本发明的实施形态2。实施形态2的半导体装置和图1～图7所示的实施形态1的半导体装置有许多共同点。因此，在下面为了避免重复说明，主要说明与实施形态1的不同点。再有，在图8～图10中，对和图1～图7所示的实施形态1的部件相同的部件添加相同的参考符号。再有，这里举例示出间隙保持部9的形状是长方形的情况，但形状并不限于此，只要是能保持间隙的形状，正方形、梯形、三角形等形状都可以。
图8(a)是实施形态2的半导体装置的正视图，图8(b)是将该半导体装置的1个端部引脚放大后示出的斜视图。图8所示的半导体装置是插入安装式半导体装置。
如图8(a)、(b)所示，在实施形态2的半导体装置1中，设在各端部引脚4a～4d上的间隙保持部9若从引脚宽度方向看向两个方向突起。即，第2引脚部22、间隙保持部9和第3引脚部23成+字形状。其它方面和实施形态1的半导体装置1一样。即，实施形态2的半导体装置1和实施形态1的半导体装置只是端部引脚4a～4d的形状不同。
其次，说明用来形成端部引脚4a～4d的系杆切断工序。
图9在图5所示的系杆附近增加了系杆切断线(虚线)。即，在系杆切断工序中，沿系杆切断线将系杆附近部分切断。由图9可知，通过沿该系杆切断线将包含系杆11、宽脚部41和窄脚部43的系杆附近部分切断，可以形成象图8(b)所示那样的具有间隙保持部9和第1～第3引脚部21～23的端部引脚4a～4d。因此，可以容易得到作为本发明的特征的引脚形状，又能确保大致和以往的这种半导体装置的制造工艺相同的制造性能。
图10示出端部引脚4a～4d的又一个形成方法。如图10所示，在该形成方法中，使用系杆11设置了具有2个长方形孔32的引脚框5。这些方孔32大致在窄脚部4 3的两侧，且在系杆11的大致中央部形成。而且，这些方孔32具有一定的形状，可以通过直线系杆切断在系杆11上形成间隙保持部9和第2引脚部22。
按照该形成方法，在系杆切断工序中，如图10中的虚线所示，只要沿着位于比系杆11更靠内侧的宽脚部41的外形，进行直线系杆切断，就容易得到作为本发明的特征的引脚形状。这时，因利用简单的模具就能容易地进行挤压切断，故具有成本上的优势。
按照该形成方法，与实施形态1相比，又增加了1个优点。即，因间隙保持部9向两侧突起，故定位的稳定性高。此外，因在系杆11上设置方孔32而不是缺口31，故与设置缺口部31(参照图7)的情况相比，系杆部的刚性提高了，对半导体装置1的制造工艺的影响极小。这时，端部引脚4a～4d的弯曲部位可以是第1引脚部21或第2引脚部22。再有，在该形成方法中，不能预先在引脚框5上完全形成(做成)间隙保持部9。
实施形态2的半导体装置1和实施形态1的半导体装置1的情况一样，或者更进一步，可以确保安装到外部线路板25之后的半导体装置1的刚性、半导体装置1本身制造的容易性和半导体装置1向外部线路板25安装时的位置一致性，可以改善将引脚4插入外部线路板25并进行焊接安装时的焊接性能。
实施形态3.
下面，参照图11～图13说明本发明的实施形态3。实施形态3的半导体装置和图1～图7所示的实施形态1的半导体装置具有共同点。因此，在下面为了避免重复说明，主要说明与实施形态1的不同点。再有，在图11～图13中，对和图1～图7所示的实施形态1的部件相同的部件添加相同的参考符号。
图11(a)是实施形态3的半导体装置的正视图，图11(b)是将该半导体装置的1个端部引脚放大后示出的斜视图。图11(c)是表示端部引脚的变形例的斜视图。图11所示的半导体装置是插入安装式半导体装置。
如图11(a)～(c)所示，在实施形态3的半导体装置1中，设在各端部引脚4a～4d上的间隙保持部9通过在该端部引脚4a～4d的宽度窄的部分设置多个弯曲部位、即在多处进行弯曲来形成。再有，在图11(a)、(b)所示的端部引脚4b上设置2个直角弯曲部位，在图11(c)所示的端部引脚4b上设置4个弯曲部位。其它方面和实施形态1的半导体装置1一样。即，实施形态3的半导体装置1和实施形态1的半导体装置只是端部引脚4a～4d的形状不同。
其次，说明用来形成端部引脚4a～4d的系杆切断工序。
在实施形态3的系杆切断工序中，沿图12(a)所示的系杆切断线将系杆附近部分切断。再有，该系杆附近部与图5所示的系杆附近部相比，窄脚部43的位置偏离系杆11的延伸方向。
由图12可知，通过沿该系杆切断线将包含系杆11、宽脚部41和窄脚部43的系杆附近部分切断，可以形成象图11(b)所示那样的具有间隙保持部9和第1～第3引脚部21～23的端部引脚4a～4d。再有，当形成图11(c)所示的端部引脚4a～4d时，沿图12(b)所示的系杆切断线(虚线)将图5所示的系杆附近部切断。因此，可以容易得到作为本发明的特征的引脚形状，又能确保大致和以往的这种半导体装置的制造工艺相同的制造性能。
图13示出端部引脚4a～4d的又一个形成方法。如图13所示，在该形成方法中，使用系杆11设置了长方形孔33的引脚框5。这些方孔33位于比与宽脚部41对应的部分更偏离系杆11的延伸方向，且在系杆11的大致中央部形成。而且，这些方孔33具有一定的形状，可以通过直线系杆切断在系杆11上形成间隙保持部9和第2引脚部22。
按照该形成方法，在系杆切断工序中，如图13中的虚线所示，只要沿着位于比系杆11更靠内侧的宽脚部41的外形，进行直线系杆切断，就容易得到作为本发明的特征的引脚形状。这时，因利用简单的模具就能容易地进行挤压切断，故具有成本上的优势。
按照该形成方法，与实施形态2相比，进一步增加了以下的优点。即，实质上可以延长第2引脚部22。再有，例如，如图11(c)所示，若弯曲部位超过3处，则不仅可以延长第2引脚部22，而且因应力减轻的效果而可以延长焊接部的寿命。
实施形态3的半导体装置1也可以确保安装到外部线路板25之后的半导体装置1的刚性、半导体装置1本身制造的容易性和半导体装置1向外部线路板25安装时的位置一致性，可以改善将引脚4插入外部线路板25并进行焊接安装时的焊接性能。
实施形态4.
下面，参照图14～图16说明本发明的实施形态4。实施形态4的半导体装置和图1～图7所示的实施形态1的半导体装置有许多共同点。因此，在下面为了避免重复说明，主要说明与实施形态1的不同点。再有，在图14～图16中，对和图1～图7所示的实施形态1的部件相同的部件添加相同的参考符号。
图14(a)是实施形态4的半导体装置的正视图，图14(b)是将该半导体装置的1个端部引脚放大后示出的斜视图。图11所示的半导体装置是插入安装式半导体装置。如图14(a)、(b)所示，在实施形态4的半导体装置1中，设在各端部引脚4a～4d上的间隙保持部9和截面积小的第2引脚部2 2与第1引脚部21相邻，且通过在具有和第1引脚部2 1相同的宽度部分设置长方形孔部24形成。其它方面和实施形态1的半导体装置1一样。即，实施形态4的半导体装置1和实施形态1的半导体装置只是端部引脚4a～4d的形状不同。
其次，说明用来形成端部引脚4a～4d的系杆切断工序。
在实施形态4的系杆切断工序中，沿图15所示的系杆切断线(虚线)将图5所示的系杆附近部分切断。由图15可知，通过沿该系杆切断线将包含系杆11、宽脚部41和窄脚部43的系杆附近部分切断，可以形成象图14(b)所示那样的具有间隙保持部9和第1～第3引脚部21～23的端部引脚4a～4d。因此，可以容易得到作为本发明的特征的引脚形状，又能确保大致和以往的这种半导体装置的制造工艺相同的制造性能。
图16示出端部引脚4a～4d的又一个形成方法。如图16所示，在该形成方法中，使用系杆11设置了长方形孔34的引脚框5。这些方孔34横跨系杆11和宽脚部41形成。而且，这些方孔34具有一定的形状，可以通过直线系杆切断在系杆11至宽脚部41上形成间隙保持部9和第2引脚部22。
按照该形成方法，在系杆切断工序中，如图16中的虚线所示，只要沿着位于比系杆11更靠内侧的宽脚部41的外形，进行直线系杆切断，就容易得到作为本发明的特征的引脚形状。这时，固利用简单的模具就能容易地进行挤压切断，故具有成本上的优势。
按照该形成方法，与实施形态3相比，又增加了以下优点。即，可以延长第2引脚部22。可以提高第2引脚部22的刚性。除此之外，实施形态4的半导体装置1具有和实施形态2的半导体装置1相同的优点。
实施形态4的半导体装置1也可以确保安装到外部线路板25之后的半导体装置1的刚性、半导体装置1本身制造的容易性和半导体装置1向外部线路板25安装时的位置一致性，可以改善将引脚4插入外部线路板25并进行焊接安装时的焊接性能。
实施形态5.
下面，参照图17～图18说明本发明的实施形态5。实施形态5的半导体装置和图1～图7所示的实施形态1的半导体装置有许多共同点。因此，在下面为了避免重复说明，主要说明与实施形态1的不同点。再有，在图17～图18中，对和图1～图7所示的实施形态1的部件相同的部件添加相同的参考符号。
如图17(a)～(c)和图18的(a)、(b)所示，该实施形态5的半导体装置51与实施形态1的半导体装置1的形态不同。即，实施形态5的半导体装置51在具有散热片和引脚框5弯曲这两点上与实施形态1的半导体装置1不同。但是，实施形态5的半导体装置51的其余的结构和实施形态1的半导体装置1相同。
在半导体装置51中，在引脚框5的弯曲部位安装功率半导体元件2，在不弯曲的部位5b安装控制元件3。此外，功率半导体元件2之间的连接以及功率半导体元件2和引脚框5的连接使用由Al形成的细金属丝6(Al线)，控制半导体元件3和引脚框5的连接使用由Au形成的细金属丝7(Au线)。上述各部件2～7全部由利用转移模塑技术形成的塑料外壳10密封。但引脚4只密封其根部的一部分。
该半导体装置51的端部引脚4a～4d形成和实施形态1的半导体装置1的端部引脚4a～4d相同的形状，通过和实施形态1相同的系杆切断工序形成。但是，半导体装置51的端部引脚4a～4d形成和实施形态2～4的任何一种半导体装置1的端部引脚4a～4d相同的形状，可以通过和实施形态2～4的任何一个情况相同的系杆切断工序形成。在该半导体装置51中，可以得到和实施形态1的半导体装置1相同的作用和效果。再有，当端部引脚4a～4d形成和实施形态2～4相同的形状，且使用和实施形态2～4相同的系杆切断工序时，当然也可以得到和实施形态2～4的半导体装置1相同的作用和效果。
实施形态5的半导体装置51也可以确保安装到外部线路板25之后的半导体装置51的刚性、半导体装置51本身制造的容易性和半导体装置51向外部线路板25安装时的位置一致性，可以改善将引脚4插入外部线路板25并进行焊接安装时的焊接性能。
实施形态6.
下面，参照图19～图20说明本发明的实施形态6。实施形态6的半导体装置和图1～图7所示的实施形态1的半导体装置有许多共同点。因此，在下面为了避免重复说明，主要说明与实施形态1的不同点。再有，在图19～图20中，对和图1～图7所示的实施形态1的部件相同的部件添加相同的参考符号。
如图19(a)～(c)和图20的(a)、(b)所示，该实施形态6的半导体装置61与实施形态1的半导体装置1的形态不同。即，实施形态6的半导体装置61在散热片8与引脚框5接合、散热片8分割成多个和散热片8完全包含在塑料外壳10内的全模塑结构这几点上与实施形态1的半导体装置1不同。但是，实施形态6的半导体装置61的其余的结构和实施形态1的半导体装置1相同。
在半导体装置61中，引脚框5安装功率半导体元件2和控制元件3。此外，功率半导体元件2之间的连接以及功率半导体元件2和引脚框5的连接使用由Al形成的细金属丝6，控制半导体元件3和引脚框5的连接使用由Au形成的细金属丝7。进而，在引脚框5的与功率半导体元件2相对的位置上接合散热片8。上述各部件2～8全部由利用转移模塑技术形成的塑料外壳10密封。但引脚4只密封其根部的一部分。
该半导体装置61的端部引脚4a～4d形成和实施形态1的半导体装置1的端部引脚4a～4d相同的形状，通过和实施形态1相同的系杆切断工序形成。但是，半导体装置61的端部引脚4a～4d形成和实施形态2～4的任何一种半导体装置1的端部引脚4a～4d相同的形状，可以通过和实施形态2～4的任何一个情况相同的系杆切断工序形成。在该半导体装置6 1中，可以得到和实施形态1的半导体装置1相同的作用和效果。再有，当端部引脚4a～4d形成和实施形态2～4相同的形状，且使用和实施形态2～4相同的系杆切断工序时，当然也可以得到和实施形态2～4的半导体装置1相同的作用和效果。
再有，在该实施形态6中，因引脚框5和散热片8接合，故在转移模塑工序中，承受流动树脂黏性力的面积加大。因此，使引脚框变形的黏性力增大，为了防止由此产生的引脚框5的变形，有必要提高引脚4的刚性。特别有必要提高塑料外壳10附近的第1引脚部21的刚性。但是，该半导体装置61的引脚4(包含端部引脚4a～4d)因具有宽度宽的第1引脚部21故该部分的刚性大，不会损害半导体装置61本身制造的容易性。而且，因具有宽度窄的第2引脚部22、带焊料的第3引脚部23和间隙保持部9，故能够改善向外部线路板25安装时的焊接性能。
实施形态7.
下面，说明本发明的实施形态7。
本发明人为了实证本发明的实用性，进行了实验，考察是否可以通过使第2引脚部22的截面积比第1引脚部21的截面积小来改善焊接性能。在该实验中，因为了防止向塑料外壳10放热而减小了截面积的第2引脚部22的截面积和直接从熔融的焊料接受热量的第3引脚部23的截面积的比、即由(第2引脚部截面积)/(第3引脚部截面积)定义的‘引脚部截面积比’很重要，故将该引脚部截面积比作为实验参数。
在该实验中，作为半导体装置，使用了在引脚表面镀有Sn-Cu焊料的DIPIPM。此外，作为外壁线路板，使用了由玻璃环氧树脂制作的印刷线路板。而且，作为焊料，使用无铅焊料中最一般的Sn-3Ag-0.5Cu焊料，由此进行射流焊接实验。在该射流焊接中，熔融焊料的温度一般是250℃。此外，在射流焊接装置内的预热条件一般考虑不超过大多装在同一块印刷线路板上的电解电容器的耐热温度(通常是85℃)。在该预热条件下，印刷线路板的表面温度上升到150℃，而DIPIPM的表面温度只上升到50℃左右。这样，元件间产生很大的温差，但这是目前射流焊接装置的极限。
在该预热工序中，若提高预热温度或延长预热时间，使DIPIPM预热到更高的温度，则印刷线路板也处于高温状态。因此，虽然焊接性能好但会产生超过电解电容器的耐热温度的问题。此外，即使该印刷线路板没有安装电解电容器，当预热温度提高时，也会使焊接时用来使被焊接面清洁的焊剂失去活性。因此，产生在最重要的焊接处理时不能发挥效果反而会损害焊接性能的问题。所以，考虑到这样的问题，预热温度不能高于上述温度。
下面的表1示出该实验结果。在表1中，‘◎◎’、‘◎’、‘○’、‘△’、‘×’标识焊接性能的良好程度，越往前表示焊性能越好。其中，‘◎◎’、‘◎’、‘○’是良好的产品，即不存在可靠性的问题。
此外，为了容易理解在表1中添加了※符号的实验结果，将混有现有的引脚44b(引脚截面积比300％)和通过切除该现有的引脚44b的一部分来模拟本发明的引脚结构的引脚44a(引脚截面积125％，以下称作‘本发明的模拟引脚44a’)的DIPIPM中的焊接部的放大照片示出。如图21所示，在现有的引脚44b中，焊料浸润不充分，焊料没有浸润到通孔上面，焊接性能不能说是良好(B)。与此相对，在本发明的模拟引脚44a中，焊料浸润充分，焊接性能良好(A)。
再有，即使是使用了Pb-Sn共晶焊料的实验，虽然改善程度不大，但可以确认能得到同样的效果。
【表1】
                  表1  实验结果
    引脚断面积比     焊接特性
现有的引脚结构     300％     ×※
本发明的引脚结构     200％     ×～△
↑     175％     ○
↑     150％     ◎
↑     140％     ◎
↑     130％     ◎◎
↑     120％     ◎◎※
↑     110％     ◎◎
↑     100％     ◎◎
↑     75％     ◎◎
根据该实验结果，与不具有第2引脚部22的现有的引脚相比，在具有截面积小的第2引脚部22的本发明的引脚结构中，对上述全部样品，可以说焊接性能的改善、即本发明的有效性得到了实证。此外，根据该实验结果，在本发明的引脚结构中，第2引脚部22的截面积最好在第3引脚部23的截面积的175％以下。此外，若考虑焊接处理时的处理裕度，第2引脚部22的截面积最好在第3引脚部23的截面积的130％以下。
实施形态8.
下面，参照图22说明本发明实施形态8的半导体组件。该实施形态8的半导体组件80将半导体装置1和各种电子元件一起组装到作为印刷线路板不但外部线路板25上。
如图22所示，在该半导体组件中，使用无Pb焊料(Sn-3Ag-0.5Cu)将本发明的半导体装置1安装到外壁线路板25(印刷线路板)上。在外部线路板25上，除了半导体装置1之外，还安装有电解电容器81、分立晶体管82和芯片83。这些电子元件81～83和本发明的半导体装置1装在同一块外部线路板25上，形成半导体组件80。通过使用本发明的半导体装置1，可以改善引脚的焊接性能，可以得到下述各种效果。
在使用了现有的半导体装置的半导体组件中，半导体装置和外部线路板的接合部因容易变成可靠性差的焊接结构，故安装后的检查乃至修复是不可缺少的。与此相对，若使用本发明的半导体装置1，因焊接性能良好，能够容易得到焊接部可靠性高的半导体组件80。因此，有可能削减以往进行的目视检查工序或修复工序，可以降低半导体组件80的成本。进而，因半导体组件80的可靠性可以稳定在很高的水平上，所以，使用了该半导体组件80的最终产品可靠性也可以稳定在很高的水平上。
再有，在该半导体组件80中，安装在外部线路板25的电子元件的种类和数量并不限于图22中例子。++此外，这里，举例示出了使用了因本发明而使焊接性能明显改善的无Pb焊料(Sn-3Ag-0.5Cu)的安装方法。但是，当使用Pb-Sn共晶焊料等时也可以得到同样的效果，所以，焊料的种类不限于无Pb焊料。因Pb-Sn共晶焊料或熔点温度比Pb-Sn共晶焊料还高的焊料改善焊接性能的效果显著，故最好使用这样的的焊料。
在上述各实施形态的半导体装置1、51、61中，其引脚4(保护端部引脚4a～4d)都从塑料外壳10向外部突出，且中间弯曲成90度。但是，在这样的半导体装置1、51、61中，引脚4也可以例如从塑料外壳10的侧面之外的部位、例如从塑料外壳10的上面等突出来。
在上述各实施形态的半导体装置1、51、61中，引脚4从塑料外壳10的2个侧面突出，但也可以从4个侧面突出或从1个侧面突出来。此外，在这样的半导体装置1、51、61中，引脚4在中间只弯曲1次。但是，只要是可向外壁线路板25插入安装的形态，引脚4也可以在中间不弯曲或在中间弯曲2次以上。
关于上述各实施形态使用的焊料的组成，当加上无Pb焊料的限制时，可以是不含Pb的以Sn为基础的焊料。此外，当不特别加以限制时，可以不管焊料的种类。但是，因Pb-Sn共晶焊料或熔点温度比Pb-Sn共晶焊料还高的焊料改善焊接性能的效果显著，故最好使用这样的的焊料。
在上述各实施形态中，作为外部线路板25，举例示出了玻璃环氧树脂制印刷线路板。但是，外部线路板25并不限于这样的线路板，也可以是以纸笨酚、复合物为主要材料的印刷线路板。此外，若是能插入安装半导体装置1、51、61的外部电路部件，也可以不要线路板。
若按照本发明第1形态的半导体装置，通过增加从引脚到塑料外壳的放热路径的热阻来提高引脚的温度上升性能，从而改善焊接性能。此外，因第1引脚的刚性大，故不会损害半导体装置制造的容易性。因此，在焊接安装过程中，可以利用焊接容易而可靠地将插入安装式半导体装置安装在外部电路部件上，而不用提高预热温度或供给的熔融焊料的温度，不用延长处理时间。
在第1形态的半导体装置中，当引脚作为引脚框的一部分形成时，容易对准引脚的位置。
在第1形态的半导体装置中，当只将两端的引脚作为间隙保持用引脚时，可以使半导体装置相对外部电路部件的位置最稳定。再有，若1列中至少有2个引脚是间隙保持用引脚，则可以使半导体装置和外部电路部件的间隙保持一定，但当该列两端的引脚是间隙保持用引脚时，半导体装置相对外部电路部件的位置最稳定。
在第1形态的半导体装置中，当第1引脚部的厚度和第2引脚部的厚度相同，而且，第2引脚部的宽度比第1引脚部的宽度窄时，因可以使用同一厚度的通常的引脚框，故可以降低半导体装置的成本。
在第1形态的半导体装置中，当引脚由铜或以铜为主要成分的合金形成时，因引脚的热传导率大，故焊接性能改善的效果也大。
在第1形态的半导体装置中，当第2引脚部的截面积在第3引脚部的截面积的175％以下时，特别是在130％以下时，焊接性能改善的效果特别明显。
在第1形态的半导体装置中，当半导体元件保护功率半导体元件时、即半导体元件用作功率组件时，因处理大电流的关系引脚的厚度大，故焊接性能改善的效果特别面貌一新明显。
在第1形态的半导体装置中，当第2引脚部的截面积和第3引脚部的截面积相同时，这样的引脚形状效率最高(电流容量/热阻)。因第3引脚部的形状大多由引脚的电流容量决定，故第2引脚部不会比第3引脚部还细。
在第1形态的半导体装置中，当间隙保持装置是从引脚宽度方向向两边突起的形状时，因半导体装置可以靠间隙保持装置的两个边支持，故提高了半导体装置的稳定性。
在该半导体装置中，当间隙保持装置的引脚宽度和第1引脚部的引脚宽度相同时，引脚进而是半导体装置的制造都容易。
此外，在该半导体装置中，当引脚通过将具有与第1引脚部对应的宽脚部、与第3引脚部对应的窄脚部以及连接宽脚部和窄脚部且形成2个孔部的系杆部的引脚框成直线状切断来形成时，容易进行系杆切断，其模具的寿命长，可以降低半导体装置的成本。此外，不会使半导体装置本身的制造性变差。
若按照本发明的第2形态的半导体装置，基本上可以得到和本发明的第1形态的半导体装置同样的效果。进而，因间隙保持装置是通过在引脚上设置2处以上的弯曲部来形成，故第2引脚部可以延长，焊接性能改善的效果更明显。
在第2形态的半导体装置中，当第3引脚部不在形成第1引脚部的范围内形成，而在引脚宽度方向的一侧，且其位置和第1引脚部的侧边及第3引脚部的侧边在同一条直线上时，容易进行半导体装置的制造。
在第2形态的半导体装置中，当引脚通过将具有与第1引脚部对应的宽脚部、与第3引脚部对应的窄脚部以及连接宽脚部和窄脚部且形成1个孔部的系杆部的引脚框成直线状切断来形成时，容易进行系杆切断，其模具的寿命长，可以降低半导体装置的成本。此外，不会使半导体装置本身的制造性变差。
若按照本发明的第3形态的半导体装置，基本上可以得到和本发明的第1形态的半导体装置同样的效果。进而，在间隙保持用引脚中，因第2引脚部和间隙保持装置通过在第1引脚部的前端的引脚上设置孔部来形成，故能够提高第2引脚部的刚性。
在第3形态的半导体装置中，当第2引脚部的两个侧边和第1引脚部的两个侧边分别位于同一条直线上时，容易进行半导体装置的制造。
在第3形态的半导体装置中，当引脚通过将具有与第1引脚部对应的宽脚部、与第3引脚部对应的窄脚部以及连接宽脚部和窄脚部且形成1个孔部的系杆部的引脚框成直线状切断来形成时，容易进行系杆切断，其模具的寿命长，可以降低半导体装置的成本。此外，不会使半导体装置本身的制造性变差。
在第1～第3形态的任何一种半导体装置中，当孔部是相对的两边与引脚的长度方向或引脚的宽度方向平行的长方形孔时，因第2引脚部的宽度一定，故容易得到合适的引脚截面积。
在第1形态的半导体装置中，当引脚通过将具有与第1引脚部对应的宽脚部、与第3引脚部对应的窄脚部以及连接宽脚部和窄脚部且在窄脚部侧的部位形成2个缺口部的系杆部的引脚框成直线状切断来形成时。容易进行系杆切断，其模具的寿命长，可以降低半导体装置的成本。此外，不会使半导体装置本身的制造性变差。
在第1～第3形态的任何一种半导体装置中，当引脚镀上以Sn为基础材料的不含Pb的焊料时，可以使用熔点高的无Pb焊料来提高焊接性能。再有，通过焊接安装过程的检查来确认涂层焊料的状态，由此，可以简单判断温度是否已上升到可以进行良好的引脚焊接的温度。
若按照本发明的半导体组件，因使用已提高焊接性能的半导体装置，故能够使用焊料容易且可靠地将半导体装置安装在外部电路部件上。
在上述半导体组件中，当使用以锡为基础材料的不含铅的焊料将半导体装置安装在外部电路部件上时，可以使用熔点高的无Pb焊料来提高焊接性能。

Claims (17)

1.一种插入安装式半导体装置，具有塑料外壳、从塑料外壳向外部突出的多个引脚、由塑料外壳保护的单个或多个半导体元件和由塑料外壳保护且连接半导体元件和引脚的布线，通过将引脚插入设在外部电路部件上的引脚插入部再进行焊接，将其安装在外部电路部件上，其特征在于：
具有引脚位于塑料外壳一侧的第1引脚部、位于第1引脚部的前端的第2引脚部、位于第2引脚部的前端且插入引脚插入部的第3引脚部，
第2引脚部的截面积设定得比第1引脚部的截面积小，
至少有一部分引脚是位于第2引脚部的前端且具有使半导体装置和外部电路部件的间隙保持一定的间隙保持装置的间隙保持用引脚。
2.权利要求1记载的半导体装置，其特征在于：间隙保持装置通过使局部的引脚宽度比第2引脚的宽度大来形成。
3.权利要求2记载的半导体装置，其特征在于：引脚呈列状配置在塑料外壳的侧面，只将该列两端的引脚作为间隙保持用引脚。
4.权利要求2记载的半导体装置，其特征在于：第1引脚部的厚度和第2引脚部的厚度相同，而且，第2引脚部的宽度比第1引脚部的宽度窄。
5.权利要求2记载的半导体装置，其特征在于：第2引脚部的截面积和第3引脚部的截面积相同。
6.权利要求2记载的半导体装置，其特征在于：间隙保持装置是从引脚宽度方向向两边突起的形状。
7.权利要求6记载的半导体装置，其特征在于：间隙保持装置的引脚宽度和第1引脚部的引脚宽度相同。
8.权利要求7记载的半导体装置，其特征在于：引脚通过将具有与第1引脚部对应的宽脚部、与第3引脚部对应的窄脚部以及连接宽脚部和窄脚部且形成2个孔部的系杆部的引脚框成直线状切断来形成。
上述两个孔部不在窄脚部的范围内而位于沿着引脚的宽度方向的窄脚部的两侧，且位于宽脚部两侧边的延长线上。
9.权利要求1记载的半导体装置，其特征在于：间隙保持装置是通过在引脚上设置2处以上的弯曲部来形成。
10.权利要求9记载的半导体装置，其特征在于：第3引脚部不在形成第1引脚部的范围内形成，而在引脚宽度方向的一侧，且其位置和第1引脚部的侧边及第3引脚部的侧边在同一条直线上。
11.权利要求10记载的半导体装置，其特征在于：引脚通过将具有与第1引脚部对应的宽脚部、与第3引脚部对应的窄脚部以及连接宽脚部和窄脚部且形成1个孔部的系杆部的引脚框成直线状切断来形成，
上述孔部不在窄脚部的范围内，而沿着引脚的宽度方向位于宽脚部一个侧边的延长线上，且不位于另一侧边的延长线上。
12.权利要求1记载的半导体装置，其特征在于：在间隙保持用引脚中，第2引脚部和间隙保持装置通过在第1引脚部的前端的引脚上设置孔部来形成。
13.权利要求12记载的半导体装置，其特征在于：第2引脚部的两个侧边和第1引脚部的两个侧边分别位于同一条直线上。
14.权利要求13记载的半导体装置，其特征在于：引脚通过将具有与第1引脚部对应的宽脚部、与第3引脚部对应的窄脚部以及连接宽脚部和窄脚部且形成1个孔部的系杆部的引脚框成直线状切断来形成，
上述孔部不包含在窄脚部的范围内，而沿着引脚的宽度方向位于宽脚部两个侧边的延长线上。
15.权利要求2记载的半导体装置，其特征在于：引脚通过将具有与第1引脚部对应的宽脚部、与第3引脚部对应的窄脚部以及连接宽脚部和窄脚部且在窄脚部侧的部位形成2个缺口部的系杆部的引脚框成直线状切断来形成，
上述两个缺口部位于沿引脚宽度方向的窄脚部范围的两侧，同时位于宽脚部的两侧边的延长线上，且预先具有间隙保持装置。
16.权利要求1记载的半导体装置，其特征在于：引脚涂敷以锡为基础材料的不含铅的焊料。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103579135A (zh) * 2012-07-31 2014-02-12 三星电机株式会社 半导体封装件及其制造方法以及半导体封装件制造模具
CN104779232A (zh) * 2014-01-13 2015-07-15 台湾积体电路制造股份有限公司 通过预形成的金属引脚的封装
CN106252292A (zh) * 2015-06-15 2016-12-21 三菱电机株式会社 压接端子、半导体装置、电力变换装置及压接端子的制造方法
CN111863760A (zh) * 2019-04-24 2020-10-30 三菱电机株式会社 半导体装置及半导体装置的制造方法
CN112509935A (zh) * 2019-09-13 2021-03-16 株式会社东芝 半导体检査装置以及半导体装置的检査方法

Families Citing this family (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3938067B2 (ja) * 2003-02-18 2007-06-27 株式会社日立製作所 電子回路装置
TWI228303B (en) * 2003-10-29 2005-02-21 Advanced Semiconductor Eng Semiconductor package, method for manufacturing the same and lead frame for use in the same
KR100584699B1 (ko) * 2004-11-04 2006-05-30 삼성전자주식회사 고정 테이프를 갖는 리드 프레임
JP4426955B2 (ja) * 2004-11-30 2010-03-03 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置
JP2006196598A (ja) * 2005-01-12 2006-07-27 Sharp Corp ソリッドステートリレー、電子機器及びソリッドステートリレーの製造方法
WO2007010315A2 (en) 2005-07-20 2007-01-25 Infineon Technologies Ag Leadframe strip and mold apparatus for an electronic component and method of encapsulating an electronic component
EP1746648A3 (en) * 2005-07-22 2008-09-03 Marvell World Trade Ltd. Packaging for high speed integrated circuits
US20070018292A1 (en) * 2005-07-22 2007-01-25 Sehat Sutardja Packaging for high speed integrated circuits
JP4595835B2 (ja) * 2006-03-07 2010-12-08 株式会社日立製作所 鉛フリーはんだを用いたリード付き電子部品
FR2901637B1 (fr) * 2006-05-24 2008-09-05 St Microelectronics Sa Boitier semi-conducteur a pattes fonctionnelles et auxiliaires et procede pour sa fabrication
JP4350727B2 (ja) * 2006-06-16 2009-10-21 三菱電機株式会社 挿入実装型の半導体装置を製造する方法
US7875962B2 (en) * 2007-10-15 2011-01-25 Power Integrations, Inc. Package for a power semiconductor device
JP2009239898A (ja) * 2008-03-06 2009-10-15 Nec Electronics Corp 固体撮像装置および固体撮像装置用パッケージ
JP2010016289A (ja) * 2008-07-07 2010-01-21 Mitsubishi Electric Corp 半導体パッケージおよび半導体装置
US8227908B2 (en) 2008-07-07 2012-07-24 Infineon Technologies Ag Electronic device having contact elements with a specified cross section and manufacturing thereof
DE102008040565B4 (de) * 2008-07-21 2024-01-11 Robert Bosch Gmbh Gehäuse für ein Halbleiterbauelement
JP5366507B2 (ja) * 2008-11-11 2013-12-11 三菱電機株式会社 電力用半導体装置および電力用半導体装置の実装方法
US20100188078A1 (en) * 2009-01-28 2010-07-29 Andrea Foletto Magnetic sensor with concentrator for increased sensing range
JP5182245B2 (ja) * 2009-07-24 2013-04-17 株式会社大真空 リードタイプの電子部品
US8207455B2 (en) 2009-07-31 2012-06-26 Power Integrations, Inc. Power semiconductor package with bottom surface protrusions
JP5220714B2 (ja) * 2009-09-18 2013-06-26 セイコーインスツル株式会社 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法
EP2524773B1 (en) 2011-05-19 2017-06-21 Black & Decker Inc. Electronic power apparatus for a power tool
JP2013016606A (ja) * 2011-07-04 2013-01-24 Daikin Ind Ltd パワーモジュールの冷却構造
US8629539B2 (en) 2012-01-16 2014-01-14 Allegro Microsystems, Llc Methods and apparatus for magnetic sensor having non-conductive die paddle
JP5851897B2 (ja) * 2012-03-19 2016-02-03 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
US9812588B2 (en) 2012-03-20 2017-11-07 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor integrated circuit with integral ferromagnetic material
US10234513B2 (en) 2012-03-20 2019-03-19 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor integrated circuit with integral ferromagnetic material
US9494660B2 (en) 2012-03-20 2016-11-15 Allegro Microsystems, Llc Integrated circuit package having a split lead frame
US9666788B2 (en) * 2012-03-20 2017-05-30 Allegro Microsystems, Llc Integrated circuit package having a split lead frame
US8896106B2 (en) 2012-07-09 2014-11-25 Infineon Technologies Ag Semiconductor packages having multiple lead frames and methods of formation thereof
US9411025B2 (en) 2013-04-26 2016-08-09 Allegro Microsystems, Llc Integrated circuit package having a split lead frame and a magnet
CN103811456A (zh) * 2014-02-18 2014-05-21 江阴苏阳电子股份有限公司 多芯片dip封装结构
EP3086628B1 (en) * 2015-04-21 2018-07-18 Braun GmbH Special electric component, printed circuit board assembly, and method of manufacturing an electric appliance
JP6607571B2 (ja) * 2016-07-28 2019-11-20 株式会社東海理化電機製作所 半導体装置の製造方法
JP6647187B2 (ja) * 2016-11-14 2020-02-14 三菱電機株式会社 パワーモジュールおよびその製造方法
JP6738020B2 (ja) * 2016-12-09 2020-08-12 豊田合成株式会社 電子装置
JP6787118B2 (ja) * 2016-12-28 2020-11-18 三菱電機株式会社 半導体装置、電力変換装置、リードフレーム、および半導体装置の製造方法
US10608501B2 (en) 2017-05-24 2020-03-31 Black & Decker Inc. Variable-speed input unit having segmented pads for a power tool
JP7167477B2 (ja) * 2018-05-07 2022-11-09 オムロン株式会社 電子装置
JP1641098S (zh) * 2018-06-26 2019-09-09
USD888673S1 (en) 2018-06-26 2020-06-30 Rohm Co., Ltd. Semiconductor module
US10921391B2 (en) 2018-08-06 2021-02-16 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor with spacer
JP7134131B2 (ja) * 2019-04-26 2022-09-09 三菱電機株式会社 半導体装置
US11166401B2 (en) * 2019-04-30 2021-11-02 International Business Machines Corporation Dye and pry process for surface mount technology dual in-line memory module
US10991644B2 (en) 2019-08-22 2021-04-27 Allegro Microsystems, Llc Integrated circuit package having a low profile
JP7479759B2 (ja) 2020-06-02 2024-05-09 三菱電機株式会社 半導体装置の製造方法、および、半導体装置
JP2023077263A (ja) 2021-11-24 2023-06-05 三菱電機株式会社 半導体装置およびその製造方法

Family Cites Families (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3418535A (en) * 1967-01-23 1968-12-24 Elco Corp Interconnection matrix for dual-in-line packages
US3825876A (en) * 1971-08-12 1974-07-23 Augat Inc Electrical component mounting
US3989331A (en) * 1974-08-21 1976-11-02 Augat, Inc. Dual-in-line socket
JPS54103158A (en) 1978-01-31 1979-08-14 Hanabusa Michio Electric toothbrush that brush teeth toward nose from gum
DE2812768B2 (de) * 1978-03-23 1980-09-25 Stettner & Co, 8560 Lauf Elektrisches Bauelement mit Anschlußdrahten zum Einstecken in Bohrungen der Platte einer gedruckten Schaltung
JPS58182438A (ja) 1982-04-15 1983-10-25 石川島播磨重工業株式会社 揚水式発電方法
US4680613A (en) * 1983-12-01 1987-07-14 Fairchild Semiconductor Corporation Low impedance package for integrated circuit die
JPS61174656A (ja) 1985-01-29 1986-08-06 Nec Corp 集積回路装置
JPH073849B2 (ja) 1986-02-28 1995-01-18 九州日本電気株式会社 リ−ドフレ−ム
JPS63166254A (ja) 1986-12-27 1988-07-09 Nec Corp 半導体装置
JPS63244659A (ja) 1987-03-30 1988-10-12 Nec Corp 半導体集積回路用容器
JPH01122579A (ja) * 1987-11-06 1989-05-15 Toshiba Components Co Ltd 回路基板
JPH01207961A (ja) * 1988-02-15 1989-08-21 Nec Corp 半導体装置
JPH03124010A (ja) 1989-10-08 1991-05-27 Murata Mfg Co Ltd 電子部品の端子
US5166570A (en) * 1990-06-08 1992-11-24 Murata Manufacturing Co. Ltd. Electronic component
JPH04284661A (ja) * 1991-03-13 1992-10-09 Toshiba Corp 半導体装置
JP3093476B2 (ja) * 1992-08-31 2000-10-03 ローム株式会社 電子部品およびその実装方法
JP3937265B2 (ja) * 1997-09-29 2007-06-27 エルピーダメモリ株式会社 半導体装置
US6476481B2 (en) * 1998-05-05 2002-11-05 International Rectifier Corporation High current capacity semiconductor device package and lead frame with large area connection posts and modified outline
TW434756B (en) * 1998-06-01 2001-05-16 Hitachi Ltd Semiconductor device and its manufacturing method
US6255722B1 (en) * 1998-06-11 2001-07-03 International Rectifier Corp. High current capacity semiconductor device housing
JP2000188366A (ja) * 1998-12-24 2000-07-04 Hitachi Ltd 半導体装置
US6225683B1 (en) * 1999-05-14 2001-05-01 Analog Devices, Inc. Die size-increasing integrated circuit leads and thermally enhanced leadframe
JP4007741B2 (ja) 2000-01-12 2007-11-14 三菱電機株式会社 半導体装置
JP2001257303A (ja) 2000-03-13 2001-09-21 Hitachi Cable Ltd 電子部品用リード材及びそれを用いた半導体装置
JP2001264667A (ja) * 2000-03-15 2001-09-26 Sony Corp 光スキャニング装置
WO2002007275A1 (fr) * 2000-07-17 2002-01-24 Sanyo Electric Co., Ltd. Dispositif laser a semi-conducteur
US6415977B1 (en) * 2000-08-30 2002-07-09 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for marking and identifying a defective die site
JP2002100857A (ja) * 2000-09-25 2002-04-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd フラックス塗布方法、フローはんだ付け方法およびこれらのための装置ならびに電子回路基板
US6849805B2 (en) * 2000-12-28 2005-02-01 Canon Kabushiki Kaisha Printed wiring board and electronic apparatus
JP2002373713A (ja) * 2001-04-12 2002-12-26 Fujitsu Ten Ltd リード端子の構造
JP4073183B2 (ja) * 2001-08-01 2008-04-09 株式会社日立製作所 Ｐｂフリーはんだを用いた混載実装方法及び実装品
US20030079911A1 (en) * 2001-08-13 2003-05-01 Bogursky Robert M. Discrete solder ball contact and circuit board assembly utilizing same
JP2003110082A (ja) * 2001-09-28 2003-04-11 Mitsubishi Electric Corp リードフレーム、半導体装置および半導体チップの載置位置確認方法
JP2003264364A (ja) * 2002-03-12 2003-09-19 Canon Inc 電気回路装置及びその製造方法
JP2003264365A (ja) * 2002-03-12 2003-09-19 Canon Inc 電子部品及び電子回路装置
JP2003273320A (ja) * 2002-03-13 2003-09-26 Mitsubishi Electric Corp 半導体モジュール

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103579135A (zh) * 2012-07-31 2014-02-12 三星电机株式会社 半导体封装件及其制造方法以及半导体封装件制造模具
CN104779232A (zh) * 2014-01-13 2015-07-15 台湾积体电路制造股份有限公司 通过预形成的金属引脚的封装
CN106252292A (zh) * 2015-06-15 2016-12-21 三菱电机株式会社 压接端子、半导体装置、电力变换装置及压接端子的制造方法
CN106252292B (zh) * 2015-06-15 2019-06-25 三菱电机株式会社 压接端子、半导体装置、电力变换装置及压接端子的制造方法
CN111863760A (zh) * 2019-04-24 2020-10-30 三菱电机株式会社 半导体装置及半导体装置的制造方法
CN112509935A (zh) * 2019-09-13 2021-03-16 株式会社东芝 半导体检査装置以及半导体装置的检査方法
CN112509935B (zh) * 2019-09-13 2023-11-21 株式会社东芝 半导体检査装置以及半导体装置的检査方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN1269390C (zh) 2006-08-09
KR100576300B1 (ko) 2006-05-04
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