CN1614835A - 半导体激光器组件及使用该组件的光拾波器装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种半导体激光器组件，具有容易组装的简单的结构，散热容易，且可同时实现高功能化和小型化。其具有：宽度与硅衬底(120)的宽度和挠性薄板(130)的宽度中的较大一方略一致的金属板(100)、半导体激光器(110)、集成有光检测电路及信号处理电路的硅衬底(120)、挠性薄板(130)、金属线(140)、以及光学元件(150)，挠性薄板(130)在金属板(100)上被分为2部分，该被分为2部分的挠性薄板(130)夹着硅衬底(120)相对置。

Description

半导体激光器组件及使用该组件的光拾波器装置

技术领域

本发明涉及半导体激光器组件，特别涉及构成光拾波器的半导体激光器组件及使用该组件的光拾波器装置，所述光拾波器用于向光盘例如数字多功能光盘(DVD)和紧致光盘(CD)等记录媒体中写入信息、或者对其进行读取。

背景技术

近年来，作为不仅仅限于音乐信息还记录图像信息的记录媒体的CD系列(CD-ROM、CD-R、CD-RW等)和DVD系列(DVD-ROM、DVD-RW、DVD-RAM等)的光盘驱动器得到迅速普及，对于作为光盘驱动器重点部的光拾波器装置，随着用于对应高倍速记录的高输出化、对应CD和DVD两种规格的高功能化、以及光盘驱动器的薄型化，同时强烈要求其小型化。因此，对于光拾波器装置中使用的半导体激光器组件来说，用于实现高输出化的封装的散热改善、用于高功能化的多管脚对策、还有用于小型化的窄宽度的封装构造是必需而不可缺少的。

作为现有的光拾波器装置的半导体激光器组件的一个例子，下面以本申请人提出的日本专利第3412609号公报中记载的装置为例，来说明半导体激光器组件的结构。

图1A是现有的半导体激光器组件的俯视图，图1B是该半导体激光器组件的剖面图(沿图1A中的X-X’线的剖面图)。

图1A、图1B所示的半导体激光器组件包括：引线框1400；由树脂铸模成型的封装1410；硅衬底1420，集成有感光元件1440，并具有用于将激光向封装1410上部反射的45度反射镜和接收并处理从光盘反射的光的电路；半导体激光器1430，以硅衬底1420作为介质设置在封装1410的中央部；全息元件1450，在下面形成有光栅图形1460，在上面形成全息图形1470。

在具有上述结构的半导体激光器组件中，来自半导体激光器1430的出射光1480被反射镜向封装1410上方反射，经在光栅图形1460上衍射和透射后，通过准直透镜或物镜等光学部件(未图示)后到达光盘(未图示)。然后，来自光盘的反射光1490通过相同的路径后，在全息图形1470进行衍射，入射到信号处理电路和集成化的感光元件1440中。

但是，在要利用具有上述结构的半导体激光器组件来实现光拾波器装置的高输出化、高功能化、小型化的情况下，主要发生2个课题。一个是伴随高输出化而出现的散热改善，另一个是伴随高功能化、小型化而出现的管脚间距的狭小化。

通常，在用于对应高速记录的光盘驱动器中，来自半导体激光器组件的光输出必须为200mW以上的高输出功率。由此，激光器的驱动电流变高，激光器自身的温度也上升，激光器的可靠性降低，因此，为了对应环境温度变化而稳定地驱动激光器，需要将在激光器中产生的热量有效地进行散热。但是，在上述现有的半导体激光器组件中，封装自身被热传导率低的树脂(热传导率大约为0.5W/m/deg)所覆盖，所以成为热阻抗高的结构，不能有效地散热。

此外，在上述现有的半导体激光器组件中，将封装小型化的时候，伴随高功能化的管脚数增加受到限制，所以，为了再增加管脚数，需要将管脚间距变小，但是，在现在的导线框的加工中，0.4mm的间距是极限，因此间距不能小于0.4mm。

这里，作为可对应改善散热的课题的半导体激光器组件，例如有日本专利特开2003-67959号公报中记载的半导体激光器组件。

图2B是日本专利特开2003-67959号公报中记载的半导体激光器组件的俯视图，图2A是该半导体激光器组件的剖面图(沿图2B中的X-X’线的剖面图)，图2C是该半导体激光器组件的剖面图(沿图2B中的Y-Y’线的剖面图)。

图2A、图2B、图2C所示的半导体激光器组件具有：安装有半导体激光器的激光器组件部1500；安装有感光元件的光检测器1510；设置有激光器组件部1500和光检测器1510的金属制衬底1520；以及安装在金属制衬底1530上的树脂衬底1530，在设置有激光器组件部1500和光检测器1510的部分具有开口部，并形成有布线图形。

具有上述结构的半导体激光器组件可有效地从金属制衬底的背侧散发在半导体激光器中产生的热量，所以可解决改善散热的问题。

此外，另一方面，作为可对应管脚间距狭窄化的课题的半导体激光器组件，例如有日本专利特开2002-198605号公报中记载的半导体激光器组件。

图3是日本专利特开2002-198605号公报中记载的半导体激光器组件的外观图。

图3所示的半导体激光器组件具有立体形状的金属制岛1600和外线部1610及弯曲部1620，并在上端部1630具有与金属线焊接的挠性薄板1640和半导体激光器1650以及感光元件1660。在此，考虑到往光盘驱动器上的安装，外线部1660的布线间距较宽。

具有上述结构的半导体激光器组件中，将挠性薄板用作布线电路板，可减小布线宽度，所以能够解决管脚间距窄小化的课题。此外，可有效地从金属制岛的背侧散发在半导体激光器中产生的热量，所以可同时解决改善散热的课题。

但是，在上述日本专利特开2003-67959号公报中记载的半导体激光器组件中，如果随着小型化而减小组件整体的宽度，为了维持开口需要树脂基板，因此，要减小激光器组件部和光检测器的安装面积。另一方面，如果考虑高功能化，并不期望缩小激光器组件部和光检测器的安装面积。因此，存在难以同时实现小型化和高功能化的问题。再者，上述日本专利特开2003-67959号公报中没有与具有衍射光栅等光学元件的半导体激光器组件有关的记述，因此，在考虑包括组装光驱动器时使用的光学元件在内的高度集成的时候，利用上述日本特开2003-67959号公报中记载的半导体激光器组件，则存在不能在封装上粘接固定光学元件的问题。

此外，在上述日本特开2002-198605号公报中记载的半导体激光器组件中，在立体形状各不相同的部分安装发光元件和感光元件，在其它部分粘贴挠性薄板，因此，存在工序复杂、难以缩短作业时间且难以确保位置精度的问题。再者，通过金属线接合进行发光元件及感光元件的电连接的挠性薄板的端子部，如图3所示，弯曲后被粘贴在金属制接点上，因此，存在作业变得复杂、难以维持粘接强度的问题。

发明内容

本发明是鉴于上述问题而提出的，其第一个目的在于提供一种具有组装容易的简易结构、散热容易、且可同时实现小型化和高功能化的半导体激光器组件。

此外，本发明的第二个目的在于，提供一种可实现包括光学元件在内的高度集成的半导体激光器组件。

为实现上述目的，本发明的半导体激光器组件，包括：具有发光元件及感光元件的感光发光部，第一布线基板，设置有上述感光发光部及第一布线基板的金属板，其特征在于，上述感光发光部及第一布线基板排列设置在上述金属板上，上述第一布线基板具有由与上述感光发光部连接的多个第一端子构成的第一端子组，上述金属板的宽度与上述第一布线基板和感光发光部的宽度中较大一方大体一致。这里，上述半导体激光器组件还可以具有使向上述感光元件入射的光和从上述发光元件射出的光透过的光学元件，上述光学元件可以被设置在上述第一、第二布线基板上。

由此，仅由感光发光部和部线基板的宽度决定半导体激光器组件的大小，因此可提供能够同时实现小型化和高功能化的半导体激光器组件。此外，作为发光源的感光发光部的正下方全部由金属构成，因此可实现散热容易的半导体激光器组件。再者，由于具有在金属板上面组装构件的结构，因此可起到能够实现组装容易的半导体激光器组件的效果。

这里，还可以是，上述半导体激光器组件还具有第二布线基板，该第二布线基板在上述金属板上夹着上述感光发光部而对置；上述第二布线基板具有由与上述感光发光部连接的多个第二端子构成的第二端子组；上述第二布线基板的宽度与上述第一布线基板的宽度大体一致。

由此，半导体激光器组件具有可与感光发光部连接的多个端子，因此，可提供能够实现伴随高功能化的多管脚化的半导体激光器组件。

另外，还可以是，上上述半导体激光器组件还具有将上述第一、第二布线基板的布线引出到上述金属板外部的外部布线基板；上述外部布线基板具有与上述第一、第二端子组的端子电连接的多个外部端子；上述外部端子的端子间隔比上述第一、第二端子的端子间隔大。

由此，可加宽与外部连接的端子的间隔，因此，可实现组装到光盘驱动器上时容易电连接的半导体激光器组件。

此外，上述第一布线基板、第二布线基板及外部布线基板可以是用树脂夹着金属布线的一个挠性薄板。

由此，可将挠性薄板作为布线基板，因此可提供通过减小布线宽度能够实现多管脚化的半导体激光器组件。

而且，上述外部布线基板上也可以实施容易弯曲的加工。

由此，对布线基板实施产生弯曲起点的加工，因此，可实现能够降低弯曲布线基板时产生的感光发光部的负荷的半导体激光器组件。

另外，也可以是，上述第一、第二端子组的结构是：在与上述感光发光部及上述第一、第二布线基板所排列的长度方向正交的宽度方向上，排列有多个上述第一、第二端子；上述第一、第二布线基板具有多列上述第一、第二端子组。

由此，可实现即便多管脚化，也能够确保金属线接合所需的端子面积的半导体激光器组件。

此外，也可以是，上述第一、第二端子位于上述多列的第一、第二端子组中靠近上述感光发光部的列中，上述第一端子及第二端子的面积比不靠近上述感光发光部的列中的上述第一端子及第二端子大。

由此，可把端子面积扩大为大于实际的金属线接触面积，因此，可容易实施组装时的金属线接合，并且可实现防止金属线之间干涉的半导体激光器组件。

另外，也可以是，上述第一、第二布线基板和外部布线基板的一部分布线的截面面积，比其它布线的截面面积大。

由此，可增加施加电流较大的布线的截面面积，可实现降低施加电流较大的导线上的发热上升、还能够抑制半导体激光器组件整体的温度上升的半导体激光器组件。

此外，也可以是，上述第一布线基板和第二布线基板具有可与外部电连接的多个评价用端子。

由此，可在布线基板的金属板上提供评价用电子，因此，可实现在半导体激光器组件的组装途中能够进行感光发光元件的评价的半导体激光器组件。

而且，还可以是，上述半导体激光器组件还具有使向上述感光元件入射的光和从上述发光元件射出的光透过的光学元件，在上述第一、第二布线基板上形成具有比其它部分厚的厚度的光学元件，上述光学元件被设置在上述第一、第二布线基板的光学元件支撑部上。

由此，不对搭载的光学元件施加加工，也能确保感光发光部和光学元件之间的距离，因此，可实现削减光学元件的加工工序的半导体激光器组件。

再者，在上述光学元件上可以形成使向该光学元件入射的光发生衍射的图形。

由此，可实现能够进行包含光学元件在内的高度集成的半导体激光器组件。此外，能够将以前组装光盘驱动器时设置的衍射光栅或全息元件集成到半导体激光器组件中，因此，可实现削减光拾波器装置的部件数量、进一步能够削减成本的半导体激光器组件。

此外，上述光学元件可以在外周部具有圆弧形状。

由此，通过使光拾波器装置的半导体激光器组件插入部具有与上述光学元件的圆弧形状相对应的形状，所以，只进行旋转调整就能安装到光拾波器装置上，可实现光拾波器装置的组装容易的半导体激光器组件。

此外，也可以是，上述金属板在上述感光发光部及上述第一、第二布线基板所排列的长度方向的两端，具有未设置上述第一布线基板、第二布线基板及感光发光部的露出部。

由此，通过使金属板的露出的表侧接触安装有半导体激光器组件的光拾波器装置，不仅从金属板的背面，还可以从表面进行散热，可进行广范围的散热，因此，可实现能够以良好效率进行散热的半导体激光器组件。

另外，在上述金属板的露出部，还可以形成在上述宽度方向上夹持该金属板的露出部而对置的固定缺口部。

由此，在对光学元件进行调整固定时，能够使发光点不移动而可靠固定金属板，因此，可实现能够进行稳定的组装的半导体激光器组件。

再者，上述金属板还可以在上述长度方向的两端具有圆弧形状。

由此，通过使光拾波器装置的半导体激光器组件插入部具有与上述光学元件的圆弧形状相对应的形状，在光学元件和粘接部等上不施加负荷，就可以进行旋转调整，可实现能够防止因光拾波器装置的组装调整时的负荷而得不到所期望特性的故障的半导体激光器组件。

此外，在上述露出部的上述金属板宽度比上述金属板的其它部分宽度窄。

由此，即使在将半导体激光器组件安装到光拾波器装置上时进行旋转调整，金属板的端部也不会超出光拾波器装置，因此，可实现组装光盘驱动器后也能够收纳在所期望尺寸内的半导体激光器组件。

另外，本发明还可以是具有上述半导体激光器组件的光拾波器装置。

由此，将能够同时实现高功能化和小型化且以良好效率散热的半导体激光器组件搭载到光拾波器装置中，因此，可实现小型化、高功能化、高功率的光拾波器装置。

从以上说明可知，根据本发明涉及的半导体激光器组件，根据感光发光部和部线基板的宽度来决定半导体激光器组件的大小，因此，具有可同时实现高功能化和小型化两方面的半导体激光器组件。

此外，根据本发明涉及的半导体激光器组件，具有各部件进行面安装的结构，组装中不需要复杂工序，因此，具有可实现组装容易的半导体激光器组件的效果。

另外，根据本发明涉及的半导体激光器组件，将挠性薄板用作微细间距的布线基板，因此，具有可提供能够同时实现伴随高功能化的多管脚化和薄型化的半导体激光器组件的效果。即，可实现薄型且多功能的光盘驱动器。

此外，根据本发明涉及的半导体激光器组件，作为发热源的感光发光部的正下方全部由金属构成，因此具有可实现以良好效率散热的半导体激光器组件的效果。即，可实现能够在比以前更高的环境温度中使用的光盘驱动器。

此外，根据本发明涉及的半导体激光器组件，通过将加强构件粘贴在布线基板上、在其上面放置光学元件，不需要进行防止光学元件与金属线接触的光学元件的加工，因此，具有可实现组装容易、性能稳定的廉价的半导体激光器组件的效果。

此外，根据本发明涉及的半导体激光器组件，在布线基板上实施形成弯曲起点的加工，在弯曲布线基板时，可防止布线基板与粘接固定着的光学元件的界面上、以及金属板与布线基板的界面上所施加的负荷引起的剥落，因此，具有可实现能防止布线基板的弯曲引起的剥落的半导体激光器组件的效果。即，可实现在将半导体激光器组件安装到光拾波器装置上时不产生应力的半导体激光器组件。

此外，根据本发明涉及的半导体激光器组件，在布线基板上形成多列端子组，将多列端子组排列成锯齿形状，这样可将接点的面积做成比实际的金属线接触面积大，因此，具有可实现能够防止金属线接合的不良、且降低组装时的不合格情况的半导体激光器组件的效果。再者，可扩大金属线接合时的自由度(金属线的拉引等)、防止金属线之间的干涉，因此，可实现能够降低组装时的不合格情况的半导体激光器组件。

此外，根据本发明涉及的半导体激光器组件，作为电流量大的布线，具有截面面积较大的布线，可抑制伴随施加电流的布线中的发热，可削减组件对半导体激光器的热负荷，因此，具有可确保激光器可靠性的效果，可实现稳定工作的半导体激光器组件。

此外，根据本发明涉及的半导体激光器组件，在金属板上的布线基板上形成评价用接点，在设置光学元件时的位置调整中，能可靠地按压探针进行电接触，因此，具有可在多管脚中也能容易进行光学调整的半导体激光器组件的效果。

另外，根据本发明涉及的半导体激光器组件，具有使对感光元件的入射光和来自发光元件的出射光发生衍射的光学元件，可集成以往设置在半导体激光器组件外侧的衍射光栅和全息元件，具有可实现能降低光盘驱动器的部件数量的半导体激光器组件的效果。

此外，根据本发明涉及的半导体激光器组件，半导体激光器组件中设置有在外周部具有圆弧形的光学元件，并且使光拾波器装置的半导体激光器组件插入部具有与上述光学元件的圆弧形状对应的形状，这样，在将半导体激光器组件安装到光拾波器装置时，只进行半导体激光器组件的旋转调整即可，因此，具有可实现组装容易的半导体激光器组件的效果。

此外，根据本发明涉及的半导体激光器组件，金属板在两端具有不被布线基板覆盖的露出部，使该露出的金属板表面侧与光拾波器装置接触，不仅从金属板的背面，还能够从表面侧散热，可进行广范的散热，因此，具有可实现效率良好的散热的半导体激光器组件的效果。即，可实现能够在比以往更高的环境温度中使用的高功率的高倍速记录型光盘驱动器。

此外，根据本发明涉及的半导体激光器组件，金属板具有固定用缺口部，可在光学元件的调整组装时可靠地固定设置有发光元件和基板的金属板，以使金属板在X-Y面及Z轴上不偏离，因此，具有可实现能够容易地进行光学元件的光轴调整的半导体激光器组件的效果。

此外，根据本发明涉及的半导体激光器组件，半导体激光器组件中设有在两端具有圆弧形状的半导体激光器组件，通过使光拾波器装置的半导体激光器组件插入部具有与上述光学元件的圆弧形状对应的形状，在金属板上进行旋转调整，所以，不在光学元件和粘接部等上施加负荷就可以进行旋转调整，因此，具有可实现能够防止因光拾波器装置的组装调整时的负荷而得不到所期望特性的故障的半导体激光器组件的效果。

另外，根据本发明涉及的半导体激光器组件，半导体激光器组件的金属板在露出部的宽度方向的长度，比其它部分短，在将半导体激光器组件安装到光拾波器装置上时即使进行旋转调整，金属板的端部也不从光拾波器装置中溢出，因此，具有可实现在组装光盘驱动器后也能够收纳在所期望尺寸内的半导体激光器组件的效果。

此外，根据本发明涉及的半导体激光器组件，光拾波器装置在半导体激光器组件的金属板背面设有散热块，而且金属板与光拾波器装置接触，因此，具有可实现因较高的散热特性而能够稳定工作的光拾波器装置的效果。

此外，根据本发明涉及的半导体激光器组件，半导体激光器组件将挠性薄板作为布线基板使用，半导体激光器组件的挠性薄板和其它挠性薄板的布线连接是在光拾波器装置外部的钎焊连接处进行，因此，具有可实现大幅削减组装光拾波器装置时对半导体激光器组件自身的热负荷的光拾波器装置的效果。即，可实现如下的光盘驱动器：不发生形成在光学元件的衍射光栅和全息图形上的反射防止膜的剥落、或粘接剂的软化引起的光学元件的位置偏移，不发生特性劣化和可靠性的降低。

由此，根据本发明，可提供具有组装容易的简易结构、散热容易且能够同时实现小型化和高功能化的半导体激光器组件，可实现小型化、高功能化、高功率的光拾波器装置，实用价值非常高。

附图说明

图1A是日本专利特许第3412609号公报中记载的现有半导体激光器组件的俯视图。

图1B是该半导体激光器组件的剖面图(沿图1A的X-X′线的剖面图)。

图2A是日本专利特开第2003-67959号公报中记载的现有半导体激光器组件的剖面图(沿图2B的X-X′线的剖面图)。

图2B是该半导体激光器组件的俯视图。

图2C是该半导体激光器组件剖面图(沿图2B的Y-Y′线的剖面图)。

图3是日本专利特开2002-198605号公报中记载的半导体激光器组件的外观图。

图4A是本发明第一实施方式的半导体激光器组件的俯视图。

图4B是该实施方式的半导体激光器组件的剖面图(沿图4A的X-X′线的剖面图)。

图5A是第二实施方式的半导体激光器组件的俯视图。

图5B是该实施方式的半导体激光器组件的剖面图(沿图5A的X-X′线的剖面图)。

图6是第三实施方式的半导体激光器组件的俯视图。

图7是第四实施方式的半导体激光器组件的俯视图。

图8是第五实施方式的半导体激光器组件的俯视图。

图9A是第六实施方式的半导体激光器组件的俯视图。

图9B是该实施方式的半导体激光器组件的剖面图(沿图9A的X-X′线的剖面图)。

图10A是第七实施方式的半导体激光器组件的俯视图。

图10B是该实施方式的半导体激光器组件的剖面图(沿图10A的X-X′线的剖面图)。

图11A是安装有该实施方式的半导体激光器组件的光拾波器装置700的俯视图。

图11B是该光拾波器装置700的剖面图。

图11C是用于说明光盘750上的3束光的照射位置的图。

图12A是该实施方式的光学元件900的俯视图。

图12B是该实施方式的光学元件900的剖面图(沿图12A的X-X′线的剖面图)。

图13是第八实施方式的半导体激光器组件的俯视图。

图14是固定该实施方式的半导体激光器组件时的概略剖面图。

图15是第九实施方式的半导体激光器组件的俯视图。

图16A是第十实施方式的光拾波器装置1200的俯视图。

图16B是该实施方式的光拾波器装置的剖面图。

具体实施方式

以下，参照附图说明本发明实施方式的半导体激光器组件。

(第一实施方式)

图4A是第一实施方式的半导体激光器组件的俯视图，图4B是半导体激光器组件的剖面图(沿图4A的X-X′线的剖面图)。

本实施方式的半导体激光器组件的目的在于，实现散热容易、且可同时具备高功能和小型化的半导体激光器组件。其具有：金属板100，由铜构成，在表面上电镀有镍和金；半导体激光器110；硅衬底120，形成有利用面(111)的45度微反射镜，并集成有作为光检测电路的感光元件及信号处理电路；挠性薄板130，用金属例如铜进行布线，并用树脂例如聚酰亚胺夹持；金属线140，由金线形成，将半导体激光器110、硅衬底120和挠性薄板130分别电连接；玻璃基板等光学元件150，使从半导体激光器110出射的光和向感光元件入射的光透过。此外，在将该半导体激光器组件安装到光盘驱动器上时，从金属板100伸出到外面的挠性薄板130被弯曲安装。

金属板100的宽度d与硅衬底120的宽度和挠性薄板130的宽度中较大的宽度大体一致，例如为3mm。此时，由于金属板100的宽度为3mm，所以，可满足例如用于实现笔记本电脑用薄型光盘驱动器的3mm以下宽度的要求。而且，在能够防止本半导体激光器组件安装到光拾波器装置中后、金属板100被挤出的范围内，金属板100也可以具有比硅衬底120的宽度和挠性薄板130的宽度中较大宽度更大的宽度。

挠性薄板130在金属板100上分为两个，该被分为两个的挠性薄板130夹着硅衬底120相对置。在此，挠性薄板130的布线端子部，在金属板100上的内端子部130a和金属板100外部的外端子部130b上具有不同的端子间距，在内端子部130a，在宽度方向上排列形成有例如0.1mm×0.3mm面积的多个接点，在外端子部130b，例如以端子宽度0.35mm、间距宽度0.65mm排列形成有接点，以便在向光盘驱动器上安装时不发生电气短路。

光学元件150如图4B所示地具有凹形状，以覆盖硅衬底120和金属线140的状态设置在金属板100上的挠性薄板130上。

在具有上述结构的半导体激光器组件中，来自半导体激光器110的光，经反射镜(未图示)垂直向上，在透过光学元件150后出射到外部。并且，来自光盘(未图示)的反射光通过相同路径后、透过光学元件150入射到感光元件中。

如上所示，根据本实施方式的半导体激光器组件，硅衬底120和挠性薄板130排列地被设置在金属板100上。由此，与作为现有技术的日本专利特开2003-67959号公报不同，硅衬底的面积不受挠性薄板的形状的影响，所以，本实施方式的半导体激光器组件能够实现可满足更高功能要求的半导体激光器组件。

此外，根据本实施方式的半导体激光器组件，金属板100的宽度与硅衬底120的宽度和挠性薄板130的宽度中较大宽度大体一致。由此，由硅衬底120的宽度和挠性薄板130的宽度，来决定半导体激光器组件的大小，可通过减小硅衬底和挠性薄板中宽度较大一方的宽度，实现半导体激光器的小型化，因此，本实施方式的半导体激光器组件可实现能够对应更小型化要求的半导体激光器组件。

此外，根据本实施方式的半导体激光器组件，在金属板100上设置硅衬底120和挠性薄板130来组装半导体激光器组件。由此，在组装时不需要复杂的工序，所以，本实施方式的半导体激光器组件可实现容易组装的半导体激光器组件。

此外，根据本实施方式的半导体激光器组件，将挠性薄板130适用于细间距的布线基板。由此，可将使用现有的引线时具有极限的内端子部的布线间距宽度做成大约1/5的很细宽度，所以，本实施方式的半导体激光器组件，可实现具有高功能化、且可同时实现多管脚化和小型化的半导体激光器组件。

即，通过将本半导体激光器组件用于光盘驱动器的光拾波器装置中，可实现薄型且多功能的光盘驱动器。

此外，根据本实施方式的半导体激光器组件，硅衬底120设置在金属板100上。由此，作为发热源的感光发光部的正下方全部由金属构成，所以，本实施方式的半导体激光器组件可实现容易散热的半导体激光器组件。

即，通过将本半导体激光器组件用于光盘驱动器的光拾波器装置中，可实现能够在比以前更高的环境温度中使用的光盘驱动器。

此外，在本实施方式的半导体激光器组件中，将玻璃基板用作覆盖硅衬底120和金属线140的罩子，但是不限定于此，只要是由可使半导体激光器110的光透过的材料构成的罩子即可，例如可以是由聚烯烃等树脂构成的罩子。

(第二实施方式)

图5A是第二实施方式的半导体激光器组件的俯视图，图5B是半导体激光器组件的剖面图(沿图5A的X-X′线的剖面图)。此外，在与图4A、4B中的结构要素相同的要素上标注相同的附图标记，并省略对其详细说明。

本实施方式的半导体激光器组件与上述的第一实施方式的半导体激光器组件的不同点是，设置有光学元件的加强构件被设置在挠性薄板上的这一点，该半导体激光器组件具有金属板100、半导体激光器110、硅衬底120、挠性薄板130、金属线140、使从半导体激光器110射出的光和向感光元件入射的光透过的玻璃基板等光学元件200、以及加强构件210。

光学元件200呈如图5B所示的板形状，并被设置在加强构件210上，覆盖硅衬底120和金属线140。

加强构件210由树脂构成，被粘贴在挠性薄板130上的光学元件200的设置位置上。而且，也可以将加强构件210作为挠性薄板130的一部分，在制作挠性薄板130时同时形成该加强构件210。

如上所述，根据本实施方式的半导体激光器组件，在光学元件200和挠性薄板130之间插入加强构件210，防止光学元件200和金属线140接触。由此，不需要进行形成用于防止光学元件和金属线接触的凹形状等的光学元件的加工，可削减光学元件的材料成本，因此，本实施方式的半导体激光器组件可实现廉价的半导体激光器组件。

再者，根据本实施方式的半导体激光器组件，加强构件粘贴在挠性薄板130上的光学元件200的设置位置上。由此，仅通过将光学元件设置在加强构件上，就可以进行半导体激光器组件的组装，所以，本实施方式的半导体激光器组件可实现组装容易、特性稳定的半导体激光器组件。

(第三实施方式)

图6是第三实施方式的半导体激光器组件的俯视图。此外，在与图5A、5B中的结构要素相同的要素上标注相同的附图标记，并省略对其详细说明。

本实施方式的半导体激光器组件与上述的第二实施方式的半导体激光器组件的不同点是，对挠性薄板实施了容易弯曲的加工，该半导体激光器组件具有金属板100、半导体激光器110、硅衬底120、挠性薄板130、光学元件200、以及半圆状的弯曲用导向槽300，该导向槽300形成在金属板100外部的挠性薄板130的弯曲部上、作为弯曲部点。

如上所述，根据本实施方式的半导体激光器组件，在挠性薄板130上形成有作为弯曲起点的导向槽300。由此，在弯曲挠性薄板时，可防止因施加在挠性薄板与粘贴固定着的光学元件之间的界面、以及金属板与挠性薄板之间的界面上的负载而引起脱离，因此，本实施方式的半导体激光器组件可实现能够防止挠性薄板的弯曲所引起的脱离的半导体激光器组件。

即，在本半导体激光器组件中，使用柔软且容易弯曲的挠性薄板，并且对该挠性薄板实施了可弯曲的加工，因此，在安装到光拾波器装置上时，可实现没有作用压力的半导体激光器组件。

此外，在本实施方式的半导体激光器组件中，形成了作为弯曲起点的导向槽300，但并不限定于此，只要能容易弯曲挠性薄板即可，也可以作为弯曲起点而形成楔形轨迹或在背面形成沟槽。

(第四实施方式)

图7是第四实施方式的半导体激光器组件的俯视图。此外，在与图6中的结构要素相同的要素上标注相同的附图标记，并省略对其详细说明。

本实施方式的半导体激光器组件与上述的第三实施方式的半导体激光器组件的不同点是，挠性薄板的一部分内端子部的接点面积较大。通常，在金属线接合工序中，识别出对象物内的某一特定的图形后，进行接点之间的接合。因此，在各个器件中，如果金属线接合用接点和识别用图形之间存在为值偏移，则有可能发生金属线接合的不良。以下具体说明。

本实施方式的半导体激光器组件包括金属板100、半导体激光器110、硅衬底120、光学元件200、以及具有导向槽300的挠性薄板400。

挠性薄板400在金属板上分为2部分，该被分为2部分的挠性薄板400夹着硅衬底120相对置。在此，挠性薄板400的布线端子部在金属板100上的内端子部400a、和金属板100外部的外端子部130b上，具有不同的端子间距。此外，在挠性薄板400的内端子部400a，具有多列例如2列的、由在宽度方向上排列为一列的多个接点构成的端子组，该多列的端子组中，离硅衬底120较近的列所具有的接点的面积比离硅衬底120远的列的端子组的接点大，即配置成所谓错列排列。例如，在内侧(离硅衬底120近的列)，接点的面积为0.23mm×0.3mm，在外侧(离硅衬底120远的列)，接点的面积为0.15mm×0.3mm。通过上述结构，能够将硅衬底120的端子组的接点宽度设置成约80μm，比金属线自身的接触部的宽度还宽，即使产生接点面积的错位，也能够充分进行金属线接合，本实施方式的半导体激光器组件可实现降低组装时的不良状况。

此外，根据本实施方式的半导体激光器组件，在挠性薄板400的内端子部400a，靠近硅衬底120的列的端子组的接点面积比较远的列的端子组的面积大。因此，扩大了金属线接合时的自由度(金属线的拉引等)，可防止金属线之间的干涉，所以，本实施方式的半导体激光器组件，可进一步实现能够降低组装时的不良状况。

(第五实施方式)

图8是第五实施方式的半导体激光器组件的俯视图。此外，在与图7中的结构要素相同的要素上标注相同的附图标记，并省略对其详细说明。

本实施方式的半导体激光器组件与上述的第四实施方式的半导体激光器组件的不同点是，挠性薄板的、特别是电流量大的布线的截面面积比其它布线的截面面积大的这一点，其包括金属板100、半导体激光器110、硅衬底120、光学元件200，以及具有导向槽300的挠性薄板500。

挠性薄板500在金属板上分为2部分，该被分为2部分的挠性薄板500夹着硅衬底120相对置。在此，挠性薄板500作为布线端子部具有内端子部400a和外端子部130b，作为电流量大的布线、例如对半导体激光器或信号处理电路的电流供给布线，具有截面面积比其它布线大的布线500c。例如，当其它布线的粗度为80μm时，布线500c的粗度为150μm。并且，布线的截面面积由布线的宽度和厚度所决定。

例如，当半导体激光器的驱动电流用于记录用途的时候，脉冲电流有可能达到500mA，使占空比平均为50％时，也流过250mA的电流。并且，由于作为挠性薄板的布线的铜箔通常使用35μm厚的材料，因此，流过250mA电流时的温度上升，在布线宽度为80μm时有可能达到50℃以上，但是，通过将布线500c的宽度设定成150μm，可抑制一半的温度上升。

如上所述，根据本实施方式的半导体激光器组件，挠性薄板500具有截面面积较大的布线500c，用作电流量大的布线。因此，可抑制外加电流引起的布线中的发热，可降低作为组件对激光器的热负荷，因此可实现可确保激光器的可靠性的半导体激光器组件。而且，还可以实现降低布线部发热而引起的、施加到挠性薄板及硅衬底的电路的负荷的半导体激光器组件。

即，可抑制作为发热源即感光发光部以外部分的发热，即使在需要激光器以大功率工作的记录用途中，也可以实现工作稳定的半导体激光器组件。

(第六实施方式)

图9A是第六实施方式的半导体激光器组件的俯视图，图9B是半导体激光器组件的剖面图(沿图9A的X-X′线的剖面图)。此外，在与图8中的结构要素相同的要素上标注相同的附图标记，并省略对其详细说明。

本实施方式的半导体激光器组件中设有使入射出射光透过、来自外部的入射光衍射的光学元件，并且，在金属板上的挠性薄板上设有对光学元件进行调整固定的评价用电极接点，这是与上述第五实施方式的不同点，其包括金属板100、半导体激光器110、硅衬底120、金属线140、具有导向槽300的挠性薄板600、使入射出射光透过或衍射的光学元件610、以及加强构件210。

挠性薄板600在金属板上分为2部分，该被分为2部分的挠性薄板600夹着硅衬底120相对置。这里，挠性薄板600具有内端子部400a和外端子部130b，作为布线端子部，此外，作为电流量大的布线，具有截面面积比其它布线大的布线500c。而且，在金属板100上，挠性薄板600还具有评价用电极接点600a，用于与探针接触而检测对半导体激光器110施加的电流和来自感光部的信号。

光学元件610具有图9B所示的板形状，并具有使来自光盘的反射光620衍射后入射到感光部的全息图形610a，被设置在加强构件210上，覆盖硅衬底120和金属线140。

加强构件210由树脂构成，被粘贴在挠性薄板600的光学元件610的设置位置上。而且，也可以是，将加强构件210作为挠性薄板600的一部分，在形成挠性薄板600的制作时同时形成加强构件210。

如上所述，根据本实施方式的半导体激光器组件，半导体激光器组件具有使来自光盘的反射光620发生衍射的光学元件610。由此，可将以往在半导体激光器组件的外侧设置的光学元件集成，因此，本实施方式的半导体激光器组件可实现减少光盘驱动器的部件数量的半导体激光器组件。

此外，根据本实施方式的半导体激光器组件，在金属板100上挠性薄板600具有评价用电极接点600a。由此，在一边照射半导体激光器、一边确认从硅衬底的光检测部得到的信号而设置光学元件时的位置调整时，与在挠性薄板的外端子部电接触探针的方式相比，在位于金属板上的上述评价用电极接点上电接触探针的方式能够实现更可靠的接触，因此，本实施方式的半导体激光器组件可实现在多管脚化中，也能容易进行光学调整的半导体激光器组件。

(第七实施方式)

图10A是第七实施方式的半导体激光器组件的俯视图，图10B是半导体激光器组件的剖面图(沿图1A的X-X′线的剖面图)。此外，在与图9A、9B中的结构要素相同的要素上标注相同的附图标记，并省略对其详细说明。

本实施方式的半导体激光器组件包括金属板100、半导体激光器110、硅衬底120、金属线140、具有导向槽300的挠性薄板600、使入射出射光透过或衍射的光学元件800。

在光学元件800的离半导体激光器110较远的面上，具有使来自光盘750的反射光620衍射并向感光部入射的全息图形800a，在光学元件800的离半导体激光器110较近的面上，具有使激光衍射并形成3束的光栅图形800b，在对发光点进行光轴调整后，将光学元件800设置在挠性薄板600上，并覆盖硅衬底120和金属线140。其中，光学元件800具有凹形状，在其外周部具有以光学元件800的中心部为中心的原弧形状。

图11A是安装有上述半导体激光器组件的光拾波器装置700的俯视图，图11B是光拾波器装置700的剖面图。

光拾波器装置700是3光束光学系统的光拾波器装置，包括半导体激光器组件710、准直透镜720、反射镜730、物镜740、能够以可旋转状态插入半导体激光器组件710的插入部760，该插入部760具有圆弧形的凹部。

具有上述结构的光拾波器装置700中，被半导体激光器组件710内的光学元件分割成3束的激光，通过准直透镜720、反射镜730、物镜740后照射到光盘750。

在此，在光盘750上，3束光例如照射到图11C中所示的位置，因此，通过旋转半导体激光器组件710，可调整成使光盘上的3束光照射位置和规定位置一致。通过这样的调整，在记录系列的光拾波器装置中，不会产生因物镜切换引起的轴偏移而导致无法进行准确记录的问题，可进行准确的轨道检测。

将半导体激光器组件710向光拾波器装置700上安装时，使半导体激光器710的光学元件800的圆弧形状与插入部760的圆弧形状吻合，并且，通过沿着插入部760的圆弧形状旋转半导体激光器组件710，进行光盘750上的3光束照射位置的调节。

如上所述，根据本实施方式的半导体激光器组件，光学元件800在外周部具有同插入部760的圆弧形状相匹配的圆弧形状，并且，在对发光点进行光轴调整后，将光学元件800设置在挠性薄板600上。由此，在将半导体激光器组件安装到光拾波器装置上时，只进行旋转调整即可，因此，本实施方式的半导体激光器组件可实现能够容易地组装到光拾波器装置上的半导体激光器组件。

即，当日本特许第3412609号公报中记载的半导体激光器组件的情况下，安装光拾波器装置时，作为旋转调整部的预装件的凸状外侧圆弧部与发光点的光轴不一致，所以不仅需要进行旋转调整，还需要在与激光前进方向相垂直的平面内的调整，但是，对于本实施方式的半导体激光器组件来说，在安装光拾波器装置时已经对光学元件进行了光轴调整，所以只进行旋转调整。

而且，在本实施方式的半导体激光器组件中，光学元件800在外周部具有圆弧形，将其用于旋转调节。但是，如图12A、图12B的光学元件900的俯视图、剖面图所示，在光学元件900的端部具有台阶，在该台阶的上段的外周部具有圆弧形状，也可以将其用于旋转调节。

此外，光学元件800为凹形状，被设置在挠性薄板600上。但是，半导体激光器组件由树脂构成，具有粘贴在挠性薄板的光学元件的设置位置上的加强构件，光学元件是板形，也可以设置在加强构件上。

(第八实施方式)

以下，参照附图说明本发明的实施方式涉及的半导体激光器组件。

图13是第八实施方式的半导体激光器组件的俯视图。此外，在与图10A、10B中的结构要素相同的要素上标注相同的附图标记，并省略对其详细说明。

本实施方式的半导体激光器组件与上述第七实施方式的半导体激光器组件不同点是，外侧的金属板露出，并且在金属板上形成有固定用缺口部的这一点，其包括半导体激光器110、硅衬底120、具有导向槽300的挠性薄板600、使入射出射光透过或衍射的光学元件800，以及在表面镀有镍或金的由铜构成的金属板1000。

金属板1000的宽度与硅衬底120的宽度和挠性薄板600的宽度中较大一方的宽度大体一致，例如具有3mm的宽度。金属板1000在其两端具有不被挠性薄板600覆盖的露出部，在露出部的长边上设有固定用缺口部1000a，固定用缺口部1000a在宽度方向上夹着露出部对置。

在具有上述结构的半导体激光器组件中，光学元件800的光轴调整是，如图14的半导体激光器组件的剖面图所示，用夹具1000夹持固定缺口部1000a进行可靠固定，使得金属板1000不在X-Y面及Z轴方向上偏移，并且使光学元件800与挠性薄板600接触。此时，固定缺口部1000a形成在金属板1000的长边上。其理由是，当在短边形成了缺口的情况下，如果夹持金属板1000进行固定，则中央部即设置感光发光部的区域产生挠曲，且发生硅衬底120在金属板1000产生偏移的问题。

如上所述，根据本实施方式的半导体激光器组件，金属板1000在其长边具有固定缺口部1000a。由此，在光学元件的调整组装时，能够可靠地固定设置了半导体激光器和硅衬底的金属板，使其在X-Y面及Z轴方向上不偏移，因此，本实施方式的半导体激光器组件可实现能够容易进行光学元件的光轴调整的半导体激光器组件。

此外，根据本实施方式的半导体激光器组件，金属板1000在两端具有不被挠性薄板600覆盖的露出部。由此，通过使该露出的金属板的表面侧以硅酮润滑脂为介质与光拾波器装置的框体接触，这样不仅从金属板的背面、还能够从表面进行散热，所以能够进行广泛的散热，因此，本实施方式的半导体激光器组件能够实现可进行较佳效率的散热的半导体激光器组件。

即，通过将本半导体激光器组件用在光盘驱动器的光拾波器装置中，同以前相比，能够实现可在更高的环境温度中使用的高功率的记录型光盘驱动器。

(第九实施方式)

图15是第九实施方式的半导体激光器组件1210的俯视图。此外，在与图13中的结构要素相同的要素上标注相同的附图标记，并省略对其详细说明。

本实施方式的半导体激光器组件1210具有半导体激光器110、硅衬底120、具有导向槽300的挠性薄板600、光学元件800，以及在表面镀有镍或金的、由铜构成的金属板1000。

金属板1300的宽度与硅衬底120的宽度和挠性薄板600的宽度中较大宽度大体一致，例如具有3mm的宽度。在这里，金属板1300在长边(图中是水平方向的边)上具有固定用缺口1000a，在两端具有不被挠性薄板600覆盖的露出部，并且，金属板1300的短边(图中是垂直方向的边)长度，在固定用缺口1000a的外侧比其内侧短。此外，金属板1300在其两端具有以光学元件800的中心部为中心的圆弧形。

将半导体激光器组件1210向光拾波器装置上安装时，使半导体激光器1210的金属板1300的圆弧形状和光拾波器装置的插入部的圆弧形状相吻合地接触，并且，通过沿着插入部的圆弧形状旋转半导体激光器组件1210，进行光盘750上的3光束照射位置的调节。

如上所述，根据本实施方式的半导体激光器组件，金属板1300在两端具有以光学元件800的中心部为中心的圆弧形状，通过旋转金属板1300，进行将半导体激光器组件1210安装到光拾波器装置时的旋转调整。由此，在光学元件和结合部等上不施加负荷而进行旋转调整，因此，本实施方式的半导体激光器组件，可实现能够防止因光拾波器装置的组装调整时的负荷而得不到所期望特性的故障的半导体激光器组件。

此外，根据本实施方式的半导体激光器组件，金属板1300的两端的宽度比金属板1300的设有挠性薄板600的部分的宽度窄。由此，即使在将半导体激光器组件安装到光拾波器装置时进行旋转调整，金属板的端部也不会超出光盘驱动器的薄型化所要求的3mm宽度，因此，本实施方式的半导体激光器组件，可实现在组装光盘驱动器后也能够收纳在所期望尺寸内的半导体激光器组件。

而且，根据本实施方式的半导体激光器组件，金属板1300在长边上设有固定缺口部1000a。由此，用夹具夹着固定用缺口部固定金属板，可在光拾波器装置的旋转调整时保持半导体激光器组件，因此，本实施方式的半导体激光器组件可实现组装容易的半导体激光器组件。

这里，在上述第一实施方式至第九实施方式中，在金属板上被分为2部分的挠性薄板，夹着硅衬底，被引出到金属板外部后合并为一个。但是，挠性薄板也可以不被引出到金属板的外部，进一步，在金属板上也可以不被分成2部分。此时，金属板上的布线基板可以不使用挠性薄板，可以使用印刷电路板。

(第十实施方式)

下面，参照附图说明本实施方式的光拾波器装置。

图16A是第十实施方式的光拾波器装置1200的俯视图，图16B是光拾波器装置1200的剖面图(沿图1A的X-X′线的剖面图)。此外，在与图11A、11B、11C中的结构要素相同的要素上标注相同的附图标记，并省略对其详细说明。

本实施方式的光拾波器装置1200是3光束光学系统的光拾波器装置，具有：准直透镜720，反射镜730，物镜740，第九实施方式的半导体激光器组件1210，以可旋转状态插入半导体激光器组件1210的插入部1220，用粘接剂例如硅系的热传导性粘接剂粘接固定在半导体激光器组件1200的金属板背面上的散热块1230。

这里，如图16B所示，在半导体激光器组件1210的挠性薄板的外端子部中的、与其它挠性薄板的布线连接，是在光拾波器装置1200外部的钎焊连接处1240进行。

如上所述，根据本实施方式的光拾波器装置，光拾波器装置在半导体激光器装置1210的金属板1300的背面具有散热块1230，金属板1300和光拾波器装置1200接触。由此，大幅度扩大散热面积，提高散热效果，可有效地将由半导体激光器产生的热量散发到外部，因此，本实施方式的光拾波器装置，可实现以用良好的散热特性稳定工作的光拾波器装置。

此外，根据本实施方式的光拾波器装置，半导体激光器装置1210将挠性薄板600用作布线基板；半导体激光器组件1210的挠性薄板和其它挠性薄板之间的布线连接，是在光拾波器装置1200外部的钎焊连接处1240中进行的。由此，能够将光学元件和成为挠性薄板的钎焊连接处的外端子部之间的距离设定为现有结构的2倍以上的距离，因此，本实施方式的光拾波器装置，可实现能够大幅削减组装光拾波器装置时对半导体激光器组件自身的热负荷的光拾波器装置。

即，通过增加钎焊连接处与上述构件的距离，在利用钎焊进行布线连接时，不会产生以下现象：因热传导使光学元件和固定光学元件的粘接剂被加热到耐温温度以上，会产生光学元件的光栅图形或在全息图形上形成的反射防止膜的剥落或粘接剂的软化，性能劣化和可靠性的降低。

并且，在本实施方式的光拾波器装置中，用硅系粘接剂来粘接固定半导体激光器组件1210的金属板1300和散热块1230，但并不限定于此，只要是热传导率高的粘固剂都可以，例如可以是热传导率高的石墨片。

以上，基于实施方式说明了本发明涉及的半导体激光器组件和使用该组件的光拾波器装置，但是无庸置疑，本发明并不限定于这些实施方式，在不超出本发明范围的情况下可进行各种变形或修改。

产业上的可利用性

本发明可用于半导体激光器组件，特别是可用于光盘驱动器装置的光拾波器装置等。

Claims (15)

1.一种半导体激光器组件，包括：具有发光元件及感光元件的感光发光部，第一布线基板，设置有上述感光发光部及第一布线基板的金属板，其特征在于，

上述感光发光部及第一布线基板排列设置在上述金属板上，

上述第一布线基板具有由与上述感光发光部连接的多个第一端子构成的第一端子组，

上述金属板的宽度与上述第一布线基板和感光发光部的宽度中较大一方大体一致。

2.如权利要求1所述的半导体激光器组件，其特征在于，

上述半导体激光器组件还具有第二布线基板，该第二布线基板在上述金属板上夹着上述感光发光部而对置；

上述第二布线基板具有由与上述感光发光部连接的多个第二端子构成的第二端子组；

上述第二布线基板的宽度与上述第一布线基板的宽度大体一致。

3.如权利要求2所述的半导体激光器组件，其特征在于，

上述半导体激光器组件还具有将上述第一、第二布线基板的布线引出到上述金属板外部的外部布线基板；

上述外部布线基板具有与上述第一、第二端子组的端子电连接的多个外部端子；

上述外部端子的端子间隔比上述第一、第二端子的端子间隔大。

4.如权利要求3所述的半导体激光器组件，其特征在于，

上述第一、第二布线基板及外部布线基板是用树脂夹着金属布线的一个挠性薄板。

5.如权利要求4所述的半导体激光器组件，其特征在于，

上述第一、第二端子组的结构是：在与上述感光发光部及上述第一、第二布线基板所排列的长度方向正交的宽度方向上，排列有多个上述第一、第二端子；

上述第一、第二布线基板具有多列上述第一、第二端子组。

6.如权利要求5所述的半导体激光器组件，其特征在于，

上述第一、第二布线基板和外部布线基板的一部分布线的截面面积，比其它布线的截面面积大。

7.如权利要求6所述的半导体激光器组件，其特征在于，

上述金属板在上述感光发光部及上述第一、第二布线基板所排列的长度方向的两端，具有未设置上述第一、第二布线基板及感光发光部的露出部。

8.如权利要求5所述的半导体激光器组件，其特征在于，

上述金属板在上述感光发光部及上述第一、第二布线基板所排列的长度方向的两端，具有未设置上述第一、第二布线基板及感光发光部的露出部。

9.如权利要求4所述的半导体激光器组件，其特征在于，

上述第一、第二布线基板和外部布线基板的一部分布线的截面面积，比其它布线的截面面积大。

10.如权利要求4所述的半导体激光器组件，其特征在于，

上述金属板在上述感光发光部及上述第一、第二布线基板所排列的长度方向的两端，具有未设置上述第一、第二布线基板及感光发光部的露出部。

11.如权利要求3所述的半导体激光器组件，其特征在于，

上述第一、第二端子组，在与上述感光发光部及上述第一、第二布线基板所排列的长度方向正交的宽度方向上，排列有多个上述第一、第二端子；

上述第一、第二布线基板具有多列上述、第二端子组。

12.如权利要求3所述的半导体激光器组件，其特征在于，

上述第一、第二布线基板和外部布线基板的一部分布线的截面面积，比其它布线的截面面积大。

13.如权利要求3所述的半导体激光器组件，其特征在于，

上述金属板在上述感光发光部及上述第一、第二布线基板所排列的长度方向的两端，具有未设置上述第一、第二布线基板及感光发光部的露出部。

14.如权利要求2所述的半导体激光器组件，其特征在于，

上述第一、第二端子组，在与上述感光发光部及上述第一、第二布线基板所排列的长度方向正交的宽度方向上，排列有多个上述第一、第二端子；

上述第一、第二布线基板具有多列上述第一、第二端子组。

15.如权利要求2所述的半导体激光器组件，其特征在于，

上述金属板在上述感光发光部及上述第一、第二布线基板所排列的长度方向的两端，具有未设置上述第一、第二布线基板及感光发光部的露出部。

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