JP2001257303A - 電子部品用リード材及びそれを用いた半導体装置 - Google Patents
電子部品用リード材及びそれを用いた半導体装置Info
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- JP2001257303A JP2001257303A JP2000073939A JP2000073939A JP2001257303A JP 2001257303 A JP2001257303 A JP 2001257303A JP 2000073939 A JP2000073939 A JP 2000073939A JP 2000073939 A JP2000073939 A JP 2000073939A JP 2001257303 A JP2001257303 A JP 2001257303A
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- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】鉛による環境汚染問題の生じない電子部品用リ
ード材を提供すること。 【解決手段】銅又はその合金或いは鉄又はその合金等で
できたリード材1の表面を、銅の含有量が0.4〜5.
0wt%のスズ−銅合金めっき層2で被覆した構成とす
る。
ード材を提供すること。 【解決手段】銅又はその合金或いは鉄又はその合金等で
できたリード材1の表面を、銅の含有量が0.4〜5.
0wt%のスズ−銅合金めっき層2で被覆した構成とす
る。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子部品用リード
材及びそれをリードとして用いた半導体装置に関するも
のである。
材及びそれをリードとして用いた半導体装置に関するも
のである。
【0002】更に詳しくは、銅又はその合金或いは鉄又
はその合金等でできたリード基材表面を、鉛を含有しな
いスズ−銅合金めっき層で被覆した電子部品用リード材
であって、鉛を含有しないために環境を害することが無
く、はんだとの接合強度が高い電子部品用リード材及び
それを用いた半導体装置に関する。
はその合金等でできたリード基材表面を、鉛を含有しな
いスズ−銅合金めっき層で被覆した電子部品用リード材
であって、鉛を含有しないために環境を害することが無
く、はんだとの接合強度が高い電子部品用リード材及び
それを用いた半導体装置に関する。
【0003】
【従来の技術】IC、LSIなどの半導体素子は、いわ
ゆるパッケージング工程において、リードフレーム上に
固着された後、ワイヤボンディングなどによりリードフ
レームと電気的に接続され、更にモールド樹脂によりモ
ールドされる。そして、基板などの外部回路とはんだ等
を用いて接続するために、モールド樹脂の外側に露出し
たリードには、主に鉛を10〜40wt%含むスズ−鉛合
金、いわゆる鉛はんだめっきが施され、その後リードは
フレームから切断され、所定の形状に曲げ成形される。
ゆるパッケージング工程において、リードフレーム上に
固着された後、ワイヤボンディングなどによりリードフ
レームと電気的に接続され、更にモールド樹脂によりモ
ールドされる。そして、基板などの外部回路とはんだ等
を用いて接続するために、モールド樹脂の外側に露出し
たリードには、主に鉛を10〜40wt%含むスズ−鉛合
金、いわゆる鉛はんだめっきが施され、その後リードは
フレームから切断され、所定の形状に曲げ成形される。
【0004】このように、電子部品用リード材として、
従来、銅又は銅合金、或いはFe又はFe合金に代表さ
れるリード基材の表面を、スズ−鉛はんだに代表される
スズ合金めっき層で被覆したリード材が知られている。
従来、銅又は銅合金、或いはFe又はFe合金に代表さ
れるリード基材の表面を、スズ−鉛はんだに代表される
スズ合金めっき層で被覆したリード材が知られている。
【0005】かかる電子部品用リード材は、リード基材
の優れた導電性と機械的強度を有しつつ、スズ合金の単
純スズめっきにおけるウィスカ発生の抑制力と良好なは
んだ付け性をも兼ね備える高性能導体であって、各種の
端子、コネクタ、リードのような電気・電子部品として
使用されている。
の優れた導電性と機械的強度を有しつつ、スズ合金の単
純スズめっきにおけるウィスカ発生の抑制力と良好なは
んだ付け性をも兼ね備える高性能導体であって、各種の
端子、コネクタ、リードのような電気・電子部品として
使用されている。
【0006】しかし、最近鉛による環境汚染問題がクロ
ーズアップされ、鉛を用いないスズ合金めっきリード材
の開発が急務となっている。
ーズアップされ、鉛を用いないスズ合金めっきリード材
の開発が急務となっている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来技
術の問題点として、鉛を含まない単純なスズめっきで
は、ウィスカの発生が懸念される。そこで、その代替材
料として各種スズ合金めっき化が進められている。現
在、鉛フリースズ合金めっき液としては、スズ−銀、ス
ズ−ビスマス、スズ−亜鉛の3種類が開発されている
が、スズ−銀合金めっきは高価であること、スズ−ビス
マス合金めっきは硬く脆いため半導体装置の製造工程に
おいてリードを曲げたときにめっき膜にクラックが生じ
るという脆化問題があり、またスズ−亜鉛合金めっきは
酸化されやすく濡れ性が劣り、ウィスカも発生しやすい
という問題があり、いずれも現状のスズ−鉛合金めっき
線材と完全な代替を図ることは困難である。
術の問題点として、鉛を含まない単純なスズめっきで
は、ウィスカの発生が懸念される。そこで、その代替材
料として各種スズ合金めっき化が進められている。現
在、鉛フリースズ合金めっき液としては、スズ−銀、ス
ズ−ビスマス、スズ−亜鉛の3種類が開発されている
が、スズ−銀合金めっきは高価であること、スズ−ビス
マス合金めっきは硬く脆いため半導体装置の製造工程に
おいてリードを曲げたときにめっき膜にクラックが生じ
るという脆化問題があり、またスズ−亜鉛合金めっきは
酸化されやすく濡れ性が劣り、ウィスカも発生しやすい
という問題があり、いずれも現状のスズ−鉛合金めっき
線材と完全な代替を図ることは困難である。
【0008】そこで本発明の目的は、上記課題を解決
し、鉛による環境汚染問題の生じない電子部品用リード
材と、それをリードとして用いた半導体装置を提供する
ことにある。
し、鉛による環境汚染問題の生じない電子部品用リード
材と、それをリードとして用いた半導体装置を提供する
ことにある。
【0009】更に、本発明の他の目的は、耐屈曲性、は
んだ付性等の特性が良好であり、安価なスズ合金めっき
線材つまり電子部品用リード材の提供と、それを用いた
半導体装置を提供することにある。
んだ付性等の特性が良好であり、安価なスズ合金めっき
線材つまり電子部品用リード材の提供と、それを用いた
半導体装置を提供することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の電子部品用リード材は、銅又はその合金或
いは鉄又はその合金等でできたリード基材表面に、スズ
−銅合金のめっきを施したことを特徴とする(請求項
1)。
め、本発明の電子部品用リード材は、銅又はその合金或
いは鉄又はその合金等でできたリード基材表面に、スズ
−銅合金のめっきを施したことを特徴とする(請求項
1)。
【0011】本発明の電子部品用リード材は、銅又はそ
の合金或いは鉄又はその合金等でできたリード基材表面
を、鉛を含有しないスズ−銅合金めっき層で被覆した構
成であり、鉛を含有しないため、環境を害することが無
い。また、そのスズ−銅合金めっき層は、はんだとの接
合強度が高いため、従来のスズ−鉛合金めっき線材から
成る電子部品用リード材と同様に用いることができる。
の合金或いは鉄又はその合金等でできたリード基材表面
を、鉛を含有しないスズ−銅合金めっき層で被覆した構
成であり、鉛を含有しないため、環境を害することが無
い。また、そのスズ−銅合金めっき層は、はんだとの接
合強度が高いため、従来のスズ−鉛合金めっき線材から
成る電子部品用リード材と同様に用いることができる。
【0012】本発明の電子部品用リード材において、前
記スズ−銅合金めっきは、はんだ付け性および機械加工
性を考慮したとき、銅の含有率を0.4〜5wt%とする
スズ合金めっきであることが好ましい(請求項2)。ま
た、実用上、前記スズ−銅合金めっきの厚さは1〜15
μmとするのがよい(請求項3)。
記スズ−銅合金めっきは、はんだ付け性および機械加工
性を考慮したとき、銅の含有率を0.4〜5wt%とする
スズ合金めっきであることが好ましい(請求項2)。ま
た、実用上、前記スズ−銅合金めっきの厚さは1〜15
μmとするのがよい(請求項3)。
【0013】本発明において、スズ−銅合金めっきの銅
の含有率を0.4wt%以上、5wt%以下としたのは、銅
の含有率が0.4wt%未満になるとウィスカの発生が認
められ、また5wt%を超えると機械的な曲げ加工におい
て割れ(クラック)が発生するようになるためである。
機械加工による割れは、銅の含有率3wt%以上から生じ
る傾向が生まれ、その後銅の含有率が多くなるほど発生
する割合が高くなることから、割れが生じない最も安全
な範囲としては、銅の含有率が0.4wt%以上、3wt%
未満とするのが好ましい。
の含有率を0.4wt%以上、5wt%以下としたのは、銅
の含有率が0.4wt%未満になるとウィスカの発生が認
められ、また5wt%を超えると機械的な曲げ加工におい
て割れ(クラック)が発生するようになるためである。
機械加工による割れは、銅の含有率3wt%以上から生じ
る傾向が生まれ、その後銅の含有率が多くなるほど発生
する割合が高くなることから、割れが生じない最も安全
な範囲としては、銅の含有率が0.4wt%以上、3wt%
未満とするのが好ましい。
【0014】更に、本発明の半導体装置は、上記電子部
品用リード材から成るリードを、半導体パッケージの外
側に露出させて曲げ形成したことを特徴とする(請求項
4)。
品用リード材から成るリードを、半導体パッケージの外
側に露出させて曲げ形成したことを特徴とする(請求項
4)。
【0015】この特徴によれば、曲げ成形されるリード
にスズ−銅合金めっき層で被覆した電子部品用リード材
を用いているので、曲げによる割れの発生を防止し、濡
れ性の低下がなく、しかも耐ウィスカ性に優れた信頼性
の高い半導体装置を実現することができる。
にスズ−銅合金めっき層で被覆した電子部品用リード材
を用いているので、曲げによる割れの発生を防止し、濡
れ性の低下がなく、しかも耐ウィスカ性に優れた信頼性
の高い半導体装置を実現することができる。
【0016】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を実施例
を中心にして説明する。
を中心にして説明する。
【0017】図1において、1は銅又は銅合金、或いは
FeまたはFe合金製のリード材であり、2は銅を0.
4〜5wt%の割合で含むスズ−銅合金のめっき層を示
す。本実施例の電子部品用リード材は、リード材1上に
上記スズ−銅合金のめっき層2を1〜15μm施すこと
で構成される。なお、リード材1の形態としては、ここ
ではIC、LSIなどの半導体素子のリードフレームと
なるストライプめっき条の形態又は丸線を想定している
が、リード材1の形態にはこのような平条、丸線の他、
異形条、筒状など任意の形態が含まれる。
FeまたはFe合金製のリード材であり、2は銅を0.
4〜5wt%の割合で含むスズ−銅合金のめっき層を示
す。本実施例の電子部品用リード材は、リード材1上に
上記スズ−銅合金のめっき層2を1〜15μm施すこと
で構成される。なお、リード材1の形態としては、ここ
ではIC、LSIなどの半導体素子のリードフレームと
なるストライプめっき条の形態又は丸線を想定している
が、リード材1の形態にはこのような平条、丸線の他、
異形条、筒状など任意の形態が含まれる。
【0018】
【表1】
【0019】表1において、試作番号1〜7のうち、試
作番号2〜5が本発明の実施例であり、試作番号1及び
試作番号6〜7が比較例、試作番号8が従来例である。
作番号2〜5が本発明の実施例であり、試作番号1及び
試作番号6〜7が比較例、試作番号8が従来例である。
【0020】本発明の実施例1〜4(試作番号2〜5)
は次のようにして製作した。即ち、直径φ0.56mmの
銅線(丸線)上に、シアン化浴を用いて、銅を0.4wt
%、1.1wt%、2.2wt%、5.0wt%含むスズ合金
めっきを6μm施した。
は次のようにして製作した。即ち、直径φ0.56mmの
銅線(丸線)上に、シアン化浴を用いて、銅を0.4wt
%、1.1wt%、2.2wt%、5.0wt%含むスズ合金
めっきを6μm施した。
【0021】一方、比較例1〜3(試作番号1、6、
7)は、同じく直径φ0.56mmの銅線(丸線)上に、
シアン化浴を用いて、銅を0.2wt%、5.2wt%、
8.9wt%含むスズ合金めっきを6μm施して製作し
た。
7)は、同じく直径φ0.56mmの銅線(丸線)上に、
シアン化浴を用いて、銅を0.2wt%、5.2wt%、
8.9wt%含むスズ合金めっきを6μm施して製作し
た。
【0022】これらの製品の特性を評価するため、各製
品を、245℃に加熱した63%Sn−37%Pbはん
だ、90%Sn−7.5%Bi−2%Ag−0.5%C
uはんだ及び95.4%Sn−3.5%Ag−1.1%
Cuの各はんだ浴で、それぞれのはんだ付け性を測定し
た。測定方法は平衡法(JISC0053)である。
品を、245℃に加熱した63%Sn−37%Pbはん
だ、90%Sn−7.5%Bi−2%Ag−0.5%C
uはんだ及び95.4%Sn−3.5%Ag−1.1%
Cuの各はんだ浴で、それぞれのはんだ付け性を測定し
た。測定方法は平衡法(JISC0053)である。
【0023】その結果、表1に示すように、実施例1〜
4の各製品は、共に、はんだ濡れ時間(ゼロクロス時
間)が0.8〜1.0秒と良好なはんだ付性を示した。
また、実施例1〜4のスズ−銅合金めっきリード線に対
し、半径0.5mmの曲げ加工を行い、機械加工性を試験
したところ、どの線材でもめっき膜に割れは確認されな
かった。更に、ウィスカの発生をみるため、50℃で1
ケ月の放置試験を行った結果、ウィスカは発生していな
かった。
4の各製品は、共に、はんだ濡れ時間(ゼロクロス時
間)が0.8〜1.0秒と良好なはんだ付性を示した。
また、実施例1〜4のスズ−銅合金めっきリード線に対
し、半径0.5mmの曲げ加工を行い、機械加工性を試験
したところ、どの線材でもめっき膜に割れは確認されな
かった。更に、ウィスカの発生をみるため、50℃で1
ケ月の放置試験を行った結果、ウィスカは発生していな
かった。
【0024】これに対し、比較例1〜3の場合は、次の
ように不適当なものとなった。即ち、銅の含有率を0.
2wt%としたスズ−銅合金(比較例1)の場合、はんだ
濡れ時間は0.8秒と良好であったが、ウィスカの発生
が認められた。これは銅の含有量が低すぎてウィスカの
発生を抑制する性能に欠けていた、と判断される。
ように不適当なものとなった。即ち、銅の含有率を0.
2wt%としたスズ−銅合金(比較例1)の場合、はんだ
濡れ時間は0.8秒と良好であったが、ウィスカの発生
が認められた。これは銅の含有量が低すぎてウィスカの
発生を抑制する性能に欠けていた、と判断される。
【0025】また、銅の含有率を5.2wt%としたスズ
−銅合金(比較例2)の場合、はんだ濡れ時間は1.1
秒と実用可能な範囲であり、ウィスカの発生も認められ
なかったが、半径0.5mmの曲げ加工による機械加工性
の試験において、めっき膜は極めて割れの生じ易い状態
にあった。
−銅合金(比較例2)の場合、はんだ濡れ時間は1.1
秒と実用可能な範囲であり、ウィスカの発生も認められ
なかったが、半径0.5mmの曲げ加工による機械加工性
の試験において、めっき膜は極めて割れの生じ易い状態
にあった。
【0026】更に、銅の含有率を8.9wt%としたスズ
−銅合金(比較例3)では、銅の含有量が多すぎるため
曲げ加工を行うとスズ−銅合金層にクラックが発生し
た。
−銅合金(比較例3)では、銅の含有量が多すぎるため
曲げ加工を行うとスズ−銅合金層にクラックが発生し
た。
【0027】これらの結果より、銅の含有量が0.4〜
5.0wt%のスズ−銅合金がリード材としては実用範囲
である。
5.0wt%のスズ−銅合金がリード材としては実用範囲
である。
【0028】一方、従来例(試作番号8)のスズ−鉛め
っきリード線について、そのはんだ濡れ時間を測定した
ところ0.8秒であった。上記実施例1〜4のはんだ濡
れ時間は0.8〜1.0秒であり、従来例の値と殆ど違
いがないので、従来と同様の取り扱いやすい電子部品用
リード材が得られたことになる。
っきリード線について、そのはんだ濡れ時間を測定した
ところ0.8秒であった。上記実施例1〜4のはんだ濡
れ時間は0.8〜1.0秒であり、従来例の値と殆ど違
いがないので、従来と同様の取り扱いやすい電子部品用
リード材が得られたことになる。
【0029】上記実施例1〜4の電子部品用リード材を
平条のアウターリードとして、半導体パッケージの外側
に露出させ、曲げ形成して半導体装置を構成したとこ
ろ、曲げによる割れがなく、濡れ性及び耐ウィスカ性に
優れた信頼性の高い半導体装置を実現することができ
た。
平条のアウターリードとして、半導体パッケージの外側
に露出させ、曲げ形成して半導体装置を構成したとこ
ろ、曲げによる割れがなく、濡れ性及び耐ウィスカ性に
優れた信頼性の高い半導体装置を実現することができ
た。
【0030】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、次
のような優れた効果が得られる。
のような優れた効果が得られる。
【0031】本発明の電子部品用リード材は、銅又はそ
の合金或いは鉄又はその合金等でできたリード基材表面
を、鉛を含有しないスズ−銅合金めっき層で被覆した構
成であり、鉛を含有しないため、環境を害することが無
い。また、そのスズ−銅合金めっき層は、はんだとの接
合強度が高いため、従来のスズ−鉛合金めっき線材から
成る電子部品用リード材と同等の取扱い易さで用いるこ
とができる。
の合金或いは鉄又はその合金等でできたリード基材表面
を、鉛を含有しないスズ−銅合金めっき層で被覆した構
成であり、鉛を含有しないため、環境を害することが無
い。また、そのスズ−銅合金めっき層は、はんだとの接
合強度が高いため、従来のスズ−鉛合金めっき線材から
成る電子部品用リード材と同等の取扱い易さで用いるこ
とができる。
【0032】また、上記スズ−銅合金めっき層を銅含有
率0.4〜5wt%のスズ−銅合金めっき層とすることに
より、曲げ加工に対して、従来のはんだめっきリード材
品並みの耐めっき割れ性を持ち、且つウィスカの発生を
抑制したスズ合金めっきの電子部品用リード材を得るこ
とができる。
率0.4〜5wt%のスズ−銅合金めっき層とすることに
より、曲げ加工に対して、従来のはんだめっきリード材
品並みの耐めっき割れ性を持ち、且つウィスカの発生を
抑制したスズ合金めっきの電子部品用リード材を得るこ
とができる。
【0033】従って、この電子部品用リード材をアウタ
ーリードとして用い、半導体パッケージの外側に露出さ
せて曲げ形成ることにより、曲げによる割れがなく、濡
れ性及び耐ウィスカ性に優れた信頼性の高い半導体装置
を実現することができる。
ーリードとして用い、半導体パッケージの外側に露出さ
せて曲げ形成ることにより、曲げによる割れがなく、濡
れ性及び耐ウィスカ性に優れた信頼性の高い半導体装置
を実現することができる。
【図1】本発明のスズ−銅合金めっき層を設けたリード
材を示す横断面図である。
材を示す横断面図である。
1 銅又はその合金或いは鉄又はその合金製リード材 2 銅を0.4〜5wt%の割合で含むスズ−銅合金めっ
き層
き層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 23/48 H01L 23/48 K
Claims (4)
- 【請求項1】銅又はその合金或いは鉄又はその合金等で
できたリード基材表面に、スズ−銅合金のめっきを施し
たことを特徴とする電子部品用リード材。 - 【請求項2】請求項1記載の電子部品用リード材におい
て、前記スズ−銅合金めっきが、銅の含有率を0.45
〜5wt%とするスズ合金めっきであることを特徴とする
電子部品用リード材。 - 【請求項3】請求項1又は2記載の電子部品用リード材
において、前記スズ−銅合金めっきの厚さを1〜15μ
mとしたことを特徴とする電子部品用リード材。 - 【請求項4】請求項1、2又は3記載の電子部品用リー
ド材から成るリードを、半導体パッケージの外側に露出
させて曲げ形成したことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000073939A JP2001257303A (ja) | 2000-03-13 | 2000-03-13 | 電子部品用リード材及びそれを用いた半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000073939A JP2001257303A (ja) | 2000-03-13 | 2000-03-13 | 電子部品用リード材及びそれを用いた半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001257303A true JP2001257303A (ja) | 2001-09-21 |
Family
ID=18592077
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000073939A Pending JP2001257303A (ja) | 2000-03-13 | 2000-03-13 | 電子部品用リード材及びそれを用いた半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2001257303A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7235309B2 (en) | 2002-12-16 | 2007-06-26 | Nec Electronics Corporation | Electronic device having external terminals with lead-free metal thin film formed on the surface thereof |
US7361983B2 (en) | 2002-07-26 | 2008-04-22 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device and semiconductor assembly module with a gap-controlling lead structure |
-
2000
- 2000-03-13 JP JP2000073939A patent/JP2001257303A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7361983B2 (en) | 2002-07-26 | 2008-04-22 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device and semiconductor assembly module with a gap-controlling lead structure |
US7235309B2 (en) | 2002-12-16 | 2007-06-26 | Nec Electronics Corporation | Electronic device having external terminals with lead-free metal thin film formed on the surface thereof |
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