WO2016158109A1 - 撮像用部品およびこれを備える撮像モジュール - Google Patents

撮像用部品およびこれを備える撮像モジュール Download PDF

Info

Publication number
WO2016158109A1
WO2016158109A1 PCT/JP2016/055575 JP2016055575W WO2016158109A1 WO 2016158109 A1 WO2016158109 A1 WO 2016158109A1 JP 2016055575 W JP2016055575 W JP 2016055575W WO 2016158109 A1 WO2016158109 A1 WO 2016158109A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
imaging
electrode pad
conductor pattern
imaging component
laminated substrate
Prior art date
Application number
PCT/JP2016/055575
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
渡邉 慎司
Original Assignee
京セラ株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 京セラ株式会社 filed Critical 京セラ株式会社
Priority to CN201680014936.7A priority Critical patent/CN107409471B/zh
Priority to EP16771993.9A priority patent/EP3277065B1/en
Priority to US15/561,872 priority patent/US20180130841A1/en
Priority to JP2017509390A priority patent/JP6454001B2/ja
Publication of WO2016158109A1 publication Critical patent/WO2016158109A1/ja

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14601Structural or functional details thereof
    • H01L27/14636Interconnect structures
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/482Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of lead-in layers inseparably applied to the semiconductor body
    • H01L23/4824Pads with extended contours, e.g. grid structure, branch structure, finger structure
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49811Additional leads joined to the metallisation on the insulating substrate, e.g. pins, bumps, wires, flat leads
    • H01L23/49816Spherical bumps on the substrate for external connection, e.g. ball grid arrays [BGA]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49838Geometry or layout
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/4985Flexible insulating substrates
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/538Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates
    • H01L23/5386Geometry or layout of the interconnection structure
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/03Use of materials for the substrate
    • H05K1/0393Flexible materials
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/46Manufacturing multilayer circuits
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161Disposition
    • H01L2224/16151Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/538Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates
    • H01L23/5383Multilayer substrates

Definitions

  • the present disclosure relates to an imaging component and an imaging module including the imaging component.
  • Patent Document 1 As an imaging component, for example, a camera module described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-104078 (hereinafter also referred to as Patent Document 1) is known.
  • the camera module described in Patent Document 1 includes a flexible sheet and an image sensor mounted on the surface of the flexible sheet.
  • the imaging component of the present disclosure includes a multilayer substrate made of a resin material, a plurality of electrode pads provided on an upper surface of the multilayer substrate, on which an imaging element is mounted, and a plurality of the layers provided between the layers of the multilayer substrate.
  • a plurality of strip-like conductor patterns respectively connected to any one of the electrode pads, and at least one of the conductor patterns has a portion located immediately below any of the electrode pads that are not connected It has a wide part that is wide.
  • the imaging component 10 includes a laminated substrate 1, electrode pads 2 provided on the upper surface of the laminated substrate 1, and conductors provided between the layers of the laminated substrate 1 and electrically connected to the electrode pads 2. Pattern 3 is provided.
  • the imaging module 100 includes an imaging component 10 and an imaging element 4 mounted on the electrode pad 2 of the imaging component 10.
  • the laminated substrate 1 is made of a resin material.
  • an epoxy resin is used as the resin material.
  • “consisting of a resin material” does not necessarily mean that the laminated substrate is composed of only a resin material, and may include other materials.
  • the glass fiber may be made of so-called glass epoxy or the like in which an epoxy resin is impregnated.
  • the laminated substrate 1 can be produced, for example, by laminating glass epoxy substrates.
  • the multilayer substrate 1 is, for example, a plate shape whose main surface has a quadrangular shape.
  • the dimensions of the laminated substrate 1 can be set, for example, to 15 to 20 mm in length, 15 to 20 mm in width, and 0.5 to 2 mm in thickness when the laminated substrate 1 is rectangular. More specifically, the laminated substrate 1 has a plurality of layers 11. The thickness of each of the plurality of layers 11 is, for example, 0.05 to 0.2 mm.
  • the electrode pad 2 is a member for mounting the imaging element 4 on the multilayer substrate 1.
  • a plurality of electrode pads 2 are provided on the upper surface of the multilayer substrate 1.
  • the electrode pad 2 has, for example, a rectangular shape when viewed in cross section and a circular shape when viewed in plan.
  • the surface of the multilayer substrate 1 is drawn through the imaging device 4, the electrode pad 2, and the solder ball 6.
  • the electrode pad 2 is made of a metal material such as copper or gold, for example.
  • the dimensions of the electrode pad 2 can be set, for example, to a diameter of 0.1 to 1 mm and a thickness of 0.01 to 0.05 mm when the shape of the electrode pad 2 when viewed in plan is a circle.
  • a method for mounting the image sensor 4 for example, a ball grid array or the like can be used.
  • the imaging device 4 is mounted using a ball grid array, and a plurality of solder balls 6 are formed on the lower surface of the imaging device 4 and the upper surface of the electrode pad 2. It is provided between.
  • the conductor pattern 3 is a member for transmitting a signal emitted from the image sensor 4 mounted on the electrode pad 2 to another electronic component 5 such as a monitor.
  • the conductor pattern 3 is a strip-shaped member.
  • the conductor pattern 3 is provided between the layers of the multilayer substrate 1.
  • the conductor pattern 3 is made of a metal material such as copper or gold, for example.
  • the imaging component 10 of the present disclosure a part of at least one conductor pattern 3 is located immediately below any of the electrode pads 2 that are not connected.
  • a wide portion 31 that is wide is provided.
  • the “wide portion” refers to a portion where the width is partially increased in the conductor pattern 3 extending at a constant width.
  • the width of the conductor pattern 3 changes from the width of the conductor pattern 3 when viewed in the direction in which the conductor pattern 3 extends.
  • An imaginary line perpendicular to the extending direction of the conductor pattern 3 is drawn on the finished portion.
  • a region between the two imaginary lines in the conductor pattern 3 can be regarded as the wide portion 31.
  • the imaging component 10 includes a laminated substrate 1 in which a plurality of layers 11 made of a resin material are laminated, a plurality of electrode pads 2 provided on the surface of the laminated substrate 1, and a plurality of layers 11. And a plurality of conductor patterns 3 provided.
  • the plurality of conductor patterns 3 are strip-shaped. At least one of the plurality of conductor patterns 3 has a first portion 31 and a second portion 32.
  • the first portion 31 overlaps one of the plurality of electrode pads 2 and the stacking direction of the plurality of layers 11.
  • the second portion 32 does not overlap with the plurality of electrode pads 2 in the stacking direction.
  • the width of the first portion 31 is larger than the width of the second portion 32.
  • the conductor pattern 3 can be formed by printing on the surface of the plurality of layers 11 when the plurality of layers 11 are laminated.
  • the conductor pattern 3 is intentionally simplified and described in a straight line in order to help understanding.
  • the conductor pattern 3 may be formed in a complicated shape. Therefore, although FIG. 2 and FIG. 3 have a corresponding relationship, in a strict sense, the arrangement of the conductor pattern 3 in FIG. 1 and the arrangement of the conductor pattern 3 in FIG. 3 do not correspond.
  • “any electrode pad 2 that is not connected” here does not mean that the electrode pad 2 and the conductor pattern 3 are completely electrically independent. Specifically, it excludes the case where the wide portion 31 of the conductor pattern 3 and the electrode pad 2 positioned immediately above the conductive pattern 3 are directly connected by a through hole or the like, Etc., it may be indirectly connected because they are common.
  • the conductor pattern 3 can be routed at a high density. .
  • the imaging component 10 in which the deterioration of the positional accuracy of the imaging element 4 is reduced while the conductor pattern 3 is routed with high density.
  • the outer shape of the wide portion 31 may be the same as the outer shape of the electrode pad 2.
  • the outer shape of the first portion 31 and the outer shape of the electrode pad 2 overlapping the first portion 31 may be the same when viewed from a direction perpendicular to the surface of the multilayer substrate 1.
  • the “same shape” here means that the shape of the portion of the outer shape of the wide portion 31 other than the direction in which the conductor pattern 3 extends is the same shape as the outer shape of the electrode pad.
  • the shape of the part other than the direction in which the conductor pattern 3 extends out of the outer shape of the wide portion 31 is circular.
  • the electrode pad 2 has a circular shape. That is, in the present disclosure, the wide portion 31 and the electrode pad 2 have the same shape.
  • the wide portion 31 of the conductor pattern 3 may be wider than the electrode pad 2.
  • the first portion 31 when viewed from a direction perpendicular to the surface of the multilayer substrate 1, the first portion 31 may be wider than the electrode pad 2 that overlaps the first portion 31.
  • the conductor pattern 3 can be positioned immediately below the electrode pad 2. More specifically, for example, when the shape of the electrode pad 2 in plan view is circular, the shape of the wide portion of the conductor pattern 3 may be larger than the electrode pad 2.
  • the first portion 31 when viewed from a direction perpendicular to the surface of the multilayer substrate 1, the first portion 31 is wider than the electrode pad 2 overlapping the first portion 31, and The center of gravity of each first portion 31 may be located farther from the center of gravity of the multilayer substrate 1 than the center of gravity of each electrode pad 2 overlapping the first portion 31.
  • FIG. 5 only the first portion 31 of the conductor pattern 3 is shown to help understanding. More specifically, the center of gravity of the first portion 31 may be located on a straight extension line connecting the center of gravity of the multilayer substrate 1 and the center of gravity of the electrode pad 2.
  • the first portion 31 may be located in a bent portion of the conductor pattern 3.
  • the width may be increased at the bent portion of the conductor pattern 3.
  • a bent portion of the conductor pattern 3 is easily affected by thermal stress from other portions.
  • the linear portion of the conductor pattern 3 mainly undergoes thermal expansion in the length direction.
  • the bent portion of the conductor pattern 3 receives thermal stress from the two linear portions adjacent to the bent portion, making it difficult to control the direction in which thermal expansion occurs.
  • the thermal expansion of the bent portion itself can be increased. Thereby, the possibility that the first portion 31 may thermally expand in an unexpected direction due to the thermal stress generated by the other portions thermally expanding can be reduced. Thereby, the reliability of the imaging component 10 under a heat cycle can be improved.
  • the adjacent first portions 31 may be arranged so that the intervals between them are equal.
  • the first portions 31 are arranged at equal intervals, it is possible to reduce a possibility that the thermal expansion amount in the laminated substrate 1 under the heat cycle is uneven. Therefore, the possibility that the laminated substrate 1 is distorted can be reduced.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Structure Of Printed Boards (AREA)
  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)

Abstract

 撮像用部品10は、樹脂材料から成る積層基板1と、積層基板1の上面に設けられた、撮像素子4が実装される複数の電極パッド2と、積層基板1の層間に設けられて複数の電極パッド2のいずれかにそれぞれ接続された帯状の複数の導体パターン3とを備えており、少なくとも1つの導体パターン3の一部は、接続されていないいずれかの電極パッド2の直下に位置する部位が幅広とされた幅広部31を有している。

Description

撮像用部品およびこれを備える撮像モジュール
 本開示は、撮像用部品およびこれを備える撮像モジュールに関するものである。
 撮像用部品として、例えば、特開2004-104078号公報(以下、特許文献1ともいう)に記載のカメラモジュールが知られている。特許文献1に記載のカメラモジュールはフレキシブルシートとフレキシブルシートの表面に実装された撮像素子とを備えている。
特開2004-104078号公報
 本開示の撮像用部品は、樹脂材料から成る積層基板と、該積層基板の上面に設けられた、撮像素子が実装される複数の電極パッドと、前記積層基板の層間に設けられて複数の前記電極パッドのいずれかにそれぞれ接続された帯状の複数の導体パターンとを備えており、少なくとも1つの該導体パターンの一部は、接続されていないいずれかの前記電極パッドの直下に位置する部位が幅広とされた幅広部を備えている。
撮像用部品および撮像モジュールを示す断面図である。 図1に示す撮像用部品のうち積層基板の表面の様子を示す模式図である。 図1に示す撮像用部品のうち導体パターンの配線形状を示す模式図である。 電極パッドおよび導体パターンを示す部分平面透視図である。 電極パッド、導体パターンの第1部分および積層基板を示す部分平面透視図である。 電極パッドおよび導体パターンを示す部分平面透視図である。 電極パッドおよび導体パターンを示す部分平面透視図である。 電極パッドおよび導体パターンを示す部分平面透視図である。
 以下、図面を参照して、撮像用部品10について説明する。図1に示すように撮像用部品10は、積層基板1と、積層基板1の上面に設けられた電極パッド2と、積層基板1の層間に設けられ電極パッド2と電気的に接続された導体パターン3とを備えている。また、撮像モジュール100は、撮像用部品10と撮像用部品10の電極パッド2に実装された撮像素子4とを備えている。
 積層基板1は、樹脂材料から成る。樹脂材料としては、例えば、エポキシ樹脂が用いられる。なお、ここでいう「樹脂材料から成る」とは、必ずしも積層基板が樹脂材料のみから成るという意味ではなく、他の材料を含んでいてもよい。具体的には、ガラス繊維にエポキシ樹脂を染み込ませたような、いわゆるガラスエポキシ等から成っていてもよい。積層基板1は、例えば、ガラスエポキシ基板を積層することによって作製することができる。図2に示すように、積層基板1は、例えば、主面の形状が四角形状の板状である。積層基板1の寸法は、積層基板1が四角形状の場合には、例えば、縦を15~20mm、横を15~20mm、厚みを0.5~2mmに設定できる。より具体的には、積層基板1は複数の層11を有している。複数の層11のそれぞれの層の厚みは、例えば、0.05~0.2mmである。
 電極パッド2は、撮像素子4を積層基板1に実装するための部材である。電極パッド2は、積層基板1の上面に複数設けられている。図1および図2に示すように、電極パッド2は、例えば、断面視したときの形状が矩形状であり、平面視したときの形状が円形状である。なお、図2においては、撮像素子4、電極パッド2および半田ボール6を透過して積層基板1の表面の様子を描いている。
 電極パッド2は、例えば、銅または金等の金属材料から成る。電極パッド2の寸法は、電極パッド2を平面視したときの形状が円形状の場合には、例えば、直径を0.1~1mm、厚みを0.01~0.05mmに設定できる。撮像素子4を実装するための方法としては、例えば、ボールグリッドアレイ等を用いることができる。図1に示すように、本開示の撮像用部品10においては、ボールグリッドアレイを用いて撮像素子4が実装されており、複数の半田ボール6が撮像素子4の下面と電極パッド2の上面との間に設けられている。
 導体パターン3は、電極パッド2に実装される撮像素子4から発せられた信号をモニター等の他の電子部品5に伝えるための部材である。導体パターン3は帯状の部材である。導体パターン3は、積層基板1の層間に設けられている。導体パターン3は、例えば、銅または金等の金属材料から成る。
 ここで、本開示の撮像用部品10においては、図2、3に示すように、少なくとも1つの導体パターン3の一部は、接続されていないいずれかの電極パッド2の直下に位置する部位が幅広とされた幅広部31を備えている。ここでいう、「幅広部」とは、一定の幅で伸びる導体パターン3において部分的に幅が広くなった部分を指している。具体的には、図3に示すように、導体パターン3が帯状に伸びている場合には、導体パターン3の伸びる方向で見たときに導体パターン3の幅が変わりだした部分と幅が変わり終えた部分に、導体パターン3の伸びる方向に対して垂直な仮想線を引く。導体パターン3のうち、この2本の仮想線に挟まれた領域を幅広部31として見なすことができる。
 言い換えると、撮像用部品10は、樹脂材料から成る複数の層11が積層された積層基板1と、積層基板1の表面上に設けられた複数の電極パッド2と、複数の層11の間に設けられた複数の導体パターン3とを備えている。複数の導体パターン3は帯状である。複数の導体パターン3の少なくとも1つは第1部分31および第2部分32を有している。第1部分31は複数の電極パッド2の1つと複数の層11の積層方向に重なっている。第2部分32は複数の電極パッド2と積層方向に重なっていない。第1部分31の幅が第2部分32の幅よりも大きい。導体パターン3は、複数の層11を積層する際に複数の層11の表面にプリントすることで形成できる。
 なお、図3に示す導体パターン3においては、理解を助けるために導体パターン3を意図的に簡略化して直線状に記載している。導体パターン3は、複雑な形状に形成されていてもよい。したがって、図2と図3とは対応関係が取れているが、厳密な意味では図1の導体パターン3の配置と図3の導体パターン3の配置は対応していない。また、ここでいう「接続されていないいずれかの電極パッド2」とは、電極パッド2と導体パターン3とが完全に電気的に独立しているという意味ではない。具体的には、導体パターン3の幅広部31と、この直上に位置する電極パッド2とが、スルーホール等によって直接的に接続させている場合を除外しているものであって、電源またはグランド等が共通していることによって間接的に接続されていたとしても構わない。
 このように、導体パターン3のうち電極パッド2の直下に位置する部分に幅広部31を有することによって、積層基板1のうち電極パッド2の直下の部分が沈んでしまうことを低減できる。また、導体パターン3のうち電極パッド2の直下に位置する部分以外の領域を電極パッド2の直下に位置する部分よりも幅を狭くすることによって、導体パターン3の高密度な引き回しが可能になる。その結果、導体パターン3を高密度に引き回しつつも、撮像素子4の位置精度の低下が低減された撮像用部品10とすることができる。
 ここで、平面透視において、幅広部31の外形が、電極パッド2の外形と同形状であってもよい。言い換えると、積層基板1の表面に対して垂直な方向から見たときに、第1部分31の外形と第1部分31に重なる電極パッド2の外形とが同じ形状であってもよい。このような構成とすることで、導体パターン3の表面における電極パッド2から伝わる応力の偏りを低減できる。そのため、撮像用部品10に生じる変形を低減できる。
 なお、ここでいう「同形状」とは、幅広部31の外形のうち導体パターン3の伸びる方向以外の部分の形状が、電極パッドの外形と同じ形状であることを意味している。例えば、図3においては、幅広部31の外形のうち導体パターン3の伸びる方向以外の部分の形状が円形状になっていると見なすことができる。そして、図2に示すように、電極パッド2は円形状である。すなわち、本開示においては、幅広部31と電極パッド2とが同形状である。
 また、図4に示すように、導体パターン3のうち、幅広部31が電極パッド2よりもさらに幅広であってもよい。言い換えると、積層基板1の表面に対して垂直な方向から見たときに、第1部分31が第1部分31に重なる電極パッド2よりも幅が大きくてもよい。これにより、ヒートサイクル下において、電極パッド2と導体パターン3との位置関係にずれが生じたとしても、電極パッド2の直下に導体パターン3を位置させることができる。より具体的には、例えば、電極パッド2の平面視したときの形状が円形状の場合には、導体パターン3の幅広な部分の形状を電極パッド2よりも大きな円形状にすればよい。
 また、図5、6に示すように、積層基板1の表面に対して垂直な方向から見たときに、第1部分31が第1部分31に重なる電極パッド2よりも幅が大きく、かつ、第1部分31のそれぞれの重心が、第1部分31に重なる電極パッド2のそれぞれの重心よりも、積層基板1の重心から遠くに位置していてもよい。図5においては、理解を助けるために、導体パターン3のうち第1部分31のみを示している。より具体的には、積層基板1の重心と電極パッド2の重心とを結ぶ直線の延長線上に第1部分31の重心が位置していてもよい。
 ヒートサイクル下において、積層基板1の内部よりも表面の方が熱膨張および熱収縮が大きくなる。第1部分31の幅を電極パッド2の幅よりも大きくしつつ、かつ、重心を積層基板1の外側にずらしておくことによって、ヒートサイクル下において電極パッド2の位置がずれたとしても、第1部分31に重なりやすくすることができる。
 また、図7に示すように、導体パターン3のうち折れ曲がる部分に第1部分31が位置してもよい。言い換えると、導体パターン3のうち折れ曲がる部分において幅が大きくなっていてもよい。一般的に導体パターン3のうち折れ曲がる部分は、他の部分からの熱応力の影響を受けやすい。具体的には、導体パターン3のうち直線状の部分は、主に、長さ方向に熱膨張が生じる。これに対して、導体パターン3のうち折れ曲がる部分は、折れ曲がる部分と隣接する2つの直線状の部分から熱応力を受けることから、熱膨張が生じる方向を制御することが困難になる。ここで、図7に示すように、導体パターン3のうち折れ曲がる部分に第1部分31を位置させておくことによって、折れ曲がる部分自体の熱膨張を大きくすることができる。これにより、他の部分が熱膨張することによって生じた熱応力によって第1部分31が予想外の方向に熱膨張してしまうおそれを低減できる。これにより、撮像用部品10のヒートサイクル下における信頼性を向上できる。
 また、図8に示すように、隣り合うの第1部分31同士の間隔が等しくなるように配列されていてもよい。第1部分31が等間隔に並んでいることによって、ヒートサイクル下における積層基板1における熱膨張量に偏りが生じるおそれを低減できる。そのため、積層基板1に歪みが生じてしまうおそれを低減できる。
1:積層基板
11:層
2:電極パッド
3:導体パターン
31:幅広部
4:撮像素子
5:電子部品
10:撮像用部品
100:撮像モジュール

Claims (8)

  1.  樹脂材料から成る積層基板と、該積層基板の上面に設けられた、撮像素子が実装される複数の電極パッドと、前記積層基板の層間に設けられて複数の前記電極パッドのいずれかにそれぞれ接続された帯状の複数の導体パターンとを備えており、少なくとも1つの該導体パターンの一部は、接続されていないいずれかの前記電極パッドの直下に位置する部位が幅広とされた幅広部を備えている撮像用部品。
  2.  平面透視において、前記幅広部の外形が、前記電極パッドの外形と同形状である請求項1に記載の撮像用部品。
  3.  請求項1または請求項2に記載の撮像用部品と、該撮像用部品の前記電極パッドに実装された撮像素子とを備えた撮像モジュール。
  4.  樹脂材料から成る複数の層が積層された積層基板と、該積層基板の表面上に設けられた複数の電極パッドと、前記複数の層の間に設けられた複数の導体パターンとを備えており、該複数の導体パターンは帯状であって、該複数の導体パターンの少なくとも1つは第1部分および第2部分を有しており、前記第1部分は前記複数の電極パッドの1つと前記複数の層の積層方向に重なっており、前記第2部分は前記複数の電極パッドと前記積層方向に重なっておらず、前記第1部分の幅が前記第2部分の幅よりも大きい撮像用部品。
  5.  前記表面に対して垂直な方向から見たときに、前記第1部分の外形と前記第1部分に重なる前記電極パッドの外形とが同形状である請求項4に記載の撮像用部品。
  6.  前記表面に対して垂直な方向から見たときに、前記第1部分が前記第1部分に重なる前記電極パッドよりも幅が大きい請求項4に記載の撮像用部品。
  7.  前記表面に対して垂直な方向から見たときに、前記第1部分の重心が、前記第1部分に重なる前記電極パッドの重心よりも、前記積層基板の重心から遠くに位置している請求項6に記載の撮像用部品。
  8.  請求項4乃至請求項7のいずれかに記載の撮像用部品と、該撮像用部品の前記複数の電極パッドに実装された撮像素子とを備えた撮像モジュール。
PCT/JP2016/055575 2015-03-27 2016-02-25 撮像用部品およびこれを備える撮像モジュール WO2016158109A1 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201680014936.7A CN107409471B (zh) 2015-03-27 2016-02-25 摄像用部件以及具备该摄像用部件的摄像模块
EP16771993.9A EP3277065B1 (en) 2015-03-27 2016-02-25 Imaging component, and imaging module provided with same
US15/561,872 US20180130841A1 (en) 2015-03-27 2016-02-25 Imaging component and imaging module provided with same
JP2017509390A JP6454001B2 (ja) 2015-03-27 2016-02-25 撮像用部品およびこれを備える撮像モジュール

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015-067248 2015-03-27
JP2015067248 2015-03-27

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2016158109A1 true WO2016158109A1 (ja) 2016-10-06

Family

ID=57005690

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2016/055575 WO2016158109A1 (ja) 2015-03-27 2016-02-25 撮像用部品およびこれを備える撮像モジュール

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20180130841A1 (ja)
EP (1) EP3277065B1 (ja)
JP (1) JP6454001B2 (ja)
CN (1) CN107409471B (ja)
WO (1) WO2016158109A1 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102017128568A1 (de) * 2017-12-01 2019-06-06 Infineon Technologies Ag Halbleiterchip mit einer vielzahl von externen kontakten, chip-anordnung und verfahren zum überprüfen einer ausrichtung einer position eines halbleiterchips

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06326214A (ja) * 1993-05-17 1994-11-25 Nkk Corp 多層配線構造及びその形成方法
JP2000208665A (ja) * 1999-01-13 2000-07-28 Pfu Ltd 小型半導体装置および小型半導体装置の実装構造
WO2006129762A1 (ja) * 2005-06-02 2006-12-07 Sony Corporation 半導体イメージセンサ・モジュール及びその製造方法
JP2010267944A (ja) * 2008-11-05 2010-11-25 Renesas Electronics Corp 半導体装置およびその製造方法

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5535820Y2 (ja) * 1974-09-11 1980-08-23
JPS60175494A (ja) * 1984-02-20 1985-09-09 松下電器産業株式会社 金属ベ−ス回路基板の製造方法
JPH04286392A (ja) * 1991-03-15 1992-10-12 Fujitsu Ltd 印刷回路基板
JPH05152382A (ja) * 1991-12-02 1993-06-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd 回路装置
EP0619935B1 (en) * 1991-12-31 1998-05-13 Tessera, Inc. Multi-layer circuit construction methods and structures with customization features and components for use therein
JPH05235547A (ja) * 1992-02-26 1993-09-10 Fujitsu Ltd 薄膜基板の配線構造
JPH07106764A (ja) * 1993-10-08 1995-04-21 Fujitsu Ltd セラミック多層回路基板
JPH09223715A (ja) * 1996-02-15 1997-08-26 Pfu Ltd フリップチップまたはフリップチップキャリアの接続構造
JPH11307886A (ja) * 1998-04-21 1999-11-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd フリップチップ接合ランドうねり防止パターン
US6879492B2 (en) * 2001-03-28 2005-04-12 International Business Machines Corporation Hyperbga buildup laminate
JP2004104078A (ja) * 2002-06-28 2004-04-02 Sanyo Electric Co Ltd カメラモジュールおよびその製造方法
JP2004214586A (ja) * 2002-11-14 2004-07-29 Kyocera Corp 多層配線基板
JP2005268259A (ja) * 2004-03-16 2005-09-29 Kyocera Corp 多層配線基板
JP4304163B2 (ja) * 2005-03-09 2009-07-29 パナソニック株式会社 撮像モジュールおよびその製造方法
JP2008227429A (ja) * 2007-03-16 2008-09-25 Alps Electric Co Ltd 電子回路モジュールおよび多層配線板
CN102422729B (zh) * 2009-05-12 2014-08-06 株式会社村田制作所 电路基板及其制造方法
JP5547594B2 (ja) * 2010-09-28 2014-07-16 新光電気工業株式会社 配線基板、半導体装置及び配線基板の製造方法
JP2013093538A (ja) * 2011-10-04 2013-05-16 Ngk Spark Plug Co Ltd 配線基板及びその製造方法
WO2014054353A1 (ja) * 2012-10-05 2014-04-10 株式会社村田製作所 電子部品内蔵モジュール及び通信端末装置
US9560771B2 (en) * 2012-11-27 2017-01-31 Omnivision Technologies, Inc. Ball grid array and land grid array having modified footprint
US9117825B2 (en) * 2012-12-06 2015-08-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Substrate pad structure
KR102214512B1 (ko) * 2014-07-04 2021-02-09 삼성전자 주식회사 인쇄회로기판 및 이를 이용한 반도체 패키지

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06326214A (ja) * 1993-05-17 1994-11-25 Nkk Corp 多層配線構造及びその形成方法
JP2000208665A (ja) * 1999-01-13 2000-07-28 Pfu Ltd 小型半導体装置および小型半導体装置の実装構造
WO2006129762A1 (ja) * 2005-06-02 2006-12-07 Sony Corporation 半導体イメージセンサ・モジュール及びその製造方法
JP2010267944A (ja) * 2008-11-05 2010-11-25 Renesas Electronics Corp 半導体装置およびその製造方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP3277065A4 *

Also Published As

Publication number Publication date
EP3277065A1 (en) 2018-01-31
US20180130841A1 (en) 2018-05-10
CN107409471B (zh) 2020-07-21
JPWO2016158109A1 (ja) 2017-12-28
JP6454001B2 (ja) 2019-01-16
EP3277065A4 (en) 2018-12-12
EP3277065B1 (en) 2021-08-11
CN107409471A (zh) 2017-11-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6432590B2 (ja) 高周波伝送線路基板
JP5265183B2 (ja) 半導体装置
US8928803B2 (en) Solid state apparatus
US10504829B2 (en) Semiconductor package and semiconductor module including the same
JP2016066711A (ja) フレックスリジッド配線板
JP2007324207A (ja) プリント配線板、プリント配線板の屈曲加工方法および電子機器
JP2007324208A (ja) プリント配線板、プリント配線板の製造方法および電子機器
KR101488733B1 (ko) 기판 장치
JP2018138887A (ja) 起歪体およびその起歪体を備えた力覚センサ
JP4921286B2 (ja) 撮像装置および光電変換素子パッケージ保持ユニット
US9831583B2 (en) Connector
US20190254164A1 (en) Circuit board, method of manufacturing circuit board, and electronic device
JP2007043213A (ja) 回路基板の接続構造
KR101905879B1 (ko) 인쇄회로기판 및 그의 제조 방법
JP6454001B2 (ja) 撮像用部品およびこれを備える撮像モジュール
US20170213799A1 (en) Printed wiring board
JP2009081180A (ja) 回路装置
JP5651096B2 (ja) フレキシブルプリント基板および平面表示装置
JP5115116B2 (ja) フレキシブル配線基板
US8335086B2 (en) Semiconductor module
JP2015146404A (ja) 半導体装置およびその製造方法
WO2011021690A1 (ja) 互いに絶縁された金属性の電源側およびグランド側補強部材を有する半導体装置
US20160205782A1 (en) Printed circuit board and method for fabricating the same
JP2017152495A (ja) 基板内層用チップ抵抗器および部品内蔵型回路基板
JP2017212388A (ja) 配線基板及び接続構造

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 16771993

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2017509390

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

REEP Request for entry into the european phase

Ref document number: 2016771993

Country of ref document: EP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 15561872

Country of ref document: US

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE