KR100584699B1 - 고정 테이프를 갖는 리드 프레임 - Google Patents

고정 테이프를 갖는 리드 프레임 Download PDF

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Abstract

본 발명은 고정 테이프를 갖는 리드 프레임에 관한 것으로, 고정 테이프로 연결된 인접한 내부 리드 사이에 전위차가 발생될 경우 구리이온의 이동에 따른 덴드라이트에 의한 내부 리드 사이의 전기적 쇼트 발생을 억제하기 위해서, 반도체 칩에 전기적으로 연결되는 본딩부와, 상기 본딩부와 일체로 형성되며 고정 테이프가 부착될 부착부를 갖는 구리 소재의 리드들과; 상기 부착부의 적어도 일면에 부착되어 상기 리드들의 위치를 고정하는 고정 테이프;를 포함하며, 상기 부착부는 상기 부착부를 중심으로 양쪽의 리드 부분에 비해서 폭이 좁게 형성되며, 표면에 구리이온 이동 방지용 도금층이 형성되어 덴드라이트에 의한 리드 간 전기적 쇼트 발생을 억제하는 것을 특징으로 하는 고정 테이프를 갖는 리드 프레임을 제공한다.
고정 테이프, 덴드라이트, 이동, 쇼트, 리드 프레임

Description

고정 테이프를 갖는 리드 프레임{Lead frame having locking tape}
도 1은 종래기술에 따른 고정 테이프를 갖는 리드 프레임을 보여주는 평면도이다.
도 2는 도 1의 고정 테이프가 부착된 리드의 일부분을 확대하여 보여주는 평면도이다.
도 3은 도 2의 3-3선 단면도이다.
도 4 및 도 5는 성형 공정 이후에 도 1의 고정 테이프 아래의 리드 부분에서 덴드라이트에 의해 전기적 단락이 발생된 상태를 보여주는 단면도와 평면도이다.
도 6은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 요홈이 형성된 리드의 부착부에 부착된 고정 테이프를 갖는 리드 프레임을 보여주는 평면도이다.
도 7a 및 도 도 7b는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 지그재그 형태의 고정 테이프를 갖는 리드 프레임을 보여주는 평면도이다.
도 8은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 지그재그 형태의 고정 테이프를 갖는 리드 프레임을 보여주는 평면도이다.
도 9는 본 발명의 제 4 실시예에 따른 파형 형태의 고정 테이프를 갖는 리드 프레임을 보여주는 평면도이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 설명 *
113, 213 : 내부 리드
114, 214, 314, 414 : 고정 테이프
117, 217, 317, 417 : 리드
121, 221 : 본딩부
122, 222, 322, 422 : 부착부
125 : 도금층
127 : 요홈
326 : 슬릿
본 발명은 반도체 패키지용 리드 프레임에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 내부 리드 사이의 위치를 고정하기 위해서 내부 리드에 부착된 고정 테이프를 갖는 리드 프레임에 관한 것이다.
전자기기들의 경박단소화 추세에 따라 그의 핵심 소자인 반도체 패키지의 고밀도, 고실장화가 중요한 요인으로 대두되고 있으며, 이에 따라서 반도체 패키지의 구성 요소도 박형화되고 있다.
이와 같은 추세에 따라서 반도체 패키지에 실장된 반도체 칩의 패드 수의 증가와 더불어 미세피치화가 요구되고, 그로 인하여 반도체 칩이 실장되는 리드 프레임의 리드 수의 증가와 더불어 미세피치화도 요구되고 있다. 즉 리드와 리드 사이 의 간격이 점점 좁아지고 있다.
리드의 미세피치화에 따른 리드 사이의 간격을 유지하기 위해서, 리드들을 절연 소재의 고정 테이프로 고정하는 리드 프레임이 상용되고 있다. 고정 테이프는 리드들 사이의 간격을 일정하게 유지시켜 안정적인 와이어 본딩과 리드 사이의 전기적 쇼트 등의 발생을 억제하는 역할을 담당한다.
종래기술에 따른 고정 테이프(14)를 갖는 리드 프레임(10)을 도 1 내지 도 3을 참조하여 설명하면 다음과 같다. 리드 프레임(10)은 구리 소재의 QFP(Quad Flat Package)용 리드 프레임으로서, 사각형 구조의 프레임 몸체부(19)와, 프레임 몸체부(19)의 각 모서리에서 내측으로 연장 형성되어 있는 타이바(11)와, 타이바(11)에 각 모서리가 연결되어 프레임 몸체부(19) 중심에 위치되면서 그 상부면에 반도체 칩이 실장되는 시각판형의 다이 패드(12)와, 다이 패드(12)의 외측 둘레에 선단부가 위치하도록 프레임 몸체부(19)로부터 내측으로 연장 형성되는 복수개의 리드(17)로 구성된다.
이때 프레임 몸체부(19)의 일측면 내측에 그 둘레방향을 따라서 절연성의 고정 테이프(14; locking tape)가 부착되어 타이바(11) 및 각 리드(17)의 위치를 고정시키게 된다. 고정 테이프(19)는 절연 소재의 베이스 테이프(14a; base tape)의 일면에 절연 접착층(14b)이 형성된 구조를 갖는다.
이와 같은 고정 테이프(19)를 리드(17)에 부착하는 이유는, QFP용 리드 프레임의 리드(17)가 도시된 바와 같이 상호간의 간격이 상당히 조밀한 상태로 많이 형성됨에 따라 각 리드(17)의 미약한 변형에도 리드 간 접촉에 따른 전기적 쇼트가 발생될 수 있기 때문에, 이를 미연에 방지하기 위해서이다. 즉 리드(17)는 고정 테이프(14)의 접착 강도에 의해 원래의 지점에 고정됨으로써, 리드들(17) 중 인접하는 리드들(19)끼리 서로 접촉되는 것을 방지한다.
한편 리드(17)는 다이 패드(12)에 근접하게 위치하는 내부 리드(13)와, 내부 리드(13)와 일체로 형성되어 프레임 몸체부(19)쪽으로 뻗어 있는 외부 리드(16)를 포함하며, 내부 리드(13)와 외부 리드(16)의 경계를 수직으로 가로지르는 방향으로 댐바(15)가 형성되어 있다.
이때 내부 리드(13)는 반도체 칩에 전기적으로 연결되는 선단쪽의 본딩부(21)와, 본딩부(21)와 일체로 형성되며 고정 테이프(14)가 부착되는 부착부(22)를 포함하며, 본딩부(21)와 부착부(22)는 거의 동일한 폭으로 형성된다. 그리고 다이 패드(12)에 근접한 본딩부(21)의 표면은 본딩 와이어와의 안정적인 와이어 본딩성을 확보하기 위해서 은(Ag)과 같은 소재로 도금된다. 도면부호 22는 본딩부(21)의 표면에 형성된 은 도금층을 나타낸다.
이와 같이 종래의 고정 테이프(14)를 갖는 리드 프레임(10)은 리드(17) 사이의 간격이 좁은 상태에서 고정 테이프(14)로 연결된 구조를 갖기 때문에, 도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 고정 테이프(14)로 연결된 인접한 내부 리드(13) 사이에 전위차가 발생될 경우 구리이온의 이동에 따른 덴드라이트(24; dendrite)에 의한 전기적 쇼트가 발생될 수 있다. 즉, 성형수지(18)로 성형 공정을 진행하여 반도체 패키지가 제조된 이후에 진행되는 HTOL(High Temperature Operating Life)과 같은 신뢰성 테스트에 있어서, 내부 리드들 중 인접하는 내부 리드들(13) 사이에 전위차 가 발생될 때, 내부 리드(13)에 포함된 구리 원자는 전기 전위차에 의해 발생된 전계에 의해 이온화되기 쉬운 경향이 있다. 구리 원자의 이온화는 전위차가 발생된 내부 리드들(13) 중 (+)극 내부 리드의 부착부(22a)에서 발생한다. 그러면 구리이온은 고정 테이프의 절연 접착층(14b) 내의 (+)극 부착부(22a)에서 이웃하는 (-)극 부착부(22b)쪽으로 확산하여 덴드라이트(24)가 형성되는데, 덴드라이트(24)가 (-)극 부착부(22b)에 접하게 되면 내부 리드(13)간 전기적 쇼트가 발생된다. 이때 도 5는 실질적으로 고정 테이프가 부착된 부착부에서 구리이온의 이동에 의해 형성된 덴드라이트에 의해 내부 리드 간 전기적 쇼트가 발생된 상태를 보여주는 도면이다.
따라서, 본 발명의 목적은 고정 테이프가 부착된 부착부에서 덴드라이트에 의해 리드 간 전기적 쇼트 발생을 억제하는 데 있다.
본 발명의 다른 목적은 고정 테이프가 부착된 부착부에서 덴드라이트의 발생을 억제하는 데 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 반도체 칩에 전기적으로 연결되는 본딩부와, 상기 본딩부와 일체로 형성되며 고정 테이프가 부착될 부착부를 갖는 구리 소재의 리드들과; 상기 부착부의 적어도 일면에 부착되어 상기 리드들의 위치를 고정하는 고정 테이프;를 포함하며,
상기 부착부는 상기 부착부를 중심으로 양쪽의 리드 부분에 비해서 폭이 좁게 형성되며, 표면에 구리이온 이동 방지용 도금층이 형성되어 덴드라이트에 의한 리드 간 전기적 쇼트 발생을 억제하는 것을 특징으로 하는 고정 테이프를 갖는 리드 프레임을 제공한다.
본 발명에 따른 부착부는 부착부를 중심으로 양쪽의 리드 부분의 외측면에 대해서 안쪽으로 오목하게 요홈이 형성되어 있다.
본 발명에 따른 부착부는 고정 테이프의 폭보다는 적어도 길게 형성하는 것이 바람직하다.
본 발명에 따른 도금층은 적어도 고정 테이프가 접착되는 부착부의 면에 형성될 수 있다. 도금층으로는 니켈 또는 팔라듐을 사용하는 것이 바람직하다.
본 발명에 따른 고정 테이프는 지그재그 형상으로 부착부에 부착될 수 있다.
본 발명은 또한 구리 소재의 리드 프레임으로, 프레임 몸체부와; 상기 프레임 몸체부의 각 모서리에서 내측으로 연장 형성되어 있는 타이바와; 상기 타이바에 각 모서리가 연결되어 상기 프레임 몸체부 중심에 위치되면서 그 상부면에 반도체 칩이 실장되는 다이 패드와; 상기 다이 패드의 외측 둘레에 선단부가 위치하도록 상기 프레임 몸체부로부터 내측으로 연장 형성되는 복수개의 리드와; 상기 다이 패드에 근접한 상기 리드 부분에 부착되어 상기 리드들의 위치를 고정하는 고정 테이프;를 포함하며, 상기 고정 테이프가 부착된 상기 리드 부분은 다른 리드 부분에 비해서 폭이 좁게 형성되며, 표면에 구리이온 이동 방지용 도금층이 형성된 것을 특징으로 하는 고정 테이프를 갖는 리드 프레임을 제공한다.
그리고 본 발명에 따른 리드는, 다이 패드에 근접하게 위치하며 반도체 칩에 전기적으로 연결되는 본딩부와, 본딩부와 일체로 형성되며 고정 테이프가 부착되는 부착부를 갖는 내부 리드와, 내부 리드와 일체로 형성되어 프레임 몸체부쪽으로 뻗어 있는 외부 리드를 포함하며, 부착부는 다른 내부 리드 부분에 비해서 폭이 좁게 형성된다.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다.
도 6은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 요홈(127)이 형성된 리드의 부착부(122)에 부착된 고정 테이프(114)를 갖는 리드 프레임을 보여주는 평면도이다. 한편 도 6에서는 리드 프레임의 일부분을 도시하였지만, 기본적인 구성은 도 1에 도시된 리드 프레임과 동일한 구조를 갖기 때문에, 상세한 설명은 생략한다.
도 6을 참조하면, 제 1 실시예에 따른 리드 프레임은 구리계 리드 프레임으로서, 반도체 칩에 전기적으로 연결되는 본딩부(121)와, 본딩부(121)와 일체로 형성되며 고정 테이프(114)가 부착될 부착부(122)를 갖는 내부 리드(113)을 포함하는 리드들(117)과, 부착부(122)의 적어도 일면에 부착되어 내부 리드들(113)의 위치를 고정하는 고정 테이프(114)를 포함한다.
제 1 실시예에 따른 리드 프레임에 대해서 구체적으로 설명하면, 본딩부(121)는 내부 리드(113)의 선단부로서, 본딩 와이어와 안정적인 접합을 이룰 수 있도록 표면에 은 도금층(123)이 형성되어 있다.
그리고 부착부(122)는 부착부(122)를 중심으로 양쪽의 내부 리드(113) 부분에 비해서 폭이 좁게 형성된다. 즉 전체 내부 리드(113) 부분에서 부착부(122)의 폭을 좁게 형성함으로써, 내부 리드 간 거리(d1)에 비해서 부착부(122) 사이의 거 리(d2)를 길게 형성함으로써, 고정 테이프(114)가 부착된 부착부(122)에서 발생되는 덴드라이트의 이동 거리를 증가시킴으로써 덴드라이트에 의한 내부 리드 간 전기적 쇼트 발생을 억제할 수 있다.
이때 부착부(122)는 부착부(122)를 중심으로 양쪽의 내부 리드(113) 부분의 외측면에 대해서 오목하게 요홈(127)이 형성될 수 있으며, 고정 테이프(114)의 폭보다는 적어도 길게 형성하는 것이 바람직하다.
아울러 부착부(122) 표면에 구리이온 이동 억제용 도금층(125)을 형성함으로서, 덴드라이트에 의한 내부 리드 간 전기적 쇼트 발생을 효과적으로 억제할 수 있다. 이때 도금층(125)은 적어도 고정 테이프(114)가 접착되는 부착부(122)의 면에 형성하는 것이 바람직하다. 도금층(125)으로는 니켈(Ni) 또는 팔라듐(Pd)이 사용될 수 있다.
그리고 고정 테이프(114)는 부착부(122) 내에 부착부들(122)을 수직으로 가로지르는 방향으로 부착된다. 제 1 실시예에 따른 고정 테이프(114)는 종래와 동일하게 소정의 폭을 갖는 직선 형태를 갖는다.
한편 제 1 실시예에 따른 리드 프레임의 부착부(122)에 직선 형태의 고정 테이프(114)가 부착된 예를 개시하였지만, 도 7a 및 도 7b에 도시된 바와 같이, 지그재그 형태의 고정 테이프(214)를 부착할 수도 있다. 제 2 실시예에 따른 리드 프레임은 부착부(222)에 지그재그 형태의 고정 테이프(214)가 부착된 것을 제외하면 제 1 실시예에 따른 리드 프레임과 동일한 구조를 갖는다.
제 2 실시예에 따른 고정 테이프(214)는, 도 7b에 도시된 바와 같이, 부착부 (222a, 22b) 사이를 연결하는 최단 거리 방향의 직선상의 적어도 한쪽에는 고정 테이프(214)가 위치하지 않는 지그재그 형태의 고정 테이프를 사용하는 것이 바람직하다. 즉, 부착부(222a, 222b) 사이에서 덴드라이트가 형성될 때, 고정 테이프(214)에 부착된 부착부(222a, 222b) 사이의 최단 거리를 직선으로 연결한 방향으로 덴드라이트가 형성될 확률이 높다. 따라서 지그재그 형태의 고정 테이프(214)를 사용함으로써, 고정 테이프(214)가 부착된 서로 이웃하는 부착부의 경계면(b1, b2) 위치에서 수선(v1, v2)을 내렸을 때 겹치는 부분을 최소화시킬 수 있다. 물론 고정 테이프(214)가 부착되며 서로 이웃하는 부착부의 경계면(b1, b2) 위치에서 수선(v1, v2)을 내렸을 때 겹치는 부분이 없는 지그재그 형태의 고정 테이프를 사용하는 것이 가장 바람직하다.
이와 같이 지그재그 형태의 고정 테이프(214)를 사용함으로써, 인접한 부착부(222a, 222b) 사이를 수직으로 연결하는 최단거리 방향으로 양쪽에 모두 고정 테이프(214)가 존재하는 부분을 최소화함으로써, 구리이온의 이동 경로를 차단하거나 구리이온의 이동을 방해하기 때문에, 덴드라이트에 의한 내부 리드 간 전기적 쇼트 발생을 억제할 수 있다.
한편 제 2 실시예에서는 고정 테이프(214)를 지그재그 형태로 형성된 예를 개시하였지만, 도 8에 도시된 바와 같이, 제 3 실시예에 따른 고정 테이프(314)는 직선 형태에 좌우로 슬릿(326)이 형성된 지그재그 형태로 구현될 수 있다. 이때 슬릿(326)은 인접하는 부착부(322) 사이의 고정 테이프(314) 부분에 좌우로 하나씩 형성하는 것이 바람직하며, 좌우 슬릿(326)의 양단이 적어도 고정 테이프의 중심선 (c)에 위치할 수 있도록 형성하는 것이 바람직하다. 즉 좌우 슬릿(326)의 길이는 고정 테이프(314)의 폭의 반에 가까운 길이로 형성하는 것이 바람직하다.
또는 도 9에 도시된 바와 같이, 제 4 실시예에 따른 고정 테이프(414)는 지그재그 형태와 동일한 효과를 밝휘하는 파형으로 구현하여 부착부(422)에 부착할 수 있다. 한편 파형은 지그재그 형태의 하나의 변형예로 간주될 수 있으며, 그 외 다양한 변형된 형태로 구현될 수도 있다.
한편, 본 명세서와 도면에 개시된 본 발명의 실시예들은 이해를 돕기 위해 특정 예를 제시한 것에 지나지 않으며, 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것은 아니다. 여기에 개시된 실시예들 이외에도 본 발명의 기술적 사상에 바탕을 둔 다른 변형예들이 실시 가능하다는 것은, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 것이다. 예컨대 본 발명의 실시예에서는 고정 테이프가 부착된 QFP용 리드 프레임을 예를 들어 설명하였지만, 고정 테이프를 사용하는 다른 구리 소재의 리드 프레임에도 그대로 적용할 수 있음은 물론이다. 즉, LOC(Lead On Chip)용 리드 프레임에도 본 발명에 개시된 바와 같이, 부착부에 요홈을 형성하고, 고정 테이프가 부착되는 면에 도금층을 형성하여 덴드라이트에 의한 내부 리드 사이의 전기적 쇼트를 방지할 수 있다.
따라서, 본 발명의 구조를 따르면 부착부는 부착부를 중심으로 양쪽의 내부 리드 부분에 비해서 폭을 좁게 형성함으로써, 내부 리드 간 거리에 비해서 부착부 사이의 거리를 길게 하여 고정 테이프가 부착된 부착부에서 발생되는 덴드라이트의 이동 거리를 증가시켜 덴드라이트에 의한 내부 리드 간 전기적 쇼트 발생을 억제할 수 있다.
아울러 부착부 표면에 구리이온 이동 억제용 도금층을 형성함으로서, 덴드라이트에 의한 내부 리드 간 전기적 쇼트 발생을 억제할 수 있다.
그리고 고정 테이프는 부착부 사이를 연결하는 최단 거리 방향의 직선상의 적어도 한쪽에는 고정 테이프가 위치하지 않는 지그재그 형태나 파형 형태로 구현함으로써, 구리이온의 이동 경로를 차단하거나 방해하기 때문에, 덴드라이트에 의한 내부 리드 간 전기적 쇼트 발생을 억제할 수 있다.

Claims (8)

  1. 반도체 칩에 전기적으로 연결되는 본딩부와, 상기 본딩부와 일체로 형성되며 고정 테이프가 부착될 부착부를 갖는 구리 소재의 리드들과;
    상기 부착부의 적어도 일면에 부착되어 상기 리드들의 위치를 고정하는 고정 테이프;를 포함하며,
    상기 부착부는 상기 부착부를 중심으로 양쪽의 리드 부분에 비해서 폭이 좁게 형성되며, 표면에 구리이온 이동 방지용 도금층이 형성되어 덴드라이트에 의한 리드 간 전기적 쇼트 발생을 억제하는 것을 특징으로 하는 고정 테이프를 갖는 리드 프레임.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 부착부는 상기 부착부를 중심으로 양쪽의 리드 부분의 외측면에 대해서 안쪽으로 오목하게 요홈이 형성된 것을 특징으로 하는 고정 테이프를 갖는 리드 프레임.
  3. 제 2항에 있어서, 상기 부착부는 상기 고정 테이프의 폭보다는 적어도 길게 형성된 것을 특징으로 하는 고정 테이프를 갖는 리드 프레임.
  4. 제 3항에 있어서, 상기 도금층은 적어도 상기 고정 테이프가 접착되는 상기 부착부의 면에 형성된 것을 특징으로 고정 테이프를 갖는 리드 프레임.
  5. 제 4항에 있어서, 상기 도금층은 니켈 또는 팔라듐인 것을 특징으로 하는 고정 테이프를 갖는 리드 프레임.
  6. 제 1항에 있어서, 상기 고정 테이프는 지그재그 형상으로 상기 부착부에 부착된 것을 특징으로 하는 고정 테이프를 갖는 리드 프레임.
  7. 구리 소재의 리드 프레임으로,
    프레임 몸체부와;
    상기 프레임 몸체부의 각 모서리에서 내측으로 연장 형성되어 있는 타이바와;
    상기 타이바에 각 모서리가 연결되어 상기 프레임 몸체부 중심에 위치되면서 그 상부면에 반도체 칩이 실장되는 다이 패드와;
    상기 다이 패드의 외측 둘레에 선단부가 위치하도록 상기 프레임 몸체부로부터 내측으로 연장 형성되는 복수개의 리드와;
    상기 다이 패드에 근접한 상기 리드 부분에 부착되어 상기 리드들의 위치를 고정하는 고정 테이프;를 포함하며,
    상기 고정 테이프가 부착된 상기 리드 부분은 다른 리드 부분에 비해서 폭이 좁게 형성되며, 표면에 구리이온 이동 방지용 도금층이 형성된 것을 특징으로 하는 고정 테이프를 갖는 리드 프레임.
  8. 제 7항에 있어서, 상기 리드는,
    상기 다이 패드에 근접하게 위치하며 반도체 칩에 전기적으로 연결되는 본딩부와, 상기 본딩부와 일체로 형성되며 상기 고정 테이프가 부착되는 부착부를 갖는 내부 리드와;
    상기 내부 리드와 일체로 형성되어 상기 프레임 몸체부쪽으로 뻗어 있는 외부 리드;를 포함하며,
    상기 부착부는 다른 내부 리드 부분에 비해서 폭이 좁게 형성된 것을 특징으로 하는 고정 테이프를 갖는 리드 프레임.
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100830574B1 (ko) * 2006-09-21 2008-05-21 삼성전자주식회사 반도체 소자 패키지
US8258609B2 (en) * 2007-03-21 2012-09-04 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit package system with lead support
US8334467B2 (en) * 2009-06-17 2012-12-18 Lsi Corporation Lead frame design to improve reliability
TW201220455A (en) * 2010-11-10 2012-05-16 Raydium Semiconductor Corp Semiconductor device

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2745933B2 (ja) * 1992-02-17 1998-04-28 日本電気株式会社 Ｔａｂ−集積回路
JP2758873B2 (ja) 1995-11-24 1998-05-28 九州日本電気株式会社 テーピングリードフレーム
JP2908350B2 (ja) * 1996-10-09 1999-06-21 九州日本電気株式会社 半導体装置
JP2933554B2 (ja) 1996-11-28 1999-08-16 九州日本電気株式会社 半導体装置およびその製造方法
US6037652A (en) * 1997-05-29 2000-03-14 Nec Corporation Lead frame with each lead having a peel generation preventing means and a semiconductor device using same
US6956282B1 (en) * 1997-11-05 2005-10-18 Texas Instruments Incorporated Stabilizer/spacer for semiconductor device
US6448633B1 (en) * 1998-11-20 2002-09-10 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package and method of making using leadframe having lead locks to secure leads to encapsulant
US7026710B2 (en) * 2000-01-21 2006-04-11 Texas Instruments Incorporated Molded package for micromechanical devices and method of fabrication
JP3436254B2 (ja) * 2001-03-01 2003-08-11 松下電器産業株式会社 リードフレームおよびその製造方法
JP2004063688A (ja) * 2002-07-26 2004-02-26 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置及び半導体アセンブリモジュール
US6797540B1 (en) * 2002-11-18 2004-09-28 National Semiconductor Corporation Dap isolation process
US7064419B1 (en) * 2004-06-18 2006-06-20 National Semiconductor Corporation Die attach region for use in a micro-array integrated circuit package

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