TWI259632B - Semiconductor laser device and optical pick-up apparatus using semiconductor laser device - Google Patents

Semiconductor laser device and optical pick-up apparatus using semiconductor laser device Download PDF

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TWI259632B
TWI259632B TW093131964A TW93131964A TWI259632B TW I259632 B TWI259632 B TW I259632B TW 093131964 A TW093131964 A TW 093131964A TW 93131964 A TW93131964 A TW 93131964A TW I259632 B TWI259632 B TW I259632B
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Akira Ueno
Yoshiaki Matsuda
Hideyuki Nakanishi
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Matsushita Electric Ind Co Ltd
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Description

1259632 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 發明領域 本發明有關於半導體雷射單元,特別是有關於光碟, 5例如構成將資訊寫入或讀取多樣化數位光碟(dvd)或光碟 (CD)等記《體之光拾㈣之半導體雷射單元及使用該半 導體雷射單元之光拾取裝置。 L· Ji 發明背景 10 近年來,不僅是音樂,在當作影像資訊之記錄媒體上, 乃急速普及著CD系列(CD —ROM、CD —R、CD —RW等) 及 DVD 系列(DVD — ROM、DVD — RW、DVD — RAM)之光 碟驅動器’構成光碟驅動器之心臟部的光拾取裝置,隨著 對應高倍速記錄的高輸出化,對應CD與DVD之兩種規格的 15高功能化,甚至光碟驅動器之薄型化,乃強烈要求小型化。 因此’使用於光拾取裝置之半導體雷射單元就必需改善用 以實現高輸出化之封裝的散熱,對應高功能化的多接腳 化,甚至為了小型化而形成寬度窄的封裝構造。 習知光拾取裳置之半導體雷射單元的一例,乃可舉例 20有本發明之發明人所提案之特許3412609號公報所記載的 裝置,以下說明半導體雷射單元的構造。 第1A圖係習知半導體雷射單元之上面圖,第1B圖係半 導體雷射單元之剝面圖(第1A圖之X — X,線的剝面圖)。 第1A圖、第1B圖所示之半導體雷射單元係由導線框 1259632 1400、樹脂模鑄所成型之封包1410、以受光元件1440積體 且具有用以將雷射光朝封包1410上部反射之45度反射鏡及 接受從光碟反射之光而進行處理之電路的矽基板142〇、藉 由石夕基板1420而設置於封包1410中央部的半導體雷射 5 1430、下面形成有灰階圖案1460且上面形成有全像圖案 1470之全像元件1450所構成。 於具有上述構造之半導體雷射單元,從半導體雷射 1430射出的射出光1480以反射鏡朝封包1410上方反射,而 在灰階圖案1460衍射,透過後,通過準直透鏡或對物鏡等 10光學構件(圖式以外)而到達光碟(圖式以外)。從光碟來的反 射光1490通過相同經過路徑後,在全像圖案147〇衍射而射 入與信號處理電路積體化之受光元件144〇。 但是,以具有止述構造之半導體雷射單元要實現光拾 取衣置之南輸出化,南功能化,小型化的情形下,主要會 15產生兩個課題。其一課題係要改善伴隨高輸出的散熱,另 一課題係要達到伴隨高功能化·小型化的接腳間距的窄小 化。 一般而言,對應高速記錄用光碟驅動器,從半導體雷 射單元來的輸出光必須有2〇〇mW以上的高輸出。伴隨於 20此,雷射之驅動電流會變高且雷射本身溫度也會上昇,由 於雷射之可靠度降低,相對於環境溫度之變化而要穩定地 驅動雷射的話,則有必要以良好效率地將雷射所產生之熱 予以散熱。但是,由於上述習知半導體雷射單元之封包本 身係以熱傳導率低的樹脂(熱傳導率約〇.5w/m/deg)來包 1259632 覆,因此成為熱阻抗高的構造而無法以良好效率散熱。 又,上述習知半導體雷射單元要將封包予以小型化的 情形下,伴隨高功能化之增加接腳數情形乃受到限制,而 且為了要增加接腳數,則必定要使接腳間距窄小化,然而, 5 現有狀態之導線框的加工約在〇.4mm間距為界限,因此無 法弄得比約〇.4mm間隔更窄。 在此說明在當作可對應改善散熱之課題的半導體雷射 單元上,例如有特開2003 — 67959號公報所記載的半導體雷 射單元。 10 第2B圖係特開2003 — 67959號公報所記載的半導體雷 射單元的上面圖,第2A圖係特開2003 —67959號公報所記載 的半導體雷射單元的剝面圖(第2B圖之X 一 X,線的剝面 圖),第2C圖係特開2003 —67959號公報所記載的半導體雷 射單元的剝面圖(第2B圖之Y— Y’線的剝面圖)。 15 第2A、2B、2C圖所示之半導體雷射單元係由搭載著半 導體雷射之雷射單元部1500、搭載著受光元件之光檢測器 1510、設置有雷射單元部1500及光檢測器1510的金屬製基 板1520、於設置有雷射單元部1500及光檢測器1510的部分 具有開口部,並形成配線圖案且安裝於金屬製基板1520之 20 樹脂基板1530所構成。 具有上述構造之半導體雷射單元,由於能從金屬製基 板之内側有效地將半導體雷射所產生的熱予以散熱,因此 能解決改善散熱的課題。 另一方面,在作為可對應接腳間距窄小化之課題的半 1259632 導體雷射單元上,例如有特開2002— 198605號公報所記載 之半導體雷射單元。 第3圖係特開2002 — 198605號公報所記載之半導體雷 射單元的外觀圖。 5 第3圖所示之半導體雷射單元係具有立體形狀之金屬 製島(island)1600、外界部1610及彎曲部162〇,於上端部163〇 經引線(Wire)與接合(Bonding)之可撓性薄片jmo、半導體 雷射1650、受光元件1660所構成。在此說明考量到安裝於 光碟驅動器的情形而弄寬外界部161〇的配線間隔。 1〇 具有上述構造之半導體雷射單元係將可撓性薄片作為 配線基板使用,由於能降低配線寬度,因此能解決接腳間 距窄小化的課題。又,由於能從金屬製島之内側有效地將 半導體雷射所產生的熱予以散熱,因此要改善散熱的課題 亦能同時解決。 仁疋,上述特開2003 —67859號公報所記載之半導體雷 射單凡右是伴隨著小型化而將單元整體弄窄的話,由於樹 月曰基板必需維持開口部,因此就僅要將雷射單元部及光檢 /則:之搭載面積弄窄。另一方面,若是考慮到高功能化, 則田射單凡部及光檢測器之搭載面積就不要縮λΙ、。因此會 /、馬功此化難以兩全的問題。而且,上述特開2〇〇3 67959號公報並無相關具有衍射柵等光學元件之半導體 雷射單元的4^ 、, 的纪述,因此上述特開2003 —67959號公報所記载 半‘體田射單元若是考量到也包含安裝光碟驅動器時使 光予元件之高積體化的情形下,則也會有光學元件無 1259632 法固定於封包上的問題。 又,上述特開2002— 198605號公報所記載之半導體雷 射單元建構成於立體形狀之其他部分搭載著發光元件及受 光元件,且於其他部分貼附可撓性薄片的構成,故處理方 5 法變得複雜,不僅會有難以縮短作業時間且亦難以確保位 置精確度的問題。而且以拉線方式進行發光元件及受光元 件之電性連接之可撓性薄片的端子部,如第3圖所示那般地 彎曲而貼附於金屬製島,因此亦會有作業複雜化而難以維 持接著強度的問題。 10 【發明内容】 發明概要 本發明之第1目的係有鑑於上述問題點而提供具有組 裝容易之簡單的構造,散熱容易且可兩全小型化與高功能 化的半導體雷射單元者。 15 又,本發明之第2目的在於提供可包含光學元件之高積 體化的半導體雷射單元者。 為了達到上述目的,本發明之半導體雷射單元係具有 其具備有發光元件及受光元件的受光發光部、第1配線基 板、設置前述受光發光部及第1配線基板者,其特點在於: 20 前述受光發光部及第1配線基板並列設置於前述金屬板 上,前述第1配線基板具有與前述受光發光部連接之複數第 1端子所構成之第1端子群,前述金屬板之寬度與前述第1配 線基板及受光發光部的寬度之其中任何較大的一方約一 致。在此說明前述半導體雷射單元更具有可使射入前述受 1259632 光元件及從前述發光元件射出^透過的光學元件’前述 光學元件可配置於前述第卜第2配線基板上。 依據上述構造’僅依受光發光部及配線基板之寬度而 決定半導體雷射單元的大小,因此能實現可兩全高功能化 5與小型化的半導體雷射單元。又,由於發熱源即受光發光 部之正下方全為金廣所構成’因此月b貝現谷易散熱的半導 體雷射單元。而且,由於係於金屬板上以面安裝構成的構 造,故可達到能實現容易安裝之半導體雷射單元的效果。 前述半導體雷射單元更具有對向以夾著前述受光發光 10部而設置於前述金屬板上的第2配線基板,前述第2配線基 板具有與前述受光發光部連接之複數弟2端子所構成的第2 端子群,前述第2端子群係在前述寬度方向上並列第2端子 所構成,前述第2配線基板之寬度與前述第1配線基板之寬 度約一致。 15 藉此構造,由於半導體雷射單元具有可與受光發光部 連接的複數端子,因此能實現可伴隨高功能化之多接腳化 的半導體雷射單元。 又,前述半導體雷射單元更具有將前述第1、第2配線 基板之配線拉出至前述金屬板外部的外部配線基板,前述 20外部配線基板具有與前述第1、第2端子群之端子電性連接 的複數外部端子,前述外部端子之端子間隔可比前述第i、 弟2端子之端子間隔寬。 藉此構造,由於能將與外部連接之端子的間隔弄寬, 故能實現在安裝至光碟驅動器之際之容易電性連:的:導 10 1259632 體雷射單元。 又,前述第1、第2配線基板及外部配線基板乃能以樹 脂夾著金屬配線的一個可撓性薄片。 藉此構造,可撓性薄片可應用於配線基板,故能實現 5 以降低配線寬度而可多接腳化之半導體雷射單元。又,前 述外部配線基板可進行容易彎曲的加工。 藉此構造,於配線基板施予構成彎曲之起點的加工, 故能實現降低在彎曲配線基板之際所產生之受光發光部之 負荷的半導體雷射單元。 10 又,前述第1、第2端子群於前述受光發光部及與前述 第1、第2配線基板並列之長邊方向正交的寬度方向,並列 前述第1、第2端子,前述第1、第2配線基板可具有複數列 前述第1、第2端子群。 藉此構造,即使是多接腳亦可實現可確保引線接合所 15 必要之端子面積的半導體雷射單元。 又,前述第1、第2端子於前述複數列之第1、第2端子 群之中接近前述受光發光部之列,可具有比不接近之列的 前述第1、第2端子大的面積。 藉此,能將端子的面積弄得比實際引線接觸面積寬, 20 故可容易地進行組裝中的引線接合,且能實現防止引線之 間干擾的半導體雷射單元。 又,前述第1、第2配線基板及外部配線基板之配線的 一部分可比其他配線的剝面積大。 藉此構造,能作大施加大電流之配線的剝面積,故能 1259632 降低在施加大電流之配線之發熱的上昇,因此能實現抑制 半導體雷射單元整體溫度上昇的半導體雷射單元。 又,前述第1、第2配線基板可更具有可從外部電性連 接之複數評價用端子。 5 藉此構造,配線基板於金屬基板上具有評價用端子, 因此可實現能在半導體雷射單元組裝中途可評價受光發光 元件的半導體雷射單元。 又,前述半導體雷射單元更具有可使射入前述受光元 件及從前述發光元件射出之光透過的光學元件,前述第1、 10 第2配線基板形成具有比其他部分厚度的大光學元件支撐 部,前述光學元件可載置於前述第1、第2配線基板的光學 元件支撐部。 藉此構造,即使所搭載之光學元件不施予加工亦能確 保受光發光部與光學元件的距離,因此能實現削減光學元 15 件之加工的半導體雷射單元。 又,前述光學元件可形成使射入該光學元件之光衍射 的圖案。 藉此構造,能實現可更包含光學元件之高積體化的半 導體雷射單元。又,可將習知光碟驅動器組裝時設置之衍 20 射柵或全像元件積體於半導體雷射單元,而可削減光拾取 裝置之元件數量,因此能實現可降低成本的半導體雷射單 元。 又,前述光學元件可於外周部具有圓弧形狀。 藉此構造,以將光拾取裝置之半導體雷射單元插入部 12 1259632 設成對應前述光學元件之圓弧形狀的形狀,而僅以旋轉調 整即能進行對光拾取裝置的安裝,因此能實現容易進行光 拾取裝置之安裝的半導體雷射單元。 又,前述金屬板可於前述受光發光部及前述第1、第2 5 配線基板並列之長邊方向面端具有未設置前述第1、第2配 線基板及受光發光部的露出部。 藉此構造,藉使金屬板所露出之表面側接觸要安裝半 導體雷射單元的光拾取裝置,而能達到不僅能從金屬板内 面散熱,且能從表面散熱的寬廣散熱,因此能實現可具有 10 良好散熱效率的半導體雷射單元。 又,於前述金屬板之露出部可形成對向而位於前述寬 度方向夾著該金屬板之露出部的固定用缺陷部。 藉此構造,可確實地固定金屬板以於調整固定光學元 件之際使發光點不會移動,因此能實現可進行穩定安裝的 15 半導體雷射單元。 又,前述金屬板可於前述長邊方向的兩端具有圓弧形 狀。 藉此構造,使光拾取裝置之半導體雷射單元插入部設 成對應前述金屬板之圓弧形狀的形狀,將不會對光學元件 20 及接著部造成負荷而能進行旋轉調整,而能實現可防止因 光拾取裝置之組裝調整之負荷所造成無法獲得希望特性之 故障的半導體雷射單元。 又,前述金屬板之寬度於前述露出部可比前述金屬板 之其他部分的寬度窄。 13 1259632 藉此構造,即使於半導體雷射單元之安裝於光拾取裝 置上進行旋轉調整,金屬板之端部亦不會從光拾取裝置露 出,因此能實現於安裝光拾取裝置後亦可收納於希望之尺 寸内的半導體雷射單元。 5 又,本發明亦可為具有前述半導體雷射單元為特點的 光拾取裝置。 藉此構造,可兩全高功能化與小型化,且由於可將效 率良好地散熱之半導體雷射單元搭載於光拾取裝置,因此 能實現可小型化、高功能化及高輸出化的光拾取裝置。 10 由以上說明可清楚得知依據本發明之半導體雷射單元 的話,可藉受光發光部及配線基板的寬度而決定半導體雷 射單元的大小,因此可達到能實現兩全高功能化與小型化 之半導體雷射單元的效果。 又,依據本發明之半導體雷射單元,由於係面安裝各 15 個構件的構造,且在組裝上不必要複雜的工程,因此能達 到可實現組裝容易之半導體雷射單元的功效。 又,依據本發明之半導體雷射單元,由於可應用可撓 性薄片作為精細間距之配線基板,因此可達到能實現伴隨 高功能化同時能實現多接腳化及薄型化之半導體雷射單元 20 的效果。即,能實現薄型且多功能的光碟驅動器。 又,依據本發明之半導體雷射單元,由於發熱源即受 光發光部之正下方全部以金屬來構成,因此可達到能實現 可良好效率地散熱之半導體雷射單元的效果。即,能實現 可在比習知更高環境溫度下使用的光碟驅動器。 l259632 5 10 15 20 又,依據本發明之半導體雷射單元,僅以將補材貼附 於配線基板而於其上載置光學元件,而不需要用以防止光 擎元件與引線接觸之光學元件的加工,因此能達到容易安 衣且旎貫現特性穩定之廉價之半導體雷射單元的欵果。
又依據本發明之半導體雷射單元,能防止由於在配 線基板施予形成彎曲之起點的加工,而於折彎配線基板 ^,施加於配線基板與其接著固定之光學元件的界面、以 及4屬板與配線基板之界面的負荷所造成的剝離,因此可 達到能實現可防止配線基板之彎曲所造成剝離之半導體雷 射單元的效果。即,能實現將半導體雷射單元安裴於光拾 取裝置之際,不會造成應力的半導體雷射單元。
又依據本發明之半導體雷射單元,於配線基板形j 複數列之端子群,以將複數列之端子群設成交錯柵狀配歹 而能將墊的面積設得比實際引線接觸面積寬,因此可達至 防止引線接合不良,能實現可降低組裝之不良之半導體f 射單兀的效果。而且,引線接合之自由度(引線之繞線等 擴大此防止引線之間的干擾,因此能實現可降低組裝< 不良的半導體雷射單元。 又,依據本發明之半導體雷射單元,由於时剝㈣ 大:配線作為電流量多的配線,可抑制伴隨著施加電^ =的發熱’在作為單元上可削減對於半導體雷射之射 負二因此可達到能麵雷射之可靠度的效果,可實現倉 穩疋地動作的半導體雷射單元。 又’依據本發明之半導體雷射單元,由於在金屬板」 15 1259632 的配線基板形成評價用墊,在設置光學元件之際的位置調 整上,能確實地押上探針而使其電性接觸,因此即使於多 接腳化情形下,亦可達到能實現容易進行光學調整之半導 體雷射單元的功效。 5 又,依據本發明之半導體雷射單元,由於具有使射向 受光元件之入射光及從發光元件來之射出光衍射的光學元 件,能將習知設置於半導體雷射單元外侧之衍射栅或全像 元件予以積體化,因此可達到能實現削減光碟驅動器之構 件數量之半導體雷射單元的效果。 10 又,依據本發明之半導體雷射單元,由於半導體雷射 單元具有於外周部具有圓弧形狀的光學元件,而將光拾取 裝置之半導體雷射單元插入部設成對應前述光學元件之圓 弧形狀的形狀,藉此將半導體雷射單元安裝於光拾取裝置 之際,僅進行旋轉調整半導體雷射單元即可,因此可達到 15 能實現容易組裝之半導體雷射單元的效果。 又,依據本發明之半導體雷射單元,由於金屬板之兩 端具有未被配線基板包覆的露出部,而使此露出的金屬板 表面侧接觸光拾取裝置,藉此不僅可從金屬板内面散熱且 能從表面散熱之寬廣的散熱,因此可達到能實現可良好效 20 率地散熱之半導體雷射單元的效果。即,能在比習知高的 環境溫度下使用而能實現高倍速記錄光碟驅動器。 又,依據本發明之半導體雷射單元,由於金屬板具有 固定用缺陷部,調整組裝光學元件時將已設置發光元件及 基板的金屬板能確實固定不會在X — Y面及Z軸方向偏移, 16 1259632 因此可達到能實現容易進行光學元件之光軸調整之半導體 雷射單元的效果。 又,依據本發明之半導體雷射單元,由於將半導體雷 射單元插人部設成對應前述金屬板之圓弧形狀的雜,# 5此於金屬板進行旋轉調整,因此不會對光學元件及接著部 等加諸負荷而能進行旋轉調整,而能實現可防止因光拾取 裝置之組裝調整之負荷所造成無法獲得希望特性之故障的 半導體雷射單元。 又,依據本發明之半導體雷射單元,由於半導體雷射 · 10單兀之金屬板於露出部,在寬度方向的長度比其他部分 短,在半導體雷射單元安裝於光拾取裝置而進行旋轉調 整,金屬板之端部不會從光拾取裝置露出,因此可達到能 貝現在女裝光碟驅動器之後亦能收納於希望之尺寸内之半 導體雷射單元的效果。 15 又,依據本發明之光拾取裝置,由於光拾取裝置於半 導體雷射單元之金屬板内面具有散熱區塊,又,由於金屬 板與光拾取裝置接觸,因此可達到能實現可藉高散熱特丨生 · 所構成之穩定的動作之半導體雷射單元的效果。 又,依據本發明之光拾取裝置,由於半導體雷射單元 · 0應用可撓性溥片作為配線基板,而半導體雷射單元之可撓 H4片與其他可撓性薄片的配線連接係於光拾取裝置外部 之焊錫連接處進行,因此可達到能實現大幅削減於安裝光 拾取裝置時之對於半導體雷射單元本身之熱的負荷之光拾 . 取裝置的效果。即,能實現不會發生形成在光學元件之灰 17 1259632 階圖案或全像圖案上之無反射防止膜之剝離或接著劑之軟 化所造成光學元件的位置偏移,且不會發生特性劣化或降 低可靠度的光碟驅動器。 爰此,依據本發明,可提供具有易於組裝之簡單的構 5 造,容易散熱且可兩全小型化與高功能化之半導體雷射單 元,能實現可高功能化及高輸出化之光拾取裝置而極具實 用上的價值。 圖式之簡單說明 第1A圖係特許第3412609號公報所記載之習知半導體 10 雷射單元的上面圖。 第1B圖係同半導體雷射單元之剝面圖(第1A圖之X — X’線的剝面圖)。 第2A圖係特許第2003 — 67959號公報所記載之習知半 導體雷射單元的剝面圖(第2 B圖之X — X ’線的剝面圖)。 15 第2B圖係同半導體雷射單元的上面圖。 第2C圖係同半導體雷射單元的剝面圖(第2B圖之Y — Y’線的剝面圖)。 第3圖係特許第2002 — 198605號公報所記載之習知半 導體雷射單元的外觀圖。 20 第4A圖係本發明之第1實施樣態之半導體雷射單元的 上面圖。 第4B圖係同實施樣態之半導體雷射單元之剝面圖(第 4A圖之X —X’線的剝面圖)。 第5A圖係第2實施樣態之半導體雷射單元的上面圖。 1259632 第5B圖係同半導體雷射單元之剝面圖(第5A圖之X — X’線的剝面圖)。 第6圖係第3實施樣態之半導體雷射單元的上面圖。 第7圖係第4實施樣態之半導體雷射單元的上面圖。 5 第8圖係第5實施樣態之半導體雷射單元的上面圖。 第9A圖係第6實施樣態之半導體雷射單元的上面圖。 第9B圖係同半導體雷射單元之剝面圖(第9A圖之X — X’線的剝面圖)。 第10A圖係第7實施樣態之半導體雷射單元的上面圖。
10 第10B圖係同半導體雷射單元之剝面圖(第10A圖之X 一 X ’線的剝面圖)。 第11A圖係已安裝同實施樣態之半導體雷射單元之光 拾取裝置700的上面圖。 第11B圖係同光拾取裝置700的剝面圖。 15 第11C圖係用以說明光碟750上之3個光束的照射位置。 第12A圖係同實施樣態之光學元件900的剝面圖。 第12B圖係同光學元件900之剝面圖(第12A圖之X —X’ 線的剝面圖)。 第13圖係第8實施樣態之半導體雷射單元的上面圖。 20 第14圖係固定同實施樣態之半導體雷射單元之際的概 略剝面圖。 第15圖係第9實施樣態之半導體雷射單元的上面圖。 第16A圖係第10實施樣態之光拾取裝置1200的上面圖。 第16B圖係同實施樣態之光拾取裝置1200的剝面圖。 19 1259632 【實施令式】 較佳實施例之詳細說明 以下參照圖式來説明本發明之實施樣態之半導體雷射 Χ1Π 早元。 5 第4A圖係第1實施樣態之半導體雷射單元的上面圖,第 4B圖係半導體雷射單元之剝面圖(第4A圖之X —χ,線的剝 面圖)。 本實施樣態之半導體雷射單元係以實現容易散熱且能 兩全高功能化與小型化之半導體雷射單元為目的者,由表 · 10面施予鎳及金電鍍之銅所構成之金屬板100、半導體雷射 110、利用(111)面之45度微鏡所形成而積體光檢測電路即受 光元件及信號處理電路之矽基板η〇、以金屬例如銅為配線 而夾著樹脂例如聚醯亞胺之可撓性薄片13〇、以金線形成而 分別電性連接半導體雷射11〇、矽基板12〇及可撓性薄片13〇 15的引線14〇、使從半導體雷射11〇射出之光及射入受光元件 之光透過之玻璃基板等的光學元件15〇所構成。又,將本半 導體雷射單元搭載於光碟驅動器之際,從金屬板100向外伸 傷 出之可撓性薄片130被折彎而安裝。 — 金屬板100具有與矽基板120之寬度及可撓性薄片130 ' 20 之覓度之其中任何較大的一方約一致的寬度d,例如具有 - 3mm的寬度。此時,金屬板1〇〇之寬度d為3mm,故能滿足 例如用以實現筆記型電腦用薄型光碟驅動器之3mm以下寬 度那般的期望。又,在能防止本半導體雷射單元安裝於光 拾取裝置之後之金屬板露出的範圍内,金屬板100可具有比 · 20 1259632 矽基板120之寬度及可撓性薄片130之寬度之其中任何較大 者更大的寬度。 可撓性薄片130於金屬板100上分為二個,該分為二個 的可撓性薄片130對向配置以夾著矽基板120。在此說明可 5 撓性薄片130之配線端子部具有金屬板100上的内部130a、 金屬板100外部之外界部130b之不同端子間隔,内部130a為 例如具有0.1mm x0.3mm面積之複數的塾並列形成於寬度 方向,外界部130b為例如以端子寬度〇.35mm、間距寬度 0.65mm並列形成墊,以使在安裝於光碟驅動器之際不會發 10 生電性短路等情形。 光學元件150如第4B圖所示具有凹形狀,設置於金屬板 100上之可撓性薄片130上,以包覆矽基板120及引線140。 於具有上述構造之半導體雷射單元,從半導體雷射110 來的光藉著反射鏡(圖式之外)而垂直地上昇,透過光學元件 15 150而射出至外部。從光碟(圖式之外)來的反射光通過相同 的路徑後,透過光學元件150而射入受光元件。 如上所述依據本實施樣態之半導體雷射單元,矽基板 120及可撓性薄片13〇並列金屬板10Q而設置。因此與習知技 術即特開2003 — 67959號公報不同,矽基板之面積被可撓性 20薄片之形狀影響,故本實施樣態之半導體雷射單元能實現 可對應更高功能化要求的半導體雷射單元。 又,依據本貫施樣恶之半導體雷射單元,金屬板1〇〇 與矽基板120之寬度及可撓性薄片13〇之寬度之其中任何較 大之一方約一致。因此,依矽基板及可撓性薄片之寬度而 21 1259632 決定半導體雷射單元的大小,而以將矽基板及可撓性薄片 之其中任何具有較大寬度之一方的寬度弄小而能使半導體 雷射單元小型化,因此本實施樣態之半導體雷射單元能實 現可對應更小型化要求之半導體雷射單元。 5 又,依據本實施樣態之半導體雷射單元,半導體雷射 單元於金屬板上設置並組裝矽基板120及可撓性薄片130。 故在組裝上不需要複雜的步驟,因此本實施樣態之半導體 雷射單元能實現容易組裝的半導體雷射單元。 又,依據本實施樣態之半導體雷射單元,可應用可撓 10 性薄片130作為精細間距的配線基板。爰此,能將習知導線 上有界限之内部的配線間距寬度弄細至約1/5,因此本實 施樣態之半導體雷射單元能實現高功能化且能同時實現多 腳化與小型化的半導體雷射單元。 即,以將半導體雷射單元使用於光碟驅動器之光拾取 15 裝置,而能實現薄型且多功能的光碟驅動器。 又,依據本實施樣態之半導體雷射單元,矽基板120 設置於金屬板100上。爰此,發熱源即受光發光部之正下方 全部以金屬構成,因此本實施樣態之半導體雷射單元可實 現容易散熱之半導體雷射單元。 20 即,以將半導體雷射單元使用於光碟驅動器之光拾取 裝置,而能實現可使用於比習知高環境溫度的光碟驅動器。 又,本實施樣態之半導體雷射單元將玻璃基板使用於 包覆矽120及引線140的罩蓋,惟,只要是由可透過半導體 雷射之光的材料所構成之罩蓋的話就不限於此,例如可為 22 1259632 聚烯烴等樹脂所構成的罩蓋。 (實施樣態2) 第5A圖係第2實施樣態之半導騁+ ^ σσ ^射早元的上面圖,笛 5Β圖係半導體雷射單元之剝面圖(第5八圖之χ —口昂 的 面圖)。又,對於與第侧、第4Β_同要件戰予=制 標號,而省略有關此等之詳細說日月。 5 材 10
本實施樣態之半導體雷射單元在設置光學元件 為設置於可撓性薄片上之點乃與上述第i實施樣態之:: 體雷射單元不同,乃由金屬板100、半導體雷射ιι〇 = 板⑽、可撓性薄㈣、物4G、使從半導體雷射^ 出之光及射人受光元件之光透過之_基板等光學元t 200、補材210所構成。 1千 設置於補材 光學元件200作成第5B圖所示之板形狀 210而包覆矽基板120及引線140。 15 補材210以樹脂形成而貼附於可撓性薄片130之光學元
件200的設置位置。又,將補材21〇設成可繞性薄片13〇之一 部分,而補材210之形成可於製作可撓性薄片13〇時一併進 行0 如上所述依據本實施樣態之半導體雷射單元,光學元 20件200與可撓性薄片130之間插入補材21〇而防止光學元件 200與引線140之接角蜀。爰此,京尤不必要進行用&防止光學 元件與引線之接觸之形成凹形狀等之光學元件的加工,由 於可削減光學兀件之材料成本,因此本實施樣態之半導體 雷射單元可實現廉價的半導體雷射單元。 23 1259632 又,依據本實施樣態之半導體雷射單元,補材210貼附 於可撓性薄片130之光學元件200的設置位置。爰此,僅以 將光學元件設置於補材上即能進行半導體雷射單元之組 袭,因此,本實施樣態之半導體雷射單元容易組裝且能實 5現特性穩定之半導體雷射單元。 (實施樣態3) 第6圖係第3實施樣態之半導體雷射單元的上面圖。 又,對於與第5A圖、第5B圖相同要件則賦予相同的標號, 而省略有關此等之詳細說明。 10 本實施樣態之半導體雷射單元在於可撓性薄片施加易 折彎的加工之點乃與上述第2貫施樣態之半導體雷射單元 不同,乃由金屬板100、半導體雷射110、矽基板120、可撓 性薄片130、光學元件200、形成在金屬板100之外部的可撓 性薄片130之折彎部而構成折彎之起點之半圓狀折彎用導 15 引溝300所構成。 如上所述依據本實施樣態之半導體雷射單元,於可撓 性薄片130形成構成折彎之起點之導引溝300。爰此,將可 撓性薄片折彎時,能防止施加於與可撓性薄片接著固定之 光學元件的界面、以及金屬板與可撓性薄片之界面的負荷 20 所造成的剝離,因此’本貫施樣恶之半導體雷射單元可實 現防止折彎可撓性薄片所造成之剝離的半導體雷射單元。 即’本半導體雷射單元使用柔軟、容易屈折之可撓性 薄片,由於其可撓性薄月被施予可折彎的加工,因此於安 裝光拾取裝置之際’能貫現不會加諸應力的半導體雷射單 24 1259632 元0 又,本實施樣態之半導體雷射單元,係形成予導引溝 3_為折'彎之起點’惟若是能易折弯可挽性薄片,則不限 於此’亦可形成楔子狀之導引構件或於内面形成溝作為折 . 5 彎的起點。 (實施樣態4) 第7圖係第4實施樣態之半導體雷射單元的上面圖。 又’對於與第6圖相同要件則賦予相同的標號,而省略有關 此等之詳細說明。 馨 1〇本實施樣態之半導體雷射單元在於可撓性薄片之内部 之:部分的塾面積大之點與上述第3實施樣態之半導體雷 射單元不同般而。’引線接合步驟於識別對象物内之 某特定圖案之後’進行墊間之弓i線接合。因此,於各個裝 置若是引線接合用墊與識別用圖案之間有位置偏移的話, 15會有發生引線接合不良的可能性。以下具體性地說明。 本貫施樣悲之半導體雷射單元由金屬板1〇〇、半導體冑 射no、石夕基板12〇、光學元件200、具有導引溝3〇〇之可挽 · 性薄片400所構成。 - 可撓性薄片400於金屬1〇〇上分為二個,該分為二個的 - 20可撓性薄片400位於對向以夾著矽基板120。在此說明可撓 · 性薄片400之配線端子部在金屬板100上之内部4〇加與金屬 板100外部之外界部130b不同的端子間隔。又,可撓性薄片 400於内部400a具有複數列於寬度方向並排—列之複數的 · 墊所構成的端子群,例如具有二列,複數列之端子群具有 25 1259632 於接近矽基板120之列比遠的列的端子群之墊面積較大面 積的塾,而構成即所謂千鳥栅配列。例如墊於内側具有(接 近矽基板120之列)〇.i5mm x0.23mm,外側(距矽基板120較 返之列)具有0.15mm x0.3mm的面積。藉上述構成將石夕基板 5 120之端子群的墊寬度設得比約80 // m之引線本身之接觸部 更寬,即使墊面積之位置有偏移亦能設成可充分引線接合 的大小,因此本實施樣態之半導體雷射單元能實現可減低 組裝之不良的半導體雷射單元。 又,依據本實施樣態之半導體雷射單元,接近可撓性 10薄片400之内部400a之矽基板120之列之端子群的墊面積比 遠的列之端子群的面積大。爰此,可擴大在引線接合的自 由度(引線之繞線等),而能防止引線之間的干擾,因此本實 施樣態之半導體雷射單元能實現可更降低組裝之不良的半 導體雷射單元。 15 第8圖係第5實施樣態的半導體f射單元的上 又,對於與㈣相同要件則_相同的魏 = 此等之詳細說明。 略有關 20 本實施樣態之半導體雷射單元在於可撓性 電流量多之配線的剝面積比其他配線之剝面積大之㈣為 述第4實施樣態之半導體雷射單元不同,由金屬板1〇〇 = 導體雷射no、絲板12〇、光學元件·、呈 + 之可撓性薄片500所構成。 、丨4300 可撓性薄片於金屬1〇0上分為二個,該分為二個的 26 1259632 可撓性薄片500位於對向以夾著矽基板120。在此說明可撓 性薄片500之配線端子部具有内部400a與外界部130b,電流 量多的配線例如在作為用於半導體雷射或信號處理電路用 之電流供給配線乃具有比其他配線之剝面積大的配線 5 5〇〇c。例如其他配線之粗細為80//m的情形下,配線500c 之粗細設為150//m寬。又,配線之剝面積依據配線的寬度 及厚度而決定。 例如,半導體雷射之驅動電流為記錄用途的情形下, 脈波電流有達到500mA的可能性,工作率為50%而平均化 10 15 20 亦會流通250mA的電流,又,可撓性薄片之配線即銅箔的 厚度一般使用35 // m者,因此施加250mA電流時之溫度上昇 情形’在配線寬度為80//m會有50°C以上的可能性,而將配 線5 00c的粗細設為15 〇 // m的狀態下,可抑制溫度上昇一半。 如上所述,依據本實施樣態之半導體雷射單元,可撓 性薄片5⑻在電流量多的配線方面具有剝面積大的㈣ 500c。疫此,能抑制因施加電流所伴隨之配線的發熱,而 在單元方面能肖m對於雷射之熱的負荷,故能實現_ 雷射之可靠度科導體雷射單元。而且,”現降_配 線部之發熱所造成對於可撓性薄片㈣基板電 的半導體雷射單元。 …、貝何 即’由於能抑制發熱源即在受光發光部q 因此能實現於雷射之必須高輸出動作的記錄二 定動作的半導體雷射單元。 亦施 (實施樣態6) 27 1259632 第9A圖係第6實施樣態之半導體雷射單元的上面圖,第 9B圖係半導體雷射單元之剝面圖(第9A圖之X —X,線的剝 面圖)。又,對於與第8圖相同要件則賦予相同的標號,而 省略有關此等之詳細說明。 5 本實施樣態之半導體雷射單元,在設置使射入射出光 透過而使從外部來的入射光衍射的光學元件,且於金屬板 上的可撓性薄片設置用以固定光學元件之評價用電極墊之 點,與上述第5實施樣態之半導體雷射單元不同,由金屬板 100、半導體雷射110、矽基板120、引線140、具有導引溝 10 300之可撓性薄片600、使射入射出光學元件透過、衍射之 光學元件610、補材210所構成。 可撓性薄片600於金屬100上分為二個,該分為二個的 可撓性薄片600位於對向以夾著矽基板120。在此說明可撓 性薄片600之配線端子部具有内部4〇〇a與外界部13〇b,在作 15為電流量多的配線方面乃具有比其他配線之剝面積大的配 線500c。又,可撓性薄片6〇〇於金屬板1〇〇上具有使用於與 探針接觸而檢測對於半導體雷射110之施加電流及從受光 部來的信號等的評價用電極墊60加。 光學元件610如第9B圖所示具有設成板形狀,使從光碟 20來的反射光620衍射而射入受光部的全像圖案610 a,設置於 補材210上並包覆矽基板12〇及引線14〇。 補材210以樹脂形成並貼附於可撓性薄片600之光學元 件610的設置位置。又,可將補材21◦設為可撓性薄片_之 邰刀而於‘作可撓性薄片600時一併進行形成補材210。 28 1259^32 如上所述,依據本實施樣態之半導體雷射單元,半導 體雷射單元具有使從光碟來的反射光620衍射的光學元件 610 °爰此,能積體習知設於半導體雷射單元外側之光學元 件’因此本實施樣態之半導體雷射單元能實現削減光碟驅 5 * 動器之構件數量的半導體雷射單元。 又’依據本貫施樣態之半導體雷射單元,可挽性薄片 6〇〇於金屬板1〇〇上具有評價用電極墊600a。爰此,一邊使 半導體雷射發光而一邊確認從矽基板之光檢測部所獲得之 ι彳3唬而進行之光學元件的設置之際的位置調整上,使探針 41 電性接觸位於金屬板上之前述評價用電極墊的話,能比使 探倾觸可撓性薄片之外界部更確實地接觸,因此本實施 尺〜、之半$體雷射單元能貫現於多接腳化的情开)下亦能容 易光學調整的半導體雷射單元。 (實施樣態7) 15 第1GA®係第7實施樣態之半導體雷射單元的上面圖, 第10B圖係半導體雷射單元之剝面圖(第i〇a圖之χ —X,線 的剝面圖)。又,對於與第9Α、9Β圖相同要件則賦予相同的 · 標號’而省略有關此等之詳細說明。 本實施樣態之半導體雷射單元,由金屬板刚、半導體 . 2〇雷射11〇、石夕基板120、引線140、具有導引溝3〇〇之可挽性 薄片600、使射人射出光學元件透過、衍射之光學元件_ 所構成。 光學元件於距離半導體雷射單元削遠的面,料 - 使從光碟75G來的反射光62G衍射而射人受光部的全像誠 . 29 1259632 800a,於接近半導體雷射no之面,具有衍射雷射光學元件 而形成二光束之灰階圖案8〇〇b,對發光點進行光軸調整 後,設置於可撓性薄片600上以包覆矽基板12〇及引線14〇。 光學元件800形成凹形狀,並於外周部具有以光學元件8〇〇 5 之中心部為中心的圓形弧狀。 第11A圖係已女裝上述半導體雷射單元之光拾取裝置 700的上面圖,第11B圖係同光拾取裝置7〇〇的剝面圖。 光拾取裝置700係三光束光學系統的光拾取裝置,由半 導體雷射單元710、準直透鏡72〇、反射鏡73〇、對物透鏡 10 15 20 740、具有圓弧形狀的凹部且半導體雷射單元71〇能以可旋 轉的狀態插入的插入部760所構成。 於-有上述構造之光拾取裝置7〇〇,以半導體雷射單元 710内之光學元件而三分割之雷射光,通過準直透鏡720、 反射鏡730、對物透鏡74〇而照射於光碟75〇。 ;光茱750上’例如第nc圖所示之位置照射三光束, 因此藉著旋轉半導體雷射單切〇而能調整以使光碟750上 的光束,、、、射位置付合預定的位置。藉此調整,於記錄系 統之光拾取上不會因對物透鏡移位所造成之軸偏移等而導 致1進行正確的記錄的問題,而能進行確實的軌道檢測。 半導體雷射單元7K)安裝於光拾轉置 將半導體雷射單亓71Π々上μ 7’月ν 早7071(3之料料___狀配合插入 :r圓:形狀進行製作,在咖^ 部7斷圓弧雜而使切财射單元 710旋轉的情形下進行。 30 1259632 如上所述,依據本實施樣態之半導體雷射單元,光學 元件800具有與插入部760之圓弧形狀配合之圓弧形狀的外 周部,又,光學元件800對發光點進行光輛調整後,設置於 可撓性薄片600上。爰此,於半導體雷射單元安裝於光拾取 5裝置之際,僅進行旋轉調整即可,因此本實施樣態之半導 體雷射單元能實現可容易安裝於光拾取裝置的半導體雷射 單兀。 即,特许第3412609號公報所記載之半導體雷射單元的 情形,為安裝光拾取裝置時旋轉調整部即封包之凸狀的外 10側圓弧部不一致於發光點的光軸,因此不僅要旋轉調整且 必須進行在相對於雷射光之行進方向之垂直的面内的調 整,但疋,本貫施樣態之半導體雷射單元於安裝光拾取裝 置日守已進行光學元件的光軸調整,因此僅需要進行旋轉調 整。 15 又’本貫施樣態之半導體雷射單元中,光學元件800 於外周部具有圓弧形狀,而將此構造利用於旋轉調整。但 是如第12A圖、第12B圖之光學元件900之上面圖、剝面圖 所示,光學元件900於端部具有段差,於其段差之上段的外 周部具有圓弧形狀,也可將此構造利用於旋轉調整。 20 又’光學元件8〇〇設成凹形狀而設置於可撓性薄片600 上。但是半導體雷射單元以樹脂形成,具有貼附於可撓性 薄片之光學元件之設置位置的補材。光學元件也可設成板 形狀而设置於補材上。 (實施樣態8) 31 1259632 以下參照圖式來說明本於明夕奋 凡π明之貝施樣態的半導體雷射 口口 一 早兀0 第13圖係第8實施樣態之半導體雷射單元的上面圖。 又’與第圖、第_圖相同之要件則賦予相同的標號而 5省略相關此等要件之詳細說明。 本κ施抓悲之半導體雷射單元在外側之金屬板露出, 又,於金屬板形成固定缺陷部之點與上述第7實施樣態之半 導體雷射單元不同,係由半導體雷射110、矽基板12〇、具 有導引溝300之可撓性薄片6〇〇、使射入射出光學元件透 鲁 10過、衍射之光學元件800、表面施予鎳及金電鍍之銅所構成 之金屬板1000所構成。 金屬板1000具有與矽基板120之寬度及可撓性薄片6〇〇 之寬度之其中任何較大者約一致的寬度,例如具有3mm的 寬度。金屬板1000於兩端具有未被可撓性薄片600包覆的露 15出部,露出部之長邊具有對向配置以夾著露出部寬度方向 的固定用缺陷部l〇〇〇a。 於具有上述構造之半導體雷射單元,光學元件8〇〇之光 軸調整如第14圖之半導體雷射單元之剝面圖所示,夾箝工 · 具1100夾著固定用缺陷部l〇〇〇a而確實固定以使金屬板 · 2〇 1〇〇〇不會在X — Y面及Z軸方向偏移,而使光學元件800接觸 , 可撓性薄片600來進行。此時,固定用缺陷部l〇〇〇a形成於 金屬板1000之長邊。其理由在於缺陷形成於短邊的情形 下,一旦夾著金屬板1000而固定的話,會發生中央部即設 置受光發光部之區域的鬆弛,而會發生矽基板120從金屬板 — 32 1259632 ίο⑻剝離等問題之故。 如上所述依據本實施樣態之半導體雷射單元,金屬板 10⑻於長邊具有固定用缺陷部10⑻a。爰此,於調整組裝光 學元件時能確實地固定已設置半導體雷射及矽基板之金屬 5 板以使金屬板不會在X — Y面及Z軸方向偏移,因此本實施 樣態之半導體雷射單元能實現容易地進行光學元件之光軸 調整的半導體雷射單元。 又,依據本實施樣態之半導體雷射單元,金屬板1000 於面端具有不被可撓性薄片600包覆的露出部。爰此,使此 10 露出的金屬板表側藉由矽潤滑脂等而接觸光拾取裝置之筐 體,藉此,可達到不僅從金屬板内面散熱且可從表面散熱 之寬廣散熱,因此,本實施樣態之半導體雷射單元能實現 可良好效率地散熱的半導體雷射單元。 即,以將本半導體雷射單元使用於光碟驅動器之光拾 15 取裝置,而能實現可在比習知高環境溫度下使用之高輸出 的記錄系統光碟驅動器。 (實施樣態9) 第15圖係第9實施樣態之半導體雷射單元1210的上面 圖。又,與第13圖相同之要件則賦予相同的標號而省略相 20 關此等要件之詳細說明。 本實施樣態之半導體雷射單元1210係由半導體雷射 110、矽基板120、具有導引溝300之可撓性薄片600、光學 元件800、表面施予鎳及金電鍍之銅所構成之金屬板1300所 構成。 33 1259632 金屬板1300具有與矽基板120之寬度及可撓性薄片600 之寬度之其中任何較大者約一致的寬度,例如具有3mm的 寬度。金屬板1000於長邊具有固定用缺陷部1〇·,於兩端 具有未被可撓性薄片6〇〇包覆的露出部,金屬板13⑻之短邊 5 (圖中為垂直方向之邊)的長度比固定用缺陷部l〇〇〇a更外側 而比内側短。又,金屬板13〇〇於兩端具有以光學元件8〇〇之 中心部為中心的圓弧形狀。 將半導體雷射單元1210安裝於光拾取裝置的情形,係 將半導體雷射單元1210之金屬板1300的圓弧形狀配合光拾 10取裝置之插入部之圓弧形狀進行接觸,在光碟750之三光束 照射位置的調節,乃沿著插入部之圓弧形狀而使半導體雷 射單元1210旋轉的情形下進行。 如上所述’依據本實施樣態之半導體雷射單元,金屬 板1300於兩端具有以光學元件800之中心部為中心的圓弧 15 形狀,藉使金屬板1300旋轉而進行將半導體雷射單元121〇 安裝於光拾取裝置之際的旋轉調整。爰此,由於能不對於 光學元件及接著部等造成負荷而能旋轉調整,因此本實施 樣態之半導體雷射單元,能實現可防止因光拾取裝置之組 裝調整之負荷所造成無法獲得希望特性之故障的半導體雷 2〇 射單元。 又,依據本實施樣悲之半導體雷射單元,金屬板1300 之兩端的寬度比金屬板13⑻設置可撓性薄片600之部分的 寬度窄。爰此,在將半導體雷射單元安裝於光拾取裝置的 狀態下進行旋轉調整,金屬板之端部亦不會從要求光碟驅 34 I259632 動為之薄型化的3mm露出,因此本實施樣態之半導體雷射 單元能實現於安裝光碟驅動器後亦可收納於所希望之尺寸 内的半導體雷射單元。 又,依據本實施樣態之半導體雷射單元,金屬板13〇〇 5 之長邊具有固定缺陷部l〇〇〇a。爰此,以夾箝工具夾著固定 用缺陷部而固定金屬板的狀態下,於安裝光拾取裝置之旋 轉調整時能保持半導體雷射單元,因此本實施樣態之半導 體雷射單元能實現容易組裝之半導體雷射單元。 於上述第1〜第9實施樣態之半導體雷射單元中,於金 10屬板上區分為二個的可撓性薄片,設成夾著矽基板而被拉 出至金屬板之外部並成為一個。但是,可撓性薄片亦可不 被拉出至金屬板外部,而且可非於金屬板上區分為二個。 此時,非使用可撓性薄片作為金屬板上的配線基板,而係 使用印刷電路基板作為金屬板上的配線基板。 15 (實施樣態10) 以下參照圖面來說明本發明之實施樣態中的光拾取裝 置。 第16A圖係第10實施樣態之光拾取裝置12〇〇的上面 圖,第16B圖係光拾取裝置12〇〇的剝面圖。又,與第11A、 20 11B、11C圖相同之要件則賦予相同的標號而省略有關此等 要件之詳細說明。 本實施樣態之光拾取裝置12〇〇係三光束光學系統的光 拾取裝置,由準直透鏡720、反射鏡730、對物透鏡740、第 9實施樣態之半導體雷射單元1210、半導體雷射單元1210能 1259632 以可旋轉的狀態插入的插入部1220、以接著劑例如石夕系列 之熱傳導性接著劑接著固定於半導體雷射單元·之金屬 板内面的散熱區塊1230所構成。 半導體雷射單元1210與可撓性薄片之外界部之其他可 5撓性薄片之配線連接如第16 B圖所示,乃於光拾取裝置i 2⑻ 外部之焊錫連接處1240進行。 如上所述,依據本實施樣態之光拾取裝置,光拾取裝 置於半導體雷射單元之金屬板1300内面具有散熱區塊 1230。又,金屬板1300與光拾取裝置12〇〇連接。爰此,可 10大幅地擴大散熱面積而提高散熱效果,而能效率良好地將 半導體雷射所發生之熱散至外部,因此本實施樣態之光拾 取裝置能實現依據高散熱特性所造成之穩定之軸的光= 取裝置。 " 又,依據本實施樣態之光拾取裝置,半導體雷射單元 15 121G可應料撓性薄片6_為配線基板,半導體雷射單元 mo之可撓性料與其他光拾取裝置找料^光= 裝置1200外部之焊錫連接處⑽進行。爰此,可使以風 元件與可撓性薄片之焊錫連接處所構成之外界部的距離: 相對於習知構造能確保二倍以上距離,因此,本實施樣能 20之光拾取裝置能實現可大幅地削減安裝光拾取筆 半導體雷射單元本身之熱的負荷的光拾取f置、可于於 之距離杈開,而不 而使光學元件及固 以上,形成於光學 即,藉著將焊錫安裝處與上述構件 會於以焊錫進行配線連接時,因熱傳導 定光學兀件之接著劑被加熱至耐熱溫度 36 1259632 元件之灰階圖案及全像圖案上之無反射防止膜的剝離及接 著劑的軟化所造成光學元件的位置偏移,以致於產生特性 劣化及可靠度降低的情形。 又,本實施樣態之光拾取裝置中,乃以矽系列接著劑 5 接著固定半導體雷射單元1210之金屬板1300與散熱區塊 1230,惟,只要是熱傳導率高的固著劑的話就不限於此, 例如可為熱傳導率高的石墨薄片。 以上依據實施樣態而說明了本發明之半導體雷射單元 及使用該半導體雷射單元之光拾取裝置,惟,本發明並非 10 僅限於此等實施樣態,當然在不脫離本發明之範圍的情形 下乃可作各種的變形或修正。 產業上的利用性 本發明可利用於半導體雷射單元,特別是可利用於光 碟驅動器之光拾取裝置等。 15 【圖式簡單說明】 第1A圖係特許第3412609號公報所記載之習知半導體 雷射單元的上面圖。 第1B圖係同半導體雷射單元之剝面圖(第1A圖之X — X’線的剝面圖)。 20 第2A圖係特許第2003 — 67959號公報所記載之習知半 導體雷射單元的剝面圖(第2B圖之X — X’線的剝面圖)。 第2B圖係同半導體雷射單元的上面圖。 第2C圖係同半導體雷射單元的剝面圖(第2B圖之Y — Y’線的剝面圖)。 1259632 第3圖係特許第2002 — 198605號公報所記載之習知半 導體雷射單元的外觀圖。 第4A圖係本發明之第1實施樣態之半導體雷射單元的 上面圖。 5 第4B圖係同實施樣態之半導體雷射單元之剝面圖(第 4A圖之X —X’線的剝面圖)。 第5A圖係第2實施樣態之半導體雷射單元的上面圖。 第5B圖係同半導體雷射單元之剝面圖(第5A圖之X — X’線的剝面圖)。 10 第6圖係第3實施樣態之半導體雷射單元的上面圖。 第7圖係第4實施樣態之半導體雷射單元的上面圖。 第8圖係第5實施樣態之半導體雷射單元的上面圖。 第9A圖係第6實施樣態之半導體雷射單元的上面圖。 第9B圖係同半導體雷射單元之剝面圖(第9A圖之X — 15 X’線的剝面圖)。 第10A圖係第7實施樣態之半導體雷射單元的上面圖。 第10B圖係同半導體雷射單元之剝面圖(第10A圖之X —X’線的剝面圖)。 第11A圖係已安裝同實施樣態之半導體雷射單元之光 20 拾取裝置700的上面圖。 第11B圖係同光拾取裝置700的剝面圖。 第11C圖係用以說明光碟750上之3個光束的照射位置。 第12A圖係同實施樣態之光學元件900的剝面圖。 第12B圖係同光學元件900之剝面圖(第12A圖之X —X’ 1259632 線的剝面圖)。 第13圖係第8實施樣態之半導體雷射單元的上面圖。 第14圖係固定同實施樣態之半導體雷射單元之際的概 略剝面圖。 5 第15圖係第9實施樣態之半導體雷射單元的上面圖。 第16A圖係第10實施樣態之光拾取裝置1200的上面圖。 第16B圖係同實施樣態之光拾取裝置12⑻的剝面圖。 【主要元件符號說明】 100 金屬板 500c 配線 111 半導體雷射 600 可撓性薄片 112 面 610 光學元件 120 矽基板 600a 評價用電極墊 130 可撓性薄片 610 光學元件 130a 内部 610a 全像圖案 130b 外界部 620 反射光 140 引線 700 光拾取裝置 150 光學元件 710 半導體雷射單元 d 寬度 720 準直透鏡 200 光學元件 730 反射鏡 210 補材 740 對物透鏡 300 導引溝 750 光碟 400 可撓性薄片 760 插入部 400a 内部 800 光學元件 500 可撓性薄片 800a 全像圖案
39 1259632 800b 900 1000 1000a 1100 1210 1220 1230 1240 1300 1400 1410 1420 1430 1440 1450 灰階圖案 1460 灰階圖案 光學元件 1470 全像圖案 金屬板 1480 射出光 固定用缺陷部 1490 反射光 夾箝工具 1500 雷射單元部 半導體雷射單元 1510 光檢測 插入部 1520 金屬製基板 散熱區塊 1530 樹脂基板 焊錫連接處 1600 金屬製島 金屬板 1610 外界部 導線框 1620 彎曲部 封包 1630 上端部 ^夕基板 1640 可撓性薄片 半導體雷射 1650 半導體雷射 受光元件 1660 受光元件 全像元件
40

Claims (1)

1259632 十、申請專利範圍: 1. 一種半導體雷射單元,係具有其具備有發光元件及受光 元件的受光發光部、第1配線基板、設置前述受光發光部 及第1配線基板者,其特徵在於: 5 前述受光發光部及第1配線基板並列設置於前述金 屬板上, 前述第1配線基板具有與前述受光發光部連接之複 數第1端子所構成之第1端子群, 前述金屬板之寬度與前述第1配線基板及受光發光 10 部的寬度之其中任何較大的一方約一致。 2. 如申請專利範圍第1項之半導體雷射單元,其中前述半導 體雷射單元更具有對向以夾著前述受光發光部而設置於 前述金屬板上的第2配線基板,前述第2配線基板具有與 前述受光發光部連接之複數第2端子所構成的第2端子 15 群,前述第2配線基板之寬度與前述第1配線基板之寬度 約一致。 3. 如申請專利範圍第2項之半導體雷射單元,其中前述半導 體雷射單元更具有將前述第1、第2配線基板之配線拉出 至前述金屬板外部的外部配線基板,前述外部配線基板 20 具有與前述第1、第2端子群之端子電性連接的複數外部 端子,前述外部端子之端子間隔比前述第1、第2端子之 端子間隔寬。 4. 如申請專利範圍第3項之半導體雷射單元,其中前述第 1、第2配線基板及外部配線基板以樹脂夾著金屬配線的 41 1259632 一個可撓性薄片。 5. 如申請專利範圍第4項之半導體雷射單元,其中前述第 1、第2端子群於前述受光發光部及與前述第1、第2配線 基板並列之長邊方向正交的寬度方向,並列前述第1、第 5 2端子,前述第1、第2配線基板具有複數列前述第1、第2 端子群。 6. 如申請專利範圍第5項之半導體雷射單元,其中前述第 1、第2配線基板及外部配線基板之配線的一部分比其他 配線的剝面積大。 10 7.如申請專利範圍第6項之半導體雷射單元,其中前述金屬 板於前述受光發光部及前述第1、第2配線基板並列之長 邊方向面端具有未設置前述第1、第2配線基板及受光發 光部的露出部。 8. 如申請專利範圍第5項之半導體雷射單元,其中前述金屬 15 板於前述受光發光部及前述第1、第2配線基板並列之長 邊方向面端具有未設置前述第1、第2配線基板及受光發 光部的露出部。 9. 如申請專利範圍第4項之半導體雷射單元,其中前述第 1、第2配線基板及外部配線基板之配線的一部分比其他 20 配線的剝面積大。 10. 如申請專利範圍第4項之半導體雷射單元,其中前述金 屬板於前述受光發光部及前述第1、第2配線基板並列之 長邊方向面端具有未設置前述第1、第2配線基板及受光 發光部的露出部。 42 1259632 11. 如申請專利範圍第3項之半導體雷射單元,其中前述第 1、第2端子群於前述受光發光部及與前述第1、第2配線 基板並列之長邊方向正交的寬度方向,並列前述第1、第 2端子,前述第1、第2配線基板具有複數列前述第1、第2 5 端子群。 12. 如申請專利範圍第3項之半導體雷射單元,其中前述第 1、第2配線基板及外部配線基板之配線的一部分比其他 配線的剝面積大。 13. 如申請專利範圍第3項之半導體雷射單元,其中前述金 10 屬板於前述受光發光部及前述第1、第2配線基板並列之 長邊方向面端具有未設置前述第1、第2配線基板及受光 發光部的露出部。 14. 如申請專利範圍第5項之半導體雷射單元,其中前述第 1、第2端子群於前述受光發光部及與前述第1、第2配線 15 基板並列之長邊方向正交的寬度方向,並列前述第1、第 2端子,前述第1、第2配線基板具有複數列前述第1、第2 端子群。 15. 如申請專利範圍第2項之半導體雷射單元,其中前述金 屬板於前述受光發光部及前述第1、第2配線基板並列之 20 長邊方向面端具有未設置前述第1、第2配線基板及受光 發光部的露出部。
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