JP2001254196A - 電子部品用リード線の製造方法 - Google Patents
電子部品用リード線の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】鉛による環境汚染問題の生じない電子部品用リ
ード線であって、耐屈曲性、はんだ付性等の特性が良好
であり、安価なスズ合金めっき線の製造方法を提供する
こと。 【解決手段】銅又は銅合金、或いは鉄又はその合金等で
できたリード基材１上にスズめっき２を施し、その表面
に銀めっき３を施した後、そのリード材表面をダイス或
いは繊維で平滑化させ、表層の銀をスズめっき層に拡散
させる。
ード線であって、耐屈曲性、はんだ付性等の特性が良好
であり、安価なスズ合金めっき線の製造方法を提供する
こと。 【解決手段】銅又は銅合金、或いは鉄又はその合金等で
できたリード基材１上にスズめっき２を施し、その表面
に銀めっき３を施した後、そのリード材表面をダイス或
いは繊維で平滑化させ、表層の銀をスズめっき層に拡散
させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子部品用リード
線の製造方法に関するものである。更に詳しくは、銅又
はその合金或いは鉄又はその合金等でできたリード基材
表面を、鉛を含有しないスズ合金めっき層で被覆した電
子部品用リード線であって、鉛を含有しないために環境
を害することが無く、はんだとの接合強度が高い電子部
品用リード線の製造方法に関する。
線の製造方法に関するものである。更に詳しくは、銅又
はその合金或いは鉄又はその合金等でできたリード基材
表面を、鉛を含有しないスズ合金めっき層で被覆した電
子部品用リード線であって、鉛を含有しないために環境
を害することが無く、はんだとの接合強度が高い電子部
品用リード線の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣ、ＬＳＩなどの半導体素子は、いわ
ゆるパッケージング工程において、リードフレーム上に
固着された後、ワイヤボンディングなどによりリードフ
レームと電気的に接続され、さらにモールド樹脂により
モールドされる。そして、基板などの外部回路とはんだ
等を用いて接続するために、モールド樹脂の外側に露出
したリードには、主に鉛を１０〜４０wt％含むスズ−鉛
合金、いわゆる鉛はんだめっきが施され、その後リード
はフレームから切断され、所定の形状に曲げ成形され
る。
ゆるパッケージング工程において、リードフレーム上に
固着された後、ワイヤボンディングなどによりリードフ
レームと電気的に接続され、さらにモールド樹脂により
モールドされる。そして、基板などの外部回路とはんだ
等を用いて接続するために、モールド樹脂の外側に露出
したリードには、主に鉛を１０〜４０wt％含むスズ−鉛
合金、いわゆる鉛はんだめっきが施され、その後リード
はフレームから切断され、所定の形状に曲げ成形され
る。
【０００３】このように、電子部品用リード線として、
従来、銅又は銅合金、或いはＦｅ又はＦｅ合金に代表さ
れるリード基材の表面を、スズ−鉛はんだに代表される
スズ合金めっき層で被覆したリード線が知られている。
従来、銅又は銅合金、或いはＦｅ又はＦｅ合金に代表さ
れるリード基材の表面を、スズ−鉛はんだに代表される
スズ合金めっき層で被覆したリード線が知られている。
【０００４】かかる電子部品用リード線は、リード基材
の優れた導電性と機械的強度を有しつつ、スズ合金の単
純スズめっきにおけるウィスカ発生の抑制力と良好なは
んだ付け性をも兼ね備える高性能導体であって、各種の
端子、コネクタ、リードのような電気・電子部品として
使用されている。
の優れた導電性と機械的強度を有しつつ、スズ合金の単
純スズめっきにおけるウィスカ発生の抑制力と良好なは
んだ付け性をも兼ね備える高性能導体であって、各種の
端子、コネクタ、リードのような電気・電子部品として
使用されている。
【０００５】しかし、最近鉛による環境汚染問題がクロ
ーズアップされ、鉛を用いないスズ合金めっきリード線
の開発が急務となっている。
ーズアップされ、鉛を用いないスズ合金めっきリード線
の開発が急務となっている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来技
術の問題点として、鉛を含まない単純なスズめっきで
は、ウィスカの発生が懸念される。そこで、その代替材
料として各種スズ合金めっき化が進められている。現
在、鉛フリースズ合金めっき液としては、スズ−銀、ス
ズ−ビスマス、スズ−亜鉛の３種類が開発されている
が、スズ−銀合金めっきは高価であること、スズ−ビス
マス合金めっきは硬く脆いため半導体装置の製造工程に
おいてリードを曲げたときにめっき膜にクラックが生じ
るという脆化問題があり、またスズ−亜鉛合金めっきは
酸化されやすく濡れ性が劣り、ウィスカも発生しやすい
という問題があり、いずれも現状のスズ−鉛合金めっき
線材と完全な代替を図ることは困難である。
術の問題点として、鉛を含まない単純なスズめっきで
は、ウィスカの発生が懸念される。そこで、その代替材
料として各種スズ合金めっき化が進められている。現
在、鉛フリースズ合金めっき液としては、スズ−銀、ス
ズ−ビスマス、スズ−亜鉛の３種類が開発されている
が、スズ−銀合金めっきは高価であること、スズ−ビス
マス合金めっきは硬く脆いため半導体装置の製造工程に
おいてリードを曲げたときにめっき膜にクラックが生じ
るという脆化問題があり、またスズ−亜鉛合金めっきは
酸化されやすく濡れ性が劣り、ウィスカも発生しやすい
という問題があり、いずれも現状のスズ−鉛合金めっき
線材と完全な代替を図ることは困難である。
【０００７】そこで本発明の目的は、上記課題を解決
し、鉛による環境汚染問題の生じない電子部品用リード
線であって、耐屈曲性、はんだ付性等の特性が良好であ
り、安価なスズ合金めっき線の製造方法を提供すること
にある。
し、鉛による環境汚染問題の生じない電子部品用リード
線であって、耐屈曲性、はんだ付性等の特性が良好であ
り、安価なスズ合金めっき線の製造方法を提供すること
にある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の電子部品用リード線の製造方法は、銅又は
銅合金、或いは鉄又はその合金等でできたリード基材上
にスズめっきを施し、その表面に銀めっきを施した後、
そのリード材表面をダイス或いは繊維で平滑化させ、表
層の銀をスズめっき層に拡散させることを特徴とする
（請求項１）。
め、本発明の電子部品用リード線の製造方法は、銅又は
銅合金、或いは鉄又はその合金等でできたリード基材上
にスズめっきを施し、その表面に銀めっきを施した後、
そのリード材表面をダイス或いは繊維で平滑化させ、表
層の銀をスズめっき層に拡散させることを特徴とする
（請求項１）。
【０００９】ここで、繊維とは綿糸、化繊糸などの一般
に糸と呼ばれているものでよく、例えばこの糸をリード
材表面に巻き付けリード材を引き出して表面を擦ること
により、又はダイスで削ることにより、表層の銀をスズ
めっき層に拡散させることができる。このリード材表面
をダイス或いは繊維で平滑化させる点が、本発明の大き
な特徴である。即ち、従来でもめっき表面の平滑化が行
われることがあるが、従来では単にＳｎめっき等単層品
の平滑化を狙って行われているにすぎず、本発明のよう
に、スズめっき及び銀めっきから成る多層のめっき層の
相互拡散のために行われるものではない。
に糸と呼ばれているものでよく、例えばこの糸をリード
材表面に巻き付けリード材を引き出して表面を擦ること
により、又はダイスで削ることにより、表層の銀をスズ
めっき層に拡散させることができる。このリード材表面
をダイス或いは繊維で平滑化させる点が、本発明の大き
な特徴である。即ち、従来でもめっき表面の平滑化が行
われることがあるが、従来では単にＳｎめっき等単層品
の平滑化を狙って行われているにすぎず、本発明のよう
に、スズめっき及び銀めっきから成る多層のめっき層の
相互拡散のために行われるものではない。
【００１０】本発明では、上記のように拡散させること
を前提とするため、スズめっきに対し銀めっきは薄く設
ければ足り、従来のＳｎ−Ａｇめっきによる場合よりも
安価に製造することが可能となる。
を前提とするため、スズめっきに対し銀めっきは薄く設
ければ足り、従来のＳｎ−Ａｇめっきによる場合よりも
安価に製造することが可能となる。
【００１１】本発明の電子部品用リード線は、銅又はそ
の合金或いは鉄又はその合金等でできたリード基材表面
を、鉛を含有しないスズめっき及び銀めっきから成る多
層のめっき層で被覆した構成であり、鉛を含有しないた
め、環境を害することが無い。また、そのめっき膜は、
はんだとの接合強度が高いため、従来のスズ−鉛合金め
っき線材から成る電子部品用リード線と同様に用いるこ
とができる。
の合金或いは鉄又はその合金等でできたリード基材表面
を、鉛を含有しないスズめっき及び銀めっきから成る多
層のめっき層で被覆した構成であり、鉛を含有しないた
め、環境を害することが無い。また、そのめっき膜は、
はんだとの接合強度が高いため、従来のスズ−鉛合金め
っき線材から成る電子部品用リード線と同様に用いるこ
とができる。
【００１２】本発明の電子部品用リード線の製造方法に
おいては、スズめっきの厚さが１〜１５μｍ、銀めっき
の厚さが０．０５〜０．５μｍであることが好ましい
（請求項２）。
おいては、スズめっきの厚さが１〜１５μｍ、銀めっき
の厚さが０．０５〜０．５μｍであることが好ましい
（請求項２）。
【００１３】本発明において、銀めっきの厚さを０．０
５μｍ以上、０．５μｍ以下としたのは、０．０５μｍ
未満では銀の割合が低いためウィスカの発生を抑制する
性能に欠ける傾向となり、０．５μｍを超えるとはんだ
付け性が劣化する傾向となるためである。また、スズめ
っきの厚さを１μｍ以上、１５μｍ以下としたのは、１
μｍ未満では実用に不向きであり、１５μｍを超えると
表層の銀の割合が低いためウィスカの発生を抑制する性
能に欠ける状態となるためである。したがって、適切な
範囲はスズめっきの厚さが１〜１５μｍ、銀めっきの厚
さが０．０５〜０．５μｍの範囲となる。
５μｍ以上、０．５μｍ以下としたのは、０．０５μｍ
未満では銀の割合が低いためウィスカの発生を抑制する
性能に欠ける傾向となり、０．５μｍを超えるとはんだ
付け性が劣化する傾向となるためである。また、スズめ
っきの厚さを１μｍ以上、１５μｍ以下としたのは、１
μｍ未満では実用に不向きであり、１５μｍを超えると
表層の銀の割合が低いためウィスカの発生を抑制する性
能に欠ける状態となるためである。したがって、適切な
範囲はスズめっきの厚さが１〜１５μｍ、銀めっきの厚
さが０．０５〜０．５μｍの範囲となる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明を図示の実施形態に
基づいて説明する。
基づいて説明する。
【００１５】図１に示すように、まず銅又は銅合金、或
いはＦｅまたはＦｅ合金製のリード基材１上にスズめっ
き２を施し、その表面に銀めっき（Ａｇフラッシュ）３
を施して成るリード材４を得る。ここで、スズめっき２
の厚さは１〜１５μｍ、銀めっき３の厚さは０．０５〜
０．５μｍの範囲とする。スズめっき２の厚さを１μｍ
以上、１５μｍ以下とするのは、１μｍ未満では実用に
不向きであり、１５μｍを超えると表層の銀の割合が低
いためウィスカの発生を抑制する性能に欠ける状態とな
るためである。また、銀めっき３の厚さを０．０５μｍ
以上、０．５μｍ以下とするのは、０．０５μｍ未満で
は銀の割合が低いためウィスカの発生を抑制する性能に
欠ける傾向となり、０．５μｍを超えるとはんだ付け性
が劣化する傾向となるためである。
いはＦｅまたはＦｅ合金製のリード基材１上にスズめっ
き２を施し、その表面に銀めっき（Ａｇフラッシュ）３
を施して成るリード材４を得る。ここで、スズめっき２
の厚さは１〜１５μｍ、銀めっき３の厚さは０．０５〜
０．５μｍの範囲とする。スズめっき２の厚さを１μｍ
以上、１５μｍ以下とするのは、１μｍ未満では実用に
不向きであり、１５μｍを超えると表層の銀の割合が低
いためウィスカの発生を抑制する性能に欠ける状態とな
るためである。また、銀めっき３の厚さを０．０５μｍ
以上、０．５μｍ以下とするのは、０．０５μｍ未満で
は銀の割合が低いためウィスカの発生を抑制する性能に
欠ける傾向となり、０．５μｍを超えるとはんだ付け性
が劣化する傾向となるためである。
【００１６】なお、リード基材１の形状として、ここで
はＩＣ、ＬＳＩなどの半導体素子のリードフレームとな
るストライプめっき条の形態又は丸線を想定している
が、リード基材１の形状にはこのような平条、丸線の
他、異形条、筒状など任意の形状が含まれる。
はＩＣ、ＬＳＩなどの半導体素子のリードフレームとな
るストライプめっき条の形態又は丸線を想定している
が、リード基材１の形状にはこのような平条、丸線の
他、異形条、筒状など任意の形状が含まれる。
【００１７】その後、上記リード材４の表面を繊維で平
滑化させ、これにより表層の銀をスズめっき層に拡散さ
せる。
滑化させ、これにより表層の銀をスズめっき層に拡散さ
せる。
【００１８】ここで、繊維としては綿糸、化繊糸などの
一般に糸と呼ばれているものを用い、この糸をリード材
４の表面に巻き付けて、リード材４を引き出して表面を
擦る。これにより、表層の銀をスズめっき層に拡散させ
ることができる。この繊維で擦る代わりに、ダイスでリ
ード材４の表面を削る処理を行っても同じ拡散作用を与
えることができる。
一般に糸と呼ばれているものを用い、この糸をリード材
４の表面に巻き付けて、リード材４を引き出して表面を
擦る。これにより、表層の銀をスズめっき層に拡散させ
ることができる。この繊維で擦る代わりに、ダイスでリ
ード材４の表面を削る処理を行っても同じ拡散作用を与
えることができる。
【００１９】こうして得られた電子部品用リード線は、
銅又はその合金或いは鉄又はその合金等でできたリード
基材表面を、鉛を含有しないスズめっき及び銀めっきか
ら成る多層のめっき層で被覆した構成であり、鉛を含有
しないため、環境を害することが無い。また、そのめっ
き膜は、はんだとの接合強度が高いため、従来のスズ−
鉛合金めっき線材から成る電子部品用リード線と同様に
用いることができる。
銅又はその合金或いは鉄又はその合金等でできたリード
基材表面を、鉛を含有しないスズめっき及び銀めっきか
ら成る多層のめっき層で被覆した構成であり、鉛を含有
しないため、環境を害することが無い。また、そのめっ
き膜は、はんだとの接合強度が高いため、従来のスズ−
鉛合金めっき線材から成る電子部品用リード線と同様に
用いることができる。
【００２０】
【実施例】表１〜表３において、試作番号１〜４３のう
ち、試作番号２〜５、８〜１１、１４〜１７、２０〜２
３、２６〜２９、３２〜３５が本発明の実施例であり、
試作番号１、６〜７、１２〜１３、１８〜１９、２４〜
２５、３０〜３１及び３６〜４２が比較例、試作番号４
３が従来例である。
ち、試作番号２〜５、８〜１１、１４〜１７、２０〜２
３、２６〜２９、３２〜３５が本発明の実施例であり、
試作番号１、６〜７、１２〜１３、１８〜１９、２４〜
２５、３０〜３１及び３６〜４２が比較例、試作番号４
３が従来例である。
【００２１】
【表１】
【００２２】
【表２】
【００２３】
【表３】
【００２４】本発明の実施例１〜２４は次のようにして
製作した。即ち、直径φ０．５６ｍｍの銅線（丸線）上
にホウフッ化浴を用いてスズめっきを１〜１５μｍ
（１．０μｍ、２．０μｍ、５．０μｍ、１０．０μ
ｍ、１２．０μｍ、１５．０μｍ）施し、更にそれらの
表面にシアン化浴を用いて銀めっきを０．０５〜０．５
μｍ（０．０５μｍ、０．１０μｍ、０．２０μｍ、
０．５０μｍ）施した。この材料に綿糸を巻き付けた
後、材料を引き抜いて電子部品用リード線とした。
製作した。即ち、直径φ０．５６ｍｍの銅線（丸線）上
にホウフッ化浴を用いてスズめっきを１〜１５μｍ
（１．０μｍ、２．０μｍ、５．０μｍ、１０．０μ
ｍ、１２．０μｍ、１５．０μｍ）施し、更にそれらの
表面にシアン化浴を用いて銀めっきを０．０５〜０．５
μｍ（０．０５μｍ、０．１０μｍ、０．２０μｍ、
０．５０μｍ）施した。この材料に綿糸を巻き付けた
後、材料を引き抜いて電子部品用リード線とした。
【００２５】一方、比較例１〜１２は、同じく直径φ
０．５６ｍｍの銅線（丸線）上に、ホウフッ化浴を用い
てスズめっきを１〜１５μｍ（１．０μｍ、２．０μ
ｍ、５．０μｍ、１０．０μｍ、１２．０μｍ、１５．
０μｍ）施し、更にそれらの表面にシアン化浴を用いて
銀めっきを０．０３μｍ、０．７μｍ（０．０５μｍ、
０．１０μｍ、０．２０μｍ、０．５０μｍ）施した。
また、比較例１３〜１８は、ホウフッ化浴を用いてスズ
めっきを１７．０μｍ施し、更にそれらの表面にシアン
化浴を用いて銀めっきを０．０３μｍ〜０．７μｍ
（０．０３μｍ、０．０５μｍ、０．１０μｍ、０．２
０μｍ、０．５０μｍ、０．７０μｍ）施した。そし
て、これらの材料に綿糸を巻き付けた後、材料を引き抜
いて電子部品用リード線とした。
０．５６ｍｍの銅線（丸線）上に、ホウフッ化浴を用い
てスズめっきを１〜１５μｍ（１．０μｍ、２．０μ
ｍ、５．０μｍ、１０．０μｍ、１２．０μｍ、１５．
０μｍ）施し、更にそれらの表面にシアン化浴を用いて
銀めっきを０．０３μｍ、０．７μｍ（０．０５μｍ、
０．１０μｍ、０．２０μｍ、０．５０μｍ）施した。
また、比較例１３〜１８は、ホウフッ化浴を用いてスズ
めっきを１７．０μｍ施し、更にそれらの表面にシアン
化浴を用いて銀めっきを０．０３μｍ〜０．７μｍ
（０．０３μｍ、０．０５μｍ、０．１０μｍ、０．２
０μｍ、０．５０μｍ、０．７０μｍ）施した。そし
て、これらの材料に綿糸を巻き付けた後、材料を引き抜
いて電子部品用リード線とした。
【００２６】これらの製品の特性を評価するため、各製
品を２４５℃に加熱した６３％Ｓｎ−３７％Ｐｂはん
だ、９０％Ｓｎ−７．５％Ｂｉ−２％Ａｇ−０．５％Ｃ
ｕはんだ及び９５．４％Ｓｎ−３．５％Ａｇ−１．１％
Ｃｕの各はんだ浴で、それぞれのはんだ付け性を測定し
た。測定方法は平衡法（ＪＩＳＣ００５３）である。
品を２４５℃に加熱した６３％Ｓｎ−３７％Ｐｂはん
だ、９０％Ｓｎ−７．５％Ｂｉ−２％Ａｇ−０．５％Ｃ
ｕはんだ及び９５．４％Ｓｎ−３．５％Ａｇ−１．１％
Ｃｕの各はんだ浴で、それぞれのはんだ付け性を測定し
た。測定方法は平衡法（ＪＩＳＣ００５３）である。
【００２７】その結果、表１〜表３に示すように、実施
例１〜２４の各製品は、共に、はんだ濡れ時間（ゼロク
ロス時間）が０．９〜１．０秒と良好なはんだ付性を示
した。また、実施例１〜２４のスズ−銅合金めっきリー
ド線に対し、半径０．５mmの曲げ加工を行い、機械加工
性を試験したところ、どの線材でもめっき膜に割れは確
認されなかった。更に、ウィスカの発生をみるため、５
０℃で１ケ月の放置試験を行った結果、ウィスカは発生
していなかった。
例１〜２４の各製品は、共に、はんだ濡れ時間（ゼロク
ロス時間）が０．９〜１．０秒と良好なはんだ付性を示
した。また、実施例１〜２４のスズ−銅合金めっきリー
ド線に対し、半径０．５mmの曲げ加工を行い、機械加工
性を試験したところ、どの線材でもめっき膜に割れは確
認されなかった。更に、ウィスカの発生をみるため、５
０℃で１ケ月の放置試験を行った結果、ウィスカは発生
していなかった。
【００２８】これに対し、比較例１〜１２の場合は、次
のように不適当なものとなった。即ち、銀めっき厚が
０．０３μｍ以下とした場合（比較例１、３、５、７、
９、１１、１３）では、銀の割合が低いためウィスカの
発生を抑制する性能に欠けていた。逆に、銀めっき厚が
０．７０μｍ以上の場合（比較例２、４、６、８、１
２、１８）では、ゼロクロスタイムが１．１〜１．３秒
であり、はんだ付け性が劣化する。これは銀の割合が多
くなりすぎ、融点が高くなることによるものと思われ
る。一方、スズめっき厚さが１５μｍを超えた場合（比
較例１３〜１８）では、表層の銀の割合が低いためウィ
スカの発生を抑制する性能に欠けていた。
のように不適当なものとなった。即ち、銀めっき厚が
０．０３μｍ以下とした場合（比較例１、３、５、７、
９、１１、１３）では、銀の割合が低いためウィスカの
発生を抑制する性能に欠けていた。逆に、銀めっき厚が
０．７０μｍ以上の場合（比較例２、４、６、８、１
２、１８）では、ゼロクロスタイムが１．１〜１．３秒
であり、はんだ付け性が劣化する。これは銀の割合が多
くなりすぎ、融点が高くなることによるものと思われ
る。一方、スズめっき厚さが１５μｍを超えた場合（比
較例１３〜１８）では、表層の銀の割合が低いためウィ
スカの発生を抑制する性能に欠けていた。
【００２９】これらの結果より、スズめっきの厚さとし
ては１〜１５μｍ、銀めっきの厚さとしては０．０５〜
０．５μｍが電子部品用リード線として実用範囲であ
る。
ては１〜１５μｍ、銀めっきの厚さとしては０．０５〜
０．５μｍが電子部品用リード線として実用範囲であ
る。
【００３０】一方、従来例（試作番号４３）のスズ−鉛
めっきリード線について、そのはんだ濡れ時間を測定し
たところ０．８秒であった。本発明の上記実施例１〜２
４のはんだ濡れ時間は０．９〜１．０秒であり、従来例
の値と大きな違いがないので、従来と同様の取り扱いや
すい電子部品用リード線が得られたことになる。
めっきリード線について、そのはんだ濡れ時間を測定し
たところ０．８秒であった。本発明の上記実施例１〜２
４のはんだ濡れ時間は０．９〜１．０秒であり、従来例
の値と大きな違いがないので、従来と同様の取り扱いや
すい電子部品用リード線が得られたことになる。
【００３１】上記実施例１〜２４の電子部品用リード線
を平条のアウターリードとして、半導体パッケージの外
側に露出させ、曲げ形成して半導体装置を構成したとこ
ろ、曲げによる割れがなく、濡れ性及び耐ウィスカ性に
優れた信頼性の高い半導体装置を実現することができ
た。
を平条のアウターリードとして、半導体パッケージの外
側に露出させ、曲げ形成して半導体装置を構成したとこ
ろ、曲げによる割れがなく、濡れ性及び耐ウィスカ性に
優れた信頼性の高い半導体装置を実現することができ
た。
【００３２】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、次
のような優れた効果が得られる。
のような優れた効果が得られる。
【００３３】本発明の電子部品用リード線の製造方法
は、銅又は銅合金、或いは鉄又はその合金等でできたリ
ード基材上にスズめっきを施し、その表面に銀めっきを
施した後、そのリード材表面をダイス或いは繊維で平滑
化させ、表層の銀をスズめっき層に拡散させるものであ
るので、従来のＳｎ−Ａｇめっきによる場合よりも安価
に製造することが可能となる。
は、銅又は銅合金、或いは鉄又はその合金等でできたリ
ード基材上にスズめっきを施し、その表面に銀めっきを
施した後、そのリード材表面をダイス或いは繊維で平滑
化させ、表層の銀をスズめっき層に拡散させるものであ
るので、従来のＳｎ−Ａｇめっきによる場合よりも安価
に製造することが可能となる。
【００３４】更に、銅又はその合金或いは鉄又はその合
金等でできたリード基材表面を、鉛を含有しないスズめ
っき及び銀めっきから成る多層のめっき層で被覆するも
のであり、鉛を含有しないため、環境を害することが無
い。また、そのめっき膜は、はんだとの接合強度が高い
ため、従来のスズ−鉛合金めっき線材から成る電子部品
用リード線と同様に用いることができる。
金等でできたリード基材表面を、鉛を含有しないスズめ
っき及び銀めっきから成る多層のめっき層で被覆するも
のであり、鉛を含有しないため、環境を害することが無
い。また、そのめっき膜は、はんだとの接合強度が高い
ため、従来のスズ−鉛合金めっき線材から成る電子部品
用リード線と同様に用いることができる。
【００３５】本発明の電子部品用リード線の製造方法に
おいては、スズめっきの厚さを１〜１５μｍ、銀めっき
の厚さを０．０５〜０．５μｍの範囲とすることによ
り、表層の銀の割合がウィスカの発生を抑制し得る値に
なり、鉛を使用せずに、ウィスカの発生を抑制したスズ
合金めっきリード材を得ることができる。このことによ
り、従来のはんだめっきリード線並みのはんだ付性、耐
めっき割れ性等の特性を有する電子部品用リード線を得
ることができる。
おいては、スズめっきの厚さを１〜１５μｍ、銀めっき
の厚さを０．０５〜０．５μｍの範囲とすることによ
り、表層の銀の割合がウィスカの発生を抑制し得る値に
なり、鉛を使用せずに、ウィスカの発生を抑制したスズ
合金めっきリード材を得ることができる。このことによ
り、従来のはんだめっきリード線並みのはんだ付性、耐
めっき割れ性等の特性を有する電子部品用リード線を得
ることができる。
【図１】本発明の電子部品用リード線の製造方法の実施
例を示す図である。
例を示す図である。
１ 銅又はその合金又は鉄又はその合金製リード基材 ２ スズめっき ３ 銀めっき
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ２２Ｃ 38/00 ３０２ Ｃ２２Ｃ 38/00 ３０２Ｘ
Claims (2)
- 【請求項１】銅又は銅合金、或いは鉄又はその合金等で
できたリード基材上にスズめっきを施し、その表面に銀
めっきを施した後、そのリード材表面をダイス或いは繊
維で平滑化させ、表層の銀をスズめっき層に拡散させる
ことを特徴とする電子部品用リード線の製造方法。 - 【請求項２】請求項１記載の電子部品用リード線の製造
方法において、スズめっきの厚さが１〜１５μｍ、銀め
っきの厚さが０．０５〜０．５μｍであることを特徴と
する電子部品用リード線の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000073941A JP2001254196A (ja) | 2000-03-13 | 2000-03-13 | 電子部品用リード線の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000073941A JP2001254196A (ja) | 2000-03-13 | 2000-03-13 | 電子部品用リード線の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001254196A true JP2001254196A (ja) | 2001-09-18 |
Family
ID=18592079
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000073941A Pending JP2001254196A (ja) | 2000-03-13 | 2000-03-13 | 電子部品用リード線の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001254196A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008103557A (ja) * | 2006-10-19 | 2008-05-01 | Toyota Motor Corp | 電子部品 |
| US11264546B2 (en) | 2018-09-27 | 2022-03-01 | Nichia Corporation | Metallic structure for optical semiconductor device, method for producing the same, and optical semiconductor device using the same |
-
2000
- 2000-03-13 JP JP2000073941A patent/JP2001254196A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2008103557A (ja) * | 2006-10-19 | 2008-05-01 | Toyota Motor Corp | 電子部品 |
| US11264546B2 (en) | 2018-09-27 | 2022-03-01 | Nichia Corporation | Metallic structure for optical semiconductor device, method for producing the same, and optical semiconductor device using the same |
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