JP2015146404A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】使用する部品点数や組み立て工数の増加を抑制しながら、高い放熱性を有し、高密度実装されている半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】第1の主面2Bと第1の主面2Bと反対側に位置する第2の主面2Aとを有し、第1の主面2B上に第1の配線パターン8が形成されている配線基板2と、配線基板2の第1の配線パターン8上に配置されている半導体素子1とを備え、配線基板2は、第1の配線パターン8が形成されている領域において第1の主面2Bから第2の主面2Aまで延びるように形成されている第1放熱部材11,12,13を含み、第2の主面2Aにおいて第1放熱部材11の少なくとも一部と重なる領域に第1凹部9が形成されており、第1凹部9は、第2の主面2Aに対して第1の主面2B側に陥没している第1の底面9Aと、第2の主面2Aおよび第1の底面9Aとそれぞれ交差する第1の端面9Eとを有し、第1凹部9の第1の端面9Eの少なくとも一部には第1放熱部材12が表出している。
【選択図】図1
【解決手段】第1の主面2Bと第1の主面2Bと反対側に位置する第2の主面2Aとを有し、第1の主面2B上に第1の配線パターン8が形成されている配線基板2と、配線基板2の第1の配線パターン8上に配置されている半導体素子1とを備え、配線基板2は、第1の配線パターン8が形成されている領域において第1の主面2Bから第2の主面2Aまで延びるように形成されている第1放熱部材11,12,13を含み、第2の主面2Aにおいて第1放熱部材11の少なくとも一部と重なる領域に第1凹部9が形成されており、第1凹部9は、第2の主面2Aに対して第1の主面2B側に陥没している第1の底面9Aと、第2の主面2Aおよび第1の底面9Aとそれぞれ交差する第1の端面9Eとを有し、第1凹部9の第1の端面9Eの少なくとも一部には第1放熱部材12が表出している。
【選択図】図1
Description
本発明は、半導体装置およびその製造方法に関し、特に高い放熱性を有する半導体装置およびその製造方法に関する。
近年、半導体装置の高性能化に伴い、半導体素子の発熱量は増加傾向にあり、今後ものその傾向は続くと予測されている。
一方で、半導体装置を実装基板(マザーボード)に高密度に実装するために、マザーボードへの表面実装を可能とした表面実装型パッケージが多用されている。この表面実装型パッケージの代表例として、たとえば、BGA(Ball Grid Array)が知られている。
一般的な事例として、BGA構造を有する半導体装置は、半導体素子を搭載する上面に形成されている配線パターンと、当該配線パターンから上記搭載面の反対側に位置する下面に形成されているBGAパッドパターンと、上面から下面まで延びるように形成されているサーマルビアとを有する配線基板が、そのBGAパッドパターンを介してマザーボードとはんだ接合されることにより、組み立てられている。この場合、半導体素子に生じた熱は、配線パターンからサーマルビアを通ってBGAパッドパターンに伝わり、はんだからマザーボードに放出される。
このような従来のBGA構造を有する半導体装置では、配線基板とマザーボードとの接続部がBGAパッドの面積内に限られるため、効率よくマザーボードに放熱する技術が必要とされている。たとえば、上記半導体装置の放熱効率を高めるためには、配線基板において半導体素子と接続されるサーマルビアを狭ピッチに配列させることや、全てのサーマルビアをBGAパッドと接続させて、全てのサーマルビアをはんだボールと接続させることが求められる。
特開2008−091714号公報には、配線基板のBGA接続面側において形成されているサーマルパッドが、1つのサーマルビアと接続されているとともにBGA開口パッドと独立して形成されている半導体装置が記載されている。
特開2008−098285号公報には、複数のサーマルビアに接続されているサーマルパッド上に、ソルダレジスト等により開口部が形成されており、当該開口部を介して配線基板とマザーボードとがBGA接続さている半導体装置が記載されている。
しかしながら、特開2008−091714号公報(特許文献1)に記載の半導体装置では、放熱効率を向上するためにはサーマルパッドの面積を増やす必要がある。この場合、サーマルパッドの面積を増加させるとBGAパッドの寸法との差異が大きくなることから、サーマルパッド上に形成するはんだボールとBGAパッド上に形成するはんだボールとは異なる径を有するように形成される必要が生じる。この結果、半導体装置の製造方法において、使用する部品点数や組み立て工数が多くなるという問題があった。
また、特開2008−098285号公報(特許文献2)に記載の半導体装置においても、放熱効率を向上するためにはサーマルパッドの面積を増やす必要があるが、サーマルパッドの面積を増加させるとBGAパッドの寸法との差異が大きくなり、半導体装置の製造方法において、使用する部品点数や組み立て工数が多くなるという問題があった。
また、上記特許文献1および特許文献2に記載の配線基板に形成されている全BGAパッドの寸法をサーマルパッドの寸法と同等に大きくして放熱効率の向上を図ることもできるが、この場合には、はんだボールを狭ピッチで配列することが困難であるため、高密度実装が困難となる。
本発明は、上記のような課題を解決するためになされたものである。本発明の主たる目的は、使用する部品点数や組み立て工数の増加を抑制しながら、高い放熱性を有し、高密度実装されている半導体装置およびその製造方法を提供することにある。
本発明に係る半導体装置は、第1の主面と第1の主面と反対側に位置する第2の主面とを有し、第1の主面上に第1の配線パターンが形成されている配線基板と、配線基板の第1の配線パターン上に配置されている半導体素子とを備え、配線基板は、第1の配線パターンが形成されている領域において第1の主面から第2の主面まで延びるように形成されている第1放熱部材を含み、第2の主面において第1放熱部材の少なくとも一部と重なる領域に第1凹部が形成されており、第1凹部は、第2の主面に対して第1の主面側に陥没している第1の底面と、第2の主面および第1の底面とそれぞれ交差する第1の端面とを有し、第1凹部の第1の端面の少なくとも一部には第1放熱部材が表出している。
本発明によれば、使用する部品点数や組み立て工数の増加を抑制しながら、高い放熱性を有し、高密度実装されている半導体装置およびその製造方法を提供することができる。
以下、図面に基づいて本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の図面において同一または相当する部分には同一の参照番号を付し、その説明は繰返さない。
(実施の形態1)
図1〜図4を参照して、実施の形態1に係る半導体装置について説明する。実施の形態1に係る半導体装置100は、BGA(Ball Grid Array)パッケージとして構成されている。具体的には、半導体装置100は、半導体素子1と、半導体素子1を載置する配線基板2と、配線基板2とはんだボール3を介してBGA接続されている実装基板4とを備える。
図1〜図4を参照して、実施の形態1に係る半導体装置について説明する。実施の形態1に係る半導体装置100は、BGA(Ball Grid Array)パッケージとして構成されている。具体的には、半導体装置100は、半導体素子1と、半導体素子1を載置する配線基板2と、配線基板2とはんだボール3を介してBGA接続されている実装基板4とを備える。
半導体素子1は、任意の構造を有する素子として構成されていればよいが、たとえば横型のダイオード素子である。半導体素子1を構成する材料は、任意の半導体材料であればよいが、たとえば珪素(Si)である。半導体素子1の寸法は、たとえば縦2.0mm、横2.0mm、厚さ0.3mmである。
配線基板2は、第1の主面としての上面2Bと、上面2Bの反対側に位置する第2の主面としての下面2Aとを有している。配線基板2は、電気的絶縁性を有する任意の材料で構成されていればよいが、たとえばセラミックスである。配線基板2の寸法は、たとえば縦6.0mm、横6.0mm、厚さ0.7mmである。
配線基板2の上面2B上には、半導体素子1と配線基板2との電気的な経路を構成するワイヤ接続用配線パターン7、および第1の配線パターンとしてのダイアタッチ用配線パターン8が形成されている。
ワイヤ接続用配線パターン7は、半導体素子1に設けられている電極パッド(図示しない)とワイヤ6を介して電気的に接続されている。ワイヤ6を構成する材料は、導電性を有する任意の材料とすればよく、たとえば金(Au)である。ワイヤ6の直径は、任意に選択することができるが、たとえば0.025mmである。ワイヤ接続用配線パターン7は、ダイアタッチ用配線パターン8の周囲を囲うように設けられている。ワイヤ接続用配線パターン7を構成する材料は導電性を有する任意の材料とすることができ、たとえば銀(Ag)である。
ダイアタッチ用配線パターン8は、配線基板2の上面2B上において半導体素子1を載置する領域に形成されており、半導体素子1と後述する複数のサーマルビア11とを熱的に接続する第1配線パターンとして形成されている。半導体素子1とダイアタッチ用配線パターン8とは、ダイボンド材5を介して接続されている。ダイアタッチ用配線パターン8を構成する材料は高い熱伝導性を有する任意の材料とすることができ、たとえば銀(Ag)である。ダイボンド材5を構成する材料は高い熱伝導性を有する任意の材料とすることができ、たとえば銀(Ag)ペーストである。
配線基板2の下面2A上には、第1凹部9が形成されている。第1凹部9は、下面2Aよりも上面2B側に位置する第1の底面9Aと、下面2Aおよび第1の底面9Aと交差する第1の端面9Eとで構成されている。第1の端面9Eは、第1の底面9Aに対して交差するように設けられているが、好ましくは第1の底面9Aに対して直交するように設けられている。
第1凹部9は任意の形状を有していればよいが、たとえば第1の底面9Aが円形であってもよい。第1凹部9の寸法は、たとえば第1の底面9Aの直径が0.6mmである。第1の底面9Aに対して垂直な方向における、第1の端面9Eの幅(高さ)は、0.1mmである。第1の底面9Aには、第1サーマルパッド10が表出している。第1サーマルパッド10を構成する材料は、高い熱伝導率を有する任意の材料とすることができるが、たとえば銀(Ag)である。第1サーマルパッド10の寸法は、第1の底面9Aと同一平面内において、第1の底面9Aを含むとともに第1の底面9Aよりも大きく、たとえば直径0.8mmである。第1サーマルパッド10の中央部は第1の底面9Aに表出している一方、第1サーマルパッド10の外周部は配線基板2の内部に埋め込まれている。第1凹部9および第1サーマルパッド10の形状は、任意の形状とすることができるが、たとえば円形状である。第1凹部9および第1サーマルパッド10は、任意の数だけ形成されていればよく、たとえば1つの配線基板2に2つ形成されている。
配線基板2の上面2Bと第1の底面9Aとの間、言い換えるとダイアタッチ用配線パターン8と第1サーマルパッド10との間には、サーマルビア11c,11dが複数形成されている。複数のサーマルビア11c,11dは、それぞれ上面2Bにおいてダイアタッチ用配線パターン8と接続されており、第1凹部9内およびその外周部において第1サーマルパッド10と接続されている。
複数のサーマルビア11c,11dは、第1凹部9との位置関係に応じて、たとえば中央サーマルビア11cと、外周サーマルビア11dとに分けられる。具体的には、上面2Bを平面視したときに、第1凹部9の中央部に形成されている中央サーマルビア11cと、第1凹部9の第1の底面9Aと一部が重なるように複数の外周サーマルビア11dが所定の間隔を空けて形成されている。つまり、各外周サーマルビア11dは、その一部分が第1凹部9の第1の底面9Aに表出している第1サーマルパッド10と接続されているとともに、その他の部分が配線基板2の内部に埋め込まれている第1サーマルパッド10の外周部分と接続されている。
各サーマルビア11は、互いに平行に設けられており、たとえばいずれも上面2Bと垂直な方向に伸びるように形成されている。サーマルビア11の寸法は、ダイアタッチ用配線パターン8から第1サーマルパッド10まで効率的に伝熱することができる限りにおいて任意の寸法とすればよいが、たとえば孔径が0.15mmである。複数のサーマルビア11の配列は、任意に決めることができるが、たとえば円周にそって等間隔に配置してもよく、たとえば隣り合うサーマルビア11の中心間の距離は0.3mmであってもよい。
第1凹部9の直径は、円周に沿って配置されている複数の外周サーマルビア11dにおいて当該円の中心を挟んで互いに対向する1対の外周サーマルビア11d間の最短距離L1よりも長く、当該1対の外周サーマルビア11d間の最長距離L2よりも短い。ここで、上記最短距離L1は1対の外周サーマルビア11dの内周端部間の距離であり、上記最長距離L2は、1対の外周サーマルビア11dの外周端部間の距離であり、最短距離L1に1対の外周サーマルビア11dの孔径の和を足し合わせた距離である。
外周サーマルビア11dは、第1サーマルパッド10を介して第2サーマルパッド12と接続されている。言い換えると、第2サーマルパッド12は、第1サーマルパッド10を介して外周サーマルビア11dと連なるように形成されている。ここで、第1凹部9直径が、上述のように最短距離L1よりも長く最長距離L2よりも短いため、第2サーマルパッド12は、第1凹部9の第1の端面9E上において、所定の表面積を有する面として表出している。つまり、第1の端面9E上には、第2サーマルパッド12と配線基板2とが交互に表出している。
下面2A上には、第2サーマルパッド12と接続されている配線パターン13が形成されている。言い換えると、配線パターン13は、下面2A上において第1凹部9の外周に沿って円周状に形成されている。
第1サーマルパッド10、サーマルビア11c,11d、第2サーマルパッド12および配線パターン13(本実施の形態ではこれらを合わせて第1放熱部材とよぶ)は、それぞれ高い熱伝導率を有する任意の材料により構成されている。具体的には、第1サーマルパッド10を構成する材料は、たとえば銀(Ag)である。各サーマルビア11c,11dは、下面2Aまで貫通するビアに、高い熱伝導率を有する任意の材料が埋め込まれることにより構成されている。サーマルビア11c,11dを構成する材料は、たとえばAgペーストである。第2サーマルパッド12を構成する材料は、たとえばサーマルビア11c,11dを構成する材料と同一の材料であり、Agペーストである。
配線基板2の下面2A上において、隣り合う第1サーマルパッド10間はオーバーコートガラス14により覆われている。さらに、配線基板2の下面2A上には、BGAパッド15が形成されている。第1サーマルパッド10とBGAパッド15との間は、オーバーコートガラス14により覆われている。言い換えれば、下面2Aにおいて、第1凹部9およびBGAパッド15が形成されていない領域はオーバーコートガラス14により覆われている。なお、下面2Aにおいて、第1凹部9およびBGAパッド15が形成されていない領域には、任意の配線パターン(図示しない)が形成されていてもよく、その場合には、当該配線パターンもオーバーコートガラス14により覆われているのが好ましい。つまり、オーバーコートガラス14は、下面2A上において、ソルダレジストとしての機能を果たしている。オーバーコートガラス14の膜厚は、たとえば0.02mmである。
BGAパッド15は、配線基板2の下面2A上に形成されている配線パターン(図示しない)と電気的に接続されている。BGAパッド15の面積は、第1の底面9Aに表出している第1サーマルパッド10の面積と同等に設けられている。言い換えれば、第1の底面9Aの面積は、BGAパッド15の面積と同等に設けられている。
はんだボール3は、配線基板2の第1サーマルパッド10、第2サーマルパッド12およびBGAパッド15と、実装基板4のBGAパッド16との間を接続している。はんだボール3を構成する材料は、たとえばSn3.0Ag0.5Cuである。はんだボール3は、第1凹部9内において、第1の底面9Aに表出している第1サーマルパッド10と、第1の端面9Eに表出している第2サーマルパッド12とそれぞれ面接触している。
実装基板4はプリント配線基板であり、実装基板4を構成する材料はたとえばFR−4(Flame Retardant Type4)である。実装基板4の一方の第3の主面4Bには、BGAパッド16が形成されている。実装基板4の寸法は、たとえば縦横がそれぞれ10mmであって厚みが1.6mmである。
次に、図1〜図6を参照して、実施の形態1に係る半導体装置の製造方法について説明する。なお、図3〜図6は、1つの第1凹部9と、それに関わるサーマルビア11とを説明するための概略図である。実施の形態1に係る半導体装置の製造方法は、配線基板2を準備する工程(S10)と、配線基板2のダイアタッチ用配線パターン8上に半導体素子1を配置する工程(S20)と、配線基板2と実装基板4とを接続する工程(S30)とを備える。
まず、配線基板2を準備する(工程(S10))。具体的には、はじめに、複数のセラミックグリーンシート21,22,23,24が準備される。各セラミックグリーンシート21,22,23,24は、それぞれ所定の材料で構成されており、かつ、それぞれ所定の寸法を有している。各セラミックグリーンシート21,22,23,24は、それぞれ異なる工程を経て加工され、半導体装置100を構成する部材として準備される。
はじめに、セラミックグリーンシート21(図3(A)参照)について説明する。図3(B)を参照して、複数のセラミックグリーンシート21に、一方の主面21Aから他方の主面21Bまで貫通する複数の外周ビアホール25dが形成される。外周ビアホール25dを形成する方法は、セラミックグリーンシート21の一方の主面21Aから他方の主面21Bまで貫通孔を形成することができる任意の方法とすることができるが、たとえばレーザ加工や金型パンチング等により形成され得る。本実施の形態では、セラミックグリーンシート21には後の工程で作成する第1凹部9の円周に沿って複数の外周ビアホール25dが形成される。
次に、図3(C)を参照して、各外周ビアホール25d内にそれぞれ外周サーマルビア26dを形成する。具体的には、たとえばスクリーン印刷法により、外周ビアホール25d内に高い熱伝導率を有するAgペーストを用いて外周サーマルビア26dが形成される。
図3(D)を参照して、半導体装置100において下面2Aを構成する一方の主面21B上において、外周サーマルビア26d上に配線パターン27が形成される。配線パターン27は、外周サーマルビア26d上において、外周サーマルビア26dと熱的に接続されているとともに、互いに所定の間隔を空けて形成される。なお、配線パターン27と同時にBGA配線パターン(図示しない)が形成されてもよい。
なお、図3には図1に示すBGAパッド15は示していない。BGAパッド15は任意の方法で形成すればよく、たとえば配線パターン27と同時に形成してもよいし、オーバーコートガラス14を形成する前の所定のタイミングで形成してもよい。
次に、図3(E)を参照して、セラミックグリーンシート21の一方の主面21B上にオーバーコートガラス14が形成される。オーバーコートガラス14は、一方の主面21Bおよび当該主面21B上に形成されている配線パターン27の側面を保護するように形成されている。
次に、図3(F)を参照して、セラミックグリーンシート21にスルーホール28が形成される。具体的には、セラミックグリーンシート21に円周状に形成されている複数の外周サーマルビア26dにおいて、当該円の中心を挟んで対向する2つの外周サーマルビア26dの上記最短距離L1よりも長く上記最長距離L2よりも短い孔径H2を有するスルーホール28が形成される。これにより、外周サーマルビア26dは部分的に除去されて、スルーホール28の開口面にはサーマルビアの端面が表出しているセラミックグリーンシート21が形成される。
続いて、セラミックグリーンシート23について説明する。図4(B)を参照して、セラミックグリーンシート23には、後の工程においてセラミックグリーンシート21と重ね合わせて平面視したときにセラミックグリーンシート21の外周ビアホール25dと重なるように、同寸法の外周ビアホール25dが複数形成される。さらに、図4(B)を参照して、セラミックグリーンシート23には、一方の主面22A等を平面視したときに円周状に形成される複数の外周ビアホール25dの内周側に中央ビアホール25cが形成される。中央ビアホール25cは、外周ビアホール25dと同様の方法により形成することができる。
次に、図4(C)を参照して、セラミックグリーンシート23の各ビアホール25c、25d内にそれぞれサーマルビア26c,26dを形成する。具体的には、たとえばスクリーン印刷法により、ビアホール25c,25d内に高い熱伝導率を有するAgペーストを用いてサーマルビア26c,26dが形成される。このようにして、中央サーマルビア26cと、これを中心とした円周状に所定の間隔を空けて複数の外周サーマルビア26dとを有するセラミックグリーンシート23が形成される。
さらにセラミックグリーンシート22,24は、セラミックグリーンシート23を基にそれぞれ異なる工程を経て加工され、半導体装置100を構成する部材として準備される。
以下、セラミックグリーンシート22について説明する。図5を参照して、セラミックグリーンシート23と同様の構成を有するセラミックグリーンシート22の一方の主面22A上に、第1サーマルパッド29が形成される。第1サーマルパッド29は、一方の主面22A上において表出している中央サーマルビア26cおよび円周状に配置されている複数の外周サーマルビア26dの全面と接触するように形成される。第1サーマルパッド29は任意の成膜方法で形成すればよく、たとえばスクリーン印刷法である。セラミックグリーンシート22の一方の主面22A上に形成された第1サーマルパッド29の一部は、第1凹部9の第1の底面9Aを構成する。このようにして、第1サーマルパッド29を有するセラミックグリーンシート22が形成される。
続いて、セラミックグリーンシート24について説明する。セラミックグリーンシート23と同様の構成を有するセラミックグリーンシート24の一方の主面24A上に、ワイヤ接続用配線パターン7およびダイアタッチ用配線パターン8が形成される。ダイアタッチ用配線パターン8は、中央サーマルビア26cおよび外周サーマルビア26dと、半導体装置100において上面2Bを構成する一方の主面24Bにおいて接続するように形成される。ダイアタッチ用配線パターン8は、任意の方法で形成すればよく、たとえばスクリーン印刷法である。このようにして、サーマルビア26c,26dと接続されているダイアタッチ用配線パターン8を有するセラミックグリーンシート24が形成される。
次に、上記のように形成されたセラミックグリーンシート21,22,23,24の積層体を含む配線基板2が準備される。
図6(A)を参照して、具体的には、まず配線パターン27が形成されているセラミックグリーンシート21の一方の主面21Bと、第1サーマルパッド29が形成されているセラミックグリーンシート22の一方の主面22Aとが対向するとともに、セラミックグリーンシート21の一方の主面21Aとダイアタッチ用配線パターン8が形成されているセラミックグリーンシート24の一方の主面24Bとが互いに反対側を向いて表出するように積層配置される。このとき、セラミックグリーンシート21,22,23,24に形成されている各外周サーマルビア26dがそれぞれ重なるように積層配置される。なお、セラミックグリーンシート21およびセラミックグリーンシート22の外周サーマルビア26dは、第1サーマルパッド29を挟んで重なるように積層配置される。次に、積層配置されたセラミックグリーンシート21,22,23,24を加圧して一体化させる。加圧する方法は、任意の方法を用いればよい。次に、一体化したセラミックグリーンシート21,22,23,24を焼成し、多層セラミック基板としての配線基板2(図1参照)を得ることができる。この場合、セラミックグリーンシート21の外周サーマルビア26dを構成するAgペーストはセラミックグリーンシート22上に形成されている第1サーマルパッド29に押圧され変形するため、第1サーマルパッド29がセラミックグリーンシート21の外周ビアホール25dとスルーホール28とが重なる領域内に突出するようにしてセラミックグリーンシート21,22は互いに接続される。
さらに、配線基板2の下面2A上の配線パターン27および第1サーマルパッド29の表面にNi(厚さ4μm)とAu(厚さ0.05μm)のめっき膜(図示しない)を形成する。これにより、図6(B)に示す配線パターン13および第1サーマルパッド10が形成された、配線基板2を得ることができる。
次に、配線基板2の下面2A上において、第1サーマルパッド10およびBGAパッド15に、スクリーン印刷法によりフラックスを含むはんだペースト(図示しない)が印刷される。次に、第1サーマルパッド10およびBGAパッド15(図1参照)上に開口部が設けられているステンシルを用いて、第1サーマルパッド10およびBGAパッド15上に印刷されているはんだペースト上に直径0.67mmのはんだボール3を振り込み、仮固定する。つまり、実施の形態1に係る半導体装置の製造方法において形成される複数のはんだボール3は、いずれも同寸法であり、同時に形成されることができる。
次に、はんだボール3の溶融・固着がリフロー方式にて行われる。具体的には、フラックスで仮止めされたはんだボール3が搭載された配線基板2がリフロー炉に通されることにより、はんだボール3は第1サーマルパッド10およびBGAパッド15に取り付けられる。
次に、フラックス残渣の洗浄および除去が行われる。フラックス残渣はゴミや異物の原因となり、回路の接触不良や製品の品質低下の原因となる恐れがある。このため、はんだボール3の取り付けが完了した配線基板2から不要成分であるフラックス残渣が洗浄および除去される。具体的には、洗浄液として所定の溶剤が用いられている洗浄装置に配線基板2が投入され、フラックス残渣が取り除かれる。このようにして、はんだボール3が取り付けられている配線基板2を準備することができる。
次に、配線基板2のダイアタッチ用配線パターン8上に半導体素子1を配置する(工程(S20))。具体的には、たとえば半導体素子1の一方の主面に転写によりダイボンド材5を供給し、チップマウンタなどを用いてダイアタッチ用配線パターン8上に半導体素子1を搭載する。その後、半導体素子1および配線基板2をたとえばオーブン等に投入することにより所定の温度に加熱し、ダイボンド材5を加熱固化させる。これにより、半導体素子1は一方の主面の全面がダイボンド材5を介してダイアタッチ用配線パターン8と面接触した状態で固定される。次に、半導体素子1とワイヤ接続用配線パターン7とがAuワイヤ6によって電気的に接続される。このようにして、配線基板2に半導体素子1が配置される。
次に、配線基板2と実装基板4とを接続する(工程(S30))。具体的には、まず実装基板4のBGAパッド16に、スクリーン印刷法によりフラックスを含むはんだペースト(図示しない)が印刷される。次に、配線基板2の下面2Aと実装基板4の第3の主面4Bとが向かい合うようにして、チップマウンタを用いて配線基板2を実装基板4に搭載する。次に、リフロー方式にてはんだボール3が溶融・固着されることにより、はんだボール3は配線基板2において第1サーマルパッド10、第2サーマルパッド12、および配線パターン13と接続されていると同時に、実装基板4のBGAパッド16に接続される。このようにして、実施の形態1に係る半導体装置100を得ることができる。
次に、実施の形態1に係る半導体装置100およびその製造方法の作用効果について説明する。実施の形態1に係る半導体装置100は、半導体素子1が配線基板2に形成されているダイアタッチ用配線パターン8上にダイボンド材5を介して固定されており、ダイアタッチ用配線パターン8は複数のサーマルビア11c,11dを介して第1サーマルパッド10および第2サーマルパッド12と接続されている。そのため、半導体素子1を動作させたときに半導体素子1が発する熱はダイボンド材5を介してダイアタッチ用配線パターン8に伝えられ、さらにサーマルビア11c,11dから第1サーマルパッド10および第2サーマルパッド12に伝えられる。ここで、第1サーマルパッド10は配線基板2の下面2A上に設けられている第1凹部9の第1の底面9Aに、第2サーマルパッド12は第1の底面9Aに対して交差するように設けられている第1の端面9Eに、それぞれ形成されている。そのため、実施の形態1に係る半導体装置の製造方法では、第1の底面9Aの全面、すなわち第1サーマルパッド10の全面と接続されるように、はんだボール3を第1凹部9内に形成することにより、当該はんだボール3を第2サーマルパッド12とも接続ささることができる。このようにすれば、第1サーマルパッド10の面積を増大させることなく、異なる観点から言えばはんだボール3の寸法を増大させることなく、第1の端面9Eに表出している第2サーマルパッド12の面積分だけはんだボール3とサーマルビア11c,11dとの接触面積を大きく設けることができる。その結果、半導体素子1からサーマルビア11c,11dまで伝えられた熱を、第1サーマルパッド10および第2サーマルパッド12を介してはんだボール3に効果的に伝えることができる。
つまり、実施の形態1に係る半導体装置100は、第1の底面9Aの面積をBGAパッド15の面積と同等に設けながらも放熱効率を高めることができるため、第1サーマルパッド10上に形成するはんだボール3とBGAパッド15上に形成するはんだボール3とは同等の径を有するように形成することができる。これにより、実施の形態1に係る半導体装置100は、使用する部品点数や組み立て工数を増大させることなく放熱効率を高めることができる。
(実施の形態2)
次に、図7を参照して、実施の形態2に係る半導体装置100およびその製造方法について説明する。実施の形態2に係る半導体装置100およびその製造方法は、基本的には実施の形態1に係る半導体装置100およびその製造方法と同様の構成を備えるが、配線基板2において、外周サーマルビア11d(図1参照)が円周に沿って形成されており、第1凹部9の第1の端面9Eの全面にわたって第2サーマルパッド12が表出している点で異なる。
次に、図7を参照して、実施の形態2に係る半導体装置100およびその製造方法について説明する。実施の形態2に係る半導体装置100およびその製造方法は、基本的には実施の形態1に係る半導体装置100およびその製造方法と同様の構成を備えるが、配線基板2において、外周サーマルビア11d(図1参照)が円周に沿って形成されており、第1凹部9の第1の端面9Eの全面にわたって第2サーマルパッド12が表出している点で異なる。
つまり、実施の形態2にでは、中央サーマルビア11c(図1参照)を囲うように外周サーマルビア11dが円周状に設けられている。
このようにすれば、実施の形態1に係る半導体装置100およびその製造方法と同等の効果を奏することができるとともに、第1凹部9の第1の端面9Eの全面に第2サーマルパッド12が表出しているため、半導体装置100の放熱効率をさらに高めることができる。
また、実施の形態2におけるサーマルビア11c,11dは、一体のサーマルビアとして形成されていてもよい。具体的には、セラミックグリーンシート上の第1凹部9と重なる領域上に、第1凹部9の直径よりも長い孔径を有する1つのビアホールを形成し、たとえばスクリーン印刷法により当該ビアホール内に高い熱伝導率を有するAgペーストを用いて形成されてもよい。このようにしても、実施の形態1に係る半導体装置100およびその製造方法と同等の効果を奏することができるとともに、第1凹部9の第1の端面9Eの全面に第2サーマルパッド12が表出しているため、半導体装置100の放熱効率をさらに高めることができる。
(実施の形態3)
次に、図8を参照して、実施の形態3に係る半導体装置100およびその製造方法について説明する。実施の形態3に係る半導体装置100およびその製造方法は、基本的には実施の形態1に係る半導体装置100およびその製造方法と同様の構成を備えるが、配線基板2に設けられている第1凹部9の第1の端面9Eにおいて、第1放熱部材としての第2サーマルパッド12が第1凹部9の内周側に向けて突出するように形成されている点で異なる。
次に、図8を参照して、実施の形態3に係る半導体装置100およびその製造方法について説明する。実施の形態3に係る半導体装置100およびその製造方法は、基本的には実施の形態1に係る半導体装置100およびその製造方法と同様の構成を備えるが、配線基板2に設けられている第1凹部9の第1の端面9Eにおいて、第1放熱部材としての第2サーマルパッド12が第1凹部9の内周側に向けて突出するように形成されている点で異なる。
実施の形態3における第2サーマルパッド12は、たとえば第1凹部9がセラミックグリーンシート21に形成された外周サーマルビア26d(図3(E)参照)の形状を維持したまま行われることにより形成される。具体的には、たとえば図3(E)に示すように、一方の主面21Aから他方の主面21Bまで延びる外周サーマルビア26dと、一方の主面21A上に形成されている配線パターン27およびオーバーコートガラス14が形成されたセラミックグリーンシート21の一方の主面21Aに対し、セラミックグリーンシート21を選択的に除去するようなエッチングを施すことにより第1凹部9が形成され得る。この場合、第1凹部9の開口形状は円形状でなく、外周サーマルビア26dの形状に応じたものとなる。このようにすれば、第1凹部9の第1の端面9Eの面積を増大させることができるため、はんだボール3と第1の端面9Eに表出している第2サーマルパッド12との接触面積を増大させることができる。その結果、半導体装置100の放熱効率をさらに高めることができる。
なお、外周サーマルビア26d(半導体装置100における第2サーマルパッド12)の形状は円柱状に限られるものでなく、任意の形状としてもよい。たとえばはんだボール3との接触面積を増大させることができるように、歯車状あるいは表面に凹凸部を有するように設けられていてもよい。
(実施の形態4)
次に、実施の形態4に係る半導体装置100およびその製造方法について説明する。図9を参照して、実施の形態4に係る半導体装置100は、基本的には実施の形態1に係る半導体装置100と同様の構成を備えるが、配線基板2が、半導体素子1が配置されているダイアタッチ用配線パターン8と隣接する領域において上面2Bから下面2A側に延びるように形成されている第2放熱部材としてのサーマルビア17と、下面2Aにおいて第1凹部9以外の領域に形成されているパッド部材としてのBGAパッド15をさらに含み、サーマルビア17はBGAパッド15と接続されているとともに、半導体素子1と接続されている点で異なる。
次に、実施の形態4に係る半導体装置100およびその製造方法について説明する。図9を参照して、実施の形態4に係る半導体装置100は、基本的には実施の形態1に係る半導体装置100と同様の構成を備えるが、配線基板2が、半導体素子1が配置されているダイアタッチ用配線パターン8と隣接する領域において上面2Bから下面2A側に延びるように形成されている第2放熱部材としてのサーマルビア17と、下面2Aにおいて第1凹部9以外の領域に形成されているパッド部材としてのBGAパッド15をさらに含み、サーマルビア17はBGAパッド15と接続されているとともに、半導体素子1と接続されている点で異なる。
このとき、半導体素子1とサーマルビア17とは任意の方法で接続されていればよいが、たとえばダイアタッチ用配線パターン8およびダイボンド材5を介して接続されていればよい。このようにすれば、半導体素子1を動作させたときに半導体素子1が発する熱は、ダイボンド材5およびダイアタッチ用配線パターン8を介してサーマルビア11に伝えられるとともに、サーマルビア17にも伝えられる。このため、半導体素子1から実装基板4に至る熱経路を増やすことができ、半導体装置100の放熱効率をさらに高めることができる。
BGAパッド15とサーマルビア17との間を接続する伝熱部材は任意の構造を有することができる。図9を参照して、伝熱部材は、たとえば配線基板2内において第1サーマルパッド10と同一平面上に形成されている内部配線パターン18と、内部配線パターン18とBGAパッド15とを最短距離で接続するサーマルビア19とにより構成されていてもよい。この場合、半導体装置の製造方法において、第1サーマルパッド10と同時に内部配線パターン18を形成することができ、また、セラミックグリーンシートに第2サーマルパッド12と同時にサーマルビア19を形成することができる。
図6を参照して、実施の形態4に係る半導体装置200における配線基板2には、上面2Bにおいてサーマルビア11およびサーマルビア17の少なくとも一部と重なる領域に第2凹部20が形成されていてもよい。
第2凹部20は、上面2Bに対して下面2A側に陥没している第2の底面20Aと、上面2Bおよび第2の底面20Aとそれぞれ交差する第2の端面20Eとを有している。言い換えると、ダイアタッチ用配線パターン8は第2の底面20A上に形成されており、第2凹部20の第2の端面20Eの少なくとも一部にはサーマルビア17が表出している。この場合、半導体素子1とサーマルビア17とは、たとえば第2凹部20の内部において半導体素子1とダイアタッチ用配線パターン8とを接続するダイボンド材5を介して接続されている。
このようにすれば、半導体素子1から実装基板4に至る熱経路を短くすることができるとともに、半導体素子1からサーマルビア17までの距離を短くすることができる。その結果、半導体装置200の放熱効率をさらに高めることができる。また、ダイボンド材5を第2凹部20の第2の端面20Eと接触するように所定の量だけ供給することにより、半導体素子1とサーマルビア17とを容易に接続することができる。
以上のように本発明の実施の形態について説明を行ったが、上述の実施の形態を様々に変形することも可能である。また、本発明の範囲は上述の実施の形態に限定されるものではない。本発明の範囲は、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更を含むことが意図される。
本発明は、BGA構造を有する半導体装置およびその製造方法に特に有利に適用される。
1 半導体素子、2 配線基板、2A 下面、2B 上面、3 はんだボール、4 実装基板、4A 第3の主面、5 ダイボンド材、6 ワイヤ、7 ワイヤ接続用配線パターン、8 ダイアタッチ用配線パターン、9 第1凹部、9A 第1の底面、9E 第1の端面、10,29 第1サーマルパッド、11c,11d,17,19,26c,26d サーマルビア、12 第2サーマルパッド、13,27 配線パターン、14 オーバーコートガラス、15,16 BGAパッド、18 内部配線パターン、20 第2凹部、20A 第2の底面、20E 第2の端面、21,22,23,24 セラミックグリーンシート、25c,25d ビアホール、28 スルーホール、100,200 半導体装置。
Claims (7)
- 第1の主面と前記第1の主面と反対側に位置する第2の主面とを有し、前記第1の主面上に第1の配線パターンが形成されている配線基板と、
前記配線基板の前記第1の配線パターン上に配置されている半導体素子とを備え、
前記配線基板は、前記第1の配線パターンが形成されている領域において前記第1の主面から前記第2の主面まで延びるように形成されている第1放熱部材を含み、
前記第2の主面において前記第1放熱部材の少なくとも一部と重なる領域に第1凹部が形成されており、
前記第1凹部は、前記第2の主面に対して前記第1の主面側に陥没している第1の底面と、前記第2の主面および前記第1の底面とそれぞれ交差する第1の端面とを有し、
前記第1凹部の前記第1の端面の少なくとも一部には前記第1放熱部材が表出している、半導体装置。 - 前記第1凹部の前記第1の端面の全面において、前記第1放熱部材が表出している、請求項1に記載の半導体装置。
- 前記第1凹部の前記第1の端面において、前記第1放熱部材は前記第1凹部の内周側に向けて突出するように形成されている、請求項1または請求項2に記載の半導体装置。
- 前記配線基板は、前記半導体素子が配置されている前記第1の配線パターンと隣接する領域において前記第1の主面から前記第2の主面側に延びるように形成されている第2放熱部材と、前記第2の主面において前記第1凹部以外の領域に形成されているパッド部材とをさらに含み、
前記第2放熱部材は前記パッド部材と接続されているとともに、前記半導体素子と接続されている、請求項1〜請求項3のいずれか1項に記載の半導体装置。 - 前記配線基板は、前記第1の主面において前記第1放熱部材および前記第2放熱部材の少なくとも一部と重なる領域に第2凹部が形成されており、
前記第2凹部は、前記第1の主面に対して前記第2の主面側に陥没している第2の底面と、前記第1の主面および前記第2の底面とそれぞれ交差する第2の端面とを有し、
前記第1の配線パターンは前記第2の底面上に形成されており、前記第2凹部の前記第2の端面の少なくとも一部には前記第2放熱部材が表出し、
前記第2の端面の少なくとも一部において表出している前記第2放熱部材と前記半導体素子とを接続する伝熱部材をさらに備える、請求項4に記載の半導体装置。 - 前記第2の主面側に位置して前記配線基板と対向する実装基板をさらに備え、
前記配線基板と前記実装基板とは、前記第1凹部の前記第1の底面および前記第1の端面において前記第1放熱部材と接触しているはんだを介して接続されている、請求項1〜請求項5のいずれか1項に記載の半導体装置。 - 第1の主面と前記第1の主面と反対側に位置する第2の主面とを有し、前記第1の主面上に第1の配線パターンが形成されている配線基板を準備する工程と、
前記配線基板の前記第1の配線パターン上に半導体素子を配置する工程と、
前記配線基板と実装基板とを接続する工程とを備え、
前記準備する工程において、前記配線基板は、前記第1の配線パターンが形成されている領域において前記第1の主面から前記第2の主面まで延びるように形成されている第1放熱部材を含み、前記第2の主面において前記第1放熱部材の少なくとも一部と重なる領域には、前記第2の主面に対して前記第1の主面側に陥没している第1の底面と前記第2の主面および前記第1の底面とそれぞれ交差する第1の端面とを有している第1凹部が形成されており、前記第1凹部の前記第1の端面の少なくとも一部には前記第1放熱部材が表出しており、
前記接続する工程では、前記第1凹部の前記第1の底面および前記第1の端面と接触しているはんだを介して前記配線基板と前記実装基板とが接続される、半導体装置の製造方法。
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JP2018073858A (ja) * | 2016-10-24 | 2018-05-10 | 富士通株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
WO2018180178A1 (ja) * | 2017-03-30 | 2018-10-04 | 株式会社村田製作所 | 電子部品 |
-
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- 2014-02-04 JP JP2014019185A patent/JP2015146404A/ja active Pending
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