CN1284790A - 适合倒装片安装的表面声波器件 - Google Patents

适合倒装片安装的表面声波器件 Download PDF

Info

Publication number
CN1284790A
CN1284790A CN00122737A CN00122737A CN1284790A CN 1284790 A CN1284790 A CN 1284790A CN 00122737 A CN00122737 A CN 00122737A CN 00122737 A CN00122737 A CN 00122737A CN 1284790 A CN1284790 A CN 1284790A
Authority
CN
China
Prior art keywords
electrode
pattern
ground connection
piezoelectric substrate
acoustic wave
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN00122737A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1134105C (zh
Inventor
三泽清秀
川内治
古里博之
上田政则
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Media Devices Ltd
Taiyo Yuden Co Ltd
Original Assignee
Fujitsu Media Devices Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Media Devices Ltd filed Critical Fujitsu Media Devices Ltd
Publication of CN1284790A publication Critical patent/CN1284790A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1134105C publication Critical patent/CN1134105C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/25—Constructional features of resonators using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
    • H03H9/6423—Means for obtaining a particular transfer characteristic
    • H03H9/6433—Coupled resonator filters
    • H03H9/644—Coupled resonator filters having two acoustic tracks
    • H03H9/6456—Coupled resonator filters having two acoustic tracks being electrically coupled
    • H03H9/6469—Coupled resonator filters having two acoustic tracks being electrically coupled via two connecting electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/05—Holders; Supports
    • H03H9/058—Holders; Supports for surface acoustic wave devices
    • H03H9/059—Holders; Supports for surface acoustic wave devices consisting of mounting pads or bumps
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/05—Holders; Supports
    • H03H9/10—Mounting in enclosures
    • H03H9/1064—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices
    • H03H9/1071—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices the enclosure being defined by a frame built on a substrate and a cap, the frame having no mechanical contact with the SAW device
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
    • H03H9/6423—Means for obtaining a particular transfer characteristic
    • H03H9/6433—Coupled resonator filters
    • H03H9/6483—Ladder SAW filters
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/70—Multiple-port networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
    • H03H9/72—Networks using surface acoustic waves
    • H03H9/725—Duplexers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation

Abstract

一种SAW器件包括压电基片和支承压电基片的封装体,其中封装体包括一种底部,支承压电基片呈面朝下状态,以及侧壁部分,侧向包围压电基片,底部带有布线图样用于与压电基片上的电极图样电连接,布线图样包括第一接地图样和第二接地图样呈相互分离的关系,第一接地图样和第二接地图样彼此电连接。

Description

适合倒装片安装的表面声波器件
本发明申请是以日本1999年8月11日提出的优先权申请No.11-227429为基础的，其全部内容在此引为参考。
本发明总体上涉及表面声波器件，更具体地，涉及一种适合倒装片安装的表面声波器件。
表面声波器件此后简称为SAW器件，广泛用于各种具有高频电路的电子设备，包括便携式电话机、无线电话机、以及各种无线电装置。通过使用表面声波器件，可以减小这些电子设备的重量和尺寸。
另一方面，仍然需要不断减小电子装置及其中所使用的SAW器件的重量和尺寸。在SAW器件方面，取得尺寸的减小应当避免通频带之外衰减特性的降低。
图1示出相关技术的一种具有梯形结构的SAW滤波器的等效电路图，图2示出图1中的滤波器的实际结构的横断面视图
参阅图1，梯形SAW滤波器包括谐振器13和14串联相接并放在输入端11与输出端12之间，以及提供并行的谐振器15、16和17，分别分流于输入端11和SAM滤波器13间的信号通道与地之间，SAM滤波器13和14间的信号通道与地之间，以及SAM滤波器14和输出端12间的信号通道与地之间。这些谐振器13-17构成在共同的压电基片10上，压电基片10为LiTaO3或LiNbO3单晶。
图2示出压电基片10安装在滤波器组件20上的状态。
参阅图2，滤波器组件包括底部21A，它被半导体膜21a和侧壁部分21B覆盖，底部21A和侧壁部分21B共同构成一个凹陷21C。由此，压电基片10按这样的方式容纳在凹陷21C之中，使得压电基片10通过一粘接层21b以面朝上状态安装在覆盖着底部21A的半导体膜21a之上。于是，在压电基片10的顶部主表面形成对应图1中的等效电路图的电极图样。此外，在侧壁部分21B的上表面上形成布线图样21c与21d，衬底10上的电极图样通过接合引线22A与22B分别连接布线图样21c与21d。
注意，图2的SAM器件还包括在侧壁部分21B的顶端表面上的框架部分21D，以便暴露布线图样21c与21d，在框架部分21D上提供金属盖23。金属盖23分别通过在框架部分21D上形成的接地图样22e和22f连接于接地极板21e与21f，接地极板21e与21f提供在底部21A的底表面上。此外，侧壁部分21B上的布线图样21c与21d也电连接于提供在底部21A的底表面上的相应的电极。
在图2的滤波器组件20中，接合引线22A与22B用于压电基片10上的SAW器件与布线图样21c和21d之间的电连接。为了容纳这种接合引线，图2的SAW器件使用了框架部分21D，而这种结构不可避免地增加了SAW组件的高度，于是和SAW器件的减小尺寸的要求相矛盾。
由此，本发明的总目标为提供一种新颖实用的SAW器件，消除前述问题。
本发明的另一个更具体的目标为提供一种SAW滤波器件，具有紧凑的尺寸，同时在通频带外具有极好的乱真信号抑制性能。
本发明的另一个目标为提供一种表面声波器件，包括：
一种压电基片；
在所述压电基片主表面上提供电极图样，所述电极图样构成一种梯形表面声波滤波器；以及
一种封装体，在其中容纳所述压电基片，
所述封装体包括：一种底部，支承所述压电基片呈面朝下状态；以及侧壁部分，在所述底部上侧向包围所述压电基片，
所述底部与所述侧壁部分共同构成一种凹陷，在其中容纳所述压电基片，
所述底部带有布线图样，用于与所述电极图样的电连接，
所述布线图样包括第一接地图样和第二接地图样，在所述底部上呈相互分开的关系，所述第一接地图样和第二接地图样彼此电连接。
本发明的另一个目标为提供一种表面声波器件，包括：
一种封装体，具有安装表面，
一种压电基片，呈面朝下状态安装在所述安装表面上；
在所述压电基片的主表面提供第一电极图样，以所述压电基片的所述面朝下状态面向所述安装表面，所述第一电极图样构成梯形滤波器；以及
在所述压电基片的主表面提供第二电极图样，所述第二电极图样构成双模式滤波器；
所述的第一电极图样与第二电极图样的每一个包含在所述主表面上形成的许多接地电极，
所述安装表面带有第一接地图样，使与所述第一电极图样的许多接地电极共同连接，所述安装表面还带有许多相互分开的第二接地图样，每一个与所述第二电极图样的所述许多接地电极的相应的一个电连接。
根据本发明，相关技术的SAW器件在封装体顶部用于容纳接合引线的空间取消了，SAW器件的尺寸成功地减小了。在封装体上构成第一接地图样作为梯形滤波器的电极图样的一部分，使得第一接地图样与输入/输出端分流谐振器的接地电极相连接，在封装体上构成第二接地图样，使得第二接地图样与分流梯形SAW滤波器的中间信号通道的中间分流谐振器的接地电极相连接，进而，将第一接地图样与第二接地图样电连接，则极大地提高了SAW滤波器通频带外的乱真成分的抑制。通过在第一与第二接地图样之间插入一个电感以及优选此电感值，乱真成分抑制的程度将更加提高。
以许多隆起的多层叠置形式构成接地电极，或在安装表面上以许多导线图样的多层叠置形式构成布线图样，则压电基片上的电极图样与安装表面上的接地图样之间引起的短路问题成功地消除了。
本发明也适合于有许多电极图样，包括梯形电极图样，构成于压电基片的主表面上的SAW器件。SAW器件也包括在压电基片的主表面上除梯形电极图样外提供对应于双模式滤波器电极图样的器件。
本发明的其他目的与进一步的特性将从以下参阅附图的详细描述中明确。
图1为典型的梯形SAW器件的等效电路图；
图2显示图1中的梯形SAW器件的结构的横断面图；
图3显示根据本发明的第一个实施方案的SAW器件的结构的横断面图；
图4显示图3的SAW器件中压电基片上形成的梯形SAW滤波器的电极图样的平面视图；
图5显示图3的SAW器件的封装体上形成的布线图样的平面视图；
图6为图3的SAW器件对比图2的SAW器件的频率特性图；
图7为图3的SAW器件对比另一个SAW器件的频率特性图；
图8显示根据本发明的第二个实施方案的SAW器件的结构的横断面图；
图9显示图8的SAW器件的封装体上形成的布线图样的平面视图；
图10显示图8的SAW滤波器的频率特性图；
图11显示根据本发明的第三个实施方案的SAW器件的结构的横断面图；
图12显示根据本发明的第四个实施方案的SAW器件的结构的横断面图；
图13显示根据本发明的第五个实施方案的SAW器件的结构的横断面图；
图14显示图13的SAW器件中压电基片上形成的双模式SAW滤波器的电极图样的平面视图；以及
图15显示图13的SAW器件在封装体上形成的对应图14的电极图样的布线图样的平面视图。
图3显示根据本发明的第一个实施方案的SAW器件40的结构。
参阅图3，SAW器件40包括滤波器封装体41以及安装在滤波器封装体41上的压电基片30。压电基片30在其底主表面带有对应于图1的等效电路的梯形SAW滤波器的电极图样，且压电基片30呈面朝下的状态安装在滤波器封装体41上。
另一方面，滤波器封装体41包含带有布线图样41a的底部41A，还有在底部41A之上的侧壁部分41B，其中布线图样41a包含接地图样，且底部41A与侧壁部分41B共同构成封装体41内的凹陷41C，使得凹陷41C容纳压电基片30于其中。由此，压电基片30通过隆起电极31倒装在底部41A上的布线图样41a之上。
图4显示在压电基片30的底表面30A上形成的对应于图1的等效电路图所表示的梯形SAW滤波器的电极图样的实例。在图4中，那些对应于原先描述过的零件标以同样的标号，不再赘述。
参阅图4，电极图样包含输入电极极板31a和输电极极板31b，分别对应于输入端11和输出端12，提供叉指电极图样31c和31d，分别对应于串联在输入电极极板31a与输电极极板31b之间的SAW谐振器13和14。此外，电极图样除电极图样31c和31d外还包括，并行的叉指电极图样31e，对应SAW谐振器15，分流输入电极极板31a与叉指电极图样31c之间的信号通道，并行的叉指电极图样31f，分流叉指电极图样31c与31d之间的信号通道，以及并行的叉指电极图样31g，分流叉指电极图样31d与输出电极极板31b之间的信号通道。此外，前述主表面30A上带有连接于叉指电极31e的接地极板31h，连接于叉指电极31f的接地极板31i，连接于叉指电极31g的接地极板31j，以及一个虚设电极极板31k。接地板板31h-31j上分别带有接地隆起电极31H-31J。同样，虚设电极极板31k上提供虚设隆起电极31K。
图5显示封装体41的底部41A上提供的对应于图4的布线图样41a的实例。
参阅图5，布线图样41a包含输入极板42A，当压电基片30倒装时接触输入隆起电极31A，输出极板42B，当压电基片30倒装时接触输出隆起电极31B，接地极板42C，当压电基片30倒装时接触接地隆起电极31H和31J，以及接地极板42D，当压电基片30倒装时接触接地隆起电极31I和虚设隆起电极31K，其中接地极板42C与接地极板42D通过导电图样42E彼此相连。此外，在底部41A提供封闭环形导电图样42F，使得连续包围极板42A-42E。此外，输入极板42A与输出极板42B形成在底部41A上接地极板42C与42D之间的区域。
再返回参阅图3，侧壁部分41B包围倒装在底部41A上的压电基片30。由此，底部41A与侧壁部分41B共同构成容纳压电基片30于封装体41之中的凹陷41C。此外，在侧壁部分41B的顶表面形成封闭导电环41b，使得封闭环41b通过贯穿侧壁部分41B的接地图样41d与在底部41A的底表面上的接地极板41e电连接。
此外，通常为金属的导电盖43构成在侧壁部分41B上，导电盖43通过在侧壁部分41B上的封闭导电环41b与底部41A的底表面上的接地极板41e电连接。
由图3可见，本实施方案的SAW器件40通过在封装体41的底部41A上倒装压电基片30，消除了在图2的SAW器件20中容纳接合引线所必需的空间。结果，SAW器件20的总高度减少了。
图6显示图3的SAW器件40的频率特性，对比于图2的SAW器件20的频率特性。图6中，测量是同时在压电基片安装在封装体上和封装体被导电盖所封闭的两种状态下进行。图中，图3的SAW器件40的频率特性由连续线表示，图2的SAW器件20的频率特性由虚线表示。
参阅图6可以看出，使用接合引线的SAW器件20在接近通频带的频率范围里显示出稍好一些的带外乱真信号抑制性能，而图3的SAW器件40在大约超出3.6GHz的频率范围显示出更好的带外乱真信号抑制性能。鉴于便携式电话机或无线电装置使用许多SAW器件，由于SAW器件间的干扰而趋向于发生噪声发射问题，又鉴于这种噪声发射在高于大约3.6GHz的甚高频范围内占主导，因此本实施方案的SAW器件40对于抑制噪声是相当有效的。
图7显示图3的SAW器件40的频率特性，对比于当导电图样42E没有连接接地图样42C与42D的情形。图7中，连续线表示接地图样42C与42D彼此电连接的情形，而虚线表示接地图样42C与42D隔离的情形。
参阅图7，可以看出当接地图样42C与42D隔离时，在接近通频带的频率范围里获得了稍好一些的带外乱真信号抑制性能。另一方面，从图7看出，图3的SAW器件40在超出大约3.6GHz的频率区域提供了比图2的SAW器件20更好的带外抑制性能。
鉴于便携式电话机或无线电装置使用许多SAW器件，由于SAW器件间的干扰的结果而趋向于发生噪声发射问题，又鉴于这种噪声发射在高于大约3.6GHz的甚高频范围内占主导，因此本实施方案的SAW器件40对于抑制噪声是相当有效的。
图8显示根据本发明的第二个实施方案的SAW器件50的结构，其中对应前面描述过的相同元件被标以相同标号，不再赘述。
参阅图8，除了连接封装体41的底部41A上的接地图样42C与42D的导电图样42E被一个电感线路所代替外，本实施方案的SAW器件50具有与SAW器件40类似的结构。
图9显示图8的SAW器件50的平面视图。
参阅图9，电感线路42G由延展在底部41A上的Z形电感图样构成。接地图样42C与接地图样42D通过Z形电感图样构成的电感彼此相连。
图10显示对应于线路42的电感的各种变化的情形时SAW器件50的频率特性。
参阅图10，可以看出SAW器件50的带外乱真信号抑制依赖于线路42G的电感值而变化，且随着电感值的增加，带外乱真信号抑制在接近SAW器件50的通频带频率范围内提高。另一方面，当线路42G的电感设置为0的情形时，带外乱真信号抑制在超过大约4GHz的频率范围提高。
由此，可以根据需要优选线路42G的电感值，即可优选本实施方案SAW器件50的带外乱真信号抑制性能。
图11显示根据本发明的第三个实施方案的SAW滤波器60的结构，其中对应前面描述过的相同元件被标以相同标号，不再赘述。
参阅图11，除了在封装体41的底表面上构成的接触极板42上形成另一个导电极板44外，本实施方案的SAW器件60具有与图3的SAW器件40类似的结构。应注意，接触极板42包括此前参阅图5所描述的接触极板42A-42D，导电极板44构成在对应于压电基片30上隆起电极31A、31B和31H-31K形成接触的区域(图11中综合标记成标号31)。另请参见图4。在图示的实例中，隆起电极31具有两个隆起电极叠置的结构。
例如，极板42和导电极板44可以是由一对Au层中间夹Ni层构成的导电层。或者，极板42和导电极板44是由一层Cu层构成的。此外，每一个隆起电极31可以由Au构成。
图11中的SAW器件60，由于在极板42上形成导电极板44的结果或者由于隆起电极31的多层结构的结果，压电基片30的主表面30A与封装体41的底表面41A的间隔增加了。由此，压电基片30上的导电图样与底表面41A上的布线图样之间短路的危险减小了。
图12显示根据本发明的第四个实施方案的SAW滤波器70的结构，其中对应前面描述过的相同元件被标以相同标号，不再赘述。
参阅图12，压电基片30的底主表面30A现在分割成区域301与302，此前参照图4所描述的梯形滤波器的电极图样形成在前述区域的每一个上。进而，在封装体41的底表面41A上相互隔离地形成对应于区域301的布线图样(41a)1与对应于区域302的布线图样(41a)2。区域301中形成的梯形滤波器与区域302中形成的梯形滤波器可以分别具有彼此不同的带外乱真信号抑制性能。
应当注意每一个布线图样(41a)1和(41a)2包含接触极板42A-42D，参阅图5的解释，接触极板42C与42D彼此电连接。
由此，根据本实施方案的SAW滤波器70的构造，可以在同一个封装体内形成许多具有各自不同的通频带特性的滤波器部件。借此，在每一个区域301与302内将接地电极共同连接，可以在远高于通频带频率的甚高频范围极大地提高带外乱真信号抑制性能。将每一个区域301与302内的接地电极分离，可以增强滤波器组件间的隔离。
图13显示根据本发明的第五个实施方案的SAW滤波器80的结构，其中对应前面描述过的相同元件被标以相同标号，不再赘述。
参阅图13，压电基片30的底主表面30A与图12的SAW器件70类似地分割成区域301与302，区域301类似前一个实施方案由参阅图4解释的梯形电极图样构成。另一方面，本实施方案中对应于图14所示的双模式滤波器的电极图样形成在区域302上。
参阅图14，输入电极极板311与输出电极极板31m形成在区域302上，叉指输入电极对Tin与输入电极极板311形成电连接。此外，在沿叉指电极对Tin激发的表面声波传输路径上叉指电极对Tin的两侧形成另一对叉指输入电极对Sin。此外，一对反射器Rin放置在其更外边位置。
在区域302上，还提供输出边叉指电极对Tout与输出电极极板31m电连接，在沿表面声波传输路径上叉指电极对Tout的两侧形成另一对叉指输出电极对Sout。叉指输出电极对Sout由叉指输入电极对Sin的输出电信号驱动，叉指输出电极对Sout由此激发的表面声波驱动其间的叉指电极对Tout。叉指电极对Tout的输出于是提供到输出电极极板31m。
在前述结构的双模式滤波器中，在区域302上对应于叉指电极对Tin形成接地电极31t，对应于叉指电极对Sin形成接地电极31n或31o。此外，对应于叉指电极对Tout形成接地电极31s，对应于叉指输出电极对Sout形成接地电极31p或31q。此外，分别在电极311-31q、31s和31t上对应形成隆起电极31L-31Q、31S和31T。
图15显示在封装体41的底部41A上形成的布线图样，对应于在压电基片上形成的图14的双模式滤波器的电极图样。
参阅图15可以看出，底部41A对应于压电基片30的区域302的部分带有输入极板42H用于与输入隆起电极31L接触，输出极板42I用于与输出隆起电极31M接触，第一接地极板42J用于与接地隆起电极31N、31P和31S接触，第二接地极板42K用于与接地隆起电极310、31Q和31T接触，极板42H-42K被封闭环42L包围，封闭环42L与以前解释过的封闭环42F类似。
用于此种双模式滤波器的布线图样中，应当注意第一接地极板42J与第二接地极板42K构成为相互隔离状态，底部41A上不形成用于接地极板42J与42K间的电连接的图样。与此相应，相互隔离的布线图样(41a)3和(41a)4代替图12的布线图样(41a)2形成在底部41A对应区域302的部分上。
本实施方案的SAW器件80的其他方面与以前描述过的类似，不再赘述。在SAW器件80中，同样应当注意在封装体41的底部41A上形成的布线图样被电分割成对应于梯形滤波器的部分和对应于双模式滤波器的部分。此外，通过封闭环42F与42L屏蔽各自部分，这两部分的相互作用被绝对消除。
在本实施方案的SAW器件80中，可以实现在单一的封装体中合体地构成梯形滤波器和双模式滤波器。
此外，本发明不限于前述实施方案，可以实现不超出本发明范围的各种变形与调整。

Claims (12)

1．一种表面声波器件，包括：
一种压电基片；
在所述压电基片主表面上提供电极图样，所述电极图样构成一种梯形表面声波滤波器；
以及一种封装体，在其中容纳所述压电基片，
所述封装体包括：一种底部，支承所述压电基片呈面朝下状态；以及侧壁部分，在所述底部上侧向包围所述压电基片，所述底部与所述侧壁部分共同构成一种凹陷，在其中容纳所述压电基片，
所述底部带有布线图样，用于与所述电极图样的电连接，
所述布线图样包括第一接地图样和第二接地图样，在所述底部上呈相互分开的关系，所述第一接地图样和第二接地图样彼此电连接。
2．如权利要求1中的表面声波滤波器件，其中所述压电基片在所述主表面上带有一个输入电极，一个输出电极，至少一对串联连接的谐振器，串联在所述的输入与输出电极之间，一个输入边并行谐振器，分流于所述输入电极与地之间，一个输出边并行谐振器，分流于所述输出电极与地之间，以及一个中间并行谐振器，分流于所述串联谐振器对的公共端与地之间，一个输入边接地电极，将所述输入边并行谐振器接地，一个输出边接地电极，将所述输出边并行谐振器接地，以及许多电极，其中包括用于将所述中间并行谐振器接地的中间接地电极，所述压电基片倒装在所述底部，使得所述输入边接地电极以及所述输出边接地电极与所述第一接地图样接合，以及使得所述中间接地电极与所述第二接地图样接合。
3．如权利要求1中的表面声波器件，其中所述侧壁部分具有一接合表面，适于接合覆盖所述凹陷的导电盖组件，所述接合表面在其上带有封闭导电环，当所述导电盖组件安装在所述接合表面上以便覆盖所述凹陷时，与所述导电盖组件接合，所述封闭导电环与所述第一和第二接地图样电连接。
4．如权利要求1中的表面声波滤波器件，其中所述第一接地图样和所述第二接地图样通过一种电感彼此电连接。
5．如权利要求4中的表面声波器件，其中所述电感优选为适合于带外乱真信号峰值最大抑制。
6．如权利要求4中的表面声波器件，其中所述侧壁部分具有一接合表面，适于接合覆盖所述凹陷的导电盖组件，所述接合表面在其上带有封闭导电环，当所述导电盖组件安装在所述接合表面上以便覆盖所述凹陷时，与所述导电盖组件接合，所述封闭导电环与所述第一和第二接地图样之一电连接。
7．如权利要求1中的表面声波器件，其中所述布线图样包括许多导电层的多层叠置。
8．如权利要求1中的表面声波器件，其中所述许多电极中的每一个包括许多隆起电极的多层叠置。
9．如权利要求1中的表面声波器件，其中组成所述布线图样的输入电极图样与输出电极图样中的至少一个是构成在所述底部的位于所述第一接地图样和所述第二接地图样之间的部分上。
10．一种表面声波器件，包括：
一种封装体，具有安装表面，
一种压电基片，呈面朝下状态安装在所述安装表面上；以及许多电极图样，每一个构成梯形表面声波滤波器，面向所述安装表面提供在所述压电基片的主表面上，在此状态下所述压电基片安装在所述安装表面上；
所述许多电极图样的每一个包括所述主表面上的许多接地电极；
所述安装表面在其上带有接地图样用于所述许多电极图样中的每一个，使得所述接地图样在所述许多电极图样中的每一个内与所述许多接地电极共同连接。
11．如权利要求10中的表面声波器件，其中与所述电极图样对应的所述接地图样在所述安装表面上电隔离。
12．一种表面声波器件，包括：
一种封装体，具有安装表面，
一种压电基片，呈面朝下状态安装在所述安装表面上；
在所述压电基片的主表面提供第一电极图样，以所述压电基片的所述面朝下状态面向所述安装表面，所述第一电极图样构成梯形滤波器；以及
在所述压电基片的主表面提供第二电极图样，所述第二电极图样构成双模式滤波器；
所述的第一电极图样与第二电极图样的每一个包含许多在所述主表面上构成的接地电极，
所述安装表面带有第一接地图样，使与所述第一电极图样的许多接地电极共同连接，所述安装表面还带有许多相互分开的第二接地图样，每一个与所述第二电极图样的所述许多接地电极的相应的一个电连接。
CNB001227378A 1999-08-11 2000-08-11 适合倒装片安装的表面声波器件 Expired - Lifetime CN1134105C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP22742999A JP3860364B2 (ja) 1999-08-11 1999-08-11 弾性表面波装置
JP227429/1999 1999-08-11

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1284790A true CN1284790A (zh) 2001-02-21
CN1134105C CN1134105C (zh) 2004-01-07

Family

ID=16860724

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB001227378A Expired - Lifetime CN1134105C (zh) 1999-08-11 2000-08-11 适合倒装片安装的表面声波器件

Country Status (6)

Country Link
US (1) US6417574B1 (zh)
EP (2) EP1076414A3 (zh)
JP (1) JP3860364B2 (zh)
KR (1) KR100679958B1 (zh)
CN (1) CN1134105C (zh)
TW (1) TW461178B (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1742430B (zh) * 2002-02-12 2010-04-28 松下电器产业株式会社 弹性表面波装置
CN103026546A (zh) * 2010-07-22 2013-04-03 Tdk株式会社 带通滤波器模块以及模块基板

Families Citing this family (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1320192A4 (en) * 2000-07-21 2009-11-04 Toshiba Kk DEVICE FOR FILTERING ACOUSTIC SURFACE WAVES
JP2002141771A (ja) * 2000-08-21 2002-05-17 Murata Mfg Co Ltd 弾性表面波フィルタ装置
EP2437400B1 (en) * 2000-11-01 2013-09-25 Hitachi Metals, Ltd. High-frequency switch module
JP2003087080A (ja) 2001-07-06 2003-03-20 Murata Mfg Co Ltd 弾性表面波素子及びその製造方法
US6930364B2 (en) * 2001-09-13 2005-08-16 Silicon Light Machines Corporation Microelectronic mechanical system and methods
DE60229821D1 (de) 2001-09-25 2008-12-24 Tdk Corp Gehäuse für integrierte Schaltung
US7148610B2 (en) * 2002-02-01 2006-12-12 Oc Oerlikon Balzers Ag Surface acoustic wave device having improved performance and method of making the device
US6846423B1 (en) 2002-08-28 2005-01-25 Silicon Light Machines Corporation Wafer-level seal for non-silicon-based devices
US6877209B1 (en) 2002-08-28 2005-04-12 Silicon Light Machines, Inc. Method for sealing an active area of a surface acoustic wave device on a wafer
JP2004120016A (ja) * 2002-09-20 2004-04-15 Fujitsu Media Device Kk フィルタ装置
KR100455699B1 (ko) * 2002-10-09 2004-11-06 주식회사 케이이씨 표면 탄성파 필터 장치
DE10301934A1 (de) * 2003-01-20 2004-07-29 Epcos Ag Elektrisches Bauelement mit verringerter Substratfläche
JP4177233B2 (ja) * 2003-01-28 2008-11-05 富士通メディアデバイス株式会社 弾性表面波デバイス及びその製造方法
JP4173024B2 (ja) 2003-02-14 2008-10-29 富士通メディアデバイス株式会社 電子部品の製造方法及びそのベース基板
JP4046641B2 (ja) 2003-03-10 2008-02-13 富士通メディアデバイス株式会社 電子デバイスのパッケージ、ベース基板、電子部品及びそれの製造方法
JP2004304622A (ja) * 2003-03-31 2004-10-28 Fujitsu Media Device Kk 弾性表面波デバイス及びその製造方法
DE10325798B4 (de) * 2003-06-06 2015-06-18 Epcos Ag SAW-Filter mit verbesserter Selektion oder Isolation
JP4177182B2 (ja) 2003-06-13 2008-11-05 富士通メディアデバイス株式会社 弾性表面波デバイス、そのパッケージ及びその製造方法
JP4180982B2 (ja) 2003-06-16 2008-11-12 富士通メディアデバイス株式会社 弾性表面波デバイス、そのパッケージ及びその製造方法
JP2005124139A (ja) 2003-09-25 2005-05-12 Murata Mfg Co Ltd 分波器、通信機
JP2005203889A (ja) 2004-01-13 2005-07-28 Fujitsu Media Device Kk 弾性表面波デバイス
US7750420B2 (en) * 2004-03-26 2010-07-06 Cypress Semiconductor Corporation Integrated circuit having one or more conductive devices formed over a SAW and/or MEMS device
JP4456503B2 (ja) 2004-12-24 2010-04-28 富士通メディアデバイス株式会社 電子部品の製造方法
JP2007184690A (ja) * 2006-01-05 2007-07-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd アンテナ共用器
JP4829040B2 (ja) * 2006-08-23 2011-11-30 京セラ株式会社 弾性表面波装置
US8093101B2 (en) 2006-11-14 2012-01-10 Taiyo Yuden Co., Ltd. Electronic device and method of fabricating the same
US8060156B2 (en) * 2006-11-16 2011-11-15 Nortel Networks Limited Filter having impedance matching circuits
DE102007019325B4 (de) * 2007-04-24 2008-12-24 Epcos Ag Mit akustischen Wellen arbeitendes Bauelement
JP5585013B2 (ja) * 2009-07-14 2014-09-10 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP5310873B2 (ja) 2010-11-09 2013-10-09 株式会社村田製作所 弾性波フィルタ装置
JP5873311B2 (ja) * 2011-11-29 2016-03-01 太陽誘電株式会社 弾性波デバイス及び多層基板
JP6472945B2 (ja) * 2013-06-13 2019-02-20 太陽誘電株式会社 弾性波デバイス
WO2015025618A1 (ja) * 2013-08-20 2015-02-26 株式会社 村田製作所 弾性表面波デバイス及びその製造方法
US20150077960A1 (en) * 2013-09-19 2015-03-19 Murata Manufacturing Co., Ltd. Low-temperature packaging methodology for electronic devices and other devices
KR101943895B1 (ko) 2015-11-25 2019-01-30 쿄세라 코포레이션 전자 부품 수납용 패키지, 전자 장치 및 전자 모듈
US10778183B2 (en) * 2016-07-18 2020-09-15 Skyworks Filter Solutions Japan Co., Ltd. Saw-based electronic elements and filter devices
JP6848953B2 (ja) * 2018-11-26 2021-03-24 株式会社大真空 圧電振動デバイス
CN111122675B (zh) * 2020-01-02 2022-07-12 重庆医科大学 条块条电极、基于条块条电极的vegf165传感器及其制备方法和检测方法
EP4141927A1 (en) * 2021-08-30 2023-03-01 Nexperia B.V. Electronic package and method for manufacturing the same
TWI806615B (zh) * 2022-05-19 2023-06-21 國立清華大學 濾波器及其製造方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04170811A (ja) * 1990-11-05 1992-06-18 Fujitsu Ltd 弾性表面波デバイス
JPH08213873A (ja) * 1995-02-06 1996-08-20 Fujitsu Ltd 弾性表面波素子デバイス
JP3301262B2 (ja) * 1995-03-28 2002-07-15 松下電器産業株式会社 弾性表面波装置
JP3328102B2 (ja) * 1995-05-08 2002-09-24 松下電器産業株式会社 弾性表面波装置及びその製造方法
JPH09162688A (ja) * 1995-12-11 1997-06-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd 弾性表面波装置
DE19548050A1 (de) * 1995-12-21 1997-06-26 Siemens Matsushita Components Elektronisches Bauelement, insbesondere mit akustischen Oberflächenwellen arbeitendes Bauelement - OFW-Bauelement -
JPH09232910A (ja) * 1996-02-28 1997-09-05 Oki Electric Ind Co Ltd 平板多層分波器パッケージ
JPH09232904A (ja) * 1996-02-28 1997-09-05 Oki Electric Ind Co Ltd Ｓａｗフィルタ用セラミックパッケージ
US6137380A (en) * 1996-08-14 2000-10-24 Murata Manufacturing, Co., Ltd Surface acoustic wave filter utilizing a particularly placed spurious component of a parallel resonator
JP3227645B2 (ja) * 1996-09-17 2001-11-12 株式会社村田製作所 弾性表面波装置
JPH10135270A (ja) * 1996-10-31 1998-05-22 Casio Comput Co Ltd 半導体装置及びその製造方法
JP3196693B2 (ja) * 1997-08-05 2001-08-06 日本電気株式会社 表面弾性波装置およびその製造方法
JPH1188108A (ja) * 1997-09-03 1999-03-30 Tdk Corp 弾性表面波装置
JPH11122072A (ja) * 1997-10-14 1999-04-30 Fujitsu Ltd 弾性表面波装置
US5956606A (en) * 1997-10-31 1999-09-21 Motorola, Inc. Method for bumping and packaging semiconductor die
JPH11163670A (ja) * 1997-12-01 1999-06-18 Seiko Epson Corp 圧電デバイス

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1742430B (zh) * 2002-02-12 2010-04-28 松下电器产业株式会社 弹性表面波装置
CN103026546A (zh) * 2010-07-22 2013-04-03 Tdk株式会社 带通滤波器模块以及模块基板

Also Published As

Publication number Publication date
EP2043263A1 (en) 2009-04-01
TW461178B (en) 2001-10-21
US6417574B1 (en) 2002-07-09
KR100679958B1 (ko) 2007-02-08
JP2001053577A (ja) 2001-02-23
EP1076414A2 (en) 2001-02-14
JP3860364B2 (ja) 2006-12-20
EP1076414A3 (en) 2002-11-13
CN1134105C (zh) 2004-01-07
KR20010021244A (ko) 2001-03-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1134105C (zh) 适合倒装片安装的表面声波器件
CN1258939C (zh) 分波器、通信装置
CN1196258C (zh) 声表面波滤波器件
CN1080952C (zh) 表面声波滤波器元件和通过对其封装而制成的表面声波滤波器
CN1601897A (zh) 多路分解器和通信设备
CN1167196C (zh) 表面声波滤波器和使用它的通信装置
CN1921303A (zh) 具有匹配电路的双工器
CN1578132A (zh) 声表面波器件和通信设备
CN1870426A (zh) 声波滤波器和声波双工器
CN1756076A (zh) 双工器
CN1355603A (zh) 组合式电子元件
CN1543065A (zh) 使用表面声波滤波器的双工器
CN101079609A (zh) 平衡滤波器和双工器
CN1705226A (zh) 薄膜体音响谐振器及薄膜体音响谐振器的制造方法
CN1309163C (zh) 滤波器芯片和滤波器设备
CN1741377A (zh) 声表面波装置以及通信装置
CN1956325A (zh) 表面声波器件
CN1400736A (zh) 弹性表面波分波器及通信装置
CN1543063A (zh) 双工器
CN1943031A (zh) 集成电路、制造该集成电路的方法与组件以及具有该集成电路的移动电话
CN1691501A (zh) 天线双工器和电子设备
CN1551500A (zh) 使用表面声波滤波器的双工器及配备该双工器的电子装置
CN1852026A (zh) 滤波器和双工器
CN100341243C (zh) 双工器和组合模块
CN1421999A (zh) 双工器和使用此双工器的电子设备

Legal Events

Date Code Title Description
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C06 Publication
PB01 Publication
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: TAIYO YUDEN CO., LTD.

Free format text: FORMER OWNER: FUJITSU MEDIA DEVICES LTD

Effective date: 20101202

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
C56 Change in the name or address of the patentee

Owner name: FUJITSU MEDIA DEVICES LTD

Free format text: FORMER NAME: FUJITSU MEDIUM DEVICE CO., LTD.

COR Change of bibliographic data

Free format text: CORRECT: ADDRESS; FROM: NAGANO PREFECTURE, JAPAN TO: TOKYO, JAPAN

CP01 Change in the name or title of a patent holder

Address after: Nagano

Patentee after: Fujitsu Media Devices Ltd.

Address before: Nagano

Patentee before: Fujitsu Media Devices Ltd.

TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20101202

Address after: Tokyo, Japan

Patentee after: TAIYO YUDEN Co.,Ltd.

Address before: Nagano

Patentee before: Fujitsu Media Devices Ltd.

CX01 Expiry of patent term

Granted publication date: 20040107

CX01 Expiry of patent term