CN1832163A - 摄像模块及其制造方法 - Google Patents

摄像模块及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN1832163A
CN1832163A CNA2006100549438A CN200610054943A CN1832163A CN 1832163 A CN1832163 A CN 1832163A CN A2006100549438 A CNA2006100549438 A CN A2006100549438A CN 200610054943 A CN200610054943 A CN 200610054943A CN 1832163 A CN1832163 A CN 1832163A
Authority
CN
China
Prior art keywords
mentioned
resin substrates
resin
photographing module
peristome
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA2006100549438A
Other languages
English (en)
Other versions
CN100438023C (zh
Inventor
佐藤元昭
川端毅
品川雅俊
福田敏行
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Craib Innovations Ltd
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Publication of CN1832163A publication Critical patent/CN1832163A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100438023C publication Critical patent/CN100438023C/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14634—Assemblies, i.e. Hybrid structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14618—Containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
    • H01L27/1469—Assemblies, i.e. hybrid integration
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
    • H04N23/57—Mechanical or electrical details of cameras or camera modules specially adapted for being embedded in other devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00011—Not relevant to the scope of the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
    • H05K1/182—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with components mounted in the printed circuit board, e.g. insert mounted components [IMC]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Abstract

本发明公开了一种摄像模块及其制造方法。目的在于：提供一种实施了防止各种光学部件相对于摄像用半导体芯片的摄像面的倾斜、及光学部件形成的光轴和摄像面错开的对策的摄像模块。摄像模块(500)，是由第1树脂衬底(15)；设置了第1开口部的第2树脂衬底(16)；将第1树脂衬底(15)和上述第2树脂衬底(16)电连接的第1电导通部件；形成了第2开口部的印刷电路板(6)；将第2树脂衬底(16)和印刷电路板(6)电连接的第2电导通部件；装载在第2树脂衬底(16)的下面之上覆盖第1开口部、形成了摄像元件的摄像用半导体芯片；设置在第2树脂衬底(16)的上面之上覆盖第1开口部的光学部件(3)；和形成控制摄像元件的动作的控制元件、装载在第1树脂衬底(15)下面的半导体控制用芯片(2)叠层而成。

Description

摄像模块及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种通过立体布置摄像用半导体芯片和半导体控制用芯片而构成的多层结构的摄像模块和其制造方法。
背景技术
近几年，对携带电话和数码照相机等各种电子装置的小型化、高功能化的要求越来越强烈。为了响应此要求，提出了由电子部品，特别是将图像传感器芯片和信号处理用集成电路芯片叠层起来，使其一体化而形成的多层结构的半导体封装体。
例如，为了将图像传感器电连接在布线衬底上而采用栈封装体结构的摄像模块众所周知。该摄像模块，例如，包括衬底、外围器、集成电路芯片、隔离物(spacer)、图像传感器芯片和透明层。在该摄像模块中，在衬底主面形成有信号输入端子，在该衬底背面形成有用以连接在布线衬底上的信号(输入)端子。布线衬底连接在外部电路上。而且，图像传感器芯片夹着隔离物布置在集成电路芯片的上面，与集成电路芯片一起形成叠层结构，该图像传感器芯片电连接在衬底的信号输入端子上。并且，透明层由透明玻璃构成，覆盖外围器的上面和图像传感器芯片。另外，在本说明书中，衬底的主面意味着衬底面中的设置了集成电路和受发光元件等半导体装置的面，衬底的背面意味着衬底面中的与主面对着的面。
其次，对以往的例子再作一些说明。
在专利文献1中记载的模块中，为在布线衬底安装集成电路芯片，夹着隔离物将图像传感器芯片叠层在其芯片主面上的栈结构。并且，为将外围器粘合在布线衬底的上面，且将透明玻璃贴在外围器上面的结构。并且，布线衬底在一个面具有用以连接在半导体芯片上的端子和金属细线上的连接端子，该连接端子通过引线柱塞(via)及布线与设置在布线衬底的另一面的外部端子连接。该外部端子通过焊药球安装在印刷电路板上。在此文献中，公开了在树脂密封型的中空封装体内布置叠层了两层的半导体芯片的结构，或树脂衬底型OMPAC(翻模焊盘阵列封装)的结构。
在专利文献2中，将设置了受发光元件的芯片用作封装体内的光学元件芯片。并且，公开了以通过BGA(小型球栅阵列)结构的焊药球端子将封装体安装在印刷电路板为特点的光通信用器件的制造方法。
【专利文献1】特开2002-354200号公报
【专利文献2】特开2002-296435号公报
近年来，利用研磨和湿蚀刻、或者这两种方法并用的方法使半导体晶片较薄，然后将半导体晶片分割成半导体芯片的技术正在开发。另一方面，将该较薄的半导体芯片成品率较高地安装在印刷电路板上的技术正在开发。由于使用这些技术，叠层半导体芯片，或者叠层安装在印刷电路板上的半导体芯片时的叠层数呈进一步增加趋势。
但是，当将形成了光学元件的摄像用半导体芯片等装载在最上层，以实现多层结构的摄像模块时，存在有以下不良情况。
首先，在多层结构的摄像模块中，难以让在摄像用半导体芯片的上方分别布置的镜头、光学滤光器及防护玻璃罩等形成的光轴，与通过摄像用半导体芯片的主面(受光面)中心的、垂直于该主面的垂直轴一致。并且，用以往技术，难以使摄像用半导体芯片的摄像区域的中心与光轴正好一致。而且，也难以使安装了摄像模块及其它电子设备的印刷电路板和摄像用半导体芯片平行，提高该印刷电路板和摄像用半导体芯片的布置精度。由于产生这样的不良情况，因此在以往的多层结构的摄像模块中有时不能充分地发挥摄像用半导体芯片的功能。
其次，在多层结构的摄像模块中，由于线性膨胀系数等机械特性在构成部件之间不同，加在各部件的热不同等，因此在加热处理及加压处理后产生变形和歪曲。特别是该变形和歪曲在薄型摄像模块中较为显著。当该变形传播到摄像用半导体芯片时，摄像图案对于被摄物体产生歪曲，输出图像不能忠实地再现被摄物体的影像。
另一方面，近年来，为了实现电子装置的小型化、薄型化，利用BGA方式进行半导体芯片和摄像模块的安装的情况越来越多。在这样的安装方法中，必须要使用以连接模块和印刷电路板的焊药球及隆起物电极的高度较低。因此，在常温下产生弯曲时和因接合部件时的加热而产生弯曲时，不能将摄像模块安装在母板上。并且，即使能够将摄像模块安装在母板上，也不能部分连接，其结果产生安装不良的现象。即，当产生了弯曲时，即使摄像模块是良品，因安装不良也不能使用高价的摄像模块。
在专利文献1及专利文献2中记载的技术中，没有实施防止摄像用半导体芯片的摄像面(主面)和各种光学部件的倾斜、以及中心位置不一致的对策。并且，根据任何一个以往技术，也不能完全地防止摄像模块的弯曲的产生。
发明内容
本发明的目的在于：提供一种实施了防止各种光学部件相对于摄像用半导体芯片的摄像面的倾斜、及光学部件形成的光轴和摄像面不一致的对策，同时抑制了弯曲产生的多层结构的摄像模块。
本发明的摄像模块，包括：第1树脂衬底；第2树脂衬底，布置在上述第1树脂衬底的上面或上方，设置了第1开口部；第1电导通部件，将上述第1树脂衬底和上述第2树脂衬底电连接；印刷电路板，布置在上述第2树脂衬底的上面或上方，形成了受光用开口部；第2电导通部件，将上述第2树脂衬底和上述印刷电路板电连接；摄像用半导体芯片，在主面上形成接受来自外部的光的摄像元件，在主面朝上的状态下，以覆盖上述第1开口部的形式布置在上述第2树脂衬底的下面之上；光学部件，与上述摄像用半导体芯片在平面上重叠，且以覆盖上述第1开口部的形式布置在上述第2树脂衬底的上面之上，平面尺寸小于上述受光用开口部；以及第1半导体控制用芯片，在主面上形成了用以控制上述摄像元件的动作的控制元件。
这样一来，在本发明的摄像模块中，通过在可实现高精度且平坦化的第2树脂衬底的上面装载光学部件，下面装载主面朝上(光学元件侧)的摄像用半导体芯片，能够防止光学部件形成的光轴相对于摄像用半导体芯片的主面的倾斜，通过光学部件准确地接受入射的光。因此，当将本发明的摄像模块使用在数字照相机和录像走带机构中时，本发明的摄像模块，能够将忠实地再现被照物体的影像的图像输出。并且，由于树脂衬底的表面的平坦性较好，因此能够精度良好地使摄像用半导体芯片和印刷电路板平行。
本发明的摄像模块，有时例如将由平坦的树脂衬底和埋入导体构成的平行面部件夹在第2树脂衬底和印刷电路板之间。此时，由于能够精度更高地使摄像用半导体芯片和印刷电路板平行，因此能够将摄像用半导体芯片的摄像面(主面)和外部设备的位置关系维持为与设计的一样。
并且，通过采用上述结构，由于能够将平行面部件夹在第2树脂衬底和印刷电路板之间，将刚性板贴在第1树脂衬底的下面，其中，该平行面部件使用了由弯曲强度高于树脂衬底的材料构成的基材，因此能够减少因加热及加压处理而产生的模块的弯曲程度，能够抑制变形。其结果，能够将忠实地再现被照物体的影像的图像数据输出，同时，能够抑制在采用了BGA方式时在摄像模块和母板之间发生的连接不良。
并且，光学部件，例如，具有光学镜头、快门机构、光圈、光学滤光器、防护玻璃罩等全部或者一部分。特别是当为光学镜头时，由于为可使厚度厚于以往的光学部件的结构，因此能够在使用折射率较低的材料谋求降低制造成本的同时，谋求抑制弯曲的产生。
并且，本发明的摄像模块的制造方法，为将第1树脂衬底；形成了第1开口部的第2树脂衬底；形成了第2开口部的印刷电路板；在主面上形成了接受来自外部的光的摄像元件的、平面尺寸大于上述第1开口部的摄像用半导体芯片；平面尺寸大于上述第1开口部且平面尺寸小于上述第2开口部的上述光学部件；和在主面上形成了用以控制上述摄像元件的动作的控制元件的半导体控制用芯片叠层而成的摄像模块的制造方法。包括：工序(a)，从下开始依次叠层在下面具有上述半导体控制用芯片的上述第1树脂衬底、在下面之上具有以主面朝上的状态覆盖上述第1开口部的上述摄像用半导体芯片的上述第2树脂衬底、上述印刷电路板；工序(b)，在上述工序(a)后，通过在上述第1树脂衬底和上述印刷电路板之间施加压力的状态下进行加热处理，来让上述第1树脂衬底、上述第2树脂衬底及上述印刷电路板一体化，形成叠层体；以及工序(c)，以通过上述第2开口部，覆盖上述第1开口部的形式，在上述第2树脂衬底的上面之上布置上述光学部件。
通过此方法，能够很容易地形成可靠性高的摄像模块。能够很容易地以通过设置在印刷电路板的开口部的形式安装光学部件。并且，由于能够在将树脂衬底和各种芯片及印刷电路板、较薄的光学部件一体化后装载追加的光学部件，因此能够防止光学部件中的便宜的塑料制部件因热和压力而变形的现象。
(发明的效果)
根据本发明的摄像模块，由于能够防止摄像用半导体芯片和光学部件位置的不一致，能够精度较好地使摄像用半导体芯片和印刷电路板平行，因此能够将准确地再现被照物体的图像数据输出到外部设备。
附图的简单说明
图1(a)为示出了本发明的第1实施例所涉及的摄像模块的结构的剖面图，图1(b)为示出了第2实施例所涉及的摄像模块的结构的剖面图，图1(c)为概要地示出了第3实施例所涉及的摄像模块的结构的立体剖面图。
图2为沿着图1(c)的II-II线将第3实施例所涉及的摄像模块切断时的剖面图。
图3(a)为概要地示出了第3实施例所涉及的摄像模块中的第1树脂衬底的上面的平面图，图3(b)为示出了图3(a)所示的IIIb-IIIb线的第1树脂衬底的剖面图，图3(c)为概要地示出了第1树脂衬底的背面的平面图。
图4(a)为概要地示出了第3实施例所涉及的摄像模块中的第2树脂衬底上面的平面图，图4(b)为示出了图4(a)所示的IVb-IVb线的第2树脂衬底的剖面图，图4(c)为概要地示出了第2树脂衬底背面的平面图。
图5(a)为示出了第3实施例所涉及的摄像模块中的片状部件的平面图，图5(b)为示出了图5(a)所示的片状部件的Vb-Vb线的剖面图。
图6(a)为示出了第3实施例所涉及的摄像模块中的平行面部件的概要形状的平面图，图6(b)为示出了摄像模块的图6(a)中的VIb-VIb线的剖面图。
图7(a)为示出了第3实施例所涉及的摄像模块中的第1粘合部件及第2粘合部件的平面图，图7(b)为示出了图7(a)中的第1粘合部件及第2粘合部件的VIIb-VIIb线的剖面图。
图8(a)～图8(c)为示出了装载在第3实施例所涉及的摄像模块中的半导体芯片的制造工序的剖面图。
图9(a)～图9(d)为示出了使用在第3实施例所涉及的摄像模块中的第1树脂衬底的制造工序的剖面图。
图10(a)～图10(d)为示出了使用在第3实施例所涉及的摄像模块中的第2树脂衬底的制造工序的剖面图。
图11(a)～图11(f)为示出了使用在第3实施例所涉及的摄像模块中的片状部件的制造工序的剖面图。
图12(a)～图12(f)为示出了使用在第3实施例所涉及的摄像模块中的平行面部件的制造工序的剖面图。
图13为将第3实施例所涉及的摄像模块分解成各构成部件而示出的剖面图。
图14(a)为示出了第4实施例所涉及的摄像模块的结构的剖面图，图14(b)为示出了使用在该摄像模块中的粘合部件的平面图，图14(c)为示出了该摄像模块的图14(b)所示的粘合部件的XIVb-XIVb线的剖面图。
图15为将第4实施例所涉及的摄像模块分解成各构成部件而示出的剖面图。
图16为示出了本发明的第5实施例所涉及的摄像模块的结构的剖面图。
图17(a)～图17(f)为示出了使用在第5实施例所涉及的摄像模块中的平行面部件的制造方法的剖面图。
图18为将第5实施例所涉及的摄像模块分解成各构成部件而示出的剖面图。
图19为示出了本发明的第6实施例所涉及的摄像模块的结构的剖面图。
图20(a)为示出了第6实施例所涉及的摄像模块中的刚性板的一个例子的平面图，图20(b)为示出了图20(a)所示的XXb-XXb线的剖面图。
图21为将第6实施例所涉及的摄像模块分解成各构成部件而示出的剖面图。
图22为示出了第6实施例所涉及的摄像模块的变形例的剖面图。
图23为示出了本发明的第7实施例所涉及的摄像模块的结构的剖面图。
图24(a)为示出了在本发明的第8实施例所涉及的摄像模块中，第1树脂衬底下面的平面图，图24(b)为示出了第1树脂衬底上面的平面图。
图25(a)为示出了在使用在第8实施例所涉及的摄像模块中的第1树脂衬底安装的半导体控制用芯片的平面图，图25(b)为半导体控制用芯片的沿着图25(a)所示的XXVb-XXVb线的剖面图。
图26为示出了将图25所示的半导体控制用芯片安装在图24(a)、图24(b)所示的第1树脂衬底上的状态的剖面图。
图27为示出了使用在本发明的第9实施例所涉及的摄像模块中的第1树脂衬底的平面图。
(符号的说明)
1-摄像用半导体芯片；2、600-半导体控制用芯片；3-光学部件；4、4a、4b、42-电极隆起物；5-光学部件粘合剂；6-印刷电路板；7-第1树脂基材；8-第2树脂基材；9-第1粘合部件；10-第2粘合部件；11、110、111、112-第1埋入导体；12、120-第2埋入导体；13-第3埋入导体；14-片状部件；14a、141-第1片状部件；14b-第2片状部件；15、150、151-第1树脂衬底；16-第2树脂衬底；17、170、171-平行面部件；18、180、181-粘合层；19-摄像用开口部；20、200、201、202、203-开口部；21、210、211-连接端子；22、220、221-布线；23、230、231、232、233-连接片(land)；25-铜箔；26-感光性膜；27-掩蔽膜(masking film)；28a、28b-密封树脂；29-半导体晶片；30、300、301、302、303、304-贯穿孔；31-耐热性保护膜；33、330-突起部；34-辅助突起；36、360-刚性板；37-粘合剂；38-腔；39-虚拟电极；40-第1电导通部件；40a、40b-电导通部件；41-受光用开口部；70-第1树脂基材；86、860-第3树脂基材；91-第1粘合部件；101-第2粘合部件；240-两面贴铜衬底；320-液体状树脂；401-第2电导通部件；500、510、520、530、540、550、560、570-摄像模块。
具体实施方式
参照图1(a)对本发明的第1实施例所涉及的摄像模块560加以说明。
图1(a)为示出了本实施例的摄像模块560的整个结构的剖面图(剖面端面图)。如同图所示，本实施例的摄像模块560，包括：第1树脂衬底15；通过密封树脂28a封在第1树脂衬底15的下面的半导体控制用芯片2；在中央区域形成摄像用开口部19、夹着电导通部件40a布置在第1树脂衬底15上的第2树脂衬底16；布置在第2树脂衬底16的下面之上的摄像用半导体芯片1；形成受光用开口部41、夹着电导通部件40b布置在第2树脂衬底16上方的印刷电路板6；和在第2树脂衬底16的上面之上、布置在受光用开口部41内的光学部件3。第1树脂衬底15位于叠层的树脂衬底中的最下层。本实施例的摄像模块560，为通过对上述方法叠层的第1树脂衬底15和第2树脂衬底16、及印刷电路板6等进行加热处理及加压处理来使树脂衬底和芯片一体化的模块。
在半导体控制用芯片2的主面上设置有控制摄像用半导体芯片1上的受光元件和发光元件等摄像用元件的控制元件、和连接在该控制元件等上的电极隆起物4a。将半导体控制用芯片2布置为其主面与第1树脂衬底15的下面对着。
在第1树脂衬底15的上面中的、从平面来看围绕与摄像用半导体芯片1重叠的区域的区域(周边区域)中形成有连接片23。并且，在第1树脂衬底15下面的装载半导体控制用芯片2的区域中形成有与电极隆起物4a接触的连接端子21。该连接端子21通过布线和设置在第1树脂衬底15下面的连接片23电连接。另外，连接片23形成在第2树脂衬底16的上面及下面和印刷电路板6的下面。
将摄像用半导体芯片1布置为其主面朝着第2树脂衬底16的下面且(摄像用半导体芯片的)中央部与摄像用开口部19的中央部重叠的样子。这里，摄像用开口部19的尺寸小于摄像用半导体芯片1及光学部件3。通过此结构，能够在摄像用半导体芯片1的摄像面接受通过设置在受光用开口部41内侧的光学部件3及摄像用开口部19从外部入射的光。并且，当将发光元件设置在摄像用半导体芯片1时，能够将通过光学部件3及摄像用开口部19从发光元件输出的光放射到外部。
并且，形成在摄像用半导体芯片1的主面上的电极隆起物4b连接在形成在第2树脂衬底16的下面之上的连接片23的一部分上。在电极隆起物4b和第2树脂衬底16上形成的连接片23的连接部分，被密封树脂28b封住。并且，在摄像用半导体芯片1的背面和第1树脂衬底15的上面之间设置有间隙，以使摄像用半导体芯片1不从第1树脂15接受应力。但是，如在以后的实施例中所述，有时用具有粘合层的片状部件覆盖摄像用半导体芯片1的背面。另外，密封树脂28b，从外部环境保护摄像用半导体芯片1的摄像面，同时，具有吸收在摄像用半导体芯片1和第2树脂衬底16之间产生的热弯曲等作用。
光学部件3由防护玻璃罩和透明树脂等构成，通过光学部件粘合剂5与摄像用半导体芯片1粘合为在平面上重叠。
并且，在本实施例的摄像模块560中，在半导体控制用芯片2上形成的控制元件通过电极隆起物4a、4b，连接端子21，布线，连接片23，电导通部件40a连接在摄像用半导体芯片1上的元件上。并且，在半导体控制用芯片2上形成的控制元件及摄像用半导体芯片1上的元件的一部分通过形成在印刷电路板6背面的连接片23等连接在外部设备上。
本实施例的摄像模块560的特征在于：将光学部件3装载在一个树脂衬底(第2树脂衬底16)的上面，将摄像用半导体芯片1装载在下面。同时用高精度使该第2树脂衬底16的上面和下面平坦化。因此，能够精度较好地将光学部件3和摄像用半导体芯片1布置在所希望的位置上，能够抑制光学部件3形成的光轴相对于摄像用半导体芯片1的摄像面(主面)的倾斜。并且，通过上述结构，精度良好地平行布置印刷电路板6和摄像用半导体芯片1。因此，能够精度较好地将摄像用半导体芯片1的摄像面和外部设备的位置关系维持为如所设计的一样。所以，当将本实施例的摄像模块使用在例如数码照相机和录像走带机构等摄像用设备中时，能够将忠实地再现被照物体的影像的图像输出。此时，设置在摄像用半导体芯片1的摄像用元件为图像传感器等，光学部件3除了有光学镜头、光学滤光器、防护玻璃罩等之外，也可以具有快门机构、光圈、自动聚焦等用电动机驱动的机械部品。这样一来，很容易从外部设备经由印刷电路板6向光学部件3进行引线布线和插座布线等的布线，能够削减装在印刷电路板的光学镜头和机构部品的数目。
并且，在本实施例的摄像模块560中，通过在印刷电路板6设置受光用开口部41，能够让来自外部的入射光入射到摄像用半导体芯片1的主面，同时，能够使光学部件3的厚度超过印刷电路板6的上面。所以，能够提高整个摄像模块的刚性，能够抑制产生弯曲。并且，由于与具备较薄的光学部件的以往的摄像模块相比，能够用折射率较低的材料制作光学部件3，因此能够用比使用高折射材料时还低的成本制作。或者，由于能够使整个光学部件3的厚度厚于以往，因此能够采用光学部件3具有多个(例如，3个)镜头的结构。此时，例如，通过设置焦点为摄像用半导体芯片1，焦点距离及倍率分别不同的3个镜头，能够在进行电子变焦时获得从低倍率到高倍率的平稳的高品质图像。并且，由于通过组合多个镜头，能够抑制因各镜头中的每个光的波长的折射率不同而带来的影响，因此能够再现真实的色彩。
另外，虽然示出了在第2树脂衬底16的中央区域形成有摄像用开口部19的例子作为本实施例的摄像模块，但是只要由光学部件3形成的光轴对于摄像用半导体芯片1的摄像面没有倾斜的话，也可以将摄像用开口部19设置在第2树脂衬底16的中央区域以外的地方。
另外，在本实施例的摄像模块560中也可以还具有在第1树脂衬底15和第2树脂衬底16之间装载了其它半导体芯片的树脂衬底。并且，摄像用半导体芯片1并不一定与控制用半导体芯片2叠层在一起，有时与其它半导体芯片叠层在一起。
(第2实施例)
参照图1(b)对本发明的第2实施例所涉及的摄像模块570加以说明。另外，以下，以与第1实施例不同的地方为中心加以说明。
图1(b)为示出了本实施例的摄像模块570的整个结构的剖面图。如同图所示，本实施例的摄像模块570，包括：第1树脂衬底15；通过密封树脂28a封在第1树脂衬底15下面的半导体控制用芯片2；在中央区域形成摄像用开口部19、夹着第1电导通部件40布置在第1树脂衬底15上的第2树脂衬底16；布置在第2树脂衬底16的下面之上的摄像用半导体芯片1；形成受光用开口部41、布置在第2树脂衬底16上方的印刷电路板6；夹在第2树脂衬底16和印刷电路板6之间、在中央形成了开口部的平行面部件171；和在第2树脂衬底16的上面之上、布置在受光用开口部41及平行面部件171的开口部内部的光学部件3。第1树脂衬底15位于叠层的树脂衬底中的最下层。本实施例的摄像模块570，为通过对上述方法叠层的第1树脂衬底15和第2树脂衬底16、及印刷电路板6等进行加热处理及加压处理来使树脂衬底和芯片一体化的模块。
将一个或一个以上的第2电导通部件401埋入平行面部件171。该第2电导通部件401，将设置在第2树脂衬底16的上面之上的连接片23和设置在印刷电路板6的背面上的连接片23电连接。
本实施例的摄像模块570，为通过对上述方法叠层的第1树脂衬底15和第2树脂衬底16、平行面部件171及印刷电路板6等进行加热处理及加压处理来使树脂衬底和芯片一体化的模块。也就是说，本实施例的摄像模块570，为将第1实施例的摄像模块560的电导通部件40b换成平行面部件171的模块。
平行面部件171，由聚(酰)亚胺和环氧树脂等树脂构成的厚度均匀的树脂基材形成。但是，也可以在树脂基材的上面及下面设置通过加热软化而产生粘合性的粘合层(图中没有示出)。
设置在半导体控制用芯片2上的控制元件的一部分通过电极隆起物4a、布线(图中没有示出)、第1电导通部件40、设置在树脂衬底上的连接片23、第2电导通部件401、设置在印刷电路板6上的连接片23连接在外部设备等上。并且，设置在摄像用半导体芯片1上的摄像用元件的一部分通过电极隆起物4b、设置在第2树脂衬底16上的连接片23、第2电导通部件401、设置在印刷电路板6上的连接片23等连接在外部设备上。
由于构成平行面部件171的树脂基材的平坦性较高，因此能够抑制在进行了加热处理及加压处理后的印刷电路板6和第2树脂衬底16的位置的错开。所以，与第1实施例的摄像模块560相比，本实施例的摄像模块570可用更高的精度平行布置印刷电路板6和摄像用半导体芯片1。因而，能够精度较好地将摄像用半导体芯片1的摄像面和外部设备的位置关系维持为如设计的一样。因此，当将本实施例的摄像模块570使用在例如数码照像机和录像走带机构等摄像用设备时，能够将忠实地再现被照物体的影像的图像输出。
(第3实施例)
图1(c)为概要地示出了本发明的第3实施例所涉及的摄像模块500的整个结构的立体剖面图。图2为沿着图1(c)的II-II线将摄像模块500切断时的剖面图。并且，图3～图7为示出了本实施例的摄像模块500的构成部件的结构图。以下，边参照附图，边对本实施例的摄像模块加以说明。
—摄像模块的结构—
如图1(c)及图2所示，本实施例的摄像模块500，包括：第1树脂衬底15；通过密封树脂28a封在第1树脂衬底15下面的半导体控制用芯片2；在中央区域形成开口部、粘合在第1树脂衬底15的上面之上的第1片状部件14a；在中央区域形成摄像用开口部19、粘合在第1片状部件14a上的第2树脂衬底16；布置在第2树脂衬底16的下面之上，同时，收纳在第1片状部件14a的开口部内的摄像用半导体芯片1；在中央区域形成受光用开口部，粘合在第2树脂衬底16的上面之上的第2片状部件14b；在中央区域设置受光用开口部，粘合在第2片状部件14b的上面之上的平行面部件17；形成受光用开口部41，粘合在平行面部件17上的印刷电路板6；和设置在第2树脂衬底16的上面之上，且收纳在第2片状部件14b及平行面部件17的开口部及受光用开口部41的光学部件3。第1树脂衬底15位于叠层的树脂衬底中的最下层。本实施例的摄像模块500，是通过对上述方法叠层的第1树脂衬底15、第1片状部件14a、第2树脂衬底16、第2片状部件14b及印刷电路板6等进行加热处理及加压处理来使树脂衬底和芯片一体化的模块。
这里，第1树脂衬底15和第1片状部件14a、以及第2树脂衬底16和第2片状部件14b分别通过第2粘合部件10粘合在一起。并且，第1片状部件14a和第2树脂衬底16、及第2片状部件14b和平行面部件17，分别通过为第1片状部件14a及第2片状部件14b的一部分的第1粘合部件9粘合在一起。
并且，与第1及第2实施例所涉及的摄像模块一样，在半导体控制用芯片2的主面上设置有控制元件和电极隆起物4a，其中，该控制元件控制形成在摄像用半导体芯片1上的受光元件和发光元件等摄像用半导体装置，该电极隆起物4a连接在该控制元件等上。将半导体控制用芯片2布置为其主面与第1树脂衬底15的下面对着。
图3(a)为概要地示出了本实施例的摄像模块中的第1树脂衬底15的上面的平面图，图3(b)为示出了图3(a)所示的IIIb-IIIb线的第1树脂衬底15的剖面图，图3(c)为概要地示出了第1树脂衬底15下面的平面图。另外，为了容易用图形表示，在这些图中，概要地示出了第1埋入导体11的位置和大小等，有时与实际摄像模块不同。在图3以外的平面图中也是一样，概要地示出了各个部件。
如图1～图3所示，在第1树脂衬底15的上面的、从平面来看围绕与摄像用半导体芯片1重叠的区域的区域(周边区域)中形成有连接片23(参照图3)。并且，在第1树脂衬底15的下面的装载半导体控制用芯片2的区域内形成有与电极隆起物4a接触的连接端子21。并且，在第1树脂衬底15中，设置在上面的连接片23和设置在下面的连接片23通过贯穿第1树脂基材7的第1埋入导体11电连接。并且，设置在第1树脂衬底15下面的连接片23通过布线22与连接端子21电连接。最好将导电性树脂材料或镀导体(plating conductor)等用在该第1埋入导体11中。
另外，连接片230(参照图4)形成在第2树脂衬底16的上面及下面、和印刷电路板6的下面。
将摄像用半导体芯片1布置为其主面朝着第2树脂衬底16的下面，且(芯片的)中央部与摄像用开口部19的中央部重叠。这里，摄像用开口部19的尺寸小于摄像用半导体芯片1及光学部件3。通过此结构，能够用摄像用半导体芯片1的摄像面接受通过设置在受光用开口部41的内侧的光学部件3及摄像用开口部19从外部入射的光。并且，当将发光元件设置在摄像用半导体芯片1时，能够将通过光学部件3及摄像用开口部19从发光元件输出的光放射到外部。
并且，在半导体控制用芯片2的主面上形成的电极隆起物4b连接在连接片23的一部分上。电极隆起物4b和形成在第2树脂衬底16上的连接片23的连接部分被密封树脂28b封住。并且，为了防止摄像用半导体芯片1受到来自第1树脂衬底15的应力，在摄像用半导体芯片1的背面和第1树脂衬底15的上面之间设置有间隙。
光学部件3具有防护玻璃罩和透明树脂等，通过光学部件粘合剂5粘合为在平面上与摄像用半导体芯片1重叠。这里，光学部件3也可以具有镜头和光学滤光器、自动聚焦和光圈等。
图4(a)为概要地示出了本实施例的摄像模块中的第2树脂衬底16上面的平面图，图4(b)为示出了图4(a)所示的IVb-IVb线的第2树脂衬底16的剖面图，图4(c)为概要地示出了第2树脂衬底16下面的平面图。
如图4(a)～图4(c)所示，在第2树脂衬底16的上面及下面形成有多个连接片230。在第2树脂衬底16的下面设置有连接到摄像用半导体芯片1的电极隆起物4b的连接端子210、和将连接片230和连接端子210连接在一起的布线220。第2树脂衬底16具有第1树脂基材70和第1埋入导体110，其中，该第1埋入导体110连接设置在上面的连接片230和设置在下面的连接片230。最好使用导电性树脂材料或镀导体作为第1埋入导体110。
并且，图5(a)为示出了第1片状部件14a及第2片状部件14b的平面图，图5(b)为示出了图5(a)所示的片状部件的Vb-Vb线的剖面图。由于第1片状部件14a和第2片状部件14b的结构相同，因此归纳为「片状部件14」加以说明。片状部件14具有形成了开口部20的第2树脂基材8和贯通第2树脂基材8的多个第2埋入导体12。第2埋入导体12的端部在上面侧和下面侧两方从第2树脂基材8突出(突起部33)。该第2埋入导体12以半硬化状态装在树脂衬底上，经过加压处理及加热处理使其压缩硬化。在压缩硬化时，通过设置突起部33，第2埋入导体12与第1树脂衬底15上的连接片23和第2树脂衬底16上的连接片230机械接触。因此，第2埋入导体12与连接片23或连接片230电连接。
而且，在本实施例的摄像模块中，最好第2树脂基材8的厚度厚于摄像用半导体芯片1的厚度。通过此结构，即使在将摄像模块加热处理及加压处理时，因热使第1粘合部件9和第2粘合部件10软化，这些粘合部件由于压力而变薄，也能够用第2树脂基材8的厚度抑制粘合部件的变形。其结果，由于压力没有施加在摄像用半导体芯片1上，因此能够防止制造工序中的裂纹的发生和弯曲的发生。另外，也可以使用更厚的作为该第2树脂基材8。通过此结构，能够更进一步地抑制在摄像模块500产生的弯曲。以后对第2树脂基材厚度的具体例子加以说明。
图6(a)为示出了本实施例的摄像模块500中的平行面部件17的简要形状的平面图，图6(b)为示出了摄像模块500的图6(a)中的VIb-VIb线的剖面图。
如图6(a)、图6(b)所示，平行面部件17，包括：在其中央区域形成开口部200的薄板状第3树脂基材86、设置在第3树脂基材86的一个面(图6(b)上面)上的粘合层18和贯通第3树脂基材86及粘合层18的第3埋入导体13。
粘合层18，因加热软化而具有粘合性，在摄像模块500中粘合第3树脂基材86和印刷电路板6。第3树脂基材86的面内厚度差异很小，厚度均匀。并且，从平面来看开口部200与形成在位于平行面部件17下的第2片状部件14b的开口部20的位置相同，大小相同。而且，在平行面部件17中的开口部200的周边部，从平面上来看对应于设置在第2树脂基材8的第2埋入导体12的位置上形成有第3埋入导体13。
并且，第3埋入导体13的一端从第3树脂基材86的上面突出(突起部330)。该突起部330，通过在平行面部件17与第2片状部件14b和印刷电路板6叠层在一起的状态下，与印刷电路板6上的连接片231机械接触，来获得在摄像模块内的电连接。通过此结构，能够精度良好地使摄像用半导体芯片1的摄像面和印刷电路板6的上面平行。
图7(a)为示出了本实施例的摄像模块中的第1粘合部件9及第2粘合部件10的平面图，图7(b)为示出了第1粘合部件9及第2粘合部件10的VIIb-VIIb线的剖面图。另外，由于第1粘合部件9和第2粘合部件10的结构相同，因此这里以图中的第1粘合部件9为例对其结构加以说明。
分别布置在片状部件14的上面和下面的第1粘合部件9和第2粘合部件10，在片状部件14的与第2树脂基材8相同的位置上具有大小相同的开口部201，由通过加热软化而产生粘合性的材料构成。通过此结构，第1粘合部件9和第2粘合部件10，能够确实地将邻接的第1树脂衬底15、第2树脂衬底16、平行面部件17及第2树脂基材8等各部件之间粘合在一起。并且，由于各部件所具备的各埋入导体的各突起部能够很容易地穿透因加热而软化的粘合部件，因此能够与设置在各部件的连接片实现良好的电连接。
如上所述，在本实施例的摄像模块中，由于在第2树脂衬底16的上面之上设置有光学部件3，在第2树脂衬底16的下面之上设置有摄像用半导体芯片1，因此能够将光学部件3相对于摄像用半导体芯片1的位置的错开抑制得较小。由于，在其上，在第1树脂衬底15和第2树脂衬底16之间，以及在第2树脂衬底16和平行面部件17之间布置有具有埋入导体的片状部件14，因此与布置金属球等电导通部件的时候相比，能够精度良好地使第2树脂衬底16和印刷电路板6平行。所以，在本实施例的摄像模块中，能够精度良好地使印刷电路板6和摄像用半导体芯片1平行。并且，通过设置平行面部件17，来精度更好地平行布置印刷电路板6和摄像用半导体芯片1。因而，能够将摄像用半导体芯片1的摄像面和外部设备的位置关系精度良好地维持为如设计的一样。
并且，由于通过使第1片状部件14a(或第2树脂基材8)的厚度大于摄像用半导体芯片的厚度，因此在加压工序及加热工序中压力没有施加在摄像用半导体芯片1上，因而能够防止裂纹和弯曲。所以，当将本实施例的摄像模块用在例如数码照相机和录像走带机构等摄像用设备中时，能够将忠实地再现被照物体的影像的图像输出。
在叠层且粘合各构成部件后，以覆盖摄像用开口部19的形式，用光学部件粘合剂5将光学部件3(例如，防护玻璃罩或透明树脂等)粘合固定在第2树脂衬底16的上面。本实施例的摄像模块500的结构如上所述。
另外，虽然构成第1树脂衬底15及第2树脂衬底16的第1树脂基材7、和构成片状部件14的第2树脂基材8、构成平行面部件17的第3树脂基材86，能够使用玻璃纤维环氧树脂、芳族聚酰胺、氢酸盐系树脂等树脂基材，但是也可以根据各叠层基材的使用目的而使用各自不同的树脂基材。可想而知当第3树脂基材8由刚性高于构成第1树脂衬底15及第2树脂衬底16的树脂基材的材料构成时，能够在加压处理及加热处理时难以产生变形和弯曲。
另外，各树脂衬底、片状部件及平行面部件的外周尺寸相同。并且，对于各部件的粘合，使用预浸料(prepreg)状环氧树脂和芳族聚酰胺等作为第1粘合部件9、第2粘合部件10及粘合层18，平面外形尺寸与片状部件14的第2树脂基材8相同。
—摄像模块的具体设计例—
以下，对本实施例的摄像模块500的各构成部件的设计例加以说明。
最好摄像用半导体芯片1及半导体控制用芯片2的厚度为30μm或30μm以上400μm或400μm以下。这是因为若芯片厚度太薄的话，则机械强度下降，容易破损，若芯片厚度太厚的话，则整个摄像模块的厚度变厚的缘故。
将第1树脂衬底15设计为使第1树脂基材7的厚度在60μm或60μm以上200μm或200μm以下的范围，使第1埋入导体11的直径在100μm或100μm以上500μm或500μm以下的范围，使第1埋入导体之间的间距在300μm或300μm以上750μm或750μm以下的范围。
将第2树脂衬底16设计为使第1树脂基材70的厚度在60μm或60μm以上300μm或300μm以下的范围，使第1埋入导体110的直径、第1埋入导体110之间的间距的范围分别与第1树脂衬底15的第1埋入导体11的范围相同。但是，当采用第1树脂衬底15和第2树脂衬底16的叠层结构时，最好第2树脂衬底16的第1树脂基材70的厚度与第1树脂衬底15相同或者厚于它。这样一来，能够抑制被摄像用半导体芯片1和光学部件3夹着的第2树脂衬底16的弯曲。
并且，第2树脂衬底16的第1树脂基材70，在其中央部具有小于摄像用半导体芯片1的摄像用开口部19。
将片状部件14设计为使第2树脂基材8的厚度例如在45μm或45μm以上且450μm或450μm以下的范围，使第2埋入导体12的直径、第2埋入导体12之间的间距的范围分别与第1树脂衬底15及第2树脂衬底16的范围相同。并且，片状部件14的第2树脂基材8，在其中央区域形成有平面尺寸大于摄像用半导体芯片1的开口部20。
在片状部件14中，使布置在第2树脂基材8的两面(上面及下面)的第1粘合部件9和第2粘合部件10的厚度在10μm或10μm以上100μm或100μm以下的范围，且在其中央区域与第1树脂基材8的开口部20在平面上重复的区域中形成与开口部20的大小相同的开口部201。
使平行面部件17中的第3树脂基材86的厚度在60μm或60μm以上450μm或450μm以下的范围，使第3埋入导体13的直径、第3埋入导体13之间的间距、开口部200的位置和大小与片状部件14的第2树脂基材8的范围相同。并且，使形成在平行面部件17的第3树脂基材86上面的粘合层18的厚度在10μm或10μm以上100μm或100μm以下的范围。
最好根据用途使与外部设备连接的印刷电路板6的厚度不同。布置在印刷电路板6的下面的连接片23的位置，与形成在平行面部件17的第3树脂基材86的第3埋入导体13相同，开口部20的位置和大小也与形成在平行面部件17的第3树脂基材86的开口部200相同。
并且，将在第2树脂衬底16的第1树脂基材70具有的摄像用开口部19的上面布置的光学部件3设计为使其厚度在200μm或200μm以上400μm或400μm以下的范围，平面外形尺寸在大于第1树脂基材70的摄像用开口部19，且小于片状部件14的第2树脂基材8的开口部201的范围。
通过这样的设定，能够获得本实施例的摄像模块500。
由于该摄像模块500，在连接在外部设备的印刷电路板6和第2树脂衬底16之间布置有面内厚度差异较小的平行面部件17及第2片状部件14b，因此很容易高精度地确保印刷电路板6的上面和摄像用半导体芯片1的摄像面的平行度。
而且，若使第2树脂衬底16、摄像用半导体芯片1及平行面部件17的厚度较厚的话，则由于抵抗因外力产生的弯曲和扭曲等变形的抵抗力变强，因此即使为多层结构，也能够大大减少其弯曲。所以，能够精度更好地使印刷电路板6的上面和摄像用半导体芯片1的摄像面平行。
并且，在本实施例的摄像模块中，将半导体控制用芯片2装在第1树脂衬底15上，并且将摄像用半导体芯片1装在第2树脂衬底16上。因此，在安装了各自的半导体芯片后，能够通过进行预烧(burn-in)试验、电检查或图像检查等仅叠层良品，能够实现成品率更高的摄像模块。
而且，由于因在叠层粘合时片状部件14的第2埋入导体12接受加热处理和加压处理而被压缩硬化，因此能够确实地让各树脂衬底表面的连接片23和第1埋入导体11电连接。并且，还能够通过压缩第2埋入导体12，使其高密度化，来降低阻力(resistance)。在统一叠层各构成部件，将它们粘合在一起时，由于即使从衬底中位于最上层的印刷电路板6的上面、和位于树脂衬底中的最下层的第1树脂衬底15的下面加压，片状部件14的第2树脂基材8也不会发生收缩等变形，因此没有应力加在摄像用半导体芯片1上。所以，难以在摄像用半导体芯片1产生裂纹等和连接不良等，能够实现可靠性较高的多层结构的模块结构。
—摄像模块的制造方法—
使用图8～图13对本实施例的摄像模块的制造方法加以说明。
图8(a)～图8(c)为示出了装载在本实施例的摄像模块中的半导体芯片的制造工序的剖面图，图9(a)～图9(d)为示出了第1树脂衬底15的制造工序的剖面图。图10(a)～图10(d)为示出了第2树脂衬底的制造工序的剖面图，图11(a)～图11(f)为示出了片状部件的制造工序的剖面图。并且，图12(a)～图12(f)为示出了平行面部件的制造工序的剖面图，图13为将构成本实施例的摄像模块的部件分解示出的剖面图。
首先，利用图8对制作薄型半导体元件的方法的一个例子加以说明。这里，虽然以摄像用半导体芯片1为例加以说明，也能够用同样的方法加工半导体控制用芯片等其它半导体芯片。
如图8(a)所示，对半导体晶片29进行摄像用半导体芯片1所必需的电路加工工序。其次，在半导体晶片29中，通过电解镀或SBB(钉头凸点互联)法等在成为摄像用半导体芯片1的区域(芯片区域)的焊接衬垫(bonding pad)上形成电极隆起物4。
其次，如图8(b)所示，通过切割锯和激光光照射从主面侧沿着半导体晶片29的分离区域将其切断到途中为止。
接着，如图8(c)所示，通过化学蚀刻、等离子体蚀刻或背面研磨的各施工方法的任意一个、或者这些施工方法的组合对半导体晶片29的背面进行处理，除去衬底下部，一直除到到达前一个工序中的切断位置为止。通过此工序，将摄像用半导体芯片1分割为单片。对半导体控制用芯片2也进行这些加工工序。另外，在本实施例中，对使摄像用半导体芯片1和半导体控制用芯片2的厚度为75μm的情况加以了说明，并不限定于此厚度。
其次，对制作为了安装半导体控制用芯片2的第1树脂衬底15的方法的一个例子加以说明。在本实施例中，作为第1树脂衬底15的制作例，以将玻璃纤维环氧树脂使用在第1树脂基材7，将铜箔25使用在形成在第1树脂基材7的两面的各图案中的情况加以说明。
首先，如图9(a)所示，准备好将铜箔25贴合在第1树脂基材7的两面的两面贴铜衬底24。该两面贴铜衬底24，最好为将厚度为15μm的铜箔25贴合在厚度为75μm的第1树脂基材7的两面，使整个厚度为105μm左右的厚度。
其次，如图9(b)所示，对两面贴铜衬底24的规定位置照射聚集的激光，形成贯穿孔30。
接着，如图9(c)所示，通过对两面铜箔25的表面涂敷感光性膜26，进行蚀刻加工，来在第1树脂基材7的一个面形成连接片23，在另一面形成连接端子21、连接片23、以及将连接端子21和连接片23连接在一起的布线22。这些图案的形成是使用感光性膜26，使用光刻和蚀刻技术进行的。在蚀刻结束后，用脱离液和等离子体灰化将两面感光性膜26剥离。
接着，如图9(d)所示，通过用丝网印刷法和减压注入法向贯穿孔30填充例如导电性膏(paste)后，将衬底加热，使导电性膏硬化，来形成第1埋入导体11。如上所述，能够获得第1树脂衬底15。另外，此树脂衬底的制作方法和基材、以及铜箔的厚度和材质并不限定为上述的例子。例如，也可以是用镀导体(plating conductor)来填充贯穿孔30的制作方法。
其次，对制作用以安装摄像用半导体芯片1的第2树脂衬底16的方法的一个例子加以说明。另外，第2树脂衬底16的制作例，虽然使用与第1树脂衬底15的制作例一样的树脂基材，但是在设置摄像用开口部19方面不同。以下，将该树脂基材称为第1树脂基材70。因此，在第1树脂基材70使用玻璃纤维环氧树脂，在形成在第1树脂基材70的两面的各图案中使用铜箔25。
首先，如图10(a)所示，准备好在第1树脂基材70的两面贴了铜箔25的两面贴铜衬底240。该两面贴铜衬底240，最好是将厚度为15μm的铜箔25贴合在厚度为150μm的第1树脂基材70的两面，使整个厚度为180μm的厚度。
其次，如图10(b)所示，向两面贴铜衬底240的规定位置照射聚集的激光，形成贯穿孔300和摄像用开口部19。此摄像用开口部19，形成在第1树脂基材70的中央区域，至少小于摄像用半导体芯片1的平面外形，且与摄像用半导体芯片1的摄像区域相同或大于摄像用半导体芯片1的摄像区域。
接着，如图10(c)所示，将感光性膜26涂敷在铜箔25的表面，且将感光性膜26作为掩膜进行蚀刻加工。藉此方法，在第1树脂基材70的一个面形成连接片230，在另一个面形成连接端子210、连接片230、将连接端子210和连接片230连接在一起的布线220。这些端子、布线、岛的图案的形成是通过使用了感光性膜26的光刻技术及蚀刻技术进行的。在蚀刻结束后通过脱离液和等离子体灰化来将两面感光性膜26剥离。
其次，如图10(d)所示，通过用丝网印刷法和减压注入法向贯穿孔300填充例如导电性膏(paste)后，将衬底加热，使导电性膏硬化，来形成第1埋入导体110。如上所述，能够制作第2树脂衬底16。另外，此树脂衬底的制作方法和基材、及铜箔的厚度和材质并不限定为上述方法，例如，也可以是用镀导体来填充贯穿孔300的制作方法。
其次，对制作构成片状部件14的第2树脂基材8的方法的一个例子加以说明。另外，作为第2树脂基材8的制作例，以与第1树脂衬底15的制作例一样，使用了玻璃纤维环氧树脂作为第2树脂基材8的材料的情况加以说明。
首先，如图11(a)所示，准备好第2树脂基材8。最好使该第2树脂基材8的厚度为100μm。
其次，如图11(b)所示，在第2树脂基材8的两面形成由聚(酰)亚胺和PET树脂等构成的耐热性保护膜31。
接着，如图11(c)所示，向形成了耐热性保护膜31的第2树脂基材8的规定位置照射聚集的激光，形成贯穿孔301和开口部20，然后，将耐热性保护膜31剥离。该开口部20形成在第2树脂基材8的中央区域，至少大于摄像用半导体芯片1的平面外形。
其次，如图11(d)所示，将掩蔽膜(masking film)27贴在第2树脂基材8的两面，其中，该掩蔽膜27形成有在与贯穿孔301对应的位置设置的孔和在与开口部20对应的位置设置的窗。用丝网印刷法和减压注入法向第2树脂基材8的贯穿孔301和掩蔽膜27的孔填充例如导电性膏。设置在掩蔽膜27的孔是用以形成第2埋入导体12的突起部33的。
接着，如图11(e)所示，让填充到贯穿孔301和掩蔽膜27的孔的导电性膏干燥。在此状态下，第2埋入导体12为半硬化状态。
其次，如图11(f)所示，能够通过剥离掩蔽膜27，制作在片状部件14的两面上具有突起部33的第2树脂基材8。由于在本工序中形成的第2埋入导体12还处于半硬化状态，因此若在叠层树脂衬底后进行加热和加压的话，则其被压缩，硬化，粘合在树脂衬底等的连接片上。另外，该树脂基材的制作方法、基材的厚度和材质并不限定为上述方法、厚度和材质。
其次，对制作平行面部件17的方法的一个例子加以说明。另外，作为平行面部件17的第3树脂基材86的例子，以与第1树脂衬底15的例子一样，将玻璃纤维环氧树脂用在第3树脂基材86的情况加以说明。
首先，如图12(a)所示，准备好在上面形成了粘合层18的第3树脂基材86，其中，该粘合层18通过加热软化而产生粘合性。在本实施例中，为了使后述的光学部件3的厚度为300μm，最好使该第3树脂基材86的厚度为300μm。
其次，如图12(b)所示，在第3树脂基材86的粘合层形成面上形成由聚(酰)亚胺和PET树脂等构成的耐热性保护膜31。
接着，如图12(c)所示，向形成了耐热性保护膜31的第3树脂基材86的规定位置照射聚集的激光，形成贯穿孔302和开口部200，然后将耐热性保护膜31剥离。该开口部200形成在第3树脂基材86的中央区域，至少大于摄像用半导体芯片1的平面外形尺寸，且与形成在片状部件14的第2树脂基材8的开口部20的平面外形尺寸相同。
其次，如图12(d)所示，将掩蔽膜27贴在第3树脂基材86的粘合层18的形成面，其中，该掩蔽膜27形成有在与贯穿孔302对应的位置设置的孔和在与开口部200对应的位置设置的窗。另外，形成在掩蔽膜27的孔是用以形成第3埋入导体13的突起部330的。接着，用丝网印刷法和减压注入法向第3树脂基材86的贯穿孔302和掩蔽膜27的孔填充例如导电性膏。
其次，如图12(e)所示，让填充到贯穿孔302和掩蔽膜27的孔的导电性膏干燥，形成第3埋入导体13。
其次，如图12(f)所示，能够通过剥离掩蔽膜27，来制作在设置了第3树脂基材86的粘合层18的面上形成了突起部330的平行面部件17。由于在本工序中，第3埋入导体13还处于半硬化状态，因此用加热和加压来压缩它，使其硬化。藉此方法，使突起部330粘合在设置在印刷电路板6的下面的连接片231上。另外，该树脂基材的制作方法、基材的厚度和材质并不限定为上述方法、厚度和材质。
其次，以在片状部件14中，制作布置在第2树脂基材8的两面的第1粘合部件9和第2粘合部件10的方法的一个例子加以说明。这里，以使用了环氧预浸料(epoxy prepreg)时的第1粘合部件9为例加以说明。
首先，准备好通过加热软化而产生粘合性的环氧预浸料。在本实施例中，最好使环氧预浸料的厚度为15μm。其次，通过利用按压打洞或激光照射加工来在与片状部件14的第2树脂基材8的开口部20相同的位置上形成大小相同的开口部201。另外，本粘合部件的制作方法、部件的厚度及材质并不限定为上述方法、厚度及材质。
其次，对使用第1树脂衬底15和第2树脂衬底16在两衬底上分别安装半导体控制用芯片2和摄像用半导体芯片1的方法加以说明。
首先，在进行让由焊药和导电性树脂构成的膏介于半导体控制用芯片2的主面上所形成的电极隆起物4a和第1树脂衬底15的连接端子21之间的位置调整后，通过用反射炉和加热炉加热来将电极隆起物4a和连接端子21接合在一起。
其次，向在第1树脂衬底15和半导体控制用芯片2之间产生的间隙注入液体状密封树脂28a，在密封树脂28a扩散到该整个间隙后，对密封树脂28a进行加热，使其硬化。藉此方法，将半导体控制用芯片2的主面密封，同时，将第1树脂衬底15和半导体控制用芯片2粘合固定在一起。
由于用同样的方法使第2树脂衬底16和摄像用半导体芯片1粘合固定在一起，摄像用半导体芯片1的电极隆起物4b和第2树脂衬底16的接合方法与半导体控制用芯片2和摄像用半导体芯片1的接合方法相同，因此对其说明加以省略。其次，向在第2树脂衬底16和摄像用半导体芯片1之间产生的间隙注入液体状密封树脂28b。此时，仅在摄像用半导体芯片1的除了摄像区域之外的周边部涂敷密封树脂28b，通过加热让密封树脂28b硬化。藉此方法，通过密封树脂28b将第2树脂衬底16和摄像用半导体芯片1粘合固定在一起。
通过这样的方法，能够制作安装了各自的半导体芯片的第1树脂衬底15和第2树脂衬底16。如果在这之后实施电检查、图像检查、预烧(burn-in)试验的话，则能够使安装在树脂衬底的半导体芯片的可靠性与单个的安装在半导体封装体的以往的半导体芯片一样。
其次，对用平行面部件17及片状部件14叠层用上述方法制作的第1树脂衬底15、第2树脂衬底16及印刷电路板6，使这些构成部件一体化的工序加以说明，其中，在该第1树脂衬底15安装有半导体控制用芯片2，在该第2树脂衬底16安装有摄像用半导体芯片1。
如图13所示，布置构成部件中的第1树脂衬底15，在其上依次布置第2粘合部件10、第2树脂基材8、第1粘合部件9、装有摄像用半导体芯片1的第2树脂衬底16、第2粘合部件10、第2树脂基材8、第1粘合部件9、平行面部件17、印刷电路板6。
此时，将第1树脂衬底15及第2树脂衬底16分别布置为使安装了半导体控制用芯片2及摄像用半导体芯片1的面为下面。并且，决定出位置，以使安装在第2树脂衬底16的摄像用半导体芯片1能够收容在第2片状部件14b的开口部20。并且，将第1树脂衬底15的连接片23、第2树脂衬底16的连接片230、印刷电路板6的连接片231布置为与第1片状部件14a及第2片状部件14b中的第2埋入导体12的突起部33和平行面部件17中的第3埋入导体13的突起部330的位置错开为最小限度。另外，为了使光学部件3中的防护玻璃罩等较薄且耐热性较强的部件，或者临时金属罩保护摄像用半导体芯片1的摄像面，在本工序中，也可以将其设置在摄像面上。
通过象这样布置，叠层各构成部件且让它们粘附后，再对叠层的构成部件进行加热和加压，能够使形成在片状部件14的上面及下面的粘合部件和平行面部件17的粘合层18软化，使构成部件粘合，将它们一体化。而且，能够使各树脂衬底和印刷电路板6的连接片23、231与片状部件14的各埋入导体的突起部33、330贯穿软化的粘合部件而机械地接触，同时，电连接。并且，如果用规定时间对构成部件的叠层体进行加热及加压后，再将其冷却，取出的话，则能够获得叠层为一体化的多层结构体。
并且，当形成上述多层结构体时，也可以采用在第1树脂衬底15的上面(与安装了半导体控制用芯片2的面对着的面)、及第2树脂衬底16的上下面的除了形成了连接片23、230的区域和邻接在片状部件14的开口部20的区域之外的区域上预先形成因加热软化而产生粘合性的粘合层的结构，来代替使用第1粘合部件9和第2粘合部件10。
或者，也可以采用在印刷电路板6的与平行面部件17的接合面中的、除了形成了连接片231的区域和形成了开口部200的区域之外的区域上预先形成粘合层的结构，来代替平行面部件17的粘合层18。
其次，能够通过用光学部件粘合剂5将厚度为300μm、平面尺寸大于摄像用开口部19的防护玻璃罩和透明树脂或光学滤光器等光学部件3粘合在使多个构成部件一体化的多层结构体中的安装摄像用半导体芯片1的第2树脂衬底16的上面，来实现本实施例的摄像模块500。另外，可以在加热和加压工序之前预先设置光学部件3中的防护玻璃罩等耐热性强的部件，也可以在加热和加压工序之后设置光学部件3中的耐热性弱的塑料制部件等。
根据上述本实施例的摄像模块500的制作方法，由于使用面内厚度差异非常小的平行面部件17和使第2树脂衬底16较厚，因此即使进行为了模块化的叠层、加热及粘合等，也能够抑制弯曲的发生。所以，能够用高精度使在摄像模块500中要求的摄像用半导体芯片1的摄像面和印刷电路板6的上面平行。另外，通过使平行面部件17较厚，也能够抑制弯曲的发生。
(第4实施例)
以下，参照图14和图15对本发明的第4实施例所涉及的摄像模块510加以说明。另外，各自的厚度和长度等在图的制作上与实际的形状不同，在这些图中使它们为较容易用图形表示的形状。这对于以后的图也是一样。并且，由于各构成部件的材质与第1实施例所涉及的摄像模块一样，因此对其详细说明加以省略。
图14(a)为示出了本实施例的摄像模块510的结构的剖面图，图14(b)为示出了使用在本实施例的摄像模块510中的粘合部件的平面图，图14(c)为示出了图14(b)所示的粘合部件的XIVb-XIVb线的剖面图。另外，图14(a)示出了沿平面中心线将摄像模块510切断的剖面。并且，图15为将本实施例的摄像模块510分解为各构成部件而示出的剖面图。
本实施例的摄像模块510，与第3实施例的摄像模块500的不同之处在于：在构成放置在第1树脂衬底15上的第1片状部件141的第1粘合部件91、和第2粘合部件101没有设置开口部201，对图13和图15进行比较即可明显得出。
第1片状部件141的第1粘合部件91、和第2粘合部件101，在叠层的构成部件被加热时软化，其一部分流入摄像用半导体芯片1的背面侧的周围。因此，本实施例的摄像模块510的特征在于：构成为第1粘合部件91、和第2粘合部件101覆盖摄像用半导体芯片1的背面侧，同时，填充摄像用半导体芯片1、和第2树脂基材8及第1树脂衬底15之间的空间。
以下，参照图15对为了制造本实施例的摄像模块510而将安装了半导体控制用芯片2的第1树脂衬底15、安装了摄像用半导体芯片1的第2树脂衬底16、平行面部件17、印刷电路板6、第1片状部件141及第2片状部件14b叠层在一起，使它们一体化的工序加以说明。
如图15所示，布置第1树脂衬底15，再在其上依次布置第1片状部件141、第2树脂衬底16、第2片状部件14b、平行面部件17及印刷电路板6。由于此时的构成部件的叠层布置方向、构成部件的位置决定对象物及位置决定方法与第1～第3实施例一样，因此在此省略说明。
在象这样布置，叠层且粘附各构成部件后，从布置在最上层的印刷电路板6的上面和布置在最下层的第1树脂衬底15的下面进行加热和加压，让叠层的构成部件粘合在一起。此时，第1片状部件141的第1粘合部件91和第2粘合部件101软化，其一部分流入收容着摄像用半导体芯片1的第2树脂基材8的开口部20内。这样一来，在第2树脂衬底16安装的摄像用半导体芯片1的背面、和第1树脂衬底15的上面之间的间隙就被粘合部件填充了。而且，通过让在第1片状部件141的上下面设置的第1粘合部件91、第2粘合部件101，在第2片状部件14b的上下面设置的第1粘合部件9、第2粘合部件10，和平行面部件17的粘合层18软化产生粘合性，来将叠层的构成部件粘合在一起，使它们一体化。并且，让第1树脂衬底15和第2树脂衬底16之间粘合在一起，以及让印刷电路板6的连接片231和片状部件的埋入导体的突起部330机械地接触，使它们电连接。藉此方法，能够获得多层结构体。
并且，能够通过用光学部件粘合剂5将厚度为300μm且平面尺寸大于摄像用开口部19的防护玻璃罩、透明树脂或光学滤光器等光学部件3粘合在所叠层为一体化的多层结构体中的安装摄像用半导体芯片1的第2树脂衬底16的上面，来制作摄像模块510。
根据上述本实施例的摄像模块510的制作方法，通过在使用面内厚度差异很小的平行面部件17和使第2树脂衬底16较厚之外，还用粘合部件覆盖摄像用半导体芯片1的侧面及背面，能够减少为了实现模块化而进行加热处理及加压处理后的模块的弯曲。并且，能够用高精度使在安装了摄像用半导体芯片1的摄像模块510中所要求的摄像用半导体芯片1的摄像面和印刷电路板6的上面平行。
(第5实施例)
以下，参照图16到图18对本发明的第5实施例所涉及的摄像模块520加以说明。另外，在图16到图18中，各构成部件的厚度和长度等在图形的制作上与实际形状不同。并且，埋入导体、连接片的个数和形状也与实际的数目和形状不同，为很容易用图表示的形状。
图16为示出了本实施例的摄像模块520的结构的剖面图。同图为沿着从平面上来看时的中心线将摄像模块520切断的剖面图。特征在于：构成为在本实施例的摄像模块520中，没有使用在第3实施例的摄像模块500中使用的片状部件14，而是直接叠层第2树脂衬底16和平行面部件170，让构成部件粘合在一起，如图16所示。
本实施例的平行面部件170，与第3实施例的平行面部件17不同，在第3树脂基材860的上面及下面预先形成有因加热软化而产生粘合性的粘合层180。
并且，作为构成部件的形状尺寸的一个例子，例如，使平行面部件170的厚度为330μm，使第3树脂基材860的厚度为300μm，使形成在第3树脂基材860两面的粘合层180的厚度为15μm。并且，作为各构成部件的材质的一个例子，例如，第3树脂基材860由玻璃纤维环氧树脂和BT树脂构成，粘合层180由环氧树脂和芳族聚酰胺或者热可塑性树脂的预浸料等构成。并且，也可以将本实施例的结构适用于第2实施例的摄像模块510。
其次，参照图17，对制作平行面部件170的方法的一个例子加以说明。图17(a)～图17(f)为示出了用在本实施例的摄像模块中的平行面部件的制造方法的剖面图。
首先，如图17(a)所示，准备好在上面及下面形成了因加热软化而产生粘合性的粘合层180的片状第3树脂基材860。
其次，如图17(b)所示，在形成在第3树脂基材860的上面及下面之上的粘合层180上形成由聚(酰)亚胺和PET树脂等构成的耐热性保护膜31。
其次，如图17(c)所示，通过激光照射在第3树脂基材860的面中的、从平面上来看与形成在片状部件14的贯穿孔301及开口部20的位置相同的位置上分别形成尺寸相同的贯穿孔302和开口部202，然后，将耐热性保护膜31剥离。另外，形成片状部件14的贯穿孔301及开口部20的位置与第第3实施例所涉及的摄像模块500中的片状部件14相同。
其次，如图17(d)所示，在与形成在第3树脂基材860的贯穿孔302对应的位置上形成孔，将在开口部202上形成了窗的掩蔽膜27贴在第3树脂基材860的两个面上。另外，形成在掩蔽膜27的孔为用以形成第3埋入导体13的突起部330的。接着，例如，用丝网印刷法和减压注入法将导电性膏填充到第3树脂基材860的贯穿孔302和掩蔽膜27的孔中。
其次，如图17(e)所示，让填充到贯穿孔302内部和掩蔽膜27的孔中的导电性膏干燥。在此状态下，第3埋入导体13为半硬化状态。
其次，如图17(f)所示，将形成在第3树脂基材860的上面和下面的掩蔽膜27剥离。藉此方法，能够在第3树脂基材860的上面及下面之上设置粘合层180，且制作具有从上面一侧粘合层180及下面一侧粘合层180突出的突起部330的平行面部件170。另外，由于由导电性膏构成的第3埋入导体13为半硬化状态，因此在施加加热和加压后，其被压缩，同时具有硬化特性。
其次，对利用片状部件14和平行面部件170使安装了半导体芯片的第1树脂衬底15及第2树脂衬底16、和印刷电路板6一体化的工序加以说明。
图18为将本实施例的摄像模块520分解为各构成部件示出的剖面图。
如图18所示，布置安装了半导体控制用芯片2的第1树脂衬底15，在其上依次布置第1片状部件14a、安装了摄像用半导体芯片1的第2树脂衬底16、平行面部件170及印刷电路板6。由于此时的构成部件的叠层布置方向、构成部件的位置决定对象物及位置决定方法与第1～第3实施例一样，因此对其说明加以省略。
在象这样布置，让叠层的构成部件粘附后，从最上层的印刷电路板6的上面和最下层的第1树脂衬底15的下面进行加热和加压，将叠层的构成部件粘合在一起。让第1树脂衬底15和第2树脂衬底16粘合在一起，以及让各自的连接片23、230、231和片状部件的各埋入导体的突起部33、331机械地接触，使它们电连接。藉此方法，能够获得本实施例的多层结构体。
并且，能够通过用光学部件粘合剂5将厚度为300μm、平面尺寸大于摄像用开口部19的防护玻璃罩、透明树脂和光学滤光器等光学部件3粘合在一体化的多层结构体中的第2树脂衬底16的摄像用开口部19的上面，来制作本实施例的摄像模块520。
根据上述本实施例的摄像模块520的结构及其制作方法，由于能够省略第2树脂衬底16和平行面部件170之间的片状部件14，因此能够实现比第3实施例的摄像模块小型且成本低的模块。并且，能够通过使面内厚度差异很小的平行面部件170厚于第3实施例的摄像模块，来抑制叠层粘合后的摄像模块520的弯曲。而且，能够用高精度使在摄像模块520中要求的摄像用半导体芯片1的摄像面和印刷电路板6的上面平行。
并且，在本实施例中以第3实施例为基准进行了说明，也可以是如第4实施例那样，用树脂覆盖摄像用半导体芯片1的周围的结构。
(第6实施例)
以下，参照图19到图21对本发明的第6实施例所涉及的摄像模块530加以说明。
图19为示出了本实施例的摄像模块530的结构的剖面图。在同图中示出了沿平面中心线将其切断的剖面。
如图19所示，本实施例的摄像模块530的特征在于：在第3实施例的摄像模块500中，用粘合层181将围绕半导体控制用芯片2的形状的刚性板36贴在第1树脂衬底15的安装了半导体控制用芯片2的面上。
图20(a)示出了本实施例的摄像模块530中的刚性板36的一个例子的平面图，图20(b)为示出了图20(a)所示的XXb-XXb线的剖面图。
如图20(a)、图20(b)所示，在刚性板36设置有平面尺寸大于半导体控制用芯片2的开口部203。最好使刚性板36的平面外形尺寸与第1树脂衬底15一样，其厚度与安装在第1树脂衬底15上的半导体控制用芯片2的高度一样，或者大于其高度。最好该刚性板36使用具备热传导率和弯曲强度大于第1树脂衬底15，且线性热膨胀率较小的性质的材料。能够使用铜板、铁板、铝板、铁与镍的合金板和氧化铝板、氧化锆板等陶瓷材料或者混合了金属和高热传导材料的粉末的树脂板等作为刚性板36的材料例。
也可以在对模块的构成部件进行加热和加压，让构成部件粘合在一起时，同时将刚性板36粘合到第1树脂衬底15。并且，也可以将本实施例的摄像模块的结构适用于在第4实施例和第5实施例中所述的摄像模块510、520中。
作为使用刚性板36的有效方法的一个例子是，测定出在经过加热及加压工序而形成的第3实施例的摄像模块500中所产生的弯曲，选择可消除所得到的弯曲值的刚性板36，就能够特别有效地抑制弯曲。当摄像模块自身非常薄，容易弹性变形时，最好在加热及加压处理之前将刚性板36贴在摄像模块上。例如，在为制作摄像模块500时，当均产生朝向特定方向的弯曲时，也可以将消除加热和加压时的弯曲的刚性板36布置在最下层后，与构成部件一起进行加热和加压。对于这样消除弯曲的方法，只要通过计算求出因弯曲方向不同而线性热膨胀率不同的材料和厚度就行。
其次，对叠层构成部件，使其一体化来制作本实施例的摄像模块的工序加以说明。
图21为将本实施例的摄像模块分解为各构成部件示出的剖面图。如同图所示，首先布置刚性板36，再在其上依次布置粘合层181、安装了半导体控制用芯片2的第1树脂衬底15、第1片状部件14a、安装了摄像用半导体芯片1的第2树脂衬底16、第2片状部件14b、在上面具有粘合层18的平行面部件17以及印刷电路板6。在本工序中，由于构成部件的叠层布置方向、构成部件的位置决定对象物及位置决定方法与第1～第3实施例一样，因此对其说明加以省略。
象这样布置，叠层各构成部件且让它们粘附后，再从布置在最上层的印刷电路板6的上面和布置在最下层的第1树脂衬底15的下面进行加热及加压，让构成部件粘合在一起。藉此方法，在让第1树脂衬底15和第2树脂衬底16粘合在一起的同时，让各自的连接片23、230、231和埋入片状部件14的各埋入导体的突起部33、330机械地接触，电连接。这样一来，能够获得本实施例的多层结构体。
并且，用光学部件粘合剂5将通过摄像用开口部19，厚度为300μm、平面尺寸大于摄像用开口部19的防护玻璃罩、透明树脂或光学滤光器等光学部件3粘合在所制作的多层结构体中的安装摄像用半导体芯片1的第2树脂衬底16的上面。藉此方法，能够制作本实施例的摄像模块530。
图22为示出了本实施例所涉及的摄像模块530的变形例的剖面图。在同图所示的变形例中，刚性板的形状与本实施例的摄像模块530不同。即，特征在于：在本变形例所涉及的摄像模块540中，设置有在中央部具有能够收容半导体控制用芯片2的腔38，且平面外形的大小与第1树脂衬底15一样的刚性板360，来代替形成了开口部的刚性板360。该刚性板360的腔38和半导体控制用芯片2之间的间隙被粘合剂37埋住，刚性板360的上面和第1树脂衬底15的下面同样通过粘合剂37粘合在一起。
此时，使刚性板360中的至少与第1树脂衬底15粘合的区域为具有绝缘性的结构。而且，选择具有能够消除因加热及加压处理而在摄像模块540产生的弯曲的特性的材料作为刚性板360的材料。能够举出容易放热，难以氧化，例如陶瓷等玻璃材质等作为刚性板360的材料。
(第7实施例)
对本发明的第7实施例所涉及的摄像模块550加以说明。
图23为示出了本实施例的摄像模块的结构的剖面图。在本发明的摄像模块中，埋入布置在最下层的第1树脂衬底15的第1埋入导体的一部分、和埋入第1片状部件14a的第2埋入导体的一部分，为将摄像用半导体芯片1上的元件和半导体控制用芯片2之间电连接的导电路径。如图23所示，本实施例的摄像模块550，为在第3实施例所涉及的摄像模块500中，使形成这两个芯片之间的导电路径的第1埋入导体111和第2埋入导体120的直径大于埋入第2树脂衬底16的第1埋入导体11及埋入第2片状部件14b的第2埋入导体12的直径的模块。并且，第1埋入导体111的直径，在第1树脂衬底15中，大于没有形成芯片之间的导电路径的第1埋入导体的直径。第2埋入导体120的直径，在第1片状部件14a中，大于没有形成芯片之间的导电路径的第2埋入导体的直径。
通过采用这样的结构，能够使半导体控制用芯片2上的控制元件和摄像用半导体芯片1上的元件之间的连接路径的剖面面积均匀。并且，由于即使因制造时的加热处理及加压处理而使连接用隆起物和埋入导体的连接不完全时，也能够确保芯片之间的信号路径，因此本实施例的摄像模块550与以往相比，提高了动作的可靠性。
(第8实施例)
图24(a)为示出了在本发明的第8实施例所涉及的摄像模块中的第1树脂衬底下面的平面图，图24(b)为示出了第1树脂衬底的上面的平面图。
如图24(a)所示，本实施例的多层结构的摄像模块的特征在于：形成在第1树脂衬底150的下面的连接端子211集中设置在第1树脂衬底150的中央区域。这里，第1树脂衬底150的中央区域为安装半导体控制用芯片的区域。
随着这样的布置，将连接端子211和连接片232连接在一起的布线221也与使用在第3实施例的摄像模块500中的第1树脂衬底15不同。即，如图24(a)、图24(b)所示，在本实施例的摄像模块中，将布线221形成在第1树脂衬底150的上面及下面。这样一来，能够在使连接端子211具有良好间距(fine pitch)的同时，用较宽的间距形成布线221。
图25(a)为示出了安装在该第1树脂衬底150的半导体控制用芯片600的平面图，图25(b)为半导体控制用芯片600的沿图25(a)所示的XXVb-XXVb线的剖面图。根据连接端子211的设置，将电极隆起物42集中布置在半导体控制用芯片600的中央部，在半导体控制用芯片600的长方向的两端部设置有一对辅助突起34。也可以在半导体控制用芯片600的外周区域设置两个或两个以上的辅助突起34。并且，最好辅助突起34的高度与电极隆起物42的高度一样。
图26为示出了将图25所示的半导体控制用芯片600安装在图24(a)、图24(b)所示的第1树脂衬底150上的状态的剖面图。参照同图，对本实施例的摄像模块的制造方法加以简单说明。
首先，当形成摄像模块时，在第1树脂衬底150上布置半导体控制用芯片600，通过焊药或导电性粘合剂将电极隆起物42和连接端子211接合在一起。由于在半导体控制用芯片600的背面形成有辅助突起34，因此当进行该位置调整时能够在半导体控制用芯片600不倾斜的情况下，以保持平行的状态将第1树脂衬底150和半导体控制用芯片600接合在一起。而且，通过设置了此辅助突起34，即使有负荷加在半导体控制用芯片600上，也能够防止裂纹等的产生。
在将半导体控制用芯片600安装在第1树脂衬底150上后，向第1树脂衬底150和半导体控制用芯片600之间的间隙填充含有无机填料的液体状树脂320，将其封住。若在第1树脂衬底150中的连接端子211的附近区域预先形成贯穿孔304的话，则能够在安装半导体控制用芯片600后很容易地从第1树脂衬底150的下面一侧(与安装芯片的面对着的面)注入液体状树脂320。另外，若在第1树脂衬底150的上面的与辅助突起34对着的位置预先设置虚拟电极39的话，则能够精度更好地使半导体控制用芯片600与第1树脂衬底150保持平行。将这样的辅助突起设置在摄像用半导体芯片1的主面上时也可发挥同样的效果。
并且，不是一定需要通过液体树脂320进行的密封，也能够将其省略。或者，也可以用液体树脂320将连接端子211和电极隆起物42的连接部分封住，再用具有柔软性的树脂材料将半导体控制用芯片600主面的含辅助突起34的周边部封住。若使用具有柔软性的材料的话，则能够吸收因线性膨胀系数的差异而产生的应力。
另外，第1树脂衬底150，具有第1树脂基材7、形成在第1树脂基材7的一个面上的连接端子211、形成在第1树脂基材7的两面上的连接片232、将连接端子211和连接片232连接在一起的布线221、用以让接触到辅助突起34的虚拟电极39、贯穿第1树脂基材7且两端从第1树脂基材7突出的第1埋入导体112。
在叠层该第1树脂衬底150、第2树脂衬底16、平行面部件17、印刷电路板6、和对应于这些构成部件的形状的片状部件14后，利用加热和加压使它们一体化后，就完成了本实施例的多层结构的摄像模块。
由于象这样制作而成的本实施例的摄像模块，半导体控制用芯片600和第1树脂衬底150的接合部的面积较小，且集中布置有连接端子211及电极隆起物42，因此能够有效地抑制因两者的线性膨胀率的差而引起的双金属结构的弯曲，还能够抑制在连接端子211发生的断线。
(第9实施例)
图27为示出了使用在本发明的第9实施例所涉及的摄像模块中的第1树脂衬底151的平面图。
本实施例的摄像模块的特征在于：使与在半导体控制用芯片2的主面上形成的电极隆起物中的、连接在预先设定的电极隆起物上的第1埋入导体(图中没有示出)的直径形成得大于其它第1埋入导体。预先设定的电极隆起物为例如半导体控制用芯片2和摄像用半导体芯片1的高速动作所要求的输入、输出端子和电源端子等。因此，形成在直径较大的第1埋入导体的周围的连接片233的直径也大于其它实施例的摄像模块。
并且，与此相对应的片状部件的第2埋入导体的直径也变大，图中没有示出。若与第3实施例的制造方法一样来叠层这样的结构的第1树脂衬底151和第2树脂衬底、以及片状部件，再进行加热及加压的话，则能够获得本实施例的摄像模块(图中没有示出)。或者，对于平行面部件的第3埋入导体，也可以使与设定的电极隆起物电连接的第3埋入导体的直径大于其它第3埋入导体的直径。
根据本实施例的摄像模块，由于当在经由半导体控制用芯片2的输入、输出端子的信号中，存在有需要传送及接收高速动作的信号的电传线路、和传送及接收逻辑信号的电传线路的信号时，增大构成电传线路的一部分的第1埋入导体及第2埋入导体的直径，因此能够稳定地传送和接收电信号。而且，电传线路的电阻成分变小，能够抑制因焦耳热而在模块内部产生的热。
另外，从第1实施例到第7实施例为止，作为第1树脂衬底151的材料，以使用玻璃纤维环氧树脂等的例子为主体加以了说明，本发明并不限定于此。例如，也可以使用含70重量％～95重量％的无机填料和热硬化性树脂的混合物作为第1树脂衬底151和第2树脂衬底的第1树脂基材，或者片状部件的第2树脂基材。由于通过使用这样的材料，能够使热膨胀系数接近于半导体芯片，因此对抑制弯曲很有效。
另外，虽然在第1实施例到第7实施例为止的摄像模块中，使将半导体控制用芯片安装在第1树脂衬底的结构为倒装式接合结构，但是本发明并不限定于此。例如，也可以利用引线接合安装。此时，也可以为在安装后用树脂保护含金属引线(wire lead)的半导体元件安装部的结构。
(实用性)
由于本发明的摄像模块在提高了光学精度的同时，改善了弯曲的发生，因此能够成品率较好地接合到光学类装置和母板上。所以，本发明的摄像模块作为携带电话和数码照相机的电动机的构成部品有用。

Claims (21)

1、一种摄像模块，其特征在于：
包括：第1树脂衬底；
第2树脂衬底，布置在上述第1树脂衬底的上面或上方，设置了第1开口部；
第1电导通部件，将上述第1树脂衬底和上述第2树脂衬底电连接；
印刷电路板，布置在上述第2树脂衬底的上面或上方，形成了受光用开口部；
第2电导通部件，将上述第2树脂衬底和上述印刷电路板电连接；
摄像用半导体芯片，在主面上形成接受来自外部的光的摄像元件，在主面朝上的状态下，以覆盖上述第1开口部的形式布置在上述第2树脂衬底的下面之上；
光学部件，在平面上与上述摄像用半导体芯片重叠，且以覆盖上述第1开口部的形式布置在上述第2树脂衬底的上面之上，平面尺寸小于上述受光用开口部；以及
半导体控制用芯片，在主面上形成了用以控制上述摄像元件的动作的控制元件。
2、根据权利要求1所述的摄像模块，其特征在于：
在上述第2树脂衬底和上述印刷电路板之间还设置有平行面部件，该平行面部件具有形成了第1贯穿孔的厚度均匀的第1树脂基材、形成在上述第1树脂基材上面的粘合层、和埋入上述第1贯穿孔及上述粘合层的第3电导通部件，且形成了围绕上述光学部件的第2开口部；
上述第3电导通部件，为上述第2电导通部件的至少一部分。
3、根据权利要求2所述的摄像模块，其特征在于：
在上述第1树脂衬底和上述第2树脂衬底之间还设置有第1片状部件，该第1片状部件具有形成了第2贯穿孔的第2树脂基材、设置在上述第2树脂基材的上面及下面的第1粘合部件、和埋入上述第2贯穿孔及上述第1粘合部件的上述第1电导通部件，且形成了围绕上述半导体控制用芯片的第3开口部；
在上述第2树脂基材和上述平行面部件之间还设置有第2片状部件，该第2片状部件具有形成了第3贯穿孔的第3树脂基材、设置在上述第3树脂基材的上面及下面的第2粘合部件、和埋入上述第3贯穿孔及上述第2粘合部件的第4电导通部件，且形成了围绕上述光学部件的第4开口部；
上述第4电导通部件，为上述第2电导通部件的一部分。
4、根据权利要求3所述的摄像模块，其特征在于：
上述第2树脂基材的厚度，厚于上述半导体控制用芯片的厚度。
5、根据权利要求3所述的摄像模块，其特征在于：
上述第1电导通部件的两端，从上述第2树脂基材突出；
上述第4电导通部件的两端，从上述第3树脂基材突出；
上述第3电导通部件的上端，从上述第1树脂基材的上面突出。
6、根据权利要求3所述的摄像模块，其特征在于：
在装载于上述第2树脂衬底下面的上述摄像用半导体芯片、和上述第1片状部件及上述第1树脂衬底之间存在着间隙；
上述摄像用半导体芯片的侧面及背面被上述第1粘合部件的构成材料覆盖。
7、根据权利要求3所述的摄像模块，其特征在于：
将多个上述第1电导通部件设置在上述第1片状部件；
上述第1树脂衬底，具有分别连接在上述多个第1电导通部件的多个第1埋入导体；
上述多个第1电导通部件的一部分和上述多个第1埋入导体的一部分均形成有电连接上述摄像元件和上述控制元件的导电路径；
形成上述导电路径的上述第1电导通部件及上述第1埋入导体的直径，大于其它上述第1电导通部件及上述多个埋入导体的直径。
8、根据权利要求3所述的摄像模块，其特征在于：
上述半导体控制用芯片，还具有设置在主面上，连接在上述控制元件上的多个第1电极隆起物；
上述摄像用半导体芯片，还具有设置在主面上，连接在上述摄像元件上的多个第2电极隆起物；
将多个上述第1电导通部件设置在上述第1片状部件；
上述第1树脂衬底，具有分别连接在上述多个第1电导通部件上，一部分连接在上述多个第1电极隆起物或上述多个第2电极隆起物的多个第1埋入导体；
将多个上述第3电导通部件设置在上述平行面部件；
上述第2树脂衬底，具有分别连接在上述多个第3电导通部件上，一部分连接在上述摄像元件或上述控制元件的多个第2埋入导体；
连接在上述多个第1电极隆起物中的预先设定的第1电极隆起物、或上述多个第2电极隆起物中的预先设定的第2电极隆起物上的上述第1电导通部件及上述第3电导通部件的直径，大于其它上述第1电导通部件及上述第3电导通部件的直径。
9、根据权利要求2所述的摄像模块，其特征在于：
构成上述平行面部件的上述第1树脂基材，由刚性高于上述第1树脂衬底的材料形成。
10、根据权利要求1所述的摄像模块，其特征在于：
在上述第2树脂衬底和上述印刷电路板之间还设置有平行面部件，该平行面部件具有形成了第1贯穿孔的厚度均匀的第1树脂基材、形成在上述第1树脂基材的上面及下面的粘合层、和埋入上述第1贯穿孔及上述粘合层的第3电导通部件，且形成了围绕上述光学部件的第2开口部；
上述第3电导通部件，为上述第2电导通部件的至少一部分；
在上述第1树脂衬底和上述第2树脂衬底之间设置有第1片状部件，该第1片状部件具有形成了第2贯穿孔的第2树脂基材、设置在上述第2树脂基材的上面及下面的第1粘合部件、和埋入上述第2贯穿孔及上述第1粘合部件的上述第1电导通部件，且形成了围绕上述半导体控制用芯片的第3开口部。
11、根据权利要求1所述的摄像模块，其特征在于：
还包括刚性板，设置在上述第1树脂衬底的下面之上，形成围绕上述半导体控制用芯片的第4开口部，热传导率及弯曲强度大于上述第1树脂衬底，且由热膨胀率较小的材料构成，厚于上述半导体控制用芯片。
12、根据权利要求1所述的摄像模块，其特征在于：
还包括刚性板，设置在上述第1树脂衬底的下面之上，形成围绕上述半导体控制用芯片的腔，热传导率及弯曲强度大于上述第1树脂衬底，且由热膨胀率较小的材料构成，在没有形成上述腔的区域厚于上述半导体控制用芯片。
13、根据权利要求12所述的摄像模块，其特征在于：
还包括粘合剂，让上述刚性板和上述第1树脂衬底粘合，同时，将上述腔内壁和上述半导体控制用芯片之间的间隙埋住。
14、根据权利要求1所述的摄像模块，其特征在于：
上述半导体控制用芯片，具有布置在主面的中央区域上，连接在上述控制元件上的电极隆起物；
上述第1树脂衬底，具有设置在下面，连接在上述电极隆起物上的连接端子。
15、根据权利要求1所述的摄像模块，其特征在于：
上述光学部件的上面位置，高于上述印刷电路板的上面。
16、根据权利要求15所述的摄像模块，其特征在于：
上述光学部件，内藏可电控制的机械部品。
17、根据权利要求15所述的摄像模块，其特征在于：
上述光学部件，内藏组合的多个镜头。
18、根据权利要求1所述的摄像模块，其特征在于：
上述摄像元件，含有发光元件和受光元件。
19、一种摄像模块的制造方法，将第1树脂衬底；形成了第1开口部的第2树脂衬底；形成了第2开口部的印刷电路板；在主面上形成了接受来自外部的光的摄像元件的、平面尺寸大于上述第1开口部的摄像用半导体芯片；平面尺寸大于上述第1开口部且平面尺寸小于上述第2开口部的上述光学部件；和在主面上形成了用以控制上述摄像元件的动作的控制元件的半导体控制用芯片叠层起来，其特征在于：
包括：工序(a)，从下开始依次叠层在下面具有上述半导体控制用芯片的上述第1树脂衬底、在下面之上具有以主面朝上的状态覆盖上述第1开口部的上述摄像用半导体芯片的上述第2树脂衬底、上述印刷电路板；
工序(b)，在上述工序(a)后，通过在上述第1树脂衬底和上述印刷电路板之间施加压力的状态下进行加热处理，来让上述第1树脂衬底、上述第2树脂衬底及上述印刷电路板一体化，形成叠层体；以及
工序(c)，以通过上述第2开口部，覆盖上述第1开口部的形式，在上述第2树脂衬底的上面之上布置上述光学部件。
20、根据权利要求19所述的摄像模块的制造方法，其特征在于：
在上述工序(a)中，在上述第1树脂衬底和上述第2树脂衬底之间布置在上面和下面具有粘合层的片状部件，在上述第2树脂衬底和上述印刷电路板之间布置在上面具有粘合层的平行面部件。
21、根据权利要求19所述的摄像模块的制造方法，其特征在于：
还包括：工序(d)，求出在上述工序(b)中在上述叠层体产生的弯曲量，根据所获得的弯曲量选择刚性板的材料；以及
工序(e)，在上述第1树脂衬底的下面粘贴由在上述工序(d)中选出的材料构成的上述刚性板。
CNB2006100549438A 2005-03-09 2006-02-27 摄像模块及其制造方法 Expired - Fee Related CN100438023C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005065924 2005-03-09
JP2005065924A JP4304163B2 (ja) 2005-03-09 2005-03-09 撮像モジュールおよびその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1832163A true CN1832163A (zh) 2006-09-13
CN100438023C CN100438023C (zh) 2008-11-26

Family

ID=36969959

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB2006100549438A Expired - Fee Related CN100438023C (zh) 2005-03-09 2006-02-27 摄像模块及其制造方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US7443028B2 (zh)
JP (1) JP4304163B2 (zh)
CN (1) CN100438023C (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104580859A (zh) * 2014-12-22 2015-04-29 格科微电子（上海）有限公司 摄像头模组的装配方法和摄像头模组
CN105025206A (zh) * 2014-04-30 2015-11-04 光宝科技股份有限公司 用于增加组装平整度的影像撷取模块及其组装方法
CN106057766A (zh) * 2015-04-13 2016-10-26 爱思开海力士有限公司 基板和包括其的半导体封装及包括半导体封装的电子系统
CN108240829A (zh) * 2016-12-23 2018-07-03 奥特斯奥地利科技与系统技术有限公司 传感器系统

Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7199439B2 (en) * 2004-06-14 2007-04-03 Micron Technology, Inc. Microelectronic imagers and methods of packaging microelectronic imagers
US8001455B2 (en) * 2004-10-14 2011-08-16 Daktronics, Inc. Translation table
US8344410B2 (en) * 2004-10-14 2013-01-01 Daktronics, Inc. Flexible pixel element and signal distribution means
US7893948B1 (en) 2004-10-14 2011-02-22 Daktronics, Inc. Flexible pixel hardware and method
US7868903B2 (en) 2004-10-14 2011-01-11 Daktronics, Inc. Flexible pixel element fabrication and sealing method
US7528474B2 (en) * 2005-05-31 2009-05-05 Stats Chippac Ltd. Stacked semiconductor package assembly having hollowed substrate
KR100770690B1 (ko) * 2006-03-15 2007-10-29 삼성전기주식회사 카메라모듈 패키지
JP2007273583A (ja) * 2006-03-30 2007-10-18 Toshiba Corp 部品内蔵プリント配線板、部品内蔵プリント配線板の製造方法および電子機器
JP4490406B2 (ja) * 2006-10-11 2010-06-23 浜松ホトニクス株式会社 固体撮像装置
US20080179722A1 (en) * 2007-01-31 2008-07-31 Cyntec Co., Ltd. Electronic package structure
CN101632294B (zh) * 2007-02-21 2012-08-22 柯尼卡美能达精密光学株式会社 摄像装置及摄像装置的制造方法
FR2918212B1 (fr) * 2007-06-27 2009-09-25 Fr De Detecteurs Infrarouges S Procede pour la realisation d'une matrice de rayonnements electromagnetiques et procede pour remplacer un module elementaire d'une telle matrice de detection.
TW200904159A (en) * 2007-07-06 2009-01-16 Kye Systems Corp Thin type image capturing module
JP4927993B2 (ja) * 2008-03-28 2012-05-09 京セラ株式会社 複合配線基板
JP4799594B2 (ja) * 2008-08-19 2011-10-26 株式会社東芝 固体撮像装置およびその製造方法
JP2010171307A (ja) * 2009-01-26 2010-08-05 Panasonic Corp 撮像装置
JP2010212481A (ja) * 2009-03-11 2010-09-24 Panasonic Corp 撮像装置
WO2010113448A1 (ja) * 2009-04-02 2010-10-07 パナソニック株式会社 回路基板の製造方法および回路基板
US8193599B2 (en) * 2009-09-02 2012-06-05 Himax Semiconductor, Inc. Fabricating method and structure of a wafer level module
JP5221615B2 (ja) * 2010-09-21 2013-06-26 株式会社東芝 撮像装置およびその製造方法
US8779578B2 (en) * 2012-06-29 2014-07-15 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Multi-chip socket
JP5733485B2 (ja) * 2013-04-26 2015-06-10 株式会社村田製作所 カメラモジュールの製造方法
JP6103054B2 (ja) * 2013-06-18 2017-03-29 株式会社村田製作所 樹脂多層基板の製造方法
CN105265030B (zh) * 2013-11-28 2018-03-30 株式会社村田制作所 多层基板的制造方法、多层基板及电磁体
JP5783236B2 (ja) * 2013-12-17 2015-09-24 大日本印刷株式会社 センサ素子モジュール
JP6269112B2 (ja) * 2014-01-31 2018-01-31 セイコーエプソン株式会社 画像取得装置、画像取得装置の製造方法、電子機器
US20150289365A1 (en) * 2014-04-08 2015-10-08 Apple Inc. Circuit Carrier With Interior Plating Lines and Peripheral Shielding
WO2016158109A1 (ja) * 2015-03-27 2016-10-06 京セラ株式会社 撮像用部品およびこれを備える撮像モジュール
CN107926114B (zh) * 2015-09-03 2021-08-06 亮锐控股有限公司 制作led设备的方法
KR102538894B1 (ko) * 2016-04-11 2023-06-01 삼성전기주식회사 카메라 모듈용 기판 및 이를 구비하는 카메라 모듈
US10451863B2 (en) 2016-08-05 2019-10-22 Verily Life Sciences Llc Interposer for integration of multiple image sensors
DE102019101559A1 (de) 2019-01-23 2020-07-23 Dr. Schneider Kunststoffwerke Gmbh Beleuchtungseinheit, beleuchtbares Bauteil und Verfahren zu dessen Herstellung
CN113519058A (zh) 2019-03-12 2021-10-19 索尼半导体解决方案公司 半导体装置

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5617131A (en) * 1993-10-28 1997-04-01 Kyocera Corporation Image device having a spacer with image arrays disposed in holes thereof
US6266197B1 (en) * 1999-12-08 2001-07-24 Amkor Technology, Inc. Molded window array for image sensor packages
US6396116B1 (en) * 2000-02-25 2002-05-28 Agilent Technologies, Inc. Integrated circuit packaging for optical sensor devices
US6384473B1 (en) * 2000-05-16 2002-05-07 Sandia Corporation Microelectronic device package with an integral window
JP3771169B2 (ja) 2000-12-06 2006-04-26 イビデン株式会社 光通信用デバイス
JP3502061B2 (ja) 2001-05-23 2004-03-02 勝開科技股▲ふん▼有限公司 イメージセンサのスタックパッケージ構造
US6949808B2 (en) * 2001-11-30 2005-09-27 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Solid-state imaging apparatus and manufacturing method thereof
JP4022405B2 (ja) * 2002-01-23 2007-12-19 イビデン株式会社 半導体チップ実装用回路基板
US6740973B1 (en) * 2003-01-09 2004-05-25 Kingpak Technology Inc. Stacked structure for an image sensor
AT413891B (de) * 2003-12-29 2006-07-15 Austria Tech & System Tech Leiterplattenelement mit wenigstens einem licht-wellenleiter sowie verfahren zur herstellung eines solchen leiterplattenelements

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105025206A (zh) * 2014-04-30 2015-11-04 光宝科技股份有限公司 用于增加组装平整度的影像撷取模块及其组装方法
CN105025206B (zh) * 2014-04-30 2018-10-02 光宝科技股份有限公司 用于增加组装平整度的影像撷取模块及其组装方法
CN104580859A (zh) * 2014-12-22 2015-04-29 格科微电子（上海）有限公司 摄像头模组的装配方法和摄像头模组
CN104580859B (zh) * 2014-12-22 2019-03-22 格科微电子（上海）有限公司 摄像头模组的装配方法和摄像头模组
CN106057766A (zh) * 2015-04-13 2016-10-26 爱思开海力士有限公司 基板和包括其的半导体封装及包括半导体封装的电子系统
CN108240829A (zh) * 2016-12-23 2018-07-03 奥特斯奥地利科技与系统技术有限公司 传感器系统
US10651215B2 (en) 2016-12-23 2020-05-12 At&S Austria Technologie & Systemtechnik Aktiengesellschaft Sensor system
CN108240829B (zh) * 2016-12-23 2022-01-21 奥特斯奥地利科技与系统技术有限公司 传感器系统

Also Published As

Publication number Publication date
US7443028B2 (en) 2008-10-28
JP2006253936A (ja) 2006-09-21
US20060202318A1 (en) 2006-09-14
JP4304163B2 (ja) 2009-07-29
CN100438023C (zh) 2008-11-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1832163A (zh) 摄像模块及其制造方法
CN1171298C (zh) 半导体器件
CN100342281C (zh) 照相机模块
CN1855479A (zh) 多层结构半导体模块及其制造方法
CN1244139C (zh) 半导体器件和半导体组件
CN1303677C (zh) 电路基板、带凸块的半导体元件的安装结构和电光装置
CN1222995C (zh) 混合集成电路装置
CN1519948A (zh) 半导体晶片，固态成像器件和光学器件模块及二者的制造方法
CN101064329A (zh) 光学器件和使用该光学器件的光学模块
CN1251318C (zh) 半导体芯片、半导体装置和它们的制造方法以及使用它们的电路板和仪器
CN101055866A (zh) 光学装置用模块和光学装置用模块的制造方法
CN101055857A (zh) 半导体器件及其制造方法
CN1882224A (zh) 配线基板及其制造方法
CN1497709A (zh) 电路基板、焊球网格陈列的安装结构和电光装置
CN1501696A (zh) 摄像装置以及便携式终端设备
CN1423477A (zh) 固态成像装置及其制作方法
CN1723556A (zh) 可叠置的半导体器件及其制造方法
CN1574346A (zh) 一种制造半导体器件的方法
CN1649162A (zh) 光传感器模块
CN1783950A (zh) 小型摄像组件
CN1320964A (zh) 半导体器件及其制造方法
CN1339176A (zh) 半导体装置及其制造方法,制造装置,电路基板和电子装置
CN1198593A (zh) 多芯片模块
CN1601752A (zh) 制造固态图像传感器件的方法
CN1812088A (zh) 多层构造半导体微型组件及制造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: KELAIBO INNOVATION CO., LTD.

Free format text: FORMER OWNER: MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO, LTD.

Effective date: 20141127

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20141127

Address after: American California

Patentee after: Craib Innovations Ltd

Address before: Osaka Japan

Patentee before: Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20081126

Termination date: 20170227

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee